知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024133882
(43)【公開日】2024-10-03
(54)【発明の名称】電流センサ、及び電力変換装置
(51)【国際特許分類】
G01R 15/20 20060101AFI20240926BHJP
【ＦＩ】
G01R15/20 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023043884
(22)【出願日】2023-03-20
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003177
【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】平形 政樹
【テーマコード（参考）】
2G025
【Ｆターム（参考）】
2G025AA15
2G025AB14
2G025AC01
(57)【要約】
【課題】電流の検出精度を向上させること。
【解決手段】本開示の電流センサの一態様は、複数本の板状のバスバー２０のそれぞれに対応する磁気検出素子３００が設けられる電流センサ１Ａであって、複数本のバスバー２０は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、複数本のバスバー２０の長さ方向に垂直な断面Ａにおいて、磁気検出素子３００は、それぞれ、自身が設けられるバスバー２０の隣に位置するバスバー２０の厚さＤａに対応する範囲に少なくとも一部が入り込む位置に、隣に位置するバスバー２０の中心２０Ｃを通って隣のバスバー２０の幅方向に延びる中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で、配置される。
【選択図】図１
【解決手段】本開示の電流センサの一態様は、複数本の板状のバスバー２０のそれぞれに対応する磁気検出素子３００が設けられる電流センサ１Ａであって、複数本のバスバー２０は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、複数本のバスバー２０の長さ方向に垂直な断面Ａにおいて、磁気検出素子３００は、それぞれ、自身が設けられるバスバー２０の隣に位置するバスバー２０の厚さＤａに対応する範囲に少なくとも一部が入り込む位置に、隣に位置するバスバー２０の中心２０Ｃを通って隣のバスバー２０の幅方向に延びる中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で、配置される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数本の板状のバスバーのそれぞれに対応する磁気検出素子が設けられる電流センサであって、
前記複数本のバスバーは、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、
前記複数本のバスバーの前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
自身が設けられるバスバーの隣に位置するバスバーの厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記隣に位置するバスバーの中心を通って前記隣のバスバーの幅方向に延びる中心線に磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、電流センサ。
前記複数本のバスバーは、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、
前記複数本のバスバーの前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
自身が設けられるバスバーの隣に位置するバスバーの厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記隣に位置するバスバーの中心を通って前記隣のバスバーの幅方向に延びる中心線に磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、電流センサ。
【請求項2】
前記複数本のバスバーの本数はｎ本（ただし、ｎは３以上の整数）であり、
前記ｎ本のバスバーの前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
前記バスバーの幅方向に沿った第１の方向、及び、前記第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられるバスバーから数えて奇数番目に位置する各バスバーの厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記奇数番目に位置する各バスバーの中心を通って前記奇数番目に位置する各バスバーの幅方向に延びる中心線に前記磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、
請求項１に記載の電流センサ。
前記ｎ本のバスバーの前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
前記バスバーの幅方向に沿った第１の方向、及び、前記第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられるバスバーから数えて奇数番目に位置する各バスバーの厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記奇数番目に位置する各バスバーの中心を通って前記奇数番目に位置する各バスバーの幅方向に延びる中心線に前記磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、
請求項１に記載の電流センサ。
【請求項3】
前記磁気検出素子は、それぞれ、前記中心線上に配置される
請求項１または２に記載の電流センサ。
請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項4】
１以上の前記バスバーごとに、磁性材料を主材とする一対のシールド板を備え、
前記一対のシールド板のそれぞれの間に、対応する前記１以上の前記バスバーと、前記１以上の前記バスバーのそれぞれに設けられた前記磁気検出素子と、が配置される
請求項１または２に記載の電流センサ。
前記一対のシールド板のそれぞれの間に、対応する前記１以上の前記バスバーと、前記１以上の前記バスバーのそれぞれに設けられた前記磁気検出素子と、が配置される
請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項5】
前記磁気検出素子は、それぞれ、
対応する前記バスバーにスペーサーを介して取り付けられている、
請求項１または２に記載の電流センサ。
対応する前記バスバーにスペーサーを介して取り付けられている、
請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項6】
複数相分の板状の出力端子と、
前記出力端子のそれぞれに対応して設けられる磁気検出素子と、を備えた電力変換装置であって、
前記複数相分の出力端子は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、
前記複数相分の出力端子の前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
自身が設けられる出力端子の隣に位置する出力端子の厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記隣に位置する出力端子の中心を通って前記隣の出力端子の幅方向に延びる中心線に磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、電力変換装置。
前記出力端子のそれぞれに対応して設けられる磁気検出素子と、を備えた電力変換装置であって、
前記複数相分の出力端子は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、
前記複数相分の出力端子の前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
自身が設けられる出力端子の隣に位置する出力端子の厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記隣に位置する出力端子の中心を通って前記隣の出力端子の幅方向に延びる中心線に磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、電力変換装置。
【請求項7】
前記複数相分の出力端子の本数はｎ本（ただし、ｎは３以上の整数）であり、
前記ｎ本の出力端子の前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
前記出力端子の幅方向に沿った第１の方向、及び、前記第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられる出力端子から数えて奇数番目に位置する各出力端子の厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記奇数番目に位置する各出力端子の中心を通って前記奇数番目に位置する各出力端子の幅方向に延びる中心線に前記磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、
請求項６に記載の電力変換装置。
前記ｎ本の出力端子の前記長さ方向に垂直な断面において、
前記磁気検出素子は、それぞれ、
前記出力端子の幅方向に沿った第１の方向、及び、前記第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられる出力端子から数えて奇数番目に位置する各出力端子の厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、
前記奇数番目に位置する各出力端子の中心を通って前記奇数番目に位置する各出力端子の幅方向に延びる中心線に前記磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、
配置される、
請求項６に記載の電力変換装置。
【請求項8】
前記磁気検出素子は、それぞれ、
対応する前記出力端子にスペーサーを介して取り付けられている、
請求項６または７に記載の電力変換装置。
対応する前記出力端子にスペーサーを介して取り付けられている、
請求項６または７に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電流センサ、及び電力変換装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電流を流すための導体であるバスバーと、当該バスバーに設けられた磁気検出素子と、を備え、バスバーに流れる電流によって形成された磁界の磁束に応じた信号を磁気検出素子が出力する電流センサが知られている。この種の電流センサは、バスバーに流れる大電流を測定可能であり、また、電流の方向を正確に測定できるため、インバータなどの電力変換装置、及び電動機の駆動装置などで電流検出のために用いられている。
【0003】
特許文献１には、複数のバスバーと、バスバーごとに設けられた磁気検出素子と、複数のバスバーを一括して挟み込むように配置された磁性材料からなる一対のシールド板と、を備えた電流センサが示されている。また、この特許文献１には、「磁気検出素子が、電流検出対象となるバスバー以外のバスバーで発した磁界の影響（他相からの干渉）を受けてしまい、検出精度が低下してしまうおそれがあった」こと、「他相からの干渉を抑制し検出精度の向上を図った電流センサを提供すること」が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－１３８８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１の電流センサにおいて、一対のシールド板を備えても、ある磁気検出素子が電流検出対象となるバスバー以外のバスバーで発生した磁界から受ける影響を完全に取り除くことができない。したがって、磁気検出素子の信号には他のバスバーの磁界による誤差が含まれており、電流の検出精度の点で更なる改善の余地があった。
【0006】
本開示は、電流の検出精度を向上させることができる電流センサ、及び電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の１つの態様に係る電流センサは、複数本の板状のバスバーのそれぞれに対応する磁気検出素子が設けられる電流センサであって、前記複数本のバスバーは、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、前記複数本のバスバーの前記長さ方向に垂直な断面において、前記磁気検出素子は、それぞれ、自身が設けられるバスバーの隣に位置するバスバーの厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、前記隣に位置するバスバーの中心を通って前記隣のバスバーの幅方向に延びる中心線に磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、配置される。
【0008】
本開示の１つの態様に係る電力変換装置は、複数相分の板状の出力端子と、前記出力端子のそれぞれに対応して設けられる磁気検出素子と、を備えた電力変換装置であって、前記複数相分の出力端子は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されており、前記複数相分の出力端子の前記長さ方向に垂直な断面において、前記磁気検出素子は、それぞれ、自身が設けられる出力端子の隣に位置する出力端子の厚さに対応する範囲に少なくとも自身の一部が入り込む位置に、前記隣に位置する出力端子の中心を通って前記隣の出力端子の幅方向に延びる中心線に磁束密度の検出軸が沿う姿勢で、配置される。
【発明の効果】
【0009】
本開示のそれぞれの態様によれば、電流の検出精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本開示の実施形態に係る電流センサの構成の一例を模式的に示す斜視図である。
【図3】バスバーに流れる電流によって生じる磁界の磁束密度の説明図である。
【図4】第２電流センサ部のバスバーで発生する磁界が第１電流センサ部の磁気検出素子に及ぼす影響についての説明図である。
【図5】第２電流センサ部のバスバーの電流によって生じる磁界のシミュレーション結果を示す図である。
【図6】磁束密度のＸ軸方向成分と、第２電流センサ部のバスバーの中心からの距離との関係を示す図である。
【図7】本開示の第２実施形態に係る電流センサの構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図8】本開示の第３実施形態に係る電力変換装置の構成の一例を示す斜視図である。
【図9】電力変換装置の構成の一例を示す断面図である。
【図10】電力変換回路の回路構成の一例を示す図である。
【図11】本開示の変形例３に係る電力変換装置の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照しながら本開示に係る好適な形態を説明する。なお、図面において、各部の寸法、及び縮尺が実際と適宜に異なる場合があり、理解を容易にするために模式的に示している部分を含む場合がある。また、以下の説明において、本開示を限定する旨の特段の記載が無い限り、本開示の範囲は以下の説明に記載された形態に限られない。本開示の範囲は当該形態の均等の範囲を含む。
【0012】
１．第１実施形態
図１は、本実施形態に係る電流センサ１Ａの構成の一例を模式的に示す斜視図である。
電流センサ１Ａは、本開示の電流センサの一例である。本実施形態の電流センサ１Ａは、２相分のバスバー２０に流れる電流を検出するコアレス電流センサであり、図１に示すに、第１相のバスバー２０に流れる電流を検出する第１電流センサ部１０－１と、第２相のバスバー２０に流れる電流を検出する第２電流センサ部１０－２と、を備える。
図１は、本実施形態に係る電流センサ１Ａの構成の一例を模式的に示す斜視図である。
電流センサ１Ａは、本開示の電流センサの一例である。本実施形態の電流センサ１Ａは、２相分のバスバー２０に流れる電流を検出するコアレス電流センサであり、図１に示すに、第１相のバスバー２０に流れる電流を検出する第１電流センサ部１０－１と、第２相のバスバー２０に流れる電流を検出する第２電流センサ部１０－２と、を備える。
【0013】
第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２は、互いに同じ部材を備える。すなわち、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２は、いずれも、検出対象の電流が流れる板状の導体であるバスバー２０と、このバスバー２０に設けられる磁気検出装置３０と、バスバー２０ごとに設けられ、対応するバスバー２０と磁気検出装置３０とを間に挟む一対のシールド板４０と、を備える。
バスバー２０、磁気検出装置３０、及び、一対のシールド板４０は、いずれも、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の間で同じもの、より正確には、形状、サイズ、材質、及び、各種の特性が同じものが用いられる。
バスバー２０、磁気検出装置３０、及び、一対のシールド板４０は、いずれも、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の間で同じもの、より正確には、形状、サイズ、材質、及び、各種の特性が同じものが用いられる。
【0014】
図２は、図１に一点鎖線で示した断面Ａにおける断面図である。なお、断面Ａは、２本のバスバー２０の長さ方向に垂直な断面に相当する。
バスバー２０は、導電性材料を主材とする一方向に長い板状の導体である。導電性材料には、例えば、銅、及びアルミニウム等の金属が用いられる。バスバー２０の長さ方向に垂直な断面の形状は、図２に示すように、厚さＤａよりも幅Ｄｂが大きな矩形状である。
磁気検出装置３０は、磁界の磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出素子３００と、当該磁気検出素子３００をパッケージングするパッケージ３０２と、を備える。磁気検出素子３００は１軸方向のみの磁束密度を検出する素子、すなわち、当該１軸方向の磁束密度に応じた信号を出力する素子である。係る磁気検出素子３００の代表的な例にホール素子、あるいは、巨大磁気抵抗素子(GMR：Giant Magneto Resistive)、トンネル磁気抵抗素子(TMR：Tunnel Magneto Resistive)等の磁気抵抗素子が挙げられる。以下の説明では、磁気検出素子３００の検出方向を示す軸を「検出軸３００Ｋ」と称する。
バスバー２０は、導電性材料を主材とする一方向に長い板状の導体である。導電性材料には、例えば、銅、及びアルミニウム等の金属が用いられる。バスバー２０の長さ方向に垂直な断面の形状は、図２に示すように、厚さＤａよりも幅Ｄｂが大きな矩形状である。
磁気検出装置３０は、磁界の磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出素子３００と、当該磁気検出素子３００をパッケージングするパッケージ３０２と、を備える。磁気検出素子３００は１軸方向のみの磁束密度を検出する素子、すなわち、当該１軸方向の磁束密度に応じた信号を出力する素子である。係る磁気検出素子３００の代表的な例にホール素子、あるいは、巨大磁気抵抗素子(GMR：Giant Magneto Resistive)、トンネル磁気抵抗素子(TMR：Tunnel Magneto Resistive)等の磁気抵抗素子が挙げられる。以下の説明では、磁気検出素子３００の検出方向を示す軸を「検出軸３００Ｋ」と称する。
【0015】
一対のシールド板４０は、磁性材料を主材とする板状の部材であり、一対のシールド板４０によって挟まれた内部空間４０ＳＡと外の空間との間で磁界を遮蔽する。この内部空間４０ＳＡに磁気検出装置３０が配置されることにより、内部空間４０ＳＡの外の空間で生じた磁界が磁気検出装置３０に及ぼす影響が抑えられる。
【0016】
本開示において、バスバー２０を基準にＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸から成る直交三次元座標を定義する。具体的には、バスバー２０の幅Ｄｂの方向をＸ軸方向、バスバー２０の長さ方向をＹ軸方向、及びバスバー２０の厚さＤａの方向をＺ軸方向と定義する。また、Ｚ軸方向の正の値側、及び負の値側から視たバスバー２０の面を、それぞれ「第１主面２０Ａ」、及び「第２主面２０Ｂ」と称する。
【0017】
電流センサ１Ａの断面Ａにおける構成について更に詳述すると、図２に示すように、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の各バスバー２０は、それぞれの長さ方向（Ｙ軸方向）が互いに平行であり、また、それぞれの第１主面２０Ａ、及び第２主面２０Ｂの法線方向２０Ｋが互いに平行となる姿勢で、互いの間に離間距離Ｄｃをあけてケース内に配置される。
【0018】
第１電流センサ部１０－１において、磁気検出装置３０（磁気検出素子３００）は、自身の電流検出対象である第１電流センサ部１０－１のバスバー２０の第１主面２０Ａに設けられる。一方、第２電流センサ部１０－２において、磁気検出装置３０（磁気検出素子３００）は、自身の電流検出対象である第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の第２主面２０Ｂに設けられる。
すなわち、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の各磁気検出装置３０が備える磁気検出素子３００は、それぞれ、自身の電流検出対象のバスバー２０の第１主面２０Ａ、及び第２主面２０Ｂのうち、相手の磁気検出素子３００が設けられている面と反対の面に設けられる。
すなわち、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の各磁気検出装置３０が備える磁気検出素子３００は、それぞれ、自身の電流検出対象のバスバー２０の第１主面２０Ａ、及び第２主面２０Ｂのうち、相手の磁気検出素子３００が設けられている面と反対の面に設けられる。
【0019】
また、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００は、それぞれ、自身の電流検出対象のバスバー２０に隣接するバスバー２０の中心線ＣＬ上に配置される。バスバー２０の中心線ＣＬとは、断面Ａの断面視において、そのバスバー２０の厚さＤａの中心を通り、そのバスバー２０の幅Ｄｂの方向に延びる線である。さらにまた、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００は、それぞれ、検出軸３００Ｋが中心線ＣＬに沿う姿勢で、当該ＣＬ上に配置される。なお、本開示において、「検出軸３００Ｋが中心線ＣＬに沿う」とは、検出軸３００Ｋと中心線ＣＬとが平行であることを意味する。ただし、この「平行」は、完全な平行に限定されるものでは無く、設計交差などに起因した誤差を許容する。
【0020】
第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の各バスバー２０、及び各磁気検出素子３００がこのように配置されることにより、各磁気検出素子３００において、電流検出対象となるバスバー２０以外のバスバー２０で発生した磁界の磁束密度の影響が抑えられる。以下、この点について詳述する。
【0021】
図３は、バスバー２０に流れる電流によって生じる磁界の磁束密度の説明図である。なお、図３には、図１の一点鎖線で示した断面Ａにおける磁界を示す。図４は、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０で発生する磁界が第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００に及ぼす影響についての説明図である。
バスバー２０の長さ方向に電流が流れると、バスバー２０の周りに同心円状に磁界が発生する。バスバー２０の中心２０Ｃから距離Ｒだけ離れた点αにおける磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘは、点αにおけるＸ軸方向からの角度をθとすると、次式（１）によって表される。
バスバー２０の長さ方向に電流が流れると、バスバー２０の周りに同心円状に磁界が発生する。バスバー２０の中心２０Ｃから距離Ｒだけ離れた点αにおける磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘは、点αにおけるＸ軸方向からの角度をθとすると、次式（１）によって表される。
【0022】
Ｂｘ＝Ｂα×ｓｉｎθ （１）
【0023】
式（１）から分かるように、角度θがゼロ度の点α０における磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘはゼロとなる。
【0024】
一方、本実施形態では、図４に示すように、第１電流センサ部１０－１の磁気検出装置３０の磁気検出素子３００は、隣接する第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬの上に、当該中心線ＣＬに自身の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
バスバー２０の中心線ＣＬはＸ軸方向（すなわちバスバー２０の幅Ｄｂの方向）に延びる線であり、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００の配置位置は、図３における点α０に相当する。したがって、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００の配置位置において、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の磁界による磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘがゼロとなる。この結果、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００が出力する信号は、自身の電流検出対象である第１電流センサ部１０－１のバスバー２０の磁界の磁束密度Ｂα（より正確には、当該磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘ）のみに応じたものとなる。
第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００も同様に、第１電流センサ部１０－１のバスバー２０の中心線ＣＬの上に、当該中心線ＣＬに自身の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置されている。したがって、第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００が出力する信号も、自身の電流検出対象である第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の磁界の磁束密度Ｂα（より正確には、当該磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘ）のみに応じたものとなる。
バスバー２０の中心線ＣＬはＸ軸方向（すなわちバスバー２０の幅Ｄｂの方向）に延びる線であり、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００の配置位置は、図３における点α０に相当する。したがって、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００の配置位置において、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の磁界による磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘがゼロとなる。この結果、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００が出力する信号は、自身の電流検出対象である第１電流センサ部１０－１のバスバー２０の磁界の磁束密度Ｂα（より正確には、当該磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘ）のみに応じたものとなる。
第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００も同様に、第１電流センサ部１０－１のバスバー２０の中心線ＣＬの上に、当該中心線ＣＬに自身の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置されている。したがって、第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００が出力する信号も、自身の電流検出対象である第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の磁界の磁束密度Ｂα（より正確には、当該磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘ）のみに応じたものとなる。
【0025】
図５は、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の電流によって生じる磁界のシミュレーション結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、第１電流センサ部１０－１のバスバー２０に流れる電流はゼロである。また、図６は、磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘと、第１電流センサ部１０－１における一対のシールド板４０の一方のシールド板４０－１Ａの表面から他方のシールド板４０－１Ｂの側へのＺ軸方向の距離と、の関係を示す図である。なお、図６の値は、図５のシミュレーション結果に基づいて求めたれた値である。
図５に示すように、磁界の磁力線は、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬと概ね直交する。また、図６に示すように、第１電流センサ部１０－１において、一対のシールド板４０の間では、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬが交差する点Ｐにおいて、磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘの絶対値がゼロ近傍となる。この点Ｐは図３における上述の点α０に相当する。したがって、図５、及び図６のシミュレーションに基づく結果により、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬ上に、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００を、当該中心線ＣＬに検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置することにより、当該磁気検出素子３００は、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の電流によって生じる磁界の磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘの影響を最小とし、自身の電流検出対象のバスバー２０の磁界に応じた信号を出力できることが示される。なお、第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００についても同様である。
図５に示すように、磁界の磁力線は、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬと概ね直交する。また、図６に示すように、第１電流センサ部１０－１において、一対のシールド板４０の間では、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬが交差する点Ｐにおいて、磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘの絶対値がゼロ近傍となる。この点Ｐは図３における上述の点α０に相当する。したがって、図５、及び図６のシミュレーションに基づく結果により、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の中心線ＣＬ上に、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００を、当該中心線ＣＬに検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置することにより、当該磁気検出素子３００は、第２電流センサ部１０－２のバスバー２０の電流によって生じる磁界の磁束密度ＢαのＸ軸方向成分Ｂｘの影響を最小とし、自身の電流検出対象のバスバー２０の磁界に応じた信号を出力できることが示される。なお、第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００についても同様である。
【0026】
以上説明したように、本実施形態の電流センサ１Ａは、２本の板状のバスバー２０のそれぞれに、磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出素子３００が設けられるセンサである。また、２本のバスバー２０は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置される。更にまた、２本のバスバー２０の長さ方向に垂直な断面Ａの断面視において、磁気検出素子３００は、それぞれ、自身が設けられるバスバー２０の隣に位置するバスバー２０の中心線上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
この構成により、２本のバスバー２０のそれぞれに設けられた各磁気検出素子３００に対し、電流検出対象となるバスバー２０以外のバスバー２０で発生した磁界の磁束密度Ｂαが与える影響が抑えられる。
この構成により、２本のバスバー２０のそれぞれに設けられた各磁気検出素子３００に対し、電流検出対象となるバスバー２０以外のバスバー２０で発生した磁界の磁束密度Ｂαが与える影響が抑えられる。
【0027】
また、本実施形態の電流センサ１Ａは、１本のバスバー２０ごとに、磁性材料を主材とする一対のシールド板４０を備え、一対のシールド板４０のそれぞれの間に、対応するバスバー２０と、そのバスバー２０に設けられた磁気検出素子３００と、が配置される。
この構成により、一対のシールド板４０の外の空間で生じた磁界が磁気検出素子３００に及ぼす影響が抑えられる。
この構成により、一対のシールド板４０の外の空間で生じた磁界が磁気検出素子３００に及ぼす影響が抑えられる。
【0028】
２．第２実施形態
図７は、本開示の第２実施形態に係る電流センサ１Ｂの構成の一例を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態において説明した部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態の電流センサ１Ｂは、第１実施形態の電流センサ１Ａが２相分の電流を検出する構成であるのに対し、ｎ相分（ただし、ｎは３以上の整数）の電流を検出する構成である点で、第１実施形態の電流センサ１Ａと構成を異にする。すなわち、本実施形態の電流センサ１Ｂは、互いに長さ方向が平行に配置されたｎ本のバスバー２０のそれぞれの電流を検出するために、第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、・・・、第ｎ電流センサ部１０－ｎのｎ個の電流センサ部を備える。第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、・・・、第ｎ電流センサ部１０－ｎは、いずれも、第１実施形態の第１電流センサ部１０－１と同様に、バスバー２０に設けられる磁気検出装置３０と、一対のシールド板４０と、を備える。
図７は、本開示の第２実施形態に係る電流センサ１Ｂの構成の一例を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態において説明した部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態の電流センサ１Ｂは、第１実施形態の電流センサ１Ａが２相分の電流を検出する構成であるのに対し、ｎ相分（ただし、ｎは３以上の整数）の電流を検出する構成である点で、第１実施形態の電流センサ１Ａと構成を異にする。すなわち、本実施形態の電流センサ１Ｂは、互いに長さ方向が平行に配置されたｎ本のバスバー２０のそれぞれの電流を検出するために、第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、・・・、第ｎ電流センサ部１０－ｎのｎ個の電流センサ部を備える。第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、・・・、第ｎ電流センサ部１０－ｎは、いずれも、第１実施形態の第１電流センサ部１０－１と同様に、バスバー２０に設けられる磁気検出装置３０と、一対のシールド板４０と、を備える。
【0029】
なお、以下の説明では、電流センサ１Ｂにおいて、Ｘ軸方向に並んだｎ本のバスバー２０は、それぞれ、直交三次元座標の原点に近い側（図７において最左端）のバスバー２０から順番に第１相、第２相、・・・第ｎ相に対応するものとする。また、電流センサ１Ｂにおいて、第ｉ相（ｉは２以上ｎ以下の整数）に対応する電流センサ部を「第ｉ電流センサ部１０－ｉ」と称する。
【0030】
本実施形態の電流センサ１Ｂは、図７に示すように、断面Ａの断面視において、第ｉ相に対応する第ｉ電流センサ部１０－ｉの磁気検出素子３００のＸ軸方向における両隣に位置する第[ｉ－１]電流センサ部１０－[ｉ－１]、及び第[ｉ＋１]電流センサ部１０－[ｉ＋１]のそれぞれのバスバー２０は中心線ＣＬが一致する。加えて、第ｉ相に対応する第ｉ電流センサ部１０－ｉの磁気検出素子３００は、両隣の各バスバー２０の中心線ＣＬ上に、その検出軸３００Ｋが中心線ＣＬに沿う姿勢で配置される。
係る配置においては、第ｉ電流センサ部１０－ｉの磁気検出素子３００は、Ｘ軸に沿った第１の方向、及び第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられたバスバー２０から数えて奇数番目に位置する他の電流センサ部の各バスバー２０の中心線ＣＬ上に位置することになる。
係る配置においては、第ｉ電流センサ部１０－ｉの磁気検出素子３００は、Ｘ軸に沿った第１の方向、及び第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられたバスバー２０から数えて奇数番目に位置する他の電流センサ部の各バスバー２０の中心線ＣＬ上に位置することになる。
【0031】
ここで、例えば、第１相（ｉ＝１）に対応する第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００が、自身の電流検出対象のバスバー２０以外の各バスバー２０において生じる磁界から受ける磁束密度のＸ軸方向成分を外部磁束密度Ｂｏ１ｘとする。この場合、外部磁束密度Ｂｏ１ｘは、次式（２）に示すように、各磁界の磁束密度Ｂ２、Ｂ３、・・・、ＢｎのＸ軸方向成分の和で表される。
【0032】
外部磁束密度Ｂｏ１ｘ＝
Ｂ２ｓｉｎθ２＋Ｂ３ｓｉｎθ３＋Ｂ４ｓｉｎθ４・・・＋Ｂｎｓｉｎθｎ （２）
ただし、θｊ（ｊ＝２からｎまでの整数）は、第ｊ相のバスバー２０の中心２０Ｃと第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００とを結ぶ線と、Ｘ軸とが成す角度である。
Ｂ２ｓｉｎθ２＋Ｂ３ｓｉｎθ３＋Ｂ４ｓｉｎθ４・・・＋Ｂｎｓｉｎθｎ （２）
ただし、θｊ（ｊ＝２からｎまでの整数）は、第ｊ相のバスバー２０の中心２０Ｃと第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００とを結ぶ線と、Ｘ軸とが成す角度である。
【0033】
本実施形態において、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００は、自身から数えて奇数番目のバスバー２０の中心線ＣＬに配置されるため、当該奇数番目のバスバー２０に対応する角度θ２（１番目に相当）、θ４（３番目に相当）、・・・はいずれもゼロ度となる。したがって、式（２）において、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００が、自身の電流検出対象のバスバー２０から数えて奇数番目のバスバー２０の磁界から受ける磁束密度Ｂ２、Ｂ４、・・・のＸ軸方向成分はゼロとなるため、式（２）は式（３）のようになる。
【0034】
外部磁束密度Ｂｏ１ｘ＝Ｂ３ｓｉｎθ３＋・・・ （３）
ただし、θ２（１番目）、θ４（３番目）、・・・・＝ゼロ度
ただし、θ２（１番目）、θ４（３番目）、・・・・＝ゼロ度
【0035】
式（３）から明らかなように、磁束密度Ｂ２、Ｂ４、・・・がゼロとなることにより、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００における外部磁束密度Ｂｏ１ｘは小さくなる。この結果、第１電流センサ部１０－１の磁気検出素子３００に対し、電流検出対象となるバスバー２０以外の各バスバー２０で発生した磁界の磁束密度が与える影響が抑えられる。
特に本実施形態では、磁気検出素子３００から数えて１番目に位置するバスバー２０、すなわち、最も近いバスバー２０から受ける磁束密度Ｂ１の影響が略ゼロとなっている。各バスバー２０に流れる電流の最大値が等しい場合、式（２）の外部磁束密度Ｂｏ１ｘにおいては、各バスバー２０の磁束密度Ｂｉの中で、この磁束密度Ｂ１が最も大きくなる。したがって、この磁束密度Ｂ１の影響が略ゼロとなるため、磁気検出素子３００が、自身の電流検出対象のバスバー２０以外の他のバスバー２０で発生した磁界の磁束密度から受ける影響が効率良く抑えられることとなる。
なお、以上述べた効果は、第ｉ電流センサ部１０－ｉの磁気検出素子３００についても同様に言えることである。
特に本実施形態では、磁気検出素子３００から数えて１番目に位置するバスバー２０、すなわち、最も近いバスバー２０から受ける磁束密度Ｂ１の影響が略ゼロとなっている。各バスバー２０に流れる電流の最大値が等しい場合、式（２）の外部磁束密度Ｂｏ１ｘにおいては、各バスバー２０の磁束密度Ｂｉの中で、この磁束密度Ｂ１が最も大きくなる。したがって、この磁束密度Ｂ１の影響が略ゼロとなるため、磁気検出素子３００が、自身の電流検出対象のバスバー２０以外の他のバスバー２０で発生した磁界の磁束密度から受ける影響が効率良く抑えられることとなる。
なお、以上述べた効果は、第ｉ電流センサ部１０－ｉの磁気検出素子３００についても同様に言えることである。
【0036】
以上説明したように、本実施形態の電流センサ１Ｂは、ｎ本（ただし、ｎは３以上の整数）の板状のバスバー２０のそれぞれに、磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出素子３００が設けられる電流センサである。また、ｎ本のバスバー２０は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置される。さらに、ｎ本のバスバー２０の長さ方向に垂直な断面Ａの断面視において、磁気検出素子３００は、それぞれ、バスバー２０の幅方向Ｄｂ（Ｘ軸方向）に沿った第１の方向、及び、第１の方向と反対の第２の方向において自身が設けられたバスバー２０から数えて奇数番目に位置する各バスバー２０の中心線ＣＬ上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
この構成により、磁気検出素子３００のそれぞれが、電流検出対象となるバスバー２０から数えて奇数番目に位置する各バスバー２０で発生した磁界から受ける影響が抑えられる。
この構成により、磁気検出素子３００のそれぞれが、電流検出対象となるバスバー２０から数えて奇数番目に位置する各バスバー２０で発生した磁界から受ける影響が抑えられる。
【0037】
また、本実施形態の電流センサ１Ｂは、第１実施形態と同様に、１本のバスバー２０ごとに、磁性材料を主材とする一対のシールド板４０を備え、一対のシールド板４０のそれぞれの間に、対応するバスバー２０と、そのバスバー２０に設けられた磁気検出素子３００と、が配置される。
この構成により、一対のシールド板４０の外の空間で生じた磁界が磁気検出素子３００に及ぼす影響が抑えられる。
この構成により、一対のシールド板４０の外の空間で生じた磁界が磁気検出素子３００に及ぼす影響が抑えられる。
【0038】
３．第３実施形態
図８は、本開示の第３実施形態に係る電力変換装置１００の構成の一例を示す斜視図であり、図９は電力変換装置１００の構成の一例を示す断面図である。なお、第１実施形態、又は第２実施形態において説明した部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
電力変換装置１００は、本開示の電力変換装置の一例である。本実施形態の電力変換装置１００は、直流電源から入力される直流電力を三相の交流電力に変換し、当該交流電力を例えば電動機などの負荷に出力する装置である。具体的には、電力変換装置１００は、直流電力が入力される２本の入力端子１５０と、２本の入力端子１５０から入力された直流電力を交流電力に変換する電力変換回路１６０を内包したパワーモジュール部１６２と、三相の交流電力を外部の機器に出力するための３本の出力端子１７０と、各出力端子１７０に流れる電流を検出する電流センサ１Ｃと、を備える。電流センサ１Ｃは、本開示の電流センサの一例に相当する。なお、電力変換装置１００は、図９、及び図１０に示す構成部材の他にも、電力変換回路１６０を制御する制御回路などの各種の回路を備える。
図８は、本開示の第３実施形態に係る電力変換装置１００の構成の一例を示す斜視図であり、図９は電力変換装置１００の構成の一例を示す断面図である。なお、第１実施形態、又は第２実施形態において説明した部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
電力変換装置１００は、本開示の電力変換装置の一例である。本実施形態の電力変換装置１００は、直流電源から入力される直流電力を三相の交流電力に変換し、当該交流電力を例えば電動機などの負荷に出力する装置である。具体的には、電力変換装置１００は、直流電力が入力される２本の入力端子１５０と、２本の入力端子１５０から入力された直流電力を交流電力に変換する電力変換回路１６０を内包したパワーモジュール部１６２と、三相の交流電力を外部の機器に出力するための３本の出力端子１７０と、各出力端子１７０に流れる電流を検出する電流センサ１Ｃと、を備える。電流センサ１Ｃは、本開示の電流センサの一例に相当する。なお、電力変換装置１００は、図９、及び図１０に示す構成部材の他にも、電力変換回路１６０を制御する制御回路などの各種の回路を備える。
【0039】
図１０は、電力変換回路１６０の回路構成の一例を示す図である。
電力変換回路１６０は、スイッチング素子の一例であるパワー半導体素子１８０を直列に接続した３相分の上下アーム回路１８２を備える。パワー半導体素子１８０は例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）である。
各上下アーム回路１８２は、直流電源の正極、及び負極にそれぞれ接続される上述の２本の入力端子１５０に並列に接続される。また、３相分の上下アーム回路１８２のそれぞれから上述の出力端子１７０が引き出される。各出力端子１７０は第１実施形態において説明したバスバー２０に相当する部材である。すなわち、各出力端子１７０は、一方向に長い板状の部材であり、互いに平行に配置されており、各出力端子１７０に流れる電流が電流センサ１Ｃによって検出される。
電力変換回路１６０は、スイッチング素子の一例であるパワー半導体素子１８０を直列に接続した３相分の上下アーム回路１８２を備える。パワー半導体素子１８０は例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）である。
各上下アーム回路１８２は、直流電源の正極、及び負極にそれぞれ接続される上述の２本の入力端子１５０に並列に接続される。また、３相分の上下アーム回路１８２のそれぞれから上述の出力端子１７０が引き出される。各出力端子１７０は第１実施形態において説明したバスバー２０に相当する部材である。すなわち、各出力端子１７０は、一方向に長い板状の部材であり、互いに平行に配置されており、各出力端子１７０に流れる電流が電流センサ１Ｃによって検出される。
【0040】
電流センサ１Ｃは、３相分の電流を検出するために、第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、及び、第３電流センサ部１０－３と、を備える。第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、及び第３電流センサ部１０－３は、第１実施形態、及び第２実施形態と同様に、出力端子１７０に設けられる磁気検出装置３０と、出力端子１７０及び磁気検出装置３０を間に挟む一対のシールド板４０を備える。ただし、一対のシールド板４０には、第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、及び第３電流センサ部１０－３に亘って延びることにより、３本の出力端子１７０、及び３つの磁気検出装置３０を間に挟む一対の板材が用いられている。換言すれば、電流センサ１Ｃは、一対のシールド板４０を備え、一対のシールド板４０の間に、３本の出力端子１７０と、出力端子１７０のそれぞれに設けられた磁気検出素子３００と、が配置される。
【0041】
電流センサ１Ｃにおいて、各磁気検出装置３０の磁気検出素子３００と、各出力端子１７０との位置関係は、第２実施形態の電流センサ１Ｂにおいて相数ｎが「３」である場合と同様である。すなわち、図９に示すように、電流センサ１Ｃの断面視において、第２相に対応する第２電流センサ部１０－２の磁気検出素子３００が、Ｘ軸方向における両隣の第１電流センサ部１０－１、及び第３電流センサ部１０－３のそれぞれの出力端子１７０の中心線ＣＬ上に、その検出軸３００Ｋが中心線ＣＬに沿った姿勢で配置される。なお、上述の通り、出力端子１７０はバスバー２０に相当し、出力端子１７０の中心線ＣＬは、断面矩形状の出力端子１７０の中心１７０Ｃを通り、幅Ｄａの方向に延びる線である。
この配置により、第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、及び第３電流センサ部１０－３の磁気検出素子３００のそれぞれにおいて、自身の電流検出対象の出力端子１７０以外の出力端子１７０の磁界の影響が抑えられる。
この配置により、第１電流センサ部１０－１、第２電流センサ部１０－２、及び第３電流センサ部１０－３の磁気検出素子３００のそれぞれにおいて、自身の電流検出対象の出力端子１７０以外の出力端子１７０の磁界の影響が抑えられる。
【0042】
また、電流センサ１Ｃは、図８、及び図９に示すように、第１主面１９０Ａ、及び第２主面１９０Ｂを有する基板１９０を備える。断面Ａの断面視において、各出力端子１７０は、Ｘ軸方向にかけて、基板１９０を間に挟んで第１主面１９０Ａの側、及び第２主面１９０Ｂの側に交互に配置されている。また、各磁気検出装置３０は、それぞれ、基板１９０を間に挟んで自身の電流検出対象の出力端子１７０に設けられる。
この場合において、基板１９０と磁気検出装置３０との間に、当該磁気検出装置３０の磁気検出素子３００を、Ｘ軸方向における隣の出力端子１７０の中心線ＣＬ上に位置させるためのスペーサーが設けられてもよい。また、基板１９０と、各出力端子１７０との間には適宜の大きさの隙間δが設けられてもよい。
この場合において、基板１９０と磁気検出装置３０との間に、当該磁気検出装置３０の磁気検出素子３００を、Ｘ軸方向における隣の出力端子１７０の中心線ＣＬ上に位置させるためのスペーサーが設けられてもよい。また、基板１９０と、各出力端子１７０との間には適宜の大きさの隙間δが設けられてもよい。
【0043】
以上説明したように、本実施形態の電力変換装置１００は、３相分の板状の出力端子１７０と、出力端子１７０のそれぞれに設けられる、磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出素子３００と、を備えた装置ある。また、３相分の出力端子１７０は、長さ方向が互いに平行になる姿勢で配置されている。さらにまた、３相分の出力端子１７０の長さ方向に垂直な断面Ａにおいて、磁気検出素子３００は、それぞれ、自身が設けられる出力端子１７０の隣に位置する出力端子１７０の中心線ＣＬ上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
この構成によれば、第１実施形態、及び第２実施形態と同様に、各磁気検出素子３００が、自身の電流検出対象の出力端子１７０以外の他の出力端子１７０で発生した磁界の磁束密度から受ける影響が抑えられる。
この構成によれば、第１実施形態、及び第２実施形態と同様に、各磁気検出素子３００が、自身の電流検出対象の出力端子１７０以外の他の出力端子１７０で発生した磁界の磁束密度から受ける影響が抑えられる。
【0044】
４．変形例
以上に例示した各実施形態に付加される具体的な変形の形態を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の形態を、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合してもよい。
以上に例示した各実施形態に付加される具体的な変形の形態を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の形態を、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合してもよい。
【0045】
（変形例１）第１実施形態の電流センサ１Ａにおいて、第１電流センサ部１０－１、及び第２電流センサ部１０－２の組を２つ以上備え、各組がＸ軸方向に並べて配置されてもよい。
【0046】
（変形例２）
第３実施形態の電力変換装置１００において、出力端子１７０の数は３本に限らない。すなわち、出力端子１７０の数は２本でもよいし、ｎ本（ｎは３以上の整数）でもよい。
出力端子１７０の数が２本である場合、断面Ａの断面視において、第１実施形態と同様に、磁気検出素子３００は、それぞれ、自身が設けられる出力端子１７０の隣に位置する出力端子１７０の中心線ＣＬ上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
また、出力端子１７０の数がｎ本である場合、第２実施形態と同様に、断面Ａの断面視において、磁気検出素子３００は、それぞれ、出力端子１７０の幅方向Ｄｂ（Ｘ軸方向）に沿った第１の方向、及び、第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられる出力端子１７０から数えて奇数番目に位置する各出力端子１７０の中心線ＣＬ上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
第３実施形態の電力変換装置１００において、出力端子１７０の数は３本に限らない。すなわち、出力端子１７０の数は２本でもよいし、ｎ本（ｎは３以上の整数）でもよい。
出力端子１７０の数が２本である場合、断面Ａの断面視において、第１実施形態と同様に、磁気検出素子３００は、それぞれ、自身が設けられる出力端子１７０の隣に位置する出力端子１７０の中心線ＣＬ上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
また、出力端子１７０の数がｎ本である場合、第２実施形態と同様に、断面Ａの断面視において、磁気検出素子３００は、それぞれ、出力端子１７０の幅方向Ｄｂ（Ｘ軸方向）に沿った第１の方向、及び、第１の方向と反対の第２の方向のそれぞれにおいて自身が設けられる出力端子１７０から数えて奇数番目に位置する各出力端子１７０の中心線ＣＬ上に、当該中心線ＣＬに磁束密度の検出軸３００Ｋが沿う姿勢で配置される。
【0047】
（変形例３）
第３実施形態の電力変換装置１００において、図１１に示すように、基板１９０が磁気検出素子３００ごとに設けられてもよい。また、基板１９０は、複数の磁気検出素子３００ごとに設けられてもよい。
第３実施形態の電力変換装置１００において、図１１に示すように、基板１９０が磁気検出素子３００ごとに設けられてもよい。また、基板１９０は、複数の磁気検出素子３００ごとに設けられてもよい。
【0048】
（変形例４）
第３実施形態の電力変換装置１００において、一対のシールド板４０は、第１実施形態、及び第２実施形態と同様に、出力端子１７０ごとに設けられてもよい。また、一対のシールド板４０は、複数の出力端子１７０ごと、又は複数のバスバー２０ごとに設けられてもよい。
第３実施形態の電力変換装置１００において、一対のシールド板４０は、第１実施形態、及び第２実施形態と同様に、出力端子１７０ごとに設けられてもよい。また、一対のシールド板４０は、複数の出力端子１７０ごと、又は複数のバスバー２０ごとに設けられてもよい。
【0049】
（変形例５）
第１実施形態、及び第２実施形態のバスバー２０、あるいは、第３実施形態の出力端子１７０の断面Ａにおける形状は、中心線ＣＬにおける磁束密度のＸ軸方向成分がゼロとなる形状であれば矩形状に限定されない。
第１実施形態、及び第２実施形態のバスバー２０、あるいは、第３実施形態の出力端子１７０の断面Ａにおける形状は、中心線ＣＬにおける磁束密度のＸ軸方向成分がゼロとなる形状であれば矩形状に限定されない。
【0050】
（変形例６）
第１実施形態、又は第３実施形態において、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置が、隣のバスバー２０又は出力端子１７０の中心線ＣＬ上でなくてもよい。すなわち、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置は、隣のバスバー２０又は出力端子１７０の厚さＤａの範囲に、磁気検出素子３００の一部が入り込む位置であれば、各磁気検出素子３００において、隣のバスバー２０、又は出力端子１７０で発生する磁界の影響が抑えられる。
また、第２実施形態、及び、変形例２において、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置は、自身が設けられるバスバー２０から数えて奇数番目の各バスバー２０又は各出力端子１７０の各中心線ＣＬ上でなくてもよい。すなわち、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置は、上記奇数番目の各バスバー２０又は各出力端子１７０の厚さＤａの範囲に、磁気検出素子３００の一部が入り込む位置であれば、各磁気検出素子３００において、奇数番目の各バスバー２０、又は各出力端子１７０で発生する磁界の影響が抑えられる。
第１実施形態、又は第３実施形態において、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置が、隣のバスバー２０又は出力端子１７０の中心線ＣＬ上でなくてもよい。すなわち、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置は、隣のバスバー２０又は出力端子１７０の厚さＤａの範囲に、磁気検出素子３００の一部が入り込む位置であれば、各磁気検出素子３００において、隣のバスバー２０、又は出力端子１７０で発生する磁界の影響が抑えられる。
また、第２実施形態、及び、変形例２において、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置は、自身が設けられるバスバー２０から数えて奇数番目の各バスバー２０又は各出力端子１７０の各中心線ＣＬ上でなくてもよい。すなわち、磁気検出素子３００のそれぞれの配置位置は、上記奇数番目の各バスバー２０又は各出力端子１７０の厚さＤａの範囲に、磁気検出素子３００の一部が入り込む位置であれば、各磁気検出素子３００において、奇数番目の各バスバー２０、又は各出力端子１７０で発生する磁界の影響が抑えられる。
【0051】
（変形例７）
各実施形態において、磁気検出素子３００と、バスバー２０又は出力端子１７０との一対のシールド板４０の間におけるＺ方向の位置は適宜である。
各実施形態において、磁気検出素子３００と、バスバー２０又は出力端子１７０との一対のシールド板４０の間におけるＺ方向の位置は適宜である。
【0052】
（変形例８）
各実施形態において、各磁気検出素子３００の位置を調整するためのスペーサーを備えてもよい。具体的には、第１実施形態、及び第２実施形態において、各磁気検出素子３００は、それぞれ、対応するバスバー２０にスペーサーを介して取り付けられてもよい。また、第３実施形態において、各磁気検出素子３００は、それぞれ、対応する出力端子１７０にスペーサーを介して取り付けられてもよい。
本変形例によれば、磁気検出素子３００を、バスバー２０、又は出力端子１７０の中心線ＣＬに合わせて正確に配置できる。
各実施形態において、各磁気検出素子３００の位置を調整するためのスペーサーを備えてもよい。具体的には、第１実施形態、及び第２実施形態において、各磁気検出素子３００は、それぞれ、対応するバスバー２０にスペーサーを介して取り付けられてもよい。また、第３実施形態において、各磁気検出素子３００は、それぞれ、対応する出力端子１７０にスペーサーを介して取り付けられてもよい。
本変形例によれば、磁気検出素子３００を、バスバー２０、又は出力端子１７０の中心線ＣＬに合わせて正確に配置できる。
【符号の説明】
【0053】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ…電流センサ、２０…バスバー、２０Ｃ…中心、３０…磁気検出装置、４０…シールド板、１００…電力変換装置、１６０…電力変換回路、１７０…出力端子、１７０Ｃ…中心、１９０…基板、３００…磁気検出素子、３００Ｋ…検出軸、Ａ…断面、ＣＬ…中心線、Ｄａ…厚さ、Ｄｂ…幅方向。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】