特開 2024-133974 炭化珪素半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024133974

(43)【公開日】2024-10-03

(54)【発明の名称】炭化珪素半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/78 20060101AFI20240926BHJP

   H01L 29/739 20060101ALI20240926BHJP

   H01L 29/12 20060101ALI20240926BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240926BHJP

   H01L 21/265 20060101ALI20240926BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 652B

H01L29/78 655A

H01L29/78 652T

H01L29/78 653C

H01L29/78 652D

H01L29/78 652M

H01L29/78 652F

H01L29/78 652J

H01L29/78 652H

H01L29/78 658E

H01L29/78 658A

H01L21/265 Q

H01L21/265 F

H01L29/78 658F

H01L29/78 652C

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023044020

(22)【出願日】2023-03-20

(71)【出願人】

【識別番号】000005234

【氏名又は名称】富士電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105854

【弁理士】

【氏名又は名称】廣瀬 一

(74)【代理人】

【識別番号】100103850

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 秀▲てつ▼

(72)【発明者】

【氏名】大瀬 直之

(57)【要約】

【課題】主領域が主電極にシリサイド層を介さずにオーミック接触できると共に、リーク不良を抑制できる炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第１導電型のドリフト層２と、ドリフト層２の上面側に設けられた第２導電型のベース領域６ａ，６ｂと、ベース領域６ａ，６ｂの上面側に設けられ、３Ｃ構造を含む炭化珪素からなる第１導電型のソースコンタクト領域７１ａ，７１ｂと、トレンチ１０の内側にゲート絶縁膜１１を介して設けられたゲート電極１２と、ドリフト層２の上面側に設けられた４Ｈ構造の炭化珪素からなる第２導電型のベースコンタクト領域５ａ，５ｂと、ソースコンタクト領域７１ａ，７１ｂとベースコンタクト領域５ａ，５ｂとの間に設けられた４Ｈ構造の炭化珪素からなる半導体領域と、ソースコンタクト領域７１ａ，７１ｂに接して設けられた主電極（１４，１５，１６）を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

炭化珪素からなる第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上面側に設けられ、炭化珪素からなる第２導電型のベース領域と、
前記ベース領域の上面側に設けられ、３Ｃ構造を含む炭化珪素からなる第１導電型のソースコンタクト領域と、
前記ソースコンタクト領域及び前記ベース領域を貫通するトレンチの内側に設けられたゲート絶縁膜と、
前記トレンチの内側に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記ドリフト層の上面側に設けられ、４Ｈ構造の炭化珪素からなり、前記ベース領域よりも高不純物濃度の第２導電型のベースコンタクト領域と、
前記ソースコンタクト領域と前記ベースコンタクト領域との間に設けられた４Ｈ構造の炭化珪素からなる半導体領域と、
前記ソースコンタクト領域に接して設けられた主電極と、
を備える炭化珪素半導体装置。

【請求項2】

前記ソースコンタクト領域が、前記トレンチに接する
請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項3】

前記ソースコンタクト領域が、前記トレンチから離間する
請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項4】

前記ソースコンタクト領域の下面に接して設けられ、４Ｈ構造の炭化珪素からなる第１導電型のソース拡張領域を更に備える
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項5】

前記半導体領域は、前記ソース拡張領域の一部である
請求項４に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項6】

前記半導体領域は、前記ベース領域の一部である
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項7】

前記ソースコンタクト領域の下面に接して設けられ、４Ｈ構造の炭化珪素からなる第１導電型のソース拡張領域を更に備え、
前記ベース領域の一部が、前記ソース拡張領域と前記ベースコンタクト領域との間に設けられている
請求項６に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項8】

前記ゲート電極の上面が、前記ソースコンタクト領域の下面より深い位置にある
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項9】

前記ゲート電極の上面が、前記ソースコンタクト領域の下面と一致するか、又は前記ソースコンタクト領域の下面より浅い位置にある
請求項３に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項10】

前記ソース拡張領域の不純物濃度が、前記ソースコンタクト領域の不純物濃度よりも低い
請求項４に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項11】

前記ソース拡張領域の不純物濃度が、前記ソースコンタクト領域の不純物濃度と同一である
請求項４に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項12】

前記ベースコンタクト領域の下面が、前記ベース領域の下面と一致するか、又は前記ソースコンタクト領域の下面より浅い位置にある
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項13】

前記ソースコンタクト領域に含まれる３Ｃ構造の割合は１０％以上、１００％以下である
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項14】

前記ソースコンタクト領域は、不純物として燐又は砒素を含む
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項15】

前記ソースコンタクト領域の不純物濃度は、１×１０^２０／ｃｍ^３以上、１×１０^２２／ｃｍ^３以下である
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項16】

前記ソース拡張領域の不純物濃度は、１×１０^１６／ｃｍ^３以上、１×１０^２０／ｃｍ^３以下である
請求項４に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項17】

前記ソース拡張領域は、不純物として窒素又は燐を含む
請求項４に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項18】

前記ベースコンタクト領域の不純物濃度は、１×１０^１９／ｃｍ^３以上、１×１０^２１／ｃｍ^３以下である
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項19】

前記ベースコンタクト領域は、不純物としてアルミニウムを含む
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項20】

前記主電極は、前記ベースコンタクト領域に接するシリサイド層を含む
請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、炭化珪素半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、六方晶単結晶の炭化珪素基板にリンをイオン注入することでアモルファス層を形成し、熱処理することでアモルファス層を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素に再結晶化させ、ｎ型炭化珪素の上面にニッケルを蒸着することで電極を形成する半導体装置が開示されている。

【0003】

特許文献２には、４Ｈ－ＳｉＣからなるｎ^＋型ＳｉＣの第１主面上に形成させたｎ^－型エピタキシャル成長層内において、ｎ^＋型ソース領域と、ｎ^＋型ソース領域内に形成されたｎ^＋型３Ｃ－ＳｉＣ領域及びｐ^＋型電位固定領域とを有し、ｎ^＋型３Ｃ－ＳｉＣ領域及びｐ^＋型電位固定領域と接してバリアメタル膜が形成され、バリアメタル膜上にソース配線用電極が形成される半導体装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－４９１９８号公報

【特許文献2】国際公開第２０１７／０４２９６３号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

トレンチゲート型の炭化珪素半導体装置において、ソース電極（主電極）とオーミック接触するためにソース領域（主領域）を３Ｃ－ＳｉＣで構成することが検討されている。この場合、ｎ型不純物のイオン注入によりｎ^＋型のソース領域を全面に形成した後に、マスクを用いたｐ型不純物のイオン注入によりソース領域の一部の導電型を反転させて（打ち返して）ｐ^＋型のベースコンタクト領域を形成することが製造上合理的である。しかし、ソース領域の打ち返した部分において多くのダメージが発生し、リーク不良が発生する場合がある。

【0006】

本開示は、上記課題を鑑み、トレンチゲート型の炭化珪素半導体装置において、主領域が主電極にシリサイド層を介さずにオーミック接触することができると共に、リーク不良を抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本開示の一態様は、炭化珪素からなる第１導電型のドリフト層と、ドリフト層の上面側に設けられ、炭化珪素からなる第２導電型のベース領域と、ベース領域の上面側に設けられ、炭化珪素からなり、３Ｃ構造を含む第１導電型のソースコンタクト領域と、ソースコンタクト領域及びベース領域を貫通するトレンチの内側に設けられたゲート絶縁膜と、トレンチの内側にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、ドリフト層の上面側に設けられ、４Ｈ構造の炭化珪素からなり、ベース領域よりも高不純物濃度の第２導電型のベースコンタクト領域と、ソースコンタクト領域とベースコンタクト領域との間に設けられた４Ｈ構造の炭化珪素からなる半導体領域と、ソースコンタクト領域に接して設けられた主電極と、を備える炭化珪素半導体装置であることを要旨とする。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、トレンチゲート型の炭化珪素半導体装置において、主領域が主電極にシリサイド層を介さずにオーミック接触することができると共に、リーク不良を抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の一例を示す概略断面図である。

【図2】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の一例を示す概略斜視図である。

【図3】図１の領域Ａを拡大した概略断面図である。

【図4】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略断面図である。

【図5】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図４に引き続く概略断面図である。

【図6】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図５に引き続く概略断面図である。

【図7】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図６に引き続く概略断面図である。

【図8】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図７に引き続く概略断面図である。

【図9】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図８に引き続く概略断面図である。

【図10】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図９に引き続く概略断面図である。

【図11】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１０に引き続く概略断面図である。

【図12】第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１１に引き続く概略断面図である。

【図13】比較例に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための概略断面図である。

【図14】比較例に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための図１３に引き続く概略断面図である。

【図15】第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の一例を示す概略断面図である。

【図16】図１５の領域Ａを拡大した概略断面図である。

【図17】第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略断面図である。

【図18】第３実施形態に係る炭化珪素半導体装置の一例を示す概略断面図である。

【図19】図１８の領域Ａを拡大した概略断面図である。

【図20】第４実施形態に係る炭化珪素半導体装置の一例を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して、本開示の第１～第４実施形態を説明する。図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付し、重複する説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は実際のものとは異なる場合がある。また、図面相互間においても寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。また、以下に示す第１～第４実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。

【0011】

本明細書において、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のソース領域は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）のエミッタ領域として選択可能な「一方の主領域（第１主領域）」である。また、ＭＯＳ制御静電誘導サイリスタ（ＳＩサイリスタ）等のサイリスタにおいては、「一方の主領域」はカソード領域として選択可能である。ＭＯＳＦＥＴのドレイン領域は、ＩＧＢＴにおいてはコレクタ領域を、サイリスタにおいてはアノード領域として選択可能な半導体装置の「他方の主領域（第２主領域）」である。本明細書において単に「主領域」と言うときは、当業者の技術常識から妥当な第１主領域又は第２主領域のいずれかを意味する。

【0012】

また、以下の説明における上下等の方向の定義は、単に説明の便宜上の定義であって、本開示の技術的思想を限定するものではない。例えば、対象を９０°回転して観察すれば上下は左右に変換して読まれ、１８０°回転して観察すれば上下は反転して読まれることは勿論である。また、「上面」は「おもて面」と読み替えてもよく、「下面」は「裏面」と読み替えてもよい。

【0013】

また、以下の説明では、第１導電型がｎ型、第２導電型がｐ型の場合について例示的に説明する。しかし、導電型を逆の関係に選択して、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としても構わない。またｎやｐに付す＋や－は、＋及び－が付記されていない半導体領域に比して、それぞれ相対的に不純物濃度が高い又は低い半導体領域であることを意味する。ただし同じｎとｎとが付された半導体領域であっても、それぞれの半導体領域の不純物濃度が厳密に同じであることを意味するものではない。

【0014】

また、炭化珪素（ＳｉＣ）結晶には結晶多形が存在し、主なものは立方晶の３Ｃ、及び六方晶の４Ｈ、６Ｈである。室温における禁制帯幅は、３Ｃ構造のＳｉＣ（３Ｃ－ＳｉＣ）では２．２３ｅＶ、４Ｈ構造のＳｉＣ（４Ｈ－ＳｉＣ）では３．２６ｅＶ、６Ｈ構造のＳｉＣ（６Ｈ－ＳｉＣ）では３．０２ｅＶの値が報告されている。以下の説明では、４Ｈ－ＳｉＣ及び３Ｃ－ＳｉＣを主に用いる場合を例示する。

【0015】

（第１実施形態）
＜炭化珪素半導体装置の構造＞
第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置は、図１に示すように、活性素子としてトレンチゲート型の縦型ＭＯＳＦＥＴを含む場合を例示する。なお、図１では、１つのトレンチ１０に埋め込まれた絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）を含む単位セルを例示するが、実際には、この単位セルが周期的に多数配列されている。

【0016】

第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置は、第１導電型（ｎ^－型）のドリフト層２を備える。ドリフト層２は、例えば、４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなるエピタキシャル成長層で構成されている。ドリフト層２の不純物濃度は、例えば１×１０^１５ｃｍ^－３以上、５×１０^１６ｃｍ^－３以下程度である。ドリフト層２の厚さは、例えば１μｍ以上、１００μｍ以下程度である。ドリフト層２の不純物濃度及び厚さは、耐圧仕様等に応じて適宜調整可能である。

【0017】

ドリフト層２の上面側には第２導電型（ｐ型）のベース領域６ａ，６ｂが設けられている。ベース領域６ａ，６ｂの下面は、ドリフト層２の上面に接している。ベース領域６ａ，６ｂは、例えば、ドリフト層２にｐ型不純物をイオン注入して形成された４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる領域である。ベース領域６ａ，６ｂは、ドリフト層２の上面にエピタキシャル成長させた４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる領域であってよい。ベース領域６ａ，６ｂの不純物濃度は、例えば１×１０^１６ｃｍ^－３以上、１×１０^１８ｃｍ^－３以下程度である。

【0018】

ドリフト層２とベース領域６ａ，６ｂとの間には、ドリフト層２よりも高不純物濃度の第１導電型（ｎ型）の電流拡散層（ＣＳＬ）が設けられていてもよい。電流拡散層を設ける場合には、ドリフト層２の上面が電流拡散層の下面に接し、電流拡散層の上面がベース領域６ａ，６ｂの下面に接する。

【0019】

ベース領域６ａ，６ｂの上面側には、ドリフト層２よりも高不純物濃度の第１導電型（ｎ^＋型）の第１主領域（ソース領域）７ａ，７ｂが選択的に設けられている。ソース領域７ａ，７ｂは、例えば、ドリフト層２にｎ型不純物をイオン注入して形成されたＳｉＣからなる領域である。

【0020】

ソース領域７ａは、ベース領域６ａの上面に下面が接して設けられたｎ^＋型のソース拡張領域（第１領域）７１ａと、ソース拡張領域７１ａの上部（上面側）の一部に設けられたｎ^＋型のソースコンタクト領域（第２領域）７２ａを含む。ソース領域７ｂは、ベース領域６ｂの上面に下面が接して設けられたｎ^＋型のソース拡張領域（第１領域）７１ｂと、ソース拡張領域７１ｂの上部（上面側）の一部に設けられたｎ^＋型のソースコンタクト領域（第２領域）７２ｂを含む。ソース領域７ａ，７ｂの詳細については後述する。

【0021】

ソース領域７ａ，７ｂの上面からソース領域７ａ，７ｂの上面の法線方向（深さ方向）に向かって、ソース領域７ａ，７ｂ及びベース領域６ａ，６ｂを貫通するトレンチ１０が設けられている。トレンチ１０の下面はドリフト層２に達する。電流拡散層が設けられる場合、トレンチ１０の下面は電流拡散層に達する。トレンチ１０の幅は例えば１μｍ以下程度である。トレンチ１０の左側の側面には、ソース領域７ａ及びベース領域６ａが接している。トレンチ１０の右側の側面には、ソース領域７ｂ及びベース領域６ｂが接している。図１の断面では、トレンチ１０の下面と側面が角部をなす場合を例示するが、トレンチ１０の下面は曲面であってもよい。

【0022】

トレンチ１０の下面及び両側の側面に沿ってゲート絶縁膜１１が設けられている。トレンチ１０の内側にはゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２が埋め込まれている。ゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２により、トレンチゲート型の絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）が構成されている。

【0023】

ゲート絶縁膜１１としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）膜、ストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）膜、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）膜、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）膜、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）膜、イットリウム酸化物（Ｙ_２Ｏ_３）膜、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）膜、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ_２）膜、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）膜、ビスマス酸化物（Ｂｉ_２Ｏ_３）膜のいずれか１つの単層膜或いはこれらの複数を積層した複合膜等が採用可能である。ゲート電極１２の材料としては、例えばｐ型不純物又はｎ型不純物を高不純物濃度に添加したポリシリコン層（ドープドポリシリコン層）や、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又はニッケル（Ｎｉ）等の高融点金属が使用可能である。

【0024】

ドリフト層２の内部で、且つトレンチ１０の底部（下方）には、第２導電型（ｐ^＋型）のゲート保護領域４ｂが設けられている。ゲート保護領域４ｂの上面はトレンチ１０の下面に接している。ゲート保護領域４ｂの上面はトレンチ１０の下面に接しなくともよい。ゲート保護領域４ｂは、例えば、ドリフト層２にｐ型不純物をイオン注入して形成された４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる領域である。ゲート保護領域４ｂの不純物濃度は、例えば１×１０^１７ｃｍ^－３以上、１×１０^１９ｃｍ^－３以下程度である。

【0025】

ドリフト層２の内部には、ゲート保護領域４ｂから離間して、第２導電型（ｐ^＋型）の埋込領域４ａ，４ｃが設けられている。埋込領域４ａ，４ｃは、ゲート保護領域４ｂと略同じ深さに設けられている。埋込領域４ａ，４ｃは、例えば、ドリフト層２にｐ型不純物をイオン注入して形成された４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる領域である。埋込領域４ａ，４ｃの不純物濃度は、例えば１×１０^１７ｃｍ^－３以上、１×１０^１９ｃｍ^－３以下程度である。なお、図１の紙面の手前側又は奥行側において、埋込領域４ａ，４ｃとゲート保護領域４ｂとを接続するｐ^＋型の半導体領域が選択的に設けられていてよい。

【0026】

ドリフト層２の上部で、且つ埋込領域４ａ，４ｃの上面側には、ベース領域６ａ，６ｂよりも高不純物濃度の第２導電型（ｐ^＋型）のベースコンタクト領域５ａ，５ｂが設けられている。ベースコンタクト領域５ａ，５ｂは、例えば、ドリフト層２にｐ型不純物をイオン注入した４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる領域である。ベースコンタクト領域５ａ，５ｂの不純物濃度は、例えば１×１０^１８ｃｍ^－３以上、１×１０^２１ｃｍ^－３以下程度である。ベースコンタクト領域５ａ，５ｂの下面は、ベース領域６ａ，６ｂの下面と同程度の深さであるが、ベース領域６ａ，６ｂの下面よりも浅くてもよく、或いは深くてもよい。

【0027】

ベースコンタクト領域５ａの下面は、埋込領域４ａの上面に接している。ベースコンタクト領域５ａの下面がベース領域６ａの下面よりも浅い場合、ベースコンタクト領域５ａの下面と埋込領域４ａとの間には、ベース領域６が設けられる。ベースコンタクト領域５ａの側面は、ベース領域６ａ及びソース領域７ａのソース拡張領域７１ａに接している。ベースコンタクト領域５ａの側面と、ソース領域７ａのソースコンタクト領域７２ａの側面との間には、４Ｈ－ＳｉＣの半導体領域であるソース拡張領域７１ａの一部が介在する。ソース拡張領域７１ａは、Ｌ字状の断面形状を有する。

【0028】

ベースコンタクト領域５ｂの下面は、埋込領域４ｃの上面に接している。ベースコンタクト領域５ｂの下面がベース領域６ｂの下面よりも浅い場合、ベースコンタクト領域５ｂの下面と埋込領域４ｃとの間には、ベース領域６が設けられる。ベースコンタクト領域５ｂの側面は、ベース領域６ｂ及びソース領域７ｂのソース拡張領域７１ｂに接している。ベースコンタクト領域５ｂの側面と、ソース領域７ｂのソースコンタクト領域７２ｂの側面との間には、４Ｈ－ＳｉＣの半導体領域であるソース拡張領域７１ｂの一部が介在する。ソース拡張領域７１ｂは、Ｌ字状の断面形状を有する。

【0029】

ゲート電極１２の上面側には層間絶縁膜１３が設けられている。層間絶縁膜１３は、例えば硼素（Ｂ）及び燐（Ｐ）を添加したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）、燐（Ｐ）を添加したシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、「ＮＳＧ」と称される燐（Ｐ）や硼素（Ｂ）を含まないノンドープのシリコン酸化膜、硼素（Ｂ）を添加したシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜）等の単層膜や、これらの積層膜で構成されている。層間絶縁膜１３には、ソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂのそれぞれの上面の少なくとも一部を露出するようにコンタクトホール１３ａ，１３ｂが設けられている。

【0030】

層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３のコンタクトホール１３ａ，１３ｂに露出したソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂとを覆うように第１主電極（ソース電極）（１４，１５，１６）が設けられている。ソース電極（１４，１５，１６）は、バリアメタル層１４、ソース配線層１５及びシリサイド層１６を備える。

【0031】

シリサイド層１６は、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂの上面に選択的に設けられ、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂと低抵抗でオーミック接触している。シリサイド層１６は、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ_ｘ）等のシリサイドで構成されている。なお、ソース電極（１４，１５，１６）は、シリサイド層１６を備えずに、バリアメタル層１４及びソース配線層１５のみで構成されていてもよい。

【0032】

バリアメタル層１４は、層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３のコンタクトホール１３ａ，１３ｂに露出したソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びシリサイド層１６とを覆うように設けられている。バリアメタル層１４は、ソース拡張領域７１ａ，７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂに直接的に接している。バリアメタル層１４は、３Ｃ構造を含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと低抵抗でオーミック接触し、４Ｈ構造のソース拡張領域７１ａ，７１ｂとはオーミック接触していない。バリアメタル層１４は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）、又はＴｉを下層としたＴｉＮ／Ｔｉの積層構造等の金属で構成されている。

【0033】

ソース配線層１５は、バリアメタル層１４を覆うように設けられている。ソース配線層１５は、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂに電気的に接続されている。ソース配線層１５は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－シリコン（Ａｌ－Ｓｉ）、アルミニウム－銅（Ａｌ－Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）等の金属又は合金で構成されている。ソース配線層１５は、ゲート電極１２に電気的に接続されるゲート配線電極（図示省略）と分離して設けられている。

【0034】

ドリフト層２の下面側には、ドリフト層２よりも高不純物濃度の第１導電型（ｎ^＋型）の第２主領域（ドレイン領域）１が設けられている。ドレイン領域１は、例えば４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる半導体基板（ＳｉＣ基板）で構成されている。ドレイン領域１の不純物濃度は、例えば１×１０^１９ｃｍ^－３以上、３×１０^２０ｃｍ^－３以下程度である。ドレイン領域１の厚さは、例えば３０μｍ以上、５００μｍ以下程度である。なお、ドリフト層２とドレイン領域１との間には、ドリフト層２よりも高不純物濃度で、且つドレイン領域１よりも低不純物濃度のｎ型のバッファ層である、転位変換層や再結合促進層が設けられていてもよい。

【0035】

ドレイン領域１の下面側には、第２主電極（ドレイン電極）１７が設けられている。ドレイン電極１７としては、例えば金（Ａｕ）からなる単層膜や、ドレイン領域１側からチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｕの順で積層された金属膜が使用可能であり、更にその最下層にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜を積層してもよい。また、ドレイン領域１とドレイン電極１７との間にオーミック接触のためのニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ_ｘ）膜等のドレインコンタクト層が設けられてもよい。

【0036】

図２は、図１に示した第１実施形態に係る半導体装置の一部を抜き出した概略斜視図である。図２に示すように、トレンチ１０は、ストライプ状に延伸する平面パターンを有する。なお、トレンチ１０は、ストライプ状に延伸する平面パターンに特に限定されず、例えばドット状の平面パターンを有していてもよい。ソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂは、トレンチ１０に平行にストライプ状に延伸する平面パターンを有する。

【0037】

図３は、図１に示した第１実施形態に係る半導体装置の破線の領域Ａを拡大した概略断面図である。図３を参照して、ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａの構成と、ソース拡張領域７１ａ、ソースコンタクト領域７２ａ、ベースコンタクト領域５ａ及び絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）の位置関係について説明する。

【0038】

ソース拡張領域７１ａの上面から下面までの深さ（ソース拡張領域７１ａの厚さ）ｄ１は、例えば１５０ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下程度である。ソース拡張領域７１ａの幅（ｗ１＋ｗ２）は、例えば４００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度である。ソース拡張領域７１ａの右側の側面は、ゲート絶縁膜１１に直接的に接し、ゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２に対向する。

【0039】

ソース拡張領域７１ａは、ソースコンタクト領域７２ａよりも結晶欠陥が少なく、且つ、ソースコンタクト領域７２ａの結晶欠陥を引き継がない領域である。ソース拡張領域７１ａは、４Ｈ－ＳｉＣ（４Ｈ構造）で主に構成されている。ソース拡張領域７１ａに含まれる４Ｈ－ＳｉＣの割合は、例えば９０％以上、１００％以下程度である。ソース拡張領域７１ａには、４Ｈ－ＳｉＣ以外に、アモルファス構造、３Ｃ－ＳｉＣ等が僅かに含まれていてもよい。ソース拡張領域７１ａの不純物濃度は、例えば１×１０^１６ｃｍ^－３以上、１×１０^２０ｃｍ^－３以下程度である。ソース拡張領域７１ａは、ｎ型不純物として例えば窒素（Ｎ）又は燐（Ｐ）を含む。ソース拡張領域７１ａは、ｎ型不純物として砒素（Ａｓ）を含んでいてもよい。

【0040】

ソースコンタクト領域７２ａの上面から下面までの深さ（ソースコンタクト領域７２ａの厚さ）ｄ２は、例えば３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度である。ソースコンタクト領域７２ａの幅ｗ１は、ソース拡張領域７１ａの幅（ｗ１＋ｗ２）よりも狭く、例えば４００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度である。

【0041】

ソースコンタクト領域７２ａの右側の側面は、ゲート絶縁膜１１に直接的に接し、ゲート絶縁膜１１を介して層間絶縁膜１３に対向する。ソースコンタクト領域７２ａの左側の側面は、ベースコンタクト領域５ａの右側の側面から離間している。ソースコンタクト領域７２ａの左側の側面と、ベースコンタクト領域５ａの右側の側面の間にはソース拡張領域７１ａの一部が介在している。ソースコンタクト領域７２ａの左側の側面と、ベースコンタクト領域５ａの右側の側面の間に挟まれたソース拡張領域７１ａの幅ｗ２は、例えば１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度である。

【0042】

ソースコンタクト領域７２ａは、３Ｃ－ＳｉＣ（３Ｃ構造）を含む領域である。ソースコンタクト領域７２ａに含まれる３Ｃ－ＳｉＣの割合は、ソース拡張領域７１ａに含まれる３Ｃ－ＳｉＣの割合よりも高く、例えば１０％以上、１００％以下程度である。ソースコンタクト領域７２ａは、３Ｃ－ＳｉＣと４Ｈ－ＳｉＣとの混晶であってよい。ソースコンタクト領域７２ａには、３Ｃ－ＳｉＣ以外に、アモルファス構造、４Ｈ－ＳｉＣ等が含まれていてもよい。３Ｃ－ＳｉＣは４Ｈ－ＳｉＣに比べて禁制帯幅が狭いため、ソースコンタクト領域７２ａが３Ｃ－ＳｉＣを含むことにより、シリサイド層１６を介さずに、ソース電極（１４，１５，１６）に低抵抗でオーミック接触することができる。良好なオーミック接触を実現するため、ソースコンタクト領域７２ａに含まれる３Ｃ－ＳｉＣの割合は１０％以上であることが好ましい。

【0043】

ソースコンタクト領域７２ａの不純物濃度は、ソース拡張領域７１ａの不純物濃度よりも高いか、或いはソース拡張領域７１ａの不純物濃度と同程度である。ソースコンタクト領域７２ａの不純物濃度は、例えば１×１０^２０ｃｍ^－３以上、１×１０^２２ｃｍ^－３以下程度である。ソースコンタクト領域７２ａは、ｎ型不純物として例えば燐（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）を含む。ソースコンタクト領域７２ａは、ｎ型不純物として例えば窒素（Ｎ）を含んでいてもよい。ソースコンタクト領域７２ａは、ｎ型不純物として、Ｐ、Ａｓ、Ｎのうちの複数種を含んでいてもよい。ソースコンタクト領域７２ａは、アルゴン（Ａｒ）又はヘリウム（Ｈｅ）等の不活性元素を含んでいてもよい。

【0044】

ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａの結晶構造の作り分けは、ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａ毎に、イオン注入する元素、イオン注入時の温度、ドーズ量（不純物濃度）、及び活性化温度等を変更することで実現可能である。３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａの形成方法としては、例えば、４Ｈ－ＳｉＣに対して、室温で高濃度（高ドーズ量）のｎ型不純物又は不活性元素のイオン注入を行うことにより、イオン注入のダメージを利用して４Ｈ－ＳｉＣを崩してアモルファス構造を形成する。その後、活性化アニールを行うことにより、アモルファス構造が再結晶化する際に３Ｃ－ＳｉＣとなることで、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａを形成することができる。

【0045】

一方、４Ｈ－ＳｉＣのソース拡張領域７１ａの形成方法としては、４Ｈ－ＳｉＣに対して、室温又は高温（例えば２００°以上、６００℃以下程度）で、４Ｈ－ＳｉＣの構造を崩さない程度の濃度（ドーズ量）でｎ型不純物のイオン注入を行うことにより、４Ｈ－ＳｉＣを維持してソース拡張領域７１ａを形成することができる。ソース拡張領域７１ａは、ｐ型不純物として、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はボロン（Ｂ）を含む。

【0046】

ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａの結晶構造の測定方法（観察方法）としては、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）及び後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）により、表面の結晶構造の面積比を測定可能である。一例として、イオン注入する元素、ドーズ量（不純物濃度）及び活性化温度を同一の条件として、イオン注入時の温度を５００℃及び室温（２５℃）の２種類で変えてそれぞれ作製した試料をＦＥ－ＳＥＭ及びＥＢＳＤで観察した。その結果、５００℃の試料では表面における４Ｈ－ＳｉＣの割合が１００％であった。一方、室温の試料では、表面における４Ｈ－ＳｉＣの割合が８６％であり、３Ｃ－ＳｉＣの割合が１４％であった。

【0047】

４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａの形成方法は、４Ｈ－ＳｉＣのソース拡張領域７１ａの形成方法と同様である。４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａの形成方法は、４Ｈ－ＳｉＣに対して、室温又は高温（例えば２００℃以上、６００℃以下程度）で、４Ｈ－ＳｉＣの構造を崩さない程度の濃度（ドーズ量）でｐ型不純物のイオン注入を行うことにより、４Ｈ－ＳｉＣを維持してベースコンタクト領域５ａを形成することができる。

【0048】

図３に示すように、ゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する端部の位置の上面（上端）は、ソースコンタクト領域７２ａのゲート絶縁膜１１と接する位置の下面（下端）よりも深く、且つ、ソース拡張領域７１ａのゲート絶縁膜１１と接する位置の下面（下端）よりも浅い位置にある。ゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する位置の上面は、ゲート電極１２の最上面であってよい。例えば、ゲート電極１２の上面全体として下側に凸の曲面である場合には、ゲート電極１２の中央部の上面は、ゲート電極１２の端部の上面よりも深い位置にあってもよい。

【0049】

ゲート電極１２とソース拡張領域７１ａは、ゲート絶縁膜１１を介して互いに対向する。ゲート電極１２とソースコンタクト領域７２ａは、ゲート絶縁膜１１を介して互いに対向しない。ソースコンタクト領域７２ａは、ゲート絶縁膜１１を介して層間絶縁膜１３と対向する。ゲート電極１２のソースコンタクト領域７２ａの上面からの落ち込み量ｄ０は、例えば１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下程度である。ゲート電極１２の落ち込み量ｄ０及びゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する位置の上面の位置は、例えばゲート電極１２のエッチング条件を調整することにより制御可能である。

【0050】

なお、ゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する端部の位置の上面（上端）は、ソースコンタクト領域７２ａのゲート絶縁膜１１と接する位置の下面（下端）よりも浅くてもよい。

【0051】

図１に示したソース領域７ｂのソース拡張領域７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ｂは、ソース領域７ａのソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａとそれぞれ同様の構成であるので、重複した説明を省略する。また、ソース拡張領域７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ｂ、ベースコンタクト領域５ｂ及び絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）の位置関係は、図３に示したソース領域７ａのソース拡張領域７１ａ、ソースコンタクト領域７２ａ、ベースコンタクト領域５ａ及び絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）の位置関係と同様であるので、重複した説明を省略する。

【0052】

第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の動作時は、ソース電極（１４，１５，１６）をアース電位として、ドレイン電極１７に正電圧を印加し、ゲート電極１２に閾値以上の正電圧を印加すると、ベース領域６ａ，６ｂのトレンチ１０の側面側に反転層（チャネル）が形成されてオン状態となる。オン状態では、ドレイン電極１７からドレイン領域１、ドリフト層２、ベース領域６ａ，６ｂの反転層及びソース領域７ａ，７ｂを経由してソース電極（１４，１５，１６）へ電流が流れる。一方、ゲート電極１２に印加される電圧が閾値未満の場合、ベース領域６ａ，６ｂに反転層が形成されないため、オフ状態となり、ドレイン電極１７からソース電極（１４，１５，１６）へ電流が流れない。

【0053】

第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置によれば、ソース領域７ａ，７ｂの３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂがソース電極（１４，１５，１６）と接することにより、シリサイド層１６を介さずに低抵抗でオーミック接触することができる。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂのコンタクト接合面にはシリサイド層１６が不要となるため、シリサイド層１６の剥離を抑制することができる。

【0054】

更に、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置によれば、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと、４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂの間に、４Ｈ－ＳｉＣのソース拡張領域７１ａ，７１ｂが介在している。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂとベースコンタクト領域５ａ，５ｂが互いに接する場合と比較して、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂにソース拡張領域７１ａ，７１ｂを形成するためのイオン注入によるダメージが無く、リーク不良を抑制することができる。

【0055】

更に、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置によれば、４Ｈ－ＳｉＣのソース拡張領域７１ａ，７１ｂと４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂとで構成されるｐｎ接合部が４Ｈ－ＳｉＣ同士であるため、結晶欠陥が多く残存する３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂとでｐｎ接合を構成する場合と比較して、ｐｎ接合部のリーク電流を防止することができる。

【0056】

更に、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置によれば、ゲート電極１２の上面を、ソースコンタクト領域７２ａの下面よりも深くし、且つソース拡張領域７１ａの下面よりも浅くする。これにより、ソース領域７ａのうちの相対的に結晶欠陥が少なく、表面の凹凸も少ないソース拡張領域７１ａがゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２と対向し、ソース領域７ａのうちの相対的に結晶欠陥が多く、表面の凹凸も多いソースコンタクト領域７２ａがゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２と対向しない。よって、ソース領域７ａとゲート電極１２との間のリーク電流の発生を抑制可能となる。

【0057】

＜炭化珪素半導体装置の製造方法＞
次に、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の一例を説明する。なお、以下に述べる炭化珪素半導体装置の製造方法は一例であり、特許請求の範囲に記載した趣旨の範囲であれば、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。

【0058】

まず、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物が添加されたｎ^＋型の４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなる半導体基板（ＳｉＣ基板）１（図４参照）を用意する。ＳｉＣ基板１の上面は、例えば｛０００１｝面から３度～８度のオフ角を有する。次に、図４に示すように、ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎ等のｎ型不純物が添加され、ＳｉＣ基板１よりも低不純物濃度のｎ^－型の４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなるドリフト層２をエピタキシャル成長させる。

【0059】

次に、化学気相成長（ＣＶＤ）技術等により、ドリフト層２の上面に酸化膜を堆積する。酸化膜の上面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等を用いて酸化膜をパターニングする。パターニングされた酸化膜をイオン注入用マスクとして用いて、アルミニウム（Ａｌ）等のｐ型不純物を選択的にイオン注入する。なお、酸化膜の代わりに、フォトレジスト膜をイオン注入用マスクとして用いてもよい。その後、イオン注入用マスクとして用いた酸化膜を除去する。この結果、図５に示すように、ドリフト層２の内部にｐ^＋型の埋込領域４ａ，４ｃ及びｐ^＋型のゲート保護領域４ｂが選択的に形成される。電荷蓄積層（電流拡散層）を形成する場合、この段階で選択的にｎ型不純物を注入することで、ドリフト層２の内部に電荷蓄積層を形成する。

【0060】

なお、図４に示したドリフト層２の途中部分（下部）までエピタキシャル成長させ、イオン注入によりｐ^＋型の埋込領域４ａ，４ｃ及びｐ^＋型のゲート保護領域４ｂを形成し、ドリフト層２の残りの部分（上部）をエピタキシャル成長させることで、図５に示した構造としてもよい。

【0061】

次に、埋込領域４ａ，４ｃ及びｐ^＋型のゲート保護領域４ｂを形成するときのイオン注入よりも低い加速電圧で、アルミニウム（Ａｌ）等のｐ型不純物を全面にイオン注入する。また、ベース領域６を形成するときのイオン注入よりも低い加速電圧で、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物を全面にイオン注入する。この結果、図６に示すように、埋込領域４ａ，４ｃ及びゲート保護領域４ｂの上面側に、４Ｈ－ＳｉＣ等のＳｉＣからなるｐ型のベース領域６が形成される。また、ベース領域６の上面側に、４Ｈ－ＳｉＣのｎ^＋型のソース拡張領域７１が形成される。

【0062】

ソース拡張領域７１のイオン注入の際、後述するソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂのイオン注入と比較して低ダメージとするため、ｎ型不純物として、原子数が相対的に小さい燐（Ｐ）（元素番号１５）が好ましく、原子数が相対的により小さい窒素（Ｎ）（元素番号７）がより好ましい。なお、Ｐ又はＮ以外にも、原子数が相対的に大きい砒素（Ａｓ）（元素番号３３）を注入してもよい。イオン注入時の温度は、後述するソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂのイオン注入よりも高く、例えば２００℃以上、６００℃以下程度に設定する。イオン注入時のドーズ量は、ソース拡張領域７１の不純物濃度が例えば１×１０^１６ｃｍ^－３以上、１×１０^２０ｃｍ^－３以下程度となるように設定される。イオン注入時のドーズ量は、例えば２×１０^１５ｃｍ^－２未満程度に設定される。

【0063】

次に、ＣＶＤ技術等により、ソース拡張領域７１の上面に酸化膜２０（図７参照）を堆積する。酸化膜２０の上面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等を用いて酸化膜２０をパターニングする。パターニングされた酸化膜２０をイオン注入用マスクとして用いて、図７に示すように、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物を選択的にイオン注入する。なお、酸化膜２０の代わりに、フォトレジスト膜をイオン注入用マスクとして用いてもよい。この結果、ソース拡張領域７１の上面側（上部）の一部に、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２が選択的に形成される。

【0064】

ソースコンタクト領域７２のイオン注入の際、ソース拡張領域７１の上面側の４Ｈ－ＳｉＣの構造を崩してアモルファス構造を形成する。図７ではＮをイオン注入する場合を例示したが、前述したソース拡張領域７１のイオン注入と比較して高ダメージとするため、ｎ型不純物としては、原子数が相対的により大きいＰ（元素番号１５）が好ましく、原子数が相対的により大きい砒素（Ａｓ）（元素番号３３）がより好ましい。ソースコンタクト領域７２のイオン注入では、前述したソース拡張領域７１のイオン注入と同じ不純物を注入してもよく、異なる不純物を注入してもよい。イオン注入時の温度は、前述したソース拡張領域７１のイオン注入時の温度よりも低く、例えば２０℃以上、１５０℃以下程度に設定する。イオン注入時のドーズ量は、前述したソース拡張領域７１のイオン注入により注入される不純物との合計として、ソースコンタクト領域７２の不純物濃度が例えば１×１０^２０ｃｍ^－３以上、１×１０^２２ｃｍ^－３以下程度となるように設定する。イオン注入時のドーズ量は、前述したソース拡張領域７１のイオン注入時のドーズ量と合わせた総ドーズ量が、例えば２×１０^１５ｃｍ^－２以上程度に設定される。

【0065】

ソースコンタクト領域７２のイオン注入時には、ｎ型不純物の代わりに、アルゴン（Ａｒ）又はヘリウム（Ｈｅ）等の不活性元素をイオン注入してもよい。不活性元素のイオン注入時のドーズ量は、前述したソース拡張領域７１のイオン注入時のドーズ量と合わせた総ドーズ量が、例えば２×１０^１５ｃｍ^－２以上程度に設定される。不活性元素をイオン注入する場合、ｎ型不純物のイオン注入はソース拡張領域７１のイオン注入のみとなるため、ソース拡張領域７１及びソースコンタクト領域７２の不純物濃度は互いに略同一となる。ソースコンタクト領域７２のイオン注入の後、イオン注入用マスクとして用いた酸化膜２０を除去する。

【0066】

次に、ＣＶＤ技術等により、ベース領域６の上面に酸化膜２１（図８参照）を堆積する。酸化膜２１の上面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等を用いて酸化膜２１をパターニングする。ソースコンタクト領域７２の幅ｗ１１は、ソースコンタクト領域７２の上面を覆う酸化膜２１のマスクパターンの幅ｗ１２よりも狭い（図８参照）。パターニングされた酸化膜２１をイオン注入用マスクとして用いて、図８に示すように、アルミニウム（Ａｌ）やボロン（Ｂ）等のｐ型不純物を選択的にイオン注入することにより、ソース拡張領域７１の一部の導電型をｎ型からｐ型へ反転させる（打ち返す）。この結果、埋込領域４ａ，４ｃの上面側に、４Ｈ－ＳｉＣのｐ^＋型のベースコンタクト領域５ａ，５ｂが選択的に形成される。ベースコンタクト領域５ａ，５ｂは、ソースコンタクト領域７２から離間して、ソース拡張領域７１及びベース領域６に接している。なお、酸化膜２１の代わりに、フォトレジスト膜をイオン注入用マスクとして用いてもよい。その後、イオン注入用マスクとして用いた酸化膜２１を除去する。

【0067】

なお、ベース領域６を形成するためのイオン注入、ソース拡張領域７１を形成するためのイオン注入、ソースコンタクト領域７２を形成するためのイオン注入、及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂを形成するためのイオン注入の順番はこれに限定されず、順番を入れ替えてもよい。例えば、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂを形成するためのイオン注入を行った後に、ソースコンタクト領域７２を形成するためのイオン注入を行ってもよい。

【0068】

次に、アニール炉等を用いて、例えば１６００℃以上、１９００℃以下程度で活性化アニール（熱処理）を行うことにより、埋込領域４ａ，４ｃ、ゲート保護領域４ｂ、ソース拡張領域７１、ソースコンタクト領域７２及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂ等にそれぞれイオン注入されたｐ型不純物又はｎ型不純物を一斉に活性化させる。このとき、ソースコンタクト領域７２のアモルファス構造が再結晶化し、３Ｃ－ＳｉＣとなることで、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２が形成される。

【0069】

なお、ここではすべてのイオン注入工程の後に一括して１回の活性化アニールを行う場合を例示するが、各イオン注入工程後に個別に複数回の活性化アニールを行ってもよい。また、活性化アニールの前に、カーボン（Ｃ）からなるキャップ膜を成膜し、キャップ膜で被覆した状態で活性化アニールを行い、活性化アニールの後にキャップ膜を除去してもよい。

【0070】

次に、ＣＶＤ技術等により、ソース拡張領域７１、ソースコンタクト領域７２及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂの上面に酸化膜２２（図９参照）を堆積する。酸化膜２２の上面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等を用いて酸化膜２２をパターニングする。パターニングされた酸化膜２２をエッチング用マスクとして用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチング技術により、図９に示すように、ソースコンタクト領域７２の上面から深さ方向にトレンチ１０を選択的に形成する。なお、酸化膜２２の代わりに、フォトレジスト膜をエッチング用マスクとして用いてもよい。

【0071】

トレンチ１０は、ソース拡張領域７１、ソースコンタクト領域７２及びベース領域６を貫通し、更にゲート保護領域４ｂの一部を掘り込む。ソース拡張領域７１は２つのソース拡張領域７１ａ，７１ｂに分割され、ソースコンタクト領域７２は、２つのソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂに分割され、ベース領域６は２つのベース領域６ａ，６ｂに分割される。ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａによりソース領域７ａが形成され、ソース拡張領域７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ｂによりソース領域７ｂが形成される。その後、エッチング用マスクとして用いた酸化膜２２を除去する。

【0072】

次に、ＣＶＤ技術、高温酸化（ＨＴＯ）法又は熱酸化法等により、トレンチ１０の下面及び側面、並びにソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂの上面に、ゲート絶縁膜１１（図１０参照）を形成する。ゲート絶縁膜１１の形成時には、例えば９００℃以上、１３５０℃以下程度で熱処理（ＰＤＡ：Post Deposition Annealing）を行う。

【0073】

次に、ＣＶＤ技術等により、トレンチ１０の内側を埋め込むように、燐（Ｐ）やボロン（Ｂ）等の不純物を高濃度で添加したポリシリコン層（ドープドポリシリコン層）を堆積する。その後、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチングにより、ポリシリコン層の一部及びゲート絶縁膜１１の一部を選択的に除去する。この結果、図１０に示すように、ゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２からなる絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）が形成される。このとき、ゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する位置の上面が、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂの下面よりも深くなるように、ゲート電極１２の落ち込み量を調整してよい。

【0074】

次に、ＣＶＤ技術等により、絶縁ゲート型電極構造（１１，１２）の上面に層間絶縁膜１３（図１１参照）を堆積する。フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等により、層間絶縁膜１３の一部を選択的に除去し、図１１に示すように、層間絶縁膜１３にソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂのそれぞれの上面の少なくとも一部を露出するコンタクトホール１３ａ，１３ｂを開口する。その後、層間絶縁膜１３を平坦化するための熱処理（リフロー）を行ってもよい。

【0075】

次に、スパッタリング技術又は蒸着法等によりシリサイド層１６（図１２参照）を堆積し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、シリサイド層１６の一部を選択的に除去する。この結果、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂの上面にシリサイド層１６が選択的に形成される。シリサイド層１６は、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂと低抵抗でオーミック接触する。更に、スパッタリング技術又は蒸着法等により、図１２に示すように、層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３のコンタクトホール１３ａ，１３ｂに露出するソース拡張領域７１ａ，７１ｂ、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びシリサイド層１６とを覆うように、バリアメタル層１４及びソース配線層１５を順次形成し、ソース電極（１４，１５，１６）を形成する。バリアメタル層１４は、ソース領域７ａ，７ｂのソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと低抵抗でオーミック接触する。

【0076】

なお、コンタクトホール１３ａ，１３ｂで、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂのそれぞれとソース電極（１４，１５，１６）の接続を行っているが、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂ及びベースコンタクト領域５ａ，５ｂが個別のコンタクトホールによってソース電極（１４，１５，１６）と接続するようにしてもよい。

【0077】

次に、必要に応じて、研削又は化学機械研磨（ＣＭＰ）等により、ＳｉＣ基板１を下面側から薄化して厚さを調整することにより、ドレイン領域１とする。次に、スパッタリング法又は蒸着法等により、ドレイン領域１の下面の全面に金（Ａｕ）等からなるドレイン電極１７（図１参照）を形成する。このようにして、図１に示した炭化珪素半導体装置が完成する。

【0078】

ここで、比較例に係る半導体装置の製造方法を説明する。比較例に係る半導体装置の製造方法では、製造上合理的に、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂに要求されるコンタクト抵抗を満たすための不純物濃度と、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂに要求されるコンタクト抵抗を満たすための不純物濃度の差を利用し、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂを形成するためのｎ型領域を全面に形成した後に、ｎ型領域の一部の導電型をｐ型に反転させて（打ち返して）ベースコンタクト領域５ａ，５ｂを形成する。

【0079】

具体的には、比較例に係る半導体装置の製造方法では、図６に示したベース領域６及びソース拡張領域７１を形成する手順の後に、図１３に示すように、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物を全面にイオン注入する。この結果、ソース拡張領域７１の上面側の全面に、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２が形成される。

【0080】

次に、ベース領域６の上面に酸化膜２１を（図１４参照）堆積し、酸化膜２１をパターニングする。図１４に示すように、パターニングされた酸化膜２１をイオン注入用マスクとして用いて、アルミニウム（Ａｌ）等のｐ型不純物を選択的にイオン注入することにより、ソース拡張領域７１及びソースコンタクト領域７２の一部の導電型をｐ型に反転させる（打ち返す）。この結果、埋込領域４ａ，４ｃの上面側にｐ^＋型のベースコンタクト領域５ａ，５ｂが選択的に形成される。

【0081】

しかし、比較例に係る半導体装置の製造方法では、図１４の破線で示した領域Ａ１，Ａ２であるソースコンタクト領域７２の打ち返した部分においてリーク不良が発生する場合がある。これは、ソースコンタクト領域７２を形成するためのイオン注入と、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂを形成するためのイオン注入により多くのダメージが発生し、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂが３Ｃ－ＳｉＣとなり、リーク源となると推定される。

【0082】

これに対して、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、図８に示すように、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂを形成するためのイオン注入時には、ソースコンタクト領域７２から離間した部位に、ソースコンタクト領域７２を打ち返すことなく、ソース拡張領域７１の一部を打ち返してベースコンタクト領域５ａ，５ｂを形成することができる。よって、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂの結晶構造は崩れずに４Ｈ－ＳｉＣとなり、リーク不良を抑制することができる。

【0083】

（第２実施形態）
第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置は、図１５に示すように、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂが、トレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１から離間している点が、図１に示した第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置と異なる。

【0084】

図１６は、図１５に示した破線の領域Ａを拡大した概略断面図である。ソースコンタクト領域７２ａは、トレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１から離間している。ソースコンタクト領域７２ａがトレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１から離間する幅（換言すれば、ソースコンタクト領域７２ａとゲート絶縁膜１１に挟まれるソース拡張領域７１ａの幅）ｗ３は、例えば１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度である。幅ｗ３を１００ｎｍ以上とすることにより、後述するゲートリーク電流を有効に防止することができる。ソースコンタクト領域７２ａの幅ｗ１は、例えば３００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度である。ソースコンタクト領域７２ａの上面から下面までの深さ（ソースコンタクト領域７２ａの厚さ）ｄ２は、例えば３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度である。

【0085】

図１６では、ソースコンタクト領域７２ａの右側の端部（側面）は、層間絶縁膜１３のコンタクトホール１３ａの端部（換言すれば、ゲート絶縁膜１１及び層間絶縁膜１３の端部）よりもゲート電極１２側に位置しているが、コンタクトホール１３ａの端部の位置と一致していてもよい。

【0086】

ゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する端部の位置の上面（上端）は、ソースコンタクト領域７２ａの下面と一致するか、ソースコンタクト領域７２ａの下面よりも浅い位置にある。ゲート電極１２のソース拡張領域７１ａの上面からの落ち込み量ｄ０は、例えば１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下程度である。ゲート電極１２の落ち込み量ｄ０を小さくして、ゲート電極１２の上面をソースコンタクト領域７２ａの下面よりも浅くすることにより、ゲート閾値電圧のバラツキを低減することができる。なお、ゲート電極１２のゲート絶縁膜１１と接する端部の位置の上面は、ソースコンタクト領域７２ａの下面よりも深い位置にあってもよい。

【0087】

図１５に示したソース領域７ｂのソース拡張領域７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ｂは、ソース領域７ａのソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａとそれぞれ同様の構成であるので、重複した説明を省略する。また、ソース領域７ｂのソース拡張領域７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ｂと、ベースコンタクト領域５ｂ、ゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２との位置関係は、図１６に示したソース領域７ａのソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａと、ベースコンタクト領域５ａ、ゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２との位置関係と同様であるので、重複した説明を省略する。第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の他の構成は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。

【0088】

第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法では、図６に示したベース領域６及びソース拡張領域７１を形成する手順の後に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等を用いて、トレンチ１０が形成される領域も覆うように酸化膜２０（図１７参照）をパターニングする点が、図７に示した第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と異なる。

【0089】

図１７に示すように、パターニングされた酸化膜２０をイオン注入用マスクとして用いて、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物を選択的にイオン注入する。なお、酸化膜２０の代わりに、フォトレジスト膜をイオン注入用マスクとして用いてもよい。この結果、ソース拡張領域７１の上面側に、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂが形成される。第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の他の手順は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。

【0090】

第２実施形態によれば、ソース領域７ａ，７ｂの３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂがソース電極（１４，１５，１６）と接することにより、シリサイド層１６を介さずに低抵抗でオーミック接触することができる。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂのコンタクト接合面にはシリサイド層１６が不要となるため、シリサイド層１６の剥離を抑制することができる。

【0091】

更に、第２実施形態によれば、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと、４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂの間に、４Ｈ－ＳｉＣのソース拡張領域７１ａ，７１ｂが介在している。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂとベースコンタクト領域５ａ，５ｂが互いに接する場合と比較して、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂにソース拡張領域７１ａ，７１ｂを形成するためのイオン注入によるダメージが無く、リーク不良を抑制することができる。

【0092】

更に、第２実施形態によれば、４Ｈ－ＳｉＣのソース拡張領域７１ａ，７１ｂと４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂとで構成されるｐｎ接合部が４Ｈ－ＳｉＣ同士であるため、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂとでｐｎ接合を構成する場合と比較して、ｐｎ接合部のリーク電流を防止することができる。

【0093】

更に、第２実施形態によれば、ソース領域７ａ，７ｂの相対的に結晶欠陥が多い３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂがトレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１に直接的に接しないようにトレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２から離間している。一方、ソース領域７ａ，７ｂの相対的に結晶欠陥が少ない４Ｈ－ＳｉＣからなるソース拡張領域７１ａ，７１ｂがトレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１に直接的に接し、ゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２に対向している。よって、ソース領域７ａ，７ｂとゲート電極１２との間のリーク電流の発生を抑制可能となる。

【0094】

（第３実施形態）
第３実施形態に係る炭化珪素半導体装置は、図１８に示すように、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂとの間に介在する４Ｈ－ＳｉＣの半導体領域が、ベース領域６ａ，６ｂの一部である点が、図１に示した第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置と異なる。ベース領域６ａ，６ｂは、Ｌ字状の断面形状を有する。

【0095】

図１９は、図１８に示した領域Ａを拡大した概略断面図である。ソース拡張領域７１ａの左側の側面の位置と、ソースコンタクト領域７２ａの左側の側面の位置は略一致している。ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａのそれぞれの左側の側面は、ベースコンタクト領域５ａの右側の側面から離間している。ソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａのそれぞれの左側の側面と、ベースコンタクト領域５ａの右側の側面との間には、ベース領域６ａの一部が介在している。

【0096】

図１８に示したソース領域７ｂのソース拡張領域７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ｂは、ソース領域７ａのソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａとそれぞれ同様の構成であるので、重複した説明を省略する。また、ソース領域７ｂのソース拡張領域７１ｂ及びソースコンタクト領域７２ｂと、ベースコンタクト領域５ｂ、ゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２との位置関係は、図１９に示したソース領域７ａのソース拡張領域７１ａ及びソースコンタクト領域７２ａと、ベースコンタクト領域５ａ、ゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２との位置関係と同様であるので、重複した説明を省略する。第３実施形態に係る炭化珪素半導体装置の他の構成は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。

【0097】

第３実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法では、図６に示した手順において、ソース拡張領域７１を形成するためのイオン注入は行わず、ソース拡張領域７１を全面に形成しない。そして、図７に示すように、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２を形成するためのイオン注入時に、共通の酸化膜２０をイオン注入用マスクとして用いてイオン注入することにより、ｎ^＋型のソース拡張領域７１をソースコンタクト領域７２と同じ幅で形成する。第３実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の他の手順は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。

【0098】

第３実施形態によれば、ソース領域７ａ，７ｂの３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂがソース電極（１４，１５，１６）と接することにより、シリサイド層１６を介さずに低抵抗でオーミック接触することができる。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂのコンタクト接合面にはシリサイド層１６が不要となるため、シリサイド層１６の剥離を抑制することができる。

【0099】

更に、第３実施形態によれば、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと、４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂの間に、４Ｈ－ＳｉＣのベース領域６ａ，６ｂが介在している。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂとベースコンタクト領域５ａ，５ｂが互いに接する場合と比較して、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂにソース拡張領域７１ａ，７１ｂを形成するためのイオン注入によるダメージが無く、リーク不良を抑制することができる。

【0100】

（第４実施形態）
第４実施形態に係る炭化珪素半導体装置は、図２０に示すように、ｎ^＋型のソース拡張領域７１ａ，７１ｂが薄く形成されている点が、図１に示した第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置と異なる。

【0101】

第４実施形態に係る炭化珪素半導体装置の他の構成は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。

【0102】

第４実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法では、図６に示した手順において、ソース拡張領域７１のためのイオン注入を行わない。そして、図７に示した手順において、パターニングされた酸化膜２０をイオン注入用マスクとして用いて、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物を選択的にイオン注入することにより、ベース領域６ａ，６ｂの上面側（上部）の一部に、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２を選択的に形成する。

【0103】

ソースコンタクト領域７２のイオン注入の際、ベース領域６の上面側の４Ｈ－ＳｉＣの構造を崩してアモルファス構造を形成する。この時、イオン注入では深い側に必ず濃度勾配が発生するので、深い側に自然と濃度の低い部分ができる。濃度の低い部分は熱処理後に４Ｈ－ＳｉＣ構造となるので、この４Ｈ－ＳｉＣをｎ^＋型のソース拡張領域７１ａ，７１ｂとして用いる。第４実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の他の手順は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。

【0104】

第４実施形態によれば、ソース拡張領域７１ａ，７１ｂが薄い場合でも、シリサイド層１６を介さずに低抵抗でオーミック接触することができる。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂのコンタクト接合面にはシリサイド層１６が不要となるため、シリサイド層１６の剥離を抑制することができる。

【0105】

更に、第４実施形態によれば、３Ｃ－ＳｉＣを含むソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂと、４Ｈ－ＳｉＣのベースコンタクト領域５ａ，５ｂの間に、４Ｈ－ＳｉＣのベース領域６ａ，６ｂが介在している。よって、ソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂとベースコンタクト領域５ａ，５ｂが互いに接する場合と比較して、ベースコンタクト領域５ａ，５ｂにソース拡張領域７１ａ，７１ｂを形成するためのイオン注入によるダメージが無く、リーク不良を抑制することができる。

【0106】

（その他の実施形態）
上記のように、本開示の第１～第４実施形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本開示を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

【0107】

例えば、第１～第４実施形態に係る半導体装置としてＭＯＳＦＥＴを例示したが、ｎ^＋型のドレイン領域１の代わりにｐ^＋型のコレクタ領域を設けた構成の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）にも適用可能である。また、ＩＧＢＴ単体以外にも、逆導通型ＩＧＢＴ（ＲＣ－ＩＧＢＴ）や、逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＲＢ－ＩＧＢＴ）にも適用可能である。

【0108】

また、第１～第４実施形態が開示する構成を、矛盾の生じない範囲で適宜組み合わせることができる。例えば、第３及び４実施形態に係る半導体装置では、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂが、トレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１に接している場合を例示した。しかし、第２実施形態に係る半導体装置のように、ｎ^＋型のソースコンタクト領域７２ａ，７２ｂが、トレンチ１０の内側のゲート絶縁膜１１から離間していてもよい。

【0109】

このように、本開示はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本開示の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

【符号の説明】

【0110】

１…ドレイン領域（ＳｉＣ基板）
２…ドリフト層
４ａ，４ｃ…埋込領域
４ｂ…ゲート保護領域
５ａ，５ｂ…ベースコンタクト領域
６，６ａ，６ｂ…ベース領域
７ａ，７ｂ…ソース領域
１０…トレンチ
１１…ゲート絶縁膜
１２…ゲート電極
１３…層間絶縁膜
１３ａ，１３ｂ…コンタクトホール
１４…バリアメタル層
１５…ソース配線層
１６…シリサイド層
１７…ドレイン電極
２０，２１，２２…酸化膜
７１ａ，７１ｂ…ソース拡張領域
７２，７２ａ，７２ｂ…ソースコンタクト領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】