(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134057
(43)【公開日】2024-10-03
(54)【発明の名称】電流センサ
(51)【国際特許分類】
G01R 15/20 20060101AFI20240926BHJP
【ＦＩ】
G01R15/20 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023044146
(22)【出願日】2023-03-20
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】中村 大佐
【テーマコード（参考）】
2G025
【Ｆターム（参考）】
2G025AA05
2G025AB02
2G025AC01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電流センサの全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させる。
【解決手段】電流センサは、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃと、少なくとも１つの磁気検出素子とを備える。第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃは、互いに間隔をあけつつ第１の方向に各々延在し、３相交流の電流が流れる。少なくとも１つの磁気検出素子は、第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃを流れる電流により発生する磁界を検出して、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能である。
【選択図】図２
【解決手段】電流センサは、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃと、少なくとも１つの磁気検出素子とを備える。第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃは、互いに間隔をあけつつ第１の方向に各々延在し、３相交流の電流が流れる。少なくとも１つの磁気検出素子は、第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃを流れる電流により発生する磁界を検出して、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに間隔をあけつつ第１の方向に各々延在し、３相交流の電流が流れる、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバと、
前記第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバを流れる電流により発生する磁界を検出して、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能な少なくとも１つの磁気検出素子とを備え、
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうち、前記少なくとも１つの磁気検出素子のうちの任意の一の磁気検出素子に対応するバスバ以外の２つのバスバは、前記一の磁気検出素子の感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記一の磁気検出素子は、前記対応するバスバ以外の前記２つのバスバから略等距離の位置に配置されている、電流センサ。
前記第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバを流れる電流により発生する磁界を検出して、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能な少なくとも１つの磁気検出素子とを備え、
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうち、前記少なくとも１つの磁気検出素子のうちの任意の一の磁気検出素子に対応するバスバ以外の２つのバスバは、前記一の磁気検出素子の感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記一の磁気検出素子は、前記対応するバスバ以外の前記２つのバスバから略等距離の位置に配置されている、電流センサ。
【請求項2】
前記少なくとも１つの磁気検出素子として、第１磁気検出素子、第２磁気検出素子および第３磁気検出素子を備え、
前記第１磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第１感度軸を有し、かつ、前記第１バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第２感度軸を有し、かつ、前記第２バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第３磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第３感度軸を有し、かつ、前記第３バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第３バスバは、前記第２感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第２バスバは、前記第３感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第１磁気検出素子は、前記第２バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第２磁気検出素子は、前記第２感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第３磁気検出素子は、前記第３感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第２バスバから略等距離の位置に配置されている、請求項１に記載の電流センサ。
前記第１磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第１感度軸を有し、かつ、前記第１バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第２感度軸を有し、かつ、前記第２バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第３磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第３感度軸を有し、かつ、前記第３バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第３バスバは、前記第２感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第２バスバは、前記第３感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第１磁気検出素子は、前記第２バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第２磁気検出素子は、前記第２感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第３磁気検出素子は、前記第３感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第２バスバから略等距離の位置に配置されている、請求項１に記載の電流センサ。
【請求項3】
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、トンネル型磁気抵抗素子を含む回路を有する、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【請求項4】
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、巨大磁気抵抗素子を含む回路を有する、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【請求項5】
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、異方性磁気抵抗素子を含む回路を有する、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【請求項6】
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバの各々は、前記第１の方向に沿う第１仮想平面上に配置されている、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【請求項7】
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、前記第１の方向に沿う第２仮想平面上に配置されている、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【請求項8】
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１の方向に延在する仮想中心軸の軸周りにおいて略等間隔に配置されている、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電流センサに関する。
【背景技術】
【0002】
電流検出器の構成を開示した先行技術文献として、特開２００１－７４７８３号公報（特許文献１）がある。特許文献１に記載された電流検出器は、複数の被測定導体と、磁電変換素子とを備える。複数の被測定導体には、それぞれに被測定電流が流れる。複数の被測定導体のそれぞれは、凹状またはクランク状に折り曲げられた折り曲げ部を有する。磁電変換素子は、折り曲げ部の近傍において、被測定導体に流れる被測定電流によって発生される磁束が感磁面に略垂直に入るように配置されている。
【0003】
電流測定装置の構成を開示した先行技術文献として、特開２００５－２０７７９１号公報（特許文献２）がある。特許文献２に記載された電流測定装置は、複数の磁気検出手段と、電流算出手段とを備える。複数の磁気検出手段は、複数の被測定電流導体にそれぞれ電流が流れることによって生じる磁界の強さに応じた検出信号を得るために、複数の被測定電流導体より多い数量が所定位置にそれぞれ配置される。電流算出手段は、複数の磁気検出手段で得られた各検出信号に基づいて複数の被測定電流導体に流れる各電流の大きさを求める。
【0004】
電流測定装置の構成を開示した先行技術文献として、国際公開第２０１１／１１１４５６号（特許文献３）がある。特許文献３に記載された電流測定装置は、複数の導体と、複数の磁気センサとを備える。複数の導体の上方または下方にそれぞれ設けられた複数の磁気センサの各々は、複数の導体の延在方向に沿って互いに位置をずらして設けられている。複数の導体の延在方向と垂直な方向において、磁気センサの高さと隣接する導体の高さが略等しくなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００１－７４７８３号公報
【特許文献2】特開２００５－２０７７９１号公報
【特許文献3】国際公開第２０１１／１１１４５６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に記載された電流検出器においては、被測定導体が折り曲げ部を有するため、その形状が複雑になる。折り曲げ部が、凹状またはクランク状に折り曲げられているため、被測定導体が立体的に折り曲げられることにより占有体積が大きくなる。このため、電流検出器が大型化する。
【0007】
特許文献２に記載された電流測定装置においては、測定する被測定電流導体以外の被測定電流導体を流れる電流の影響を抑制することにより測定精度を向上させるために、各磁気検出手段の出力の処理が可能な規模の電流算出手段を必要とし、電流測定装置の構成が複雑になる。
【0008】
特許文献３に記載された電流測定装置においては、複数の磁気センサの各々を複数の導体の延在方向に沿って互いに位置をずらして配置することによって、複数の磁気センサを設置するための面積が大きくなるため、当該装置の小型化することが難しい。
【0009】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させることができる電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明に基づく電流センサは、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバと、少なくとも１つの磁気検出素子とを備える。第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバは、互いに間隔をあけつつ第１の方向に各々延在し、３相交流の電流が流れる。少なくとも１つの磁気検出素子は、第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバを流れる電流により発生する磁界を検出して、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能である。第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバのうち、少なくとも１つの磁気検出素子のうちの任意の一の磁気検出素子に対応するバスバ以外の２つのバスバは、一の磁気検出素子の感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。第１の方向から見て、一の磁気検出素子は、対応するバスバ以外の２つのバスバから略等距離の位置に配置されている。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、電流センサの全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の実施の形態１に係る電流センサの構成を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態１に係る電流センサの構成を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態１に係る電流センサにおけるバスバと磁気検出素子の感磁面との間の隙間を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態１に係る電流センサにおけるバスバから発生する磁界を模式的に示す断面図である。
【図5】比較例に係る電流センサの構成を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態１および比較例に係るバスバと磁気検出素子との間の隙間に対する、印加電流に対する測定電流の誤差の関係を示すグラフである。
【図7】比較例に係る電流センサの３相交流電流の位相に対する、印加電流および測定電流、並びに、印加電流に対する測定電流の誤差の関係を示すグラフである。
【図8】本発明の実施の形態１に係る電流センサの３相交流電流の位相に対する、印加電流および測定電流、並びに、印加電流に対する測定電流の誤差の関係を示すグラフである。
【図9】本発明の実施の形態２に係る電流センサの構成を示す斜視図である。
【図10】本発明の実施の形態２に係る電流センサの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の各実施の形態に係る電流センサについて図を参照して説明する。以下の実施の形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【0014】
なお、図面においては、第１磁気検出素子の感度軸に沿う方向を第２の方向としてのＸ方向、各バスバが延在する方向を第１の方向としてのＹ方向、第１の方向および第２の方向に直交する方向を第３の方向としてのＺ方向とする。また、電流センサにおける各構成要素間の距離とは、各構成要素の中心同士を結ぶ距離とする。
【0015】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電流センサの構成を示す斜視図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る電流センサの構成を示す断面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る電流センサにおけるバスバと磁気検出素子の感磁面との間の隙間を示す断面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電流センサにおけるバスバから発生する磁界を模式的に示す断面図である。
図１は、本発明の実施の形態１に係る電流センサの構成を示す斜視図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る電流センサの構成を示す断面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る電流センサにおけるバスバと磁気検出素子の感磁面との間の隙間を示す断面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電流センサにおけるバスバから発生する磁界を模式的に示す断面図である。
【0016】
【0017】
第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃは、３相３線式のバスバである。第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃの各々には、３相交流の電流が流れる。第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃの各々を流れる電流は、振幅が等しく互いに位相が１２０°ずつずれた交流電流を構成している。
【0018】
第１バスバ１０Ａを第１の方向（Ｙ方向）に流れる第１電流の電流値（Ｉ１）、第２バスバ１０Ｂを第１の方向（Ｙ方向）に流れる第２電流の電流値（Ｉ２）、および、第３バスバ１０Ｃを第１の方向（Ｙ方向）に流れる第３電流の電流値（Ｉ３）においては、Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３＝０の関係が成立している。たとえば、第１電流がＵ相の交流電流、第２電流がＶ相の交流電流、第３電流がＷ相の交流電流であってもよい。
【0019】
第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃの各々は、第１の方向（Ｙ方向）に沿う第１仮想平面Ｆ１上に配置されている。本実施の形態においては、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃの各々は、第２の方向（Ｘ方向）において互いに間隔をあけつつ並んで第１仮想平面Ｆ１上に配置されている。
【0020】
第１バスバ１０Ａは、第１の方向（Ｙ方向）に沿って直線状に延在している。第１バスバ１０Ａを流れる第１電流の電流値（Ｉ１）は、交流電流であるため、正の値または負の値をとり得る。第１電流が流れた際には、第１磁界Ｂ１が第１バスバ１０Ａの周囲に生じる。
【0021】
第２バスバ１０Ｂは、第１の方向（Ｙ方向）に沿って直線状に延在している。第２バスバ１０Ｂを流れる第２電流の電流値（Ｉ２）は、交流電流であるため、正の値または負の値をとり得る。第２電流が流れた際には、第２磁界Ｂ２が第２バスバ１０Ｂの周囲に生じる。
【0022】
第３バスバ１０Ｃは、第１の方向（Ｙ方向）に沿って直線状に延在している。本実施の形態においては、第３バスバ１０Ｃは、第２バスバ１０Ｂとの間の距離が、第１バスバ１０Ａと第２バスバ１０Ｂとの間の距離に等しくなるように配置されている。第３バスバ１０Ｃを流れる第３電流の電流値（Ｉ３）は、交流電流であるため、正の値または負の値をとり得る。第３電流が流れた際には、第３磁界Ｂ３が第３バスバ１０Ｃの周囲に生じる。
【0023】
少なくとも１つの磁気検出素子は、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能である。
【0024】
本実施の形態における少なくとも１つの磁気検出素子は、たとえば、図示しない４つのトンネル型磁気抵抗素子（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance)素子）からなるホイートストンブリッジ型のブリッジ回路を有する。なお、少なくとも１つの磁気検出素子が、ＴＭＲ素子に代えて、巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）素子）若しくは異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistance）素子）などの磁気抵抗素子からなるブリッジ回路を有していてもよい。また、少なくとも１つの磁気検出素子が、２つの磁気抵抗素子からなるハーフブリッジ回路を有していてもよい。さらに、少なくとも１つの磁気検出素子は、ホール素子であってもよい。
【0025】
本実施の形態においては、少なくとも１つの磁気検出素子として、第１磁気検出素子２０Ａと、第２磁気検出素子２０Ｂと、第３磁気検出素子２０Ｃとを備える。
【0026】
少なくとも１つの磁気検出素子は、第１の方向（Ｙ方向）に沿う第２仮想平面Ｆ２上に配置されている。本実施の形態においては、第１磁気検出素子２０Ａ、第２磁気検出素子２０Ｂおよび第３磁気検出素子２０Ｃの各々は、第２仮想平面Ｆ２に位置し、第１の方向（Ｙ方向）および第２の方向（Ｘ方向）に沿う基板２１上に配置されている。第１磁気検出素子２０Ａ、第２磁気検出素子２０Ｂおよび第３磁気検出素子２０Ｃの各々は、図示しない配線を経由して、測定した電流値を信号として電流センサ１を制御する図示しない制御部に接続されている。
【0027】
図３に示すように、第２磁気検出素子２０Ｂは、第２バスバ１０Ｂに近い下面側に感磁面２２を有する。感磁面２２は、第３の方向（Ｚ方向）において、第２バスバ１０Ｂに対して隙間Ｇをあけて配置されている。なお、第１磁気検出素子２０Ａおよび第３磁気検出素子２０Ｃの感磁面においても、第２磁気検出素子２０Ｂと同様の隙間があいている。
【0028】
【0029】
具体的には、第１磁気検出素子２０Ａは、第１の方向（Ｙ方向）に直交する方向に向いた第１感度軸Ａ１を有する。本実施の形態においては、第１磁気検出素子２０Ａは、第２の方向（Ｘ方向）に沿う第１感度軸Ａ１を有する。
【0030】
第２磁気検出素子２０Ｂは、第１の方向（Ｙ方向）に直交する方向に向いた第２感度軸Ａ２を有する。本実施の形態においては、第２磁気検出素子２０Ｂは、第２の方向（Ｘ方向）に沿う第２感度軸Ａ２を有する。
【0031】
第３磁気検出素子２０Ｃは、第１の方向（Ｙ方向）に直交する方向に向いた第３感度軸Ａ３を有する。本実施の形態においては、第３磁気検出素子２０Ｃは、第２の方向（Ｘ方向）に沿う第３感度軸Ａ３を有する。
【0032】
以下、各バスバと各磁気検出素子の配置関係について説明する。第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃのうち、少なくとも１つの磁気検出素子のうちの任意の一の磁気検出素子に対応するバスバ以外の２つのバスバは、一の磁気検出素子の感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0033】
具体的には、第１磁気検出素子２０Ａは、第１バスバ１０Ａを流れる電流の電流値を計測するため、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃが、第１感度軸Ａ１と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0034】
第２磁気検出素子２０Ｂは、第２バスバ１０Ｂを流れる電流の電流値を計測するため、第１バスバ１０Ａおよび第３バスバ１０Ｃが、第２感度軸Ａ２と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0035】
第３磁気検出素子２０Ｃは、第３バスバ１０Ｃを流れる電流の電流値を計測するため、第１バスバ１０Ａおよび第２バスバ１０Ｂが、第３感度軸Ａ３と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0036】
第１の方向（Ｙ方向）から見て、一の磁気検出素子は、対応するバスバ以外の２つのバスバから略等距離の位置に配置されている。本実施の形態においては、第１の方向（Ｙ方向）から見て、第１磁気検出素子２０Ａは、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃから略等距離Ｌ１の位置に配置されている。なお、本実施の形態の距離に関する「略等距離」とは、電流センサの各構成要素を組み付ける際の製造工程における組み付け位置のばらつきを含む意味である。
【0037】
第１の方向（Ｙ方向）から見て、第２磁気検出素子２０Ｂは、第２感度軸Ａ２と同一の方向において、第１バスバ１０Ａおよび第３バスバ１０Ｃから略等距離Ｌ２の位置に配置されている。第２磁気検出素子２０Ｂは、第３の方向（Ｚ方向）において第２バスバ１０Ｂと並んでいる。
【0038】
第１の方向（Ｙ方向）から見て、第３磁気検出素子２０Ｃは、第３感度軸Ａ３と同一の方向において、第１バスバ１０Ａおよび第２バスバ１０Ｂから略等距離Ｌ３の位置に配置されている。
【0039】
なお、本実施の形態においては、第１バスバ１０Ａと第２バスバ１０Ｂとの間、第２バスバ１０Ｂと第３バスバ１０Ｃとの間、第１磁気検出素子２０Ａと第２磁気検出素子２０Ｂとの間、第２磁気検出素子２０Ｂと第３磁気検出素子２０Ｃとの間には、透磁率の高い磁性材料などからなる磁気遮蔽板、および、磁場を集磁するための軟磁性体などからなる磁性体コアは設けられていない。これにより、本実施の形態に係る電流センサ１は、全体のサイズを小型化できる。
【0040】
また、本実施の形態においては、各磁気検出素子を各バスバ上に配置する場合と比較して、測定したいバスバ以外のバスバに対して磁気検出素子を略等距離の位置に配置すればよいため、各磁気検出素子を実装する基板２１の占有面積を小さくすることができる。これにより、本実施の形態に係る電流センサ１は、全体のサイズを小型化できる。
【0041】
ここで、比較例に係る電流センサについて図を参照して説明する。比較例に係る電流センサは、各バスバおよび各磁気検出素子の位置関係が本発明の実施の形態１に係る電流センサ１と異なるため、本発明の実施の形態１に係る電流センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。
【0042】
【0043】
図５に示すように、比較例における電流センサ９は、第１バスバ１０Ａと、第２バスバ１０Ｂと、第３バスバ１０Ｃと、第１磁気検出素子２０Ａと、第２磁気検出素子２０Ｂと、第３磁気検出素子２０Ｃとを備える。
【0044】
第１磁気検出素子２０Ａは、第３の方向（Ｚ方向）において第１バスバ１０Ａと並んでいる。第１磁気検出素子２０Ａは、第１バスバ１０Ａと離隔している。第１磁気検出素子２０Ａは、第１バスバ１０Ａを流れる電流の電流値Ｉ１を測定する。ただし、第１磁気検出素子２０Ａは、測定対象の第１バスバ１０Ａ以外の第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃを流れる電流による磁界の影響を受けるため、測定値にこれらのバスバの電流値が含まれる。
【0045】
第２磁気検出素子２０Ｂは、第３の方向（Ｚ方向）において第２バスバ１０Ｂと並んでいる。第２磁気検出素子２０Ｂは、第２バスバ１０Ｂと離隔している。第２磁気検出素子２０Ｂは、第２バスバ１０Ｂを流れる電流の電流値Ｉ２を測定する。ただし、第２磁気検出素子２０Ｂは、測定対象の第２バスバ１０Ｂ以外の第１バスバ１０Ａおよび第３バスバ１０Ｃを流れる電流による磁界の影響を受けるため、測定値にこれらのバスバの電流値が含まれる。
【0046】
第３磁気検出素子２０Ｃは、第３の方向（Ｚ方向）において第３バスバ１０Ｃと並んでいる。第３磁気検出素子２０Ｃは、第３バスバ１０Ｃと離隔している。第３磁気検出素子２０Ｃは、第３バスバ１０Ｃを流れる電流の電流値Ｉ３を測定する。ただし、第３磁気検出素子２０Ｃは、測定対象の第３バスバ１０Ｃ以外の第１バスバ１０Ａおよび第２バスバ１０Ｂを流れる電流による磁界の影響を受けるため、測定値にこれらのバスバの電流値が含まれる。
【0047】
一方、本実施の形態に係る第１磁気検出素子２０Ａ、第２磁気検出素子２０Ｂおよび第３磁気検出素子２０Ｃの各々は、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃを流れる電流により発生する磁界を検出して対応するバスバを流れる電流値を測定可能である。
【0048】
具体的には、第１磁気検出素子２０Ａは、第１バスバ１０Ａを流れる電流値（Ｉ１）を測定可能である。第２磁気検出素子２０Ｂは、第２バスバ１０Ｂを流れる電流値（Ｉ２）を測定可能である。第３磁気検出素子２０Ｃは、第３バスバ１０Ｃを流れる電流値（Ｉ３）を測定可能である。
【0049】
以下、各磁気検出素子が測定対象のバスバ以外のバスバを含めた磁界を検出しても測定対象のバスバの電流値のみを測定できることについて、第１磁気検出素子２０Ａにより第１バスバ１０Ａを流れる電流の電流値Ｉ１を測定する場合を例示して説明する。
【0050】
図４に示すように、第１磁気検出素子２０Ａにより検出する磁界Ｂは、各バスバから発生する磁界を合成したものとなる。第１バスバ１０Ａの周囲には、第１磁界Ｂ１が生じている。第２バスバ１０Ｂの周囲には、第２磁界Ｂ２が生じている。第３バスバ１０Ｃの周囲には、第３磁界Ｂ３が生じている。このため、第１磁気検出素子２０Ａにより検出する磁界Ｂは、Ｂ＝Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３と表される。
【0051】
第１磁界Ｂ１は、磁束密度および磁界強度の関係から、透磁率μを用いて、Ｂ１＝μ（１／２πｒ１）Ｉ１と表される。ｒ１は、第１バスバ１０Ａに対する第１磁気検出素子２０Ａの距離であり、μ（１／２πｒ１）を定数αと仮定すると、Ｂ１＝αＩ１と表される。
【0052】
同様に、第２バスバ１０Ｂの第２磁界Ｂ２を第１磁気検出素子２０Ａにより検出する場合、第２磁界Ｂ２は、Ｂ２＝μ（１／２πｒ２）Ｉ２と表される。μ（１／２πｒ２）を定数βと仮定すると、Ｂ２＝βＩ２と表される。また、第３バスバ１０Ｃの第３磁界Ｂ３を第１磁気検出素子２０Ａにより検出する場合、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃに対する第１磁気検出素子２０Ａの距離は略等距離であることから、第２バスバ１０Ｂの場合と同様に、Ｂ３＝βＩ３と表される。
【0053】
したがって、Ｂ＝Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３は、Ｂ＝αＩ１＋β（Ｉ２＋Ｉ３）と表される。各バスバを流れる３相交流における各電流値にはＩ１＋Ｉ２＋Ｉ３＝０の関係が成立しているため、Ｉ２＋Ｉ３＝－Ｉ１と表される。これにより、Ｂ＝αＩ１＋β（－Ｉ１）と表されるため、Ｂ＝（α－β）Ｉ１の関係が成立する。このように、第１磁気検出素子２０Ａに印加される磁界Ｂは、第１バスバ１０Ａを流れる第１電流の電流値（Ｉ１）に定数を掛けた値によって表される。この計算式は、各バスバに３相交流の電流が流れる場合に成立するため、測定値の差動をとる必要が無い。
【0054】
上述した第１磁気検出素子２０Ａに印加される磁界Ｂを第１バスバ１０Ａの電流を流れる電流値（Ｉ１）のみにより表されることと同様に、第２磁気検出素子２０Ｂに印加される磁界を第２バスバ１０Ｂの電流を流れる電流値（Ｉ２）のみにより表すことができる。また、第３磁気検出素子２０Ｃに印加される磁界を第３バスバ１０Ｃの電流を流れる電流値（Ｉ３）のみにより表すことができる。これにより、各バスバ間にシールドを設けることなく、かつ測定値の差動をとるための算出部を設けることなく、各磁気検出素子によって、測定対象のバスバのみの電流値を測定することができる。
【0055】
図６は、本発明の実施の形態１および比較例に係るバスバと磁気検出素子との間の隙間に対する、印加電流に対する測定電流の誤差の関係を示すグラフである。図７は、比較例に係る電流センサの３相交流電流の位相に対する、印加電流および測定電流、並びに、印加電流に対する測定電流の誤差の関係を示すグラフである。図８は、本発明の実施の形態１に係る電流センサの３相交流電流の位相に対する、印加電流および測定電流、並びに、印加電流に対する測定電流の誤差の関係を示すグラフである。
【0056】
図６～図８においては、本実施の形態および比較例に係る第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃの各々に対して電流を印加したときにおける、印加電流と各磁気検出素子によって測定した測定電流とを比較するシミュレーションを行なった結果を示している。図７および図８においては、第１磁気検出素子２０Ａにおける電流の測定値を例示し、第３の方向（Ｚ方向）における第１磁気検出素子２０Ａと各バスバとの間の隙間が１．５ｍｍである場合を例示する。
【0057】
図６においては、本実施の形態および比較例に係る各バスバと磁気検出素子との間の隙間を横軸とし、印加電流に対する測定電流の誤差を縦軸にしたときの当該誤差を示している。電流値は、交流電流であるため正の値または負の値をとり、その電流値が取り得る最大振幅をフルスケール（Ｆ．Ｓ．）としたときに、印加電流に対する測定電流の差の割合を誤差（％Ｆ．Ｓ．）として表示している。
【0058】
図６に示すように、比較例においては、各バスバと磁気検出素子との間の隙間が大きくなるにつれて印加電流に対する測定電流の誤差が大きくなる。これは、当該隙間が大きくなるにしたがって、各磁気検出素子によって、測定したいバスバ以外のバスバからの磁界の影響が大きくなってしまうためである。たとえば、比較例の場合、第１磁気検出素子２０Ａでは、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃにより検出される磁界の影響を受けてしまうため、電流が３相交流の位相のずれを受け、電流値に誤差を生ずる。この誤差は、測定したい第１バスバ１０Ａと第１磁気検出素子２０Ａとの隙間が大きくなって、第１バスバ１０Ａからの磁界強度が小さくなるにしたがって、大きくなる。
【0059】
一方、本実施の形態においては、各バスバと磁気検出素子との間の隙間が０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲で変動しても当該誤差は大きくならない。本実施の形態においては、電流を検出するための磁界を各バスバから受けるが、上述したように測定したいバスバのみの電流によって磁界を表すことができるためである。
【0060】
本実施の形態における各バスバと磁気検出素子との間の隙間は、一部に変曲点を有して最小になっている。本実施の形態においては、その変曲点は、各バスバと磁気検出素子との間の隙間が約１．５ｍｍの位置にある。感度軸方向において、バスバと磁気検出素子とが一直線に並ぶように各バスバと磁気検出素子との間の隙間を近づけた場合、磁気検出素子において磁界の検出ができなくなる。一方、当該隙間を離すと、測定したいバスバの磁界が小さくなるので他のセンサの誤差の影響を受けやすい。本実施の形態においては、これらの関係が相互作用していることによって、各バスバと磁気検出素子との間の隙間に対し、印加電流に対する測定電流の誤差が最小となる変曲点を有すると考えられる。
【0061】
図７に示すように、比較例に係る印加電流に対する測定電流の誤差は、他のバスバにおける電流値を測定するため、位相がずれて測定される。当該誤差は、３相交流電流であるため、約±１％の範囲において変動する。
【0062】
図８に示すように、本実施の形態に係る印加電流に対する測定電流の誤差は、他のバスバにおける磁界の影響が抑制されているため、測定する電流の位相のずれが抑制されている。当該誤差は、比較例に比べて小さく、約±０．３％の範囲において変動する。
【0063】
本発明の実施の形態１に係る電流センサ１においては、３相交流のバスバ構成を測定する電流センサにおいて、電流を測定したいバスバ以外の残りの２つのバスバに対して、磁気検出素子の距離を略等距離に配置することによって、測定したいバスバ以外のバスバからの磁界影響を同じにすることができるため、上述の磁界と電流値との関係式により、各バスバから磁気検出素子が受ける磁界を測定したいバスバからの電流値に比例する値のみによって表すことができる。これにより、各バスバ間にシールドを設けることなく、かつ測定したバスバ以外のバスバからの磁界の影響を抑制することができる。その結果、電流センサ１の全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させることができる。
【0064】
本発明の実施の形態１に係る電流センサ１においては、少なくとも１つの磁気検出素子として、第１磁気検出素子２０Ａ、第２磁気検出素子２０Ｂおよび第３磁気検出素子２０Ｃの３つによって各バスバの電流値を各バスバ間にシールドを設けることなく、かつ測定したバスバ以外のバスバからの磁界影響を受けることを抑制することができるため、電流センサ１の全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させることができる。
【0065】
本発明の実施の形態１に係る電流センサ１においては、ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子またはＡＭＲ素子により、電流センサ１の全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させることができる。
【0066】
本発明の実施の形態１に係る電流センサ１においては、第１バスバ１０Ａ、第２バスバ１０Ｂおよび第３バスバ１０Ｃの各々を第１仮想平面Ｆ１上に並べることによって、各バスバを並べやすい構成にすることができる。
【0067】
本発明の実施の形態１に係る電流センサ１においては、第１磁気検出素子２０Ａ、第２磁気検出素子２０Ｂおよび第３磁気検出素子２０Ｃの各々を第２仮想平面Ｆ２上に配置することによって、各磁気検出素子を基板２１上に配置しやすい構成にすることができる。
【0068】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２に係る電流センサについて図を参照して説明する。本発明の実施の形態２に係る電流センサは、各バスバおよび各磁気検出素子の位置関係が本発明の実施の形態１に係る電流センサ１と異なるため、本発明の実施の形態１に係る電流センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。
以下、本発明の実施の形態２に係る電流センサについて図を参照して説明する。本発明の実施の形態２に係る電流センサは、各バスバおよび各磁気検出素子の位置関係が本発明の実施の形態１に係る電流センサ１と異なるため、本発明の実施の形態１に係る電流センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。
【0069】
図９は、本発明の実施の形態２に係る電流センサの構成を示す斜視図である。図１０は、本発明の実施の形態２に係る電流センサの構成を示す断面図である。なお、図９および図１０においては、発明の理解を容易にするため、基板を省略している。
【0070】
図９および図１０に示すように、本発明の実施の形態２に係る電流センサ１Ａは、第１バスバ５０Ａと、第２バスバ５０Ｂと、第３バスバ５０Ｃと、第１磁気検出素子６０Ａと、第２磁気検出素子６０Ｂと、第３磁気検出素子６０Ｃとを備える。
【0071】
第１バスバ５０Ａ、第２バスバ５０Ｂおよび第３バスバ５０Ｃは、第１の方向（Ｙ方向）に延在する仮想中心軸Ｃ１の軸周りにおいて略等間隔に配置されている。すなわち、第１バスバ５０Ａ、第２バスバ５０Ｂおよび第３バスバ５０Ｃは、Ｙ方向から見て、仮想中心軸Ｃ１を中心として周方向に１２０°間隔で配置されている。なお、本実施の形態の間隔に関する「略等間隔」とは、電流センサの各構成要素を組み付ける際の製造工程における組み付け位置のばらつきを含む意味である。
【0072】
本実施の形態においては、第１磁気検出素子６０Ａ、第２磁気検出素子６０Ｂおよび第３磁気検出素子６０Ｃの各々は、仮想中心軸Ｃ１を中心として、径方向において対応するバスバから離れる方向に位置している。
【0073】
第１磁気検出素子６０Ａ、第２磁気検出素子６０Ｂおよび第３磁気検出素子６０Ｃの各々は、第１の方向（Ｙ方向）に直交する方向に向いた感度軸を有する。
【0074】
第１磁気検出素子６０Ａは、第１バスバ５０Ａを流れる電流の電流値を計測するため、第２バスバ５０Ｂおよび第３バスバ５０Ｃが、第１感度軸Ａ１と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0075】
第２磁気検出素子６０Ｂは、第２バスバ５０Ｂを流れる電流の電流値を計測するため、第１バスバ５０Ａおよび第３バスバ５０Ｃは、第２感度軸Ａ２と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0076】
第３磁気検出素子６０Ｃは、第３バスバ５０Ｃを流れる電流の電流値を計測するため、第１バスバ５０Ａおよび第２バスバ５０Ｂは、第３感度軸Ａ３と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されている。
【0077】
第１の方向（Ｙ方向）から見て、第１磁気検出素子６０Ａは、第１感度軸Ａ１と同一の方向において、第２バスバ５０Ｂおよび第３バスバ５０Ｃから略等距離Ｌ１の位置に配置されている。
【0078】
第１の方向（Ｙ方向）から見て、第２磁気検出素子６０Ｂは、第２感度軸Ａ２と同一の方向において、第１バスバ５０Ａおよび第３バスバ５０Ｃから略等距離Ｌ２の位置に配置されている。
【0079】
第１の方向（Ｙ方向）から見て、第３磁気検出素子６０Ｃは、第３感度軸Ａ３と同一の方向において、第１バスバ５０Ａおよび第２バスバ５０Ｂから略等距離Ｌ３の位置に配置されている。
【0080】
第１磁気検出素子６０Ａ、第２磁気検出素子６０Ｂおよび第３磁気検出素子６０Ｃの各々は、第１バスバ５０Ａ、第２バスバ５０Ｂおよび第３バスバ５０Ｃを流れる電流により発生する磁界を検出して対応するバスバを流れる電流値を測定可能である。
【0081】
第１磁気検出素子６０Ａは、第２の方向（Ｘ方向）に沿う第１感度軸Ａ１を有している。第１磁気検出素子６０Ａは、第１バスバ５０Ａを流れる電流値（Ｉ１）を測定可能である。
【0082】
第２磁気検出素子６０Ｂは、ＸＺ平面上において第２バスバ５０Ｂの長手方向と並行に並ぶ第２感度軸Ａ２を有している。第２磁気検出素子６０Ｂは、第２バスバ５０Ｂを流れる電流値（Ｉ２）を測定可能である。
【0083】
第３磁気検出素子６０Ｃは、ＸＺ平面上において第３バスバ５０Ｃの長手方向と並行に並ぶ第３感度軸Ａ３を有している。第３磁気検出素子６０Ｃは、第３バスバ５０Ｃを流れる電流値（Ｉ３）を測定可能である。
【0084】
第１磁気検出素子６０Ａ、第２磁気検出素子６０Ｂおよび第３磁気検出素子６０Ｃの各々は、電流を測定したいバスバ以外の残りの２つのバスバに対して、磁気検出素子の距離を等距離に配置することによって、測定したいバスバ以外のバスバからの磁界の影響を同じにすることができる。これにより、実施の形態１において述べた磁界と電流値との関係式により、各バスバから磁気検出素子が受ける磁界を測定したいバスバからの電流値に比例する値のみによって表すことができる。
【0085】
第１磁気検出素子６０Ａに対し、第１バスバ５０Ａは、第２バスバ５０Ｂおよび第３バスバ５０Ｃより近い位置に配置されている。第２磁気検出素子６０Ｂに対し、第２バスバ５０Ｂは、第１バスバ５０Ａおよび第３バスバ５０Ｃより近い位置に配置されている。第３磁気検出素子６０Ｃに対し、第３バスバ５０Ｃは、第１バスバ５０Ａおよび第２バスバ５０Ｂより近い位置に配置されている。本実施の形態においては、各磁気検出素子に対して測定したいバスバを測定したいバスバ以外のバスバより近づけることができる。
【0086】
本発明の実施の形態２に係る電流センサ１Ａにおいては、電流を測定したいバスバを磁気検出素子に近づけて測定精度を向上させつつ、他のバスバから磁気検出素子を略等距離に配置させることによって、測定したいバスバ以外のバスバからの磁界の影響を同じにすることができる。これにより、各バスバ間にシールドを設けることなく、かつ測定したバスバ以外のバスバからの磁界影響を受けることを抑制することができる。その結果、電流センサ１の全体のサイズを小型化しつつ、簡易な構成で測定精度を向上させることができる。
【0087】
本発明の実施の形態２に係る電流センサ１Ａにおいては、第１の方向（Ｙ方向）から見て、狭い円形領域内に各バスバと各磁気検出素子を配置できるため、適用するバスバの設計に合わせて電流センサ１Ａを小型化することができる。
【0088】
なお、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバの各々は、流れる電流の量を均一にしやすくするため、これらの断面積が略同じであることが望ましい。
【0089】
[付記]
＜１＞
互いに間隔をあけつつ第１の方向に各々延在し、３相交流の電流が流れる、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバと、
前記第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバを流れる電流により発生する磁界を検出して、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能な少なくとも１つの磁気検出素子とを備え、
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうち、前記少なくとも１つの磁気検出素子のうちの任意の一の磁気検出素子に対応するバスバ以外の２つのバスバは、前記一の磁気検出素子の感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記一の磁気検出素子は、前記対応するバスバ以外の前記２つのバスバから略等距離の位置に配置されている、電流センサ。
＜２＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子として、第１磁気検出素子、第２磁気検出素子および第３磁気検出素子を備え、
前記第１磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第１感度軸を有し、かつ、前記第１バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第２感度軸を有し、かつ、前記第２バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第３磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第３感度軸を有し、かつ、前記第３バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第３バスバは、前記第２感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第２バスバは、前記第３感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第１磁気検出素子は、前記第２バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第２磁気検出素子は、前記第２感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第３磁気検出素子は、前記第３感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第２バスバから略等距離の位置に配置されている、＜１＞に記載の電流センサ。
＜３＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、トンネル型磁気抵抗素子を含む回路を有する、＜１＞または＜２＞に記載の電流センサ。
＜４＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、巨大磁気抵抗素子を含む回路を有する、＜１＞または＜２＞に記載の電流センサ。
＜５＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、異方性磁気抵抗素子を含む回路を有する、＜１＞または＜２＞に記載の電流センサ。
＜６＞
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバの各々は、前記第１の方向に沿う第１仮想平面上に配置されている、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電流センサ。
＜７＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、前記第１の方向に沿う第２仮想平面上に配置されている、＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載の電流センサ。
＜８＞
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１の方向に延在する仮想中心軸の軸周りにおいて略等間隔に配置されている、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電流センサ。
＜１＞
互いに間隔をあけつつ第１の方向に各々延在し、３相交流の電流が流れる、第１バスバ、第２バスバおよび第３バスバと、
前記第１の方向に直交する方向に向いた感度軸を有し、かつ、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバを流れる電流により発生する磁界を検出して、前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうちのいずれか１つのそれぞれ対応するバスバを流れる電流値を測定可能な少なくとも１つの磁気検出素子とを備え、
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバのうち、前記少なくとも１つの磁気検出素子のうちの任意の一の磁気検出素子に対応するバスバ以外の２つのバスバは、前記一の磁気検出素子の感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記一の磁気検出素子は、前記対応するバスバ以外の前記２つのバスバから略等距離の位置に配置されている、電流センサ。
＜２＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子として、第１磁気検出素子、第２磁気検出素子および第３磁気検出素子を備え、
前記第１磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第１感度軸を有し、かつ、前記第１バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第２感度軸を有し、かつ、前記第２バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第３磁気検出素子は、前記第１の方向に直交する方向に向いた第３感度軸を有し、かつ、前記第３バスバを流れる電流値を測定可能であり、
前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第３バスバは、前記第２感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１バスバおよび前記第２バスバは、前記第３感度軸と平行な方向に互いに間隔をあけて並行に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第１磁気検出素子は、前記第２バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第２磁気検出素子は、前記第２感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第３バスバから略等距離の位置に配置されており、
前記第１の方向から見て、前記第３磁気検出素子は、前記第３感度軸と同一の方向において、前記第１バスバおよび前記第２バスバから略等距離の位置に配置されている、＜１＞に記載の電流センサ。
＜３＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、トンネル型磁気抵抗素子を含む回路を有する、＜１＞または＜２＞に記載の電流センサ。
＜４＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、巨大磁気抵抗素子を含む回路を有する、＜１＞または＜２＞に記載の電流センサ。
＜５＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、異方性磁気抵抗素子を含む回路を有する、＜１＞または＜２＞に記載の電流センサ。
＜６＞
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバの各々は、前記第１の方向に沿う第１仮想平面上に配置されている、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電流センサ。
＜７＞
前記少なくとも１つの磁気検出素子は、前記第１の方向に沿う第２仮想平面上に配置されている、＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載の電流センサ。
＜８＞
前記第１バスバ、前記第２バスバおよび前記第３バスバは、前記第１の方向に延在する仮想中心軸の軸周りにおいて略等間隔に配置されている、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電流センサ。
【0090】
上述した実施の形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。
【0091】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【0092】
１，９ 電流センサ、１０Ａ，５０Ａ 第１バスバ、１０Ｂ，５０Ｂ 第２バスバ、１０Ｃ，５０Ｃ 第３バスバ、２０Ａ，６０Ａ 第１磁気検出素子、２０Ｂ，６０Ｂ 第２磁気検出素子、２０Ｃ，６０Ｃ 第３磁気検出素子、２１ 基板、２２ 感磁面、Ａ１ 第１感度軸、Ａ２ 第２感度軸、Ａ３ 第３感度軸、Ｂ 磁界、Ｂ１ 第１磁界、Ｂ２ 第２磁界、Ｂ３ 第３磁界、Ｃ１ 仮想中心軸、Ｆ１ 第１仮想平面、Ｆ２ 第２仮想平面、Ｇ 隙間、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ 距離。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
