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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134092
(43)【公開日】2024-10-03
(54)【発明の名称】回路部品、電子装置および回路部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01F 17/06 20060101AFI20240926BHJP
H01F 41/04 20060101ALI20240926BHJP
【ＦＩ】
H01F17/06 A
H01F17/06 F
H01F41/04 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023044199
(22)【出願日】2023-03-20
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】富士 和則
【テーマコード（参考）】
5E062
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E062FF01
5E070AA01
5E070AB01
5E070AB02
5E070BA14
5E070CB15
(57)【要約】
【課題】 製造の容易化および小型化を図ることが可能な回路部品、電子装置および回路部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 回路部品Ａ１は、磁性体層１と、磁性体層１に対してｚ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層３１と、磁性体層１に対してｚ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層３２と、第１絶縁性シード層３１に対してｚ方向の一方側に積層された第１配線層２１と、第２絶縁性シード層３２に対してｚ方向の他方側に積層された第２配線層２２と、を備える。
【選択図】 図５
【解決手段】 回路部品Ａ１は、磁性体層１と、磁性体層１に対してｚ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層３１と、磁性体層１に対してｚ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層３２と、第１絶縁性シード層３１に対してｚ方向の一方側に積層された第１配線層２１と、第２絶縁性シード層３２に対してｚ方向の他方側に積層された第２配線層２２と、を備える。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁性体層と、
前記磁性体層に対して厚さ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層と、
前記磁性体層に対して前記厚さ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層と、
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第１配線層と、
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第２配線層と、
を備える、回路部品。
前記磁性体層に対して厚さ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層と、
前記磁性体層に対して前記厚さ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層と、
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第１配線層と、
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第２配線層と、
を備える、回路部品。
【請求項2】
前記第１絶縁性シード層の厚さは、前記磁性体層の厚さよりも薄い、請求項１に記載の回路部品。
【請求項3】
前記第２絶縁性シード層の厚さは、前記磁性体層の厚さよりも薄い、請求項１に記載の回路部品。
【請求項4】
前記第１絶縁性シード層および前記第２絶縁性シード層に繋がる第３絶縁性シード層と、
前記第３絶縁性シード層上に積層され且つ前記第１配線層および前記第２配線層に導通する第１貫通配線部と、を備え、
前記第１配線層、前記第２配線層および前記第１貫通配線部は、巻線部を構成している、請求項１に記載の回路部品。
前記第３絶縁性シード層上に積層され且つ前記第１配線層および前記第２配線層に導通する第１貫通配線部と、を備え、
前記第１配線層、前記第２配線層および前記第１貫通配線部は、巻線部を構成している、請求項１に記載の回路部品。
【請求項5】
前記磁性体層は、前記厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
前記第３絶縁性シード層は、前記貫通孔の内面に積層されている、請求項４に記載の回路部品。
前記第３絶縁性シード層は、前記貫通孔の内面に積層されている、請求項４に記載の回路部品。
【請求項6】
前記第１配線層は、複数の第１配線部を含んでおり、
前記複数の第１配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、中心を囲む配置とされている、請求項４に記載の回路部品。
前記複数の第１配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、中心を囲む配置とされている、請求項４に記載の回路部品。
【請求項7】
前記第２配線層は、複数の第２配線部を含んでおり、
前記複数の第２配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、前記中心を囲む配置とされている、請求項６に記載の回路部品。
前記複数の第２配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、前記中心を囲む配置とされている、請求項６に記載の回路部品。
【請求項8】
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第１配線部の一部ずつが、１つの前記第２配線部に重なり、
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第２配線部の一部ずつが、１つの前記第１配線部に重なる、請求項７に記載の回路部品。
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第２配線部の一部ずつが、１つの前記第１配線部に重なる、請求項７に記載の回路部品。
【請求項9】
前記第１配線部は、平坦な形状である、請求項７または８に記載の回路部品。
【請求項10】
前記第１配線部は、第１部と、前記第１部よりも前記中心から離隔した第２部と、前記厚さ方向に視て前記第１部および前記第２部の間に位置する第３部と、を含み、
前記第３部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離は、前記第１部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離および前記第２部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離のいずれよりも大きく、
前記第１貫通配線部は、前記第１部と前記第２配線部とに繋がる内方貫通配線部と、前記第２部と前記第２配線部とに繋がる外方貫通配線部と、を含む、請求項７または８に記載の回路部品。
前記第３部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離は、前記第１部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離および前記第２部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離のいずれよりも大きく、
前記第１貫通配線部は、前記第１部と前記第２配線部とに繋がる内方貫通配線部と、前記第２部と前記第２配線部とに繋がる外方貫通配線部と、を含む、請求項７または８に記載の回路部品。
【請求項11】
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第４絶縁性シード層をさらに備え、
前記第４絶縁性シード層は、前記第１配線層の少なくとも一部を覆う、請求項４に記載の回路部品。
前記第４絶縁性シード層は、前記第１配線層の少なくとも一部を覆う、請求項４に記載の回路部品。
【請求項12】
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第５絶縁性シード層をさらに備え、
前記第５絶縁性シード層は、前記第２配線層の少なくとも一部を覆う、請求項４に記載の回路部品。
前記第５絶縁性シード層は、前記第２配線層の少なくとも一部を覆う、請求項４に記載の回路部品。
【請求項13】
前記第５絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に位置する第３配線層をさらに備える、請求項１２に記載の回路部品。
【請求項14】
前記第５絶縁性シード層を貫通し且つ前記第２配線層と前記第３配線層とに繋がる第２貫通配線部をさらに備える、請求項１３に記載の回路部品。
【請求項15】
請求項１に記載の回路部品と、
前記回路部品に導通する電子部品と、を備える、電子装置。
前記回路部品に導通する電子部品と、を備える、電子装置。
【請求項16】
前記電子部品は、トランジスタを含む、請求項１５に記載の電子装置。
【請求項17】
磁性体層を用意する工程と、
前記磁性体層の厚さ方向の一方側に第１絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記磁性体層の前記厚さ方向の他方側に第２絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記第１絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第１配線層を形成する工程と、
前記第２絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第２配線層を形成する工程と、
を備える、回路部品の製造方法。
前記磁性体層の厚さ方向の一方側に第１絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記磁性体層の前記厚さ方向の他方側に第２絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記第１絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第１配線層を形成する工程と、
前記第２絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第２配線層を形成する工程と、
を備える、回路部品の製造方法。
【請求項18】
前記第１絶縁性シード層を積層させる工程の後であって、前記第１配線層を形成する工程の前に、前記第１絶縁性シード層にレーザ光を照射することにより、前記第１絶縁性シード層の無電解めっきを可能とするシード層としての機能を部分的に不活性化する工程をさらに含む、請求項１７に記載の回路部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、回路部品、電子装置および回路部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
インダクタとして構成された回路部品は、種々の電子装置の構成部品として用いられる。特許文献１には、従来の回路部品の一例が開示されている。同文献に開示された構成は、モジュール基板に磁性コアおよび導体コイルが内蔵されている。磁性コアは、磁性体材料からなる環状の部材であり、モジュール基板を構成する樹脂層内に埋め込まれている。導体コイルは、モジュール基板内において、磁性コアに巻回されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第６４０１１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
樹脂層内に磁性コアを埋め込むことは、製造方法が煩雑となることが懸念される。また、このような磁性コアに導体コイルを巻回することは、製造方法の煩雑化に加え、電子部品の大型化が問題となる。
【0005】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造の容易化および小型化を図ることが可能な回路部品、電子装置および回路部品の製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供される回路部品は、磁性体層と、前記磁性体層に対して厚さ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層と、前記磁性体層に対して前記厚さ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層と、前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第１配線層と、前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第２配線層と、を備える。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供される電子装置は、本開示の第１の側面によって提供される回路部品と、前記回路部品に導通する電子部品と、を備える。
【0008】
本開示の第３の側面によって提供される回路部品の製造方法は、磁性体層を用意する工程と、前記磁性体層の厚さ方向の一方側に第１絶縁性シード層を積層させる工程と、前記磁性体層の前記厚さ方向の他方側に第２絶縁性シード層を積層させる工程と、前記第１絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第１配線層を形成する工程と、前記第２絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第２配線層を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、回路部品の製造の容易化および小型化を図ることができる。
【0010】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【0013】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0014】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
【0015】
＜第１実施形態 回路部品Ａ１＞
図１～図８は、本開示の第１実施形態に係る回路部品を示している。本開示の回路部品Ａ１は、磁性体層１、配線２、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４、および第５絶縁性シード層３５を備える。
図１～図８は、本開示の第１実施形態に係る回路部品を示している。本開示の回路部品Ａ１は、磁性体層１、配線２、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４、および第５絶縁性シード層３５を備える。
【0016】
図１は、回路部品Ａ１を示す斜視図である。図２および図３は、回路部品Ａ１を示す部分平面図である。図４は、回路部品Ａ１を示す底面図である。図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、回路部品Ａ１の一例を示す部分拡大断面図である。図８は、回路部品Ａ１の他の例を示す部分拡大断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の厚さ方向である。図２は、第１絶縁性シード層３１を省略しており、図３は、第１配線層２１、第１絶縁性シード層３１および磁性体層１を省略している。
【0017】
回路部品Ａ１は、配線２の巻線部２０に流れる電流によりインダクタンスを得る磁性部品である。回路部品Ａ１の大きさは、特に限定されないが、一例ではｘ方向寸法およびｙ方向寸法がそれぞれ、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。
【0018】
〔磁性体層１〕
磁性体層１は、ｚ方向を厚さ方向とし、ｘ方向およびｙ方向に広がる層である。磁性体層１は、磁性体材料からなり、その一部が回路部品Ａ１における磁性コアを構成する。磁性体層１の具体的構成は、何ら限定されず、磁性コアを構成しうる比透磁率を有する構成であればよい。磁性体層１としては、たとえば磁性体を含有する樹脂材料からなる構成、あるいはフェライト等の磁性体材料からなる基板、磁性コアを構成しうる比透磁率を有する導電体等が挙げられる。後述する製造方法の一例を採用する場合、磁性体層１は、レーザ光によって貫通孔を形成可能な構成が選択される。
磁性体層１は、ｚ方向を厚さ方向とし、ｘ方向およびｙ方向に広がる層である。磁性体層１は、磁性体材料からなり、その一部が回路部品Ａ１における磁性コアを構成する。磁性体層１の具体的構成は、何ら限定されず、磁性コアを構成しうる比透磁率を有する構成であればよい。磁性体層１としては、たとえば磁性体を含有する樹脂材料からなる構成、あるいはフェライト等の磁性体材料からなる基板、磁性コアを構成しうる比透磁率を有する導電体等が挙げられる。後述する製造方法の一例を採用する場合、磁性体層１は、レーザ光によって貫通孔を形成可能な構成が選択される。
【0019】
磁性体層１のｚ方向の厚さは何ら限定されず、たとえば１００μｍ以上１ｍｍ以下である。
【0020】
磁性体層１は、複数の貫通孔１０１を有する。複数の貫通孔１０１は、磁性体層１をｚ方向に貫通している。複数の貫通孔１０１の配置は何ら限定されず、本実施形態においては、図１～図４において小径の丸印で示された位置に配置されている。貫通孔１０１がレーザ光によって形成される場合、図５～図８に示すように、テーパ形状となる場合がある。ただし、貫通孔１０１の具体的形状は何ら限定されず、たとえばｚ方向と直交する断面形状が一定の大きさであってもよい。
【0021】
〔第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４、第５絶縁性シード層３５〕
第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５は、磁性体層１とともに積層されている。第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５は、配線２を形成するための無電解めっきのシード層として機能する層であって、絶縁性を有する。第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５の具体例は何ら限定されず、たとえば株式会社イオックス製のめっきプライマー「メタロイド」（登録商標）を一例として用いることができる。
第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５は、磁性体層１とともに積層されている。第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５は、配線２を形成するための無電解めっきのシード層として機能する層であって、絶縁性を有する。第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５の具体例は何ら限定されず、たとえば株式会社イオックス製のめっきプライマー「メタロイド」（登録商標）を一例として用いることができる。
【0022】
第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５の厚さは、何ら限定されない。本実施形態においては、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５の厚さは、磁性体層１のｚ方向の厚さよりも薄い。第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２、第３絶縁性シード層３３、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５の厚さの具体例としては、たとえば５０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であり、たとえば２７０ｎｍ程度である。
【0023】
第１絶縁性シード層３１は、磁性体層１に対して、ｚ方向の一方側に積層されている。第２絶縁性シード層３２は、磁性体層１に対して、ｚ方向の他方側に積層されている。第３絶縁性シード層３３は、複数の貫通孔１０１の内面に積層されている。第３絶縁性シード層３３は、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２に接しており、図示された例においては第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２と一体的に形成されている。第４絶縁性シード層３４は、第１絶縁性シード層３１に対してｚ方向の一方側に積層されている。第５絶縁性シード層３５は、第２絶縁性シード層３２に対してｚ方向の他方側に積層されている。なお、本開示に係る回路部品は、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５を備えない構成であってもよい。
【0024】
〔配線２〕
配線２は、回路部品Ａ１の機能を実現するための導通経路を構成している。本実施形態の配線２は、第１配線層２１、第２配線層２２、第３配線層２３、第１貫通配線部２７および第２貫通配線部２８を含む。配線２の材質は何ら限定されず、たとえばＣｕ（銅）またはＣｕ（銅）合金を含む材質であることが好ましい。
配線２は、回路部品Ａ１の機能を実現するための導通経路を構成している。本実施形態の配線２は、第１配線層２１、第２配線層２２、第３配線層２３、第１貫通配線部２７および第２貫通配線部２８を含む。配線２の材質は何ら限定されず、たとえばＣｕ（銅）またはＣｕ（銅）合金を含む材質であることが好ましい。
【0025】
第１配線層２１は、図５および図６に示すように、第１絶縁性シード層３１に対してｚ方向の一方側に積層されている。また、本実施形態においては、第１配線層２１は、第１絶縁性シード層３１と第４絶縁性シード層３４との間に位置している。第１配線層２１は、第１絶縁性シード層３１に直接接している。また、第１配線層２１は、第４絶縁性シード層３４に直接接している。第１配線層２１と第１絶縁性シード層３１との間には、Ｔｉ（チタン）等の金属からなるシード層が設けられていない。第１配線層２１の厚さは何ら限定されず、具体例として１００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下であり、たとえば２７０ｎｍ程度である。
【0026】
【0027】
複数の第１配線部２１１は、中心Ｏを取り囲むように配置されている。図示された例においては、複数の第１配線部２１１は、中心Ｏを中心とする円形に等ピッチで配置されている。各々の第１配線部２１１は、テーパ形状である。
【0028】
連絡配線部２１２は、１つの第１配線部２１１の繋がっており、ｙ方向に延出している。
【0029】
第２配線層２２は、図５および図６に示すように、第２絶縁性シード層３２に対してｚ方向の他方側に積層されている。また、本実施形態においては、第２配線層２２は、第２絶縁性シード層３２と第５絶縁性シード層３５との間に位置している。第２配線層２２は、第２絶縁性シード層３２に直接接している。また、第２配線層２２は、第５絶縁性シード層３５に直接接している。第２配線層２２の厚さは何ら限定されず、具体例として１００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下であり、たとえば２７０ｎｍ程度である。
【0030】
【0031】
複数の第２配線部２２１は、中心Ｏを取り囲むように配置されている。図示された例においては、複数の第２配線部２２１は、中心Ｏを中心とする円形に等ピッチで配置されている。各々の第２配線部２２１は、テーパ形状である。図１に示すように、ｚ方向に視て、複数の第１配線部２１１と複数の第２配線部２２１とは、中心Ｏについての周方向（トロイダル方向）に、半ピッチ互いにずれている。すなわち、ｚ方向に視て、隣り合う第１配線部２１１の一部ずつと１つの第２配線部２２１とが重なっている。また、ｚ方向に視て、隣り合う第２配線部２２１の一部ずつと１つの第１配線部２１１とが重なっている。
【0032】
連絡配線部２２２は、複数の第２配線部２２１に対して、ｙ方向に離隔して配置されている。連絡配線部２２２は、ｘ方向に延びた形状である。
【0033】
連絡配線部２２３は、１つの第２配線部２２１に繋がっている。連絡配線部２２３は、１つの第２配線部２２１からｙ方向に延出する部分と、当該部分からｘ方向に延出する部分とを含む。
【0034】
第３配線層２３は、図５および図６に示すように、第５絶縁性シード層３５に対してｚ方向の他方側に配置されている。図示された例においては、図１～図４および図６に示すように、第３配線層２３は、端子部２３１および端子部２３２を含む。
【0035】
端子部２３１は、ｘ方向の端部寄りに配置されている。端子部２３２は、端子部２３１に対してｘ方向に離隔して配置されている。端子部２３１および端子部２３２は、たとえば回路部品Ａ１を実装するに用いられる部位である。端子部２３１および端子部２３２の表面には、たとえばはんだの濡れ性を改善するめっき層（図示略）が設けられていてもよいし、あるいは、はんだボール（図示略）が設けられていてもよい。
【0036】
第３配線層２３の厚さは何ら限定されず、具体例として１００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下であり、たとえば２７０ｎｍ程度である。
【0037】
第１貫通配線部２７は、図５および図６に示すように、磁性体層１、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２をｚ方向に貫通している。第１貫通配線部２７は、第３絶縁性シード層３３の内面に積層されている。第１貫通配線部２７は、第３絶縁性シード層３３に直接接している。第１貫通配線部２７と第３絶縁性シード層３３との間には、Ｔｉ（チタン）等の金属からなるシード層が設けられていない。
【0038】
第１貫通配線部２７は、第１配線層２１と第２配線層２２とに繋がっている。図１～図６に示すように、本実施形態の第１貫通配線部２７は、複数の内方貫通配線部２７１、複数の外方貫通配線部２７２および複数の連絡貫通配線部２７３を含む。
【0039】
図１～図５に示すように、複数の内方貫通配線部２７１は、各々が、複数の第１配線部２１１と複数の第２配線部２２１とのうち、ｚ方向に視て互いに重なるもの同士に繋がっている。内方貫通配線部２７１は、複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１のそれぞれに対して、中心Ｏに近い位置に配置されている。１つの第１配線部２１１は、ｚ方向に視て重なる２つの第２配線部２２１の一方のみと、内方貫通配線部２７１によって接続されている。また、１つの第２配線部２２１は、ｚ方向に視て重なる２つの第１配線部２１１の一方のみと、内方貫通配線部２７１によって接続されている。内方貫通配線部２７１の個数は、何ら限定されない。
【0040】
図１～図５に示すように、複数の外方貫通配線部２７２は、各々が、複数の第１配線部２１１と複数の第２配線部２２１とのうち、ｚ方向に視て互いに重なるもの同士に繋がっている。外方貫通配線部２７２は、複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１のそれぞれに対して、中心Ｏから遠い位置に配置されている。１つの第１配線部２１１は、ｚ方向に視て重なる２つの第２配線部２２１の一方のみと、外方貫通配線部２７２によって接続されている。また、１つの第２配線部２２１は、ｚ方向に視て重なる２つの第１配線部２１１の一方のみと、外方貫通配線部２７２によって接続されている。外方貫通配線部２７２の個数は、何ら限定されず、本実施形態においては、複数の外方貫通配線部２７２の個数は、複数の内方貫通配線部２７１の個数よりも多い。
【0041】
【0042】
図７に示す例においては、第１貫通配線部２７は、第３絶縁性シード層３３に囲まれた空間を埋めるように形成されており、いわゆる中実な構成である。一方、図８に示す例においては、第１貫通配線部２７は、第３絶縁性シード層３３に積層された筒状である。第１貫通配線部２７のさらに内部には、第６絶縁性シード層３６が形成されている。第６絶縁性シード層３６は、たとえば第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５を形成する際に一括して形成される。第１貫通配線部２７は、図７および図８に示す構成をはじめ、様々な構成に形成されうる。
【0043】
複数の第２貫通配線部２８は、図１～図４および図６に示すように、第５絶縁性シード層３５をｚ方向に貫通している。より具体的には、第５絶縁性シード層３５には、複数の貫通孔３５９が設けられている。第２貫通配線部２８は、貫通孔３５９に収容されている。第２貫通配線部２８は、第２配線層２２と第３配線層２３とに繋がっている。複数の第２貫通配線部２８の一部は、第２配線層２２の連絡配線部２２３と第３配線層２３の端子部２３１とに繋がっている。複数の第２貫通配線部２８の他の一部は、第２配線層２２の連絡配線部２２２と第３配線層２３の端子部２３２とに繋がっている。
【0044】
上述の構成とされた複数の第１配線部２１１、複数の第２配線部２２１、複数の内方貫通配線部２７１および複数の外方貫通配線部２７２によって、巻線部２０が構成されている。巻線部２０は、電気的にインダクタとして機能する。磁性体層１の一部は、巻線部２０についての磁性コアを構成している。
【0045】
次に、回路部品Ａ１の製造方法について、図９～図１６を参照しつつ、以下に説明する。これらの図においては、ｚ方向の姿勢が、図５および図６と同じ姿勢である。回路部品Ａ１の製造方法において、たとえば鉛直方向の上方および下方が、ｚ方向の一方側および他方側のいずれに一致するかは何ら限定されない。製造方法における各工程の便宜によって、適宜設定されてもよい。
【0046】
図９～図１３は、図５と同じ位置における断面図である。まず、図９に示すように、磁性体層１を用意する。次いで、図１０に示すように、磁性体層１にレーザ光Ｌ０を照射する。レーザ光Ｌ０の照射により、磁性体層１に複数の貫通孔１０１を形成する。
【0047】
次いで、図１１に示すように、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３を積層させる。この工程は、たとえば、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３の材料である液体材料を、磁性体層１に塗布することにより行う。たとえば、磁性体層１のｚ方向の一方側および他方側から液体材料を塗布することにより、磁性体層１のｚ方向の両側および複数の貫通孔１０１の内面に、液体材料が付着する。この液体材料を適宜硬化させることにより、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３が得られる。液体材料を塗布する具体的手法は何ら限定されず、スプレー、スピンコート、バーコート、ディッピング、インクジェット印刷等の様々な手法を採用可能である。
【0048】
次いで、図１２に示すように、第１絶縁性シード層３１にレーザ光Ｌ１を照射する。また、第２絶縁性シード層３２にレーザ光Ｌ２を照射する。レーザ光Ｌ１を照射する領域は、第１絶縁性シード層３１のうち第１配線層２１が形成されない領域である。レーザ光Ｌ２を照射する領域は、第２絶縁性シード層３２のうち第２配線層２２が形成されない領域である。すなわち、レーザ光Ｌ１の照射は、第１配線層２１が形成される領域を避けた領域に施され、レーザ光Ｌ２の照射は、第２配線層２２が形成される領域を避けた領域に施される。
【0049】
レーザ光Ｌ１およびレーザ光Ｌ２の照射は、磁性体層１のｚ方向の両側から同時におこなってもよい。あるいは、同一のレーザ装置を用いて、たとえばレーザ光Ｌ１としてのレーザ照射を行った後に、レーザ光Ｌ２としてのレーザ照射を行ってもよい。
【0050】
レーザ光Ｌ１の波長、出力および照射時間等は何ら限定されない。本実施形態においては、レーザ光Ｌ１およびレーザ光Ｌ２を照射することにより、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２の後述のシード層としての機能が不活性化される態様で、レーザ光Ｌ１およびレーザ光Ｌ２を照射する。
【0051】
レーザ光Ｌ１の照射により、第１絶縁性シード層３１には、第１不活性化領域３１１が形成される。第１絶縁性シード層３１のうちレーザ光Ｌ１が照射されなかった領域を、第１活性化領域３１０と定義する。また、レーザ光Ｌ２の照射により、第２絶縁性シード層３２には、第２不活性化領域３２１が形成される。第２絶縁性シード層３２のうちレーザ光Ｌ２が照射されなかった領域を、第２活性化領域３２０と定義する。
【0052】
次いで、図１３に示すように、第１配線層２１、第２配線層２２および複数の第１貫通配線部２７を形成する。第１配線層２１、第２配線層２２および複数の第１貫通配線部２７の形成は、第１絶縁性シード層３１の第１活性化領域３１０、第２絶縁性シード層３２の第２活性化領域３２０および第３絶縁性シード層３３をシード層とした無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきにより行う。第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３が積層された磁性体層１に対して、無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきを施すことにより、第１活性化領域３１０、第２活性化領域３２０および第３絶縁性シード層３３上に、たとえばＣｕ（銅）またはＣｕ（銅）合金を含むめっき層が成長する。このめっき層が、第１配線層２１、第２配線層２２および複数の第１貫通配線部２７となる。一方、第１不活性化領域３１１および第２不活性化領域３２１は、シード層としての機能が不活性化されているため、めっき層は成長しない。
【0053】
貫通孔１０１の大きさ、第３絶縁性シード層３３の厚さおよび無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきのめっき条件等によって、第１貫通配線部２７は、図７に示す構成となる場合があり、あるいは、図８に示す構成となる場合がありうる。
【0054】
【0055】
次いで、図１５に示すように、第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５を形成する。第４絶縁性シード層３４および第５絶縁性シード層３５の形成は、たとえば第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３の形成と同様に、液体材料を塗布し、その後に塗布された液体材料を硬化させることにより行う。
【0056】
次いで、図１６に示すように、レーザ光Ｌ３０およびレーザ光Ｌ３１を第５絶縁性シード層３５に照射する。レーザ光Ｌ３０は、第５絶縁性シード層３５を貫通可能な波長、出力および照射時間等のレーザ光である。一方、レーザ光Ｌ３１は、第５絶縁性シード層３５のシード層としての機能を不活性化しうる波長、出力および照射時間等のレーザ光である。レーザ光Ｌ３０とレーザ光Ｌ３１とは、別のレーザ装置を用いて照射してもよいし、同一のレーザ装置を用いて、波長、出力および照射時間等を適宜調整することにより、レーザ光Ｌ３０およびレーザ光Ｌ３１を照射する構成であってもよい。
【0057】
第５絶縁性シード層３５のうち連絡配線部２２２および連絡配線部２２３と重なる部分にレーザ光Ｌ３０が照射されることにより、第５絶縁性シード層３５には、複数の貫通孔３５９が形成される。複数の貫通孔３５９は、第５絶縁性シード層３５をｚ方向に貫通している。また、第５絶縁性シード層３５のうち第３配線層２３が形成されない領域にレーザ光Ｌ３１を照射することにより、第５絶縁性シード層３５には、第５不活性化領域３５１が形成される。また、第５絶縁性シード層３５のうちレーザ光Ｌ３１が照射されなかった領域を第５活性化領域３５０と定義する。
【0058】
この後は、無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきを施すことにより、第５活性化領域３５０上に第３配線層２３を形成する。また、複数の貫通孔３５９内には、複数の第２貫通配線部２８が形成される。なお、この無電解めっきに先立ち、第４絶縁性シード層３４の全面にレーザ光を照射することにより、第４絶縁性シード層３４全体を不活性化しておいてもよい。あるいは、第４絶縁性シード層３４に代えて、シード層としての機能を有さない絶縁層を形成してもよい。以上の工程を経ることにより、回路部品Ａ１が得られる。
【0059】
＜第１実施形態 電子装置Ｂ１＞
図１７は、回路部品Ａ１を用いた電子装置Ｂ１を示している。電子装置Ｂ１は、回路部品Ａ１、トランジスタＴｒ、コンデンサＣ、回路基板９１および封止部材９２を備えている。図１７は、電子装置Ｂ１を示す正面図である。図１７において、封止部材９２を想像線（二点鎖線）で示している。
図１７は、回路部品Ａ１を用いた電子装置Ｂ１を示している。電子装置Ｂ１は、回路部品Ａ１、トランジスタＴｒ、コンデンサＣ、回路基板９１および封止部材９２を備えている。図１７は、電子装置Ｂ１を示す正面図である。図１７において、封止部材９２を想像線（二点鎖線）で示している。
【0060】
電子装置Ｂ１は、たとえばＢＧＡ（Ball Grid Array）型のパッケージ構造である。本例と異なり、電子装置Ｂ１は、ＢＧＡ型ではなく、他のパッケージ構造であってもよい。電子装置Ｂ１は、たとえばトランジスタＴｒを内蔵した電源モジュールである。
【0061】
回路基板９１は、たとえばプリント基板である。回路基板９１は、回路部品Ａ１、トランジスタＴｒ、コンデンサＣおよび封止部材９２を支持する。回路基板９１には、図示しない配線パターンが形成されており、当該配線パターンを介して、回路部品Ａ１、トランジスタＴｒ、コンデンサＣなどが適宜導通している。回路部品Ａ１が回路基板９１に実装された状態では、端子部２３１，２３２の形成面が回路基板９１に対向し、端子部２３１および端子部２３２が上記配線パターンに接合されている。電子装置Ｂ１がＢＧＡ型のパッケージ構造である例において、回路基板９１は、回路部品Ａ１、トランジスタＴｒ、コンデンサＣおよび封止部材９２などの配置面（上面）とｚ方向において反対側の面（下面）に、各々が小さいボール状の複数の電極９１１が形成されている。
【0062】
封止部材９２は、回路基板９１上に形成され、回路部品Ａ１、トランジスタＴｒおよびコンデンサＣなどを覆う。封止部材９２の構成材料は、絶縁性樹脂であり、一例ではエポキシ樹脂である。
【0063】
トランジスタＴｒは、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、または、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）などである。トランジスタＴｒの構成材料は、Ｓｉ、ＳｉＣ、または、ＧａＮなどの半導体材料である。
【0064】
図１８および図１９は、電子装置Ｂ１の変形例をそれぞれ示している。図１８は、電子装置Ｂ１の第１変形例を示している。本変形例のＢ１１は、回路部品Ａ１が、回路基板９１に搭載されている。トランジスタＴｒおよびコンデンサＣは、回路部品Ａ１に搭載されている。すなわち、回路部品Ａ１は、回路基板９１によって直接支持されており、トランジスタＴｒおよびコンデンサＣは、回路部品Ａ１を介して回路基板９１によって間接的に支持されている。
【0065】
図１９は、電子装置Ｂ１の第２変形例を示している。本変形例のＢ１２は、トランジスタＴｒおよびコンデンサＣが、回路基板９１に搭載されている。回路部品Ａ１は、ｚ方向においてトランジスタＴｒおよびコンデンサＣを挟んで回路基板９１とは反対側に配置されている。回路部品Ａ１と回路基板９１とは、たとえば導通部材９３を介して導通している。導通部材９３は、たとえば封止部材９２をｚ方向に部分的に貫通するＣｕ（銅）等からなる部材である。
【0066】
次に、回路部品Ａ１および電子装置Ｂ１の作用について説明する。
【0067】
本実施形態によれば、図５に示すように、巻線部２０についての磁性コアは、磁性体層１の一部によって構成される。第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２は、磁性体層１に積層されている。第１配線層２１および第２配線層２２は、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２に積層されている。このため、第１配線層２１および第２配線層２２と磁性体層１とを確実に絶縁可能であり、磁性体層１として絶縁性の材質からなるもののみを選択することが強いられない。また、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２は、単に無電解めっきのシード層としてのみ機能するものではなく、また、単に絶縁層としてのみ機能するものではない。このため、たとえば絶縁層とシード層とを別々に形成する構成と比べて、製造方法の工程を簡略化することが可能であり、回路部品Ａ１のｚ方向の大きさを縮小することが可能である。したがって、回路部品Ａ１の製造の容易化および小型化を図ることができる。
【0068】
磁性体層１には、複数の貫通孔１０１が形成されている。貫通孔１０１の内面には、第３絶縁性シード層３３が積層されており、第１貫通配線部２７が第３絶縁性シード層３３に積層されている。これにより、第１貫通配線部２７と磁性体層１とをより確実に絶縁することができる。また、図１１および図１２に示すように、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３を形成した後に、無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきを行うことにより、第１配線層２１、第２配線層２２および複数の第１貫通配線部２７を一括して製造することが可能である。これにより、回路部品Ａ１の製造をより容易化することができる。また、第１配線層２１、第２配線層２２および複数の第１貫通配線部２７が一括して形成されることにより、第１配線層２１、第２配線層２２および複数の第１貫通配線部２７を相互により確実に導通させることができる。
【0069】
図１２に示すように、無電解めっきに先立ち、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２に第１不活性化領域３１１および第１絶縁性シード層３１２を形成する。第１不活性化領域３１１および第１絶縁性シード層３１２の形成をレーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射によって行うことにより、第１配線層２１および第２配線層２２を、より微細に、より正確な形で形成することが可能である。また、レーザ光Ｌ１，Ｌ２による不活性化によっては、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２には、貫通孔は形成されない。したがって、第１絶縁性シード層３１および第２絶縁性シード層３２の絶縁層としての機能を維持することが可能である。
【0070】
第５絶縁性シード層３５および第３配線層２３を備えることにより、回路部品Ａ１をたとえば面実装等の形態で実装可能な構成に、より容易に形成することができる。
【0071】
【0072】
＜第１実施形態 第１変形例 回路部品Ａ１１＞
図２０および図２１は、回路部品Ａ１の第１変形例である回路部品Ａ１１を示している。回路部品Ａ１１においては、主に複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１の形状および配置が、回路部品Ａ１と異なっている。
図２０および図２１は、回路部品Ａ１の第１変形例である回路部品Ａ１１を示している。回路部品Ａ１１においては、主に複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１の形状および配置が、回路部品Ａ１と異なっている。
【0073】
１つの第１配線部２１１は、ｚ方向に視て、周方向に隣り合う２つの第２配線部２２１と重なっている。これら２つの第２配線部２２１のうち周方向において時計回りの後方に位置する第２配線部２２１と当該第１配線部２１１とは、中心Ｏから放射状に定義された径方向の外側に位置する端縁が周方向において同じ位置に配置されており、これらの端縁がｚ方向に視て互いに一致している。また、これら２つの第２配線部２２１のうち周方向において時計回りの前方に位置する第２配線部２２１と当該第１配線部２１１とは、径方向の内側に位置する端縁が周方向において同じ位置に配置されており、これらの端縁がｚ方向に視て互いに一致している。
【0074】
本例においては、１つの第１配線部２１１と１つの第２配線部２２１とが重なりあう領域に、１つの内方貫通配線部２７１が配置されている。また、１つの第１配線部２１１と１つの第２配線部２２１とが重なりあう領域に、６つの外方貫通配線部２７２が配置されている。なお、内方貫通配線部２７１および外方貫通配線部２７２の個数は、何ら限定されない。
【0075】
本変形例によっても、回路部品Ａ１１の製造の容易化および小型化を図ることができる。また、回路部品Ａ１１においては、第１配線部２１１と第２配線部２２１とが、ｚ方向に視て重なり合う面積を、たとえば回路部品Ａ１と比べて大きくすることが可能である。これにより、回路部品Ａ１１のインダクタンスをより大きくすることができる。
【0076】
＜第２実施形態 回路部品Ａ２＞
図２２は、本開示の第２実施形態に係る回路部品を示している。本実施形態の回路部品Ａ２は、主に磁性体層１および配線２およびの構成が、上述した実施形態と異なっている。
図２２は、本開示の第２実施形態に係る回路部品を示している。本実施形態の回路部品Ａ２は、主に磁性体層１および配線２およびの構成が、上述した実施形態と異なっている。
【0077】
本実施形態の磁性体層１は、薄肉部１１１および厚肉部１１２を有する。薄肉部１１１と、厚肉部１１２とは、ｚ方向の大きさが互いに異なる。薄肉部１１１は、厚肉部１１２よりも薄い。言い換えると、厚肉部１１２は、薄肉部１１１よりも厚い。薄肉部１１１および厚肉部１１２の具体的な形状は何ら限定されない。図示された例においては、厚肉部１１２は、中心Ｏについての円環形状である。また、厚肉部１１２は、薄肉部１１１に対してｚ方向の一方側に膨出している。複数の貫通孔１０１は、薄肉部１１１を貫通している。
【0078】
本実施形態の第１配線層２１の複数の第１配線部２１１は、各々が、第１部２１１１、第２部２１１２、第３部２１１３、第４部２１１４および第５部２１１５を有する。
【0079】
第１部２１１１は、中心Ｏに近い部位である。第２部２１１２は、中心Ｏから離隔した部位である。第１部２１１１および第２部２１１２は、ｚ方向に視て、磁性体層１の薄肉部１１１に重なる。第３部２１１３は、ｚ方向に視て、第１部２１１１と第２部２１１２との間に位置する部位であり、厚肉部１１２と重なる。第３部２１１３と第２配線層２２（第２配線部２２１）とのｚ方向の距離ｚ３は、第２配線層２２（第２配線部２２１）と第１部２１１１とのｚ方向の距離ｚ１、および第２配線層２２（第２配線部２２１）と第２部２１１２とのｚ方向の距離ｚ２、のいずれよりも大きい。距離ｚ３は、距離ｚ１および距離ｚ２のそれぞれの２倍以上が好ましい。また、図示された例においては、距離ｚ１と距離ｚ２とは、同じである。
【0080】
第４部２１１４は、第１部２１１１と第３部２１１３とを繋いでいる。第４部２１１４は、ｚ方向に対して傾斜している。第５部２１１５は、第２部２１１２と第３部２１１３とを繋いでいる。第５部２１１５は、ｚ方向に対して傾斜している。第４部２１１４および第５部２１１５は、ｚ方向に視て、厚肉部１１２と重なる。
【0081】
第３絶縁性シード層３３および複数の第１貫通配線部２７は、磁性体層１の薄肉部１１１を貫通している。すなわち、第１貫通配線部２７のｚ方向の大きさは、おおむね距離ｚ１と等しく、距離ｚ３よりも小さい。
【0082】
【0083】
まず、図２４に示すように、磁性体層１を用意する。磁性体層１は、薄肉部１１１および厚肉部１１２を有する。薄肉部１１１および厚肉部１１２の形成は、たとえば金型成型、機械加工等を用いればよい。次いで、磁性体層１の薄肉部１１１にレーザ光Ｌ０を照射することにより、複数の貫通孔１０１を形成する。
【0084】
次いで、図２５に示すように、第１絶縁性シード層３１、第２絶縁性シード層３２および第３絶縁性シード層３３を形成する。
【0085】
次いで、図２６に示すように、レーザ光Ｌ１およびレーザ光Ｌ２を照射することにより、第１絶縁性シード層３１に第１不活性化領域３１１を形成し、第２絶縁性シード層３２に第２不活性化領域３２１を形成する。この後は、たとえば図１３～図１６を参照して説明した工程を行うことにより、回路部品Ａ２が得られる。
【0086】
本実施形態によっても、回路部品Ａ２の製造の容易化および小型化を図ることができる。また、複数の内方貫通配線部２７１および複数の外方貫通配線部２７２を形成するために、磁性体層１に設けるべき貫通孔１９のｚ方向の寸法を小さくすることが可能である。これにより、貫通孔１９を形成するための加工時間の短縮、および内方貫通配線部２７１および外方貫通配線部２７２を形成するためのめっき時間の短縮を図ることができる。さらに、貫通孔１９へのめっきの充填性を高める効果も期待できる。
【0087】
磁性体層１のうち、巻線部２０の磁性コアを構成する部分のほとんどは、第３部２１１３と第２配線部２２１との間に位置する。このため、当該磁性コアの体積が減少してしまうことを回避可能である。
【0088】
＜第２実施形態 第１変形例 回路部品Ａ２１＞
図２７および図２８は、回路部品Ａ２の第１変形例である回路部品Ａ２１を示している。回路部品Ａ２１においては、主に複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１の形状および配置が、回路部品Ａ２と異なっている。
図２７および図２８は、回路部品Ａ２の第１変形例である回路部品Ａ２１を示している。回路部品Ａ２１においては、主に複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１の形状および配置が、回路部品Ａ２と異なっている。
【0089】
本変形例では、複数の第１配線部２１１は、中心Ｏと取り囲む矩形環状をなすように配置されている。また、複数の第２配線部２２１は、中心Ｏと取り囲む矩形環状をなすように配置されている。個々の第１配線部２１１および個々の第２配線部２２１は、テーパ形状である。
【0090】
上述の回路部品Ａ１１と同様に、１つの第１配線部２１１は、ｚ方向に視て、周方向に隣り合う２つの第２配線部２２１と重なっている。これら２つの第２配線部２２１のうち周方向において時計回りの後方に位置する第２配線部２２１と当該第１配線部２１１とは、中心Ｏから放射状に定義された径方向の外側に位置する端縁が周方向において同じ位置に配置されており、これらの端縁がｚ方向に視て互いに一致している。また、これら２つの第２配線部２２１のうち周方向において時計回りの前方に位置する第２配線部２２１と当該第１配線部２１１とは、径方向の内側に位置する端縁が周方向において同じ位置に配置されており、これらの端縁がｚ方向に視て互いに一致している。
【0091】
本例においても、複数の第１配線部２１１のそれぞれは、上述の第１部２１１１、第２部２１１２、第３部２１１３、第４部２１１４および第５部２１１５を有する。１つの第１配線部２１１の第１部２１１１と１つの第２配線部２２１とが重なりあう領域に、１つの内方貫通配線部２７１が配置されている。また、１つの第１配線部２１１の第２部２１１２と１つの第２配線部２２１とが重なりあう領域に、４つの外方貫通配線部２７２が配置されている。なお、内方貫通配線部２７１および外方貫通配線部２７２の個数は、何ら限定されない。
【0092】
本変形例によっても、回路部品Ａ２１の製造の容易化および小型化を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、複数の第１配線部２１１および複数の第２配線部２２１が中心Ｏを取り囲む配置は、円形に限定されず、矩形環状等の種々の配置が適宜採用される。また、第１部２１１１、第２部２１１２、第３部２１１３、第４部２１１４および第５部２１１５を有さない回路部品Ａ１について、矩形環状等の配置を適宜採用してもよい。
【0093】
本開示に係る回路部品、電子装置および回路部品の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る回路部品、電子装置および回路部品の製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0094】
〔付記１〕
磁性体層と、
前記磁性体層に対して厚さ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層と、
前記磁性体層に対して前記厚さ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層と、
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第１配線層と、
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第２配線層と、
を備える、回路部品。
〔付記２〕
前記第１絶縁性シード層の厚さは、前記磁性体層の厚さよりも薄い、付記１に記載の回路部品。
〔付記３〕
前記第２絶縁性シード層の厚さは、前記磁性体層の厚さよりも薄い、付記１または２に記載の回路部品。
〔付記４〕
前記第１絶縁性シード層および前記第２絶縁性シード層に繋がる第３絶縁性シード層と、
前記第３絶縁性シード層上に積層され且つ前記第１配線層および前記第２配線層に導通する第１貫通配線部と、を備え、
前記第１配線層、前記第２配線層および前記第１貫通配線部は、巻線部を構成している、付記１ないし３のいずれかに記載の回路部品。
〔付記５〕
前記磁性体層は、前記厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
前記第３絶縁性シード層は、前記貫通孔の内面に積層されている、付記４に記載の回路部品。
〔付記６〕
前記第１配線層は、複数の第１配線部を含んでおり、
前記複数の第１配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、中心を囲む配置とされている、付記４または５に記載の回路部品。
〔付記７〕
前記第２配線層は、複数の第２配線部を含んでおり、
前記複数の第２配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、前記中心を囲む配置とされている、付記６に記載の回路部品。
〔付記８〕
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第１配線部の一部ずつが、１つの前記第２配線部に重なり、
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第２配線部の一部ずつが、１つの前記第１配線部に重なる、付記７に記載の回路部品。
〔付記９〕
前記第１配線部は、平坦な形状である、付記７または８に記載の回路部品。
〔付記１０〕
前記第１配線部は、第１部と、前記第１部よりも前記中心から離隔した第２部と、前記厚さ方向に視て前記第１部および前記第２部の間に位置する第３部と、を含み、
前記第３部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離は、前記第１部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離および前記第２部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離のいずれよりも大きく、
前記第１貫通配線部は、前記第１部と前記第２配線部とに繋がる内方貫通配線部と、前記第２部と前記第２配線部とに繋がる外方貫通配線部と、を含む、付記７または８に記載の回路部品。
〔付記１１〕
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第４絶縁性シード層をさらに備え、
前記第４絶縁性シード層は、前記第１配線層の少なくとも一部を覆う、付記４ないし１０のいずれかに記載の回路部品。
〔付記１２〕
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第５絶縁性シード層をさらに備え、
前記第５絶縁性シード層は、前記第２配線層の少なくとも一部を覆う、付記４ないし１１のいずれかに記載の回路部品。
〔付記１３〕
前記第５絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に位置する第３配線層をさら備える、付記１２に記載の回路部品。
〔付記１４〕
前記第５絶縁性シード層を貫通し且つ前記第２配線層と前記第３配線層とに繋がる第２貫通配線部をさらに備える、付記１３に記載の回路部品。
〔付記１５〕
付記１ないし１４のいずれかに記載の回路部品と、
前記回路部品に導通する電子部品と、を備える、電子装置。
〔付記１６〕
前記電子部品は、トランジスタを含む、付記１５に記載の電子装置。
〔付記１７〕
磁性体層を用意する工程と、
前記磁性体層の厚さ方向の一方側に第１絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記磁性体層の前記厚さ方向の他方側に第２絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記第１絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第１配線層を形成する工程と、
前記第２絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第２配線層を形成する工程と、
を備える、回路部品の製造方法。
〔付記１８〕
前記第１絶縁性シード層を積層させる工程の後であって、前記第１配線層を形成する工程の前に、前記第１絶縁性シード層にレーザ光を照射することにより、前記第１絶縁性シード層の無電解めっきを可能とするシード層としての機能を部分的に不活性化する工程をさらに含む、付記１７に記載の回路部品の製造方法。
磁性体層と、
前記磁性体層に対して厚さ方向の一方側に積層された第１絶縁性シード層と、
前記磁性体層に対して前記厚さ方向の他方側に積層された第２絶縁性シード層と、
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第１配線層と、
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第２配線層と、
を備える、回路部品。
〔付記２〕
前記第１絶縁性シード層の厚さは、前記磁性体層の厚さよりも薄い、付記１に記載の回路部品。
〔付記３〕
前記第２絶縁性シード層の厚さは、前記磁性体層の厚さよりも薄い、付記１または２に記載の回路部品。
〔付記４〕
前記第１絶縁性シード層および前記第２絶縁性シード層に繋がる第３絶縁性シード層と、
前記第３絶縁性シード層上に積層され且つ前記第１配線層および前記第２配線層に導通する第１貫通配線部と、を備え、
前記第１配線層、前記第２配線層および前記第１貫通配線部は、巻線部を構成している、付記１ないし３のいずれかに記載の回路部品。
〔付記５〕
前記磁性体層は、前記厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
前記第３絶縁性シード層は、前記貫通孔の内面に積層されている、付記４に記載の回路部品。
〔付記６〕
前記第１配線層は、複数の第１配線部を含んでおり、
前記複数の第１配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、中心を囲む配置とされている、付記４または５に記載の回路部品。
〔付記７〕
前記第２配線層は、複数の第２配線部を含んでおり、
前記複数の第２配線部は、前記厚さ方向に沿って視て、前記中心を囲む配置とされている、付記６に記載の回路部品。
〔付記８〕
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第１配線部の一部ずつが、１つの前記第２配線部に重なり、
前記厚さ方向に視て、隣り合う２つの前記第２配線部の一部ずつが、１つの前記第１配線部に重なる、付記７に記載の回路部品。
〔付記９〕
前記第１配線部は、平坦な形状である、付記７または８に記載の回路部品。
〔付記１０〕
前記第１配線部は、第１部と、前記第１部よりも前記中心から離隔した第２部と、前記厚さ方向に視て前記第１部および前記第２部の間に位置する第３部と、を含み、
前記第３部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離は、前記第１部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離および前記第２部と前記第２配線部との前記厚さ方向における距離のいずれよりも大きく、
前記第１貫通配線部は、前記第１部と前記第２配線部とに繋がる内方貫通配線部と、前記第２部と前記第２配線部とに繋がる外方貫通配線部と、を含む、付記７または８に記載の回路部品。
〔付記１１〕
前記第１絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記一方側に積層された第４絶縁性シード層をさらに備え、
前記第４絶縁性シード層は、前記第１配線層の少なくとも一部を覆う、付記４ないし１０のいずれかに記載の回路部品。
〔付記１２〕
前記第２絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に積層された第５絶縁性シード層をさらに備え、
前記第５絶縁性シード層は、前記第２配線層の少なくとも一部を覆う、付記４ないし１１のいずれかに記載の回路部品。
〔付記１３〕
前記第５絶縁性シード層に対して前記厚さ方向の前記他方側に位置する第３配線層をさら備える、付記１２に記載の回路部品。
〔付記１４〕
前記第５絶縁性シード層を貫通し且つ前記第２配線層と前記第３配線層とに繋がる第２貫通配線部をさらに備える、付記１３に記載の回路部品。
〔付記１５〕
付記１ないし１４のいずれかに記載の回路部品と、
前記回路部品に導通する電子部品と、を備える、電子装置。
〔付記１６〕
前記電子部品は、トランジスタを含む、付記１５に記載の電子装置。
〔付記１７〕
磁性体層を用意する工程と、
前記磁性体層の厚さ方向の一方側に第１絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記磁性体層の前記厚さ方向の他方側に第２絶縁性シード層を積層させる工程と、
前記第１絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第１配線層を形成する工程と、
前記第２絶縁性シード層上に無電解めっき、または無電解めっきおよび電気めっきによって第２配線層を形成する工程と、
を備える、回路部品の製造方法。
〔付記１８〕
前記第１絶縁性シード層を積層させる工程の後であって、前記第１配線層を形成する工程の前に、前記第１絶縁性シード層にレーザ光を照射することにより、前記第１絶縁性シード層の無電解めっきを可能とするシード層としての機能を部分的に不活性化する工程をさらに含む、付記１７に記載の回路部品の製造方法。
【符号の説明】
【0095】
Ａ１，Ａ１１，Ａ２，Ａ２１：回路部品
Ｂ１ ：電子装置
１ ：磁性体層
２ ：配線
１９ ：貫通孔
２０ ：巻線部
２１ ：第１配線層
２２ ：第２配線層
２３ ：第３配線層
２７ ：第１貫通配線部
２８ ：第２貫通配線部
３１ ：第１絶縁性シード層
３２ ：第２絶縁性シード層
３３ ：第３絶縁性シード層
３４ ：第４絶縁性シード層
３５ ：第５絶縁性シード層
３６ ：第６絶縁性シード層
９１ ：回路基板
９２ ：封止部材
９３ ：導通部材
１０１ ：貫通孔
１１１ ：薄肉部
１１２ ：厚肉部
２１１ ：第１配線部
２１２ ：連絡配線部
２２１ ：第２配線部
２２２ ：連絡配線部
２２３ ：連絡配線部
２３１ ：端子部
２３２ ：端子部
２７１ ：内方貫通配線部
２７２ ：外方貫通配線部
２７３ ：連絡貫通配線部
３１０ ：第１活性化領域
３１１ ：第１不活性化領域
３１２ ：第１絶縁性シード層
３２０ ：第２活性化領域
３２１ ：第２不活性化領域
３５０ ：第５活性化領域
３５１ ：第５不活性化領域
３５９ ：貫通孔
９１１ ：電極
２１１１ ：第１部
２１１２ ：第２部
２１１３ ：第３部
２１１４ ：第４部
２１１５ ：第５部
Ｃ ：コンデンサ
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３０，Ｌ３１：レーザ光
Ｏ ：中心
Ｔｒ ：トランジスタ
ｚ１，ｚ２，ｚ３：距離
Ｂ１ ：電子装置
１ ：磁性体層
２ ：配線
１９ ：貫通孔
２０ ：巻線部
２１ ：第１配線層
２２ ：第２配線層
２３ ：第３配線層
２７ ：第１貫通配線部
２８ ：第２貫通配線部
３１ ：第１絶縁性シード層
３２ ：第２絶縁性シード層
３３ ：第３絶縁性シード層
３４ ：第４絶縁性シード層
３５ ：第５絶縁性シード層
３６ ：第６絶縁性シード層
９１ ：回路基板
９２ ：封止部材
９３ ：導通部材
１０１ ：貫通孔
１１１ ：薄肉部
１１２ ：厚肉部
２１１ ：第１配線部
２１２ ：連絡配線部
２２１ ：第２配線部
２２２ ：連絡配線部
２２３ ：連絡配線部
２３１ ：端子部
２３２ ：端子部
２７１ ：内方貫通配線部
２７２ ：外方貫通配線部
２７３ ：連絡貫通配線部
３１０ ：第１活性化領域
３１１ ：第１不活性化領域
３１２ ：第１絶縁性シード層
３２０ ：第２活性化領域
３２１ ：第２不活性化領域
３５０ ：第５活性化領域
３５１ ：第５不活性化領域
３５９ ：貫通孔
９１１ ：電極
２１１１ ：第１部
２１１２ ：第２部
２１１３ ：第３部
２１１４ ：第４部
２１１５ ：第５部
Ｃ ：コンデンサ
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３０，Ｌ３１：レーザ光
Ｏ ：中心
Ｔｒ ：トランジスタ
ｚ１，ｚ２，ｚ３：距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】