知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134433
(43)【公開日】2024-10-03
(54)【発明の名称】フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/40 20120101AFI20240926BHJP
G03F 1/32 20120101ALI20240926BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20240926BHJP
【ＦＩ】
G03F1/40
G03F1/32
G03F7/20 501
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023044736
(22)【出願日】2023-03-20
(71)【出願人】
【識別番号】302003244
【氏名又は名称】株式会社エスケーエレクトロニクス
(74)【代理人】
【識別番号】110002295
【氏名又は名称】弁理士法人Ｍ＆Ｐａｒｔｎｅｒｓ
(72)【発明者】
【氏名】田中 千恵
(72)【発明者】
【氏名】坂東 宏樹
(72)【発明者】
【氏名】川原 未佑
(72)【発明者】
【氏名】山田 慎吾
(72)【発明者】
【氏名】森山 久美子
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BB08
2H195BC05
2H195BC17
2H197BA11
2H197JA05
(57)【要約】
【課題】
孤立パターンの静電破壊を防止し、用途がバイナリーマスクに限定されないフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】
第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及び両孤立パターンを接続するブリッジパターン６３ａを有するフォトマスクの製造方法である。透過性基板１上に導電性を有する半透過膜２と遮光膜３とを形成する工程と、開口パターン４ｓを有する第１のレジストパターン４ａを遮光膜３上に形成する工程と、遮光膜３を選択的にエッチングして開口部ＯＰを形成する工程と、開口部ＯＰを覆うブリッジ領域５３ａと、第１の孤立パターン領域５１ａと第２の孤立パターン領域５２ａとを有する第２のレジストパターン５ａを遮光膜上に形成する工程と、遮光膜３及び半透過膜２をエッチングして、第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａを形成する工程とを含む。
【選択図】 図５
孤立パターンの静電破壊を防止し、用途がバイナリーマスクに限定されないフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】
第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及び両孤立パターンを接続するブリッジパターン６３ａを有するフォトマスクの製造方法である。透過性基板１上に導電性を有する半透過膜２と遮光膜３とを形成する工程と、開口パターン４ｓを有する第１のレジストパターン４ａを遮光膜３上に形成する工程と、遮光膜３を選択的にエッチングして開口部ＯＰを形成する工程と、開口部ＯＰを覆うブリッジ領域５３ａと、第１の孤立パターン領域５１ａと第２の孤立パターン領域５２ａとを有する第２のレジストパターン５ａを遮光膜上に形成する工程と、遮光膜３及び半透過膜２をエッチングして、第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａを形成する工程とを含む。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）とを接続するブリッジパターン（６３ａ）を有するフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板（１）上に導電性を有する半透過膜（２）と、前記半透過膜（２）上に遮光膜（３）を形成する積層膜形成工程と、
開口パターン（４ｓ）を有する第１のレジストパターン（４ａ）を前記遮光膜（３）上に形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングして開口部（ＯＰ）を形成し、前記第１のレジストパターン（４ａ）を除去する第１のパターニング工程と、
前記開口部（ＯＰ）を覆うブリッジ領域（５３ａ）と、前記ブリッジ領域（５３ａ）に接する第１の孤立パターン領域（５１ａ）と第２の孤立パターン領域（５２ａ）とを有する第２のレジストパターン（５ａ）を、前記遮光膜上に形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）及び前記半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記第２のレジストパターンを除去する第２のパターニング工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
透過性基板（１）上に導電性を有する半透過膜（２）と、前記半透過膜（２）上に遮光膜（３）を形成する積層膜形成工程と、
開口パターン（４ｓ）を有する第１のレジストパターン（４ａ）を前記遮光膜（３）上に形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングして開口部（ＯＰ）を形成し、前記第１のレジストパターン（４ａ）を除去する第１のパターニング工程と、
前記開口部（ＯＰ）を覆うブリッジ領域（５３ａ）と、前記ブリッジ領域（５３ａ）に接する第１の孤立パターン領域（５１ａ）と第２の孤立パターン領域（５２ａ）とを有する第２のレジストパターン（５ａ）を、前記遮光膜上に形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）及び前記半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記第２のレジストパターンを除去する第２のパターニング工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項2】
前記開口パターン（４ｓ）の幅（ｗ）は、前記フォトマスクを用いた露光工程の解像限界以下であることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項3】
前記第１のパターニング工程において、
前記半透過膜（２）を露出した後、前記半透過膜（２）を部分的にエッチングし、膜厚を減じることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
前記半透過膜（２）を露出した後、前記半透過膜（２）を部分的にエッチングし、膜厚を減じることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項4】
前記第２のレジストパターン（５ａ）の前記ブリッジ領域（５３ａ）は、
前記開口部（ＯＰ）を埋め込む充填部（５ｆ）と、前記充填部（５ｆ）から突出し前記遮光膜（３）を覆う延長部（５ｅ）とを有することを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
前記開口部（ＯＰ）を埋め込む充填部（５ｆ）と、前記充填部（５ｆ）から突出し前記遮光膜（３）を覆う延長部（５ｅ）とを有することを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項5】
前記第２のパターニング工程は、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングする工程と、
前記半透過膜（２）を選択的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスクの製造方法。
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングする工程と、
前記半透過膜（２）を選択的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項6】
前記積層膜形成工程において、
前記半透過膜（２）上にさらに中間膜（７）を形成し、前記中間膜（７）上に前記遮光膜（３）を形成し、
前記第１のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングした後、前記中間膜（７）を選択的にエッチングして、前記半透過膜（２）の表面を露出する開口部（ＯＰ）を形成し、
前記第２のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）、前記中間膜（７）及び半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスクの製造方法。
前記半透過膜（２）上にさらに中間膜（７）を形成し、前記中間膜（７）上に前記遮光膜（３）を形成し、
前記第１のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングした後、前記中間膜（７）を選択的にエッチングして、前記半透過膜（２）の表面を露出する開口部（ＯＰ）を形成し、
前記第２のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）、前記中間膜（７）及び半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項7】
第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記第１の孤立パターンと前記第２の孤立パターンとを接続するブリッジパターン（６３ａ）を有するフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板（１）上に遮光膜（３）と、前記遮光膜（３）上に、前記遮光膜（３）と異なる材料から構成される被覆膜（１１）を形成する遮光膜形成工程と、
前記被覆膜（１１）上に遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を形成し、
前記被覆膜（１１）及び前記遮光膜（３）をエッチングし、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）を形成し、前記遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を除去する遮光膜パターニング工程と、
半透過膜（２）を形成する半透過膜形成工程と、
前記半透過膜（２）上に半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）をエッチングマスクにして前記半透過膜（２）及び前記被覆膜（１１）をエッチングして、パターニングし、さらに前記被覆膜（１１）をオーバーエッチングにより除去し、前記半透過膜（２）からなるブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を除去する半透過膜パターニング工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
透過性基板（１）上に遮光膜（３）と、前記遮光膜（３）上に、前記遮光膜（３）と異なる材料から構成される被覆膜（１１）を形成する遮光膜形成工程と、
前記被覆膜（１１）上に遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を形成し、
前記被覆膜（１１）及び前記遮光膜（３）をエッチングし、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）を形成し、前記遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を除去する遮光膜パターニング工程と、
半透過膜（２）を形成する半透過膜形成工程と、
前記半透過膜（２）上に半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）をエッチングマスクにして前記半透過膜（２）及び前記被覆膜（１１）をエッチングして、パターニングし、さらに前記被覆膜（１１）をオーバーエッチングにより除去し、前記半透過膜（２）からなるブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を除去する半透過膜パターニング工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項8】
透過性基板（１）上に第１の孤立パターン（６１ａ）と第２の孤立パターン（６２ａ）と、前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）とを接続するブリッジパターン（６３ａ）とを備え、
前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）は、遮光性を有する上層膜と半透過性を有する下層膜の積層から構成され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、導電性を有するとともに半透過性を有し、前記下層膜と接続され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）の透過率は、前記下層膜の透過率より高いことを特徴とするフォトマスク。
前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）は、遮光性を有する上層膜と半透過性を有する下層膜の積層から構成され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、導電性を有するとともに半透過性を有し、前記下層膜と接続され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）の透過率は、前記下層膜の透過率より高いことを特徴とするフォトマスク。
【請求項9】
前記下層膜は半透過膜（２）からなり、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、減膜された前記半透過膜（２）からなることを特徴とする請求項８記載のフォトマスク。
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、減膜された前記半透過膜（２）からなることを特徴とする請求項８記載のフォトマスク。
【請求項10】
前記ブリッジパターン（６３ａ）は半透過膜（２）からなり、
前記下層膜は前記半透過膜（２）と前記半透過膜（２）上に形成された中間膜（７）の積層からなることを特徴とする請求項８記載のフォトマスク。
前記下層膜は前記半透過膜（２）と前記半透過膜（２）上に形成された中間膜（７）の積層からなることを特徴とする請求項８記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はフォトマスク及びフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
リソグラフィー工程で使用されるフォトマスクは、石英等の絶縁性の透過性基板上に種々のパターンが形成されている。例えば、金属の遮光膜を用いて形成されているパターンは、コンデンサを構成する。フォトマスクの製造工程において、静電気が発生すると、特に大面積のパターンでの帯電量が多くなり、隣接した電気的に孤立したパターン間で放電し、パターンの静電破壊が生じることがある。
この問題の対策として、隣接する孤立パターン間に導電性を有するダミーパターンを形成し、静電破壊を防止する方法が知られている。
特許文献１には、上記のような孤立（独立）パターンの形成時に孤立パターン間にダミーパターンを形成し、孤立パターン間を電気的に接続する方法が開示されている。ダミーパターンをリソグラフィー工程の解像限界以下とすることで、露光対象物へのダミーパターンの転写を防止することができる。
この問題の対策として、隣接する孤立パターン間に導電性を有するダミーパターンを形成し、静電破壊を防止する方法が知られている。
特許文献１には、上記のような孤立（独立）パターンの形成時に孤立パターン間にダミーパターンを形成し、孤立パターン間を電気的に接続する方法が開示されている。ダミーパターンをリソグラフィー工程の解像限界以下とすることで、露光対象物へのダミーパターンの転写を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００３－２４８２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記のようなダミーパターンを用いたフォトマスクでは、ハーフトーンマスクや位相シフトマスク等への展開が困難であり、フォトマスクの用途がバイナリーマスクに限定されてしまう。
【0005】
上記課題を鑑み、本発明は、孤立パターンの静電破壊を防止し、用途がバイナリーマスクに限定されないフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）とを接続するブリッジパターン（６３ａ）を有するフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板（１）上に導電性を有する半透過膜（２）と、前記半透過膜（２）上に遮光膜（３）を形成する積層膜形成工程と、
開口パターン（４ｓ）を有する第１のレジストパターン（４ａ）を前記遮光膜（３）上に形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングして開口部（ＯＰ）を形成し、前記第１のレジストパターン（４ａ）を除去する第１のパターニング工程と、
前記開口部（ＯＰ）を覆うブリッジ領域（５３ａ）と、前記ブリッジ領域（５３ａ）に接する第１の孤立パターン領域（５１ａ）及び第２の孤立パターン領域（５２ａ）を有する第２のレジストパターン（５ａ）を、前記遮光膜上に形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）及び前記半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記第２のレジストパターンを除去する第２のパターニング工程と、
を含むことを特徴とする。
第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）とを接続するブリッジパターン（６３ａ）を有するフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板（１）上に導電性を有する半透過膜（２）と、前記半透過膜（２）上に遮光膜（３）を形成する積層膜形成工程と、
開口パターン（４ｓ）を有する第１のレジストパターン（４ａ）を前記遮光膜（３）上に形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングして開口部（ＯＰ）を形成し、前記第１のレジストパターン（４ａ）を除去する第１のパターニング工程と、
前記開口部（ＯＰ）を覆うブリッジ領域（５３ａ）と、前記ブリッジ領域（５３ａ）に接する第１の孤立パターン領域（５１ａ）及び第２の孤立パターン領域（５２ａ）を有する第２のレジストパターン（５ａ）を、前記遮光膜上に形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記遮光膜（３）及び前記半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記第２のレジストパターンを除去する第２のパターニング工程と、
を含むことを特徴とする。
【0007】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、上記構成において、
前記開口パターン（４ｓ）の幅（ｗ）は、前記フォトマスクを用いた露光工程の解像限界以下である。
前記開口パターン（４ｓ）の幅（ｗ）は、前記フォトマスクを用いた露光工程の解像限界以下である。
【0008】
このようなフォトマスクの製造方法によれば、半透過性を有するブリッジパターンにより孤立パターン間を電気的に接続し、孤立パターンの静電破壊を防止することが可能なフォトマスクを製造することができる。また、ブリッジパターンの露光対象物への結像を防止することができる。
【0009】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、上記構成において、
前記第１のパターニング工程において、
前記半透過膜（２）を露出した後、前記半透過膜（２）を部分的にエッチングし、膜厚を減じてもよい。
前記第１のパターニング工程において、
前記半透過膜（２）を露出した後、前記半透過膜（２）を部分的にエッチングし、膜厚を減じてもよい。
【0010】
このようなフォトマスクの製造方法によれば、ブリッジパターンの透過率をさらに高め、設計マージン等の拡大に寄与することができる。
【0011】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、上記構成において、
前記第２のレジストパターン（５ａ）の前記ブリッジ領域（５３ａ）は、
前記開口部（ＯＰ）を埋め込む充填部（５ｆ）と、前記充填部（５ｆ）から突出し前記遮光膜（３）を覆う延長部（５ｅ）とを有してもよい。
前記第２のレジストパターン（５ａ）の前記ブリッジ領域（５３ａ）は、
前記開口部（ＯＰ）を埋め込む充填部（５ｆ）と、前記充填部（５ｆ）から突出し前記遮光膜（３）を覆う延長部（５ｅ）とを有してもよい。
【0012】
このようなフォトマスクの製造方法によれば、半透過膜（２）と直接的に接触する充填部（５ｆ）によってブリッジパターン（６３ａ）をパターニングできるとともに、第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）をパターニングすることができる。
【0013】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、上記構成において、
前記第２のパターニング工程は、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングする工程と、
前記半透過膜（２）を選択的にエッチングする工程と、
を含んでもよい。
前記第２のパターニング工程は、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングする工程と、
前記半透過膜（２）を選択的にエッチングする工程と、
を含んでもよい。
【0014】
このようなフォトマスクの製造方法によれば、ブリッジパターン（６３ａ）、第１の孤立パターン（６１ａ）及び第２の孤立パターン（６２ａ）を制御性よくパターニングすることができる。
【0015】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、上記構成において、
前記積層膜形成工程において、
前記半透過膜（２）上にさらに中間膜（７）を形成し、前記中間膜（７）上に前記遮光膜（３）を形成し、
前記第１のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングした後、前記中間膜（７）を選択的にエッチングして、前記半透過膜（２）の表面を露出する開口部（ＯＰ）を形成し、
前記第２のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）、前記中間膜（７）及び半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成してもよい。
前記積層膜形成工程において、
前記半透過膜（２）上にさらに中間膜（７）を形成し、前記中間膜（７）上に前記遮光膜（３）を形成し、
前記第１のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）を選択的にエッチングした後、前記中間膜（７）を選択的にエッチングして、前記半透過膜（２）の表面を露出する開口部（ＯＰ）を形成し、
前記第２のパターニング工程において、
前記遮光膜（３）、前記中間膜（７）及び半透過膜（２）をエッチングして、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記ブリッジパターン（６３ａ）を形成してもよい。
【0016】
このようなフォトマスクの製造方法によれば、半透過膜（２）と中間膜（７）との積層構造を半透過領域として利用することで、光学特性の調整の自由度が向上する。
【0017】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記第１の孤立パターンと前記第２の孤立パターンとを接続するブリッジパターン（６３ａ）を有するフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板（１）上に遮光膜（３）と、前記遮光膜（３）上に、前記遮光膜（３）と異なる材料から構成される被覆膜（１１）を形成する遮光膜形成工程と、
前記被覆膜（１１）上に遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を形成し、
前記被覆膜（１１）及び前記遮光膜（３）をエッチングし、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）を形成し、前記遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を除去する遮光膜パターニング工程と、
半透過膜（２）を形成する半透過膜形成工程と、
前記半透過膜（２）上に半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）をエッチングマスクにして前記半透過膜（２）及び前記被覆膜（１１）をエッチングして、パターニングし、さらに前記被覆膜（１１）をオーバーエッチングにより除去し、前記半透過膜（２）からなるブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を除去する半透過膜パターニング工程と、を含むことを特徴とする。
第１の孤立パターン（６１ａ）、第２の孤立パターン（６２ａ）及び前記第１の孤立パターンと前記第２の孤立パターンとを接続するブリッジパターン（６３ａ）を有するフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板（１）上に遮光膜（３）と、前記遮光膜（３）上に、前記遮光膜（３）と異なる材料から構成される被覆膜（１１）を形成する遮光膜形成工程と、
前記被覆膜（１１）上に遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を形成し、
前記被覆膜（１１）及び前記遮光膜（３）をエッチングし、前記第１の孤立パターン（６１ａ）、前記第２の孤立パターン（６２ａ）を形成し、前記遮光領域エッチングマスク（１２ａ、１２ｂ）を除去する遮光膜パターニング工程と、
半透過膜（２）を形成する半透過膜形成工程と、
前記半透過膜（２）上に半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）をエッチングマスクにして前記半透過膜（２）及び前記被覆膜（１１）をエッチングして、パターニングし、さらに前記被覆膜（１１）をオーバーエッチングにより除去し、前記半透過膜（２）からなるブリッジパターン（６３ａ）を形成し、前記半透過領域エッチングマスク（１３ａ）を除去する半透過膜パターニング工程と、を含むことを特徴とする。
【0018】
このようなフォトマスクの製造方法によれば、異なる材料からなる孤立パターンとブリッジパターンとを同一レイヤに形成し、ブリッジパターンにより孤立パターン間の静電破壊を防止することができる。
【0019】
本発明に係るフォトマスクは、
透過性基板（１）上に第１の孤立パターン（６１ａ）と第２の孤立パターン（６２ａ）と、前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）とを接続するブリッジパターン（６３ａ）とを備え、
前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）は、遮光性を有する上層膜と半透過性を有する下層膜の積層から構成され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、導電性を有するとともに半透過性を有し、前記下層膜と接続され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）の透過率は、前記下層膜の透過率より高いことを特徴とするフォトマスク。
透過性基板（１）上に第１の孤立パターン（６１ａ）と第２の孤立パターン（６２ａ）と、前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）とを接続するブリッジパターン（６３ａ）とを備え、
前記第１の孤立パターン（６１ａ）と前記第２の孤立パターン（６２ａ）は、遮光性を有する上層膜と半透過性を有する下層膜の積層から構成され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、導電性を有するとともに半透過性を有し、前記下層膜と接続され、
前記ブリッジパターン（６３ａ）の透過率は、前記下層膜の透過率より高いことを特徴とするフォトマスク。
【0020】
このようなフォトマスクによれば、ブリッジパターンにより孤立パターン間の静電破壊を防止するとともに、設計マージン等の拡大に寄与することができる。
【0021】
また、本発明に係るフォトマスクは、上記構成において、
前記下層膜は半透過膜（２）からなり、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、減膜された前記半透過膜（２）から構成されてもい。
前記下層膜は半透過膜（２）からなり、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は、減膜された前記半透過膜（２）から構成されてもい。
【0022】
このようなフォトマスクによれば、簡単な構成で選択的にブリッジパターン（６３ａ）の透過率を高く設定することができる。
【0023】
また、本発明に係るフォトマスクは、上記構成において、
前記ブリッジパターン（６３ａ）は半透過膜（２）からなり、
前記下層膜は前記半透過膜（２）と前記半透過膜（２）上に形成された中間膜（７）の積層から構成されてもよい。
前記ブリッジパターン（６３ａ）は半透過膜（２）からなり、
前記下層膜は前記半透過膜（２）と前記半透過膜（２）上に形成された中間膜（７）の積層から構成されてもよい。
【0024】
このようなフォトマスクによれば、光学特性の調整の自由度が向上する。
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、孤立パターンの静電破壊を防止し、用途がバイナリーマスクに限定されないフォトマスクの製造方法、及びフォトマスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は、いずれも本発明の要旨の認定において限定的な解釈を与えるものではない。また、同一又は同種の部材については同じ参照符号を付して、説明を省略することがある。
【0028】
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「面一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【0029】
【0030】
＜積層膜形成工程：フォトマスクブランクスの準備＞
図１（Ａ）の断面図に示すように、石英ガラス等の透過性基板１を準備する。
透過性基板１は、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程において、フォトマスク上に形成されたパターンを露光対象物に転写するために使用される露光光に含まれる代表波長（非限定的に、例えばｉ線、ｈ線、ｇ線）に対して９０％以上（９０％≦透過率）の透過率を有する。
なお、以下に説明するフォトマスク１００の構成は、バイナリのフォトマスクだけでなく、ハーフトーンマスクや位相シフトマスクにも適応可能である。
図１（Ａ）の断面図に示すように、石英ガラス等の透過性基板１を準備する。
透過性基板１は、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程において、フォトマスク上に形成されたパターンを露光対象物に転写するために使用される露光光に含まれる代表波長（非限定的に、例えばｉ線、ｈ線、ｇ線）に対して９０％以上（９０％≦透過率）の透過率を有する。
なお、以下に説明するフォトマスク１００の構成は、バイナリのフォトマスクだけでなく、ハーフトーンマスクや位相シフトマスクにも適応可能である。
【0031】
次に、透過性基板１上に、半透過性を有する半透過膜２、例えば金属化合物（Ｃｒ系化合物、Ｎｉ系化合物、Ｔｉ系化合物等）、金属シリサイド化合物（例えばＭｏシリサイド、Ｚｒシリサイド等）、金属窒化物（ＺｒＮ等）の材料からなる膜をスパッタ法、蒸着法等により（例えば、非限定的に、膜厚５～２０［ｎｍ］）成膜する。Ｚｒシリサイドは高い透過率を有する点で好適に採用し得る。なお、金属化合物の一種である金属窒化物は、窒化雰囲気での蒸着やスパッタ（反応性スパッタ）等により、容易に成膜が可能であり、雰囲気制御により、同一のソースを用いて異なる材料を形成することも可能である。
また、半透過性を有するとは、露光光に含まれる代表波長に対して、透過率が、透過性基板１の透過率よりも低く、後述する遮光膜３の透過率よりも高いことを意味する。
また、半透過膜２及び遮光膜３は導電性を有する膜により構成される。
また、半透過性を有するとは、露光光に含まれる代表波長に対して、透過率が、透過性基板１の透過率よりも低く、後述する遮光膜３の透過率よりも高いことを意味する。
また、半透過膜２及び遮光膜３は導電性を有する膜により構成される。
【0032】
なお、半透過膜２をハーフトーン膜として利用する場合、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程において使用する露光光の代表波長に対して、半透過膜２の透過率が１０～７０％（１０％≦透過率≦７０％）、位相シフト量は小さく（略０°、例えば０～２０°）に設定すればよい。
また、半透過膜２は位相シフト膜として利用してもよく、位相シフト膜として利用する場合、露光光に含まれる代表波長に対して、半透過膜２の透過率が３～１５％（３％≦透過率≦１５％）、位相シフト量が略１８０°（１６０°≦位相シフト量≦２００°）、さらに好適には１７０°≦位相シフト量≦１９０°になるよう設定する。
半透過膜２の透過率等の光学特性は、使用用途に合わせて設定すればよい。
なお、バイナリーマスクに使用する場合も、上記使用目的に合わせた光学特性を有する半透過膜２を用いて準備されたフォトマスクブランクスを使用することが可能である。
また、半透過膜２は位相シフト膜として利用してもよく、位相シフト膜として利用する場合、露光光に含まれる代表波長に対して、半透過膜２の透過率が３～１５％（３％≦透過率≦１５％）、位相シフト量が略１８０°（１６０°≦位相シフト量≦２００°）、さらに好適には１７０°≦位相シフト量≦１９０°になるよう設定する。
半透過膜２の透過率等の光学特性は、使用用途に合わせて設定すればよい。
なお、バイナリーマスクに使用する場合も、上記使用目的に合わせた光学特性を有する半透過膜２を用いて準備されたフォトマスクブランクスを使用することが可能である。
【0033】
次に、半透過膜２上に、遮光性を有する遮光膜３をスパッタ法、蒸着法等により
（例えば、非限定的に、膜厚５０［ｎｍ］～１００［ｎｍ］）成膜し、透過性基板１上に半透過膜２及び遮光膜３を有するフォトマスクブランクス１０を得る。
遮光膜３は、非限定的に、例えば光学濃度（ＯＤ値）が２．７以上となるように設定され、例えば金属化合物、Ｓｉ系化合物、金属シリサイド化合物から構成され、半透過膜２とエッチング特性が異なる材料から構成される。
例えば、半透過膜２として金属シリサイド、遮光膜３としてＣｒ膜を用いることができるが、これに限定するものではない。
（例えば、非限定的に、膜厚５０［ｎｍ］～１００［ｎｍ］）成膜し、透過性基板１上に半透過膜２及び遮光膜３を有するフォトマスクブランクス１０を得る。
遮光膜３は、非限定的に、例えば光学濃度（ＯＤ値）が２．７以上となるように設定され、例えば金属化合物、Ｓｉ系化合物、金属シリサイド化合物から構成され、半透過膜２とエッチング特性が異なる材料から構成される。
例えば、半透過膜２として金属シリサイド、遮光膜３としてＣｒ膜を用いることができるが、これに限定するものではない。
【0034】
なお、上記の工程により透過性基板１上に半透過膜２及び遮光膜３を、この順に形成したフォトマスクブランクスを予め準備しておくことにより、製造工期の短縮も可能である。
【0035】
＜第１のエッチングマスク形成工程＞
次に図１（Ｂ）、図１（Ｃ）の断面図に示すように、第１のフォトレジスト膜４を塗布法等により遮光膜３上に形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングし、第１のフォトレジストパターン４ａ（第１のエッチングマスクパターン）を形成する。
図１（Ｄ）の平面図に示すように第１のフォトレジストパターン４ａは、隣接する孤立したパターン間を接続において電気的に接続するパターン（ブリッジパターン）を形成する領域に開口部４ｓ（開口パターン４ｓ）を有している。
開口部４ｓの幅ｗは、形成するブリッジパターンの幅に設定し、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程における解像限界以下の幅に設定する。
なお、図１（Ｂ）は図１（Ｄ）のＡ－Ａ線断面、図１（Ｃ）は図１（Ｄ）のＢ－Ｂ線断面を示す。
次に図１（Ｂ）、図１（Ｃ）の断面図に示すように、第１のフォトレジスト膜４を塗布法等により遮光膜３上に形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングし、第１のフォトレジストパターン４ａ（第１のエッチングマスクパターン）を形成する。
図１（Ｄ）の平面図に示すように第１のフォトレジストパターン４ａは、隣接する孤立したパターン間を接続において電気的に接続するパターン（ブリッジパターン）を形成する領域に開口部４ｓ（開口パターン４ｓ）を有している。
開口部４ｓの幅ｗは、形成するブリッジパターンの幅に設定し、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程における解像限界以下の幅に設定する。
なお、図１（Ｂ）は図１（Ｄ）のＡ－Ａ線断面、図１（Ｃ）は図１（Ｄ）のＢ－Ｂ線断面を示す。
【0036】
＜第１のパターニング工程：ブリッジパターン形成領域の画定＞
次に図２（Ａ）の断面図に示すように、第１のフォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、半透過膜２に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａを形成する。なお、エッチングは、公知のウェットエッチングを好適に採用することができるが、ドライエッチングであってもよい。
第１の遮光膜パターン３ａは開口部ＯＰを有し、開口部ＯＰにおいて半透過膜２の表面が露出する。
開口部ＯＰの幅ｗは、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程における解像限界以下の幅に設定される。
開口部ＯＰがブリッジパターンを形成する領域を画定することになる。
次に図２（Ａ）の断面図に示すように、第１のフォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、半透過膜２に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａを形成する。なお、エッチングは、公知のウェットエッチングを好適に採用することができるが、ドライエッチングであってもよい。
第１の遮光膜パターン３ａは開口部ＯＰを有し、開口部ＯＰにおいて半透過膜２の表面が露出する。
開口部ＯＰの幅ｗは、フォトマスク１００を用いたリソグラフィー工程における解像限界以下の幅に設定される。
開口部ＯＰがブリッジパターンを形成する領域を画定することになる。
【0037】
【0038】
＜第２のエッチングマスクパターン形成工程＞
次に図３（Ａ）の断面図に示すように、第１の遮光膜パターン３ａ及び開口部ＯＰに露出した半透過膜２上に第２のフォトレジスト膜５を塗布法等により形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングし、第２のフォトレジストパターン５ａ（第２のエッチングマスクパターン）を形成する。
次に図３（Ａ）の断面図に示すように、第１の遮光膜パターン３ａ及び開口部ＯＰに露出した半透過膜２上に第２のフォトレジスト膜５を塗布法等により形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングし、第２のフォトレジストパターン５ａ（第２のエッチングマスクパターン）を形成する。
【0039】
【0040】
図３（Ｂ）の断面図、図３（Ｃ）の平面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａは、第１の孤立パターンに対応する領域５１ａ（第１の孤立パターン領域５１ａ）、第２の孤立パターンに対応する領域５２ａ（第２の孤立パターン領域５２ａ）、及びブリッジパターンに対応する領域５３ａ（ブリッジ領域５３ａ）を有している。
ブリッジ領域５３ａは、開口部ＯＰの周囲に所定の幅ｄ（拡張幅ｄ）を加えた領域を覆うように構成されている。
例えば、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すｙ方向において、ブリッジ領域５３ａの幅Ｌは、開口部ＯＰの幅ｗより、両側に所定の長さの拡張幅ｄ大きく、Ｌ＝ｗ＋２ｄとなる。所定の長さの拡張幅ｄは、第２のフォトレジストパターン５ａを形成するための描画装置のアライメント誤差に相当する長さ（アライメント誤差と等しい長さ）とすることができる。描画装置のアライメントずれが発生しても、第２のフォトレジストパターン５ａのブリッジ領域５３ａは、開口部ＯＰを覆うことができる。
なお、図３（Ｃ）に示す例においては、第１の孤立パターン領域５１ａについては、その一部のみを示しており、第１の孤立パターン領域５１ａの形状は第２の孤立パターン領域５２ａの形状と同じであってもよく、異なってもよい。第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａは、図３等に示す形状に限定するものではない。孤立パターンの形状については、他の実施形態においても同様である。
ブリッジ領域５３ａは、開口部ＯＰの周囲に所定の幅ｄ（拡張幅ｄ）を加えた領域を覆うように構成されている。
例えば、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すｙ方向において、ブリッジ領域５３ａの幅Ｌは、開口部ＯＰの幅ｗより、両側に所定の長さの拡張幅ｄ大きく、Ｌ＝ｗ＋２ｄとなる。所定の長さの拡張幅ｄは、第２のフォトレジストパターン５ａを形成するための描画装置のアライメント誤差に相当する長さ（アライメント誤差と等しい長さ）とすることができる。描画装置のアライメントずれが発生しても、第２のフォトレジストパターン５ａのブリッジ領域５３ａは、開口部ＯＰを覆うことができる。
なお、図３（Ｃ）に示す例においては、第１の孤立パターン領域５１ａについては、その一部のみを示しており、第１の孤立パターン領域５１ａの形状は第２の孤立パターン領域５２ａの形状と同じであってもよく、異なってもよい。第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａは、図３等に示す形状に限定するものではない。孤立パターンの形状については、他の実施形態においても同様である。
【0041】
ブリッジ領域５３ａの第２のフォトレジストパターン５ａは、開口部ＯＰにおいては直接的に半透過膜２と接触し、それ以外の箇所（拡張幅ｄで決定される領域）においては遮光膜３を介して間接的に半透過膜２と接触する。
また、図３（Ｂ）の断面図に示すように、ブリッジ領域５３ａのフォトレジスト膜の断面形状はＴ字形状であり、開口部ＯＰを埋め込む充填部５ｆと、充填部５ｆから両側の遮光膜３へと距離ｄ突出し、遮光膜３を覆う延長部５ｅ（カバー部）を有する。
充填部５ｆの形状は、開口部ＯＰにより画定する。後述するように、半透過膜２の表面と直接的に接触する充填部５ｆが、ブリッジパターンを形成するためのエッチングマスクとなる。
また、図３（Ｂ）の断面図に示すように、ブリッジ領域５３ａのフォトレジスト膜の断面形状はＴ字形状であり、開口部ＯＰを埋め込む充填部５ｆと、充填部５ｆから両側の遮光膜３へと距離ｄ突出し、遮光膜３を覆う延長部５ｅ（カバー部）を有する。
充填部５ｆの形状は、開口部ＯＰにより画定する。後述するように、半透過膜２の表面と直接的に接触する充填部５ｆが、ブリッジパターンを形成するためのエッチングマスクとなる。
【0042】
図３（Ａ）に示すように開口部ＯＰの長手方向（Ｘ方向）の端部側には孤立パターンが存在し、ブリッジ領域５３ａは、第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａと連続している。
後述するように、サイドエッチングによって、遮光膜３の周縁は、第２のフォトレジストパターン５ａの第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａの周縁から後退する。そのため、半透過膜２のブリッジパターンを画定するための充填部５ｆの長手方向の両端部は、第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａへ、距離Ｄ（突出距離Ｄ）突出している。充填部５ｆの両端部を突出させることにより、遮光膜３のサイドエッチング後に、半透過膜２のブリッジパターンの両端が、第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａと面一となるように距離Ｄが設定されている。
なお、このような構成により、描画装置のアライメントずれを吸収することも可能となる。他の実施形態においても同様である。
後述するように、サイドエッチングによって、遮光膜３の周縁は、第２のフォトレジストパターン５ａの第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａの周縁から後退する。そのため、半透過膜２のブリッジパターンを画定するための充填部５ｆの長手方向の両端部は、第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａへ、距離Ｄ（突出距離Ｄ）突出している。充填部５ｆの両端部を突出させることにより、遮光膜３のサイドエッチング後に、半透過膜２のブリッジパターンの両端が、第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａと面一となるように距離Ｄが設定されている。
なお、このような構成により、描画装置のアライメントずれを吸収することも可能となる。他の実施形態においても同様である。
【0043】
また、第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａは、（図５（Ｃ）に示される）第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａの外縁から幅ｄ（拡張幅ｄ）拡張した形状とする。
【0044】
＜第２のパターニング工程：孤立パターン及びブリッジパターンの形成＞
次に図４（Ａ）、（Ｂ）の断面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａをエッチングマスクにして、第１の遮光膜パターン３ａを選択的にエッチングして、パターニングし、第２の遮光膜パターン３ｂ（第１の孤立遮光膜パターン３ｂ）、第３の遮光膜パターン３ｃ（第２の孤立遮光膜パターン３ｃ）を形成する。半透過膜２は遮光膜３とエッチング特性が異なる材料により構成されているため、半透過膜２がエッチングされない条件で第１の遮光膜パターン３ａを選択的にエッチングすることができる。
次に図４（Ａ）、（Ｂ）の断面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａをエッチングマスクにして、第１の遮光膜パターン３ａを選択的にエッチングして、パターニングし、第２の遮光膜パターン３ｂ（第１の孤立遮光膜パターン３ｂ）、第３の遮光膜パターン３ｃ（第２の孤立遮光膜パターン３ｃ）を形成する。半透過膜２は遮光膜３とエッチング特性が異なる材料により構成されているため、半透過膜２がエッチングされない条件で第１の遮光膜パターン３ａを選択的にエッチングすることができる。
【0045】
図４（Ｂ）に示すように、ブリッジ領域５３ａの拡張幅ｄの領域の下部に存在する遮光膜３が除去されるまでオーバーエッチングする。第２のフォトレジストパターン５ａは、開口部ＯＰの領域に対応する領域、すなわち開口部ＯＰに埋め込まれた充填部５ｆにおいてのみ、直接的に半透過膜２と接触する。
従って、第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａに接する充填部５ｆの両端面は遮光膜３（第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ）と接するが（図４（Ａ）参照）、それ以外の充填部５ｆの側壁面においては、第２のフォトレジストパターン５ａは遮光膜３と接しない（図４（Ｂ）参照）。
従って、第１の孤立パターン領域５１ａ及び第２の孤立パターン領域５２ａに接する充填部５ｆの両端面は遮光膜３（第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ）と接するが（図４（Ａ）参照）、それ以外の充填部５ｆの側壁面においては、第２のフォトレジストパターン５ａは遮光膜３と接しない（図４（Ｂ）参照）。
【0046】
図４（Ａ）に示すように、オーバーエッチングによって第１の遮光膜パターン３ａの端部は、第２のフォトレジストパターン５ａの外縁部より距離Ｄ（サイドエッチング量Ｄ）だけ後退する。
拡張幅ｄの領域の遮光膜３を除去するため、オーバーエッチング量すなわちサイドエッチング量Ｄは拡張幅ｄ以上に設定されるが、好適には拡張幅ｄと等しく設定することができる。
拡張幅ｄの領域の下部の遮光膜３をエッチングし、さらに第１の遮光膜パターン３ａの端部をサイドエッチングするため、等方エッチングである公知のウェットエッチングが好適に使用できる。
拡張幅ｄの領域の遮光膜３を除去するため、オーバーエッチング量すなわちサイドエッチング量Ｄは拡張幅ｄ以上に設定されるが、好適には拡張幅ｄと等しく設定することができる。
拡張幅ｄの領域の下部の遮光膜３をエッチングし、さらに第１の遮光膜パターン３ａの端部をサイドエッチングするため、等方エッチングである公知のウェットエッチングが好適に使用できる。
【0047】
ブリッジ領域５３ａの遮光膜３が除去されるため（図４（Ｂ）参照）、第１の遮光膜パターン３ａは、第２の遮光膜パターン３ｂと第３の遮光膜パターン３ｃとに分離される。第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃは、それぞれ第１の孤立パターン及び第２の孤立パターンの遮光膜を構成する。
【0048】
なお、等方エッチングにより第１の遮光膜パターン３ａをエッチングするため、第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ及びブリッジ領域５３ａの第１の遮光膜パターン３ａの端面（外縁部）が後退し、第２の遮光膜パターン３ｂと第３の遮光膜パターン３ｃの形状が確定する。このとき、第２の遮光膜パターン３ｂのブリッジ領域５３ａ側の端面及び第３の遮光膜パターン３ｃのブリッジ領域５３ａ側の端面は、ブリッジパターン６３ａの形状を決定する充填部５ｆの長手方向のそれぞれの端面と面一となる。（後述する図５（Ｃ）参照。）
【0049】
次に図４（Ｃ）、（Ｄ）の断面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａ、第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃをエッチングマスクにして、半透過膜２を選択的にエッチングして、パターニングし、半透過膜パターン２ａを形成する。
半透過膜２は遮光膜３とエッチング特性が異なる材料により構成されているため、遮光膜３がエッチングされない条件で半透過膜２を選択的にエッチングすることができる。
半透過膜２がエッチングされた領域においては透過性基板１の表面が露出する。
半透過膜２のオーバーエッチング量を調整し、図４（Ｃ）に示すように遮光膜３と半透過膜２の端部を揃える（面一にする）ことができる。
なお、遮光膜３及び半透過膜２のエッチングは、等方エッチングである公知のウェットエッチングを好適に採用できる。
半透過膜２は遮光膜３とエッチング特性が異なる材料により構成されているため、遮光膜３がエッチングされない条件で半透過膜２を選択的にエッチングすることができる。
半透過膜２がエッチングされた領域においては透過性基板１の表面が露出する。
半透過膜２のオーバーエッチング量を調整し、図４（Ｃ）に示すように遮光膜３と半透過膜２の端部を揃える（面一にする）ことができる。
なお、遮光膜３及び半透過膜２のエッチングは、等方エッチングである公知のウェットエッチングを好適に採用できる。
【0050】
ブリッジ領域５３ａにおいては、図４（Ｄ）に示すように、半透過膜パターン２ａに直接的に接触する第２のフォトレジストパターン５ａの領域５ｓ、特に充填部５ｆをエッチングマスクとして、半透過膜パターン２ａをエッチングして、パターニングする。
第２のフォトレジストパターン５ａの充填部５ｆに接触する半透過膜パターン２ａが残置し、導電性を有するブリッジパターン６３ａとなる。充填部５ｆの形状（サイズ）は、開口部ＯＰに埋め込まれたフォトレジストの形状により確定するため、開口部ＯＰは、間接的にブリッジパターン６３ａの形状（寸法）を確定する。
第２のフォトレジストパターン５ａの充填部５ｆに接触する半透過膜パターン２ａが残置し、導電性を有するブリッジパターン６３ａとなる。充填部５ｆの形状（サイズ）は、開口部ＯＰに埋め込まれたフォトレジストの形状により確定するため、開口部ＯＰは、間接的にブリッジパターン６３ａの形状（寸法）を確定する。
【0051】
図４に示す工程により、第２のフォトレジストパターン５ａの外縁に対して、遮光膜３及び半透過膜２を距離Ｄだけ後退させ、第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａを形成する。
遮光膜３及び半透過膜２を、それぞれ選択的に順次エッチングすることにより、ブリッジパターン６３ａ、第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａを制御性よくパターニングすることができる。
なお、同一の第２のフォトレジストパターン５ａを用いて遮光膜３及び半透過膜２をエッチングするため、両孤立パターン領域６１ａ、６２ａにおいては、上層の遮光膜３のパターンと下層の半透過膜２のパターンがずれることはない。
遮光膜３及び半透過膜２を、それぞれ選択的に順次エッチングすることにより、ブリッジパターン６３ａ、第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａを制御性よくパターニングすることができる。
なお、同一の第２のフォトレジストパターン５ａを用いて遮光膜３及び半透過膜２をエッチングするため、両孤立パターン領域６１ａ、６２ａにおいては、上層の遮光膜３のパターンと下層の半透過膜２のパターンがずれることはない。
【0052】
なお、第１のフォトレジストパターン４ａの開口部４ｓの両端部（第２のフォトレジストパターン５ａの充填部５ｆの両端部）が、それぞれ、第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａの端面に接触するよう（面一となるよう）、開口部４ｓの形状が（例えば図１（Ｄ）に示す例においてはｘ方向の距離が）設定されている。
【0053】
＜第２のエッチングマスク除去工程＞
次に図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａを除去する。
第２の遮光膜パターン３ｂと半透過膜パターン２ａとの積層構造部が第１の孤立パターン６１ａを構成し、第３の遮光膜パターン３ｃと半透過膜パターン２ａとの積層構造部が第２の孤立パターン６２ａを構成する。
すなわち、第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａは下層膜と上層膜の積層膜から構成され、下層に半透過膜２、上層に遮光膜３を有する構成である。一方、ブリッジパターン６３ａは下層膜の半透過膜２により構成されている。第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａの半透過膜２は連続しており、下層膜の半透過膜２は導電性を有している。そのため、第１の孤立パターン６１ａと第２の孤立パターン６２ａとは、ブリッジパターン６３ａを介して電気的に接続される。
以上によりフォトマスク１００の隣接する孤立パターン間の静電破壊を防止するパターン形成が完成する。
ブリッジパターン６３ａの幅は、フォトマスクのパターン転写のための露光光による解像限界以下に設定されている。そのため、露光対象物への転写が防止される。
次に図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａを除去する。
第２の遮光膜パターン３ｂと半透過膜パターン２ａとの積層構造部が第１の孤立パターン６１ａを構成し、第３の遮光膜パターン３ｃと半透過膜パターン２ａとの積層構造部が第２の孤立パターン６２ａを構成する。
すなわち、第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａは下層膜と上層膜の積層膜から構成され、下層に半透過膜２、上層に遮光膜３を有する構成である。一方、ブリッジパターン６３ａは下層膜の半透過膜２により構成されている。第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａの半透過膜２は連続しており、下層膜の半透過膜２は導電性を有している。そのため、第１の孤立パターン６１ａと第２の孤立パターン６２ａとは、ブリッジパターン６３ａを介して電気的に接続される。
以上によりフォトマスク１００の隣接する孤立パターン間の静電破壊を防止するパターン形成が完成する。
ブリッジパターン６３ａの幅は、フォトマスクのパターン転写のための露光光による解像限界以下に設定されている。そのため、露光対象物への転写が防止される。
【0054】
なお、ブリッジパターン６３ａの幅を解像限界以下に設定した場合においても、ブリッジパターン６３ａを遮光膜で構成すると、ブリッジパターン６３ａと第１の孤立パターン６１ａ及び第２の孤立パターン６２ａとの接合部において、近接効果により、微細な突起状の形状異常が発生する場合がある。しかし、このような場合においても、ブリッジパターン６３ａを半透過膜により構成することで、近接効果による孤立パターンの上記形状異常の発生を防止又は軽減する効果がある。
なお、ブリッジパターン６３ａの形状は、図５（Ｃ）に示すようなＩ字形状の長方形に限定するものではなく、例えばＬ字形状であってもよく、図５（Ｃ）に示す例に限定されない。他の実施形態においても同様であり、ブリッジパターン６３ａの形状は適宜設定可能である。また、例えば、Ｔ字型のブリッジパターン等により、３つ（又はそれ以上）の孤立パターンを電気的に接続することを排除するものではない。
なお、ブリッジパターン６３ａの形状は、図５（Ｃ）に示すようなＩ字形状の長方形に限定するものではなく、例えばＬ字形状であってもよく、図５（Ｃ）に示す例に限定されない。他の実施形態においても同様であり、ブリッジパターン６３ａの形状は適宜設定可能である。また、例えば、Ｔ字型のブリッジパターン等により、３つ（又はそれ以上）の孤立パターンを電気的に接続することを排除するものではない。
【0055】
なお、フォトマスク１００は、必要に応じて、さらなるパターニングを行うことも可能である。例えばハーフトーンマスクとして使用する場合、ハーフトーン領域を形成するパターニングを行い、位相シフトマスクとして使用する場合、位相シフト領域を形成するパターニングを行うことができる。
【0056】
なお、ブリッジパターン６３ａの透過率を調整することも可能である。
例えば、フォトマスクをハーフトンマスクや位相シフトマスクとして使用する場合、フォトマスクブランクス１０の半透過膜２の光学特性である透過率は、そのフォトマスクの用途に適した値に設定されている。一方、ブリッジパターン６３ａは、露光対象物への結像を防止するため、透過率が高い方がよい。そのため、以下に説明するようにブリッジパターン６３ａの透過率を、他領域の半透過膜２と比較して、選択的に高くしてもよい。
半透過膜２の透過率を高くすることで、ブリッジパターン６３ａの幅の上記制限を緩和し、設計又は製造条件の自由度（又はマージン）の拡大に寄与する効果を得ることも可能である。
例えば、リソグラフィー工程の露光量や露光対象物上のフォトレジストの露光感度等から、半透過膜２の透過率を決定し、ブリッジパターン６３ａの幅（又は開口部４ｓの幅ｗ）の露光光による解像限界以下という制限を緩和（又は廃止）することも可能である。
以下、ブリッジパターンの幅については、他の実施形態においても同様である。
例えば、フォトマスクをハーフトンマスクや位相シフトマスクとして使用する場合、フォトマスクブランクス１０の半透過膜２の光学特性である透過率は、そのフォトマスクの用途に適した値に設定されている。一方、ブリッジパターン６３ａは、露光対象物への結像を防止するため、透過率が高い方がよい。そのため、以下に説明するようにブリッジパターン６３ａの透過率を、他領域の半透過膜２と比較して、選択的に高くしてもよい。
半透過膜２の透過率を高くすることで、ブリッジパターン６３ａの幅の上記制限を緩和し、設計又は製造条件の自由度（又はマージン）の拡大に寄与する効果を得ることも可能である。
例えば、リソグラフィー工程の露光量や露光対象物上のフォトレジストの露光感度等から、半透過膜２の透過率を決定し、ブリッジパターン６３ａの幅（又は開口部４ｓの幅ｗ）の露光光による解像限界以下という制限を緩和（又は廃止）することも可能である。
以下、ブリッジパターンの幅については、他の実施形態においても同様である。
【0057】
＜透過率の調整＞
以下、図６の断面図を参照し、ブリッジパターン６３ａの透過率を調整する方法を説明する。
図２（Ａ）に示す工程の後に、開口部ＯＰの半透過膜２の膜厚を調整し、半透過膜２の透過率を調整することが可能である。
まず、図２（Ａ）に示される工程と同様に、フォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、半透過膜２に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａを形成し、半透過膜２の表面を露出する。この工程では、半透過膜２はエッチングされない
その後、フォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、遮光膜３に対して選択的に半透過膜２を（部分的に）エッチングし、開口部４ｓ（開口部ＯＰ）の下部の半透過膜２の膜厚を減少させる。図２（Ａ）に示される工程に、半透過膜２を部分的にエッチングする処理を追加することで、ブリッジパターン６３ａの透過率を高く調整することができる。
その後、図２（Ｂ）に示される工程に続き、以後の工程は上記と同様である。
以下、図６の断面図を参照し、ブリッジパターン６３ａの透過率を調整する方法を説明する。
図２（Ａ）に示す工程の後に、開口部ＯＰの半透過膜２の膜厚を調整し、半透過膜２の透過率を調整することが可能である。
まず、図２（Ａ）に示される工程と同様に、フォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、半透過膜２に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａを形成し、半透過膜２の表面を露出する。この工程では、半透過膜２はエッチングされない
その後、フォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、遮光膜３に対して選択的に半透過膜２を（部分的に）エッチングし、開口部４ｓ（開口部ＯＰ）の下部の半透過膜２の膜厚を減少させる。図２（Ａ）に示される工程に、半透過膜２を部分的にエッチングする処理を追加することで、ブリッジパターン６３ａの透過率を高く調整することができる。
その後、図２（Ｂ）に示される工程に続き、以後の工程は上記と同様である。
【0058】
半透過膜２の膜厚を減少させる手段として、ウェットエッチングを採用することができるが、これに限定するものではない。
具体的には、フォトレジストパターン４ａをマスクとして、開口部４ｓを覆うようにＡＰプラズマ（常圧プラズマ）を所定時間照射し、半透過膜２の膜厚を減少させることで、ブリッジパターン６３ａの透過率を高くすることができる。透過率の調整は、ＡＰプラズマの照射時間で調整することが可能である。なお、プラズマとして、Ａｒプラズマを好適に使用することができるが、フッ素系ガス等の反応性ガスを用いたプラズマを用いてもよい。
具体的には、フォトレジストパターン４ａをマスクとして、開口部４ｓを覆うようにＡＰプラズマ（常圧プラズマ）を所定時間照射し、半透過膜２の膜厚を減少させることで、ブリッジパターン６３ａの透過率を高くすることができる。透過率の調整は、ＡＰプラズマの照射時間で調整することが可能である。なお、プラズマとして、Ａｒプラズマを好適に使用することができるが、フッ素系ガス等の反応性ガスを用いたプラズマを用いてもよい。
【0059】
ブリッジパターン６３ａが形成される領域であるブリッジ領域５３ａの半透過膜２ｓ（ブリッジ領域半透過膜２ｓ）のみ、選択的に膜厚を減少させることができる。すなわち、遮光膜３の下層の半透過膜２の膜厚ｔ０よりブリッジ領域半透過膜２ｓの膜厚ｔ１を小さくすることができる（ｔ０＞ｔ１）。
その結果、ブリッジパターン６３ａ以外の半透過膜２の光学特性を変化させることなく、ブリッジパターン６３ａの透過率のみを、選択的に高くすることができる。
また、半透過膜２の追加的なエッチングのために、新たなエッチングマスクを形成する必要がないため、容易にブリッジパターン６３ａの透過率を調整することができる。
その結果、ブリッジパターン６３ａ以外の半透過膜２の光学特性を変化させることなく、ブリッジパターン６３ａの透過率のみを、選択的に高くすることができる。
また、半透過膜２の追加的なエッチングのために、新たなエッチングマスクを形成する必要がないため、容易にブリッジパターン６３ａの透過率を調整することができる。
【0060】
そのため、フォトマスクの用途（例えばハーフトーンマスク、位相シフトマスク）に合わせて最適化された半透過膜２を有するフォトマスクブランクスを用いながら、ブリッジパターン６３ａの透過率を選択的に（独立して）高い値に設定することができる。
その結果、ブリッジパターン６３ａのパターン幅の制限の緩和や、プロセスマージンの拡大に寄与することも可能である。
その結果、ブリッジパターン６３ａのパターン幅の制限の緩和や、プロセスマージンの拡大に寄与することも可能である。
【0061】
なお、半透過膜２をブリッジパターン６３ａの形状にパターニングする前に、開口部４ｓを有するフォトレジストパターン４ａを用いて半透過膜２をエッチングして減膜するため、図６に示される工程は、ブリッジパターン６３ａの線幅ｗのサイズに影響を与ることはない。
【0062】
（実施形態２）
以下、本発明の実施形態２について説明する。
実施形態２はフォトマスク１００をハーフトーンマスクや位相シフトマスク等として構成する場合に特に有利である。
図７、８、９、１０、１１は、実施形態２によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。
以下、本発明の実施形態２について説明する。
実施形態２はフォトマスク１００をハーフトーンマスクや位相シフトマスク等として構成する場合に特に有利である。
図７、８、９、１０、１１は、実施形態２によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。
【0063】
図７（Ａ）は、フォトマスクブランクス２０を準備する主要工程を説明する断面図である。
図１（Ａ）に示す工程と同様に、透過性基板１上に、半透過性を有する半透過膜２を形成する。
次に、半透過膜２上に、中間膜７を蒸着法やスパッタ法等により形成する。中間膜７は半透過性を有し、上記の半透過膜２に使用され得る材料から選択できるが、後述する遮光膜３及び上記の半透過膜２とエッチング特性が異なる材料から構成される。
例えば、半透過膜２を金属シリサイド、中間膜７をＣｒ化合物、遮光膜３をＮｉ膜とすることができ、また、中間膜７を半透過膜２と異なる金属シリサイド、遮光膜３をＣｒ膜とすることができるが、これらに限定するものではない。
中間膜７はエッチングストッパとしても機能するが、半透過膜２との積層構造により光学特性を調整する機能を有し、光学特性の調整の自由度が向上する。
例えば、中間膜７（第２の層）と半透過膜２（第１の層）との積層をハーフトーン膜又は位相シフト膜として利用することができる。すなわち、遮光膜３の下層に設けられる半透過膜が、第１の層（半透過膜２）と第２の層（中間膜７）の積層構造から構成されていると解釈することも可能である。
なお、ハーフトーン膜又は位相シフト膜の光学特性は上記のとおりである。
図１（Ａ）に示す工程と同様に、透過性基板１上に、半透過性を有する半透過膜２を形成する。
次に、半透過膜２上に、中間膜７を蒸着法やスパッタ法等により形成する。中間膜７は半透過性を有し、上記の半透過膜２に使用され得る材料から選択できるが、後述する遮光膜３及び上記の半透過膜２とエッチング特性が異なる材料から構成される。
例えば、半透過膜２を金属シリサイド、中間膜７をＣｒ化合物、遮光膜３をＮｉ膜とすることができ、また、中間膜７を半透過膜２と異なる金属シリサイド、遮光膜３をＣｒ膜とすることができるが、これらに限定するものではない。
中間膜７はエッチングストッパとしても機能するが、半透過膜２との積層構造により光学特性を調整する機能を有し、光学特性の調整の自由度が向上する。
例えば、中間膜７（第２の層）と半透過膜２（第１の層）との積層をハーフトーン膜又は位相シフト膜として利用することができる。すなわち、遮光膜３の下層に設けられる半透過膜が、第１の層（半透過膜２）と第２の層（中間膜７）の積層構造から構成されていると解釈することも可能である。
なお、ハーフトーン膜又は位相シフト膜の光学特性は上記のとおりである。
【0064】
次に図７（Ｂ）の断面図に示すように、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示す工程と同様に、第１のフォトレジストパターン４ａを遮光膜３上に形成する。遮光膜３は半透過膜２と異なるエッチング特性を有する。
開口部４ｓの幅ｗは、実施形態１と同様である。
開口部４ｓの幅ｗは、実施形態１と同様である。
【0065】
次に図７（Ｃ）の断面図に示すように、第１のフォトレジストパターン４ａをエッチングマスクにして、半透過膜２に対して選択的に遮光膜３及び中間膜７をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａ及び第１の中間膜７ａを形成する。
なお、中間膜７に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａを形成し、その後、半透過膜２及び遮光膜３に対して選択的に中間膜７をエッチングして、パターニングし、第１の中間膜パターン７ａを形成してもよい。
第１の遮光膜パターン３ａ及び第１の中間膜パターン７ａの積層パターンＳＴａは開口部ＯＰを有する。
なお、中間膜７に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、パターニングし、第１の遮光膜パターン３ａを形成し、その後、半透過膜２及び遮光膜３に対して選択的に中間膜７をエッチングして、パターニングし、第１の中間膜パターン７ａを形成してもよい。
第１の遮光膜パターン３ａ及び第１の中間膜パターン７ａの積層パターンＳＴａは開口部ＯＰを有する。
【0066】
次に図７（Ｄ）の断面図に示すように、第１のフォトレジストパターン４ａを除去する。
【0067】
次に図８（Ａ）の断面図に示すように（図３（Ａ）に示す工程と同様に）、第１の遮光膜パターン３ａ及び開口部ＯＰに露出した半透過膜２上に、第２のフォトレジストパターン５ａを形成する。第２のフォトレジストパターン５ａは、第１の孤立パターンに対応する領域５１ａ（第１の孤立パターン領域５１ａ）、第２の孤立パターンに対応する領域５２ａ（第２の孤立パターン領域５２ａ）、及びブリッジパターンに対応する領域５３ａ（ブリッジ領域５３ａ）を有している。
【0068】
次に図８（Ｂ）、（Ｃ）の断面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａをエッチングマスクにして、第１の遮光膜パターン３ａを、第１の中間膜パターン７ａに対して選択的にエッチングして、パターニングし、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃを形成する。
なお、図８（Ｃ）に示すように、ブリッジ領域５３ａの拡張幅ｄの領域の下部に存在する遮光膜３が除去されるまで、遮光膜３をオーバーエッチングする。
図８（Ｂ）、（Ｃ）に示される工程は、図４（Ａ）、（Ｂ）と同様の工程であるが、第１の中間膜パターン７ａに対して選択的に第１の遮光膜パターン３ａをする点で異なり、第１の中間膜パターン７ａがエッチングストッパとして機能する。
なお、図８（Ｃ）に示すように、ブリッジ領域５３ａの拡張幅ｄの領域の下部に存在する遮光膜３が除去されるまで、遮光膜３をオーバーエッチングする。
図８（Ｂ）、（Ｃ）に示される工程は、図４（Ａ）、（Ｂ）と同様の工程であるが、第１の中間膜パターン７ａに対して選択的に第１の遮光膜パターン３ａをする点で異なり、第１の中間膜パターン７ａがエッチングストッパとして機能する。
【0069】
次に図８（Ｄ）、（Ｅ）の断面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａ、第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃをエッチングマスクにして、第１の中間膜パターン７ａを、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ及び半透過膜２に対して選択的にエッチングして、第２の中間膜パターン７ｂ及び第３の中間膜パターン７ｃを形成する。この工程において第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ及び半透過膜２はエッチングされない。
なお、遮光膜３及び中間膜７のエッチングは、等方エッチングである公知のウェットエッチングを好適に採用できる。
なお、遮光膜３及び中間膜７のエッチングは、等方エッチングである公知のウェットエッチングを好適に採用できる。
【0070】
図８（Ｄ）に示すように、第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃの端部は、第２のフォトレジストパターン５ａの端部より後退している。そのため、実質的に第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃがエッチングマスクとなり、遮光膜３と中間膜７の端部を揃えることができる。
さらに、ブリッジ領域５３ａの拡張幅ｄの領域の下部には、中間膜７を覆う遮光膜３が存在しないため、図８（Ｅ）に示すように、この領域の下部に存在する中間膜７も同様に除去される。
さらに、ブリッジ領域５３ａの拡張幅ｄの領域の下部には、中間膜７を覆う遮光膜３が存在しないため、図８（Ｅ）に示すように、この領域の下部に存在する中間膜７も同様に除去される。
【0071】
次に図９（Ａ）、（Ｂ）の断面図に示すように、第２のフォトレジストパターン５ａ、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ、第２の中間膜パターン７ｂ及び第３の中間膜パターン７ｃをエッチングマスクにして、半透過膜２を選択的にエッチングして、パターニングし、半透過膜パターン２ａを形成する。
半透過膜２を選択的にエッチングするため、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ、第２の中間膜パターン７ｂ及び第３の中間膜パターン７ｃはエッチングされないため、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ、第２の中間膜パターン７ｂ及び第３の中間膜パターン７ｃの側壁は後退しない。
図９（Ａ）に示すように、第３の遮光膜パターン３ｃ、第３の中間膜パターン７ｃ及び半透過膜パターン２ａの端面を面一にそろえることができる。
半透過膜２を選択的にエッチングするため、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ、第２の中間膜パターン７ｂ及び第３の中間膜パターン７ｃはエッチングされないため、第２の遮光膜パターン３ｂ、第３の遮光膜パターン３ｃ、第２の中間膜パターン７ｂ及び第３の中間膜パターン７ｃの側壁は後退しない。
図９（Ａ）に示すように、第３の遮光膜パターン３ｃ、第３の中間膜パターン７ｃ及び半透過膜パターン２ａの端面を面一にそろえることができる。
【0072】
次に図９（Ｃ）の断面図及び図９（Ｄ）の平面図に示すように第２のフォトレジストパターン５ａを除去する。
第２の遮光膜パターン３ｂ、第２の中間膜パターン７ｂ及び半透過膜パターン２ａの積層構造部が第１の孤立パターン６１ｂを構成し、第３の遮光膜パターン３ｃ、第３の中間膜パターン７ｃ及び半透過膜パターン２ａの積層構造部が第２の孤立パターン６２ｂを構成する。
半透過膜パターン２ａから構成されるブリッジパターン６３ｂは、第１の孤立パターン６１ｂの半透過膜パターン２ａ及び第２の孤立パターン６２ｂの半透過膜パターン２ａと同一の膜で構成され、半透過膜パターン２ａとのみ連続して形成されている。その結果、（図５（Ｃ）に示す構成と同様に）ブリッジパターン６３ｂは、第１の孤立パターン６１ｂと第２の孤立パターン６２ｂを電気的に接続する。
以上によりフォトマスク１００の隣接する孤立パターン間の静電破壊を防止するパターン形成が完成する。
なお、第１の孤立パターン６１ｂ、第２の孤立パターン６２ｂ及びブリッジパターン６３ｂは、上記第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａに相当する。
第２の遮光膜パターン３ｂ、第２の中間膜パターン７ｂ及び半透過膜パターン２ａの積層構造部が第１の孤立パターン６１ｂを構成し、第３の遮光膜パターン３ｃ、第３の中間膜パターン７ｃ及び半透過膜パターン２ａの積層構造部が第２の孤立パターン６２ｂを構成する。
半透過膜パターン２ａから構成されるブリッジパターン６３ｂは、第１の孤立パターン６１ｂの半透過膜パターン２ａ及び第２の孤立パターン６２ｂの半透過膜パターン２ａと同一の膜で構成され、半透過膜パターン２ａとのみ連続して形成されている。その結果、（図５（Ｃ）に示す構成と同様に）ブリッジパターン６３ｂは、第１の孤立パターン６１ｂと第２の孤立パターン６２ｂを電気的に接続する。
以上によりフォトマスク１００の隣接する孤立パターン間の静電破壊を防止するパターン形成が完成する。
なお、第１の孤立パターン６１ｂ、第２の孤立パターン６２ｂ及びブリッジパターン６３ｂは、上記第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａに相当する。
【0073】
以下、ハーフトンマスクを製造するため、フォトマスク１００にハーフトーン領域を形成する方法を説明する。
なお、位相シフトマスクを製造するため、フォトマスク１００に位相シフト領域を形成する場合も同様である。
なお、位相シフトマスクを製造するため、フォトマスク１００に位相シフト領域を形成する場合も同様である。
【0074】
図１０（Ａ）の断面図、図１０（Ｂ）の平面図に示すように、第３のフォトレジスト膜８を形成し、レーザ描画等による露光及び現像工程により、ハーフトーン領域９ａ（半透過領域９ａ）を開口する第３のフォトレジストパターン８ａを形成する。
【0075】
次に図１０（Ｃ）の断面図に示すように、第３のフォトレジストパターン８ａをエッチングマスクにして、第２の孤立パターン６２ｂの遮光膜３を選択的にエッチングする。
中間膜７がエッチングストッパとして機能し、下層の半透過膜２はエッチングされない。
また、遮光膜３のみをエッチングし、中間膜７及び半透過膜２をエッチングしないエッチャントを用いて、第２の孤立パターン６２ｂの遮光膜３を選択的にエッチングしてもよい。
中間膜７がエッチングストッパとして機能し、下層の半透過膜２はエッチングされない。
また、遮光膜３のみをエッチングし、中間膜７及び半透過膜２をエッチングしないエッチャントを用いて、第２の孤立パターン６２ｂの遮光膜３を選択的にエッチングしてもよい。
【0076】
次に図１１（Ａ）の断面図、図１１（Ｂ）の平面図に示すように第３のフォトレジストパターン８ａを除去する。
ハーフトーン領域９ａは、半透過膜２と中間膜７との積層により構成されている。
一方、ブリッジパターン６３ｂは半透過膜２のみにより構成されている。従って、ブリッジパターン６３ｂの透過率は、ハーフトーン領域９ａの透過率より高く設定できる。
すなわち、ハーフトーン領域９ａの光学特性は、フォトマスク１００がハーフトーンマスクとして機能するために必要な条件に設定しながら、ブリッジパターン６３ｂの透過率を選択的に高く設定することができる。そのため、必要な光学特性を有するハーフトーン領域９ａの形成を可能としながら、ブリッジパターン６３ｂの露光対象物への転写を効果的に防止できる。
なお、上記においては、ハーフトーン領域９ａを第２の孤立パターン６２ｂに隣接して形成する例を示したが、ハーフトーン領域９ａの配置箇所は任意である。
ハーフトーン領域９ａは、半透過膜２と中間膜７との積層により構成されている。
一方、ブリッジパターン６３ｂは半透過膜２のみにより構成されている。従って、ブリッジパターン６３ｂの透過率は、ハーフトーン領域９ａの透過率より高く設定できる。
すなわち、ハーフトーン領域９ａの光学特性は、フォトマスク１００がハーフトーンマスクとして機能するために必要な条件に設定しながら、ブリッジパターン６３ｂの透過率を選択的に高く設定することができる。そのため、必要な光学特性を有するハーフトーン領域９ａの形成を可能としながら、ブリッジパターン６３ｂの露光対象物への転写を効果的に防止できる。
なお、上記においては、ハーフトーン領域９ａを第２の孤立パターン６２ｂに隣接して形成する例を示したが、ハーフトーン領域９ａの配置箇所は任意である。
【0077】
例えば、第２の孤立パターン６２ｂ上の全ての遮光膜３を選択的に除去し、ハーフトーン領域としてもよい。この場合、第３のフォトレジストパターン８ａは図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す工程において、第２の孤立パターン６２ｂを開放する形状となる。図１０（Ｃ）に示すエッチング工程において、遮光膜３を、半透過膜２及び中間膜７に対して選択的にエッチングすることで、ブリッジパターン６３ｂはエッチングされない。
ブリッジパターン６３ｂは、隣接する遮光パターン（遮光領域）とハーフトーンパターン（ハーフトーン領域）とを接続することができる。同様に、ブリッジパターン６３ｂは、隣接するハーフトーンパターン間（半透過領域間）を接続することもできる。
ブリッジパターン６３ｂは、隣接する遮光パターン（遮光領域）とハーフトーンパターン（ハーフトーン領域）とを接続することができる。同様に、ブリッジパターン６３ｂは、隣接するハーフトーンパターン間（半透過領域間）を接続することもできる。
【0078】
なお、ハーフトーン領域の形成について説明したが、位相シフト領域を形成する場合も同様である。中間膜７と半透過膜２との積層の光学特性を、形成する領域に合わせて適宜設定すればよい。ハーフトーン領域及び位相シフト領域に必要な光学特性の具体的な例は、既述の通りである。
【0079】
なお、図７（Ｃ）の断面図に示す工程の後に、さらに開口部ＯＰに露出した半透過膜２を部分的にエッチングし、半透過膜２の膜厚を減少させてもよい。開口部ＯＰの半透過膜２の透過率を増大させ、ブリッジパターン６３ｂの透過率をさらに増大させることができる。
【0080】
【0081】
図１２（Ａ）の断面図に示すように、透過性基板１上に遮光膜３を形成し、遮光膜３上に被覆膜１１を形成する。
なお、透過性基板１上に予め遮光膜３が形成されたフォトマスクブランクスを準備し、遮光膜３上に被覆膜１１を積層してもよい。
遮光膜３の光学特性等は上記の通りである。
なお、透過性基板１上に予め遮光膜３が形成されたフォトマスクブランクスを準備し、遮光膜３上に被覆膜１１を積層してもよい。
遮光膜３の光学特性等は上記の通りである。
【0082】
遮光膜３上に形成される被覆膜１１として、例えば、金属化合物、金属シリサイド化合物、金属窒化物等の材料からなる膜を採用し、蒸着法やスパッタ法等により遮光膜３上に成膜することができる。
被覆膜１１は、遮光膜３及び半透過膜２とエッチング特性が異なる材料から構成され、エッチングストッパ膜として機能することができる。なお、遮光膜３と半透過膜２とは、異なるエッチング特性を有する膜から構成されてもよく、同一のエッチング特性を有する膜から構成されてもよい。
被覆膜１１は、遮光膜３及び半透過膜２とエッチング特性が異なる材料から構成され、エッチングストッパ膜として機能することができる。なお、遮光膜３と半透過膜２とは、異なるエッチング特性を有する膜から構成されてもよく、同一のエッチング特性を有する膜から構成されてもよい。
【0083】
次に、図１２（Ｂ）の断面図に示すように、被覆膜１１上に第４のフォトレジスト膜１２を形成し、レーザ描画等による露光及び現像工程によりパターニングし、第４のフォトレジストパターン１２ａ、１２ｂ（遮光領域エッチングマスク）を形成する。第４のフォトレジストパターン１２ａ、１２ｂは、遮光領域のエッチングマスクとして機能し、それぞれ第１の孤立パターン６１ａと第２の孤立パターン６２ａの形状を画定（決定）する。
【0084】
次に、図１２（Ｃ）の断面図に示すように、第４のフォトレジストパターン１２ａ、１２ｂをマスクに、被覆膜１１を、遮光膜３に対して選択的にエッチングして遮光膜３の表面を露出し、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂを形成する。
その後、第４のフォトレジストパターン１２ａ、１２ｂをマスクに、露出した遮光膜３を、被覆膜１１に対して選択的にエッチングして透過性基板１の表面を露出し、遮光膜パターン３ｄ（第１の孤立遮光膜パターン３ｄ）、及び遮光膜パターン３ｅ（第２の孤立遮光膜パターン３ｅ）を形成する。遮光膜パターン３ｄ、及び遮光膜パターン３ｅは、それぞれ上記第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃに対応する。
その後、第４のフォトレジストパターン１２ａ、１２ｂをマスクに、露出した遮光膜３を、被覆膜１１に対して選択的にエッチングして透過性基板１の表面を露出し、遮光膜パターン３ｄ（第１の孤立遮光膜パターン３ｄ）、及び遮光膜パターン３ｅ（第２の孤立遮光膜パターン３ｅ）を形成する。遮光膜パターン３ｄ、及び遮光膜パターン３ｅは、それぞれ上記第２の遮光膜パターン３ｂ及び第３の遮光膜パターン３ｃに対応する。
【0085】
次に、図１２（Ｄ）の断面図及び図１２（Ｅ）の平面図に示すように、アッシッング等により第４のフォトレジストパターン１２ａ、１２ｂを除去する。
図１２（Ｅ）に示すように、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂは、それぞれ、後述する第１の孤立パターン６１ｃと第２の孤立パターン６２ｃに対応するパターン形状を有する。
図１２（Ｅ）に示すように、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂは、それぞれ、後述する第１の孤立パターン６１ｃと第２の孤立パターン６２ｃに対応するパターン形状を有する。
【0086】
次に、図１３（Ａ）の断面図に示すように、半透過膜２をスパッタ法や蒸着法等により成膜する。半透過膜２は、露出した透過性基板１の表面及び被覆膜パターン１１ａ、１１ｂの表面に形成される。半透過膜２の光学特性等は上記の通りである。
【0087】
次に、図１３（Ｂ）の断面図及び図１３（Ｃ）の平面図に示すように、第５のフォトレジスト１３を塗布法等により形成し、レーザ描画等による露光及び現像工程によりパターニングし、第５のフォトレジストパターン１３ａ（半透過領域エッチングマスク）を形成する。第５のフォトレジストパターン１３ａは、後述するブリッジパターン６３ｃの形状を決定し、半透過領域エッチングマスクとして機能する。
第５のフォトレジストパターン１３ａの幅ｗは、ブリッジパターン６３ｃの幅に対応し、好適にはリソグラフィー工程の露光光に対して解像限界以下に設定される。
また、第５のフォトレジストパターン１３ａの端部は、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂと重なるオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄを有する。オーバーラップ部１３ｃ、１３ｄは長さｄを有する。
従って、第５のフォトレジストパターン１３ａは、ブリッジパターン６３ｃの形状を規定する中央部１３ｂと、その両端に位置するオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄを有する。
第５のフォトレジストパターン１３ａの幅ｗは、ブリッジパターン６３ｃの幅に対応し、好適にはリソグラフィー工程の露光光に対して解像限界以下に設定される。
また、第５のフォトレジストパターン１３ａの端部は、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂと重なるオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄを有する。オーバーラップ部１３ｃ、１３ｄは長さｄを有する。
従って、第５のフォトレジストパターン１３ａは、ブリッジパターン６３ｃの形状を規定する中央部１３ｂと、その両端に位置するオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄを有する。
【0088】
なお、長さｄは第５のフォトレジストパターン１３ａを描画する描画装置のアライメント誤差の値（又はアライメント誤差の値以上）に設定される。また、後述するオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部の被覆膜１１のエッチング（サイドエッチング）により、被覆膜１１が除去可能な長さに設定する。一般にアライメント誤差の値は、描画するパターンサイズ（例えば、非限定的に、１μｍ以上）より十分小さいため（非限定的に解像限界の数分の１以下、例えばクォーターミクロン程度以下）、長さｄをアライメント誤差の値に設定することで、オーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部の被覆膜１１は十分除去可能である。
【0089】
次に、図１４（Ａ）の断面図に示されるように、第５のフォトレジストパターン１３ａをマスクに半透過膜２を、被覆膜１１に対して選択的にエッチングしてパターニングする。
半透過膜２からなるパターンは、ブリッジパターンに対応する半透過膜ブリッジ部２ａと、第５のフォトレジストパターン１３ａのオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部に存在する半透過膜２ｂ、２ｃ（半透過膜オーバラップ部２ｂ、２ｃ）を有する。
その後、第５のフォトレジストパターン１３ａをマスクに、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂを、半透過膜２及び遮光膜３に対して選択的にエッチングする。その結果、遮光膜３の表面が露出する。
半透過膜２からなるパターンは、ブリッジパターンに対応する半透過膜ブリッジ部２ａと、第５のフォトレジストパターン１３ａのオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部に存在する半透過膜２ｂ、２ｃ（半透過膜オーバラップ部２ｂ、２ｃ）を有する。
その後、第５のフォトレジストパターン１３ａをマスクに、被覆膜パターン１１ａ、１１ｂを、半透過膜２及び遮光膜３に対して選択的にエッチングする。その結果、遮光膜３の表面が露出する。
【0090】
被覆膜１１の一部（被覆膜オーバーラップ部１１ｃ、１１ｄ）は、第５のフォトレジストパターン１３ａのオーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部に残る。
図１４（Ａ）に示すように、オーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部には、半透過膜オーバーラップ部２ｂ、２ｃ及び被覆膜オーバーラップ部１１ｃ、１１ｄが残置し、半透過膜オーバーラップ部２ｂ、２ｃは被覆膜オーバーラップ部１１ｃ、１１ｄ上に存在する。
図１４（Ａ）に示すように、オーバーラップ部１３ｃ、１３ｄの下部には、半透過膜オーバーラップ部２ｂ、２ｃ及び被覆膜オーバーラップ部１１ｃ、１１ｄが残置し、半透過膜オーバーラップ部２ｂ、２ｃは被覆膜オーバーラップ部１１ｃ、１１ｄ上に存在する。
【0091】
次に、図１４（Ｂ）の断面図に示されるように、被覆膜オーバーラップ部１１ｃ、１１ｄを選択的にエッチング（サイドエッチング）し、除去する。半透過膜オーバーラップ部２ｂ、２ｃはリフトオフにより除去される。その結果、遮光膜パターン３ａ、３ｂ上には半透過膜２は存在しなくなる。半透過膜パターン２ａは、両端が遮光膜パターン３ａ、３ｂに挟まれた状態となる。
この工程においては、半透過膜２はエッチングされないため、オーバーラップ部以外の半透過膜２から構成されるパターンのサイズに影響（変化）はない。
この工程においては、半透過膜２はエッチングされないため、オーバーラップ部以外の半透過膜２から構成されるパターンのサイズに影響（変化）はない。
【0092】
次に、図１４（Ｃ）の断面図及び図１４（Ｄ）の平面図に示されるように、第５のフォトレジストパターン１３ａを除去する。
遮光膜パターン３ｄ及び遮光膜パターン３ｅは、それぞれ第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃを構成し、半透過膜ブリッジ部２ａはブリッジパターン６３ｃを構成する。第１の孤立パターン６１ｃ、第２の孤立パターン６２ｃはブリッジパターン６３ｃにより電気的に接続されている。
遮光膜パターン３ｄ及び遮光膜パターン３ｅは、それぞれ第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃを構成し、半透過膜ブリッジ部２ａはブリッジパターン６３ｃを構成する。第１の孤立パターン６１ｃ、第２の孤立パターン６２ｃはブリッジパターン６３ｃにより電気的に接続されている。
【0093】
第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃは遮光膜３から構成され、ブリッジパターン６３ｃは半透過膜２から構成され、互いに異なる材料から構成されているが、第１の孤立パターン６１ｃ、第２の孤立パターン６２ｃ及びブリッジパターン６３ｃは同一レイヤー（同一層）に配置されている。ブリッジパターン６３ｃの両端部は、第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃの壁面に接触する。
すなわち、ブリッジパターン６３ｃの一端側の壁面は、第１の孤立パターン６１ｃの壁面と接し、ブリッジパターン６３ｃの他端側の壁面は第２の孤立パターン６２ｃの壁面と接触する。ブリッジパターン６３ｃを構成する半透過膜２は、第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃの表面に乗り上げることはない。
なお、図１４はブリッジパターン６３ｃを構成する半透過膜２の膜厚と第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃを構成する遮光膜３の膜厚が等しい例を示すが、それに限定するものではない。好適には、半透過膜２の膜厚は遮光膜３の膜厚より小さい。
すなわち、ブリッジパターン６３ｃの一端側の壁面は、第１の孤立パターン６１ｃの壁面と接し、ブリッジパターン６３ｃの他端側の壁面は第２の孤立パターン６２ｃの壁面と接触する。ブリッジパターン６３ｃを構成する半透過膜２は、第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃの表面に乗り上げることはない。
なお、図１４はブリッジパターン６３ｃを構成する半透過膜２の膜厚と第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃを構成する遮光膜３の膜厚が等しい例を示すが、それに限定するものではない。好適には、半透過膜２の膜厚は遮光膜３の膜厚より小さい。
【0094】
なお、第１の孤立パターン６１ｃ、第２の孤立パターン６２ｃ及びブリッジパターン６３ｃは、それぞれ上記第１の孤立パターン６１ａ、第２の孤立パターン６２ａ及びブリッジパターン６３ａに相当する。
【0095】
なお、ハーフトーンマスクや位相シフトマスク等を製造するため、必要に応じてフォトマスク１００上に半透過膜２から構成される半透過領域を形成してもよい。
以下、半透過領域を形成する工程について説明する。
以下、半透過領域を形成する工程について説明する。
【0096】
図１３（Ｂ）に示す工程において、例えば、図１５（Ａ）の断面図及び図１５（Ｂ）の平面図に示すように、半透過領域を形成する所定の領域に、第５のフォトレジストパターン１３ｅを形成する。
なお、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示す例においては、第２の孤立パターン６２ｃに接するような半透過領域を形成する例を示す。第５のフォトレジストパターン１３ｅは、被覆膜パターン１１ａ上に、長さｄのオーバーラップ部１３ｆを有する。
なお、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示す例に限定されず、第２の孤立パターン６２ｃと離隔して、第５のフォトレジストパターン１３ｅを形成してもよい。この場合、オーバーラップ部１３ｆは存在しない。
なお、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示す例においては、第２の孤立パターン６２ｃに接するような半透過領域を形成する例を示す。第５のフォトレジストパターン１３ｅは、被覆膜パターン１１ａ上に、長さｄのオーバーラップ部１３ｆを有する。
なお、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示す例に限定されず、第２の孤立パターン６２ｃと離隔して、第５のフォトレジストパターン１３ｅを形成してもよい。この場合、オーバーラップ部１３ｆは存在しない。
【0097】
その後、図１４（Ａ）に示す工程と同様に、図１５（Ｃ）の断面図に示すように、第５のフォトレジストパターン１３ｅをエッチングマスクにして、半透過膜２及び被覆膜パターン１１ａ、１１ｂを、遮光膜３に対して選択的にエッチングしてパターニングする。
半透過膜２がパターニングされ、半透過膜パターン２ｄが形成される。また、オーバーラップ部１３ｆの下部には、半透過膜オーバーラップ部２ｅ及び被覆膜オーバーラップ部１１ｅが残置する。
半透過膜２がパターニングされ、半透過膜パターン２ｄが形成される。また、オーバーラップ部１３ｆの下部には、半透過膜オーバーラップ部２ｅ及び被覆膜オーバーラップ部１１ｅが残置する。
【0098】
【0099】
その後、図１４（Ｃ）に示す工程と同様に、図１６（Ｂ）の断面図、図１６（Ｃ）の平面図に示すように、第５のフォトレジストパターン１３ａ、１３ｅを除去する。
半透過膜パターン２ｄは、半透過領域９ｃを構成し、半透過膜パターン２ａはブリッジパターン６３ｃを構成する。
なお、半透過領域９ｃは半透過領域９ａ（ハーフトーン領域９ａ）に対応する。
半透過膜パターン２ｄは、半透過領域９ｃを構成し、半透過膜パターン２ａはブリッジパターン６３ｃを構成する。
なお、半透過領域９ｃは半透過領域９ａ（ハーフトーン領域９ａ）に対応する。
【0100】
なお、ブリッジパターン６３ｃは、遮光領域である第１の孤立パターン６１ｃと第２の孤立パターン６２ｃとの間を接続する例について説明したが、これに限定するものではなく、遮光領域と半透過領域との間、半透過領域と半透過領域との間を、ブリッジパターンにより電気的に接続するよう構成されてもよい。
【0101】
【0102】
図１（Ａ）に示す工程と同様に、図１７（Ａ）の断面図に示すように、透過性基板１上に半透過性を有する半透過膜２を形成し、半透過膜２上に遮光性を有する遮光膜３を形成する。半透過膜２と遮光膜３とは異なるエッチング特性を有する。
半透過膜２と遮光膜３の光学特性は上記の通りである。
半透過膜２と遮光膜３の光学特性は上記の通りである。
【0103】
次に図１７（Ｂ）の断面図、図１７（Ｃ）の平面図に示すように第６のフォトレジスト１４を遮光膜３上に形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングして、第６のフォトレジストパターン１４ａを形成する。
第６のフォトレジストパターン１４ａは、第１の孤立パターン領域５１ｂ、第２の孤立パターン領域５２ｂ、及びブリッジ領域５３ｂを有している。
なお、第１の孤立パターン領域５１ｂ、第２の孤立パターン領域５２ｂ、及びブリッジ領域５３ｂは、それぞれ、上記の第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ、及びブリッジ領域５３ａに対応する。
第６のフォトレジストパターン１４ａのブリッジ領域５３ｂの幅ｗは、ブリッジパターンの幅を決定し、リソグラフィー工程の露光光に対する解像限界以下の幅に設定することができる。
第６のフォトレジストパターン１４ａは、第１の孤立パターン領域５１ｂ、第２の孤立パターン領域５２ｂ、及びブリッジ領域５３ｂを有している。
なお、第１の孤立パターン領域５１ｂ、第２の孤立パターン領域５２ｂ、及びブリッジ領域５３ｂは、それぞれ、上記の第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ、及びブリッジ領域５３ａに対応する。
第６のフォトレジストパターン１４ａのブリッジ領域５３ｂの幅ｗは、ブリッジパターンの幅を決定し、リソグラフィー工程の露光光に対する解像限界以下の幅に設定することができる。
【0104】
次に図１８（Ａ）の断面図に示すように、第６のフォトレジストパターン１４ａをエッチングマスクにして、半透過膜２に対して選択的に遮光膜３をエッチングして、遮光膜パターン３ｆを形成する。
その後、図１８（Ｂ）の断面図及び図１８（Ｃ）の平面図に示すように、遮光膜３に対して選択的に半透過膜２をエッチングし、半透過膜パターン２ｆを形成する。
その後、図１８（Ｂ）の断面図及び図１８（Ｃ）の平面図に示すように、遮光膜３に対して選択的に半透過膜２をエッチングし、半透過膜パターン２ｆを形成する。
【0105】
次に図１９（Ａ）の断面図、図１９（Ｂ）の平面図に示すように、遮光膜パターン３ｆをサイドエッチングし、ブリッジ領域５３ｂの遮光膜パターン３ｆを除去する。その結果、ブリッジ領域５３ｂにおいては、半透過膜パターン２ｆのみが残る。
遮光膜パターン３ｆは両側からエッチングされる。遮光膜パターン３ｆのサイドエッチング量をＳｄとすると、Ｓｄがブリッジ領域５３ｂの遮光膜パターン３ｆの幅ｗの半分以上（Ｓｄ≧ｗ／２）であれば、ブリッジ領域５３ｂの遮光膜パターン３ｆは除去される。好適には、遮光膜パターン３ｆのサイドエッチング量Ｓｄは遮光膜パターン３ｆの幅ｗの半分に設定される。
遮光膜パターン３ｆは両側からエッチングされる。遮光膜パターン３ｆのサイドエッチング量をＳｄとすると、Ｓｄがブリッジ領域５３ｂの遮光膜パターン３ｆの幅ｗの半分以上（Ｓｄ≧ｗ／２）であれば、ブリッジ領域５３ｂの遮光膜パターン３ｆは除去される。好適には、遮光膜パターン３ｆのサイドエッチング量Ｓｄは遮光膜パターン３ｆの幅ｗの半分に設定される。
【0106】
次に、図１９（Ｃ）の平面図、図１９（Ｄ）の断面図に示すように、第６のフォトレジストパターン１４ａをアッシング等により除去する。
サイドエッチングにより、遮光膜パターン３ｆは、第１の孤立パターン６１ａを構成する遮光膜パターン３ｇと、第２の孤立パターン６２ａを構成する遮光膜パターン３ｈとに分割される。
また、遮光膜パターン３ｇの側壁面及び遮光膜パターン３ｈの側壁面は、遮光膜パターン３ｆの側壁面から距離Ｓｄ後退する。
サイドエッチングにより、遮光膜パターン３ｆは、第１の孤立パターン６１ａを構成する遮光膜パターン３ｇと、第２の孤立パターン６２ａを構成する遮光膜パターン３ｈとに分割される。
また、遮光膜パターン３ｇの側壁面及び遮光膜パターン３ｈの側壁面は、遮光膜パターン３ｆの側壁面から距離Ｓｄ後退する。
【0107】
第１の孤立パターン６１ａは遮光膜パターン３ｇと半透過膜パターン２ｆとの積層構造からなり、第２の孤立パターン６２ａは遮光膜パターン３ｈ半透過膜パターン２ｆとの積層構造からなる。第１の孤立パターン６１ａと第２の孤立パターン６２ａとの間に位置する半透過膜パターン２ｆがブリッジパターン６３ａを構成する。
【0108】
なお、遮光膜パターン３ｇ及び遮光膜パターン３ｈの周囲には半透過膜パターン２ｆが設けられている。そのため、ブリッジパターン６３ａと第１の孤立パターン６１ａ（又は第２の孤立パターン６２ａ）との接触部が広がり、接触部での電流の集中を防止することができる。例えば、特殊な大面積の孤立パターン間において、ブリッジパターン６３ａと孤立パターンの境界に異常な大電流が集中することにより、境界部分のブリッジパターン６３ａ（又は孤立パターン）が破壊されるリスクを防止又は軽減できる。
【0109】
（実施形態５）
以下、本発明の実施形態５について説明する。
図２０、２１、２２、２３は、実施形態５によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。図２４、２５、２６、２７は、実施形態５の変形例によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。
以下、本発明の実施形態５について説明する。
図２０、２１、２２、２３は、実施形態５によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。図２４、２５、２６、２７は、実施形態５の変形例によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。
【0110】
図１２（Ａ）に示す工程と同様に、図２０（Ａ）の断面図に示すように、透過性基板１上に、遮光性を有する遮光膜３を形成し、遮光膜３上に被覆膜１１を形成する。
遮光膜３の光学特性、エッチング特性等は上記の通りである。
被覆膜１１のエッチング特性等は上記の通りである。被覆膜１１は、エッチングストッパ膜として機能することができる。
遮光膜３の光学特性、エッチング特性等は上記の通りである。
被覆膜１１のエッチング特性等は上記の通りである。被覆膜１１は、エッチングストッパ膜として機能することができる。
【0111】
次に図２０（Ｂ）の断面図、図２０（Ｃ）の平面図に示すように第７のフォトレジスト１５を被覆膜１１上に形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングして、第７のフォトレジストパターン１５ａを形成する。
第７のフォトレジストパターン１５ａは、第１の孤立パターン領域５１ｃ、第２の孤立パターン領域５２ｃ、及びブリッジ領域５３ｃを有している。
なお、第１の孤立パターン領域５１ｃ、第２の孤立パターン領域５２ｃ、及びブリッジ領域５３ｃは、それぞれ上記の第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ、及びブリッジ領域５３ａに対応する。
なお、図２０（Ｂ）は、図２０（Ｃ）のブリッジ領域５３ｃすなわち、Ｂ－Ｂ線での断面図である。
第７のフォトレジストパターン１５ａは、第１の孤立パターン領域５１ｃ、第２の孤立パターン領域５２ｃ、及びブリッジ領域５３ｃを有している。
なお、第１の孤立パターン領域５１ｃ、第２の孤立パターン領域５２ｃ、及びブリッジ領域５３ｃは、それぞれ上記の第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ、及びブリッジ領域５３ａに対応する。
なお、図２０（Ｂ）は、図２０（Ｃ）のブリッジ領域５３ｃすなわち、Ｂ－Ｂ線での断面図である。
【0112】
第７のフォトレジストパターン１５ａのブリッジ領域５３ｃは、２つのライン部１５Ｌを有している。また、第７のフォトレジストパターン１５ａは、ライン部１５Ｌに挟まれたスペース部１５ｓを有している。スペース部１５ｓの両端は、第１の孤立パターン領域５１ｃ及び第２の孤立パターン領域５２ｃに挟まれている。その結果、スペース部１５ｓは開口部を構成する。
なお、スペース部１５ｓの長手方向の一端部は第１の孤立パターン領域５１ｃとライン部１５Ｌとの境界と面一となり、その他端部は第２の孤立パターン領域５２ｃとライン部１５Ｌとの境界と面一となるように構成されている。例えば、図２０（Ｃ）に示すように２つのライン部１５Ｌが長方形により構成されている場合、ライン部１５Ｌの長手方向の長さとスペース部１５ｓの長手方向の長さは等しくなる。
なお、スペース部１５ｓの長手方向の一端部は第１の孤立パターン領域５１ｃとライン部１５Ｌとの境界と面一となり、その他端部は第２の孤立パターン領域５２ｃとライン部１５Ｌとの境界と面一となるように構成されている。例えば、図２０（Ｃ）に示すように２つのライン部１５Ｌが長方形により構成されている場合、ライン部１５Ｌの長手方向の長さとスペース部１５ｓの長手方向の長さは等しくなる。
【0113】
スペース部１５ｓの幅ｗは、リソグラフィー工程の露光光の解像限界以下の値に設定される。また、ライン部５Ｌの幅ＷＬは、描画装置のアライメント誤差によって定まる値であり、アライメント誤差より大きい値であり、非限定的に、例えば、アライメント誤差の１．５倍、２倍の値（具体的には、例えば略０．５μｍ）に設定できる。一般に、描画装置のアライメント誤差は、描画装置により描画されるパターン幅より十分小さく、そのため、幅ＷＬはリソグラフィー工程の解像限界以下に設定することができる。
【0114】
次に図２０（Ｄ）の断面図に示すように、第７のフォトレジストパターン１５ａをエッチングマスクにして、被覆膜１１及び遮光膜３をエッチングし、被覆膜パターン１１ａ及び遮光膜パターン３ａにより構成される積層パターンを形成する。なお、被覆膜１１及び遮光膜３の両方をエッチング可能なエッチャントを使用してエッチングをしてもよいが、好適には被覆膜１１を、選択的にエッチングし、その後遮光膜３を選択的にエッチングしてもよい。選択エッチングにより、パターニングの精度が向上する。
【0115】
次に図２０（Ｅ）の断面図に示すように第７のフォトレジストパターン１５ａを除去する。
なお、図２０（Ｄ）、（Ｅ）は、図２０（Ｃ）のＢ－Ｂ線断面に相当し、ブリッジ領域５３ｃの断面図を示す。
ブリッジ領域５３ｃの被覆膜パターン１１ａ及び遮光膜パターン３ａは、それぞれ、互いに距離ｗ離隔し、幅ＷＬを有する被覆膜ラインパターン１１Ｌ及び遮光膜ラインパターン３Ｌから構成される。
なお、図２０（Ｄ）、（Ｅ）は、図２０（Ｃ）のＢ－Ｂ線断面に相当し、ブリッジ領域５３ｃの断面図を示す。
ブリッジ領域５３ｃの被覆膜パターン１１ａ及び遮光膜パターン３ａは、それぞれ、互いに距離ｗ離隔し、幅ＷＬを有する被覆膜ラインパターン１１Ｌ及び遮光膜ラインパターン３Ｌから構成される。
【0116】
図２１（Ａ）の平面図、図２１（Ｂ）の断面図に示すように、被覆膜パターン１１ａは、被覆膜ラインパターン１１Ｌと、第１の孤立パターン領域５１ｃ及び第２の孤立パターン領域５２ｃに対応して、それぞれ第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋを有する。
第７のフォトレジストパターン１５ａのスペース部１５ｓに対応して、被覆膜ラインパターン１１Ｌと遮光膜ラインパターン３Ｌとの間に開口部ＳＬ（スリット部ＳＬ）が形成される。開口部ＳＬにおいては透明基板１が露出し、開口部ＳＬの幅（又は、２つの遮光膜ラインパターン３Ｌ間の距離）はｗである。
開口部ＳＬの両端部の位置は、それぞれブリッジ領域５３ｃと第１の孤立パターン領域５１ｃ及び第２の孤立パターン領域５２ｃとの境界により決定される。
なお、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のＣ－Ｃ線断面である。
第７のフォトレジストパターン１５ａのスペース部１５ｓに対応して、被覆膜ラインパターン１１Ｌと遮光膜ラインパターン３Ｌとの間に開口部ＳＬ（スリット部ＳＬ）が形成される。開口部ＳＬにおいては透明基板１が露出し、開口部ＳＬの幅（又は、２つの遮光膜ラインパターン３Ｌ間の距離）はｗである。
開口部ＳＬの両端部の位置は、それぞれブリッジ領域５３ｃと第１の孤立パターン領域５１ｃ及び第２の孤立パターン領域５２ｃとの境界により決定される。
なお、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のＣ－Ｃ線断面である。
【0117】
図２１（Ｂ）に示すように、遮光膜パターン３ａは、被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋの下層に、それぞれ遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋを有する。
開口部ＳＬは、被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋに囲まれ、また、遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｂ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｃに囲まれている。
開口部ＳＬは、被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋに囲まれ、また、遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｂ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｃに囲まれている。
【0118】
次に図２１（Ｃ）の平面図、図２１（Ｄ）の断面図に示すように、半透過膜２を形成し、その後、第８のフォトレジスト１６を半透過膜２上に形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングして、第８のフォトレジストパターン１６ａを形成する。
半透過膜２の光学特性、エッチング特性等は上記の通りである。
なお、図２１（Ｄ）は図２１（Ｃ）の被覆膜ラインパターン１１Ｌ及び遮光膜ラインパターン３Ｌの領域における断面図である。
半透過膜２の光学特性、エッチング特性等は上記の通りである。
なお、図２１（Ｄ）は図２１（Ｃ）の被覆膜ラインパターン１１Ｌ及び遮光膜ラインパターン３Ｌの領域における断面図である。
【0119】
第８のフォトレジストパターン１６ａは、開口部ＳＬを覆う。第８のフォトレジストパターン１６ａの周縁は、開口部ＳＬの周縁より、被覆膜ラインパターン１１Ｌ（遮光膜ラインパターン３Ｌ）側に距離ｄ延長し、また、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ（第１の孤立遮光膜パターン３ｂ）及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋ（第２の孤立遮光膜パターン３ｃ）側に距離ｄ延長している。
第８のフォトレジストパターン１６ａは開口部ＳＬの上に位置する中央部１６ｃと、中央部１６ｃの周囲に設けられ、被覆膜パターン１１ａ上に位置する延長部１６ｅとを有する。延長部１６ｅの幅は距離ｄとなる。
距離ｄを、第８のフォトレジストパターン１６ａの描画装置のアライメント誤差に設定することで、アライメントずれが生じても、第８のフォトレジストパターン１６ａは開口部ＳＬを覆うことができる。
第８のフォトレジストパターン１６ａは開口部ＳＬの上に位置する中央部１６ｃと、中央部１６ｃの周囲に設けられ、被覆膜パターン１１ａ上に位置する延長部１６ｅとを有する。延長部１６ｅの幅は距離ｄとなる。
距離ｄを、第８のフォトレジストパターン１６ａの描画装置のアライメント誤差に設定することで、アライメントずれが生じても、第８のフォトレジストパターン１６ａは開口部ＳＬを覆うことができる。
【0120】
次に、図２２（Ａ）の平面図、図２２（Ｂ）の断面図に示すように、第８のフォトレジストパターン１６ａをエッチングマスクにして、半透過膜２を、被覆膜１１及び遮光膜３に対して選択的にエッチングし、パターニングし、被覆膜パターン１１ａを露出する。
図２２（Ｂ）の断面図に示すように、第８のフォトレジストパターン１６ａの中央部１６ｃの下部に半透過膜ブリッジパターン２ａが形成され、延長部１６ｅの下部に半透過膜残余部２ｒが形成される。半透過膜残余部２ｒは、被覆膜パターン１１ａ上に形成される。
図２２（Ｂ）の断面図に示すように、第８のフォトレジストパターン１６ａの中央部１６ｃの下部に半透過膜ブリッジパターン２ａが形成され、延長部１６ｅの下部に半透過膜残余部２ｒが形成される。半透過膜残余部２ｒは、被覆膜パターン１１ａ上に形成される。
【0121】
次に、図２２（Ｃ）の断面図、図２２（Ｄ）の平面図に示すように、被覆膜パターン１１ａを、半透過膜２及び遮光膜３に対して選択的にエッチングし、遮光膜パターン３ａを露出する。
被覆膜パターン１１ａ上の半透過膜残余部２ｒは除去され、中央部１６ｃに覆われた半透過膜ブリッジパターン２ａが透過性基板１上に残置する。
被覆膜パターン１１ａ上の半透過膜残余部２ｒは除去され、中央部１６ｃに覆われた半透過膜ブリッジパターン２ａが透過性基板１上に残置する。
【0122】
次に、図２３（Ａ）の平面図、図２３（Ｂ）の断面図に示すように、第８のフォトレジストパターン１６ａを除去する。
半透過膜ブリッジパターン２ａと、その両側に接して設けられた遮光膜ラインパターン３Ｌが、ブリッジパターンを構成する。
遮光膜ラインパターン３Ｌは、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋとを電気的に接続する。その結果、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋとの静電破壊を防止することができる。
半透過膜ブリッジパターン２ａと、その両側に接して設けられた遮光膜ラインパターン３Ｌが、ブリッジパターンを構成する。
遮光膜ラインパターン３Ｌは、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋとを電気的に接続する。その結果、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋとの静電破壊を防止することができる。
【0123】
遮光膜ラインパターン３Ｌの幅は解像限界以下に設定されているため、リソグラフィー工程において露光対象物に転写されない。
また、半透過膜ブリッジパターン２ａの幅も解像限界以下に設定されており、さらに高い透過率を有しているため、リソグラフィー工程において露光対象物に転写されない。
また、半透過膜ブリッジパターン２ａの幅も解像限界以下に設定されており、さらに高い透過率を有しているため、リソグラフィー工程において露光対象物に転写されない。
【0124】
なお、図２１（Ｃ）に示す工程において、第８のフォトレジストパターン１６ａに、さらに半透過領域を適宜設けてもよい。第８のフォトレジストパターン１６ａに設けられた半透過領域をエッチングマスクにして半透過膜２をパターニングして、半透過膜２からなる所望の形状の半透過領域をフォトマスク１００に形成することができる。
半透過領域を設けることにより、フォトマスク１００をハーフトーンマスクや位相シフトマスクとして構成することができる。
半透過領域を設けることにより、フォトマスク１００をハーフトーンマスクや位相シフトマスクとして構成することができる。
【0125】
なお、上記実施形態において、ブリッジパターンは、半透過膜ブリッジパターン２ａと、その両側に接して設けられた遮光膜ラインパターン３Ｌとから構成されるが、以下に説明するように、遮光膜ラインパターン３Ｌを除去し、半透過膜ブリッジパターン２ａのみから構成することも可能である。
以下、実施形態５の変形例について説明する。
図２４、２５、２６、２７は、実施形態５の変形例によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。
以下、実施形態５の変形例について説明する。
図２４、２５、２６、２７は、実施形態５の変形例によるフォトマスク１００の主要な製造工程を示す模式図である。
【0126】
図２４（Ａ）の平面図に示すように、図２０（Ｃ）に示す工程と同様に、第７のフォトレジストパターン１５ａ’を形成する。第７のフォトレジストパターン１５ａ’は、第１の孤立パターンに対応する領域５１ｃ（第１の孤立パターン領域５１ｃ）、第２の孤立パターンに対応する領域５２ｃ（第２の孤立パターン領域５２ｃ）、及びブリッジパターンに対応する領域５３ｃ（ブリッジ領域５３ｃ）を有している。
なお、第１の孤立パターン領域５１ｃ、第２の孤立パターン領域５２ｃ、及びブリッジ領域５３ｃは、それぞれ上記の第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ、及びブリッジ領域５３ａに対応する。
なお、第１の孤立パターン領域５１ｃ、第２の孤立パターン領域５２ｃ、及びブリッジ領域５３ｃは、それぞれ上記の第１の孤立パターン領域５１ａ、第２の孤立パターン領域５２ａ、及びブリッジ領域５３ａに対応する。
【0127】
第７のフォトレジストパターン１５ａ’のブリッジ領域５３ｃは、２つのライン部１５Ｌ’を有している。また、第７のフォトレジストパターン１５ａ’は、ライン部１５Ｌ’に挟まれたスペース部１５ｓ’を有し、スペース部１５ｓ’は開口部を構成する。
ライン部１５Ｌ’は上記ライン部１５Ｌに対応し、スペース部１５ｓ’は上記スペース部１５ｓに対応する。ライン部１５Ｌ’は幅ＷＬを有し、スペース部１５ｓ’は幅ｗを有する。
ライン部１５Ｌ’は上記ライン部１５Ｌに対応し、スペース部１５ｓ’は上記スペース部１５ｓに対応する。ライン部１５Ｌ’は幅ＷＬを有し、スペース部１５ｓ’は幅ｗを有する。
【0128】
ただし、スペース部１５ｓ’の両端は、上記スペース部１５ｓと異なり、第１の孤立パターン領域５１ｃ及び第２の孤立パターン領域５２ｃへ距離Ｄ’（延長距離Ｄ’）突出している。
後述するように、遮光膜ラインパターン３Ｌの除去工程において、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋの周縁部がサイドエッチングにより後退し、スペース部１５ｓ’の両端と面一となるように、距離Ｄ’が設定されている。具体的には、距離Ｄ’は遮光膜ラインパターン３Ｌの幅ＷＬ（又はＷＬ以上）に設定され、好適には幅ＷＬに等しくなるよう設定される。
後述するように、遮光膜ラインパターン３Ｌの除去工程において、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋの周縁部がサイドエッチングにより後退し、スペース部１５ｓ’の両端と面一となるように、距離Ｄ’が設定されている。具体的には、距離Ｄ’は遮光膜ラインパターン３Ｌの幅ＷＬ（又はＷＬ以上）に設定され、好適には幅ＷＬに等しくなるよう設定される。
【0129】
次に、図２４（Ｂ）の平面図、図２４（Ｃ）、図２４（Ｄ）の断面図に示すように、図２０（Ｄ）、図２０（Ｅ）、図２１（Ａ）に示す工程と同様に、第７のフォトレジストパターン１５ａ’をエッチングマスクにして、被覆膜１１及び遮光膜３をエッチングし、被覆膜パターン１１ａ及び遮光膜パターン３ａからなる積層パターンを形成し、その後第７のフォトレジストパターン１５ａ’を除去する。
図２４（Ｃ）は、図２４（Ｂ）のＣ－Ｃ線断面に相当し、図２４（Ｄ）、図２４（Ｂ）のＣ’－Ｃ’線断面に相当する。
図２４（Ｂ）に示すように、被覆膜パターン１１ａの２つの被覆膜ラインパターン１１Ｌは互いに距離ｗ離隔している。
図２４（Ｃ）は、図２４（Ｂ）のＣ－Ｃ線断面に相当し、図２４（Ｄ）、図２４（Ｂ）のＣ’－Ｃ’線断面に相当する。
図２４（Ｂ）に示すように、被覆膜パターン１１ａの２つの被覆膜ラインパターン１１Ｌは互いに距離ｗ離隔している。
【0130】
図２４（Ｃ）に示すように、被覆膜パターン１１ａは、被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋを有する。
遮光膜パターン３ａは、遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋを有する。遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋは、それぞれ被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋの下層に設けられている。
被覆膜パターン１１ａの２つの被覆膜ラインパターン１１Ｌと同様に、遮光膜パターン３ａの２つの遮光膜ラインパターン３Ｌは互いに距離ｗ離隔している。
２つの被覆膜ラインパターン１１Ｌ（及び遮光膜ラインパターン３Ｌ）に挟まれるように、開口部ＳＬ’（スリット部ＳＬ’）が形成されている。
遮光膜パターン３ａは、遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋを有する。遮光膜ラインパターン３Ｌ、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋは、それぞれ被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋの下層に設けられている。
被覆膜パターン１１ａの２つの被覆膜ラインパターン１１Ｌと同様に、遮光膜パターン３ａの２つの遮光膜ラインパターン３Ｌは互いに距離ｗ離隔している。
２つの被覆膜ラインパターン１１Ｌ（及び遮光膜ラインパターン３Ｌ）に挟まれるように、開口部ＳＬ’（スリット部ＳＬ’）が形成されている。
【0131】
図２４（Ｄ）に示す断面においては、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ（及び第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ）と第２の孤立遮光膜パターン３ｋ（及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋ）とが、開口部ＳＬ’により分離されている。
開口部ＳＬ’のｘ方向の長さは、遮光膜ラインパターン３Ｌ（被覆膜ラインパターン１１Ｌ）のｘ方向の長さより距離２Ｄ’長い。
開口部ＳＬ’のｘ方向の長さは、遮光膜ラインパターン３Ｌ（被覆膜ラインパターン１１Ｌ）のｘ方向の長さより距離２Ｄ’長い。
【0132】
次に、図２５（Ａ）の平面図、図２５（Ｂ）の断面図に示すように、図２１（Ｃ）に示す工程と同様に、半透過膜２を形成し、その後、第８のフォトレジスト１６’を半透過膜２上に形成し、レーザ描画等による露光及び現像によりパターニングして、第８のフォトレジストパターン１６ａ’を形成する。図２５（Ｂ）は、図２４（Ｄ）に示す断面に相当する。
第８のフォトレジストパターン１６ａ’は、開口部ＳＬ’を覆う。第８のフォトレジストパターン１６ａ’の周縁は、上記第８のフォトレジストパターン１６ａと同様に、開口部ＳＬ’の周縁より、距離ｄ外方に拡張されている。上記のように距離ｄを描画装置のアライメント誤差に設定することができる。
第８のフォトレジストパターン１６ａ’は、開口部ＳＬ’を覆う。第８のフォトレジストパターン１６ａ’の周縁は、上記第８のフォトレジストパターン１６ａと同様に、開口部ＳＬ’の周縁より、距離ｄ外方に拡張されている。上記のように距離ｄを描画装置のアライメント誤差に設定することができる。
【0133】
図２５（Ｂ）に示すように、第８のフォトレジストパターン１６ａ’は、開口部ＳＬ’の上に位置する中央部１６ｃ’と、中央部１６ｃ’の周囲に設けられ、被覆膜パターン１１ａ（被覆膜ラインパターン１１Ｌ、第１の孤立被覆膜パターン１１ｊ及び第２の孤立被覆膜パターン１１ｋ）の上方に位置する延長部１６ｅ’とを有する。
【0134】
次に、図２５（Ｃ）の平面図、図２５（Ｄ）の断面図に示すように、図２２（Ａ）、（Ｂ）に示す工程と同様に、第８のフォトレジストパターン１６ａ’をエッチングマスクにして、半透過膜２をエッチングしてパターニングし、被覆膜パターン１１ａを露出する。
なお、図２５（Ｃ）の点線は、開口部ＳＬ’に形成された半透過膜パターン２ａを示す。
なお、図２５（Ｃ）の点線は、開口部ＳＬ’に形成された半透過膜パターン２ａを示す。
【0135】
開口部ＳＬ’内には半透過膜パターン２ａが形成され、図２２（Ｂ）と同様に、延長部１６ｅ’の下部に半透過膜残余部２ｒが形成される。ただし、半透過膜２をさらにオーバーエッチングすることにより、半透過膜残余部２ｒを除去してもよい。
なお、図２５（Ｄ）は、図２５（Ｃ）のブリッジ領域の断面図であり、図２２（Ｂ）の断面図に対応する。
なお、図２５（Ｄ）は、図２５（Ｃ）のブリッジ領域の断面図であり、図２２（Ｂ）の断面図に対応する。
【0136】
次に、図２６（Ａ）の平面図、図２６（Ｂ）の断面図、図２６（Ｃ）の断面図に示すように、被覆膜パターン１１ａ及び第８のフォトレジストパターン１６ａ’をエッチングマスクにして、遮光膜パターン３ａを、半透過膜２及び被覆膜１１に対して選択的にエッチングし、幅ＷＬを有する遮光膜ラインパターン３Ｌを除去する。
このとき、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋの側壁がサイドエッチングされ、後退する。その結果、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋは、縮小され、それぞれ第１の孤立パターン３ｍと第２の孤立パターン３ｎとなる。
エッチング量を延長距離Ｄ’と等しくすることで、半透過膜パターン２ａの両端部２Ｅは、第１の孤立パターン３ｍと第２の孤立パターン３ｎの側壁面と面一になる。
なお、図２６（Ｂ）の断面は、図２５（Ｄ）の断面に対応する。図２６（Ｃ）は図２６（Ａ）のＣ’－Ｃ’線断面である。
このとき、第１の孤立遮光膜パターン３ｊと第２の孤立遮光膜パターン３ｋの側壁がサイドエッチングされ、後退する。その結果、第１の孤立遮光膜パターン３ｊ及び第２の孤立遮光膜パターン３ｋは、縮小され、それぞれ第１の孤立パターン３ｍと第２の孤立パターン３ｎとなる。
エッチング量を延長距離Ｄ’と等しくすることで、半透過膜パターン２ａの両端部２Ｅは、第１の孤立パターン３ｍと第２の孤立パターン３ｎの側壁面と面一になる。
なお、図２６（Ｂ）の断面は、図２５（Ｄ）の断面に対応する。図２６（Ｃ）は図２６（Ａ）のＣ’－Ｃ’線断面である。
【0137】
次に、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）の断面図及び図２７（Ｃ）の平面図に示すように、被覆膜パターン１１ａを、半透過膜２（半透過膜パターン２ａ）及び遮光膜３（第１の孤立パターン３ｍと第２の孤立パターン３ｎ）に対して選択的にエッチングする。半透過膜２から構成される半透過膜パターン２ａと、遮光膜３から構成される第１の孤立パターン３ｍ及び第２の孤立パターン３ｎはエッチングされない。
一方、被覆膜ラインパターン１１Ｌを除去することにより、その上部に形成された半透過膜残余部２ｒは除去される。
一方、被覆膜ラインパターン１１Ｌを除去することにより、その上部に形成された半透過膜残余部２ｒは除去される。
【0138】
次に、図２７（Ｄ）の平面図に示すように、第８のフォトレジストパターン１６ａ’を除去する。半透過膜パターン２ａ、第１の孤立パターン３ｍ及び第２の孤立パターン３ｎは、ブリッジパターン６３ｃ、第１の孤立パターン６１ｃ及び第２の孤立パターン６２ｃに対応する。
【0139】
半透過膜パターン２ａは、第１の孤立パターン３ｍと第２の孤立パターン３ｎとを電気的に接続するブリッジパターンを構成する。半透過膜パターン２ａの幅ｗはリソグラフィー工程の解像限界以下の値に設定されているため、露光対象物に転写されない。また、ブリッジパターンは半透過膜２から構成されているため、上記近接効果による孤立パターン近傍の形状異常の発生のリスクを防止又は軽減する効果もある。
【産業上の利用可能性】
【0140】
本発明にかかるフォトマスクの製造方法によれば、孤立パターン間の静電破壊を防止することができるフォトマスクを得ることができる。また、バイナリーマスクに限らず、ハーフトーンマスクや位相シフトマスクとの整合性も高く、産業上の利用可能性は高い。
【符号の説明】
【0141】
１００ フォトマスク
１０ フォトマスクブランクス
２０ フォトマスクブランクス
１ 透過性基板
２ 半透過膜
２ａ 半透過膜ブリッジ部
２ｂ、２ｃ、２ｅ 半透過膜オーバーラップ部
２ｄ、２ｆ 半透過膜パターン
２ｒ 半透過膜残余部
２Ｅ 端部
３ 遮光膜
３ａ 第１の遮光膜パターン
３ｂ 第２の遮光膜パターン（第１の孤立遮光膜パターン）
３ｃ 第３の遮光膜パターン（第２の孤立遮光膜パターン）
３ｄ、３ｊ、３ｍ 第１の孤立遮光膜パターン
３ｅ、３ｋ、３ｎ 第２の孤立遮光膜パターン
３ｆ、３ｇ、３ｈ 遮光膜パターン
３Ｌ 遮光膜ラインパターン
４ 第１のフォトレジスト膜
４ａ 第１のフォトレジストパターン（第１のエッチングマスクパターン）
４ｓ 開口部（開口パターン）
５ 第２のフォトレジスト膜
５ａ 第２のフォトレジストパターン（第２のエッチングマスクパターン）
５ｆ 充填部
５ｅ 延長部（カバー部）
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ 第１の孤立パターン領域
５２ａ、５２ｂ、５２ｃ 第２の孤立パターン領域
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ ブリッジ領域
６１ａ、６１ｂ、６１ｃ 第１の孤立パターン
６２ａ、６２ｂ、６２ｃ 第２の孤立パターン
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ ブリッジパターン
７ 中間膜
７ａ 第１の中間膜パターン
７ｂ 第２の中間膜パターン
７ｃ 第３の中間膜パターン
８ 第３のフォトレジスト膜
８ａ 第３のフォトレジストパターン
９ａ、９ｃ 半透過領域（ハーフトーン領域）
１１ 被覆膜
１１ａ、１１ｂ 被覆膜パターン
１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ 被覆膜オーバーラップ部
１１Ｌ 被覆膜ラインパターン
１１ｊ 第１の孤立被覆膜パターン
１１ｋ 第２の孤立被覆膜パターン
１２ 第４のフォトレジスト膜
１２ａ、１２ｂ 第４のフォトレジストパターン（遮光領域エッチングマスク）
１３ 第５のフォトレジスト
１３ａ、１３ｅ 第５のフォトレジストパターン（半透過領域エッチングマスク）
１３ｂ 中央部
１３ｃ、１３ｄ、１３ｆ オーバーラップ部
１４ 第６のフォトレジスト
１４ａ 第６のフォトレジストパターン
１５ 第７のフォトレジスト
１５ａ、１５ａ' 第７のフォトレジストパターン
１５Ｌ、１５Ｌ' ライン部
１５ｓ、１５ｓ' スペース部
１６、１６' 第８のフォトレジスト
１６ａ、１６ａ' 第８のフォトレジストパターン
１６ｃ、１６ｃ' 中央部
１６ｅ、１６ｅ' 延長部
ＯＰ 開口部
ｄ 拡張幅
Ｄ 突出距離
Ｄ' 延長距離
ＳＬ、ＳＬ' 開口部（スリット部）
ＳＴａ 積層パターン
１０ フォトマスクブランクス
２０ フォトマスクブランクス
１ 透過性基板
２ 半透過膜
２ａ 半透過膜ブリッジ部
２ｂ、２ｃ、２ｅ 半透過膜オーバーラップ部
２ｄ、２ｆ 半透過膜パターン
２ｒ 半透過膜残余部
２Ｅ 端部
３ 遮光膜
３ａ 第１の遮光膜パターン
３ｂ 第２の遮光膜パターン（第１の孤立遮光膜パターン）
３ｃ 第３の遮光膜パターン（第２の孤立遮光膜パターン）
３ｄ、３ｊ、３ｍ 第１の孤立遮光膜パターン
３ｅ、３ｋ、３ｎ 第２の孤立遮光膜パターン
３ｆ、３ｇ、３ｈ 遮光膜パターン
３Ｌ 遮光膜ラインパターン
４ 第１のフォトレジスト膜
４ａ 第１のフォトレジストパターン（第１のエッチングマスクパターン）
４ｓ 開口部（開口パターン）
５ 第２のフォトレジスト膜
５ａ 第２のフォトレジストパターン（第２のエッチングマスクパターン）
５ｆ 充填部
５ｅ 延長部（カバー部）
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ 第１の孤立パターン領域
５２ａ、５２ｂ、５２ｃ 第２の孤立パターン領域
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ ブリッジ領域
６１ａ、６１ｂ、６１ｃ 第１の孤立パターン
６２ａ、６２ｂ、６２ｃ 第２の孤立パターン
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ ブリッジパターン
７ 中間膜
７ａ 第１の中間膜パターン
７ｂ 第２の中間膜パターン
７ｃ 第３の中間膜パターン
８ 第３のフォトレジスト膜
８ａ 第３のフォトレジストパターン
９ａ、９ｃ 半透過領域（ハーフトーン領域）
１１ 被覆膜
１１ａ、１１ｂ 被覆膜パターン
１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ 被覆膜オーバーラップ部
１１Ｌ 被覆膜ラインパターン
１１ｊ 第１の孤立被覆膜パターン
１１ｋ 第２の孤立被覆膜パターン
１２ 第４のフォトレジスト膜
１２ａ、１２ｂ 第４のフォトレジストパターン（遮光領域エッチングマスク）
１３ 第５のフォトレジスト
１３ａ、１３ｅ 第５のフォトレジストパターン（半透過領域エッチングマスク）
１３ｂ 中央部
１３ｃ、１３ｄ、１３ｆ オーバーラップ部
１４ 第６のフォトレジスト
１４ａ 第６のフォトレジストパターン
１５ 第７のフォトレジスト
１５ａ、１５ａ' 第７のフォトレジストパターン
１５Ｌ、１５Ｌ' ライン部
１５ｓ、１５ｓ' スペース部
１６、１６' 第８のフォトレジスト
１６ａ、１６ａ' 第８のフォトレジストパターン
１６ｃ、１６ｃ' 中央部
１６ｅ、１６ｅ' 延長部
ＯＰ 開口部
ｄ 拡張幅
Ｄ 突出距離
Ｄ' 延長距離
ＳＬ、ＳＬ' 開口部（スリット部）
ＳＴａ 積層パターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】