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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134441
(43)【公開日】2024-10-03
(54)【発明の名称】メモリシステム及び不揮発性メモリを制御する方法
(51)【国際特許分類】
G06F 12/02 20060101AFI20240926BHJP
G06F 12/00 20060101ALI20240926BHJP
【ＦＩ】
G06F12/02 570A
G06F12/00 597U
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023044749
(22)【出願日】2023-03-20
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】朴 勇範
(72)【発明者】
【氏名】松川 伸一
【テーマコード（参考）】
5B160
【Ｆターム（参考）】
5B160AA08
5B160AA10
5B160AB26
(57)【要約】
【課題】メモリシステムの読み出し動作を高速化させること。
【解決手段】ホストと接続可能なメモリシステムであって、各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、を備え、前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一の設定情報を付与し、前記メモリコントローラは、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込む。
【選択図】図１０
【解決手段】ホストと接続可能なメモリシステムであって、各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、を備え、前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一の設定情報を付与し、前記メモリコントローラは、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込む。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ホストと接続可能であって、
各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、
各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、
を備え、
前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一の設定情報を付与し、
前記メモリコントローラは、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込む、
メモリシステム。
各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、
各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、
を備え、
前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一の設定情報を付与し、
前記メモリコントローラは、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込む、
メモリシステム。
【請求項2】
前記複数のデータは、少なくとも第１のデータ及び第２のデータを含み、
前記同一の設定情報は、第１のフラグを含み、
前記第１のフラグは、前記第２のデータが前記第１のデータに連続するデータであることを、前記第２のデータに付与する、
請求項１に記載のメモリシステム。
前記同一の設定情報は、第１のフラグを含み、
前記第１のフラグは、前記第２のデータが前記第１のデータに連続するデータであることを、前記第２のデータに付与する、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項3】
前記複数のデータは、第３のデータをさらに含み、
前記第１のフラグは、前記第３のデータが前記第２のデータに連続するデータであること、及び、前記第３のデータが最後のデータであることを、前記第３のデータに付与する、
請求項２に記載のメモリシステム。
前記第１のフラグは、前記第３のデータが前記第２のデータに連続するデータであること、及び、前記第３のデータが最後のデータであることを、前記第３のデータに付与する、
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項4】
前記メモリコントローラは、ガベージコレクションを実行したあと、前記連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込む処理を実行する、
請求項１に記載のメモリシステム。
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項5】
前記複数のデータは、少なくとも第１のデータ及び第２のデータを含み、
前記同一の設定情報は、第２のフラグを含み、
前記第２のフラグは、前記複数のデータが同一のグループに属することを示す設定情報を含み、
前記第２のフラグは、前記第２のデータが前記第１のデータに連続するデータであることを、前記第２のデータに付与する、
請求項１に記載のメモリシステム。
前記同一の設定情報は、第２のフラグを含み、
前記第２のフラグは、前記複数のデータが同一のグループに属することを示す設定情報を含み、
前記第２のフラグは、前記第２のデータが前記第１のデータに連続するデータであることを、前記第２のデータに付与する、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項6】
前記第２のフラグは、前記複数のデータを前記不揮発性メモリから読み出す順番を示す設定情報を含む、
請求項５に記載のメモリシステム。
請求項５に記載のメモリシステム。
【請求項7】
前記複数のデータは、少なくとも第１のデータ及び第２のデータを含み、
前記同一の設定情報は、前記第１のデータ及び前記第２のデータを連結することを示す動作コードと、前記第１のデータのスタートアドレスと、前記第２のデータのスタートアドレスと、を含む、
請求項１に記載のメモリシステム。
前記同一の設定情報は、前記第１のデータ及び前記第２のデータを連結することを示す動作コードと、前記第１のデータのスタートアドレスと、前記第２のデータのスタートアドレスと、を含む、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項8】
前記第１のデータのスタートアドレスは前記第２のデータのスタートアドレスより小さく、
前記不揮発性メモリは、前記第１のデータを前記第２のデータより先に格納し、前記第１のデータを前記第２のデータより先に読み出す、
請求項７に記載のメモリシステム。
前記不揮発性メモリは、前記第１のデータを前記第２のデータより先に格納し、前記第１のデータを前記第２のデータより先に読み出す、
請求項７に記載のメモリシステム。
【請求項9】
ホストと接続可能であって、
各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、
各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、を備え、
前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一のグループに属する設定情報を付与し、
前記メモリコントローラは、前記同一のグループに属する設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込み、前記書き込みのあとに、前記不揮発性メモリに格納されたファイルシステムを定期的に読み出し、前記ファイルシステムを解析し、前記ファイルシステムに含まれるタイムスタンプを取得する、
メモリシステム。
各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、
各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、を備え、
前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一のグループに属する設定情報を付与し、
前記メモリコントローラは、前記同一のグループに属する設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込み、前記書き込みのあとに、前記不揮発性メモリに格納されたファイルシステムを定期的に読み出し、前記ファイルシステムを解析し、前記ファイルシステムに含まれるタイムスタンプを取得する、
メモリシステム。
【請求項10】
前記メモリコントローラは、前記ファイルシステムに含まれるタイムスタンプが新規に記録された又は更新されたものであると判断した場合に、前記タイムスタンプに対応する時刻情報を不揮発性メモリに格納する、請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項11】
前記メモリコントローラは、前記時刻情報を読み出し、前記複数のデータのうち更新されたデータ、及び、更新されたデータが書き込まれたページを確認する、請求項１０に記載のメモリシステム。
【請求項12】
各々が複数のページを含む不揮発性メモリを制御する方法であって、前記方法は、
各々がホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込む書き込み動作を実行する、
ことを備え、
前記複数のライトコマンドの各々には同一の設定情報が付与されており、
前記書き込み動作は、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込むことを含む、
方法。
各々がホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込む書き込み動作を実行する、
ことを備え、
前記複数のライトコマンドの各々には同一の設定情報が付与されており、
前記書き込み動作は、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込むことを含む、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は不揮発性メモリを備えるメモリシステムに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、不揮発性メモリを備えるメモリシステムが広く普及している。このようなメモリシステムでは、不揮発性メモリとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリが使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許第１０１２０６０６号明細書
【特許文献2】米国特許出願公開第２０２１／０２４７９２０号明細書
【特許文献3】米国特許出願公開第２０１８／０１７３６２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、メモリシステムの読み出し動作を高速化させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本実施形態に係るメモリシステムは、ホストと接続可能なメモリシステムであって、前記メモリシステムは、各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、を備え、前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一の設定情報を付与し、前記メモリコントローラは、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込む。
【0006】
本実施形態に係るメモリシステムは、ホストと接続可能であって、各々が複数のページを含む不揮発性メモリと、各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込むメモリコントローラと、を備え、前記ホストは、前記複数のライトコマンドの各々に同一のグループに属する設定情報を付与し、前記メモリコントローラは、前記同一のグループに属する設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込み、前記書き込み動作のあとに、前記不揮発性メモリに格納されたファイルシステムを定期的に読み出し、前記ファイルシステムを解析し、前記ファイルシステムに含まれるタイムスタンプを取得する。
【0007】
本実施形態に係る不揮発性メモリを制御する方法は、各々が前記ホストから受信した複数のライトコマンドの各々で指定された複数のデータを前記不揮発性メモリに書き込む書き込み動作を実行すること、を備え、前記複数のライトコマンドの各々には同一の設定情報が付与されており、前記書き込み動作は、前記同一の設定情報に基づき、前記複数のデータを、前記複数のページのうち、連続する複数のアドレスに対応する複数のページに書き込むこと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係るメモリシステム及びホストの構成を示すブロック図である。
【図2】第１実施形態に係るアプリケーションファイルの構成を示す図である。
【図3A】第１実施形態に係る実データ部及びテーブル部の構成を示す図である。
【図3B】第１実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図3C】第１実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図3D】第１実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図4】第１実施形態に係るアプリケーションファイルの構成を示す図である。
【図5】第１実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図6】第１実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図7A】第１実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図7B】第１実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図7C】第１実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図8】第１実施形態に係るコマンドの構成を示す図である。
【図9A】第１実施形態に係るメモリシステムの動作シーケンスの一例を示す図である。
【図9B】第１実施形態に係るコマンドの設定の一例を示す図である。
【図10】第１実施形態に係るメモリシステムの動作方法を示すフローチャートである。
【図11】第２実施形態に係るコマンドの構成を示す図である。
【図12】第２実施形態に係るアプリケーションコード及びデータオーダーの設定の一例を示す図である。
【図13】第２実施形態に係るメモリシステムの動作方法を示すフローチャートである。
【図14】第２実施形態に係るメモリシステムの動作方法を示すフローチャートである。
【図15】第３実施形態に係るメモリシステム及びホストの機能ブロック図である。
【図16】第３実施形態に係るメモリシステムの動作方法を示すフローチャートである。
【図17A】第３実施形態に係るタイムスタンプテーブルの構成を示す図である。
【図17B】第３実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図17C】第３実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図17D】第３実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図17E】第３実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図17F】第３実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図17G】第３実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図18】第４実施形態に係るメモリシステム及びホストの機能ブロック図である。
【図19】第４実施形態に係るアプリケーションファイルの構成を示す図である。
【図20】第４実施形態に係るコマンドの構成を示す図である。
【図21】第４実施形態に係るメモリシステムの動作方法を示すフローチャートである。
【図22】第４実施形態に係るコマンドの設定の一例を示す図である。
【図23】第４実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図24】第４実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図25】第５実施形態に係るメモリシステム及びホストの機能ブロック図である。
【図26】第５実施形態に係るアプリケーションファイルの構成を示す図である。
【図27】第４実施形態に係るメモリシステムの動作方法を示すフローチャートである。
【図28A】第５実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図28B】第５実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図28C】第５実施形態に係る実データ部の構成を示す図である。
【図28D】第５実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【図29】第５実施形態に係るテーブル部の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、各実施形態のメモリシステムについて、図面を参照して説明する。以下の説明において、同一、又は類似する機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。共通する参照符号を有する複数の構成要素を区別する場合、当該共通する参照符号に添え字（、例えば、アルファベットの大文字、数字、ハイフンとアルファベットの大文字と数字など）を付して区別し、重複する説明が省略される場合がある。
【0010】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係るメモリシステム１について説明する。メモリシステム１は、不揮発性メモリ２０と、不揮発性メモリ２０を制御するメモリコントローラ１０と、を含む。不揮発性メモリ２０は、半導体記憶装置の一例であり、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。
第１実施形態に係るメモリシステム１について説明する。メモリシステム１は、不揮発性メモリ２０と、不揮発性メモリ２０を制御するメモリコントローラ１０と、を含む。不揮発性メモリ２０は、半導体記憶装置の一例であり、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。
【0011】
＜１－１．メモリシステム１の全体構成＞
図１～図３を参照し、メモリシステム１の全体構成を説明する。図１は、メモリシステム１の構成を説明するためのブロック図である。図２は、ホスト３０に設置されるアプリケーション３２により作成されるデータの構成を示す図である。換言すると、図２は、ホスト３０に設置されるアプリケーション３２を構成しているファイルを示す図である。図３Ａは、メモリ部２３に含まれる実データ部３００及びテーブル部４００の構成を示す図であり、図３Ｂは実データ部３００の構成を示す図であり、図３Ｃはテーブル部４００の構成を示す図である。
図１～図３を参照し、メモリシステム１の全体構成を説明する。図１は、メモリシステム１の構成を説明するためのブロック図である。図２は、ホスト３０に設置されるアプリケーション３２により作成されるデータの構成を示す図である。換言すると、図２は、ホスト３０に設置されるアプリケーション３２を構成しているファイルを示す図である。図３Ａは、メモリ部２３に含まれる実データ部３００及びテーブル部４００の構成を示す図であり、図３Ｂは実データ部３００の構成を示す図であり、図３Ｃはテーブル部４００の構成を示す図である。
【0012】
メモリシステム１の不揮発性メモリ２０は、複数のメモリセルを含む。メモリシステム１は、ホスト３０と接続可能である。図１のメモリシステム１はホスト３０と接続されている。
【0013】
メモリシステム１は、例えば、メモリコントローラ１０と不揮発性メモリ２０とが１つのパッケージとして構成されるＳＤＴＭカードのようなメモリカードであってよく、ＵＦＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅ）であってよく、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）であってもよい。
【0014】
ホスト３０は、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末などの電子機器である。ホスト３０は、例えば、プロセッサ及びメモリを備える。プロセッサは、メモリにロードされる様々なプログラムを実行するように構成されている。様々なプログラムは、例えば、オペレーティングシステム（Ｏｐｅｒａｔｉｇ Ｓｙｓｔｅｍ、ＯＳ）、ＯＳに実装されたファイルシステム及びアプリケーション（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）３２などを含む。アプリケーション３２により作成されるデータはアプリケーションファイルデータ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｆｉｌｅ Ｄａｔａ、ＡＦＤ）３２１を含む。ＡＦＤ３２１は複数のファイルデータを含む。ホスト３０のＯＳは、例えば、ＡＦＤの生成、保存、更新、削除等を管理する。アプリケーション３２は、例えば、ＯＳを介してメモリシステム１とデータ（実データ）のやり取りを行うように構成されている。データ（実データ）はファイルデータとして保存される。
【0015】
＜１－２．不揮発性メモリ２０の構成＞
不揮発性メモリ２０は、データを不揮発に記憶する不揮発性メモリである。不揮発性メモリ２０は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、単にＮＡＮＤメモリという）である。メモリシステム１では、不揮発性メモリ２０としてＮＡＮＤメモリが用いられた場合を例示するが、不揮発性メモリ２０として３次元構造フラッシュメモリ、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のＮＡＮＤメモリ以外の不揮発性メモリを用いることができる。メモリシステム１には、種々な記憶媒体を適用することができる。
不揮発性メモリ２０は、データを不揮発に記憶する不揮発性メモリである。不揮発性メモリ２０は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、単にＮＡＮＤメモリという）である。メモリシステム１では、不揮発性メモリ２０としてＮＡＮＤメモリが用いられた場合を例示するが、不揮発性メモリ２０として３次元構造フラッシュメモリ、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のＮＡＮＤメモリ以外の不揮発性メモリを用いることができる。メモリシステム１には、種々な記憶媒体を適用することができる。
【0016】
不揮発性メモリ２０には、ホスト３０から送信されるデータ（実データ）、メモリシステム１の管理情報、及びファームウェアなどが格納される。データは、例えば、ＡＦＤ３２１である。詳細は後述されるが、管理情報は、アプリケーションＩＤ、タイムスタンプ、アドレス物理アドレス変換テーブルに含まれる論理アドレス、物理アドレス及びページ番号などを含む。また、管理情報は、後述されるタイムスタンプ、時刻、累積リード量及び累積ライト量を含んでよい。ファームウェアは、メモリコントローラ１０の機能の少なくとも一部を制御するプロセッサ１１を動作させる。ファームウェアの一部は、ＲＯＭ１０に格納されてもよい。
【0017】
不揮発性メモリ２０は、複数のメモリチップ２１を含む。メモリコントローラ１０は複数のメモリチップ２１の各々を制御する。具体的には、メモリコントローラ１０は、メモリチップ２１の各々に対してデータの書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作を実行する。複数のメモリチップ２１の各々は、ＮＡＮＤバスを介してメモリコントローラ１０に接続されている。
【0018】
各々のメモリチップ２１は、複数のダイ２２を含む。ダイ２２は、メモリセルが形成されたウェハ単位を意味する。複数のダイ２２が積層されることでメモリチップ２１が構成されている。
【0019】
各々のダイ２２には、複数のメモリ部２３が設けられている。メモリ部２３は複数のページで構成されている。メモリ部２３は、実データ部３００及びテーブル部４００を含む（図３Ａ）。
【0020】
実データ部３００は、複数のメモリブロックＭＢｘ（ＭＢ１、ＭＢ２、ＭＢ３、ＭＢ４、・・・）(図３Ａ、図３Ｂ)を含む。複数のメモリブロックＭＢは、ＡＦＤ３２１、ファームウェアなどを含む。メモリブロックＭＢはデータの消去単位である。メモリブロックＭＢに設けられた全てのメモリセルトランジスタは同じソース線に接続されている。メモリブロックＭＢの１つの単位を「物理ブロック」という場合がある。
【0021】
ＮＡＮＤメモリでは、一般に、「ページ」と呼ばれるデータ単位で書き込み動作及び読み出し動作が実行され、上記の物理ブロックのデータ単位で消去が実行される。メモリシステム１では、メモリ素子の最小単位であるメモリセルトランジスタを単に「メモリセル」という場合があり、物理ブロック中におけるメモリセルの位置を「物理アドレス」という場合がある。また、メモリシステム１では、「ページ」は書き込み動作における最小単位を意味する。同一のワード線に接続される複数のメモリセルを「メモリセルグループ」という。メモリセルがＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）である場合は、１つのメモリセルグループによって１ページが構成される。１つのメモリセルグループによって２ページが構成されるＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）、１つのメモリセルグループによって３ページが構成されるＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）、又は１つのメモリセルグループによって４ページが構成されるＱＬＣ（Ｑｕａｄ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）などの多ビットセルである場合、１つのメモリセルグループが複数ページに対応する。各メモリセルはワード線及びビット線の両方に接続される。したがって、ワード線を識別するアドレスとビット線を識別するアドレスとを用いて各メモリセルを識別することが可能である。
【0022】
テーブル部４００は、複数の論理アドレス物理アドレス変換テーブルを含む。論理アドレス物理アドレス変換テーブルには、ホスト３０から受信したデータの論理アドレスと、当該データが格納された不揮発性メモリ２０上の実データ部３００のページを示す物理アドレスとが対応付けられている。論理（Ｌｏｇｉｃａｌ）アドレス物理（Ｐｈｙｓｉｃａｌ）アドレス変換テーブルは、通称、Ｌ２Ｐテーブルといわれる。論理アドレス、物理アドレス及びページ番号などが管理情報である。
【0023】
＜１－３．メモリコントローラ１０の構成＞
メモリコントローラ１０は、例えば、ＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）として構成される半導体集積回路である。
メモリコントローラ１０は、例えば、ＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）として構成される半導体集積回路である。
【0024】
メモリコントローラ１０は、ホスト３０からの書き込み要求に従って不揮発性メモリ２０への書き込み動作を制御し、ホスト３０からの読み出し要求に従って不揮発性メモリ２０からの読み出し動作を制御し、ホスト３０からの消去要求に従って不揮発性メモリ２０への消去動作を制御する。メモリコントローラ１０は、ホストインターフェース（ホストＩ／Ｆ）１７、ＲＡＭ１２、ＲＯＭ１３、プロセッサ１１、ＥＣＣ１５、及びメモリＩ／Ｆ（メモリＩ／Ｆ）１８などの機能ブロックを備える。これらの機能ブロックは内部バス１９で相互に接続されている。
【0025】
ホストＩ／Ｆ１７は、ホスト３０から、書き込み要求、読み出し要求、又は消去要求を受信し、ホスト３０とホストＩ／Ｆ１７との間のインターフェース規格に従った処理を実行する。ホストＩ／Ｆ１７は、不揮発性メモリ２０から読み出されたデータをホスト３０へ送信し、プロセッサ１１からの応答などをホスト３０へ送信する。なお、書き込み要求は、例えば、ライトコマンドＷＣＭＤ、ライトアドレス、ライトデータ（例えば、ＡＦＤ３２１）を含む。読み出し要求は、例えば、リードコマンドＲＣＭＤ、リードアドレスを含む。消去要求は、例えば、イレースコマンドＥＲＣＭＤ、イレースアドレスを含む。
【0026】
インターフェース規格は、例えば、スモールコンピュータシステムインターフェース（ＳＣＳＩ）であってよく、シリアルＳＣＳＩ（ＳＡＳ）インターフェースであってもよい。また、インターフェース規格は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）、アドバンスドテクノロジーアタッチメント（ＡＴＡ）、シリアルＡＴＡなどの高速通信規格であってもよい。
【0027】
ＲＡＭ１２は、例えばデータバッファとして使用され、メモリコントローラ１０がホスト３０から受信したデータを不揮発性メモリ２０へ格納させるまでに一時的に保持する。ＲＡＭ１２は、不揮発性メモリ２０から読み出したデータをホスト３０へ送信するまでの間に一時的に保持する。また、ＲＡＭ１２では、各コマンドに基づき不揮発性メモリ２０から読み出されたＬ２Ｐテーブルなどが展開される。ＲＡＭ１２として、例えば、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）又はＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの汎用メモリを用いることができる。
【0028】
ＲＯＭ１３は、メモリコントローラ１０を動作させるための種々のプログラムやパラメータ等を格納する。ＲＯＭ１３に格納されているプログラムやパラメータ等は、必要に応じてプロセッサ１１に読み出されて実行される。
【0029】
プロセッサ１１は、メモリシステム１の各機能ブロックを統括的に制御する制御部である。プロセッサ１１は、データ管理部１１０及び書き込み／読み出し（Ｗ／Ｒ）管理部１１１を含む。データ管理部１１０の機能は、ハードウェアによって実現されてよく、ファームウェアを実行するＣＰＵによって実現されてもよい。Ｗ／Ｒ管理部１１１の機能は、ハードウェアによって実現されてよく、ファームウェアを実行するＣＰＵによって実現されてもよい。
【0030】
プロセッサ１１は、ホスト３０からの要求をホストＩ／Ｆ１７経由で受け付けた場合に、データ管理部１１０及びＷ／Ｒ管理部１１１を用いて、その要求に応じた制御を行う。
【0031】
メモリＩ／Ｆ１８は、プロセッサ１１の指示に基づいて、不揮発性メモリ２０への書き込み動作、読み出し動作及び消去動作を実行する。メモリＩ／Ｆ１８は、プロセッサ１１の指示に基づいて、その他の動作、例えば、第１のコマンドに基づく動作を実行してもよい。
【0032】
例えば、プロセッサ１１は、ホスト３０からの書き込み要求に応じて、不揮発性メモリ２０へのデータの書き込み動作をメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。例えば、ホスト３０からの書き込み要求に応じて、データ管理部１１０が、テーブル部４００に含まれるＬ２Ｐテーブルを用いて、ＲＡＭ１２に一時的に保持されている書き込み対象のデータに対して、不揮発性メモリ２０上の書き込み先（実データ部３００内のページを示す物理アドレス）を決定する。すなわち、データ管理部１１０は、書き込み対象のデータ、データの書き込み先を管理する。また、Ｗ／Ｒ管理部１１１は、データ管理部１１０から当該物理アドレスを受信し、当該書き込み対象のデータを当該物理アドレスに書き込むための書き込み動作をメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。メモリＩ／Ｆ１８は、当該書き込み対象のデータ及び当該物理アドレスを不揮発性メモリ２０に出力し、当該書き込み対象のデータが当該物理アドレスに対応する実データ部３００のページに格納される。なお、ホスト３０から受信した当該書き込み対象のデータの論理アドレスと当該書き込み対象のデータが格納された物理アドレスとの対応は、テーブル部４００に含まれるＬ２Ｐテーブルに格納される。
【0033】
また、プロセッサ１１は、ホスト３０からの読み出し要求に応じて、不揮発性メモリ２０からのデータの読み出し動作をメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。例えば、ホスト３０からの読み出し要求に応じて、データ管理部１１０が、テーブル部４００に含まれるＬ２Ｐテーブルを用いて、読み出し対象のデータの論理アドレスに対応する、不揮発性メモリ２０上の実データ部３００内のページを示す物理アドレスを決定する。すなわち、データ管理部１１０は、Ｌ２Ｐテーブルを用いて、読み出し対象のデータの論理アドレス、当該論理アドレスに対応する当該物理アドレスを管理する。また、Ｗ／Ｒ管理部１１１は、データ管理部１１０から当該物理アドレスを受信し、当該読み出し対象のデータを当該物理アドレスから読み出すための読み出し動作をメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。メモリＩ／Ｆ１８は、当該読み出し対象のデータ及び当該物理アドレスを不揮発性メモリ２０に出力し、当該読み出し対象のデータを当該物理アドレスから読み出す。
【0034】
また、プロセッサ１１は、ホスト３０からの消去要求に応じて、不揮発性メモリ２０へのデータの消去動作をメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。例えば、ホスト３０からの消去要求に応じて、データ管理部１１０が、テーブル部４００に含まれるＬ２Ｐテーブルを用いて、消去対象のデータの論理アドレスに対応する不揮発性メモリ２０上の実データ部３００内のページを示す物理アドレスを決定する。すなわち、データ管理部１１０は、消去対象のデータの論理アドレス、当該論理アドレスに対応する当該物理アドレスを管理する。また、Ｗ／Ｒ管理部１１１は、データ管理部１１０から当該物理アドレスを受信し、当該消去対象のデータを当該物理アドレスから消去するための消去動作をメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。メモリＩ／Ｆ１８は、当該消去対象のデータ及び当該物理アドレスを不揮発性メモリ２０に出力し、当該消去対象のデータを当該物理アドレスから消去する。
【0035】
また、データ管理部１１０がガベージコレクション（ＧＣ）、及びアプリケーションベースの最適化（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｂａｓｅｄ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ、ＡＢＯ）処理を実行する。例えば、データ管理部１１０が後述するフリーブロック（Ｆｒｅｅ Ｂｌｏｃｋ（ＦＢ））の数をカウントし、ＦＢの数が所定の閾値以下の場合には、データ管理部１１０はＧＣを実行する。ＦＢの数が所定の閾値より多い場合には、データ管理部１１０は、ＧＣ処理を実行しなくてもよい。
【0036】
ガベージコレクション（ＧＣ）は、物理ブロックのうち使用可能なブロックを増加させるための処理で、例えば、有効データ及び無効データが含まれている複数のアクティブブロックから有効データを集めて、別のブロックに書き直し、フリーブロックを確保する処理を意味する。ここで、アクティブブロックは、有効データが記録されている物理ブロックを示す。フリーブロックは、有効データが記録されていない物理ブロックを示す。フリーブロックは、消去後に、消去済みブロックとして再利用可能である。フリーブロックは、有効データが記録されていない消去前のブロックと、消去済みブロックと、の両方を含んでいる。有効データとは、後述する論理アドレスと対応付けられているデータであり、無効データとは論理アドレスが対応付けられていないデータである。消去済みブロックは、データが書き込まれると、アクティブブロックとなる。なお、無効データは、図面では斜線で示される。
【0037】
また、アプリケーションベースの最適化（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｂａｓｅｄ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ、ＡＢＯ）処理は、同一のアプリケーションを使用して生成された連続する論理アドレスに対応する複数のアプリケーションデータのそれぞれを、対応する論理アドレスの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応する物理ブロックに格納する処理を意味する。
【0038】
ＥＣＣ１５は、プロセッサ１１からの指示に基づいて、書き込み動作時のＥＣＣ符号化（誤り訂正符号化）及び読み出し動作時のＥＣＣ復号（誤り訂正復号）を実行する。ＥＣＣ１５の符号化方式として、例えば、ＬＤＰＣ（Ｌｏｗ－Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐａｒｉｔｙ－Ｃｈｅｃｋ）符号、ＢＣＨ（Ｂｏｓｅ－Ｃｈａｕｄｈｕｒｉ－Ｈｏｃｑｕｅｎｇｈｅｍ）符号、又はＲＳ（Ｒｅｅｄ－Ｓｏｌｏｍｏｎ）符号を用いた符号化方式を採用することができる。
【0039】
以上のような構成を備えるメモリシステム１では、プロセッサ１１は、不揮発性メモリ２０への書き込み動作実行時に、不揮発性メモリ２０における書き込み対象のデータの書き込み先（実データ部３００内のページを示す物理アドレス）を決定し、決定した実データ部３００内のページを示す物理アドレスをメモリＩ／Ｆ１８へ指示する。例えば、ＥＣＣ１５は、プロセッサ１１からの指示に基づいて、書き込み対象のデータをＥＣＣ符号化する。これにより生成された書き込み対象のデータは、メモリＩ／Ｆ１８を介して不揮発性メモリ２０の指定されたページに書き込まれる。
【0040】
一方、プロセッサ１１は、不揮発性メモリ２０に対する読み出し動作時に、不揮発性メモリ２０上の物理アドレスを指定し、指定された物理アドレスに応じてメモリセルの読み出し動作の条件を決定してメモリＩ／Ｆ１８へ読み出し動作の実行を指示する。プロセッサ１１は、ＥＣＣ１５へＥＣＣ復号の開始を指示する。メモリＩ／Ｆ１８は、プロセッサ１１の指示に従って、不揮発性メモリ２０の指定された物理アドレスに対する読み出し動作を実行し、この読み出し動作によって得られた読み出し対象のデータをＥＣＣ１５に入力する。ＥＣＣ１５は入力された読み出し対象のデータを復号する。この復号に成功した場合、プロセッサ１１は、読み出し対象のデータをＲＡＭ１２に格納する。一方、ＥＣＣ復号に失敗した場合、プロセッサ１１は、例えば、ホスト３０へリードエラーを通知する。
【0041】
＜１－４．アプリケーション３２により作成されるデータの構成＞
図２を参照し、アプリケーション３２により作成されるデータ構成を説明する。アプリケーション３２は、ＡＦＤ３２１を含む。アプリケーション３２により作成されるデータは、ホスト３０の論理アドレスで特定される。論理アドレス空間１００では、ＡＦＤが論理アドレスに対応付けられている。
図２を参照し、アプリケーション３２により作成されるデータ構成を説明する。アプリケーション３２は、ＡＦＤ３２１を含む。アプリケーション３２により作成されるデータは、ホスト３０の論理アドレスで特定される。論理アドレス空間１００では、ＡＦＤが論理アドレスに対応付けられている。
【0042】
論理アドレスとしては、例えばＬＢＡ（Ｌｏｇｉｃａｌ Ｂｌｏｃｋ Ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ）が用いられる。ＬＢＡは、例えば、００００ｈ、００８０ｈ、０１００ｈ、０１８０ｈ、０２００ｈ、・・・を含む。
【0043】
アプリケーション３２により作成されるデータは、例えば、ファイルＡ（ＦｉｌｅＡ）、ファイルＢ（ＦｉｌｅＢ）、及びファイルＣ（ＦｉｌｅＣ）を含む。ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ、及びＦｉｌｅＣは同一のアプリケーションを使用して生成されたファイルデータである。例えば、１つのファイルは３２ページで構成され、１ページは４ＬＢＡで構成される。ＦｉｌｅＡは００００ｈ～００７Ｆｈに対応付けられ、ＦｉｌｅＢは００８０ｈ～００ＦＦｈに対応付けられ、ＦｉｌｅＣは０１００ｈ～０１７Ｆｈに対応付けられている。なお、第１実施形態では、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣは、第１のファイルデータ～第３のファイルデータといわれる。
【0044】
＜１－５．実データ部３００及びテーブル部４００の構成＞
図３Ａ～図３Ｄを参照し、実データ部３００及びテーブル部４００の構成を説明する。図３Ａ～図３Ｄは、メモリシステム１が書き込み要求を受信し、ライトコマンドＷＣＭＤに基づき、書き込み動作を実行し、ＡＦＤ３２１のＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣが不揮発性メモリ２０に格納された実データ部３００又はテーブル部４００の状態を示す図である。実データ部３００は、例えば、４つのメモリブロックＭＢ１～ＭＢ４（ＭＢｘ、ｘ=１～４）を含む（図３Ａ）。１つのメモリブロックは１２８ページで構成される（図３Ｂ）。ＦｉｌｅＡがＭＢ１のページ０００～ページ０３１に格納され、ＦｉｌｅＢがＭＢ１のページ０３２～ページ０６３に格納され、ＦｉｌｅＣがＭＢ１のページ０６４～ページ０９５に格納されている。ＭＢ１のページ０９６～ページ１２７、ＭＢ２の各ページ、ＭＢ３の各ページ、及びＭＢ４の各ページにはデータが格納されていない。すなわち、ＭＢ１のページ０９６～ページ１２７、ＭＢ２の各ページ、ＭＢ３の各ページ、及びＭＢ４の各ページは、実データ部３００及びテーブル部４００の物理アドレスと論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後のページ（Ｅｒａｓｅｄ Ｐａｇｅ（ＥＰ））である。
図３Ａ～図３Ｄを参照し、実データ部３００及びテーブル部４００の構成を説明する。図３Ａ～図３Ｄは、メモリシステム１が書き込み要求を受信し、ライトコマンドＷＣＭＤに基づき、書き込み動作を実行し、ＡＦＤ３２１のＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣが不揮発性メモリ２０に格納された実データ部３００又はテーブル部４００の状態を示す図である。実データ部３００は、例えば、４つのメモリブロックＭＢ１～ＭＢ４（ＭＢｘ、ｘ=１～４）を含む（図３Ａ）。１つのメモリブロックは１２８ページで構成される（図３Ｂ）。ＦｉｌｅＡがＭＢ１のページ０００～ページ０３１に格納され、ＦｉｌｅＢがＭＢ１のページ０３２～ページ０６３に格納され、ＦｉｌｅＣがＭＢ１のページ０６４～ページ０９５に格納されている。ＭＢ１のページ０９６～ページ１２７、ＭＢ２の各ページ、ＭＢ３の各ページ、及びＭＢ４の各ページにはデータが格納されていない。すなわち、ＭＢ１のページ０９６～ページ１２７、ＭＢ２の各ページ、ＭＢ３の各ページ、及びＭＢ４の各ページは、実データ部３００及びテーブル部４００の物理アドレスと論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後のページ（Ｅｒａｓｅｄ Ｐａｇｅ（ＥＰ））である。
【0045】
テーブル部４００は、例えば、４つのＬ２Ｐテーブル（第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃ、及び第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄ）を含む（図３Ａ及び図３Ｃ）。また、必要に応じて、図３Ｄに示されるアプリケーション専用のアプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０が生成されてよい。アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０は、同一のアプリケーションを使用して生成されたファイルデータと、当該ファイルデータに対応する論理アドレスとを対応付けるテーブルである。なお、アプリケーションはグループといわれる場合があり、同一のアプリケーションは同一のグループといわれる場合がある。
【0046】
第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃ、及び第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄのそれぞれは、メモリシステム１では、１２８ページ分の物理アドレスと、当該１２８ページ分の物理アドレスのそれぞれに対応する論理アドレスとを対応付ける。具体的には、メモリシステム１の第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、物理アドレスのページ０００～ページ１２７と当該物理アドレスのそれぞれに対応する論理アドレスとが対応付けられる。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａと同様に、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂでは物理アドレスのページ１２８～ページ２５５と当該物理アドレスのそれぞれに対応する論理アドレスとが対応付けられ、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃでは物理アドレスのページ２５６～ページ３８３と当該物理アドレスのそれぞれに対応する論理アドレスとが対応付けられ、第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄでは物理アドレスのページ３８４～ページ５１１の物理アドレスと当該物理アドレスのそれぞれに対応する論理アドレスとが対応付けられる。より具体的には、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａは、物理アドレスのページ０００～ページ０９６と論理アドレスの００００ｈ～０１７Ｆｈとが対応付けられる。また、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａの物理アドレスのページ０９６～ページ１２７、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂの物理アドレスの各ページ、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃの物理アドレスの各ページ、第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄの物理アドレスの各ページ、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０の物理アドレスの各ページの物理アドレスは、論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後のページ（Ｅｒａｓｅｄ Ｐａｇｅ（ＥＰ））である。なお、第１実施形態において、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃ及び第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄのＬＢＡがＥＰとなっている対応付けは存在しなくてもよい。
【0047】
メモリシステム１は、同一のアプリケーション３２を使用して生成された、連続する論理アドレス００００ｈ～０１７Ｆｈに対応するＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＣを、論理アドレス００００ｈ～０１７Ｆｈの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに、格納することができる。
【0048】
＜１－６．メモリシステム１の動作方法の第１の例（第１例）＞
図２～図７を参照し、メモリシステム１の動作方法の第１例を説明する。第１例の動作方法は、ホスト３０内のアプリケーション３２を使用して生成されたファイルデータが更新され、更新されたファイルデータに基づき、メモリシステム１がホスト３０から書き込み要求を受信すること、メモリコントローラ１０が書き込み要求に基づき書き込み動作を実行すること、及び、データ管理部１１０がＡＢＯ処理を実行することを含む。第１例の動作方法は、書き込み動作を実行したのちにデータ管理部１１０がＧＣを実行することを含んでよく、ＧＣを実行したのちにデータ管理部１１０がＡＢＯ処理を実行することを含んでもよい。
図２～図７を参照し、メモリシステム１の動作方法の第１例を説明する。第１例の動作方法は、ホスト３０内のアプリケーション３２を使用して生成されたファイルデータが更新され、更新されたファイルデータに基づき、メモリシステム１がホスト３０から書き込み要求を受信すること、メモリコントローラ１０が書き込み要求に基づき書き込み動作を実行すること、及び、データ管理部１１０がＡＢＯ処理を実行することを含む。第１例の動作方法は、書き込み動作を実行したのちにデータ管理部１１０がＧＣを実行することを含んでよく、ＧＣを実行したのちにデータ管理部１１０がＡＢＯ処理を実行することを含んでもよい。
【0049】
図４は、アプリケーション３２により作成されたデータが更新された場合における更新後のデータの構成を示す図である。図５は更新後の実データ部３００の構成を示す図である。図６は更新後のテーブル部４００の構成を示す図である。図７Ａ～図７ＣはＡＢＯ処理後の実データ部３００又はテーブル部４００の構成を示す図である。メモリシステム１の第１例の動作方法の説明において、図１～図３Ｄと同一、又は類似する構成の説明は省略されることがある。
【0050】
図４を参照し、アプリケーション３２により作成されたデータが更新された場合における更新後のデータの構成を説明する。ＦｉｌｅＢ、及び、ＦｉｌｅＣが、ファイルＢＵ（ＦｉｌｅＢＵ）及びファイルＣＵ（ＦｉｌｅＣＵ）に更新されている。ＦｉｌｅＡは、更新前と同様に、００００ｈ～００７Ｆに対応付けられる。ＦｉｌｅＢＵは２０００ｈ～２０７Ｆｈに対応付けられ、ＦｉｌｅＣＵは３０００ｈ～３０７Ｆｈに対応付けられている。
【0051】
図５及び図６を参照し、更新後の実データ部３００及びテーブル部４００の構成を説明する。メモリコントローラ１０が、ホスト３０から、書き込みコマンドＷＣＭＤ及びライトデータを含む書き込み要求を受信すると、メモリコントローラ１０は、書き込みコマンドＷＣＭＤ及びライトデータに基づき、「１－３．メモリコントローラ１０の構成」で説明した書き込み動作を実行する。
【0052】
図５は、例えば、下記の処理が実行された後の実データ部３００におけるデータ配置を模式的に示した図である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＣを作成した後、他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７に格納する。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＢをＦｉｌｅＢＵに更新し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＢＵを、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ１５９に格納する。また、ホスト３０は、ページ０９６～ページ１２７に保存されているデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１はホスト３０から受信した他のデータをメモリブロックＭＢ２のページ１６０～ページ２５５に格納する。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＣをＦｉｌｅＣＵに更新し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＣＵを、メモリブロックＭＢ３のページ２５６～ページ２８７に格納する。また、ホスト３０は、ページ０９６～ページ１２７及びページ１６０～ページ２５５に保存されているデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１はホスト３０から受信した他のデータをメモリブロックＭＢ３のページ２８７～ページ３５１に格納する。ページ０３２～ページ０６３に格納されたＦｉｌｅＢ、及び、ページ０６４～ページ０９５に格納されたＦｉｌｅＣは、論理アドレスと対応付けされていない無効データとなっている。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＣを作成した後、他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７に格納する。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＢをＦｉｌｅＢＵに更新し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＢＵを、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ１５９に格納する。また、ホスト３０は、ページ０９６～ページ１２７に保存されているデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１はホスト３０から受信した他のデータをメモリブロックＭＢ２のページ１６０～ページ２５５に格納する。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＣをＦｉｌｅＣＵに更新し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＣＵを、メモリブロックＭＢ３のページ２５６～ページ２８７に格納する。また、ホスト３０は、ページ０９６～ページ１２７及びページ１６０～ページ２５５に保存されているデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１はホスト３０から受信した他のデータをメモリブロックＭＢ３のページ２８７～ページ３５１に格納する。ページ０３２～ページ０６３に格納されたＦｉｌｅＢ、及び、ページ０６４～ページ０９５に格納されたＦｉｌｅＣは、論理アドレスと対応付けされていない無効データとなっている。
【0053】
例えば、図６に示される更新後のテーブル部４００の第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、更新前と同様に、ＦｉｌｅＡ（物理アドレスのページ０００～ページ０３１）と論理アドレスの００００ｈ～００７Ｆｈとが対応付けられており、ページ０００～ページ０３１に格納されたＦｉｌｅＡが有効データとなっている。また、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、論理アドレスの００８０ｈ～０１７Ｆｈに対応していた物理アドレスのページ０３２～ページ０９５に格納されていたＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＣの対応付けが無くなっており（図６では無効データと記載）、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＢＵ及びＦｉｌｅＣＵ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０９６～ページ１２７のファイルデータが有効データとなっている。第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂでは、ＦｉｌｅＢＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）と論理アドレスの１０００ｈ～０１００７Ｆｈとが対応付けられており、ページ１２８～ページ１５９に格納されたＦｉｌｅＢＵが有効データとなっている。また、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＢＵ及びＦｉｌｅＣＵ以外の有効データに対応する論理アドレスに対応付けられた物理アドレスのページ１６０～ページ２５５のファイルデータが有効データとなっている。第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃでは、ＦｉｌｅＣＵ（物理アドレスのページ２５６～ページ２８７）と論理アドレスの２０００ｈ～２０７Ｆｈとが対応付けられており、ページ２５６～ページ２８７格納されたＦｉｌｅＣＵが有効データとなっている。また、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＢＵ及びＦｉｌｅＣＵ以外の有効データに対応する論理アドレスに対応付けられた物理アドレスのページ２８８～ページ３５１のファイルデータが有効データとなっている。第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃの各ページの物理アドレス、第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄの各ページの物理アドレスは、論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後のページ（Ｅｒａｓｅｄ Ｐａｇｅ（ＥＰ））である。なお、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０は、更新後も図３Ｄと同様の状態である。なお、第１実施形態において、無効となったデータのＬＢＡ（斜線の箇所）の対応付けは存在しなくてもよい。
【0054】
図７Ａ～図７Ｃを参照し、メモリコントローラ１０がＡＢＯ処理を実行したのちの実データ部３００及びテーブル部４００の構成を説明する。図７Ａ～図７Ｃを参照したＡＢＯ処理を実行したのちの実データ部３００及びテーブル部４００の構成の説明では、図５、図６及び図３Ｄを参照した実データ部３００及びテーブル部４００の構成と異なる点を中心に説明する。
【0055】
メモリコントローラ１０は、更新データなどの書き込み動作を実行したのち、ＡＢＯ処理を実行する。例えば、図７Ａに示された実データ部３００では、ＦｉｌｅＡがメモリブロックＭＢ３のページ３５２～ページ３８３に格納され、ＦｉｌｅＢＵがメモリブロックＭＢ３のページ３８４～ページ４１５に格納され、ＦｉｌｅＣＵがメモリブロックＭＢ３のページ４１６～ページ４４７に格納される。ページ０００～ページ０３１に格納されたＦｉｌｅＡ、ページ１２８～ページ１５９に格納されたＦｉｌｅＢＵ及びページ２５６～ページ２８７に格納されたＦｉｌｅＣＵは、論理アドレスと対応付けされていない無効データとなっている。
【0056】
図７Ｂに示されたテーブル部４００の第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃでは、物理アドレスのページ３５２～ページ３８３と論理アドレスの００００ｈ～００７Ｆｈとが対応付けられている。第４のＬ２Ｐテーブル４００ｄでは、物理アドレスのページ３８４～ページ４１５と論理アドレスの１０００ｈ～１０７Ｆｈとが対応付けられており、物理アドレスのページ４１６～ページ４４７と論理アドレスの２０００ｈ～２０７Ｆｈとが対応付けられている。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａの論理アドレスの００００ｈ～００７Ｆｈに対応していた物理アドレスのページ０００～ページ０３１に格納されていたＦｉｌｅＡ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂの論理アドレスの１０００ｈ～１０７Ｆｈに対応していた物理アドレスのページ１２８～ページ１５９に格納されていたＦｉｌｅＢＵ、及び、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃの論理アドレスの２０００ｈ～２０７Ｆｈに対応していた物理アドレスのページ２５６～ページ２８７に格納されていたＦｉｌｅＣＵが無効データとなっている。
【0057】
すなわち、メモリコントローラ１０がＡＢＯ処理を実行し、不揮発性メモリ２０は、同一のアプリケーション３２を使用して生成されたファイルデータ（ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ）を、実データ部３００内の連続する物理アドレスのページ３５２～４４７に格納する。また、ＡＢＯ処理を実行し、不揮発性メモリ２０は、同一のアプリケーション３２を使用して生成されたＦｉｌｅＡが格納された物理アドレスのページ３５２～４４７と論理アドレスの００００ｈ～００７Ｆｈ、ＦｉｌｅＢが格納された物理アドレスのページ３８４～４１５と論理アドレスの１０００ｈ～１０７Ｆｈ、及び、ＦｉｌｅＣが格納された物理アドレスのページ４１６～４４７と論理アドレスの２０００ｈ～２０７Ｆｈが、それぞれ対応付けられるように、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０に格納する（図７Ｃ）。
【0058】
メモリシステム１の動作方法の第１例は、ＡＦＤ３２１に含まれる複数のアプリケーションデータを、ＬＢＡの順に対応付けられた連続する物理アドレスに対応する物理ブロックに格納するＡＢＯ処理を実行することができる。よって、ホスト３０がアプリケーション３２を起動する場合に、メモリシステム１からＬＢＡの順に複数のアプリケーションデータを読み出すことができる。
【0059】
メモリシステム１は、ＧＣを実行し、複数のアクティブブロックから有効データ、並びに、複数のページに格納されたＡＦＤを細分化したファイルデータを集めて、別のブロックに書き直し、フリーブロックを確保する場合がある。また、メモリシステム１は、一旦、ＳＬＣにＡＦＤを細分化したファイルデータを不揮発性メモリ２０に格納したのちに、ＴＬＣにＡＦＤを細分化したファイルデータを不揮発性メモリ２０に格納し直す動作を実行する場合がある。メモリシステム１のメモリコントローラ１０に実装されているＡＢＯ処理を有しないメモリシステムが、ＡＦＤを細分化したファイルデータを用いてアプリケーションを起動する場合には、不揮発性メモリに細分化されて格納されたファイルデータを、不揮発性メモリから読み出す必要がある。よって、メモリシステム１のメモリコントローラ１０に実装されているＡＢＯ処理を有しないメモリシステムでは、メモリシステム１と比べて、細分化されて格納されたファイルデータの読み出しに時間を要する。すなわち、メモリシステム１のメモリコントローラ１０に実装されているＡＢＯ処理を有しないメモリシステムと接続されるホストよるアプリケーションファイルの起動に時間を要する場合がある。
【0060】
一方で、メモリシステム１は、上述のような場合にホスト３０がアプリケーション３２を起動する場合には、メモリシステム１内の不揮発性メモリ２０から、ＬＢＡ００００ｈ～００７Ｆｈ、ＬＢＡ１０００ｈ～１０７ＦｈＦｉｌｅＢ、及び２０００ｈ～２０７Ｆｈに相当するＡＦＤ３２（ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢＵ及びＦｉｌｅＣＵ）を、連続した物理アドレスに対応するページ３５２～ページ４４７から読み出すことができる。よって、メモリシステム１は、メモリシステム１のメモリコントローラ１０に実装されているＡＢＯ処理を有しないメモリシステムと比較して、アプリケーション３２を起動する場合のファイルデータの読み出し時間を短くすることができる。すなわち、メモリシステム１は、アプリケーション３２を起動する場合のファイルデータの読み出し動作を高速化できる。
【0061】
なお、例えば、ＦＢの数が所定の閾値より多い場合には、データ管理部１１０は、ＧＣ処理を実行せずに、ライトコマンドＷＣＭＤに基づくファイルデータの書き込み又は更新後のファイルデータの書き込みのあとに、ＡＢＯ処理を実行してもよい。
【0062】
＜１－７．メモリシステム１の動作方法の第２の例（第２例）＞
図８～図１０を参照し、メモリシステム１の動作方法の第２例を説明する。図８は、ライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット５００の一例を示す図である。図９Ａは、メモリシステム１の動作シーケンスの一例を示す図である。図９Ｂは図８に示されたライトコマンドＷＣＭＤの設定の一例を示す図である。図１０はメモリシステム１の動作方法の第２例を示すフローチャートである。メモリシステム１の第２例の動作方法の説明において、図１～図７と同一、又は類似する構成の説明は省略されることがある。
図８～図１０を参照し、メモリシステム１の動作方法の第２例を説明する。図８は、ライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット５００の一例を示す図である。図９Ａは、メモリシステム１の動作シーケンスの一例を示す図である。図９Ｂは図８に示されたライトコマンドＷＣＭＤの設定の一例を示す図である。図１０はメモリシステム１の動作方法の第２例を示すフローチャートである。メモリシステム１の第２例の動作方法の説明において、図１～図７と同一、又は類似する構成の説明は省略されることがある。
【0063】
図８及び図９Ｂを参照し、ライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット５００を説明する。例えば、フォーマット５００は、ＳＣＳＩに準拠するフォーマットであってよい。ホスト３０からメモリシステム１にファイルデータを書き込む要求を送信する場合に、フォーマット５００は、例えば、当該ファイルデータに対応するＬＢＡのスタートアドレス、及び、当該ファイルデータのサイズを指定する。
【0064】
フォーマット５００は、動作コード（ＯＰＥＲＡＴＩＯＮ ＣＯＤＥ、ＯＣ）５０２、複数の個別設定コード５０４、ＬＢＡ５０６、連続フラグ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｆｌａｇ、ＣＦ）５０８、リサーブ領域（Ｒｓｖｄ）５０９、グループナンバー（ＧＲＯＵＰ ＮＵＭＢＥＲ）５１０、転送長さ（ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＬＥＮＧＴＨ、ＴＬ）５１２、及び制御バイト５１４を含む。なお、フォーマット５００で設定されるコード、データ、値などは、設定情報といわれる。
【0065】
ＯＣ５０２は、送信される要求（例えば、コマンド、記述子ブロック）が書き込み要求であることを示し、第１の動作コード（１ｓｔ ＯＰＥＲＡＴＩＯＮ ＣＯＤＥ、１ｓｔＯＣ）を含む。ＯＣ５０２のブロックサイズは、例えば、１バイト（Ｂｙｔｅ）であり、ＯＣ５０２は、所定の値２Ａｈを含む。複数の個別設定コード５０４は、ＷＲＰＲＯＴＥＣＴ（０）、ＤＰＯ、ＦＵＡ、及びＦＵＮ＿ＮＶ（０）などの個別設定可能なコード、並びに、拡張ブロックであるＲｓｖｄを含む。また、Ｏｂｓｏｌｅｔｅは過去に使用された時期が有ったものの、その後に廃止されたコードである。
【0066】
ＬＢＡ５０６は、ＬＢＡのスタートアドレスである。ＬＢＡ５０６のサイズは、例えば、４Ｂｙｔｅである。ＬＢＡ５０６のサイズは、４Ｂｙｔｅに限定されるものではなく、メモリシステム１の用途、仕様などに基づき適宜選択可能である。例えば、フォーマット５００が、スタートアドレスが０ｘ０１００（０ｘ０００００１００）番地に１ＭＢｙｔｅのファイルデータを書き込む要求の場合には、ＬＢＡ５０６は０ｘ０１００と設定される。
【0067】
ＣＦ５０８はＣＦデータを含み、ＣＦデータのサイズは、例えば、２ビット（ｂｉｔ）であり、ＣＦ５０８は、例えば、図９Ｂのように設定される。ＣＦデータとして０ｂ００（ＣＦ＝００）が設定された場合には、フォーマット５００は、通常データの書き込み動作を指示する書き込み要求を表す。通常データの書き込み動作は、例えば、連続する物理アドレスに対応するページに複数のデータを書き込まない動作である。ＣＦデータに０ｂ１０（ＣＦ＝１０）が設定された場合には、フォーマット５００は、連続データの書き込み動作及びＡＢＯ処理を指示する書き込み要求を表す。連続データの書き込み動作及びＡＢＯ処理は、連続する物理アドレスに対応するページにデータを書き込む動作である。ＣＦに０ｂ１１（ＣＦ＝１１）が設定された場合には、フォーマット５００は、ＣＦ＝１０の連続データの書き込み動作の終了を指示する書き込み要求を表す。また、ＣＦに０ｂ１１（ＣＦ＝１１）が設定されたフォーマット５００と共に、メモリシステム１に送信されるライトデータは、連続データの最後のデータである。なお、メモリシステム１は、ＣＦ＝１１が設定されたライトコマンドＷＣＭＤのあとの、ライトコマンドＷＣＤＭを、ＣＦ＝１０～ＣＦ＝１１が設定されたライトコマンドＷＣＭＤとは異なる書き込み要求として処理する。
【0068】
図８を参照し、フォーマット５００の説明を続ける。転送長さ（ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＬＥＮＧＴＨ、ＴＬ）５１２は、ファイルデータのサイズを示す。ＴＬ５１２のサイズは、例えば、２Ｂｙｔｅである。ＴＬ５１２のサイズは、２Ｂｙｔｅに限定されるものではなく、メモリシステム１の用途、仕様などに基づき適宜選択可能である。
【0069】
Ｒｓｖｄ５０９は拡張ブロックであり、グループナンバー５１０、及び制御バイト５１４は、個別に設定可能なコードであるが、ここでの詳細な説明は省略する。
【0070】
図９Ａを参照し、メモリシステム１の動作シーケンスの一例を説明する。図９Ａに示された動作シーケンスの一例は、同一のアプリケーション３２により作成されるデータに含まれる複数のＡＦＤ（例えば、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ）を書き込むための書き込み要求を、連続で複数回、ホスト３０からメモリシステム１に送信することを含む。書き込み要求のそれぞれは、図８に示されたフォーマット５００を含むライトコマンドＷＣＭＤを含む。フォーマット５００は、書き込み要求に対応する１ｓｔＯＣ、及び、連続データ書き込み並びにＡＢＯ処理を設定可能なＣＦデータを含む。
【0071】
初めに、ホスト（Ｈｏｓｔ）３０は、書き込み動作を開始する（ステップＳ１）。ホスト３０は、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬを、第１のオペレーションコマンド（１ｓｔＯＣ）、「０ｂ００」、所定のアドレス、及び所定のサイズに設定したフォーマット５００を含む第１のライトコマンドＷＣＭＤを、メモリシステム１に送信する（ステップＳ１０）。
【0072】
次に、ホスト（Ｈｏｓｔ）３０は、ステップＳ１０において設定されたＯＣを変更せずに、ステップＳ１０において設定されたＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬを、「０ｂ１０」、所定のアドレス、及び所定のサイズに変更したフォーマット５００を含む第２のライトコマンドＷＣＭＤを、メモリシステム１に送信する（ステップＳ１１）。
【0073】
次に、ホスト（Ｈｏｓｔ）３０は、ステップＳ１１以降ステップＳ１２までの複数回のステップにおいて、ステップＳ１１と同様にＣＦが０ｂ１０に設定されたフォーマット５００を含むライトコマンドＷＣＭＤを、メモリシステム１に送信する。
【0074】
ステップＳ１１～ステップＳ１２までの複数のステップにおいて、フォーマット５００のＣＦが０ｂ１０に設定されたため、メモリシステム１内のメモリコントローラ１０は、ステップＳ１１～ステップＳ１２までにホスト３０から受信したライトコマンドＷＣＭＤに基づき、不揮発性メモリ２０に、ステップＳ１１～ステップＳ１２にホスト３０から受信したアプリケーションファイルデータを連続する物理アドレスに対応するページに格納するように指示する。ステップＳ１１～ステップＳ１２におけるホスト３０及びメモリシステム１の動作は、期間５５０の動作に対応する。
【0075】
次に、ホスト３０は、ステップＳ１２に続く、ステップＳ１３～ステップＳ１４までの複数回のステップにおいて、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬを、１ｓｔＯＣ、「０ｂ００」、所定のアドレス、及び所定のサイズに設定されたフォーマット５００を含むライトコマンドＷＣＭＤを、メモリシステム１に送信する。
【0076】
ステップＳ１３～ステップＳ１４までの複数のステップにおいて、フォーマット５００のＣＦが０ｂ００に設定されたため、メモリシステム１内のメモリコントローラ１０は、ステップＳ１３～ステップＳ１４までにホスト３０から受信したライトコマンドＷＣＭＤに基づき、不揮発性メモリ２０に、ステップＳ１３～ステップＳ１４までにホスト３０から受信したアプリケーションファイルデータを、所定の物理アドレスに対応するページに書き込むように指示する。
【0077】
次に、ホスト３０は、ステップＳ１５以降の複数回のステップにおいて、ステップＳ１２と同様に、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬを、１ｓｔＯＣ、「０ｂ１０」、所定のアドレス、及び所定のサイズに設定されたフォーマット５００を含むライトコマンドＷＣＭＤを、メモリシステム１に送信する。また、ホスト３０は、ステップＳ１６において、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬを、１ｓｔＯＣ、「０ｂ１１」、所定のアドレス、及び所定のサイズに設定されたフォーマット５００を含む第３のライトコマンドＷＣＭＤを、メモリシステム１に送信する。
【0078】
ステップＳ１６において、フォーマット５００のＣＦが０ｂ１１に設定されたため、メモリシステム１内のメモリコントローラ１０は、ステップＳ１５～ステップＳ１６までにホスト３０から受信したライトコマンドＷＣＭＤに基づき、不揮発性メモリ２０に、ステップＳ１５～ステップＳ１６にホスト３０から受信したアプリケーションファイルデータを連続する物理アドレスに対応するページに格納するように指示する。ステップＳ１５～ステップＳ１６におけるホスト３０及びメモリシステム１の動作は、期間５５２の動作に対応する。また、メモリシステム１内のメモリコントローラ１０は、期間５５０の動作、及び、期間５５２の動作において受信したアプリケーションファイルデータを連続する一連の書き込み動作に対応するデータとして、連続する物理アドレスに対応するページに格納するように、不揮発性メモリ２０に指示する。
【0079】
図１０を参照し、メモリシステム１の動作方法の第２例を説明する。図１０に示されたメモリシステム１の動作方法の第２例は、図９Ａに示された動作シーケンスの一例において、２つのアプリケーションファイルデータを、連続する物理アドレスに対応するページに格納する例である。メモリシステム１の動作方法の第２例の説明において、図９Ａに示された動作シーケンスの一例と同様の説明は、省略される。
【0080】
ステップＳ５０１はステップＳ１に対応する。次に、メモリコントローラ１０は、ホスト３０からフォーマット５００を含む第１のライトコマンドＷＣＭＤ、及び、アプリケーション３２に含まれるＡＦＤ３２１のＦｉｌｅＡを受信し、Ｗ／Ｒ管理部１１１及びデータ管理部１１０を用いて、第１のライトコマンドＷＣＭＤに基づき、ＦｉｌｅＡを不揮発性メモリ２０に格納する（ステップＳ５０２）。第１のライトコマンドＷＣＭＤに含まれるフォーマット５００は、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬが、１ｓｔＯＣ、「０ｂ００」、ＦｉｌｅＡのＬＢＡである００００ｈ、及び、ＦｉｌｅＡの転送長である５１２ＫＢｙｔｅに設定されている。なお、例えば、ＬＢＡは１アドレス当たり４ＫＢｙｔｅである。
【0081】
次に、メモリコントローラ１０は、ホスト３０からフォーマット５００を含む第２のライトコマンドＷＣＭＤ、及び、ＡＦＤ３２１のＦｉｌｅＢを受信し、Ｗ／Ｒ管理部１１１及びデータ管理部１１０を用いて、第２のライトコマンドＷＣＭＤに基づき、ＦｉｌｅＢを不揮発性メモリ２０に格納する（ステップＳ５０３）。第２のライトコマンドＷＣＭＤに含まれるフォーマット５００は、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬが、１ｓｔＯＣ、「０ｂ１０」、ＦｉｌｅＢのＬＢＡである００８０ｈ、及び、ＦｉｌｅＢの転送長である５１２ＫＢｙｔｅに設定されている。
【0082】
次に、メモリコントローラ１０は、ホスト３０からフォーマット５００を含む第３のライトコマンドＷＣＭＤ、及び、アプリケーションファイルデータ３２１のＦｉｌｅＣを受信し、Ｗ／Ｒ管理部１１１及びデータ管理部１１０を用いて、第３のライトコマンドＷＣＭＤに基づき、ＦｉｌｅＣを不揮発性メモリ２０に格納する（ステップＳ５０４）。ＦｉｌｅＣは、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣの一連のデータにおいて、ＦｉｌｅＢに連続する最後のファイルデータである。第３のライトコマンドＷＣＭＤに含まれるフォーマット５００は、ＯＣ、ＣＦ、ＬＢＡ及びＴＬが、１ｓｔＯＣ、「０ｂ１１」、ＦｉｌｅＣのＬＢＡである０１００ｈ、及び、ＦｉｌｅＣの転送長である５１２ＫＢｙｔｅに設定されている。
【0083】
次に、データ管理部１１０は、第３のライトコマンドＷＣＭＤに含まれるＣＦデータ（１１）に基づき、ＡＢＯ処理を実行する（ステップＳ５０５）。データ管理部１１０は、メモリＩ／Ｆを介して、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＣを、論理アドレス００００ｈ～０１７Ｆｈの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。また、データ管理部１１０は、論理アドレス００００ｈ～０１７Ｆｈの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納されたアプリケーションファイルデータを管理することができる。
【0084】
なお、この時、データ管理部１１０は、論理アドレス００ｈ～０４ｈと、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページとを対応付けて、論理アドレス００ｈ～０４ｈと、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページとを、テーブル部４００に含まれる複数のＬ２Ｐテーブルのうち、少なくとも１つのＬ２Ｐテーブルに格納する。
【0085】
データ管理部１１０が、ＡＢＯ処理を実行し、ステップＳ５０５が完了すると、書き込み動作は終了する（ステップＳ５０６）。
【0086】
メモリシステム１は、同一のアプリケーション３２を使用して生成された、連続する論理アドレスに対応する複数のファイルを、対応する論理アドレスの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに、格納することができる。
【0087】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態に係るメモリシステム１の動作方法と相違する。第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法以外の構成要素は、第１実施形態の構成と同様である。以下、図１１～図１４を参照し、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
第２実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態に係るメモリシステム１の動作方法と相違する。第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法以外の構成要素は、第１実施形態の構成と同様である。以下、図１１～図１４を参照し、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0088】
＜２－１．フォーマット６００＞
図１１及び図１２を参照し、ライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット６００を説明する。図１１は、第２実施形態に係るメモリシステム１のライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット６００の一例を示す図である。図１２は、フォーマット６００に含まれるアプリケーションコード及びレベルオーダー（Ｌｅｖｅｌ Ｏｒｄｅｒ）の設定の一例を示す図である。フォーマット６００は、オペレーションコード（ＯＣ）、オーダーフラグ（ＯＦ）アプリケーションコード及びデータオーダーにおいて、第１実施形態に係るフォーマット５００と相違する。なお、フォーマット５００と同様に、フォーマット６００で設定されるコード、データ、レベルオーダー、値などは、設定情報といわれる。
図１１及び図１２を参照し、ライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット６００を説明する。図１１は、第２実施形態に係るメモリシステム１のライトコマンドＷＣＭＤのフォーマット６００の一例を示す図である。図１２は、フォーマット６００に含まれるアプリケーションコード及びレベルオーダー（Ｌｅｖｅｌ Ｏｒｄｅｒ）の設定の一例を示す図である。フォーマット６００は、オペレーションコード（ＯＣ）、オーダーフラグ（ＯＦ）アプリケーションコード及びデータオーダーにおいて、第１実施形態に係るフォーマット５００と相違する。なお、フォーマット５００と同様に、フォーマット６００で設定されるコード、データ、レベルオーダー、値などは、設定情報といわれる。
【0089】
フォーマット６００は、ＯＣ６０２、ＯＦ６０８、アプリケーションコード（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ）６１６、第１のレベルオーダー（１ｓｔ Ｌｅｖｅｌ Ｄａｔａ Ｏｒｄｅｒ）６１８、第２のレベルオーダー（２ｎｄ Ｌｅｖｅｌ Ｄａｔａ Ｏｒｄｅｒ）６２０、及び第３のレベルオーダー（３ｒｄ Ｌｅｖｅｌ Ｄａｔａ Ｏｒｄｅｒ）６２２、並びに、複数の個別設定コード６０４、ＬＢＡ６０６、グループナンバー（ＧＲＯＵＰ ＮＵＭＢＥＲ）６１０、転送長さ（ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＬＥＮＧＴＨ、ＴＬ）６１２、及び制御バイト６１４を含む。複数の個別設定コード６０４、ＬＢＡ６０６、グループナンバー（ＧＲＯＵＰ ＮＵＭＢＥＲ）６１０、転送長さ（ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＬＥＮＧＴＨ、ＴＬ）６１２、及び制御バイト６１４は、複数の個別設定コード５０４、ＬＢＡ５０６、グループナンバー（ＧＲＯＵＰ ＮＵＭＢＥＲ）５１０、転送長さ（ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＬＥＮＧＴＨ、ＴＬ）５１２、及び制御バイト５１４と同様であり、説明を省略する。
【0090】
ＯＣ６０２は、転送されるブロック（例えば、コマンド、記述子ブロック）が書き込み要求であることを示し、第２の動作コード（２ｎｄ ＯＰＥＲＡＴＩＯＮ ＣＯＤＥ、２ｎｄＯＣ）を含む。ＯＣ６０２のブロックサイズは、例えば、１バイト（Ｂｙｔｅ）である。
【0091】
ＯＦ６０８はＯＦデータを含み、ＯＦデータのサイズは、例えば、３ビット（ｂｉｔ）である。ＯＦデータが設定されることによって、フォーマット６００に対応する書き込み対象となるデータは、後述されるアプリケーションＩＤを含み、先に書き込まれたデータと連続することを示す。また、ＯＦデータが設定されることによって、フォーマット６００は、書き込み動作及びＡＢＯ処理を指示する書き込み要求を表す。
【0092】
アプリケーションコード６１６、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２のそれぞれのサイズは、例えば、５１２ＫＢｙｔｅである。アプリケーションコード６１６、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２のそれぞれのサイズは、５１２ＫＢｙｔｅに限定されるものではなく、メモリシステム１の用途、仕様などに基づき適宜選択可能である。
【0093】
アプリケーションコード６１６、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２は、図１２のように設定される。
【0094】
アプリケーションコード６１６は、アプリケーションＩＤを含む。アプリケーションＩＤは、例えば、図１２に示される＃０１などのアプリケーション固有のインデックスが付与される。
【0095】
第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２は、同一のアプリケーションに含まれるデータの階層構造を示す。例えば、データの階層構造を複数棟のマンションに例えて説明すると、１棟のマンションが３階建てであり、各階が１０室を含む場合には、例えば、上一桁は棟の番号を示し、次の一桁は階を示し、下二桁は部屋番号を示すとすると、マンションの各部屋は４桁の数値で設定することができる。この場合、例えば、１棟の１階の５号室を１１０５のように設定し、１棟の２階の１０号室を１２１０のように設定することができる。すなわち、例えば、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２の順に、階層が深くなるように設定すると、第１のレベルオーダー６１８をマンションの棟の番号に割り当て、第２のレベルオーダー６２０をマンションの階に割り当て、第３のレベルオーダー６２２をマンションの部屋番号に割り当てることができる。
【0096】
図１２に示される第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２のそれぞれは、１～３、１～５、１～１０の正の整数が割り当てられ、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２の順に、階層が深くなるように設定される。なお、メモリシステム１は、一例として、３階層のレベルオーダーを示すが、レベルオーダーの階層の数は３階層に限定されない。レベルオーダーの階層の数は、メモリシステム１の用途、仕様などに基づき適宜選択可能である。なお、メモリシステム１では、一例として、第１のレベルオーダー６１８の設定値をｘ、第２のレベルオーダー６２０の設定値をｙ、第３のレベルオーダー６２２の設定値をｚのように定義した場合には、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２を（ｘ、ｙ、ｚ）のように１つのユニットで表す。
【0097】
また、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２は、同一のアプリケーションに含まれるデータの階層構造を示すと共に、階層は、同一のアプリケーションに含まれるデータの読み出す順番及び書き込む順番を示す情報である。すなわち、メモリコントローラ１０は、（ｘ、ｙ、ｚ）のうち、設定値が小さいユニットに対応するデータから順に書き込み及び読み出しが実行されるように、不揮発性メモリ２０に指示する。
【0098】
＜２－２．メモリシステム１の動作方法の一例＞
図１３及び図１４を参照し、第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。図１３及び図１４は第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。
図１３及び図１４を参照し、第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。図１３及び図１４は第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。
【0099】
第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、同一のアプリケーション３２により作成されるデータに含まれ、読み出す順番又は書き込む順番を示す階層構造を示す情報を含む複数のアプリケーションファイルデータ（例えば、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ）を書き込むための書き込み要求を、ホスト３０からメモリシステム１に送信することを含む。書き込み要求のそれぞれは、図１１に示されたフォーマット６００を含むライトコマンドＷＣＭＤを含む。フォーマット６００は、書き込み要求に対応する２ｎｄＯＣ、アプリケーションＩＤ、先に書き込まれたデータに連続するデータであることを示すと共に書き込み並びにＡＢＯ処理を設定可能なＯＦデータを含む。
【0100】
なお、第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法では、一例として、アプリケーション３２により作成されるデータは、各々が５１２ＫＢｙｔｅのＴＬを有するＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＥの５つのＡＦＤを含むものとする。ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＥは、第１のファイルデータ～第５のファイルデータといわれる。
【0101】
初めに、ホスト３０は、書き込み動作を開始する（ステップＳ６０１）。ホスト３０は、ＯＣ６０２、アプリケーションコード６１６、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２、ＬＢＡ並びにＴＬを、２ｎｄＯＣ、＃０１、（１，０、０，）、所定のアドレス、及び５１２ＫＢｙｔｅに設定し、ＯＦを設定されたフォーマット６００を含む第１のライトコマンドＷＣＭＤ、及び、ＦｉｌｅＡを、メモリシステム１に送信する（ステップＳ６０２）。
【0102】
次に、メモリコントローラ１０は、ホスト３０からフォーマット６００を含む第１のライトコマンドＷＣＭＤ、及び、アプリケーションファイルデータ３２１に含まれるＦｉｌｅＡを受信し、Ｗ／Ｒ管理部１１１及びデータ管理部１１０を用いて、第１のライトコマンドＷＣＭＤに基づき、ＦｉｌｅＡを不揮発性メモリ２０に格納する（ステップＳ６０２）。第１のライトコマンドＷＣＭＤに含まれるフォーマット６００のＯＣ６０２、アプリケーションコード６１６、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２、ＬＢＡ並びにＴＬが、２ｎｄＯＣ、＃０１、（１，０、０）、ＦｉｌｅＡに対応するＬＢＡ、並びに５１２ＫＢｙｔｅに設定され、ＯＦを設定されている。
【0103】
ステップＳ６０２の次に、ホスト３０はステップＳ６０３を実行する。ホスト３０は、ステップＳ６０２のＦｉｌｅＡ、第１のライトコマンドＷＣＭＤ、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２の（１、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＡに対応するＬＢＡを、ＦｉｌｅＢ、第２のライトコマンドＷＣＭＤ、（２、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＢに対応するＬＢＡに置き換えたステップＳ６０３を実行する。
【0104】
ステップＳ６０３の次に、ホスト３０はステップＳ６０４を実行する。ホスト３０は、ステップＳ６０３のＦｉｌｅＢ、第２のライトコマンドＷＣＭＤ、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２の（２、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＢに対応するＬＢＡを、ＦｉｌｅＣ、第３のライトコマンドＷＣＭＤ、（３、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＣに対応するＬＢＡに置き換えたステップＳ６０４を実行する。
【0105】
第１のライトコマンドＷＣＭＤ～第３のライトコマンドＷＣＭＤは、それぞれ、ＯＦ及び階層構造（第１～第３のレベルオーダー）が設定されている。データ管理部１１０は、第１のライトコマンドＷＣＭＤ～第３のライトコマンドＷＣＭＤに設定されたＯＦ及び階層構造に基づき、ＡＢＯ処理を実行する（ステップＳ６０５）。データ管理部１１０は、メモリＩ／Ｆを介して、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ、及びＦｉｌｅＣを、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ、及びＦｉｌｅＣの順に、かつ、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。また、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ、及びＦｉｌｅＣの階層構造の順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納されたアプリケーションファイルデータを管理することができる。
【0106】
なお、この時、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＢ、及びＦｉｌｅＣのＬＢＡと、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページとを対応付けて、テーブル部４００に含まれる複数のＬ２Ｐテーブルのうち、少なくとも１つのＬ２Ｐテーブルに格納する。
【0107】
次に、メモリコントローラ１０が、ホスト３０から、消去コマンドＥＲＣＭＤ及び消去データ（ＦｉｌｅＢ）などを含む消去要求を受信すると、メモリコントローラ１０は、消去コマンドＥＲＣＭＤ及び消去データなどに基づき、「１－３．メモリコントローラ１０の構成」で説明した消去動作を実行する（ステップＳ６０６）。
【0108】
次に、メモリコントローラ１０が消去動作を実行したことに伴い、データ管理部１１０は、ＡＢＯ処理を実行する（ステップＳ６０７）。すなわち、データ管理部１１０は、メモリＩ／Ｆを介して、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣを、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣのＬＢＡの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納する。また、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣのＬＢＡと、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページとを対応付けて、テーブル部４００に含まれる複数のＬ２Ｐテーブルのうち、少なくとも１つのＬ２Ｐテーブルに格納する。
【0109】
ステップＳ６０７の次に、ホスト３０はステップＳ６０８を実行する。ホスト３０は、ステップＳ６０４のＦｉｌｅＣ、第３のライトコマンドＷＣＭＤ、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２の（３、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＣに対応するＬＢＡを、ＦｉｌｅＤ、第４のライトコマンドＷＣＭＤ、（２、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＤに対応するＬＢＡに置き換えたステップＳ６０８を実行する。
【0110】
ステップＳ６０８の次に、ホスト３０はステップＳ６０９を実行する。ホスト３０は、ステップＳ６０８のＦｉｌｅＤ、第４のライトコマンドＷＣＭＤ、第１のレベルオーダー６１８、第２のレベルオーダー６２０、及び第３のレベルオーダー６２２の（２、０、０）、並びに、ＦｉｌｅＤに対応するＬＢＡを、ＦｉｌｅＥ、第５のライトコマンドＷＣＭＤ、（２、１、０）、並びに、ＦｉｌｅＥに対応するＬＢＡに置き換えたステップＳ６０９を実行する。
【0111】
第４のライトコマンドＷＣＭＤ及び第５のライトコマンドＷＣＭＤは、それぞれ、ＯＦ及び階層構造が設定されているため、ステップ６０５と同様に、データ管理部１１０は、第４のライトコマンドＷＣＭＤ及び第５のライトコマンドＷＣＭＤに設定されたＯＦ及び階層構造に基づき、ＡＢＯ処理を実行する（ステップＳ６１０）。その結果、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＤ、及びＦｉｌｅＥのそれぞれの階層構造である（１、０、０）、（３、０、０）、（２、０、０）及び（２、１、０）に基づき、メモリＩ／Ｆを介して、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＥ、及びＦｉｌｅＣの順に、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＥ、及びＦｉｌｅＣを不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。また、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＥ、及びＦｉｌｅＣの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納されたアプリケーションファイルデータを管理することができる。
【0112】
なお、この時、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＥ、及びＦｉｌｅＣの階層構造と、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページとを対応付けて、テーブル部４００に含まれる複数のＬ２Ｐテーブルのうち、少なくとも１つのＬ２Ｐテーブルに格納する。
【0113】
データ管理部１１０が、ＡＢＯ処理を実行し、ステップＳ６１０が完了すると、書き込み動作は終了する（ステップＳ６１１）。
【0114】
また、例えば、ステップＳ６１０のあとに、メモリシステム１がホスト３０からリードコマンドＲＣＭＤを含む読み出し要求を受信し、リードコマンドＲＣＭＤに基づき、不揮発性メモリ２０からデータを読み出す場合、階層構造と各データの物理アドレスに対応するページが格納されたＬ２Ｐテーブルに基づき、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＥ、及びＦｉｌｅＣをこの順番で読み出すことができる。
【0115】
第２実施形態に係るメモリシステム１は、第１実施形態に係るメモリシステム１と同様にＡＢＯ処理を実行し、複数のファイルデータを不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。よって、第２実施形態に係るメモリシステム１は、第１実施形態に係るメモリシステム１と同様に、アプリケーション３２を起動する場合のファイルデータの読み出し時間を短くすることができ、アプリケーション３２を起動する場合のファイルデータの読み出し動作を高速化できる。
【0116】
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態及び第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法と相違する。第３実施形態に係るメモリシステム１の説明では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
第３実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態及び第２実施形態に係るメモリシステム１の動作方法と相違する。第３実施形態に係るメモリシステム１の説明では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0117】
＜３－１．メモリシステム１の全体構成＞
図１５は、第３実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック図である。第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、ホスト３０からのライトコマンドＷＣＭＤに基づき、メモリコントローラ１０が、データ管理部１１０及びＷ／Ｒ管理部１１１を用いて、ＡＢＯ処理を実行するのではなく、メモリコントローラ１０のデータ管理部１１０がファイルシステム１２１を解析すること、時刻情報を取得することを含む。ファイルシステム１２１は、ホスト３０がファイルやディレクトリについての情報を管理するためのデータであり、不揮発性メモリ２０に格納されたファイルのデータ及び当該データが格納されたアドレスを管理するデータフォーマットであり、当該データが不揮発性メモリ２０に格納された時刻等を含むメタデータ（例えば、タイムスタンプ１２２（Ｔｉｍｅ Ｓｔａｍｐ）など）を含む。
図１５は、第３実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック図である。第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、ホスト３０からのライトコマンドＷＣＭＤに基づき、メモリコントローラ１０が、データ管理部１１０及びＷ／Ｒ管理部１１１を用いて、ＡＢＯ処理を実行するのではなく、メモリコントローラ１０のデータ管理部１１０がファイルシステム１２１を解析すること、時刻情報を取得することを含む。ファイルシステム１２１は、ホスト３０がファイルやディレクトリについての情報を管理するためのデータであり、不揮発性メモリ２０に格納されたファイルのデータ及び当該データが格納されたアドレスを管理するデータフォーマットであり、当該データが不揮発性メモリ２０に格納された時刻等を含むメタデータ（例えば、タイムスタンプ１２２（Ｔｉｍｅ Ｓｔａｍｐ）など）を含む。
【0118】
データ管理部１１０は、ファイルシステムの種類に応じて、ファイルシステム１２１に含まれるタイムスタンプ１２２を特定し、特定されたタイムスタンプ１２２を時刻情報として読み出す。タイムスタンプ１２２が存在する領域はファイルシステムによって異なる。
【0119】
データ管理部１１０は、例えば、プログラム１１５を含む。プログラム１１５は、ファイルシステム１２１を定期的に読み出し、ファイルシステム１２１のデータ構造を解析し、当該データがタイムスタンプ１２２を含むか否かを判断するプログラムである。具体的には、プログラム１１５は、代表的な複数のファイルシステムを解析することができる。
【0120】
データ管理部１１０は、定期的にプログラム１１５を実行する。データ管理部１１０は、ホスト３０からライトコマンドＷＣＭＤを受信した回数をカウントした累積ライト量を格納すると共に、累積ライト量を管理してもよい。また、例えば、データ管理部１１０は、ホスト３０からリードコマンドＲＣＭＤを受信した回数をカウントし、累積リード量を格納すると共に、累積ライト量を管理してもよい。また、データ管理部１１０は、ライトコマンドＷＣＭＤ又はリードコマンドＲＣＭＤの受信毎に実行されてもよい。
【0121】
データ管理部１１０は、例えば、累積リード量が１００ＧＢｙｔｅ毎に、又は、累積ライト量が１００ＧＢｙｔｅ毎に、プログラム１１５を実行し、ファイルシステム１２１を読み出し、ファイルシステム１２１のデータ構造を解析し、当該データがタイムスタンプ１２２を含むか否かを判断する。
【0122】
＜３－２．メモリシステム１の動作方法＞
図１６～図１７Ｅを参照し、第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を具体的に説明する。図１６は第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。図１７Ａは、第３実施形態に係るタイムスタンプテーブル６３０の構成を示す図である。図１７Ｂ、図１７Ｄ及び図１７Ｆは、第３実施形態に係る実データ部３００Ａの構成を示す図である。図１７Ｃ、図１７Ｅ及び図１７Ｇは、第３実施形態に係るＬ２Ｐテーブル４００Ａの構成を示す図である。
図１６～図１７Ｅを参照し、第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を具体的に説明する。図１６は第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。図１７Ａは、第３実施形態に係るタイムスタンプテーブル６３０の構成を示す図である。図１７Ｂ、図１７Ｄ及び図１７Ｆは、第３実施形態に係る実データ部３００Ａの構成を示す図である。図１７Ｃ、図１７Ｅ及び図１７Ｇは、第３実施形態に係るＬ２Ｐテーブル４００Ａの構成を示す図である。
【0123】
メモリコントローラ１０が、例えば、ホスト３０からライトコマンドＷＣＭＤ又はリードコマンドＲＣＭＤを受信すると、メモリコントローラ１０はライトコマンドＷＣＭＤ及びリードコマンドＲＣＭＤを受信した回数のカウントを開始する（ステップ７０１）。
【0124】
データ管理部１１０は、例えば、累積リード量又は累積ライト量が一定量毎に、ファイルシステム１２１を読み出す（ステップＳ７０２）。データ管理部１１０は、ファイルシステム１２１を読み出したあとに、ファイルシステム１２１のデータ構造を解析する（ステップＳ７０３）。また、当該データ構造内のデータがタイムスタンプ１２２を含むか否かを判断する。当該データ構造内のデータがタイムスタンプ１２２を含むと判断した場合には、データ管理部１１０は、タイムスタンプ１２２に対応する時刻情報をタイムスタンプテーブル６３０に格納する。
【0125】
例えば、タイムスタンプテーブル６３０では、図１７Ａに示されるＬＢＡ、ＡＦＤ、アプリケーションＩＤ、及びタイムスタンプ１２２が互いに対応付けられている。ＬＢＡ００００ｈ～００７Ｆｈ、ＦｉｌｅＡ、アプリケーションＩＤの＃０１（アプリケーション３２）、及びタイムスタンプ１２２の時刻ｔ０が互いに対応付けられている。ＦｉｌｅＡと同様に、ＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＣが、図１７Ａに示されるように対応付けられている。ここで、時刻ｔ０から時刻ｔ１で、ＦｉｌｅＡがＦｉｌｅＡＵに更新される。同一のアプリケーション３２（アプリケーションＩＤが＃０１）を使用して生成されたＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、ＦｉｌｅＣは、この順で、メモリブロックに格納される。
【0126】
また、図１７Ｂは、例えば、下記の処理が実行された後の実データ部３００Ａにおけるデータ配置を模式的に示した図である実データ部３００Ａは、例えば、メモリブロックＭＢ１～ＭＢ３を含む。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣを、メモリブロックＭＢ１の物理アドレスに対応するページ０００～ページ０９５に格納する。
また、図１７Ｃのテーブル部４００Ａに示されるように、テーブル部４００Ａは、例えば、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃを含む。図１７Ｃのテーブル部４００Ａは、図１７Ｂに示された実データ部３００Ａに対応するテーブル部である。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、ＬＢＡ００００ｈ～０１７Ｆｈが、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ及びＦｉｌｅＣ（物理アドレスに対応するページ０００～ページ０９５）に対応付けられている。メモリブロックＭＢ１～ＭＢ３、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃの構成は、第１実施形態と同様の構成であり、ここでの詳細な説明は省略される。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣを、メモリブロックＭＢ１の物理アドレスに対応するページ０００～ページ０９５に格納する。
また、図１７Ｃのテーブル部４００Ａに示されるように、テーブル部４００Ａは、例えば、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃを含む。図１７Ｃのテーブル部４００Ａは、図１７Ｂに示された実データ部３００Ａに対応するテーブル部である。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、ＬＢＡ００００ｈ～０１７Ｆｈが、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ及びＦｉｌｅＣ（物理アドレスに対応するページ０００～ページ０９５）に対応付けられている。メモリブロックＭＢ１～ＭＢ３、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃの構成は、第１実施形態と同様の構成であり、ここでの詳細な説明は省略される。
【0127】
例えば、メモリコントローラ１０が、ホスト３０から書き込みコマンドＷＣＭＤ及びライトデータ（ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣ）を含む書き込み要求を受信し、書き込みコマンドＷＣＭＤ及びライトデータ（ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣ）に基づき、「１－３．メモリコントローラ１０の構成」で説明された書き込み動作を実行することによって、図１７Ａに示されたタイムスタンプテーブル６３０、図１７Ｂ及び図１７Ｃで示された実データ部３００Ａ及びテーブル部４００Ａは構成される。また、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣが更新されると、例えば、メモリコントローラ１０が、「１－６．メモリシステム１の動作方法の第１の例（第１例）」で説明された書き込み動作を実行することによって、図１７Ａに示されたタイムスタンプテーブル６３０Ｕ、図１７Ｄ及び図１７Ｅで示された実データ部３００Ａ又はテーブル部４００Ａは構成される。
【0128】
タイムスタンプ１２２が更新されると、例えば、タイムスタンプテーブル６３０はタイムスタンプテーブル６３０Ｕに更新され、図１７Ｂに示される実データ部３００Ａは図１７Ｄに示される実データ部３００に更新され、図１７Ｃに示されるテーブル部４００Ａは図１７Ｅに示されるテーブル部４００Ａに更新される。タイムスタンプテーブル６３０Ｕ、及び図１７Ｄに示される実データ部３００Ａに基づき、ＦｉｌｅＡが格納されているページが、時刻ｔ１で、ページ０３２～ページ０６３から、ページ１２８～ページ１５９に更新されている。
図１７Ｄは、例えば、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣをメモリブロックＭＢ１の物理アドレスに対応するページ０００～ページ０９５に格納し、下記の処理が実行された後の実データ部３００Ａにおけるデータ配置を模式的に示した図である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、及びＦｉｌｅＡＵとは他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７に格納する。当該他のデータは、ページ０９６～ページ１２７に格納された有効データであり、図１７Ｅのテーブル部４００Ａで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＡＵ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０９６～ページ１２７のファイルデータである。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＡをＦｉｌｅＡＵに更新し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＡＵを、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ１５９に格納する。
図１７Ｅのテーブル部４００Ａは、図１７Ｄに示された実データ部３００Ａに対応するテーブル部である。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、ＬＢＡ００００ｈ～００７ＦｈがＦｉｌｅＢ（物理アドレスのページ０００～ページ０３１）に対応付けられており、ＬＢＡ０１００ｈ～０１７ＦｈがＦｉｌｅＣ（物理アドレスのページ０６４～ページ０９５）に対応付けられており、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＢＵ及びＦｉｌｅＣＵ以外の有効データに対応するＬＢＡが物理アドレスのページ０９６～ページ１２７に対応付けられている。また、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂでは、ＬＢＡ００８０ｈ～００ＦＦｈがＦｉｌｅＡＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）に対応付けられている。
なお、図１７Ｂ～図１７Ｅに示された消去後のページ（ＥＰ）は、実データ部３００Ａ及びテーブル部４００Ａの物理アドレスと論理アドレスとの対応付けの無いページである。また、図１７Ｄ及び図１７Ｅに示されるように、第１のＬ２Ｐテーブル４００aのＬＢＡ００８０ｈ～００ＦＦｈに対応していたＦｉｌｅＢ（物理アドレスのページ０３２～ページ０６３）の対応付けが無くなっている（図１７Ｄでは無効データと記載）。
図１７Ｄは、例えば、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣをメモリブロックＭＢ１の物理アドレスに対応するページ０００～ページ０９５に格納し、下記の処理が実行された後の実データ部３００Ａにおけるデータ配置を模式的に示した図である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、及びＦｉｌｅＡＵとは他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７に格納する。当該他のデータは、ページ０９６～ページ１２７に格納された有効データであり、図１７Ｅのテーブル部４００Ａで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＡＵ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０９６～ページ１２７のファイルデータである。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＡをＦｉｌｅＡＵに更新し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＡＵを、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ１５９に格納する。
図１７Ｅのテーブル部４００Ａは、図１７Ｄに示された実データ部３００Ａに対応するテーブル部である。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、ＬＢＡ００００ｈ～００７ＦｈがＦｉｌｅＢ（物理アドレスのページ０００～ページ０３１）に対応付けられており、ＬＢＡ０１００ｈ～０１７ＦｈがＦｉｌｅＣ（物理アドレスのページ０６４～ページ０９５）に対応付けられており、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＢＵ及びＦｉｌｅＣＵ以外の有効データに対応するＬＢＡが物理アドレスのページ０９６～ページ１２７に対応付けられている。また、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂでは、ＬＢＡ００８０ｈ～００ＦＦｈがＦｉｌｅＡＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）に対応付けられている。
なお、図１７Ｂ～図１７Ｅに示された消去後のページ（ＥＰ）は、実データ部３００Ａ及びテーブル部４００Ａの物理アドレスと論理アドレスとの対応付けの無いページである。また、図１７Ｄ及び図１７Ｅに示されるように、第１のＬ２Ｐテーブル４００aのＬＢＡ００８０ｈ～００ＦＦｈに対応していたＦｉｌｅＢ（物理アドレスのページ０３２～ページ０６３）の対応付けが無くなっている（図１７Ｄでは無効データと記載）。
【0129】
図１６に戻って説明を続ける。データ管理部１１０はタイムスタンプテーブル６３０Ｕを読み出し、更新されたタイムスタンプ１２２に対応する時刻情報を取得する（ステップＳ７０４）。
【0130】
データ管理部１１０がタイムスタンプ１２２を時刻情報として取得すると、データ管理部１１０は、図１７Ｅに示された更新後のテーブル部４００Ａを読み出し、ファイルデータの順番を確認する（ステップ７０５）。具体的には、データ管理部１１０は、図１７Ｅに示された第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ及び第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂを読み出し、ＬＢＡ００００ｈ～００７Ｆｈと物理アドレスのページ０００～ページ０３１とが対応付けられていること、ＬＢＡ０１００ｈ～０１７Ｆｈと物理アドレスのページ０６４～ページ０９５とが対応付けられていること、及びＬＢＡ００８０ｈ～００FＦｈと物理アドレスのページ１２８～ページ１５９とが対応付けられていることを確認する。また、データ管理部１１０は、図１７Ｄに示された更新後の実データ部３００Ａの物理アドレスのページ０００～ページ０３１にはＦｉｌｅＢが格納されていること、ページ０６４～ページ０９５にはＦｉｌｅＣが格納されていること、及びページ１２８～ページ１５９にはＦｉｌｅＡＵがこの順番で格納されていることを確認する。
データ管理部１１０は、ファイルの更新に基づき、第１実施形態及び第２実施形態で説明したＡＢＯ処理を実行する。
図１７Ｆは、例えば、ＦｉｌｅＡＵをメモリブロックＭＢ２の物理アドレスに対応するページ１２８～ページ１５９に格納し、ＡＢＯ処理が実行された後の実データ部３００Ａにおけるデータ配置を模式的に示した図である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、及びＦｉｌｅＡＵ、ページ１２８～ページ１５９に格納されたデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ２のページ１６０～ページ２５５に格納する。当該他のデータは、ページ１６０～ページ２５５に格納された有効データであり、図１７Ｇのテーブル部４００Ａで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＡＵ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ１６０～ページ２５５のファイルデータである。
その結果、データ管理部１１０は、図１７Ｆに示される実データ部３００Ａのように、連続するＬＢＡ０００ｈ～０１７Ｆｈに対応するＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡＵ及びＦｉｌｅＣを、対応するＬＢＡの順に、メモリブロックＭＢ３の連続する物理アドレスに対応するページ２５６～３５１に格納することができる。また、データ管理部１１０は、図１７Ｇに示されるテーブル部４００Ａのように、物理アドレスのページ２５６～ページ３５２とＬＢＡ００００ｈ～０１７Ｆｈとを対応付けて、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃに格納する。すなわち、ページ２５６～ページ３５２に格納されたＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡＵ及びＦｉｌｅＣが有効データとなっている。また、図１７Ｇに示されるように、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂのＬＢＡ００８０ｈ～００ＦＦｈに対応していたＦｉｌｅＡＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）、及び、メモリブロックＭＢ２のＦｉｌｅＡＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）の対応付けが無くなっている（図１７Ｆでは無効データと記載）。なお、第３実施形態において、無効となったデータのＬＢＡ（斜線の箇所）の対応付けは存在しなくてもよく、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃのＬＢＡがＥＰとなっている対応付けは存在しなくてもよい。
データ管理部１１０は、ファイルの更新に基づき、第１実施形態及び第２実施形態で説明したＡＢＯ処理を実行する。
図１７Ｆは、例えば、ＦｉｌｅＡＵをメモリブロックＭＢ２の物理アドレスに対応するページ１２８～ページ１５９に格納し、ＡＢＯ処理が実行された後の実データ部３００Ａにおけるデータ配置を模式的に示した図である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、及びＦｉｌｅＡＵ、ページ１２８～ページ１５９に格納されたデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ２のページ１６０～ページ２５５に格納する。当該他のデータは、ページ１６０～ページ２５５に格納された有効データであり、図１７Ｇのテーブル部４００Ａで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＣ、ＦｉｌｅＡＵ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ１６０～ページ２５５のファイルデータである。
その結果、データ管理部１１０は、図１７Ｆに示される実データ部３００Ａのように、連続するＬＢＡ０００ｈ～０１７Ｆｈに対応するＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡＵ及びＦｉｌｅＣを、対応するＬＢＡの順に、メモリブロックＭＢ３の連続する物理アドレスに対応するページ２５６～３５１に格納することができる。また、データ管理部１１０は、図１７Ｇに示されるテーブル部４００Ａのように、物理アドレスのページ２５６～ページ３５２とＬＢＡ００００ｈ～０１７Ｆｈとを対応付けて、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃに格納する。すなわち、ページ２５６～ページ３５２に格納されたＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡＵ及びＦｉｌｅＣが有効データとなっている。また、図１７Ｇに示されるように、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂのＬＢＡ００８０ｈ～００ＦＦｈに対応していたＦｉｌｅＡＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）、及び、メモリブロックＭＢ２のＦｉｌｅＡＵ（物理アドレスのページ１２８～ページ１５９）の対応付けが無くなっている（図１７Ｆでは無効データと記載）。なお、第３実施形態において、無効となったデータのＬＢＡ（斜線の箇所）の対応付けは存在しなくてもよく、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃのＬＢＡがＥＰとなっている対応付けは存在しなくてもよい。
【0131】
データ管理部１１０が、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＡＵ及びＦｉｌｅＣがこの順番で格納されていることを確認すると、第３実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は終了する（ステップＳ７０７）。
【0132】
第３実施形態に係るメモリシステム１は、第１実施形態及び第２実施形態と同様にＡＢＯ処理を実行し、同一のアプリケーション３２を使用して生成された、連続するＬＢＡに対応する複数のファイルデータを、対応する論理アドレスの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。よって、第３実施形態に係るメモリシステム１は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、アプリケーション３２を起動する場合のファイルデータの読み出し時間を短くすることができ、アプリケーション３２を起動する場合のファイルデータの読み出し動作を高速化できる。
【0133】
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態に係るメモリシステム１の動作方法と相違する。第４実施形態に係るメモリシステム１の説明では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
第４実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態に係るメモリシステム１の動作方法と相違する。第４実施形態に係るメモリシステム１の説明では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0134】
＜４－１．メモリシステム１の全体構成＞
図１８を参照し、第４実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック構成を説明する。図１８は第４実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック図である。
図１８を参照し、第４実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック構成を説明する。図１８は第４実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック図である。
【0135】
第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、ホスト３０からの第１のコマンドに基づき、メモリコントローラ１０が、データ管理部１１０及びＷ／Ｒ管理部１１１を用いて、同一のアプリケーション３３を使用して生成された少なくとも２つのＡＦＤ（例えば、ＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＤ）を連結する処理を実行すること、及び、ＡＢＯ処理を実行することを含む。第１のコマンドは、図２０に示されたフォーマット７００を含む。フォーマット７００は、第１のコマンドに対応する第３のオペレーションコマンド（３ｒｄＯＣ）、第１のＬＢＡ（１ｓｔＬＢＡ）、第１のデータ長（１ｓｔ Ｄａｔａ Ｌｅｎｇｔｈ、１ｓｔＤＬ）、第２のＬＢＡ（２ｎｄＬＢＡ）、及び第２のデータ長（２ｎｄ Ｄａｔａ Ｌｅｎｇｔｈ、２ｎｄＤＬ）を含む。
【0136】
Ｗ／Ｒ管理部１１１は、ホスト３０から受信した第１のコマンドに応じて、同一のアプリケーション３３を使用して生成された少なくとも２つのＡＦＤを連結する処理を実行することを、不揮発性メモリ２０へ指示する。
【0137】
データ管理部１１０は、ホスト３０から受信した第１のコマンドに応じて、例えば、テーブル部４００に含まれるＬ２ＰテーブルをＲＡＭ１２に読み出して、ＲＡＭ１２上に展開し、Ｌ２Ｐテーブル内の管理情報を更新する。
【0138】
＜４－２．アプリケーション３３により作成されるデータの構成＞
図１９を参照し、アプリケーション３３により作成されるデータの構成を説明する。図１９は第４実施形態に係るアプリケーション３３により作成されるデータの構成を示す図である。アプリケーション３３により作成されるデータは、ＡＦＤ３３１を含む。アプリケーション３３により作成されるデータは、ホスト３０の論理アドレスで特定される。論理アドレス空間１００Ａでは、ＡＦＤが論理アドレスに対応付けられている。
図１９を参照し、アプリケーション３３により作成されるデータの構成を説明する。図１９は第４実施形態に係るアプリケーション３３により作成されるデータの構成を示す図である。アプリケーション３３により作成されるデータは、ＡＦＤ３３１を含む。アプリケーション３３により作成されるデータは、ホスト３０の論理アドレスで特定される。論理アドレス空間１００Ａでは、ＡＦＤが論理アドレスに対応付けられている。
【0139】
ＡＦＤ３３１は、例えば、同一のアプリケーション３３を使用して生成されたＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを含む。ＦｉｌｅＢはＬＢＡ００００ｈ～００７Ｆｈに対応付けられ、ＦｉｌｅＤはＬＢＡ１０８０ｈ～１１７Ｆｈに対応付けられ、ＦｉｌｅＡはＬＢＡ２１８０ｈ～２２７Ｆｈに対応付けられ、ＦｉｌｅＣはＬＢＡ２２８０ｈ～２３７Ｆｈに対応付けられている。すなわち、第４実施形態に係るメモリシステム１では、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＡ、及びＦｉｌｅＣは、連続する論理アドレスに対応付けられていない。
【0140】
＜４－３．フォーマット７００＞
図２０を参照し、第１のコマンドのフォーマット７００を説明する。図２０は第４実施形態に係る第１のコマンドのフォーマット７００の一例を示す図である。フォーマット７００は、３ｒｄＯＣ、１ｓｔＬＢＡ、１ｓｔＤＬ、２ｎｄＬＢＡ、及び２ｎｄＤＬにおいて、第１実施形態に係るフォーマット５００と相違する。なお、フォーマット５００と同様に、フォーマット７００で設定されるコード、データ、値などは、設定情報といわれる。
図２０を参照し、第１のコマンドのフォーマット７００を説明する。図２０は第４実施形態に係る第１のコマンドのフォーマット７００の一例を示す図である。フォーマット７００は、３ｒｄＯＣ、１ｓｔＬＢＡ、１ｓｔＤＬ、２ｎｄＬＢＡ、及び２ｎｄＤＬにおいて、第１実施形態に係るフォーマット５００と相違する。なお、フォーマット５００と同様に、フォーマット７００で設定されるコード、データ、値などは、設定情報といわれる。
【0141】
フォーマット７００は、ＯＣ７０２、複数の個別設定コード７０４、１ｓｔＬＢＡ７０６、リザーブ領域（Ｒｅｓｅｒｖｅｄ）７０９及び７１９、１ｓｔＤＬ７１３、２ｎｄＬＢＡ７１６、２ｎｄＤＬ７２３、及び制御バイト７１４及び７２４を含む。すなわち、フォーマット７００は、連続する２つのＬＢＡ（１ｓｔＬＢＡ７０６及び２ｎｄＬＢＡ７１６）を含み、１ｓｔＬＢＡ７０６及び２ｎｄＬＢＡ７１６のそれぞれのデータ長に対応する１ｓｔＤＬ７１３及び２ｎｄＤＬ７２３を含む。
【0142】
複数の個別設定コード７０４、リザーブ領域７０９及び７１９、制御バイト７１４及び７２４は、複数の個別設定コード５０４、リザーブ領域５０９、及び制御バイト５１４と同様であり、説明を省略する。また、１ｓｔＬＢＡ７０６及び２ｎｄＬＢＡ７１６は、ＬＢＡ５０６と同様であり、１ｓｔＤＬ７１３及び２ｎｄＤＬ７２３はＴＬ５１２と同様である。
【0143】
ＯＣ７０２は、転送されるブロック（例えば、コマンド、記述子ブロック）が、少なくとも２つのＡＦＤを連結すると共にＡＢＯ処理の実行要求であることを示し、第３の動作コード（３ｒｄ ＯＰＥＲＡＴＩＯＮ ＣＯＤＥ、３ｒｄＯＣ）を含む。
【0144】
＜４－４．メモリシステム１の動作方法＞
図２１～図２４を参照し、第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。図２１は第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。図２２は図２０に示された第１のコマンドの設定の一例を示す図である。図２３は第４実施形態に係る実データ部３００Ｂ及びテーブル部４００Ｂの構成を示す図であり、図２４は第４実施形態に係るテーブル部４００Ｂの構成を示す図である。第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法では、一例として、アプリケーション３３により作成されるデータは、各々が５１２ＫＢｙｔｅのＤＬを有するＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤの４つのＡＦＤを含むものとする。ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤは、第１のファイルデータ～第４のファイルデータといわれる。
図２１～図２４を参照し、第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。図２１は第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。図２２は図２０に示された第１のコマンドの設定の一例を示す図である。図２３は第４実施形態に係る実データ部３００Ｂ及びテーブル部４００Ｂの構成を示す図であり、図２４は第４実施形態に係るテーブル部４００Ｂの構成を示す図である。第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法では、一例として、アプリケーション３３により作成されるデータは、各々が５１２ＫＢｙｔｅのＤＬを有するＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤの４つのＡＦＤを含むものとする。ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤは、第１のファイルデータ～第４のファイルデータといわれる。
【0145】
初めに、ホスト３０は、複数のＡＦＤを連結する動作を開始する（ステップＳ７０１）。ホスト３０は、ＯＣ７０２、１ｓｔＬＢＡ、１ｓｔＤＬ、２ｎｄＬＢＡ、及び２ｎｄＤＬを、図２２に示される３ｒｄＯＣ、ＦｉｌｅＢのＬＢＡのスタートアドレス、５１２ＫＢｙｔｅ、ＦｉｌｅＤのＬＢＡのスタートアドレス、及び５１２ＫＢｙｔｅに設定されたフォーマット７００を含む第１のコマンドを、メモリシステム１に送信し、メモリコントローラ１０は、ホスト３０からフォーマット７００を含む第１のコマンドを受信する（ステップＳ７０２）。なお、スタートアドレスは、例えば、スタートアドレスが設定されＡＦＤの読み出す順番又は書き込む順番を示すアドレスである。ＦｉｌｅＢのＬＢＡのスタートアドレスは、ＦｉｌｅＤのＬＢＡのスタートアドレスより小さい。不揮発性メモリ２０は、ＦｉｌｅＢをＦｉｌｅＤより先に格納し、ＦｉｌｅＢをＦｉｌｅＤより先に読み出す。
【0146】
ステップＳ７０２の次に、メモリシステム１はステップＳ７０３を実行する。メモリシステム１は、ステップＳ７０２の３ｒｄＯＣ、ＦｉｌｅＢのＬＢＡのスタートアドレス、５１２ＫＢｙｔｅ、ＦｉｌｅＤのＬＢＡのスタートアドレス、及び５１２ＫＢｙｔｅに設定されたフォーマット７００を、図２２に示される３ｒｄＯＣ、ＦｉｌｅＤのＬＢＡのスタートアドレス、５１２ＫＢｙｔｅ、ＦｉｌｅＡのＬＢＡのスタートアドレス、及び５１２ＫＢｙｔｅに設定されたフォーマット７００に置き換えた第１のコマンドを、メモリシステム１に送信し、メモリコントローラ１０は、ホスト３０からフォーマット７００を含む第１のコマンドを受信する（ステップＳ７０３）。ＦｉｌｅＤのＬＢＡのスタートアドレスは、ＦｉｌｅＡのＬＢＡのスタートアドレスより小さい。不揮発性メモリ２０は、ＦｉｌｅＤをＦｉｌｅＡより先に格納し、ＦｉｌｅＤをＦｉｌｅＡより先に読み出す。
【0147】
次に、メモリコントローラ１０は、ステップＳ７０４を実行する。ステップＳ７０４におけるメモリシステム１の動作方法は、ステップＳ７０３におけるＦｉｌｅＢ及びＦｉｌｅＤを、ＦｉｌｅＡ及びＦｉｌｅＣに置き換えた動作方法である。ＦｉｌｅＡのＬＢＡのスタートアドレスは、ＦｉｌｅＣのＬＢＡのスタートアドレスより小さい。不揮発性メモリ２０は、ＦｉｌｅＡをＦｉｌｅＣより先に格納し、ＦｉｌｅＡをＦｉｌｅＣより先に読み出す。
【0148】
ステップＳ７０４が終了すると、メモリコントローラ１０は、ステップＳ７０２～Ｓ７０４で受信した各第１のコマンドに基づき、Ｗ／Ｒ管理部１１１及びデータ管理部１１０を用いて、連続する論理アドレスに対応するＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＡ及びＦｉｌｅＣを、この順に連結すると共に、連続する物理アドレスに対応するページに格納する処理（ＡＢＯ処理）を実行するように不揮発性メモリ２０に指示する（ステップＳ７０５）。不揮発性メモリ２０は、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＡ及びＦｉｌｅＣをこの順番で、連続する物理アドレスに対応するページに格納する。
【0149】
例えば、不揮発性メモリ２０は、図２３に示されるように、実データ部３００に含まれるメモリブロックＭＢ１（論理アドレスと物理アドレスとの対応付けの無いページ（ＥＰ））に、ファイルデータを格納する。具体的には、不揮発性メモリ２０は、ＦｉｌｅＢをページ０００～ページ０３１に格納し、ＦｉｌｅＤをページ０３２～ページ０６３に格納し、ＦｉｌｅＡをページ０６４～ページ０９５に格納し、ＦｉｌｅＣをページ０９６～ページ１２７に格納する。
【0150】
また、データ管理部１１０は、図２４に示されるように、テーブル部４００に含まれる第１のＬ２Ｐテーブル４００ａの論理アドレスと物理アドレスとの対応付けの無いページ（ＥＰ）を、有効データが格納された状態にする。具体的には、データ管理部１１０は、ページ０００～ページ０３２の物理アドレスと論理アドレス００００ｈ～００７Ｆｈとを対応付け、ページ０３３～ページ０６３の物理アドレスと論理アドレス１０８０ｈ～１１７Ｆｈとを対応付け、ページ０６４～ページ０９５の物理アドレスと論理アドレス２０８０ｈ～２１７Ｆｈとを対応付け、ページ０９６～ページ０１２７の物理アドレスと論理アドレス２２８０ｈ～２３７Ｆｈとを対応付ける。ステップＳ７０５終了時点での、実データ部３００Ｂ及びテーブル部４００Ｂの状態が、図２３及び図２４に示された状態である。
【0151】
データ管理部１１０が、ＡＢＯ処理を実行し、ステップＳ７０５が完了すると、書き込み動作は終了する（ステップＳ７０６）。
【0152】
例えば、ステップＳ７０６のあとに、メモリシステム１がホスト３０からリードコマンドＲＣＭＤを含む読み出し要求を受信し、リードコマンドＲＣＭＤに基づき、不揮発性メモリ２０からデータを読み出す場合、ＦｉｌｅＢ、ＦｉｌｅＤ、ＦｉｌｅＡ及びＦｉｌｅＣをこの順番で読み出すことができる。
【0153】
第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、予め、少なくとも２つのＡＦＤを連結する第１のコマンドを用いて、少なくとも２つのＡＦＤが離隔することなく、２つのＡＦＤを連結した状態で、２つのＡＦＤを連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。その結果、複数のＡＦＤを個別に書き込み、ＡＢＯ処理を用いて、連続する物理アドレスに対応するページにＡＦＤを格納する場合より、メモリシステム１がホスト３０から受信するコマンドの数を減らすことができる。よって、第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、ＧＣ処理の回数を低減可能であり、不揮発性メモリ２０の寿命を延ばすことができる。また、第４実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、複数のＡＦＤの論理アドレスが離れている場合であっても、連続する物理アドレスに対応するページに格納することができる。よって、第４実施形態に係るメモリシステム１は、第１実施形態～第３実施形態と同様に、アプリケーション３３を起動する場合のファイルデータの読み出し時間を短くすることができ、アプリケーション３３を起動する場合のファイルデータの読み出し動作を高速化できる。
【0154】
＜第５実施形態＞
第５実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態に係るメモリシステム１のアプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０に関連する動作方法である。第５実施形態に係るメモリシステム１の説明では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
第５実施形態に係るメモリシステム１について説明する。第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、第１実施形態に係るメモリシステム１のアプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０に関連する動作方法である。第５実施形態に係るメモリシステム１の説明では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0155】
＜５－１．メモリシステム１の全体構成＞
図２５を参照し、第５実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック構成を説明する。図２５は第５実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック図である。
図２５を参照し、第５実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック構成を説明する。図２５は第５実施形態に係るメモリシステム１及びホスト３０の機能ブロック図である。
【0156】
第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、ホスト３０からのライトコマンドＷＣＭＤに基づき、メモリコントローラ１０が、データ管理部１１０及びＷ／Ｒ管理部１１１を用いて、同一のアプリケーション３４を使用して生成された複数のＡＦＤ３４１（例えば、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ）の書き込み動作を実行すること、書き込み動作を実行したのちＡＢＯ処理を実行すること、ＡＢＯ処理を実行したあとに、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブルを生成することを含む。ライトコマンドＷＣＭＤは、例えば、第１実施形態に係る図８に示されたフォーマット５００を含む。アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０は、第１実施形態と同様に同一のアプリケーション３４を使用して生成された複数のＡＦＤの論理アドレスと、物理アドレスに対応するページとを対応付けた情報が格納されている。
【0157】
第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、一例として、フォーマット５００を含むライトコマンドＷＣＭＤに基づく書き込み動作を実行することを含む。第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法が対応するフォーマットはフォーマット５００に限定されない。例えば、フォーマットは、フォーマット６００でよく、フォーマット７００でもよい。フォーマットは、メモリシステム１の用途、仕様などに基づき適宜選択可能である。
【0158】
データ管理部１１０は、例えば、プログラム１１６を含む。プログラム１１６は、ＡＢＯ処理の終了を受けて、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０を生成するプログラムである。
【0159】
第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法では、ＡＢＯ処理を実行したのち、データ管理部１１０は、ＡＢＯ処理の終了を受けて、プログラム１１６を実行し、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０を生成する。
【0160】
＜５－２．アプリケーション３４により作成されるデータの構成＞
図２６を参照し、アプリケーション３４により作成されるデータの構成を説明する。図１９Ａは第５実施形態に係るアプリケーション３４により作成されるデータの構成を示す図である。アプリケーション３４により作成されるデータは、ＡＦＤ３４１を含む。アプリケーション３４により作成されるデータは、ホスト３０の論理アドレスで特定される。
図２６を参照し、アプリケーション３４により作成されるデータの構成を説明する。図１９Ａは第５実施形態に係るアプリケーション３４により作成されるデータの構成を示す図である。アプリケーション３４により作成されるデータは、ＡＦＤ３４１を含む。アプリケーション３４により作成されるデータは、ホスト３０の論理アドレスで特定される。
【0161】
ＡＦＤ３４１は、例えば、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを含む。ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤは、連続する論理アドレスに対応するＬＢＡ００００ｈ～０２７Ｆｈに対応付けられている。第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法では、一例として、アプリケーション３４により作成されるデータは、各々が５１２ＫＢｙｔｅのＴＬを有するＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤの４つのＡＦＤを含むものとする。ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤは、第１のファイルデータ～第４のファイルデータといわれる。
【0162】
＜５－３．実データ部３００Ｃ及びテーブル部４００Ｃの構成＞
図２８Ａ及び２８Ｂを参照し、実データ部３００Ｃ及びテーブル部４００Ｃの構成を説明する。図２８Ａは、メモリシステム１が書き込み要求を受信し、ライトコマンドＷＣＭＤに基づき、書き込み動作を実行し、ＡＦＤ３４１のＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤが不揮発性メモリ２０に格納された状態である。実データ部３００Ｃは、例えば、メモリブロックＭＢ１～ＭＢ３を含む。
図２８Ａ及び２８Ｂを参照し、実データ部３００Ｃ及びテーブル部４００Ｃの構成を説明する。図２８Ａは、メモリシステム１が書き込み要求を受信し、ライトコマンドＷＣＭＤに基づき、書き込み動作を実行し、ＡＦＤ３４１のＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤが不揮発性メモリ２０に格納された状態である。実データ部３００Ｃは、例えば、メモリブロックＭＢ１～ＭＢ３を含む。
【0163】
図２８Ａは、例えば、下記の処理が実行された後の実データ部３００Ｃにおけるデータ配置を模式的に示した図である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤとは別のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ１のページ０００～ページ０３１に格納する。当該他のデータは、ページ０００～ページ０３１に格納された有効データであり、図２８Ｂ、図２８Ｄ及び図２９のテーブル部４００Ｃで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０００～ページ０３１のファイルデータである。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＡを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＡを、メモリブロックＭＢ１のページ０３２～ページ０６３に格納する。また、ホスト３０は、ページ０００～ページ０３１に保存されているデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１はホスト３０から受信した他のデータをメモリブロックＭＢ１のページ０６４～ページ０９５に格納する。当該他のデータは、ページ０６４～ページ０９５に格納された有効データであり、図２８Ｂ、図２８Ｄ及び図２９のテーブル部４００Ｃで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０６４～ページ０９５のファイルデータである。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＢ～ＦｉｌｅＤを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＢ～ＦｉｌｅＤを、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ２２３する。ＭＢ２のページ１９２～ページ２５５、及び、ＭＢ３のページ２５６～ページ３８３は、実データ部３００及びテーブル部４００の物理アドレスと論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後のページ（ＥＰ）である。
ホスト３０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤとは別のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、当該他のデータを、メモリブロックＭＢ１のページ０００～ページ０３１に格納する。当該他のデータは、ページ０００～ページ０３１に格納された有効データであり、図２８Ｂ、図２８Ｄ及び図２９のテーブル部４００Ｃで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０００～ページ０３１のファイルデータである。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＡを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＡを、メモリブロックＭＢ１のページ０３２～ページ０６３に格納する。また、ホスト３０は、ページ０００～ページ０３１に保存されているデータとは別の他のデータを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１はホスト３０から受信した他のデータをメモリブロックＭＢ１のページ０６４～ページ０９５に格納する。当該他のデータは、ページ０６４～ページ０９５に格納された有効データであり、図２８Ｂ、図２８Ｄ及び図２９のテーブル部４００Ｃで、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ以外の有効データに対応するＬＢＡに対応付けられた物理アドレスのページ０６４～ページ０９５のファイルデータである。
その後、ホスト３０は、ＦｉｌｅＢ～ＦｉｌｅＤを作成し、メモリシステム１に送信する。メモリシステム１は、ＦｉｌｅＢ～ＦｉｌｅＤを、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ２２３する。ＭＢ２のページ１９２～ページ２５５、及び、ＭＢ３のページ２５６～ページ３８３は、実データ部３００及びテーブル部４００の物理アドレスと論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後のページ（ＥＰ）である。
【0164】
図２８Ｂに示されるように、テーブル部４００Ｃは、例えば、３つのＬ２Ｐテーブル（第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃ）を含む。第１のＬ２Ｐテーブル４００ａでは、物理アドレスのページ０００～ページ０３１とＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ以外の有効データに対応するＬＢＡとが対応付けられており、ページ０００～ページ０３１のファイルデータが有効データとなっている。また、物理アドレスのページ０３２～ページ０６３と論理アドレスの００００ｈ～００７Ｆｈとが対応付けられており、ページ０３２～ページ０６３に格納されたＦｉｌｅＡが有効データとなっている。また、物理アドレスのページ０６４～ページ０９５とＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤ以外の有効データに対応するＬＢＡが対応付けられており、物理アドレスのページ０６４～ページ０９５のファイルデータが有効データとなっている。物理アドレスのページ０９６～ページ１２７と論理アドレスの００８０ｈ～００ＦＦｈとが対応付けられており、ページ０９６～ページ１２７に格納されたＦｉｌｅＢが有効データとなっている。第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂでは、物理アドレスのページ１２８～ページ１５９と論理アドレスの０１００ｈ～０１７Ｆｈとが対応付けられており、ページ１２８～ページ１５９に格納されたＦｉｌｅＣが有効データとなっている。また、物理アドレスのページ１６０～ページ１９１と論理アドレスの０１８０ｈ～０２７Ｆｈとが対応付けられており、ページ１６０～ページ１９１に格納されたＦｉｌｅＤが有効データとなっている。第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂのページ１９２～ページ２５６の物理アドレス、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃの各ページの物理アドレスは、論理アドレスとの対応付けの無いページであり、消去後の再利用可能なページ（ＥＰ）である。
【0165】
＜５－４．メモリシステム１の動作方法＞
図２７～図２９を参照し、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。図２７は第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。図２８Ｃは第５実施形態に係る実データ部３００Ｃの構成を示す図であり、図２８Ｄは第５実施形態に係るテーブル部４００Ｃの構成を示す図である。図２９は第５実施形態に係るテーブル部４００Ｃの構成を示す図である。
図２７～図２９を参照し、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。図２７は第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を示すフローチャートである。図２８Ｃは第５実施形態に係る実データ部３００Ｃの構成を示す図であり、図２８Ｄは第５実施形態に係るテーブル部４００Ｃの構成を示す図である。図２９は第５実施形態に係るテーブル部４００Ｃの構成を示す図である。
【0166】
図２７を参照し、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を説明する。はじめに、メモリシステム１は、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法を開始する（ステップＳ８０１）。
【0167】
次に、メモリコントローラ１０は、「１－７．メモリシステム１の動作方法の第２の例（第２例）」で説明した書き込み動作に基づき、有効データが格納されたメモリブロックＭＢ１のページ０００～ページ０３１に続けて、ＦｉｌｅＡを不揮発性メモリ２０のページ０３２～ページ０６３に格納する（ステップＳ８０２）。
【0168】
メモリコントローラ１０は、ステップＳ８０２と同様に、ステップＳ８０３～ステップＳ８０５を実行し、有効データが格納されたメモリブロックＭＢ１のページ０６４～ページ０９５に続けて、ＦｉｌｅＢをメモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７に格納し、ＦｉｌｅＣをメモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ１５９に格納し、有効データが格納されたメモリブロックＭＢ２のページ１６０～ページ１９１に続けて、ＦｉｌｅＤをメモリブロックＭＢ２のページ１６０～ページ１９１に格納する。ステップＳ８０５終了時点での、実データ部３００Ｃ及びテーブル部４００Ｃの状態が、図２８Ａ及び図２８Ｂに示された状態である。
【0169】
メモリコントローラ１０は、ステップＳ８０５では、ＣＦデータ（１１）を含むライトコマンドＷＣＭＤを受信している。よって、メモリコントローラ１０は、ＣＦデータ（１１）に基づき、ＡＢＯ処理を実行する（ステップＳ８０６）。データ管理部１１０は、メモリＩ／Ｆを介して、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを、ＬＢＡ００００ｈ～０２７Ｆｈの順に、メモリブロックＭＢ２のページ１９２～ページ２５５、及びメモリブロックＭＢ３のページ２５６～ページ３１９に格納する。すなわち、データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを、ＬＢＡの順に、不揮発性メモリ２０の連続する物理アドレスに対応するページに格納する。このとき、データ管理部１１０は、メモリブロックＭＢ１のページ０３２～ページ０６３に格納されたＦｉｌｅＡ、メモリブロックＭＢ１のページ０９６～ページ１２７に格納されたＦｉｌｅＢ、メモリブロックＭＢ２のページ１２８～ページ１９１に格納されたＦｉｌｅＣ及びＦｉｌｅＤを、論理アドレスと対応付けされていない無効データとする。ステップＳ８０７終了時点での実データ部３００Ｃの状態が図２８Ｃに示された状態である。
【0170】
この時、データ管理部１１０は、メモリブロックＭＢ１のＬＢＡ００００ｈ～００ＦＦｈと、物理アドレスのページ１９２～ページ２５５とを対応付けてＬ２Ｐテーブル４００ｂに格納し、ＬＢＡ０１００ｈ～０２７Ｆｈと、物理アドレスのページ２５６～ページ３１９とを対応付けて、第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃに格納する。また、データ管理部１１０は、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａｂにおいて、論理アドレスの００００ｈ～００７Ｆｈに対応していた物理アドレスのページ０３２～ページ０６５に格納されていたＦｉｌｅＡ、及び、論理アドレスの００８０ｈ～００ＦＦｈに対応していた物理アドレスのページ０９６～ページ１２７に格納されていたＦｉｌｅＢを無効データとする。また、データ管理部１１０は、第１のＬ２Ｐテーブル４００ｂにおいて、論理アドレスの０１００ｈ～０２７Ｆｈに対応していた物理アドレスのページ１２８～ページ１９１に格納されていたＦｉｌｅＣ及びＦｉｌｅＤを無効データとする。ステップＳ８０７終了時点でのテーブル部４００Ｃの状態が図２８Ｄに示された状態である。なお、第５実施形態において、無効となったデータのＬＢＡ（斜線の箇所）の対応付けは存在しなくてもよく、第１のＬ２Ｐテーブル４００ａ、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ、及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃのＬＢＡがＥＰとなっている対応付けは存在しなくてもよい。
【0171】
次に、データ管理部１１０は、ＡＢＯ処理の終了を受けて、プログラム１１６を読み出すと共に実行し、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０を、不揮発性メモリ２０に生成する（ステップＳ８０７）。
【0172】
データ管理部１１０は、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤのＬＢＡ００００ｈ～０２７Ｆｈと、物理アドレスに対応するページ１９２～ページ３１９とを対応付けて、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０Ｄに格納する。ステップＳ８０７終了時点でのテーブル部４００の状態が、図２９に示された状態である。
【0173】
次に、データ管理部１１０は、ホスト３０からリードコマンドＲＣＭＤを含む読み出し要求を受信し、不揮発性メモリ２０からアプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０を読み出してＲＡＭ１２上に展開する（ステップＳ８０８）。
【0174】
データ管理部１１０は、ＲＡＭ１２上に展開されたアプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０に基づき、不揮発性メモリ２０のページ１９２～ページ３１９６に格納されたＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを、この順番で読み出すことができる（ステップＳ８０９）。
【0175】
メモリシステム１が、読み出し動作を実行し、ステップＳ８０９が完了すると、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作は終了する（ステップＳ８１０）。
【0176】
第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、例えば、ステップ８０６の終了時点では、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを２つのＬ２Ｐテーブルに渡って管理することを含む。なお、メモリシステム１がＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを２つのＬ２Ｐテーブルに渡って管理する状態は、ＧＣ処理のあとでも生じる可能性がある。例えば、ステップ８０６の終了時点で、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを読み出す場合には、データ管理部１１０は、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂ及び第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃをそれぞれ、不揮発性メモリ２０から読み出して、ＲＡＭ１２上に展開する必要がある。すなわち、ＲＡＭ１２上では、第２のＬ２Ｐテーブル４００ｂと第３のＬ２Ｐテーブル４００ｃとが入れ替わる。この場合、データの読み出し時間が長くなり、読み出し動作が遅くなる。
【0177】
一方、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、ステップＳ８０７において、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０を不揮発性メモリ２０に生成することを含む。その結果、ＦｉｌｅＡ～ＦｉｌｅＤを読み出す場合には、データ管理部１１０は、アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル４１０を、不揮発性メモリ２０から読み出して、ＲＡＭ１２上に展開することによって、Ｌ２Ｐテーブルを入れ替える時間を短縮することができる。よって、第５実施形態に係るメモリシステム１の動作方法は、データの読み出し時間を短縮することができると共に、読み出し動作を高速化できる。
【0178】
以上、本開示のメモリシステムのいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせて実施してよく、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0179】
１：メモリシステム、１０：メモリコントローラ、１１：プロセッサ、１５：ＥＣＣ、１７：ホストインターフェース（ホストＩ／Ｆ）、１８：ホストインターフェース（メモリＩ／Ｆ）、１９：内部バス、２０：不揮発性メモリ、２１：メモリチップ、２２：ダイ、２３：メモリ部、３０：ホスト、３２：アプリケーション、３３：アプリケーション、３４：アプリケーション、１００：論理アドレス空間、１００Ａ：論理アドレス空間、１００Ｂ：論理アドレス空間、１１０：データ管理部、１１１：Ｗ／Ｒ管理部、１１５：プログラム、１１６：プログラム、１２１：ファイルシステム、１２２：タイムスタンプ、３００：実データ部、３００Ａ：実データ部、３００Ｂ：実データ部、３００Ｃ：実データ部、３２１：アプリケーションファイルデータ、４００：テーブル部、４００ａ：Ｌ２Ｐテーブル、４００ｂ：Ｌ２Ｐテーブル、４００ｃ：Ｌ２Ｐテーブル、４００ｄ：Ｌ２Ｐテーブル、４００Ａ：テーブル部、４００Ｂ：テーブル部、４００Ｃ：テーブル部、４１０：アプリケーション専用Ｌ２Ｐテーブル、５００：フォーマット、５０２：動作コード、５０４：個別設定コード、５０８：連続フラグ、５０９：リザーブ領域、５１０：グループナンバー、５１４：制御バイト、５５０：期間、５５２：期間、６００：フォーマット、６０４：個別設定コード、６１０：グループナンバー、６１４：制御バイト、６１６：アプリケーションコード、６１８：第１のレベルオーダー、６２０：第２のレベルオーダー、６２２：第３のレベルオーダー、６３０：タイムスタンプテーブル、６３０Ｕ：タイムスタンプテーブル、７００：フォーマット、７０４：個別設定コード、７０９：リザーブ領域、７１４：制御バイト、７１９：リザーブ領域、７２４：制御バイト
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図17D】
【図17E】
【図17F】
【図17G】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28A】
【図28B】
【図28C】
【図28D】
【図29】