特開 2024-134661 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024134661

(43)【公開日】2024-10-04

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240927BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 621E

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023044971

(22)【出願日】2023-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 健之

【テーマコード（参考）】

5F057

【Ｆターム（参考）】

5F057AA12

5F057BA15

5F057BB03

5F057BB06

5F057BB09

5F057BC05

5F057CA16

5F057DA06

(57)【要約】

【課題】容易に製造を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１面と、第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、第２面を囲み、第２面に対し垂直な方向において第２面よりも突出した環状の第２部分と、を有する半導体基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、を有する基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜に貼付されたシートと、に対し、第２部分の反対側の第１面に研磨テープを押圧して半導体基板を研磨することにより、第２部分を第１部分から分離する工程と、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜に研磨テープを押圧して第１導電膜を研磨することにより、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜を切断する工程と、を備える半導体装置の製造方法である。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、前記第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、
前記第２面を囲み、前記第２面に対し垂直な方向において前記第２面よりも突出した環状の第２部分と、
を有する半導体基板と、
前記第２面、前記第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、
を有する基板と、
前記第２面、前記第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた前記第１導電膜に貼付されたシートと、
に対し、
前記第２部分の反対側の前記第１面に研磨テープを押圧して前記半導体基板を研磨することにより、前記第２部分を前記第１部分から分離する工程と、
前記第１部分と分離された前記第２部分の間の前記第１導電膜に前記研磨テープを押圧して前記第１導電膜を研磨することにより、前記第１部分と分離された前記第２部分の間の前記第１導電膜を切断する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。

【請求項2】

第１面と、前記第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、
前記第２面を囲み、前記第２面に対し垂直な方向において前記第２面よりも突出した環状の第２部分と、
を有する半導体基板と、
前記第２面、前記第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、
を有する基板と、
前記第２面、前記第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた前記第１導電膜に貼付されたシートと、
に対し、
前記第２部分の反対側の前記第１面に研磨テープを押圧して前記半導体基板を研磨することにより、前記第２部分を前記第１部分から分離し、前記第１部分と前記第２部分の間の前記第１導電膜の上面を露出させる工程と、
露出された前記第１導電膜の前記上面からブレードダイシングを行うことにより、前記第１部分と前記第２部分の間の前記第１導電膜を切断する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。

【請求項3】

前記基板は、前記第１面に接して設けられた第２導電膜をさらに有し、
前記第２部分の反対側の前記第１面に前記研磨テープを押圧して前記半導体基板を研磨することにより、前記第２部分を前記第１部分から分離する工程において、前記第２導電膜が研磨される、
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】

前記第１部分と分離された前記第２部分の間の前記第１導電膜に前記研磨テープを押圧して前記第１導電膜を研磨することにより、前記第１部分と分離された前記第２部分の間の前記第１導電膜を切断する工程において、
前記シートの上面が露出される、
請求項１記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】

前記半導体基板は、前記第１面の上に設けられた保護膜をさらに有し、
前記第２部分の反対側の前記第１面に前記研磨テープを押圧して前記半導体基板を研磨することにより、前記第２部分を前記第１部分から分離する工程の前に、前記第２部分の反対側の前記第１面の上に設けられた前記保護膜を研磨する工程を備える、
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】

前記第１部分と分離された前記第２部分の間の前記第１導電膜に前記研磨テープを押圧して前記第１導電膜を研磨することにより、前記第１部分と分離された前記第２部分の間の前記第１導電膜を切断する工程の後に、
前記第２部分を前記シートから剥離する工程をさらに備える、
請求項１記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】

露出された前記第１導電膜の前記上面から前記ブレードダイシングを行うことにより、前記第１部分と前記第２部分の間の前記第１導電膜を切断する工程の後に、
前記第２部分を前記シートから剥離する工程をさらに備える、
請求項２記載の半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１導電膜は、厚みが５μｍ以上でありＮｉ（ニッケル）を含む第３導電膜と、前記第３導電膜と前記第２面の間に設けられＡｌ（アルミニウム）を含む第４導電膜と、を有する請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体装置は、電力変換等の用途に用いられる。ＭＯＳＦＥＴを有する半導体チップは、ＭＯＳＦＥＴが形成された半導体基板をダイシングすることにより得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１７４８９６号公報

【特許文献2】特許第６１２１２２５号公報

【特許文献3】特許第５５７１４０９号公報

【特許文献4】特開２０２２―０３６４９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、容易に製造を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態の半導体装置の製造方法は、第１面と、第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、第２面を囲み、第２面に対し垂直な方向において第２面よりも突出した環状の第２部分と、を有する半導体基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、を有する基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜に貼付されたシートと、に対し、第２部分の反対側の第１面に研磨テープを押圧して半導体基板を研磨することにより、第２部分を第１部分から分離する工程と、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜に研磨テープを押圧して第１導電膜を研磨することにより、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜を切断する工程と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態の基板の模式断面図である。

【図2】第１実施形態の半導体基板の模式下面図である。

【図3】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図4】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図5】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図6】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図7】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図8】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図9】第１実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。

【図10】第１実施形態の半導体装置の作用効果を説明するための模式断面図である。

【図11】第２実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図12】第２実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【図13】第２実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。

【0008】

本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。

【0009】

（第１実施形態）
実施形態の半導体装置の製造方法は、第１面と、第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、第２面を囲み、第２面に対し垂直な方向において第２面よりも突出した環状の第２部分と、を有する半導体基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、を有する基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜に貼付されたシートと、に対し、第２部分の反対側の第１面に研磨テープを押圧して半導体基板を研磨することにより、第２部分を第１部分から分離する工程と、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜に研磨テープを押圧して第１導電膜を研磨することにより、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜を切断する工程と、を備える。

【0010】

図１は、本実施形態の基板１８の模式断面図である。

【0011】

図２は、本実施形態の半導体基板１０の模式下面図である。なお、図２において、第１導電膜１２の図示は省略している。

【0012】

本実施形態の半導体装置の製造方法は、図１に示した基板１８のダイシングにより、基板１８の一部が個片化された半導体装置（半導体チップ）１００を製造する方法である。

【0013】

基板１８は、半導体基板１０と、第１導電膜１２と、第２導電膜１４と、を有する。

【0014】

ここで、Ｘ方向と、Ｘ方向に対して垂直に交差するＹ方向と、Ｘ方向及びＹ方向に垂直に交差するＺ方向を定義する。図２は、本実施形態の半導体基板１０を、－Ｚ方向から見たときの図である。

【0015】

半導体基板１０は、半導体材料を含む。ここで半導体材料は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）等であるが、これに限定されるものではない。

【0016】

半導体基板１０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、またはダイオード等の、半導体デバイスを有する基板である。

【0017】

半導体基板１０には、第１面２ａの反対側が研削され薄化されることにより、厚みの薄い第１部分２が形成されている。研削により、第１面２ａの反対側には第２面２ｂが形成される。ここで、第１面２ａ及び第２面２ｂは、ＸＹ面に平行に配置されている。半導体基板１０の薄化は、例えば、ＭＯＳＦＥＴのドリフト層の厚みを薄くすることにより、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を低減するために行われている。

【0018】

第２部分４は、例えば、上記の研削が行われていない部分である。第２部分４は、図２に示したように、第２面２ｂを囲う環状の形状を有している。第２部分４は、第２面に対し垂直な方向（－Ｚ方向）において、第２面２ｂよりも突出したものとなっている。第２部分４は、頂面４ａと、内側面４ｂを有する。言い換えると、第１面２ａは半導体基板１０の表面である。内側面４ｂは、例えば、ＹＺ面に平行な面である。しかし内側面４ｂは、ＹＺ面に平行な面でなくてもかまわない。第２部分４は、例えば、半導体基板１０の周辺部の厚みを厚く保っておくことにより、製造工程における半導体基板１０の取り扱いを容易にするために設けられている。

【0019】

第１導電膜１２は、第２面２ｂ、第２部分４の頂面４ａ及び第２部分４の内側面４ｂに接して設けられている。

【0020】

第１導電膜１２は、第３導電膜１２ａと、第４導電膜１２ｂと、を有する。第１導電膜１２は、例えば、金属材料を含む。第４導電膜１２ｂは、例えば、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に相当する。第４導電膜１２ｂは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）を含む。第３導電膜１２ａは、例えば、めっきにより形成されためっき層である。第３導電膜１２ａは、例えば、Ｎｉ（ニッケル）とＡｕ（金）の合金を含む。第３導電膜１２ａは、例えば、半導体チップの実装の際に、はんだ等の接合材が接合される膜である。第４導電膜１２ｂは、第３導電膜１２ａと第２面２ｂの間に設けられている。なお、第４導電膜１２ｂは、第２面２ｂに直接接していてもかまわない。また、第４導電膜１２ｂと第２面２ｂの間に図示しない他の膜が設けられることにより、第４導電膜１２ｂが第２面２ｂに間接的に接していてもかまわない。

【0021】

本実施形態の半導体装置の製造方法は、第３導電膜１２ａの厚みが５μｍ以上であり、第３導電膜１２ａがＮｉ（ニッケル）を含み、第４導電膜１２ｂがＡｌ（アルミニウム）を含む場合に、特に好ましく適用される。

【0022】

第２導電膜１４は、第５導電膜１４ａと、第６導電膜１４ｂと、を有する。第２導電膜１４は、例えば、金属材料を含む。第６導電膜１４ｂは、例えば、ＭＯＳＦＥＴのソース電極またはゲート電極に相当する。第６導電膜１４ｂは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）を含む。第５導電膜１４ａは、例えば、めっきにより形成されためっき層である。第５導電膜１４ａは、例えば、Ｎｉ（ニッケル）とＡｕ（金）の合金を含む。第５導電膜１４ａは、例えば、半導体チップの実装の際に、はんだ等の接合材が接合される膜である。第６導電膜１４ｂは、第５導電膜１４ａと第１面２ａの間に設けられている。なお、第６導電膜１４ｂは、第１面２ａに直接接していてもかまわない。また、第６導電膜１４ｂと第１面２ａの間に図示しない他の膜が設けられることにより、第６導電膜１４ｂが第１面２ａに間接的に接していてもかまわない。

【0023】

例えば、第２導電膜１４は、フォトリソグラフィー等を用いた半導体製造プロセスにより、それぞれの半導体チップの大きさに対応する複数の第２導電膜１４に分割されている。

【0024】

なお、第１導電膜１２及び第２導電膜１４の態様は、上記に限定されるものではない。

【0025】

図３乃至図８は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式断面図である。

【0026】

図９は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【0027】

まず、図１に示した基板１８の第１面２ａ及び第２導電膜１４の上に、表面保護膜（保護膜）１６を形成する（図３、図９のＳ２）。ここで表面保護膜１６としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂を含む保護膜、水溶性の保護膜、又は有機系の塗布膜等を用いることができる。なお、表面保護膜１６は、形成されていなくても良い。

【0028】

次に、基板１８を、ダイシングシート２０を用いて、環状フレーム３０の面３０ａに固定する（図４、図９のＳ４）。具体的には、ダイシングシート２０は、第１導電膜１２及び環状フレームの面３０ａに貼付される。環状フレーム３０は、中央に基板１８を保持するための、Ｚ方向に平行な貫通孔を有している。かかる貫通孔内に、基板１８は配置される。

【0029】

次に、テーブル４０の上に、環状フレーム３０に固定された基板１８を載置する（図４、図９のＳ６）。テーブル４０は、基板１８が載置された状態で、ＸＹ面内において回転可能である。ここで、図３及び図９のＳ２を用いて説明した表面保護膜（保護膜）１６は、テーブル４０の上に環状フレーム３０を載置した後に、形成してもかまわない。

【0030】

次に、第２部分４の反対側の第１面２ａに研磨テープ５６を押圧して半導体基板１０を研磨する（図９のＳ８）。なお、この際に、第２導電膜１４も研磨される。また、表面保護膜１６が設けられている場合には、半導体基板１０の研磨及び第２導電膜１４の研磨が行われる前に、表面保護膜１６の研磨が行われる。研磨テープ５６を用いた研磨には、研磨装置５０が用いられる。研磨装置５０は、押圧シリンダ５２と、ロール５４と、研磨テープ５６と、ピストンロッド５８と、押圧パッド６０と、を有する。ロール５４ａ及びロール５４ｂにより、研磨テープ５６は一方向に走行される。研磨テープ５６の背面側には押圧パッド６０が設けられている。押圧パッド６０により、研磨テープ５６は－Ｚ方向に押圧される。押圧シリンダ５２は、ピストンロッド５８を介して、押圧パッド６０を研磨テープ５６に対して押圧する。これにより、研磨が行われる。なお、研磨テープ５６により半導体基板１０が研磨されている間、半導体基板１０はテーブル４０によりＸＹ面内において回転されている。

【0031】

かかる研磨により、第２部分４は第１部分２から分離される（図９のＳ１０）。

【0032】

次に、第１部分２と、分離された第２部分４の間の第１導電膜１２に研磨テープ５６を押圧して第１導電膜１２を研磨する（図９のＳ１２）。そして、第１部分２と、分離された第２部分４の間の第１導電膜１２を切断し、除去する。これにより、ダイシングシート２０の上面２０ｚは露出される（図５、図９のＳ１４）。

【0033】

ここで、半導体基板１０の研磨と第１導電膜１２の研磨は、例えば、連続して行われてもかまわない。また、例えば、半導体基板１０の研磨を行った後に、一定の時間間隔をおき、その後に第１導電膜１２の研磨を行ってもかまわない。

【0034】

次に、第２部分４をダイシングシート２０から剥離して、除去する（図６、図９のＳ１６）。

【0035】

次に、表面保護膜１６を第１面２ａの上及び第２導電膜１４の上から除去する。また、ダイシングシート２０により環状フレーム３０に固定された基板１８の第１部分２を、テーブル４０から取り外す（図７、図９のＳ１８）。

【0036】

次に、ブレードダイシング等のダイシングを行うことにより、第１部分２を個片化して半導体装置１００を得る（図８、図９のＳ２０）。

【0037】

次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の作用効果を記載する。

【0038】

図１０は、本実施形態の比較形態となる半導体装置の製造方法の模式断面図である。第１部分２と第２部分４の分離、及び第１導電膜１２の切断を、テーブル４０をＸＹ面内において回転させた上で、ブレードＢを用いたブレードダイシングにより行なっている。この場合、ブレードＢが目詰まりを起こすために、切断が適切に行われずに、半導体基板１０の一部が欠けるチッピングが発生するおそれがあった。

【0039】

特に、第１導電膜１２又は第２導電膜１４に、Ｃｕ（銅）やＡｇ（銀）等の、硬度の低い金属が含まれている場合に、ブレードＢが硬度の低い金属により目詰まりをおこしやすいために、チッピングが発生するおそれがあった。また、特に、半導体基板１０の径が大きい場合に、半導体基板１０、第１導電膜１２及び第２導電膜１４が削られる量が多くなるために、チッピングが発生するおそれがあった。また、特に、第１導電膜１２が第３導電膜１２ａを有し、かつ第２導電膜１４が第５導電膜１４ａを有する場合に、削られる導電膜の厚みが厚くなるためにチッピングが発生するおそれがあった。

【0040】

また、ブレードダイシングにより形成された第１導電膜１２のバリがダイシングシート２０に食い込みやすい。そのために、第２部分４をダイシングシート２０から剥離する際に、第２部分４が剥離しづらいため、第２部分４が割れて断片が装置内に飛散し、装置内が汚染されるという問題があった。

【0041】

そこで、本実施形態の半導体装置の製造方法は第１面と、第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、第２面を囲み、第２面に対し垂直な方向において第２面よりも突出した環状の第２部分と、を有する半導体基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、を有する基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜に貼付されたシートと、に対し、第２部分の反対側の第１面に研磨テープを押圧して半導体基板を研磨することにより、第２部分を第１部分から分離する工程と、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜に研磨テープを押圧して第１導電膜を研磨することにより、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜を切断する工程と、を備える。

【0042】

そして、本実施形態の半導体装置の製造方法では、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜に研磨テープを押圧して第１導電膜を研磨することにより、第１部分と分離された第２部分の間の第１導電膜を切断する工程において、シートの上面が露出される。

【0043】

かかる半導体装置の製造方法によれば、研磨テープを押圧することにより研磨を行なうため、ブレードＢの目詰まりによるチッピングが発生しなくなる。そのため、容易に製造を行うことができる半導体装置の製造方法の提供が可能となる。

【0044】

また、研磨テープを押圧した研磨を第２導電膜１４に対しても適用することにより。ブレードＢの目詰まりによるチッピングが発生しなくなる。そのため、さらに容易に製造を行うことができる半導体装置の製造方法の提供が可能となる。

【0045】

また、第１面２ａの上及び第２導電膜１４の上に表面保護膜１６を形成し、表面保護膜１６を研磨することにより、研磨テープ５６から生じる屑が第１面２ａの上に付着することを抑制できる。

【0046】

上記のように、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、研磨テープを押圧することにより研磨を行なっている。そのため、第２部分４をダイシングシート２０から剥離する際にも、第１導電膜１２のバリがダイシングシート２０に食い込むおそれが少ない。よって、第２部分４をダイシングシート２０から剥離する際にも、第２部分４の剥離を容易に行うことができる。

【0047】

第１導電膜１２が、厚みが５μｍ以上でありＮｉ（ニッケル）を含む第３導電膜１２ａと、第３導電膜１２ａと第２面２ｂの間に設けられＡｌ（アルミニウム）を含む第４導電膜と、を有する場合に、本実施形態の半導体装置の製造方法はより好ましく適用される。Ｎｉ（ニッケル）を含む第３導電膜１２ａの厚みは比較的厚くなることが多いため、ブレードダイシングによるチッピングがより発生しやすくなるためである。

【0048】

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、容易に製造を行うことができる半導体装置の製造方法が提供可能になる。

【0049】

（第２実施形態）
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１面と、第１面の反対側に設けられた第２面と、を有する第１部分と、第２面を囲み、第２面に対し垂直な方向において第２面よりも突出した環状の第２部分と、を有する半導体基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜と、を有する基板と、第２面、第２部分の頂面及び内側面に接して設けられた第１導電膜に貼付されたシートと、に対し、第２部分の反対側の第１面に研磨テープを押圧して半導体基板を研磨することにより、第２部分を第１部分から分離し、第１部分と第２部分の間の第１導電膜の上面を露出させる工程と、露出された第１導電膜の上面からブレードダイシングを行うことにより、第１部分と第２部分の間の第１導電膜を切断する工程と、を備える。

【0050】

ここで、第１実施形態と重複する内容の記載は、省略する。

【0051】

図１１及び図１２は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。図１３は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【0052】

本実施形態の半導体装置の製造方法においては、第２部分４の反対側の第１面２ａに研磨テープ５６を押圧して半導体基板１０を研磨する（図１３のＳ８）点までは、第１実施形態の半導体装置の製造方法と同様である。これにより、第２部分４を第１部分２から分離し、第１部分２と第２部分４の間の第１導電膜１２の上面１２ｚを露出させる（図１１、図１３のＳ１０’）。

【0053】

次に、テーブル４０をＸＹ面内において回転させながら、露出された第１導電膜１２の上面１２ｚからブレードダイシングを行う（図１３のＳ１２’）。そして、かかるブレードダイシングにより、第１部分２と、分離された第２部分４の間の第１導電膜１２を切断する（Ｓ１４’）。

【0054】

この後の工程については、第１実施形態の半導体装置の製造方法と同様である。

【0055】

第１実施形態の半導体装置の製造方法においては、第１部分２と、分離された第２部分４の間の第１導電膜１２に研磨テープ５６を押圧して第１導電膜１２を研磨する際に、ダイシングシート２０にまで研磨が進んでしまうおそれがある。そこで、本実施形態の半導体装置の研磨方法では、研磨テープ５６による半導体基板１０の研磨により第１導電膜１２の上面１２ｚを露出させる。その後、ブレードダイシングにより第１導電膜１２を切断する。言い換えると、研磨テープ５６による第１導電膜１２の研磨が出来るだけ行われないようにする。

【0056】

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、研磨テープ５６によるダイシングシート２０の研磨が抑制される。

【0057】

また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、ブレードダイシングによる半導体基板１０の切断をおこなわない。また、第１導電膜１２については、ブレードダイシングによる切断を行う。半導体基板１０と第１導電膜１２の両方についてブレードダイシングを行う場合には、第１導電膜１２のバリの発生を抑制する条件を見出すことは困難である。しかし、半導体基板１０についてブレードダイシングを行わず、第１導電膜１２についてのみブレードダイシングを行う場合には、第１導電膜１２のバリの発生を抑制する条件を見出すことは、可能である。

【0058】

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、容易に製造を行うことができる半導体装置の製造方法が提供可能になる。

【0059】

本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態及び実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0060】

２ 第１部分
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
４ 第２部分
４ａ 頂面
４ｂ 内側面
１０ 半導体基板
１２ 第１導電膜
１２ａ 第３導電膜
１２ｂ 第４導電膜
１２ｚ 第１導電膜の上面
１４ 第２導電膜
１４ａ 第５導電膜
１４ｂ 第６導電膜
１６ 表面保護膜（保護膜）
１８ 基板
２０ ダイシングシート（シート）
２０ｚ ダイシングシートの上面
３０ 環状フレーム
３０ａ 環状フレームの面
４０ テーブル
５０ 研磨装置
５２ 押圧シリンダ
５４ ロール
５６ 研磨テープ
５８ ピストンロッド
６０ 押圧パッド
１００ 半導体装置（半導体チップ）
Ｂ ダイシングブレード

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】