特開 2024-134878 露光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024134878

(43)【公開日】2024-10-04

(54)【発明の名称】露光装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240927BHJP

   G02B 3/00 20060101ALN20240927BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

G02B3/00 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023045308

(22)【出願日】2023-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000128496

【氏名又は名称】株式会社オーク製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100156199

【弁理士】

【氏名又は名称】神崎 真

(74)【代理人】

【識別番号】100124497

【弁理士】

【氏名又は名称】小倉 洋樹

(72)【発明者】

【氏名】松永 真一

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197AA09

2H197AA22

2H197AA29

2H197BA02

2H197BA04

2H197BA06

2H197BA09

2H197CA03

2H197CA05

2H197CA07

2H197CB16

2H197CC05

2H197CC11

2H197CC16

2H197CD12

2H197CD15

2H197DA03

2H197DB05

2H197FB04

(57)【要約】

【課題】マイクロレンズアレイを有する投影光学系を備えた露光装置において、高解像度のパターンを露光面の広範囲に投影する。
【解決手段】露光装置１０の投影光学系２５が、第１結像光学系３０、ＭＬＡ３２、分割光学系４０、第２結像光学系５０を備え、分割光学系４０が、ＤＭＤ２２により変調された光のパターン像を、４つの分割パターン像ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３、ＤＡ４に分割し、副走査方向（Ｙ方向）に沿って連なる走査バンド領域ＳＢ２、ＳＢ１、ＳＢ４、ＳＢ３に投影する。そして、ＭＬＡ３２が、第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳの位置に配置され、分割光学系４０が、ＭＬＡ３２に対して近接配置されている。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光変調素子アレイによって変調された光を、被描画体の露光面に投影する投影光学系を備え、
前記投影光学系が、
パターン像の光を第１結像面に結像させる第１結像光学系と、
各マイクロレンズが前記第１結像面に合わせて配置されるマイクロレンズアレイ（以下、ＭＬＡとする）と、
前記ＭＬＡを透過した光が入射し、前記第１結像面と位置が一致しない入射面において、パターン像を分割する分割光学系と、
前記分割光学系によって形成される複数の分割パターン像の光を、被描画体の露光面に結像させる第２結像光学系と
を備えたことを特徴とする露光装置。

【請求項2】

前記分割光学系の前記第１結像面に沿った入射面が、前記ＭＬＡと接する、または近接していることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。

【請求項3】

前記分割光学系の前記第１結像面に沿った入射面が、前記ＭＬＡから所定距離離れていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。

【請求項4】

前記分割光学系の入射面が、前記各マイクロレンズの焦点位置にあることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。

【請求項5】

前記分割光学系と前記ＭＬＡとの間、または前記第１結像光学系と前記ＭＬＡとの間に、マイクロアパーチャーアレイ（以下、ＭＡＡとする）が配置されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。

【請求項6】

前記ＭＡＡが、前記分割光学系の前記第１結像面に沿った入射面と接していることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。

【請求項7】

前記ＭＡＡが、前記第１結像面、または前記各マイクロレンズの焦点位置に合わせて配置されることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。

【請求項8】

前記分割光学系および前記ＭＬＡを一体的に保持する保持部材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＤＭＤなどの光変調素子アレイによってパターンを形成する露光装置に関し、特に、マイクロレンズアレイを備えた投影光学系の構成に関する。

【背景技術】

【0002】

ＤＭＤを備えた露光装置では、可動ミラーをマトリクス状に配列させた光変調素子アレイを制御し、光変調素子アレイで変調した光をパターン光として基板に投影する。

【0003】

スループット向上などの目的で投影画像を拡大すると、各画素（ミラー）からの光束が拡大し、解像度に影響を与える。これを解決するため、マイクロレンズアレイ（以下、ＭＬＡという）を配置する投影光学系を備えた露光装置が知られている（特許文献１参照）。

【0004】

そこでは、ＤＭＤで変調された光を第１結像光学系によって結像させ、その結像面にＭＬＡを配置する。第１結像光学系および第２結像光学系によってパターン像を拡大投影する。その一方で、ＭＬＡの各マイクロレンズによる集光により、ドット状のスポットになる投影光を露光面に投影する。これにより、拡大画像の解像度低下を抑える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００４－１２２４７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

より広範囲にパターン光を投影するため、結像光学系の拡大倍率を上げようとすると、ドット状に並んで投影されるスポットの間隔が大きくなる。これは、所望する解像度によるパターン形成を困難にする可能性がある。

【0007】

したがって、ＭＬＡを有する投影光学系を備えた露光装置において、高解像度のパターンを露光面の広範囲に投影することが求められる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、光変調素子アレイによって変調された光を、被描画体の露光面に投影する投影光学系を備え、投影光学系が、パターン像の光を結像させる第１結像光学系と、各マイクロレンズが第１結像光学系の結像面（ここでは、第１結像面という）に合わせて配置されるマイクロレンズアレイ（以下、ＭＬＡとする）と、ＭＬＡを透過した光が入射し、第１結像面と位置が一致しない入射面において、パターン像を分割する分割光学系と、分割光学系によって形成される複数の分割パターン像の光を、被描画体の露光面に結像させる第２結像光学系とを備える。

【0009】

ここで、「各マイクロレンズが第１結像面に合わせて配置される」とは、露光面での投影像の鮮明度が低下しない範囲において、ＭＬＡが第１結像面の位置に合わせて配置されることを意味する。ＭＬＡの組み立ての困難性などを鑑みれば、厳密に、各マイクロレンズのレンズ表面（あるいは主平面）に一致するとは限らず、第１結像光学系の第一結像面がＭＬＡの焦点位置と一致するように、第１結像光学系およびＭＬＡとの位置関係が定められる構成も含まれる。例えば、ＭＬＡの上端（レンズ頂部）と下端の範囲内に第１結像面の光軸に沿った位置を定めることも可能であり、第１結像面の近傍に配置されることも含まれる。一方で、ＭＬＡの組み立てを精密にすることで、ＭＬＡの各マイクロレンズの主平面と第１結像面を実質的に一致させるように、ＭＬＡを配置してもよい。

【0010】

ＭＬＡと分割光学系との位置関係は、光学特性等に応じて様々なバリエーションが適用可能である。例えば、分割光学系の第１結像面に沿った入射面が、ＭＬＡと接する、または近接するように、分割光学系を配置することが可能である。ただし、ここでの「近接」とは、光学系同士での物理的干渉のない範囲で出来る限り接近している配置状態を意味する。

【0011】

あるいは、分割光学系の第１結像面に沿った入射面が、ＭＬＡから所定距離離れるように、分割光学系を配置することが可能である。例えば、分割光学系の入射面が、各マイクロレンズの焦点位置と一致するように、分割光学系を配置することができる。

【0012】

分割光学系とＭＬＡとの間、または第１結像光学系とＭＬＡとの間には、マイクロアパーチャーアレイ（以下、ＭＡＡとする）を配置することが可能である。

【0013】

ＭＡＡとＭＬＡおよび分割光学系との位置関係に関しても、光学特性等に応じて様々なバリエーションが適用可能である。例えば、分割光学系の第１結像面に沿った入射面と接するように、ＭＡＡを配置することが可能である。また、ＭＡＡを、第１結像面、またはＭＬＡ（各マイクロレンズ）の焦点位置に合わせて配置することも可能である。

【0014】

分割光学系とＭＬＡを保持する構造は様々であり、例えば、分割光学系およびＭＬＡを一体的に保持する保持部材を備えるように構成することが可能である。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、ＭＬＡを有する投影光学系を備えた露光装置において、高解像度のパターンを露光面の広範囲に投影することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】第１の実施形態である露光装置の構成を模式的に示した図である。

【図2】分割光学系の反射光学系の構成を示した図である。

【図3】ＤＭＤにおける反射面を示した図である。

【図4】分割パターン像の投影位置を示した図である。

【図5】ＭＬＡおよび分割光学系の配置構成を示した図である。

【図6】第２の実施形態におけるＭＬＡおよび分割光学系の配置構成を示した図である。

【図7】第２の実施形態の変形例を示した図である。

【図8】第３の実施形態におけるＭＬＡ、ＭＡＡ、分割光学系の配置構成を示した図である。

【図9】第４の実施形態におけるＭＬＡおよび分割光学系の配置構成を示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態である露光装置の構成を模式的に示した図である。

【0018】

露光装置１０は、フォトレジストなどの感光材料を塗布、あるいは貼り付けた基板Ｗに対し、パターン光を直接投影するマスクレス露光装置である。

【0019】

露光装置１０は、光源部１６と、所定間隔で副走査方向に並ぶ複数の露光ヘッド２０を備える。ただし、図１では、１つの露光ヘッド２０のみ示している。光源部１６は、水銀ランプ、ＬＥＤ、あるいはレーザダイオードなどによって構成される。

【0020】

露光ヘッド２０は、ＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）２２と、投影光学系２５とを備える。光源部１６から照射された照明光は、照明光学系１７を介してＤＭＤ２２へ導かれる。ＤＭＤ２２は、数μｍ～数十μｍの微小矩形状マイクロミラーをマトリクス状に２次元配列させたデバイスとして構成することが可能である。

【0021】

ＤＭＤ２２では、メモリセルに格納される制御信号（露光データ）に基づいて、各マイクロミラーがそれぞれ選択的にＯＮ／ＯＦＦ制御される。ＯＮ状態のマイクロミラーで反射した光、すなわち変調された光は、ミラー（図示せず）を介して投影光学系２５へ導かれる。

【0022】

投影光学系２５は、パターン光を基板Ｗの露光面に結像させる光学系であり、第１結像光学系３０、マイクロレンズアレイ（以下、ＭＬＡ）３２、分割光学系４０、第２結像光学系５０を備える。第１結像光学系３０は、ＤＭＤ２２によって変調された光を、焦点位置にあたる結像面（以下、第１結像面ともいう）ＦＳに結像させるとともに、パターン像全体を所定倍率で拡大する。

【0023】

ＭＬＡ３２は、ＤＭＤ２２のミラー配列に合わせてマイクロレンズがマトリクス状に２次元配列させた光学系であり、ＭＬＡ３２を透過した光が、分割光学系４０へ入射する。ＭＬＡ３２の各マイクロレンズは、投影光学系２５の光軸に沿うように光軸合わせが行われた上で位置決めされている。なお、図１～図１０のＭＬＡは、模式的に描いたものであり、実際には、ＤＭＤのミラー配列（例えば１９２０×１０８０）と同じようにマイクロレンズが配列されている。

【0024】

分割光学系４０は、第１結像面ＦＳに結像したパターン光を、複数のパターン光に分割する光学系であり、第１結像面ＦＳに沿った入射面４０Ｉを有する。ここでの分割光学系４０は、第１結像面ＦＳ上に入射したパターン光を、４つに分岐させる。すなわち、第１結像面ＦＳに形成されるパターン像全体を、４つのパターン像（以下、分割パターン像という）に分割する。

【0025】

第２結像光学系５０は、分割光学系４０から出射する４つのパターン光（以下、分割光ともいう）を、基板Ｗの露光面に結像させるとともに、各分割パターン像を、所定倍率で拡大する。第２結像光学系５０は、物体側の結像面がＭＬＡの各マイクロレンズの焦点位置と一致するように配置される。

【0026】

露光ヘッド２０は、ここでは主走査方向（Ｘ方向）に対して微小角度傾斜した状態で配置されている。基板Ｗを－Ｘ方向に沿って移動させるのに伴い、ＤＭＤ２２による投影エリア（露光エリア）が、主走査方向（＋Ｘ方向）に相対移動する。そして、投影エリアの位置に応じたパターン光を照射する露光動作が、所定の露光ピッチに応じて実行される。

【0027】

図２は、分割光学系４０の反射光学系の構成を示した図である。

【0028】

分割光学系４０は、プリズム４２、反射光学系４４とを備える。図１に示すように、プリズム４２は、４つの矩形状光学部材４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄから構成され、側面側から見ると略台形状になっている。また、矩形状光学部材４２Ａ、４２Ｂと矩形状光学部材４２Ｃ、４２Ｄは、中央ラインＣに対して対称的である。

【0029】

矩形状光学部材４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄは、それぞれ平行平面関係にある反射面を有する。そして、第１結像光学系３０の結像面（以下、第１結像面という）ＦＳが矩形状光学部材４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄの表面で構成されるプリズム４２の入射面４０Ｉにおいて、第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳに形成されるパターン像が４つに分割され、４つの分割パターン像の光が、反射光学系４４へ導かれる。

【0030】

反射光学系４４は、それぞれ対となって構成されるミラー４４Ａ、４４Ｂ、ミラー４４Ｃ、４４Ｄ、ミラー４４Ｅ、４４Ｆ、そしてミラー４４Ｇ、４４Ｈから構成されている。各ミラー対は、互いに平行である。

【0031】

図３は、ＤＭＤ２２における反射面を示した図である。分割光学系４０に従い、ＤＭＤ２２の反射面には、主走査方向に応じた横方向に４等分した部分領域ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４が規定される。ＤＭＤ２２全体によるパターン像は、分割光学系４０によって部分領域ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４ごとに異なる位置へ投影される。

【0032】

図４は、分割パターン像の投影位置を示した図である。分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４は、それぞれ、部分領域ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４に応じたパターン像となる。図４では、パターン像を分割しないとき（分割光学系を備えないとき）の露光エリアの中心点、すなわちＤＭＤ２２の中心位置の投影点を、主走査方向Ｘ、副走査方向ＹとしたときのＸ－Ｙ座標系の原点と定めている。

【0033】

本実施形態では、反射光学系４４のミラー対４４Ａ、４４Ｂ、ミラー対４４Ｃ、４４Ｄ、ミラー対４４Ｅ、４４Ｆ、ミラー対４４Ｇ、４４Ｈにより、４つの分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４が、実線で表す位置に投影される。図４では、４つの分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４は、主走査方向に関して互いに等間隔にあって、投影位置は、原点に関して対称的である。

【0034】

また、副走査方向（Ｙ方向）に沿って連なった走査バンド領域ＳＢ１、ＳＢ２、ＳＢ３、ＳＢ４の位置に合わせて、４つの分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４が投影される。なお、４つの分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４に対し、隣り合う分割パターン像の一部を互いにオーバラップさせながら投影してもよい。

【0035】

上述したように、ＭＬＡ３２の各マイクロレンズは、対応するミラーの位置に合わせて位置決めされている。そして、各マイクロレンズを透過した光は集光して基板Ｗの露光面に結像する。したがって、各分割パターン像の光は、図１に示すように、スポットがドット状に並ぶ光となって投影される。

【0036】

露光装置１０の制御部（図示せず）は、露光動作中、４つの分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４の投影位置に応じて、露光動作制御を実行する。なお、露光動作時のデータ処理に関しては、特許第５８８１３１４号公報などに記載されたデータ処理と同様のデータ処理を適用することが可能であり、詳細な説明はここでは省略する。

【0037】

図５は、ＭＬＡ３２および分割光学系４０の配置構成を示した図である。

【0038】

ＭＬＡ３２は、投影光学系２５の光軸Ｃに沿って、第１結像光学系３０と、分割光学系４０との間に配置され、ここでは図示しない独立した支持部材によって、それぞれ支持されている。また、ＭＬＡ３２は、第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳの位置に配置されている。これにより、第１結像光学系３０を通ったパターン像の光は、ＭＬＡ３２において結像し、各マイクロレンズにより集光された光が、ＭＬＡ３２から射出し、分割光学系４０へ導かれる。

【0039】

分割光学系４０の入射面４０Ｉは、第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳと一致せず、投影光学系２５の光軸Ｃに沿って所定距離だけ離れている。仮にＭＬＡ３２を配置しない場合、分割光学系４０に入射面４０Ｉにおけるパターン像の光は合焦していないぼけた画像となり、ぼけたパターン像が分割される。これは、基板Ｗの露光面上に投影される各分割パターン像が鮮明とならず、画質低下によってパターン解像度に影響を与える。

【0040】

従来、当業者にとって、このような分割光学系４０の配置、すなわち入射面４０Ｉを第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳから外れた位置に配置することは想定されておらず、入射面４０Ｉを第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳに一致させる必要があると当然に認識されていた。しかしながら、投影光学系２５に配置したＭＬＡ３２は、各マイクロミラーの光を集光するため、ＭＬＡ３２を透過した光が拡がって進行しない。

【0041】

そのため、露光面上における各分割パターン像の解像度低下の問題が顕著に現れない。入射面４０ＩとＭＬＡ３２の間隔である距離Ｔは、分割光学系４０の入射面４０Ｉが第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳから外れていることによってパターン像の鮮明度の低下が生じない範囲の距離に定められている。ここでは、分割光学系４０の入射面４０Ｉの位置は、ＭＬＡ３２の各マイクロレンズの焦点位置に定められている。

【0042】

したがって、従来と同様にＭＬＡ３２の配置によってパターン像全体を拡大投影しながら、分割光学系４０を配置にすることにより、副走査方向（Ｙ方向）に沿った露光幅Ｋ（図１参照）で、分割パターン像ＤＡ１～ＤＡ４を同時に露光することが可能となる。

【0043】

その結果、スループットがより向上するとともに、第１結像光学系３０、第２結像光学系５０を、従来のように好適な拡大倍率の光学系として構成することが可能である。例えば、第１結像光学系３０の拡大倍率を２～３倍、第２結像光学系５０の倍率を１．５～２．０倍に定めることにより、投影光学系２５全体として、３～６倍の拡大倍率をもつ光学系として構成することができる。なお、第１結像光学系、第２結像光学系両方を拡大結像光学系とせず、一方を等倍光学系にしてもよい。

【0044】

このように本実施形態では、露光装置１０の投影光学系２５が、第１結像光学系３０、ＭＬＡ３２、分割光学系４０、第２結像光学系５０を備え、分割光学系４０が、ＤＭＤ２２により変調された光のパターン像を、４つの分割パターン像ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３、ＤＡ４に分割し、副走査方向（Ｙ方向）に沿って連なる走査バンド領域ＳＢ２、ＳＢ１、ＳＢ４、ＳＢ３に投影する。そして、ＭＬＡ３２が、第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳの位置に配置され、分割光学系４０が、ＭＬＡ３２に対して近接配置されている。

【0045】

次に、図６を用いて第２の実施形態である露光装置について説明する。第２の実施形態では、マイクロアパーチャーアレイ（以下、ＭＡＡとする）が配置される。

【0046】

図６は、第２の実施形態におけるＭＬＡ３２および分割光学系４０の配置構成を示した図である。ＭＡＡ３４は、ガラス基材の一面（マスク面）に遮光マスクを成膜して、ＭＬＡ３２の各マイクロレンズの位置に合わせて円形の透光パターンをマトリクス状に２次元配列させた光学部材であり、露光面上のドット状のスポットの輪郭を規定するとともに、隣接するマイクロレンズからの迷光を遮断してスポットのコントラストを高める。なお、ＭＡＡ３４は金属等の遮光部材に貫通穴をマトリクス状に２次元配列させた光学部材であってもよい。

【0047】

ＭＡＡ３４は、マスク面が分割光学系４０の入射面４０Ｉと接する一方、ＭＬＡ３２と所定距離Ｔ’だけ離れて設置されている。分割光学系４０、ＭＬＡ３２、ＭＡＡ３４は、それぞれ図示しない支持部材によって支持されている。なお、ＭＬＡ３２をＭＡＡ３４に接するように設置し、分割光学系４０とＭＬＡ３２をそれぞれ支持部材によって支持するように構成してもよい。

【0048】

図７は、第２の実施形態の変形例を示した図である。図７では、ＭＬＡ３２の上方にＭＡＡ３４が配置されている。ＭＬＡ３２は、ここでは分割光学系４０の入射面４０Ｉ上に設置され、ＭＡＡ３４のマスク面がＭＬＡ３２の上に接するように配置されている。このような構成により、ＭＡＡ３４のマスク面とＭＬＡ３２の入光部分を共に第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳ、あるいはその近傍には配置することが可能となり、露光面上のスポットが鮮明となる。

【0049】

次に、図８を用いて第３の実施形態である露光装置について説明する。第３の実施形態では、分割光学系４０、ＭＬＡ３２、ＭＡＡ３４を一体的に保持するホルダが設けられている。

【0050】

図８は、第３の実施形態におけるＭＬＡ３２、ＭＡＡ３４、分割光学系４０の配置構成を示した図である。ＭＬＡ３２は、投影光学系２５の光軸Ｃに沿ってＭＡＡ３４と所定距離離れている。ＭＡＡ３４は、分割光学系４０の入射面４０Ｉと接している。

【0051】

ホルダ（保持部材）３６は、分割光学系４０、ＭＡＡ３４、ＭＬＡ３２の断面形状に合わせて、分割光学系４０、ＭＡＡ３４、ＭＬＡ３２と接しながら外表面を囲む内部空間を形成している。また、分割光が出射する開口部３７Ａ、３７Ｂが、ホルダ３６の下方に設けられている。

【0052】

ホルダ３６が、分割光学系４０、ＭＡＡ３４、ＭＬＡ３２を一体的に保持することにより、ＤＭＤ２２の各マイクロミラーとＭＬＡ３２の各マイクロレンズとの互いの光軸位置、および各光学部材の間隔を精度よく合わせることができる。なお、ＭＡＡ３４を配置しないホルダ３６を構成してもよい。

【0053】

図９は、第４の実施形態におけるＭＬＡ３２および分割光学系４０の配置構成を示した図である。第４の実施形態では、ＭＬＡ３２が分割光学系４０の入射面４０Ｉに接している。このとき、第２結像光学系５０の物体側の結像面は、各マイクロミラーの焦点位置の分、入射面４０Ｉよりも分割光学系４０の内部側に配置される。このように分割光学系４０をＭＬＡ３２にできるだけ近接させて配置することにより、ＭＬＡ３２と分割光学系４０の入射面４０Ｉの位置関係を保つことが容易となる。

【0054】

なお、分割光学系は、上述した４つの分割パターン像を形成する光学系に限定されず、２つ、３つなど複数の分割パターン像を形成する構成であってもよい。それに合わせて、各分割パターン像の投影位置を、連なった走査バンド領域にそれぞれ投影させればよい。

【0055】

さらに、入射面が面一でなく、隣り合うミラーが交互に異なる傾斜方向を向くミラーと、そのミラーに平行平面関係にあるミラー対で構成し、分割パターン像を形成する分割光学系によって構成してもよい。この場合、入射側のミラー全体が、第１結像光学系３０の第１結像面ＦＳから外れた位置でＭＬＡに配置されるが、ＭＬＡに近接配置させることにより、上述した実施形態と同様の技術的効果を得ることができる。

【符号の説明】

【0056】

１０ 露光装置
２０ 露光ヘッド
２２ ＤＭＤ
３０ 第１結像光学系
３２ マイクロレンズアレイ（ＭＬＡ）
３４ ＭＡＡ
４０ 分割光学系
５０ 第２結像光学系
ＦＳ 結像面（第１結像面）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】