(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134983
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】電子部品および電子部品構造体
(51)【国際特許分類】
H01G 4/228 20060101AFI20240927BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01G4/228 A
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G4/30 201F
H01G4/30 201G
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045456
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】福岡 智久
(72)【発明者】
【氏名】井口 俊宏
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF06
5E001AJ03
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC38
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG26
5E082GG28
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】リフロー時の半田の端子電極への過度な濡れ上がりを防止できる電子部品等を提供する。
【解決手段】略直方体状の素体部と、前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有し、前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、前記素体部の中心を通り前記素体部の素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、１．３≦Ｔ４／Ｔ２≦１５．０である電子部品。
【選択図】図１
【解決手段】略直方体状の素体部と、前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有し、前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、前記素体部の中心を通り前記素体部の素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、１．３≦Ｔ４／Ｔ２≦１５．０である電子部品。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
略直方体状の素体部と、
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有し、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である電子部品。
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有し、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である電子部品。
【請求項2】
前記表面電極層は、ＳｎまたはＡｕを含む請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記表面電極層はＳｎを含み、前記第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である請求項１に記載の電子部品。
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である請求項１に記載の電子部品。
【請求項4】
前記表面電極層はＡｕを含み、前記第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦８．０
である請求項１に記載の電子部品。
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦８．０
である請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
略直方体状の素体部と、
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有する電子部品を複数有し、それぞれの前記電子部品の前記端子電極部を連結してなる電子部品構造体において、
複数の前記電子部品のうち少なくとも１つは、他の前記電子部品に対向しない素体下面を有する一段目電子部品であり、
前記一段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である電子部品構造体。
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有する電子部品を複数有し、それぞれの前記電子部品の前記端子電極部を連結してなる電子部品構造体において、
複数の前記電子部品のうち少なくとも１つは、他の前記電子部品に対向しない素体下面を有する一段目電子部品であり、
前記一段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である電子部品構造体。
【請求項6】
前記表面電極層はＳｎを含み、前記第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である請求項５に記載の電子部品構造体。
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項7】
複数の前記電子部品のうち他の少なくとも１つは、前記一段目電子部品の素体上面に対向する素体下面を有する二段目電子部品であり、
前記二段目電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記二段目電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４２と、前記一段目電子部品における第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４２／Ｔ２ ≦３２
である請求項５に記載の電子部品構造体。
前記二段目電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記二段目電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４２と、前記一段目電子部品における第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４２／Ｔ２ ≦３２
である請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項8】
複数の前記電子部品のうち他の少なくとも１つは、他のいずれかの前記電子部品に対向する素体下面を有するｎ段目電子部品であり、
前記ｎ段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｎと、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４ｎと、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ ≦１５．０
である請求項５に記載の電子部品構造体。
前記ｎ段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｎと、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４ｎと、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ ≦１５．０
である請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項9】
複数の前記電子部品のうち前記一段目電子部品を除く他の全ての前記電子部品が、前記ｎ段目電子部品である請求項８に記載の電子部品構造体。
【請求項10】
複数の前記電子部品のうち他の１つは、他の前記電子部品に対向しない素体上面を有する最上段電子部品であり、
前記最上段電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記最上段電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｍａｘと、前記一段目電子部品における第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
Ｔ２ｍａｘ ＜ Ｔ４
である請求項５に記載の電子部品構造体。
前記最上段電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記最上段電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｍａｘと、前記一段目電子部品における第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
Ｔ２ｍａｘ ＜ Ｔ４
である請求項５に記載の電子部品構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品および複数の電子部品を接続して構成される電子部品構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
略直方体のセラミック素体の両端面に端子電極を形成した電子部品が広く用いられている。このような電子部品は、表面実装に適しており、サイズについてもサブミリオーダー程度のものから、より大きいサイズのもので、様々なサイズのものが用いられている。
【0003】
このようなチップ型の電子部品については、リフロー方式により基板等に実装されることが一般的である。また、電子部品の端子電極の表面に、リフロー接合時において溶融した半田に対する濡れ性の高い表面層を形成し、半田と端子電極との接触面積を大きくする技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開Ｈ８－２６４３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
端子電極の表面に、半田に対する濡れ性の高い表面層を端子電極に形成する従来技術に係る電子部品では、リフロー時の半田の端子電極への過度な濡れ上がりが発生し、実装不良につながる場合があり問題となっている。
【0006】
本開示は、このような実情に鑑みてなされ、リフロー時の半田の端子電極への過度な濡れ上がりを防止できる電子部品および電子部品構造体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、本開示に係る電子部品は、
略直方体状の素体部と、
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有し、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０である。
略直方体状の素体部と、
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有し、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０である。
【0008】
このような本開示に係る電子部品は、下面からの高さに応じて表面電極層の厚みが変化しており、素体下面より上方の第２基準線に沿う厚みＴ２と、素体下面より下方の第３基準線に沿う厚みＴ４との関係が所定の範囲内である。これにより、本開示に係る電子部品は、適切な形状の半田フィレットを形成して実装ランドに対して確実な接合強度を奏するとともに、半田の過剰な濡れ上がりを防止することが可能である。また、第２基準線付近の表面電極層の厚みを薄くすることができるため、限りある資源である金属材料の使用量を抑えるとともに、材料コスト削減にも寄与する。
【0009】
また、たとえば、前記表面電極層は、ＳｎまたはＡｕを含んでいてもよい。
【0010】
このような表面電極層は、半田に対する濡れ性が特に良好であり、好適に実装不良の発生を抑えることができる。
【0011】
また、たとえば、前記表面電極層はＳｎを含み、前記第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
であってもよい。
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
であってもよい。
【0012】
また、たとえば、前記表面電極層はＡｕを含み、前記第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦８．０
であってもよい。
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦８．０
であってもよい。
【0013】
このような電子部品は、半田の過剰な濡れ上がりをさらに好適に防止することが可能であるとともに、リフロー半田付けによる良好な実装性を奏する。
【0014】
また、本開示に係る電子部品構造体は、略直方体状の素体部と、
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有する電子部品を複数有し、それぞれの前記電子部品の前記端子電極部を連結してなる電子部品構造体において、
複数の前記電子部品のうち少なくとも１つは、他の前記電子部品に対向しない素体下面を有する一段目電子部品であり、
前記一段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である。
前記素体部の一対の端面にそれぞれ形成される端子電極部と、を有する電子部品を複数有し、それぞれの前記電子部品の前記端子電極部を連結してなる電子部品構造体において、
複数の前記電子部品のうち少なくとも１つは、他の前記電子部品に対向しない素体下面を有する一段目電子部品であり、
前記一段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有し、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０
である。
【0015】
本開示に係る電子部品構造体における一段目電子部品は、下面からの高さに応じて表面電極層の厚みが変化しており、素体下面より上方の第２基準線に沿う厚みＴ２と、素体下面より下方の第３基準線に沿う厚みＴ４との関係が所定の範囲内である。これにより、本開示に係る電子部品構造体は、適切な形状のフィレットを形成して実装ランドに対して確実な接合性を奏するとともに、半田の過剰な濡れ上がりを防止することが可能である。また、第２基準線付近の表面電極層の厚みを薄くすることができるため、限りある資源である金属材料の使用量を抑えるとともに、材料コスト削減にも寄与する。また、一段目電子部品の重心が低くなることにより、電子部品構造体が実装時または実装後に倒れる問題を防止できる。
【0016】
また、たとえば、複数の前記電子部品のうち他の少なくとも１つは、前記一段目電子部品の素体上面に対向する素体下面を有する二段目電子部品であり、
前記二段目電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有してもよく、
前記二段目電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４２と、前記一段目電子部品における第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４２／Ｔ２ ≦３２
であってもよい。
前記二段目電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有してもよく、
前記二段目電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４２と、前記一段目電子部品における第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２と、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４２／Ｔ２ ≦３２
であってもよい。
【0017】
このような電子部品構造体は、一段目電子部品の半田の過剰な濡れ上がりを防止するとともに、一段目電子部品と二段目電子部品との接合強度を適切に確保することが可能である。また、一段目電子部品と二段目電子部品と接合部分で半田の過剰な濡れ上がりに伴うショート不良が発生する問題を好適に防止できる。
【0018】
また、たとえば、複数の前記電子部品のうち他の少なくとも１つは、他のいずれかの前記電子部品に対向する素体下面を有するｎ段目電子部品であり、
前記ｎ段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有してもよく、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｎと、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４ｎと、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ ≦１５．０
であってもよい。
前記ｎ段目電子部品において、
前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有してもよく、
前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の３の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｎと、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４ｎと、の関係が、
１．３ ≦ Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ ≦１５．０
であってもよい。
【0019】
このような電子部品構造体では、ｎ段目電子部品の重心が低いため、他の電子部品の上に安定して設置することが容易であり、電子部品同士の接合プロセスを円滑に行うことが可能であり、生産性が良好である。
【0020】
また、たとえば、複数の前記電子部品のうち前記一段目電子部品を除く他の全ての前記電子部品が、前記ｎ段目電子部品であってもよい。
【0021】
このような電子部品構造体では、各電子部品同士が良好な固着強度を奏する。
【0022】
また、たとえば、複数の前記電子部品のうち他の１つは、他の前記電子部品に対向しない素体上面を有する最上段電子部品であり、
前記最上段電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有してもよく、
前記最上段電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｍａｘと、前記一段目電子部品における第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
Ｔ２ｍａｘ ＜ Ｔ４
であってもよい。
前記最上段電子部品における前記端子電極部は、前記端面に直接接触する下地電極層と、前記下地電極層を覆っており前記端子電極部の最表面を構成する表面電極層と、を有してもよく、
前記最上段電子部品における前記素体部の中心を通り前記素体部の前記素体下面および前記端面に垂直な断面において、前記素体下面に平行であって前記素体下面から前記素体部全体の４分の１の高さを通る第２基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ２ｍａｘと、前記一段目電子部品における第４基準線に沿う前記表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、
Ｔ２ｍａｘ ＜ Ｔ４
であってもよい。
【0023】
このような電子部品構造体では、電子部品構造体全体における重心が低くなることにより、実装時または実装後に倒れる問題を好適に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【発明を実施するための形態】
【0025】
第１実施形態
図１は、第１実施形態に係る電子部品２０を示す概略断面図である。図１に示すように、電子部品２０は、直方体状の素体部２１と、素体部２１の一対の端面２１ａ、２１ｂにそれぞれ形成される端子電極部２６とを有する。図１は、素体部２１の中心２１ｃを通り素体部２１の素体下面２１ｄおよび端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面による断面図である。
図１は、第１実施形態に係る電子部品２０を示す概略断面図である。図１に示すように、電子部品２０は、直方体状の素体部２１と、素体部２１の一対の端面２１ａ、２１ｂにそれぞれ形成される端子電極部２６とを有する。図１は、素体部２１の中心２１ｃを通り素体部２１の素体下面２１ｄおよび端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面による断面図である。
【0026】
電子部品２０の大きさについては、特に限定されないが、たとえば、長さ０．４～６．４ｍｍ程度、幅０．２～３．２ｍｍ程度のＪＩＳおよびＥＩＡ規格サイズが例示される。他の実施形態に係る電子部品２０についても同様である。なお、本開示で示される各断面図は、説明のための模式的なものであり、各部分の比率などについては、実際の寸法とは異なる部分もある。
【0027】
図１に示すように、端子電極部２６は、略直方体状の素体部２１の端面２１ａ、２１ｂを覆うとともに、端面２１ａ、２１ｂに隣接する他の側面の一部に広がるように形成されている。一対の端子電極部２６は、素体部２１の表面において、互いに離間するように形成されており、端面２１ａに形成される一方の端子電極部２６に対して、端面２１ｂに形成される他方の端子電極部２６は、電気的に絶縁されている。
【0028】
図１に示す電子部品２０は、チップコンデンサである。図１に示すように、素体部２１の内部には、誘電体層２３と内部電極層２２とが交互に積層されている。誘電体層２３と内部電極層２２の積層方向は上下方向であるが、これとは異なり、電子部品２０の上下方向とは垂直であってもよい。なお、後述するように、電子部品２０は、特に端子電極部２６の断面形状に関して、上下非対称である。
【0029】
誘電体層２３の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウムストロンチウム、またはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層２３の厚みは、特に限定されないが、１μｍ～数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、各誘電体層２３の厚みは、好ましくは１．０～５．０μｍである。
【0030】
素体部２１の内部の内部電極層２２は、導電体材料を含有する。内部電極層２２が含有する導電体材料としては、特に限定されないが、誘電体層２３の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。内部電極層２２に用いられる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｍｎ、ＣｒおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層２２は、汎用的な電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層２２の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。また、内部電極層２２は、金属以外の導電性材料で構成されていてもよい。
【0031】
素体部２１の内部に積層される内部電極層２２は、一方の端子電極部２６（図１における素体部２１の端面２１ａに形成）に接続しているものと、他方の端子電極部２６（図１において素体部２１の端面２１ｂに形成）に接続しているものがある。一対の端子電極部２６の間に加えられる電位差は、内部電極層２２を介して、内部電極層２２の間に配置される誘電体層２３に加えられる。
【0032】
図１に示すように、端子電極部２６は、素体部２１の端面２１ａに直接接触する下地電極層２６ａと、下地電極層２６ａの少なくとも一部（好ましくは全体）を覆っており端子電極部２６の最表面を構成する表面電極層２６ｃとを有する。また、端子電極部２６は、表面電極層２６ｃと下地電極層２６ａとの間に挟まれる中間電極層２６ｂを有しており、最表面側から表面電極層２６ｃ、中間電極層２６ｂおよび下地電極層２６ａの３層構造を有する。
【0033】
なお、電子部品２０の端子電極部２６については、端面２１ａに形成されているものと、端面２１ｂに形成されているものとは、左右の配置が異なることを除き、同様の特徴を有する。したがって、端子電極部２６については、端面２１ａに形成されているものを例に説明を行い、端面２１ｂに形成されているものについては説明を省略する。
【0034】
下地電極層２６ａは、たとえば焼付けにより形成された焼付電極等により構成される。下地電極層２６ａの材質としては、ＣｕやＣｕ合金、ＡｇやＡｇ合金などが挙げられるが、これら以外の金属であってもよい。中間電極層２６ｂの材質としては、たとえば、NｉやＮｉ合金、ＰｄやＰｄ合金などが挙げられる。
【0035】
中間電極層２６ｂは、たとえば湿式めっき等の方法で形成されるが、それ以外の方法で形成されてもよい。また、図１に示す端子電極部２６は、中間電極層２６ｂを含む３層構造であるが、端子電極部２６としてはこれに限定されず、中間電極層２６ｂを省略した２層構造であってもよく、中間電極層２６ｂを複数有する４層以上の構造であってもよい。他の実施形態の端子電極についても、同様である。
【0036】
表面電極層２６ｃは、下地電極層２６ａの上に形成されており、下地電極層２６を覆っている。表面電極層２６ｃは、下地電極層２６ａや中間電極層２６ｂに比べて、溶融した半田に対する濡れ性が高くなる表面を形成する材質で構成されることが好ましい。表面電極層２６ｃの材質としては、ＳｎやＳｎ合金、ＡｕやＡｕ合金、ＰｄやＰｄ合金などを含むものが挙げられ、また、表面電極層２６ｃは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄを含む金属単体または固溶体に加え、これらの金属と中間電極層２６ｂに含まれる金属との金属間化合物を含んでいてもよい。たとえば、表面電極層２６ｃは、Sｎ－Ｐｂ、Ｓｎ－Ｃｕ、Ｓｎ－Ｂｉ、Ｓｎ－Ｎｉ、Ａｕ－Ｓｎ、Ａｕ－Ｎｉなどの固溶体または金属間化合物を含んでいてもよい。
【0037】
図１に示すように、素体部２１の中心２１ｃを通り素体部２１の素体下面２１ｄおよび端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面において、端子電極部２６の断面形状は、素体下面２１ｄに平行であって素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として非対称である。特に、端子電極部２６における表面電極層２６ｃの厚みは、第３基準線ＳＬ３より上側の部分と下側の部分とで異なっている。
【0038】
また、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の３の高さを通る第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２と、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の１の高さを通る第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４と、の関係は、以下の数式（１）を満足する。
【0039】
１．３ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０ 数式（１）
【0040】
すなわち、素体部２１の中心２１ｃより上方を通る第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２は、素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として対称な高さを通る第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４に比べて薄くなっている。なお、図１に示す第１基準線ＳＬ１は、素体上面２１ｅと同じ高さの基準線であり、第５基準線ＳＬ５は、素体下面２１ｄと同じ高さの基準線である。
【0041】
図２は、図１に示す電子部品２０を実装基板８２にリフロー方式により実装した際に、端子電極部２６と実装基板８２のランドに形成される半田フィレット８３の形成状態を示す概念図である。図２では、半田フィレットのうち、端面２１ａ側の端子電極部２６に形成される半田フィレット８３のみを模式的に表示している。図２に示すように、端子電極部２６では、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４が厚いため、端子電極部２６の下方側には半田が濡れ上がるのに対して、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２が薄いため、端子電極部２６の上方側まで半田が濡れ上がるのが防止される。このように、電子部品２０は、第４基準線ＳＬ４の高さを超える程度の適切な形状のフィレットを形成して実装ランドに対して確実な接合性を奏するとともに、第２基準線ＳＬ２を超える程度の半田の濡れ上がりを防止することが可能である。
【0042】
これに対して、図３は、第１比較例に係る電子部品１２０を実装基板８２にリフロー方式により実装した際に、端子電極部１２６と実装基板８２のランドに形成される半田フィレット１８３の形成状態を示す概念図である。電子部品１２０では、端子電極部１２６の断面形状は、素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として略対称であり、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みは、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みとほぼ同様である。
【0043】
図３に示すように、第１比較例に係る電子部品１２０では、端子電極部１２６に形成される表面電極層１２６ｃの厚みが、高さ方向に関して略一定であるため、素体部２１の素体上面２１ｅおよび端子電極部１２６の頂点を超えるような過剰な半田の濡れ上がりが発生する場合がある。図３に示すような過剰な半田の濡れ上がりを示す半田フィレット１８３の形成は、電子部品のクラックやショート不良などに繋がるおそれがあり、好ましくない。
【0044】
また、数式（１）から理解できるように、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４は、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２に対して、所定の値（Ｔ４／Ｔ２ ＝ １５）を超えて厚くなり過ぎないことが好ましい。Ｔ４／Ｔ２を所定の値以下とすることにより、電子部品２０の基板への投影面積が過度に広がることを防止し、実装密度の高さを維持することができる。また、素体下面２１ｄでのショート不良の発生も好適に防止できる。
【0045】
また、図１および図２に示すような形状的特徴を有する表面電極層２６ｃは、ＳｎまたはＡｕを含むことが好ましい。これらの金属を有する表面電極層２６ｃは、溶融した半田に対して好適な濡れ性を奏するため、リフロー方式の実装工程により、適切な形状のフィレットを形成して実装ランドに対して確実な接合強度を奏する。なお、半田との表面電極層２６ｃとの濡れ性は、接触角等によって計測される。
【0046】
また、表面電極層２６ｃがＳｎを含む場合、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４と、の関係が、以下の数式（２）を満足することも好ましい。
【0047】
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦１５．０ 数式（２）
【0048】
表面電極層２６ｃの材質と併せて、Ｔ４／Ｔ２の数値範囲をより狭い範囲に収めることにより、過剰なリフロー半田の濡れ上がりを好適に防止するとともに、適切な形状のフィレットを形成して実装ランドに対して確実な接合強度を奏する。
【0049】
また、表面電極層２６ｃがAｕを含む場合、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４と、の関係が、以下の数式（３）を満足することも、上記と同様の理由により好ましい。
【0050】
２．５ ≦ Ｔ４／Ｔ２ ≦８．０ 数式（３）
【0051】
図１に示すような形状の表面電極層２６ｃは、たとえば表面電極層２６ｃを２回のプロセスに分けて形成することにより、製造することが可能である。たとえば、素体部２１に対して下地電極層２６ａおよび中間電極層２６ｂを形成した中間製造品を準備し、中間製造品をバレル方式により電気めっきを施すことにより、中間電極層２６ｂを覆うようにほぼ均一な厚み（厚みＴ２）の表面電極層２６ｃの一部（第１段階目）を形成する。
【0052】
つぎに、ほぼ均一な厚さである表面電極層２６ｃの一部に対して、第３基準線ＳＬ３より下側の部分のみをめっき液に浸漬して部分的に電気めっきを施すことにより、第３基準線ＳＬ３より下側の表面電極層２６ｃの厚みを厚くして、図１に示すような表面電極層２６ｃを有する電子部品２０を得る。
【0053】
このような方法の他、たとえば、中間電極層２６ｂの外側に、形状のみが図１とは異なる均一な厚みの表面電極層を形成したのち、実装姿勢で非酸化雰囲気（Ｎ2、ギ酸、Ｈ2等）に投入して熱処理し、表面電極層を溶融・変形させることにより図１に示すような非対称な表面電極層２６ｃを形成することも可能である。
【0054】
以上のように、実施形態を示して本開示に係る電子部品２０を説明してきたが、本開示に係る電子部品の技術的範囲は、上述した実施形態のみには限定されず、他の実施形態や変形例が多く存在することは言うまでもない。たとえば、図４は、第１変形例に係る電子部品２２０を示す概略断面図である。電子部品２２０は、表面電極層２２６ｃの形状のみが図１に示す電子部品２０とは異なるが、表面電極層２２６ｃの形状以外の特徴は、電子部品２０と同様である。電子部品２２０については、表面電極層２２６ｃの形状についてのみ説明し、電子部品２０との共通点については説明を省略する。
【0055】
図４に示すように、電子部品２２０の端子電極部２２６は、第５基準線ＳＬ５より下側部分の輪郭形状が略円弧状であり、平らな底部を有する端子電極部２６（図１参照）とは異なる。ただし、電子部品２２０でも、電子部品２０と同様に、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２２６ｃの厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２２６ｃの厚みＴ４との関係が、数式（１）を満足する。
【0056】
電子部品２２０の端子電極部２２６は、下側部分の輪郭形状が略円弧状であり、実装基板のランドとの間に形成される隙間が大きく、この点でも半田の過度な濡れ上がりを防止する効果を奏する。その他、電子部品２２０は、電子部品２０との共通点については、電子部品２０と同様の効果を奏する。
【0057】
図５は、第２変形例に係る電子部品３２０を示す概略断面図である。電子部品３２０は、端子電極部３２６を構成する下地電極層３２６ａ、中間電極層３２６ｂおよび表面電極層３２６ｃの形状のみが、図１に示す電子部品２０とは異なるが、端子電極部３２６の形状以外の特徴は、電子部品２０と同様である。電子部品３２０については、端子電極部３２６の形状についてのみ説明し、電子部品２０との共通点については説明を省略する。
【0058】
図５に示すように、電子部品３２０の下地電極層３２６ａは、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂに沿って上下方向に延びる直線状外周部分と、直線状外周部分に接続する円弧状外周部分とを有し、略楕円状の外周部分を有する下地電極層２６ａ（図１参照）とは異なる。下地電極層３２６ａを覆う中間電極層３２６ｂは、下地電極層３２６ａの外周形状に沿って形成されており、下地電極層３２６ａの直線状外周部分に接する部分については、略一定の厚みを有する。
【0059】
下地電極層３２６ａおよび中間電極層３２６ｂを覆う表面電極層３２６ｃは、上下方向に延在する部分で厚みが変化する。すなわち、表面電極層３２６ｃは、高さ方向に関して、第４基準線ＳＬ４から第５基準線ＳＬ５の間で厚みが極大となる。表面電極層３２６ｃも、表面電極層２６ｃと同様に、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層３２６ｃの厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層３２６ｃの厚みＴ４との関係が、数式（１）を満足する。
【0060】
電子部品３２０の端子電極部３２６の外周形状は、素体部２１の外周形状と平行な部分が多く、電子部品３２０は、端子電極部３２６の平均的な厚みを抑制することができる。その他、電子部品３２０は、電子部品２０との共通点については、電子部品２０と同様の効果を奏する。
【0061】
図６（ａ）、図６（ｂ）は、第３変形例および第４変形例に係る電子部品４２０、５２０を示す概略断面図である。電子部品４２０、５２０は、端子電極部４２６、５２６を構成する下地電極層４２６ａ、５２６ａ、中間電極層４２６ｂ、５２６ｂおよび表面電極層４２６ｃ、５２６ｃの形状のみが、図１に示す電子部品２０とは異なるが、端子電極部４２６、５２６の形状以外の特徴は、電子部品２０と同様である。電子部品４２０、５２０については、端子電極部４２６、５２６の形状についてのみ説明し、電子部品２０との共通点については説明を省略する。
【0062】
図６に示すように、電子部品４２０、５２０の下地電極層４２６ａ、５２６ａの断面形状は、上下非対称である。すなわち、下地電極層４２６ａ、５２６ａの厚みは、第２基準線ＳＬ２に沿う厚みＴ２が、第４基準線ＳＬ４に沿う厚みより厚くなっている。下地電極層４２６ａ、５２６ａを覆う中間電極層４２６ｂ、５２６ｂは、下地電極層４２６ａ、５２６ａの外周形状に沿って形成されており、中間電極層４２６ｂ、５２６ｂの外周形状は、下地電極層４２６ａ、５２６ａの直線状外周形状に近い形状である。
【0063】
下地電極層４２６ａ、５２６ａおよび中間電極層４２６ｂ、５２６ｂを覆う表面電極層４２６ｃ、５２６ｃは、楕円状の外周形状を有しており、下地電極層４２６ａ、５２６ａおよび中間電極層４２６ｂ、５２６ｂの外周形状に沿っていない。すなわち、表面電極層４２６ｃ、５２６ｃは、下地電極層４２６ａ、５２６ａの厚みが厚い第２基準線ＳＬ２の高さにおいて薄く、下地電極層４２６ａ、５２６ａの厚みが薄い第４基準線ＳＬ４の高さにおいて厚い。表面電極層４２６ｃ、５２６ｃも、表面電極層２６ｃと同様に、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層３２６ｃの厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層３２６ｃの厚みＴ４との関係が、数式（１）を満足する。
【0064】
電子部品４２０、５２０の端子電極部３２６は、下地電極層４２６ａ、５２６ａの断面形状が上下非対称であり、下地電極層４２６ａ、５２６ａが厚い部分で表面電極層４２６ｃ、５２６ｃが薄く、下地電極層４２６ａ、５２６ａが薄い部分で表面電極層４２６ｃ、５２６ｃが厚い。したがって、電子部品４２０、５２０は、端子電極部４２６、５２６の最表面が滑らかな円弧状である。その他、電子部品４２０、５２０は、電子部品２０との共通点については、電子部品２０と同様の効果を奏する。
【0065】
第２実施形態
図７は、本開示の第２実施形態に係る電子部品構造体６１０の概略断面図である。電子部品構造体６１０は、略直方体状の素体部２１と、素体部２１の一対の端面２１ａ、２１ｂにそれぞれ形成される端子電極部２６、６２６とを有する電子部品（一段目電子部品６２０ａおよび二段目電子部品６２０ｂ）を複数（図７では２つ）有し、それぞれの電子部品６２０ａ、６２０ｂを連結してなる。
図７は、本開示の第２実施形態に係る電子部品構造体６１０の概略断面図である。電子部品構造体６１０は、略直方体状の素体部２１と、素体部２１の一対の端面２１ａ、２１ｂにそれぞれ形成される端子電極部２６、６２６とを有する電子部品（一段目電子部品６２０ａおよび二段目電子部品６２０ｂ）を複数（図７では２つ）有し、それぞれの電子部品６２０ａ、６２０ｂを連結してなる。
【0066】
電子部品構造体６１０において、複数の電子部品６２０ａ、６２０ｂのうち１つは、他の電子部品（二段目電子部品６２０ｂなど）に対向しない素体下面２１ｄを有する一段目電子部品６２０ａである。一段目電子部品６２０ａは、第１実施形態に係る電子部品２０と同様である。すなわち、一段目電子部品６２０ａにおいて、端子電極部２６は下地電極層２６ａ、中間電極層２６ｂ、表面電極層２６ｃとを有する。
【0067】
また、一段目電子部品６２０ａでは、素体部２１の中心２１ｃを通り素体下面２１ｄおよび端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面において、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の３の高さを通る第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２と、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の１の高さを通る第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４と、の関係が、数式（１）を満足する。また、表面電極層２６ｃがＳｎを含む場合は、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層の厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層の厚みＴ４と、の関係が、数式（２）を満足することも好ましい。その他、素体部２１、端子電極部２６を構成する下地電極層２６ａ、中間電極層２６ｂおよび表面電極層２６ｃの詳細については、第１実施形態に係る電子部品２０と同様であるため、説明を省略する。
【0068】
電子部品構造体６１０において、複数の電子部品６２０ａ、６２０ｂのうち他の１つは、一段目電子部品６２０ａの素体上面２１ｅに対向する素体下面２１ｄを有する二段目電子部品６２０ｂである。二段目電子部品６２０ｂは、端子電極部６２６における表面電極層６２６ｃの形状が一段目電子部品６２０ａとは異なることを除き、一段目電子部品６２０ａと同様の特徴を有する。
【0069】
二段目電子部品６２０ｂの端子電極部６２６は、図３に示す電子部品１２０の端子電極部１２６と同様に、端子電極部６２６の断面形状が、素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として略対称である。すなわち、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層６２６ｃの厚みは、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層６２６ｃの厚みとほぼ同様である。その他、素体部２１、端子電極部２６を構成する下地電極層２６ａ、中間電極層２６ｂについては、一段目電子部品６２０ａと同様であるため、説明を省略する。
【0070】
一段目電子部品６２０ａと二段目電子部品６２０ｂとは、たとえばＳｎ－Ｓｂ系の半田や、ＴＬＰＳ接合や、焼結結合などにより接合される。一段目電子部品６２０ａと二段目電子部品６２０ｂとは、一段目電子部品６２０ａの一方の端子電極部２６と二段目電子部品６２０ｂの一方の端子電極部６２６とを接続し、一段目電子部品６２０ａの他方の端子電極部２６と二段目電子部品６２０ｂの他方の端子電極部６２６とを接続することにより、連結されている。すなわち、各電子部品６２０ａ、６２０ｂは、端子電極部２６、６２６が形成される端面２１ａと端面２１ｂとの対向方向が、水平方向になる姿勢で積み重ねられており、互いに電気的に並列接続されている。なお、図７に示す電子部品構造体６１０では、複数の電子部品６２０ａ、６２０ｂを互いに接合する接合材については、図示を省略している。他の電子部品構造体についても同様である。
【0071】
図７に示すように、電子部品構造体６１０は、実装基板８２にリフロー方式により実装することができる。図２に示す電子部品２０と同様に、電子部品構造体６１０の端子電極部２６では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２が薄いため、端子電極部２６の上方側まで半田が濡れ上がるのが防止される。また、電子部品構造体６１０では、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４が厚いため、端子電極部２６の下方側には半田が濡れ上がり、適切な形状の半田フィレット６８３が形成される。
【0072】
これに対して、図８は、第２比較例に係る電子部品構造体７１０を実装基板８２にリフロー方式により実装した際に、端子電極部１２６と実装基板８２のランドに形成される半田フィレット８３の形成状態を示す概念図である。電子部品構造体７１０が有する２つの電子部品７２０ａ、７２０ｂは、図３に示す電子部品１２０と同様である。
【0073】
図８に示すように、比較例に係る電子部品構造体７１０では、一段目電子部品に相当する電子部品７２０ａについて、端子電極部１２６に形成される表面電極層１２６ｃの厚みが、高さ方向に関して略一定である。そのため、電子部品７２０ａの素体部２１の素体上面２１ｅおよび端子電極部１２６の頂点を超えるような過剰な半田の濡れ上がりが発生する場合がある。図８に示すような過剰な半田の濡れ上がりを示す半田フィレット７８３の形成は、ショート不良などに繋がるおそれがあり、好ましくない。
【0074】
また、図７に示すように、複数の電子部品６２０ａ、６２０ｂを上下方向に積み重ねる電子部品構造体では、一段目電子部品６２０ａと二段目電子部品６２０ｂとの間に、幅の狭い隙間が形成される。そうすると、図８に示す半田フィレット７８３のように、電子部品７２０ａ、７２０ｂの間の幅の狭い隙間に、過度に濡れ上がった半田が流れ込むリスクがあり、ショート不良を引き起こす懸念がある。
【0075】
しかし、図７に示す電子部品構造体６１０は、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２が薄いため、半田の過剰な濡れ上がりを防止し、ショート不良の発生を好適に防止できる。なお、図７に示す電子部品構造体６１０では、二段目電子部品６２０ｂとして、高さ方向に関して略一定の厚みを有する表面電極層６２６ｃを有するものを用いているが、これとは異なり、二段目電子部品６２０ｂとして、一段目電子部品６２０ａと同様に、高さ方向に関して非対称な断面形状である表面電極層を有するものを用いてもかまわない。
【0076】
【0077】
図７に示す電子部品構造体６１０では、２つの電子部品６２０ａ、６２０ｂを含むが、電子部品構造体６１０に含まれる電子部品の数は２つに限定されず、電子部品構造体は、２つ以上の任意の電子部品を含むことができる。図９は、第５変形例に係る電子部品構造体８１０の断面を示す概念図である。
【0078】
図９に示すように、電子部品構造体８１０は、２つ以上の任意の電子部品（一段目電子部品８２０ａ、二段目電子部品８２０ｂ、最上段電子部品８２０ｍａｘなどを適宜含む）を高さ方向に連結してなる電子部品構造体である。電子部品構造体８１０は、一段目電子部品８２０ａの上に積み上げられる電子部品の数が異なることを除き、図７に示す電子部品構造体６１０と同様である。電子部品構造体８１０に関しては、電子部品構造体６１０との相違点のみ説明し、電子部品構造体６１０との共通点については、同じ符号を付して説明を省略する。なお、電子部品構造体８１０において、電子部品の数が２つの場合は、二段目電子部品８２０ｂが最上段電子部品８２０ｍａｘを兼ね、図７に示す電子部品構造体６１０と同様となる。
【0079】
一段目電子部品８２０ａは、図７に示す一段目電子部品６２０ａと同様であり、二段目電子部品８２０ｂは、二段目電子部品８２０ｂの上にさらに他の電子部品が積み重ねられていることを除き、図７に示す二段目電子部品６２０ｂと同様である。
【0080】
また、最上段電子部品８２０ｍａｘは、電子部品構造体８１０において他の電子部品に対向しない素体上面２１ｅを有する。最上段電子部品８２０ｍａｘは、電子部品構造体８１０が含む電子部品の数が２つの場合を除き一段目電子部品８２０ａに対して直接接続しておらず、一段目電子部品８２０ａとの間に他の電子部品があることを除き、図７に示す二段目電子部品６２０ｂと同様である。なお、図９における「・・・」は、一段目電子部品８２０ａと最上段電子部品８２０ｍａｘとの間に、二段目電子部品８２０ｂに例示される任意の自然数（０を含む）個の電子部品があることを表している。
【0081】
電子部品構造体８１０に含まれる各電子部品（一段目電子部品８２０ａ、二段目電子部品８２０ｂ、最上段電子部品８２０ｍａｘ）は、図７に示す電子部品構造体６１０に含まれる電子部品と同様に、Ｓｎ－Ｓｂ系の半田や、ＴＬＰＳ接合や、焼結結合などにより接合されている。
【0082】
電子部品構造体８１０は、電子部品構造体６１０と同様に、一段目電子部品８２０ａにおける第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２と、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層の厚みＴ４との関係が数式（１）を満足する。そのため、電子部品構造体８１０では、実装基板のランドに対向する一段目電子部品８２０ａの端子電極部２６の上方側まで、リフロー時に溶融した半田が過剰に濡れ上がる問題を防止できる。
【0083】
その他、電子部品構造体８１０は、図７に示す電子部品構造体６１０との共通部分については、電子部品構造体６１０と同様の効果を奏する。
【0084】
第３実施形態
図１０は、第３実施形態に係る電子部品構造体９１０の断面を示す概念図である。図９に示すように、電子部品構造体９１０は、２つ以上の任意の電子部品（一段目電子部品９２０ａ、二段目電子部品９２０ｂ、ｎ段目電子部品９２０ｎ、最上段電子部品９２０ｍａｘなどを適宜含む）を高さ方向に連結してなる電子部品構造体９１０である。電子部品構造体９１０は、電子部品構造体９１０に含まれる電子部品のうち、一段目電子部品９２０ａ以外の電子部品（ｎ段目電子部品９２０ｎ、最上段電子部品９２０ｍａｘなど）についても、端子電極部２６の断面形状が、一段目電子部品９２０ａと同様に上下非対称である点で、図８に示す電子部品構造体８１０とは異なる。
図１０は、第３実施形態に係る電子部品構造体９１０の断面を示す概念図である。図９に示すように、電子部品構造体９１０は、２つ以上の任意の電子部品（一段目電子部品９２０ａ、二段目電子部品９２０ｂ、ｎ段目電子部品９２０ｎ、最上段電子部品９２０ｍａｘなどを適宜含む）を高さ方向に連結してなる電子部品構造体９１０である。電子部品構造体９１０は、電子部品構造体９１０に含まれる電子部品のうち、一段目電子部品９２０ａ以外の電子部品（ｎ段目電子部品９２０ｎ、最上段電子部品９２０ｍａｘなど）についても、端子電極部２６の断面形状が、一段目電子部品９２０ａと同様に上下非対称である点で、図８に示す電子部品構造体８１０とは異なる。
【0085】
しかし、電子部品構造体９１０は、一段目電子部品９２０ａ以外の電子部品の端子電極部２６の断面形状が上下非対称であることを除き、電子部品構造体８１０と同様である。電子部品構造体９１０に関しては、電子部品構造体８１０との相違点のみ説明し、電子部品構造体８１０との共通点については、同じ符号を付して説明を省略する。
【0086】
電子部品構造体９１０に含まれる各電子部品（一段目電子部品９２０ａ、二段目電子部品９２０ｂ、ｎ段目電子部品９２０ｎ、最上段電子部品９２０ｍａｘ）は、図８に示す電子部品構造体８１０に含まれる電子部品と同様に、Ｓｎ－Ｓｂ系の半田や、ＴＬＰＳ接合や、焼結結合などにより接合されている。
【0087】
一段目電子部品９２０ａは、図９に示す一段目電子部品８２０ａと同様である。二段目電子部品９２０ｂは、図９に示す二段目電子部品８２０ｂとは異なり、一段目電子部品９２０ａの端子電極部２６と同様の上下非対称の端子電極部９２６を有する。
【0088】
二段目電子部品９２０ｂは、一段目電子部品９２０ａの素体上面２１ｅに対向する素体下面２１ｄを有する。二段目電子部品９２０ｂの端子電極部９２６は、一段目電子部品９２０ａの端子電極部２６と同様に、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂに直接接触する下地電極層２６ａと、中間電極層２６ｂと、下地電極層２６ａを覆っており端子電極部９２６の最表面を構成する表面電極層９２６ｃとを有する。
【0089】
二段目電子部品９２０ｂの端子電極部９２６は、特に表面電極層９２６ｃの断面形状が、二段目電子部品９２０ｂの素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として上下非対称である。すなわち、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層９２６ｃの厚みが、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層９２６ｃの厚みより厚い。
【0090】
これにより、電子部品構造体９１０では、二段目電子部品９２０ｂの表面電極層９２６ｃの断面形状と、一段目電子部品９２０ａの表面電極層２６ｃの断面形状との間で、以下のような関係が成り立つことも好ましい。すなわち、二段目電子部品９２０ｂにおける素体部２１の中心２１ｃを通り素体部２１の素体下面２１ｄおよび端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面において、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の１の高さを通る第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層９２６ｃの厚みＴ４２と、一段目電子部品９２０ａにおける第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２と、の関係が、数式（４）を満足することが好ましい。
【0091】
１．３ ≦ Ｔ４２／Ｔ２ ≦３２ 数式（４）
【0092】
このような電子部品構造体９１０は、一段目電子部品９２０ａにおける半田の過剰な濡れ上がりを防止するとともに、二段目電子部品９２０ｂの第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層９２６ｃの厚みＴ４２を、所定範囲の適切なバランスで厚くすることにより、一段目電子部品２９ａと二段目電子部品９２０ｂとの接合強度を適切に確保することが可能である。
【0093】
図１０に示すｎ段目電子部品９２０ｎは、電子部品構造体９１０において、図９に示す一段目電子部品８２０ａのうえに積み重ねられる電子部品であり、他のいずれかの電子部品（一段目電子部品９２０ａ、二段目電子部品９２０ｂ、他のｎ段目電子部品９２０ｎなどを含む）に対向する素体下面２１ｄを有する。図１０では、二段目電子部品９２０ｂをｎ段目電子部品９２０ｎとは別途記載しているが、二段目電子部品９２０ｂは、特定の位置（一段目電子部品９２０ａの直上）にあるｎ段目電子部品９２０ｎである。これと同様に、最上段電子部品８２０ｍａｘも、特定の位置（電子部品構造体９１０において最も上の位置）にあるｎ段目電子部品９２０ｎである。
【0094】
また、図１０における「・・・」は、二段目電子部品９２０ｂと最上段電子部品９２０ｍａｘとの間に、ｎ段目電子部品９２０ｎによって例示される任意の自然数（０を含む）個の電子部品があることを表している。なお、電子部品構造体９１０において、電子部品の数が２つの場合は、二段目電子部品９２０ｂが最上段電子部品９２０ｍａｘを兼ねる。
【0095】
図９に示すｎ段目電子部品９２０ｎは、一段目電子部品９２０ａの端子電極部２６と同様の上下非対称の端子電極部９２７を有する。ｎ段目電子部品９２０ｎの端子電極部９２７は、一段目電子部品９２０ａの端子電極部２６と同様に、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂに直接接触する下地電極層２６ａと、中間電極層２６ｂと、下地電極層２６ａを覆っており端子電極部９２７の最表面を構成する表面電極層９２７ｃとを有する。
【0096】
ｎ段目電子部品９２０ｎの端子電極部９２７は、二段目電子部品９２０ｂの端子電極部９２６でも説明したように、特に表面電極層９２７ｃの断面形状が、ｎ段目電子部品９２０ｎの素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として上下非対称である。すなわち、ｎ段目電子部品９２０ｎの素体部２１の中心２１ｃを通り素体部２１の素体下面２１ｄおよび端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面において、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の３の高さを通る第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層９２７ｃの厚みＴ２ｎと、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の１の高さを通る第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層９２７ｃの厚みＴ４ｎと、の関係が、以下の数式（５）を満足する。
【0097】
１．３ ≦ Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ ≦１５．０ 数式（５）
【0098】
このような電子部品構造体９１０では、ｎ段目電子部品９２０ｎの重心が低いため、ロボットアームなどによりｎ段目電子部品９２０ｎを、他の電子部品の上に安定して設置することが容易であり、電子部品同士の接合プロセスを円滑に行うことが可能であるため、生産性が良好である。また、電子部品構造体９１０では、複数の電子部品のうち一段目電子部品９２０ａを除く他の全ての電子部品（二段目電子部品９２０ｂ、最上段電子部品９２０ｍａｘを含む）が、数式（５）で示されるｎ段目電子部品９２０ｎの端子電極部９２７の特徴を有してもよい。このような電子部品構造体９１０は、低重心であるため、リフロー実装時における転倒不良の発生を防止することができる。
【0099】
図１０に示す最上段電子部品９２０ｍａｘは、電子部品構造体９１０において他の電子部品に対向しない素体上面２１ｅを有する。最上段電子部品９２０ｍａｘは、一段目電子部品９２０ａの端子電極部２６と同様の上下非対称の端子電極部９２８を有する。最上段電子部品９２０ｍａｘの端子電極部９２８は、一段目電子部品９２０ａの端子電極部２６と同様に、最上段電子部品９２０ｍａｘの素体部２１の端面２１ａ、２１ｂに直接接触する下地電極層２６ａと、中間電極層２６ｂと、下地電極層２６ａを覆っており端子電極部９２８の最表面を構成する表面電極層９２８ｃとを有する。
【0100】
最上段電子部品９２０ｍａｘの端子電極部９２８は、特に表面電極層９２８ｃの断面形状が、最上段電子部品９２０ｍａｘの素体部２１の中心２１ｃを通る第３基準線ＳＬ３を基準として上下非対称である。すなわち、表面電極層９２８ｃは、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層９２８ｃの厚みＴ２ｍａｘが、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層９２８ｃの厚みＴ４ｍａｘより薄い。
【0101】
これにより、電子部品構造体９１０では、最上段電子部品９２０ｍａｘの表面電極層９２８ｃの断面形状と、一段目電子部品９２０ａの表面電極層２６ｃの断面形状との間で、以下のような関係が成り立つことも好ましい。すなわち、最上段電子部品９２０ｍａｘにおける素体部２１の中心２１ｃを通り素体部２１の素体下面２１ｄおよび素体端面２１ａ、２１ｂに垂直な断面において、素体下面２１ｄに平行であって素体下面２１ｄから素体部２１全体の４分の１の高さを通る第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層９２８ｃの厚みＴ２ｍａｘと、一段目電子部品９２０ａにおける第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４と、の関係が、下記の数式（６）を満足する。
【0102】
Ｔ２ｍａｘ ＜ Ｔ４ 数式（６）
【0103】
このような電子部品構造体９１０は、低重心であるため、リフロー実装時における転倒不良の発生を防止することができる。また、電子部品構造体９１０は、電子部品構造体８１０との共通点については、電子部品構造体８１０と同様の効果を奏する。
【0104】
実施例
以下、さらに実施例を挙げて、本開示に係る電子部品および電子部品構造体について説明を行うが、本開示の電子部品および電子部品構造体は、これらの実施例のみには限定されない。
以下、さらに実施例を挙げて、本開示に係る電子部品および電子部品構造体について説明を行うが、本開示の電子部品および電子部品構造体は、これらの実施例のみには限定されない。
【0105】
＜評価１＞
以下の試料０１～試料１０を作製し、後述する試験を実施した。
（試料０１）
試料０１として、第１比較例に係る電子部品１２０（図３参照）の一例と、電子部品１２０を２段に積み重ねて接合した第２比較例（図８参照）に係る電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。具体的には、電子部品１２０として、４．５×３．２×２．２ｍｍ（狙い値）のチップコンデンサを作製した。端子電極部１２６は、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂにＣｕの焼付電極を形成して下地電極層２６ａとし、下地電極層２６ａ上にＮｉ層を湿式めっきにより形成して中間電極層２６ｂとした。さらに、中間電極層２６ｃの上に、Ｓｎ層を湿式めっき（バレル方式）により形成することにより、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４が、いずれも１．６μｍである試料０１に係る電子部品１２０を作製した。さらに、試料０１に係る電子部品１２０を２つ、Ｓｎ－Ｓｂ系の半田で図８に示すように２段積みして接合し、試料０１に係る電子部品構造体７１０を作製した。
以下の試料０１～試料１０を作製し、後述する試験を実施した。
（試料０１）
試料０１として、第１比較例に係る電子部品１２０（図３参照）の一例と、電子部品１２０を２段に積み重ねて接合した第２比較例（図８参照）に係る電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。具体的には、電子部品１２０として、４．５×３．２×２．２ｍｍ（狙い値）のチップコンデンサを作製した。端子電極部１２６は、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂにＣｕの焼付電極を形成して下地電極層２６ａとし、下地電極層２６ａ上にＮｉ層を湿式めっきにより形成して中間電極層２６ｂとした。さらに、中間電極層２６ｃの上に、Ｓｎ層を湿式めっき（バレル方式）により形成することにより、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４が、いずれも１．６μｍである試料０１に係る電子部品１２０を作製した。さらに、試料０１に係る電子部品１２０を２つ、Ｓｎ－Ｓｂ系の半田で図８に示すように２段積みして接合し、試料０１に係る電子部品構造体７１０を作製した。
【0106】
（試料０２）
試料０２として、表面電極層１２６ｃの厚みのみが試料０１とは異なる電子部品１２０の一例および電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。試料０２では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４を、いずれも４．０μｍとした。表面電極層１２６ｃの厚みは、バレルめっきの処理時間により調整した。
試料０２として、表面電極層１２６ｃの厚みのみが試料０１とは異なる電子部品１２０の一例および電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。試料０２では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４を、いずれも４．０μｍとした。表面電極層１２６ｃの厚みは、バレルめっきの処理時間により調整した。
【0107】
（試料０３）
試料０３として、第１実施形態に係る電子部品２０（図１参照）の一例と、電子部品２０を２段に積み重ねて接合した第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。具体的には、電子部品２０として、４．５×３．２×２．２ｍｍ（狙い値）のチップコンデンサを作製した。端子電極部２６は、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂにＣｕの焼付電極を形成して下地電極層２６ａとし、下地電極層２６ａ上にＮｉ層を湿式めっきにより形成して中間電極層２６ｂとした。さらに、中間電極層２６ｂの上に、均一な厚みＴ２のＳｎ層を湿式めっき（バレル方式）により形成したのち、端子電極部２６の下側部分にＳｎの電気めっきを施して部分的に表面電極層であるＳｎ層の厚みを増加させた。これにより、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２が３．１μｍで、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４である試料０３に係る電子部品２０を作製した。さらに、試料０３に係る電子部品２０を２つ、Ｓｎ－Ｓｂ系の半田で図１０における一段目電子部品９２０ａおよび二段目電子部品９２０ｂのように２段積みして接合し、試料０３に係る電子部品構造体９１０を作製した。
試料０３として、第１実施形態に係る電子部品２０（図１参照）の一例と、電子部品２０を２段に積み重ねて接合した第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。具体的には、電子部品２０として、４．５×３．２×２．２ｍｍ（狙い値）のチップコンデンサを作製した。端子電極部２６は、素体部２１の端面２１ａ、２１ｂにＣｕの焼付電極を形成して下地電極層２６ａとし、下地電極層２６ａ上にＮｉ層を湿式めっきにより形成して中間電極層２６ｂとした。さらに、中間電極層２６ｂの上に、均一な厚みＴ２のＳｎ層を湿式めっき（バレル方式）により形成したのち、端子電極部２６の下側部分にＳｎの電気めっきを施して部分的に表面電極層であるＳｎ層の厚みを増加させた。これにより、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２が３．１μｍで、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４である試料０３に係る電子部品２０を作製した。さらに、試料０３に係る電子部品２０を２つ、Ｓｎ－Ｓｂ系の半田で図１０における一段目電子部品９２０ａおよび二段目電子部品９２０ｂのように２段積みして接合し、試料０３に係る電子部品構造体９１０を作製した。
【0108】
（試料０４～試料０８）
試料０４～試料０８として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料０３とは異なる電子部品２０の一例および電子部品構造体９１０の一例とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料０４～試料０８では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ１．６μｍ、０．５μm、１．６μｍ、１．６μｍ、０．５μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ４．０μｍ、４．０μｍ、１２．８μｍ、２４．０μｍ、７．５μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２は、バレルめっきの処理時間により調整し、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４は、電気めっきの処理時間により調整した。
試料０４～試料０８として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料０３とは異なる電子部品２０の一例および電子部品構造体９１０の一例とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料０４～試料０８では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ１．６μｍ、０．５μm、１．６μｍ、１．６μｍ、０．５μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ４．０μｍ、４．０μｍ、１２．８μｍ、２４．０μｍ、７．５μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２は、バレルめっきの処理時間により調整し、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４は、電気めっきの処理時間により調整した。
【0109】
（試料０９～試料１０）
試料０９～試料１０として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料０３とは異なる電子部品および電子部品構造体とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料０９～試料１０は、第１実施形態に係る電子部品２０（図１参照）および第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０に対して断面形状は類似しているが、電子部品におけるＴ４／Ｔ２の値が、数式（１）の上限値を超える。すなわち、試料０９～試料１０では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ０．２μｍ、１．６μmとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ４．０μｍ、４０．０μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２は、バレルめっきの処理時間により調整し、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４は、電気めっきの処理時間により調整した。
試料０９～試料１０として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料０３とは異なる電子部品および電子部品構造体とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料０９～試料１０は、第１実施形態に係る電子部品２０（図１参照）および第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０に対して断面形状は類似しているが、電子部品におけるＴ４／Ｔ２の値が、数式（１）の上限値を超える。すなわち、試料０９～試料１０では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ０．２μｍ、１．６μmとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ４．０μｍ、４０．０μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２は、バレルめっきの処理時間により調整し、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４は、電気めっきの処理時間により調整した。
【0110】
（各試料の試験方法）
準備した各水準のサンプルのうち、一段積みである電子部品１２０、２０については、実装外観試験と、ウィスカ試験と、製品寸法試験の３試験を実施した。実装外観試験では、各サンプルを実装基板に対してリフロー方式により表面実装し、半田フィレットおよび端子電極および電子部品の素体の外観に形成されるクラックの有無を確認した。クラック率０％を良、クラック率１０％以下を可、クラック率が１０％を超えるものを不可とした。ウィスカ試験では、高温高湿環境（８５℃、８２RH％）にサンプルを投入して２０００ｈ放置したのち、倍率２０００倍のマイクロスコープで表面電極層を観察し、ウィスカの発生の有無を確認し、ウィスカ長さを測長した。ウィスカの発生点を中心とした級球の半径をウィスカの長さとし、ウィスカ長さが２０μｍ以下の水準を可とした。製品寸法試験では、電子部品の寸法の狙い値に対して、平均値でプラスマイナス１．０％以内の水準を可とした。また、二段積みである電子部品構造体７１０、９１０については、各サンプルを実装基板に対してリフロー方式により表面実装したのち通電試験を行い、ショート不良の発生率を確認した。ショート率０％を良、ショート率１０％以下を可、ショート率が１０％を超えるものを不可とした。結果を表１に示す。
準備した各水準のサンプルのうち、一段積みである電子部品１２０、２０については、実装外観試験と、ウィスカ試験と、製品寸法試験の３試験を実施した。実装外観試験では、各サンプルを実装基板に対してリフロー方式により表面実装し、半田フィレットおよび端子電極および電子部品の素体の外観に形成されるクラックの有無を確認した。クラック率０％を良、クラック率１０％以下を可、クラック率が１０％を超えるものを不可とした。ウィスカ試験では、高温高湿環境（８５℃、８２RH％）にサンプルを投入して２０００ｈ放置したのち、倍率２０００倍のマイクロスコープで表面電極層を観察し、ウィスカの発生の有無を確認し、ウィスカ長さを測長した。ウィスカの発生点を中心とした級球の半径をウィスカの長さとし、ウィスカ長さが２０μｍ以下の水準を可とした。製品寸法試験では、電子部品の寸法の狙い値に対して、平均値でプラスマイナス１．０％以内の水準を可とした。また、二段積みである電子部品構造体７１０、９１０については、各サンプルを実装基板に対してリフロー方式により表面実装したのち通電試験を行い、ショート不良の発生率を確認した。ショート率０％を良、ショート率１０％以下を可、ショート率が１０％を超えるものを不可とした。結果を表１に示す。
【0111】
【表1】
【0112】
（評価１の総合評価）
表１の試料０１の結果から、厚みＴ２と厚みＴ４が同じである場合、表面電極層１２６ｃの厚みＴ４が薄すぎることにより、リフロー接合時の半田が表面電極層１２６ｃに対して適切に濡れ上がらず、実装不良が発生することが確認された。また、試料０２から、表面電極層１２６ｃの厚みＴ２と厚みＴ４が同じである場合、表面電極層１２６ｃの厚みを均一に厚くしても、リフロー接合時の半田が上方に濡れ上がりすぎて実装された試料に過度な引張応力が作用し（図３参照）、外観クラック率が高いことが確認された。また、二段積みの電子部品構造体７１０に関する試料０２では、リフロー接合時の半田が上方に濡れ上がりすぎて（図８参考）、ショート率が高くなることが確認された。
表１の試料０１の結果から、厚みＴ２と厚みＴ４が同じである場合、表面電極層１２６ｃの厚みＴ４が薄すぎることにより、リフロー接合時の半田が表面電極層１２６ｃに対して適切に濡れ上がらず、実装不良が発生することが確認された。また、試料０２から、表面電極層１２６ｃの厚みＴ２と厚みＴ４が同じである場合、表面電極層１２６ｃの厚みを均一に厚くしても、リフロー接合時の半田が上方に濡れ上がりすぎて実装された試料に過度な引張応力が作用し（図３参照）、外観クラック率が高いことが確認された。また、二段積みの電子部品構造体７１０に関する試料０２では、リフロー接合時の半田が上方に濡れ上がりすぎて（図８参考）、ショート率が高くなることが確認された。
【0113】
表１の試料０３と試料０２と試験結果の比較から、Ｔ４／Ｔ２の値を１．０から１．３に変化させることにより、一段積みの電子部品２０の外観クラック率および二段積みの電子部品構造体９１０のショート率に改善が見られた。Ｔ４／Ｔ２の値を適切な値とした試料０３では、リフロー接合時の半田の過剰な濡れ上がりが防止され、図２および図７に示すように、端子電極部２６下半分に適切な形状の半田フィレットが形成された。
【0114】
表１の試料０４～試料０８の試験結果から、Ｓｎを含む表面電極層２６ｃを有する電子部品２０および電子部品構造体９１０において、Ｔ４／Ｔ２の値を２．５～１５．０の値とすることにより、すべての試験で良好な結果を得られた。試料０４と試料０３との比較から、Ｔ４／Ｔ２の値を１．３から２．５に変化させることにより、電子部品構造体９１０のショート率にさらなる改善が見られた。電子部品２０およびお電子部品構造体９１０において、Ｔ４／Ｔ２の値を２．５～１５．０の値とすることにより、特に好適な形状の半田フィレットが形成されることが確認できた。
【0115】
表１の試料０９では、ウィスカ試験（高温高湿環境試験）において問題が見られた。厚みＴ２が薄すぎることによりＴ４／Ｔ２の値が所定値を超えると、ウィスカが発生する課題が生じることが確認された。表１の試料１０では、製品寸法において問題が見られた。厚みＴ４が厚すぎることによりＴ４／Ｔ２の値が所定値を超えると、製品寸法を狙い値に収めることが難しくなる課題が生じることが確認された。
【0116】
＜評価２＞
以下の試料１１～試料１８を作製し、後述する試験を実施した。
（試料１１）
試料１１として、試料０１と同様に、第１比較例に係る電子部品１２０（図３参照）の一例と、電子部品１２０を２段に積み重ねて接合した第２比較例（図８参照）に係る電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。ただし、試料１１は、表面電極層１２６ｃの材質をＡｕとした点と、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４が、いずれも０．１３μｍである点が、試料１とは異なる。試料１１の製造方法は、湿式めっきの材質を変更したことを除き、試料０１の製造方法と同様とした。
以下の試料１１～試料１８を作製し、後述する試験を実施した。
（試料１１）
試料１１として、試料０１と同様に、第１比較例に係る電子部品１２０（図３参照）の一例と、電子部品１２０を２段に積み重ねて接合した第２比較例（図８参照）に係る電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。ただし、試料１１は、表面電極層１２６ｃの材質をＡｕとした点と、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４が、いずれも０．１３μｍである点が、試料１とは異なる。試料１１の製造方法は、湿式めっきの材質を変更したことを除き、試料０１の製造方法と同様とした。
【0117】
（試料１２）
試料１２として、表面電極層１２６ｃの厚みのみが試料１１とは異なる電子部品１２０の一例および電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。試料１２では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４を、いずれも０．２０μｍとした。
試料１２として、表面電極層１２６ｃの厚みのみが試料１１とは異なる電子部品１２０の一例および電子部品構造体７１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。試料１２では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４を、いずれも０．２０μｍとした。
【0118】
（試料１３）
試料１３として、試料０３と同様に、第１実施形態に係る電子部品２０（図１参照）の一例と、電子部品２０を２段に積み重ねて接合した第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。ただし、試料１３は、表面電極層２６ｃの材質をＡｕとした点と、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２が０．１５μｍで、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４が０．２０μｍである点が、試料１１とは異なる。試料１３の製造方法は、湿式めっきの材質を変更したことを除き、試料０３の製造方法と同様とした。
試料１３として、試料０３と同様に、第１実施形態に係る電子部品２０（図１参照）の一例と、電子部品２０を２段に積み重ねて接合した第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０の一例とを、各１０サンプルずつ作製した。ただし、試料１３は、表面電極層２６ｃの材質をＡｕとした点と、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２が０．１５μｍで、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４が０．２０μｍである点が、試料１１とは異なる。試料１３の製造方法は、湿式めっきの材質を変更したことを除き、試料０３の製造方法と同様とした。
【0119】
（試料１４～試料１５）
試料１４～試料１５として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料１３とは異なる電子部品２０の一例および電子部品構造体９１０の一例とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料１４～試料１５では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ０．０８μｍ、０．０３μmとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ０．２０μｍ、０．２０μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４は、めっきの処理時間により調整した。
試料１４～試料１５として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料１３とは異なる電子部品２０の一例および電子部品構造体９１０の一例とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料１４～試料１５では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ０．０８μｍ、０．０３μmとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ０．２０μｍ、０．２０μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４は、めっきの処理時間により調整した。
【0120】
（試料１６～試料１８）
試料１６～試料１８として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料１３とは異なる電子部品および電子部品構造体とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料１６～試料１８は、電子部品におけるＴ４／Ｔ２の値が、数式（１）の範囲内であるが、数式（３）の上限値を超える。すなわち、試料１６～試料１８では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ０．０３μｍ、０．０１μm、０．１３μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ０．４５μｍ、０．２０μｍ、１．９５μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４は、めっきの処理時間により調整した。
試料１６～試料１８として、表面電極層２６ｃの厚みのみが試料１３とは異なる電子部品および電子部品構造体とを、試料ごとに各１０サンプルずつ作製した。試料１６～試料１８は、電子部品におけるＴ４／Ｔ２の値が、数式（１）の範囲内であるが、数式（３）の上限値を超える。すなわち、試料１６～試料１８では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２をそれぞれ０．０３μｍ、０．０１μm、０．１３μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４をそれぞれ０．４５μｍ、０．２０μｍ、１．９５μｍとした。第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ２および第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃの厚みＴ４は、めっきの処理時間により調整した。
【0121】
（試験方法）
準備した各水準のサンプルのうち、一段積みである電子部品１２０、２０については、実装外観試験と、ガス腐食試験と、コスト評価を実施した。実装外観試験は評価１と同様である。ガス腐食試験では、硫化水素（Ｈ２Ｓ）ガス雰囲気下（Ｈ２Ｓ：３ｐｐｍ、８０％ＲＨ）にサンプルを投入した後４８ｈ放置したのち、端子電極の下地電極層２６ａに腐食が進行していないことを確認した。試験では、下地電極層２６ａへの腐食が全てのサンプルで観察されなかった水準を可とした。コスト評価では、Ａｕは非常に高価であるため、Ａｕめっきの厚みが１μmを超える部分があるものをとなるものを不可とした。また、二段積みである電子部品構造体７１０、９１０については、評価１と同様にショート不良の発生率を確認した。結果を表２に示す。
準備した各水準のサンプルのうち、一段積みである電子部品１２０、２０については、実装外観試験と、ガス腐食試験と、コスト評価を実施した。実装外観試験は評価１と同様である。ガス腐食試験では、硫化水素（Ｈ２Ｓ）ガス雰囲気下（Ｈ２Ｓ：３ｐｐｍ、８０％ＲＨ）にサンプルを投入した後４８ｈ放置したのち、端子電極の下地電極層２６ａに腐食が進行していないことを確認した。試験では、下地電極層２６ａへの腐食が全てのサンプルで観察されなかった水準を可とした。コスト評価では、Ａｕは非常に高価であるため、Ａｕめっきの厚みが１μmを超える部分があるものをとなるものを不可とした。また、二段積みである電子部品構造体７１０、９１０については、評価１と同様にショート不良の発生率を確認した。結果を表２に示す。
【0122】
【表2】
【0123】
（評価２の総合評価）
表２の試料１１、試料１２の結果から、厚みＴ２と厚みＴ４が同じである場合、表面電極層１２６ｃの材質がＡｕである場合も、表面電極層１２６ｃの材質がＳｎである場合と同様に、実装外観試験や実装後のショート不良率について課題があり、適切な形状の半田フィレットが形成されない傾向にあることが確認できた。
表２の試料１１、試料１２の結果から、厚みＴ２と厚みＴ４が同じである場合、表面電極層１２６ｃの材質がＡｕである場合も、表面電極層１２６ｃの材質がＳｎである場合と同様に、実装外観試験や実装後のショート不良率について課題があり、適切な形状の半田フィレットが形成されない傾向にあることが確認できた。
【0124】
表１の試料１３と試料１２の試験結果の比較から、表面電極層２６ｃの材質がＡｕである場合も、Ｔ４／Ｔ２の値を１．０から１．３に変化させることにより、一段積みの電子部品２０の外観クラック率および二段積みの電子部品構造体９１０のショート率に改善が見られた。Ｔ４／Ｔ２の値を適切な値とした試料１３では、リフロー接合時の半田の過剰な濡れ上がりが防止され、図２および図７に示すように、端子電極部２６下半分に適切な形状の半田フィレットが形成された。
【0125】
表１の試料１４～試料１５の試験結果から、Ａｕを含む表面電極層２６ｃを有する電子部品２０および電子部品構造体９１０において、Ｔ４／Ｔ２の値を２．５～８．０の値とすることにより、すべての試験で良好な結果を得られた。試料１４と試料１３との比較から、Ｔ４／Ｔ２の値を１．３から２．５に変化させることにより、電子部品構造体９１０のショート率にさらなる改善が見られた。Ａｕを含む表面電極層２６ｃを有する電子部品２０および電子部品構造体９１０において、Ｔ４／Ｔ２の値を２．５～８．０の値とすることにより、特に好適な形状の半田フィレットが形成されることが確認できた。
【0126】
表１の試料１６～試料１８の試験結果から、Ａｕを含む表面電極層２６ｃを有する電子部品２０および電子部品構造体９１０において、Ｔ４／Ｔ２の値が８．０の値となると、Ｔ２およびＴ４の条件によっては、課題が生じることが確認された。すなわち、試料１７では、厚みＴ２が薄すぎてガス腐食試験で端子電極の腐食が観察された。また、試料１８では、厚みＴ４が厚すぎてコスト面の課題があった。
【0127】
＜評価３＞
以下の試料１９～試料４２を作製し、後述する試験を実施した。
（試料１９～試料４２）
試料１９～試料４２として、試料０１～試料１０の電子部品構造体と同様に、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂを２段に積み重ねて接合した第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０の一例を、各２０サンプルずつ作製した。電子部品構造体９１０の作製方法は、評価１で作製した試料０１～試料１０と同様である。ただし、試料１９～試料４２では、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとして、Ｔ２およびＴ４が同じものの組み合わせだけでなく、様々なものを組み合わせて作製した。
以下の試料１９～試料４２を作製し、後述する試験を実施した。
（試料１９～試料４２）
試料１９～試料４２として、試料０１～試料１０の電子部品構造体と同様に、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂを２段に積み重ねて接合した第３実施形態（図１０参照）に係る電子部品構造体９１０の一例を、各２０サンプルずつ作製した。電子部品構造体９１０の作製方法は、評価１で作製した試料０１～試料１０と同様である。ただし、試料１９～試料４２では、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとして、Ｔ２およびＴ４が同じものの組み合わせだけでなく、様々なものを組み合わせて作製した。
【0128】
後述する表３に示すように、評価３の試料１９～試料４２では、様々な一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂの組み合わせにおいて、固着強度および実装時のショート率について課題が生じるか否かを確認した。すなわち、一段目電子部品９２０ａとしては、厚みＴ２が３．１μｍで厚みＴ４が４．０μｍのものと（試料１９～試料２２）、厚みＴ２が１．６μｍで厚みＴ４が４．０μｍのものと（試料２３～試料２７）、厚みＴ２が０．５μｍで厚みＴ４が４．０μｍのものと（試料２８～試料３０）、厚みＴ２が１．６μｍで厚みＴ４が１２．８μｍのものと（試料３１～試料３３）、厚みＴ２が１．６μｍで厚みＴ４が２４．０μｍのものと（試料３４～試料３８）、厚みＴ２が０．５μｍで厚みＴ４が７．５μｍのものと（試料３９～試料４２）を用いた。また、二段目電子部品９２０ｂとしては、二段目電子部品９２０ｂの第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層９２６ｃの厚みＴ４２が、０．５μｍのものと、１．５μｍのものと、４．０μｍのものと、８．０μｍのものと、１６．０μｍのものとを用いた。
【0129】
（試験方法）
準備した各水準のサンプルをリフロー方式で実装基板に実装し、段積み固着強度試験と、ショート不良発生率とを評価した。段済み固着強度試験は、実装した電子部品構造体９１０の二段目電子部品９２０ｂ（図７参照）に対して横方向からの力を加え続け、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着が、実装基板と一段目電子部品９２０ａとの固着より先に解除されるものの割合を、水準ごとに評価した。一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着が先に解除されるものの割合が０％であるものを「◎」、０％超過５％以下のものを「〇」、５％超過２０％以下のものを「△」、２０％超過のものを「×」とした。ショート率については、評価１および評価２と同様に計測し、ショート率１０％以下を「〇」、ショート率が１０％を超えるものを「×」とした。結果を表３に示す。
準備した各水準のサンプルをリフロー方式で実装基板に実装し、段積み固着強度試験と、ショート不良発生率とを評価した。段済み固着強度試験は、実装した電子部品構造体９１０の二段目電子部品９２０ｂ（図７参照）に対して横方向からの力を加え続け、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着が、実装基板と一段目電子部品９２０ａとの固着より先に解除されるものの割合を、水準ごとに評価した。一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着が先に解除されるものの割合が０％であるものを「◎」、０％超過５％以下のものを「〇」、５％超過２０％以下のものを「△」、２０％超過のものを「×」とした。ショート率については、評価１および評価２と同様に計測し、ショート率１０％以下を「〇」、ショート率が１０％を超えるものを「×」とした。結果を表３に示す。
【0130】
【表3】
【0131】
（評価３の総合評価）
表３の試料１９～試料４２の結果から、いずれの水準のサンプルについても、ショート率は基準値未満であり、適切な形状のフィレットを形成して実装されていること確認できた。一方、段積み固着強度試験については、Ｔ４２／Ｔ２の値が１．３未満のもの（試料２３、試料２４、試料３４、試料３５、試料３９）については、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着が、実装基板と一段目電子部品９２０ａとの固着より先に解除されるものの割合が多めであった。Ｔ４２／Ｔ２の値が１．３未満のものについては、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着強度が不足傾向であるが、Ｔ４２／Ｔ２の値を１．３以上とすることにより、十分な固着強度が確保されると考えられる。
表３の試料１９～試料４２の結果から、いずれの水準のサンプルについても、ショート率は基準値未満であり、適切な形状のフィレットを形成して実装されていること確認できた。一方、段積み固着強度試験については、Ｔ４２／Ｔ２の値が１．３未満のもの（試料２３、試料２４、試料３４、試料３５、試料３９）については、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着が、実装基板と一段目電子部品９２０ａとの固着より先に解除されるものの割合が多めであった。Ｔ４２／Ｔ２の値が１．３未満のものについては、一段目電子部品９２０ａと二段目電子部品９２０ｂとの間の固着強度が不足傾向であるが、Ｔ４２／Ｔ２の値を１．３以上とすることにより、十分な固着強度が確保されると考えられる。
【0132】
＜評価４＞
評価４では、第２比較例に係る電子部品構造体７１０および第３実施形態に係る電子部品構造体９１０の製造プロセスで生じる得る課題について評価を行った。すなわち、評価４では、評価１において電子部品構造体７１０および電子部品構造体９１０を作製した際と同様にして、二段積みの電子部品構造体９１０を作製し、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを固着させるプロセスにおいて生じる得る課題について評価した。
評価４では、第２比較例に係る電子部品構造体７１０および第３実施形態に係る電子部品構造体９１０の製造プロセスで生じる得る課題について評価を行った。すなわち、評価４では、評価１において電子部品構造体７１０および電子部品構造体９１０を作製した際と同様にして、二段積みの電子部品構造体９１０を作製し、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを固着させるプロセスにおいて生じる得る課題について評価した。
【0133】
（試料４３）
試料４３では、評価１における試料０２として作製した電子部品構造体７１０と同様の水準の電子部品構造体７１０を、１００サンプル作製した。すなわち、試料４３では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２ｎと、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４ｎが、いずれも４．０μｍの２つの電子部品１２０を固着して、電子部品構造体７１０を作製した。
試料４３では、評価１における試料０２として作製した電子部品構造体７１０と同様の水準の電子部品構造体７１０を、１００サンプル作製した。すなわち、試料４３では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２ｎと、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４ｎが、いずれも４．０μｍの２つの電子部品１２０を固着して、電子部品構造体７１０を作製した。
【0134】
（試料４４～試料４９）
試料４４～試料４９では、評価１における試料０３～試料０７として作製した電子部品構造体９１０と同様の水準の電子部品構造体９１０を、各１００サンプル作製した。試料４４～試料４９では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃの厚みＴ２ｎ（Ｔ２およびＴ２２）をそれぞれ３．１μｍ、１．６μｍ、０．５μm、１．６μｍ、１．６μｍ、０．５μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃの厚みＴ４ｎ（Ｔ４およびＴ４２）をそれぞれ４．０μｍ、４．０μｍ、４．０μｍ、１２．８μｍ、２４．０μｍ、７．５μｍとした。
試料４４～試料４９では、評価１における試料０３～試料０７として作製した電子部品構造体９１０と同様の水準の電子部品構造体９１０を、各１００サンプル作製した。試料４４～試料４９では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃの厚みＴ２ｎ（Ｔ２およびＴ２２）をそれぞれ３．１μｍ、１．６μｍ、０．５μm、１．６μｍ、１．６μｍ、０．５μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃの厚みＴ４ｎ（Ｔ４およびＴ４２）をそれぞれ４．０μｍ、４．０μｍ、４．０μｍ、１２．８μｍ、２４．０μｍ、７．５μｍとした。
【0135】
（各試料の評価方法）
各試料の製造プロセスのうち、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを固着させるプロセスにおいて、段積み不良品が発生した割合である段積み不良率を算出した。ここで、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを固着させるプロセスは、（１）一段目電子部品７２０ａ、９２０ａを配置し、（２）二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂをピックアップ・搬送して一段目電子部品７２０ａ、９２０ａの上に載置して積み重ね、（３）積み重ねた一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを熱処理炉に搬送して熱処理することにより実施した。
各試料の製造プロセスのうち、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを固着させるプロセスにおいて、段積み不良品が発生した割合である段積み不良率を算出した。ここで、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを固着させるプロセスは、（１）一段目電子部品７２０ａ、９２０ａを配置し、（２）二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂをピックアップ・搬送して一段目電子部品７２０ａ、９２０ａの上に載置して積み重ね、（３）積み重ねた一段目電子部品７２０ａ、９２０ａと二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂとを熱処理炉に搬送して熱処理することにより実施した。
【0136】
評価４では、作製された電子部品構造体７１０、９１０において、外観検査により、二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂが、一段目電子部品７２０ａ、９２０ａの上に適切な姿勢で固着されているものを、段済み良品とした。これに対して、評価４では、外観検査により、二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂが一段目電子部品７２０ａ、９２０ａに対して傾いた姿勢で固着していたり、二段目電子部品７２０ｂ、９２０ｂがプロセス中に一段目電子部品７２０ａ、９２０ａから落下していたりしたものを、段済み不良品とした。評価４では、各試料（１００サンプル）について、作製されたサンプル中における段済み不良品数の割合を、段済み不良率として算出した。結果を表４に示す。
【0137】
【表4】
【0138】
（評価４の総合評価）
表４に示すように、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．０である試料４３では、３０％の段積み不良品が発生した。これに対して、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．３である試料４４では、段済み不良率が５％に改善し、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが２．５～１５．０である試料４５～試料４９では、段済み不良率が０％まで改善した。試料４４～試料４５では、試料４３に比べて電子部品構造体９１０に含まれる電子部品９２０ａ、９２０ｂの重心が低いため、積み重ねた状態における安定性が高く、段済み不良品が少なかったものと考えられる。
表４に示すように、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．０である試料４３では、３０％の段積み不良品が発生した。これに対して、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．３である試料４４では、段済み不良率が５％に改善し、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが２．５～１５．０である試料４５～試料４９では、段済み不良率が０％まで改善した。試料４４～試料４５では、試料４３に比べて電子部品構造体９１０に含まれる電子部品９２０ａ、９２０ｂの重心が低いため、積み重ねた状態における安定性が高く、段済み不良品が少なかったものと考えられる。
【0139】
＜評価５＞
評価５では、三段積みおよび五段積みの電子部品構造体を作製したのち、これを実装基板にリフロー方式で実装し、実装基板への実装中に電子部品構造体の倒れが発生するか否かを評価した。
評価５では、三段積みおよび五段積みの電子部品構造体を作製したのち、これを実装基板にリフロー方式で実装し、実装基板への実装中に電子部品構造体の倒れが発生するか否かを評価した。
【0140】
（試料５０）
試料５０では、評価１における試料０２として作製した電子部品１２０を三段済みおよび五段積みした電子部品構造体を、各１００サンプル作製した。試料５０では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２ｎと、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４ｎが、いずれも４．０μｍの３つまたは５つ電子部品を固着して、電子部品構造体を作製した。
試料５０では、評価１における試料０２として作製した電子部品１２０を三段済みおよび五段積みした電子部品構造体を、各１００サンプル作製した。試料５０では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ２ｎと、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層１２６ｃの厚みＴ４ｎが、いずれも４．０μｍの３つまたは５つ電子部品を固着して、電子部品構造体を作製した。
【0141】
（試料５１～試料５６）
試料５１～試料５６では、評価１における試料０３～試料０７として作製した電子部品構造体９１０と、段積みする電子部品の数のみが異なり、その他は同様である電子部品構造体９１０を作製した。各試料について、三段済みおよび五段積みした電子部品構造体９１０を、各１００サンプル作製した。試料５１～試料５６では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃ、９２７ｃ、９２８ｃの厚みＴ２ｎ（Ｔ２を含む）をそれぞれ３．１μｍ、１．６μｍ、０．５μm、１．６μｍ、１．６μｍ、０．５μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃ、９２７ｃ、９２８ｃの厚みＴ４ｎ（Ｔ４を含む）をそれぞれ４．０μｍ、４．０μｍ、４．０μｍ、１２．８μｍ、２４．０μｍ、７．５μｍとした。一つの電子部品構造体９１０は、同じ厚みＴ２、Ｔ４を有する電子部品で構成した。
試料５１～試料５６では、評価１における試料０３～試料０７として作製した電子部品構造体９１０と、段積みする電子部品の数のみが異なり、その他は同様である電子部品構造体９１０を作製した。各試料について、三段済みおよび五段積みした電子部品構造体９１０を、各１００サンプル作製した。試料５１～試料５６では、第２基準線ＳＬ２に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃ、９２７ｃ、９２８ｃの厚みＴ２ｎ（Ｔ２を含む）をそれぞれ３．１μｍ、１．６μｍ、０．５μm、１．６μｍ、１．６μｍ、０．５μｍとし、第４基準線ＳＬ４に沿う表面電極層２６ｃ、９２６ｃ、９２７ｃ、９２８ｃの厚みＴ４ｎ（Ｔ４を含む）をそれぞれ４．０μｍ、４．０μｍ、４．０μｍ、１２．８μｍ、２４．０μｍ、７．５μｍとした。一つの電子部品構造体９１０は、同じ厚みＴ２、Ｔ４を有する電子部品で構成した。
【0142】
（各試料の評価方法）
各試料を構成するサンプルである電子部品構造体を作製したのち、これを実装基板にリフロー方式で実装し、実装基板への実装中に電子部品構造体の倒れが発生したものの数を、外観検査により計測した。実装倒れ率は、実装基板に配置した全サンプル中において、電子部品構造体の倒れが発生したサンプル数の割合を、各水準の三段積み／五段積み別に算出した。結果を表５に示す。
各試料を構成するサンプルである電子部品構造体を作製したのち、これを実装基板にリフロー方式で実装し、実装基板への実装中に電子部品構造体の倒れが発生したものの数を、外観検査により計測した。実装倒れ率は、実装基板に配置した全サンプル中において、電子部品構造体の倒れが発生したサンプル数の割合を、各水準の三段積み／五段積み別に算出した。結果を表５に示す。
【0143】
【表5】
【0144】
（評価５の総合評価）
表５に示すように、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．０である試料５０では、三段積みで２０％、五段積みで３０％の実装倒れが発生した。これに対して、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．３である試料５１では、三段積みで５％、五段積みで１０％まで実装倒れ率が減少し、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが２．５～１５．０である試料５２～試料５６では、三段積みおよび五段積みの双方で、実装倒れ率が０％まで改善した。試料５１～試料５６では、試料５０に比べて電子部品構造体９１０の重心が低いため、実装倒れが少なかったものと考えられる。
表５に示すように、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．０である試料５０では、三段積みで２０％、五段積みで３０％の実装倒れが発生した。これに対して、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが１．３である試料５１では、三段積みで５％、五段積みで１０％まで実装倒れ率が減少し、Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎが２．５～１５．０である試料５２～試料５６では、三段積みおよび五段積みの双方で、実装倒れ率が０％まで改善した。試料５１～試料５６では、試料５０に比べて電子部品構造体９１０の重心が低いため、実装倒れが少なかったものと考えられる。
【0145】
＜評価６＞
評価６では、評価５と同様に、三段積みの電子部品構造体９１０を作製したのち、これを実装基板にリフロー方式で実装し、実装基板への実装中に電子部品構造体９１０の倒れが発生するか否かを評価した。ただし、評価６では、評価５とは異なり、一つの電子部品構造体９１０に含まれる３つの電子部品を、互いに異なる厚みＴ２、Ｔ４を有する電子部品で構成した。
評価６では、評価５と同様に、三段積みの電子部品構造体９１０を作製したのち、これを実装基板にリフロー方式で実装し、実装基板への実装中に電子部品構造体９１０の倒れが発生するか否かを評価した。ただし、評価６では、評価５とは異なり、一つの電子部品構造体９１０に含まれる３つの電子部品を、互いに異なる厚みＴ２、Ｔ４を有する電子部品で構成した。
【0146】
（試料５７～試料５９）
試料５７～試料５９では、一つの電子部品構造体９１０に含まれる３つの電子部品を、互いに異なる厚みＴ２、Ｔ４を有する電子部品で構成したことを除き、評価５における試料５１～試料５６の三段積みの電子部品と同様にして作製した。
試料５７～試料５９では、一つの電子部品構造体９１０に含まれる３つの電子部品を、互いに異なる厚みＴ２、Ｔ４を有する電子部品で構成したことを除き、評価５における試料５１～試料５６の三段積みの電子部品と同様にして作製した。
【0147】
（各試料の評価方法）
評価６では、評価５と同様にして、各試料の実装倒れ率を算出した。結果を表６に示す。
評価６では、評価５と同様にして、各試料の実装倒れ率を算出した。結果を表６に示す。
【0148】
【表6】
【0149】
（評価６の総合評価）
Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ（Ｔ４／Ｔ２、Ｔ４２／Ｔ２２、Ｔ４ｍａｘ／Ｔ２ｍａｘを含む）が２．５～１５．０である電子部品を組み合わせて電子部品構造体９１０を構成した試料５２～試料５６では、いずれも実装倒れ率が０％であった。これらの試料に係る電子部品構造体９１０は、重心が低いため実装倒れが生じなかったものと考えられる。また、これらの試料に係る電子部品構造体９１０では、Ｔ４／Ｔ２ｍａｘの値が１より大きく、数式（６）の条件を満足していた。
Ｔ４ｎ／Ｔ２ｎ（Ｔ４／Ｔ２、Ｔ４２／Ｔ２２、Ｔ４ｍａｘ／Ｔ２ｍａｘを含む）が２．５～１５．０である電子部品を組み合わせて電子部品構造体９１０を構成した試料５２～試料５６では、いずれも実装倒れ率が０％であった。これらの試料に係る電子部品構造体９１０は、重心が低いため実装倒れが生じなかったものと考えられる。また、これらの試料に係る電子部品構造体９１０では、Ｔ４／Ｔ２ｍａｘの値が１より大きく、数式（６）の条件を満足していた。
【0150】
以上、実施形態や実施例等を挙げて本開示に係る電子部品および電子部品構造体の特徴を説明してきたが、電子部品および電子部品構造体は、これらの実施形態や実施例のみに限定されるものではなく、他の実施形態や変形例を数多く含むことは言うまでもない。たとえば、電子部品構造体としては、電子部品を一列に積み重ねたものには限定されず、電子部品を複数列に積み重ねたもの（一段目電子部品を複数有するもの）も、本開示に係る電子部品構造体の一種である。
【0151】
また、電子部品２０、２２０、３２０．４２０、５２０および電子部品構造体６１０、８１０、９１０に含まれる電子部品、６２０ａ、６２０ｂ、８２０ａ、８２０ｂ、８２０ｍａｘ、９２０ａ、９２０ｂ、９２０ｎ、９２０ｍａｘとしては、コンデンサのみには限定されず、インダクタやバリスタなどであってもよく、これらの組み合わせであってもよい。
【符号の説明】
【0152】
２０、１２０、２２０、３２０、４２０、５２０…電子部品
６２０ａ、７２０ａ、８２０ａ、９２０ａ…一段目電子部品
６２０ｂ、７２０ｂ、８２０ｂ、９２０ｂ…二段目電子部品
９２０ｎ…ｎ段目電子部品
８２０ｍａｘ、９２０ｍａｘ…最上段電子部品
６１０、７１０、８１０、９１０…電子部品構造体
２１…素体部
２１ａ…端面
２１ｂ…端面
２１ｃ…中心
２１ｄ…素体下面
２１ｅ…素体上面
２２…内部電極層
２３…誘電体層
２６、１２６、２２６、３２６、４２６、５２６、６２６、９２６、９２７、９２８…端子電極部
２６ａ、３２６ａ、４２６ａ、５２６ａ…下地電極層
２６ｂ、３２６ｂ、４２６ｂ、５２６ｂ…中間電極層
２６ｃ、１２６ｃ、２２６ｃ、３２６ｃ、４２６ｃ、５２６ｃ、６２６ｃ、９２６ｃ、９２７ｃ、９２８ｃ…表面電極層
Ｔ４、Ｔ２…厚み
ＳＬ１…第１基準線
ＳＬ２…第２基準線
ＳＬ３…第３基準線
ＳＬ４…第４基準線
ＳＬ５…第５基準線
８２…実装基板
８３、１８３、６８３、７８３…半田フィレット
６２０ａ、７２０ａ、８２０ａ、９２０ａ…一段目電子部品
６２０ｂ、７２０ｂ、８２０ｂ、９２０ｂ…二段目電子部品
９２０ｎ…ｎ段目電子部品
８２０ｍａｘ、９２０ｍａｘ…最上段電子部品
６１０、７１０、８１０、９１０…電子部品構造体
２１…素体部
２１ａ…端面
２１ｂ…端面
２１ｃ…中心
２１ｄ…素体下面
２１ｅ…素体上面
２２…内部電極層
２３…誘電体層
２６、１２６、２２６、３２６、４２６、５２６、６２６、９２６、９２７、９２８…端子電極部
２６ａ、３２６ａ、４２６ａ、５２６ａ…下地電極層
２６ｂ、３２６ｂ、４２６ｂ、５２６ｂ…中間電極層
２６ｃ、１２６ｃ、２２６ｃ、３２６ｃ、４２６ｃ、５２６ｃ、６２６ｃ、９２６ｃ、９２７ｃ、９２８ｃ…表面電極層
Ｔ４、Ｔ２…厚み
ＳＬ１…第１基準線
ＳＬ２…第２基準線
ＳＬ３…第３基準線
ＳＬ４…第４基準線
ＳＬ５…第５基準線
８２…実装基板
８３、１８３、６８３、７８３…半田フィレット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】