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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134991
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】基板洗浄方法および基板洗浄装置
(51)【国際特許分類】
B08B 3/02 20060101AFI20240927BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
B08B3/02 C
H01L21/304 645D
H01L21/304 645C
H01L21/304 643B
H01L21/304 651L
H01L21/304 651G
H01L21/304 645Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045469
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000102212
【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100109380
【弁理士】
【氏名又は名称】小西 恵
(74)【代理人】
【識別番号】100109036
【弁理士】
【氏名又は名称】永岡 重幸
(72)【発明者】
【氏名】中村 雅規
【テーマコード（参考）】
3B201
5F157
【Ｆターム（参考）】
3B201AA01
3B201AB14
3B201BB21
3B201BB93
3B201BB98
3B201BC01
3B201CB15
5F157AA02
5F157AA29
5F157AB02
5F157AB20
5F157AB33
5F157AB94
5F157AC04
5F157AC56
5F157BB22
5F157BD33
5F157BE12
5F157BG34
5F157BG43
5F157BG44
5F157BG46
5F157CB16
5F157CF16
5F157CF40
5F157CF60
5F157CF74
5F157CF99
5F157DA15
5F157DB13
5F157DB14
5F157DB18
(57)【要約】
【課題】有機溶剤を使用することなく高い洗浄力により基板表面を洗浄する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を準備する準備工程と、基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程において洗浄された後の基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。洗浄工程は、基板の表面に紫外線（ＶＵＶ光）を照射する第１の洗浄工程と、紫外線を照射した後の基板の表面に超純水を散布する第２の洗浄工程と、を含む。
【選択図】 図１
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を準備する準備工程と、基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程において洗浄された後の基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。洗浄工程は、基板の表面に紫外線（ＶＵＶ光）を照射する第１の洗浄工程と、紫外線を照射した後の基板の表面に超純水を散布する第２の洗浄工程と、を含む。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板を乾燥する乾燥工程と、を含み、
前記洗浄工程は、
前記基板の表面に紫外線を照射する第１の洗浄工程と、
前記紫外線を照射した後の前記基板の表面に超純水を散布する第２の洗浄工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板を乾燥する乾燥工程と、を含み、
前記洗浄工程は、
前記基板の表面に紫外線を照射する第１の洗浄工程と、
前記紫外線を照射した後の前記基板の表面に超純水を散布する第２の洗浄工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項2】
前記超純水を生成する生成工程をさらに含み、
前記第２の洗浄工程では、前記生成工程において生成された前記超純水を、直接、前記基板の表面に散布することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
前記第２の洗浄工程では、前記生成工程において生成された前記超純水を、直接、前記基板の表面に散布することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項3】
前記乾燥工程では、前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表面に、大気圧プラズマを照射することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項4】
前記乾燥工程は、
前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表面に、エアーナイフから噴出される圧縮空気を吹き付ける第１の乾燥工程と、
前記第１の乾燥工程の後に、前記基板の表面に大気圧プラズマを照射する第２の乾燥工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表面に、エアーナイフから噴出される圧縮空気を吹き付ける第１の乾燥工程と、
前記第１の乾燥工程の後に、前記基板の表面に大気圧プラズマを照射する第２の乾燥工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項5】
前記第２の洗浄工程では、オゾンが含有された前記超純水を散布することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項6】
前記第２の洗浄工程では、ナノバブルが含有された前記超純水を散布することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項7】
基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
前記基板を洗浄する基板洗浄部と、
前記基板洗浄部において洗浄された後の前記基板を乾燥する基板乾燥部と、を備え、
前記基板洗浄部は、
紫外線光源を有し、当該紫外線光源から放射される紫外線を前記基板の表面に照射する紫外線照射部と、
スプレーヘッドを有し、前記紫外線照射部において紫外線が照射された後の前記基板の表面に、前記スプレーヘッドから超純水を散布する超純水散布部と、を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
前記基板を洗浄する基板洗浄部と、
前記基板洗浄部において洗浄された後の前記基板を乾燥する基板乾燥部と、を備え、
前記基板洗浄部は、
紫外線光源を有し、当該紫外線光源から放射される紫外線を前記基板の表面に照射する紫外線照射部と、
スプレーヘッドを有し、前記紫外線照射部において紫外線が照射された後の前記基板の表面に、前記スプレーヘッドから超純水を散布する超純水散布部と、を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板洗浄方法および基板洗浄装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えばガラスなどの基板の表面を洗浄する基板洗浄工程は、基板上に塗布液を塗布して成膜する成膜工程などの前工程として重要な工程である。
基板洗浄工程では、湿式洗浄（ウェット洗浄）や乾式洗浄（ドライ洗浄）が行われる。湿式洗浄では、洗浄液に基板を浸漬し、超音波洗浄機などにより基板を洗浄する。乾式洗浄では、紫外線オゾン洗浄などが行われる。
例えば特許文献１は、有機溶媒が含有された洗浄組成物に基板を浸漬して洗浄する基板洗浄方法を開示する。
基板洗浄工程では、湿式洗浄（ウェット洗浄）や乾式洗浄（ドライ洗浄）が行われる。湿式洗浄では、洗浄液に基板を浸漬し、超音波洗浄機などにより基板を洗浄する。乾式洗浄では、紫外線オゾン洗浄などが行われる。
例えば特許文献１は、有機溶媒が含有された洗浄組成物に基板を浸漬して洗浄する基板洗浄方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－２２７２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記従来の基板洗浄方法は、有機溶媒が含有された有機溶剤を大量に使用する方法であるため、昨今の環境保全に配慮した洗浄方法とはいえない。また、処理槽の大型化や排水処理の保守、メンテナンスなどの課題もある。
そこで、本発明は、有機溶剤を使用することなく高い洗浄力により基板表面を洗浄することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供することを課題としている。
そこで、本発明は、有機溶剤を使用することなく高い洗浄力により基板表面を洗浄することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するために、本発明に係る基板洗浄方法の一態様は、基板を洗浄する基板洗浄方法であって、前記基板を準備する準備工程と、前記基板を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板を乾燥する乾燥工程と、を含み、前記洗浄工程は、前記基板の表面に紫外線を照射する第１の洗浄工程と、前記紫外線を照射した後の前記基板の表面に超純水を散布する第２の洗浄工程と、を含む。
【0006】
このように、紫外線照射により基板の表面を洗浄した後に、超純水による洗浄を行う。紫外線を照射して基板表面の有機物を分解除去（気化）させたり除去しやすくしたりしたうえで、超純水の高い溶解能力により基板表面の不純物を除去するので、有機溶剤を使用することなく、基板表面を適切に洗浄することができる。また、紫外線照射により基板表面の濡れ性（親水性）を向上させることができるので、超純水を基板表面全体に均一に塗布することができ、洗浄ムラを抑制することができる。また、基板表面の濡れ性が向上されることで、ピンニング現象を抑制し、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生を抑制することができる。
【0007】
また、上記の基板洗浄方法は、前記超純水を生成する生成工程をさらに含み、前記第２の洗浄工程では、前記生成工程において生成された前記超純水を、直接、前記基板の表面に散布してよい。
この場合、生成された超純水をタンク等に溜めることなく直ちに洗浄工程で使用することができる。そのため、超純水の劣化を抑制し、高い洗浄効果を維持したまま使用することができる。
この場合、生成された超純水をタンク等に溜めることなく直ちに洗浄工程で使用することができる。そのため、超純水の劣化を抑制し、高い洗浄効果を維持したまま使用することができる。
【0008】
さらに、上記の基板洗浄方法において、前記乾燥工程では、前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表面に、大気圧プラズマを照射してよい。
この場合、洗浄工程で除去しきれなかった不純物や、洗浄工程後に再吸着した不純物などを適切に除去しつつ、基板表面を乾燥させることができる。したがって、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生を効果的に抑制することができる。
この場合、洗浄工程で除去しきれなかった不純物や、洗浄工程後に再吸着した不純物などを適切に除去しつつ、基板表面を乾燥させることができる。したがって、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生を効果的に抑制することができる。
【0009】
また、上記の基板洗浄方法において、前記乾燥工程は、前記洗浄工程において洗浄された後の前記基板の表面に、エアーナイフから噴出される圧縮空気を吹き付ける第１の乾燥工程と、前記第１の乾燥工程の後に、前記基板の表面に大気圧プラズマを照射する第２の乾燥工程と、を含んでよい。
この場合、エアーナイフによって基板表面の水分を効率的に除去することができるので、乾燥に要する時間を短縮することができる。また、大気圧プラズマのみを利用した乾燥と比較して、コストを削減することができる。
この場合、エアーナイフによって基板表面の水分を効率的に除去することができるので、乾燥に要する時間を短縮することができる。また、大気圧プラズマのみを利用した乾燥と比較して、コストを削減することができる。
【0010】
さらに、上記の基板洗浄方法において、前記第２の洗浄工程では、オゾンが含有された前記超純水を散布してもよいし、ナノバブルが含有された前記超純水を散布してもよい。
この場合、さらに洗浄効率を上げることができる。
この場合、さらに洗浄効率を上げることができる。
【0011】
また、本発明に係る基板洗浄装置の一態様は、基板を洗浄する基板洗浄装置であって、前記基板を洗浄する基板洗浄部と、前記基板洗浄部において洗浄された後の前記基板を乾燥する基板乾燥部と、を備え、前記基板洗浄部は、紫外線光源を有し、当該紫外線光源から放射される紫外線を前記基板の表面に照射する紫外線照射部と、スプレーヘッドを有し、前記紫外線照射部において紫外線が照射された後の前記基板の表面に、前記スプレーヘッドから超純水を散布する超純水散布部と、を備える。
【0012】
このように、紫外線照射により基板の表面を洗浄した後に、超純水による洗浄を行う。紫外線を照射して基板表面の有機物を分解除去（気化）させたり除去しやすくしたりしたうえで、超純水の高い溶解能力により基板表面の不純物を除去するので、有機溶剤を使用することなく、基板表面を適切に洗浄することができる。また、紫外線照射により基板表面の濡れ性（親水性）を向上させることができるので、超純水を基板表面全体に均一に塗布することができ、洗浄ムラを抑制することができる。また、基板表面の濡れ性が向上されることで、ピンニング現象を抑制し、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【0013】
本発明では、有機溶剤を使用することなく高い洗浄力により基板表面を洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本実施形態における基板洗浄方法の一例である。
【図2】本実施形態における基板洗浄装置の一例である。
【図3】紫外線照射部の構成例である。
【図4】スプレーヘッドの構成例である。
【図5】従来の基板洗浄方法の一例である。
【図6】従来の基板洗浄装置の一例である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本実施形態では、例えばガラスなどの基板の表面を洗浄する基板洗浄方法および基板洗浄装置について説明する。
本実施形態において、上記基板は、例えばペロブスカイト結晶を用いたペロブスカイト太陽電池の基材となるガラス基板とすることができる。ペロブスカイト太陽電池は、印刷技術により基板上に溶液（溶媒と溶質との混合液）を順次塗布して複数の層を積層させることで製造される。本実施形態では、溶液を塗布して薄膜を成膜する成膜工程の前に基板の表面を洗浄する基板洗浄方法および基板洗浄装置について説明する。
本実施形態では、例えばガラスなどの基板の表面を洗浄する基板洗浄方法および基板洗浄装置について説明する。
本実施形態において、上記基板は、例えばペロブスカイト結晶を用いたペロブスカイト太陽電池の基材となるガラス基板とすることができる。ペロブスカイト太陽電池は、印刷技術により基板上に溶液（溶媒と溶質との混合液）を順次塗布して複数の層を積層させることで製造される。本実施形態では、溶液を塗布して薄膜を成膜する成膜工程の前に基板の表面を洗浄する基板洗浄方法および基板洗浄装置について説明する。
【0016】
まず、従来の基板洗浄方法について説明する。
図５は、従来の基板洗浄方法の一例を示す図である。
この図５に示すように、従来の基板洗浄方法は、基板を準備する準備工程と、基板を洗浄する洗浄工程と、基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。
まず、準備工程では、ステップＳ２０において、洗浄対象となる基板（ワーク）を準備する。
図５は、従来の基板洗浄方法の一例を示す図である。
この図５に示すように、従来の基板洗浄方法は、基板を準備する準備工程と、基板を洗浄する洗浄工程と、基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。
まず、準備工程では、ステップＳ２０において、洗浄対象となる基板（ワーク）を準備する。
【0017】
次に、洗浄工程を行う。まずステップＳ２１では、純水で基板表面の汚れを除去する純水洗浄が行われる。このステップＳ２１では、基板表面に付着したチリなどの比較的大きな汚れが除去される。
次にステップＳ２２では、基板表面の油脂を除去するために、中性洗剤による洗浄が行われる。このステップＳ２２において油脂を浮かせ、次のステップＳ２３において、有機溶剤（アセトン）にて中性洗剤と油脂とが除去される。
次にステップＳ２２では、基板表面の油脂を除去するために、中性洗剤による洗浄が行われる。このステップＳ２２において油脂を浮かせ、次のステップＳ２３において、有機溶剤（アセトン）にて中性洗剤と油脂とが除去される。
【0018】
その後、ステップＳ２４では、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの高揮発性の有機溶剤にて、ステップＳ２３において使用した有機溶剤（アセトン）や基板に残った有機物などの表面付着物が除去される。このステップＳ２４において使用する有機溶剤は、後述するステップＳ２５において純水によるリンスを行うため、水と親和性が高いアルコール系溶剤を使用することが好ましい。
そして、洗浄工程における最終工程として、ステップＳ２５では、上記で使用した有機溶剤を純水にて洗い流すリンス工程が行われる。
そして、洗浄工程における最終工程として、ステップＳ２５では、上記で使用した有機溶剤を純水にて洗い流すリンス工程が行われる。
【0019】
洗浄工程の後は、基板上の水分を除去するために乾燥工程を行う。まずステップＳ２６では、ドライガス（エアー、窒素など）のエアーナイフにより基板上の水分が吹き飛ばされる。次にステップＳ２７では、基板上に残った吸着水を除去するために、ヒータや高周波による加熱が行われ、基板表面が完全に乾燥される。
最後に、ステップＳ２８において、基板の表面改質を行う。この表面改質処理は、例えば後段の成膜工程において基板に溶剤を塗布する場合に、接触角を下げて塗れ性を向上する目的で行われる。表面改質処理は、ＶＵＶ（真空紫外線）やオゾンアッシング（大気圧プラズマ装置）にて実施することができる。
最後に、ステップＳ２８において、基板の表面改質を行う。この表面改質処理は、例えば後段の成膜工程において基板に溶剤を塗布する場合に、接触角を下げて塗れ性を向上する目的で行われる。表面改質処理は、ＶＵＶ（真空紫外線）やオゾンアッシング（大気圧プラズマ装置）にて実施することができる。
【0020】
以下、具体的な装置構造を示し、動作概要を説明する。
図６は、従来の基板洗浄装置２００の一例を示す図である。
基板洗浄装置２００は、純水洗浄部２１０と、中性洗剤洗浄部２２０と、第１溶液部２３０と、第２溶液部２４０と、純水リンス部２５０と、第１乾燥部２６０と、第２乾燥部２７０と、改質部２８０と、を備える。この基板洗浄装置２００においては、ロール・ツー・ロール方式で基板（ワーク）Ｗが各エリア（処理部）に順次搬送され、基板Ｗが処理される。処理部２１０～２８０において実施される処理が、図５に示すステップＳ２１～２８の処理にそれぞれ対応している。
図６は、従来の基板洗浄装置２００の一例を示す図である。
基板洗浄装置２００は、純水洗浄部２１０と、中性洗剤洗浄部２２０と、第１溶液部２３０と、第２溶液部２４０と、純水リンス部２５０と、第１乾燥部２６０と、第２乾燥部２７０と、改質部２８０と、を備える。この基板洗浄装置２００においては、ロール・ツー・ロール方式で基板（ワーク）Ｗが各エリア（処理部）に順次搬送され、基板Ｗが処理される。処理部２１０～２８０において実施される処理が、図５に示すステップＳ２１～２８の処理にそれぞれ対応している。
【0021】
第１溶液部２３０および第２溶液部２４０は、揮発性有機溶剤（アセトン、アルコールなど）を使用して洗浄するため、溶剤が装置外部へ漏れないように、処理部全体を囲んだ構造となっている。また、第１溶液部２３０および第２溶液部２４０は、気化した溶剤を排気するための排気機構と、基板洗浄に使用した後の溶剤を回収する回収機構と、回収した溶剤をフィルタに通して不純物を除去し回収再生する回収再生機構と、を備える。排気機構は、吸着処理や燃焼処理などによって有機溶剤を処理して排気する機構とすることができる。
【0022】
純水リンス部２５０は、主に基板Ｗに付着した有機溶剤を洗い流す。前段の第２溶液部２４０において使用される有機溶剤は、ＩＰＡなどの水と親和性が高い有機溶剤であるため、純水リンス部２５０では、純水に有機溶剤を溶解させて洗い流すことができる。
純水リンス部２５０は、純水を放出するスプレーノズルと、基板洗浄に使用した後の純水を回収する回収機構と、排水機構と、を備える。純水リンス部２５０では、例えば公営水道の水からイオン交換樹脂を通して製造された電気伝導率１μＳ／ｃｍ（比抵抗１ＭΩ・ｃｍ）程度の純水をスプレーノズルから放出し、基板Ｗを洗浄する。基板Ｗを洗浄した後の水は、回収機構によって回収され、排水機構により排水される。回収機構によって回収された水には有機溶剤が溶けているので、そのまま排水することはできない。そのため、排水機構において、排水処理として、モレキュラシーブなどの吸着材を利用して有機溶剤を除去する方法や、沸点の違いを利用して分離回収する方法がとられる。
純水リンス部２５０は、純水を放出するスプレーノズルと、基板洗浄に使用した後の純水を回収する回収機構と、排水機構と、を備える。純水リンス部２５０では、例えば公営水道の水からイオン交換樹脂を通して製造された電気伝導率１μＳ／ｃｍ（比抵抗１ＭΩ・ｃｍ）程度の純水をスプレーノズルから放出し、基板Ｗを洗浄する。基板Ｗを洗浄した後の水は、回収機構によって回収され、排水機構により排水される。回収機構によって回収された水には有機溶剤が溶けているので、そのまま排水することはできない。そのため、排水機構において、排水処理として、モレキュラシーブなどの吸着材を利用して有機溶剤を除去する方法や、沸点の違いを利用して分離回収する方法がとられる。
【0023】
第１乾燥部２６０は、高速ガスを基板Ｗへ吹き付けるエアーナイフによって、基板Ｗに付着している水分を除去する。
第２乾燥部２７０は、第１乾燥部２６０におけるエアーナイフでは除去しきれないような、基板Ｗに付着した付着水を加熱除去する。なお、高周波除去（２．４ＧＨｚ）にて水分子を直接振動させて揮発させる方法を採用してもよい。
改質部２８０は、例えば後段の成膜工程において基板Ｗへ溶液を均一塗布するために、基板Ｗの表面改質を行い、基板表面における溶液の接触角を小さくする（塗れ性を向上させる）。この改質部２８０では、例えば真空紫外光（ＶＵＶ光）やオゾンアッシングを利用して、基板表面の親水性を向上させる。
第２乾燥部２７０は、第１乾燥部２６０におけるエアーナイフでは除去しきれないような、基板Ｗに付着した付着水を加熱除去する。なお、高周波除去（２．４ＧＨｚ）にて水分子を直接振動させて揮発させる方法を採用してもよい。
改質部２８０は、例えば後段の成膜工程において基板Ｗへ溶液を均一塗布するために、基板Ｗの表面改質を行い、基板表面における溶液の接触角を小さくする（塗れ性を向上させる）。この改質部２８０では、例えば真空紫外光（ＶＵＶ光）やオゾンアッシングを利用して、基板表面の親水性を向上させる。
【0024】
このように、従来の基板洗浄方法は、有機溶剤を大量に使用する方法であり、昨今の環境保全に配慮した洗浄方法とはいえない。また、処理槽の大型化や排水処理の保守、メンテナンスなどの課題もある。さらに、従来の基板洗浄方法は、洗浄工程数が多く、洗浄に長時間要する。
また、従来の基板洗浄方法では、洗浄後の基板表面にウォーターマークが発生しうる。ウォーターマークとは、液滴中に溶解していた物質や僅かに残存していた微粒子が凝集したものであり、乾燥時に生じる液滴内の対流と、液滴コンタクトラインのピンニングが要因となって発生しうる輪のような形状の乾燥痕である。
ウォーターマークを低減するには、液滴中に含まれる微粒子数を低減させることや、基板表面の濡れ性（親水性）を向上させてピンニング効果を低くすることが考えられる。
また、従来の基板洗浄方法では、洗浄後の基板表面にウォーターマークが発生しうる。ウォーターマークとは、液滴中に溶解していた物質や僅かに残存していた微粒子が凝集したものであり、乾燥時に生じる液滴内の対流と、液滴コンタクトラインのピンニングが要因となって発生しうる輪のような形状の乾燥痕である。
ウォーターマークを低減するには、液滴中に含まれる微粒子数を低減させることや、基板表面の濡れ性（親水性）を向上させてピンニング効果を低くすることが考えられる。
【0025】
そこで、本実施形態では、まず基板表面にＶＵＶ光を照射するＶＵＶ洗浄を行い、その後、基板表面に超純水を散布して洗浄する。このように、有機溶剤を使用しない洗浄方法とすることで、環境保全に寄与することができる。また、装置の小型化および保守メンテナンスの簡易化を図ることができる。さらに、ＶＵＶ光と超純水とを使用した洗浄方法により、液滴中に含まれる不純物を適切に除去することができるとともに、基板表面の濡れ性を向上させることができるので、ウォーターマークの発生を適切に抑制することができる。
【0026】
以下、本実施形態における基板洗浄方法について具体的に説明する。
図１は、本実施形態における基板洗浄方法の一例を示す図である。
この図１に示すように、本実施形態における基板洗浄方法は、従来同様、基板を準備する準備工程と、基板を洗浄する洗浄工程と、基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。
まず、準備工程では、ステップＳ１０において、洗浄対象となる基板（ワーク）を準備する。
図１は、本実施形態における基板洗浄方法の一例を示す図である。
この図１に示すように、本実施形態における基板洗浄方法は、従来同様、基板を準備する準備工程と、基板を洗浄する洗浄工程と、基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。
まず、準備工程では、ステップＳ１０において、洗浄対象となる基板（ワーク）を準備する。
【0027】
次に、洗浄工程を行う。まずステップＳ１１では、基板に紫外線が照射される。ここで、上記紫外線は、波長２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶ光）である。このステップＳ１１では、ＶＵＶ照射により基板の表面に付着している油脂や不純物（以下、「コンタミ」という。）を分解除去する（もしくは除去しやすくする）とともに、基板表面の濡れ性を向上させる。
【0028】
次にステップＳ１２では、基板表面が超純水により洗浄される。ここでいう超純水とは、電気伝導率０．１μＳ／ｃｍ以下（比抵抗１０ＭΩ・ｃｍ以上）の水である。このステップＳ１２では、ステップＳ１１におけるＶＵＶ照射により除去しやすくされたコンタミを、超純水によって吸着し溶解する。
【0029】
このように、本実施形態における洗浄工程では、超純水を散布する前に紫外線処理を行う。仮に、紫外線処理をせずに超純水を基板上へ散布すると、超純水が基板表面で弾かれて基板全面に塗布できず、洗浄ムラが発生し得る。
本実施形態では、ステップＳ１１におけるＶＵＶ光による紫外線処理によって基板表面の濡れ性を向上させた後に、ステップＳ１２において超純水を散布するので、基板表面に散布された超純水は、基板全面に一様に塗布される。したがって、洗浄ムラの発生を適切に抑制することができる。また、基板表面における超純水の接触角を小さくすることができるので、ピンニング効果を抑制し、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
本実施形態では、ステップＳ１１におけるＶＵＶ光による紫外線処理によって基板表面の濡れ性を向上させた後に、ステップＳ１２において超純水を散布するので、基板表面に散布された超純水は、基板全面に一様に塗布される。したがって、洗浄ムラの発生を適切に抑制することができる。また、基板表面における超純水の接触角を小さくすることができるので、ピンニング効果を抑制し、ウォーターマークの発生を抑制することができる。
【0030】
洗浄工程の後は、基板上の水分を除去するために乾燥工程を行う。ステップＳ１３では、ドライガス（エアー、窒素など）のエアーナイフにより基板上の水分が吹き飛ばされる。
ステップＳ１４では、基板に大気圧プラズマが照射される。大気圧プラズマを基板に照射することで、大気圧プラズマ中で発生した酸素ラジカルが基板表面に存在する有機物と反応し、当該有機物が除去される。また、大気圧プラズマを基板に照射することで、基板表面に付着している水分のクラスタを単分子化し、これにより当該水分の揮発を誘発し、基板表面を乾燥させることができる。
なお、図１に示す例では、乾燥工程において、ステップＳ１３のエアーナイフによる乾燥処理の後に、ステップＳ１４の大気圧プラズマによる乾燥処理を行っているが、いずれか一方の乾燥処理のみを行ってもよい。
ステップＳ１４では、基板に大気圧プラズマが照射される。大気圧プラズマを基板に照射することで、大気圧プラズマ中で発生した酸素ラジカルが基板表面に存在する有機物と反応し、当該有機物が除去される。また、大気圧プラズマを基板に照射することで、基板表面に付着している水分のクラスタを単分子化し、これにより当該水分の揮発を誘発し、基板表面を乾燥させることができる。
なお、図１に示す例では、乾燥工程において、ステップＳ１３のエアーナイフによる乾燥処理の後に、ステップＳ１４の大気圧プラズマによる乾燥処理を行っているが、いずれか一方の乾燥処理のみを行ってもよい。
【0031】
最後に、ステップＳ１５において、基板の表面改質を行う。この表面改質処理は、例えば後段の成膜工程において基板に溶剤を塗布する場合に、接触角を下げて塗れ性を向上する目的で行われる。表面改質処理は、ＶＵＶ（真空紫外線）やオゾンアッシング（大気圧プラズマ装置）にて実施することができる。
【0032】
図２は、本実施形態における基板洗浄装置１００の一例を示す図である。
基板洗浄装置１００は、紫外線照射部１１０と、超純水散布部１２０と、基板乾燥部１３０と、改質部１４０と、を備える。ここで、紫外線照射部１１０および超純水散布部１２０が、基板洗浄部を構成している。
この基板洗浄装置１００においては、ロール・ツー・ロール方式で基板（ワーク）Ｗが搬送機構１５０により各エリア（処理部）に順次搬送され、基板Ｗが処理される。処理部１１０～１４０において実施される処理が、図１に示すステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１４、Ｓ１５の処理にそれぞれ対応している。ここでは、図１に示すステップＳ１３のエアーナイフによる乾燥処理を行う乾燥部は省略している。
基板洗浄装置１００は、紫外線照射部１１０と、超純水散布部１２０と、基板乾燥部１３０と、改質部１４０と、を備える。ここで、紫外線照射部１１０および超純水散布部１２０が、基板洗浄部を構成している。
この基板洗浄装置１００においては、ロール・ツー・ロール方式で基板（ワーク）Ｗが搬送機構１５０により各エリア（処理部）に順次搬送され、基板Ｗが処理される。処理部１１０～１４０において実施される処理が、図１に示すステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１４、Ｓ１５の処理にそれぞれ対応している。ここでは、図１に示すステップＳ１３のエアーナイフによる乾燥処理を行う乾燥部は省略している。
【0033】
紫外線照射部１１０は、紫外線光源（ＶＵＶ光源）１１１を備え、搬送機構１５０により搬送された基板Ｗに対して真空紫外光（ＶＵＶ光）を照射する。ここで、ＶＵＶ光源１１１は、例えば中心波長１７２ｎｍのＶＵＶ光を出射するキセノンエキシマランプとすることができる。
酸素を含む雰囲気ガス中にＶＵＶ光を照射することで、活性種（Ｏ３や原子状酸素など）を生成させることができる。基板ＷにＶＵＶ光を照射することで、基板Ｗ上の有機汚染物質において、ＶＵＶ光による結合の切断や、活性種による酸化が生じる。これにより、有機汚染物質は単純な分子（ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２など）に分解され、基板Ｗ表面から気化し、除去（洗浄）される。
また、基板ＷにＶＵＶ光を照射することで、基板Ｗの表面改質を行い、濡れ性を向上させることができる。
酸素を含む雰囲気ガス中にＶＵＶ光を照射することで、活性種（Ｏ３や原子状酸素など）を生成させることができる。基板ＷにＶＵＶ光を照射することで、基板Ｗ上の有機汚染物質において、ＶＵＶ光による結合の切断や、活性種による酸化が生じる。これにより、有機汚染物質は単純な分子（ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２など）に分解され、基板Ｗ表面から気化し、除去（洗浄）される。
また、基板ＷにＶＵＶ光を照射することで、基板Ｗの表面改質を行い、濡れ性を向上させることができる。
【0034】
図３は、紫外線照射部１１０の構成例を示す図である。この図３に示すように、紫外線照射部１１０は、ＶＵＶ光源１１１と、筐体１１２と、ガス供給口（ガス供給マニホールド）１１３と、排気口１１４と、を備える。
ＶＵＶ光源１１１から放射されるＶＵＶ光は、雰囲気中の酸素に吸収されやすいため、大気雰囲気下では基板表面まで届きにくい。そのため、筐体１１２内部は、酸素濃度を低減させた環境となるように制御される。具体的には、後段の基板乾燥部１３０で使用した窒素ガスを、循環ポンプ（Ｐ）や不図示のフィルタ等を使用して、酸素濃度が数％になるように外部希釈ガスと混合し、混合されたガス（混合ガス）をガス供給口１１３から筐体１１２内へ流入させる。
ＶＵＶ光源１１１から放射されるＶＵＶ光は、雰囲気中の酸素に吸収されやすいため、大気雰囲気下では基板表面まで届きにくい。そのため、筐体１１２内部は、酸素濃度を低減させた環境となるように制御される。具体的には、後段の基板乾燥部１３０で使用した窒素ガスを、循環ポンプ（Ｐ）や不図示のフィルタ等を使用して、酸素濃度が数％になるように外部希釈ガスと混合し、混合されたガス（混合ガス）をガス供給口１１３から筐体１１２内へ流入させる。
【0035】
ＶＵＶ光により有機汚染物質の結合を効果的に切断するためには、基板Ｗ表面にＶＵＶ光を直接照射する必要がある。そのため、基板ＷとＶＵＶ光源１１１との間の酸素ガス濃度を適切に下げることが重要となる。
そこで、図３に示すように、ＶＵＶ光源１１１の上方にガス供給口１１３を設け、ガス供給口１１３から基板Ｗ表面に向けて混合ガスを供給する。これにより、基板ＷとＶＵＶ光源１１１との間の酸素濃度を適切に低減させるようにする。このとき、基板ＷとＶＵＶ光源１１１との間の酸素濃度を一定に制御することで、安定した処理を可能とすることができる。
そこで、図３に示すように、ＶＵＶ光源１１１の上方にガス供給口１１３を設け、ガス供給口１１３から基板Ｗ表面に向けて混合ガスを供給する。これにより、基板ＷとＶＵＶ光源１１１との間の酸素濃度を適切に低減させるようにする。このとき、基板ＷとＶＵＶ光源１１１との間の酸素濃度を一定に制御することで、安定した処理を可能とすることができる。
【0036】
基板ＷとＶＵＶ光源１１１との間に微量に存在する酸素により発生したオゾンと供給ガス（混合ガス）とは、排気口１１４によって吸引され、排気される。筐体１１２内部ではオゾンが生成されるため、ガス供給口１１３からのガス吸気量よりも排気口１１４からの排気量の方が大きくなるように排気機構を調整し、筐体１１２内部が若干の陰圧となるように調整することが好ましい。具体的には、筐体１１２内部は、常に－数１０［Ｔｏｒｒ］程度の陰圧になるように、排気機構を調整することが好ましい。
また、排気口１１４からはオゾンが排気されるため、排気口１１４には、活性炭や触媒など使用してオゾン分解するオゾン分解機構が設置される。
また、排気口１１４からはオゾンが排気されるため、排気口１１４には、活性炭や触媒など使用してオゾン分解するオゾン分解機構が設置される。
【0037】
図２に戻って、超純水散布部１２０は、超純水生成器１２１と、スプレーヘッド１２２と、を備える。超純水散布部１２０は、紫外線照射部１１０によりＶＵＶ洗浄された基板Ｗを搬送機構１５０により搬入し、超純水生成器１２１により生成された超純水を、スプレーヘッド１２２により基板Ｗ表面へ散布する。
超純水生成器１２１は、活性炭フィルタ、逆浸透膜、イオン交換層、ＵＶ処理層、フィルタ層などを備え、超純水を生成する。超純水は、タンク等に溜めておくと特性が刻々と変化し、性能が劣化するため、超純水散布部１２０は、超純水生成器１２１により生成された超純水を、タンク等に溜めることなく、直接、基板Ｗに散布する。これにより、高い洗浄効果を維持したまま超純水を使用することができる。
超純水生成器１２１は、活性炭フィルタ、逆浸透膜、イオン交換層、ＵＶ処理層、フィルタ層などを備え、超純水を生成する。超純水は、タンク等に溜めておくと特性が刻々と変化し、性能が劣化するため、超純水散布部１２０は、超純水生成器１２１により生成された超純水を、タンク等に溜めることなく、直接、基板Ｗに散布する。これにより、高い洗浄効果を維持したまま超純水を使用することができる。
【0038】
基板Ｗ表面は、紫外線照射部１１０におけるＶＵＶ照射によって濡れ性が向上されているため、基板Ｗ表面に散布された超純水は、基板Ｗ表面の全体に均一に塗布され、超純水薄膜（数μ程度）を形成し、基板Ｗ上に存在する不純物を溶解する。このように、基板Ｗ表面に均一に超純水薄膜を形成することができるので、過剰な超純水を必要とすることなく基板Ｗ全体の表面洗浄が可能である。
【0039】
図２に示すスプレーヘッド１２２は、例えば、超純水の圧力を上げて噴射させる構成とすることができる。この場合、ノズル先端に、例えば０．３μｍ程度の孔が形成されたフィルタを配置し、この孔を透過させることで、超純水を細かい粒状にして噴射して散布するようにしてもよい。
また、スプレーヘッド１２２は、図４に示すように、窒素ガスＡをノズル１２２ａから噴射し、その際のエジェクター効果により超純水Ｂを吸い上げ、散布する構成であってもよい。エジェクターを利用した構成とすることで、非常に速い速度で窒素ガスＡと超純水Ｂとの混合ガス（Ａ＋Ｂ）を基板Ｗ表面に散布することができる。そのため、基板Ｗ表面に付着したコンタミなどを除去し易くなり、洗浄効率を向上させることができる。
また、スプレーヘッド１２２は、図４に示すように、窒素ガスＡをノズル１２２ａから噴射し、その際のエジェクター効果により超純水Ｂを吸い上げ、散布する構成であってもよい。エジェクターを利用した構成とすることで、非常に速い速度で窒素ガスＡと超純水Ｂとの混合ガス（Ａ＋Ｂ）を基板Ｗ表面に散布することができる。そのため、基板Ｗ表面に付着したコンタミなどを除去し易くなり、洗浄効率を向上させることができる。
【0040】
なお、超純水散布部１２０は、洗浄効果をさらに高めるために、強酸性のオゾンを数ｐｐｍ溶解した超純水を洗浄液として基板Ｗに散布してもよい。この場合、超純水が吸着した基板Ｗ上の有機物を、超純水に含有されたオゾンによって分解することができる。
また、超純水散布部１２０は、ナノバブルを含有した超純水を洗浄液として基板Ｗに散布してもよい。ナノバブルには、電気的作用により汚れを吸着したり、衝撃圧力作用（ナノバブル崩壊に伴う衝撃）により汚れを剥がしたりする効果がある。そのため、超純水にナノバブルを含有させることで、高い洗浄効果を得ることができる。なお、ナノバブル中のガスは、窒素、エアー（大気）、オゾンなど、任意のガスであってよい。
例えば、図４に示すスプレーヘッド１２２の場合、窒素ガスＡにオゾンガスを混ぜることで、オゾン洗浄が可能となる。また、この場合、超純水Ｂの中にオゾンガスのナノバルブができるため、ナノバルブ洗浄も可能となる。
また、超純水散布部１２０は、ナノバブルを含有した超純水を洗浄液として基板Ｗに散布してもよい。ナノバブルには、電気的作用により汚れを吸着したり、衝撃圧力作用（ナノバブル崩壊に伴う衝撃）により汚れを剥がしたりする効果がある。そのため、超純水にナノバブルを含有させることで、高い洗浄効果を得ることができる。なお、ナノバブル中のガスは、窒素、エアー（大気）、オゾンなど、任意のガスであってよい。
例えば、図４に示すスプレーヘッド１２２の場合、窒素ガスＡにオゾンガスを混ぜることで、オゾン洗浄が可能となる。また、この場合、超純水Ｂの中にオゾンガスのナノバルブができるため、ナノバルブ洗浄も可能となる。
【0041】
また、超純水を散布するためのスプレーヘッド１２２の数は、基板Ｗのサイズによって適宜設定することができる。
また、超純水散布部１２０は、例えば、基板Ｗを表面振動させる超音波加振器をさらに備えてよい。超音波加振器により基板Ｗの表面を振動させることで、基板Ｗ表面に付着した不純物を効果的に除去することができる。なお、洗浄対象の基板Ｗに応じて、超音波加振器の作動または非作動を制御してもよい。
さらに、基板Ｗ表面に含まれる、有機物、無機物、微粒子、微生物などにより、基板Ｗ表面に塗布された超純水の電気伝導率が変化するため、当該電気伝導率を測定することで汚れの可視化も可能である。この場合、基板Ｗ表面の汚れ具合に応じて、超純水の散布量を制御してもよい。
また、超純水散布部１２０は、例えば、基板Ｗを表面振動させる超音波加振器をさらに備えてよい。超音波加振器により基板Ｗの表面を振動させることで、基板Ｗ表面に付着した不純物を効果的に除去することができる。なお、洗浄対象の基板Ｗに応じて、超音波加振器の作動または非作動を制御してもよい。
さらに、基板Ｗ表面に含まれる、有機物、無機物、微粒子、微生物などにより、基板Ｗ表面に塗布された超純水の電気伝導率が変化するため、当該電気伝導率を測定することで汚れの可視化も可能である。この場合、基板Ｗ表面の汚れ具合に応じて、超純水の散布量を制御してもよい。
【0042】
基板乾燥部１３０は、超純水散布部１２０により超純水が薄膜塗布され洗浄された基板Ｗを搬送機構１５０により搬入し、大気圧プラズマ発生器１３１により発生されたプラズマ状態のガス（例えば窒素など）を、大気圧プラズマヘッド１３２により基板Ｗ表面へ照射する。
なお、特に図示しないが、基板乾燥部１３０は、大気圧プラズマ発生器１３１へガスを供給するガス供給部や、大気圧プラズマ発生器１３１の電気を制御する電気制御部、排ガスを処理する排気機構などを備えることができる。
なお、特に図示しないが、基板乾燥部１３０は、大気圧プラズマ発生器１３１へガスを供給するガス供給部や、大気圧プラズマ発生器１３１の電気を制御する電気制御部、排ガスを処理する排気機構などを備えることができる。
【0043】
基板乾燥部１３０は、大気圧プラズマヘッド１３２から高速放出されるガスにより、基板Ｗ表面の水分を飛ばすとともに、基板Ｗ表面に付着している水分のクラスタを単分子化し、水分の揮発を誘発する。
さらに、基板乾燥部１３０は、超純水散布部１２０により洗浄された後に周辺ガス（ＣＯ２など）等によって基板Ｗ表面の超純水に再吸着した有機物を、大気圧プラズマにより分解除去し、清浄度を向上させることもできる。
さらに、基板乾燥部１３０は、超純水散布部１２０により洗浄された後に周辺ガス（ＣＯ２など）等によって基板Ｗ表面の超純水に再吸着した有機物を、大気圧プラズマにより分解除去し、清浄度を向上させることもできる。
【0044】
なお、基板乾燥部１３０は、エアーナイフを備え、超純水散布部１２０により洗浄され大気圧プラズマを照射する前の基板Ｗの表面に、エアーナイフから噴出される圧縮空気を吹き付けるように構成してもよい。
この場合、エアーナイフによって基板Ｗ表面の水分の大部分を効率的に除去することができ、乾燥に要する時間を短縮することができる。また、大気圧プラズマのみを利用した乾燥と比較して、コストを削減することができる。
この場合、エアーナイフによって基板Ｗ表面の水分の大部分を効率的に除去することができ、乾燥に要する時間を短縮することができる。また、大気圧プラズマのみを利用した乾燥と比較して、コストを削減することができる。
【0045】
改質部１４０は、例えば後段の成膜工程において基板Ｗへ溶液を均一塗布するために、基板Ｗの表面改質を行い、基板表面における溶液の接触角を小さくする（塗れ性を向上させる）。この改質部１４０では、例えば真空紫外光（ＶＵＶ光）やオゾンアッシングを利用して、基板表面の親水性を向上させる。改質部１４０は、例えば図２に示す紫外線照射部１１０と同様に、ＶＵＶ光源や筐体、ガス供給口（ガス供給マニホールド）、排気口などを備えることができる。
【0046】
以上説明したように、本実施形態における基板洗浄装置１００は、基板洗浄部（紫外線照射部１１０、超純水散布部１２０）と、基板乾燥部１３０と、を備える。紫外線照射部１１０は、ＶＵＶ光源１１１を有し、ＶＵＶ光源１１１から放射されるＶＵＶ光を基板の表面に照射することで基板表面を洗浄する。また、超純水散布部１２０は、スプレーヘッド１２２を有し、紫外線照射部１１０においてＶＵＶ光が照射された後の基板の表面に、スプレーヘッド１２２から超純水を散布する。
【0047】
このように、ＶＵＶ光を照射して基板表面の有機物を分解除去（気化）させたり除去しやすくしたりしたうえで、超純水の高い溶解能力により基板表面の不純物を除去するので、有機溶剤を使用することなく、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生要因となりうる不純物を適切に除去することができる。
有機溶剤を使用しないため、排気機構や排水機構などを簡素化することができるとともに、各機構の保守やメンテナンスなども簡易化することができる。また、有機溶剤を使用しないため、基板表面から有機溶剤を除去するための複雑な工程が不要となり、その分の処理時間を削減することができる。
有機溶剤を使用しないため、排気機構や排水機構などを簡素化することができるとともに、各機構の保守やメンテナンスなども簡易化することができる。また、有機溶剤を使用しないため、基板表面から有機溶剤を除去するための複雑な工程が不要となり、その分の処理時間を削減することができる。
【0048】
また、ＶＵＶ照射により基板表面の濡れ性を向上させることができるので、超純水を基板表面全体に均一に塗布することができ、洗浄ムラを抑制することができる。このとき、超純水の洗浄力（溶解力）を積極的に利用して、適切に基板表面を洗浄することができる。なお、超純水散布部１２０において、オゾンが含有された超純水や、ナノバブルが含有された超純水を使用すれば、さらに洗浄効率を上げることも可能である。
ここで、超純水にオゾンを含有させるか否かは、基板の材料や、基板表面の汚れの種類（油脂を含むか否か）などに応じて決定してよい。例えば、基板表面に油脂が付着している場合には、当該油脂を分解する必要があるため、オゾンを含有させることが好ましい。
ここで、超純水にオゾンを含有させるか否かは、基板の材料や、基板表面の汚れの種類（油脂を含むか否か）などに応じて決定してよい。例えば、基板表面に油脂が付着している場合には、当該油脂を分解する必要があるため、オゾンを含有させることが好ましい。
【0049】
さらに、基板表面の濡れ性を向上させてから超純水を散布するので、少ない水量で基板表面全体を洗浄することができる。そのため、超純水の使用量を削減することが可能である。したがって、処理槽の大型化を抑制することができるなど、装置の小型化を実現することができる。また、超純水の使用量を削減することで、乾燥時間を短縮することもできる。
【0050】
さらに、基板乾燥部１３０は、基板洗浄部において洗浄された後の基板Ｗの表面に、大気圧プラズマを照射して、基板Ｗを乾燥させることができる。
そのため、洗浄工程で除去しきれなかった不純物や、洗浄工程後に再吸着した不純物などを適切に除去しつつ、基板表面を乾燥させることができる。したがって、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生を効果的に抑制することができる。
そのため、洗浄工程で除去しきれなかった不純物や、洗浄工程後に再吸着した不純物などを適切に除去しつつ、基板表面を乾燥させることができる。したがって、乾燥痕（ウォーターマーク）の発生を効果的に抑制することができる。
【0051】
このように、本実施形態では、有機溶剤を使用することなく高い洗浄力により基板表面を洗浄することができる。また、本実施形態では、タクトタイムの短縮や装置の小型化、保守メンテナンスの簡素化なども実現可能である。
【0052】
なお、上記実施形態では、洗浄対象の基板がガラス基板である場合について説明したが、上記に限定されるものではなく、洗浄対象の基板は、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂基板（樹脂フィルム）であってよい。ただし、洗浄対象が樹脂である場合、例えば超純水散布部１２０では、超純水にオゾンを含有させるのではなく、ナノバブルを含有させるようにすることが好ましい。これにより、オゾンによる基板劣化を抑制することができる。
また、上記実施形態では、洗浄対象の基板がペロブスカイト太陽電池の基板（基材）である場合について説明したが、上記に限定されるものではなく、その他の用途の基板を洗浄対象とすることもできる。
また、上記実施形態では、洗浄対象の基板がペロブスカイト太陽電池の基板（基材）である場合について説明したが、上記に限定されるものではなく、その他の用途の基板を洗浄対象とすることもできる。
【0053】
なお、上記において特定の実施形態が説明されているが、当該実施形態は単なる例示であり、本発明の範囲を限定する意図はない。本明細書に記載された装置及び方法は上記した以外の形態において具現化することができる。また、本発明の範囲から離れることなく、上記した実施形態に対して適宜、省略、置換及び変更をなすこともできる。かかる省略、置換及び変更をなした形態は、請求の範囲に記載されたもの及びこれらの均等物の範疇に含まれ、本発明の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【0054】
１００…基板洗浄装置、１１０…紫外線照射部、１１１…ＶＵＶ光源、１１２…ガス供給部、１１３…排気口、１２０…超純水散布部、１２１…超純水生成器、１２２…スプレーヘッド、１３０…基板乾燥部、１３１…大気圧プラズマ発生器、１４０…改質部、１５０…搬送機構
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】