▶ パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024135087
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】通信装置
(51)【国際特許分類】
H03H 5/12 20060101AFI20240927BHJP
【ＦＩ】
H03H5/12
【審査請求】未請求
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045602
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】322003857
【氏名又は名称】パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】勝村 俊介
(72)【発明者】
【氏名】井上 竜也
(72)【発明者】
【氏名】徳永 英晃
(72)【発明者】
【氏名】小林 恵治
(72)【発明者】
【氏名】野添 研治
【テーマコード（参考）】
5J024
【Ｆターム（参考）】
5J024AA09
5J024CA20
5J024DA01
5J024DA22
5J024KA03
5J024KA04
(57)【要約】
【課題】静電気ノイズに対する高いノイズ低減効果を有する通信装置を提供する。
【解決手段】通信装置は、高周波信号の伝送を行うものであって、高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子と直列に、通信装置に印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、静電気ノイズの低周波成分による、過電圧保護素子に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品が挿入される。
【選択図】図６
【解決手段】通信装置は、高周波信号の伝送を行うものであって、高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子と直列に、通信装置に印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、静電気ノイズの低周波成分による、過電圧保護素子に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品が挿入される。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高周波信号の伝送を行う通信装置であって、
前記高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子と直列に、前記通信装置に印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、前記静電気ノイズの低周波成分による、前記過電圧保護素子に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品を挿入した、
通信装置。
前記高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子と直列に、前記通信装置に印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、前記静電気ノイズの低周波成分による、前記過電圧保護素子に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品を挿入した、
通信装置。
【請求項2】
前記高周波信号は、第１信号線と第２信号線とによる差動伝送によって伝送される、
請求項１に記載の通信装置。
請求項１に記載の通信装置。
【請求項3】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に、それぞれ直列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項4】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に、それぞれ並列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項5】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に、それぞれ挿入される抵抗である、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項6】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に挿入されるフェライトビーズである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項7】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に直列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項8】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項9】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に挿入される抵抗である、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項10】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に挿入される抵抗と前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に挿入されるインダクタ、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に挿入される抵抗と前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に挿入されるインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項11】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に、それぞれ直列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項12】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に、それぞれ並列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項13】
前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に、それぞれ挿入される抵抗である、
請求項２に記載の通信装置。
請求項２に記載の通信装置。
【請求項14】
前記高周波信号は、信号線によるシングル伝送によって伝送される、
請求項１に記載の通信装置。
請求項１に記載の通信装置。
【請求項15】
前記インピーダンス部品は、前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に直列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項１４に記載の通信装置。
請求項１４に記載の通信装置。
【請求項16】
前記インピーダンス部品は、前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項１４に記載の通信装置。
請求項１４に記載の通信装置。
【請求項17】
前記インピーダンス部品は、前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に挿入される抵抗である、
請求項１４に記載の通信装置。
請求項１４に記載の通信装置。
【請求項18】
前記インピーダンス部品は、前記信号線と前記過電圧保護素子との間に直列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項１４に記載の通信装置。
請求項１４に記載の通信装置。
【請求項19】
前記インピーダンス部品は、前記信号線と前記過電圧保護素子との間に並列に挿入される抵抗とインダクタである、
請求項１４に記載の通信装置。
請求項１４に記載の通信装置。
【請求項20】
前記インピーダンス部品は、前記信号線と前記過電圧保護素子との間に挿入される抵抗である、
請求項１４に記載の通信装置。
請求項１４に記載の通信装置。
【請求項21】
前記過電圧保護素子は、ＥＳＤサプレッサまたはサイリスタである、
請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の通信装置。
請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、通信装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、平衡線路において差動伝送を行う通信装置に用いられて、静電気ノイズの影響を低減することが可能なフィルタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１８／０６６５７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１には、静電気ノイズで発生した信号を、グラウンド（以下、ＧＮＤともいう）に逃がしやすくするために、例えばツェナーダイオードで構成された保護部品とマッチングをとるために、ツェナーダイオードとＧＮＤの間にインダクタ（コイル）を直列に挿入することによって、保護回路を形成している。しかし、静電気ノイズの高周波成分は、ＧＮＤを通じて被保護部品に到達することがある。また、静電気ノイズの低周波成分により、インピーダンス部品を流れる電流が増加するおそれがある。そのため、ノイズ低減効果がより高いフィルタの実現が望まれていた。
【0005】
本開示は、静電気ノイズに対する高いノイズ低減効果を有する通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る通信装置は、差動伝送によって高周波信号の伝送を行う通信装置であって、高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子と直列に、前記通信装置に印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、前記静電気ノイズの低周波成分による、前記過電圧保護素子に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品を挿入したものである。
【発明の効果】
【0007】
本開示に係る通信装置によれば、静電気ノイズに対する高いノイズ低減効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
（第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら、本開示に係る通信装置の第１の実施形態について説明する。
以下、図面を参照しながら、本開示に係る通信装置の第１の実施形態について説明する。
【0010】
【0011】
通信装置１０は、ＥＣＵ（Electronic Control Unit）に内蔵されて、複数の異なるＥＣＵ間で、差動伝送による情報通信を行う。差動伝送とは、２本の信号線を用いて、互いに逆位相の電流を流すことによって、２本の信号線間の電位差で信号を伝送する方法である。通信装置１０は、例えばセンサーと情報通信を行ってもよい。
【0012】
通信装置１０は、図１に示すコネクタ１２と、ＣＭＣＣ（Common Mode Choke Coil）１３と、被保護部品１４とが、第１信号線１５ａと第２信号線１５ｂとで互いに接続された構造を有する。また、通信装置１０は、第１信号線１５ａとグラウンド（以下、ＧＮＤともいう）との間に、保護回路１８を備える。また、通信装置１０は、第２信号線１５ｂとＧＮＤとの間に、保護回路１８を備える。
【0013】
コネクタ１２は、前段のＥＣＵ等の信号源と通信装置１０とを接続する。
【0014】
ＣＭＣＣ１３は、コモンモードノイズを除去するフィルタである。ＣＭＣＣ１３は、第１信号線１５ａを流れる信号と第２信号線１５ｂを流れる信号に同相で印加されたノイズ、すなわちコモンモードノイズを除去する。なお、ＣＭＣＣ１３は、第１信号線１５ａを流れる信号と第２信号線１５ｂを流れる信号、すなわち逆位相の信号に対しては、何ら影響を与えない。ＣＭＣＣ１３は、例えば、１つのコアに２本の導線を逆向きに巻き付けた構造を有する。
【0015】
被保護部品１４は、例えば、差動伝送された２つの信号を１つの信号に変換するレシーバ機能や、差動伝送に係る、互いに逆位相の２つの信号を生成するドライバ機能等を有する部品である。
【0016】
第１信号線１５ａと第２信号線１５ｂには、互いに逆位相の高周波信号が流れる。
【0017】
保護回路１８は、過電圧保護素子１６とインピーダンス部品１７とを備える。
【0018】
過電圧保護素子１６は、通信装置１０に印加された静電気放電（ＥＳＤ：Electro-Static Discharge）から、通信装置１０を保護する素子である。過電圧保護素子１６は、例えば、ＥＳＤサプレッサ、サイリスタ、ＴＶＳダイオード等である。
【0019】
インピーダンス部品１７は、過電圧保護素子１６と直列に挿入されて、静電気放電をＧＮＤに逃がす。本実施形態の通信装置１０において、インピーダンス部品１７には、抵抗または誘導性部品が用いられる。誘導性部品は、例えばインダクタ、コイル、ビーズ、コモンモードノイズフィルタである。ビーズは、例えばチップビーズあるいはフェライトビーズである。コモンモードノイズフィルタは、例えばコモンモードチョークコイルである。インピーダンス部品１７は、抵抗器であってもよい。
【0020】
【0021】
静電気ノイズは、例えば、図２に示すように、非常に高速な立ち上がり（１ｎｓ以下）を有する第１ピークＰ１と、それに続く、やや緩やかな第２ピークＰ２とを有する。通信装置１０は、図２のような静電気ノイズが印加された場合であっても、正常に動作することが求められる。
【0022】
【0023】
過電圧保護素子１６に用いられる例えばＥＳＤサプレッサは、通常の信号はそのまま被保護部品１４の側に流して、図２に示すような静電気ノイズはＧＮＤに逃がすことによって、被保護部品１４を保護する。
【0024】
ＥＳＤサプレッサは、通常は非常に高い抵抗値を有する絶縁素子であるが、図３に示すように、所定の電圧値Ｖｃ（例えば数百Ｖ）を超える高電圧が印加されると、抵抗値が急激に低下して、電圧降下を伴って電流が流れる。ＥＳＤサプレッサは、このような電気的特性を利用することによって、静電気ノイズが印加されない場合は、信号線を流れる信号の品質を確保し、静電気ノイズが印加された場合は、静電気ノイズをＧＮＤに逃がすことによって、被保護部品１４等の電子部品あるいは電子機器を保護する。
【0025】
（静電気ノイズ印加時に過電圧保護素子に流れる電流）
図４と図５を用いて、通信装置１０に静電気ノイズを印加した場合に、被保護部品１４に流れる電流波形について説明する。図４は、静電気ノイズの第１ピークおよび第２ピークによって、被保護部品１４に流れる電流波形の一例を示す図である。図５は、静電気ノイズの第１ピークによって、被保護部品１４に流れる電流波形の一例を示す図である。
図４と図５を用いて、通信装置１０に静電気ノイズを印加した場合に、被保護部品１４に流れる電流波形について説明する。図４は、静電気ノイズの第１ピークおよび第２ピークによって、被保護部品１４に流れる電流波形の一例を示す図である。図５は、静電気ノイズの第１ピークによって、被保護部品１４に流れる電流波形の一例を示す図である。
【0026】
図５は、図４の時間区間Ｔ１の部分を拡大して表示したものである。時間区間Ｔ１は、図２に示した静電気ノイズの主放電、即ち第１ピークＰ１に係る区間である。一方、図４に示す時間区間Ｔ２は、静電気ノイズの主放電に続く第２ピークＰ２に係る区間である。
【0027】
主放電に先立ち、ＣＭＣＣ１３が有する容量性により、図５の（１）に示す電流が、図１の（１）の部分に流れる。言い換えると、コネクタ１２から、ＣＭＣＣ１３と被保護部品１４とを経てグラウンドに達する電流が流れる。この電流は、主放電前なので抵抗器定数には依存しない。
【0028】
主放電は、過電圧保護素子１６を含む保護回路１８に流れる。保護回路１８のＧＮＤと被保護部品１４のＧＮＤは基板ＧＮＤで繋がっているが電位差がある為、図５の（２）に示す電流が、図１の（２）の部分に流れる。言い換えると、コネクタ１２から、保護回路１８を経てグラウンドに達した電流が、グラウンドから被保護部品１４に回り込んで、ＣＭＣＣ１３に達する。電流（２）はＣＭＣＣ１３で一部反射して、図５の（３）に示す電流が、図１の（３）の部分に流れる。言い換えると、ＣＭＣＣ１３から被保護部品１４を経てグラウンドに達する電流が流れる。電流（２）、電流（３）は保護回路１８に直列に接続されたインピーダンス部品１７のインピーダンスに応じてダンピングされる。したがって、インピーダンス部品１７は被保護部品１４の保護に寄与する。
【0029】
保護回路１８に抵抗器等のインピーダンス部品１７が接続されると、第２ピークＰ２の電流抑制効果は低下する。そのため、インピーダンス部品１７として周波数特性をもつ、例えばビーズを使用することで、第２ピークＰ２の周波数成分に影響を与えず、第１ピークＰ１の周波数成分のみ低減するようにすることが可能となる。
【0030】
例えば、図５において、インピーダンス部品１７の抵抗値を大きくした方が、被保護部品１４に流れる、静電気ノイズの第１ピークＰ１に係る電流の量を低減することができる。例えば、図５において、インピーダンス部品１７の抵抗値が０Ωよりも６．８Ωの方が、電流が少なくなる。また、インピーダンス部品１７の抵抗値が６．８Ωよりも２２Ωの方が、電流が少なくなる。
【0031】
一方、図４に示す時間区間Ｔ２、即ち静電気ノイズの第２ピークＰ２に係る区間においては、インピーダンス部品１７の抵抗値が小さい方が被保護部品１４に流れる電流の量を低減することができる。例えば、図４の時間区間Ｔ２においては、インピーダンス部品１７の抵抗値が２２Ωよりも６．８Ωの方が、電流が少なくなる。また、インピーダンス部品１７の抵抗値が６．８Ωよりも０Ωの方が、電流が少なくなる。
【0032】
このように、被保護部品１４に流れる電流を低減して静電気ノイズの影響を小さくするためには、保護回路１８に挿入されるインピーダンス部品１７のインピーダンスは、時間区間Ｔ１においては、できるだけ大きいことが望ましい。また、保護回路１８に挿入されるインピーダンス部品１７のインピーダンスは、時間区間Ｔ２においては、できるだけ小さいことが望ましい。
【0033】
ここで、図２に示す代表的な静電気ノイズ波形を分析すると、第１ピークＰ１は、数百ＭＨｚの周波数成分を有する。また、第２ピークＰ２は、数ＭＨｚの周波数成分を有する。したがって、保護回路１８に挿入されるインピーダンス部品１７のインピーダンスは、数ＭＨｚの周波数帯域において、できるだけ小さく、数百ＭＨｚの周波数帯域において、できるだけ大きいことが望ましい。
【0034】
（第１の実施形態の通信装置の第１の構成例）
図６から図８を用いて、第１の実施形態の第１の構成例である通信装置１０ａについて説明する。図６は、第１の実施形態の通信装置の第１の構成例を示す図である。図７は、図６の通信装置における保護回路の信号通過特性のシミュレーション結果の一例を示す図である。図８は、図６の通信装置における保護回路のインピーダンスのシミュレーション結果の一例を示す図である。
図６から図８を用いて、第１の実施形態の第１の構成例である通信装置１０ａについて説明する。図６は、第１の実施形態の通信装置の第１の構成例を示す図である。図７は、図６の通信装置における保護回路の信号通過特性のシミュレーション結果の一例を示す図である。図８は、図６の通信装置における保護回路のインピーダンスのシミュレーション結果の一例を示す図である。
【0035】
図６に示す通信装置１０ａは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間に、それぞれ抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが直列に挿入された構成を有する。
【0036】
本開示の発明者らは、図６の通信装置１０ａについて、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。なお、図６における抵抗１７ａは４Ω、インダクタ１７ｂは１０ｎＨとした。
【0037】
図７は、図６の通信装置１０ａにおける保護回路１８の信号通過特性を示すシミュレーション結果である。図７の横軸は周波数を表し、縦軸は信号の通過率を表す。図７から、通信装置１０ａは数ＧＨｚまでの周波数帯域で、信号を減衰させることなく伝送できることがわかる。
【0038】
図８は、図６の通信装置１０ａの保護回路１８のインピーダンスを示すシミュレーション結果である。図８の横軸は周波数を表し、縦軸は、過電圧保護素子１６がＯＮであるときの、第１信号線１５ａまたは第２信号線１５ｂに接続された保護回路１８のインピーダンスを表す。図８から、通信装置１０ａの保護回路１８は、静電気ノイズの第２ピークＰ２（図２参照）に相当する周波数帯域（数ＭＨｚ）において、静電気ノイズの第１ピークＰ１（図２参照）に相当する周波数帯域（数百ＭＨｚ）に比べて、インピーダンスが低くなっていることがわかる。
【0039】
このように、通信装置１０ａの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0040】
【0041】
図９に示す通信装置１０ａは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間に、それぞれ抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが並列に挿入された構成を有する。
【0042】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｂについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0043】
このように、通信装置１０ｂの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0044】
【0045】
図１０に示す通信装置１０ｂは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間に、それぞれ抵抗１７ａが挿入された構成を有する。
【0046】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｃについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0047】
このように、通信装置１０ｃの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0048】
【0049】
図１１に示す通信装置１０ｄは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とＧＮＤとの間に、フェライトビーズ１７ｃが挿入された構成を有する。
【0050】
フェライトビーズ１７ｃは、チップインダクタやビーズインダクタとも呼ばれる。フェライトビーズ１７ｃは、インダクタと同様に、周波数が高くなるにつれてインピーダンスが大きくなるインピーダンス部品である。
【0051】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｄについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0052】
このように、通信装置１０ｄの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0053】
【0054】
図１２に示す通信装置１０ｅは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とＧＮＤとの間に、抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが直列に挿入された構成を有する。
【0055】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｅについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0056】
このように、通信装置１０ｅの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0057】
【0058】
図１３に示す通信装置１０ｆは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とＧＮＤとの間に、抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが並列に挿入された構成を有する。
【0059】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｆについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0060】
このように、通信装置１０ｆの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0061】
【0062】
図１４に示す通信装置１０ｇは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とＧＮＤとの間に、抵抗１７ａが挿入された構成を有する。
【0063】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｇについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0064】
このように、通信装置１０ｇの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0065】
【0066】
図１５に示す通信装置１０ｈは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側に抵抗１７ａが挿入されて、過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間にインダクタ１７ｂが挿入された構成を有する。また、通信装置１０ｈは、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に抵抗１７ａが挿入されて、過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間にインダクタ１７ｂが挿入された構成を有する。
【0067】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｈについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0068】
このように、通信装置１０ｈの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0069】
【0070】
図１６に示す通信装置１０ｉは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に、それぞれ抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが直列に挿入された構成を有する。
【0071】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｉについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0072】
このように、通信装置１０ｉの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0073】
【0074】
図１７に示す通信装置１０ｊは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に、それぞれ抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが並列に挿入された構成を有する。
【0075】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｊについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0076】
このように、通信装置１０ｊの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0077】
【0078】
図１８に示す通信装置１０ｋは、前述した通信装置１０（図１参照）と同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に、それぞれ抵抗１７ａが挿入された構成を有する。
【0079】
本開示の発明者らは、通信装置１０ｋについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0080】
このように、通信装置１０ｋの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0081】
（第１の実施形態の作用効果）
以上説明したように、第１の実施形態に係る通信装置１０ａは、高周波信号の伝送を行う通信装置であって、高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子１６と直列に、通信装置１０ａに印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、静電気ノイズの低周波成分による、過電圧保護素子１６に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品１７が挿入される。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
以上説明したように、第１の実施形態に係る通信装置１０ａは、高周波信号の伝送を行う通信装置であって、高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子１６と直列に、通信装置１０ａに印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、静電気ノイズの低周波成分による、過電圧保護素子１６に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品１７が挿入される。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0082】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ａにおいて、高周波信号は、第１信号線１５ａと第２信号線１５ｂとによる差動伝送によって伝送される。したがって、差動伝送を行う際に、通信装置１０ａに印加された静電気ノイズの影響を低減することができる。
【0083】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ａにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６とグラウンドとの間、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に、それぞれ直列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0084】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｂにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６とグラウンドとの間、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に、それぞれ並列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0085】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｃにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６とグラウンドとの間、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に、それぞれ挿入される抵抗１７ａである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0086】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｄにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とグラウンドとの間に挿入されるフェライトビーズ１７ｃである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0087】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｅにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とグラウンドとの間に直列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0088】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｆにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0089】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｇにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６と、第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６との接続点とグラウンドとの間に挿入される抵抗１７ａである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0090】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｈにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側に挿入される抵抗１７ａと過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に挿入されるインダクタ１７ｂ、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に挿入される抵抗１７ａと過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に挿入されるインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0091】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｉにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に、それぞれ直列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0092】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｊにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に、それぞれ並列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0093】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ｋにおいて、インピーダンス部品１７は、第１信号線１５ａに接続される過電圧保護素子１６の前段側、および第２信号線１５ｂに接続される過電圧保護素子１６の前段側に、それぞれ挿入される抵抗１７ａである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0094】
また、第１の実施形態に係る通信装置１０ａ～１０ｋにおいて、過電圧保護素子１６は、ＥＳＤサプレッサまたはサイリスタである。したがって、保護回路１８に静電気ノイズが印加された際に、静電気ノイズをグラウンドに逃がすことによって、被保護部品１４等の電子機器を保護することができる。
【0095】
（第２の実施形態）
以下、図面を参照しながら、本開示に係る通信装置の第２の実施形態について説明する。
以下、図面を参照しながら、本開示に係る通信装置の第２の実施形態について説明する。
【0096】
（第２の実施形態の通信装置の第１の構成例）
図１９に示す通信装置２０ａは、高周波信号を１本の信号線１５で伝送する（シングル伝送）。通信装置２０ａは、コネクタ１２と、ＣＭＣＣ１３と、被保護部品１４とが、信号線１５で互いに接続された構造を有する。また、通信装置２０ａは、信号線１５とグラウンド（以下、ＧＮＤともいう）との間に、保護回路１８を備える。
図１９に示す通信装置２０ａは、高周波信号を１本の信号線１５で伝送する（シングル伝送）。通信装置２０ａは、コネクタ１２と、ＣＭＣＣ１３と、被保護部品１４とが、信号線１５で互いに接続された構造を有する。また、通信装置２０ａは、信号線１５とグラウンド（以下、ＧＮＤともいう）との間に、保護回路１８を備える。
【0097】
コネクタ１２、ＣＭＣＣ１３、被保護部品１４は、第１の実施形態で説明した通りである。そして、通信装置２０ａは、保護回路１８に、過電圧保護素子１６とインピーダンス部品１７とを備える。
【0098】
過電圧保護素子１６は、第１の実施形態で説明した通りである。
【0099】
インピーダンス部品１７は、抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが直列に接続された構成を有する。
【0100】
本開示の発明者らは、通信装置２０ａについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0101】
このように、通信装置２０ａの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0102】
【0103】
図２０に示す通信装置２０ｂは、前述した通信装置２０ａと同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、信号線１５に接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間に、抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが並列に挿入された構成を有する。
【0104】
本開示の発明者らは、通信装置２０ｂについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0105】
このように、通信装置２０ｂの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0106】
【0107】
図２１に示す通信装置２０ｃは、前述した通信装置２０ａと同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、信号線１５に接続される過電圧保護素子１６とＧＮＤとの間に、抵抗１７ａが挿入された構成を有する。
【0108】
本開示の発明者らは、通信装置２０ｃについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0109】
このように、通信装置２０ｃの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0110】
【0111】
図２２に示す通信装置２０ｄは、前述した通信装置２０ａと同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、信号線１５に接続される過電圧保護素子１６の前段側に、抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが直列に挿入された構成を有する。
【0112】
本開示の発明者らは、通信装置２０ｄについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0113】
このように、通信装置２０ｄの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0114】
【0115】
図２３に示す通信装置２０ｅは、前述した通信装置２０ａと同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、信号線１５に接続される過電圧保護素子１６の前段側に、抵抗１７ａとインダクタ１７ｂとが並列に挿入された構成を有する。
【0116】
本開示の発明者らは、通信装置２０ｅについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0117】
このように、通信装置２０ｅの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0118】
【0119】
図２４に示す通信装置２０ｆは、前述した通信装置２０ａと同様の構造を有する。そして、インピーダンス部品１７として、信号線１５に接続される過電圧保護素子１６の前段側に、抵抗１７ａが挿入された構成を有する。
【0120】
本開示の発明者らは、通信装置２０ｆについて、前述したのと同様に、保護回路１８の信号通過特性と保護回路１８のインピーダンスとのシミュレーションを行った。その結果、図７、図８と同様の傾向を示すことを確認した。
【0121】
このように、通信装置２０ｆの構成によると、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの第１ピークＰ１と第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0122】
（第２の実施形態の作用効果）
以上説明したように、第２の実施形態に係る通信装置２０ａにおいて、高周波信号は、信号線１５によるシングル伝送によって伝送される。したがって、シングル伝送を行う際に、通信装置１０ａに印加された静電気ノイズの影響を低減することができる。
以上説明したように、第２の実施形態に係る通信装置２０ａにおいて、高周波信号は、信号線１５によるシングル伝送によって伝送される。したがって、シングル伝送を行う際に、通信装置１０ａに印加された静電気ノイズの影響を低減することができる。
【0123】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ａにおいて、インピーダンス部品１７は、過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に直列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0124】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ｂにおいて、インピーダンス部品１７は、過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0125】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ｃにおいて、インピーダンス部品１７は、過電圧保護素子１６とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗１７ａである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0126】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ｄにおいて、インピーダンス部品１７は、信号線１５と過電圧保護素子１６との間に直列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0127】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ｅにおいて、インピーダンス部品１７は、信号線１５と過電圧保護素子１６との間に並列に挿入される抵抗１７ａとインダクタ１７ｂである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0128】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ｆにおいて、インピーダンス部品１７は、信号線１５と過電圧保護素子１６との間に並列に挿入される抵抗１７ａである。したがって、保護回路１８の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークＰ１と、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークＰ２の影響をともに低減することができる。
【0129】
また、第２の実施形態に係る通信装置２０ａ～１０ｆにおいて、過電圧保護素子１６は、ＥＳＤサプレッサまたはサイリスタである。したがって、保護回路１８に静電気ノイズが印加された際に、静電気ノイズをグラウンドに逃がすことによって、被保護部品１４等の電子機器を保護することができる。
【0130】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した実施の形態は、例として提示したものであり、本発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能である。また、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。また、この実施の形態は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0131】
（付記）
以上の実施の形態の記載により、下記の各項目が開示される。
以上の実施の形態の記載により、下記の各項目が開示される。
【0132】
（項目１）高周波信号の伝送を行う通信装置であって、前記高周波信号の伝送を行う信号線とグラウンドの間に、過電圧保護素子と直列に、前記通信装置に印加された静電気ノイズの高周波成分による、グラウンドを経由した電流の回り込みの低減と、前記静電気ノイズの低周波成分による、前記過電圧保護素子に流れる電流の低減とを両立する、少なくとも１つのインピーダンス部品を挿入した、通信装置。
【0133】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0134】
（項目２）前記高周波信号は、第１信号線と第２信号線とによる差動伝送によって伝送される、項目１に記載の通信装置。
【0135】
この構成により、差動伝送を行う際に、通信装置に印加された静電気ノイズの影響を低減することができる。
【0136】
（項目３）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に、それぞれ直列に挿入される抵抗とインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0137】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0138】
（項目４）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に、それぞれ並列に挿入される抵抗とインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0139】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0140】
（項目５）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に、それぞれ挿入される抵抗である、項目２に記載の通信装置。
【0141】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0142】
（項目６）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に挿入されるフェライトビーズである、項目２に記載の通信装置。
【0143】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0144】
（項目７）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に直列に挿入される抵抗とインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0145】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0146】
（項目８）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗とインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0147】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0148】
（項目９）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子と、前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子との接続点とグラウンドとの間に挿入される抵抗である、項目２に記載の通信装置。
【0149】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0150】
（項目１０）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に挿入される抵抗と前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に挿入されるインダクタ、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に挿入される抵抗と前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に挿入されるインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0151】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0152】
（項目１１）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に、それぞれ直列に挿入される抵抗とインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0153】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0154】
（項目１２）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に、それぞれ並列に挿入される抵抗とインダクタである、項目２に記載の通信装置。
【0155】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0156】
（項目１３）前記インピーダンス部品は、前記第１信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側、および前記第２信号線に接続される前記過電圧保護素子の前段側に、それぞれ挿入される抵抗である、項目２に記載の通信装置。
【0157】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0158】
（項目１４）前記高周波信号は、信号線によるシングル伝送によって伝送される、項目１に記載の通信装置。
【0159】
この構成により、シングル伝送を行う際に、通信装置に印加された静電気ノイズの影響を低減することができる。
【0160】
（項目１５）前記インピーダンス部品は、前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に直列に挿入される抵抗とインダクタである、項目１４に記載の通信装置。
【0161】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0162】
（項目１６）前記インピーダンス部品は、前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に並列に挿入される抵抗とインダクタである、項目１４に記載の通信装置。
【0163】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0164】
（項目１７）前記インピーダンス部品は、前記過電圧保護素子とグラウンドとの間に挿入される抵抗である、項目１４に記載の通信装置。
【0165】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0166】
（項目１８）前記インピーダンス部品は、前記信号線と前記過電圧保護素子との間に直列に挿入される抵抗とインダクタである、項目１４に記載の通信装置。
【0167】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0168】
（項目１９）前記インピーダンス部品は、前記信号線と前記過電圧保護素子との間に並列に挿入される抵抗とインダクタである、項目１４に記載の通信装置。
【0169】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0170】
（項目２０）前記インピーダンス部品は、前記信号線と前記過電圧保護素子との間に挿入される抵抗である、項目１４に記載の通信装置。
【0171】
この構成により、保護回路の数ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスが、数百ＭＨｚの周波数帯域におけるインピーダンスに比べて小さくなるため、静電気ノイズの数百ＭＨｚの周波数帯域を有する第１ピークと、数ＭＨｚの周波数帯域を有する第２ピークの影響をともに低減することができる。
【0172】
（項目２１）前記過電圧保護素子は、ＥＳＤサプレッサまたはサイリスタである、項目１から項目２０のいずれかに記載の通信装置。
【0173】
この構成により、保護回路に静電気ノイズが印加された際に、静電気ノイズをＧＮＤに逃がすことによって、被保護部品等の電子機器を保護することができる。
【符号の説明】
【0174】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ、１０ｋ 通信装置
１２ コネクタ
１３ ＣＭＣＣ
１４ 被保護部品
１５ 信号線
１５ａ 第１信号線
１５ｂ 第２信号線
１６ 過電圧保護素子
１７ インピーダンス部品
１７ａ 抵抗
１７ｂ インダクタ
１７ｃ フェライトビーズ
１８ 保護回路
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ 通信装置
１２ コネクタ
１３ ＣＭＣＣ
１４ 被保護部品
１５ 信号線
１５ａ 第１信号線
１５ｂ 第２信号線
１６ 過電圧保護素子
１７ インピーダンス部品
１７ａ 抵抗
１７ｂ インダクタ
１７ｃ フェライトビーズ
１８ 保護回路
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ 通信装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】