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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024135137
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】保護シート、及び、電子部品装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20240927BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240927BHJP
C09J 7/38 20180101ALI20240927BHJP
C09J 7/20 20180101ALI20240927BHJP
C09J 133/00 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 M
H01L21/304 622J
C09J7/38
C09J7/20
C09J133/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045674
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002734
【氏名又は名称】弁理士法人藤本パートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】宍戸 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 慧
(72)【発明者】
【氏名】土生 剛志
【テーマコード（参考）】
4J004
4J040
5F057
5F063
【Ｆターム（参考）】
4J004AB01
4J004CB03
4J004CC02
4J004DB02
4J004FA04
4J004FA05
4J040DF001
4J040DF041
4J040DF051
4J040GA05
4J040GA20
4J040JA09
4J040JB09
4J040NA19
5F057AA31
5F057BA11
5F057BB03
5F057CA14
5F057DA11
5F057EC07
5F057EC09
5F057EC17
5F057EC19
5F057FA28
5F057FA30
5F063AA18
5F063BA17
5F063BA23
5F063BA32
5F063BA34
5F063BA48
5F063CA01
5F063CA04
5F063DD01
5F063DD59
5F063DD69
5F063DD85
5F063DF12
5F063DF18
5F063DF19
5F063DF20
5F063DG04
5F063EE13
5F063EE14
5F063EE16
5F063EE18
5F063EE42
5F063EE43
5F063EE44
5F063EE59
5F063EE75
(57)【要約】
【課題】 冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護し続けることができ、且つ、保護対象面を保護した後に比較的高温の水含有液体によって除去される保護シートなどを提供することを課題としている。
【解決手段】 電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む、保護シートなどを提供する。
【選択図】 図１Ａ
【解決手段】 電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む、保護シートなどを提供する。
【選択図】 図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、
前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む、保護シート。
前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む、保護シート。
【請求項2】
前記第１保護層は、前記水溶性高分子化合物として、ポリビニルアルコール及びポリエチレンオキシドのうちの少なくとも一方を含む、請求項１に記載の保護シート。
【請求項3】
前記第１保護層の表面における水の接触角が２５°以上４５°以下であり、前記第２保護層の表面における水の接触角が６０°以上８０°以下である、請求項１又は２に記載の保護シート。
【請求項4】
基材層と、該基材層の片面に重なる粘着層とを有する粘着テープをさらに備え、
前記粘着テープは、前記粘着層が前記第２保護層と重なり合うように配置されている、請求項１又は２に記載の保護シート。
前記粘着テープは、前記粘着層が前記第２保護層と重なり合うように配置されている、請求項１又は２に記載の保護シート。
【請求項5】
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを有し、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む、電子部品装置の製造方法。
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを有し、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む、電子部品装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、電子部品の保護対象面に貼り合わされる保護シートに関する。また、本発明は、例えば、製造工程中に前記保護シートを用いて電子部品装置を製造する電子部品装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、電子部品装置の製造において、例えば保護対象物の表面の少なくとも一部（すなわち、保護対象面）を保護するために使用される保護シートが知られている。この種の保護シートの保護対象物は、例えば、半導体ウエハなどである。この種の保護シートは、電子部品装置の製造工程中に、保護対象面に貼り付けられて使用される。
【0003】
電子部品装置としては、例えば半導体装置が挙げられる。一般的に、半導体装置を製造する方法は、高集積の電子回路によって円板状のベアウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成された半導体ウエハから半導体チップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。後工程では、基材シート及び粘着剤シートを有するダイシングテープと、該ダイシングテープに積層され且つ半導体ウエハに接着されるダイボンドシートとを使用する他、例えば、上記保護シートを使用する。
【0004】
詳しくは、後工程は、
円板状の半導体ウエハの回路面にバックグラインドテープを重ね合わせ、半導体ウエハとバックグラインドテープとが積層された状態で、半導体ウエハにおける回路面が形成されていない面に対して半導体ウエハが所定の厚さになるまで研削加工を施すバックグラインド工程と、
研削加工が施された半導体ウエハの面（回路面が形成されていない面）をダイシングテープ上のダイボンドシートに重ね合わせて、ダイボンドシートを介して半導体ウエハをダイシングテープに固定するマウント工程と、
半導体ウエハ及びダイボンドシートを小片化することによって多数の半導体チップ（ダイ）を得るダイシング工程と、
必要に応じて、半導体ウエハの放射方向にダイシングテープを引き伸ばして、隣り合う半導体チップ（ダイ）の間隔を広げるエキスパンド工程と、
ダイシングテープとダイボンドシートの小片との間で剥離してダイボンドシートの小片が貼り付いた状態の半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
取り出した半導体チップに貼り付いたダイボンドシートの小片を介して半導体チップを被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。
半導体装置は、例えばこれらの工程を経て製造される。
円板状の半導体ウエハの回路面にバックグラインドテープを重ね合わせ、半導体ウエハとバックグラインドテープとが積層された状態で、半導体ウエハにおける回路面が形成されていない面に対して半導体ウエハが所定の厚さになるまで研削加工を施すバックグラインド工程と、
研削加工が施された半導体ウエハの面（回路面が形成されていない面）をダイシングテープ上のダイボンドシートに重ね合わせて、ダイボンドシートを介して半導体ウエハをダイシングテープに固定するマウント工程と、
半導体ウエハ及びダイボンドシートを小片化することによって多数の半導体チップ（ダイ）を得るダイシング工程と、
必要に応じて、半導体ウエハの放射方向にダイシングテープを引き伸ばして、隣り合う半導体チップ（ダイ）の間隔を広げるエキスパンド工程と、
ダイシングテープとダイボンドシートの小片との間で剥離してダイボンドシートの小片が貼り付いた状態の半導体チップを取り出すピックアップ工程と、
取り出した半導体チップに貼り付いたダイボンドシートの小片を介して半導体チップを被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。
半導体装置は、例えばこれらの工程を経て製造される。
【0005】
上述した保護シートとしては、例えば、上記の後工程においてバックグラインド工程又はダイシング工程などにおいて半導体ウエハを一時的に固定する仮固定シートの用途で使用され、その後、水によって除去されるものが知られている（例えば、特許文献１）。
特許文献１に記載の保護シートは、保護対象面に貼り付けられて、例えば蒸着等による被膜形成工程などにおいて半導体ウエハなどの保護対象面に蒸着物が付着することを防止する用途（マスキング）でも使用される。
特許文献１に記載の保護シートは、保護対象面に貼り付けられて、例えば蒸着等による被膜形成工程などにおいて半導体ウエハなどの保護対象面に蒸着物が付着することを防止する用途（マスキング）でも使用される。
【0006】
特許文献１に記載の保護シートは、けん化度が５５ｍｏｌ％以下のオキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂を含有する樹脂組成物を有する。特許文献１に記載の保護シートの樹脂組成物は、水溶性を有することから、半導体ウエハなどの保護対象面を保護した後に、水によって容易に除去され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０２１－１６１７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ところが、特許文献１に記載の保護シートは、半導体ウエハなどの表面（保護対象面）を保護するために使用され、ダイシング工程においてダイシングブレードによって切断されると、ダイシング工程中に保護対象面を保護できなくなるおそれがある。詳しくは、半導体ウエハなどの切断に伴う上昇温度を抑えるために、ダイシング工程中に冷却水を使用すると、保護シートが溶解してしまい、半導体ウエハなどの切断中に保護対象面から保護シートが除去されてしまうおそれがある。換言すると、ダイシングブレード及び冷却水を使用するダイシング工程中に保護シートで保護対象面を保護することができなくなるおそれがある。
【0009】
これに対して、ダイシング工程中の冷却水によって保護シートが除去されないように、保護シートの水溶性を低くすることが考えられる。しかしながら、単に保護シートの水溶性が低くなると、保護対象面を保護シートで保護した後に、保護シートを水で除去することが困難となる。
【0010】
このような問題を防ぐべく、冷却水を使用するダイシング工程によって切断されて小片化されても保護対象面の保護を持続でき、しかも、保護対象面を保護した後に水含有液体によって除去される保護シートが要望されている。
【0011】
しかしながら、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護し続けることができ、且つ、保護対象面を保護した後に水含有液体によって除去される保護シートについては、未だ十分に検討されているとはいえない。
【0012】
そこで、保護シートの除去において比較的高温の水含有液体を使用することに着目した。本発明は、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護し続けることができ、且つ、保護対象面を保護した後に比較的高温の水含有液体によって除去される保護シートを提供することを課題とする。
また、本発明は、保護対象面を保護している保護シートが、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護でき、保護対象面を保護した後の保護シートを比較的高温の水含有液体によって除去できる、電子部品装置の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、保護対象面を保護している保護シートが、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護でき、保護対象面を保護した後の保護シートを比較的高温の水含有液体によって除去できる、電子部品装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
上記課題を解決すべく、本発明に係る保護シートは、
電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、
前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む。
電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、
前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む。
【0014】
本発明に係る電子部品装置の製造方法は、
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを有し、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む。
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを有し、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む。
【発明の効果】
【0015】
本発明に係る保護シートは、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護し続けることができ、且つ、保護対象面を保護した後に比較的高温の水含有液体によって除去される。
本発明に係る電子部品装置の製造方法では、上記の保護シートを用いるため、電子部品の保護対象面を保護している保護シートが、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護でき、且つ、保護対象面を保護した後の保護シートを比較的高温の水含有液体によって除去できる。
本発明に係る電子部品装置の製造方法では、上記の保護シートを用いるため、電子部品の保護対象面を保護している保護シートが、冷却水を使用するダイシング工程によって分割されても保護対象面を保護でき、且つ、保護対象面を保護した後の保護シートを比較的高温の水含有液体によって除去できる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1A】本実施形態の第一例の保護シートを厚さ方向に切断した模式断面図。
【図1B】本実施形態の第一例の保護シートを使用する直前の様子を表す模式断面図。
【図1C】本実施形態の第一例の保護シートを電子部品の保護対象面に貼り付けた様子を表す模式断面図。
【図2A】本実施形態の第二例の保護シートを厚さ方向に切断した模式断面図。
【図2B】本実施形態の第二例の保護シートを使用する直前の様子を表す模式断面図。
【図2C】本実施形態の第二例の保護シートを電子部品の保護対象面に貼り付けた様子を表す模式断面図。
【図3A】電子部品装置の製造方法の一例におけるマウント工程中の様子を表す模式図。
【図3B】電子部品装置の製造方法の一例におけるマウント工程中の様子を表す模式図。
【図3C】電子部品装置の製造方法の一例におけるマウント工程中の様子を表す模式図。
【図4】電子部品装置の製造方法の一例におけるダイシング工程中の様子を表す模式図。
【図5】電子部品装置の製造方法の一例における除去工程中の様子を表す模式図。
【図6】電子部品装置の製造方法の一例におけるピックアップ工程中の様子を表す模式図。
【図7】電子部品装置の製造方法の一例におけるダイボンド工程後の様子を表す模式図。
【図8】電子部品装置の製造方法の一例におけるワイヤボンディング工程及び封止工程後の様子を表す模式図。
【図9A】電子部品装置の製造方法の他の例におけるバックグラインド工程中の様子を表す模式図。
【図9B】電子部品装置の製造方法の他の例におけるバックグラインド工程中の様子を表す模式図。
【図9C】電子部品装置の製造方法の他の例におけるバックグラインド工程後の様子を表す模式図。
【図10A】電子部品装置の製造方法の他の例におけるマウント工程中の様子を表す模式図。
【図10B】電子部品装置の製造方法の他の例におけるマウント工程中の様子を表す模式図。
【図11】電子部品装置の製造方法において製造補助用具として使用するダイシングダイボンドフィルムを厚さ方向に切断した模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明に係る保護シートの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
なお、図面における図は模式図であり、実物における縦横の長さ比と必ずしも同じではない。
なお、図面における図は模式図であり、実物における縦横の長さ比と必ずしも同じではない。
【0018】
本実施形態の保護シート１は、電子部品の保護対象面を保護する保護シート１であって、図１Ａに示すように、保護対象面に貼り合わされる第１保護層１１と、該第１保護層１１の片面に重なる第２保護層１２とを備える。第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を含み、第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物を含む。
【0019】
本実施形態の保護シート１は、図１Ａに示すように、第１はく離ライナー１５と、第２保護層１２に重なる第２はく離ライナー１７とをさらに備えてもよい。第１はく離ライナー１５は、第１保護層１１における保護対象面に貼り合わされる面（以下、貼付面ともいう）に重なっている。第１はく離ライナー１５は、図１Ｂに示すように、使用前に第１保護層１１の貼付面からはく離される。例えば図１Ｃに示すように第１保護層１１が被着体（基板Ｇなど）の保護対象面に貼り付けられた後に、第２はく離ライナー１７は、第２保護層１２の片面からはく離される。
【0020】
本実施形態の保護シート１は、例えば、電子部品装置を製造する工程中で使用される。具体的には、本実施形態の保護シート１は、被着体である電子部品の保護対象面（被保護面）を一時的に保護する等の目的で使用される。より具体的には、本実施形態の保護シート１は、例えば、電子部品の保護対象面（被保護面）に貼り付けられて使用される。
上記の電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、配線回路基板などの基板、配線回路基板が複数連接されて構成される連接配線回路基板、又は、疑似ウエハなどが挙げられる。
上記の電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、配線回路基板などの基板、配線回路基板が複数連接されて構成される連接配線回路基板、又は、疑似ウエハなどが挙げられる。
【0021】
上記の半導体チップは、通常、半導体チップ本体と、該半導体チップ本体の片面側又は両面側に配置され且つ他部材の電極部と電気的に接続される電極部とを有する。他部材としては、配線回路基板、又は、他の半導体チップなどが挙げられる。半導体チップには、例えば少なくとも一方の面に、回路が形成された回路面が形成されている。
具体的には、上記の半導体チップは、半導体チップ本体の両面側にそれぞれ配置されて対となる電極部と、電極部の一方及び他方を導通するように半導体チップ本体を厚さ方向に貫通する導通部とを備えたＴＳＶ（Through Silicon Via）形式の半導体チップであってもよい。ＴＳＶ形式の半導体チップでは、一方の面のみに回路面が形成されていてもよく、両面にそれぞれ回路面が形成されていてもよい。
また、半導体チップの回路には、素子としてのセンサ素子（例えば、受光素子又は振動素子など）が備えられてもよい。この種の半導体チップは、例えばセンサチップである。センサチップとしては、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）チップ、又は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Systems）チップなどが挙げられる。
具体的には、上記の半導体チップは、半導体チップ本体の両面側にそれぞれ配置されて対となる電極部と、電極部の一方及び他方を導通するように半導体チップ本体を厚さ方向に貫通する導通部とを備えたＴＳＶ（Through Silicon Via）形式の半導体チップであってもよい。ＴＳＶ形式の半導体チップでは、一方の面のみに回路面が形成されていてもよく、両面にそれぞれ回路面が形成されていてもよい。
また、半導体チップの回路には、素子としてのセンサ素子（例えば、受光素子又は振動素子など）が備えられてもよい。この種の半導体チップは、例えばセンサチップである。センサチップとしては、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）チップ、又は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Systems）チップなどが挙げられる。
【0022】
上記の疑似ウエハは、例えば、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の半導体チップを一括して樹脂封止した状態のパッケージ体とを備える。疑似ウエハは、上記の支持基板から取り外された上記のパッケージ体であってもよい。疑似ウエハの表面の少なくとも一部には、再配線層が形成されていてもよい。斯かる再配線層を覆うように上記の保護シート１が使用されてもよい。なお、少なくとも１つの半導体チップを含む構成単位ごとに上記の疑似ウエハを分割した分割体が、電子部品であってもよい。
【0023】
上記の通り、保護対象面を有する電子部品には、様々な種類がある。例えば、被着体である電子部品としては、様々な材質の基板Ｇが挙げられる。被着体である基板Ｇの材質としては、例えば、ガラス、シリコン、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、プラスチック、又は、セラミックなどが挙げられる。
【0024】
第１保護層１１は、被着体である基板Ｇの保護対象面に密着できる密着性を有する。保護シート１の第１保護層１１を被着体である基板Ｇの保護対象面に重ねることによって、保護対象面に重なった第１保護層１１を除去するまで、保護対象面に異物が付着することなどを防止できる。
保護シート１は、例えば半導体装置などの電子部品装置を製造する工程中で使用される。この工程中において、保護シート１が冷却水などと接触する場合がある。このような状況下では、水溶性高分子化合物を含む第１保護層１１の少なくとも一部が溶解してしまう状況となり得る。
これに対して、本実施形態の保護シート１では、第１保護層１１が水溶性高分子化合物を含み、第２保護層１２が親水性ポリエステル化合物を含む。比較的温度の低い水に対する親水性は、水溶性高分子化合物よりも親水性ポリエステル化合物の方が低い。そのため、第１保護層１１が保護対象面に貼り付けられ、第２保護層１２が冷却水と接触するように配置されて使用されることにより、保護シート１が保護対象面を保護しているときに冷却水と接触しても、保護シート１が冷却水で除去されることを抑制できる。
また、保護シート１は、例えば上記のごとく保護対象面を一時的に保護するために使用された後、比較的高温の水含有液体によって除去される。
なお、保護シート１を被着体である基板Ｇに貼り合わせて使用する保護シート１の使用方法については、後に詳しく説明する。
保護シート１は、例えば半導体装置などの電子部品装置を製造する工程中で使用される。この工程中において、保護シート１が冷却水などと接触する場合がある。このような状況下では、水溶性高分子化合物を含む第１保護層１１の少なくとも一部が溶解してしまう状況となり得る。
これに対して、本実施形態の保護シート１では、第１保護層１１が水溶性高分子化合物を含み、第２保護層１２が親水性ポリエステル化合物を含む。比較的温度の低い水に対する親水性は、水溶性高分子化合物よりも親水性ポリエステル化合物の方が低い。そのため、第１保護層１１が保護対象面に貼り付けられ、第２保護層１２が冷却水と接触するように配置されて使用されることにより、保護シート１が保護対象面を保護しているときに冷却水と接触しても、保護シート１が冷却水で除去されることを抑制できる。
また、保護シート１は、例えば上記のごとく保護対象面を一時的に保護するために使用された後、比較的高温の水含有液体によって除去される。
なお、保護シート１を被着体である基板Ｇに貼り合わせて使用する保護シート１の使用方法については、後に詳しく説明する。
【0025】
［第１保護層］
第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を含む。水溶性高分子化合物は、水溶性を発揮できる量の親水基を分子中に有する。第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を９０質量％以上含むことが好ましく、９５質量％以上含むことがより好ましく、９９質量％以上含むことがさらに好ましい。これにより、第１保護層１１は、比較的高温の水含有液体によってより除去されやすくなる。
第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を含む。水溶性高分子化合物は、水溶性を発揮できる量の親水基を分子中に有する。第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を９０質量％以上含むことが好ましく、９５質量％以上含むことがより好ましく、９９質量％以上含むことがさらに好ましい。これにより、第１保護層１１は、比較的高温の水含有液体によってより除去されやすくなる。
【0026】
水溶性高分子化合物は、斯かる水溶性高分子化合物の薄膜（厚さ５０μｍ以下）を４０℃の水に浸漬するとすべて溶解するような水溶性を有する。
【0027】
第１保護層１１は、所定以上の親水性を有する。第１保護層１１が所定以上の親水性を有すると、通常、上記の第１保護層１１の少なくとも一部は、比較的高温の水含有液体に溶解する。第１保護層１１は、所定以上の親水性を有するため、比較的高温の水含有液体と接触したときに少なくとも一部が溶解して、被着体である電子部品の保護対象面から除去されるように構成されている。
【0028】
第１保護層１１の親水性として、第１保護層１１の表面における水の接触角が指標となり得る。第１保護層１１の表面における水の接触角は、２５°以上４５°以下であることが好ましい。上記接触角が２５°以上であることにより、被着体に対する第１保護層１１の密着力をより向上できる。一方、上記接触角が４５°以下であることにより、水に対する第１保護層１１の溶解性がより高まる。
【0029】
上記接触角は、例えば分子中における親水基（例えば、－ＯＨ基、ポリオキシエチレン基）の割合がより高い水溶性高分子化合物を採用することによって、大きくできる。一方、分子中における親水基（例えば、－ＯＨ基、ポリオキシエチレン基）の割合がより低い水溶性高分子化合物を採用することによって、上記接触角を小さくできる。
【0030】
上記接触角は、以下のようにして測定される。具体的には、第１保護層１１の一方の面（保護対象面に貼り付けられる側の面）における水の接触角を一般的な接触角計を用いて測定する。より具体的には、ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠し、全自動接触角測定装置（例えば、協和界面科学社製、製品名：ＤＭ－５００）を用いて、水１．５μＬに対する接触角を２５℃で測定する。５回の測定値の平均値を採用する。
【0031】
また、第１保護層１１の物性は、例えばせん断接着力によって示される。第１保護層１１のせん断接着力は、０．１０ＭＰａよりも大きいことが好ましく、０．２０ＭＰａ以上であることがより好ましい。第１保護層１１のせん断接着力が０．１０ＭＰａよりも大きいことにより、被着体への密着性がより高まるため、保護対象面をより十分に保護できる。即ち、ダイシング工程（後に詳述）において第１保護層１１が保護対象面から剥離することをより十分に抑制できる。なお、第１保護層１１のせん断接着力は、２．００ＭＰａ以下であってもよい。
【0032】
上記のせん断接着力は、例えば分子量がより小さい水溶性高分子化合物、又は、ガラス転移点がより低い水溶性高分子化合物を採用することによって、大きくできる。一方、例えば分子量がより大きい水溶性高分子化合物、又は、ガラス転移点がより高い水溶性高分子化合物を採用することによって、上記のせん断接着力を小さくできる。
【0033】
上記のせん断接着力は、ダイシェア強度試験によって以下のようにして測定される。具体的には、まず、室温にてハンドローラを用いてＳＵＳ板の片面に両面テープを貼り付け、試験用の支持台を作製する。次に、室温にてハンドローラを用いて、両面テープの露出面（上面）に試験用の各第１保護層を貼り付ける。続いて、８０℃にてラミネータを用いて１０ｍｍ／秒の速度で、各第１保護層の露出面（上面）にシリコンチップ（一辺５ｍｍの正方形、厚さ５００μｍ）を貼り付ける。各第１保護層の面方向のうち一方向に向けて、シリコンチップの上部に対して力（せん断力）を与える。このとき、５００μｍ／秒の速さ、２５℃で、シリコンチップの上面から下方へ５０μｍまでの部分にせん断力を与える。そして、シリコンチップが各第１保護層の上面からはく離したときの力を測定する。
【0034】
本実施形態において、第１保護層１１に含まれる上記水溶性高分子化合物の親水基は、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ピロリドン基、及びポリオキシエチレン基（ポリオキシエチレン構造）からなる群より選択される少なくとも１種であってもよい。
【0035】
上記の水溶性高分子化合物としては、ビニルアセテートの重合体におけるエステル結合の一部を加水分解して得られるポリビニルアルコール、少なくともポリエチレンオキシド構造を分子中に有する水溶性高分子化合物、及び、ポリビニルアルコールにアルデヒドを反応させて得られるポリビニルアセタールのうちの少なくとも１種が好ましい。
【0036】
上記の水溶性高分子化合物は、好ましくは、分子中に親水基としてヒドロキシ基又はポリオキシエチレン構造の少なくとも一方を有する。上記の水溶性高分子化合物が、分子中に親水基としてヒドロキシ基又はポリオキシエチレン構造を有することにより、第１保護層１１は、基板Ｇ（電子部品）の保護対象面に対してより十分に密着できる。
【0037】
例えば、第１保護層１１は、多数のヒドロキシ基を分子中に有するポリビニルアルコールを上記の水溶性高分子化合物として含んでもよい。
【0038】
上記の水溶性高分子化合物がポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である場合、ポリビニルアルコールのけん化度（モル％）は、７０以上１００以下であってもよい。
ポリビニルアルコールのけん化度（モル％）は、８０以上であることが好ましく、９０以上であることがより好ましい。ポリビニルアルコールのけん化度がより大きくなることによって、上記の第１保護層１１が、より高い親水性を有することとなる。従って、比較的高温の水含有液体によって第１保護層１１をより簡便に除去できる。
一方、被着体に対する密着力をより向上できるという点で、ポリビニルアルコールのけん化度は、９８以下であることが好ましく、９５以下であることがより好ましい。
ポリビニルアルコールのけん化度（モル％）は、８０以上であることが好ましく、９０以上であることがより好ましい。ポリビニルアルコールのけん化度がより大きくなることによって、上記の第１保護層１１が、より高い親水性を有することとなる。従って、比較的高温の水含有液体によって第１保護層１１をより簡便に除去できる。
一方、被着体に対する密着力をより向上できるという点で、ポリビニルアルコールのけん化度は、９８以下であることが好ましく、９５以下であることがより好ましい。
【0039】
＜けん化度の測定方法、測定条件＞
上記のけん化度は、以下の分析条件で実施するプロトン磁気共鳴分光法（１Ｈ ＭＮＲ）によって測定される。
なお、第１保護層１１がＰＶＡ以外の成分を含む場合、測定チャートにおけるピークの重なりを避けるため、メタノール抽出等によってＰＶＡの分離抽出処理を行った後、測定を実施する。
分析装置：ＦＴ－ＮＭＲ
（例えばＢｒｕｋｅｒＢｉｏｓｐｉｎ社製、「ＡＶＡＮＣＥIII－４００」）
観測周波数：４００ＭＨｚ（１Ｈ）
測定溶媒：重水、または、重ジメチルスルホキシド（重ＤＭＳＯ）
測定温度：８０℃
化学シフト基準：外部標準ＴＳＰ－ｄ４（０．００ｐｐｍ）（重水測定時）
：測定溶媒（２．５０ｐｐｍ）（重ＤＭＳＯ測定時）
上記のけん化度は、以下の分析条件で実施するプロトン磁気共鳴分光法（１Ｈ ＭＮＲ）によって測定される。
なお、第１保護層１１がＰＶＡ以外の成分を含む場合、測定チャートにおけるピークの重なりを避けるため、メタノール抽出等によってＰＶＡの分離抽出処理を行った後、測定を実施する。
分析装置：ＦＴ－ＮＭＲ
（例えばＢｒｕｋｅｒＢｉｏｓｐｉｎ社製、「ＡＶＡＮＣＥIII－４００」）
観測周波数：４００ＭＨｚ（１Ｈ）
測定溶媒：重水、または、重ジメチルスルホキシド（重ＤＭＳＯ）
測定温度：８０℃
化学シフト基準：外部標準ＴＳＰ－ｄ４（０．００ｐｐｍ）（重水測定時）
：測定溶媒（２．５０ｐｐｍ）（重ＤＭＳＯ測定時）
【0040】
上記のポリビニルアルコールの平均重合度は、好ましくは１００以上であり、より好ましくは２００以上である。また、上記平均重合度は、好ましくは１０００以下であり、より好ましくは８００以下である。
ポリビニルアルコールの平均重合度が１００以上であることによって、上記の第１保護層１１をより形成しやすくなる。一方、ポリビニルアルコールの平均重合度が１０００以下であることによって、ポリビニルアルコールの親水性がより高まり、比較的高温の水含有液体に、上記の第１保護層１１がより溶解しやすくなる。
ポリビニルアルコールの平均重合度が１００以上であることによって、上記の第１保護層１１をより形成しやすくなる。一方、ポリビニルアルコールの平均重合度が１０００以下であることによって、ポリビニルアルコールの親水性がより高まり、比較的高温の水含有液体に、上記の第１保護層１１がより溶解しやすくなる。
【0041】
上記の平均重合度は、以下の測定方法及び測定条件によって求められる。
＜平均重合度の測定方法、測定条件＞
・分析装置：ゲル浸透クロマトグラフィー分析装置
（例えば、Ａｇｉｌｅｎｔ社製 装置名「１２６０Ｉｎｆｉｎｉｔｙ」）
・カラム：ＴＳＫｇｅｌ Ｇ６０００ＰＷＸＬ及びＴＳＫｇｅｌ Ｇ３０００ＰＷＸＬ（東ソー社製 直列接続）
・カラム温度：４０℃
・溶離液：０．２Ｍの硝酸ナトリウム水溶液
・流速：０．８ｍＬ／ｍｉｎ
・注入量：１００μＬ
・検出器：示差屈折率計（ＲＩ）
・標準試料：ＰＥＧ標準試料及びＰＶＡ標準試料
ＰＥＧ標準試料を用いたＧＰＣ測定によって、被測定試料（ＰＶＡ）、及び、平均重合度が既知のＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗをそれぞれ算出する。ＰＶＡ標準試料の平均重合度と、算出したＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗとから検量線を作成する。この検量線を用いて、被測定試料（ＰＶＡ）の質量平均分子量Ｍｗから被測定試料（ＰＶＡ）の平均重合度を求める。
＜平均重合度の測定方法、測定条件＞
・分析装置：ゲル浸透クロマトグラフィー分析装置
（例えば、Ａｇｉｌｅｎｔ社製 装置名「１２６０Ｉｎｆｉｎｉｔｙ」）
・カラム：ＴＳＫｇｅｌ Ｇ６０００ＰＷＸＬ及びＴＳＫｇｅｌ Ｇ３０００ＰＷＸＬ（東ソー社製 直列接続）
・カラム温度：４０℃
・溶離液：０．２Ｍの硝酸ナトリウム水溶液
・流速：０．８ｍＬ／ｍｉｎ
・注入量：１００μＬ
・検出器：示差屈折率計（ＲＩ）
・標準試料：ＰＥＧ標準試料及びＰＶＡ標準試料
ＰＥＧ標準試料を用いたＧＰＣ測定によって、被測定試料（ＰＶＡ）、及び、平均重合度が既知のＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗをそれぞれ算出する。ＰＶＡ標準試料の平均重合度と、算出したＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗとから検量線を作成する。この検量線を用いて、被測定試料（ＰＶＡ）の質量平均分子量Ｍｗから被測定試料（ＰＶＡ）の平均重合度を求める。
【0042】
本実施形態において第１保護層１１は、例えば、ポリオキシエチレン構造のみを分子中に有するポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）（例えば分子量５万以上）を上記の水溶性高分子化合物として含んでもよい。一方、第１保護層１１は、ポリオキシエチレン構造とポリオキシプロピレン構造とを分子中に有する、ポリアルキレンオキシド共重合体（例えば分子量５万以上）を上記の水溶性高分子化合物として含んでもよい。
ポリアルキレンオキシド共重合体は、ポリオキシエチレン構造のブロックと、ポリオキシプロピレン構造のブロックとを分子中に有するブロック共重合体であってもよく、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのランダム共重合体であってもよい。
ポリアルキレンオキシド共重合体は、ポリオキシエチレン構造のブロックと、ポリオキシプロピレン構造のブロックとを分子中に有するブロック共重合体であってもよく、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのランダム共重合体であってもよい。
【0043】
上記の水溶性高分子化合物が、ポリオキシエチレン構造に加え、ポリオキシプロピレン構造を分子中に有することにより、第１保護層１１の被着体への密着性がより高まる。
【0044】
上記のポリオキシエチレン構造を分子中に有する水溶性高分子化合物の質量平均分子量Ｍｗは、１，０００，０００（１００万）以下であることが好ましい。質量平均分子量Ｍｗが１，０００，０００以下であることにより、上記の水溶性高分子化合物は、十分に低い軟化点を有することができる。これにより、低温における第１保護層１１の被着体に対する密着性がより良好になり得る。また、比較的高温の水含有液体によって、被着体の保護対象面から第１保護層１１をより短時間で効率良く除去できる。なお、質量平均分子量Ｍｗは、例えば５万以上であってもよい。
【0045】
本実施形態の第１保護層１１は、上述した配合成分の他に、例えば界面活性剤、又は、可塑剤などをさらに含んでもよい。
【0046】
第１保護層１１の厚さは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。また、斯かる厚さは、４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよい。なお、第１保護層１１が積層体である場合、上記の厚さは、積層体の総厚さである。
【0047】
［保護シートの第２保護層］
上述したように、第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物を含む。第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物のみで形成されていてもよく、親水性ポリエステル化合物以外の成分を含んでもよい。第２保護層１２は、例えば親水性ポリエステル化合物で形成されたフィルムである。
上述したように、第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物を含む。第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物のみで形成されていてもよく、親水性ポリエステル化合物以外の成分を含んでもよい。第２保護層１２は、例えば親水性ポリエステル化合物で形成されたフィルムである。
【0048】
第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物を９５質量％以上含むことが好ましく、９８質量％以上含むことがより好ましい。これにより、第２保護層１２は、ダイシング工程（後に詳述）で使用される冷却液と接触しても第１保護層１１との積層状態をより確実に維持できることから、第１保護層１１の冷却液への溶解をより十分に抑制できる。
【0049】
第２保護層１２の親水性の程度として、例えば第２保護層１２の表面における水の接触角が指標となり得る。第２保護層１２の表面における水の接触角は、６０°以上８０°以下であることが好ましい。上記接触角が６０°以上であることにより、例えば３０℃未満の冷却水に対する第２保護層１２の溶解性がより低くなる。一方、上記接触角が８０°以下であることにより、比較的高温の水含有液体に第２保護層１２がより溶解しやすくなる。
なお、接触角の測定方法の詳細は、上述した通りである。
なお、接触角の測定方法の詳細は、上述した通りである。
【0050】
上記接触角は、例えばより酸価の小さい親水性ポリエステル化合物を採用することによって大きくできる。一方、より酸価の大きい親水性ポリエステル化合物を採用することによって、上記接触角を小さくできる。
【0051】
第２保護層１２に含まれる親水性ポリエステル化合物は、少なくとも多価カルボン酸とポリオールとのエステル化反応生成物である。従って、親水性ポリエステル化合物は、多価カルボン酸の残基とポリオールの残基とを分子中に有する。多価カルボン酸としては、例えばテレフタル酸が挙げられる。
【0052】
親水性ポリエステル化合物は、分子中にカルボキシ基又はスルホン酸基を有する。カルボキシ基又はスルホン酸基は、塩の状態であってもよい。親水性ポリエステル化合物は、上記のごとき親水基を分子中に有するため、比較的高温の水含有液体に溶解し得る。
【0053】
親水性ポリエステル化合物は、以下の物性を有することが好ましい。詳しくは、親水性ポリエステル化合物の粉末：５０℃の水＝１：５の質量比で混合して調製した混合液に超音波を１０分間照射すると、すべての親水性ポリエステル化合物が水に溶解する。
【0054】
親水性ポリエステル化合物の質量平均分子量Ｍｗは、２５，０００（２．５万）以下であることが好ましく、２０，０００（２万）以下であることがより好ましい。これにより、第２保護層１２を形成しやすくなる。
親水性ポリエステル化合物の質量平均分子量Ｍｗは、１０，０００（１万）以上であることが好ましい。これにより、第２保護層１２が冷却水（例えば３０℃以下）に接触したときに第２保護層１２がより溶解しにくくなる一方で、比較的高温の水（例えば４０℃以上の温水）に接触したときは、第２保護層１２が保護対象面から比較的容易に除去され得る。
親水性ポリエステル化合物の質量平均分子量Ｍｗが上記のごとき範囲内であることにより、第２保護層１２は、例えば３０℃以下という比較的低温の冷却水と接触しつつ、ダイシングブレードなどによって切断された場合（例えば、後に詳述するブレードダイシング加工時など）であっても、保護対象面の保護を維持することができる。一方で、第２保護層１２は、例えば４０℃以上の水含有液体と接触した場合（例えば、後に詳述する除去工程時など）に、比較的容易に溶解されて除去され得る。
親水性ポリエステル化合物の質量平均分子量Ｍｗは、１０，０００（１万）以上であることが好ましい。これにより、第２保護層１２が冷却水（例えば３０℃以下）に接触したときに第２保護層１２がより溶解しにくくなる一方で、比較的高温の水（例えば４０℃以上の温水）に接触したときは、第２保護層１２が保護対象面から比較的容易に除去され得る。
親水性ポリエステル化合物の質量平均分子量Ｍｗが上記のごとき範囲内であることにより、第２保護層１２は、例えば３０℃以下という比較的低温の冷却水と接触しつつ、ダイシングブレードなどによって切断された場合（例えば、後に詳述するブレードダイシング加工時など）であっても、保護対象面の保護を維持することができる。一方で、第２保護層１２は、例えば４０℃以上の水含有液体と接触した場合（例えば、後に詳述する除去工程時など）に、比較的容易に溶解されて除去され得る。
【0055】
親水性ポリエステル化合物の酸価は、５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であることが好ましい。親水性ポリエステル化合物の酸価がより小さいことによって、比較的低温の冷却水と接触したときの第２保護層１２の溶解がより抑制される。
なお、上記の酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０－１９９２に規定される中和滴定法により求められる。
なお、上記の酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０－１９９２に規定される中和滴定法により求められる。
【0056】
第２保護層１２の厚さは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。また、斯かる厚さは、４０μｍ以下であってもよい。なお、第２保護層１２が積層体である場合、上記の厚さは、積層体の総厚さである。
【0057】
［第１はく離ライナー及び第２はく離ライナー］
本実施形態の保護シート１は、上述したように使用される前の状態において、第１保護層１１の一方の面（第２保護層１２と重なっていない第１保護層１１の片面）を覆う第１はく離ライナー１５を備えてもよい。第１はく離ライナー１５は、第１保護層１１を保護するために用いられ、例えば第１保護層１１を被着体（電子部品としての基板Ｇなど）に貼り付ける直前に、第１保護層１１の上記片面から剥離される。
また、本実施形態の保護シート１は、上述したように第２保護層１２の一方の面（第１保護層１１と重なっていない第２保護層１２の片面）を覆う第２はく離ライナー１７を備えてもよい。第２はく離ライナー１７は、第２保護層１２を保護するために用いられ、例えば第１保護層１１及び第２保護層１２を被着体（基板Ｇなど）に貼り付けた後に、第２保護層１２の上記片面から剥離される。
本実施形態の保護シート１は、上述したように使用される前の状態において、第１保護層１１の一方の面（第２保護層１２と重なっていない第１保護層１１の片面）を覆う第１はく離ライナー１５を備えてもよい。第１はく離ライナー１５は、第１保護層１１を保護するために用いられ、例えば第１保護層１１を被着体（電子部品としての基板Ｇなど）に貼り付ける直前に、第１保護層１１の上記片面から剥離される。
また、本実施形態の保護シート１は、上述したように第２保護層１２の一方の面（第１保護層１１と重なっていない第２保護層１２の片面）を覆う第２はく離ライナー１７を備えてもよい。第２はく離ライナー１７は、第２保護層１２を保護するために用いられ、例えば第１保護層１１及び第２保護層１２を被着体（基板Ｇなど）に貼り付けた後に、第２保護層１２の上記片面から剥離される。
【0058】
上記の各はく離ライナーは、例えば、シリコーン系剥離剤、長鎖アルキル系剥離剤、フッ素系剥離剤、硫化モリブデン等の剥離剤によって表面処理された、プラスチックフィルム又は紙等であってもよい。
【0059】
本実施形態の保護シート１は、図１Ａに示すような第一例であってもよい。第一例の保護シート１は、第１はく離ライナー１５及び第２はく離ライナー１７の両方を備える。第一例の保護シートは、例えば以下のようにして、一般的な方法によって製造できる。
【0060】
第１保護層１１を作製するために、まず、水を含む溶媒に、水溶性高分子化合物を溶解させる。溶解させるときに加熱してもよい。溶媒としては、水以外に有機溶媒を用いてもよい。有機溶媒としては、任意の割合で水に溶解する水性有機溶媒が好ましい。斯かる水性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。
次に、上記のごとく調製した高分子溶液を第１はく離ライナー１５に塗布（塗工）する。塗布した後、溶媒が揮発する温度で加熱することにより、第１はく離ライナー１５に重なった第１保護層１１を形成する。
次に、上記のごとく調製した高分子溶液を第１はく離ライナー１５に塗布（塗工）する。塗布した後、溶媒が揮発する温度で加熱することにより、第１はく離ライナー１５に重なった第１保護層１１を形成する。
【0061】
一方で、第２保護層１２を作製するために、水又は有機溶媒を含む溶媒に、上記の親水性ポリエステル化合物を溶解させる。溶解させるときに、加熱してもよい。有機溶媒としては、水又は極性有機溶媒が好ましい。斯かる極性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。
次に、上記のごとく調製した親水性ポリエステル化合物の溶液を第２はく離ライナー１７に塗布（塗工）する。塗布した後、溶媒が揮発する温度で加熱することにより、第２はく離ライナー１７に重なった第２保護層１２を形成する。
次に、上記のごとく調製した親水性ポリエステル化合物の溶液を第２はく離ライナー１７に塗布（塗工）する。塗布した後、溶媒が揮発する温度で加熱することにより、第２はく離ライナー１７に重なった第２保護層１２を形成する。
【0062】
そして、第１はく離ライナー１５に重なった第１保護層１１と、第２はく離ライナー１７に重なった第２保護層１２とを重ね合わせて圧力を加える。換言すると、第１はく離ライナー１５と第２はく離ライナー１７とで第１保護層１１及び第２保護層１２を挟み込むことによって、第１保護層１１及び第２保護層１２を積層させ、さらに加圧する。
このようにして保護シート１を製造できるが、保護シートの製造方法は、上記のごとく例示した方法に限定されない。
このようにして保護シート１を製造できるが、保護シートの製造方法は、上記のごとく例示した方法に限定されない。
【0063】
保護シート１は、例えば、電子部品装置を製造するための補助用具として使用される。保護シート１は、例えば、電子部品装置を製造する工程中で一時的に使用される。そのため、製造された電子部品装置は、保護シート１を備えないこととなり得る。
【0064】
電子部品装置は、上述したような様々な電子部品のうち少なくとも１種を備える装置である。電子部品装置としては、例えば、半導体チップを備える半導体集積回路などの半導体装置、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）を有するシステムＬＳＩを備える装置、又は、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、若しくは電子回路を１つのシリコン基板、ガラス基板、若しくは有機材料基板などの上に微細加工技術によって集積化したデバイス（ＭＥＭＳ Micro Electro Mechanical Systems）などを備える装置などが挙げられる。なお、製造される電子部品装置は、配線回路基板を備える装置であってもよい。
【0065】
上記の実施形態では、第１はく離ライナー１５及び第２はく離ライナー１７を備え得る保護シート（本実施形態の第一例）について詳しく説明したが、本実施形態の保護シートは、以下に説明するような保護シート（本実施形態の第二例）であってもよい。
【0066】
本実施形態の保護シートの第二例は、図２Ａに示すように、第一例の保護シートの第２はく離ライナー１７に代えて、粘着テープ１３（例えばバックグライントテープ）を備え得る。第二例の保護シートは、第一例と同様に第１はく離ライナー１５が取り除かれてから使用される（図２Ｂ参照）。そして、例えば図２Ｃに示すように第１保護層１１が基板Ｇの保護対象面に貼り付けられた後に、粘着テープ１３は、第２保護層１２の片面からはく離される。
【0067】
粘着テープ１３は、基材層１３ａと、該基材層１３ａに重なり合う粘着層１３ｂとを有する。本実施形態では、粘着層１３ｂが感圧型接着剤で形成されているため、粘着テープ１３は、感圧型粘着テープとして使用できる。
【0068】
（粘着テープの基材層）
基材層１３ａは、例えば樹脂で構成されている。斯かる樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などのポリエステル系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体などのポリオレフィン系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリイミド、セルロース類、フッ素系樹脂、ポリエーテル、ポリスチレンなどのポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン等が挙げられる。好ましくは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、又は、ポリブチレンナフタレートなどが採用され得る。
基材層１３ａは、例えば樹脂で構成されている。斯かる樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などのポリエステル系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体などのポリオレフィン系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリイミド、セルロース類、フッ素系樹脂、ポリエーテル、ポリスチレンなどのポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン等が挙げられる。好ましくは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、又は、ポリブチレンナフタレートなどが採用され得る。
【0069】
基材層１３ａは、さらに添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、又は、光安定剤等が挙げられる。
【0070】
基材層１３ａの厚さは、例えば１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。基材層１３ａの引張弾性率は、例えば、５０ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下であってもよい。
【0071】
（粘着テープの粘着層）
粘着テープ１３の粘着層１３ｂは、例えば、アクリル樹脂と、イソシアネート化合物と、重合開始剤（光重合開始剤など）とを含む。
粘着テープ１３の粘着層１３ｂは、例えば、アクリル樹脂と、イソシアネート化合物と、重合開始剤（光重合開始剤など）とを含む。
【0072】
上記のアクリル樹脂は、例えば、分子中にアルキル（メタ）アクリレートの構成単位と、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位と、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位と、を少なくとも有する。構成単位は、アクリル樹脂の主鎖を構成する単位である。
【0073】
上記のアルキル（メタ）アクリレートの構成単位は、アルキル（メタ）アクリレートモノマーに由来する。換言すると、アルキル（メタ）アクリレートモノマーが重合反応したあとの分子構造が、アルキル（メタ）アクリレートの構成単位である。「アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分を表す。アルキル部分の炭素数は、６以上１２以下であってもよい。
【0074】
アルキル（メタ）アクリレートの構成単位としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｓ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ノナデシル（メタ）アクリレート、エイコシル（メタ）アクリレートなどの各構成単位が挙げられる。
【0075】
アクリル樹脂は、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有し、斯かる構成単位の水酸基が、イソシアネート基と容易に反応する。
水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有するアクリル樹脂と、イソシアネート化合物とを粘着層１３ｂに共存させておくことによって、粘着層１３ｂを適度に硬化させることができる。そのため、アクリル樹脂が十分にゲル化できる。よって、粘着層１３ｂは、形状を維持しつつ粘着性能を発揮できる。
水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有するアクリル樹脂と、イソシアネート化合物とを粘着層１３ｂに共存させておくことによって、粘着層１３ｂを適度に硬化させることができる。そのため、アクリル樹脂が十分にゲル化できる。よって、粘着層１３ｂは、形状を維持しつつ粘着性能を発揮できる。
【0076】
水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートの構成単位であることが好ましい。「Ｃ２～Ｃ４アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分及びその炭素数を表す。換言すると、水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートモノマーは、（メタ）アクリル酸と、炭素数２以上４以下のアルコール（通常、２価アルコール）とがエステル結合したモノマーを示す。なお、Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、通常、飽和炭化水素である。
【0077】
水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートの構成単位としては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシｎ－ブチル（メタ）アクリレート、又は、ヒドロキシｉｓｏ－ブチル（メタ）アクリレートといったヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの各構成単位が挙げられる。
【0078】
上記のアクリル樹脂は、側鎖に重合性不飽和二重結合を有する重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含む。
上記のアクリル樹脂が、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含むことによって、紫外線等の活性エネルギー線の照射によって、光重合開始剤からラジカルを発生させ、このラジカルの作用によって、アクリル樹脂同士を架橋反応させることができる。これによって、照射前における粘着層１３ｂの粘着力を、照射によって低下させることができる。
なお、活性エネルギー線としては、紫外線、放射線、電子線が採用される。
上記のアクリル樹脂が、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含むことによって、紫外線等の活性エネルギー線の照射によって、光重合開始剤からラジカルを発生させ、このラジカルの作用によって、アクリル樹脂同士を架橋反応させることができる。これによって、照射前における粘着層１３ｂの粘着力を、照射によって低下させることができる。
なお、活性エネルギー線としては、紫外線、放射線、電子線が採用される。
【0079】
重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、具体的には、上述した水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位における水酸基に、イソシアネート基含有（メタ）アクリレートモノマーのイソシアネート基がウレタン結合した分子構造を有してもよい。
【0080】
重合性基を有する重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、アクリル樹脂を合成する重合反応の後に、調製され得る。例えば、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、水酸基含有（メタ）アクリレートモノマーとの共重合の後に、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部における水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応させることによって、上記の重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を得ることができる。
【0081】
上記のイソシアネート基含有（メタ）アクリレートモノマーは、分子中にイソシアネート基を１つ有し且つ（メタ）アクリロイル基を１つ有することが好ましい。斯かるモノマーとしては、例えば、２－イソシアナトエチル（メタ）アクリレートが挙げられる。
【0082】
粘着層１３ｂは、さらにイソシアネート化合物を含み得る。イソシアネート化合物の一部は、ウレタン化反応などによって反応した後の状態であってもよい。
イソシアネート化合物は、分子中に複数のイソシアネート基を有する。イソシアネート化合物が分子中に複数のイソシアネート基を有することによって、粘着層１３ｂにおけるアクリル樹脂間の架橋反応を進行させることができる。
イソシアネート化合物は、分子中に複数のイソシアネート基を有する。イソシアネート化合物が分子中に複数のイソシアネート基を有することによって、粘着層１３ｂにおけるアクリル樹脂間の架橋反応を進行させることができる。
【0083】
イソシアネート化合物としては、例えば、脂肪族ジイソシアネート、脂環族ジイソシアネート、又は、芳香脂肪族ジイソシアネートなどのジイソシアネートが挙げられる。さらに、イソシアネート化合物としては、例えば、ジイソシアネートの二量体や三量体等の重合ポリイソシアネート、ポリメチレンポリフェニレンポリイソシアネートが挙げられる。上記のイソシアネート化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0084】
粘着層１３ｂに含まれる重合開始剤は、加えられた熱や光のエネルギーによって重合反応を開始できる化合物である。粘着層１３ｂが重合開始剤を含むことによって、粘着層１３ｂに熱エネルギーや光エネルギーを与えたときに、アクリル樹脂間における架橋反応を進行させることができ、粘着層１３ｂを硬化させることができる。これにより、粘着層１３ｂの粘着力を低下させ、バックグラインド工程（後に詳述）の後に、第２保護層１２と硬化した粘着層１３ｂとの間で容易に剥離させることができる。
重合開始剤としては、例えば、市販されている一般的な光重合開始剤又は熱重合開始剤などが採用される。
重合開始剤としては、例えば、市販されている一般的な光重合開始剤又は熱重合開始剤などが採用される。
【0085】
粘着層１３ｂは、さらに添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、又は界面活性剤等が挙げられる。
【0086】
粘着層１３ｂの厚さは、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
【0087】
第二例の保護シート１は、例えば、上記のごとく製造した第一例の第２はく離ライナー１７を取り除いた後、第２はく離ライナー１７に代えて粘着テープ１３の粘着層１３ｂを第２保護層１２に貼り付けることによって製造できる。
粘着テープ１３としては、市販されている製品を採用できる。粘着テープ１３は、例えばバックグラインドテープの市販製品であってもよい。
粘着テープ１３としては、市販されている製品を採用できる。粘着テープ１３は、例えばバックグラインドテープの市販製品であってもよい。
【0088】
＜電子部品装置を製造するときの保護シートの使用方法＞
続いて、本実施形態の保護シート１の使用方法について説明する。具体的には、上記の保護シート１を使用して、電子部品装置を製造する方法の実施形態について説明する。換言すると、上記のごとき電子部品装置を製造するために使用される保護シート１の使用方法の具体例について説明する。
続いて、本実施形態の保護シート１の使用方法について説明する。具体的には、上記の保護シート１を使用して、電子部品装置を製造する方法の実施形態について説明する。換言すると、上記のごとき電子部品装置を製造するために使用される保護シート１の使用方法の具体例について説明する。
【0089】
本実施形態の電子部品装置の製造方法は、
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程（保護工程）と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程（ダイシング工程）と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程（除去工程）と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層１１と、該第１保護層１１の片面に重なる第２保護層１２とを有し、
前記第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む。
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程（保護工程）と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程（ダイシング工程）と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程（除去工程）と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層１１と、該第１保護層１１の片面に重なる第２保護層１２とを有し、
前記第１保護層１１は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層１２は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む。
【0090】
本実施形態の電子部品装置の製造方法では、上記の保護シート１を使用して、電子部品装置を製造する。上記の保護シート１によって保護される保護対象面は、例えば、電子部品装置を構成する電子部品（例えば基板）の表面の少なくとも一部である。上記の保護シート１を使用して製造される電子部品装置としては、例えば上述した装置などが挙げられる。
【0091】
本実施形態の電子部品装置の製造方法では、製造補助用具としてダイシングダイボンドフィルム５０をさらに使用できる。ダイシングダイボンドフィルム５０は、図１１に示すように、ダイシングテープ２０と、該ダイシングテープ２０に積層されたダイボンドシート３０と、を備える。ダイシングテープ２０は、支持層２１と、支持層２１に重なった粘着剤層２２とを有する。ダイシングダイボンドフィルム５０としては、市販されている製品を使用できる。
【0092】
上記の保護シート１を使用する電子部品装置の製造方法において、例えば基板Ｇの一方の面である保護対象面が保護シート１によって保護される。なお、基板Ｇの保護対象面は、例えば、回路が形成された回路面であってもよく、回路が形成されていない非回路面であってもよい。
【0093】
基板Ｇは、板状であればその材質は特に限定されない。基板Ｇとしては、例えば、半導体ウエハ、ＣＭＯＳ又はＭＥＭＳなどのセンサ系ウエハ、疑似ウエハ、又は配線回路基板などが挙げられる。
【0094】
以下、電子部品装置としての半導体装置を製造する方法を例に挙げて、本実施形態の電子部品装置の製造方法を詳しく説明する。
【0095】
半導体装置（電子部品装置）の製造方法において、例えば、回路面が形成された半導体ウエハＷから半導体チップＸを切り出し、切り出した半導体チップＸを有する半導体装置を組み立てる。下記の半導体装置の製造方法では、少なくとも保護シート１とダイシングダイボンドフィルム５０とを使用して半導体装置を製造する。
【0096】
一般的に、半導体装置の製造方法は、高集積の電子回路によってベアウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成された半導体ウエハＷから半導体チップＸを切り出して組立てを行う後工程とを備える。
【0097】
後工程では、例えば、回路面が形成された基板としてのウエハ（半導体ウエハＷ）を小さい半導体チップＸ（ダイ）へ小片化し、その後、小片となった半導体チップＸを被着体に接合すること等によって、半導体集積回路（半導体装置）を組み立てる。
【0098】
半導体ウエハＷは、複数の半導体チップＸを得られるように構成されている。詳しくは、半導体ウエハＷは、面に沿う複数の方向（例えば面に沿う方向であって互いに直交する方向）に間隔をそれぞれ空けるように分割されて小片化されることによって、複数の半導体チップＸを作製できるように構成されている。また、半導体ウエハＷは、回路構成要素の少なくとも１種が配置された回路面を一方の面に有する。
【0099】
近年の半導体産業においては、集積化技術のさらなる進展に伴って、より薄い半導体チップ（例えば２０μｍ以上５０μｍ以下の厚さ）が要望されている。半導体チップを厚さ方向の一方から見たときの形状は、例えば矩形状であり、一辺の長さは、例えば５ｍｍ以上２０ｍｍ以下の所定長さである。
【0100】
半導体装置の製造方法の具体的な第１例及び第２例についてそれぞれ説明する。第１例では、図１Ａに示す保護シート１を使用し、第２例では、図２Ａに示す保護シート１を使用する。
なお、第１例の製造方法の様子を示す図面には、「Ｉ」と記載している。同様に、第２例については、図面中に「II」と記載している。
なお、第１例の製造方法の様子を示す図面には、「Ｉ」と記載している。同様に、第２例については、図面中に「II」と記載している。
【0101】
「第１例の半導体装置の製造方法」
第１例の半導体装置の製造方法は、回路面が形成された半導体ウエハＷ（基板）を小片化することによって半導体チップＸを作製して、斯かる半導体チップＸを有する半導体装置を組立てる組立工程を備える。
斯かる組立工程は、半導体ウエハＷの少なくとも一方の面であって回路構成要素が配置された回路面に、該回路面を保護するための保護シート１を重ね合わせて回路面（保護対象面）を保護する保護工程と、
片面に回路面が形成された半導体ウエハＷをダイシングダイボンドフィルム５０（ダイシングテープ２０に重なったダイボンドシート３０）に貼り付けて、ダイシングダイボンドフィルム５０に半導体ウエハＷを固定するマウント工程と、
半導体ウエハＷ、保護シート１及びダイボンドシート３０の積層物を分割して小片化することによって、半導体ウエハＷが小片化した半導体チップＸと保護シートの小片とダイボンドシートの小片３０’とが重なり合った複数の小片化積層物を作製するダイシング工程と、
必要に応じて実施する、互いに隣り合う半導体チップＸの間隔を広げるエキスパンド工程と、
半導体チップＸの回路面に重なった保護層の各小片と、比較的高温の水含有液体とを接触させることによって、保護層の各小片を除去する除去工程と、
ダイシングテープ２０とダイボンドシートの小片３０’との間を剥離して、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸを取り出すピックアップ工程と、
取り出した半導体チップＸを、ダイボンドシートの小片３０’を介して被着体に接合させるダイボンド工程と、を少なくとも含む。
第１例の半導体装置の製造方法は、回路面が形成された半導体ウエハＷ（基板）を小片化することによって半導体チップＸを作製して、斯かる半導体チップＸを有する半導体装置を組立てる組立工程を備える。
斯かる組立工程は、半導体ウエハＷの少なくとも一方の面であって回路構成要素が配置された回路面に、該回路面を保護するための保護シート１を重ね合わせて回路面（保護対象面）を保護する保護工程と、
片面に回路面が形成された半導体ウエハＷをダイシングダイボンドフィルム５０（ダイシングテープ２０に重なったダイボンドシート３０）に貼り付けて、ダイシングダイボンドフィルム５０に半導体ウエハＷを固定するマウント工程と、
半導体ウエハＷ、保護シート１及びダイボンドシート３０の積層物を分割して小片化することによって、半導体ウエハＷが小片化した半導体チップＸと保護シートの小片とダイボンドシートの小片３０’とが重なり合った複数の小片化積層物を作製するダイシング工程と、
必要に応じて実施する、互いに隣り合う半導体チップＸの間隔を広げるエキスパンド工程と、
半導体チップＸの回路面に重なった保護層の各小片と、比較的高温の水含有液体とを接触させることによって、保護層の各小片を除去する除去工程と、
ダイシングテープ２０とダイボンドシートの小片３０’との間を剥離して、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸを取り出すピックアップ工程と、
取り出した半導体チップＸを、ダイボンドシートの小片３０’を介して被着体に接合させるダイボンド工程と、を少なくとも含む。
【0102】
保護工程では、半導体ウエハＷの回路面に保護シート１の第１保護層１１を重ね合わせる。半導体ウエハＷの回路面に保護シート１を重ね合わせることによって、保護シート１が除去されるまで、回路面を保護シート１によって保護できる。よって、保護シート１で覆われた半導体ウエハＷの回路面に異物等が付着することを防止できる。
【0103】
マウント工程では、まず、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けた後、エキスパンド装置の保持具ＨにダイシングリングＲを固定してもよい。その後、図３Ａに示すように、ダイシングテープ２０に重なったダイボンドシート３０に対して、半導体ウエハＷと保護シート１と第２はく離ライナー１７とを一度に貼り付ける。例えば、このようにして半導体ウエハＷをダイボンドシート３０に固定する。そして、第２はく離ライナー１７を介して保護シート１を半導体ウエハＷに押し付けることによって、上記回路面に保護シート１を感圧接着させる。
【0104】
なお、半導体ウエハＷの回路面に保護シート１を重ね合わせて保護工程を実施した後にマウント工程を実施してもよく、一方、回路面が露出した半導体ウエハＷをダイボンドシート３０に固定してマウント工程を実施した後に保護工程を実施してもよい。
【0105】
【0106】
ダイシング工程では、ブレードダイシング加工を実施する。ブレードダイシング加工では、例えば図４示すように、ダイボンドシート３０と半導体ウエハＷと保護シート１とを、ダイシングブレードＴなどによって分割して小片化し、半導体ウエハＷを小片化してなる半導体チップＸ（ダイ）を作る。
【0107】
ダイシング工程では、ダイシングブレードＴを用いて比較的硬い半導体ウエハＷを切断することに伴い、摩擦熱等によって半導体ウエハＷ等の温度が上昇する。過剰な温度上昇を抑えるために、ブレードダイシング加工中に、冷却水を保護シート１と接触させる。具体的には、保護シート１の第２保護層１２に冷却水をかけながら、ダイボンドシート３０、半導体ウエハＷ、及び保護シート１の積層物をダイシングブレードＴによって切断する。
【0108】
より詳しくは、ダイシング工程では、保護シート１及び半導体ウエハＷをダイボンドシート３０と共に所定のサイズに切断し、ダイボンドシートの小片３０’付き半導体チップＸを形成する。このとき、保護シートの小片も形成される。即ち、第１保護層の小片１１’及び第２保護層の小片１２’の積層物も形成される。ブレードダイシング加工は、例えばダイシングブレードＴを用いて、常法に従い行われる。ブレードダイシング加工では、例えばダイボンドシート３０まで切り込みを実施するフルカットと呼ばれる切断方式を採用できる。ブレードダイシング加工で使用されるダイシング装置としては、特に限定されず、従来公知の装置を使用できる。
ブレードダイシング加工では、半導体ウエハＷの切断に伴って破片などの異物が生じ得る。このとき、保護シート１によって半導体ウエハＷの保護対象面が保護されているため、保護対象面に異物が付着することを抑制できる。
ブレードダイシング加工では、半導体ウエハＷの切断に伴って破片などの異物が生じ得る。このとき、保護シート１によって半導体ウエハＷの保護対象面が保護されているため、保護対象面に異物が付着することを抑制できる。
【0109】
ダイシング工程で使用する冷却水の温度は、３０℃以下であり、好ましくは２５℃以下である。なお、冷却水の温度は、０℃以上であってもよく、５℃以上であってもよく、１０℃以上であってもよい。
【0110】
冷却水は、水を含む液体であれば特に限定されない。使用後の冷却水の廃棄処理がより簡便になるという点で、冷却水は、水を９０質量％以上含むことが好ましく、水を９５質量％以上含むことがより好ましく、水を９８質量％以上含むことがさらに好ましく、水であることが最も好ましい。
【0111】
ダイシング工程において保護シートが上記のごとき冷却水と接触しても、第２保護層１２が冷却水と接するように保護シートが配置されているため、保護シートの第１保護層１１と冷却水との接触が抑えられる。そのため、第１保護層１１が冷却水に溶解することが抑制される。従って、保護シートが冷却水と接触しても、半導体ウエハＷの保護対象面（回路面）が保護シートによって保護された状態を維持できる。
【0112】
必要に応じて実施するエキスパンド工程では、半導体ウエハＷが分割されて作製された互いに隣り合う半導体チップ（ダイ）Ｘの間隔を広げる。詳しくは、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けた後、エキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを、ダイシングダイボンドフィルム５０の下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム５０を面方向に広げるように引き延ばす。引き延ばすことにより、上記の間隔を広げる。
【0113】
除去工程では、例えば図５に示すように、４０℃以上の水含有液体と、保護シートの小片（第１保護層の小片１１’及び第２保護層の小片１２’の積層物）とを接触させて、保護シートの各小片の少なくとも一部を比較的高温の水含有液体に溶解させる。これにより、半導体チップＸの保護対象面に重なった保護シートの小片をすべて除去できる。即ち、半導体チップＸの表面（保護対象面）から第１保護層の小片１１’及び第２保護層の小片１２’の両方を除去できる。
このようにして除去工程を実施することにより、保護シートの複数の小片の全部を比較的簡便に除去できる。また、半導体チップ表面に付着した異物の数を水含有液体によって比較的簡便に減らすこともできる。また、各半導体チップＸの表面（保護対象面）を比較的高温の水含有液体で洗浄することもできる。
このようにして除去工程を実施することにより、保護シートの複数の小片の全部を比較的簡便に除去できる。また、半導体チップ表面に付着した異物の数を水含有液体によって比較的簡便に減らすこともできる。また、各半導体チップＸの表面（保護対象面）を比較的高温の水含有液体で洗浄することもできる。
【0114】
保護シートの小片と接触させる上記水含有液体の温度は、保護シートの小片をより短時間で取り除けるという点で、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましい。なお、上記水含有液体の温度は、１００℃以下であってもよい。
【0115】
除去工程では、保護シートの小片（１１’、１２’）が付着した半導体チップＸを、撹拌されている比較的高温の水含有液体のなかに浸積してもよい。又は、ノズル等から噴射された液体を、保護シートの小片に接触させてもよい。
【0116】
除去工程では、保護シート１の構成成分の全てを上記液体に溶解させることによって保護シートの複数の小片を除去してもよい。一方、保護シートの構成成分の一部を上記液体に溶解させることで、半導体チップＸとの付着力が弱くなった各小片が半導体チップＸから離れることによって保護シートの複数の小片を除去してもよい。
【0117】
例えば、除去工程では、ダイシングテープ２０を下方から支える円板状のステージを周方向に回転させつつ、ダイボンドシートの小片３０’にそれぞれ貼り付いている半導体チップＸに向けて比較的高温の水含有液体を噴射する。これにより、半導体チップＸにそれぞれ重なった保護シートの複数の小片を効率的に除去できる。
【0118】
水含有液体は、水を含む液状物質であれば、特に限定されない。斯かる液体は、水を９０質量％以上含んでもよく、９５質量％以上含んでもよく、９８質量％以上含んでもよい。水含有液体は、水であってもよい。
上記液体は、水の他に、水に溶解する成分を含んでもよい。斯かる成分としては、例えば、水溶性有機溶媒が挙げられる。斯かる水溶性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのプロパノール、又は、ｔ－ブタノールなどのブタノールといった、炭素数４以下の１価アルコールが挙げられる。
上記液体は、水の他に、水に溶解する成分を含んでもよい。斯かる成分としては、例えば、水溶性有機溶媒が挙げられる。斯かる水溶性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのプロパノール、又は、ｔ－ブタノールなどのブタノールといった、炭素数４以下の１価アルコールが挙げられる。
【0119】
ピックアップ工程を行うときに、半導体チップＸに貼り付いたダイボンドシートの小片３０’が、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２から容易に剥離される必要がある。上述したダイシングテープ２０は、このような性能を良好に発揮できるように設計されている。
例えば、ダイシングテープ２０は、活性エネルギー線（例えば紫外線）が照射されることによって、粘着剤層２２が硬化して、粘着剤層２２の粘着力が低下するように構成されている。照射後に粘着剤層２２が硬化することによって、粘着剤層２２の粘着力を下げることができるため、照射後に粘着剤層２２から半導体チップＸ及びダイボンドシートの小片３０’を比較的容易に剥離させることができる。このような構成のダイシングテープ２０は、市販されている。
例えば、ダイシングテープ２０は、活性エネルギー線（例えば紫外線）が照射されることによって、粘着剤層２２が硬化して、粘着剤層２２の粘着力が低下するように構成されている。照射後に粘着剤層２２が硬化することによって、粘着剤層２２の粘着力を下げることができるため、照射後に粘着剤層２２から半導体チップＸ及びダイボンドシートの小片３０’を比較的容易に剥離させることができる。このような構成のダイシングテープ２０は、市販されている。
【0120】
ピックアップ工程では、図６に示すように、半導体チップＸに貼り付いたダイボンドシートの小片３０’を、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＸを、ダイシングテープ２０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップＸ及びダイボンドシートの小片３０’を吸着治具Ｊによって保持する。このようにして、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態で半導体チップ（ダイ）を取り出す。
【0121】
ダイボンド工程では、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸを被着体Ｚに接合させる。換言すると、ダイボンドシートの小片３０’を介して、半導体チップＸを基板又は半導体チップＸなどの被着体に接合させる。なお、ダイボンド工程では、図７に示すように、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸの複数を積み重ねていくことがある。
なお、被着体Ｚとしては、例えば、インターポーザ、配線回路基板、又は、基板の小片（基板の小片を積み重ねて積層させる場合）などが挙げられる。
なお、被着体Ｚとしては、例えば、インターポーザ、配線回路基板、又は、基板の小片（基板の小片を積み重ねて積層させる場合）などが挙げられる。
【0122】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、さらに、被着体に接着したダイボンドシート３０を硬化させるキュアリング工程と、半導体チップ（ダイ）における電子回路の電極と被着体とをワイヤによって電気的に接続するワイヤボンディング工程と、被着体上の半導体チップ（ダイ）及びワイヤを熱硬化性樹脂によって封止する封止工程と、を有し得る。
【0123】
ダイボンド工程の後のキュアリング工程では、ダイボンドシート３０の硬化を進行させるために、例えば１００℃以上１８０℃以下の温度で加熱処理を行ってもよい。
【0124】
キュアリング工程の後のワイヤボンディング工程では、半導体チップＸ（ダイ）と被着体Ｚとを加熱しつつワイヤＬで接続してもよい。
【0125】
上記ワイヤボンディング工程の後の封止工程では、図８に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂Ｍによって半導体チップＸ（ダイ）とダイボンドシートの小片３０’とを封止する（覆う）。このとき、熱硬化性樹脂Ｍの硬化反応を進行させるために、例えば１００℃以上１８０℃以下の温度で加熱処理を行ってもよい。
【0126】
次に、第２例の半導体装置の製造方法について説明する。第２例の製造方法は、第１例の製造方法と類似するが、粘着テープ１３を有する保護シート１（図２Ａ参照）を使用する点で、第１例の製造方法と異なる。具体的には、保護工程とマウント工程との間に、粘着テープ１３を有する保護シート１を用いてバックグラインド工程を実施する点などで、第１例の製造方法と異なる。
【0127】
「第２例の半導体装置の製造方法」
第２例の半導体装置の製造方法は、例えば、バックグラインドテープなどの粘着テープ１３を有する保護シート１を半導体ウエハＷの保護対象面に重ねる保護工程と、保護シート１を貼り付けた半導体ウエハＷを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、厚さが薄くなった半導体ウエハＷの片面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンドシート３０に貼り付けて、ダイシングテープ２０に半導体ウエハを固定するマウント工程と、上記と同様のダイシング工程と、必要に応じて実施する上記と同様のエキスパンド工程と、上記と同様の除去工程と、上記と同様のピックアップ工程と、上記と同様のダイボンド工程と、を少なくとも備える。
第２例の半導体装置の製造方法は、例えば、バックグラインドテープなどの粘着テープ１３を有する保護シート１を半導体ウエハＷの保護対象面に重ねる保護工程と、保護シート１を貼り付けた半導体ウエハＷを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、厚さが薄くなった半導体ウエハＷの片面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンドシート３０に貼り付けて、ダイシングテープ２０に半導体ウエハを固定するマウント工程と、上記と同様のダイシング工程と、必要に応じて実施する上記と同様のエキスパンド工程と、上記と同様の除去工程と、上記と同様のピックアップ工程と、上記と同様のダイボンド工程と、を少なくとも備える。
【0128】
バックグラインド工程では、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、粘着テープ１３（例えばバックグラインドテープ）を貼り付けた状態の半導体ウエハＷに対して研削加工を施し、後のダイシング工程によって作製されるチップ（ダイ）の厚さになるまで（図９Ｃ参照）半導体ウエハＷの厚さを薄くする。
【0129】
バックグラインド工程で使用する保護シート１は、粘着層１３ｂを有するため、粘着層１３ｂが第２保護層１２と強く粘着することができる。そのため、図９Ｂに示すように、バックグラインド加工時に半導体ウエハＷを通じて比較的強い力が与えられたとしても、保護シート１の粘着層１３ｂと、隣接する層との間の剥離が抑制される。従って、バックグラインド加工を安定的に実施できる。
【0130】
マウント工程では、上述した第１例の製造方法と同様にして、半導体ウエハＷをダイシングテープ２０に固定する（図１０Ａ参照）。次に、半導体ウエハＷから粘着テープ１３（例えばバックグラインドテープ）を剥離する（図１０Ｂ参照）。
半導体ウエハＷから粘着テープ１３（例えばバックグラインドテープ）を剥離するときに、上述したように粘着層１３ｂを硬化させることによって、上記剥離を容易に行うことができる。
半導体ウエハＷから粘着テープ１３（例えばバックグラインドテープ）を剥離するときに、上述したように粘着層１３ｂを硬化させることによって、上記剥離を容易に行うことができる。
【0131】
その後の各工程は、上述した第１例の製造方法と同様にして実施できる。
【0132】
本実施形態の保護シート及び電子部品装置の製造方法は上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示の保護シート及び電子部品装置の製造方法に限定されない。
即ち、一般的な保護シート及び電子部品装置の製造方法において用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。
即ち、一般的な保護シート及び電子部品装置の製造方法において用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。
【0133】
本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
（１）
電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、
前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む、保護シート。
（２）
前記第１保護層は、前記水溶性高分子化合物として、ポリビニルアルコール及びポリエチレンオキシドのうちの少なくとも一方を含む、上記（１）に記載の保護シート。
（３）
前記第１保護層の表面における水の接触角が２５°以上４５°以下であり、前記第２保護層の表面における水の接触角が６０°以上８０°以下である、上記（１）又は（２）に記載の保護シート。
（４）
基材層と、該基材層の片面に重なる粘着層とを有する粘着テープをさらに備え、
前記粘着テープは、前記粘着層が前記第２保護層と重なり合うように配置されている、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の保護シート。
（５）
シリコンウエハに対する前記第１保護層のせん断接着力は、２５ｍｍ２の接着面積で２５℃において０．２０ＭＰａ以上である、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の保護シート。
（６）
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを有し、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む、電子部品装置の製造方法。
（１）
電子部品の保護対象面を保護する保護シートであって、
前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含む、保護シート。
（２）
前記第１保護層は、前記水溶性高分子化合物として、ポリビニルアルコール及びポリエチレンオキシドのうちの少なくとも一方を含む、上記（１）に記載の保護シート。
（３）
前記第１保護層の表面における水の接触角が２５°以上４５°以下であり、前記第２保護層の表面における水の接触角が６０°以上８０°以下である、上記（１）又は（２）に記載の保護シート。
（４）
基材層と、該基材層の片面に重なる粘着層とを有する粘着テープをさらに備え、
前記粘着テープは、前記粘着層が前記第２保護層と重なり合うように配置されている、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の保護シート。
（５）
シリコンウエハに対する前記第１保護層のせん断接着力は、２５ｍｍ２の接着面積で２５℃において０．２０ＭＰａ以上である、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の保護シート。
（６）
電子部品の保護対象面に保護シートを貼り合わせる工程と、
３０℃以下の冷却水を前記保護シートに接触させつつ前記電子部品及び前記保護シートを共に複数の小片へと切断する工程と、
前記電子部品の小片の保護対象面から前記保護シートの小片を除去する工程と、を備え、
前記保護シートは、前記保護対象面に貼り合わされる第１保護層と、該第１保護層の片面に重なる第２保護層とを有し、
前記第１保護層は、水溶性高分子化合物を含み、前記第２保護層は、親水性ポリエステル化合物を含み、
前記除去する工程は、４０℃以上の水含有液体で前記保護シートの小片の少なくとも一部を溶解させることによって、前記保護シートの小片を除去することを含む、電子部品装置の製造方法。
【実施例0134】
次に、実験例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【0135】
以下の各原料を用いて、表１にそれぞれ示す保護シートを製造した。
【0136】
＜第１保護層の原料＞
（水溶性高分子化合物）
［Ａ－１］
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
製品名「ＪＭＲ－３Ｍ」日本酢ビ・ポバール社製
（けん化度：６０、重合度：１００）
［Ａ－２］
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
製品名「ＪＭＲ－３Ｈ」日本酢ビ・ポバール社製
（けん化度：８０、重合度：１００）
［Ａ－３］
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
製品名「ＪＭＲ－１０Ｌ」日本酢ビ・ポバール社製
（けん化度：３５、重合度：２５０）
（水溶性高分子化合物）
［Ａ－１］
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
製品名「ＪＭＲ－３Ｍ」日本酢ビ・ポバール社製
（けん化度：６０、重合度：１００）
［Ａ－２］
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
製品名「ＪＭＲ－３Ｈ」日本酢ビ・ポバール社製
（けん化度：８０、重合度：１００）
［Ａ－３］
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
製品名「ＪＭＲ－１０Ｌ」日本酢ビ・ポバール社製
（けん化度：３５、重合度：２５０）
【0137】
＜第２保護層の原料＞
（親水性ポリエステル化合物）
［Ｂ－１］
－ＳＯ３Ｎａを分子中に有する親水性ポリエステル化合物
製品名「プラスコート Ｚ－２２１」互応化学工業社製
（ガラス転移点Ｔｇ：４７℃、軟化点：１３５～１４０℃、酸価：５mgKOH/g未満）
［Ｂ－２］
－ＳＯ３Ｎａを分子中に有する親水性ポリエステル化合物
製品名「プラスコート Ｚ－４４６」互応化学工業社製
（分子中の－ＳＯ３Ｎａが上記Ｂ－１よりも少ない）
（ガラス転移点Ｔｇ：４７℃、軟化点：１１５～１２５℃、酸価：５mgKOH/g未満）
（親水性ポリエステル化合物）
［Ｂ－１］
－ＳＯ３Ｎａを分子中に有する親水性ポリエステル化合物
製品名「プラスコート Ｚ－２２１」互応化学工業社製
（ガラス転移点Ｔｇ：４７℃、軟化点：１３５～１４０℃、酸価：５mgKOH/g未満）
［Ｂ－２］
－ＳＯ３Ｎａを分子中に有する親水性ポリエステル化合物
製品名「プラスコート Ｚ－４４６」互応化学工業社製
（分子中の－ＳＯ３Ｎａが上記Ｂ－１よりも少ない）
（ガラス転移点Ｔｇ：４７℃、軟化点：１１５～１２５℃、酸価：５mgKOH/g未満）
【0138】
＜第１はく離ライナー及び第２はく離ライナー＞
（第１はく離ライナー）
表面が離型処理されたＰＥＴフィルム
三菱ケミカル社製 製品名「ダイアホイル ＭＲＡ５０」厚さ５０μｍ
（第２はく離ライナー）
表面が離型処理されたＰＥＴフィルム
三菱ケミカル社製 製品名「ダイアホイル ＭＲＡ５０」厚さ２５μｍ）
（第１はく離ライナー）
表面が離型処理されたＰＥＴフィルム
三菱ケミカル社製 製品名「ダイアホイル ＭＲＡ５０」厚さ５０μｍ
（第２はく離ライナー）
表面が離型処理されたＰＥＴフィルム
三菱ケミカル社製 製品名「ダイアホイル ＭＲＡ５０」厚さ２５μｍ）
【0139】
各実施例及び各比較例における保護シートの構成を表１にそれぞれ示す。
【0140】
（実施例１～３）
各水溶性高分子化合物を水に分散させ、さらに９０℃に加熱し、撹拌することによって各水溶性高分子化合物の水溶液を調製した。次に、アプリケータを用いて、各第１はく離ライナーの片面（離型処理面）に、上記の水溶液を塗工した。１１０℃で２分間乾燥することにより、第１はく離ライナー上に第１保護層を形成した。このようにして、表１に示す構成の第１保護層（１０μｍ厚さ）を製造した。
一方、各親水性ポリエステル化合物を水に分散させ、さらに９０℃に加熱し、撹拌することによって各親水性ポリエステル化合物の溶解液を調製した。次に、アプリケータを用いて、各第２はく離ライナーの片面（離型処理面）に、上記の溶解液を塗工した。１１０℃で２分間乾燥することにより、第２はく離ライナー上に第２保護層を形成した。このようにして、表１に示す構成の第２保護層を製造した。
次に、第１保護層及び第１はく離ライナーの積層物と、第２保護層及び第２はく離ライナーの積層物とを重ね合わせた。なお、７０℃の温度条件、１０ｍｍ／秒の速度条件で重ね合わせた。重ね合わせるときに、第１保護層及び第２保護層が互いに直接接触するように配置し、これらの保護層を第１はく離ライナー及び第２はく離ライナーの間で挟み込んだ。
（比較例１～３）
第２保護層を実施例１の第１保護層と同様にして形成し、表１に示す構成の各保護シートを製造した。
各水溶性高分子化合物を水に分散させ、さらに９０℃に加熱し、撹拌することによって各水溶性高分子化合物の水溶液を調製した。次に、アプリケータを用いて、各第１はく離ライナーの片面（離型処理面）に、上記の水溶液を塗工した。１１０℃で２分間乾燥することにより、第１はく離ライナー上に第１保護層を形成した。このようにして、表１に示す構成の第１保護層（１０μｍ厚さ）を製造した。
一方、各親水性ポリエステル化合物を水に分散させ、さらに９０℃に加熱し、撹拌することによって各親水性ポリエステル化合物の溶解液を調製した。次に、アプリケータを用いて、各第２はく離ライナーの片面（離型処理面）に、上記の溶解液を塗工した。１１０℃で２分間乾燥することにより、第２はく離ライナー上に第２保護層を形成した。このようにして、表１に示す構成の第２保護層を製造した。
次に、第１保護層及び第１はく離ライナーの積層物と、第２保護層及び第２はく離ライナーの積層物とを重ね合わせた。なお、７０℃の温度条件、１０ｍｍ／秒の速度条件で重ね合わせた。重ね合わせるときに、第１保護層及び第２保護層が互いに直接接触するように配置し、これらの保護層を第１はく離ライナー及び第２はく離ライナーの間で挟み込んだ。
（比較例１～３）
第２保護層を実施例１の第１保護層と同様にして形成し、表１に示す構成の各保護シートを製造した。
【0141】
【表1】
【0142】
［第１保護層及び第２保護層の物性（水の接触角）測定］
上述した測定方法によって水の接触角を測定した。測定結果は、以下の通りであった。
・上記［Ａ－１］のみで形成された第１保護層表面における水の接触角（２５℃）
４０．８°
・上記［Ａ－３］のみで形成された第１保護層表面における水の接触角（２５℃）
７９．５°
・上記［Ｂ－１］のみで形成された第２保護層表面における水の接触角（２５℃）
６８．４°
・上記［Ｂ－２］のみで形成された第２保護層表面における水の接触角（２５℃）
７４．７°
・上記［Ａ－２］のみで形成された第２保護層表面における水の接触角（２５℃）
４０．６°
上述した測定方法によって水の接触角を測定した。測定結果は、以下の通りであった。
・上記［Ａ－１］のみで形成された第１保護層表面における水の接触角（２５℃）
４０．８°
・上記［Ａ－３］のみで形成された第１保護層表面における水の接触角（２５℃）
７９．５°
・上記［Ｂ－１］のみで形成された第２保護層表面における水の接触角（２５℃）
６８．４°
・上記［Ｂ－２］のみで形成された第２保護層表面における水の接触角（２５℃）
７４．７°
・上記［Ａ－２］のみで形成された第２保護層表面における水の接触角（２５℃）
４０．６°
【0143】
［第１保護層及び第２保護層の物性（せん断接着力）測定］
上述した測定方法に従って、第１保護層及び第２保護層の各せん断接着力を測定した。測定結果は、以下の通りであった。
・上記［Ａ－１］のみで形成された第１保護層のせん断接着力（２５℃）
０．４６ＭＰａ
・上記［Ａ－３］のみで形成された第１保護層のせん断接着力（２５℃）
１．２１ＭＰａ
・上記［Ｂ－１］のみで形成された第２保護層のせん断接着力（２５℃）
０．０６ＭＰａ
・上記［Ｂ－２］のみで形成された第２保護層のせん断接着力（２５℃）
０．０５ＭＰａ
・上記［Ａ－２］のみで形成された第２保護層のせん断接着力（２５℃）
０．０８ＭＰａ
上述した測定方法に従って、第１保護層及び第２保護層の各せん断接着力を測定した。測定結果は、以下の通りであった。
・上記［Ａ－１］のみで形成された第１保護層のせん断接着力（２５℃）
０．４６ＭＰａ
・上記［Ａ－３］のみで形成された第１保護層のせん断接着力（２５℃）
１．２１ＭＰａ
・上記［Ｂ－１］のみで形成された第２保護層のせん断接着力（２５℃）
０．０６ＭＰａ
・上記［Ｂ－２］のみで形成された第２保護層のせん断接着力（２５℃）
０．０５ＭＰａ
・上記［Ａ－２］のみで形成された第２保護層のせん断接着力（２５℃）
０．０８ＭＰａ
【0144】
＜ダイシング性＞
シリコンベアウエハの表面に上記の各保護シートを貼り付けたうえで、下記の条件でブレードダイシング加工を実施した。なお、保護シートの第１保護層をベアウエハに貼り付け、第２保護層の片面が露出した状態でブレードダイシング加工を実施した。
ウエハ厚さ：２００μｍ
シングルカット
ブレード：ZH05 SD-3000-N1-70 CC
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
回転数：４５０００ｒｐｍ
水量：０．５Ｌ／ｍｉｎ
冷却水の温度：２３℃
ブレードダイシング加工後に分割された保護シートの各小片において、エッジ（端縁）からはく離している長さ（めくれている部分のエッジからの長さ）を観察した。つまり、ウエハの露出程度を観察した。そして、以下の判断基準によって評価した。
５００μｍ以下：良好（○）
５００μｍ以上１ｍｍ以下：やや良好（△）
１ｍｍ以上：不良（×）
＜温水除去性能＞
上記のブレードダイシング加工後に、５０℃の温水（流水）を用いて６０秒間の流水洗浄処理を実施することによって、保護シートの複数の小片を除去する操作を行った。
その後、チップ上の糊残りを確認した。
糊が残った場合：不良（×）
保護シートの小片がわずかに残った場合：やや良好（△）
保護シートの小片が残らなかった場合：良好（〇）
結果を表１に示す。
シリコンベアウエハの表面に上記の各保護シートを貼り付けたうえで、下記の条件でブレードダイシング加工を実施した。なお、保護シートの第１保護層をベアウエハに貼り付け、第２保護層の片面が露出した状態でブレードダイシング加工を実施した。
ウエハ厚さ：２００μｍ
シングルカット
ブレード：ZH05 SD-3000-N1-70 CC
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
回転数：４５０００ｒｐｍ
水量：０．５Ｌ／ｍｉｎ
冷却水の温度：２３℃
ブレードダイシング加工後に分割された保護シートの各小片において、エッジ（端縁）からはく離している長さ（めくれている部分のエッジからの長さ）を観察した。つまり、ウエハの露出程度を観察した。そして、以下の判断基準によって評価した。
５００μｍ以下：良好（○）
５００μｍ以上１ｍｍ以下：やや良好（△）
１ｍｍ以上：不良（×）
＜温水除去性能＞
上記のブレードダイシング加工後に、５０℃の温水（流水）を用いて６０秒間の流水洗浄処理を実施することによって、保護シートの複数の小片を除去する操作を行った。
その後、チップ上の糊残りを確認した。
糊が残った場合：不良（×）
保護シートの小片がわずかに残った場合：やや良好（△）
保護シートの小片が残らなかった場合：良好（〇）
結果を表１に示す。
【0145】
上記の結果から把握されるように、実施例の保護シートは、２３℃の冷却水と接触しつつ切断されても除去されなかった一方で、５０℃の温水では容易に除去された。これに対して、比較例１では、冷却水と接触しつつ切断された保護シートは、保護対象面との密着力が弱いため保護対象面から剥離した。比較例２では、冷却水と接触しつつ切断された保護シートは、冷却水への溶解に伴って保護対象面から剥離した。比較例３では、５０℃の温水に接触しても保護シートが十分に除去されなかった。
【0146】
実施例の保護シートは、水溶性高分子化合物を含む第１保護層と、親水性ポリエステル化合物を含む第２保護層とを備える。
このような実施例の保護シートを、電子部品装置の製造において使用することによって、電子部品装置を効率良く製造することができる。
例えば、実施例のごとき保護シートは、半導体ウエハにおける電子回路が形成された回路面を保護するために使用され、ダイシング加工されるときに冷却水と接触しつつ切断されても保護対象面の保護を十分に維持でき、しかも、保護した後に、比較的高温の水含有液体によって除去される。よって、実施例のごとき保護シートを使用することにより、電子部品装置を効率良く製造することができる。
このような実施例の保護シートを、電子部品装置の製造において使用することによって、電子部品装置を効率良く製造することができる。
例えば、実施例のごとき保護シートは、半導体ウエハにおける電子回路が形成された回路面を保護するために使用され、ダイシング加工されるときに冷却水と接触しつつ切断されても保護対象面の保護を十分に維持でき、しかも、保護した後に、比較的高温の水含有液体によって除去される。よって、実施例のごとき保護シートを使用することにより、電子部品装置を効率良く製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【0147】
本発明の保護シートは、例えば、半導体装置などの電子部品装置を製造するときの補助用具として、好適に使用される。
本発明の電子部品装置の製造方法は、例えば、半導体装置などの電子部品装置を製造するときに、好適に使用される。
本発明の電子部品装置の製造方法は、例えば、半導体装置などの電子部品装置を製造するときに、好適に使用される。
【符号の説明】
【0148】
１：保護シート、
１１：第１保護層、 １２：第２保護層、
１３：粘着テープ、 １３ａ：基材層、 １３ｂ：粘着層、
１５：第１はく離ライナー、 １７：第２はく離ライナー、
２０：ダイシングテープ、 ２１：支持層、 ２２：粘着剤層、
３０：ダイボンドシート、 ５０：ダイシングダイボンドフィルム。
１１：第１保護層、 １２：第２保護層、
１３：粘着テープ、 １３ａ：基材層、 １３ｂ：粘着層、
１５：第１はく離ライナー、 １７：第２はく離ライナー、
２０：ダイシングテープ、 ２１：支持層、 ２２：粘着剤層、
３０：ダイボンドシート、 ５０：ダイシングダイボンドフィルム。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図10A】
【図10B】
【図11】
