特開 2024-135267 電子装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024135267

(43)【公開日】2024-10-04

(54)【発明の名称】電子装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01J 37/147 20060101AFI20240927BHJP

【ＦＩ】

H01J37/147

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023045871

(22)【出願日】2023-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】齋藤 友博

【テーマコード（参考）】

5C101

【Ｆターム（参考）】

5C101AA03

5C101AA27

5C101BB04

5C101EE17

5C101EE22

5C101EE65

5C101EE66

5C101HH11

5C101LL04

(57)【要約】

【課題】高い信頼性の電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電子装置は、基板と、電極と、対向部と、を備える。前記基板は、貫通孔を有する。前記電極は、前記貫通孔内において前記基板に設けられ、前記貫通孔の軸方向に沿って延びる。前記対向部は、前記基板に設けられ、前記電極よりも前記貫通孔の幅方向の中心に近い位置に配置され、前記幅方向において前記電極の前記軸方向の一端側の一部と対向する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔内において前記基板に設けられ、前記貫通孔の軸方向に沿って延びる電極と、
前記基板に設けられ、前記電極よりも前記貫通孔の幅方向の中心に近い位置に配置され、前記幅方向において前記電極の前記軸方向の一端側の一部と対向する対向部と、
を備えた電子装置。

【請求項2】

前記電極は、中空状である請求項１記載の電子装置。

【請求項3】

前記貫通孔内に設けられた複数の前記電極を備えた請求項１記載の電子装置。

【請求項4】

複数の前記電極を備え、
前記基板は、複数の前記貫通孔を有し、
複数の前記電極は、複数の前記貫通孔のそれぞれに設けられる請求項１記載の電子装置。

【請求項5】

前記対向部の材料は、前記基板の材料と同じである請求項１記載の電子装置。

【請求項6】

前記対向部の材料は、前記基板の材料と異なる請求項１記載の電子装置。

【請求項7】

前記貫通孔の前記軸方向の一端側の幅は、前記貫通孔の前記軸方向の他端側の幅と異なる請求項１記載の電子装置。

【請求項8】

前記対向部は、前記基板と電気的に接続され、前記幅方向において前記電極と所定の間隔を空けて配置されている請求項１記載の電子装置。

【請求項9】

前記基板は、
前記貫通孔の前記軸方向の一端側の第１面と、
前記貫通孔の前記軸方向の他端側の第２面と、
前記第１面と前記第２面との間において前記貫通孔を所定の幅に設定する第１部分と、
前記第１部分と前記第２面との間において前記貫通孔の幅を前記第１部分における前記貫通孔の幅よりも狭くする第２部分と、
を有し、
前記電極は、前記貫通孔内において前記第１部分に設けられ、
前記対向部は、前記電極よりも前記幅方向の中心に近い位置から前記貫通孔の前記一端側に向かって延びるように前記第２部分に設けられる請求項１記載の電子装置。

【請求項10】

前記基板は、前記第２部分と前記第２面との間において前記貫通孔の幅を前記第２部分における前記貫通孔の幅よりも広くする第３部分をさらに有する請求項９記載の電子装置。

【請求項11】

前記基板は、前記第１部分と前記電極との間に設けられた絶縁層を有する請求項９記載の電子装置。

【請求項12】

前記絶縁層は、前記第２部分と前記電極との間、及び前記対向部と前記電極との間に延在する請求項１１記載の電子装置。

【請求項13】

前記第２部分は、前記第１部分から前記第２面に向かうに従って前記貫通孔の幅を広くする請求項９記載の電子装置。

【請求項14】

前記電極の前記一部と対向する部分における前記対向部の前記軸方向の長さは、前記幅方向における前記対向部と前記基板本体との間の距離よりも長い請求項１記載の電子装置。

【請求項15】

第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有する基板の前記第１面側に第１溝を形成する工程と、
前記第１溝の内部に導電部を形成する工程と、
前記基板の前記第１面側に前記導電部と並べて第２溝を形成し、前記導電部の少なくとも一部を前記第２溝側に露出させるとともに、前記導電部と前記第２溝とが並ぶ方向において前記導電部の前記第２面側の一部と対向する対向部を前記導電部の前記第２溝側に形成する工程と、
前記基板の前記第１面側に接着剤を介して支持基板を接着する工程と、
前記基板の前記第２面側に前記第２溝まで到達する第３溝を形成することにより、前記基板を貫通する貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔内において前記基板に設けられ、前記貫通孔の軸方向に沿って延びる電極を前記導電部から形成する工程と、
前記支持基板及び前記接着剤を除去する工程と、
を有する電子装置の製造方法。

【請求項16】

前記貫通孔を形成する前記工程は、前記対向部の少なくとも一部を残すことを含む請求項１５記載の電子装置の製造方法。

【請求項17】

前記貫通孔を形成する前記工程は、前記第３溝の形成により、前記対向部を除去することを含む請求項１５記載の電子装置の製造方法。

【請求項18】

前記第２溝及び前記対向部を形成する前記工程は、前記第１溝の深さよりも浅い第１凹部を形成し、前記第１凹部の幅よりも幅が狭く、前記第１溝の深さよりも深い第２凹部を前記第１凹部内に形成することにより、前記第１凹部と前記第２凹部とによって前記第２溝を形成するとともに、前記導電部と前記第２凹部との間に残る前記基板の一部を前記対向部として形成することを含む請求項１５記載の電子装置の製造方法。

【請求項19】

前記貫通孔を形成する前記工程は、前記第３溝の幅を前記第２溝の前記第２凹部の幅よりも広くすることを含む請求項１８記載の電子装置の製造方法。

【請求項20】

前記第２溝及び前記対向部を形成する前記工程は、前記第２溝の深さを前記第１溝の深さよりも浅く形成し、前記第２溝と前記第２面との間に残る前記基板の一部を前記対向部として形成することを含む請求項１５記載の電子装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、電子装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

貫通孔を有する基板と、貫通孔内に設けられた電極と、を備えた電子装置がある。こうした電子装置において、高い信頼性が望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－６８５０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、高い信頼性の電子装置及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態によれば、電子装置は、基板と、電極と、対向部と、を備える。前記基板は、貫通孔を有する。前記電極は、前記貫通孔内において前記基板に設けられ、前記貫通孔の軸方向に沿って延びる。前記対向部は、前記基板に設けられ、前記電極よりも前記貫通孔の幅方向の中心に近い位置に配置され、前記幅方向において前記電極の前記軸方向の一端側の一部と対向する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１の実施形態に係る電子装置を模式的に表す断面図である。

【図2】第１の実施形態に係る電子装置の一部を模式的に表す平面図である。

【図3】第１の実施形態に係る電子装置の一部を模式的に表す断面図である。

【図4】図４（ａ）～図４（ｆ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。

【図5】図５（ａ）～図５（ｆ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。

【図6】電子装置の参考の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。

【図7】図７（ａ）～図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す平面図である。

【図8】第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。

【図9】第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。

【図10】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。

【図11】第２の実施形態に係る電子装置を模式的に表す断面図である。

【図12】図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、第２の実施形態に係る電子装置の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。

【図13】第２の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。

【図14】第２の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る電子装置を模式的に表す断面図である。
図２は、第１の実施形態に係る電子装置の一部を模式的に表す平面図である。
図１及び図２に表したように、電子装置１０は、基板１２と、電極２１、２２と、を備える。図２は、図１の上方側から見た電子装置１０の一部を模式的に表す平面図である。

【0009】

基板１２は、基板本体１４と、基板本体１４に設けられた貫通孔１６と、を有する。基板本体１４は、第１面１４ａと、第２面１４ｂと、を有する。第１面１４ａは、貫通孔１６の軸方向の一端側の面である。第２面１４ｂは、貫通孔１６の軸方向の他端側の面である。第２面１４ｂは、換言すれば、第１面１４ａと反対側の面である。貫通孔１６は、基板本体１４の第１面１４ａ側と第２面１４ｂ側とを連通させるように、基板本体１４を貫通する。

【0010】

電極２１、２２は、貫通孔１６内において基板本体１４（基板１２）に設けられ、貫通孔１６の軸方向に沿って延びる。貫通孔１６の軸方向は、換言すれば、貫通孔１６が基板本体１４を貫通する方向である。図１において、貫通孔１６の軸方向は、紙面の上下方向である。

【0011】

第２面１４ｂは、例えば、第１面１４ａと略平行である。貫通孔１６は、例えば、第１面１４ａ及び第２面１４ｂと直交する方向に延びる。貫通孔１６の軸方向は、換言すれば、第１面１４ａ及び第２面１４ｂと直交する方向である。電極２１、２２は、換言すれば、第１面１４ａ及び第２面１４ｂと直交する方向に延びる。

【0012】

但し、貫通孔１６の延びる方向は、第１面１４ａ及び第２面１４ｂに対して厳密に垂直な方向に限ることなく、少なくとも第１面１４ａ及び第２面１４ｂに対して垂直に延びる成分を有していればよい。貫通孔１６は、例えば、第１面１４ａ及び第２面１４ｂに対して傾斜した状態で、第１面１４ａ及び第２面１４ｂと直交する方向（図１の紙面の上下方向）に延びてもよい。電極２１、２２の延びる方向についても同様である。貫通孔１６、電極２１、２２の延びる方向は、異なってもよい。

【0013】

電極２１、２２は、例えば、第１面１４ａ側に寄せて配置される。電極２１、２２は、例えば、第１面１４ａ側から第２面１４ｂ側に向けて延びるように設けられる。電極２１、２２の第１面１４ａ側の端部は、例えば、第１面１４ａに近接して配置される。電極２１、２２の第１面１４ａ側の端部と第１面１４ａとの間の距離は、例えば、電極２１、２２の第２面１４ｂ側の端部と第２面１４ｂとの間の距離よりも短い。

【0014】

電子装置１０は、貫通孔１６内に設けられた複数の電極２１、２２を備える。電子装置１０は、例えば、一対の電極２１、２２を備える。一対の電極２１、２２は、例えば、貫通孔１６を挟んで互いに対向するように配置される。換言すれば、一対の電極２１、２２は、例えば、貫通孔１６の幅方向の両側に配置される。貫通孔１６の幅方向は、貫通孔１６の軸方向と直交する方向である。図１において、貫通孔１６の幅方向は、紙面の左右方向である。

【0015】

一対の電極２１、２２は、例えば、貫通孔１６の軸方向に沿って延びるとともに、貫通孔１６の周方向に延びる板状の電極である。貫通孔１６の周方向は、換言すれば、軸方向を軸とする軸回りの方向である。貫通孔１６の周方向は、例えば、図１において紙面と直交する方向である。

【0016】

電子装置１０は、例えば、貫通孔１６内を通過する電子線の制御に用いられる。電子装置１０は、例えば、一対の電極２１、２２間に印加する電圧の大きさを制御することにより、貫通孔１６内を通過する電子線の進む方向を制御する。電子装置１０は、例えば、電子線で表面観察を行う電子顕微鏡や、マスクやウェハに微細パターンを描画する電子線描画装置、あるいは表面を電子線で走査して欠陥を検出する検査装置など、電子線を制御して対象物に照射し、観察、加工などを行う装置に適用される。電子装置１０は、例えば、静電レンズや偏向器などの電子線制御装置である。

【0017】

但し、電子装置１０の用途は、上記に限定されるものではない。電子装置１０は、基板１２の貫通孔１６内に設けられた電極を必要とする任意の装置に適用可能である。また、貫通孔１６内に設けられる電極の数は、２つに限ることなく、３つ以上でもよい。貫通孔１６内に設けられる電極の数は、１つでもよい。貫通孔１６内に設けられる電極の数は、電子装置１０の用途などに応じて適宜設定すればよい。

【0018】

電子装置１０は、対向部１８をさらに備える。対向部１８は、基板本体１４（基板１２）に設けられ、電極２１、２２よりも貫通孔１６の幅方向の中心に近い位置に配置され、幅方向において電極２１、２２の軸方向の一端側の一部と対向する。換言すれば、基板１２は、基板本体１４に設けられた対向部１８を有する。

【0019】

対向部１８は、換言すれば、電極２１、２２の第２面１４ｂ側の一部と対向する。対向部１８の第１面１４ａ側の端部は、例えば、電極２１、２２の軸方向の両端部の間に位置する。対向部１８は、幅方向において、電極２１、２２の第１面１４ａ側の一部とは対向しない。電極２１、２２の第１面１４ａ側の一部は、貫通孔１６の幅方向において、貫通孔１６の内部の空間と対面する。

【0020】

電極２１、２２は、貫通孔１６の中心側を向く面を有する。電極２１、２２の貫通孔１６の中心側を向く面の第２面１４ｂ側の一部は、幅方向において対向部１８と対向する。電極２１、２２の貫通孔１６の中心側を向く面の残りの部分は、幅方向において、別の部材に覆われることなく、貫通孔１６の内部の空間と対面する。

【0021】

基板本体１４（基板１２）は、第１部分３１と、第２部分３２と、を有する。第１部分３１は、第１面１４ａと第２面１４ｂとの間において貫通孔１６を所定の幅に設定する。第２部分３２は、第１部分３１と第２面１４ｂとの間において貫通孔１６の幅を第１部分３１における貫通孔１６の幅よりも狭くする。

【0022】

また、この例において、基板本体１４は、第２部分３２と第２面１４ｂとの間において貫通孔１６の幅を第２部分３２における貫通孔１６の幅よりも広くする第３部分３３をさらに有する。

【0023】

電極２１、２２は、例えば、貫通孔１６内において第１部分３１に設けられる。対向部１８は、例えば、電極２１、２２よりも貫通孔１６の幅方向の中心に近い位置から貫通孔１６の一端側（第１面１４ａ側）に向かって延びるように第２部分３２に設けられる。これにより、上記のように、対向部１８を電極２１、２２の軸方向の一端側の一部と対向させることができる。

【0024】

図２に表したように、対向部１８は、貫通孔１６の周方向に沿って延び、一対の電極２１、２２のそれぞれの軸方向の一端側の一部と対向する。

【0025】

図２に表したように、貫通孔１６を軸方向に見た形状（第１面１４ａ側から見た形状）は、例えば、四角形状である。貫通孔１６は、例えば、断面略四角形状の貫通孔である。対向部１８を軸方向に見た形状は、例えば、貫通孔１６の周方向に沿って延びる略四角形の枠状である。電極２１、２２を軸方向に見た形状は、例えば、四角形状の貫通孔１６の対向する２つの辺に沿って延びるように配置された板状である。

【0026】

このように、この例では、１つの対向部１８が、一対の電極２１、２２のそれぞれの軸方向の一端側の一部と対向する。これに限ることなく、一対の電極２１、２２のそれぞれに対応する一対の対向部１８を基板本体１４に設けてもよい。換言すれば、基板１２は、複数の電極２１、２２のそれぞれに対応する複数の対向部１８を有してもよい。

【0027】

また、貫通孔１６を軸方向に見た形状は、四角形状に限ることなく、例えば、他の多角形状、円形状、楕円形状などでもよい。貫通孔１６を軸方向に見た形状は、上記に限ることなく、任意の形状でよい。対向部１８を軸方向に見た形状、及び電極２１、２２を軸方向に見た形状は、上記に限ることなく、貫通孔１６の形状に応じた任意の形状でよい。

【0028】

基板１２は、基板本体１４の第１部分３１と電極２１、２２との間に設けられた絶縁層４１、４２を有する。絶縁層４１、４２は、例えば、基板本体１４の第１部分３１に接する。電極２１、２２は、絶縁層４１、４２に接する。これにより、電極２１、２２は、絶縁層４１、４２によって基板本体１４と電気的に絶縁された状態で、絶縁層４１、４２を介して第１部分３１に設けられる。なお、第１部分３１と電極２１との間の絶縁層４１及び第１部分３１と電極２２との間の絶縁層４２は、連続した１つの絶縁層で構成してもよい。

【0029】

対向部１８の材料は、例えば、基板本体１４（基板１２）の材料と同じである。基板本体１４は、例えば、シリコンを含む。この場合、対向部１８も、基板本体１４と同様にシリコンを含む。基板本体１４は、例えば、シリコン基板である。換言すれば、基板本体１４は、半導体基板である。

【0030】

対向部１８は、例えば、基板本体１４と一体に設けられる。換言すれば、対向部１８は、基板本体１４の一部である。これにより、対向部１８の材料が、基板本体１４の材料と同じとなる。なお、基板本体１４の材料は、シリコンに限ることなく、任意の材料でよい。基板本体１４は、半導体基板に限るものではない。基板本体１４の材料は、電子装置１０の用途などに応じて適宜選択すればよい。

【0031】

対向部１８は、例えば、基板本体１４と電気的に接続されている。対向部１８は、上記のように、基板本体１４と一体に設けられることにより、基板本体１４と電気的に接続される。これにより、例えば、対向部１８の電位を、基板本体１４の電位と実質的に同じ電位とすることができる。

【0032】

対向部１８は、貫通孔１６の幅方向において、電極２１、２２と所定の間隔を空けて配置されている。これにより、電極２１、２２が、対向部１８を介して基板本体１４と導通してしまうことなどを抑制することができる。換言すれば、対向部１８を電極２１、２２と電気的に絶縁することができる。これにより、例えば、電極２１、２２間に電圧を印加して貫通孔１６を通過する電子線の制御を行う際に、電極２１、２２間に適切な大きさの電圧を印加することができる。

【0033】

図１に表したように、電極２１、２２の一部と対向する部分における対向部１８の軸方向の長さＤ１は、例えば、幅方向における対向部１８と基板本体１４との間の距離Ｄ２よりも長い。また、対向部１８の長さＤ１は、例えば、電極２１、２２の軸方向の長さの半分以下に設定される。

【0034】

電子装置１０は、例えば、配線層５１、５２、接続用電極５３、５４をさらに備える。配線層５１、５２は、例えば、基板本体１４の第１面１４ａ上に設けられる。配線層５１は、例えば、電極２１の第１面１４ａ側の端部と接することにより、電極２１と電気的に接続される。配線層５２は、例えば、電極２２の第１面１４ａ側の端部と接することにより、電極２２と電気的に接続される。接続用電極５３は、配線層５１の上に設けられ、配線層５１と電気的に接続される。接続用電極５４は、配線層５２の上に設けられ、配線層５２と電気的に接続される。

【0035】

配線層５１、５２、及び接続用電極５３、５４は、例えば、電子装置１０と他の装置との電気的な接続に用いられる。接続用電極５３、５４は、換言すれば、電極パッドである。例えば、電極２１、２２間の電圧は、配線層５１、５２、及び接続用電極５３、５４を介して設定される。電極２１、２２間の電圧は、例えば、接続用電極５３、５４を介して接続された他の装置によって設定される。なお、図２においては、図示を容易にするため、配線層５１、５２、接続用電極５３、５４の図示を省略している。

【0036】

但し、電極２１、２２間の電圧の設定方法は、上記に限定されるものではない。例えば、電極２１、２２間の電圧を設定するための回路を基板本体１４に設けてもよい。例えば、基板本体１４が半導体基板である場合には、ＣＭＯＳ回路などを予め基板本体１４に設けてもよい。配線層は、例えば、基板本体１４の内部に設けてもよい。配線層５１、５２、及び接続用電極５３、５４は、必要に応じて設けられ、省略可能である。

【0037】

図３は、第１の実施形態に係る電子装置の一部を模式的に表す断面図である。
図３は、電子装置１０の電極２１の部分を拡大して表す。
図３に表したように、電極２１は、例えば、中空状である。図示は省略するが、電極２２も、電極２１と同様に、例えば、中空状である。

【0038】

電極２１は、例えば、第１導電部２１ａと、第２導電部２１ｂと、を有する。第１導電部２１ａは、例えば、基板本体１４側に設けられる。第２導電部２１ｂは、例えば、第１導電部２１ａよりも貫通孔１６の幅方向の中心に近い位置に設けられる。換言すれば、第１導電部２１ａは、幅方向において、基板本体１４（第１部分３１）と第２導電部２１ｂとの間に設けられる。

【0039】

第１導電部２１ａ及び第２導電部２１ｂは、貫通孔１６の軸方向に沿って延びる。また、第１導電部２１ａ及び第２導電部２１ｂは、貫通孔１６の周方向に延びる。第１導電部２１ａ及び第２導電部２１ｂは、例えば、板状である。

【0040】

第２導電部２１ｂの軸方向の一端は、第１導電部２１ａの軸方向の一端と接続される。第２導電部２１ｂの軸方向の他端は、第１導電部２１ａの軸方向の他端と接続される。そして、第２導電部２１ｂは、軸方向の中間部において、第１導電部２１ａから離れている。換言すれば、電極２１は、軸方向の中間部において、第１導電部２１ａと第２導電部２１ｂとの間に隙間を設ける。

【0041】

このように、中空状の電極２１の形状とは、より具体的には、軸方向の中間部において、第１導電部２１ａと第２導電部２１ｂとの間に隙間を設けた形状である。なお、第１導電部２１ａ及び第２導電部２１ｂの周方向の端部は、接してもよいし、接していなくてもよい。第１導電部２１ａと第２導電部２１ｂとの間の隙間は、例えば、第１導電部２１ａ及び第２導電部２１ｂの周方向の端部において外部に連通していてもよい。中空状の電極２１とは、内部に閉鎖された空間を有する形状に限ることなく、外部と連通する内部空間を有する形状でもよい。また、電極２１は、必ずしも中空状でなくもよい。電極２１は、内部に実質的に空間を有しない形状でもよい。

【0042】

図４（ａ）～図４（ｆ）、及び図５（ａ）～図５（ｆ）は、第１の実施形態に係る電子装置の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。
図４（ａ）に表したように、電子装置１０の製造においては、まず、第１面６０ａと、第１面６０ａと反対側の第２面６０ｂと、を有する基板６０を準備する。基板６０は、例えば、半導体基板である。より具体的には、基板６０は、シリコン基板である。

【0043】

図４（ａ）に表したように、リソグラフィとエッチング法により、電極２１、２２を形成するための溝６１、６２を基板６０の第１面６０ａ側に形成する。例えば、一対の電極２１、２２を形成する場合には、一対の電極２１、２２のそれぞれに対応する一対の溝６１、６２を形成する。溝６１、６２の幅は、電極２１、２２の幅（貫通孔１６の幅方向の長さ）に応じて適宜設定すればよい。溝６１、６２の深さは、電極２１、２２の軸方向の長さに応じて適宜設定すればよい。

【0044】

図４（ｂ）に表したように、溝６１、６２を形成した後、溝６１、６２を形成した基板６０の第１面６０ａ側の全面に絶縁層６４を形成する。絶縁層６４は、例えば、シリコン酸化膜である。

【0045】

図４（ｃ）に表したように、絶縁層６４を形成した後、絶縁層６４の上に金属層６６を形成する。金属層６６は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、気相成長法、スパッタ法、メッキ法などによって形成される。金属層６６の材料は、例えば、Ｗ、Ａｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ、Ａｌなどである。

【0046】

このように、金属層６６を形成する際に、溝６１、６２の上部側では、溝６１、６２の底部側に比べて、溝６１、６２の両側から進む金属層６６の成膜の速度が速い傾向にある。このため、溝６１、６２の底部側に金属層６６が十分に埋まる前に、溝６１、６２の上部側の金属層６６が先に閉口してしまう可能性がある。すなわち、溝６１、６２内の金属層６６に図３に表した電極２１のような中空状の形状が形成される可能性が生じる。

【0047】

図４（ｄ）に表したように、金属層６６を形成した後、金属層６６の一部をエッチングによって除去することにより、溝６１、６２内に埋め込まれた導電部６６ａ、６６ｂを金属層６６から形成する。導電部６６ａ、６６ｂは、後に電極２１、２２となる部分である。このように、溝６１、６２の内部に導電部６６ａ、６６ｂを形成する。

【0048】

図４（ｄ）に表したように、導電部６６ａ、６６ｂを形成した後、必要に応じて配線層５１、５２、及び接続用電極５３、５４を基板６０の第１面６０ａ側に形成する。この後、貫通孔１６に応じた形状にパターニングされたレジスト６８を基板６０の第１面６０ａ側に設ける。この際、レジスト６８の開口部の幅は、溝６１、６２の間の部分よりも狭くする。レジスト６８の開口部の幅は、例えば、基板本体１４の第２部分３２によって設定される貫通孔１６の幅に応じて設定される。

【0049】

図４（ｅ）に表したように、レジスト６８をマスクとしてエッチングを行い、絶縁層６４の一部を除去することにより、絶縁層４１、４２を絶縁層６４から形成する。

【0050】

図４（ｆ）に表したように、エッチングの条件を変え、レジスト６８をマスクとして基板６０のエッチングを行うことにより、貫通孔１６の一部となる溝７０を基板６０の第１面６０ａ側に導電部６６ａ、６６ｂと並べて形成する。この際、溝７０は、溝６１、６２の途中まで形成する。換言すれば、溝７０は、溝６１、６２よりも浅く形成する。

【0051】

また、この際、等方性の強め（長め）のエッチングを行い、溝７０の幅をレジスト６８の開口部の幅よりも広くすることにより、溝６１、６２の側面に形成された絶縁層４１、４２を露出させる。この場合には、基板６０と絶縁層４１、４２との選択比により、絶縁層４１、４２によって溝７０の形状が決まる。

【0052】

図５（ａ）に表したように、溝７０を形成した後、異方性の大きいエッチング条件に切り替え、レジスト６８をマスクとして再び基板６０のエッチングを行うことにより、溝７０内にレジスト６８のマスク形状に応じた溝７２を形成する。溝７２の形成には、例えば、Deep RIE（Reactive Ion Etching）などの深掘り加工が用いられる。この場合、溝７２の内側面には、例えば、図３の拡大図に表したように、波状の凹凸などが形成される可能性がある。

【0053】

このように、条件を変えながら基板６０のエッチングを行い、導電部６６ａ、６６ｂの溝６１、６２の底部側の部分に基板６０の一部を意図的に残すようにする。これにより、溝６１、６２の底部側に残った基板６０の一部により、導電部６６ａ、６６ｂよりも溝７２（貫通孔１６）の幅方向の中心に近い位置に配置され、導電部６６ａ、６６ｂの軸方向の一端側の一部と対向する対向部１８を形成する。

【0054】

図５（ｂ）に表したように、溝７２を形成した後、絶縁層４１、４２の溝７０と対向する部分をエッチングすることにより、導電部６６ａ、６６ｂを溝７０側に露出させる。これにより、対向部１８と導電部６６ａ、６６ｂとの間に、絶縁層４１、４２の厚さに応じた隙間が設けられる。絶縁層４１、４２のエッチングには、例えば、フッ素を含むエッチャントが用いられる。

【0055】

図５（ｃ）に表したように、導電部６６ａ、６６ｂを露出させた後、基板６０の第１面６０ａ側に接着剤７４を塗布し、熱処理及び圧着処理などを行うことにより、基板６０の第１面６０ａ側を支持基板７６に接着する。支持基板７６は、例えば、ガラス基板である。接着剤７４の熱処理の温度は、例えば、１００℃～３００℃程度である。

【0056】

図５（ｄ）に表したように、基板６０を支持基板７６に接着した後、基板６０の第２面６０ｂ側から基板６０をエッチングすることにより、基板６０の全体の厚さを薄くする。基板６０に対して、いわゆるバックグラインドを行う。

【0057】

基板６０が半導体基板である場合、基板６０の厚さは、例えば、７００μｍ以上である。この場合、１回の加工で基板６０に貫通孔１６を形成することが難しい。このため、上記のように、バックグラインドを行い、基板６０の全体の厚さを薄くする。例えば、基板６０の厚さが１００μｍ～５００μｍ程度となるように、第２面６０ｂ側のエッチングを行う。なお、図４及び図５では、便宜的に、基板６０の厚さを同じとしている。

【0058】

図５（ｅ）に表したように、貫通孔１６に応じた形状にパターニングされたレジスト７８を基板６０の第２面６０ｂ側に設ける。この際、レジスト７８の開口部の幅は、溝７２の幅よりも広くする。レジスト７８の開口部の幅は、例えば、基板本体１４の第３部分３３によって設定される貫通孔１６の幅に応じて設定される。

【0059】

そして、図５（ｅ）に表したように、レジスト７８をマスクとして第２面６０ｂ側から基板６０のエッチングを行い、第２面６０ｂ側から溝７２まで到達する溝８０を形成する。換言すれば、溝８０の底部を溝７２の底部と接続させる。これにより、溝７０、７２、８０によって基板６０を貫通する貫通孔１６が形成されるとともに、貫通孔１６内において基板６０に設けられ、貫通孔１６の軸方向に沿って延びる電極２１、２２が導電部６６ａ、６６ｂから形成される。

【0060】

図５（ｆ）に表したように、接着剤７４と支持基板７６とを除去する。例えば、基板６０の第１面６０ａ側を接着テープなどで支持し、支持基板７６を剥がし、溶剤やアッシングなどによって接着剤７４を除去する。この後、例えば、基板６０を必要な大きさに切断し、基板６０から上記の基板１２を形成する。以上により、電子装置１０が製造される。

【0061】

このように、電子装置１０の製造方法は、第１面６０ａと、第１面６０ａと反対側の第２面６０ｂと、を有する基板６０の第１面６０ａ側に溝６１、６２（第１溝）を形成する工程を有する（例えば、図４（ａ）に表した工程）。

【0062】

電子装置１０の製造方法は、溝６１、６２の内部に導電部６６ａ、６６ｂを形成する工程を有する（例えば、図４（ｃ）、図４（ｄ）に表した工程）。

【0063】

電子装置１０の製造方法は、基板６０の第１面６０ａ側に導電部６６ａ、６６ｂと並べて溝７０、７２（第２溝）を形成し、導電部６６ａ、６６ｂの少なくとも一部を溝７０、７２側に露出させるとともに、導電部６６ａ、６６ｂと溝７０、７２とが並ぶ方向において、導電部６６ａ、６６ｂの第２面６０ｂ側の一部と対向する対向部１８を導電部６６ａ、６６ｂの溝７０、７２側に形成する工程を有する（例えば、図４（ｆ）、図５（ａ）、図５（ｂ）に表した工程）。

【0064】

電子装置１０の製造方法は、基板６０の第１面６０ａ側に接着剤７４を介して支持基板７６を接着する工程を有する（例えば、図５（ｃ）に表した工程）。

【0065】

電子装置１０の製造方法は、基板６０の第２面６０ｂ側に溝７２まで到達する溝８０（第３溝）を形成することにより、基板６０を貫通する貫通孔１６を形成するとともに、貫通孔１６内において基板６０に設けられ、貫通孔１６の軸方向に沿って延びる電極２１、２２を導電部６６ａ、６６ｂから形成する工程を有する（例えば、図５（ｅ）に表した工程）。

【0066】

電子装置１０の製造方法は、支持基板７６及び接着剤７４を除去する工程を有する（例えば、図５（ｆ）に表した工程）。

【0067】

貫通孔１６を形成する工程は、対向部１８の少なくとも一部を残すことを含む。換言すれば、貫通孔１６を形成する工程は、導電部６６ａ、６６ｂと溝７０、７２とが並ぶ方向において、導電部６６ａ、６６ｂの第２面６０ｂ側の一部と対向する対向部１８を基に、導電部６６ａ、６６ｂよりも貫通孔１６の幅方向の中心に近い位置に配置され、幅方向において導電部６６ａ、６６ｂの軸方向の一端側の一部と対向する対向部１８を形成することを含む。

【0068】

溝７０、７２（第２溝）及び対向部１８を形成する工程は、溝６１、６２（第１溝）の深さよりも浅い溝７０（第１凹部）を形成し、溝７０の幅よりも幅が狭く、溝６１、６２の深さよりも深い溝７２（第２凹部）を溝７０内に形成するとともに、導電部６６ａ、６６ｂと溝７２との間に残る基板６０の一部を対向部１８として形成することを含む。

【0069】

貫通孔１６を形成する工程は、溝８０（第３溝）の幅を溝７２の幅よりも広くすることを含む。

【0070】

図６は、電子装置の参考の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。
図６に表したように、参考の製造工程では、溝７０を溝６１、６２よりも深く形成している。参考の製造工程では、例えば、基板６０の第１面６０ａ側から貫通孔１６の一部となる溝７０を形成する際に、１回のエッチングで溝６１、６２よりも深い溝７０を形成している。このため、参考の製造工程では、対向部１８が形成されていない。

【0071】

基板６０を接着剤７４によって支持基板７６に接着する際に、接着剤７４が熱処理などによって収縮する。この際、電極２１、２２の溝７０側を向く面は、接着剤７４と直接接しているため、接着剤７４の収縮にともなう応力や歪みが電極２１、２２に加わる。こうした接着剤７４の収縮にともなう応力や歪みの影響は、溝６１、６２の底部側（第２面６０ｂ側）において溝６１、６２の上部側（第１面６０ａ側）よりも顕著となる。

【0072】

図６に表した参考例のように、電極２１、２２の溝６１、６２の底部側の端部が、溝７０の幅の接着剤７４と接している場合には、電極２１、２２の端部に加わる応力や歪みが大きく、電極２１、２２が変形してしまう可能性がある。特に、中空状の電極２１、２２では、溝７０側の導電部の底部側の部分が破断してしまう可能性がある。こうした電極２１、２２の変形は、電子装置の信頼性を低下させてしまう。例えば、電子装置の歩留まりを低下させてしまう。

【0073】

これに対し、本実施形態に係る電子装置１０及びその製造方法では、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）よりも溝７２（貫通孔１６）の幅方向の中心に近い位置に配置され、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）の軸方向の一端側の一部と対向する対向部１８を形成する。これにより、例えば、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）の溝６１、６２の底部側の端部に接する接着剤７４の厚さを絶縁層４１、４２の厚さ分に抑えることができる。

【0074】

接着剤７４の収縮で生じる歪は、接着剤７４の厚さ（長さ）に依存する。接着剤７４の収縮で生じる歪は、接着剤７４の厚さが薄い方が小さくなる。本実施形態では、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）の軸方向の中央部は、溝７０の幅で埋め込まれた接着剤７４に接しているが、溝６１、６２の底部では、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）に接する接着剤７４の厚さを絶縁層４１、４２の厚さ分とすることができる。従って、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）において、最も応力集中のしやすく、破断し易い溝６１、６２の底部側の部分に加わる歪を軽減することができる。

【0075】

これにより、本実施形態に係る電子装置１０及びその製造方法では、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）の変形を抑制し、高い信頼性を得ることができる。電子装置１０の歩留まりを向上させることができる。

【0076】

また、対向部１８が設けられていない参考例の構成では、電極２１、２２の第２面１４ｂ側の端部が、貫通孔１６に露出する。このため、例えば、電子線制御装置に適用した際に、電子線を制御する電場磁場に、電極２１、２２に対して垂直ではない成分が生じる可能性がある。こうした電場磁場の電極２１、２２に対して垂直ではない成分は、電子線の制御性に影響を与えてしまうことが懸念される。

【0077】

本実施形態に係る電子装置１０では、対向部１８の電位を基板本体１４の電位と実質的に同電位とすることができる。例えば、基板本体１４及び対向部１８をグランド電位に設定することができる。これにより、例えば、電極２１、２２の相対したほぼ垂直の箇所を電場磁場の始点及び終点とし、電子線を制御する電場磁場に、電極２１、２２に対して垂直ではない成分が生じてしまうことを抑制することができる。これにより、例えば、電子装置１０を電子線制御装置に適用した際に、電子線をより制御し易くすることができる。

【0078】

本実施形態では、基板本体１４が、第２部分３２と第２面１４ｂとの間において貫通孔１６の幅を第２部分３２における貫通孔１６の幅よりも広くする第３部分３３をさらに有する。第３部分３３は、溝７２の幅よりも広い溝８０を基板６０の第２面６０ｂ側から形成することによって形成される。このように、溝８０を形成することにより、例えば、基板６０の第２面６０ｂ側から溝８０を形成する際に、溝８０と溝７２との位置ずれを抑制し、貫通孔１６をより適切に形成することができる。

【0079】

また、本実施形態では、電極２１、２２の一部と対向する部分における対向部１８の軸方向の長さＤ１が、幅方向における対向部１８と基板本体１４との間の距離Ｄ２よりも長い。これにより、電極２１、２２の端部に加わる応力や歪みの影響をより適切に抑制し、電極２１、２２の変形をより適切に抑制することができる。

【0080】

図７（ａ）～図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す平面図である。
なお、上記実施形態と機能・構成上実質的に同じものについては、同符号を付し、詳細な説明は省略する。
図７（ａ）に表したように、電子装置１０ａでは、電極２１が、軸方向に見た時に、四角形状の貫通孔１６の隣接する３つの辺に沿うように設けられている。電極２１を軸方向に見た形状は、例えば、略Ｕ字状である。

【0081】

このように、電極２１、２２を軸方向に見た形状は、直線状の形状に限ることなく、例えば、屈曲した形状や湾曲した形状などでもよい。電極２１、２２を軸方向に見た形状は、例えば、貫通孔１６を軸方向に見た形状、及び電子装置１０ａの用途などに応じた任意の形状でよい。

【0082】

図７（ｂ）に表したように、電子装置１０ｂは、電極２３、２４をさらに有する。電極２１、２２は、四角形状の貫通孔１６の対向する２つの辺に沿って延びるように配置され、電極２３、２４は、四角形状の貫通孔１６の対向する別の２つの辺に沿って延びるように配置されている。換言すれば、電子装置１０ｂは、２対の電極２１～２４を有する。

【0083】

電子装置に設けられる電極の数は、１対に限ることなく、２対以上でもよい。電子装置の１つの貫通孔１６内に設けられる複数の電極の数は、上記に限ることなく、任意の数でよい。電子装置の１つの貫通孔１６内に設けられる複数の電極の数は、例えば、電子装置の用途などに応じて適宜設定すればよい。

【0084】

図７（ｃ）に表したように、電子装置１０ｃは、貫通孔１６の周方向に沿って延び、軸方向に見た時に、貫通孔１６を囲むように設けられた１つの電極２１のみを有する。電子装置１０ｃにおいて、電極２１を軸方向に見た形状は、貫通孔１６を囲む枠状である。このように、貫通孔１６内に設けられる電極の数は、１つでもよい。なお、貫通孔１６内に設けられる１つの電極の形状は、上記に限ることなく、任意の形状で良い。

【0085】

図８は、第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。
図８に表したように、電子装置１０ｄでは、基板１２が、複数の貫通孔１６を有する。電子装置１０ｄは、複数の貫通孔１６のそれぞれに設けられた複数の電極２１、２２を備える。また、電子装置１０ｄでは、基板１２が、複数の貫通孔１６のそれぞれに対応して設けられた複数の対向部１８を有する。

【0086】

このように、電子装置１０ｄは、複数の貫通孔１６を備えてもよい。電子装置１０ｄに設けられる貫通孔１６の数は、任意の数でよい。電子装置１０ｄに設けられる貫通孔１６の数は、例えば、電子装置１０ｄの用途などに応じて適宜設定すればよい。

【0087】

図９は、第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。
図９に表したように、電子装置１０ｅでは、絶縁層４１、４２が、第２部分３２と電極２１、２２との間、及び対向部１８と電極２１、２２との間に延在する。絶縁層４１、４２は、例えば、電極２１、２２に接するとともに、対向部１８に接する。

【0088】

電子装置１０ｅの絶縁層４１、４２の形状は、例えば、図５（ｂ）に表したように、絶縁層４１、４２の溝７０と対向する部分をエッチングして電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）を溝７０側に露出させる際の、絶縁層４１、４２のエッチングの条件を調整することによって形成することができる。

【0089】

このように、対向部１８と電極２１、２２との間に絶縁層４１、４２を延在させることにより、対向部１８と電極２１、２２との間に接着剤７４が入り込むことを抑制することができる。これにより、電極２１、２２の端部に加わる応力や歪みの影響をより適切に抑制し、電極２１、２２の変形をより適切に抑制することができる。

【0090】

絶縁層４１、４２は、例えば、電極２１、２２に接するとともに、対向部１８に接する。これにより、対向部１８と電極２１、２２との間に接着剤７４が入り込むことをより抑制し、電極２１、２２の変形をより適切に抑制することができる。

【0091】

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。
図１０（ａ）に表したように、電子装置１０ｆでは、対向部１８の材料が、基板本体１４（基板１２）の材料と異なる。電子装置１０ｆにおいて、対向部１８の材料は、例えば、絶縁体である。対向部１８の絶縁性は、例えば、基板本体１４の絶縁性よりも高い。また、電子装置１０ｆにおいて、対向部１８は、例えば、電極２１、２２に接する。

【0092】

このように、対向部１８の材料は、基板本体１４の材料と異なってもよい。基板本体１４と材料の異なる対向部１８は、例えば、図４（ｆ）に表したように、貫通孔１６の一部となる溝７０を基板本体１４となる基板６０に形成した後に、基板６０の上に別の材料を積層させることなどによって形成することができる。但し、この場合には、例えば、溝７０の深さを溝６１、６２の深さと同じ、もしくは溝７０の深さよりも深く形成し、電極２１、２２（導電部６６ａ、６６ｂ）の側面全体を露出させた後に、別の材料を積層する。

【0093】

対向部１８の材料を絶縁性とした場合には、対向部１８を電極２１、２２に接触させて設けることができる。この場合には、対向部１８と電極２１、２２との間に接着剤７４が入り込むことを抑制し、電極２１、２２の変形をより適切に抑制することができる。

【0094】

図１０（ｂ）に表した電子装置１０ｇのように、基板本体１４と異なる材料で形成された対向部１８は、幅方向において電極２１、２２から離して設けてもよい。この場合には、対向部１８の材料に導電性の材料を用いることができる。対向部１８の材料を導電性とし、基板本体１４と電気的に接続した場合には、例えば、上記のように、電子線の制御性を向上させることができる。

【0095】

（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る電子装置を模式的に表す断面図である。
図１１に表したように、電子装置１００では、基板本体１４において、第３部分３３が省略され、第２部分３２のみが、第１部分３１と第２面１４ｂとの間に設けられている。

【0096】

このため、電子装置１００では、貫通孔１６の軸方向の一端側の幅が、貫通孔１６の軸方向の他端側の幅と異なる。電子装置１００では、貫通孔１６の第１面１４ａ側の幅が、貫通孔１６の第２面１４ｂ側の幅よりも広い。

【0097】

図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、第２の実施形態に係る電子装置の製造工程の一例を模式的に表す断面図である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に表したように、電子装置１００の製造においては、溝７０の形成を行った後、溝７２の形成を行わずに、絶縁層４１、４２の溝７０と対向する部分のエッチングを行う。電子装置１００の製造においては、溝７０（第２溝）の深さを溝６１、６２（第１溝）の深さよりも浅く形成し、溝７０と第２面６０ｂとの間に残る基板６０の一部を対向部６０ｔとして形成する。そして、溝７０及び対向部６０ｔを形成した後、基板６０の第１面６０ａ側を接着剤７４によって支持基板７６に接着する。

【0098】

図１２（ｃ）に表したように、貫通孔１６に応じた形状にパターニングされたレジスト７８を基板６０の第２面６０ｂ側に設ける。この際、レジスト７８の開口部の幅は、溝７０の幅よりも狭くする。レジスト７８の開口部の幅は、例えば、基板本体１４の第２部分３２によって設定される貫通孔１６の幅に応じて設定される。

【0099】

そして、図１２（ｃ）に表したように、レジスト７８をマスクとして第２面６０ｂ側から基板６０のエッチングを行い、第２面６０ｂ側から溝７０まで到達する溝８０を形成する。換言すれば、溝８０の底部を溝７０の底部と接続させる。これにより、溝７０、８０によって基板６０を貫通する貫通孔１６が形成される。以下、第１の実施形態と同様に、接着剤７４及び支持基板７６を除去し、必要に応じて基板６０を切断することにより、電子装置１００が製造される。

【0100】

このように、基板本体１４は、必ずしも第３部分３３を有しなくてもよい。例えば、第２面６０ｂ側から形成する溝８０の深さが深くなりすぎ、溝８０を形成し難い場合などには、上記第１の実施形態で表したように、溝７０内に溝７２を形成し、第２面６０ｂ側からエッチングする溝８０の深さを浅くできるようにすることが望ましい。

【0101】

電子装置１００においても、対向部６０ｔを形成することにより、上記第１の実施形態と同様に、電極２１、２２の端部に加わる応力や歪みの影響を抑制し、電極２１、２２の変形を抑制することができる。高い信頼性の電子装置１００を提供することができる。

【0102】

図１３は、第２の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。
図１３に表したように、電子装置１００ａでは、第２部分３２が、第１部分３１から第２面１４ｂに向かうに従って貫通孔１６の幅を広くする。

【0103】

電子装置１００ａの貫通孔１６の形状は、例えば、図１２（ｃ）に表したように、第２面６０ｂ側から基板６０のエッチングを行い、第２面６０ｂ側から溝７０まで到達する溝８０を形成する際に、エッチングの等方性の条件を徐々に弱めていくことによって形成することができる。換言すれば、エッチングの幅方向への広がりを徐々に弱めることによって形成することができる。

【0104】

このように、第２面６０ｂ側からエッチングを行う際に、溝８０の幅を徐々に狭めていくことにより、例えば、溝８０と溝７０との位置ズレを抑制しやすくすることができる。例えば、貫通孔１６をより形成し易くすることができる。

【0105】

図１４は、第２の実施形態に係る電子装置の変形例を模式的に表す断面図である。
図１４に表したように、この例では、第２面６０ｂ側から基板６０のエッチングを行い、第２面６０ｂ側から溝７０まで到達する溝８０を形成する際に、対向部６０ｔを除去している。

【0106】

対向部６０ｔは、基板６０を接着剤７４によって支持基板７６に接着する際に、少なくとも設けられていればよい。従って、基板６０を支持基板７６に接着した後、第２面６０ｂ側から基板６０のエッチングを工程においては、対向部６０ｔを除去してもよい。換言すれば、製造後の電子装置は、必ずしも対向部１８を有しなくてもよい。このように、貫通孔１６を形成する工程は、溝８０の形成により、対向部６０ｔを除去することを含んでもよい。

【0107】

実施形態によれば、高い信頼性の電子装置及びその製造方法が提供できる。

【0108】

本願明細書において、「電気的に接続」には、直接接触して接続される場合の他に、他の導電性部材などを介して接続される場合も含む。

【0109】

本実施形態は、以下の態様を含む。
（付記１）
貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔内において前記基板に設けられ、前記貫通孔の軸方向に沿って延びる電極と、
前記基板に設けられ、前記電極よりも前記貫通孔の幅方向の中心に近い位置に配置され、前記幅方向において前記電極の前記軸方向の一端側の一部と対向する対向部と、
を備えた電子装置。

【0110】

（付記２）
前記電極は、中空状である付記１記載の電子装置。

【0111】

（付記３）
前記貫通孔内に設けられた複数の前記電極を備えた付記１又は２に記載の電子装置。

【0112】

（付記４）
複数の前記電極を備え、
前記基板は、複数の前記貫通孔を有し、
複数の前記電極は、複数の前記貫通孔のそれぞれに設けられる付記１～３のいずれか１つに記載の電子装置。

【0113】

（付記５）
前記対向部の材料は、前記基板の材料と同じである付記１～４のいずれか１つに記載の電子装置。

【0114】

（付記６）
前記対向部の材料は、前記基板の材料と異なる付記１～４のいずれか１つに記載の電子装置。

【0115】

（付記７）
前記貫通孔の前記軸方向の一端側の幅は、前記貫通孔の前記軸方向の他端側の幅と異なる付記１～６のいずれか１つに記載の電子装置。

【0116】

（付記８）
前記対向部は、前記基板と電気的に接続され、前記幅方向において前記電極と所定の間隔を空けて配置されている付記１～７のいずれか１つに記載の電子装置。

【0117】

（付記９）
前記基板は、
前記貫通孔の前記軸方向の一端側の第１面と、
前記貫通孔の前記軸方向の他端側の第２面と、
前記第１面と前記第２面との間において前記貫通孔を所定の幅に設定する第１部分と、
前記第１部分と前記第２面との間において前記貫通孔の幅を前記第１部分における前記貫通孔の幅よりも狭くする第２部分と、
を有し、
前記電極は、前記貫通孔内において前記第１部分に設けられ、
前記対向部は、前記電極よりも前記幅方向の中心に近い位置から前記貫通孔の前記一端側に向かって延びるように前記第２部分に設けられる付記１～８のいずれか１つに記載の電子装置。

【0118】

（付記１０）
前記基板は、前記第２部分と前記第２面との間において前記貫通孔の幅を前記第２部分における前記貫通孔の幅よりも広くする第３部分をさらに有する付記９記載の電子装置。

【0119】

（付記１１）
前記基板は、前記第１部分と前記電極との間に設けられた絶縁層を有する付記９又は１０に記載の電子装置。

【0120】

（付記１２）
前記絶縁層は、前記第２部分と前記電極との間、及び前記対向部と前記電極との間に延在する付記１１記載の電子装置。

【0121】

（付記１３）
前記第２部分は、前記第１部分から前記第２面に向かうに従って前記貫通孔の幅を広くする付記９記載の電子装置。

【0122】

（付記１４）
前記電極の前記一部と対向する部分における前記対向部の前記軸方向の長さは、前記幅方向における前記対向部と前記基板本体との間の距離よりも長い付記１～１３のいずれか１つに記載の電子装置。

【0123】

（付記１５）
第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有する基板の前記第１面側に第１溝を形成する工程と、
前記第１溝の内部に導電部を形成する工程と、
前記基板の前記第１面側に前記導電部と並べて第２溝を形成し、前記導電部の少なくとも一部を前記第２溝側に露出させるとともに、前記導電部と前記第２溝とが並ぶ方向において前記導電部の前記第２面側の一部と対向する対向部を前記導電部の前記第２溝側に形成する工程と、
前記基板の前記第１面側に接着剤を介して支持基板を接着する工程と、
前記基板の前記第２面側に前記第２溝まで到達する第３溝を形成することにより、前記基板を貫通する貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔内において前記基板に設けられ、前記貫通孔の軸方向に沿って延びる電極を前記導電部から形成する工程と、
前記支持基板及び前記接着剤を除去する工程と、
を有する電子装置の製造方法。

【0124】

（付記１６）
前記貫通孔を形成する前記工程は、前記対向部の少なくとも一部を残すことを含む付記１５記載の電子装置の製造方法。

【0125】

（付記１７）
前記貫通孔を形成する前記工程は、前記第３溝の形成により、前記対向部を除去することを含む付記１５記載の電子装置の製造方法。

【0126】

（付記１８）
前記第２溝及び前記対向部を形成する前記工程は、前記第１溝の深さよりも浅い第１凹部を形成し、前記第１凹部の幅よりも幅が狭く、前記第１溝の深さよりも深い第２凹部を前記第１凹部内に形成することにより、前記第１凹部と前記第２凹部とによって前記第２溝を形成するとともに、前記導電部と前記第２凹部との間に残る前記基板の一部を前記対向部として形成することを含む付記１５～１７のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。

【0127】

（付記１９）
前記貫通孔を形成する前記工程は、前記第３溝の幅を前記第２溝の前記第２凹部の幅よりも広くすることを含む付記１８記載の電子装置の製造方法。

【0128】

（付記２０）
前記第２溝及び前記対向部を形成する前記工程は、前記第２溝の深さを前記第１溝の深さよりも浅く形成し、前記第２溝と前記第２面との間に残る前記基板の一部を前記対向部として形成することを含む付記１５～１７のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。

【0129】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、電子装置に含まれる各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0130】

各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0131】

その他、本発明の実施の形態として上述した電子装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電子装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0132】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0133】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0134】

１０、１０ａ～１０ｇ…電子装置、 １２…基板、 １４…基板本体、 １４ａ…第１面、 １４ｂ…第２面、 １６…貫通孔、 １８…対向部、 ２１～２４…電極、 ３１…第１部分、 ３２…第２部分、 ３３…第３部分、 ４１、４２…絶縁層、 ５１、５２…配線層、 ５３、５４…接続用電極、 ６０…基板、 ６０ａ…第１面、 ６０ｂ…第２面、 ６０ｔ…対向部、 ６１、６２…溝、 ６４…絶縁層、 ６６…金属層、 ６８…レジスト、 ７０、７２…溝、 ７４…接着剤、 ７６…支持基板、 ８０…溝、 １００、１００ａ…電子装置、

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】