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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024135409
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240927BHJP
B05D 1/26 20060101ALI20240927BHJP
B05D 3/04 20060101ALI20240927BHJP
B05C 9/12 20060101ALI20240927BHJP
B05C 5/02 20060101ALI20240927BHJP
B05B 1/14 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 564Z
B05D1/26 Z
B05D3/04 Z
B05C9/12
B05C5/02
B05B1/14 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023046069
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 優史
(72)【発明者】
【氏名】後藤 茂宏
【テーマコード（参考）】
4D075
4F033
4F041
4F042
5F146
【Ｆターム（参考）】
4D075AC02
4D075AC88
4D075AC91
4D075AC94
4D075AC95
4D075BB57Z
4D075BB91Z
4D075CA47
4D075CA48
4D075DA06
4D075DA08
4D075DC24
4D075EA05
4D075EA45
4F033AA01
4F033BA01
4F033CA04
4F033CA05
4F033DA01
4F033DA05
4F033EA01
4F033NA01
4F041AA02
4F041AA05
4F041AB01
4F041BA05
4F041BA54
4F041CA03
4F041CA21
4F042AA02
4F042AA06
4F042AB00
4F042BA04
4F042BA08
4F042BA12
4F042BA19
4F042BA25
4F042CB02
4F042DC03
4F042DD33
4F042DD34
4F042DF09
4F042DF11
4F042DF22
4F042DF24
5F146JA02
5F146JA27
(57)【要約】
【課題】基板の上面に形成される処理液の膜の厚みを均一化することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】プレート部材１３１上に基板Ｗが吸着保持される。この状態で基板Ｗの上面に処理液を塗布する塗布処理が開始される。塗布処理時には、スリット状の吐出口１４を有する液ノズルブロック１５１が基板Ｗの上面に近づけられる。また、液ノズルブロック１５１が、基板Ｗの上方の空間を一方向に移動する。この移動時に、液ノズルブロック１５１の吐出口１４から基板Ｗに処理液が吐出される。液ノズルブロック１５１が基板Ｗの一端部から他端部まで移動することにより、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成される。基板Ｗ上に形成された処理液の膜の一部に向かって気体ノズル１７０から気体が噴射される。
【選択図】図１
【解決手段】プレート部材１３１上に基板Ｗが吸着保持される。この状態で基板Ｗの上面に処理液を塗布する塗布処理が開始される。塗布処理時には、スリット状の吐出口１４を有する液ノズルブロック１５１が基板Ｗの上面に近づけられる。また、液ノズルブロック１５１が、基板Ｗの上方の空間を一方向に移動する。この移動時に、液ノズルブロック１５１の吐出口１４から基板Ｗに処理液が吐出される。液ノズルブロック１５１が基板Ｗの一端部から他端部まで移動することにより、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成される。基板Ｗ上に形成された処理液の膜の一部に向かって気体ノズル１７０から気体が噴射される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させる移動部と、
前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給する１または複数の気体ノズルを有する気体供給部とを備える、基板処理装置。
前記基板を保持する基板保持部と、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させる移動部と、
前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給する１または複数の気体ノズルを有する気体供給部とを備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つは、前記基板保持部により保持される前記基板の上方の位置に設けられ、水平方向において前記第２の方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように構成された、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記移動部は、前記液ノズルが前記基板の上方の空間を通過することにより前記基板の前記上面に処理液の膜が形成された後、前記基板と前記液ノズルとが互いに遠ざかるように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第２の方向に相対的に移動させる離間動作を行い、
前記移動部による前記離間動作中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体供給部は、前記移動部による前記離間動作中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射する、請求項２記載の基板処理装置。
前記移動部による前記離間動作中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体供給部は、前記移動部による前記離間動作中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記１または複数の気体ノズルは、前記第１の方向に延びるスリット状の噴射口を有する一の気体ノズルを含み、
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルの前記吐出口の前記第１の方向における複数の部分にそれぞれ対応するように設けられた複数の気体ノズルを含み、
前記気体供給部は、
前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替え可能に構成された切替部とを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記気体供給部は、
前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替え可能に構成された切替部とを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルに取り付けられる、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルを用意するステップと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させるステップと、
１または複数の気体ノズルを用いて前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給するステップとを含む、基板処理方法。
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルを用意するステップと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させるステップと、
１または複数の気体ノズルを用いて前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給するステップとを含む、基板処理方法。
【請求項8】
前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つは、前記基板保持部により保持される前記基板の上方の位置に設けられ、水平方向において前記第２の方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように構成された、請求項７記載の基板処理方法。
【請求項9】
前記液ノズルが前記基板の上方の空間を通過することにより前記基板の前記上面に処理液の膜が形成された後、前記基板と前記液ノズルとが互いに遠ざかるように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第２の方向に相対的に移動させる離間ステップをさらに含み、
前記離間ステップ中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体を供給するステップは、前記離間ステップ中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射することを含む、請求項８記載の基板処理方法。
前記離間ステップ中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体を供給するステップは、前記離間ステップ中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射することを含む、請求項８記載の基板処理方法。
【請求項10】
前記１または複数の気体ノズルは、前記第１の方向に延びるスリット状の噴射口を有する一の気体ノズルを含み、
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有する、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有する、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項11】
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルの前記吐出口の前記第１の方向における複数の部分にそれぞれ対応するように設けられた複数の気体ノズルを含み、
前記気体を供給するステップは、前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替えることを含む、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記気体を供給するステップは、前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替えることを含む、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項12】
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルに取り付けられる、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。
【0003】
基板処理装置の一例として、スリット状の吐出口を有するノズル（以下、スリットノズルと呼ぶ。）を用いて、基板に処理液を塗布する塗布処理装置がある。例えば、特許文献１に記載の塗布装置（塗布処理装置）においては、水平姿勢で保持された円形状の基板の上方の空間を、スリットノズルが処理液を吐出しつつ移動する。この移動時には、基板の外側の領域に余分な処理液が吐出されないように、吐出口の開口幅が基板の寸法に合うように調整される。
【0004】
ところで、スリットノズルを用いた塗布処理装置においては、スリットノズルが処理液を吐出しつつ基板の上方の空間を移動した後、スリットノズルが基板から離間する際に、基板上に処理液の液溜まりが発生する。処理液の液溜まりは、塗布処理後の基板上で局所的に膜の厚みが変化する部分を生じさせる。このような膜厚異常部分の発生は、後続の基板の処理に悪影響を及ぼす可能性がある。
【0005】
この点を考慮して、特許文献２に記載の基板塗布装置においては、塗布処理の開始前に、切り欠き部がスリットノズルの移動方向における終端位置となるように基板が配置される。この状態で塗布処理が行われることにより、基板の上面全体に処理液が塗布されてスリットノズルが基板から離間する際に、液溜まりが切り欠き部の近傍の領域で発生する。基板において、切り欠き部は、回路パターン等が形成される有効領域の外側に位置する。したがって、液溜まりの発生個所が有効領域の外側に限定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１７－１６４７００号公報
【特許文献2】特開２０２２－１４３６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記のように、特許文献２に記載の基板塗布装置であっても、基板の上面における切り欠き部の近傍の領域には、膜厚異常部分が発生する。基板における膜厚異常部分の存在は、少なくとも基板処理に影響を及ぼすと考えられる。したがって、基板上に形成される処理液の膜の厚みは、基板の上面におけるより広い範囲に渡って均一化されることが好ましい。
【0008】
本発明の目的は、基板の上面に形成される処理液の膜の厚みを均一化することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一局面に従う基板処理装置は、基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させる移動部と、前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給する１または複数の気体ノズルを有する気体供給部とを備える。
【0010】
本発明の他の局面に従う基板処理方法は、基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、基板保持部により前記基板を保持するステップと、第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルを用意するステップと、前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させるステップと、１または複数の気体ノズルを用いて前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給するステップとを含む。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、基板の上面に形成される処理液の膜の厚みを均一化することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１の実施の形態に係る基板処理装置の外観斜視図である。
【図3】基板処理装置の基本動作の具体例を説明するための図である。
【図4】基板処理装置の基本動作の具体例を説明するための図である。
【図5】基板処理装置の基本動作の具体例を説明するための図である。
【図6】基板処理装置の基本動作の具体例を説明するための図である。
【図9】気体ノズルから噴射される気体により得られる効果を説明するための図である。
【図10】実施例１および実施例２の基板の作製時に気体ノズルから気体を噴射する状態を示す側面図である。
【図11】実施例１、実施例２および比較例の基板に形成された膜の厚み分布の測定結果を示す図である。
【図12】第２の実施の形態に係る気体ノズルの構成を説明するための模式的平面図である。
【図13】第２の実施の形態に係る塗布処理において基板の第１の基板端部およびその近傍部分に気体が噴射される状態を示す側面図である。
【図15】第２の実施の形態に係る塗布処理において基板の外周端部のうち複数の円弧状部分の一部に気体が噴射される状態を示す側面図である。
【図17】第２の実施の形態に係る塗布処理において基板の第２の基板端部およびその近傍部分に気体が噴射される状態を示す側面図である。
【図19】他の実施の形態に係る気体ノズルの一構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下に説明する基板は、少なくとも一部が円形状を有する基板であり、ノッチまたはオリエンテーションフラット等が形成された円形基板である。さらに、以下に説明する基板処理装置においては、基板の主面（回路パターンが形成されているかまたは回路パターンの形成が予定されている面）が上方に向けられた状態で各種処理が行われる。
【0014】
１．第１の実施の形態
＜１＞基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の外観斜視図である。図１に示すように、基板処理装置１は、塗布装置１００、制御部１１０、処理液供給系１６０および気体供給系１８０を含み、図示しない筐体内に収容されている。図１以降の所定の図では、基板処理装置１の各部の位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は上下方向（鉛直方向）に相当する。
＜１＞基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の外観斜視図である。図１に示すように、基板処理装置１は、塗布装置１００、制御部１１０、処理液供給系１６０および気体供給系１８０を含み、図示しない筐体内に収容されている。図１以降の所定の図では、基板処理装置１の各部の位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は上下方向（鉛直方向）に相当する。
【0015】
塗布装置１００は、基板Ｗ上に処理液の膜を形成する塗布処理が可能に構成され、２つのステージ支持体１２０、ステージ装置１３０、２つのノズル支持体１４０および液ノズル装置１５０を含む。本実施の形態において、塗布装置１００で用いられる処理液はレジスト膜用の塗布液（レジスト液）または反射防止膜用の塗布液（反射防止液）である。なお、本例の塗布装置１００において塗布処理の対象となる基板Ｗは、概ね３００ｍｍの直径を有する。
【0016】
塗布装置１００の２つのステージ支持体１２０の各々は、一方向に延びる略直方体形状を有し、Ｘ方向に沿って延びるように、図示しない筐体の底面上に設けられている。２つのステージ支持体１２０は、Ｙ方向に並ぶように配置されている。各ステージ支持体１２０の上面には、ガイドレール１２１が設けられている。以下の説明では、Ｘ方向のうちステージ支持体１２０の一端部ｔａから他端部ｔｂに向く方向（図１において右に向く方向）を塗布装置１００の前方と呼ぶ。また、Ｘ方向のうちステージ支持体１２０の他端部ｔｂから一端部ｔａに向く方向（図１において左に向く方向）を塗布装置１００の後方と呼ぶ。
【0017】
ステージ装置１３０は、Ｙ方向において２つのステージ支持体１２０の間に位置し、２つのステージ支持体１２０により支持されている。ステージ装置１３０は、プレート部材１３１、プレート調整部１３２、複数（本例では、３本）の支持ピン１３３、ピン昇降駆動部１３４および吸気駆動部１３５を含む。
【0018】
プレート部材１３１は、例えば矩形の平板形状を有する石材により形成され、ステージ装置１３０の上面部分を構成する。プレート部材１３１の一部には、処理対象となる基板Ｗが載置される。基板Ｗが載置されるプレート部材１３１の部分（以下、基板載置部分と呼ぶ。）には、当該プレート部材１３１をＺ方向に貫通するように、図示しない複数の吸気孔および複数のピン挿入孔が形成されている。
【0019】
プレート調整部１３２、複数の支持ピン１３３、ピン昇降駆動部１３４および吸気駆動部１３５は、プレート部材１３１の下方に設けられている。プレート調整部１３２は、ヒータ等を含み、プレート部材１３１の基板載置部分の温度を調整する。
【0020】
複数の支持ピン１３３は、Ｚ方向に延びるようにかつ平面視で基板載置部分の複数のピン挿入孔にそれぞれ重なるようにピン昇降駆動部１３４により支持されている。ピン昇降駆動部１３４は、複数の支持ピン１３３をＺ方向に移動させる。それにより、複数の支持ピン１３３の上端部は、複数のピン挿入孔を通してプレート部材１３１よりも上方のピン上昇位置と、プレート部材１３１よりも下方のピン下降位置との間を移動する。
【0021】
基板Ｗの搬入時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン上昇位置にある状態で保持される。この状態で、複数の支持ピン１３３上に基板Ｗが載置される。一方、基板Ｗの搬出時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン上昇位置にある状態で、複数の支持ピン１３３上に支持された基板Ｗが図示しない搬送装置により受け取られる。さらに、塗布装置１００における基板Ｗの塗布処理時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン下降位置にある状態で、プレート部材１３１の基板載置部分に載置された基板Ｗに処理液が供給される。
【0022】
プレート部材１３１に形成された複数の吸気孔は、吸気駆動部１３５および図示しない吸気系を通して工場の排気設備等に接続されている。吸気駆動部１３５は、複数の吸気孔と吸気系との間に形成される吸気経路を連通状態と遮断状態との間で切り替える。このような構成により、プレート部材１３１の基板載置部分に基板Ｗが載置された状態で、吸気駆動部１３５は、吸気経路を連通状態とすることにより当該基板Ｗを基板載置部分に吸着保持させることができる。また、基板載置部分に基板Ｗが吸着保持された状態で、吸気駆動部１３５は、吸気経路を遮断状態とすることにより当該基板Ｗをプレート部材１３１から解放させることができる。
【0023】
２つのステージ支持体１２０の上面には、２つのノズル支持体１４０がそれぞれ設けられている。２つのノズル支持体１４０は、Ｙ方向に並ぶように配置されている。２つのノズル支持体１４０の各々は、当該ノズル支持体１４０が設けられたステージ支持体１２０のガイドレール１２１に沿ってＸ方向に移動可能となっている。
【0024】
液ノズル装置１５０は、２つのノズル支持体１４０の間に位置し、２つのノズル支持体１４０により支持されている。２つノズル支持体１４０のうち少なくとも一方には、Ｘ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２が内蔵されている。
【0025】
液ノズル装置１５０は、液ノズルブロック１５１を含む。液ノズルブロック１５１は、一方向に延びる略直方体形状を有する。液ノズルブロック１５１の両端部は、２つのノズル支持体１４０にそれぞれ支持されている。図１では、吹き出し内に、液ノズルブロック１５１の下半部の縦断面図（液ノズルブロック１５１の下半部をＹ方向に直交する鉛直面で切断した断面図）が示される。その縦断面図に示されるように、液ノズルブロック１５１は、塗布装置１００の前方を向く前面１１および塗布装置１００の後方を向く後面１２を有する。
【0026】
また、液ノズルブロック１５１は、基板対向面１３ａ、前傾斜面１３ｂおよび後傾斜面１３ｃを有する。前傾斜面１３ｂは、液ノズルブロック１５１をＹ方向に見た側面視で、前面１１の下端部から後方かつ下方に向かって延びる。一方、後傾斜面１３ｃは、液ノズルブロック１５１をＹ方向に見た側面視で、後面１２の下端部から前方かつ下方に向かって延びる。基板対向面１３ａは、前傾斜面１３ｂの下端部と後傾斜面１３ｃの下端部とをつないでいる。基板対向面１３ａには、スリット状の吐出口１４が形成されている。吐出口１４はＹ方向に延びている。
【0027】
液ノズルブロック１５１の内部には、液流路１５および貯留部１６が形成されている。貯留部１６は、一定量の処理液を貯留可能に形成されている。貯留部１６から吐出口１４にかけて液流路１５が形成されている。これにより、貯留部１６の内部空間は、液流路１５および吐出口１４を通して液ノズルブロック１５１の下方の空間（液ノズルブロック１５１の外部空間）に連通する。液ノズルブロック１５１には、処理液供給系１６０の一部を構成する配管ＰＩ１が接続されている。
【0028】
Ｘ方向駆動部１４１は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、ノズル支持体１４０をステージ支持体１２０のガイドレール１２１上でＸ方向に移動させる。Ｚ方向駆動部１４２は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、ノズル支持体１４０によって支持される液ノズル装置１５０をＺ方向に移動させる。
【0029】
液ノズルブロック１５１の後面１２には、取付部材１７１を介して気体ノズル１７０が取り付けられている。Ｙ方向において、気体ノズル１７０は、液ノズルブロック１５１の吐出口１４の中央部と同じ位置に固定されている。気体ノズル１７０には、気体供給系１８０の一部を構成する配管ＰＩ２が接続されている。
【0030】
処理液供給系１６０は、上記の配管ＰＩ１の他に、処理液供給源、１または複数の配管、継ぎ手およびバルブ等を含む流体関連機器を備える。処理液供給系１６０は、配管ＰＩ１を通して液ノズルブロック１５１の貯留部１６内に、処理液を供給する。気体供給系１８０は、上記の配管ＰＩ２の他に、気体供給源、１または複数の配管、継ぎ手およびバルブ等を含む流体関連機器を備える。気体供給系１８０は、配管ＰＩ２を通して気体ノズル１７０に気体を供給する。この場合、気体ノズル１７０は、液ノズルブロック１５１よりも後方の位置から液ノズルブロック１５１の下方の空間に向かって斜め下方に気体を噴射する。換言すれば、気体ノズル１７０は、水平方向においてＸ方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように設けられている。気体ノズル１７０に供給される気体は、窒素ガス、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスである。制御部１１０は、塗布装置１００の各部の動作を制御する。制御部１１０の詳細は後述する。
【0031】
上記の基板処理装置１においては、プレート部材１３１上に基板Ｗが吸着保持された状態で塗布処理が開始される。まず、液ノズルブロック１５１が基板Ｗの上面に近づけられ、液ノズル装置１５０が基板Ｗの上方の空間を塗布装置１００の前方から後方に向かって移動する。このとき、液ノズル装置１５０のＺ方向の位置（高さ位置）は、毛細管現象により、液ノズルブロック１５１内の処理液が吐出口１４から液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間に引き出される（吐出される）ように調整される。このように、ノズルの吐出口から毛細管現象を利用して基板Ｗ上に塗布液を供給する方法は、キャピラリ塗布法と呼ばれる。
【0032】
＜２＞基板処理装置１の制御系
図２は、図１の基板処理装置１の制御系の構成を示すブロック図である。上記のように、基板処理装置１は、制御部１１０を備える。制御部１１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板Ｗの塗布処理を行うための塗布処理プログラムを記憶する。
図２は、図１の基板処理装置１の制御系の構成を示すブロック図である。上記のように、基板処理装置１は、制御部１１０を備える。制御部１１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板Ｗの塗布処理を行うための塗布処理プログラムを記憶する。
【0033】
図２に示すように、制御部１１０は、基板処理装置１の各部の動作を制御するための機能部として、ノズル移動制御部１１１、吐出制御部１１２、プレート制御部１１３、気体噴射制御部１１４および条件設定部１１５を含む。ＣＰＵが記憶装置に記憶された塗布処理プログラムをＲＡＭ上で実行することにより制御部１１０の機能部が実現される。制御部１１０の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
【0034】
条件設定部１１５には、予め定められた複数の処理条件が記憶されている（処理条件の設定）。本例の複数の処理条件は、「液ノズルブロック１５１の移動速度」、「液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔」、および「液ノズルブロック１５１の内部圧力」および「気体噴射条件」を含む。
【0035】
「液ノズルブロック１５１の移動速度」は、塗布処理時に液ノズルブロック１５１が基板Ｗに対して塗布装置１００の前後方向に移動するときの移動速度である。「液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔」は、塗布処理時に調整されるべき液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔である。「液ノズルブロック１５１の内部圧力」は、塗布処理時に調整されるべき液ノズルブロック１５１内部の処理液の圧力である。「気体噴射条件」は、気体ノズル１７０から気体が噴射されるべき期間（噴射時間）、および気体ノズル１７０から噴射されるべき気体の圧力（風圧）等を含む。
【0036】
基板処理装置１は、操作部１９０をさらに備える。操作部１９０は、例えばキーボードおよびポインティングデバイスを含み、使用者により操作可能に構成される。使用者は、操作部１９０を操作することにより塗布処理のための１または複数の処理条件を入力することができる。処理条件が入力された場合、条件設定部１１５は、入力された処理条件で予め記憶されている処理条件を更新する（処理条件の再設定）。
【0037】
ノズル移動制御部１１１は、基板Ｗの塗布処理時に、条件設定部１１５により設定された各種処理条件に基づいてＸ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２を制御する。例えば、ノズル移動制御部１１１は、Ｚ方向駆動部１４２を制御することにより、液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に、設定された間隔の隙間を形成する。また、ノズル移動制御部１１１は、Ｘ方向駆動部１４１を制御することにより、液ノズルブロック１５１を、設定された移動速度で移動させる。
【0038】
吐出制御部１１２は、基板Ｗの塗布処理時に、条件設定部１１５により設定された各種処理条件に基づいて処理液供給系１６０の各部（バルブ等）を制御する。プレート制御部１１３は、ピン昇降駆動部１３４および吸気駆動部１３５を制御する。それにより、ピン昇降駆動部１３４は、例えば塗布装置１００における基板Ｗの搬入および搬出時に複数の支持ピン１３３を上下動させる。吸気駆動部１３５は、基板Ｗをプレート部材１３１上に吸着保持する。また、プレート制御部１１３は、プレート調整部１３２を制御する。それにより、プレート部材１３１の基板載置部分の温度が調整される。
【0039】
気体噴射制御部１１４は、基板Ｗの塗布処理時に、条件設定部１１５により設定された各種処理条件に基づいて気体供給系１８０の各部（バルブ等）を制御する。より具体的には、気体噴射制御部１１４は、条件設定部１１５に設定された基体噴射条件に基づいて、塗布処理中の予め設定された期間（噴射時間）に、予め設定された圧力（風圧）で気体ノズル１７０から気体が噴射されるように、気体供給系１８０の各部を制御する。
【0040】
＜３＞基板処理装置１の基本動作の具体例
図３～図６は、基板処理装置１の基本動作の具体例を説明するための図である。図３～図６においては、図１の基板処理装置１の動作状態が時系列順に示される。図３～図６の各図では、塗布装置１００のうち一部の構成が上下に並ぶ平面図および側面図により示される。
図３～図６は、基板処理装置１の基本動作の具体例を説明するための図である。図３～図６においては、図１の基板処理装置１の動作状態が時系列順に示される。図３～図６の各図では、塗布装置１００のうち一部の構成が上下に並ぶ平面図および側面図により示される。
【0041】
まず、図３に示すように、処理対象となる基板Ｗがプレート部材１３１上に吸着保持される。この状態で、液ノズルブロック１５１が、水平面内でプレート部材１３１よりもわずかに後方の初期位置に保持される。また、液ノズルブロック１５１のＺ方向の位置（高さ位置）が、予め設定された処理条件（液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔）に対応する位置となるように調整される。
【0042】
以下の説明では、プレート部材１３１上に吸着保持された基板Ｗのうち最も後方に位置する部分を第１の基板端部ｗｐ１と呼ぶ。また、プレート部材１３１上に吸着保持された基板Ｗのうち最も前方に位置する部分を第２の基板端部ｗｐ２と呼ぶ。
【0043】
次に、液ノズルブロック１５１が、初期位置から予め設定された処理条件（液ノズルブロック１５１の移動速度）に従う速度で前進する。平面視で液ノズルブロック１５１と基板Ｗの第１の基板端部ｗｐ１とが重なるタイミングで、図示しないポンプにより所定量の処理液が吐出口１４から吐出される。このとき、液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間が処理液で満たされ、毛細管現象が発生し、液ノズルブロック１５１内の処理液が基板Ｗ上に引き出される。その後、液ノズルブロック１５１が基板Ｗ上を前進することにより、図４に示すように、基板Ｗの上面のうち平面視で液ノズルブロック１５１が通過する部分に連続的に処理液の膜が形成される。図４および後続の図５および図６では、基板Ｗ上に形成される処理液の膜がドットパターンで示される。
【0044】
液ノズルブロック１５１の前進動作は、液ノズルブロック１５１が平面視で第２の基板端部ｗｐ２に重なる位置に到達するまで継続される。これにより、図５に示すように、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成される。
【0045】
液ノズルブロック１５１が平面視で第２の基板端部ｗｐ２に重なる位置に到達すると、液ノズルブロック１５１の前進動作が一時的に停止する。また、図６の側面図に白抜きの点線矢印で示すように、液ノズルブロック１５１が所定高さ上昇する。これにより、液ノズルブロック１５１の吐出口１４から処理液が吐出されることが停止される。
【0046】
その後、図６の側面図に白抜きの実線矢印で示すように、液ノズルブロック１５１が再度前進する。このとき、図６の平面図および側面図に太い実線の矢印で示すように、液ノズルブロック１５１に取り付けられた気体ノズル１７０から液ノズルブロック１５１の下方の空間に向かって気体が噴射される。塗布装置１００の前後方向において、液ノズルブロック１５１がプレート部材１３１から十分に離間することにより、基板Ｗの塗布処理が終了する。この時、気体ノズル１７０における気体の噴射も停止される。
【0047】
＜４＞気体ノズル１７０から噴射される気体の働き
図３～図６に示される例で、気体ノズル１７０から噴射される気体の働きについて説明する。背景技術で説明したように、スリット状の吐出口を有するスリットノズルを用いて基板Ｗに塗布処理を行う場合、スリットノズルが基板から離間する際には、基板Ｗ上に、処理液の液溜まりに起因する膜厚異常部分が発生する。
図３～図６に示される例で、気体ノズル１７０から噴射される気体の働きについて説明する。背景技術で説明したように、スリット状の吐出口を有するスリットノズルを用いて基板Ｗに塗布処理を行う場合、スリットノズルが基板から離間する際には、基板Ｗ上に、処理液の液溜まりに起因する膜厚異常部分が発生する。
【0048】
図７および図８は、図１の塗布装置１００に気体ノズル１７０が設けられない場合に基板Ｗ上に発生し得る膜厚異常部分を説明するための参考図である。図７では、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成された後、液ノズルブロック１５１が基板Ｗから離間するときの処理液の状態が３つの側面図で時系列順に示される。
【0049】
まず、上記のように、液ノズルブロック１５１は、基板Ｗ上で前進することにより平面視で第２の基板端部ｗｐ２に重なる位置に到達すると、所定高さ上昇する。この場合、図７の上段に示すように、液ノズルブロック１５１に付着する処理液と基板Ｗ上の処理液とをつなぐように液柱ＬＣが形成される。
【0050】
その後、液ノズルブロック１５１がさらに前進することにより、基板Ｗと液ノズルブロック１５１とが互いに遠ざかると、図７の中段に示すように、液柱ＬＣが分断される。液柱ＬＣが形成されてから液柱ＬＣが分断されるまでの間は、液ノズルブロック１５１に付着する処理液が液柱ＬＣを伝って基板Ｗ上に流れやすい。また、液柱ＬＣの分断時には、分断された液柱ＬＣの一部が基板Ｗ上に余剰の処理液として流れ込む。それにより、第２の基板端部ｗｐ２の近傍部分に、余剰の処理液が残留する。このようにして基板Ｗ上に残留する余剰の処理液が、上記の液溜まりである。それにより図７の下段に示すように、第２の基板端部ｗｐ２の近傍部分に、処理液の膜の厚みが局所的に大きい膜厚異常部分ｅｐが形成される。図８に、図７の下段の膜厚異常部分ｅｐが平面図で示される。
【0051】
本実施の形態に係る気体ノズル１７０は、図７および図８の膜厚異常部分ｅｐを除去するかまたは膜厚異常部分ｅｐを可能な限り基板Ｗの外周端部に近づけるために用いられる。図９は、気体ノズル１７０から噴射される気体により得られる効果を説明するための図である。図９では、図７の例と同様に、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成された後、液ノズルブロック１５１が基板Ｗから離間するときの処理液の状態が３つの側面図で時系列順に示される。
【0052】
図９の上段に示すように、本実施の形態では、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成された後、液ノズルブロック１５１が上昇することにより液柱ＬＣが形成されるタイミングで気体ノズル１７０から気体が噴射される。このとき、気体ノズル１７０から噴射される気体の一部は、液柱ＬＣに衝突する。それにより、液柱ＬＣは、液ノズルブロック１５１が上昇を開始した後、比較的短時間で分断される。
【0053】
それにより、液ノズルブロック１５１に付着する処理液が液柱ＬＣを伝って基板Ｗの上面上に流れることが低減される。したがって、液柱ＬＣの分断後に基板Ｗの上面上に形成される処理液の液溜まりが大きくなりにくい。
【0054】
また、気体ノズル１７０による気体の噴射は、当該気体ノズル１７０から噴射される気体が基板Ｗから外れた位置に流れるまで継続される。それにより、液柱ＬＣの分断後に基板Ｗ上に液溜まりが形成される場合でも、図９の中段に示されるように、その液溜まりを形成する余剰の処理液が基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２に向かって押し出される。それにより、膜厚異常部分ｅｐにおける処理液の凹凸が平坦化される。さらに、図９の下段に示すように、余剰の処理液の一部は、基板Ｗの外周端部を通して基板Ｗの下面側に回り込むように流動する。
【0055】
このように、気体ノズル１７０によれば、基板Ｗ上の処理液の膜に膜厚異常部分ｅｐが形成される場合でも、その膜厚異常部分ｅｐの余剰の処理液を基板Ｗの外周端部により近い領域に移動させることができる。あるいは、その膜厚異常部分ｅｐの余剰の処理液を基板Ｗの下面側に移動させることができる。これらの結果、基板Ｗの上面のうち回路パターン等が形成される有効領域に膜厚異常部分が形成されることが防止される。
【0056】
なお、気体ノズル１７０による気体の噴射は、液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣの分断時点、または分断後のタイミングで行われてもよい。この場合においても、基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２の近傍に形成される膜厚異常部分ｅｐに向かって気体が噴射されることにより、膜厚異常部分ｅｐの凹凸が平坦化される。
【0057】
＜５＞気体ノズル１７０から噴射される気体に関する試験
本発明者らは、気体ノズル１７０を用いた気体の噴射による効果を確認するために、以下の試験を行った。まず、図１の基板処理装置１において一の基板Ｗの上面全体に処理液を塗布した後、塗布処理中に液ノズルブロック１５１を当該一の基板Ｗから離間させ、液ノズルブロック１５１を一時的に停止させた。続いて、液ノズルブロック１５１と一の基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣが分断された後、予め定められた第１の気体噴射条件で気体ノズル１７０から気体を噴射させ、実施例１の基板Ｗを作製した。第１の気体噴射条件においては、噴射時間（本例では噴射継続時間）を５ｓｅｃとし、風圧を０．１ＭＰａとした。
本発明者らは、気体ノズル１７０を用いた気体の噴射による効果を確認するために、以下の試験を行った。まず、図１の基板処理装置１において一の基板Ｗの上面全体に処理液を塗布した後、塗布処理中に液ノズルブロック１５１を当該一の基板Ｗから離間させ、液ノズルブロック１５１を一時的に停止させた。続いて、液ノズルブロック１５１と一の基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣが分断された後、予め定められた第１の気体噴射条件で気体ノズル１７０から気体を噴射させ、実施例１の基板Ｗを作製した。第１の気体噴射条件においては、噴射時間（本例では噴射継続時間）を５ｓｅｃとし、風圧を０．１ＭＰａとした。
【0058】
次に、図１の基板処理装置１において他の基板Ｗの上面全体に処理液を塗布した後、塗布処理中に液ノズルブロック１５１を当該他の基板Ｗから離間させ、液ノズルブロック１５１を一時的に停止させた。続いて、液ノズルブロック１５１と他の基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣが分断された後、予め定められた第２の気体噴射条件で気体ノズル１７０から気体を噴射させ、実施例２の基板Ｗを作製した。第２の気体噴射条件においては、噴射時間（本例では噴射継続時間）を１ｓｅｃとし、風圧を０．２ＭＰａとした。
【0059】
図１０は、実施例１および実施例２の基板Ｗの作製時に気体ノズル１７０から気体を噴射する状態を示す側面図である。図１０に示すように、実施例１および実施例２の基板Ｗの作製時において、気体ノズル１７０から気体を噴射する際の気体ノズル１７０の先端部から第２の基板端部ｗｐ２までのＸ方向の距離Ｄ１は、１００ｍｍであった。また、気体ノズル１７０の先端部から基板Ｗの上面までのＺ方向の距離Ｄ２は、４０ｍｍであった。
【0060】
次に、図１の基板処理装置１において気体ノズル１７０から気体を噴射させることなくさらに他の基板Ｗに塗布処理を行うことにより比較例の基板Ｗを作製した。その後、実施例１、実施例２および比較例の基板Ｗについて、乾燥処理および加熱処理を施した後、基板Ｗ上に形成された膜の厚み分布を測定した。
【0061】
図１１は、実施例１、実施例２および比較例の基板Ｗに形成された膜の厚み分布の測定結果を示す図である。図１１では、膜の厚み分布の測定結果が、グラフにより示される。図１１のグラフにおいて、縦軸は基板Ｗ上に形成される膜の厚みを表す。また、横軸は、基板Ｗの中心と第２の基板端部ｗｐ２とを結ぶ直線上の位置（基板Ｗの半径方向の位置）を表す。横軸に示される数値は、基板Ｗの中心からの距離を表す。実施例１、実施例２および比較例の基板Ｗはそれぞれ３００ｍｍの直径を有する。そのため、図１１の横軸における１５０ｍｍの位置は、各基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２の位置に相当する。
【0062】
図１１に実線の折れ線で示すように、実施例１の基板Ｗにおいては、膜の厚みに大きな変動が認められる部分（膜厚異常部分ｅｐ）が、半径方向において概ね１４８ｍｍの位置から１５０ｍｍの位置の範囲内に存在する。また、図１１に一点鎖線の折れ線で示すように、実施例２の基板Ｗにおいても、膜の厚みに大きな変動が認められる部分（膜厚異常部分ｅｐ）が、半径方向において概ね１４８ｍｍの位置から１５０ｍｍの位置の範囲内に存在する。これに対して、図１１に点線の折れ線で示すように、比較例の基板Ｗにおいては、膜の厚みに大きな変動が認められる部分（膜厚異常部分ｅｐ）が、半径方向において概ね１４６ｍｍの位置から１５０ｍｍの位置の範囲内に存在する。
【0063】
これにより、塗布処理時に基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２近傍に気体ノズル１７０から気体を噴射することにより、基板Ｗの周縁部に形成される膜厚異常部分ｅｐの範囲（半径方向の幅）が小さくなることが確認された。すなわち、塗布処理時に膜厚異常部分ｅｐの発生部分に気体を噴射することにより、基板Ｗの上面におけるより広い範囲に渡って膜の厚みを均一化することが可能であることが確認できた。
【0064】
＜６＞第１の実施の形態の効果
（ａ）本実施の形態に係る塗布装置１００においては、基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２近傍に吐出された処理液に気体ノズル１７０から気体が供給される。この場合、第２の基板端部ｗｐ２の近傍における膜厚異常部分ｅｐの凹凸が平坦化される。その結果、基板Ｗの上面に形成される処理液の膜の厚みをより広い範囲に渡って均一化することができる。
（ａ）本実施の形態に係る塗布装置１００においては、基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２近傍に吐出された処理液に気体ノズル１７０から気体が供給される。この場合、第２の基板端部ｗｐ２の近傍における膜厚異常部分ｅｐの凹凸が平坦化される。その結果、基板Ｗの上面に形成される処理液の膜の厚みをより広い範囲に渡って均一化することができる。
【0065】
（ｂ）また、上記の塗布装置１００においては、液ノズルブロック１５１に気体ノズル１７０が取り付けられている。この場合、液ノズルブロック１５１と気体ノズル１７０との位置関係が固定される。したがって、液ノズルブロック１５１と気体ノズル１７０との位置関係を予め適切に定めておくことにより、液ノズルブロック１５１から基板Ｗ上に塗布された処理液の膜に対して、所望の位置に容易かつ正確に気体を噴射することが可能になる。
【0066】
２．第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置１について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１と異なる点を説明する。第２の実施の形態に係る基板処理装置１は、気体ノズル１７０が、第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０とは異なる構成を有する。図１２は、第２の実施の形態に係る気体ノズル１７０の構成を説明するための模式的平面図である。図１２では、第２の実施の形態に係る気体ノズル１７０とともに、その周辺部材（プレート部材１３１、液ノズルブロック１５１および気体供給系１８０）が平面図で示される。
第２の実施の形態に係る基板処理装置１について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１と異なる点を説明する。第２の実施の形態に係る基板処理装置１は、気体ノズル１７０が、第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０とは異なる構成を有する。図１２は、第２の実施の形態に係る気体ノズル１７０の構成を説明するための模式的平面図である。図１２では、第２の実施の形態に係る気体ノズル１７０とともに、その周辺部材（プレート部材１３１、液ノズルブロック１５１および気体供給系１８０）が平面図で示される。
【0067】
図１２に示すように、本実施の形態に係る気体ノズル１７０は、複数（本例では１５本）の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５を有する。複数の分割ノズル部ｎ１～１ｎ１５は、図示しない保持部材により一体的に保持され、取付部材１７１（図１３等参照）により液ノズルブロック１５１に取り付けられている。なお、図１２では、取付部材１７１の図示が省略されている。
【0068】
複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５は、液ノズルブロック１５１の後方の位置でＹ方向に等間隔で並んでいる。また、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５は、Ｙ方向における吐出口１４の複数の部分にそれぞれ対応するように設けられている。
【0069】
複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５には、気体供給系１８０を構成する複数の配管ＰＩ２がそれぞれ接続されている。ここで、本実施の形態に係る気体供給系１８０は、各配管ＰＩ２を通して複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々に気体を供給する気体供給装置１８１を備える。複数の配管ＰＩ２の各々にはバルブｖａが設けられている。
【0070】
各配管ＰＩ２に設けられたバルブｖａが開かれることにより、当該配管ＰＩ２に接続された分割ノズル部から気体が噴射される。各配管ＰＩ２に設けられたバルブｖａが閉じられることにより、当該配管ＰＩ２に接続された分割ノズル部から気体が噴射されない。
【0071】
本実施の形態に係る基板処理装置１の制御部１１０においては、条件設定部１１５（図２）に「気体噴射条件」として、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５からそれぞれ気体が噴射されるべき期間（噴射時間）が記憶される。これにより、気体噴射制御部１１４（図２）は、記憶された複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の噴射時間に基づいて、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５にそれぞれ対応する複数のバルブｖａの開閉状態を制御する。すなわち、気体噴射制御部１１４は、複数のバルブｖａの開閉状態を制御することにより、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々の気体の噴射状態を切り替える。
【0072】
第１の実施の形態に係る基板処理装置１の説明では、塗布処理中に第２の基板端部ｗｐ２の近傍に発生する膜厚異常部分ｅｐについて言及している。しかしながら、実際には、基板Ｗの塗布処理中、第２の基板端部ｗｐ２の近傍以外の部分にも膜厚異常部分ｅｐが発生する可能性がある。
【0073】
基板Ｗの塗布処理時に発生する可能性がある膜厚異常部分ｅｐの基板Ｗ上の位置は、当該塗布処理を行う前にシミュレーションまたは実験を行うことによりある程度予測することができる。そこで、本実施の形態では、基板Ｗ上に発生する可能性がある複数の膜厚異常部分ｅｐの基板Ｗ上の位置が予測される。その上で、複数の膜厚異常部分ｅｐの発生が予測される基板Ｗ上の複数の部分にそれぞれ気体が噴射されるように、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々の噴射時間が「気体噴射条件」として条件設定部１１５に設定される。
【0074】
図１２の例では、プレート部材１３１上に吸着保持された基板の上面をＸ方向およびＹ方向に等距離で分割する複数の仮想点線が示される。複数の仮想点線で仕切られる複数の領域の各々について、膜厚異常部分ｅｐの発生の可能性が評価される。その上で、膜厚異常部分ｅｐの発生が予測される１または複数の領域に対して局所的に気体が噴射されるように複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の噴射時間が定められる。
【0075】
具体的には、例えば基板Ｗの第１の基板端部ｗｐ１の近傍に膜厚異常部分ｅｐの発生が予測される場合を想定する。この場合、液ノズルブロック１５１が基板Ｗの第１の基板端部ｗｐ１およびその近傍を通過する際に、当該第１の基板端部ｗｐ１およびその近傍部分にのみ気体が噴射されるように複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の噴射時間が設定される。図１２では、第１の基板端部ｗｐ１およびその近傍部分として気体が噴射されるべき３つの領域が薄いハッチングで示される。また、図１２では、第１の基板端部ｗｐ１およびその近傍部分として気体が噴射されるべき領域のＸ方向の位置が符号ｘ１で示される。
【0076】
図１３は、第２の実施の形態に係る塗布処理において基板Ｗの第１の基板端部ｗｐ１およびその近傍部分に気体が噴射される状態を示す側面図である。図１４は、図１３の気体ノズル１７０、液ノズルブロック１５１、プレート部材１３１および基板Ｗを塗布装置１００の前方から見た図である。図１４では、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５と基板Ｗとの位置関係の理解を容易にするために、液ノズルブロック１５１が一点鎖線により示される。また、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５のうち気体を噴射する分割ノズル部ｎ７，ｎ８，ｎ９に薄いハッチングが付されている。
【0077】
図１３および図１４に示すように、本例では、塗布処理中、液ノズルブロック１５１がＸ方向の位置ｘ１を通過する際、所定のタイミングで一部の分割ノズル部ｎ７，ｎ８，ｎ９から、基板Ｗ上の処理液に気体が噴射される。それにより、第１の基板端部ｗｐ１およびその近傍部分に膜厚異常部分ｅｐが発生する場合でも、気体ノズル１７０から噴射される気体により膜厚異常部分ｅｐの凹凸が平坦化される。また、膜厚異常部分ｅｐの形成領域が小さくされる。
【0078】
また、例えば基板Ｗの外周端部のうち第１の基板端部ｗｐ１および第２の基板端部ｗｐ２から所定距離離れた複数の円弧状部分の近傍に膜厚異常部分ｅｐの発生が予測される場合を想定する。この場合、液ノズルブロック１５１が基板Ｗの複数の円弧状部分およびその近傍を通過する際に、それらの複数の円弧状部分およびその近傍部分にのみ気体が噴射されるように複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の噴射時間が設定される。図１２では、複数の円弧状部分およびその近傍部分として気体が噴射されるべき複数の領域がドットパターンで示される。また、図１２では、複数の円弧状部分およびその近傍部分として気体が噴射されるべき領域の一部に重なるＸ方向の位置が符号ｘ２で示される。
【0079】
図１５は、第２の実施の形態に係る塗布処理において基板Ｗの外周端部のうち複数の円弧状部分の一部に気体が噴射される状態を示す側面図である。図１６は、図１５の気体ノズル１７０、液ノズルブロック１５１、プレート部材１３１および基板Ｗを塗布装置１００の前方から見た図である。図１６では、図１４の例と同様に、液ノズルブロック１５１が一点鎖線により示される。また、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５のうち気体を噴射する分割ノズル部ｎ１，ｎ１５にドットパターンが付されている。
【0080】
図１５および図１６に示すように、本例では、塗布処理中、液ノズルブロック１５１がＸ方向の位置ｘ２を通過する際、所定のタイミングで一部の分割ノズル部ｎ１，ｎ１５から、基板Ｗ上の処理液に気体が噴射される。それにより、基板Ｗの外周端部のうち複数の円弧状部分およびその近傍部分に膜厚異常部分ｅｐが発生する場合でも、気体ノズル１７０から噴射される気体により各膜厚異常部分ｅｐの凹凸が平坦化される。また、膜厚異常部分ｅｐの形成領域が小さくされる。
【0081】
また、上記のように、スリット状の吐出口１４を有する液ノズルブロック１５１の塗布処理では、基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２の近傍に膜厚異常部分ｅｐの発生が予測される。そこで、液ノズルブロック１５１が基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２およびその近傍を通過する際に、当該第２の基板端部ｗｐ２およびその近傍部分にのみ気体が噴射されるように複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の噴射時間が設定される。図１２では、第２の基板端部ｗｐ２およびその近傍部分として気体が噴射されるべき１つの領域が濃いハッチングで示される。また、図１２では、第２の基板端部ｗｐ２およびその近傍部分として気体が噴射されるべき領域のＸ方向の位置が符号ｘ３で示される。
【0082】
図１７は、第２の実施の形態に係る塗布処理において基板Ｗの第２の基板端部ｗｐ２およびその近傍部分に気体が噴射される状態を示す側面図である。図１８は、図１７の気体ノズル１７０、液ノズルブロック１５１、プレート部材１３１および基板Ｗを塗布装置１００の前方から見た図である。図１８では、図１４の例と同様に、液ノズルブロック１５１が一点鎖線により示される。また、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５のうち気体を噴射する分割ノズル部ｎ８に濃いハッチングが付されている。
【0083】
図１７および図１８に示すように、本例では、塗布処理中、液ノズルブロック１５１がＸ方向の位置ｘ３を通過する際、所定のタイミングで一部の分割ノズル部ｎ８から、基板Ｗ上の処理液に気体が噴射される。それにより、第２の基板端部ｗｐ２およびその近傍部分に膜厚異常部分ｅｐが発生する場合でも、気体ノズル１７０から噴射される気体により膜厚異常部分ｅｐの凹凸が平坦化される。また、膜厚異常部分ｅｐの形成領域が小さくされる。
【0084】
上記のように、第２の実施の形態に係る基板処理装置１によれば、予め基板Ｗ上に発生することが予測される膜厚異常部分ｅｐの位置を把握しておくことにより、基板Ｗ上の任意の位置に局所的に気体を噴射することが可能である。例えば、図１２の基板Ｗ上で丸印が付された３つの領域に示すように、基板Ｗ上の略中央部の領域に局所的に気体を噴射することも可能である。
【0085】
３．他の実施の形態
（ａ）第１の実施の形態に係る基板処理装置１には、図１の気体ノズル１７０に代えて、以下の構成を有する気体ノズル１７０が設けられてもよい。図１９は、他の実施の形態に係る気体ノズル１７０の一構成例を示す平面図である。図１９では、気体ノズル１７０とともに液ノズルブロック１５１の平面図が示される。
（ａ）第１の実施の形態に係る基板処理装置１には、図１の気体ノズル１７０に代えて、以下の構成を有する気体ノズル１７０が設けられてもよい。図１９は、他の実施の形態に係る気体ノズル１７０の一構成例を示す平面図である。図１９では、気体ノズル１７０とともに液ノズルブロック１５１の平面図が示される。
【0086】
図１９に示すように、本例の気体ノズル１７０は、Ｙ方向に延びるスリット状の噴射口１７９を有する。また、噴射口１７９のＹ方向の長さは、液ノズルブロック１５１の吐出口１４のＹ方向の長さと同じである。この場合、気体ノズル１７０から液ノズルブロック１５１の下方の空間に気体が噴射されることにより、基板Ｗ上に帯状（カーテン状）の気体の流れを発生させることができる。
【0087】
したがって、図１９の気体ノズル１７０を用いる場合には、例えば塗布処理中継続して気体ノズル１７０から気体を噴射させることにより、簡単な構成で基板Ｗ上の処理液の膜の全体に渡って厚みを均一化することができる。
【0088】
（ｂ）第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０および第２の実施の形態に係る複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々は、水平方向において塗布装置１００の前方を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように設けられている。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
【0089】
第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０および第２の実施の形態に係る複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５のうちの少なくとも一部は、水平方向において塗布装置１００の後方を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように設けられてもよい。あるいは、第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０および第２の実施の形態に係る複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５のうちの少なくとも一部は、鉛直方向に平行でかつ下方を向く方向に気体を噴射するように設けられてもよい。
【0090】
（ｃ）第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０および第２の実施の形態に係る複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々は、気体の噴射方向を変更可能に液ノズルブロック１５１に取り付けられてもよい。
【0091】
（ｄ）第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０および第２の実施の形態に係る複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々は液ノズルブロック１５１に取り付けられるが、本発明はこれに限定されない。第１の実施の形態に係る気体ノズル１７０および第２の実施の形態に係る複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５の各々は、液ノズルブロック１５１とは異なる支持部材に支持されてもよい。この場合、支持部材を、当該支持部材により支持される気体ノズルの位置および姿勢を調整可能に構成することが好ましい。それにより、基板Ｗ上に形成される膜厚異常部分ｅｐの種類および位置等に応じた気体の噴射が可能になる。
【0092】
（ｅ）第１および第２の実施の形態に係る基板処理装置１において、処理対象の基板は、ノッチまたはオリエンテーションフラット等が形成された円形基板であるが、本発明はこれに限定されない。処理対象の基板は、矩形基板であってもよい。
【0093】
（ｆ）第１および第２の実施の形態に係る基板処理装置１において、液ノズルブロック１５１から基板Ｗには、液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間で発生する毛細管現象を利用して基板Ｗ上に処理液が供給されるが、本発明はこれに限定されない。
【0094】
例えば、基板処理装置１は、毛細管現象の発生を利用することなく、液ノズルブロック１５１の吐出口１４から基板Ｗ上に処理液を供給するように構成されてもよい。それにより、液ノズルブロック１５１から基板Ｗへの処理液の供給時に、液ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の距離を毛細管現象が発生しない程度に大きくすることができる。
【0095】
この場合、液ノズルブロック１５１から基板Ｗへの処理液の供給は、液ノズルブロック１５１内の処理液の圧力を調整する（高くする）ことにより行う。なお、基板Ｗに対する液ノズルブロック１５１の移動時には、基板Ｗの外側の領域に余分な処理液が吐出されないように、吐出口１４の開口幅を基板Ｗの寸法に合うように調整することが好ましい。すなわち、吐出口１４のうち平面視で基板Ｗに重ならない部分を閉塞することが好ましい。それにより、基板Ｗが存在しない領域に処理液が吐出されることが防止され、処理液の無駄な消費が防止される。
【0096】
（ｇ）第１および第２の実施の形態に係る塗布装置１００は、固定されたプレート部材１３１上の基板Ｗに対して液ノズル装置１５０が前後方向に移動することにより基板Ｗ上に処理液の膜が形成されるが、本発明はこれに限定されない。
【0097】
塗布装置１００は、プレート部材１３１が前後方向に移動可能に構成されてもよい。この場合、固定された液ノズル装置１５０に対してプレート部材１３１が前後方向に移動することにより、プレート部材１３１に載置された基板Ｗ上に処理液の膜が形成されてもよい。あるいは、液ノズル装置１５０が後方（または前方）に向かって移動するとともにプレート部材１３１が前方（または後方）に向かって移動することにより、プレート部材１３１に載置された基板Ｗ上に処理液の膜が形成されてもよい。
【0098】
４．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0099】
上記実施の形態においては、基板処理装置１が基板処理装置の例であり、ステージ装置１３０が基板保持部の例であり、液ノズルブロック１５１が液ノズルの例であり、ノズル支持体１４０およびＸ方向駆動部１４１が移動部の例であり、気体ノズル１７０および複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５が１または複数の気体ノズルの例である。
【0100】
また、気体ノズル１７０、複数の分割ノズル部ｎ１～ｎ１５および気体供給系１８０が気体供給部の例であり、図１９の噴射口１７９がスリット状の噴射口の例であり、図１９の気体ノズル１７０が一の気体ノズルの例であり、分割ノズル部ｎ１～ｎ１５が複数の気体ノズルの例であり、図１２の複数のバルブｖａおよび図２の気体噴射制御部１１４が切替部の例である。
【0101】
５．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させる移動部と、
前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給する１または複数の気体ノズルを有する気体供給部とを備える。
（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させる移動部と、
前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給する１または複数の気体ノズルを有する気体供給部とを備える。
【0102】
その基板処理装置においては、液ノズルが処理液を吐出しつつ基板保持部により保持された基板の上方の空間を通過する。これにより、基板保持部により保持された基板の上面に処理液の膜が形成される。このようにして基板の上面に形成される膜には、液ノズルと基板との間の処理液の状態の変化により局所的に厚みが変化する部分（以下、膜厚異常部分と呼ぶ。）が発生する場合がある。
【0103】
上記の構成によれば、液ノズルから基板上に吐出された処理液に気体が供給される。この場合、膜厚異常部分に気体が供給されることにより、当該膜厚異常部分における処理液の凹凸が平坦化される。その結果、基板の上面に形成される処理液の膜の厚みを均一化することができる。
【0104】
（第２項）第１項に記載の基板処理装置において、
前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つは、前記基板保持部により保持される前記基板の上方の位置に設けられ、水平方向において前記第２の方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように構成されてもよい。
前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つは、前記基板保持部により保持される前記基板の上方の位置に設けられ、水平方向において前記第２の方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように構成されてもよい。
【0105】
この場合、基板の上面に対して斜め下方に気体が噴射される。それにより、上記の液溜まりを構成する余剰な処理液が第２の方向に流動しやすい。
【0106】
（第３項）第２項に記載の基板処理装置において、
前記移動部は、前記液ノズルが前記基板の上方の空間を通過することにより前記基板の前記上面に処理液の膜が形成された後、前記基板と前記液ノズルとが互いに遠ざかるように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第２の方向に相対的に移動させる離間動作を行い、
前記移動部による前記離間動作中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体供給部は、前記移動部による前記離間動作中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射してもよい。
前記移動部は、前記液ノズルが前記基板の上方の空間を通過することにより前記基板の前記上面に処理液の膜が形成された後、前記基板と前記液ノズルとが互いに遠ざかるように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第２の方向に相対的に移動させる離間動作を行い、
前記移動部による前記離間動作中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体供給部は、前記移動部による前記離間動作中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射してもよい。
【0107】
この場合、液柱に気体が噴射されることにより、移動部による離間動作が開始された後、液柱が比較的短時間で分断される。それにより、液ノズルの外表面に付着する処理液が液柱を伝って基板の上面上に流れることが低減され、液柱の分断後に基板の上面上に形成される液溜まりが大きくなりにくい。
【0108】
また、仮に基板の上面上に液溜まりが形成されても、その液溜まりに対して基板の外方に向いて気体が噴射される場合には、当該液溜まりから余剰の処理液が他の領域に流動する。それにより、液溜まりに起因する膜厚異常部分を、基板の外周端部により近い領域、および基板の下面側に移動させることができる。これらの結果、基板の上面のうち回路パターン等が形成される領域に膜厚異常部分が形成されることが防止される。
【0109】
（第４項）第１項～第３項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記１または複数の気体ノズルは、前記第１の方向に延びるスリット状の噴射口を有する一の気体ノズルを含み、
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有してもよい。
前記１または複数の気体ノズルは、前記第１の方向に延びるスリット状の噴射口を有する一の気体ノズルを含み、
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有してもよい。
【0110】
この場合、一の気体ノズルの噴射口が液ノズルの吐出口と同じ長さを有するので、基板上の処理液の膜のより広い範囲に渡って気体を噴射することができる。したがって、簡単な構成で基板上の処理液の膜のより広い範囲に渡って厚みを均一化することができる。
【0111】
（第５項）第１項～第４項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルの前記吐出口の前記第１の方向における複数の部分にそれぞれ対応するように設けられた複数の気体ノズルを含み、
前記気体供給部は、
前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替え可能に構成された切替部とを含んでもよい。
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルの前記吐出口の前記第１の方向における複数の部分にそれぞれ対応するように設けられた複数の気体ノズルを含み、
前記気体供給部は、
前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替え可能に構成された切替部とを含んでもよい。
【0112】
この場合、複数の気体ノズルにおける気体の噴射状態を切り替えることにより、基板の上面上に供給される処理液のうち所望の部分に個別に気体を噴射することができる。したがって、膜厚異常部分が発生した部分、あるいは膜厚異常部分が発生することが予測される部分に個別に気体を噴射することにより、基板の上面上の複数の部分で膜厚異常部分が発生することを低減することができる。
【0113】
（第６項）第１項～第５項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルに取り付けられてもよい。
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルに取り付けられてもよい。
【0114】
この場合、液ノズルと１または複数の気体ノズルとの位置関係が固定される。したがって、液ノズルと１または複数の気体ノズルとの位置関係を予め適切に定めておくことにより、液ノズルから基板上に塗布された処理液の膜に対して、所望の位置に容易かつ正確に気体を噴射することが可能になる。
【0115】
（第７項）第７項に係る基板処理方法は、
基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルを用意するステップと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させるステップと、
１または複数の気体ノズルを用いて前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給するステップとを含む。
基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
第１の方向に延びるスリット状の吐出口を有し、前記基板保持部により保持された前記基板に前記吐出口から処理液を吐出する液ノズルを用意するステップと、
前記液ノズルが前記基板に処理液を吐出しつつ前記基板の上方の空間を通過するように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第１の方向に交差する第２の方向に相対的に移動させるステップと、
１または複数の気体ノズルを用いて前記液ノズルから前記基板上に吐出された処理液に気体を供給するステップとを含む。
【0116】
その基板処理方法においては、液ノズルが処理液を吐出しつつ基板保持部により保持された基板の上方の空間を通過する。これにより、基板保持部により保持された基板の上面に処理液の膜が形成される。このようにして基板の上面に形成される膜には、液ノズルと基板との間の処理液の状態の変化により局所的に厚みが変化する部分（以下、膜厚異常部分と呼ぶ。）が発生する場合がある。
【0117】
上記の構成によれば、液ノズルから基板上に吐出された処理液に気体が供給される。この場合、膜厚異常部分に気体が供給されることにより、当該膜厚異常部分における処理液の凹凸が平坦化される。その結果、基板の上面に形成される処理液の膜の厚みを均一化することができる。
【0118】
（第８項）第７項に記載の基板処理方法において、
前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つは、前記基板保持部により保持される前記基板の上方の位置に設けられ、水平方向において前記第２の方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように構成されてもよい。
前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つは、前記基板保持部により保持される前記基板の上方の位置に設けられ、水平方向において前記第２の方向を向きかつ上下方向において下方を向く方向に気体を噴射するように構成されてもよい。
【0119】
上記の構成によれば、基板の上面に対して斜め下方に気体が噴射される。それにより、上記の液溜まりを構成する余剰な処理液が第２の方向に流動しやすい。
【0120】
（第９項）第８項に記載の基板処理方法において、
前記基板処理方法は、
前記液ノズルが前記基板の上方の空間を通過することにより前記基板の前記上面に処理液の膜が形成された後、前記基板と前記液ノズルとが互いに遠ざかるように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第２の方向に相対的に移動させる離間ステップをさらに含み、
前記離間ステップ中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体を供給するステップは、前記離間ステップ中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射することを含んでもよい。
前記基板処理方法は、
前記液ノズルが前記基板の上方の空間を通過することにより前記基板の前記上面に処理液の膜が形成された後、前記基板と前記液ノズルとが互いに遠ざかるように、前記基板保持部および前記液ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記第２の方向に相対的に移動させる離間ステップをさらに含み、
前記離間ステップ中には、前記基板と前記液ノズルとの間で、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記液ノズルの外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が形成され、
前記気体を供給するステップは、前記離間ステップ中、前記液柱が分断される前に、前記１または複数の気体ノズルのうち少なくとも１つから前記液柱に気体を噴射することを含んでもよい。
【0121】
この場合、液柱に気体が噴射されることにより、離間ステップが開始された後、液柱が比較的短時間で分断される。それにより、液ノズルの外表面に付着する処理液が液柱を伝って基板の上面上に流れることが低減され、液柱の分断後に基板の上面上に形成される液溜まりが大きくなりにくい。
【0122】
また、仮に基板の上面上に液溜まりが形成されても、その液溜まりに対して基板の外方に向いて気体が噴射される場合には、当該液溜まりから余剰の処理液が他の領域に流動する。それにより、液溜まりに起因する膜厚異常部分を、基板の外周端部により近い領域、および基板の下面側に移動させることができる。これらの結果、基板の上面のうち回路パターン等が形成される領域に膜厚異常部分が形成されることが防止される。
【0123】
（第１０項）第７項～第９項のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記１または複数の気体ノズルは、前記第１の方向に延びるスリット状の噴射口を有する一の気体ノズルを含み、
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有してもよい。
前記１または複数の気体ノズルは、前記第１の方向に延びるスリット状の噴射口を有する一の気体ノズルを含み、
前記一の気体ノズルの前記噴射口は、前記液ノズルの前記吐出口と同じ長さを有してもよい。
【0124】
この場合、一の気体ノズルの噴射口が液ノズルの吐出口と同じ長さを有するので、基板上の処理液の膜のより広い範囲に渡って気体を噴射することができる。したがって、簡単な構成で基板上の処理液の膜のより広い範囲に渡って厚みを均一化することができる。
【0125】
（第１１項）第７項～第１０項のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルの前記吐出口の前記第１の方向における複数の部分にそれぞれ対応するように設けられた複数の気体ノズルを含み、
前記気体を供給するステップは、前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替えることを含んでもよい。
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルの前記吐出口の前記第１の方向における複数の部分にそれぞれ対応するように設けられた複数の気体ノズルを含み、
前記気体を供給するステップは、前記複数の気体ノズルにおける前記気体の噴射状態を切り替えることを含んでもよい。
【0126】
この場合、複数の気体ノズルにおける気体の噴射状態を切り替えることにより、基板の上面上に供給される処理液のうち所望の部分に個別に気体を噴射することができる。したがって、膜厚異常部分が発生した部分、あるいは膜厚異常部分が発生することが予測される部分に個別に気体を噴射することにより、基板の上面上の複数の部分で膜厚異常部分が発生することを低減することができる。
【0127】
（第１２項）第７項～第１１項のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルに取り付けられてもよい。
前記１または複数の気体ノズルは、前記液ノズルに取り付けられてもよい。
【0128】
この場合、液ノズルと１または複数の気体ノズルとの位置関係が固定される。したがって、液ノズルと１または複数の気体ノズルとの位置関係を予め適切に定めておくことにより、液ノズルから基板上に塗布された処理液の膜に対して、所望の位置に容易かつ正確に気体を噴射することが可能になる。
【0129】
上記の実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板処理の歩留まりが向上し、処理液の無駄な消費が抑制されるので、多量な処理液を生成する必要がない。したがって、処理液に起因する地球環境の汚染の低減に寄与することができる。
【符号の説明】
【0130】
１…基板処理装置，１１…前面，１２…後面，１３ａ…基板対向面，１３ｂ…前傾斜面，１３ｃ…後傾斜面，１４…吐出口，１５…液流路，１６…貯留部，１００…塗布装置，１１０…制御部，１１１…ノズル移動制御部，１１２…吐出制御部，１１３…プレート制御部，１１４…気体噴射制御部，１１５…条件設定部，１２０…ステージ支持体，１２１…ガイドレール，１３０…ステージ装置，１３１…プレート部材，１３２…プレート調整部，１３３…支持ピン，１３４…ピン昇降駆動部，１３５…吸気駆動部，１４０…ノズル支持体，１４１…Ｘ方向駆動部，１４２…Ｚ方向駆動部，１５０…液ノズル装置，１５１…液ノズルブロック，１６０…処理液供給系，１７０…気体ノズル，１７１…取付部材，１７９…噴射口，１８０…気体供給系，１８１…気体供給装置，１９０…操作部，ＬＣ…液柱，ＰＩ１，ＰＩ２…配管，Ｗ…基板，ｅｐ…膜厚異常部分，ｎ１～ｎ１５…分割ノズル部，ｔａ…一端部，ｔｂ…他端部，ｖａ…バルブ，ｗｐ１…第１の基板端部，ｗｐ２…第２の基板端部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】