(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024135883
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】電子装置および電子装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240927BHJP
H01L 21/56 20060101ALI20240927BHJP
H05K 1/18 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311S
H01L21/56 E
H05K1/18 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023046779
(22)【出願日】2023-03-23
(71)【出願人】
【識別番号】000004237
【氏名又は名称】日本電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100109313
【弁理士】
【氏名又は名称】机 昌彦
(74)【代理人】
【識別番号】100149618
【弁理士】
【氏名又は名称】北嶋 啓至
(72)【発明者】
【氏名】大塚 恭子
【テーマコード（参考）】
5E336
5F044
5F061
【Ｆターム（参考）】
5E336AA04
5E336BB01
5E336CC34
5E336CC58
5E336DD16
5E336DD26
5E336DD28
5E336EE01
5E336EE07
5E336GG16
5F044KK03
5F044LL05
5F044QQ01
5F044RR16
5F061AA01
5F061BA05
5F061CA26
(57)【要約】
【課題】チップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、チップ部品の回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、第１の主面と補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、フレキシブル回路基板と補強板とを支持する支持部と、回路形成面と第１の主面との間の空間を充填し、かつ、チップ部品の側面と支持部とにつながる樹脂と、を備え、回路形成面と第１の主面との間の空間を充填される樹脂と、チップ部品の側面と支持部とにつながる樹脂が同じものである。
【選択図】 図１
【解決手段】電子装置は、チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、チップ部品の回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、第１の主面と補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、フレキシブル回路基板と補強板とを支持する支持部と、回路形成面と第１の主面との間の空間を充填し、かつ、チップ部品の側面と支持部とにつながる樹脂と、を備え、回路形成面と第１の主面との間の空間を充填される樹脂と、チップ部品の側面と支持部とにつながる樹脂が同じものである。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられた補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填され、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備え、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填された前記樹脂と、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる前記樹脂が同じものである、
ことを特徴とする電子装置。
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられた補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填され、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備え、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填された前記樹脂と、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる前記樹脂が同じものである、
ことを特徴とする電子装置。
【請求項2】
前記支持部が前記チップ部品の側面を囲う枠状に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項3】
前記支持部が前記チップ部品の側面の外側に設けられた柱状の部材である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項4】
前記補強板と前記支持部とが一体に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項5】
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、前記フレキシブル回路基板の基材の曲げ弾性率よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項6】
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記フレキシブル回路基板の前記支持部に対応する場所に設けられ、前記フレキシブル回路基板を補強する補強部材と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間を充填し、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備えることを特徴とする電子装置。
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記フレキシブル回路基板の前記支持部に対応する場所に設けられ、前記フレキシブル回路基板を補強する補強部材と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間を充填し、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備えることを特徴とする電子装置。
【請求項7】
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記チップ電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記回路形成面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記チップ電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記回路形成面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項8】
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプによって接続する前に、前記樹脂を半硬化させる、
ことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
ことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項9】
前記支持部が前記補強板と一体に形成されている、
ことを特徴とする請求項６または７に記載の電子装置の製造方法。
ことを特徴とする請求項６または７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項10】
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記基板電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記基板電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子装置等に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の小型化が進んでいる。これに伴い、回路基板へのチップ部品実装における省スペース化が進んでいる。チップ部品は、例えば、半導体集積回路や光電素子をチップ化した部品である。この省スペース化を図るために、フリップチップ実装の利用が盛んになっている。フリップチップ実装では、チップ部品の回路形成面が回路基板に対向される。そして、チップ部品の電極と回路基板の電極とが、直接または接合材を介して接続される。フリップチップ実装では、電極間を接続するワイヤが不要になる。このため、実装の省スペース化が可能になる。また、電極間がワイヤよりも短い距離で接続される。このため、伝送損失が低減される。これにより、電子機器の高速化や高周波数化が可能になる。
【0003】
ところで、チップ部品が回路基板にフリップチップ実装された電子機器では、環境温度の上昇と下降があった際に、回路基板に反り等の変形が発生することがある。これはチップ部品と回路基板との熱膨張率が異なることが原因である。このような変形があると、チップ部品の電極と回路基板の電極との接合部に応力が加わって破損する恐れがある。そこで、接合部の破損のリスクを低減する方法が検討されている。
【0004】
例えば、特許文献１には、チップ部品（特許文献１では半導体チップ部品と記載）上に搭載された蓋部と、チップ部品を囲む枠型の補強材と、樹脂とを用いて、接合部の破壊の防止を図る半導体装置及びその製造方法が提案されている。この技術では、フリップチップ実装で、回路基板（特許文献１では搭載用基板と記載）にチップ部品が接合される。そして、チップ部品と回路基板との間に第１の樹脂が充填される。また、チップ部品を囲む枠型の補強材と蓋部とが設けられる。蓋部が、チップ部品の接合部と反対の面（特許文献１では裏面と記載）に搭載される。また、補強材の第１の端面が回路基板に接続され、第１の端面と対向する第２の端面が蓋部に接続される。そして、チップ部品の側面と回路基板と補強材と蓋部とに囲まれた空間の少なくとも一部に第２の樹脂が充填される。ここで、第２の樹脂の熱膨張率が、第１の樹脂の熱膨張率よりも小さい。また、第１および第２の樹脂は同じエポキシ系樹脂からなり、無機質フィラーの含有量が異なる。特許文献１では、補強材によって、温度変化の際の回路基板の反りが低減されるとされている。また、第２の樹脂が存在することによって、接合部の第１の樹脂に加わる応力が緩和され、接合部の破壊が防止されるとされている。
【0005】
そして、上記の半導体装置は、以下のような製造方法によって製造される。まず、補強材の第１の端面が回路基板に接着される。次に、チップ部品が回路基板にフリップチップ実装される。ここで、チップ電極にはバンプ電極が接着され、各バンプ電極が対応する内部ランド電極（回路基板の電極）に位置決めされて、チップ部品が回路基板に載置される。そして、例えば、加熱や超音波によって、チップ電極と内部ランド電極が接続される。次に、チップ部品と回路基板との間に、第１の樹脂が充填される。次に、完全には固化しない状態まで、第１の樹脂が熱硬化される。次に、補強材の内壁と、チップ部品の側壁と、回路基板の第１の面及びフィレット部（第１の樹脂の外面）で囲まれた空間に第２の樹脂が充填される。次に、完全に硬化しない状態まで第２の樹脂が熱硬化される。次に、チップ部品の接合部と反対の面および補強材の第２の端面に接着材が塗布され、蓋部が接着される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００４－２６０１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
フリップチップ実装では、超音波振動を用いた超音波接合によりバンプと電極とが接合されることが多い。ここで、回路基板として、可撓性のフレキシブル回路基板が用いられることがある。フレキシブル回路基板は、一般的に薄く柔軟性に優れる。このため、フレキシブル回路基板は、三次元配線や可動配線にも適用可能である。また、可撓性でないリジッド基板と同様に、フレキシブル回路基板に部品を搭載することが可能である。このような特徴のため、フレキシブル回路基板の使用は、機器の小型化や軽量化に有効である。フレキシブル回路基板の基材には、例えば、ポリイミド、変性ポリイミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂などが用いられている。
【0008】
ところで、フレキシブル回路基板では、接合時に超音波振動によってフレキシブル回路基板が動き、接合が不十分なることがある。上記したように、特許文献１の半導体装置（電子モジュール）の製造では、補強材と蓋部とが接着される前に、回路基板にチップ部品がフリップチップ接続される。つまり、チップ電極と回路基板の電極とが接合される際には、補強材による補強がなされていない。一般的に、接合時には、荷重の印加と、加熱や超音波の印加が行われる。変形しやすいフレキシブル回路基板が用いられた際には、フレキシブル回路基板が変形したり振動したりして、接合が不十分になる恐れがあった。
【0009】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、チップ部品のチップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される電子装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記の課題を解決するため、本発明の電子装置は、チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、前記第１の主面と前記補強板との間隔を予め定めた第１の距離に保持する支持部と、前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間を充填し、かつ、前記チップ部品の側面を覆う一種類の樹脂と、を備える。
【0011】
また、別の形態では、本発明の電子装置は、チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、前記第１の主面と前記補強板との間隔を予め定めた第１の距離に保持する支持部と、前記フレキシブル回路基板の前記支持部に対応する場所に設けられ、前記フレキシブル回路基板を補強する補強部材と、前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間を充填し、かつ、前記チップ部品の側面を覆う樹脂と、を備える。
【0012】
また、本発明の電子装置の製造方法は、チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、前記チップ電極の上に導電性のバンプを形成し、前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記回路形成面に対して樹脂を付着させ、前記第１の主面と前記補強板との間隔を予め定めた第１の距離に保持する支持部を設け、前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる。
【0013】
また、別の形態では、本発明の電子装置の製造方法は、チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、前記基板電極の上に導電性のバンプを形成し、前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、前記第１の主面と前記補強板との間隔を予め定めた第１の距離に保持する支持部を設け、前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる。
【発明の効果】
【0014】
本発明の効果は、チップ部品のチップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される電子装置を提供できることである。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】第１の実施形態の電子装置を示す断面模式図である。
【図2】第１の実施形態の電子装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図3】第１の実施形態の電子装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図4】第１の実施形態の電子装置の製造方法の変形例１を示すフローチャートである。
【図5】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例１を示す斜視図である。
【図6】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の第１の状態を示す斜視図である。
【図7】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の第１の状態を示す断面図である。
【図8】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の第２の状態を示す断面図である。
【図9】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の第３の状態を示す断面図である。
【図10】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の第４の状態を示す断面図である。
【図11】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の第５の状態を示す断面図である。
【図12】第１の実施形態の電子装置の具体例１の製造方法の変形例を示す断面図である。
【図13】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例２を示す斜視図である。
【図14】第１の実施形態の電子装置の具体例２の製造方法の第１の状態を示す断面図である。
【図15】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例３を示す斜視図である。
【図16】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例４を示す斜視図である。
【図17】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例５を示す斜視図である。
【図18】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例６を示す斜視図である。
【図19】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例７を示す斜視図である。
【図20】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例８を示す斜視図である。
【図21】第１の実施形態の電子装置の補強板と支持部の具体例９を示す斜視図である。
【図22】第２の実施形態の電子装置を示す断面模式図である。
【図23】第２の実施形態の電子装置の変形例を示す断面模式図である。
【図24】第３の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。
【図25】第３の実施形態の電子装置の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。
【図26】第４の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。
【図27】第４の実施形態の電子装置の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。
【図28】第５の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。
【図29】第５の実施形態の電子装置の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。
【図30】第５の実施形態の電子装置の製造方法の第３の状態を示す断面模式図である。
【図31】第５の実施形態の電子装置の製造方法の第４の状態を示す断面模式図である。
【図32】第５の実施形態の電子装置の製造方法の第５の状態を示す断面模式図である。
【図33】第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１０を示す断面模式図である。
【図34】第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１１を示す断面模式図である。
【図35】第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１２を示す断面模式図である。
【図36】第７の実施形態の電子装置を示す断面模式図である。
【図37】第７の実施形態の電子装置の変形例を示す断面模式図である。
【図38】第８の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す平面図である。
【図39】第８の実施形態の電子装置の製造方法の第２の状態を示す側面図である。
【図40】第８の実施形態の電子装置の製造方法の第３の状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。なお各図面の同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する場合がある。
【0017】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の電子装置１００を示す断面模式図である。電子装置１００が、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とを有する。チップ部品１０は、例えば、半導体集積回路や光電素子などをチップ化した部品である。また、フレキシブル回路基板２０は、可撓性を備えた基材と配線を備えた回路基板である。チップ部品１０の回路形成面１１には、チップ電極１２が形成されている。フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１には、基板電極２２設けられている。そして、チップ電極１２と基板電極とが、導電性のバンプ３０によって接合されている。つまり、チップ部品１０の回路形成面１１が、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に対向するフェイスダウン方式で、チップ部品１０がフレキシブル回路基板２０に実装されている。
図１は、第１の実施形態の電子装置１００を示す断面模式図である。電子装置１００が、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とを有する。チップ部品１０は、例えば、半導体集積回路や光電素子などをチップ化した部品である。また、フレキシブル回路基板２０は、可撓性を備えた基材と配線を備えた回路基板である。チップ部品１０の回路形成面１１には、チップ電極１２が形成されている。フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１には、基板電極２２設けられている。そして、チップ電極１２と基板電極とが、導電性のバンプ３０によって接合されている。つまり、チップ部品１０の回路形成面１１が、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に対向するフェイスダウン方式で、チップ部品１０がフレキシブル回路基板２０に実装されている。
【0018】
チップ部品１０の回路形成面１１と反対の面には、補強板４０が取り付けられている。
【0019】
補強板４０と第１の主面２１との間には支持部４１が設けられている。第１の主面２１と補強板４０との間隔が予め定めた第１の距離となるように、支持部４１が補強板４０を支持する。
【0020】
回路形成面１１と第１の主面２１との間の空間には、樹脂５０が充填されている。さらに、チップ部品１０の側面と支持部４１につながるように樹脂５０が設けられている。なお、樹脂５０は、熱や紫外線で硬化する樹脂を用いている。これらは、熱硬化性樹脂および紫外線硬化性樹脂とも呼ばれている。
【0021】
次に、電子装置１００の製造方法について説明する。図２は、第１の実施形態の電子装置１００の製造方法を説明するための断面模式図である。なお、図２にて、紙面の上方は鉛直上方方向であり、紙面の下方は鉛直下方方向である。まず、図２の上の図のように、チップ部品１０の回路形成面１１と反対の面に補強板４０が取り付けられている。また、第１の主面２１が鉛直上方を向くように、フレキシブル回路基板２０がステージ２００に載置される。また、それぞれのチップ電極１２上には、バンプ３０が形成されている。そして、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間に充填されるように、回路形成面１１に対して樹脂が付着される。ここで、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間とは、あるバンプ３０と隣にあるバンプ３０との間の空間を含む。つまり、それぞれのバンプ３０と隣にあるバンプ３０との間の空間が樹脂５０で充填されることで、あるバンプ３０と他の全てのバンプ３０との間の空間に樹脂５０が充填される。なお、この段階で、支持部４１が補強板４０に取り付けられても良い。
【0022】
次に、回路形成面１１をフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に対向させて、チップ部品１０がフレキシブル回路基板２０に対してフェイスダウンで載置される。この際、バンプ３０が基板電極２２に位置合わせされる。そして、例えば、熱または超音波あるいはその両方を印加しながら、補強板４０をフレキシブル回路基板２０側に押圧することにより、バンプ３０と基板電極２２とが接合される。この際、支持部４１が存在することによって、補強板４０と第１の主面２１との間隔が、予め定めた第１の距離になる。つまり、フレキシブル回路基板２０の変形が抑制される。また、間隔が第１の距離に保たれることで、熱や超音波が、複数のバンプ３０に対して、より均等に加えられる。その結果、チップ電極１２と基板電極２２とが、より確実に接合される。なお、チップ電極１２と基板電極２２とがバンプ３０によって接合された状態が保たれるように、第１の距離が設定される。そして、熱や紫外線等によって、樹脂５０が硬化される。
【0023】
図３は、第１の実施形態の電子装置１００の製造方法を示すフローチャートである。まず、チップ部品１０の回路形成面１１と反対側の面に補強板４０が接着される（Ｓ１０１）。次に、チップ電極１２の上にバンプ３０が形成される（Ｓ１０２）。次に、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間に充填されるように、回路形成面１１に樹脂５０が付着される（Ｓ１０３）。次に、回路形成面１１をフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に対向させ、チップ部品１０がフレキシブル回路基板２０に対してフェイスダウンで載置される（Ｓ１０４）。この際、バンプ３０が基板電極２２に位置合わせされる。また、支持部４１が存在することによって、補強板４０と第１の主面２１との間隔が、予め定めた第１の距離に近い距離に保たれる。ここで、近い距離というのは、接合によってバンプ３０の高さが減少するためである。接合前は、その減少分だけ第１の距離よりも補強板４０と第１の主面２１との距離が大きくなる。次に、バンプ３０を介して、チップ電極１２と基板電極２２とが接合される（Ｓ１０５）。接合には、熱または超音波あるいはその両方が用いられる。この際、支持部４１によって、フレキシブル回路基板２０が押さえつけられることで、熱または超音波が、複数のバンプ３０に対して、より均等に加えられる。その結果、チップ電極１２と基板電極２２とが、より確実に接合される。次に、樹脂５０が本硬化される（Ｓ１０６）。硬化には、例えば、熱や紫外線が用いられる。
【0024】
以上のような製造方法とすることで、接合部である回路形成面１１とフレキシブル回路基板２０の間の空間に充填する部分と、チップ部品１０の側面を覆う部分の樹脂５０を１つにすることができる。
【0025】
ここで、一般的な、フェイスダウン実装では、チップ電極１２と基板電極２２とがバンプ３０接合によって接合された後に樹脂が充填される。これは、一般的にアンダーフィルと呼ばれる。アンダーフィルでは、回路形成面１１と第１の主面２１との間隔がバンプ３０の大きさとなる。すなわち、両者の間隔が狭い。このため、上記の部分に充填には、粘度の低い樹脂が用いられる。具体的には、例えば、粘度が１００Ｐａ・ｓ未満の樹脂が用いられる。
【0026】
一方で、チップ部品１０の側面を覆う部分は、外側に流れないように、ある程度粘度が高い樹脂であることが望ましい。具体的には、例えば、粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓ程度の樹脂が用いられる。このような違いがあるため、一般的に、アンダーフィルとチップ部品１０の側面を覆う樹脂は別のものである。つまり、２種類の樹脂が必要である。
【0027】
これに対し、本実施形態の電子装置１００では、アンダーフィルになる部分の樹脂が、チップ電極１２と基板電極２２の接合前にバンプ３０と他のバンプ３０の間に充填される。つまり、上部が開放された状態で、樹脂５０が回路形成面１１に付着される。このため、アンダーフィルの部分にも高粘度の樹脂を用いることが可能である。このため、アンダーフィルの部分とチップ部品１０の側面につながる部分とを同じ樹脂５０によって形成することが可能である。つまり、用いる部材と工程とを、一般的な製造方法より簡略化することが可能である。
【0028】
（変形例１）
樹脂５０が回路形成面１１に付着された状態で、樹脂５０に流動性があると取り扱いが難しくなる。このため、樹脂５０が回路形成面１１に付着された後に、樹脂を半硬化させても良い。ここで、半硬化は、樹脂５０の流動性が低下された状態である。かつ、バンプ３０が基板電極２２に押し付けられた際に、樹脂５０が移動して、バンプ３０と基板電極２２とが接触できる状態が半硬化である。半硬化の条件は、用いる樹脂５０に応じて設定される。
樹脂５０が回路形成面１１に付着された状態で、樹脂５０に流動性があると取り扱いが難しくなる。このため、樹脂５０が回路形成面１１に付着された後に、樹脂を半硬化させても良い。ここで、半硬化は、樹脂５０の流動性が低下された状態である。かつ、バンプ３０が基板電極２２に押し付けられた際に、樹脂５０が移動して、バンプ３０と基板電極２２とが接触できる状態が半硬化である。半硬化の条件は、用いる樹脂５０に応じて設定される。
【0029】
図４は、第１の実施形態の電子装置の製造方法の変形例１を示すフローチャートである。まず、チップ部品１０の回路形成面１１と反対側の面に補強板４０が接着される（Ｓ２０１）。次に、チップ電極１２の上にバンプ３０が形成される（Ｓ２０２）。次に、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間に充填されるように、回路形成面１１に樹脂５０が付着される（Ｓ２０３）。次に、樹脂５０が半硬化される（Ｓ２０４）。半硬化には、例えば、熱や紫外線が用いられる。次に、回路形成面１１をフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に対向させ、チップ部品１０がフレキシブル回路基板２０に対してフェイスダウンで載置される（Ｓ２０５）。この際、バンプ３０が基板電極２２に位置合わせされる。また、支持部４１が存在することによって、補強板４０と第１の主面２１との間隔が、予め定めた第１の距離に近い距離に保たれる。次に、バンプ３０を介して、チップ電極１２と基板電極２２とが接合される（Ｓ２０６）。接合には、熱または超音波あるいはその両方が用いられる。この際、支持部４１によって、フレキシブル回路基板２０が押さえつけられることで、熱または超音波が、複数のバンプ３０に対して、より均等に加えられる。その結果、チップ電極１２と基板電極２２とが、より確実に接合される。次に、樹脂５０が本硬化される（Ｓ２０７）。硬化には、例えば、熱や紫外線が用いられる。
【0030】
以上のように、チップ電極１２と基板電極２２の接合前に樹脂５０が半硬化されることで、補強板４０と樹脂５０を含むチップ部品１０の取り扱いが容易になる。
【0031】
次に、補強板４０と支持部４１の具体例について説明する。
【0032】
（具体例１）
図５は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例１を示す斜視図である。補強板４０は矩形の平板状である。支持部４１は、補強板４０の外周を囲む枠状に形成されている。補強板４０と支持部４１が、一体に形成されていても良い。また、支持部４１が、補強板４０に接着されても良い。
図５は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例１を示す斜視図である。補強板４０は矩形の平板状である。支持部４１は、補強板４０の外周を囲む枠状に形成されている。補強板４０と支持部４１が、一体に形成されていても良い。また、支持部４１が、補強板４０に接着されても良い。
【0033】
補強板４０および支持部４１には、チップ電極１２と基板電極２２の接合時の荷重で変形しない剛性が求められる。例えば、補強板４０および支持部４１が、フレキシブル回路基板２０よりも曲げ弾性率の高い材料で形成される。一般的なフレキシブル回路基板２０の曲げ弾性率は、３～５ＧＰａ程度である。このため、補強板４０および支持部４１には、曲げ弾性率１０ＧＰａ以上の材料が用いられる。また、上記の接合時および樹脂５０の硬化時に熱が発生する。樹脂５０には、この熱に耐える耐熱性が求められる。このため、補強板４０および支持部４１は、例えば、金属、セラミックス、硬質プラスチックなどの材料によって形成される。
【0034】
ここで、支持部４１の高さが、第１の距離と等しくなるように設定される。接合完了時における第１の主面２１と補強板４０との間隔の目標値が、第１の距離である。支持部４１の高さが、チップ部品１０の厚さと、接合完了時の目標とするバンプの高さと、チップ電極１２の厚さと、基板電極２２の厚さの和に応じて、第１の距離が定められる。また、チップ部品１０と補強板４０とが接着層で接着される時には、この接着層の厚さが上記の和に加えられる。
【0035】
補強板４０および支持部４１が金属で形成される場合は、例えば、切削、折り曲げ、プレス成形、溶接、接着などを用いて、補強板４０および支持部４１が形成される。また、補強板４０および支持部４１が硬質プラスチックで形成される場合は、切削、射出成形、３Ｄ（３Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）プリント、接着などを用いて、補強板４０および支持部４１が形成される。また、補強板４０および支持部４１がセラミックで形成される場合は、成形と焼結、積層と焼結などを用いて、補強板４０および支持部４１が形成される。
【0036】
次に、具体例１の補強板４０および支持部４１を用いた電子装置の製造方法について説明する。以下の説明では、第１の状態、第２の状態、第３の状態、第４の状態、第５の状態の順で、工程が進行する。
【0037】
図６は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の第１の状態を示す斜視図である。また、図７は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の第１の状態を示す断面図である。第１の状態では、チップ部品１０の回路形成面１１の反対の面に、補強板４０が接着される。この際、支持部４１がチップ部品１０を囲む向きに、補強板４０が接着される。接着には、例えば、エポキシ等の接着剤や、接着シートが用いられる。接着剤が金属フィラーを含有するものであれば、チップ部品１０で発生した熱の補強板４０への放熱が促進される。また、チップ部品１０の回路形成面１１と反対の面に金や銅などの被膜が形成されていれば、接着にはんだが利用できる。
【0038】
図８は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の第２の状態を示す断面図である。第２の状態では、導電性のバンプ３０が、チップ電極１２の上に設けられる。この際、バンプ３０の上の部分が、支持部４１の先端よりも補強板４０から遠くになる。これは、接合時にバンプ３０が圧縮されるためである。チップ電極１２は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）のうちの１種あるいは２種以上を含有する合金によって形成される。また、バンプ３０は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、はんだなどによって形成される。
【0039】
図９は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の第３の状態を示す断面図である。第３の状態では、枠状の支持部４１の内側に樹脂５０が充填される。この際、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間に、樹脂５０が充填される。図９の例では、バンプ３０の先端が樹脂５０の外に出ているが、樹脂５０に埋まっていても良い。また、樹脂５０が半硬化されても良い。半硬化の樹脂５０は、バンプ３０よりも体積弾性率が低い。このため、接合時の加圧でバンプ３０が樹脂５０を突き破る。つまり、バンプ３０の上に樹脂５０があっても、バンプ３０と基板電極２２の接合が阻害されない。
【0040】
図１０は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の第４の状態を示す断面図である。第４の状態では、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１が上を向くように、フレキシブル回路基板２０が、ステージ２００に載置される。そして、チップ部品１０の回路形成面１１が第１の主面２１に対向するように、補強板４０が保持される。基板電極２２は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）などによって形成される。
【0041】
図１１は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の第５の状態を示す断面図である。第５の状態では、バンプ３０が基板電極２２に位置合わせされる。そして、補強板４０に対してフレキシブル回路基板２０に近づく方向の荷重が印加される。さらに、チップ電極１２とバンプ３０と基板電極２２からなる接合部に、熱あるいは超音波が印加される。これにより、バンプ３０が圧縮され接合部が接合される。この際、支持部４１によって、フレキシブル回路基板２０がステージ２００に押し付けられる。このため、接合時にフレキシブル回路基板２０が変形したり、動いたりしない。その結果、複数のチップ電極１２と基板電極２２が、より均等に接合される。また、支持部４１によって、補強板４０と第１の主面２１との間隔が、第１の距離に定められる。
【0042】
（変形例２）
図１２は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の変形例２を示す断面図である。変形例２では、バンプ３０が、上部に突起部３１を有するスタッドバンプである。突起部３１があることで、樹脂５０がバンプ３０に被っている場合に、バンプ３０が樹脂５０を突き破りやすい。
図１２は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例１の製造方法の変形例２を示す断面図である。変形例２では、バンプ３０が、上部に突起部３１を有するスタッドバンプである。突起部３１があることで、樹脂５０がバンプ３０に被っている場合に、バンプ３０が樹脂５０を突き破りやすい。
【0043】
（具体例２）
図１３は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例２を示す斜視図である。具体例２では、支持部４１が、矩形の補強板４０の対向する二辺に設けられ、他の二辺には、支持部４１が設けられない。支持部４１が、このような構成であっても良い。
図１３は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例２を示す斜視図である。具体例２では、支持部４１が、矩形の補強板４０の対向する二辺に設けられ、他の二辺には、支持部４１が設けられない。支持部４１が、このような構成であっても良い。
【0044】
図１４は、第１の実施形態の電子装置１００の具体例２の製造方法の第１の状態を示す断面図である。この状態では、チップ部品１０の回路形成面１１の反対の面に、補強板４０が接着される。この際、支持部４１がチップ部品１０を囲む向きに、補強板４０が接着されている。また、チップ電極１２の上にバンプ３０が形成されている。また、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間に、樹脂５０が充填されている。上記したように、具体例２の構成では、補強板４０の二辺に支持部４１が設けられていない。このため、粘度の低い樹脂５０を用いると、支持部４１がない部分から樹脂５０が流れ落ちてしまう。このため、具体例２では、例えば、粘度が１０万～１００万Ｐａ・ｓの高粘度の樹脂５０が用いられる。また、樹脂５０を回路形成面１１に付着させた後、速やかに樹脂５０を半硬化させることで、樹脂５０の流出が防止される。
【0045】
（具体例３）
図１５は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例３を示す斜視図である。具体例３では、支持部４１が、矩形の補強板４０の対向する二辺に設けられている。他の二辺には、支持部４１が設けられない。さらに、接合時にフレキシブル回路基板２０に当接する支持部４１の先端部に、折り曲げ部４２が設けられている。接合時には、支持部４１からフレキシブル回路基板２０に圧力が加わる。この際、折り曲げ部４２によって、圧力が分散される。このため、接合時に、フレキシブル回路基板２０に加わる応力が低減される。これにより、フレキシブル回路基板２０の変形が防止される。なお、具体例３でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
図１５は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例３を示す斜視図である。具体例３では、支持部４１が、矩形の補強板４０の対向する二辺に設けられている。他の二辺には、支持部４１が設けられない。さらに、接合時にフレキシブル回路基板２０に当接する支持部４１の先端部に、折り曲げ部４２が設けられている。接合時には、支持部４１からフレキシブル回路基板２０に圧力が加わる。この際、折り曲げ部４２によって、圧力が分散される。このため、接合時に、フレキシブル回路基板２０に加わる応力が低減される。これにより、フレキシブル回路基板２０の変形が防止される。なお、具体例３でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
【0046】
（具体例４）
図１６は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例４を示す斜視図である。具体例４では、矩形の補強板４０の対向する二辺に、それぞれ二つの支持部４１が設けられている。フレキシブル回路基板２０に接する支持部４１の数が増えることで、接合時にフレキシブル回路基板２０に加わる圧力が分散される。このため、接合時に、フレキシブル回路基板２０に加わる応力が低減される。これにより、フレキシブル回路基板２０の変形が防止される。なお、具体例４でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
図１６は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例４を示す斜視図である。具体例４では、矩形の補強板４０の対向する二辺に、それぞれ二つの支持部４１が設けられている。フレキシブル回路基板２０に接する支持部４１の数が増えることで、接合時にフレキシブル回路基板２０に加わる圧力が分散される。このため、接合時に、フレキシブル回路基板２０に加わる応力が低減される。これにより、フレキシブル回路基板２０の変形が防止される。なお、具体例４でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
【0047】
（具体例５）
図１７は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例５を示す斜視図である。支持部４１が枠状であることは、具体例１と同様であるが、具体例５では、２つの支持部４１に切り欠き部４３が設けられている。フェイスダウン実装で、バンプ３０が基板電極２２に接する時に、樹脂５０に気泡が混入することがある。また樹脂５０が硬化される際に、ガスが発生することがある。切り欠き部４３があることによって、上記の気泡やガスが樹脂５０から抜けやすい。このため、硬化後の樹脂５０にボイドが生じにくい。その結果、電子装置１００の信頼性が、より向上する。また余剰な樹脂５０が切り欠き部４３の外側に押し出される。そして、押し出された樹脂５０が支持部４１の外側に付着する。この付着があると、樹脂５０が硬化された後に、支持部４１が外側からもサポートされる。なお、具体例５でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
図１７は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例５を示す斜視図である。支持部４１が枠状であることは、具体例１と同様であるが、具体例５では、２つの支持部４１に切り欠き部４３が設けられている。フェイスダウン実装で、バンプ３０が基板電極２２に接する時に、樹脂５０に気泡が混入することがある。また樹脂５０が硬化される際に、ガスが発生することがある。切り欠き部４３があることによって、上記の気泡やガスが樹脂５０から抜けやすい。このため、硬化後の樹脂５０にボイドが生じにくい。その結果、電子装置１００の信頼性が、より向上する。また余剰な樹脂５０が切り欠き部４３の外側に押し出される。そして、押し出された樹脂５０が支持部４１の外側に付着する。この付着があると、樹脂５０が硬化された後に、支持部４１が外側からもサポートされる。なお、具体例５でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
【0048】
（具体例６）
図１８は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例６を示す斜視図である。具体例６では、矩形の補強板４０の四隅にＬ字型の支持部４１が設けられている。支持部４１が、このような構成であっても良い。なお、具体例２と同様に高粘度の樹脂５０が用いられる。粘度が高いことによって、支持部４１がない部分からの樹脂５０の流出が防止される。
図１８は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例６を示す斜視図である。具体例６では、矩形の補強板４０の四隅にＬ字型の支持部４１が設けられている。支持部４１が、このような構成であっても良い。なお、具体例２と同様に高粘度の樹脂５０が用いられる。粘度が高いことによって、支持部４１がない部分からの樹脂５０の流出が防止される。
【0049】
（具体例７）
図１９は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例７を示す斜視図である。具体例７では、支持部４１が柱状である。そして、４つの支持部４１が、補強板４０の四隅の近傍に設けられている。具体例７でも、具体例６と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。なお、図１９では、支持部４１が四角柱の例が示されているが、円柱や多角柱など他の柱状の形状であっても良い。なお、具体例７でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
図１９は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例７を示す斜視図である。具体例７では、支持部４１が柱状である。そして、４つの支持部４１が、補強板４０の四隅の近傍に設けられている。具体例７でも、具体例６と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。なお、図１９では、支持部４１が四角柱の例が示されているが、円柱や多角柱など他の柱状の形状であっても良い。なお、具体例７でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
【0050】
（具体例８）
図２０は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例８を示す斜視図である。具体例８では、具体例７と同様に支持部４１が柱状であるが、その数が３つである。柱状の支持部４１が３つあれば、平板状の補強板４０の支持が可能である。なお、具体例８でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
図２０は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例８を示す斜視図である。具体例８では、具体例７と同様に支持部４１が柱状であるが、その数が３つである。柱状の支持部４１が３つあれば、平板状の補強板４０の支持が可能である。なお、具体例８でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
【0051】
（具体例９）
図２１は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例９を示す斜視図である。具体例９では、矩形状の補強板４０の四隅のうちの対角の２個所にＬ字型の支持部４１が設けられ、他の２個所に柱状の支持部４１が設けられている。このように、支持部４１が形状の異なる要素を含んでいても良い。なお、具体例９でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
図２１は、第１の実施形態の電子装置１００の補強板４０と支持部４１の具体例９を示す斜視図である。具体例９では、矩形状の補強板４０の四隅のうちの対角の２個所にＬ字型の支持部４１が設けられ、他の２個所に柱状の支持部４１が設けられている。このように、支持部４１が形状の異なる要素を含んでいても良い。なお、具体例９でも、具体例２と同様に、高粘度の樹脂５０が用いられる。
【0052】
以上、本実施形態の電子装置１００等について説明した。
【0053】
本実施形態の電子装置１００は、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とを備える。電子装置１００では、フェイスダウン方式で、チップ部品１０の回路形成面１１に形成されたチップ電極１２と、フレキシブル回路基板２０回路基板の第１の主面に設けられた基板電極２２とが導電性のバンプ３０を介して接続される。チップ部品１０の回路形成面１１とは反対の面に、補強板４０が取り付けられる。第１の主面２１と補強板４０との間隔が予め定めた第１の距離となるように、支持部４１が補強板４０を支持する。樹脂５０によって、接合部である回路形成面１１と第１の主面２１との間の空間が充填される。また、チップ部品１０の側面と支持部４１とにつながるように樹脂５０が設けられる。そして、接合部に充填される樹脂５０と、チップ部品１０の側面につながる樹脂５０とが、同じものである。
【0054】
この構成によれば、支持部４１によって、補強板４０とフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１との距離が第１の距離に保たれた状態で、接合が行われる。また、支持部４１が、フレキシブル回路基板２０をステージ２００に押し付けた状態で接合行われる。このため、複数のチップ電極１２と基板電極２２との接合が、より均等に行われる。その結果、チップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される。また、同じ樹脂によって、接合部が充填され、チップ部品１０の側面と支持部４１がつながれる。このため、用意する部材と工程が簡略化される。
【0055】
また一態様によれば、電子装置１００において、支持部４１がチップ部品１０の側面を囲うように形成されている。つまり、支持部４１が枠状である。
【0056】
この構成では、支持部４１によるフレキシブル回路基板２０のステージ２００への押し付けが均等に行われる。また、樹脂５０をこぼすことなく、回路形成面１１およびチップ部品１０の周囲に、樹脂５０が付着される。
【0057】
また一態様によれば、電子装置１００において、支持部４１が柱状の部材である。そしてチップ部品１０の側面の外側に、支持部４１が設けられる。
【0058】
この構成でも、第１の主面２１と補強板４０との間隔が、予め定めた第１の距離に保持される。
【0059】
また、一態様によれば、電子装置１００において、補強板４０と支持部４１とが一体に形成される。
【0060】
この構成とすることで、支持部４１を補強板４０に固定する工程が不要になる。
【0061】
また、一態様によれば、電子装置１００において、補強板４０および支持部４１の曲げ弾性率が、フレキシブル回路基板２０の基材の曲げ弾性率よりも大きい。
【0062】
このような組み合わせとすることで、接合時のフレキシブル回路基板２０の変形が抑制され、接合がより確実になる。
【0063】
また、本実施形態の電子装置の製造方法は、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とを有する電子装置１００の製造方法である。この製造方法では、フェイスダウン方式で、チップ部品１０の回路形成面１１に形成されたチップ電極１２と、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に設けられた基板電極２２とが、バンプ３０を介して接続される。そして、チップ部品１０の回路形成面１１の反対側の面に補強板４０が取り付けられる。また、チップ電極１２の上に導電性のバンプ３０が形成される。また、バンプ３０と他のバンプ３０との間の空間に充填されるように、回路形成面１１に対して樹脂が付着される。また、支持部４１が設けられる。第１の主面２１と補強板４０との間隔を予め定めた第１の距離となるように、支持部４１が補強板４０を支持する。また、チップ電極１２と基板電極２２とが、バンプ３０を介して接合される。
【0064】
この構成によれば、支持部４１によって、補強板４０とフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１との距離が第１の距離に保たれた状態で、接合が行われる。また、支持部４１が、フレキシブル回路基板２０をステージ２００に押し付けた状態で接合行われる。このため、複数のチップ電極１２と基板電極２２との接合が、より均等に行われる。その結果、チップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される。
【0065】
また、一態様によれば、本実施形態の電子装置の製造方法において、チップ電極１２と基板電極２２とがバンプ３０によって接続される前に、樹脂５０が半硬化される。
【0066】
接合前に樹脂５０が半硬化されることで、補強板４０とチップ部品１０の取り扱いが容易になる。
【0067】
また、一態様によれば、電子装置の製造方法において、支持部４１が補強板４０と一体に形成される。
【0068】
この構成とすることで、支持部４１を補強板４０に固定する工程が不要になる。
【0069】
（第２の実施形態）
図２２は、第２の実施形態の電子装置１０１を示す断面模式図である。第２の実施形態の電子装置１０１は、第１の実施形態の電子装置１００と、ほぼ同じ構成であるが、フレキシブル回路基板２０の支持部４１が当接する部分に補強部材２３が設けられている。なお、第１の実施形態と同じ他の要素については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図２２は、第２の実施形態の電子装置１０１を示す断面模式図である。第２の実施形態の電子装置１０１は、第１の実施形態の電子装置１００と、ほぼ同じ構成であるが、フレキシブル回路基板２０の支持部４１が当接する部分に補強部材２３が設けられている。なお、第１の実施形態と同じ他の要素については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0070】
補強部材２３によって、接合時にフレキシブル回路基板２０加わる圧力に対する耐性が向上する。ここで、耐性とは、圧力が加わったときに、フレキシブル回路基板２０が変形しない性質のことである。補強部材２３には、例えば、フレキシブル回路基板２０より曲げ弾性率が大きな材料の板が用いられる。あるいは、フレキシブル回路基板２０の作製時に、配線と同じ材料のパッドやランドとして、補強部材２３が形成されても良い。なお、この構成では、補強部材２３の厚みの分だけ、支持部４１が当接する部分の表面がかさ上げされる。このため、第１の距離から補強部材２３の厚みを差し引いて、支持部４１の高さが設定される。
【0071】
（変形例３）
図２３は、第２の実施形態の電子装置１０１の変形例を示す断面模式図である。変形例３では、補強部材２３が、フレキシブル回路基板２０に設けられたＣｕビアである。ここで、Ｃｕビアとは、スルーホールにＣｕが充填されたものである。この構成でも、フレキシブル回路基板２０の支持部４１が当接する部分が補強される。なお、この構成では、補強部材２３が、第１の主面２１と面一に形成される。このため、支持部４１の高さは、補強部材２３が無い構成と同じで良い。
図２３は、第２の実施形態の電子装置１０１の変形例を示す断面模式図である。変形例３では、補強部材２３が、フレキシブル回路基板２０に設けられたＣｕビアである。ここで、Ｃｕビアとは、スルーホールにＣｕが充填されたものである。この構成でも、フレキシブル回路基板２０の支持部４１が当接する部分が補強される。なお、この構成では、補強部材２３が、第１の主面２１と面一に形成される。このため、支持部４１の高さは、補強部材２３が無い構成と同じで良い。
【0072】
以上、本実施形態の電子装置１０１等について説明した。
【0073】
本実施形態の電子装置１０１は、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とを備える。電子装置１００では、フェイスダウン方式で、チップ部品１０の回路形成面１１に形成されたチップ電極１２と、フレキシブル回路基板２０回路基板の第１の主面に設けられた基板電極２２とが導電性のバンプ３０を介して接続される。チップ部品１０の回路形成面１１とは反対の面に、補強板４０が取り付けられる。第１の主面２１と補強板４０との間隔が予め定めた第１の距離となるように、支持部４１が補強板４０を支持する。また、フレキシブル回路基板２０の支持部４１に対応する場所に、フレキシブル回路基板２０を補強する補強部材２３が設けられる。また、樹脂５０によって、回路形成面１１と第１の主面２１との間の空間が充填される。また、チップ部品１０の側面と支持部４１がつながるように樹脂５０が設けられる。
【0074】
この構成によれば、支持部４１によって、補強板４０とフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１との距離が第１の距離に保たれた状態で、接合が行われる。また、支持部４１が、フレキシブル回路基板２０をステージ２００に押し付けた状態で接合行われる。また、補強部材２３によって、フレキシブル回路基板２０の変形が、さらに抑制される。このため、複数のチップ電極１２と基板電極２２との接合が、より均等に行われる。このため、チップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される。
【0075】
（第３の実施形態）
第１および第２の実施形態では、樹脂５０の付着を一回で行う例を示したが、二回以上であっても良い。図２４は、第３の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。また、図２５は、第３の実施形態の電子装置１０２の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。工程の順番は、第１の状態、第２の状態の順である。本実施形態では、樹脂５０を二段階で形成する。ここで、先に形成する樹脂５０を樹脂ａ＿５０ａ、後に形成する樹脂５０を樹脂ｂ＿５０ｂとする。樹脂ａ＿５０ａと樹脂ｂ＿５０ｂは、同じであっても良く、異なっていても良い。なお、図２４、２５では、バンプ３０がスタッドバンプの例が示されているが、バンプ３０がスタッドバンプでなくても良い。
第１および第２の実施形態では、樹脂５０の付着を一回で行う例を示したが、二回以上であっても良い。図２４は、第３の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。また、図２５は、第３の実施形態の電子装置１０２の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。工程の順番は、第１の状態、第２の状態の順である。本実施形態では、樹脂５０を二段階で形成する。ここで、先に形成する樹脂５０を樹脂ａ＿５０ａ、後に形成する樹脂５０を樹脂ｂ＿５０ｂとする。樹脂ａ＿５０ａと樹脂ｂ＿５０ｂは、同じであっても良く、異なっていても良い。なお、図２４、２５では、バンプ３０がスタッドバンプの例が示されているが、バンプ３０がスタッドバンプでなくても良い。
【0076】
図２４に示されているように、第１の状態では、チップ部品１０の回路形成面１１の反対の面に、補強板４０が接着される。この際、支持部４１がチップ部品１０を囲む向きに、補強板４０が接着されている。また、チップ電極１２の上にバンプ３０が形成されている。補強板４０と支持部４１には、例えば、具体例１の補強板４０と支持部４１の構成が適用される。そして、まず、支持部４１の先端より低い第２の高さまで樹脂ａ＿５０ａが充填される。第２の高さとしては、幅を持った選択が可能であるが、例えば、バンプ３０とチップ電極１２との接続部がカバーされ、バンプ３０の半分程度が樹脂ａ＿５０ａに埋まる高さとすることができる。このようにすれば、接合時にバンプ３０の変形が妨げられない。そして、樹脂ａ＿５０ａが本硬化（完全硬化）される。
【0077】
次に、図２５に示されているように、支持部４１の高さまで、樹脂ｂ＿５０ｂが充填される。そして、樹脂ｂ＿５０ｂが半硬化される。これにより、具体例１と同様な、フレキシブル回路基板２０との接合が可能になる。また、チップ部品１０の補強板４０に対する固定が、完全硬化した樹脂ａ＿５０ａで補強される。このため、より安定な接合が可能になる。
【0078】
（第４の実施形態）
第１から第３の実施形態では、接合前に、補強板４０に支持部４１が固定される例が示されたが、接合前に、支持部４１が、フレキシブル回路基板２０に固定されても良い。
第１から第３の実施形態では、接合前に、補強板４０に支持部４１が固定される例が示されたが、接合前に、支持部４１が、フレキシブル回路基板２０に固定されても良い。
【0079】
図２６は、第４の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。また、図２７は、第４の実施形態の電子装置１０３の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。工程は、第１の状態、第２の状態の順で進められる。
【0080】
まず、図２６に示されているように、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に支持部４１が固定される。支持部４１は、例えば、具体例１の支持部と同様の、枠状のものが用いられる。支持部４１の先端がチップ部品１０の外側の補強板４０と当接する位置に、支持部４１が設けられる。チップ部品１０の側では、チップ部品１０の回路形成面１１の反対の面に、平板状の補強板４０が固定されている。また、チップ電極１２上には、バンプ３０が形成されている。さらに、複数のバンプ３０の間が埋められるように、樹脂５０が回路形成面１１に付着されている。また、樹脂５０がチップ部品１０の側面を覆っている。先に述べたように、この構成では、樹脂５０の流出を止めるものないため、高粘度の樹脂５０が用いられる。樹脂５０が、接合前に半硬化されても良い。そして、第１の状態では、フェイスダウンとなるように、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とが対向されている。
【0081】
次に、図２７に示されているように、補強板４０にフレキシブル回路基板２０に近づく方向の荷重が印加され、熱や超音波が印加され、チップ電極１２と基板電極２２とが、バンプ３０を介して接合される。この際、支持部４１の先端に補強板４０が当接され、補強板４０と第１の主面２１との間隔が第１の距離に保持される。そして、樹脂５０が完全硬化される。なお、図２７に例示されているように、接合の際に、支持部４１と補強板４０との当接部分から外側に、樹脂５０がはみ出しても良い。
【0082】
なお、第１の実施形態と第４の実施形態を複合されても良い。つまり、支持部４１の一部が補強板４０に形成され、支持部４１の他の一部がフレキシブル回路基板２０に形成されても良い。そして、補強板４０と第１の主面２１との間隔が第１の距離となるように、間隔が制御される。
【0083】
（第５の実施形態）
第１から第４の実施形態では、チップ部品１０の回路形成面１１に樹脂５０が付着される例が示された。しかし、樹脂５０がフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に付着される構成であっても良い。以下の説明では、第５の実施形態の製造方法が説明される。第１の状態、第２の状態、第３の状態、第４の状態、第５の状態の順で工程が進行する。
第１から第４の実施形態では、チップ部品１０の回路形成面１１に樹脂５０が付着される例が示された。しかし、樹脂５０がフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に付着される構成であっても良い。以下の説明では、第５の実施形態の製造方法が説明される。第１の状態、第２の状態、第３の状態、第４の状態、第５の状態の順で工程が進行する。
【0084】
図２８は、第５の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す断面模式図である。まず、ステージ２００にフレキシブル回路基板２０が固定される。この際、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１が上を向くように、フレキシブル回路基板２０が固定される。
【0085】
図２９は、第５の実施形態の電子装置の製造方法の第２の状態を示す断面模式図である。基板電極２２の上に、バンプ３０が形成される。
【0086】
図３０は、第５の実施形態の電子装置の製造方法の第３の状態を示す断面模式図である。第３の状態では、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に支持部４１が固定される。支持部４１は、例えば、具体例１の支持部と同様の、枠状のものが用いられる。支持部４１の先端がチップ部品１０の外側の補強板４０と当接する位置に、支持部４１が設けられる。
【0087】
図３１は、第５の実施形態の電子装置の製造方法の第４の状態を示す断面模式図である。第４の状態では、複数のバンプ３０の間の空間が埋められるように、樹脂５０が付着される。図３１の例では、バンプ３０の先端が樹脂５０の外側に出るように樹脂５０が第１の主面２１に付着されている。支持部４１が枠状であれば、樹脂５０が充填される。そして、樹脂５０が半硬化される。なお、図３１の例では、支持部４１の先端よりも低い位置まで樹脂５０が充填されているが、これは、接合時にチップ部品１０を受け入れる分の体積が考慮されたものである。樹脂５０が支持部４１の外側に溢れることが許容される場合は、樹脂５０が支持部４１の先端まで充填されても良い。
【0088】
図３２は、第５の実施形態の電子装置の製造方法の第５の状態を示す断面模式図である。まず、チップ電極１２がバンプ３０と位置合わせされ、補強板４０が取り付けられたチップ部品１０の回路形成面１１が第１の主面２１に対向される。そして、補強板４０にフレキシブル回路基板２０に近づく方向の荷重が印加される。さらに、熱や超音波が印加され、チップ電極１２と基板電極２２とがバンプ３０を介して接合される。さらに、熱や紫外線によって、樹脂５０が完全硬化される。
【0089】
以上、本実施形態の電子装置の製造方法等について説明した。
【0090】
本実施形態の電子装置の製造方法は、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とを有する電子装置の製造方法である。この製造方法では、フェイスダウン方式で、チップ部品１０の回路形成面１１に形成されたチップ電極１２と、フレキシブル回路基板２０の第１の主面に設けられた基板電極２２とがバンプを介して接続される。また、チップ部品１０の回路形成面１１の反対側の面に補強板４０が取り付けられる。また、基板電極２２の上に導電性のバンプ３０が形成される。また、バンプ３０と他のバンプ３０との間の空間に充填されるように第１の主面２１に対して樹脂５０が付着される。また、支持部４１が設けられる。支持部４１によって、第１の主面２１と補強板４０との間隔が予め定めた第１の距離に保たれる。そして、チップ電極１２と基板電極２２とが、バンプ３０を介して接合される。
【0091】
この構成によれば、支持部４１によって、補強板４０とフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１との距離が第１の距離に保たれた状態で、接合が行われる。また、支持部４１が、フレキシブル回路基板２０をステージ２００に押し付けた状態で接合行われる。このため、複数のチップ電極１２と基板電極２２との接合が、より均等に行われる。このため、チップ電極とフレキシブル回路基板の電極とが、より確実に接合される。
【0092】
（第６の実施形態）
本実施形態では、支持部４１の具体例について説明する。
本実施形態では、支持部４１の具体例について説明する。
【0093】
（具体例１０）
図３３は、第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１０を示す断面模式図である。図３３の例では、支持部４１が、支持部ａ＿４１ａと支持部ｂ＿４１ｂに分割されている。そして、支持部ａ＿４１ａが補強板４０に固定され、支持部ｂ＿４１ｂがフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に固定されている。支持部ａ＿４１ａの高さと、支持部ｂ＿４１ｂの高さを合わせたものが第１の距離となるように、支持部ａ＿４１ａの高さと支持部ｂ＿４１ｂが設定される。
図３３は、第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１０を示す断面模式図である。図３３の例では、支持部４１が、支持部ａ＿４１ａと支持部ｂ＿４１ｂに分割されている。そして、支持部ａ＿４１ａが補強板４０に固定され、支持部ｂ＿４１ｂがフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に固定されている。支持部ａ＿４１ａの高さと、支持部ｂ＿４１ｂの高さを合わせたものが第１の距離となるように、支持部ａ＿４１ａの高さと支持部ｂ＿４１ｂが設定される。
【0094】
図３４は、第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１１を示す断面模式図である。この例では、支持部４１が、大きなスタッドバンプによって、形成されている。ワイヤボンダ等を用いることで、比較的容易に、この構成が実現できる。材料には、例えば、はんだ、Ｎｉ、Ｃｕなどが用いられる。
【0095】
（具体例１１）
図３５は、第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１２を示す断面模式図である。この例では、支持部形成用のバンプが積み重なって、支持部４１が形成されている。
図３５は、第６の実施形態の電子装置の製造方法の具体例１２を示す断面模式図である。この例では、支持部形成用のバンプが積み重なって、支持部４１が形成されている。
【0096】
（第７の実施形態）
第１から第６の実施形態では、１つの補強板４０に１つのチップ部品１０が固定される例について説明したが、１つの補強板４０に複数のチップ部品１０が固定されても良い。
第１から第６の実施形態では、１つの補強板４０に１つのチップ部品１０が固定される例について説明したが、１つの補強板４０に複数のチップ部品１０が固定されても良い。
【0097】
図３６は、第７の実施形態の電子装置１０４を示す断面模式図である。この例では、１つの補強板４０に２つのチップ部品１０が固定されている。そして支持部４１によって、補強板４０が支持されている。これにより、フレキシブル回路基板２０の第１の主面２１と補強板４０との間隔が、第１の距離に保たれる。また、補強板４０と支持部４１とフレキシブル回路基板２０の第１の主面２１に囲まれた領域に樹脂５０が充填されている。
【0098】
（変形例４）
図３７は、第７の実施形態の電子装置１０４の変形例を示す断面模式図である。フレキシブル回路基板２０に複数のチップ部品１０を搭載する場合、厚さが異なるチップ部品１０が含まれている場合がある。変形例４は、このようなケースに適用される。補強板４０には、チップａ＿１０ａと、チップｂ＿１０ｂの２つのチップ部品１０が固定されている、ここで、チップｂ＿１０ｂは、チップａ＿１０ａより薄い。そこで、チップｂ＿１０ｂと補強板４０との間にスペーサ４４が設けられている。これにより、チップａ＿１０ａとチップｂ＿１０ｂのチップ電極１２の高さが揃えられる。このため、チップ部品１０が１つの場合と同様に、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とが接合される。
図３７は、第７の実施形態の電子装置１０４の変形例を示す断面模式図である。フレキシブル回路基板２０に複数のチップ部品１０を搭載する場合、厚さが異なるチップ部品１０が含まれている場合がある。変形例４は、このようなケースに適用される。補強板４０には、チップａ＿１０ａと、チップｂ＿１０ｂの２つのチップ部品１０が固定されている、ここで、チップｂ＿１０ｂは、チップａ＿１０ａより薄い。そこで、チップｂ＿１０ｂと補強板４０との間にスペーサ４４が設けられている。これにより、チップａ＿１０ａとチップｂ＿１０ｂのチップ電極１２の高さが揃えられる。このため、チップ部品１０が１つの場合と同様に、チップ部品１０とフレキシブル回路基板２０とが接合される。
【0099】
（第８の実施形態）
複数のチップ部品１０が１つの補強板４０に固定されても良い。そして、後の分割によって、個片が形成されても良い。本実施形態では、その具体例について説明する。
複数のチップ部品１０が１つの補強板４０に固定されても良い。そして、後の分割によって、個片が形成されても良い。本実施形態では、その具体例について説明する。
【0100】
図３８は、第８の実施形態の電子装置の製造方法の第１の状態を示す平面図である。また、図３９は、第８の実施形態の電子装置の製造方法の第２の状態を示す側面図である。そして、図４０は、第８の実施形態の電子装置の製造方法の第３の状態を示す側面図である。
【0101】
まず図３８に示されているように、補強板４０に複数のチップ部品１０が固定される。他の実施形態と同様に、チップ部品１０の回路形成面１１と反対の面が補強板４０に固定される。この例では、１２個のチップ部品１０が補強板４０に固定されている。また、チップ部品１０とチップ部品１０の間には支持部４１が設けられる。この例では、各チップ部品１０の四隅の外側に支持部４１が形成されている。
【0102】
次に、図３９に示されているように、各チップ電極１２の上にバンプ３０が形成される。
【0103】
次に、図４０に示されているように、バンプ３０と他のバンプ３０の間の空間に充填されるように、補強板および回路形成面１１に樹脂５０が付着される。樹脂５０の付着には、例えば、スピンコートや、ディスペンスが用いられる。次に、樹脂５０が半硬化される。そして、ダイシング等によって、個片に分割される。この方法によれば、同じ時間内に、より多くの電子装置１００を製造することが可能になる。
【0104】
以上、第１乃至８の実施形態を模範的な例として本発明を説明した。しかしながら、本発明は、上記実施形態には限定されない。即ち、本発明は、本発明のスコープ内において、当業者が理解し得る様々な態様を適用することができる。
【0105】
上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【0106】
（付記１）
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられた補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填され、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備え、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填された前記樹脂と、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる前記樹脂が同じものである、
ことを特徴とする電子装置。
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられた補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離になるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填され、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備え、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間に充填された前記樹脂と、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる前記樹脂が同じものである、
ことを特徴とする電子装置。
【0107】
（付記２）
前記支持部が前記チップ部品の側面を囲う枠状に形成されている、
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
前記支持部が前記チップ部品の側面を囲う枠状に形成されている、
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【0108】
（付記３）
前記支持部が前記チップ部品の側面の外側に設けられた柱状の部材である、
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
前記支持部が前記チップ部品の側面の外側に設けられた柱状の部材である、
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【0109】
（付記４）
前記補強板と前記支持部とが一体に形成されている、
ことを特徴とする付記１乃至３のいずれか一付記に記載の電子装置。
前記補強板と前記支持部とが一体に形成されている、
ことを特徴とする付記１乃至３のいずれか一付記に記載の電子装置。
【0110】
（付記５）
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、前記フレキシブル回路基板の基材の曲げ弾性率よりも大きい、
ことを特徴とする付記１乃至４のいずれか一付記に記載の電子装置。
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、前記フレキシブル回路基板の基材の曲げ弾性率よりも大きい、
ことを特徴とする付記１乃至４のいずれか一付記に記載の電子装置。
【0111】
（付記６）
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、１０ＧＰａ以上である、
ことを特徴とする付記５に記載の電子装置。
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、１０ＧＰａ以上である、
ことを特徴とする付記５に記載の電子装置。
【0112】
（付記７）
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記フレキシブル回路基板の前記支持部に対応する場所に設けられ、前記フレキシブル回路基板を補強する補強部材と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間を充填し、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備えることを特徴とする電子装置。
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とが導電性のバンプを介して接続された電子装置であって、
前記チップ部品の前記回路形成面とは反対の面に取り付けられ補強板と、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部と、
前記フレキシブル回路基板の前記支持部に対応する場所に設けられ、前記フレキシブル回路基板を補強する補強部材と、
前記回路形成面と前記第１の主面との間の空間を充填し、かつ、前記チップ部品の側面と前記支持部とにつながる樹脂と、
を備えることを特徴とする電子装置。
【0113】
（付記８）
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記チップ電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記回路形成面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記チップ電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記回路形成面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【0114】
（付記９）
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる前に、前記樹脂を半硬化させる、
ことを特徴とする付記８に記載の電子装置の製造方法。
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる前に、前記樹脂を半硬化させる、
ことを特徴とする付記８に記載の電子装置の製造方法。
【0115】
（付記１０）
前記バンプが突起部を有するスタッドバンプである、
ことを特徴とする付記８または９に記載の電子装置の製造方法。
前記バンプが突起部を有するスタッドバンプである、
ことを特徴とする付記８または９に記載の電子装置の製造方法。
【0116】
（付記１１）
前記支持部が前記補強板と一体に形成されている、
ことを特徴とする付記８乃至１０のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
前記支持部が前記補強板と一体に形成されている、
ことを特徴とする付記８乃至１０のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
【0117】
（付記１２）
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、前記フレキシブル回路基板の基材の曲げ弾性率よりも大きい、
ことを特徴とする付記８乃至１１のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、前記フレキシブル回路基板の基材の曲げ弾性率よりも大きい、
ことを特徴とする付記８乃至１１のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
【0118】
（付記１３）
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、１０ＧＰａ以上である、
ことを特徴とする付記１２に記載の電子装置の製造方法。
前記補強板および前記支持部の曲げ弾性率が、１０ＧＰａ以上である、
ことを特徴とする付記１２に記載の電子装置の製造方法。
【0119】
（付記１４）
前記チップ電極と前記基板電極との前記バンプを介した接合を超音波の印加によって行う、
ことを特徴とする８乃至１３のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
前記チップ電極と前記基板電極との前記バンプを介した接合を超音波の印加によって行う、
ことを特徴とする８乃至１３のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
【0120】
（付記１５）
１つの前記補強板に複数の前記チップ部品を取り付け、
複数の前記チップ部品の側面と前記支持部とがつながるように前記樹脂を付着させ、
前記樹脂を半硬化させ、
前記補強板と半硬化した前記樹脂とを切断して、各々の前記チップ部品に分割する、
ことを特徴とする付記８乃至１４のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
１つの前記補強板に複数の前記チップ部品を取り付け、
複数の前記チップ部品の側面と前記支持部とがつながるように前記樹脂を付着させ、
前記樹脂を半硬化させ、
前記補強板と半硬化した前記樹脂とを切断して、各々の前記チップ部品に分割する、
ことを特徴とする付記８乃至１４のいずれか一付記に記載の電子装置の製造方法。
【0121】
（付記１６）
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
基板電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
基板電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【0122】
（付記１７）
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記基板電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
チップ部品とフレキシブル回路基板とを有し、フェイスダウン方式で、前記チップ部品の回路形成面に形成されたチップ電極と、前記フレキシブル回路基板の第１の主面に設けられた基板電極とがバンプを介して接続された電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品の前記回路形成面の反対側の面に補強板を取り付け、
前記基板電極の上に導電性のバンプを形成し、
前記バンプと他の前記バンプとの間の空間に充填されるように前記第１の主面に対して樹脂を付着させ、
前記第１の主面と前記補強板との間隔が予め定めた第１の距離となるように、前記フレキシブル回路基板と前記補強板とを支持する支持部を設け、
前記チップ電極と前記基板電極とを前記バンプを介して接合させる、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【0123】
１０ チップ部品
１１ 回路形成面
１２ チップ電極
２０ フレキシブル回路基板
２１ 第１の主面
２２ 基板電極
２３ 補強部材
３０ バンプ
３１ 突起部
４０ 補強板
４１ 支持部
４２ 折り曲げ部
４３ 切り欠き部
５０ 樹脂
１００、１０１、１０２、１０３、１０４ 電子装置
１１ 回路形成面
１２ チップ電極
２０ フレキシブル回路基板
２１ 第１の主面
２２ 基板電極
２３ 補強部材
３０ バンプ
３１ 突起部
４０ 補強板
４１ 支持部
４２ 折り曲げ部
４３ 切り欠き部
５０ 樹脂
１００、１０１、１０２、１０３、１０４ 電子装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】