知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024135934
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】解析装置及び解析プログラム
(51)【国際特許分類】
G01R 27/02 20060101AFI20240927BHJP
G01R 27/28 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
G01R27/02 A
G01R27/28 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023046850
(22)【出願日】2023-03-23
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001933
【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】浜地 健次
【テーマコード（参考）】
2G028
【Ｆターム（参考）】
2G028AA01
2G028AA05
2G028BB10
2G028CG08
2G028CG15
2G028CG19
2G028DH11
(57)【要約】
【課題】抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路の回路定数を良好に解析することができる解析装置を提供する。
【解決手段】解析装置（１）は、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部（３）と、前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部（４）と、を備える。前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である。
【選択図】図８
【解決手段】解析装置（１）は、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部（３）と、前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部（４）と、を備える。前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部と、
前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部と、
を備え、
前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である、解析装置。
前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部と、
を備え、
前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である、解析装置。
【請求項2】
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相のパターンが第１パターン及び第２パターンを含み、
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は前記透過特性を用い、
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記算出部は前記反射特性を用いる、請求項１に記載の解析装置。
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は前記透過特性を用い、
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記算出部は前記反射特性を用いる、請求項１に記載の解析装置。
【請求項3】
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記反射特性の前記位相は１８０°回らず、
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記反射特性の前記位相は１８０°回る、請求項２に記載の解析装置。
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記反射特性の前記位相は１８０°回る、請求項２に記載の解析装置。
【請求項4】
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は、前記回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０及び前記抵抗の抵抗値Ｒで表される式２Ｚ０／Ｒを０とみなす、請求項２又は請求項３に記載の解析装置。
【請求項5】
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は、前記インダクタのインダクタンスＬ、前記回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０、前記抵抗の抵抗値Ｒ、及びラプラス変換の変数ｓで表される式 |（２ＬＺ０／Ｒ２）ｓ|を０とみなす、請求項２又は請求項３に記載の解析装置。
【請求項6】
前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記算出部は、前記回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０及び前記抵抗の抵抗値Ｒで表される式２Ｚ０／Ｒを０とみなさない、請求項２又は請求項３に記載の解析装置。
【請求項7】
コンピュータを、
周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部、並びに、
前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部として機能させ、
前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である、解析プログラム。
周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部、並びに、
前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部として機能させ、
前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である、解析プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書中に開示されている発明は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路の回路定数を解析する技術に関する。
【背景技術】
【0002】
解析対象回路のＳパラメータは、ベクトル・ネットワークアナライザ等の周波数特性測定装置によって測定される（例えば特許文献１参照）。
【0003】
解析対象回路の回路定数を解析する方法としては、解析対象回路のＳパラメータをインピーダンスに変換してフィッティング等が実行されることによって、集中定数としての回路定数を同定する方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－１６０３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上述した解析方法は、原理的にＳパラメータからインピーダンスへの変換時に一部のデータを破棄することになるため、回路定数を上手く同定できない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本明細書中に開示されている解析装置は、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ（Direct Current）成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部と、前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部と、を備える。前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である。
【0007】
本明細書中に開示されている解析プログラムは、コンピュータを、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部、並びに、前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部として機能させる。前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である。
【発明の効果】
【0008】
本明細書中に開示されている発明によれば、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路の回路定数を良好に解析することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
＜Ｓパラメータの測定＞
ＤＵＴ（Device Under Test）のＳパラメータは、ベクトル・ネットワークアナライザ等の周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定される。
ＤＵＴ（Device Under Test）のＳパラメータは、ベクトル・ネットワークアナライザ等の周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定される。
【0011】
ＤＵＴのＳパラメータを測定する手法としては、特許文献１で提案されている手法が望ましいが、特許文献１で提案されている手法に限定されない。例えば、ＤＵＴのＳパラメータを測定する手法として、４種類の校正用基板を必要とする手法が採用されてもよい。ここで、４種類の校正用基板とは、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板、及びＤＵＴが実装されたサンプル基板からＤＵＴが実装された部分を除去したThru基板である。
【0012】
後述する解析装置１の解析対象であるＤＵＴの等価回路は、図１に示す回路、すなわち抵抗Ｒ１及びインダクタＬ１の直列接続体に対してキャパシタＣ１が並列接続されたとみなせる回路である。図１に示す回路のインピーダンスＺは、抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒ、インダクタＬ１のインダクタンス値Ｌ、キャパシタＣ１の静電容量値Ｃ、及びラプラス変換の変数ｓを用いた下記の式（１）で表される。
【数1】
【0013】
シリーズ・スルー測定法が実施される場合、図１に示す回路は、図２に示す二端子対回路で表すことができる。図２に示す二端子対回路のＦパラメータは、図１に示す回路のインピーダンスＺを用いた下記の式（２）で表される。
【数2】
【0014】
＜回路定数の解析手法＞
後述する解析装置１で用いられる解析手法、すなわち図１に示す回路の回路定数を解析する手法が以下において説明される。
後述する解析装置１で用いられる解析手法、すなわち図１に示す回路の回路定数を解析する手法が以下において説明される。
【0015】
上記の式（２）で表されるＦパラメータは、下記の式（３）のようにＳパラメータに変換することができる。なお、下記の式（３）中のＺ０は、図１に示す回路の伝送線路の特性インピーダンスである。図１に示す回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０の具体的な値は、例えば５０Ωである。
【数3】
【0016】
そして、下記の式（４）が成り立つ。
【数4】
【0017】
以上により、図１に示す回路のＳパラメータに含まれる反射特性Ｓ１１及びＳ２２は下記の式（５）で表され、図１に示す回路のＳパラメータに含まれる透過特性Ｓ２１及びＳ１２は下記の式（６）で表される。
【数5】
【0018】
図１に示す回路の反射特性Ｓ１１及びＳ２２並びに透過特性Ｓ２１及びＳ１２のゲインと位相のパターンは、第１パターン及び第２パターンを含む。
【0019】
第１パターンは、２ＬＺ０／ＲがＬに対して十分に小さい場合、又は、|（２ＬＺ０／Ｒ）ｓ|がＲに対して十分に小さくなる周波数範囲である場合である。換言すると、第１パターンは、２Ｚ０／Ｒを０とみなすことができる場合、又は、|（２ＬＺ０／Ｒ２）ｓ|を０とみなすことができる周波数範囲である場合である。
【0020】
【0021】
また、|２ＬＺ０ｓ２|が１に対して十分に小さい場合（概ね周波数が１０１３［Ｈｚ］以下である場合）、第１パターンでは、透過特性Ｓ２１は下記の式（８）で表される。そして、|２ＬＺ０ｓ２|が１に対して十分に小さい場合、第１パターンにおける透過特性Ｓ２１のゲイン及び位相は図４に示すようになる。
【数7】
【0022】
ＤＣ成分に近似できる低周波部分のゲインＧＬＯＷ、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏは、以下のように表される。したがって、まずゲインＧＬＯＷから抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒが求まり、次に零点の周波数ｆｚｅｒｏからキャパシタＣ１の静電容量値Ｃが求まり、最後にポールの周波数ｆｎからインダクタＬ１のインダクタンス値Ｌが求まる。なお、反射特性Ｓ１１のゲインの変曲点周波数ｆ０はポールの周波数ｆｎとほぼ同じなるため、ポールの周波数ｆｎが抽出し難い場合等には反射特性Ｓ１１のゲインの変曲点周波数ｆ０が参照されてもよい。
【数8】
【0023】
抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒ、インダクタＬ１のインダクタンス値Ｌ、及びキャパシタＣ１の静電容量値Ｃの組み合わせによっては、零点の周波数ｆｚｅｒｏがポールの周波数ｆｎより高くなる場合がある。この場合には、第１パターンにおける透過特性Ｓ２１のゲイン及び位相は図５に示すようになる。
【0024】
第２パターンは、２ＬＺ０／ＲがＬに対して十分に小さくない場合、又は、|（２ＬＺ０／Ｒ）ｓ|がＲに対して十分に小さくない周波数範囲である場合である。換言すると、第２パターンは、２Ｚ０／Ｒを０とみなすことができない場合、又は、|（２ＬＺ０／Ｒ２）ｓ|を０とみなすことができない周波数範囲である場合である。
【0025】
第２パターンでは、反射特性Ｓ１１は下記の式（９）で表される。そして、第２パターンにおける反射特性Ｓ１１のゲイン及び位相は図６に示すようになる。
【0026】
なお、第２パターンでは、透過特性Ｓ２１の活用は難しい。透過特性Ｓ２１の分母のｓ２の項を無視できるのは周波数が１０９[Ｈｚ]以下であり、透過特性Ｓ２１の分母のｓ２の項を無視できるのは周波数が１０６[Ｈｚ]以下である。そして、一般的な周波数特性測定装置の周波数測定範囲は１０６[Ｈｚ]より高く、一般的な周波数特性測定装置では１０６[Ｈｚ]以下の測定ができないからである。また、１０６[Ｈｚ]以下の測定が可能な周波数特性測定装置を用いる場合でも、１０６[Ｈｚ]以下の測定は低周波故に測定に時間がかかるからである。
【数9】
【0027】
ここで、反射特性Ｓ１１は以下のようにも表される。
【数10】
【0028】
そうすると、ポールの周波数ｆｎは以下のように表される。
【数11】
【0029】
また、零点の周波数ｆｚｅｒｏは以下のように表され、ＤＣ成分に近似できる低周波部分のゲインＧＬＯＷは以下のように表される。
【数12】
【0030】
したがって、まずゲインＧＬＯＷから抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒが求まり、次に零点の周波数ｆｚｅｒｏからキャパシタＣ１の静電容量値Ｃが求まり、最後にポールの周波数ｆｎからインダクタＬ１のインダクタンス値Ｌが求まる。
【0031】
抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒ、インダクタＬ１のインダクタンス値Ｌ、及びキャパシタＣ１の静電容量値Ｃの組み合わせによっては、零点の周波数ｆｚｅｒｏがポールの周波数ｆｎより高くなる場合がある。この場合には、第２パターンにおける反射特性Ｓ１１のゲイン及び位相は図７に示すようになる。
【0032】
【0033】
図８に示す解析装置１は、マイクロコンピュータ等の制御部ＣＮＴ１と、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等のメモリＭ１と、を備える。メモリＭ１には、解析プログラムＰ１が記憶されている。制御部ＣＮＴ１が解析プログラムＰ１を実行することで、制御部ＣＮＴ１は、抽出部３及び算出部４として機能する。
【0034】
取得部２は、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータを取得する。取得部２は、例えば、周波数特性測定装置との間に通信を行う通信インターフェースであってもよく、ＤＵＴのＳパラメータを記憶する可搬型記憶媒体からデータを読み出すことができるデータ読み出し部等であってもよい。
【0035】
抽出部３は、取得部２によって取得されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、反射特性及び透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏ、ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分（ゲインＧＬＯＷ）を抽出する。抽出部３は、キーボード、ポインティングデバイス等の操作部６から出力される信号（ユーザの操作に応じた信号）に基づき、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏ、ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分（ゲインＧＬＯＷ）を抽出してもよい。また、抽出部３は、反射特性及び透過特性のゲインと位相の周波数特性を参照して、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏ、ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分（ゲインＧＬＯＷ）を自動的に抽出してもよい。
【0036】
算出部４は、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏ、及びゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分（ゲインＧＬＯＷ）から、ＤＵＴの等価回路の回路定数（抗Ｒ１の抵抗値Ｒ、インダクタＬ１のインダクタンス値Ｌ、キャパシタＣ１の静電容量値Ｃ）を算出する。
【0037】
表示部５は、例えば、反射特性及び透過特性のゲインと位相の周波数特性を示すグラフ（図３等に示すグラフ）を表示する。ユーザは、表示部５の表示内容を参照して、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏ、ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分（ゲインＧＬＯＷ）を抽出するための操作を操作部６に対して行うことができる。
【0038】
算出部４は、反射特性及び透過特性のゲインが第１パターン、第２パターンのいずれかであるかを判別する。算出部４は、操作部６から出力される信号（ユーザの操作に応じた信号）に基づき、反射特性及び透過特性のゲインが第１パターン、第２パターンのいずれかであるかを判別してもよい。また、算出部４は、反射特性及び透過特性のゲインと位相の周波数特性を参照して、反射特性及び透過特性のゲインが第１パターン、第２パターンのいずれかであるかを自動的に判別してもよい。
【0039】
例えば、反射特性の位相が１８０°回らない場合に、算出部４は、反射特性及び透過特性のゲインが第１パターンであると判別し、反射特性の位相が１８０°回る場合に、算出部４は、反射特性及び透過特性のゲインが第２パターンであると判別すればよい。
【0040】
図９は、解析装置１の動作例を示すフローチャートである。まず、解析装置１の取得部２は、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータを取得する（ステップ＃１０）。次に、解析装置１の抽出部３は、反射特性及び透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数ｆｎ、零点の周波数ｆｚｅｒｏ、ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分（ゲインＧＬＯＷ）を抽出する（ステップ＃２０）。そして、解析装置１の算出部４は、ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出し（ステップ＃３０）、フロー動作を終了する。
【0041】
解析装置１は、Ｓパラメータからインピーダンスへの変換時に一部のデータを破棄するという処理を実行せずに、ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出することができるので、ＤＵＴの等価回路の回路定数を良好に解析することができる。
【0042】
＜その他＞
発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
【0043】
＜付記＞
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
【0044】
本開示の解析装置（１）は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路を測定対象とした周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定されたＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部（３）と、前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部（４）と、を備え、前記等価回路は、抵抗（Ｒ１）及びインダクタ（Ｌ１）の直列接続体に対してキャパシタ（Ｃ１）が並列接続されたとみなせる回路である構成（第１の構成）である。
【0045】
上記第１の構成の解析装置において、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相のパターンが第１パターン及び第２パターンを含み、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は前記透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記算出部は前記反射特性を用いる構成（第２の構成）であってもよい。
【0046】
上記第２の構成の解析装置において、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記反射特性の前記位相は１８０°回らず、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記反射特性の前記位相は１８０°回る構成（第３の構成）であってもよい。
【0047】
上記第２又は第３の構成の解析装置において、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は、前記回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０及び前記抵抗の抵抗値Ｒで表される式２Ｚ０／Ｒを０とみなす構成（第４の構成）であってもよい。
【0048】
上記第２又は第３の構成の解析装置において、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第１パターンであるときに、前記算出部は、前記インダクタのインダクタンスＬ、前記回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０、前記抵抗の抵抗値Ｒ、及びラプラス変換の変数ｓで表される式 |（２ＬＺ０／Ｒ２）ｓ|を０とみなす構成（第５の構成）であってもよい。
【0049】
上記第２～第５いずれかの構成の解析装置において、前記反射特性及び前記透過特性の前記ゲインと前記位相が前記第２パターンであるときに、前記算出部は、前記回路の伝送線路の特性インピーダンスＺ０及び前記抵抗の抵抗値Ｒで表される式２Ｚ０／Ｒを０とみなさない構成（第６の構成）であってもよい。
【0050】
本開示の解析プログラムは、コンピュータを、周波数特性測定装置でのシリーズ・スルー測定法によって測定された前記ＤＵＴのＳパラメータに含まれる反射特性及び透過特性を用い、前記反射特性及び前記透過特性のゲインと位相から、ポールの周波数、零点の周波数、前記ゲインのＤＣ成分に近似できる低周波部分を抽出するように構成された抽出部（３）、並びに、前記ポールの周波数、前記零点の周波数、及び前記低周波部分から、前記ＤＵＴの等価回路の回路定数を算出するように構成された算出部（４）として機能させ、前記等価回路は、抵抗及びインダクタの直列接続体に対してキャパシタが並列接続されたとみなせる回路である構成（第７の構成）である。
【符号の説明】
【0051】
１ 解析装置
２ 取得部
３ 抽出部
４ 算出部
５ 表示部
６ 操作部
Ｃ１ キャパシタ
Ｌ１ インダクタ
Ｒ１ 抵抗
２ 取得部
３ 抽出部
４ 算出部
５ 表示部
６ 操作部
Ｃ１ キャパシタ
Ｌ１ インダクタ
Ｒ１ 抵抗
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】