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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024013620
(43)【公開日】2024-02-01
(54)【発明の名称】電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
(51)【国際特許分類】
G03G 5/14 20060101AFI20240125BHJP
G03G 5/06 20060101ALI20240125BHJP
【ＦＩ】
G03G5/14 101F
G03G5/14 101
G03G5/06 314Z
G03G5/06 315Z
G03G5/06 319
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022115850
(22)【出願日】2022-07-20
(71)【出願人】
【識別番号】000005496
【氏名又は名称】富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】岩崎 真宏
(72)【発明者】
【氏名】小山田 祐基
【テーマコード（参考）】
2H068
【Ｆターム（参考）】
2H068AA44
2H068AA48
2H068BA14
2H068BA16
2H068FA11
2H068FA27
(57)【要約】
【課題】点状の画像欠陥を抑制する電子写真感光体を提供する。
【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、前記下引層の上に設けられる感光層と、を備え、前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、電子写真感光体。
【選択図】なし
【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、前記下引層の上に設けられる感光層と、を備え、前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、電子写真感光体。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性基体と、
前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、
前記下引層の上に設けられる感光層と、
を備え、
前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、
電子写真感光体。
前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、
前記下引層の上に設けられる感光層と、
を備え、
前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、
電子写真感光体。
【請求項2】
前記ｎ型有機顔料は、下記の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含む、請求項１に記載の電子写真感光体。
下記一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【化1】
【請求項3】
前記ｎ型有機顔料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含む、請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項4】
前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項5】
前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上８０質量％以下である、請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項6】
前記下引層の厚みが１０μｍ以上である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項7】
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項8】
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、導電性支持体層と、顔料を含む感光層と、前記導電性支持体層と前記感光層との間に配置される中間層と、を有しており、前記中間層が、カップリング剤を用いて被覆処理された金属酸化物粒子と、バインダー樹脂とを含んでおり、前記中間層の層厚が２０μｍよりも大きく５０μｍ以下であり、前記バインダー樹脂が熱硬化性樹脂であること、を特徴とする電子写真感光体が開示されている。
【0003】
特許文献２には、支持体上に中間層および感光層をこの順に有する電子写真感光体において、該中間層が非加水分解性重合性官能基を有する電子輸送物質の重合物を含有することを特徴とする電子写真感光体が開示されている。
【0004】
特許文献３には、支持体上に中間層および感光層をこの順に有する電子写真感光体において、該中間層が下記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する樹脂を含有し、該樹脂が有する総ての繰り返し構造単位に対して、下記式（１）で示される繰り返し構造単位の比率が８０％以上１００％未満であることを特徴とする電子写真感光体が開示されている。
【0005】
特許文献４には、導電性支持体と、該導電性支持体上の中間層と、該中間層上の感光層とを有する電子写真感光体において、該中間層が特定のイミド化合物を含むことを特徴とする電子写真感光体が開示されている。
【0006】
特許文献５には、導電性支持体上に中間層および感光層をこの順に設けてなる電子写真感光体であって、前記中間層が、ポリオレフィン樹脂および有機電子輸送物質を含有し、
前記ポリオレフィン樹脂が、特定のポリオレフィン樹脂であり、前記有機電子輸送物質が、イミド系化合物、ベンズイミダゾール系化合物、キノン系化合物、シクロペンタジエニリデン系化合物、アゾ系化合物およびそれらの誘導体からなる群より選択される化合物であることを特徴とする電子写真感光体が開示されている。
前記ポリオレフィン樹脂が、特定のポリオレフィン樹脂であり、前記有機電子輸送物質が、イミド系化合物、ベンズイミダゾール系化合物、キノン系化合物、シクロペンタジエニリデン系化合物、アゾ系化合物およびそれらの誘導体からなる群より選択される化合物であることを特徴とする電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２００３－０９１０８６号公報
【特許文献2】特開２００３－３３０２０９号公報
【特許文献3】特開２００３－３４５０４４号公報
【特許文献4】特許５１４７２７４号
【特許文献5】特開２０１１－０９５６６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
従来、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層を備える電子写真感光体を用いると、局所的に漏れ電流が生じ、これにより点状の画像欠陥が見られることがある。また、針状異物が感光体表面に突き刺さった際に、前記突き刺さり部分における漏れ電流の程度がより大きくなり易い。そこで本開示では、前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べて、点状の画像欠陥を抑制する電子写真感光体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
【0010】
＜１＞ 導電性基体と、
前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、
前記下引層の上に設けられる感光層と、
を備え、
前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、
電子写真感光体。
＜２＞ 前記ｎ型有機顔料は、下記の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含む、前記＜１＞に記載の電子写真感光体。
下記一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
＜３＞ 前記ｎ型有機顔料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含む、前記＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞ 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上である、前記＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜５＞ 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上８０質量％以下である、前記＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞ 前記下引層の厚みが１０μｍ以上である、前記＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜７＞ 前記＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜８＞ 前記＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、
前記下引層の上に設けられる感光層と、
を備え、
前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、
電子写真感光体。
＜２＞ 前記ｎ型有機顔料は、下記の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含む、前記＜１＞に記載の電子写真感光体。
下記一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【化1】
＜３＞ 前記ｎ型有機顔料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含む、前記＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞ 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上である、前記＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜５＞ 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上８０質量％以下である、前記＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞ 前記下引層の厚みが１０μｍ以上である、前記＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜７＞ 前記＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜８＞ 前記＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【0011】
＜１＞、又は＜２＞に係る発明によれば、前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料が、前記一般式（３）で表される化合物である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満又は８０質量％超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜６＞に係る発明によれば、前記下引層の厚みが１０μｍ未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜７＞、又は＜８＞に係る発明によれば、電子写真感光体の前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料が、前記一般式（３）で表される化合物である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満又は８０質量％超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜６＞に係る発明によれば、前記下引層の厚みが１０μｍ未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
＜７＞、又は＜８＞に係る発明によれば、電子写真感光体の前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図2】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図3】本実施形態に係る画像形成装置の別の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。
【0014】
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
【0015】
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【0016】
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
【0017】
本開示において、電子写真感光体を単に感光体ともいう。
本開示において、一般式（１）で表される化合物をペリノン化合物（１）ともいい、一般式（２）で表される化合物をペリノン化合物（２）ともいう。
本開示において、一般式（１）で表される化合物をペリノン化合物（１）ともいい、一般式（２）で表される化合物をペリノン化合物（２）ともいう。
【0018】
＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、前記下引層の上に設けられる感光層と、を備え、前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ未満である。
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、前記下引層の上に設けられる感光層と、を備え、前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ未満である。
【0019】
本実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された下引層と、下引層上に配置された感光層とを備える。
図１は、本実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示している。図１に示す感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３が、この順序で積層された構造を有する。電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、さらに保護層が設けられた層構成であってもよい。
図１は、本実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示している。図１に示す感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３が、この順序で積層された構造を有する。電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、さらに保護層が設けられた層構成であってもよい。
【0020】
本実施形態に係る感光体において、感光層は、図１に示す感光体７Ａのように電荷発生層２と電荷輸送層３とが分離した機能分離型の感光層であってもよいし、電荷発生層２と電荷輸送層３とに代えて、電荷発生能及び電荷輸送能を有する単層型の感光層であってもよい。
【0021】
本実施形態に係る電子写真感光体は、前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ未満である。
【0022】
近年、下引層の電気的特性を調整する材料の一つとして、ｎ型有機顔料が用いられている。ｎ型有機顔料を含む下引層は、従来の酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫などのｎ型金属酸化物粒子を用いた場合に比べて、抵抗が高く帯電時はアルミ基材と下引き層界面で電荷を保持するため、不純物の凝集などの影響により局所的に電荷保持性を失いやすい。特に、不純物としてＦｅ元素が含まれると、このＦｅ元素の存在により、局所的に漏れ電流が生じやすい。これにより、繰り返し画像を形成した際に点状の画像欠陥が生じやすくなる。また、例えば、トナーカートリッジ内に混入した針状の異物が、電子写真感光体の表面に突き刺さった場合に、不純物が存在すると電場集中しやすくなり、より点状の画像欠陥が多く発生しやすい。
【0023】
一方、本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成を有することにより、漏れ電流が抑制される。この作用機序は必ずしも明らかではないが、次のように推察される。
本実施形態に係る電子写真感光体は、下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である。そのため、Ｆｅ元素の存在による局所的な漏れ電流が低減される。その結果、繰り返し画像を形成した際にも点状の画像欠陥が抑制される。また、例えば、トナーカートリッジ内に混入した針状の異物や、プラスチックギアの摩耗から発生した異物等が、電子写真感光体の表面に突き刺さった場合にも、漏れ電流耐性が保持され点状の画像欠陥の発生が抑制される
本実施形態に係る電子写真感光体は、下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である。そのため、Ｆｅ元素の存在による局所的な漏れ電流が低減される。その結果、繰り返し画像を形成した際にも点状の画像欠陥が抑制される。また、例えば、トナーカートリッジ内に混入した針状の異物や、プラスチックギアの摩耗から発生した異物等が、電子写真感光体の表面に突き刺さった場合にも、漏れ電流耐性が保持され点状の画像欠陥の発生が抑制される
【0024】
以下、本実施形態に係る感光体の各層について詳細に説明する。
【0025】
［下引層］
下引層は、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む。
下引層は、結着樹脂及びｎ型有機顔料以外のその他の材料を含んでいてもよい。
下引層は、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む。
下引層は、結着樹脂及びｎ型有機顔料以外のその他の材料を含んでいてもよい。
【0026】
下引層は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下であり、６０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量は、本開示の効果に影響しない許容量としては１０ｐｐｍ以下であることが好ましいが、検出限界以下であることがより好ましい。
上記Ｆｅ元素の量が上記範囲以下であると、局所的が漏れ電流がより抑制される。その結果、漏れ電流に起因する、点状の画像欠陥の発生頻度も低減され易くなる。
上記Ｆｅ元素の量が上記範囲以下であると、局所的が漏れ電流がより抑制される。その結果、漏れ電流に起因する、点状の画像欠陥の発生頻度も低減され易くなる。
【0027】
高周波誘導結合プラズマ発光分光分析は電子写真感光体から下引層を剥離し、Ａｇｉｌｅｎｔ社製７８００ＩＣＰ-ＭＳを用いて測定した。
【0028】
上記Ｆｅ元素の量を上記範囲以下とする手法は特に制限されないが、例えば、ｎ型有機顔料に含まれる不純物を再結晶、昇華精製、アシッドペースティング、シリカゲル処理等により除去した再結晶物、昇華精製物、アシッドペースト処理物、シリカゲル処理物などが挙げられる。
【0029】
（結着樹脂）
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【0030】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂であることが好ましく、ウレタン樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂であることがより好ましい。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【0031】
以下、ウレタン樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂について、便宜上、「硬化型ウレタン樹脂」と称す。
【0032】
・ポリウレタン樹脂
ポリウレタン樹脂は、一般的に、多官能イソシアネートとポリオールとの重付加反応により合成される。
ポリウレタン樹脂は、一般的に、多官能イソシアネートとポリオールとの重付加反応により合成される。
【0033】
多官能イソシアネートとしては、例えば、メチレンジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート，１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート，ｍ－フェニレンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、３，３'－ジメチル－４，４'－ジフェニルメタンジイソシアネート、３，３'－ジメチルビフェニレンジイソシアネート、４，４'－ビフェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、メチレンビス(４－シクロヘキシルイソシアネート)等のジイソシアネート；前記ジイソシアネートが三量体化したイソシアヌレート；前記ジイソシアネートのイソシアネート基をブロック剤でブロックしたブロックイソシアネート；などが挙げられる。多官能イソシアネートは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0034】
ポリオールとしては、例えば、エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、１，２－ペンタンジオール、１，４－ペンタンジオール、１，５－ペンタンジオール、２，４－ペンタンジオール、３，３－ジメチル－１，２－ブタンジオール、２－エチル－２－メチル－１，３－プロパンジオール、１，２－ヘキサンジオール、１，５－ヘキサンジオール、１，６－ヘキサンジオール、２，５－ヘキサンジオール、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、２，２－ジエチル－１，３－プロパンジオール、２，４－ジメチル－２，４－ペンタンジオール、１，７－ヘプタンジオール、２－メチル－２－プロピル－１，３－プロパンジオール、２，５－ジメチル－２，５－ヘキサンジオール、２－エチル－１，３－ヘキサンジオール、１，２－オクタンジオール、１，８－オクタンジオール、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、ハイドロキノン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリ（オキシテトラメチレン）グリコール、４，４'－ジヒドロキシージフェニル－２，２－プロパン、４，４'－ジヒドロキシフェニルスルホン等のジオールが挙げられる。
ポリオールとしては更に、例えば、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリビニルブチラール等が挙げられる。
ポリオールは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリオールとしては更に、例えば、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリビニルブチラール等が挙げられる。
ポリオールは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0035】
下引層に含まれる結着樹脂は、結着樹脂の全量の８０質量％以上１００質量％以下がポリウレタン樹脂であることが好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がポリウレタン樹脂であることがより好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がポリウレタン樹脂であることが更に好ましい。
【0036】
下引層に含まれるｎ型有機顔料の総含有量と、下引層に含まれるポリウレタン樹脂の含有量との質量比は、ｎ型有機顔料：ポリウレタン樹脂＝４０：６０乃至８０：２０が好ましく、５０：５０乃至７０：３０がより好ましい。
【0037】
（ｎ型有機顔料）
ｎ型有機顔料としては、例えば、ペリノン系化合物；ナフタレンテトラカルボキシジイミド系化合物；ペリレンテトラカルボン酸ジイミド系化合物；ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；ジナフトキノン化合物；ジフェノキノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等が挙げられる。ｎ型有機顔料は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
ｎ型有機顔料としては、例えば、ペリノン系化合物；ナフタレンテトラカルボキシジイミド系化合物；ペリレンテトラカルボン酸ジイミド系化合物；ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；ジナフトキノン化合物；ジフェノキノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等が挙げられる。ｎ型有機顔料は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【0038】
ｎ型有機顔料は、下記の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含むことが好ましい。
【0039】
【化2】
【0040】
一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【0041】
ｎ型有機顔料が上記一般式（１）～（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料であると、ｎ型有機顔料が下引層内で分散性高く存在しやすくなることから、膜内で均一な電子輸送が可能となる上に、優れた電子輸送性を示す。
【0042】
上記の中でも、ｎ型有機顔料は、
一般式（１）、一般式（２）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含むことが好ましく、
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含むことがより好ましく、
一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含むことが更に好ましく、
一般式（１）で表される化合物を含むことが特に好ましい。
一般式（１）、一般式（２）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含むことが好ましく、
一般式（１）、一般式（２）及び一般式（４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含むことがより好ましく、
一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含むことが更に好ましく、
一般式（１）で表される化合物を含むことが特に好ましい。
【0043】
ｎ型有機顔料として上記の化合物を含む下引き層は、樹脂に対する分散性が高く、高い帯電性と高い電位輸送性の両立が可能である。微量の鉄成分の影響は、感光体の初期の電気特性には影響は少ない場合が多いものの、繰り返しの画像を形成した場合に、点状の画質欠陥として顕著に表れやすい。この点においても、上記の化合物は、精製手段が多い等の観点から、前記Fe元素の量を８０ｐｐｍ以下に調整しやすく、優れた画質維持性を示す。
【0044】
〔一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物〕
以下、一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物について説明する。
以下、一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物について説明する。
【0045】
【化3】
【0046】
一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８（以下、単に「Ｒ１１～Ｒ１８」とも称す。）は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
【0047】
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８（以下、単に「Ｒ２１～Ｒ２８」とも称す。）は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
ニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
【0048】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基としては、置換若しくは無置換のアルキル基が挙げられる。
【0049】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは炭素数１以上１０以下、より好ましくは炭素数１以上６以下）の直鎖状のアルキル基、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の分岐状のアルキル基、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の環状のアルキル基が挙げられる。
【0050】
炭素数１以上２０以下の直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。
【0051】
炭素数３以上２０以下の分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－テトラデシル基、ｔｅｒｔ－ペンタデシル基等が挙げられる。
【0052】
炭素数３以上２０以下の環状のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、これら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基等が挙げられる。
【0053】
上記の中でも、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基等の直鎖状のアルキル基が好ましい。
【0054】
アルキル基における置換基としては、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
【0055】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシ基としては、置換若しくは無置換のアルコキシ基が挙げられる。
【0056】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基が挙げられる。
【0057】
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ－ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ－オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ－オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ－ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ－ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ－デシルオキシ基、ｔｅｒｔ－デシルオキシ基等が挙げられる。
環状のアルコキシ基として具体的には、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、無置換のアルコキシ基としては、直鎖状のアルコキシ基が好ましい。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ－ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ－オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ－オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ－ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ－ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ－デシルオキシ基、ｔｅｒｔ－デシルオキシ基等が挙げられる。
環状のアルコキシ基として具体的には、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、無置換のアルコキシ基としては、直鎖状のアルコキシ基が好ましい。
【0058】
アルコキシ基における置換基としては、アリール基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【0059】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアラルキル基としては、置換若しくは無置換のアラルキル基が挙げられる。
【0060】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアラルキル基としては、炭素数７以上３０以下のアラルキル基であることが好ましく、炭素数７以上１６以下のアラルキル基であることがより好ましく、炭素数７以上１２以下のアラルキル基であることが更に好ましい。
【0061】
炭素数７以上３０以下の無置換のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。
【0062】
アラルキル基における置換基としては、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【0063】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリール基としては、置換若しくは無置換のアリール基が挙げられる。
【0064】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基としては、炭素数６以上３０以下のアリール基が好ましく、６以上１４以下のアリール基がより好ましく、６以上１０以下のアリール基が更に好ましい。
【0065】
炭素数６以上３０以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、９－アンスリル基、９－フェナントリル基、１－ピレニル基、５－ナフタセニル基、１－インデニル基、２－アズレニル基、９－フルオレニル基、ビフェニレニル基、インダセニル基、フルオランテニル基、アセナフチレニル基、アセアントリレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントリル基、ビアントラセニル基、ターアントラセニル基、クオーターアントラセニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基等が挙げられる。上記の中でも、フェニル基が好ましい。
【0066】
アリール基における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【0067】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシ基（－Ｏ－Ａｒ、Ａｒはアリール基を表す。）としては、置換若しくは無置換のアリールオキシ基が挙げられる。
【0068】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシ基としては、炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基が好ましく、６以上１４以下のアリールオキシ基がより好ましく、６以上１０以下のアリールオキシ基が更に好ましい。
【0069】
炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基（フェノキシ基）、ビフェニルオキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、９－アンスリルオキシ基、９－フェナントリルオキシ基、１－ピレニルオキシ基、５－ナフタセニルオキシ基、１－インデニルオキシ基、２－アズレニルオキシ基、９－フルオレニルオキシ基、ビフェニレニルオキシ基、インダセニルオキシ基、フルオランテニルオキシ基、アセナフチレニルオキシ基、アセアントリレニルオキシ基、フェナレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、アントリルオキシ基、ビアントラセニルオキシ基、ターアントラセニルオキシ基、クオーターアントラセニルオキシ基、アントラキノリルオキシ基、フェナントリル
オキシ基、トリフェニレニルオキシ基、ピレニルオキシ基、クリセニルオキシ基、ナフタセニルオキシ基、プレイアデニルオキシ基、ピセニルオキシ基、ペリレニルオキシ基、ペンタフェニルオキシ基、ペンタセニルオキシ基、テトラフェニレニルオキシ基、ヘキサフェニルオキシ基、ヘキサセニルオキシ基、ルビセニルオキシ基、コロネニルオキシ基等が挙げられる。上記の中でも、フェニルオキシ基（フェノキシ基）が好ましい。
オキシ基、トリフェニレニルオキシ基、ピレニルオキシ基、クリセニルオキシ基、ナフタセニルオキシ基、プレイアデニルオキシ基、ピセニルオキシ基、ペリレニルオキシ基、ペンタフェニルオキシ基、ペンタセニルオキシ基、テトラフェニレニルオキシ基、ヘキサフェニルオキシ基、ヘキサセニルオキシ基、ルビセニルオキシ基、コロネニルオキシ基等が挙げられる。上記の中でも、フェニルオキシ基（フェノキシ基）が好ましい。
【0070】
アリールオキシ基における置換基としては、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【0071】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＲ、Ｒはアルキル基を表す。）としては、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
【0072】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基におけるアルキル鎖の炭素数としては、１以上２０以下であることが好ましく、１以上１５以下であることがより好ましく、１以上１０以下であることが更に好ましい。
【0073】
アルキル鎖の炭素数が１以上２０以下のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ－ブトキシブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ペンタオキシカルボニル基、ヘキサオキシカルボニル基、ヘプタオキシカルボニル基、オクタオキシカルボニル基、ノナオキシカルボニル基、デカオキシカルボニル基、ドデカオキシカルボニル基、トリデカオキシカルボニル基、テトラデカオキシカルボニル基、ペンタデカオキシカルボニル基、ヘキサデカオキシカルボニル基、ヘプタデカオキシカルボニル基、オクタデカオキシカルボニル基、ノナデカオキシカルボニル基、イコサオキシカルボニル基等が挙げられる。
【0074】
アルコキシカルボニル基における置換基としては、アリール基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルコキシカルボニル基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
【0075】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＡｒ、Ａｒはアリール基を表す。）としては、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。
【0076】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基におけるアリール基の炭素数としては、６以上３０以下であることが好ましく、６以上１４以下であることがより好ましく、６以上１０以下であることが更に好ましい。
【0077】
炭素数６以上３０以下のアリール基を有するアリールオキシカルボニル基としては、フ
ェノキシカルボニル基、ビフェニルオキシカルボニル基、１－ナフチルオキシカルボニル基、２－ナフチルオキシカルボニル基、９－アンスリルオキシカルボニル基、９－フェナントリルオキシカルボニル基、１－ピレニルオキシカルボニル基、５－ナフタセニルオキシカルボニル基、１－インデニルオキシカルボニル基、２－アズレニルオキシカルボニル基、９－フルオレニルオキシカルボニル基、ビフェニレニルオキシカルボニル基、インダセニルオキシカルボニル基、フルオランテニルオキシカルボニル基、アセナフチレニルオキシカルボニル基、アセアントリレニルオキシカルボニル基、フェナレニルオキシカルボニル基、フルオレニルオキシカルボニル基、アントリルオキシカルボニル基、ビアントラセニルオキシカルボニル基、ターアントラセニルオキシカルボニル基、クオーターアントラセニルオキシカルボニル基、アントラキノリルオキシカルボニル基、フェナントリルオキシカルボニル基、トリフェニレニルオキシカルボニル基、ピレニルオキシカルボニル基、クリセニルオキシカルボニル基、ナフタセニルオキシカルボニル基、プレイアデニルオキシカルボニル基、ピセニルオキシカルボニル基、ペリレニルオキシカルボニル基、ペンタフェニルオキシカルボニル基、ペンタセニルオキシカルボニル基、テトラフェニレニルオキシカルボニル基、ヘキサフェニルオキシカルボニル基、ヘキサセニルオキシカルボニル基、ルビセニルオキシカルボニル基、コロネニルオキシカルボニル基等が挙げられる。上記の中でも、フェノキシカルボニル基が好ましい。
ェノキシカルボニル基、ビフェニルオキシカルボニル基、１－ナフチルオキシカルボニル基、２－ナフチルオキシカルボニル基、９－アンスリルオキシカルボニル基、９－フェナントリルオキシカルボニル基、１－ピレニルオキシカルボニル基、５－ナフタセニルオキシカルボニル基、１－インデニルオキシカルボニル基、２－アズレニルオキシカルボニル基、９－フルオレニルオキシカルボニル基、ビフェニレニルオキシカルボニル基、インダセニルオキシカルボニル基、フルオランテニルオキシカルボニル基、アセナフチレニルオキシカルボニル基、アセアントリレニルオキシカルボニル基、フェナレニルオキシカルボニル基、フルオレニルオキシカルボニル基、アントリルオキシカルボニル基、ビアントラセニルオキシカルボニル基、ターアントラセニルオキシカルボニル基、クオーターアントラセニルオキシカルボニル基、アントラキノリルオキシカルボニル基、フェナントリルオキシカルボニル基、トリフェニレニルオキシカルボニル基、ピレニルオキシカルボニル基、クリセニルオキシカルボニル基、ナフタセニルオキシカルボニル基、プレイアデニルオキシカルボニル基、ピセニルオキシカルボニル基、ペリレニルオキシカルボニル基、ペンタフェニルオキシカルボニル基、ペンタセニルオキシカルボニル基、テトラフェニレニルオキシカルボニル基、ヘキサフェニルオキシカルボニル基、ヘキサセニルオキシカルボニル基、ルビセニルオキシカルボニル基、コロネニルオキシカルボニル基等が挙げられる。上記の中でも、フェノキシカルボニル基が好ましい。
【0078】
アリールオキシカルボニル基における置換基としては、アルキル基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
【0079】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基（－(Ｃ
ｎＨ２ｎ)－ＣＯ－ＯＲ、Ｒはアルキル基を表し、ｎは１以上の整数を表す。）としては
、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
ｎＨ２ｎ)－ＣＯ－ＯＲ、Ｒはアルキル基を表し、ｎは１以上の整数を表す。）としては
、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
【0080】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＲ）としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【0081】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルキレン鎖（－ＣｎＨ２ｎ－）としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは炭素数１以上１０以下、より好ましくは炭素数１以上６以下）の直鎖状のアルキレン鎖、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の分岐状のアルキレン鎖、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の環状のアルキレン鎖が挙げられる。
【0082】
炭素数１以上２０以下の直鎖状のアルキレン鎖としては、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基、ｎ－ヘキシレン基、ｎ－ヘプチレン基、ｎ－オクチレン基、ｎ－ノニレン基、ｎ－デシレン基、ｎ－ウンデシレン基、ｎ－ドデシレン基、トリデシレン基、ｎ－テトラデシレン基、ｎ－ペンタデシレン基、ｎ－ヘプタデシレン基、ｎ－オクタデシレン基、ｎ－ノナデシレン基、ｎ－イコシレン基等が挙げられる。
【0083】
炭素数３以上２０以下の分岐状のアルキレン鎖としては、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ－ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ－ヘキシレン基、ｔｅｒｔ－ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ－ヘプチレン基、ｔｅｒｔ－ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ－オクチレン基、ｔｅｒｔ－オクチレン基、イソノニレン基、ｓ
ｅｃ－ノニレン基、ｔｅｒｔ－ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ－デシレン基、ｔｅｒｔ－デシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－テトラデシレン基、ｔｅｒｔ－ペンタデシレン基等が挙げられる。
ｅｃ－ノニレン基、ｔｅｒｔ－ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ－デシレン基、ｔｅｒｔ－デシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－テトラデシレン基、ｔｅｒｔ－ペンタデシレン基等が挙げられる。
【0084】
炭素数３以上２０以下の環状のアルキレン鎖としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン基、シクロデシレン基等が挙げられる。
【0085】
アルコキシカルボニルアルキル基における置換基としては、アリール基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルコキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
【0086】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基（－(ＣｎＨ２ｎ) －ＣＯ－ＯＡｒ、Ａｒはアリール基を表し、ｎは１以上の整数を表す。）
としては、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
としては、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
【0087】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基におけるアリールオキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＡｒ、Ａｒはアリール基を表す。）としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【0088】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基におけるアルキレン鎖（－ＣｎＨ２ｎ－）としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルキレン鎖と同様の基が挙げられる。
【0089】
アリールオキシカルボニルアルキル基における置換基としては、アルキル基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリールオキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
【0090】
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【0091】
一般式（１）中、Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３、Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７又はＲ１７とＲ１８が、互いに連結して形成する環構造としては、ベンゼン環、炭素数１０以上１８以下の縮合環（ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環（ベンゾ［α］フェナントレン環）、テトラセン環、テトラフェン環（ベンゾ［α］アントラセン環）、トリフェニレン環等）などが挙げられる。上記の中でも、形成される環構造としては、ベンゼン環が好ましい。
【0092】
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアラルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアラルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるハロゲン原子としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアラルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアラルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるハロゲン原子としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。
【0093】
一般式（２）中、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７又はＲ２７とＲ２８が、互いに連結して形成する環構造としては、ベンゼン環、炭素数１０以上１８以下の縮合環（ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環（ベンゾ［α］フェナントレン環）、テトラセン環、テトラフェン環（ベンゾ［α］アントラセン環）、トリフェニレン環等）などが挙げられる。上記の中でも、形成される環構造としては、ベンゼン環が好ましい。
【0094】
一般式（１）においてＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基又はアリールオキシカルボニルアルキル基であることが好ましい。
【0095】
一般式（２）においてＲ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基又はアリールオキシカルボニルアルキル基であることが好ましい。
【0096】
以下、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物の具体例をそれぞれ示すが、本実施形態はこれに限定されるわけではない。
【0097】
【化4】
【0098】
【化5】
【0099】
【化6】
【0100】
【化7】
【0101】
【化8】
【0102】
【化9】
【0103】
一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物は、異性体の関係（つまり、シス体とトランス体の関係）にある。一般的な合成法としては２モルのオルトフェニレンジアミン化合物と１モルのナフタレンテトラカルボン酸化合物とを加熱し縮合させて合成するが、シス体とトランス体の混合物が得られ、混合比は通常シス体がトランス体に比べて多い。シス体とトランス体との分離は、例えば、水酸化カリウムのアルコール溶液で加熱洗浄することで可溶性のシス体と難溶性のトランス体とを分離することが可能である。
【0104】
〔一般式（３）で表される化合物〕
以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。
以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【0105】
【化10】
【0106】
一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６（以下、単に「Ｒ３１～Ｒ３６」とも称す。）は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【0107】
一般式（３）中、Ｒ３１～Ｒ３６で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン原子としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン原子と同様の基及び原子が挙げられる。
【0108】
一般式（３）中、Ｒ３１～Ｒ３６で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びアルコキシカルボニル基は、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びアルコキシカルボニル基で挙げる置換基と同様の置換基を有していてもよい。
【0109】
以下、一般式（３）で表される化合物の例示化合物を示すが、本実施形態はこれに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（３－番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（３－５）」と以下表記する。
【0110】
【化11】
【0111】
なお、上記例示化合物中の略記号等は、以下の意味を示す。
・Ｐｒ：ｎ-プロピル基
・ｃ－Ｃ６Ｈ１１：シクロヘキシル基
・Ｃ６Ｈ５：フェニル基
・p-Ｃｌ-Ｃ６Ｈ4：パラクロロフェニル基
・ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：ベンジル基
・ＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：フェネチル基
・Ｐｒ：ｎ-プロピル基
・ｃ－Ｃ６Ｈ１１：シクロヘキシル基
・Ｃ６Ｈ５：フェニル基
・p-Ｃｌ-Ｃ６Ｈ4：パラクロロフェニル基
・ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：ベンジル基
・ＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：フェネチル基
【0112】
〔一般式（４）で表される化合物〕
以下、一般式（４）で表される化合物について説明する。
以下、一般式（４）で表される化合物について説明する。
【0113】
【化12】
【0114】
一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０（以下、単に「Ｒ４１～Ｒ５０」とも称す。）は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【0115】
一般式（４）中、Ｒ４１～Ｒ５０で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン原子としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン原子と同様の基及び原子が挙げられる。
【0116】
一般式（４）中、Ｒ４１～Ｒ５０で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びアルコキシカルボニル基は、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びアルコキシカルボニル基で挙げる置換基と同様の置換基を有していてもよい。
【0117】
以下、一般式（４）で表される化合物の例示化合物を示すが、本実施形態はこれに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（４－番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（４－５）」と以下表記する。
【0118】
【化13】
【0119】
なお、上記例示化合物中の略記号等は、以下の意味を示す。
・Ｂｕ：ｎ-ブチル基
・ｃ－Ｃ６Ｈ１１：シクロヘキシル基
・p-ＣＨ３-Ｃ６Ｈ4：パラトリル基
・Ｃ６Ｈ５：フェニル基
・p-Ｃｌ-Ｃ６Ｈ4：パラクロロフェニル基
・o-Ｃｌ-Ｃ６Ｈ4：オルトクロロフェニル基
・ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：ベンジル基
・３，５-（ＣＨ３）２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジメチルフェニル基
・３，５-Ｃｌ２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジクロロフェニル基
・Ｂｕ：ｎ-ブチル基
・ｃ－Ｃ６Ｈ１１：シクロヘキシル基
・p-ＣＨ３-Ｃ６Ｈ4：パラトリル基
・Ｃ６Ｈ５：フェニル基
・p-Ｃｌ-Ｃ６Ｈ4：パラクロロフェニル基
・o-Ｃｌ-Ｃ６Ｈ4：オルトクロロフェニル基
・ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：ベンジル基
・３，５-（ＣＨ３）２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジメチルフェニル基
・３，５-Ｃｌ２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジクロロフェニル基
【0120】
〔一般式（５）で表される化合物〕
以下、一般式（５）で表される化合物について説明する。
以下、一般式（５）で表される化合物について説明する。
【0121】
【化14】
【0122】
一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【0123】
一般式（５）中、Ｒ５１～Ｒ５２で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン原子としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン原子と同様の基及び原子が挙げられる。
【0124】
一般式（５）中、Ｒ５１～Ｒ５２で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びアルコキシカルボニル基は、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びアルコキシカルボニル基で挙げる置換基と同様の置換基を有していてもよい。
【0125】
一般式（５）中、Ｒ５１～Ｒ５２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上１２以下のアルキル基、炭素数１以上１２以下のアルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基で表されていてもよい。
【0126】
以下、一般式（５）で表される化合物の例示化合物を示すが、本実施形態はこれに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（５－番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（５－５）」と以下表記する。
【0127】
【化15】
【0128】
なお、上記例示化合物中の略記号等は、以下の意味を示す。
・ｔ－Ｃ４Ｈ９：ｔ－ブチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
・ｔ－Ｃ４Ｈ９Ｏ：ｔ－ブトキシ基
・ｃ－Ｃ６Ｈ１１：シクロヘキシル基
・Ｃ６Ｈ５：フェニル基
・ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：ベンジル基
・３，５-（ＣＨ３）２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジメチルフェニル基
・３，５-Ｃｌ２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジクロロフェニル基
・Ｂｒ：臭素原子
・Ｃｌ：塩素原子
・ｔ－Ｃ４Ｈ９：ｔ－ブチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
・ｔ－Ｃ４Ｈ９Ｏ：ｔ－ブトキシ基
・ｃ－Ｃ６Ｈ１１：シクロヘキシル基
・Ｃ６Ｈ５：フェニル基
・ＣＨ２Ｃ６Ｈ５：ベンジル基
・３，５-（ＣＨ３）２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジメチルフェニル基
・３，５-Ｃｌ２-Ｃ６Ｈ3：３，５-ジクロロフェニル基
・Ｂｒ：臭素原子
・Ｃｌ：塩素原子
【0129】
ｎ型有機顔料の全量に対する、上記一般式（１）～（５）で表される化合物からなる群のｎ型有機顔料の含有量（総和）は、９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることがさらに好ましい。
【0130】
ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上であることがこのましく、５０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましく、５５質量％以上７０質量％以下であることがさらに好ましい。
【0131】
なお、ｎ型有機顔料として２種以上を組み合わせて用いた場合、ｎ型有機顔料の含有量とは、前記２種以上のｎ型有機顔料の総量を意味する。
【0132】
ｎ型有機顔料の含有量が８０質量％以下であると、膜質がもろくなり成膜性が低下し下引層の表面荒れが発生することが抑制され帯電維持性により優れる。他方、ｎ型有機顔料の含有量が５０質量％以上であると、電子輸送能に過不足が生じることが抑制される。
【0133】
ｎ型有機顔料は、精製物であることが好ましい。
ｎ型有機顔料が精製物であると、下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下により調整され易い。そのため、点状の画像欠陥がより低減され易い。
ｎ型有機顔料が精製物であると、下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下により調整され易い。そのため、点状の画像欠陥がより低減され易い。
【0134】
上記精製物としては、例えば、アシッドペースト処理物（例えば、ｎ型有機顔料を硫酸に一度溶解させた溶液を水、又はアルカリ性の溶媒中に滴下し顔料を析出させたのち洗浄した精製物）；昇華精製物；ボールミル等で乾式又は湿式で粉砕処理したｎ型有機顔料を有機酸又は無機酸で酸処理した酸処理物；ジメチルスルホキシド、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ｎ－メチル－２－ピロリドン等の極性溶剤に加熱溶解後にシリカゲル処理したシリカゲル処理物；などが挙げられるがこれに限られるものではない。
上記の中でも、精製物としては、アシッドペースト処理精製物及び昇華精製物の少なくとも一方の精製物であることが好ましい。ｎ型有機顔料が極性溶剤に溶ける場合は、シリカゲル処理物であることも好ましい。精製物が先述のものであると、ｎ型有機顔料がより純度高く精製される。その結果、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量がより低減されると考えられる。
上記の中でも、精製物としては、アシッドペースト処理精製物及び昇華精製物の少なくとも一方の精製物であることが好ましい。ｎ型有機顔料が極性溶剤に溶ける場合は、シリカゲル処理物であることも好ましい。精製物が先述のものであると、ｎ型有機顔料がより純度高く精製される。その結果、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量がより低減されると考えられる。
【0135】
ｎ型有機顔料は、必要に応じて、アルミナやジルコニウムのビーズで粉砕して所望の粒子サイズに制御されていてもよい。
【0136】
－無機粒子－
組成物は、無機粒子を更に含んでいてもよい。
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チ
タン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
組成物は、無機粒子を更に含んでいてもよい。
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チ
タン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【0137】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。比表面積が１０ｍ2／ｇ以上であると、帯電性の低下が抑制される傾向にある。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【0138】
無機粒子の含有量は、例えば、下引層の全固形分に対して、０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０質量％以上７０質量％以下である。
【0139】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【0140】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【0141】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0142】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0143】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【0144】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【0145】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた表面処理剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、表面処理剤を無機粒子の表面に付着する方法である。表面処理剤の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。表面処理剤を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【0146】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、表面処理剤を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去し
て、表面処理剤を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、表面処理剤を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
て、表面処理剤を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、表面処理剤を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【0147】
－添加剤－
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【0148】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【0149】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【0150】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【0151】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【0152】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【0153】
－下引層のその他の性質－
下引層の体積抵抗率は、１×１０１０Ωｃｍ以上１×１０１２Ωｃｍ以下であることが好ましい。
下引層の体積抵抗率は、１×１０１０Ωｃｍ以上１×１０１２Ωｃｍ以下であることが好ましい。
【0154】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【0155】
－下引層の形成方法－
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【0156】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【0157】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
ｎ型有機顔料（特に一般式（１）～一般式（５）で表される化合物）は、有機溶剤に溶解しにくいため、有機溶剤に分散させることが望ましい。その分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。下引層に金属酸化物粒子を配合する場合、金属酸化物粒子も同様の分散方法で有機溶剤に分散させることが望ましい。
ｎ型有機顔料（特に一般式（１）～一般式（５）で表される化合物）は、有機溶剤に溶解しにくいため、有機溶剤に分散させることが望ましい。その分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。下引層に金属酸化物粒子を配合する場合、金属酸化物粒子も同様の分散方法で有機溶剤に分散させることが望ましい。
【0158】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0159】
下引層の膜厚は、帯電維持性により優れる観点から、２０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ未満がさらに好ましい。
【0160】
下引層の膜厚は、１０μｍ以上であってもよい。
一般に、下引層の厚みが１０μｍ以上であると、バルク内の漏れ電流がより発生しやすく、下引き層中に残留する電荷も多くなるために、これに起因する点状の画像欠陥もより発生しやすくなる。また、暗減衰が大きくなりやすいことから、帯電維持性も低下する傾向にある。しかしながら、本実施形態に係る電子写真感光体では、下引層における前記Ｆｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である。そのため、膜厚１０μｍの下引層としたときにも、点状の画像欠陥が抑制される。また、帯電維持性にも優れる。
一般に、下引層の厚みが１０μｍ以上であると、バルク内の漏れ電流がより発生しやすく、下引き層中に残留する電荷も多くなるために、これに起因する点状の画像欠陥もより発生しやすくなる。また、暗減衰が大きくなりやすいことから、帯電維持性も低下する傾向にある。しかしながら、本実施形態に係る電子写真感光体では、下引層における前記Ｆｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である。そのため、膜厚１０μｍの下引層としたときにも、点状の画像欠陥が抑制される。また、帯電維持性にも優れる。
【0161】
［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【0162】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【0163】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【0164】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【0165】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【0166】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【0167】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【0168】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【0169】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【0170】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【0171】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【0172】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【0173】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【0174】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【0175】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。
【0176】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。
【0177】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【0178】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
【0179】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【0180】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【0181】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【0182】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【0183】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【0184】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【0185】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0186】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0187】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【0188】
電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【0189】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【0190】
【化16】
【0191】
構造式（ａ－１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【0192】
【化17】
【0193】
構造式（ａ－２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【0194】
ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【0195】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、ポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【0196】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【0197】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【0198】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【0199】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【0200】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0201】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0202】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【0203】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【0204】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、－ＯＨ、－ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、－ＮＨ２、－ＳＨ、－ＣＯＯＨ、－ＳｉＲＱ１
３－Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１～３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【0205】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【0206】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【0207】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【0208】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【0209】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【0210】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【0211】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0212】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0213】
［単層型感光層］
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【0214】
［画像形成装置、プロセスカートリッジ］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【0215】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着装置を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング装置を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電装置を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【0216】
中間転写方式の装置の場合、転写装置は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写装置と、を有する構成が適用される。
【0217】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【0218】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電装置、静電潜像形成装置、現像装置、転写装置からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【0219】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【0220】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成装置の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写装置の一例に相当する。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成装置の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写装置の一例に相当する。
【0221】
図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電装置の一例）、現像装置１１（現像装置の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング装置の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【0222】
なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【0223】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【0224】
－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【0225】
－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【0226】
－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【0227】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【0228】
－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【0229】
－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【0230】
－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【0231】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例0232】
以下に実施例を挙げて、本開示の電子写真感光体をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理手順等は、本開示の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本開示の電子写真感光体の範囲は、以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきではない。
【0233】
＜電子写真感光体の作製＞
［実施例１］
（下引層の形成）
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住友バイエルンウレタン社製、固形分７５質量％）２０質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＬ－１、積水化学工業社製）７．５質量部とを、メチルエチルケトン１５０質量部に溶解した。この溶液に、表１に示す精製の状態のｎ型有機顔料：ペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部とを添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１６０℃下で６０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。下引層の体積抵抗率を、強誘電体評価システム（ＩＶ＆ＱＶ変換器モデル６２５２Ｃ型、東洋テクニカ製）を用いて測定した。
［実施例１］
（下引層の形成）
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住友バイエルンウレタン社製、固形分７５質量％）２０質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＬ－１、積水化学工業社製）７．５質量部とを、メチルエチルケトン１５０質量部に溶解した。この溶液に、表１に示す精製の状態のｎ型有機顔料：ペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部とを添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１６０℃下で６０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。下引層の体積抵抗率を、強誘電体評価システム（ＩＶ＆ＱＶ変換器モデル６２５２Ｃ型、東洋テクニカ製）を用いて測定した。
【0234】
（電荷発生層の形成）
電荷発生材料として、Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを用意した。ヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部及びｎ－酢酸ブチル２００質量部を混合した混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ－酢酸ブチル１７５質量部及びメチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１５０℃下で１５分間乾燥して、厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成した。
電荷発生材料として、Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを用意した。ヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部及びｎ－酢酸ブチル２００質量部を混合した混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ－酢酸ブチル１７５質量部及びメチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１５０℃下で１５分間乾燥して、厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【0235】
（電荷輸送層の形成）
電荷輸送剤（ＨＴ－１）３８質量部と、電荷輸送剤（ＨＴ－２）１０質量部と、ポリカーボネート（Ａ）（粘度平均分子量４．６万）５２質量部とをテトラヒドロフラン８００質量部に加えて溶解し、４フッ化エチレン樹脂（ルブロンＬ５、ダイキン工業製、平均粒子径３００ｎｍ）７質量部を加え、ホモジナイザー（ウルトラタラックス、ＩＫＡ社製）を用いて５５００ｒｐｍで２時間分散して電荷輸送層形成用の塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１４０℃下で４０分間乾燥して、厚さ２７μｍの電荷輸送層を形成した。以上の処理により、実施例１の感光体を得た。
電荷輸送剤（ＨＴ－１）３８質量部と、電荷輸送剤（ＨＴ－２）１０質量部と、ポリカーボネート（Ａ）（粘度平均分子量４．６万）５２質量部とをテトラヒドロフラン８００質量部に加えて溶解し、４フッ化エチレン樹脂（ルブロンＬ５、ダイキン工業製、平均粒子径３００ｎｍ）７質量部を加え、ホモジナイザー（ウルトラタラックス、ＩＫＡ社製）を用いて５５００ｒｐｍで２時間分散して電荷輸送層形成用の塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１４０℃下で４０分間乾燥して、厚さ２７μｍの電荷輸送層を形成した。以上の処理により、実施例１の感光体を得た。
【0236】
【化18】
【0237】
【化19】
【0238】
［比較例ｃ１］
ｎ型有機顔料であるペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）を、特開２０２０－０４６６４０号公報における実施例１に記載の未精製のペリノン化合物とした以外は、実施例１と同様の手法として電子写真感光体を得た。
ｎ型有機顔料であるペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）を、特開２０２０－０４６６４０号公報における実施例１に記載の未精製のペリノン化合物とした以外は、実施例１と同様の手法として電子写真感光体を得た。
【0239】
［比較例ｃ２］
下引層の膜厚を表１に示す仕様とした以外は、比較例ｃ１と同様の手法として電子写真感光体を得た。
下引層の膜厚を表１に示す仕様とした以外は、比較例ｃ１と同様の手法として電子写真感光体を得た。
【0240】
［実施例２］
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリアミドに変更し、下引層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリアミドに変更し、下引層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
【0241】
（下引層の形成）
ポリアミド樹脂ＣＭ８０００（東レ製）２２．５質量部をメタノール１２０質量部とイソプロパノール６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１１０℃下で４０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。
ポリアミド樹脂ＣＭ８０００（東レ製）２２．５質量部をメタノール１２０質量部とイソプロパノール６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１１０℃下で４０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。
【0242】
［実施例３］
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリカーボネートに変更し、下引層の形成手順と電荷輸送層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリカーボネートに変更し、下引層の形成手順と電荷輸送層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
【0243】
（下引層の形成）
ポリカーボネート樹脂パンライトＴＳ－２０４０（帝人製）２２．５質量部をテトラヒドロフラン１６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部を添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１３５℃下で５０分間の乾燥硬化を行い、厚さ４μｍの下引層を形成した。
ポリカーボネート樹脂パンライトＴＳ－２０４０（帝人製）２２．５質量部をテトラヒドロフラン１６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部を添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１３５℃下で５０分間の乾燥硬化を行い、厚さ４μｍの下引層を形成した。
【0244】
（電荷輸送層の形成）
浸漬塗布をスプレー塗布に変更した以外は、実施例１における電荷輸送層の形成手順と同様にして電荷輸送層を形成した。
浸漬塗布をスプレー塗布に変更した以外は、実施例１における電荷輸送層の形成手順と同様にして電荷輸送層を形成した。
【0245】
［実施例４～９］
下引層の形成においてｎ型有機顔料の種類を表１に記載のとおりに変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成においてｎ型有機顔料の種類を表１に記載のとおりに変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
【0246】
［実施例１０］
下引層の形成においてｎ型有機顔料の種類を、下記に示す化合物６－１（表中、「６－１」と称す。）に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成においてｎ型有機顔料の種類を、下記に示す化合物６－１（表中、「６－１」と称す。）に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
【0247】
【化20】
【0248】
表１中、ｎ型有機顔料の項目「精製の状態」に、各ｎ型有機顔料の精製の状態を示す。なお、各精製方法は、以下のとおりである。
【0249】
［精製方法１：アシッドペースト処理物］
ｎ型有機顔料２０ｇ（クラリアント製）を濃硫酸２００ｍｌに溶解した溶液を、蒸留水１．５Ｌに２０℃以下を保ちながら１時間かけて滴下した。得られた懸濁液を高速遠心機（コクサン製Ｈ－２０００Ｂ）で遠心分離した。上澄みの酸性水をデカンテーションで除去した。残ったｎ型有機顔料の残渣に蒸留水１．０Ｌを加えよく攪拌し懸濁させたのち、再び遠心機でｎ型有機顔料を遠心分離し、水洗浄を行った。この水洗浄を２０回繰り返し、上澄みの電気電導度が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで実施した。洗浄済みのｎ型有機顔料を二日間凍結乾燥後、遊星ミル機（フリッチュ製クラシックライン）を用いて０．３ｍｍ径ジルコニアビーズで５００ｒｐｍ、１ｈｒ粉砕処理を実施し、精製されたｎ型有機顔料を得た。
ｎ型有機顔料２０ｇ（クラリアント製）を濃硫酸２００ｍｌに溶解した溶液を、蒸留水１．５Ｌに２０℃以下を保ちながら１時間かけて滴下した。得られた懸濁液を高速遠心機（コクサン製Ｈ－２０００Ｂ）で遠心分離した。上澄みの酸性水をデカンテーションで除去した。残ったｎ型有機顔料の残渣に蒸留水１．０Ｌを加えよく攪拌し懸濁させたのち、再び遠心機でｎ型有機顔料を遠心分離し、水洗浄を行った。この水洗浄を２０回繰り返し、上澄みの電気電導度が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで実施した。洗浄済みのｎ型有機顔料を二日間凍結乾燥後、遊星ミル機（フリッチュ製クラシックライン）を用いて０．３ｍｍ径ジルコニアビーズで５００ｒｐｍ、１ｈｒ粉砕処理を実施し、精製されたｎ型有機顔料を得た。
【0250】
［精製方法２：昇華精製物］
ｎ型有機顔料５ｇを昇華精製用ガラス管内で、アルゴンガスをキャリアガスに用いて、３５０℃で二日間昇華させた。残渣と初期昇華成分を除去し、精製ペリノン化合物４．１ｇを得た。得られたｎ型有機顔料は精製方法１と同様に遊星ミル機で粉砕処理を行い、精製されたｎ型有機顔料を得た。
ｎ型有機顔料５ｇを昇華精製用ガラス管内で、アルゴンガスをキャリアガスに用いて、３５０℃で二日間昇華させた。残渣と初期昇華成分を除去し、精製ペリノン化合物４．１ｇを得た。得られたｎ型有機顔料は精製方法１と同様に遊星ミル機で粉砕処理を行い、精製されたｎ型有機顔料を得た。
【0251】
［精製方法３：シリカゲル処理物］
ｎ型有機顔料１ｇをジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）２００ｍｌに１５０℃で加熱溶解した。溶け残った不溶分を濾別後、ｎ型有機顔料のＤＭＳＯ溶液を８０℃でシリカゲル（富士シリシア化学製ＰＳＱ１００Ｂ）５ｇを通してシリカゲル吸着処理を行った。得られたＤＭＳＯ溶液を蒸留水１００ｍｌに加えて結晶を析出させたのち、ろ過・真空乾燥させた。乾燥後のｎ型有機顔料は精製方法１と同様に遊星ミル機で粉砕処理を行い、精製されたｎ型有機顔料を得た。
ｎ型有機顔料１ｇをジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）２００ｍｌに１５０℃で加熱溶解した。溶け残った不溶分を濾別後、ｎ型有機顔料のＤＭＳＯ溶液を８０℃でシリカゲル（富士シリシア化学製ＰＳＱ１００Ｂ）５ｇを通してシリカゲル吸着処理を行った。得られたＤＭＳＯ溶液を蒸留水１００ｍｌに加えて結晶を析出させたのち、ろ過・真空乾燥させた。乾燥後のｎ型有機顔料は精製方法１と同様に遊星ミル機で粉砕処理を行い、精製されたｎ型有機顔料を得た。
【0252】
各例の電子写真感光体について、先述の測定方法により、下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量を測定した。結果を表１の項目「Ｆｅ元素の量」に示す。
表中、例えば、ｎ型有機顔料を複数含む場合、項目［ｎ型有機顔料の量［部］］に記載される量は、前記複数のｎ型有機顔料の総和量である。
表中、例えば、ｎ型有機顔料を複数含む場合、項目［ｎ型有機顔料の量［部］］に記載される量は、前記複数のｎ型有機顔料の総和量である。
【0253】
＜電子写真感光体の性能評価＞
各実施例又は比較例の感光体を、改造した富士フイルムビジネスイノベーション社製の画像形成装置ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅＣ５５７０に搭載し、下記の評価を行った。
各実施例又は比較例の感光体を、改造した富士フイルムビジネスイノベーション社製の画像形成装置ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅＣ５５７０に搭載し、下記の評価を行った。
【0254】
［点状の画像欠陥の評価］
感光体において電流が漏れると点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、点状の画像欠陥の評価を行った。この際、帯電電位を、通常－７００Ｖ程度であるところ、点状の画像欠陥がより発生しやすい電位－８３０Ｖに設定した。濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力し、１０時間後に温度２８℃、相対湿度８０％の環境下で濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。全１０枚における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｄに分類した。結果を表１に示す。
感光体において電流が漏れると点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、点状の画像欠陥の評価を行った。この際、帯電電位を、通常－７００Ｖ程度であるところ、点状の画像欠陥がより発生しやすい電位－８３０Ｖに設定した。濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力し、１０時間後に温度２８℃、相対湿度８０％の環境下で濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。全１０枚における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｄに分類した。結果を表１に示す。
【0255】
Ａ：点状の画像欠陥がない。
Ｂ：点状の画像欠陥が５個未満。
Ｃ：点状の画像欠陥が５個以上１０個未満。
Ｄ：点状の画像欠陥が１０個以上。
Ｂ：点状の画像欠陥が５個未満。
Ｃ：点状の画像欠陥が５個以上１０個未満。
Ｄ：点状の画像欠陥が１０個以上。
【0256】
［帯電維持性］
感光体の表面から１ｍｍ離れた位置に、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）の表面電位プローブを設置した。
感光体の表面を－８００Ｖに帯電させたのち、０．１秒後の電位低下量（つまり暗減衰量）を測定し、電位低下量を下記のＡ～Ｄに分類した。
感光体の表面から１ｍｍ離れた位置に、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）の表面電位プローブを設置した。
感光体の表面を－８００Ｖに帯電させたのち、０．１秒後の電位低下量（つまり暗減衰量）を測定し、電位低下量を下記のＡ～Ｄに分類した。
【0257】
Ａ：電位低下量が１５Ｖ未満。
Ｂ：電位低下量が１５Ｖ以上１８Ｖ未満。
Ｃ：電位低下量が１８Ｖ以上２０Ｖ未満。
Ｄ：電位低下量が２０Ｖ以上。
Ｂ：電位低下量が１５Ｖ以上１８Ｖ未満。
Ｃ：電位低下量が１８Ｖ以上２０Ｖ未満。
Ｄ：電位低下量が２０Ｖ以上。
【0258】
［異物の突き刺さり評価］
カーボンファイバーが感光層及び下引層を貫通してアルミニウム基材に達すると、電流が流れて点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、異物の突き刺さり抑制の評価を行った。この際、帯電電位を、通常－７００Ｖ程度であるところ、異物の突き刺さりに起因する点状の画像欠陥がより発生しやすい電位－８３０Ｖに設定した。現像剤にカーボンファイバー（平均径７μｍ、平均長３０μｍ）を濃度０．２質量％になる量混ぜ、濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力した。次いで、濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。１０枚目の画像における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｄに分類した。結果を表１に示す。
カーボンファイバーが感光層及び下引層を貫通してアルミニウム基材に達すると、電流が流れて点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、異物の突き刺さり抑制の評価を行った。この際、帯電電位を、通常－７００Ｖ程度であるところ、異物の突き刺さりに起因する点状の画像欠陥がより発生しやすい電位－８３０Ｖに設定した。現像剤にカーボンファイバー（平均径７μｍ、平均長３０μｍ）を濃度０．２質量％になる量混ぜ、濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力した。次いで、濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。１０枚目の画像における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｄに分類した。結果を表１に示す。
【0259】
Ａ：点状の画像欠陥がない。
Ｂ：点状の画像欠陥が５個未満。
Ｃ：点状の画像欠陥が５個以上１０個未満。
Ｄ：点状の画像欠陥が１０個以上。
Ｂ：点状の画像欠陥が５個未満。
Ｃ：点状の画像欠陥が５個以上１０個未満。
Ｄ：点状の画像欠陥が１０個以上。
【0260】
【表1】
【0261】
表１に示すように、実施例の電子写真感光体は、比較例の電子写真感光体に比べて、漏れ電流に起因する点状の画像欠陥が低減されることがわかった。また、点状の画像欠陥がより発生しやすい条件である針状の異物が電子写真感光体の表面に突き刺さった場合にも、実施例の電子写真感光体では、点状の画像欠陥の発生が低減されたままであった。また、実施例の電子写真感光体は、比較例の電子写真感光体に比べて、帯電維持性にも優れることがわかった。
【0262】
（（（１））） 導電性基体と、
前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、
前記下引層の上に設けられる感光層と、
を備え、
前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、
電子写真感光体。
（（（２））） 前記ｎ型有機顔料は、下記の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含む、前記（（（１）））に記載の電子写真感光体。
下記一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
（（（３））） 前記ｎ型有機顔料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含む、前記（（（２）））に記載の電子写真感光体。
（（（４））） 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上である、前記（（（１）））～（（（３）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（５））） 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上８０質量％以下である、前記（（（４）））に記載の電子写真感光体。
（（（６））） 前記下引層の厚みが１０μｍ以上である、前記（（（１）））～（（（５）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（７））） 前記（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
（（（８））） 前記（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
前記導電性基体の上に設けられ、結着樹脂及びｎ型有機顔料を含む下引層と、
前記下引層の上に設けられる感光層と、
を備え、
前記下引層は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ以下である、
電子写真感光体。
（（（２））） 前記ｎ型有機顔料は、下記の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のｎ型有機顔料を含む、前記（（（１）））に記載の電子写真感光体。
下記一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、それぞれ独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
下記一般式（３）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
下記一般式（５）中、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基又はハロゲン原子を表す。
【化21】
（（（３））） 前記ｎ型有機顔料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方を含む、前記（（（２）））に記載の電子写真感光体。
（（（４））） 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上である、前記（（（１）））～（（（３）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（５））） 前記ｎ型有機顔料の含有量は、下引層の全固形分に対して、５０質量％以上８０質量％以下である、前記（（（４）））に記載の電子写真感光体。
（（（６））） 前記下引層の厚みが１０μｍ以上である、前記（（（１）））～（（（５）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（７））） 前記（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
（（（８））） 前記（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【0263】
（（（１）））、又は（（（２）））に係る発明によれば、前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（３）））に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料が、前記一般式（３）で表される化合物である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（４）））に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（５）））に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満又は８０質量％超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（６）））に係る発明によれば、前記下引層の厚みが１０μｍ未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（７）））、又は（（（８）））に係る発明によれば、電子写真感光体の前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
（（（３）））に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料が、前記一般式（３）で表される化合物である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（４）））に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（５）））に係る発明によれば、前記ｎ型有機顔料の含有量が、下引層の全固形分に対して、５０質量％未満又は８０質量％超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（６）））に係る発明によれば、前記下引層の厚みが１０μｍ未満である場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体が提供される。
（（（７）））、又は（（（８）））に係る発明によれば、電子写真感光体の前記下引層における高周波誘導結合プラズマ発光分光分析により検出されるＦｅ元素の量が８０ｐｐｍ超えである場合に比べ、点状の画像欠陥が抑制された電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【符号の説明】
【0264】
１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性基体、５ 感光層、７Ａ 電子写真感光体、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ
【図1】
【図2】
【図3】
