特開 2024-136709 ヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024136709

(43)【公開日】2024-10-04

(54)【発明の名称】ヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240927BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023047913

(22)【出願日】2023-03-24

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】古住 信介

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA32

5F131CA21

5F131EC63

5F131EC64

5F131EC68

5F131EC69

5F131EC76

(57)【要約】

【課題】高性能の半導体装置を製造可能な、ヒートスタンプを提供する。
【解決手段】第１基板面と、第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、第５端部の上から第６端部の上にわたって、保護テープの上に貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、底面を有するヒートスタンプであって、ヒートスタンプの底面を剥離テープの上に押し当てた場合に、剥離テープの長手方向である剥離方向の側に設けられた底面の第１辺が、剥離テープの剥離方向に交差する方向において、底面の第１辺に互いに離間して設けられた第１端部と第２端部の間に、剥離テープの剥離方向に突き出た凸部を有するヒートスタンプである。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板面と、前記第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、前記第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、前記第５端部の上から前記第６端部の上にわたって、前記保護テープの上に貼付された剥離テープと、
を有する前記基板に対し、
底面を有するヒートスタンプであって、前記ヒートスタンプの前記底面を前記剥離テープの上に押し当てた場合に、前記剥離テープの長手方向である剥離方向の側に設けられた前記底面の第１辺が、前記剥離テープの前記剥離方向に交差する方向において、前記底面の前記第１辺に互いに離間して設けられた第１端部と第２端部の間に、前記剥離テープの前記剥離方向に突き出た凸部を有するヒートスタンプ。

【請求項2】

前記第１辺が、前記第１端部と前記第２端部の間に、前記剥離テープの前記剥離方向に突き出た複数の凸部を有する、
請求項１記載のヒートスタンプ。

【請求項3】

前記第１辺が、矩形波状又は鋸波状の形状を有する、
請求項２記載のヒートスタンプ。

【請求項4】

前記第１辺の形状が、前記剥離方向と反対の方向に湾曲している、
請求項１記載のヒートスタンプ。

【請求項5】

前記剥離方向における前記ヒートスタンプの幅は、前記剥離方向に交差する前記方向にわたって、等しい、
請求項２記載のヒートスタンプ。

【請求項6】

前記剥離方向における前記ヒートスタンプの前記幅は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である、
請求項５記載のヒートスタンプ。

【請求項7】

第１基板面と、前記第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、前記第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、前記第５端部の上から前記第６端部の上にわたって、前記保護テープの上に貼付された剥離テープと、
を有する前記基板に対し、
底面を有するヒートスタンプであって、前記ヒートスタンプの前記底面を前記剥離テープの上に押し当てた場合に、前記剥離テープの長手方向である剥離方向に交差する方向において、それぞれ離間し、所定の面内に設けられた複数の底面を有するヒートスタンプ。

【請求項8】

前記複数の底面は、前記剥離テープの前記剥離方向に交差する前記方向において、第１底面と、第２底面と、前記第１底面と前記第２底面の間に設けられた第３底面と、を有し、
前記第３底面は、前記第１底面及び前記第２底面よりも、前記剥離方向と反対の方向に突き出ている、
請求項７記載のヒートスタンプ。

【請求項9】

第１基板面と、前記第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、前記第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、前記第５端部の上から前記第６端部の上にわたって、前記保護テープの上に貼付された剥離テープと、
を有する前記基板に対し、
底面を有するヒートスタンプであって、前記ヒートスタンプの前記底面を前記剥離テープの上に押し当てた場合に、前記剥離テープの長手方向である剥離方向の側に設けられた前記底面の第１辺が、前記剥離テープの前記剥離方向に交差する方向において、前記底面の前記第１辺に互いに離間して設けられた第１端部と第２端部の間に、前記剥離テープの前記剥離方向に突き出た凸部を有する前記ヒートスタンプを加熱する工程と、
前記ヒートスタンプを用いて、前記第２基板面の前記第５端部の上に位置する前記剥離テープの部分を加熱する工程と、
ローラーを、前記第２基板面の前記第５端部の上から、前記ローラーと前記基板の距離を一定に維持するように、前記剥離テープの前記剥離方向に移動させながら、前記第２基板面の前記第５端部の上に位置する前記剥離テープの前記部分から前記剥離テープの剥離を行う工程と、
前記剥離テープ及び前記保護テープの、前記第２基板面からの剥離を行う工程と、
を備える、ヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、ヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体装置は、電力変換等の用途に用いられる。

【0003】

かかる半導体装置の製造においては、ウェハ（基板）の基板面に、バックグラインドテープ（ＢＧテープ）等の保護テープを貼付することが行われている。この保護テープを剥離する際には、剥離テープが用いられる。具体的には、保護テープの上に剥離テープを貼付し、剥離テープを剥離することにより、剥離テープと共に保護テープを基板面から剥離する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－０４４００８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明が解決しようとする課題は、高性能の半導体装置を製造可能な、ヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態のヒートスタンプは、第１基板面と、第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、第５端部の上から第６端部の上にわたって、保護テープの上に貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、底面を有するヒートスタンプであって、ヒートスタンプの底面を剥離テープの上に押し当てた場合に、剥離テープの長手方向である剥離方向の側に設けられた底面の第１辺が、剥離テープの剥離方向に交差する方向において、底面の第１辺に互いに離間して設けられた第１端部と第２端部の間に、剥離テープの剥離方向に突き出た凸部を有する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態の基板、保護テープ及び剥離テープを示す模式図である。

【図2】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置の模式図である。

【図3】第１実施形態の他の態様のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置の要部の模式図である。

【図4】第１実施形態のヒートスタンプの底面の模式下面図である。

【図5】第１実施形態の他の態様におけるヒートスタンプの底面の模式下面図である。

【図6】第１実施形態の他の態様におけるヒートスタンプの底面の模式下面図である。

【図7】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法を説明するための模式図である。

【図8】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法を説明するための模式図である。

【図9】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法を説明するための模式図である。

【図10】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法を説明するための模式図である。

【図11】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法のフローチャートである。

【図12】第１実施形態の比較形態となるヒートスタンプの模式図である。

【図13】第１実施形態の比較形態となるヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法の模式図である。

【図14】第１実施形態の比較形態となるヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法の模式図である。

【図15】第１実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法の模式図である。

【図16】第２実施形態のヒートスタンプの底面の模式下面図である。

【図17】第２実施形態の他の形態のヒートスタンプの底面の模式下面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。

【0009】

本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。

【0010】

（第１実施形態）
本実施形態のヒートスタンプは、第１基板面と、第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、第５端部の上から第６端部の上にわたって、保護テープの上に貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、底面を有するヒートスタンプであって、ヒートスタンプの底面を剥離テープの上に押し当てた場合に、剥離テープの長手方向である剥離方向の側に設けられた底面の第１辺が、剥離テープの剥離方向に交差する方向において、底面の第１辺に互いに離間して設けられた第１端部と第２端部の間に、剥離テープの剥離方向に突き出た凸部を有する。

【0011】

本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法は、第１基板面と、第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、第５端部の上から第６端部の上にわたって、保護テープの上に貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、底面を有するヒートスタンプであって、ヒートスタンプの底面を剥離テープの上に押し当てた場合に、剥離テープの長手方向である剥離方向の側に設けられた底面の第１辺が、剥離テープの剥離方向に交差する方向において、底面の第１辺に互いに離間して設けられた第１端部と第２端部の間に、剥離テープの剥離方向に突き出た凸部を有するヒートスタンプを加熱する工程と、ヒートスタンプを用いて、第２基板面の第５端部の上に位置する剥離テープの部分を加熱する工程と、ローラーを、第２基板面の第５端部の上から、ローラーと基板の距離を一定に維持するように、剥離テープの剥離方向に移動させながら、第２基板面の第５端部の上に位置する剥離テープの部分から剥離テープの剥離を行う工程と、剥離テープ及び保護テープの、第２基板面からの剥離を行う工程と、を備える。

【0012】

図１は、本実施形態の基板２、保護テープ１０及び剥離テープ２０を示す模式図である。図１（ａ）は、本実施形態の基板２、保護テープ１０及び剥離テープ２０の模式上面図である。図１（ｂ）は、本実施形態の基板２、保護テープ１０及び剥離テープ２０の一部の模式断面図である。

【0013】

基板２は、半導体材料を含む。ここで半導体材料は、例えばＳｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）等であるが、これに限定されるものではない。基板２は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体デバイスが形成された基板である。本実施形態のヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法は、基板２をダイシング等により個片化し、上記の半導体デバイスを有する半導体装置を製造する工程において用いられる。本実施形態の半導体装置は、例えば、半導体チップである。

【0014】

基板２は、直径ｄ_１を有する。基板２は、第１基板面２ａと、第１基板面２ａに対向し第１基板面２ａの上に設けられた第２基板面２ｂと、を有する。図１（ａ）においては、第２基板面２ｂの中央Ｏがあわせて図示されている。

【0015】

ここで、Ｘ方向と、Ｘ方向に対して垂直に交差するＹ方向と、Ｘ方向及びＹ方向に垂直に交差するＺ方向を定義する。第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂは、ＸＹ面に対して平行に設けられているものとする。

【0016】

保護テープ１０は、第２基板面２ｂの上に設けられている。保護テープ１０は、第１粘着層１２を有する。そして、第１粘着層１２により、保護テープ１０は第２基板面２ｂに貼付されている。基板２にＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体デバイスが形成されている場合、オン抵抗低減のために、第１基板面２ａの研削により基板２の膜厚を薄くして、オン抵抗を低減させることが行われている。保護テープ１０は、この際に、第２基板面２ｂに形成されたＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の回路パターンを保護するために用いられる。保護テープ１０は、例えば、バックグラインドテープである。また、保護テープ１０は、後工程流品時の基板２の保護のために用いられる。本実施形態のヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法は、かかる保護テープ１０の剥離のために用いられる。

【0017】

なお、保護テープ１０は、研削された基板面に貼付されることもある。例えば、第１基板面２ａにＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンが形成され、第２基板面２ｂが研削されて膜厚が薄くされた基板２を考える。かかる場合に、第２基板面２ｂに保護テープ１０が貼付されることもある。本実施形態のヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法は、研削された第２基板面２ｂに貼付された保護テープ１０の剥離のためにも、好ましく用いられる。

【0018】

また、保護テープ１０は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンを有さず、かつ、研削されない基板面に貼付されることもある。例えば、第１基板面２ａにＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンが形成され、第２基板面２ｂが研削されていない基板２を考える。かかる場合に、第２基板面２ｂに保護テープ１０が貼付されることもある。本実施形態のヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンを有さず、かつ、研削されていない第２基板面２ｂに貼付された保護テープ１０の剥離のためにも、好ましく用いられる。

【0019】

以下、第１基板面２ａが研削され、第２基板面２ｂにＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の回路パターンが形成されているものとして、説明を行う。

【0020】

図１には、保護テープ１０の直径ｄ_２が、基板２の直径ｄ_１より短いものとして図示されている。しかし、保護テープ１０の直径ｄ_２は、基板２の直径ｄ_１より長くてもかまわない。

【0021】

剥離テープ２０は、保護テープ１０の上に設けられている。剥離テープ２０は、例えば、基板２の直径ｄ_１よりも短く、保護テープ１０の直径ｄ_２よりも短い幅ｄ_３の、帯状の形状を有する。なお、剥離テープの幅ｄ_３は、基板２の直径ｄ_１より長くても良い。剥離テープ２０は、第２基板面２ｂを横切るように、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上から第６端部２ｂ２の上にわたって、保護テープ１０の上に貼付されている。第５端部２ｂ１と第６端部２ｂ２は、第２基板面２ｂの中央Ｏを挟んで互いに対向している。剥離テープ２０は、第２粘着層２２を有する。そして、第２粘着層２２により、剥離テープ２０は、保護テープ１０に貼付されている。剥離テープ２０は、第３端部２０ａと、第４端部２０ｂと、を有する。なお、剥離テープ２０は、第３端部２０ａ及び第４端部２０ｂから、さらに延長された部分をそれぞれ有していてもかまわない。剥離テープ２０は、第２基板面２ｂから保護テープ１０を剥離するために用いられる。剥離テープ２０の剥離方向は、帯状の形状の長手方向に平行である。

【0022】

なお、保護テープ１０は、例えば、第２粘着層２２と粘着する図示しない粘着層を、さらに有していてもかまわない。

【0023】

基板２のノッチ２ｃは、例えば図１（ａ）の図面上側に設けられている。しかし、ノッチ２ｃは、例えば図１（ａ）の図面下側、図面左側、又は図面右側に設けられていてもかまわない。また、ノッチ２ｃは、設けられていなくてもかまわない。さらに、ノッチ２ｃの代わりに、オリエンテーションフラットが設けられていてもかまわない。

【0024】

なお、図１（ａ）には、基板２の基板端２ｉがあわせて図示されている。

【0025】

図２は、本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置１５０の模式図である。

【0026】

なお、第１粘着層１２及び第２粘着層２２の図示は、省略している。

【0027】

ここでは、裏面研削により薄膜化された基板２の第２基板面２ｂに貼付された保護テープ１０を、剥離テープ２０を用いて剥離する場合について説明する。基板２の第１基板面２ａには、基板２が薄膜化された場合においても基板２の強度を維持するための環状凸部２ｄが設けられている。なお、薄膜化されておらず環状凸部２ｄを有しない基板２に対しても、本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置１５０は好ましく適用可能である。さらに、第１基板面２ａが環状凸部２ｄを有しないように、第１基板面２ａの全面に対して裏面研削が行われ、薄膜化された基板２に対しても、本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置１５０は好ましく適用可能である。

【0028】

以下、剥離テープ２０及び保護テープ１０の剥離方向は、Ｙ方向であるものとして説明を行う。

【0029】

ステージ４は、基板２が載置されるステージである。ステージ４は、例えば、基板２を図示しない真空吸着機構等により保持したまま、Ｘ方向、－Ｘ方向、Ｙ方向及び－Ｙ方向に移動可能である。

【0030】

ここで、Ｚ方向は、例えば、鉛直方向の反対方向である。ステージ４は、第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂを水平に保持している。

【0031】

剥離ローラー４０（ローラーの一例）は、基板２の上方に設けられている。剥離ローラー４０は、第３端部２０ａから剥離テープ２０を剥離させる際に、剥離テープ２０を折り返して剥離させるためのローラーである。剥離ローラー４０は、ＹＺ面内において回転可能である。剥離ローラー４０は、例えば、剥離ローラー４０に接続されたシリンダー４４により、上下方向に移動可能となっている。また、例えば、シリンダー４４は、レール４６内に設けられたスライダー４２を用いて、基板２の上をＹ方向に移動可能である。これにより、剥離ローラー４０は、基板２の上をＹ方向に移動可能である。なお、剥離ローラー４０を上下方向及びＹ方向に移動可能とする手段は、上記のものに限定されない。

【0032】

貼付ローラー３６は、基板２の上方に設けられている。貼付ローラー３６は、保護テープ１０の上に剥離テープ２０を押し当てて貼付するためのものである。なお、貼付ローラー３６は、例えば、貼付ローラー３６に接続されたシリンダー３９、及びシリンダー３９に接続されたスライダー３８により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。

【0033】

ヒートスタンプ１００は、基板２の上方に設けられている。ヒートスタンプ１００は、加熱機構９０を有する。加熱機構９０は、例えば、ヒーターである。加熱機構９０により、ヒートスタンプ１００の底面５０は加熱される。底面５０は、保護テープ１０の上に貼付された剥離テープ２０の第３端部２０ａに接触する。これにより、剥離テープ２０の第３端部２０ａが加熱される。加熱により、剥離テープ２０は、保護テープ１０に対して、より強固に貼付される。なお、ヒーター３２は、例えば、ヒートスタンプ１００に接続されたシリンダー３５、及びシリンダー３５に接続されたスライダー３４により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。なお、底面５０は、剥離テープ２０の第３端部２０ａ以外の場所に接触してもかまわない。

【0034】

なお、剥離ローラー４０を用いて剥離された剥離テープ２０及び保護テープ１０は、例えば、図示しない巻き取りローラー等を用いて巻き取られる。

【0035】

図３は、本実施形態の他の態様のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置の要部の模式図である。ここでは、剥離ローラー４０の他に、折り返しローラー４７が設けられている。剥離ローラー４０によって剥離された剥離テープ２０は、折り返しローラー４７によって上方向に折り返されていてもかまわない。なお、例えば、かかる折り返しローラー４７は、折り返しローラー４７に接続されたシリンダー４８及びシリンダー４８に接続されたスライダー４９により、上下方向及びＹ方向に移動可能となっている。図３における剥離ローラー４０及び折り返しローラー４７は、ローラーの一例である。

【0036】

図４は、本実施形態のヒートスタンプ１００の底面５０の模式下面図である。なお、図４には、一例として、幅ｄ３１を有する剥離テープ２０ｃ、及び幅ｄ３２を有する剥離テープ２０ｄが、あわせて図示されている。幅ｄ３２の長さは、幅ｄ３１の長さより長い。また、図４には、第２基板面２ｂの中央Ｏ、基板２の基板端２ｉ及び剥離テープ２０ｃがあわせて図示されている。底面５０は、第２基板面２ｂに平行に配置されている。

【0037】

底面５０は、剥離テープ２０の剥離方向（Ｙ方向）の側に設けられた第１辺５２と、剥離テープ２０の剥離方向と反対方向（－Ｙ方向）の側に設けられた第２辺５４と、を有する。第２辺５４は、第１辺５２の反対側に設けられている。

【0038】

第１辺５２は、剥離テープ２０の剥離方向に交差する方向において、互いに離間して設けられた第１端部５１ａと第２端部５１ｂの間に、底面５０を剥離テープ２０の上に押し当てた場合に、剥離テープ２０の剥離方向に突き出た凸部５２ａ１、凸部５２ａ２、凸部５２ａ３、凸部５２ａ４、凸部５２ａ５、凸部５２ａ６を有する。Ｘ方向は、剥離方向に交差する方向の一例である。ここで、図４においては、６個の凸部５２ａが図示されている。凸部５２ａの個数は１個でもかまわない。しかし、複数の凸部５２ａが設けられていることが、より好ましい。ここで凸部５２ａ１を例として凸部５２ａについて説明する。凸部５２ａ１は、第１辺５２の第１部分５２ｅと、第１辺５２の第２部分５２ｆの間において、第１部分５２ｅ及び第２部分５２ｆよりも、剥離方向の側に位置している。

【0039】

さらに、第１辺５２は、剥離方向と反対の方向に湾曲した上で、剥離方向に突き出た凸部５２ａを有していることが好ましい。

【0040】

図４に示した第１辺５２は、波状の形状を有している。

【0041】

第２辺５４の形状は、例えば、剥離方向と反対の方向に湾曲している。

【0042】

第２辺５４の形状は、例えば、剥離テープの第３端部２０ａ付近における、基板２の基板端２ｉの形状に沿っている。

【0043】

なお、第２辺５４の形状は、上記のものに限定されるものではない。

【0044】

Ｘ方向の剥離テープ２０の幅と、Ｘ方向の底面５０の幅ｄ５０の関係については、剥離テープ２０ｃのように、Ｘ方向の剥離テープ２０ｃの幅ｄ３１よりＸ方向の底面の幅ｄ５０が広いものであってもかまわない。また、剥離テープ２０ｄのように、Ｘ方向の剥離テープ２０ｄの幅ｄ３２よりＸ方向の底面の幅ｄ５０が狭いものであってもかまわない。

【0045】

図５は、本実施形態の他の態様におけるヒートスタンプ１００の底面５０の模式下面図である。

【0046】

図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した底面５０の第１辺５２は、第１端部５１ａと第２端部５１ｂの間に、凸部５２ｂ１と、凸部５２ｂ２と、凸部５２ｂ３と、凸部５２ｂ４と、凸部５２ｂ５と、凸部５２ｂ６と、を有している。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した底面５０の第１辺５２は、矩形波形状を有している。

【0047】

図５（ａ）に示した底面５０の第１辺５２の場合、凸部５２ｂ２及び凸部５２ｂ５は、凸部５２ｂ３及び凸部５２ｂ４よりも、剥離方向に突き出ている。凸部５２ｂ１は、凸部５２ｂ２よりも、剥離方向に突き出ている。凸部５２ｂ６は、凸部５２ｂ５よりも、剥離方向に突き出ている。

【0048】

図５（ｂ）に示した底面５０の第１辺５２の場合、凸部５２ｂ１、凸部５２ｂ２、凸部５２ｂ３、凸部５２ｂ４、凸部５２ｂ５及び凸部５２ｂ６は、Ｘ方向に一列に並んでいる。

【0049】

図５（ａ）の底面５０及び図５（ｂ）の底面５０は、いずれも本実施形態の底面５０として好ましく用いられる。ただし、図５（ａ）のように、凸部５２ｂ２及び凸部５２ｂ５は、凸部５２ｂ３及び凸部５２ｂ４よりも、剥離方向に突き出ている方が、より好ましい。これは、凸部５２ｂの配列を、基板２の基板端２ｉに沿ったものとすることで、保護テープ１０の、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上からの剥離を円滑に行うためのものである。

【0050】

図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示した底面５０の第１辺５２は、頂点５２ｃ１、頂点５２ｃ２、頂点５２ｃ３、頂点５２ｃ４、頂点５２ｃ５及び頂点５２ｃ６を有する。ここで、頂点５２ｃ１は、第１端部５１ａである。また、頂点５２ｃ６は、第２端部５１ｂである。図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示した底面５０の第１辺５２は、鋸波状の形状を有している。

【0051】

図５（ｃ）に示した底面５０の第１辺５２の場合、頂点５２ｃ２及び頂点５２ｃ５は、頂点５２ｃ３及び頂点５２ｃ４よりも、剥離方向に突き出ている。頂点５２ｃ１は、頂点５２ｃ２よりも、剥離方向に突き出ている。頂点５２ｃ６は、頂点５２ｃ５よりも、剥離方向に突き出ている。

【0052】

図５（ｄ）に示した底面５０の第１辺５２の場合、頂点５２ｃ１、頂点５２ｃ２、頂点５２ｃ３、頂点５２ｃ４、頂点５２ｃ５及び頂点５２ｃ６は、Ｘ方向に一列に並んでいる。

【0053】

図５（ｃ）の底面５０及び図５（ｄ）の底面５０は、いずれも本実施形態の底面５０として好ましく用いられる。ただし、図５（ｃ）のように、頂点５２ｃ２及び頂点５２ｃ５が、頂点５２ｃ３及び頂点５２ｃ４よりも剥離方向に突き出ている方が、より好ましい。これは、頂点５２ｃの配列を、基板２の基板端２ｉに沿ったものとすることで、保護テープ１０の、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上からの剥離を円滑に行うためのものである。

【0054】

図６は、本実施形態の他の態様におけるヒートスタンプ１００の底面５０の模式下面図である。

【0055】

図６（ａ）に示した底面５０の場合、第２辺５４は、剥離テープ２０の剥離方向に交差する方向の端部５３ａと端部５３ｂの間に、剥離テープの剥離方向と反対方向に突き出た凸部５４ｂ１、凸部５４ｂ２、凸部５４ｂ３、凸部５４ｂ４を有する。また、図６（ａ）に示した底面５０の場合、Ｙ方向における底面５０の幅Ｌは、剥離方向に交差する方向（Ｘ方向）にわたって、等しい。言い換えると、第２辺５４の形状は、Ｙ方向に平行移動させたときに、第１辺５２と重なるものである。幅Ｌは、例えば、０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。

【0056】

図６（ｂ）に示した底面５０の場合、第１辺５２の形状は、図４に示した第１辺５２の形状と同様である。図６（ｂ）に示した底面５０の場合、第２辺５４は、剥離テープ２０の剥離方向に交差する方向の端部５３ａと端部５３ｂの間に、剥離テープの剥離方向と反対方向に突き出た凸部５４ｂ１、凸部５４ｂ２、凸部５４ｂ３を有する。また、図６（ｂ）に示した底面５０の場合、第２辺５４の形状は、剥離テープ２０の剥離方向（Ｙ方向）に垂直な方向（Ｘ方向）に対して線対称である。

【0057】

図６（ｃ）に示した底面５０の場合、第１辺５２の形状は、図４に示した第１辺５２の形状と同様である。図６（ｃ）に示した底面５０の場合、第２辺５４は、剥離テープ２０の剥離方向に交差する方向の端部５３ａと端部５３ｂの間に、剥離テープの剥離方向と反対方向に突き出た凸部５４ｂ１、凸部５４ｂ２、凸部５４ｂ３を有する。また、図６（ｃ）に示した底面５０の場合、第２辺５４の形状は、鋸波状である。このように、第１辺５２と第２辺５４の組合せは特に限定されるものではない。本実施形態で記載された第１辺５２と第２辺５４について、全て組み合わせて、底面５０とすることが可能である。

【0058】

図７乃至図１０は、本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法を説明するための模式図である。なお図７乃至図１０のそれぞれの図において、一部の部材の図示を省略することがある。

【0059】

図１１は、本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法のフローチャートである。

【0060】

まず、貼付ローラー３６を用いて、剥離テープ２０を、第２基板面２ｂにわたって、保護テープ１０の上に貼付する（図１１のＳ２及び図７）。

【0061】

次に、加熱機構９０を用いて加熱されたヒートスタンプ１００の底面５０を、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上に位置する剥離テープ２０の部分に押し当てる（図１１のＳ４）。

【0062】

次に、ヒートスタンプ１００の底面５０を用いて、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上に位置する剥離テープの部分を加熱する（図１１のＳ６及び図８）。

【0063】

次に、剥離ローラー４０を、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上に位置する剥離テープ２０の部分に接触させる。次に、剥離ローラー４０を接触させたままで、剥離ローラー４０を、スライダー４２及びレール４６を用いて、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上に位置する剥離テープ２０の部分の上から、第２基板面２ｂの中央Ｏ又はその近傍の上に設けられた剥離テープ２０の上に向かって、剥離ローラー４０と基板２の距離を一定に維持するように、第２基板面２ｂに平行なＹ方向の移動を行う。これにより、第２基板面２ｂの第５端部２ｂ１の上に位置する剥離テープ２０の部分から、剥離テープ２０の剥離を行う。ここで、剥離ローラー４０による剥離テープ２０の折り返しの形状は、ループ状の形状を有し、できるだけ一定になっていることが好ましい。言い換えると、剥離ローラー４０による剥離テープ２０の折り返しの形状が、できるだけ一定のループ状の形状になるように、剥離ローラー４０のＹ方向の移動が行われる。なお、ここで、剥離ローラー４０が剥離テープ２０に対してＹ方向に移動しても良い。また、剥離テープ２０、保護テープ１０、基板２及びステージ４が剥離ローラー４０に対して－Ｙ方向に移動することにより、剥離ローラー４０が剥離テープ２０に対してＹ方向に移動してもかまわない（図１１のＳ８及び図９）。

【0064】

剥離テープ２０が、第２基板面２ｂから剥離されると共に、保護テープ１０が、剥離テープ２０が保護テープ１０に貼り付いたまま一体化して、第２基板面２ｂから剥離される（図１１のＳ１０及び図１０）。ここで、例えば図示しない巻き取りローラーに剥離テープ２０が巻き取られることにより、剥離ローラー４０が回転する。これにより、まず剥離テープ２０だけが剥離ローラー４０によって送られる。そして、保護テープ１０が第２基板面２ｂから剥離された後は、保護テープ１０と剥離テープ２０が一体化して剥離ローラー４０によって送られる。

【0065】

次に、本実施形態のヒートスタンプ及びヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法の作用効果を記載する。

【0066】

図１２は、本実施形態の比較形態となるヒートスタンプの模式図である。図１３及び図１４は、本実施形態の比較形態となるヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法の模式図である。

【0067】

図１２に示したヒートスタンプ１０００の底面５０の形状は、矩形状の形状又は長方形状の形状である。第１辺５２及び第２辺５４は、Ｘ方向に平行である。第１辺５２は、凸部５２ａを有していない。

【0068】

このようなヒートスタンプ１０００を剥離テープ２０の第３端部２０ａに接触させた場合、図１３に示したように、第１辺５２の形状を反映した、折りしろ１０５８のような、Ｘ方向に平行な直線状の折りしろ１０５８が剥離テープ２０に形成される。このような剥離テープ２０を剥離する場合、図１４に示したように、折りしろ１０５８に沿って、剥離テープ２０が鋭角に折れ曲がってしまい、ループ状の形状を形成することが困難になる。さらに剥離テープ２０の剥離を続けようとすると、ステージ４から基板２が外れてしまい、剥離を行うことが出来ないという問題があった。

【0069】

そこで、本実施形態のヒートスタンプ１００は、ヒートスタンプの底面５０を剥離テープ２０の上に押し当てた場合に、剥離テープ２０の剥離方向に突き出た凸部５２ａを有する。

【0070】

図１５は、本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離方法の模式図である。本実施形態のヒートスタンプ１００を用いた場合には、第１辺５２の凸部５２ａの形状を反映した、直線状ではない折りしろ５８が形成される。

【0071】

このような剥離テープ２０を剥離する場合、Ｘ方向に、接着が強固に行われた箇所と、接着が強固に行われていない箇所が交互に設けられている。そのため、接着が強固に行われた箇所により保護テープ１０と剥離テープ２０の接着を保持しつつ、接着が強固に行われていない箇所によりループ状の形状（図９）を形成することができる。これにより、剥離テープ２０が鋭角に折れ曲がることが発生しにくくなる。

【0072】

特に、第１辺５２が複数の凸部を有することにより、接着が強固に行われた箇所と、接着が強固に行われていない箇所を細かく設けることができる。そのため、剥離テープ２０が鋭角に折れ曲がることが、より発生しにくくなる。

【0073】

第１辺５２が、矩形波状又は鋸波状の形状を有していること、及び、第１辺５２の形状が、剥離方向と反対の方向に湾曲していることは、上記のようなヒートスタンプを提供する上で好ましい一例である。

【0074】

剥離方向のヒートスタンプの幅を、剥離方向に交差する方向において一定にすることにより、接着が強固に行われた箇所と接着が強固に行われていない箇所が、剥離方向においてより長い距離にわたってあらわれる。そのため、ループ状の形状が、剥離方向においてより長い距離にわたって形成されやすくなる。このようにするためには、ヒートスタンプの幅を０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることがより好ましい。

【0075】

本実施形態のヒートスタンプによれば、高性能の半導体装置の製造が可能なヒートスタンプの提供が可能となる。本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置によれば、高性能の半導体装置の製造が可能な、ヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置の提供が可能となる。

【0076】

（第２実施形態）
本実施形態のヒートスタンプは、第１基板面と、第１基板面に対向する第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第２基板面の中央を挟んで互いに対向する第５端部及び第６端部の、第５端部の上から第６端部の上にわたって、保護テープの上に貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、底面を有するヒートスタンプであって、ヒートスタンプの底面を剥離テープの上に押し当てた場合に、剥離テープの長手方向である剥離方向に交差する方向において、それぞれ離間し、所定の面内に設けられた複数の底面を有する。ここで、第１実施形態と重複する内容の記載は省略する。

【0077】

図１６は、本実施形態のヒートスタンプ２００の底面６０の模式下面図である。複数の底面６０が、Ｘ方向において、それぞれ離間して設けられている。図１６においては、底面６０ａ、底面６０ｂ、底面６０ｃ、底面６０ｄ及び底面６０ｅが図示されている。底面６０は、例えば、図示しないヒートスタンプ２００の上方において互いに接続されている。複数の底面６０は、第２基板面２ｂに平行な面内（所定の面内の一例）に設けられている。

【0078】

図１６において図示されている底面の数は５個である。しかし、底面の数は５個に限定されるものではない。

【0079】

底面６０の形状は、例えば矩形形状である。しかし、底面６０の形状は矩形に限定されるものではない。

【0080】

図１７は、本実施形態の他の形態のヒートスタンプ２１０の模式下面図である。

【0081】

Ｘ方向において、底面６０ｃ（第３底面の一例）は、底面６０ｂ（第１底面の一例）と底面６０ｄ（第２底面の一例）の間に設けられている。底面６０ｂ及び底面６０ｄは、底面６０ｃよりも、剥離方向に突き出ている。また、底面６０ａは、底面６０ｂよりも、剥離方向に突き出ている。また、底面６０ｅは、底面６０ｄよりも、剥離方向に突き出ている。これは、複数の底面６０の配列を、基板２の基板端２ｉに沿ったものとすることで、剥離テープ２０及び保護テープ１０の剥離を円滑に行うためのものである。

【0082】

本実施形態のヒートスタンプによれば、高性能の半導体装置の製造が可能なヒートスタンプの提供が可能となる。本実施形態のヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置によれば、高性能の半導体装置の製造が可能な、ヒートスタンプを用いた保護テープの剥離装置の提供が可能となる。

【0083】

本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態及び実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0084】

２ ：基板
２ａ ：第１基板面
２ｂ ：第２基板面
２ｂ１ ：第５端部
２ｂ２ ：第６端部
２ｂ ：基板面
１０ ：保護テープ
１０ ：保護テープの端部
２０ ：剥離テープ
２０ａ ：剥離テープの端部
５０ ：底面
５１ａ ：第１端部
５１ｂ ：第２端部
５２ ：第１辺
５２ａ ：凸部
５２ｂ ：凸部
５２ｃ ：頂点
６０ ：底面
９０ ：加熱機構
１００ ：ヒートスタンプ
２００ ：ヒートスタンプ
２１０ ：ヒートスタンプ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】