(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024136727
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】端子検査装置及び半導体装置
(51)【国際特許分類】
G01N 21/956 20060101AFI20240927BHJP
G01N 21/89 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
G01N21/956 B
G01N21/89 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023047937
(22)【出願日】2023-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】坂本 秀典
(72)【発明者】
【氏名】中西 寿光
【テーマコード（参考）】
2G051
【Ｆターム（参考）】
2G051AA62
2G051AB02
2G051AB10
2G051BA01
2G051CA07
2G051CB07
2G051DA06
2G051EA05
2G051EB01
(57)【要約】
【課題】端子の異常状態を正確に検知することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】端子検査装置は、第１光照射部と、第１光検知部と、判定部とを備える。第１光照射部は、第１光を照射する。第１光検知部は、半導体装置の端子の状態に応じて、第１光照射部から照射され、端子に設けられた貫通穴を経由した第１光を検知する。判定部は、第１光検知部の検知結果に基づいて、端子の状態が異常状態であるか否かを判定する。
【選択図】図１
【解決手段】端子検査装置は、第１光照射部と、第１光検知部と、判定部とを備える。第１光照射部は、第１光を照射する。第１光検知部は、半導体装置の端子の状態に応じて、第１光照射部から照射され、端子に設けられた貫通穴を経由した第１光を検知する。判定部は、第１光検知部の検知結果に基づいて、端子の状態が異常状態であるか否かを判定する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１光を照射する第１光照射部と、
半導体装置の端子の状態に応じて、前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた貫通穴を経由した前記第１光を検知する第１光検知部と、
前記第１光検知部の検知結果に基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する判定部と
を備える、端子検査装置。
半導体装置の端子の状態に応じて、前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた貫通穴を経由した前記第１光を検知する第１光検知部と、
前記第１光検知部の検知結果に基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する判定部と
を備える、端子検査装置。
【請求項2】
請求項１に記載の端子検査装置であって、
第２光を照射する第２光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第２光の検知が前記端子によって妨げられる第２光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、端子検査装置。
第２光を照射する第２光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第２光の検知が前記端子によって妨げられる第２光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、端子検査装置。
【請求項3】
請求項２に記載の端子検査装置であって、
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第１光検知部で前記第１光が検知されない第１合計時間と、前記第２光検知部で前記第２光が検知されない第２合計時間とに基づいて、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、端子検査装置。
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第１光検知部で前記第１光が検知されない第１合計時間と、前記第２光検知部で前記第２光が検知されない第２合計時間とに基づいて、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、端子検査装置。
【請求項4】
請求項３に記載の端子検査装置であって、
前記第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、前記第１合計時間が前記第１閾値よりも大きい第２閾値よりも大きい場合、または、前記第２合計時間がない場合に、前記端子の前記状態が異常状態であると判定する、端子検査装置。
前記第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、前記第１合計時間が前記第１閾値よりも大きい第２閾値よりも大きい場合、または、前記第２合計時間がない場合に、前記端子の前記状態が異常状態であると判定する、端子検査装置。
【請求項5】
請求項１に記載の端子検査装置であって、
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から第２面までテーパ形状を有する、端子検査装置。
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から第２面までテーパ形状を有する、端子検査装置。
【請求項6】
請求項１に記載の端子検査装置であって、
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から前記第１面と第２面との間の途中部分まで先細るテーパ形状を有し、前記途中部分から前記第２面まで一定幅を有する、端子検査装置。
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から前記第１面と第２面との間の途中部分まで先細るテーパ形状を有し、前記途中部分から前記第２面まで一定幅を有する、端子検査装置。
【請求項7】
請求項２に記載の端子検査装置であって、
平面視において前記第１光と交差する第３光を照射する第３光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第３光照射部から出射され、前記端子の第１側部側を通過する前記第３光を検知する第３光検知部と、
平面視において前記第１光と交差する第４光を照射する第４光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第４光照射部から出射され、前記端子の前記第１側部側と逆側の第２側部側を通過する前記第４光を検知する第４光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果と、前記第３光検知部の検知結果と、前記第４光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、端子検査装置。
平面視において前記第１光と交差する第３光を照射する第３光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第３光照射部から出射され、前記端子の第１側部側を通過する前記第３光を検知する第３光検知部と、
平面視において前記第１光と交差する第４光を照射する第４光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第４光照射部から出射され、前記端子の前記第１側部側と逆側の第２側部側を通過する前記第４光を検知する第４光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果と、前記第３光検知部の検知結果と、前記第４光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、端子検査装置。
【請求項8】
請求項７に記載の端子検査装置であって、
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第３光検知部で前記第３光が検知されない時間と、前記第４光検知部で前記第４光が検知されない時間との少なくともいずれか１つがある場合に、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、端子検査装置。
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第３光検知部で前記第３光が検知されない時間と、前記第４光検知部で前記第４光が検知されない時間との少なくともいずれか１つがある場合に、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、端子検査装置。
【請求項9】
請求項２に記載の端子検査装置であって、
複数の前記第１光検知部は、前記端子の前記状態に応じて、複数の前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた複数の前記貫通穴を経由した複数の前記第１光をそれぞれ検知し、
前記判定部は、前記複数の第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、端子検査装置。
複数の前記第１光検知部は、前記端子の前記状態に応じて、複数の前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた複数の前記貫通穴を経由した複数の前記第１光をそれぞれ検知し、
前記判定部は、前記複数の第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、端子検査装置。
【請求項10】
請求項１から請求項９のうちのいずれか１項に記載された端子検査装置によって前記端子の異常が判定された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、端子検査装置及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の端子の検査では、主電極端子及び制御用端子などの外部リード端子に変形及び欠損があるか否かについて外観検査を実施している。しかしながら、従来の作業者による目視外観検査では、作業者の熟練度による判定基準のばらつき、及び、チェック漏れなどのヒューマンエラーがあった。そこで特許文献１には、外部リード端子を、光センサの光路を通過させ、端子による光の遮光状況に基づいて、端子の変形を検知する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平４－１９６４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来技術では、光センサを用いても端子の異常状態を正確に検知することができないという問題があった。
【0005】
そこで、本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、端子の異常状態を正確に検知することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る端子検査装置は、第１光を照射する第１光照射部と、半導体装置の端子の状態に応じて、前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた貫通穴を経由した前記第１光を検知する第１光検知部と、前記第１光検知部の検知結果に基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する判定部とを備える。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、第１光検知部は、端子の状態に応じて、貫通穴を経由した第１光を検知し、判定部は、第１光検知部の検知結果に基づいて、端子の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子の異常状態を正確に検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施の形態１に係る端子検査装置の構成を示すブロック図である。
【図2】実施の形態１に係る端子検査装置及び半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図3】実施の形態１に係る半導体装置の端子の構成を示す断面図及び側面図である。
【図4】実施の形態１に係る端子検査装置の動作を説明するための断面図である。
【図5】実施の形態１に係る端子検査装置の動作を説明するための側面図である。
【図6】実施の形態１に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図7】実施の形態１に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図8】実施の形態１に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図9】変形例１に係る半導体装置の端子の構成を示す断面図及び側面図である。
【図10】変形例２に係る半導体装置の端子の構成を示す断面図及び側面図である。
【図11】実施の形態２に係る端子検査装置及び半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図12】実施の形態２に係る端子検査装置の動作を説明するための上面図である。
【図13】実施の形態２に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図14】実施の形態２に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図15】実施の形態３に係る端子検査装置及び半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図16】実施の形態３に係る半導体装置の端子の構成を示す断面図及び側面図である。
【図17】実施の形態３に係る端子検査装置の動作を説明するための断面図である。
【図18】実施の形態３に係る端子検査装置の動作を説明するための側面図である。
【図19】実施の形態３に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図20】実施の形態３に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図21】実施の形態３に係る端子検査装置の動作を説明するための図である。
【図22】実施の形態３に係る端子検査装置の動作を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の各実施の形態で説明される特徴は例示であり、すべての特徴は必ずしも必須ではない。また、以下に示される説明では、複数の実施の形態において同様の構成要素には同じまたは類似する符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。また、以下に記載される説明において、「上」、「下」などの特定の位置及び方向は、実際の実施時の位置及び方向とは必ず一致しなくてもよい。
【0010】
【0011】
第１光電センサ１は、第１光照射部１ａと第１光検知部１ｂとを含み、第２光電センサ２は、第２光照射部２ａと第２光検知部２ｂとを含む。
【0012】
判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、半導体装置の端子の状態が異常状態であるか否かを判定するように構成されている。判定部６は、例えば図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）などが、図示しない半導体メモリなどの記憶装置に記憶されたプログラムを実行することにより、当該ＣＰＵの機能として実現される。
【0013】
搬送部７は、例えば一定速度で半導体装置を搬送する。搬送部７は、例えばロボットである。
【0014】
図２は、本実施の形態１に係る第１光電センサ１及び第２光電センサ２の構成と、半導体装置１１の構成とを示す斜視図である。
【0015】
図２に示すように、半導体装置１１は端子１２を有している。端子１２は、例えば、主電極端子及び制御用端子などの外部リード端子である。端子１２が、第１光照射部１ａと第１光検知部１ｂとの間、及び、第２光照射部２ａと第２光検知部２ｂとの間を通るように、搬送部７は半導体装置１１をｙ軸方向に搬送する。
【0016】
図３は、本実施の形態１に係る半導体装置１１の端子１２の構成を示す断面図及び側面図である。図３に示すように、端子１２には貫通穴１２ａが設けられている。図２では貫通穴１２ａの図示は省略されているが、貫通穴１２ａが第１光照射部１ａ及び第１光検知部１ｂと対向するように、搬送部７は半導体装置１１を搬送する。図３の例では、平面視における貫通穴１２ａの形状は、円形であり、断面視において一定幅を有するが、後述するように、貫通穴１２ａの形状は図３に示す形状に限ったものではない。また、貫通穴１２ａは端子１２の先端部分に設けられているが、これに限ったものではない。
【0017】
図４は、端子１２の正常状態及び異常状態を示すｙ軸方向からみた断面図であり、図５は、端子の１２の正常状態及び異常状態を示すｘ軸方向からみた側面図である。なお、ここでいう正常状態は、例えば端子１２のｘ軸方向への傾きが予め定められた範囲内の角度である状態、及び、端子１２のｙ軸方向への傾きが予め定められた範囲内の角度である状態である。
【0018】
第１光照射部１ａは、第１光１ｃを照射し、第２光照射部２ａは、第２光２ｃを照射する。第１光１ｃ及び第２光２ｃは、可視光であってもよいし、赤外線であってもよいし、紫外線であってもよい。
【0019】
第１光検知部１ｂは、端子１２の状態に応じて、第１光照射部１ａから照射され、端子１２に設けられた貫通穴１２ａを経由した第１光１ｃを検知する。本実施の形態１では図４のように、端子１２の状態が正常状態である場合に、第１光検知部１ｂは、第１光照射部１ａから照射され、端子１２に設けられた貫通穴１２ａを経由した第１光１ｃを検知する。また、この場合には、第１光検知部１ｂの検知状態は、端子１２を検知しないＯＦＦ状態となる。
【0020】
一方、端子１２の状態が異常状態である場合には、第１光照射部１ａから照射された第１光１ｃの少なくとも一部が、端子１２に吸収または反射される。このため、第１光検知部１ｂは、第１光照射部１ａから照射され、端子１２に設けられた貫通穴１２ａを経由した第１光１ｃを検知しないか、光量が比較的小さい第１光１ｃを検知する。また、この場合には、第１光検知部１ｂの検知状態は、端子１２を検知するＯＮ状態となる。
【0021】
判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果に基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。例えば、判定部６は、第１光検知部１ｂで検知された第１光１ｃの量が閾値以上である場合、つまり第１光検知部１ｂの検知状態がＯＦＦ状態である場合には、端子１２の状態が正常状態であると判定する。一方、判定部６は、第１光検知部１ｂで検知された第１光１ｃの量が閾値より小さい場合、つまり第１光検知部１ｂの検知状態がＯＮ状態である場合には、端子１２の状態が異常状態であると判定する。
【0022】
ここで、第１光検知部１ｂの検知結果だけに基づく異常判定では、端子１２そのものが欠落して存在しない異常が発生している場合に、端子１２の状態が正常状態であると判定してしまう。そこで本実施の形態１では、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果だけでなく、第２光検知部２ｂの検知結果にも基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。次に、このことについて説明する。
【0023】
【0024】
第２光検知部２ｂは、端子１２の状態に応じて、第２光２ｃの検知が端子１２によって妨げられる。図６のように、端子１２の状態が正常状態である場合には、第２光検知部２ｂは、第２光２ｃの検知が端子１２によって妨げられる。このため、第２光検知部２ｂは、第２光照射部２ａから照射された第２光２ｃを検知しないか、光量が比較的小さい第２光２ｃを検知する。また、この場合には、第２光検知部２ｂの検知状態は、端子１２を検知するＯＮ状態となる。
【0025】
一方、図７の真ん中の端子１２のように、端子１２の状態が異常状態である場合には、第２光検知部２ｂは、第２光照射部２ａから照射された第２光２ｃを検知する。また、この場合には、第２光検知部２ｂの検知状態は、端子１２を検知しないＯＦＦ状態となる。
【0026】
判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。
【0027】
例えば図６のように、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知状態がＯＦＦ状態であり、かつ、第２光検知部２ｂの検知状態がＯＮ状態である場合には、端子１２の状態が正常状態であると判定する。つまり、判定部６は、端子１２が欠落せず、かつ、端子１２のｘ軸方向及びｙ軸方向への傾きが予め定められた範囲内の角度である状態であると判定する。一方、例えば図７のように、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知状態がＯＦＦ状態であり、かつ、第２光検知部２ｂの検知状態がＯＦＦ状態である場合には、端子１２の状態が異常状態であると判定する。
【0028】
このように、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定することにより、端子１２の様々な異常を判定することができる。
【0029】
ここで本実施の形態１では、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第１光検知部１ｂで第１光１ｃが検知されない第１合計時間と、第２光検知部２ｂで第２光２ｃが検知されない第２合計時間とを算出する。つまり、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第１光検知部１ｂで端子１２が検知されるＯＮ状態の第１合計時間と、第２光検知部２ｂで端子１２が検知されるＯＮ状態の第２合計時間とを算出する。
【0030】
そして、判定部６は、第１合計時間と第２合計時間とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。ここではその一例として、判定部６は、第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、第１合計時間が第１閾値よりも大きい第２閾値よりも大きい場合、または、第２合計時間がない場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定する。なお、第１閾値及び第２閾値は、一定値であってもよいし、第２光検知部２ｂで端子１２が検知されなるＯＮ状態の第２合計時間に一定割合を乗じた値であってもよい。例えば、第１閾値は、第２合計時間に５０％を乗じた値であってもよく、第２閾値は、第２合計時間に５０％よりも大きな値を乗じた値であってもよい。
【0031】
図８は、図７の異常状態とは異なる端子１２の異常状態を示す図である。なお、図８の異常状態は、端子１２が少し変形しているにも関わらず、正常状態とほぼ同じように、第１光検知部１ｂの検知状態がほぼＯＦＦ状態となる異常状態である。
【0032】
図６、図７及び図８には、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第１光検知部１ｂの検知状態の経時変化と、第２光検知部２ｂの検知状態の経時変化とが示されている。なお、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間は、例えば、端子１２が第２光照射部２ａと第２光検知部２ｂとの間を横切ると想定される期間である。この期間以外の期間は、第１光検知部１ｂの検知と、第２光検知部２ｂの検知とが行われないマスク期間９である。
【0033】
上記予め定められた期間、つまりマスク期間９以外の期間における、第１光検知部１ｂで端子１２が検知されるＯＮ状態の第１合計時間に関して、図６の正常状態の第１合計時間は、図８の異常状態の第１合計時間よりも長くなる。本実施の形態１では、判定部６は、第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定するため、第１閾値を適切に設定することにより、図８の状態を異常状態であると判定することができる。
【0034】
また、マスク期間９以外の期間における、第１光検知部１ｂで端子１２が検知されるＯＮ状態の第１合計時間に関して、図６の正常状態の第１合計時間は、図４及び図５の異常状態の第１合計時間よりも短くなる。本実施の形態１では、判定部６は、第１合計時間が第２閾値よりも大きい場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定するため、第２閾値を適切に設定することにより、図４及び図５の状態を異常状態であると判定することができる。なお、この異常状態については実施の形態３で再度説明する。
【0035】
また、図７の異常状態では、マスク期間９以外の期間において、第２光検知部２ｂで端子１２が検知されるＯＮ状態の第２合計時間がない。本実施の形態１では、判定部６は、第２合計時間がない場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定するため、図７の状態を異常状態であると判定することができる。
【0036】
一方、判定部６は、第１合計時間が第１閾値以上第２閾値以下であり、かつ、第２合計時間がある場合に端子１２の状態が正常状態であると判定する。以上のように、本実施の形態１では、図４、図５及び図７の異常状態だけでなく、図８の異常状態を判定することができる。
【0037】
＜実施の形態１のまとめ＞
本実施の形態１に係る端子検査装置によれば、第１光検知部１ｂは、端子１２の状態に応じて、貫通穴１２ａを経由した第１光１ｃを検知し、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果に基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子１２の状態が異常状態であるか否かについての確認漏れを、目視判定よりも抑制することができるので、端子１２の異常状態を正確に検知することができる。また、検査導入後の新規条件設定及びメンテナンスを、画像判定よりも容易化することも期待できる。
本実施の形態１に係る端子検査装置によれば、第１光検知部１ｂは、端子１２の状態に応じて、貫通穴１２ａを経由した第１光１ｃを検知し、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果に基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子１２の状態が異常状態であるか否かについての確認漏れを、目視判定よりも抑制することができるので、端子１２の異常状態を正確に検知することができる。また、検査導入後の新規条件設定及びメンテナンスを、画像判定よりも容易化することも期待できる。
【0038】
また本実施の形態１では、第２光検知部２ｂは、端子１２の状態に応じて、第２光２ｃの検知が端子１２によって妨げられ、判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、図７の異常状態をさらに判定することができるので、端子１２の異常状態をより正確に検知することができる。
【0039】
また本実施の形態１では、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第１光検知部１ｂのＯＮ状態の第１合計時間と、第２光検知部２ｂのＯＮ状態の第２合計時間とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。そして、判定部６は、第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、第１合計時間が第２閾値よりも大きい場合、または、第２合計時間がない場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定する。このような構成によれば、図４、図５、図７及び図８の異常状態を判定することができるので、端子１２の異常状態をより正確に検知することができる。
【0040】
なお本実施の形態１では、第２光照射部２ａ及び第２光検知部２ｂを備える端子検査装置について説明したが、図４及び図５の異常状態の判定のみを行うのであれば、第２光照射部２ａ及び第２光検知部２ｂは必須ではない。
【0041】
＜変形例１＞
図９は、本変形例１に係る端子１２の貫通穴１２ａを示す断面図及び側面図である。図９のように、断面視における貫通穴１２ａの形状は、端子１２の第１面１２ｂから第２面１２ｃまでテーパ形状を有してもよい。このような構成によれば、正常状態を規定する、端子１２のｘ軸方向への傾きについての許容範囲を調整することができる。
図９は、本変形例１に係る端子１２の貫通穴１２ａを示す断面図及び側面図である。図９のように、断面視における貫通穴１２ａの形状は、端子１２の第１面１２ｂから第２面１２ｃまでテーパ形状を有してもよい。このような構成によれば、正常状態を規定する、端子１２のｘ軸方向への傾きについての許容範囲を調整することができる。
【0042】
＜変形例２＞
図１０は、本変形例２に係る端子１２の貫通穴１２ａを示す断面図及び側面図である。図１０のように、断面視における貫通穴１２ａの形状は、端子１２の第１面１２ｂから第１面１２ｂと第２面１２ｃとの間の途中部分１２ｄまで先細るテーパ形状を有し、途中部分１２ｄから第２面１２ｃまで一定幅を有してもよい。このような構成によれば、変形例１と同様に、正常状態を規定する、端子１２のｘ軸方向への傾きについての許容範囲を調整することができる。また、このような構成によれば、変形例１と比べて端子１２の強度を確保することができる。
図１０は、本変形例２に係る端子１２の貫通穴１２ａを示す断面図及び側面図である。図１０のように、断面視における貫通穴１２ａの形状は、端子１２の第１面１２ｂから第１面１２ｂと第２面１２ｃとの間の途中部分１２ｄまで先細るテーパ形状を有し、途中部分１２ｄから第２面１２ｃまで一定幅を有してもよい。このような構成によれば、変形例１と同様に、正常状態を規定する、端子１２のｘ軸方向への傾きについての許容範囲を調整することができる。また、このような構成によれば、変形例１と比べて端子１２の強度を確保することができる。
【0043】
＜変形例３＞
実施の形態１では、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第１光検知部１ｂのＯＮ状態の第１合計時間と、第２光検知部２ｂのＯＮ状態の第２合計時間とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定した。しかしながら、ＯＮ状態の合計時間の代わりに、ＯＦＦ状態の合計時間が用いられてもよい。第１合計時間と第２合計時間との和に基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定してもよい。なお、以上の変形例は、これより後で説明する実施の形態に適用してもよい。
実施の形態１では、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第１光検知部１ｂのＯＮ状態の第１合計時間と、第２光検知部２ｂのＯＮ状態の第２合計時間とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定した。しかしながら、ＯＮ状態の合計時間の代わりに、ＯＦＦ状態の合計時間が用いられてもよい。第１合計時間と第２合計時間との和に基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定してもよい。なお、以上の変形例は、これより後で説明する実施の形態に適用してもよい。
【0044】
＜実施の形態２＞
本実施の形態２に係る端子検査装置の構成は、実施の形態１の構成に、第３光照射部３ａ及び第３光検知部３ｂを含む第３光電センサ３と、第４光照射部４ａ及び第４光検知部４ｂを含む第４光電センサ４とが追加された構成と同様である。
本実施の形態２に係る端子検査装置の構成は、実施の形態１の構成に、第３光照射部３ａ及び第３光検知部３ｂを含む第３光電センサ３と、第４光照射部４ａ及び第４光検知部４ｂを含む第４光電センサ４とが追加された構成と同様である。
【0045】
【0046】
第３光照射部３ａは、平面視において第１光１ｃと交差する第３光３ｃを照射し、第４光照射部４ａは、平面視において第１光１ｃと交差する第４光４ｃを照射する。第３光３ｃ及び第４光４ｃは、可視光であってもよいし、赤外線であってもよいし、紫外線であってもよい。
【0047】
第３光検知部３ｂは、端子１２の状態に応じて、第３光照射部３ａから出射され、端子１２の第１側部側（＋ｘ側）を通過する第３光３ｃを検知する。本実施の形態２では、第３光検知部３ｂは、端子１２の状態が正常状態である場合に、当該第３光３ｃを検知する。ここでいう正常状態は、例えば端子１２が予め定められた設計位置よりも－ｘ側に位置する状態である。
【0048】
第４光検知部４ｂは、端子１２の状態に応じて、第４光照射部４ａから出射され、端子１２の第２側部側（－ｘ側）を通過する第４光４ｃを検知する。本実施の形態２では、第４光検知部４ｂは、端子１２の状態が正常状態である場合に、当該第４光４ｃを検知する。ここでいう正常状態は、例えば端子１２が予め定められた設計位置よりも＋ｘ側に位置する状態である。
【0049】
図１３及び図１４は、本実施の形態２に係る判定部６の判定を説明するための図である。判定部６は、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果と、第３光検知部３ｂの検知結果と、第４光検知部４ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。
【0050】
例えば、判定部６は、第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、第１合計時間が第２閾値よりも大きい場合、または、第２合計時間がない場合のいずれでもなく、かつ、第３光検知部３ｂ及び第４光検知部４ｂのいずれの検知状態もＯＦＦ状態である場合には、端子１２の状態が正常状態であると判定する。例えば、判定部６は、第３光検知部３ｂ及び第４光検知部４ｂの少なくともいずれか１つの検知状態がＯＮ状態である場合には、第１合計時間及び第２合計時間に関わらず、端子１２の状態が異常状態であると判定する。なお、本明細書において、例えばＡ、Ｂ、Ｃ、…、及び、Ｚの少なくともいずれか１つとは、Ａ、Ｂ、Ｃ、…、及び、Ｚのグループから１つ以上抜き出した全ての組合せのうちのいずれか１つであることを意味する。
【0051】
このように、本実施の形態２では、実施の形態１で判定された異常状態だけでなく、平面視での端子１２のｘ軸方向での位置ずれについて異常状態を判定することができる。
【0052】
なお図１３及び図１４では図示されていないが、第３光３ｃ及び第４光４ｃの進行方向は、第１光電センサ１及び第２光電センサ２を通る端子１２について、ｘ軸方向での位置ずれを検知できるように、半導体装置１１の搬送方向から少しずれている。この場合に、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第３光検知部３ｂで第３光３ｃが検知されないＯＦＦ状態の時間があるか否かと、第４光検知部４ｂで第４光４ｃが検知されないＯＦＦ状態の時間があるか否かとを判定してもよい。ここでいう半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間は、例えば実施の形態１で説明した予め定められた期間と実質的に同じである。
【0053】
そして、判定部６は、第３光検知部３ｂで第３光３ｃが検知されないＯＦＦ状態の時間と、第４光検知部４ｂで第４光４ｃが検知されないＯＦＦ状態の時間との少なくともいずれか１つがある場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定してもよい。このような構成によれば、図１４のように、複数の端子１２のうち、どの端子１２がｘ軸方向の位置ずれを有するかを特定することができる。また、第３光検知部３ｂ及び第４光検知部４ｂが、端子１２以外の遮光物を検知してしまうことによる誤判定を抑制することができる。
【0054】
＜実施の形態２のまとめ＞
本実施の形態２に係る端子検査装置によれば、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果と、第３光検知部３ｂの検知結果と、第４光検知部４ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子１２の異常状態をより正確に検知することができる。
本実施の形態２に係る端子検査装置によれば、第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果と、第３光検知部３ｂの検知結果と、第４光検知部４ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子１２の異常状態をより正確に検知することができる。
【0055】
また本実施の形態２によれば、判定部６は、半導体装置１１の搬送中の予め定められた期間のうち、第３光検知部３ｂで第３光３ｃが検知されない時間と、第４光検知部４ｂで第４光４ｃが検知されない時間との少なくともいずれか１つがある場合に、端子１２の状態が異常状態であると判定する。このような構成によれば、複数の端子１２のうち、どの端子１２がｘ軸方向の位置ずれを有するかを特定することができ、かつ、端子１２以外の遮光物の検知による誤判定を抑制することができる。
【0056】
＜実施の形態３＞
図１５は、本実施の形態３に係る第１光電センサ１及び第２光電センサ２の構成と、半導体装置１１の構成とを示す斜視図である。図１５に示すように、本実施の形態３に係る端子検査装置は、複数の第１光照射部１ａと複数の第１光検知部１ｂとを備える。以下、２つの第１光照射部１ａが、１つの第２光照射部２ａを挟んで設けられ、２つの第１光検知部１ｂが、１つの第２光検知部２ｂを挟んで設けられた構成について説明する。しかしながら、複数の第１光電センサ１（つまり複数の第１光照射部１ａ及び複数の第１光検知部１ｂ）の個数及び配置は、これに限ったものではない。
図１５は、本実施の形態３に係る第１光電センサ１及び第２光電センサ２の構成と、半導体装置１１の構成とを示す斜視図である。図１５に示すように、本実施の形態３に係る端子検査装置は、複数の第１光照射部１ａと複数の第１光検知部１ｂとを備える。以下、２つの第１光照射部１ａが、１つの第２光照射部２ａを挟んで設けられ、２つの第１光検知部１ｂが、１つの第２光検知部２ｂを挟んで設けられた構成について説明する。しかしながら、複数の第１光電センサ１（つまり複数の第１光照射部１ａ及び複数の第１光検知部１ｂ）の個数及び配置は、これに限ったものではない。
【0057】
図１６は、本実施の形態３に係る端子１２を示す断面図及び側面図である。図１６に示すように、本実施の形態３では、端子１２には複数の貫通穴１２ａが設けられている。以下、１つの貫通穴１２ａが端子１２の先端部分に設けれ、別の貫通穴１２ａが端子１２の根元部分に設けられた構成について説明するが、複数の貫通穴１２ａの個数及び配置は、複数の第１光電センサ１の個数及び配置に対応していれば、図１６の個数及び配置に限ったものではない。
【0058】
図１７は、端子１２の正常状態及び異常状態を示すｙ軸方向からみた断面図であり、図１８は、端子１２の正常状態及び異常状態を示すｘ軸方向からみた側面図である。なお、ここでいう正常状態は、例えば端子１２の貫通穴１２ａが設けられた各部について、各部のｘ軸方向への傾きが予め定められた範囲内の角度である状態、及び、各部のｙ軸方向への傾きが予め定められた範囲内の角度である状態である。
【0059】
端子１２の状態が正常状態である場合には、複数の第１光検知部１ｂは、複数の第１光照射部１ａから照射され、端子１２に設けられた複数の貫通穴１２ａを経由した複数の第１光１ｃをそれぞれ検知する。また、この場合には、複数の第１光検知部１ｂの検知状態は、端子１２を検知しないＯＦＦ状態となる。
【0060】
一方、端子１２の状態が異常状態である場合には、１つ以上の第１光検知部１ｂは、対応する第１光照射部１ａから照射され、対応する貫通穴１２ａを経由した第１光１ｃを検知しないか、光量が比較的小さい第１光１ｃを検知する。また、この場合には、１つ以上の第１光検知部１ｂの検知状態は、端子１２を検知するＯＮ状態となる。
【0061】
なお、第２光照射部２ａ及び第２光検知部２ｂは、実施の形態１に係る第２光照射部２ａ及び第２光検知部２ｂと同様である。
【0062】
判定部６は、複数の第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。
【0063】
【0064】
例えば、図１９では、複数の第１光検知部１ｂのそれぞれのＯＮ状態の第１合計時間が第１閾値以上第２閾値以下であり、かつ、第２光検知部２ｂのＯＮ状態の第２合計時間があるので、判定部６は、端子１２の状態が正常状態であると判定する。例えば、図２０では、第２光検知部２ｂのＯＮ状態の第２合計時間がないので、判定部６は、端子１２の状態が異常状態であると判定する。例えば、図２１では、複数の第１光検知部１ｂのいずれかのＯＮ状態の第１合計時間が第２閾値以上であるので、判定部６は、端子１２の状態が異常状態であると判定する。
【0065】
＜実施の形態３のまとめ＞
以上のような本実施の形態３に係る端子検査装置によれば、複数の第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子１２の部分的な変形などの異常があるか否かを判定できるので、端子１２の異常状態をより正確に検知することができる。なお、本実施の形態３の構成に、実施の形態２の構成を組み合わせてもよい。
以上のような本実施の形態３に係る端子検査装置によれば、複数の第１光検知部１ｂの検知結果と、第２光検知部２ｂの検知結果とに基づいて、端子１２の状態が異常状態であるか否かを判定する。このような構成によれば、端子１２の部分的な変形などの異常があるか否かを判定できるので、端子１２の異常状態をより正確に検知することができる。なお、本実施の形態３の構成に、実施の形態２の構成を組み合わせてもよい。
【0066】
なお、各実施の形態及び各変形例を自由に組み合わせたり、各実施の形態及び各変形例を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【0067】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0068】
（付記１）
第１光を照射する第１光照射部と、
半導体装置の端子の状態に応じて、前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた貫通穴を経由した前記第１光を検知する第１光検知部と、
前記第１光検知部の検知結果に基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する判定部と
を備える、端子検査装置。
第１光を照射する第１光照射部と、
半導体装置の端子の状態に応じて、前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた貫通穴を経由した前記第１光を検知する第１光検知部と、
前記第１光検知部の検知結果に基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する判定部と
を備える、端子検査装置。
【0069】
（付記２）
第２光を照射する第２光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第２光の検知が前記端子によって妨げられる第２光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、付記１に記載の端子検査装置。
第２光を照射する第２光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第２光の検知が前記端子によって妨げられる第２光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、付記１に記載の端子検査装置。
【0070】
（付記３）
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第１光検知部で前記第１光が検知されない第１合計時間と、前記第２光検知部で前記第２光が検知されない第２合計時間とに基づいて、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、付記２に記載の端子検査装置。
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第１光検知部で前記第１光が検知されない第１合計時間と、前記第２光検知部で前記第２光が検知されない第２合計時間とに基づいて、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、付記２に記載の端子検査装置。
【0071】
（付記４）
前記第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、前記第１合計時間が前記第１閾値よりも大きい第２閾値よりも大きい場合、または、前記第２合計時間がない場合に、前記端子の前記状態が異常状態であると判定する、付記３に記載の端子検査装置。
前記第１合計時間が第１閾値よりも小さい場合、前記第１合計時間が前記第１閾値よりも大きい第２閾値よりも大きい場合、または、前記第２合計時間がない場合に、前記端子の前記状態が異常状態であると判定する、付記３に記載の端子検査装置。
【0072】
（付記５）
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から第２面までテーパ形状を有する、付記１から付記４のうちのいずれか１項に記載の端子検査装置。
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から第２面までテーパ形状を有する、付記１から付記４のうちのいずれか１項に記載の端子検査装置。
【0073】
（付記６）
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から前記第１面と第２面との間の途中部分まで先細るテーパ形状を有し、前記途中部分から前記第２面まで一定幅を有する、付記１から付記４のうちのいずれか１項に記載の端子検査装置。
断面視における前記貫通穴の形状は、前記端子の第１面から前記第１面と第２面との間の途中部分まで先細るテーパ形状を有し、前記途中部分から前記第２面まで一定幅を有する、付記１から付記４のうちのいずれか１項に記載の端子検査装置。
【0074】
（付記７）
平面視において前記第１光と交差する第３光を照射する第３光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第３光照射部から出射され、前記端子の第１側部側を通過する前記第３光を検知する第３光検知部と、
平面視において前記第１光と交差する第４光を照射する第４光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第４光照射部から出射され、前記端子の前記第１側部側と逆側の第２側部側を通過する前記第４光を検知する第４光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果と、前記第３光検知部の検知結果と、前記第４光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、付記２に記載の端子検査装置。
平面視において前記第１光と交差する第３光を照射する第３光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第３光照射部から出射され、前記端子の第１側部側を通過する前記第３光を検知する第３光検知部と、
平面視において前記第１光と交差する第４光を照射する第４光照射部と、
前記端子の前記状態に応じて、前記第４光照射部から出射され、前記端子の前記第１側部側と逆側の第２側部側を通過する前記第４光を検知する第４光検知部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果と、前記第３光検知部の検知結果と、前記第４光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、付記２に記載の端子検査装置。
【0075】
（付記８）
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第３光検知部で前記第３光が検知されない時間と、前記第４光検知部で前記第４光が検知されない時間との少なくともいずれか１つがある場合に、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、付記７に記載の端子検査装置。
前記半導体装置を搬送する搬送部をさらに備え、
前記判定部は、前記半導体装置の搬送中の予め定められた期間のうち、前記第３光検知部で前記第３光が検知されない時間と、前記第４光検知部で前記第４光が検知されない時間との少なくともいずれか１つがある場合に、前記端子の前記状態は異常状態であると判定する、付記７に記載の端子検査装置。
【0076】
（付記９）
複数の前記第１光検知部は、前記端子の前記状態に応じて、複数の前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた複数の前記貫通穴を経由した複数の前記第１光をそれぞれ検知し、
前記判定部は、前記複数の第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、付記２または付記７に記載の端子検査装置。
複数の前記第１光検知部は、前記端子の前記状態に応じて、複数の前記第１光照射部から照射され、前記端子に設けられた複数の前記貫通穴を経由した複数の前記第１光をそれぞれ検知し、
前記判定部は、前記複数の第１光検知部の検知結果と、前記第２光検知部の検知結果とに基づいて、前記端子の前記状態が異常状態であるか否かを判定する、付記２または付記７に記載の端子検査装置。
【0077】
（付記１０）
付記１から付記９のうちのいずれか１項に記載された端子検査装置によって前記端子の異常が判定された半導体装置。
付記１から付記９のうちのいずれか１項に記載された端子検査装置によって前記端子の異常が判定された半導体装置。
【符号の説明】
【0078】
１ａ 第１光照射部、１ｂ 第１光検知部、１ｃ 第１光、２ａ 第２光照射部、２ｂ 第２光検知部、２ｃ 第２光、３ａ 第３光照射部、３ｂ 第３光検知部、３ｃ 第３光、４ａ 第４光照射部、４ｂ 第４光検知部、４ｃ 第４光、６ 判定部、７ 搬送部、１１ 半導体装置、１２ 端子、１２ａ 貫通穴、１２ｂ 第１面、１２ｃ 第２面、１２ｄ 途中部分。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】