特開 2024-137058 赤外線センサ素子、及び赤外線センサ素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024137058

(43)【公開日】2024-10-07

(54)【発明の名称】赤外線センサ素子、及び赤外線センサ素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01J 1/02 20060101AFI20240930BHJP

【ＦＩ】

G01J1/02 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023047203

(22)【出願日】2023-03-23

(71)【出願人】

【識別番号】390009667

【氏名又は名称】セイコーＮＰＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】菱沼 邦之

【テーマコード（参考）】

2G065

【Ｆターム（参考）】

2G065AA04

2G065AB02

2G065BA11

2G065BE10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】赤外線センサ素子の感度を向上させる。
【解決手段】赤外線センサ素子は、基板と、基板表面に形成される第一絶縁膜と、第一絶縁膜の上に形成される熱電対とを備え、熱電対は、第一絶縁膜上に設けられた長尺状に形成された第一半導体材料と、第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように設けられた第二半導体材料と、第一半導体材料と第二半導体材料との間に配置された第二絶縁膜と、を含んで構成されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
基板表面に形成される第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜の上に形成される熱電対とを備え、
前記熱電対は、前記第一絶縁膜上に設けられた長尺状に形成された第一半導体材料と、前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように設けられた第二半導体材料と、前記第一半導体材料と前記第二半導体材料との間に配置された第二絶縁膜と、を含んで構成されている、
赤外線センサ素子。

【請求項2】

前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように設けられた第二半導体材料の長手方向直角断面積をＡ、
第一半導体材料の上にのみ第二半導体材料を形成したときの前記第二半導体材料の長手方向直角断面積をＢとしたときに、
Ａ＝Ｂとなるように、前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆う前記第二半導体材料が形成されている、
請求項１に記載の赤外線センサ素子。

【請求項3】

基板の表面に第一絶縁膜を形成した後、前記第一絶縁膜の上に熱電対を形成する赤外線センサ素子の製造方法であって、
前記熱電対は、
前記第一絶縁膜上に長尺状であって、長手方向直角断面の幅がｄ１、厚さがｔ１となる第一半導体材料を形成し、
前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように第二絶縁膜を形成し、
前記第二絶縁膜に覆われた前記第一半導体材料、及び前記第一絶縁膜を覆うように、厚さがｔ１より薄いｔ３となる第二半導体材料を形成し、
前記第二半導体材料における前記第一半導体材料の上部に前記長手方向直角断面の幅がｄ２となるレジストを形成し、
前記第一絶縁膜を覆う厚さｔ３の第二半導体材料をエッチングにより除去し、
前記レジストを除去することで製造され、
下記の条件式を満たしている赤外線センサ素子の製造方法。
ｄ２＝ｄ１＋２×ｔ３

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、赤外線センサ素子、及び赤外線センサ素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

赤外線センサ素子として、第一半導体材料と第二半導体材料とを上下に積層した熱電対を有するサーモパイル型赤外線センサ素子がある（例えば、下記特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第６２９１７６０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

赤外線センサ素子においては、感度向上が求められている。

【0005】

本開示は、感度を向上させることができる赤外線センサ素子、及び赤外線センサ素子の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

第１の態様に係る赤外線センサ素子は、基板と、基板表面に形成される第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜の上に形成される熱電対とを備え、前記熱電対は、前記第一絶縁膜上に設けられた長尺状に形成された第一半導体材料と、前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように設けられた第二半導体材料と、前記第一半導体材料と前記第二半導体材料との間に配置された第二絶縁膜と、を含んで構成されている。

【0007】

第一半導体材料と第２半導体材料とが上下方向に積層されたタイプの熱電対においては、第一半導体材料の長手方向直角断面積に対応するように、第二半導体材料の長手方向直角断面積が決められている。

【0008】

熱電対の高さとしては、第一半導体材料の厚み（積層方向の高さ）＋第２半導体材料の厚み（積層方向の高さ）となる。

【0009】

第一半導体材料の上に第二半導体材料を積層したタイプの熱電対において、感度を高めるには薄型化（高さを低くする）が有効であるが、第一半導体材料及び第二半導体材料は、各々所定の断面積が必用であるため、第一半導体材料及び第二半導体材料を単に薄くすることはできない。

【0010】

第１の態様に係る赤外線センサ素子の熱電対は、第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように第二半導体材料を設ける構成としたため、第一半導体材料の上面のみに第二半導体材料を積層した構成に比較して、第二半導体材料の所定の断面積を確保しつつ、言い換えれば、各半導体材料における所定の断面積を変えずに第一半導体材料の上面に位置する第二半導体材料の厚さを薄くして、熱電対の高さを低くすることができる。これにより、赤外線センサ素子の感度を高めることが可能となる。

【0011】

第２の態様に係る赤外線センサ素子は、第１の態様に係る赤外線センサ素子において、前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように設けられた第二半導体材料の長手方向直角断面積をＡ、第一半導体材料の上にのみ第二半導体材料を形成したときの前記第二半導体材料の長手方向直角断面積をＢとしたときに、Ａ＝Ｂとなるように、前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆う前記第二半導体材料が形成されている。

【0012】

第２の態様に係る赤外線センサ素子の熱電対では、第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように設けられた第二半導体材料の長手方向直角断面積Ａを、第一半導体材料の上にのみ第二半導体材料を形成したときの第二半導体材料の長手方向直角断面積Ｂと同じにしたので、第一半導体材料の上面のみに第二半導体材料を積層した構成に比較して、第二半導体材料の断面積を変えずに、第一半導体材料の上面に位置する第二半導体材料の厚さが薄くすることができる。

【0013】

第３の態様は、基板の表面に第一絶縁膜を形成した後、前記第一絶縁膜の上に熱電対を形成する赤外線センサ素子の製造方法であって、前記熱電対は、前記第一絶縁膜上に長尺状であって、長手方向直角断面の幅がｄ１、厚さがｔ１となる第一半導体材料を形成し、前記第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように第二絶縁膜を形成し、前記第二絶縁膜に覆われた前記第一半導体材料、及び前記第一絶縁膜を覆うように、厚さがｔ１より薄いｔ３となる第二半導体材料を形成し、前記第二半導体材料における前記第一半導体材料の上部に前記長手方向直角断面の幅がｄ２となるレジストを形成し、前記第一絶縁膜を覆う厚さｔ３の第二半導体材料をエッチングにより除去し、前記レジストを除去することで製造され、下記の条件式を満たしている。
ｄ２＝ｄ１＋２×ｔ３

【0014】

第３の態様に係る赤外線センサ素子の製造方法によれば、第一絶縁膜の上に、長手方向直角断面の幅がｄ１、厚さがｔ１となる第一半導体材料が形成され、該第一半導体材料の上面、及び両側面を覆うように第二絶縁膜が形成される。そして、第二絶縁膜に覆われた第一半導体材料、及び第一絶縁膜を覆うように、厚さがｔ１より薄いｔ３となる第二半導体材料が形成される。
第二半導体材料における前記第一半導体材料の上部に前記長手方向直角断面の幅がｄ２＝ｄ１＋２×ｔ３となるレジストを形成し、第一絶縁膜を覆う厚さｔ３の第二半導体材料をエッチングにより除去すると、厚さｔ３の第二半導体材料で第一半導体材料の上面側、及び両側面側が覆われた熱電対を形成することができる。

【発明の効果】

【0015】

本開示の一態様によれば、赤外線センサ素子の感度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態に係る赤外線センサを示す斜視図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る赤外線センサ素子の斜視断面図である。

【図3】比較例に係る熱電対と本発明の一実施形態に係る熱電対を示す長手方向直角断面図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る熱電対の長手方向に沿った縦面図である。

【図5】本発明の一実施形態に係る熱電対の製造工程を示す説明図である。

【図6】比較例に係る熱電対の製造工程を示す説明図である。

【図7】（Ａ）は本発明の一実施形態に係る赤外線センサを示す断面図であり、（Ｂ）は比較例に係る赤外線センサを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する実施形態や変形例において、対応する構成については同一の符号を付して説明を省略する場合がある。なお、以下の説明において、例えば「平行」や「直交」、「中心」、「同軸」等の相対的又は絶対的な配置を示す表現は、厳密にそのような配置を表すのみならず、公差や同じ機能が得られる程度の角度や距離をもって相対的に変位している状態も表すものとする。

【0018】

［赤外線センサ］
図１は、赤外線センサ１の要部を示す斜視図であり、図２は、赤外線センサ１の斜視断面図である。
図１、図２に示すように、赤外線センサ１は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に封止された赤外線センサ素子１１と、を備えている。以下の説明では、赤外線センサ素子１１の厚さ方向をＺ方向（対向方向）とし、Ｚ方向に直交する２方向をそれぞれＸ方向（第１方向）、Ｙ方向（第２方向）として説明する。

【0019】

＜パッケージ１０＞
パッケージ１０は、いわゆる真空パッケージである。具体的に、パッケージ１０は、ベース基板２１と、リッド基板２２と、を備えている。
ベース基板２１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形板状である。ベース基板２１の第１面２１ａ（＋Ｚ側を向く面）には、＋Ｚ側に向けて開口する凹部２４が形成されている。凹部２４は、Ｚ方向から見た平面視において、ベース基板２１の中央部に形成されている。なお、ベース基板２１の材料は、例えばシリコン等により形成されている。

【0020】

図２に示すように、リッド基板２２は、Ｚ方向に沿う断面視で－Ｚ側に開口するカップ状に形成されている。具体的に、リッド基板２２は、頂壁部３１と、頂壁部３１の外周縁から－Ｚ側に延びる周壁部３２と、を備えている。
周壁部３２における－Ｚ側端面は、ベース基板２１の第１面２１ａの外周部分に、全周に亘って接合されている。これにより、ベース基板２１とリッド基板２２とで囲まれた部分は、赤外線センサ素子１１を収容する収容空間Ｓ１を構成する。

【0021】

リッド基板２２は、赤外線透過率の高い材料であることが好ましい。このような材料としては、シリコンやゲルマニウム、カルコゲン化物ガラス等が好適に用いられる。すなわち、本実施形態の赤外線センサ１は、対象物から放射される赤外線がリッド基板２２を通じて収容空間Ｓ１内に入射する。

【0022】

＜赤外線センサ素子１１＞
図１、図２に示すように、赤外線センサ素子１１は、メンブレン構造により形成された、いわゆるサーモパイル型のセンサ素子である。赤外線センサ素子１１は、赤外線を受光するとともに、赤外線による温度変化に応じて熱起電力を発生させる。赤外線センサ素子１１は、収容空間Ｓ１内に収容されている。具体的に、赤外線センサ素子１１は、枠体４９と、熱吸収部５０と、第１梁部（梁部）５１と、第２梁部（梁部）５２と、を備えている。

【0023】

枠体４９は、平面視で矩形枠状に形成された薄膜である。枠体４９は、ベース基板２１の第１面２１ａ上に凹部２４の周囲を取り囲むように設けられている。なお、枠体４９は、シリコン等により形成されている。

【0024】

熱吸収部５０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形（正方形）板状に形成されている。熱吸収部５０は、凹部２４に対してＺ方向で対向する位置で、枠体４９の内側に配置されている。

【0025】

なお、以下の説明では、第１梁部５１を例にして説明し、第２梁部５２のうち第１梁部５１と対応する構成については適宜説明を省略する。

【0026】

第１梁部５１は、Ｚ方向から見てＬ字状に形成されている。第１梁部５１は、突出部（第１延在部）６０と、接続部（第２延在部）６１と、を備えている。
突出部６０は、基端部（熱吸収部５０側の端部）において、熱吸収部５０に接続されている。突出部６０の基端部は、赤外線センサ素子１１の温接点として機能する。

【0027】

接続部６１は、突出部６０の先端部（熱吸収部５０とは反対側の端部）から＋Ｙ側に延在している。接続部６１は、熱吸収部５０に対してＸ方向に離間した状態で、第１辺５０ａに沿って延在している。接続部６１の先端部（突出部６０とは反対側の端部）は、枠体４９に接続されている。接続部６１の先端部は、赤外線センサ素子１１における冷接点として機能する。

【0028】

なお、第２梁部５２も第１梁部５１と同様に構成されており、突出部６０、及び接続部６１と同様の突出部７０、及び接続部７１を備えている。接続部７１は、熱吸収部５０に対してＸ方向に離間した状態で、第２辺５０ｂに沿って延在している。

【0029】

図１に示すように、各梁部５１，５２には、それぞれ２本の熱電対７５が平行に設けられており、互いに隣接する一方の熱電対７５と他方の熱電対７５とが、一例として枠体４９側で電気的に直列に接続されてサーモパイルを構成している。

【0030】

熱電対７５は、一対の導電材（詳しくは後述）により形成されている。熱電対７５は、各梁部５１、５２上において、枠体４９と熱吸収部５０との間を架け渡すように延びている。
熱電対７５を構成する一対の導電材は、熱吸収部５０側の端部において接続されている。熱電対７５のうち、熱吸収部５０側の端部は、突出部６０（又は突出部７０）の基端部（温接点）と熱吸収部５０との境界部分を跨って配置されている。熱電対７５のうち、枠体４９側の端部は、接続部６１（又は接続部７１）の先端部（冷接点）と枠体４９との境界部分を跨って配置されている。

【0031】

図４は、第１梁部５１の熱電対７５搭載部分の長手方向に沿った断面図であり、図３（Ａ）は、熱電対７５の長手方向に直角な断面図である。

【0032】

本実施形態の熱電対７５は、長手方向のほぼ全ての領域において第一半導体材料８０と第二半導体材料８２とが積層構造になっている。
第一半導体材料８０は、一例としてｐ型ポリシリコンであり、第二半導体材料８２は、一例としてｎ型ポリシリコンである。

【0033】

枠体４９、熱吸収部５０、第１梁部５１、及び第２梁部５２を構成する基板８４の表面（上面）には、第一絶縁膜８６が形成されており、第一絶縁膜８６の上に、断面矩形で幅ｄ１、厚さｔ１の第一半導体材料８０が、梁部５１の長手方向に沿って形成されている。

【0034】

第一半導体材料８０には、上面（基板８４とは反対側の面。熱吸収部５０側の端部の一部分を除く部分）、及び両側面に第二絶縁膜８８が形成されており、第二絶縁膜８８の外側に一定厚さ（ｔ３）の第二半導体材料８２が形成されている（図３（Ａ）参照）。
言い換えれば、第二半導体材料８２は、第一半導体材料８０の第一絶縁膜８６側を除く上面側、及び両側面側の３面側に設けられている。

【0035】

図４に示すように、熱電対７５の熱吸収部５０側の端部分において、第二絶縁膜８８が部分的に除去されて第一半導体材料３と第二半導体材料４とが電気的に接続されており、接続部分が温接点とされている。

【0036】

［熱電対の製造工程］
図５は、本実施形態における熱電対７５の製造工程例を説明するための熱電対７５を断面で示した説明図である。

【0037】

（１） 基板８４上に形成された第一絶縁膜８６上に第一半導体材料８０を形成するための半導体層を形成する。半導体層は例えばポリシリコンである。その半導体層をパターニングして、枠体４９と熱吸収部５０との間を架け渡すように延びる断面矩形（図３（Ａ）参照）の長尺状の第一半導体材料８０を形成する。第一半導体材料８０への不純物の導入は、半導体層をパターニングする前であってもよいし、パターニングした後であってもよい（図５（Ａ）参照。）。

【0038】

（２） 次に、第一半導体材料８０の表面（上面、両側面）に第二絶縁膜８８を形成する（図４参照）。第二絶縁膜８８は、例えば第一半導体材料３の表面を熱酸化させたシリコン酸化膜である。ただし、第二絶縁膜８８はこれに限定されず、プラズマＣＶＤ等で形成したＢＰＳＧ、ＮＳＧ、ＴＥＯＳ等のシリコン酸化膜であってもよい。また、第二絶縁膜８８は他の種類の絶縁膜であってもよいし、複数層の膜が積層された積層膜であってもよい。

【0039】

（３） 第一半導体材料８０と、次に形成する第二半導体材料８２との接続部の形成予定位置の第二絶縁膜８８を除去する。第一半導体材料３の熱吸収部５０側の先端側上面の第二絶縁膜８８の一部分を除去する（図４参照）。

【0040】

（４） 第二半導体材料８２を形成するための第二半導体層８２ａを基板表面に形成する（図５（Ｂ）参照）。第二半導体層８２ａは例えばポリシリコンである。第二半導体材料４への不純物の導入は、第二半導体層８２ａを次工程のエッチングをする前であってもよいし、エッチングをした後であってもよい。なお、基板表面に形成する第二半導体層８２ａの厚みは、図５（Ｂ）に示すように、ｔ３（第一半導体材料８０の厚みｔ１（図３（Ａ）参照）より薄い）である。

【0041】

（５） 図５（Ｂ）に示すように、第一半導体材料８０の上面側の第二半導体層８２ａの上面全体（全幅）に、レジスト９０を形成する。レジスト９０の幅は、図３（Ａ）に示すように、ｄ２（＝第一半導体材料８０の幅ｄ１＋２×ｔ３）である。

【0042】

（６） 次に、第二半導体層８２ａのエッチングを行う。このエッチングは、第二半導体層８２ａの厚み分（ｔ３）だけ行う。エッチング後、レジスト９０を除去することで、第一絶縁膜８６の上に図３（Ａ）で示す断面を有する熱電対７５（サーモパイル５）が形成される。

【0043】

（７） その後、図７（Ａ）に示すように、第一絶縁膜８６、及び熱電対７５を覆うように層間絶縁膜（保護膜の場合もある）９２を形成する。層間絶縁膜９２は、表面（上面）が平滑となるように形成され、熱電対７５の上側の層間絶縁膜９２の厚さはｔ４である。また、第一絶縁膜８６の表面から層間絶縁膜９２の表面までの高さ、言い換えれば層間絶縁膜９２の最大の厚さはＨ１＋ｔ４＝ＨＡとなる。

【0044】

次に、比較例に係る熱電対の製造工程を図６にしたがって説明する。なお、図６において、上述した実施形態と同一構成には同一符号を付している。
（１） 基板８４上に形成された第一絶縁膜８６上に第一半導体材料８０を形成する（図６（Ａ）参照）。

【0045】

（２） 次に、第一半導体材料８０の表面（上面、両側面）に第二絶縁膜８８を形成する。

【0046】

（３） 第一半導体材料８０と、次に形成する第二半導体材料８２との接続部の形成予定位置の第二絶縁膜８８を除去する。

【0047】

（４） 第二半導体材料８２を形成するための厚みｔ２の第二半導体層８２ａを基板表面に形成し、図６（Ｂ）に示すように、第一半導体材料３の上面側を覆う第二半導体層８２ａの上面に、第一半導体材料８０と同じ幅のレジスト９０を形成する。

【0048】

（５） 次に、第二半導体層８２ａを、第二半導体層８２ａの厚み分だけエッチングを行う（図６（Ｃ）参照）。エッチング後、レジスト９０を除去することで、第一絶縁膜８６の上に熱電対７５（サーモパイル５）が形成されるが、第一半導体材料８０の両側部に、第二半導体層８２ａの残りが発生する。本来であれば、第一半導体材料８０と、第一半導体材料８０の上側に形成される第二半導体材料８２とで熱電対７５が成立するが、第一半導体材料８０の両側部に第二半導体層８２ａが残ると、残った第二半導体層８２ａがサイドスペーサのようになって熱の逃げ道となり、赤外線センサ素子１１の感度低下を招く原因となる。
そのため、第一半導体材料８０の両側部に形成されている第二半導体層８２ａを除去すべくエッチングを進めると、該第二半導体層８２ａは薄くなるものの、基板表面に形成した第一絶縁膜８６がエッチングで削られ、いわゆるオーバーエッチングが発生してしまう。

【0049】

図３（Ｂ）には、第一半導体材料８０の両側部に第二半導体層８２ａが残っていない比較例にかかる熱電対１７５が断面図にて示されている。熱電対１７５を成立させるため、第二半導体材料８２は、第一半導体材料８０と対応する断面積を有している。
上記実施形態の熱電対７５を成立させるためには、熱電対７５の第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ａを、熱電対１７５の第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ｂと同じにすることが好ましい。
そのため、以下の関係式を満たすように、各部の寸法、例えば、第二半導体層８２ａの厚さｔ３、レジスト９０の幅等を設定し、熱電対７５を形成する（図３（Ａ），（Ｂ）参照）。
ｄ２＝ｄ１＋２×ｔ３
ｄ１×ｔ２＝（ｔ１×ｔ３）×２＋ｄ２×ｔ３
ｄ１×ｔ２＝熱電対１７５の第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ｂ
（ｔ１×ｔ３）×２＋ｄ２×ｔ３＝熱電対７５の第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ａ

【0050】

なお、各部の寸法には製造誤差が生じるので、熱電対７５の第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ａが、熱電対１７５の第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ｂに対して±１０％程度であれば異なっていてもよい。
また、第一半導体材料８０の長手方向直角断面積（ｄ１×ｔ１）と、第二半導体材料８２の長手方向直角断面積Ｂとは、熱電対７５の基本的な性能を得るために予め決められた所定の対応関係にあるが（設計値がある）、異なる場合もあり、同じ場合もあり、必要に応じて長手方向直角断面積の比率は変更される。

【0051】

＜赤外線センサ１の作用＞
本実施形態の赤外線センサ１では、対象物から放射される赤外線がリッド基板２２の頂壁部３１等を透過して熱吸収部５０に入射する。これにより、熱吸収部５０の温度が上昇する。熱吸収部５０で吸収した熱は、各梁部５１，５２において突出部６０，７０に伝達された後、接続部６１，７１を通じてパッケージ１０に伝達される。この際、突出部６０，７０の基端部（温接点）と接続部６１，７１の先端部（冷接点）との温度差に基づき、熱電対７５に熱起電力が生じる。赤外線センサ素子１１では、各熱電対７５で発生した熱起電力が足し合わされ、電気信号として出力される。

【0052】

上記の関係式を満たすように熱電対７５を形成することで、本実施形態の第二半導体材料８２の厚みｔ３は、比較例の熱電対１７５の第二半導体材料８２の厚みｔ２よりも薄くなる。そのため、本実施形態の熱電対７５の高さＨ１が比較例の熱電対１７５のＨ２よりも低くなる。

【0053】

比較例に係る赤外線センサ素子においても、図７（Ｂ）に示すように、第一絶縁膜８６、及び熱電対１７５を覆うように層間絶縁膜９２が形成される。比較例に係る赤外線センサにおける層間絶縁膜９２の最大の厚さはＨ２＋ｔ４＝ＨＢであり、本実施形態の赤外線センサにおける層間絶縁膜９２の最大の厚さＨＡよりも厚くなる（熱電対１７５の上を覆う層間絶縁膜９２の厚みｔ４は、比較例、実施形態共に同じ前提。）。
即ち、本実施形態の赤外線センサ素子１１における層間絶縁膜９２の最大の厚さＨＡが、比較例に係る赤外線センサ素子における層間絶縁膜９２の最大の厚さＨＢよりも薄くなるので、比較例に比べて感度を向上させることができる。

【0054】

［その他の実施形態］
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上述した各変形例を適宜組み合わせても構わない。

【0055】

上記実施形態では、第一半導体材料８０がｐ型ポリシリコンで、第二半導体材料８２がｎ型ポリシリコンであったが、第一半導体材料８０をｎ型ポリシリコンとし、第二半導体材料８２をｐ型ポリシリコンとしてもよい。

【0056】

上記実施形態では、第一半導体材料８０の幅寸法（ｄ１）が厚み寸法（ｔ１）よりも大であったが、第一半導体材料８０の厚み寸法（ｔ１）が幅寸法（ｄ１）よりも大であってもよい。

【0057】

上記実施形態では、第一半導体材料８０と第二半導体材料８２とが熱吸収部５０側の先端側で直接的に接続されていたが、第一半導体材料８０と第二半導体材料８２とをアルミニウム等の導電材料を介して接続してもよい。

【0058】

上述実施形態では、１つのパッケージ１０に対して１つの赤外線センサ素子１１が封止された構成を例にして説明したが、１つのパッケージ１０に対して複数の赤外線センサ素子１１がアレイ状に配列された構成であってもよい。

【符号の説明】

【0059】

１１…赤外線センサ素子
７５…熱電対
８０…第一半導体材料
８２…第二半導体材料
８４…基板
８６…第一絶縁膜
８８…第二絶縁膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】