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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024137099
(43)【公開日】2024-10-07
(54)【発明の名称】半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/022 20210101AFI20240927BHJP
H01L 23/02 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01S5/022
H01L23/02 F
H01L23/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023048479
(22)【出願日】2023-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】篠田 明人
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MC30
5F173MD04
5F173MD23
5F173MD59
5F173MD65
5F173MD83
5F173MD84
5F173ME02
5F173ME64
5F173ME86
(57)【要約】
【課題】接着剤によるキャップと基板との接着強度の向上を図ること。
【解決手段】半導体発光装置は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子と、端面発光素子を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、平面視で端面発光素子を囲む枠状に形成された接着パターン１００と、キャップ７０と接着パターン１００とを接着している接着剤１１０と、を備える。接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む。
【選択図】図１２
【解決手段】半導体発光装置は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子と、端面発光素子を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、平面視で端面発光素子を囲む枠状に形成された接着パターン１００と、キャップ７０と接着パターン１００とを接着している接着剤１１０と、を備える。接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に実装された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を収容するキャップと、
前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成された接着パターンと、
前記キャップと前記接着パターンとを接着している接着剤と、
を備え、
前記接着剤は、
前記接着パターンの内側部分に設けられた薄接着層と、
前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記薄接着層よりも厚さが厚い厚接着層と、
を含む
半導体発光装置。
前記基板上に実装された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を収容するキャップと、
前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成された接着パターンと、
前記キャップと前記接着パターンとを接着している接着剤と、
を備え、
前記接着剤は、
前記接着パターンの内側部分に設けられた薄接着層と、
前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記薄接着層よりも厚さが厚い厚接着層と、
を含む
半導体発光装置。
【請求項2】
前記接着パターンは、
前記接着パターンの内側部分に設けられた高段部と、
前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記高段部よりも厚さが薄い低段部と、
を含み、
前記薄接着層は、前記高段部と前記キャップとの間に設けられ、
前記厚接着層は、前記低段部と前記キャップとの間に設けられている
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記接着パターンの内側部分に設けられた高段部と、
前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記高段部よりも厚さが薄い低段部と、
を含み、
前記薄接着層は、前記高段部と前記キャップとの間に設けられ、
前記厚接着層は、前記低段部と前記キャップとの間に設けられている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記接着パターンは、前記低段部と前記高段部との間に設けられた段差部を含み、
前記接着剤は、前記段差部に接している
請求項２に記載の半導体発光装置。
前記接着剤は、前記段差部に接している
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記低段部は、前記接着パターンの全周にわたり形成されている
請求項２に記載の半導体発光装置。
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記低段部の上面は、前記高段部の上面よりも面粗度が大きい粗面である
請求項２に記載の半導体発光装置。
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記低段部の幅寸法は、前記高段部の幅寸法と等しい
請求項２に記載の半導体発光装置。
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記低段部の幅寸法は、前記高段部の幅寸法よりも大きい
請求項２に記載の半導体発光装置。
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記低段部の幅寸法は、前記高段部の幅寸法よりも小さい
請求項２に記載の半導体発光装置。
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記キャップは、前記基板に向けて開口した箱状であって、前記基板の厚さ方向から視て、前記半導体発光素子を囲む枠状の側壁を含み、
前記薄接着層および前記厚接着層の双方は、前記側壁の開口端面と接している
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記薄接着層および前記厚接着層の双方は、前記側壁の開口端面と接している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記開口端面は、平坦面である
請求項９に記載の半導体発光装置。
請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項11】
前記キャップの前記側壁の幅寸法は、前記接着パターンの幅寸法と等しい
請求項９に記載の半導体発光装置。
請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項12】
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップの前記側壁を介して前記半導体発光装置の外部に出射されるように構成された端面発光素子である
請求項９に記載の半導体発光装置。
請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項13】
前記キャップは、前記基板に向けて開口した箱状であって、前記基板の厚さ方向から視て、前記半導体発光素子を囲む枠状の側壁を含み、
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップの前記側壁を介して前記半導体発光装置の外部に出射されるように構成された端面発光素子であり、
前記薄接着層および前記厚接着層の双方は、前記側壁の開口端面と接しており、
前記接着パターンのうち前記端面発光素子に対して前記端面発光素子の出射方向に設けられた部分は、前記低段部が設けられず、前記高段部で構成されている
請求項２に記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップの前記側壁を介して前記半導体発光装置の外部に出射されるように構成された端面発光素子であり、
前記薄接着層および前記厚接着層の双方は、前記側壁の開口端面と接しており、
前記接着パターンのうち前記端面発光素子に対して前記端面発光素子の出射方向に設けられた部分は、前記低段部が設けられず、前記高段部で構成されている
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項14】
基板上に半導体発光素子を配置する工程と、
前記基板に設けられ、前記半導体発光素子を囲む枠状の接着パターン上に接着剤を塗布する工程と、
キャップを前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、
前記接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、
を含み、
前記キャップを前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程では、前記キャップと前記接着パターンとの間に、前記接着パターンの内側部分に設けられた薄接着層と、前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記薄接着層よりも厚さが厚い厚接着層と、を含む前記接着剤を形成する
半導体発光装置の製造方法。
前記基板に設けられ、前記半導体発光素子を囲む枠状の接着パターン上に接着剤を塗布する工程と、
キャップを前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、
前記接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、
を含み、
前記キャップを前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程では、前記キャップと前記接着パターンとの間に、前記接着パターンの内側部分に設けられた薄接着層と、前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記薄接着層よりも厚さが厚い厚接着層と、を含む前記接着剤を形成する
半導体発光装置の製造方法。
【請求項15】
前記接着パターンを形成する工程は、
厚さが一定であり、かつ枠状のパターン層を形成する工程と、
前記パターン層の前記外側部分を前記パターン層の前記内側部分よりも薄くすることによって前記接着パターンを形成する工程と、
を含む
請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
厚さが一定であり、かつ枠状のパターン層を形成する工程と、
前記パターン層の前記外側部分を前記パターン層の前記内側部分よりも薄くすることによって前記接着パターンを形成する工程と、
を含む
請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項16】
前記接着パターンは、前記パターン層の前記内側部分を構成する高段部と、前記パターン層の前記内側部分よりも薄い前記パターン層の前記外側部分を構成する低段部と、を含み、
前記接着パターン上に接着剤を塗布する工程では、前記接着剤を前記高段部には塗布せずに前記低段部に塗布する
請求項１５に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン上に接着剤を塗布する工程では、前記接着剤を前記高段部には塗布せずに前記低段部に塗布する
請求項１５に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項17】
前記接着パターンを形成する工程は、前記低段部の上面を前記高段部の上面よりも面粗度が大きい粗面とする工程を含む
請求項１６に記載の半導体発光装置の製造方法。
請求項１６に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項18】
前記接着パターンを形成する工程では、レーザ照射またはエッチングによって前記パターン層の前記外側部分を薄くすることによって前記高段部と前記低段部とを形成する
請求項１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
請求項１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板と、基板上に配置された半導体発光素子と、基板上に設けられ、半導体発光素子を収容するキャップと、を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。このような半導体発光装置では、キャップは、例えば接着剤によって基板に接着されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１７４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、接着剤によるキャップと基板との接着強度の向上が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体発光装置は、基板と、前記基板上に実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を収容するキャップと、前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成された接着パターンと、前記キャップと前記接着パターンとを接着している接着剤と、を備え、前記接着剤は、前記接着パターンの内側部分に設けられた薄接着層と、前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記薄接着層よりも厚さが厚い厚接着層と、を含む。
【0006】
上記課題を解決する半導体発光装置の製造方法は、基板上に半導体発光素子を配置する工程と、前記基板に設けられ、前記半導体発光素子を囲む枠状の接着パターン上に接着剤を塗布する工程と、キャップを前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、前記接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、を含み、前記キャップを前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程では、前記キャップと前記接着パターンとの間に、前記接着パターンの内側部分に設けられた薄接着層と、前記接着パターンの外側部分に設けられ、前記薄接着層よりも厚さが厚い厚接着層と、を含む前記接着剤を形成する。
【発明の効果】
【0007】
上記半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法によれば、接着剤によるキャップと基板との接着強度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺に描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な説明は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を制限することを意図しない。
【0011】
＜第１実施形態＞
［半導体発光装置の全体構成］
図１～図４を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０の全体構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０の内部の平面構造を模式的に示している。図３は、半導体発光装置１０の裏面構造を模式的に示している。図４は図２のＦ４－Ｆ４線で半導体発光装置１０を切断した断面構造を示している。なお、図４では、図面の理解を容易にするため、後述するワイヤＷを省略している。
［半導体発光装置の全体構成］
図１～図４を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０の全体構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０の内部の平面構造を模式的に示している。図３は、半導体発光装置１０の裏面構造を模式的に示している。図４は図２のＦ４－Ｆ４線で半導体発光装置１０を切断した断面構造を示している。なお、図４では、図面の理解を容易にするため、後述するワイヤＷを省略している。
【0012】
図１に示すように、半導体発光装置１０は、矩形平板状の基板２０と、基板２０上に設けられた端面発光素子６０（図２参照）と、基板２０上に設けられ、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、を備える。ここで、基板２０の厚さ方向を「Ｚ方向」とする。Ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれ「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。また、本明細書において、「平面視」とは、半導体発光装置１０を基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）から視ることをいう。第１実施形態では、基板２０は、平面視において、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
【0013】
基板２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面２１および基板裏面２２と、基板表面２１および基板裏面２２と交差する第１～第４基板側面２３～２６と、を有する。第１実施形態では、基板表面２１および基板裏面２２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。一例では、第１～第４基板側面２３～２６は、基板表面２１および基板裏面２２と直交する平面である。第１基板側面２３および第２基板側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３基板側面２５および第４基板側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。
【0014】
基板２０は、例えば紫外線を透過させない材料によって形成されている。一例では、基板２０は、ガラスエポキシ樹脂によって形成されている。なお、基板２０はセラミックを含む材料によって形成されていてもよい。セラミックを含む材料としては、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが挙げられる。基板２０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、基板２０の放熱性能が向上するため、端面発光素子６０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0015】
図２に示すように、端面発光素子６０は、例えば所定の波長帯の光を出射するレーザダイオードであり、半導体発光装置１０の光源として機能する。端面発光素子６０は、端面発光型レーザ素子である。端面発光型レーザ素子としての端面発光素子６０の構成は特に限定されないが、第１実施形態では、ファブリ・ペロー型レーザダイオード素子が採用されている。一例では、端面発光素子６０は、平面視において第４基板側面２６に向けて光を出射するように構成されている。端面発光素子６０は、「半導体発光素子」に対応している。また、端面発光素子６０は、「半導体レーザ素子」に対応しているともいえる。
【0016】
半導体発光装置１０は、基板２０の基板表面２１に形成された複数（第１実施形態では５つ）の表面電極３０を備える。複数の表面電極３０は、互いに離隔して配置されている。複数の表面電極３０は、例えば銅箔によって形成されている。なお、複数の表面電極３０の材料は、銅（Ｃｕ）に限られず、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、および金（Ａｕ）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0017】
複数の表面電極３０は、素子表面電極３１と、複数（第１実施形態では４つ）のワイヤ接続電極３２と、を含む。素子表面電極３１および複数のワイヤ接続電極３２の各々は、端面発光素子６０と電気的に接続される表面電極である。
【0018】
素子表面電極３１は、Ｙ方向において基板表面２１の中央よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。素子表面電極３１は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、素子表面電極３１のＸ方向の寸法は、Ｙ方向の寸法の２倍よりも大きく３倍よりも小さい。一例では、素子表面電極３１のＸ方向の寸法は、基板表面２１のＸ方向の寸法の１／２よりも大きい。
【0019】
素子表面電極３１の周囲には、平面視において素子表面電極３１を囲う矩形枠状のレジストパターン３５が形成されている。レジストパターン３５は、例えば絶縁材料によって形成されている。
【0020】
複数のワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。換言すると、複数のワイヤ接続電極３２は、端面発光素子６０よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。複数のワイヤ接続電極３２は、Ｙ方向において互いに揃った状態でＸ方向において互いに離隔して配列されている。各ワイヤ接続電極３２は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。Ｙ方向から視て、複数のワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１と重なる位置に配置されている。
【0021】
半導体発光装置１０は、素子表面電極３１上に実装されたサブマウント基板８０を備える。一例では、サブマウント基板８０は、素子表面電極３１にダイボンディングされている。サブマウント基板８０は、端面発光素子６０を支持する基板であり、例えばセラミックを含む材料によって形成されている。セラミックを含む材料としては、例えばＡｌＮまたはＡｌ２Ｏ３などが挙げられる。サブマウント基板８０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、サブマウント基板８０の放熱性能が向上するため、端面発光素子６０の熱がサブマウント基板８０を介して基板２０に移動しやすくなる。したがって、端面発光素子６０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0022】
なお、サブマウント基板８０を構成する材料は任意に変更可能である。サブマウント基板８０は、例えば導電性および放熱性の高い金属材料によって形成されていてもよい。この金属材料としては、例えばＡｇ、Ｃｕ等が用いられてよい。一例では、サブマウント基板８０は、矩形平板状のＣｕによって形成されていてよい。また一例では、サブマウント基板８０は、シリコン（Ｓｉ）を含む材料によって形成されていてよい。
【0023】
図２および図４に示すように、サブマウント基板８０は、矩形平板状に形成されている。一例では、サブマウント基板８０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。一例では、平面視において、サブマウント基板８０は、素子表面電極３１よりも一回り小さい。
【0024】
図４に示すように、サブマウント基板８０の厚さは、基板２０の厚さよりも厚い。なお、サブマウント基板８０の厚さは任意に変更可能であり、例えば基板２０の厚さ以下であってもよい。
【0025】
サブマウント基板８０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面８１および裏面８２を有する。第１実施形態では、表面８１および裏面８２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。表面８１は基板表面２１と同じ側を向き、裏面８２は基板裏面２２と同じ側を向く。サブマウント基板８０の表面８１には、端面発光素子６０が実装されている。一例では、端面発光素子６０は、サブマウント基板８０の表面８１にダイボンディングされている。
【0026】
サブマウント基板８０には、その厚さ方向に貫通する貫通配線８３が設けられている。貫通配線８３は、端面発光素子６０と素子表面電極３１とを電気的に接続する配線である。貫通配線８３は、例えばＣｕを含む材料によって形成されている。なお、貫通配線８３の構成材料は、Ｃｕに限られず、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、およびＡｌの少なくとも１つを含んでいてもよい。なお、貫通配線８３の個数は任意に変更可能である。一例では、貫通配線８３は複数設けられていてもよい。
【0027】
なお、サブマウント基板８０がＣｕ等の導電性の材料によって構成されている場合、貫通配線８３を省略することができる。つまり、端面発光素子６０と素子表面電極３１とは、導電性のサブマウント基板８０によって電気的に接続することができる。
【0028】
図２および図４に示すように、サブマウント基板８０上に実装された端面発光素子６０は、矩形平板状に形成されている。端面発光素子６０は、平面視において、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、平面視において、端面発光素子６０は、サブマウント基板８０よりも一回り小さい。
【0029】
端面発光素子６０の厚さは、サブマウント基板８０の厚さよりも薄い。また、端面発光素子６０の厚さは、基板２０の厚さよりも薄い。なお、端面発光素子６０の厚さは任意に変更可能であり、例えば基板２０の厚さ以上であってもよいし、サブマウント基板８０の厚さ以上であってもよい。
【0030】
端面発光素子６０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子表面６１および素子裏面６２を有する。第１実施形態では、素子表面６１および素子裏面６２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。端面発光素子６０は、素子表面６１に形成された複数（第１実施形態では４つ）の素子電極６３と、素子裏面６２を構成する裏面電極６４と、を含む。また、端面発光素子６０は、複数の素子電極６３ごとに発光部６５を有する。平面視において、複数の素子電極６３は、Ｘ方向に離隔して配列されている。このため、複数（第１実施形態では４つ）の発光部６５は、Ｘ方向に配列されている。図２の白抜矢印で示すように、複数の発光部６５の各々は、平面視において第４基板側面２６に向けてレーザ光を出射するように構成されている。
【0031】
複数の素子電極６３は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。第１実施形態では、複数の素子電極６３は、複数の発光部６５の個別のアノード電極を構成している。裏面電極６４は、例えば端面発光素子６０の素子裏面６２の全体にわたり形成されている。第１実施形態では、裏面電極６４は、複数の発光部６５に対して共通のカソード電極を構成している。複数の素子電極６３および裏面電極６４は、例えばＡｕによって形成されている。なお、複数の素子電極６３および裏面電極６４の構成材料は、Ａｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、およびＣｕのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0032】
端面発光素子６０は、図示していない導電性接合材によってサブマウント基板８０に実装されている。このため、裏面電極６４は、導電性接合材によってサブマウント基板８０（貫通配線８３）と電気的に接続されている。裏面電極６４は、貫通配線８３を介して素子表面電極３１と電気的に接続されている。なお、導電性接合材としては、例えばはんだペースト、銀ペーストが挙げられる。
【0033】
図２に示すように、半導体発光装置１０は、複数の発光部６５と複数のワイヤ接続電極３２とを個別に電気的に接続する複数のワイヤＷを備える。複数のワイヤＷは、例えばボンディングワイヤである。複数のワイヤＷは、例えばＡｕを含む材料によって形成されている。複数のワイヤＷは、Ａｕに代えて、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの少なくとも１つを含む材料によって形成されていてもよい。
【0034】
図３に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０の基板裏面２２に形成された複数（第１実施形態では５つ）の裏面電極４０を備える。複数の裏面電極４０は、互いに離隔し配置されている。複数の裏面電極４０は、例えば銅箔によって形成されている。なお、複数の裏面電極４０の構成材料は、Ｃｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、およびＡｕのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0035】
複数の裏面電極４０は、素子裏面電極４１と、複数（第１実施形態では４つ）のワイヤ裏面電極４２と、を含む。素子裏面電極４１は、基板表面２１に形成された素子表面電極３１（ともに図２参照）に電気的に接続されている。複数のワイヤ裏面電極４２は、基板表面２１に形成された複数のワイヤ接続電極３２（図２参照）と個別に電気的に接続されている。
【0036】
素子裏面電極４１は、平面視において素子表面電極３１と重なる位置に配置されている。素子裏面電極４１は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。素子裏面電極４１のＸ方向の長さは、素子表面電極３１のＸ方向の長さよりも長い。
【0037】
複数のワイヤ裏面電極４２は、平面視において複数のワイヤ接続電極３２と重なる位置に配置されている。一例では、平面視における各ワイヤ裏面電極４２の形状およびサイズは、平面視における各ワイヤ接続電極３２と同じである。
【0038】
半導体発光装置１０は、複数の表面電極３０と複数の裏面電極４０とを個別に電気的に接続する複数の貫通配線５０を備える。各貫通配線５０は、基板２０をその厚さ方向に貫通している。各貫通配線５０は、例えばＣｕによって形成されている。なお、各貫通配線５０の構成材料は、Ｃｕに限られず、Ｗ、Ｔｉ、およびＡｌのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0039】
複数の貫通配線５０は、素子表面電極３１（図２参照）と素子裏面電極４１とを電気的に接続する素子用貫通配線５１と、複数のワイヤ接続電極３２（図２参照）と複数のワイヤ裏面電極４２とを個別に電気的に接続する複数（第１実施形態では４つ）のワイヤ用貫通配線５２と、を備える。
【0040】
素子用貫通配線５１は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。素子用貫通配線５１は、平面視において素子表面電極３１（素子裏面電極４１）のＸ方向およびＹ方向の中央に配置されている。なお、平面視における素子用貫通配線５１の形状は任意に変更可能である。また、素子用貫通配線５１の個数は任意に変更可能である。一例では、素子用貫通配線５１は複数設けられていてもよい。複数の素子用貫通配線５１は、例えば平面視において素子表面電極３１と素子裏面電極４１との双方と重なる位置に配置されている。
【0041】
複数のワイヤ用貫通配線５２は、平面視において円形に形成されている。複数のワイヤ用貫通配線５２は、対応するワイヤ接続電極３２（ワイヤ裏面電極４２）のＹ方向の両端部のうち素子表面電極３１（素子裏面電極４１）から遠い方の端部に配置されている。なお、平面視における各ワイヤ用貫通配線５２の形状は任意に変更可能である。また、各ワイヤ接続電極３２（各ワイヤ裏面電極４２）に対して複数のワイヤ用貫通配線５２が設けられていてもよい。この場合、各ワイヤ接続電極３２（各ワイヤ裏面電極４２）に対して設けられた複数のワイヤ用貫通配線５２は、例えば平面視においてワイヤ接続電極３２とワイヤ裏面電極４２との双方と重なる位置に配置されている。
【0042】
図２に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に形成された接着パターン３３を備える。接着パターン３３は、平面視において、複数の表面電極３０を囲む枠状に形成されている。一例では、接着パターン３３は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形枠状である。一例では、接着パターン３３の外周縁は、基板２０の外周縁よりも一回り小さい。一例では、接着パターン３３は、全周にわたり同じの幅寸法ＷＡを有する。ここで、接着パターン３３の幅寸法ＷＡは、平面視において接着パターン３３が延びる方向と直交する方向の寸法である。
【0043】
接着パターン３３は、例えば金属層によって形成されている。一例では、接着パターン３３は、複数の表面電極３０と同じ材料によって形成されている。なお、接着パターン３３は、複数の表面電極３０とは異なる材料によって形成されていてもよい。一例では、接着パターン３３は、絶縁層によって形成されていてもよい。接着パターン３３は、例えばレジストパターン３５と同じ材料によって形成されていてもよい。
【0044】
このように、接着パターン３３は、金属層または絶縁層によって形成されているため、基板表面２１からＺ方向に僅かに突出して設けられている。第１実施形態では、接着パターン３３の厚さは、例えば複数の表面電極３０の厚さと等しい。なお、接着パターン３３の厚さは任意に変更可能であり、例えば複数の表面電極３０の厚さよりも厚くてもよいし、薄くてもよい。
【0045】
接着パターン３３上には、接着剤９０（図４参照）が塗布されている。平面視において、接着剤９０は、例えば接着パターン３３の全周にわたり形成されている。接着パターン３３は、接着剤９０が接着パターン３３からはみ出すことを抑制できる。
【0046】
図１および図４に示すように、接着パターン３３上には、接着剤９０によってキャップ７０が固定されている。キャップ７０は、基板２０に向けてＺ方向に開口する箱状に形成されている。キャップ７０は、例えば紫外線を透過する材料によって形成されている。一例では、キャップ７０は、ガラス材料によって形成されている。なお、キャップ７０は、ガラス材料に代えて、樹脂材料によって形成されていてもよい。この樹脂材料としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。また、キャップ７０は、金属およびセラミックのいずれかによって形成されていてもよい。金属としては、例えばアルミニウム、鉄、および銅等が挙げられる。セラミックとしては、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられる。
【0047】
図１に示すように、キャップ７０は、平面視において矩形枠状に形成された第１～第４側壁７１～７４と、第１～第４側壁７１～７４によって形成された開口部のＺ方向の一端を覆う上壁７５と、を有する。一例では、第１～第４側壁７１～７４と上壁７５とは一体に形成されている。第１側壁７１および第２側壁７２はキャップ７０のＸ方向の両端の側壁を構成し、第３側壁７３および第４側壁７４はキャップ７０のＹ方向の両端の側壁を構成している。第１側壁７１はキャップ７０のＸ方向の両端の側壁のうち基板２０の第１基板側面２３に近い方の側壁を構成し、第２側壁７２は基板２０の第２基板側面２４に近い方の側壁を構成している。第３側壁７３はキャップ７０のＹ方向の両端の側壁のうち基板２０の第３基板側面２５に近い方の側壁を構成し、第４側壁７４は基板２０の第４基板側面２６に近い方の側壁を構成している。一例では、キャップ７０がガラス材料または樹脂材料によって形成されている場合、第１～第３側壁７１～７３および上壁７５は半透明に形成され、第４側壁７４は透明に形成されている。端面発光素子６０が出射したレーザ光は、第４側壁７４を通過して半導体発光装置１０の外部に出射される。また一例では、キャップ７０が金属またはセラミックで形成されている場合、第４側壁７４には開口部と、開口部を閉塞するとともに端面発光素子６０のレーザ光が通過可能とする窓部材と、が設けられている。
【0048】
［キャップと接着パターンとの接着構造］
図２～図６を参照して、キャップ７０と接着パターン３３との接着構造について説明する。図５は、キャップ７０の第４側壁７４と接着パターン３３との接着剤９０による接着構造を示す断面図である。図６は、図５におけるパターン貫通孔３４、基板貫通孔２７、およびそれらの周辺を拡大した断面図である。
図２～図６を参照して、キャップ７０と接着パターン３３との接着構造について説明する。図５は、キャップ７０の第４側壁７４と接着パターン３３との接着剤９０による接着構造を示す断面図である。図６は、図５におけるパターン貫通孔３４、基板貫通孔２７、およびそれらの周辺を拡大した断面図である。
【0049】
図５に示すように、キャップ７０の第４側壁７４は、開口端面７６を含む。開口端面７６は、第４側壁７４のうち基板２０寄りの端面である。開口端面７６は、第４側壁７４の先端面であるといえる。第１実施形態では、開口端面７６は、Ｚ方向と直交する平面によって形成されている。つまり、開口端面７６は、平坦面であるといえる。図４に示すように、第１側壁７１および第２側壁７２も同様に開口端面７６を含む。図示していないが、第３側壁７３も開口端面７６を含む。キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６は、Ｚ方向において接着パターン３３と対向配置されている。第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６は、平面視において矩形枠状に形成されている。
【0050】
図４に示すように、第１～第４側壁７１～７４は、互いに同じ幅寸法ＷＢを有する。第１側壁７１および第２側壁７２の双方の幅寸法ＷＢは、例えば第１側壁７１のＸ方向の寸法および第２側壁７２のＸ方向の寸法によって定義できる。第３側壁７３および第４側壁７４の双方の幅寸法ＷＢは、例えば第３側壁７３のＹ方向の寸法および第４側壁７４のＹ方向の寸法によって定義できる。
【0051】
一例では、第１～第４側壁７１～７４の幅寸法ＷＢは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡ（図２参照）と等しい。より詳細には、第１側壁７１および第２側壁７２の幅寸法ＷＢは、接着パターン３３のうちＺ方向において第１側壁７１および第２側壁７２と対向する部分の幅寸法ＷＡ（図４ではＸ方向の寸法）と等しい。第３側壁７３および第４側壁７４の幅寸法ＷＢは、接着パターン３３のうちＺ方向において第３側壁７３および第４側壁７４と対向する部分の幅寸法ＷＡと等しい。
【0052】
ここで、第１側壁７１の幅寸法ＷＢと接着パターン３３の幅寸法ＷＡとの差が例えば接着パターン３３の幅寸法ＷＡの１０％以内であれば、第１側壁７１の幅寸法ＷＢは接着パターン３３の幅寸法ＷＡと等しいといえる。なお、第２側壁７２、第３側壁７３、および第４側壁７４の幅寸法ＷＢと接着パターン３３の幅寸法ＷＡとの関係についても同様である。
【0053】
キャップ７０が接着パターン３３に接着されることによって、キャップ７０と基板２０とから密閉空間Ｓが形成されている。密閉空間Ｓには、複数の表面電極３０、複数のワイヤＷ（図２参照）、サブマウント基板８０、および端面発光素子６０が収容されている。一例では、密閉空間Ｓは、基板表面２１、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の内側面、および上壁７５の下面によって構成された空間である。
【0054】
図５に示すように、平面視において、基板２０のうち接着剤９０と重なる位置には基板貫通孔２７が設けられている。基板貫通孔２７は、Ｚ方向において基板２０を貫通している。一例では、図３に示すように、基板貫通孔２７は複数（第１実施形態では４つ）設けられている。複数の基板貫通孔２７は互いに離隔して配置されている。複数の基板貫通孔２７は、平面視において接着パターン３３と重なる位置に配置されている。各基板貫通孔２７は、平面視において円形に形成されている。各基板貫通孔２７は、複数の裏面電極４０とは異なる位置に配置されている。
【0055】
図２および図５に示すように、接着パターン３３には、パターン貫通孔３４が形成されている。パターン貫通孔３４は、Ｚ方向において接着パターン３３を貫通している。図５に示すように、接着パターン３３は、基板貫通孔２７と連通している。つまり、平面視において、パターン貫通孔３４は、基板貫通孔２７と重なる位置に配置されている。
【0056】
図２に示すように、パターン貫通孔３４は複数（第１実施形態では４つ）設けられている。第１実施形態では、パターン貫通孔３４の数と基板貫通孔２７の数とは互いに等しい。複数のパターン貫通孔３４は、矩形枠状の接着パターン３３の四隅に分散して配置されている。各パターン貫通孔３４は、平面視において円形に形成されている。図５に示すように、第１実施形態では、基板貫通孔２７の径とパターン貫通孔３４の径とは互いに等しい。一例では、基板貫通孔２７およびパターン貫通孔３４の双方の直径は、接着パターン３３の幅寸法ＷＡの１／２である。なお、基板貫通孔２７およびパターン貫通孔３４の双方の径は、任意に変更可能である。
【0057】
接着剤９０上には、キャップ７０が載置されている。接着剤９０の一部は、パターン貫通孔３４に入り込んでいる。また、接着剤９０の一部は、基板貫通孔２７に入り込んでいる。つまり、図６に示すように、接着剤９０は、接着パターン３３上に設けられた表面接着部９１と、パターン貫通孔３４に入り込むパターン接着部９２と、基板貫通孔２７に入り込む基板接着部９３と、を含む。
【0058】
表面接着部９１は、例えば接着パターン３３の上面の全面にわたり形成されている。表面接着部９１は、第４側壁７４の開口端面７６と接している。図４に示すように、表面接着部９１は、第１側壁７１および第２側壁７２の開口端面７６と接している。また図示していないが、表面接着部９１は、第３側壁７３の開口端面７６と接している。このように、表面接着部９１は、接着パターン３３とキャップ７０とを接着している。
【0059】
図６に示すように、パターン接着部９２は、パターン貫通孔３４に充填されている。一例では、パターン接着部９２は、パターン貫通孔３４の全体に充填されている。このため、パターン接着部９２は、パターン貫通孔３４を構成する側面の全面にわたり接している。
【0060】
基板接着部９３は、Ｚ方向において基板貫通孔２７のうち基板表面２１寄りの一部に入り込んでいる。つまり、基板接着部９３は、Ｚ方向において基板裏面２２から離隔している。一例では、基板接着部９３は、Ｚ方向における基板貫通孔２７のうち基板表面２１寄りの端部において基板貫通孔２７を構成する側面の全周にわたり接している。このように、接着剤９０は、キャップ７０、接着パターン３３、および基板２０と接している。また、基板接着部９３は、基板貫通孔２７を介して半導体発光装置１０の外部に露出しているといえる。
【0061】
［半導体発光装置の製造方法］
図７～図１０を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。図７～図１０は、接着パターン３３にキャップ７０の第４側壁７４を接着する状態を示す断面図である。なお、図示していないが、接着パターン３３にキャップ７０の第１～第３側壁７１～７３を接着する状態も接着パターン３３にキャップ７０の第４側壁７４を接着する状態と同様である。
図７～図１０を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。図７～図１０は、接着パターン３３にキャップ７０の第４側壁７４を接着する状態を示す断面図である。なお、図示していないが、接着パターン３３にキャップ７０の第１～第３側壁７１～７３を接着する状態も接着パターン３３にキャップ７０の第４側壁７４を接着する状態と同様である。
【0062】
半導体発光装置１０の製造方法は、基板２０を用意する工程と、基板２０にサブマウント基板８０を配置する工程と、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程と、ワイヤＷを形成する工程と、接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程と、キャップ７０を接着剤９０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、接着剤９０を硬化させる工程と、を主に備える。
【0063】
基板２０を用意する工程では、基板表面２１および基板表面２１とは反対側の基板裏面２２を有する基板２０（例えば図７参照）を用意する。基板２０の基板表面２１には複数の表面電極３０および接着パターン３３が形成されている。基板裏面２２には、複数の裏面電極４０が形成されている。接着パターン３３は、複数の表面電極３０を囲む枠状に形成されている。接着パターン３３には、複数（第１実施形態では４つ）のパターン貫通孔３４が形成されている。基板２０には、複数（第１実施形態では４つ）の基板貫通孔２７が形成されている。複数の基板貫通孔２７は、複数のパターン貫通孔３４と個別に連通している。なお、図７～図１０には図示されていないが、基板２０の基板裏面２２には複数の裏面電極４０（図３参照）が形成されている。
【0064】
次に、図示していないが、基板２０にサブマウント基板８０を配置する工程では、まず複数の表面電極３０のうち素子表面電極３１上に第１導電性接合材を塗布する。続いて第１導電性接合材上にサブマウント基板８０を配置する。つまり、この工程は、素子表面電極３１上にサブマウント基板８０をダイボンディングしている。第１導電性接合材は、ダイボンディング材であり、例えばはんだペーストおよび銀ペーストのいずれかが用いられる。
【0065】
次に、図示していないが、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程では、まずサブマウント基板８０の表面８１上に第２導電性接合材を塗布する。続いて第２導電性接合材上に端面発光素子６０を配置する。つまり、この工程は、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０をダイボンディングしている。第２導電性接合材は、ダイボンディング材であり、例えばはんだペーストおよび銀ペーストのいずれかが用いられる。なお、第１導電性接合材および第２導電性接合材は、互いに同じ材料が用いられてもよいし、互いに異なる材料が用いられてもよい。このように、端面発光素子６０は、基板２０上において接着パターン３３の枠内に配置されている。つまり、第１実施形態の半導体発光装置１０の製造方法は、基板２０上において接着パターン３３の枠内に端面発光素子６０を配置する工程を備えるともいえる。
【0066】
第１実施形態では、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置した後、第１導電性接合材および第２導電性接合材の双方を同時に固化させる。より詳細には、第１導電性接合材および第２導電性接合材を加熱した後、冷却することによって第１導電性接合材および第２導電性接合材の双方が固化する。これにより、第１導電性接合材が素子表面電極３１とサブマウント基板８０とを接合し、第２導電性接合材がサブマウント基板８０と端面発光素子６０とを接合する。なお、第１導電性接合材および第２導電性接合材は、個別に固化してもよい。一例では、基板２０にサブマウント基板８０を配置する工程において、第１導電性接合材を固化することによって素子表面電極３１とサブマウント基板８０とを接合する。その後、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程において、第２導電性接合材を固化することによってサブマウント基板８０と端面発光素子６０とを接合する。
【0067】
次に、図示していないが、ワイヤＷを形成する工程では、ワイヤボンディング装置によって端面発光素子６０の複数の素子電極６３と複数の表面電極３０とを個別に接続するようにワイヤＷを形成する。これにより、複数の素子電極６３と複数の表面電極３０とが個別に電気的に接続されている。
【0068】
次に、図７に示すように、接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程では、例えばディスペンサ装置を用いて、接着パターン３３の上面の全体にわたり接着剤９０を塗布する。第１実施形態では、接着剤９０は、紫外線・熱硬化併用型接着剤が用いられる。
【0069】
接着剤９０の一部は、接着パターン３３のパターン貫通孔３４に充填されている。また、接着剤９０の一部は、基板２０の基板貫通孔２７に充填されている。図７の例では、基板貫通孔２７に充填された接着剤９０は、Ｚ方向における基板貫通孔２７のうち基板表面２１寄りの端部のみを充填している。つまり、接着剤９０は、基板貫通孔２７のＺ方向の全体を充填していない。このように、接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程では、パターン貫通孔３４に入り込むように接着剤９０を接着パターン３３に塗布する。接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程では、パターン貫通孔３４を介して基板貫通孔２７に入り込むように接着パターン３３に接着剤９０を塗布する。
【0070】
また、接着剤９０は、基板裏面２２から視て、基板貫通孔２７から露出した部分を含む。より詳細には、接着剤９０は、接着パターン３３上に塗布された表面接着部９１と、パターン貫通孔３４に入り込んだパターン接着部９２と、基板貫通孔２７に入り込んだ基板接着部９３と、を含む。接着剤９０のうちパターン接着部９２、基板接着部９３、および表面接着部９１のうちパターン接着部９２と平面視において重なる部分（重なり部９１Ａ）とが、基板貫通孔２７から露出している。つまり、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０は、パターン接着部９２、基板接着部９３、および重なり部９１Ａによって構成されている。
【0071】
次に、図８に示すように、キャップ７０を接着剤９０上に配置して端面発光素子６０（図２参照）を収容する工程では、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を接着剤９０上に配置する。これにより、例えば図８の例では、第４側壁７４の開口端面７６が接着剤９０と接している。なお、図示していないが、第１側壁７１および第２側壁７２の開口端面７６（図４参照）も接着剤９０と接している。また第３側壁７３の開口端面７６も接着剤９０と接している。より詳細には、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６の全面は接着剤９０の表面接着部９１と接している。また、表面接着部９１は、接着パターン３３の上面の全体にわたり接している。
【0072】
次に、図９に示すように、接着剤９０を硬化する工程は、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に紫外線（白抜き矢印）を照射することによって、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０を硬化させる工程を含む。より詳細には、紫外線照射装置（図示略）によって基板裏面２２側から紫外線を照射する。この場合、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に紫外線が照射される。一例では、複数の基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に対して同時に紫外線を照射する。これにより、複数の基板貫通孔２７から露出する接着剤９０が同時に硬化する。
【0073】
ここで、接着剤９０のうち図９に示す濃いドットの領域が紫外線によって硬化した部分である。つまり、この工程は、接着剤９０の一部を硬化する工程である。接着剤９０のうち部分的に硬化した部分硬化部９４は、重なり部９１Ａ、パターン接着部９２、および基板接着部９３によって構成されている。つまり、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に紫外線が照射されることによって部分硬化部９４が形成されている。このため、部分硬化部９４は、キャップ７０と接着パターン３３および基板２０とを部分的に固定している。このように、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０を硬化させる工程は、キャップ７０を接着パターン３３に仮固定する工程であるともいえる。
【0074】
パターン貫通孔３４は、平面視において矩形枠状の接着パターン３３の四隅に形成されているため、部分硬化部９４は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の四隅と接着パターン３３の四隅とを接着している。これにより、キャップ７０を接着パターン３３に仮固定する工程において、接着パターン３３に対してキャップ７０がずれたり、傾いたりすることが抑制される。
【0075】
図１０に示すように、接着剤９０を硬化する工程は、接着剤９０の全体を硬化させる工程を含む。この工程では、接着剤９０のうち接着パターン３３上に形成された接着剤（表面接着部９１）を硬化させる。
【0076】
第１実施形態では、接着剤９０の全体を硬化させる工程は、接着剤９０を熱硬化させる。一例では、半導体発光装置１０を高温炉（図示略）に入れ、紫外線・熱硬化型接着剤の熱硬化温度で加熱することによって接着剤９０を全体的に硬化させる。これにより、キャップ７０が接着パターン３３に固定される。以上の工程を経て、半導体発光装置１０が製造される。
【0077】
［作用］
第１実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。なお、接着パターン３３からパターン貫通孔３４が省略された構成を「比較接着パターン」とする。
第１実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。なお、接着パターン３３からパターン貫通孔３４が省略された構成を「比較接着パターン」とする。
【0078】
接着剤９０の一部は、接着パターン３３に形成されたパターン貫通孔３４に入り込んでいる。このため、比較接着パターンの上面に接着剤９０が塗布された構成と比較して、接着剤９０と接着パターン３３との接触面積が増加する。これにより、接着剤９０と接着パターン３３との接着強度を高めることができるので、キャップ７０が基板２０（接着パターン３３）から外れにくくなる。
【0079】
また、接着剤によって比較接着パターンとキャップ７０とを接着する場合、接着剤の硬化にともない比較接着パターンに対してキャップ７０の開口端面７６が平行ではなく、Ｚ方向に直交する方向に対して傾いた状態で接着される場合がある。
【0080】
第１実施形態の半導体発光装置１０の製造方法では、複数の基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に紫外線を照射して硬化させる。これにより、接着剤９０には接着パターン３３とキャップ７０とを接続する部分硬化部９４が形成されるため、接着パターン３３とキャップ７０とを仮固定される。続いて、接着パターン３３とキャップ７０とが仮固定された状態で接着剤９０の全体を硬化させる。このため、接着パターン３３とキャップ７０とが仮固定されているため、接着剤９０の全体が硬化することに起因する接着剤９０の収縮によって接着パターン３３に対してキャップ７０が傾いたり、接着パターン３３の幅方向に対してキャップ７０がずれたりすることを抑制できる。
【0081】
［効果］
第１実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、キャップ７０と基板２０とを接着する接着剤９０と、を備える。基板２０の厚さ方向であるＺ方向から視て、基板２０のうち接着剤９０と重なる位置には基板貫通孔２７が設けられている。半導体発光装置１０は、基板２０上に形成され、Ｚ方向から視て、端面発光素子６０を囲む接着パターン３３を備える。接着剤９０は、接着パターン３３上に設けられ、接着パターン３３とキャップ７０とを接着するものである。接着パターン３３には、基板貫通孔２７と連通するパターン貫通孔３４が形成されている。接着剤９０の一部は、パターン貫通孔３４に入り込んでいる。
第１実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、キャップ７０と基板２０とを接着する接着剤９０と、を備える。基板２０の厚さ方向であるＺ方向から視て、基板２０のうち接着剤９０と重なる位置には基板貫通孔２７が設けられている。半導体発光装置１０は、基板２０上に形成され、Ｚ方向から視て、端面発光素子６０を囲む接着パターン３３を備える。接着剤９０は、接着パターン３３上に設けられ、接着パターン３３とキャップ７０とを接着するものである。接着パターン３３には、基板貫通孔２７と連通するパターン貫通孔３４が形成されている。接着剤９０の一部は、パターン貫通孔３４に入り込んでいる。
【0082】
この構成によれば、接着剤９０の一部がパターン貫通孔３４に入り込むことによって、接着剤９０と接着パターン３３との接着面積が増大する。これにより、接着剤９０が接着パターン３３から剥離しにくくなるので、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0083】
（１－２）基板貫通孔２７およびパターン貫通孔３４の双方は、複数設けられている。
この構成によれば、接着剤９０が複数のパターン貫通孔３４に入り込むことによって接着剤９０と接着パターン３３との接着面積がさらに増大する。これにより、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
この構成によれば、接着剤９０が複数のパターン貫通孔３４に入り込むことによって接着剤９０と接着パターン３３との接着面積がさらに増大する。これにより、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0084】
（１－３）基板貫通孔２７には、接着剤９０が入り込んでいる。
この構成によれば、接着剤９０は、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の双方に接するため、接着剤９０は接着パターン３３に加え、基板２０とも接着する。これにより、接着剤９０が接着パターン３３からさらに剥離しにくくなるので、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
この構成によれば、接着剤９０は、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の双方に接するため、接着剤９０は接着パターン３３に加え、基板２０とも接着する。これにより、接着剤９０が接着パターン３３からさらに剥離しにくくなるので、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0085】
（１－４）Ｚ方向から視て、接着パターン３３は矩形枠状である。パターン貫通孔３４は、接着パターン３３の四隅に設けられている。
この構成によれば、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度に偏りが生じにくくなる。これにより、接着パターン３３に対してキャップ７０の開口端面７６が平行ではなく、Ｚ方向に直交する方向に対して傾くことを抑制できる。
この構成によれば、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度に偏りが生じにくくなる。これにより、接着パターン３３に対してキャップ７０の開口端面７６が平行ではなく、Ｚ方向に直交する方向に対して傾くことを抑制できる。
【0086】
（１－５）Ｚ方向から視て、接着パターン３３は、長手方向および短手方向を有する矩形枠状である。パターン貫通孔３４は、接着パターン３３の長手方向の中央にさらに設けられている。
【0087】
この構成によれば、接着剤９０と接着パターン３３との接着面積がさらに増大する。これにより、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0088】
（１－６）半導体発光装置１０の製造方法は、基板表面２１および基板表面２１とは反対側の基板裏面２２を有し、基板表面２１に形成された枠状の接着パターン３３と、接着パターン３３に形成されたパターン貫通孔３４と、パターン貫通孔３４に連通する基板貫通孔２７とを含む基板２０を用意する工程と、基板２０上において接着パターン３３の枠内に端面発光素子６０を配置する工程と、接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程と、キャップ７０を接着剤９０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、を含む。接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程では、パターン貫通孔３４に入り込むように接着剤９０を接着パターン３３に塗布する。
【0089】
この構成によれば、接着剤９０がパターン貫通孔３４に入り込むように塗布されることによって、接着剤９０と接着パターン３３との接着面積が増大する。これにより、接着剤９０が接着パターン３３から剥離しにくくなるので、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0090】
（１－７）半導体発光装置１０の製造方法は、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に紫外線を照射することによって、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０を硬化させる工程と、接着剤９０の全体を硬化させる工程と、をさらに含む。
【0091】
この構成によれば、紫外線の照射によって基板貫通孔２７から露出する接着剤９０が硬化するので、キャップ７０が接着パターン３３に対して部分的に接着される。これにより、接着剤９０の全体を硬化させる工程において、接着剤９０の硬化に起因して接着パターン３３に対してキャップ７０の開口端面７６が平行ではなく、Ｚ方向に直交する方向に対して傾くことを抑制できる。
【0092】
（１－８）基板貫通孔２７は、複数設けられている。基板貫通孔２７から露出する接着剤９０を硬化させる工程では、複数の基板貫通孔２７から露出する接着剤９０に対して紫外線を同時に照射する。
【0093】
この構成によれば、紫外線によって複数の基板貫通孔２７から露出する接着剤９０が同時に硬化するので、基板貫通孔２７から露出する接着剤９０を個別に硬化させる場合と比較して、工程の簡略化を図ることができる。
【0094】
（１－９）接着パターン３３に接着剤９０を塗布する工程では、パターン貫通孔３４を介して基板貫通孔２７に入り込むように接着パターン３３に接着剤９０を塗布する。
この構成によれば、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の双方に入り込むように接着剤９０が接着パターン３３に塗布されるため、接着剤９０は接着パターン３３に加え、基板２０とも接着する。これにより、接着剤９０が接着パターン３３からさらに剥離しにくくなるので、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
この構成によれば、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の双方に入り込むように接着剤９０が接着パターン３３に塗布されるため、接着剤９０は接着パターン３３に加え、基板２０とも接着する。これにより、接着剤９０が接着パターン３３からさらに剥離しにくくなるので、接着剤９０による接着パターン３３とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0095】
（１－１０）キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の幅寸法ＷＢは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡと等しい。
この構成によれば、接着剤９０の硬化に起因して接着パターン３３に対してキャップ７０が接着パターン３３の幅方向にずれることを抑制できる。加えて、接着パターン３３に対してキャップ７０の開口端面７６が平行ではなく、Ｚ方向に直交する方向に対して傾くことを抑制できる。
この構成によれば、接着剤９０の硬化に起因して接着パターン３３に対してキャップ７０が接着パターン３３の幅方向にずれることを抑制できる。加えて、接着パターン３３に対してキャップ７０の開口端面７６が平行ではなく、Ｚ方向に直交する方向に対して傾くことを抑制できる。
【0096】
＜第２実施形態＞
図１１～図１６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０においては、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、接着パターン１００の構成と、接着剤９０によって接着パターン３３とキャップ７０とを接着する工程とが主に異なる。以下では、第１実施形態と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の構成要素と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１１～図１６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０においては、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、接着パターン１００の構成と、接着剤９０によって接着パターン３３とキャップ７０とを接着する工程とが主に異なる。以下では、第１実施形態と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の構成要素と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0097】
［キャップと接着パターンとの接着構造］
図１１は、第２実施形態の半導体発光装置１０の内部構造を示している。図１１では、接着パターン３３の理解を容易にするため、キャップ７０を省略して示している。図１２は、図１１のＦ１２－Ｆ１２線の断面図であり、キャップ７０の第２側壁７２と接着パターン３３との接着状態を示している。
図１１は、第２実施形態の半導体発光装置１０の内部構造を示している。図１１では、接着パターン３３の理解を容易にするため、キャップ７０を省略して示している。図１２は、図１１のＦ１２－Ｆ１２線の断面図であり、キャップ７０の第２側壁７２と接着パターン３３との接着状態を示している。
【0098】
図１１に示すように、接着パターン１００は、第１実施形態の接着パターン３３と同様に、平面視において複数の表面電極３０を囲む矩形枠状に形成されている。図１２に示すように、接着パターン１００は、接着パターン１００の内側部分に設けられた高段部１０１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、高段部１０１よりも厚さが薄い低段部１０２と、を含む。接着パターン１００は、低段部１０２と高段部１０１との間に設けられた段差部１０３を含む。
【0099】
接着パターン１００は、基板表面２１の外周部に設けられている。接着パターン１００の各辺は、平面視において第１～第４基板側面２３～２６に個別に隣り合うように形成されている。第１基板側面２３に隣り合う接着パターン１００の第１辺は、平面視において第１基板側面２３に沿って延びている。第２基板側面２４に隣り合う接着パターン１００の第２辺は、平面視において第２基板側面２４に沿って延びている。第３基板側面２５に隣り合う接着パターン１００の第３辺は、平面視において第３基板側面２５に沿って延びている。第４基板側面２６に隣り合う接着パターン１００の第４辺は、平面視において第４基板側面２６に沿って延びている。
【0100】
接着パターン１００の内側部分は、接着パターン１００のうちキャップ７０と基板２０とから形成された密閉空間Ｓ（図１２参照）側の部分である。つまり、高段部１０１は、接着パターン１００のうち密閉空間Ｓ側の部分に形成されている。接着パターン１００の内側部分は、接着パターン１００の幅方向において基板表面２１の中央側であるともいえる。つまり、高段部１０１は、接着パターン１００の幅方向において基板表面２１の中央側の部分に形成されているともいえる。また、接着パターン１００の内側部分は、接着パターン１００の幅方向において複数の表面電極３０および端面発光素子６０に近い部分であるともいえる。ここで、接着パターン１００の幅方向は、平面視において接着パターン１００が延びる方向と直交する方向である。
【0101】
接着パターン１００の外側部分は、接着パターン１００のうち密閉空間Ｓ側とは反対側の部分である。つまり、低段部１０２は、接着パターン１００のうち密閉空間Ｓ側とは反対側の部分に形成されている。接着パターン１００の外側部分は、接着パターン１００の幅方向において基板表面２１の端部側であるともいえる。つまり、低段部１０２は、接着パターン１００の幅方向において基板表面２１の端部側の部分に形成されているともいえる。接着パターン１００の外側部分は、接着パターン１００の幅方向において、接着パターン１００の各辺と対応する基板２０の第１～第４基板側面２３～２６寄りの部分であるといえる。つまり、低段部１０２は、接着パターン１００の幅方向において、接着パターン１００の各辺と対応する第１～第４基板側面２３～２６寄りの部分に形成されているともいえる。また、接着パターン１００の内側部分は、接着パターン１００の幅方向において複数の表面電極３０および端面発光素子６０から遠い部分であるともいえる。
【0102】
第２実施形態では、段差部１０３は、接着パターン１００の幅方向の中央に設けられている。このため、高段部１０１は接着パターン１００の幅方向の中央よりも内側部分を構成し、低段部１０２は接着パターン１００の幅方向の中央よりも外側部分を構成している。このため、第２実施形態では、高段部１０１の幅寸法ＷＡ１と低段部１０２の幅寸法ＷＡ２とは互いに同じである。第２実施形態では、第１実施形態の接着パターン３３と同様に、接着パターン１００の幅寸法ＷＡは、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の幅寸法ＷＢと等しい。
【0103】
図１１に示すように、段差部１０３は、接着パターン１００の全周にわたり形成されている。このため、高段部１０１および低段部１０２の双方は、接着パターン１００の全周にわたり形成されている。図１２に示すように、第２実施形態では、低段部１０２の厚さは、高段部１０１の厚さの１／２である。なお、高段部１０１および低段部１０２の厚さは任意に変更可能である。低段部１０２の厚さは、高段部１０１の厚さの１／２よりも厚くてもよいし、１／２よりも薄くてもよい。
【0104】
第２実施形態では、低段部１０２の上面は、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面である。一例では、低段部１０２の上面全体が、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面である。一例では、低段部１０２は、レーザ照射およびエッチングのいずれかによって形成されている。これにより、低段部１０２の上面全体が、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きくなる。
【0105】
また、レーザ照射およびエッチングのいずれかによって、段差部１０３を構成する側面は低段部１０２の形成とともに形成されるため、段差部１０３の側面は、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面である。一例では、段差部１０３の側面全体が、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面である。
【0106】
なお、低段部１０２の上面は、その上面を荒らす粗化処理が施されていてもよい。粗化処理の一例は、低段部１０２の上面に微細な凹凸を形成するブラウン処理であってもよい。また、低段部１０２の上面のうち粗面となる領域は任意に変更可能である。一例では、低段部１０２の上面のうち一部が高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面であってもよい。
【0107】
第２実施形態では、接着パターン１００とキャップ７０とを接着する接着剤１１０として、熱硬化型接着剤が用いられている。
キャップ７０の第２側壁７２の開口端面７６がＺ方向に直交する平坦面であるため、開口端面７６と接着パターン１００との間に介在する接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む。なお、図示していないが、第１側壁７１、第３側壁７３、および第４側壁７４と接着パターン１００との間に介在する接着剤１１０も同様に薄接着層１１１および厚接着層１１２を含む。このように、薄接着層１１１および厚接着層１１２の双方は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６と接している。
キャップ７０の第２側壁７２の開口端面７６がＺ方向に直交する平坦面であるため、開口端面７６と接着パターン１００との間に介在する接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む。なお、図示していないが、第１側壁７１、第３側壁７３、および第４側壁７４と接着パターン１００との間に介在する接着剤１１０も同様に薄接着層１１１および厚接着層１１２を含む。このように、薄接着層１１１および厚接着層１１２の双方は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６と接している。
【0108】
薄接着層１１１は、接着パターン１００の高段部１０１上に設けられているといえる。つまり、薄接着層１１１は、高段部１０１とキャップ７０との間に設けられている。より詳細には、薄接着層１１１は、高段部１０１とキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４とのＺ方向の間に設けられている。このため、薄接着層１１１は、接着剤１１０のうち高段部１０１とキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４とを接着する部分である。
【0109】
薄接着層１１１は、高段部１０１の上面の全面にわたり形成されている。薄接着層１１１は、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６のうち内側部分の全面にわたり形成されている。ここで、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６の内側部分は、Ｚ方向において高段部１０１と対向する部分である。第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６の内側部分は、開口端面７６のうちキャップ７０と基板２０とから形成された密閉空間Ｓ側の部分である。開口端面７６の内側部分は、開口端面７６の幅方向において基板表面２１の中央側であるともいえる。
【0110】
厚接着層１１２は、接着パターン１００の低段部１０２上に設けられているといえる。つまり、厚接着層１１２は、低段部１０２とキャップ７０との間に設けられている。より詳細には、厚接着層１１２は、低段部１０２とキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４とのＺ方向の間に設けられている。このため、厚接着層１１２は、接着剤１１０のうち低段部１０２とキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４とを接着する部分である。
【0111】
第２実施形態では、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６がＺ方向と直交する平坦面であり、かつ低段部１０２の厚さが高段部１０１の厚さの１／２であるため、厚接着層１１２の厚さは、薄接着層１１１の厚さの２倍である。なお、薄接着層１１１および厚接着層１１２の厚さの関係は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６および接着パターン１００の高段部１０１および低段部１０２の形状に応じて任意に変更可能である。
【0112】
厚接着層１１２は、低段部１０２の上面の全面にわたり形成されている。厚接着層１１２は、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６のうち外側部分の全面にわたり形成されている。ここで、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６の外側部分は、Ｚ方向において低段部１０２と対向する部分である。第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６の外側部分は、開口端面７６のうち密閉空間Ｓ側とは反対側の部分である。開口端面７６の外側部分は、開口端面７６の幅方向において基板表面２１の端部側であるともいえる。
【0113】
図１２に示すとおり、接着剤１１０は、段差部１０３に接している。一例では、接着剤１１０は、段差部１０３の全周にわたり接している。厚接着層１１２は、段差部１０３に接しているともいえる。
【0114】
［半導体発光装置の製造方法］
図１３～図１６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０の製造方法は、第１実施形態と比較して、基板２０に接着パターン１００を形成する工程を含む点と、接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程と、接着剤１１０を硬化して接着パターン１００とキャップ７０とを接着する工程と、が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体発光装置１０の製造方法と異なる点について詳細に説明する。
図１３～図１６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０の製造方法は、第１実施形態と比較して、基板２０に接着パターン１００を形成する工程を含む点と、接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程と、接着剤１１０を硬化して接着パターン１００とキャップ７０とを接着する工程と、が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体発光装置１０の製造方法と異なる点について詳細に説明する。
【0115】
図１３および図１４に示すように、半導体発光装置１０の製造方法は、基板２０に接着パターン１００を形成する工程を含む。この工程は、例えば基板２０を用意する工程に含まれる。接着パターン１００は、接着パターン１００の内側部分に設けられた高段部１０１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、高段部１０１よりも厚さが薄い低段部１０２と、を含む。
【0116】
一例では、接着パターン１００を形成する工程は、図１３に示すように、厚さが一定であり、かつ枠状のパターン層１０５を形成する工程を含む。パターン層１０５は、接着パターン１００を構成するための層であり、例えば銅箔によって形成されている。パターン層１０５は、Ｃｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、およびＡｕのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。パターン層１０５の厚さは、例えば図１０の接着パターン１００の高段部１０１の厚さと等しい。
【0117】
一例では、パターン層１０５を形成する工程は、複数の表面電極３０を形成する工程と同時に実施される。つまり、複数の表面電極３０とパターン層１０５とが同一工程で形成される。パターン層１０５は、平面視において複数の表面電極３０を囲う矩形枠状に形成されている。
【0118】
続いて、接着パターン１００を形成する工程は、図１４に示すように、パターン層１０５の外側部分をパターン層１０５の内側部分よりも薄くすることによって接着パターン１００を形成する工程を含む。一例では、接着パターン１００を形成する工程では、レーザ照射またはエッチングによってパターン層１０５の外側部分を薄くすることによって高段部１０１と低段部１０２とを形成する。パターン層１０５の内側部分よりも薄くしたパターン層１０５の外側部分の厚さは、例えば図１２の接着パターン１００の低段部１０２の厚さと等しい。このように、高段部１０１、低段部１０２、および段差部１０３が形成された接着パターン１００が形成される。
【0119】
ここで、パターン層１０５の外側部分は、パターン層１０５の幅方向のうち基板２０の端部側の部分である。パターン層１０５の外側部分は、パターン層１０５の幅方向のうち複数の表面電極３０および端面発光素子６０から遠い部分であるともいえる。パターン層１０５の内側部分は、パターン層１０５の幅方向のうち基板２０の中央側の部分である。パターン層１０５の内側部分は、パターン層１０５の幅方向のうち複数の表面電極３０および端面発光素子６０に近い部分であるともいえる。パターン層１０５の外側部分は接着パターン１００の外側部分に対応し、パターン層１０５の内側部分は接着パターン１００の内側部分に対応する。
【0120】
低段部１０２をレーザ照射またはエッチングによって形成されるため、低段部１０２の上面は、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面となる。なお、段差部１０３もレーザ照射またはエッチングによって形成されるため、段差部１０３の側面は、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面となる。
【0121】
このように、接着パターン１００が形成された基板２０を用意する工程の後、第１実施形態と同様に、サブマウント基板８０を基板２０上（素子表面電極３１上）に配置する工程、端面発光素子６０をサブマウント基板８０上に配置する工程と、ワイヤWを形成する工程が実施される。
【0122】
続いて、図１５に示すように、接着剤１１０によって接着パターン３３とキャップ７０とを接着する工程は、接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程を含む。例えばディスペンサ装置によって、接着剤１１０を高段部１０１には塗布せずに低段部１０２に塗布する。より詳細には、接着剤１１０は、低段部１０２の全周にわたり塗布される。ここで、接着剤１１０は、高段部１０１の上面よりも高くなるような量となるように設定されている。一例では、接着剤１１０は、段差部１０３の全周にわたり接している。このように、基板２０に接着パターン１００を形成する工程は、接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程よりも前に実施される。第２実施形態では、接着剤１１０は、熱硬化型接着剤が用いられる。
【0123】
続いて、図１６に示すように、キャップ７０を接着剤１１０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程では、キャップ７０と接着パターン１００との間に、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む接着剤１１０を形成する。より詳細には、接着剤１１０上にキャップ７０が配置されることによって、キャップ７０が接着剤１１０を基板表面２１に向けて押す。これにより、接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に押し出されるため、接着パターン１００の高段部１０１の上面に移動する。その結果、薄接着層１１１が形成される。一方、接着パターン１００の低段部１０２の上面に塗布された接着剤１１０は、厚接着層１１２を形成する。このように、キャップ７０を接着剤１１０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程では、低段部１０２に塗布した接着剤１１０上を、キャップ７０によって高段部１０１上に移動させることによって薄接着層１１１を形成している。
【0124】
接着剤１１０を硬化して接着パターン３３とキャップ７０とを接着する工程は、接着剤１１０を熱硬化させる工程を含む。一例では、半導体発光装置１０を高温炉（図示略）に入れ、熱硬化型接着剤の熱硬化温度で加熱することによって接着剤１１０を硬化させる。これにより、キャップ７０が接着パターン１００に接着される。以上の工程を経て、半導体発光装置１０が製造される。
【0125】
［作用］
第２実施形態の作用について説明する。なお、接着パターン１００から低段部１０２および段差部１０３が省略された構成を「比較接着パターン」とする。
第２実施形態の作用について説明する。なお、接着パターン１００から低段部１０２および段差部１０３が省略された構成を「比較接着パターン」とする。
【0126】
接着剤を硬化して比較接着パターン上にキャップ７０を接着する場合、接着剤から発生したガスが接着剤内に留まりやすい。このため、キャップ７０の開口端面７６および比較接着パターンの上面の少なくとも一方に接着剤が接していない空隙が形成されるおそれがある。これにより、比較接着パターンとキャップ７０との接着剤による接着強度が低下するので、比較接着パターンからキャップ７０が外れるおそれがある。
【0127】
第２実施形態では、接着パターン１００の外側部分に低段部１０２が形成されることによって、接着パターン１００上の接着剤１１０では、薄接着層１１１よりも外側部分に厚接着層１１２が形成される。これにより、接着剤１１０から発生したガスは、薄接着層１１１から厚接着層１１２に移動した後、厚接着層１１２から接着剤１１０の外部に放出されやすくなる。このように、接着剤１１０内にガスが存在しにくくなるため、接着パターン１００とキャップ７０の開口端面７６とのＺ方向の間に空隙が形成されにくくなる。つまり、接着パターン１００とキャップ７０の開口端面７６とのＺ方向の間には接着剤１１０が隙間なく埋められるようになる。このため、接着パターン１００とキャップ７０の開口端面７６との接着剤１１０の接着面積は、比較接着パターンとキャップ７０との接着剤の接着面積よりも大きくなる。したがって、接着パターン１００とキャップ７０との接着剤１１０による接着強度が高くなるので、接着パターン１００からキャップ７０が外れることを抑制できる。
【0128】
［効果］
第２実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、基板２０の厚さ方向であるＺ方向から視て端面発光素子６０を囲む枠状に形成された接着パターン１００と、キャップ７０と接着パターン１００とを接着している接着剤１１０と、を備える。接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む。
第２実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、基板２０の厚さ方向であるＺ方向から視て端面発光素子６０を囲む枠状に形成された接着パターン１００と、キャップ７０と接着パターン１００とを接着している接着剤１１０と、を備える。接着剤１１０は、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む。
【0129】
この構成によれば、接着剤１１０から発生したガスが厚接着層１１２から接着剤１１０の外部に放出されやすくなるので、接着パターン１００とキャップ７０とのＺ方向の間に接着剤１１０が隙間なく埋められる。したがって、接着パターン１００とキャップ７０との接着剤１１０による接着面積が大きくなることによって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0130】
（２－２）接着パターン１００は、接着パターン１００の内側部分に設けられた高段部１０１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、高段部１０１よりも厚さが薄い低段部１０２と、を含む。薄接着層１１１は、高段部１０１とキャップ７０との間に設けられている。厚接着層１１２は、低段部１０２とキャップ７０との間に設けられている。
【0131】
この構成によれば、接着パターン１００に高段部１０１および低段部１０２を形成することによって、接着剤１１０の薄接着層１１１および厚接着層１１２の各々を容易に形成することができる。
【0132】
（２－３）接着パターン１００は、低段部１０２と高段部１０１との間に設けられた段差部１０３を含む。接着剤１１０は、段差部１０３に接している。
この構成によれば、接着剤１１０が段差部１０３に接することによって接着剤１１０と接着パターン１００との接着面積が大きくなるので、接着剤１１０が接着パターン１００から剥離しにくくなる。したがって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。加えて、例えば接着パターン１００の幅方向に向けてキャップ７０に外力が加わったとしても段差部１０３に接する接着剤１１０によってキャップ７０が接着パターン１００の幅方向に移動することを抑制できる。
この構成によれば、接着剤１１０が段差部１０３に接することによって接着剤１１０と接着パターン１００との接着面積が大きくなるので、接着剤１１０が接着パターン１００から剥離しにくくなる。したがって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。加えて、例えば接着パターン１００の幅方向に向けてキャップ７０に外力が加わったとしても段差部１０３に接する接着剤１１０によってキャップ７０が接着パターン１００の幅方向に移動することを抑制できる。
【0133】
（２－４）低段部１０２は、接着パターン１００の全周にわたり形成されている。
この構成によれば、接着剤１１０と接着パターン１００との接着面積が大きくなることによって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
この構成によれば、接着剤１１０と接着パターン１００との接着面積が大きくなることによって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0134】
（２－５）低段部１０２の上面は、高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面である。
この構成によれば、接着剤１１０の厚接着層１１２は低段部１０２の上面とキャップ７０との間におけるアンカー効果によって接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
この構成によれば、接着剤１１０の厚接着層１１２は低段部１０２の上面とキャップ７０との間におけるアンカー効果によって接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0135】
（２－６）キャップ７０は、基板２０に向けて開口した箱状であって、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状の第１～第４側壁７１～７４を含む。接着剤１１０の薄接着層１１１および厚接着層１１２の双方は、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６と接している。
【0136】
この構成によれば、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着面積が大きくなることによって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0137】
（２－７）半導体発光装置１０の製造方法は、基板２０上に端面発光素子６０を配置する工程と、基板２０に設けられ、端面発光素子６０を囲む枠状の接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程と、キャップ７０を接着剤１１０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、接着剤１１０を硬化して接着パターン１００にキャップ７０を接着する工程と、を含む。キャップ７０を接着剤１１０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程では、キャップ７０と接着パターン１００との間に、接着パターン１００の内側部分に設けられた薄接着層１１１と、接着パターン１００の外側部分に設けられ、薄接着層１１１よりも厚さが厚い厚接着層１１２と、を含む接着剤１１０を形成する。
【0138】
この構成によれば、接着剤１１０から発生したガスが厚接着層１１２から接着剤１１０の外部に放出されやすくなるので、接着パターン１００とキャップ７０とのＺ方向の間に接着剤１１０が隙間なく埋められる。したがって、接着パターン１００とキャップ７０との接着剤１１０による接着面積が大きくなることによって、接着剤１１０による接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。
【0139】
（２－８）接着パターン１００は、パターン層１０５の内側部分を構成する高段部１０１と、パターン層１０５の内側部分よりも薄いパターン層１０５の外側部分を構成する低段部１０２と、を含む。接着パターン１００を形成する工程は、低段部１０２の上面を高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面とする工程を含む。接着パターン１００を形成する工程では、レーザ照射またはエッチングによってパターン層１０５の外側部分を薄くすることによって高段部１０１と低段部１０２とを形成する。
【0140】
この構成によれば、接着剤１１０の厚接着層１１２は低段部１０２の上面とキャップ７０との間におけるアンカー効果によって接着パターン１００とキャップ７０との接着強度の向上を図ることができる。加えて、レーザ照射またはエッチングによって低段部１０２を形成することによって、低段部１０２の上面が高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面となる。このため、低段部１０２の上面を粗面にするための専用の工程が不要となるため、製造工程の簡略化を図ることができる。
【0141】
（２－９）接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程では、接着剤１１０を高段部１０１には塗布せずに低段部１０２に塗布する。
この構成によれば、キャップ７０を接着剤１１０上に配置すると、低段部１０２上の接着剤１１０が高段部１０１に向けて移動する。このため、高段部１０１とキャップ７０との間の薄接着層１１１を容易に形成することができる。
この構成によれば、キャップ７０を接着剤１１０上に配置すると、低段部１０２上の接着剤１１０が高段部１０１に向けて移動する。このため、高段部１０１とキャップ７０との間の薄接着層１１１を容易に形成することができる。
【0142】
＜変更例＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない範囲において互いに組み合わせることができる。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない範囲において互いに組み合わせることができる。
【0143】
・第１実施形態および第２実施形態は互いに組み合わせて実施することができる。一例では、図１７に示すように、接着パターン１００にパターン貫通孔１０４が形成されていてもよい。基板２０には、パターン貫通孔１０４と連通する基板貫通孔２７が形成されていてもよい。図１７に示す例では、パターン貫通孔１０４は、接着パターン１００の低段部１０２に形成されている。パターン貫通孔１０４は、例えば複数設けられている。一例では、図示していないが、パターン貫通孔１０４は、矩形枠状の接着パターン１００の四隅に形成されている。パターン貫通孔１０４は、接着パターン１００の幅方向において段差部１０３から離隔して設けられている。基板貫通孔２７は、第１実施形態と同様にパターン貫通孔１０４と連通するように設けられている。つまり、基板貫通孔２７は例えば複数設けられている。一例では、平面視におけるパターン貫通孔１０４および基板貫通孔２７の形状は円形である。
【0144】
接着剤１１０は、第１実施形態の接着剤９０と同様に、表面接着部１１３、パターン接着部１１４、および基板接着部１１５を含む。表面接着部１１３は、高段部１０１の上面、低段部１０２の上面、および段差部１０３に接している。表面接着部１１３は、薄接着層１１１および厚接着層１１２を含む。パターン接着部１１４は、パターン貫通孔１０４に充填されている。一例では、パターン接着部１１４は、パターン貫通孔１０４を構成する側面の全面にわたり接している。パターン接着部１１４は、厚接着層１１２から連続して形成されている。基板接着部１１５は、Ｚ方向において基板貫通孔２７のうち基板表面２１寄りの端部に形成されている。つまり、接着剤１１０は、キャップ７０、接着パターン１００、および基板２０を接着している。
【0145】
なお、接着パターン１００に対する基板貫通孔２７およびパターン貫通孔３４の位置は任意に変更可能である。第１例では、図１８に示すように、パターン貫通孔１０４は、接着パターン１００の高段部１０１および低段部１０２の双方にわたり形成されていてもよい。つまり、パターン貫通孔１０４は、段差部１０３（図１７参照）を跨ぐように形成されていてもよい。接着剤１１０のパターン接着部１１４は、厚接着層１１２と連続して形成されている。
【0146】
第２例では、図１９に示すように、パターン貫通孔１０４は、接着パターン１００の高段部１０１に形成されている。パターン貫通孔１０４は、接着パターン１００の幅方向において段差部１０３から離隔して設けられている。接着剤１１０のパターン接着部１１４は、薄接着層１１１と連続して形成されている。
【0147】
・第１実施形態において、基板貫通孔２７に充填された接着剤９０のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、図２０に示すように、接着剤９０は、基板貫通孔２７の全体にわたり充填されていてもよい。図２０に示す例では、接着剤９０は、基板裏面２２から突出する突出部９５を含む。突出部９５は、その先端面が裏面電極４０よりも基板裏面２２寄りに位置するように形成されている。一例では、突出部９５は、基板貫通孔２７の基板裏面２２側の開口部周縁に形成されている。
【0148】
なお、図２１に示すように、接着剤９０の基板接着部９３は、基板貫通孔２７の全体にわたり充填されつつ基板裏面２２から突出しないように構成されていてもよい。一例では、基板接着部９３の先端面は、湾曲凹状に形成されている。なお、別の例では、基板接着部９３の先端面は、湾曲凸状に形成されていてもよい。
【0149】
また、接着剤９０は、基板貫通孔２７に充填されておらず、パターン貫通孔３４に充填されていてもよい。つまり、接着剤９０は、パターン接着部９２を含む一方、基板接着部９３を含んでいなくてもよい。
【0150】
・第１実施形態において、基板貫通孔２７およびパターン貫通孔３４の個数は任意に変更可能である。一例では、図２２に示すように、パターン貫通孔３４は、６つ設けられていてもよい。パターン貫通孔３４は、接着パターン３３の四隅と、接着パターン３３のうちＸ方向に延びる部分のＸ方向の中央とにそれぞれ設けられている。なお、図示していないが、基板貫通孔２７は、パターン貫通孔３４と連通するように設けられている。また、基板貫通孔２７およびパターン貫通孔３４の個数はそれぞれ１つであってもよい。この場合、基板貫通孔２７は、パターン貫通孔３４と連通している。
【0151】
・第１実施形態において、パターン貫通孔３４の個数が基板貫通孔２７の個数よりも多くてもよい。一例では、図２２に示すように、パターン貫通孔３４は、矩形枠状の接着パターン３３の四隅と、接着パターン３３のうちＸ方向に延びる部分のＸ方向の中央とにそれぞれ設けられている。一方、図３に示すように、基板貫通孔２７は、平面視において矩形枠状の接着パターン３３の四隅と重なる位置に設けられている。４つの基板貫通孔２７は、接着パターン３３の四隅に設けられた４つのパターン貫通孔３４と個別に連通している。
【0152】
図２３に示す３つのパターン貫通孔３４のうちＸ方向の中央のパターン貫通孔３４のように、接着パターン３３にパターン貫通孔３４が形成されている一方、基板２０に基板貫通孔２７が形成されていない場合、パターン貫通孔３４は、基板表面２１を露出するように形成されている。接着剤９０のパターン接着部９２は、基板表面２１と接している。
【0153】
・第１実施形態において、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の位置は任意に変更可能である。一例では、図２４に示すように、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の各々は、接着パターン３３のＸ方向に延びる一対の辺のＸ方向の中央と、Ｙ方向に延びる一対の辺のＹ方向の中央とに設けられていてもよい。なお、接着パターン３３の周方向において隣り合うパターン貫通孔３４の間の距離は等しいことが好ましい。
【0154】
また別の例では、図２５に示すように、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の各々は、接着パターン３３のＸ方向に延びる一対の辺のＸ方向の中央に設けられており、Ｙ方向に延びる一対の辺のＹ方向の中央には設けられていなくてもよい。つまり、パターン貫通孔３４は、接着パターン３３の長手方向の中央に設けられていてもよい。基板貫通孔２７は、パターン貫通孔３４と連通するため、基板２０のうち接着パターン３３の長手方向の中央と平面視で重なる部分に設けられている。
【0155】
また別の例では、図示していないが、パターン貫通孔３４および基板貫通孔２７の各々は、接着パターン３３のＹ方向に延びる一対の辺のＹ方向の中央に設けられており、Ｘ方向に延びる一対の辺のＸ方向の中央には設けられていなくてもよい。つまり、パターン貫通孔３４は、接着パターン３３の短手方向の中央に設けられていてもよい。基板貫通孔２７は、パターン貫通孔３４と連通するため、基板２０のうち接着パターン３３の短手方向の中央と平面視で重なる部分に設けられている。
【0156】
・第１実施形態において、パターン貫通孔３４の径と基板貫通孔２７の径とは互いに異なっていてもよい。
第１例では、図２６に示すように、基板貫通孔２７の径がパターン貫通孔３４の径よりも大きくてもよい。この場合、接着剤９０の基板接着部９３は、接着パターン３３の裏面３３Ａに接している。
第１例では、図２６に示すように、基板貫通孔２７の径がパターン貫通孔３４の径よりも大きくてもよい。この場合、接着剤９０の基板接着部９３は、接着パターン３３の裏面３３Ａに接している。
【0157】
第２例では、図２７に示すように、パターン貫通孔３４の径が基板貫通孔２７の径よりも大きくてもよい。この場合、接着剤９０のパターン接着部９２は、基板２０の基板表面２１に接している。
【0158】
・第２実施形態において、高段部１０１の幅寸法ＷＡ１と低段部１０２の幅寸法ＷＡ２とは互いに異なっていてもよい。第１例では、図２８に示すように、高段部１０１の幅寸法ＷＡ１が低段部１０２の幅寸法ＷＡ２よりも大きくてもよい。第２例では、図２９に示すように、低段部１０２の幅寸法ＷＡ２が高段部１０１の幅寸法ＷＡ１よりも大きくてもよい。
【0159】
・第２実施形態において、低段部１０２の形成範囲は任意に変更可能である。一例では、図３０に示すように、低段部１０２は、接着パターン３３のうちキャップ７０の第４側壁７４が配置される部分（接着パターン３３のうち基板２０の第４基板側面２６寄りの部分）に形成されていなくてもよい。換言すると、低段部１０２は、接着パターン３３のうち端面発光素子６０から出射するレーザ光が通過する側壁が配置される部分に形成されていなくてもよい。一例では、接着パターン３３のうちキャップ７０の第４側壁７４が配置される部分は、高段部１０１によって形成されている。一方、接着パターン３３のうちキャップ７０の第１～第３側壁７１～７３が配置される部分には、低段部１０２が形成されている。低段部１０２は、第２実施形態と同様に、接着パターン３３の幅方向の外側部分に形成されている。接着パターン３３のうちキャップ７０の第１～第３側壁７１～７３が配置される部分における幅方向の内側部分は、高段部１０１が形成されている。
【0160】
・第２実施形態において、低段部１０２の上面は、高段部１０１の上面と同じ面粗度となるように形成されていてもよい。
・第２実施形態において、接着剤１１０は、段差部１０３と接していなくてもよい。
・第２実施形態において、接着剤１１０は、段差部１０３と接していなくてもよい。
【0161】
・第２実施形態において、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６の形状は任意に変更可能である。一例では、図３１に示すように、第４側壁７４の開口端面７６は、開口端面７６の内側部分に設けられた内側端面７７と、開口端面７６の外側部分に設けられ、Ｚ方向において内側端面７７よりも接着パターン１００から離れた外側端面７８と、を含む。開口端面７６は、内側端面７７と外側端面７８との間に設けられた段差部７９を含む。図３１に示す例では、内側端面７７の幅寸法ＷＢ１と外側端面７８の幅寸法ＷＢ２とは互いに等しい。ここで、内側端面７７の幅寸法ＷＢ１は、平面視において内側端面７７が延びる方向と直交する方向の大きさである。外側端面７８の幅寸法ＷＢ２は、平面視において外側端面７８が延びる方向と直交する方向の大きさである。なお、内側端面７７の幅寸法ＷＢ１および外側端面７８の幅寸法ＷＢ２の各々は任意に変更可能である。一例では、内側端面７７の幅寸法ＷＢ１は外側端面７８の幅寸法ＷＢ２よりも大きくてもよい。外側端面７８の幅寸法ＷＢ２は内側端面７７の幅寸法ＷＢ１よりも大きくてもよい。
【0162】
図３１に示す例では、接着パターン１００は、例えば幅方向において厚さが一定となる構成であってもよい。つまり、接着パターン１００から低段部１０２および段差部１０３が省略された構成であってもよい。
【0163】
接着剤１１０は、第２実施形態と同様に薄接着層１１１および厚接着層１１２を含む。薄接着層１１１は、接着パターン１００とキャップ７０の内側端面７７との間に設けられている。一例では、薄接着層１１１は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の内側端面７７の全面にわたり接している。厚接着層１１２は、接着パターン１００とキャップ７０の外側端面７８との間に設けられている。一例では、厚接着層１１２は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の外側端面７８の全面にわたり接している。また、接着剤１１０は、キャップ７０の段差部７９に接している。一例では、接着剤１１０は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の段差部７９の全面にわたり接している。
【0164】
また、別の例では、図３２に示すように、接着パターン１００は、第２実施形態と同様に、高段部１０１、低段部１０２、および段差部１０３を含んでいてもよい。この場合、接着剤１１０の薄接着層１１１は、接着パターン１００の高段部１０１とキャップ７０の内側端面７７との間に設けられている。一例では、薄接着層１１１は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の内側端面７７の全面にわたり接しており、かつ接着パターン１００の高段部１０１の上面の全面にわたり接している。また、接着剤１１０の厚接着層１１２は、接着パターン１００の低段部１０２とキャップ７０の外側端面７８との間に設けられている。一例では、厚接着層１１２は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の外側端面７８の全面にわたり接しており、かつ接着パターン１００の低段部１０２の上面の全面にわたり接している。また、接着剤１１０は、キャップ７０の段差部７９および接着パターン１００の段差部１０３の双方と接している。一例では、接着剤１１０は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の段差部７９の全面にわたり接しており、かつ接着パターン１００の段差部１０３の全面にわたり接している。
【0165】
なお、キャップ７０の開口端面７６の内側端面７７と外側端面７８とのＺ方向の間の距離は任意に変更可能である。一例では、開口端面７６の内側端面７７と外側端面７８とのＺ方向の間の距離は、接着パターン１００の高段部１０１の上面と低段部１０２の上面とのＺ方向の間の距離よりも大きい。別の例では、開口端面７６の内側端面７７と外側端面７８とのＺ方向の間の距離は、接着パターン１００の高段部１０１の上面と低段部１０２の上面とのＺ方向の間の距離よりも小さい。また、図３１および図３２に示すキャップ７０は、第１実施形態に適用してもよい。
【0166】
また、キャップ７０の外側端面７８は、内側端面７７よりも面粗度が大きい粗面となるように形成されていてもよい。この場合、外側端面７８には、粗化処理が施される。粗化処理の一例は、サンドブラスト法、ウェットブラスト等が挙げられる。
【0167】
また、キャップ７０の開口端面７６のうち第４側壁７４の開口端面７６は、Ｚ方向に直交する平坦面によって形成されていてもよい。つまり、キャップ７０のうち端面発光素子６０のレーザ光が通過する側壁の開口端面７６は、Ｚ方向に直交する平坦面によって形成されていてもよい。
【0168】
・第１実施形態において、接着剤９０は、紫外線・熱硬化併用型接着剤に限られず、任意に変更可能である。一例では、接着剤９０は、紫外線硬化型接着剤であってもよい。この場合、接着剤９０を硬化させる工程では、キャップ７０の上壁７５側から接着剤９０に紫外線を照射する。キャップ７０は、紫外線を透過する材料によって形成されている。これにより、キャップ７０を透過した紫外線が接着剤９０に照射されることによって接着剤９０が全体的に硬化する。
【0169】
・第２実施形態において、接着パターン１００を形成する工程は、低段部１０２を形成する工程とは別に、低段部１０２の上面を高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面とする工程を含んでいてもよい。一例では、低段部１０２の上面を高段部１０１の上面よりも面粗度が大きい粗面とする工程では、高段部１０１の上面をマスクしたうえで低段部１０２の上面に対してブラウン処理を施してもよい。これにより、低段部１０２の上面には微細な凹凸が形成される。なお、段差部１０３の側面に、低段部１０２の上面と同様に微細な凹凸が形成されていてもよい。
【0170】
・第２実施形態において、接着パターン１００上に接着剤１１０を塗布する工程では、接着パターン１００の高段部１０１のみに接着剤１１０を塗布してもよいし、接着パターン１００の高段部１０１および低段部１０２の双方に接着剤１１０を塗布してもよい。
【0171】
・各実施形態において、接着パターン３３，１００の幅寸法ＷＡとキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の幅寸法ＷＢとの関係は任意に変更可能である。一例では、接着パターン３３，１００の幅寸法ＷＡは、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の幅寸法ＷＢよりも大きくてもよい。別の例では、接着パターン３３，１００の幅寸法ＷＡは、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の幅寸法ＷＢよりも小さくてもよい。
【0172】
・第２実施形態において、接着剤１１０は、例えば紫外線硬化型接着剤が用いられてもよい。この場合、接着剤１１０を硬化して接着パターン１００にキャップ７０を接着する工程では、キャップ７０の上壁７５側から接着剤１１０に紫外線を照射する。キャップ７０は、紫外線を透過する材料によって形成されている。これにより、キャップ７０を透過した紫外線が接着剤１１０に照射されることによって接着剤１１０が硬化する。
【0173】
・各実施形態において、平面視における接着パターン３３，１００の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における接着パターン３３，１００は、正方枠状であってもよい。一例では、平面視における接着パターン３３，１００は、矩形状に限られず、長円の枠状（トラック形状）、楕円の枠状、および円形の枠状のいずれかであってもよい。
【0174】
・各実施形態では、半導体発光素子として端面発光素子６０が用いられたが、半導体発光素子の構成はこれに限られない。半導体発光素子として、面発光素子が用いられてもよい。面発光素子の一例として、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が用いられてもよい。この場合、キャップ７０は、上壁７５が透光面となるように構成されていてもよい。一方、キャップ７０の第４側壁７４は第１～第３側壁７１～７３と同様に半透明となるように構成されていてもよい。また、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が用いられてもよい。
【0175】
・各実施形態において、キャップ７０は、例えば紫外線を透過しない材料によって形成されていてもよい。一例では、キャップ７０は、例えば金属、セラミック等によって形成されていてもよい。また、キャップ７０は、遮光性の材料によって形成されていてもよい。この場合、キャップ７０は、端面発光素子６０からのレーザ光を通過させる開口部が形成されていてもよい。
【0176】
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
【0177】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に実装される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0178】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0179】
＜付記＞
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0180】
［付記Ａ１］
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に実装された半導体発光素子（６０）と、
前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記キャップ（７０）と前記基板（２０）とを接着する接着剤（９０）と、
を備え、
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記基板（２０）のうち前記接着剤（９０）と重なる位置には基板貫通孔（２７）が設けられており、
前記基板（２０）上に形成され、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む接着パターン（３３）を備え、
前記接着剤（９０）は、前記接着パターン（３３）上に設けられ、前記接着パターン（３３）と前記キャップ（７０）とを接着するものであり、
前記接着パターン（３３）には、前記基板貫通孔（２７）と連通するパターン貫通孔（３４）が形成されており、
前記接着剤（９０）の一部は、前記パターン貫通孔（３４）に入り込んでいる
半導体発光装置（１０）。
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に実装された半導体発光素子（６０）と、
前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記キャップ（７０）と前記基板（２０）とを接着する接着剤（９０）と、
を備え、
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記基板（２０）のうち前記接着剤（９０）と重なる位置には基板貫通孔（２７）が設けられており、
前記基板（２０）上に形成され、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む接着パターン（３３）を備え、
前記接着剤（９０）は、前記接着パターン（３３）上に設けられ、前記接着パターン（３３）と前記キャップ（７０）とを接着するものであり、
前記接着パターン（３３）には、前記基板貫通孔（２７）と連通するパターン貫通孔（３４）が形成されており、
前記接着剤（９０）の一部は、前記パターン貫通孔（３４）に入り込んでいる
半導体発光装置（１０）。
【0181】
［付記Ａ２］
前記接着剤（９０）は、紫外線・熱硬化併用型接着剤、または紫外線硬化型接着剤である
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
前記接着剤（９０）は、紫外線・熱硬化併用型接着剤、または紫外線硬化型接着剤である
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
【0182】
［付記Ａ３］
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（３４）の双方が複数設けられている
付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体発光装置。
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（３４）の双方が複数設けられている
付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体発光装置。
【0183】
［付記Ａ４］
前記基板貫通孔（２７）には、前記接着剤（９０）が入り込んでいる
付記Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記基板貫通孔（２７）には、前記接着剤（９０）が入り込んでいる
付記Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0184】
［付記Ａ５］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記接着パターン（３３）は矩形枠状であり、
前記パターン貫通孔（３４）は、前記接着パターン（３３）の四隅に設けられている
付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記接着パターン（３３）は矩形枠状であり、
前記パターン貫通孔（３４）は、前記接着パターン（３３）の四隅に設けられている
付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0185】
［付記Ａ６］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記接着パターン（３３）は、長手方向および短手方向を有する矩形枠状であり、
前記パターン貫通孔（３４）は、前記接着パターン（３３）の長手方向の中央にさらに設けられている
付記Ａ５に記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記接着パターン（３３）は、長手方向および短手方向を有する矩形枠状であり、
前記パターン貫通孔（３４）は、前記接着パターン（３３）の長手方向の中央にさらに設けられている
付記Ａ５に記載の半導体発光装置。
【0186】
［付記Ａ７］
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む側壁（７１～７４）を含み、
前記接着剤（９０）は、前記側壁（７１～７４）の開口端面（７６）と前記接着パターン（３３）とに接した状態で前記接着パターン（３３）と前記キャップ（７０）とを接着している
付記Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む側壁（７１～７４）を含み、
前記接着剤（９０）は、前記側壁（７１～７４）の開口端面（７６）と前記接着パターン（３３）とに接した状態で前記接着パターン（３３）と前記キャップ（７０）とを接着している
付記Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0187】
［付記Ａ８］
前記半導体発光素子は、端面発光素子（６０）であり、
前記キャップ（７０）は、箱状に形成されており、
前記端面発光素子（６０）からの光は、前記キャップ（７０）の側壁（７１～７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射される
付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子は、端面発光素子（６０）であり、
前記キャップ（７０）は、箱状に形成されており、
前記端面発光素子（６０）からの光は、前記キャップ（７０）の側壁（７１～７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射される
付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0188】
［付記Ａ９］
前記接着剤（９０）は、前記基板貫通孔（２７）内の全体にわたり充填されているとともに前記基板（２０）の基板裏面（２２）側から突出して前記基板裏面（２２）の前記基板貫通孔（２７）の周縁に形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記接着剤（９０）は、前記基板貫通孔（２７）内の全体にわたり充填されているとともに前記基板（２０）の基板裏面（２２）側から突出して前記基板裏面（２２）の前記基板貫通孔（２７）の周縁に形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0189】
［付記Ａ１０］
前記接着剤（９０）は、前記基板貫通孔（２７）に充填されており、前記基板（２０）の基板裏面（２２）側から突出していない
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記接着剤（９０）は、前記基板貫通孔（２７）に充填されており、前記基板（２０）の基板裏面（２２）側から突出していない
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0190】
［付記Ａ１１］
前記キャップ（７０）は、樹脂、ガラス、金属、セラミックのうちいずれかによって形成されている
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、樹脂、ガラス、金属、セラミックのうちいずれかによって形成されている
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0191】
［付記Ａ１２］
基板表面（２１）および前記基板表面（２１）とは反対側の基板裏面（２２）を有し、前記基板表面（２１）に枠状の接着パターン（３３）が形成され、前記接着パターン（３３）にパターン貫通孔（３４）が形成され、前記パターン貫通孔（３４）に連通する基板貫通孔（２７）が形成された基板（２０）を用意する工程と、
前記基板（２０）上において前記接着パターン（３３）の枠内に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記接着パターン（３３）に接着剤（９０）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記接着剤（９０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
を含み、
前記接着パターン（３３）に前記接着剤（９０）を塗布する工程では、前記パターン貫通孔（３４）に入り込むように前記接着剤（９０）を前記接着パターン（３４）に塗布する
半導体発光装置（１０）の製造方法。
基板表面（２１）および前記基板表面（２１）とは反対側の基板裏面（２２）を有し、前記基板表面（２１）に枠状の接着パターン（３３）が形成され、前記接着パターン（３３）にパターン貫通孔（３４）が形成され、前記パターン貫通孔（３４）に連通する基板貫通孔（２７）が形成された基板（２０）を用意する工程と、
前記基板（２０）上において前記接着パターン（３３）の枠内に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記接着パターン（３３）に接着剤（９０）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記接着剤（９０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
を含み、
前記接着パターン（３３）に前記接着剤（９０）を塗布する工程では、前記パターン貫通孔（３４）に入り込むように前記接着剤（９０）を前記接着パターン（３４）に塗布する
半導体発光装置（１０）の製造方法。
【0192】
［付記Ａ１３］
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に紫外線を照射することによって、前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程と、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程と、
をさらに含む
付記Ａ１２に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に紫外線を照射することによって、前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程と、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程と、
をさらに含む
付記Ａ１２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0193】
［付記Ａ１４］
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（３４）は複数設けられており、
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程では、複数の前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に対して前記紫外線を同時に照射する
付記Ａ１３に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（３４）は複数設けられており、
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程では、複数の前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に対して前記紫外線を同時に照射する
付記Ａ１３に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0194】
［付記Ａ１５］
前記紫外線は、前記基板裏面（２２）側から照射する
付記Ａ１３またはＡ１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記紫外線は、前記基板裏面（２２）側から照射する
付記Ａ１３またはＡ１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0195】
［付記Ａ１６］
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記接着剤（９０）を熱硬化させる
付記Ａ１３～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記接着剤（９０）を熱硬化させる
付記Ａ１３～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0196】
［付記Ａ１７］
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記キャップ（７０）側から紫外線を照射することによって前記接着剤（９０）を硬化させる
付記Ａ１３～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記キャップ（７０）側から紫外線を照射することによって前記接着剤（９０）を硬化させる
付記Ａ１３～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0197】
［付記Ａ１８］
前記接着パターン（３３）に前記接着剤（９０）を塗布する工程では、前記パターン貫通孔（３４）を介して前記基板貫通孔（２７）に入り込むように前記接着パターン（３３）に前記接着剤（９０）を塗布する
付記Ａ１２～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（３３）に前記接着剤（９０）を塗布する工程では、前記パターン貫通孔（３４）を介して前記基板貫通孔（２７）に入り込むように前記接着パターン（３３）に前記接着剤（９０）を塗布する
付記Ａ１２～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0198】
［付記Ａ１９］
基板表面（２１）および前記基板表面（２１）とは反対側の基板裏面（２２）を有し、前記基板表面（２１）に枠状の接着パターン（３３）が形成され、前記接着パターン（３３）にパターン貫通孔（３４）が形成され、前記パターン貫通孔（３４）に連通する基板貫通孔（２７）が前記基板（２０）に形成された基板（２０）を用意する工程と、
前記基板（２０）上において前記接着パターン（３３）の枠内に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記接着パターン（３３）に接着剤（９０）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記接着剤（９０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に紫外線を照射することによって、前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程と、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程と、
を含む、半導体発光装置（１０）の製造方法。
基板表面（２１）および前記基板表面（２１）とは反対側の基板裏面（２２）を有し、前記基板表面（２１）に枠状の接着パターン（３３）が形成され、前記接着パターン（３３）にパターン貫通孔（３４）が形成され、前記パターン貫通孔（３４）に連通する基板貫通孔（２７）が前記基板（２０）に形成された基板（２０）を用意する工程と、
前記基板（２０）上において前記接着パターン（３３）の枠内に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記接着パターン（３３）に接着剤（９０）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記接着剤（９０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に紫外線を照射することによって、前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程と、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程と、
を含む、半導体発光装置（１０）の製造方法。
【0199】
［付記Ａ１９が解決しようとする課題］
接着剤によって接着パターンとキャップとを接着する場合、接着剤の硬化にともない接着パターンに対してキャップの開口端面が平行ではなく、基板の厚さ方向に直交する方向に対して傾いた状態で接着される場合がある。
接着剤によって接着パターンとキャップとを接着する場合、接着剤の硬化にともない接着パターンに対してキャップの開口端面が平行ではなく、基板の厚さ方向に直交する方向に対して傾いた状態で接着される場合がある。
【0200】
［付記Ａ１９の効果］
本開示の半導体発光装置の製造方法によれば、接着剤の硬化にともない接着パターンに対してキャップの開口端面が平行ではなく、基板の厚さ方向に直交する方向に対して傾いた状態で接着されることを抑制できる。
本開示の半導体発光装置の製造方法によれば、接着剤の硬化にともない接着パターンに対してキャップの開口端面が平行ではなく、基板の厚さ方向に直交する方向に対して傾いた状態で接着されることを抑制できる。
【0201】
［付記Ａ２０］
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（３３）は複数設けられており、
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程では、複数の前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に対して前記紫外線を同時に照射する
付記Ａ１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（３３）は複数設けられており、
前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）を硬化させる工程では、複数の前記基板貫通孔（２７）から露出する前記接着剤（９０）に対して前記紫外線を同時に照射する
付記Ａ１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0202】
［付記Ａ２１］
前記紫外線は、前記基板裏面（２２）側から照射する
付記Ａ１９またはＡ２０に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記紫外線は、前記基板裏面（２２）側から照射する
付記Ａ１９またはＡ２０に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0203】
［付記Ａ２２］
前記接着剤（９０）は、紫外線・熱硬化併用型接着剤が用いられ、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記接着剤（９０）を熱硬化させる
付記Ａ１９～Ａ２１のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着剤（９０）は、紫外線・熱硬化併用型接着剤が用いられ、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記接着剤（９０）を熱硬化させる
付記Ａ１９～Ａ２１のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0204】
［付記Ａ２３］
前記接着剤（９０）は、紫外線硬化型接着剤が用いられ、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記キャップ（７０）側から紫外線を照射することによって前記接着剤（９０）を硬化させる
付記Ａ１９～Ａ２１のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着剤（９０）は、紫外線硬化型接着剤が用いられ、
前記接着剤（９０）の全体を硬化させる工程では、前記キャップ（７０）側から紫外線を照射することによって前記接着剤（９０）を硬化させる
付記Ａ１９～Ａ２１のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0205】
［付記Ｂ１］
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に実装された半導体発光素子（６０）と、
前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状に形成された接着パターン（１００）と、
前記キャップ（７０）と前記接着パターン（１００）とを接着している接着剤（１１０）と、
を備え、
前記接着剤（１１０）は、
前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた薄接着層（１１１）と、
前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記薄接着層（１１１）よりも厚さが厚い厚接着層（１１２）と、
を含む
半導体発光装置（１０）。
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に実装された半導体発光素子（６０）と、
前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状に形成された接着パターン（１００）と、
前記キャップ（７０）と前記接着パターン（１００）とを接着している接着剤（１１０）と、
を備え、
前記接着剤（１１０）は、
前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた薄接着層（１１１）と、
前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記薄接着層（１１１）よりも厚さが厚い厚接着層（１１２）と、
を含む
半導体発光装置（１０）。
【0206】
［付記Ｂ２］
前記接着パターン（１００）は、
前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた高段部（１０１）と、
前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記高段部（１０１）よりも厚さが薄い低段部（１０２）と、
を含み、
前記薄接着層（１１１）は、前記高段部（１０１）と前記キャップ（７０）との間に設けられ、
前記厚接着層（１１２）は、前記低段部（１０２）と前記キャップ（７０）との間に設けられている
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（１００）は、
前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた高段部（１０１）と、
前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記高段部（１０１）よりも厚さが薄い低段部（１０２）と、
を含み、
前記薄接着層（１１１）は、前記高段部（１０１）と前記キャップ（７０）との間に設けられ、
前記厚接着層（１１２）は、前記低段部（１０２）と前記キャップ（７０）との間に設けられている
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
【0207】
［付記Ｂ３］
前記接着パターン（１００）は、前記低段部（１０２）と前記高段部（１０１）との間に設けられた段差部（１０３）を含み、
前記接着剤（１１０）は、前記段差部（１０３）に接している
付記Ｂ２に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（１００）は、前記低段部（１０２）と前記高段部（１０１）との間に設けられた段差部（１０３）を含み、
前記接着剤（１１０）は、前記段差部（１０３）に接している
付記Ｂ２に記載の半導体発光装置。
【0208】
［付記Ｂ４］
前記低段部（１０２）は、前記接着パターン（１００）の全周にわたり形成されている
付記Ｂ２またはＢ３に記載の半導体発光装置。
前記低段部（１０２）は、前記接着パターン（１００）の全周にわたり形成されている
付記Ｂ２またはＢ３に記載の半導体発光装置。
【0209】
［付記Ｂ５］
前記低段部（１０２）の上面は、前記高段部（１０１）の上面よりも面粗度が大きい粗面である
付記Ｂ２～Ｂ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記低段部（１０２）の上面は、前記高段部（１０１）の上面よりも面粗度が大きい粗面である
付記Ｂ２～Ｂ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0210】
［付記Ｂ６］
前記低段部（１０２）の幅寸法（ＷＡ２）は、前記高段部（１０１）の幅寸法（ＷＡ１）と等しい
付記Ｂ２～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記低段部（１０２）の幅寸法（ＷＡ２）は、前記高段部（１０１）の幅寸法（ＷＡ１）と等しい
付記Ｂ２～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0211】
［付記Ｂ７］
前記低段部（１０２）の幅寸法（ＷＡ２）は、前記高段部（１０１）の幅寸法（ＷＡ１）よりも大きい
付記Ｂ２～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記低段部（１０２）の幅寸法（ＷＡ２）は、前記高段部（１０１）の幅寸法（ＷＡ１）よりも大きい
付記Ｂ２～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0212】
［付記Ｂ８］
前記低段部（１０２）の幅寸法（ＷＡ２）は、前記高段部（１０１）の幅寸法（ＷＡ１）よりも小さい
付記Ｂ２～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記低段部（１０２）の幅寸法（ＷＡ２）は、前記高段部（１０１）の幅寸法（ＷＡ１）よりも小さい
付記Ｂ２～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0213】
［付記Ｂ９］
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）に向けて開口した箱状であって、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記薄接着層（１１１）および前記厚接着層（１１２）の双方は、前記側壁（７１～７４）の開口端面（７６）と接している
付記Ｂ１～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）に向けて開口した箱状であって、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記薄接着層（１１１）および前記厚接着層（１１２）の双方は、前記側壁（７１～７４）の開口端面（７６）と接している
付記Ｂ１～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0214】
［付記Ｂ１０］
前記開口端面（７６）は、平坦面である
付記Ｂ９に記載の半導体発光装置。
前記開口端面（７６）は、平坦面である
付記Ｂ９に記載の半導体発光装置。
【0215】
［付記Ｂ１１］
前記キャップ（７０）の前記側壁（７１～７４）の幅寸法（ＷＢ）は、前記接着パターン（１００）の幅寸法（ＷＡ）と等しい
付記Ｂ９またはＢ１０に記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）の前記側壁（７１～７４）の幅寸法（ＷＢ）は、前記接着パターン（１００）の幅寸法（ＷＡ）と等しい
付記Ｂ９またはＢ１０に記載の半導体発光装置。
【0216】
［付記Ｂ１２］
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップ（７０）の前記側壁（７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射されるように構成された端面発光素子（６０）である
付記Ｂ９～Ｂ１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップ（７０）の前記側壁（７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射されるように構成された端面発光素子（６０）である
付記Ｂ９～Ｂ１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0217】
［付記Ｂ１３］
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）に向けて開口した箱状であって、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップ（７０）の前記側壁（７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射されるように構成された端面発光素子（６０）であり、
前記薄接着層（１１１）および前記厚接着層（１１２）の双方は、前記側壁（７１～７４）の開口端面（７６）と接しており、
前記接着パターン（１００）のうち前記端面発光素子（６０）に対して前記端面発光素子（６０）の出射方向に設けられた部分は、前記低段部（１０２）が設けられず、前記高段部（１０１）で構成されている
付記Ｂ２～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）に向けて開口した箱状であって、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記キャップ（７０）の前記側壁（７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射されるように構成された端面発光素子（６０）であり、
前記薄接着層（１１１）および前記厚接着層（１１２）の双方は、前記側壁（７１～７４）の開口端面（７６）と接しており、
前記接着パターン（１００）のうち前記端面発光素子（６０）に対して前記端面発光素子（６０）の出射方向に設けられた部分は、前記低段部（１０２）が設けられず、前記高段部（１０１）で構成されている
付記Ｂ２～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0218】
［付記Ｂ１４］
基板（２０）上に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記基板（２０）に設けられ、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の接着パターン（１００）上に接着剤（１１０）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記接着剤（１１０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記接着剤（１１０）を硬化して前記接着パターン（１００）に前記キャップ（７０）を接着する工程と、
を含み、
前記キャップ（７０）を前記接着剤（１１０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程では、前記キャップ（７０）と前記接着パターン（１００）との間に、前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた薄接着層（１１１）と、前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記薄接着層（１１１）よりも厚さが厚い厚接着層（１１２）と、を含む前記接着剤（１１０）を形成する
半導体発光装置（１０）の製造方法。
基板（２０）上に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記基板（２０）に設けられ、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の接着パターン（１００）上に接着剤（１１０）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記接着剤（１１０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記接着剤（１１０）を硬化して前記接着パターン（１００）に前記キャップ（７０）を接着する工程と、
を含み、
前記キャップ（７０）を前記接着剤（１１０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程では、前記キャップ（７０）と前記接着パターン（１００）との間に、前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた薄接着層（１１１）と、前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記薄接着層（１１１）よりも厚さが厚い厚接着層（１１２）と、を含む前記接着剤（１１０）を形成する
半導体発光装置（１０）の製造方法。
【0219】
［付記Ｂ１５］
前記接着パターン（１００）を形成する工程は、
厚さが一定であり、かつ枠状のパターン層（１０５）を形成する工程と、
前記パターン層（１０５）の前記外側部分を前記パターン層（１０５）の前記内側部分よりも薄くすることによって前記接着パターン（１００）を形成する工程と、
を含む
付記Ｂ１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（１００）を形成する工程は、
厚さが一定であり、かつ枠状のパターン層（１０５）を形成する工程と、
前記パターン層（１０５）の前記外側部分を前記パターン層（１０５）の前記内側部分よりも薄くすることによって前記接着パターン（１００）を形成する工程と、
を含む
付記Ｂ１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0220】
［付記Ｂ１６］
前記接着パターン（１００）は、前記パターン層（１０５）の前記内側部分を構成する高段部（１０１）と、前記パターン層（１０５）の前記内側部分よりも薄い前記パターン層（１０５）の前記外側部分を構成する低段部（１０２）と、を含み、
前記接着パターン（１００）上に接着剤（１１０）を塗布する工程では、前記接着剤（１１０）を前記高段部（１０１）には塗布せずに前記低段部（１０２）に塗布する
付記Ｂ１５に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（１００）は、前記パターン層（１０５）の前記内側部分を構成する高段部（１０１）と、前記パターン層（１０５）の前記内側部分よりも薄い前記パターン層（１０５）の前記外側部分を構成する低段部（１０２）と、を含み、
前記接着パターン（１００）上に接着剤（１１０）を塗布する工程では、前記接着剤（１１０）を前記高段部（１０１）には塗布せずに前記低段部（１０２）に塗布する
付記Ｂ１５に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0221】
［付記Ｂ１７］
前記接着パターン（１００）を形成する工程は、前記低段部（１０２）の上面を前記高段部（１０１）の上面よりも面粗度が大きい粗面とする工程を含む
付記Ｂ１６に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（１００）を形成する工程は、前記低段部（１０２）の上面を前記高段部（１０１）の上面よりも面粗度が大きい粗面とする工程を含む
付記Ｂ１６に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0222】
［付記Ｂ１８］
前記接着パターン（１００）を形成する工程では、レーザ照射またはエッチングによって前記パターン層（１０５）の前記外側部分を薄くすることによって前記高段部（１０１）と前記低段部（１０２）とを形成する
付記Ｂ１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（１００）を形成する工程では、レーザ照射またはエッチングによって前記パターン層（１０５）の前記外側部分を薄くすることによって前記高段部（１０１）と前記低段部（１０２）とを形成する
付記Ｂ１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0223】
［付記Ｂ１９］
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）に向けて開口した箱状であって、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記側壁（７１～７４）は、開口端面（７６）を有し、
前記開口端面（７６）は、
前記開口端面（７６）の内側部分に設けられた内側端面（７７）と、
前記開口端面（７６）の外側部分に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記内側端面（７７）よりも前記接着パターン（１００）から離れた外側端面（７８）と、
を含み、
前記薄接着層（１１１）は、前記接着パターン（１００）と前記内側端面（７７）との間に設けられ、
前記厚接着層（１１２）は、前記接着パターン（１００）と前記外側端面（７８）との間に設けられている
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、前記基板（２０）に向けて開口した箱状であって、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記側壁（７１～７４）は、開口端面（７６）を有し、
前記開口端面（７６）は、
前記開口端面（７６）の内側部分に設けられた内側端面（７７）と、
前記開口端面（７６）の外側部分に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記内側端面（７７）よりも前記接着パターン（１００）から離れた外側端面（７８）と、
を含み、
前記薄接着層（１１１）は、前記接着パターン（１００）と前記内側端面（７７）との間に設けられ、
前記厚接着層（１１２）は、前記接着パターン（１００）と前記外側端面（７８）との間に設けられている
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
【0224】
［付記Ｂ２０］
前記接着パターン（１００）は、
前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた高段部（１０１）と、
前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記高段部（１０１）よりも厚さが薄い低段部（１０２）と、
を含み、
前記薄接着層（１１１）は、前記高段部（１０１）と前記内側端面（７７）との間に設けられ、
前記厚接着層（１１２）は、前記低段部（１０２）と前記外側端面（７８）との間に設けられている
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（１００）は、
前記接着パターン（１００）の内側部分に設けられた高段部（１０１）と、
前記接着パターン（１００）の外側部分に設けられ、前記高段部（１０１）よりも厚さが薄い低段部（１０２）と、
を含み、
前記薄接着層（１１１）は、前記高段部（１０１）と前記内側端面（７７）との間に設けられ、
前記厚接着層（１１２）は、前記低段部（１０２）と前記外側端面（７８）との間に設けられている
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
【0225】
［付記Ｂ２１］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記基板（２０）のうち前記接着剤（１１０）と重なる位置には基板貫通孔（２７）が設けられており、
前記接着パターン（１００）には、前記基板貫通孔（２７）と連通するパターン貫通孔（１０４）が形成されており、
前記接着剤（１１０）の一部は、前記パターン貫通孔（１０４）に入り込んでいる
付記Ｂ２０に記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記基板（２０）のうち前記接着剤（１１０）と重なる位置には基板貫通孔（２７）が設けられており、
前記接着パターン（１００）には、前記基板貫通孔（２７）と連通するパターン貫通孔（１０４）が形成されており、
前記接着剤（１１０）の一部は、前記パターン貫通孔（１０４）に入り込んでいる
付記Ｂ２０に記載の半導体発光装置。
【0226】
［付記Ｂ２２］
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（１０４）の双方が複数設けられている
付記Ｂ２１に記載の半導体発光装置。
前記基板貫通孔（２７）および前記パターン貫通孔（１０４）の双方が複数設けられている
付記Ｂ２１に記載の半導体発光装置。
【0227】
［付記Ｂ２３］
前記基板貫通孔（２７）には、前記接着剤（１００）が入り込んでいる
付記Ｂ２１またはＢ２２に記載の半導体発光装置。
前記基板貫通孔（２７）には、前記接着剤（１００）が入り込んでいる
付記Ｂ２１またはＢ２２に記載の半導体発光装置。
【0228】
［付記Ｂ２４］
前記キャップ（７０）は、樹脂、ガラス、金属、およびセラミックのいずれかによって形成されている
付記Ｂ１～Ｂ１３、およびＢ１９～Ｂ２３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、樹脂、ガラス、金属、およびセラミックのいずれかによって形成されている
付記Ｂ１～Ｂ１３、およびＢ１９～Ｂ２３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0229】
［付記Ｂ２５］
前記接着剤（１１０）は、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤である
付記Ｂ１～Ｂ１３、およびＢ１９～Ｂ２４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記接着剤（１１０）は、熱硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤である
付記Ｂ１～Ｂ１３、およびＢ１９～Ｂ２４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0230】
［付記Ｂ２６］
前記キャップ（７０）を前記接着剤（１１０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程では、前記低段部（１０２）に塗布した前記接着剤（１１０）上を、前記キャップ（７０）によって前記高段部（１０１）上に移動させることによって前記薄接着層（１１１）を形成する
付記Ｂ１４～Ｂ１８のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記キャップ（７０）を前記接着剤（１１０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程では、前記低段部（１０２）に塗布した前記接着剤（１１０）上を、前記キャップ（７０）によって前記高段部（１０１）上に移動させることによって前記薄接着層（１１１）を形成する
付記Ｂ１４～Ｂ１８のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0231】
［付記Ｂ２７］
前記接着剤（１１０）は、熱硬化型接着剤が用いられ、
前記接着剤（１１０）を硬化して前記接着パターン（１００）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記接着剤（１１０）を熱硬化させる
付記Ｂ１４～Ｂ１８、Ｂ２６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着剤（１１０）は、熱硬化型接着剤が用いられ、
前記接着剤（１１０）を硬化して前記接着パターン（１００）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記接着剤（１１０）を熱硬化させる
付記Ｂ１４～Ｂ１８、Ｂ２６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0232】
［付記Ｂ２８］
前記接着剤（１１０）は、紫外線硬化型接着剤が用いられ、
前記接着剤（１１０）を硬化して前記接着パターン（１００）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記キャップ（７０）側から紫外線を照射することによって前記接着剤（１１０）を硬化させる
付記Ｂ１４～Ｂ１８、Ｂ２６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着剤（１１０）は、紫外線硬化型接着剤が用いられ、
前記接着剤（１１０）を硬化して前記接着パターン（１００）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記キャップ（７０）側から紫外線を照射することによって前記接着剤（１１０）を硬化させる
付記Ｂ１４～Ｂ１８、Ｂ２６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0233】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0234】
１０…半導体発光装置
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
２７…基板貫通孔
３０…表面電極
３１…素子表面電極
３２…ワイヤ接続電極
３３…接着パターン
３３Ａ…裏面
３４…パターン貫通孔
３５…レジストパターン
４０…裏面電極
４１…素子裏面電極
４２…ワイヤ裏面電極
５０…貫通配線
５１…素子用貫通配線
５２…ワイヤ用貫通配線
６０…端面発光素子
６１…素子表面
６２…素子裏面
６３…素子電極
６４…裏面電極
６５…発光部
７０…キャップ
７１～７４…第１～第４封止側壁
７５…上壁
７６…開口端面
７７…内側端面
７８…外側端面
７９…段差部
８０…サブマウント基板
８１…表面
８２…裏面
８３…貫通配線
９０…接着剤
９１…表面接着部
９１Ａ…重なり部
９２…パターン接着部
９３…基板接着部
９４…部分硬化部
９５…突出部
１００…接着パターン
１０１…高段部
１０２…低段部
１０３…段差部
１０４…パターン貫通孔
１０５…パターン層
１１０…接着剤
１１１…薄接着層
１１２…厚接着層
１１３…表面接着部
１１４…パターン接着部
１１５…基板接着部
Ｓ…密閉空間
Ｗ…ワイヤ
ＷＡ…接着パターンの幅寸法
ＷＡ１…高段部の幅寸法
ＷＡ２…低段部の幅寸法
ＷＢ…キャップの第１～第４側壁の幅寸法
ＷＢ１…キャップの内側部分の幅寸法
ＷＢ２…キャップの外側部分の幅寸法
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
２７…基板貫通孔
３０…表面電極
３１…素子表面電極
３２…ワイヤ接続電極
３３…接着パターン
３３Ａ…裏面
３４…パターン貫通孔
３５…レジストパターン
４０…裏面電極
４１…素子裏面電極
４２…ワイヤ裏面電極
５０…貫通配線
５１…素子用貫通配線
５２…ワイヤ用貫通配線
６０…端面発光素子
６１…素子表面
６２…素子裏面
６３…素子電極
６４…裏面電極
６５…発光部
７０…キャップ
７１～７４…第１～第４封止側壁
７５…上壁
７６…開口端面
７７…内側端面
７８…外側端面
７９…段差部
８０…サブマウント基板
８１…表面
８２…裏面
８３…貫通配線
９０…接着剤
９１…表面接着部
９１Ａ…重なり部
９２…パターン接着部
９３…基板接着部
９４…部分硬化部
９５…突出部
１００…接着パターン
１０１…高段部
１０２…低段部
１０３…段差部
１０４…パターン貫通孔
１０５…パターン層
１１０…接着剤
１１１…薄接着層
１１２…厚接着層
１１３…表面接着部
１１４…パターン接着部
１１５…基板接着部
Ｓ…密閉空間
Ｗ…ワイヤ
ＷＡ…接着パターンの幅寸法
ＷＡ１…高段部の幅寸法
ＷＡ２…低段部の幅寸法
ＷＢ…キャップの第１～第４側壁の幅寸法
ＷＢ１…キャップの内側部分の幅寸法
ＷＢ２…キャップの外側部分の幅寸法
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】