(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024137176
(43)【公開日】2024-10-07
(54)【発明の名称】分析装置、分析方法および分析プログラム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20240927BHJP
G05B 23/02 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 R
G05B23/02 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023048591
(22)【出願日】2023-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 義徳
【テーマコード（参考）】
3C223
5F043
【Ｆターム（参考）】
3C223AA13
3C223BA03
3C223CC02
3C223DD03
3C223EB01
3C223EB02
3C223FF04
3C223FF05
3C223FF13
3C223FF16
3C223FF41
3C223GG01
3C223HH02
5F043DD13
5F043DD27
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE23
5F043EE29
(57)【要約】
【課題】 任意の時点における基板処理装置の状態を分析することを可能にする。
【解決手段】 分析装置は、基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得部１１０と、データ取得部１１０によって取得された処理条件と処理結果とに基づき、処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部１３０と、パラメータ更新部１３０で更新されたパラメータに基づき、基板処理装置の状態を分析する分析部２２０と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】 分析装置は、基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得部１１０と、データ取得部１１０によって取得された処理条件と処理結果とに基づき、処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部１３０と、パラメータ更新部１３０で更新されたパラメータに基づき、基板処理装置の状態を分析する分析部２２０と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得部と、
前記データ取得部によって取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部と、
前記パラメータ更新部で更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析部と、を備えた分析装置。
前記データ取得部によって取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部と、
前記パラメータ更新部で更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析部と、を備えた分析装置。
【請求項2】
前記分析部は、前記回帰式の前記パラメータの経時変化量に基づいて、前記基板処理装置の状態を分析する、請求項１に記載の分析装置。
【請求項3】
前記基板処理装置は、前記処理の一部を実行する処理実行部材と、
前記処理実行部材の動作を予め設定された設定操作量に従って制御する駆動制御部材と、を有し、
前記分析装置は、
前記パラメータ更新部により更新された前記回帰式の前記パラメータに基づき、前記操作量を決定する操作量決定部を、さらに備えた、請求項１に記載の分析装置。
前記処理実行部材の動作を予め設定された設定操作量に従って制御する駆動制御部材と、を有し、
前記分析装置は、
前記パラメータ更新部により更新された前記回帰式の前記パラメータに基づき、前記操作量を決定する操作量決定部を、さらに備えた、請求項１に記載の分析装置。
【請求項4】
前記分析部による分析結果は、前記基板処理装置の状態の経時変化量の検出結果を含み、
前記操作量決定部は、前記経時変化量が所定のしきい値以上である場合に、前記操作量を決定する、請求項３に記載の分析装置。
前記操作量決定部は、前記経時変化量が所定のしきい値以上である場合に、前記操作量を決定する、請求項３に記載の分析装置。
【請求項5】
前記操作量決定部は、前記操作量を決定することに応じて、前記基板処理装置に設定されている前記設定操作量を前記操作量で更新する、請求項３に記載の分析装置。
【請求項6】
前記基板処理装置は複数あり、
前記分析部は、複数の前記基板処理装置ごとに前記基板処理装置の状態を分析する、請求項１に記載の分析装置。
前記分析部は、複数の前記基板処理装置ごとに前記基板処理装置の状態を分析する、請求項１に記載の分析装置。
【請求項7】
前記基板処理装置は複数あり、
前記分析部は、複数の前記基板処理装置間で状態を分析する、請求項１に記載の分析装置。
前記分析部は、複数の前記基板処理装置間で状態を分析する、請求項１に記載の分析装置。
【請求項8】
前記分析部で分析された前記基板処理装置の状態を通知する通知部を、さらに備えた、請求項１に記載の分析装置。
【請求項9】
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、を備える、分析方法。
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、を備える、分析方法。
【請求項10】
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、をコンピューターに実行させる分析プログラム。
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、をコンピューターに実行させる分析プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置の状態を分析する分析装置、その分析装置で実行される分析方法およびその分析方法をコンピューターに実行させる分析プログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造プロセスにおいて、洗浄プロセスがある。洗浄プロセスでは、基板に薬液を供給するエッチング処理によって、基板に形成されている被膜の膜厚調整が行なわれる。この膜厚調整においては、基板の面が均一となるようにエッチング処理すること、あるいは、基板の面をエッチング処理によって平坦にすることが重要である。エッチング液をノズルから基板の一部に吐出する場合、ノズルを基板に対して径方向に移動させる必要がある。
【0003】
特許文献１には、エッチングノズルから基板にエッチング液を吐出することにより、基板をエッチング処理する液処理装置が記載されている。特許文献１には、基板の中央領域のエッチング処理を行いつつ、ウエハの面内温度分布を均一にするために、吐出されたエッチング液がウエハの中心を通る中央側の第１位置と、この中央側の位置よりもウエハの周縁側の第２位置との間でエッチングノズルを繰り返し往復させながらエッチング液を吐出する例が記載される。
【0004】
エッチング処理は、被膜が処理される処理量がノズルを移動させる動作の他に、エッチング液の濃度、温度、基板の回転数等の処理条件の違いによって変化する複雑なプロセスである。このため、被膜の処理に適した処理条件を設定する作業が困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１５－１０３６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
さらに、基板処理装置の部品等の経年劣化ならびに基板処理装置間の機差がある。そのため、基板処理装置を管理する作業者は、基板処理装置に処理を実行させた後に得られる処理結果に基づいて、基板処理装置の部品を駆動するために設定されている操作量をチューニングする。この操作量をチューニングする作業は、経時変化する基板処理装置の状態を正確に把握して行う必要があり、熟練を要する。そのため、未熟者によるチューニング作業においては、ヒューマンエラーによる基板処理装置の調整不良が発生するといった問題があった。
【0007】
本発明の目的の１つは、経時変化する基板処理装置の任意の時点における状態を検出することが可能な分析装置を提供することである。この発明の他の目的は、経時変化する基板処理装置の任意の時点における状態を検出することが可能な分析方法を提供することである。この発明のさらに他の目的は、経時変化する基板処理装置の任意の時点における状態を検出することが可能な分析プログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一局面に従う分析装置は、基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得部と、データ取得部によって取得された処理条件と処理結果とに基づき、処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部と、パラメータ更新部で更新されたパラメータに基づき、基板処理装置の状態を分析する分析部と、を備える。
【0009】
本発明の他の局面に従う分析方法は、基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、データ取得ステップにおいて取得された処理条件と処理結果とに基づき、処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、パラメータ更新ステップにおいて更新されたパラメータに基づき、基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、を備える。
【0010】
本発明のさらに他の局面に従う分析プログラムは、基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、データ取得ステップにおいて取得された処理条件と処理結果とに基づき、処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、パラメータ更新ステップにおいて更新されたパラメータに基づき、基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、をコンピューターに実行させる。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、任意の時点における基板処理装置の状態を分析することを可能な分析装置、分析方法および分析プログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの構成を説明するための図である。
【図2】分析装置の構成の一例を示す図である。
【図3】一実施の形態に係る基板処理システムの機能的な構成の一例を示す図である。
【図4】処理結果を説明するための図である。
【図5】パラメータ履歴データの一例を示す概念図である。
【図6】分析処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図7】処理条件決定処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図8】装置設定変更処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムについて図面を参照しながら詳細に説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（半導体ウェハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。
【0014】
（１）基板処理システムの全体構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの構成を説明するための図である。図１の基板処理システム１は、分析装置１００および基板処理装置３００を含む。分析装置１００は、例えばパーソナルコンピューターである。
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの構成を説明するための図である。図１の基板処理システム１は、分析装置１００および基板処理装置３００を含む。分析装置１００は、例えばパーソナルコンピューターである。
【0015】
分析装置１００は、基板処理装置３００を管理するために用いられる。なお、分析装置１００が管理する基板処理装置３００は、１台に限定されるものではなく、基板処理装置３００の複数を管理してもよい。
【0016】
本実施の形態に係る基板処理システム１において、分析装置１００および基板処理装置３００は、互いに有線または無線の通信線または通信回線網により接続される。分析装置１００および基板処理装置３００は、それぞれがネットワークに接続され、互いにデータの送受信が可能である。ネットワークは、例えば、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）またはワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）が用いられる。また、ネットワークは、インターネットであってもよい。また、分析装置１００と基板処理装置３００とは、専用の通信回線網で接続されてもよい。ネットワークの接続形態は、有線接続であってもよいし、無線接続であってもよい。
【0017】
基板処理装置３００には、図示しない表示装置、音声出力装置および操作部が設けられる。基板処理装置３００は、基板処理装置３００の予め定められた処理条件（処理レシピ）に従って運転される。
【0018】
（２）基板処理装置の概要
基板処理装置３００は、制御装置１０と、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４を備える。本実施の形態においては、基板処理装置３００が４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４を備える例が記載されるが、この数に限定されるものではない。基板処理装置３００においては、１以上の基板処理ユニットが含まれていてもよい。制御装置１０は、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４を制御する。複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４は、被膜が形成された基板Ｗに処理液を供給することにより基板Ｗの被膜の処理を行う。複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４が有する部材および機能は同じである。従って、以下の説明では、特に言及しない限り基板処理ユニットＷＵ１を例に説明する。
基板処理装置３００は、制御装置１０と、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４を備える。本実施の形態においては、基板処理装置３００が４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４を備える例が記載されるが、この数に限定されるものではない。基板処理装置３００においては、１以上の基板処理ユニットが含まれていてもよい。制御装置１０は、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４を制御する。複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４は、被膜が形成された基板Ｗに処理液を供給することにより基板Ｗの被膜の処理を行う。複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４が有する部材および機能は同じである。従って、以下の説明では、特に言及しない限り基板処理ユニットＷＵ１を例に説明する。
【0019】
本実施の形態において、処理対象の基板Ｗは、直径３００ｍｍを有するが、本発明は、これに限定されるものではない。処理液はエッチング液を含み、基板処理ユニットＷＵはエッチング処理を実行する。エッチング液は、薬液である。エッチング液は、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、または、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）である。
【0020】
基板処理ユニットＷＵ１は、スピンチャックＳＣと、スピンモータＳＭと、表面ノズル３１１と、ノズル移動機構３０１と、裏面ノズル３１２と、を備える。スピンチャックＳＣは、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベースＳＢと、スピンベースＳＢの上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持可能な複数のチャックピン３０６とを含む。これにより、スピンチャックＳＣは、基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗは、スピンモータＳＭの第１回転軸ＡＸ１と基板Ｗの中心とが一致するようにスピンチャックＳＣに保持される。スピンモータＳＭは、第１回転軸ＡＸ１を有する。第１回転軸ＡＸ１は、上下方向に延びる。スピンチャックＳＣは、スピンモータＳＭの第１回転軸ＡＸ１の上端部に取り付けられる。スピンモータＳＭが回転すると、スピンチャックＳＣが第１回転軸ＡＸ１を中心として回転する。スピンモータＳＭは、ステッピングモータである。スピンチャックＳＣに保持された基板Ｗは、第１回転軸ＡＸ１を中心として回転する。このため、基板Ｗの回転速度は、ステッピングモータの回転速度と同じである。なお、スピンモータの回転速度を示す回転速度信号を生成するエンコーダを設ける場合、エンコーダにより生成される回転速度信号から基板Ｗの回転速度が取得されてもよい。この場合、スピンモータＳＭは、ステッピングモータ以外のモータを用いることができる。
【0021】
表面ノズル３１１は、スピンチャックＳＣに保持された基板Ｗの表面（上面）にエッチング液を供給する。表面ノズル３１１には、図示しないエッチング液供給部からエッチング液が供給される。表面ノズル３１１は、回転中の基板Ｗの表面に向けてエッチング液を吐出する。裏面ノズル３１２は、スピンチャックＳＣに保持された基板Ｗの裏面（下面）にエッチング液を供給する。裏面ノズル３１２は、図示しないエッチング液供給部からエッチング液が供給され、回転中の基板Ｗの裏面に向けてエッチング液を吐出する。以下、裏面ノズル３１２からエッチング液の吐出を行う処理を裏面吐出処理と呼ぶ。
【0022】
ノズル移動機構３０１は、略水平方向に表面ノズル３１１を移動させる。具体的には、ノズル移動機構３０１は、第２回転軸ＡＸ２を有するノズルモータ３０３と、ノズルアーム３０５と、を有する。ノズルモータ３０３は、第２回転軸ＡＸ２が略鉛直方向に沿うように配置される。ノズルアーム３０５は、直線状に延びる長手形状を有する。ノズルアーム３０５の一端は、ノズルアーム３０５の長手方向が第２回転軸ＡＸ２とは異なる方向となるように、第２回転軸ＡＸ２の上端に取り付けられる。ノズルアーム３０５の他端には、エッチング液の吐出口が下方を向くように表面ノズル３１１が取り付けられる。
【0023】
ノズルモータ３０３が動作すると、ノズルアーム３０５は第２回転軸ＡＸ２を中心として水平面内で回転する。これにより、ノズルアーム３０５の他端に取り付けられた表面ノズル３１１は、第２回転軸ＡＸ２を中心として水平方向に移動する（旋回する）。表面ノズル３１１は、水平方向に移動しながら基板Ｗに向けてエッチング液を吐出する。ノズルモータ３０３は、例えば、ステッピングモータである。
【0024】
制御装置１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリを含み、ＣＰＵがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより、基板処理装置３００の全体を制御する。制御装置１０は、スピンモータＳＭおよびノズルモータ３０３を制御する。
【0025】
分析装置１００には、基板処理装置３００から実績データが入力される。実績データは、基板処理ユニットＷＵ１における一の基板に対する被膜の処理ごとに、当該被膜の処理を実行させた処理条件と被膜の処理の処理結果とを含む。分析装置１００は、実績データを用いて基板処理ユニットＷＵ１に対応する予測アルゴリズムを生成し、予測アルゴリズムを用いて基板処理ユニットＷＵ１の状態を分析し、分析結果に基づいて基板処理ユニットＷＵ１の設定を変更する。実績データは、４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４ごとに基板処理装置３００から分析装置１００に入力される。分析装置１００は、４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４ごとに予測アルゴリズムを生成し、４つの予測アルゴリズムを用いて基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４それぞれの状態を分析し、分析結果に基づいて基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４の設定を変更する。
【0026】
分析装置１００が４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４にそれぞれ対応して４つの予測アルゴリズムを生成する処理、４つの予測アルゴリズムを用いて基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４の状態を分析する処理、および基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４の設定を変更する処理は、すべて同じである。従って、以下の説明では、特に言及しない限り、基板処理ユニットＷＵ１に対する予測アルゴリズムを生成する処理、その予測アルゴリズムを用いて基板処理ユニットＷＵ１の状態を分析する処理、および基板処理ユニットＷＵ１の設定を変更する処理について説明する。
【0027】
分析装置１００は、さらに、予測アルゴリズムを用いて、基板処理ユニットＷＵ１がこれから処理する予定の基板に対して、基板を処理するための処理条件を決定する。分析装置１００は、決定された処理条件を基板処理装置３００に出力する。
【0028】
図２は、分析装置の構成の一例を示す図である。図２を参照して、分析装置１００は、ＣＰＵ１０１、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）１０２、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）１０３、記憶装置１０４、操作部１０５、表示装置１０６および入出力Ｉ／Ｆ（インターフェイス）１０７により構成される。ＣＰＵ１０１、ＲＡＭ１０２、ＲＯＭ１０３、記憶装置１０４、操作部１０５、表示装置１０６および入出力Ｉ／Ｆ１０７はバス１０８に接続される。
【0029】
ＲＡＭ１０２は、ＣＰＵ１０１の作業領域として用いられる。ＲＯＭ１０３にはシステムプログラムが記憶される。記憶装置１０４は、ハードディスクまたは半導体メモリ等の記憶媒体を含み、プログラムを記憶する。プログラムは、ＲＯＭ１０３または他の外部記憶装置に記憶されてもよい。
【0030】
記憶装置１０４には、ＣＤ－ＲＯＭ１０９が着脱可能である。ＣＰＵ１０１が実行するプログラムを記憶する記録媒体としては、ＣＤ－ＲＯＭ１０９に限られず、光ディスク（ＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｉｓｃ）／ＭＤ（Ｍｉｎｉ Ｄｉｓｃ）／ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ））、ＩＣカード、光カード、マスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）などの半導体メモリ等の媒体でもよい。さらに、ＣＰＵ１０１がネットワークに接続されたコンピューターからプログラムをダウンロードして記憶装置１０４に記憶する、または、ネットワークに接続されたコンピューターがプログラムを記憶装置１０４に書込みするようにして、記憶装置１０４に記憶されたプログラムをＲＡＭ１０２にロードしてＣＰＵ１０１で実行するようにしてもよい。ここでいうプログラムは、ＣＰＵ１０１により直接実行可能なプログラムだけでなく、ソースプログラム、圧縮処理されたプログラム、暗号化されたプログラム等を含む。
【0031】
操作部１０５は、キーボード、マウスまたはタッチパネル等の入力デバイスである。使用者は、操作部１０５を操作することにより、分析装置１００に所定の指示を与えることができる。表示装置１０６は、液晶表示装置等の表示デバイスであり、使用者による指示を受け付けるためのＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）等を表示する。入出力Ｉ／Ｆ１０７は、ネットワークに接続される。
【0032】
（３）基板処理システムの機能構成
図３は、一実施の形態に係る基板処理システムの機能的な構成の一例を示す図である。図３を参照して、基板処理装置３００は、制御装置１０と、分析装置１００とを備える。制御装置１０は、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４それぞれを制御する。例えば、制御装置１０は、基板処理ユニットＷＵ１を制御して、処理条件に従って基板Ｗに対して被膜の処理を行う。基板処理ユニットＷＵ１が基板に対する被膜の処理を実行する時間を処理時間という。詳細には、処理時間は、表面ノズル３１１が基板Ｗにエッチング液を吐出している間の時間である。処理条件は、基板処理ユニットＷＵ１が被膜の処理を実行する際に用いる条件である。
図３は、一実施の形態に係る基板処理システムの機能的な構成の一例を示す図である。図３を参照して、基板処理装置３００は、制御装置１０と、分析装置１００とを備える。制御装置１０は、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４それぞれを制御する。例えば、制御装置１０は、基板処理ユニットＷＵ１を制御して、処理条件に従って基板Ｗに対して被膜の処理を行う。基板処理ユニットＷＵ１が基板に対する被膜の処理を実行する時間を処理時間という。詳細には、処理時間は、表面ノズル３１１が基板Ｗにエッチング液を吐出している間の時間である。処理条件は、基板処理ユニットＷＵ１が被膜の処理を実行する際に用いる条件である。
【0033】
処理条件は、エッチング液の設定温度Ｔ、エッチング液の設定濃度ｃ、エッチング液の設定流量Ｄ、基板Ｗの単位時間当たりの設定回転数Ｒおよび表面ノズル３１１の位置を含む。本実施の形態において、エッチング液の設定温度Ｔは、エッチング液が流れる配管に設置されたヒータ（図示せず）により調整される。エッチング液の設定濃度ｃは、複数の薬液の混合比で示され、複数の薬液それぞれが流れる複数の配管に設置されたバルブ（図示せず）により調整される。また、エッチング液の設定流量Ｄは、エッチング液が流れる配管に設置されたバルブ（図示せず）により調整される。バルブは、例えばニードルバルブである。また、基板Ｗの設定回転数Ｒは、スピンモータＳＭにより調整される。
【0034】
表面ノズル３１１の位置は、被膜の処理が実行される間の複数の時点それぞれにおける表面ノズル３１１と基板Ｗとの相対位置で示される。表面ノズル３１１と基板Ｗとの相対位置は、ノズルモータ３０３の回転角度で示され、ノズルモータ３０３により調整される。
【0035】
処理条件は、時間の経過に伴って変動しない固定条件と、時間の経過に伴って変動する変動条件とを含む。本実施の形態において、固定条件は、エッチング液の設定温度Ｔ、エッチング液の設定濃度ｃ、エッチング液の設定流量Ｄおよび基板Ｗの設定回転数Ｒである。変動条件は、表面ノズル３１１と基板との相対位置である。
【0036】
ここで、基板処理装置３００が被膜の処理を実行して得られる処理結果について説明する。図４は、処理結果を説明するための図である。図４において、縦軸が膜厚を示し、横軸が基板の半径方向の位置を示す。なお、横軸の原点が基板の中心を示す。基板処理装置３００により処理される前の基板Ｗに形成された膜の膜厚が実線で示される。基板処理装置３００により処理条件に従ってエッチング液を塗布する被膜の処理が実行されることにより、基板Ｗに形成される被膜の膜厚が調整される。基板処理装置３００により被膜の処理が実行された後の基板Ｗに形成された膜の膜厚が点線で示される。基板Ｗの径方向の位置それぞれにおける被膜の膜厚を膜厚特性と呼ぶ。
【0037】
基板処理装置３００により処理される前の基板Ｗに形成された被膜の膜厚と基板処理装置３００により処理された後の基板Ｗに形成された被膜の膜厚との差が処理結果（エッチング量）である。換言すれば、処理結果は、基板処理装置３００の被膜の処理により基板Ｗの径方向における複数の位置それぞれにおいて減少した被膜の厚さを示す。
【0038】
基板処理装置３００により実行される処理に対して、目標となる目標膜厚が定められる。目標膜厚は、一点鎖線で示される。乖離特性は、基板処理装置３００により処理された後の基板Ｗに形成された被膜の膜厚と目標膜厚との差分である。乖離特性は、基板Ｗの径方向における複数の位置それぞれにおける差分を含む。
【0039】
次に、本実施の形態における分析装置１００により生成される予測アルゴリズムについて説明する。予測アルゴリズムは、次式（１）で示される回帰式Ｇ（ｘ）で示される。以下、回帰式Ｇ（ｘ）の同定について説明する。
【0040】
【数1】
【0041】
回帰式Ｇ（ｘ）は、第１関数Ｆ１（ｘ）と、第２関数Ｆ２（ｘ）と、第３関数Ｈ（ｘ）の積で示される。第１関数Ｆ１（ｘ）は、次式（２）および（３）で示すように、基板処理装置３００が裏面吐出処理なしの処理条件で基板Ｗに被膜の処理を実行する場合の基板Ｗの径方向に異なる複数の位置それぞれの被膜の処理の前後の膜厚の差を表す関数である。第１処理結果ＥＲ１は、基板処理装置３００が裏面吐出処理なしの処理条件で被膜の処理を実行した場合における、処理結果を示す。具体的には、第１処理結果ＥＲ１は、基板処理装置３００が裏面吐出処理なしの処理条件で被膜の処理を実行した場合における、基板Ｗの径方向に異なる複数の位置それぞれの被膜の処理の前後の膜厚の差を示す。第１関数Ｆ１（ｘ）については、発明者が、複数の第１処理結果ＥＲ１から見出した関数である。
【0042】
【数2】
【0043】
第１関数Ｆ１（ｘ）は、基板Ｗの半径方向の位置ｘを変数とし、エッチング液の設定温度Ｔおよびエッチング液の設定流量Ｄを説明変数とし、かつパラメータα１～α３，β１～β３を用いて示される回帰式である。なお、パラメータα１～α３，β１～β３は、処理条件のうち、エッチング液の設定濃度ｃに依存する値である。また、式（３）に示されるように、パラメータα１，β１についてはエッチング液の設定温度Ｔに関連し、パラメータα２，β２についてはエッチング液の設定流量Ｄに関連する。第１関数Ｆ１（ｘ）は、変数ｘのｎ１（ｎ１は正の定数）次の関数である。
【0044】
裏面吐出処理なしの処理条件と、その処理条件で基板処理装置３００が被膜の処理を実行して得られる第１処理結果ＥＲ１とのデータセットの複数組を第１関数Ｆ１（ｘ）に与えて回帰分析することにより、パラメータα１～α３，β１～β３が決定される。
【0045】
第２関数Ｆ２（ｘ）は、裏面吐出処理の影響を考慮した関数であり、次式（４）で示される。第２処理結果ＥＲ２は、基板処理装置３００が裏面吐出処理ありの処理条件で基板Ｗに被膜の処理を実行した場合における、処理結果を示す。具体的には、第２処理結果ＥＲ２は、基板処理装置３００が裏面吐出処理ありの処理条件で基板Ｗに被膜の処理を実行した場合における、基板Ｗの径方向に異なる位置ごとの被膜の処理の前後の膜厚の差を示す。第２関数Ｆ２（ｘ）は、基板処理装置３００が裏面吐出処理ありの処理条件で基板Ｗに被膜の処理を実行した第２処理結果ＥＲ２を第１関数Ｆ１（ｘ）で除算した値を表す関数であり、発明者が、複数の第２処理結果ＥＲ２を第１関数Ｆ１（ｘ）で除算した結果から導き出した関数である。第２関数Ｆ２（ｘ）は、次式（５）、式（６）および式（７）で示される。
【0046】
【数3】
【0047】
第２関数Ｆ２（ｘ）は、基板Ｗの半径方向の位置ｘを変数とし、エッチング液の設定濃度ｃ、エッチング液の設定流量Ｄおよび基板Ｗの設定回転数Ｒを説明変数とし、かつパラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４を用いて示される回帰式である。なお、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４は、処理条件のうち、エッチング液の設定温度Ｔに依存する値である。また、式（６）および式（７）に示されるように、パラメータγ１，δ１，ε１，ξ１についてはエッチング液の設定濃度ｃに関連し、パラメータγ２，δ２，ε２，ξ２についてはエッチング液の設定流量Ｄに関連し、パラメータγ３，δ３，ε３，ξ３については基板Ｗの設定回転数Ｒに関連する。裏面吐出処理ありの処理条件と、その処理条件で基板処理装置３００が被膜の処理を実行して得られる第２処理結果ＥＲ２のデータセットの複数組を第２関数Ｆ２（ｘ）に与えて回帰分析することにより、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４が決定される。
【0048】
第３関数Ｈ（ｘ）は、変動条件を考慮した関数である。ここで、基板処理装置３００の被膜の処理において、裏面吐出処理が行われる場合、第２処理結果ＥＲ２は、次式（８）で示される。ここで、式（８）を変形すると、裏面吐出処理を考慮した第３関数Ｈ（ｘ）は、第２処理結果ＥＲ２の値を第１関数Ｆ１（ｘ）および第２関数Ｆ２（ｘ）で除算した値に等しくなる。第２処理結果ＥＲ２の値を第１関数Ｆ１（ｘ）および第２関数Ｆ２（ｘ）で除算した値は、処理時間のうちノズル動作により実際に基板Ｗにエッチング液が供給されない時間が第２処理結果ＥＲ２に及ぼす影響度と定義される。以下、第２処理結果ＥＲ２の値を第１関数Ｆ１（ｘ）および第２関数Ｆ２（ｘ）で除算した値を第２影響度（またはエッチング液のカバレッジ率）と呼ぶ。
【0049】
第３関数Ｈ（ｘ）は、基板処理装置３００が裏面吐出処理ありの処理条件で基板Ｗに被膜の処理を実行した第２処理結果ＥＲ２を第１関数Ｆ１（ｘ）および第２関数Ｆ２（ｘ）で除算した値を表す関数となる。発明者は、複数の第２処理結果ＥＲ２を第１関数Ｆ１（ｘ）および第２関数Ｆ２（ｘ）で除算した結果から、第３関数Ｈ（ｘ）を導き出した。第３関数Ｈ（ｘ）は、次式（１０）で示される関数ｈ１（ｘ）の逆関数を含む次式（９）で示される。
【0050】
【数4】
【0051】
式（１０）の関数ｈ１（ｘ）は、エッチング液の設定濃度ｃ、エッチング液の設定流量Ｄおよび基板Ｗの設定回転数Ｒを説明変数とし、表面ノズル３１１が基板Ｗ上の位置ｘに位置している時、既にエッチング液が到達している位置を表す関数である。関数ｈ１（ｔ）は、時刻ｔにおいて、既にエッチング液が到達している位置を表す関数である。
【0052】
ｔｐｒｏｃは、被膜の処理が開始されてから被膜の処理が終了するまでの経過時間を示す。ｔｄｅｌａｙは、被膜の処理が開始されてから実際にエッチング液が基板Ｗに供給されるまでの時間を示す。つまり、ｔｐｒｏｃ―ｔｄｅｌａｙは、エッチング液が基板Ｗ上に存在する時間を示す。
【0053】
実際にエッチング液が基板Ｗに供給され始めるｔｄｅｌａｙの時点で、既にエッチング液が到達している位置については、第３関数Ｈ（ｘ）を考慮する必要がない。このため、変数ｘが第１距離関数ｈ１（ｔｄｅｌａｙ）以上の範囲の第３関数Ｈ（ｘ）は、１で示される。一方、変数ｘが第１距離関数ｈ１（ｔｄｅｌａｙ）より小さい範囲の第３関数Ｈ（ｘ）は、関数ｈ１（ｘ）の逆関数ｈ１―１（ｘ）をエッチング液が基板Ｗ上に存在する時間を示すｔｐｒｏｃ-ｔｄｅｌａｙで除算することにより得られる。第３関数Ｈ（ｘ）は、基板Ｗの半径方向の位置ｘを変数とし、基板Ｗの設定回転数Ｒおよびエッチング液の設定流量Ｄを説明変数とし、かつパラメータν１～ν４を用いて示される回帰式である。なお、式（１０）に示されるように、パラメータν１については基板Ｗの設定回転数Ｒに関連し、パラメータν２についてはエッチング液の設定流量Ｄに関連する。
【0054】
処理条件のうち裏面吐出処理ありの処理条件と、その処理条件で基板処理装置３００が被膜の処理を実行して得られる第２処理結果ＥＲ２のデータセットの複数組を第３関数Ｈ（ｘ）に与えて回帰分析することにより、パラメータν１～ν４が決定される。
【0055】
本実施の形態においては、基板処理装置３００の被膜の処理で裏面吐出処理が行われるので、第１予測アルゴリズムを構成する回帰式Ｇ（ｘ）は、第１関数Ｆ１（ｘ）と、第２関数Ｆ２（ｘ）と、第３関数Ｈ（ｘ）との積で示される。
【0056】
なお、基板処理装置３００の被膜の処理で裏面吐出処理が行われない場合においては、第１予測アルゴリズムを構成する回帰式Ｇ（ｘ）は、第１関数Ｆ１（ｘ）と、第３関数Ｈ（ｘ）との積で示される。この場合において、処理条件のうち裏面吐出処理なしの処理条件と、その処理条件で基板処理装置３００が被膜の処理を実行して得られる第１処理結果ＥＲ１とのデータセットの複数組を第３関数Ｈ（ｘ）に与えて回帰分析することにより、パラメータν１～ν４が決定される。
【0057】
図３に戻って、分析装置１００は、データ取得部１１０と、蓄積データ生成部１２０と、パラメータ更新部１３０と、処理条件決定部１４０と、予測部１５０と、評価部１６０と、処理条件送信部１７０と、パラメータ履歴生成部２１０と、分析部２２０と、操作量決定部２３０と、操作量取得部２４０と、を含む。分析装置１００が備える機能は、分析装置１００が備えるＣＰＵ１０１がＲＡＭ１０２に格納された分析プログラムを実行することにより、ＣＰＵ１０１により実現される。本実施の形態における分析装置１００と、基板処理装置３００とでデジタルツインが実現される。具体的には、分析装置１００の予測部１５０は、上述した予測アルゴリズムを用いて基板処理装置３００をシミュレートする。
【0058】
基板処理装置３００の制御装置１０は、複数の基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４のいずれかが一の基板に対して被膜の処理を実行すると、一の基板に対する被膜の処理ごとに、当該被膜の処理を実行させた処理条件と被膜の処理の処理結果とを含む実績データを出力する。データ取得部１１０は、基板処理装置３００から基板処理ユニットＷＵ１に対応する処理条件と処理結果とを含む実績データを取得する。処理結果は、基板の径方向に異なる複数の位置それぞれにおける被膜の処理が実行される前後の膜厚の差である。データ取得部１１０は、基板処理ユニットＷＵに対応する実績データを取得することに応じて、その実績データを蓄積データ生成部１２０に出力する。また、データ取得部１１０は、基板処理ユニットＷＵに対応する実績データを取得することに応じて、その実績データに含まれる処理条件を操作量決定部２３０に出力する。
【0059】
蓄積データ生成部１２０は、データ取得部１１０から基板処理ユニットＷＵ１に対応する実績データが入力されることに応じて、実績データを含む蓄積データを生成し、記憶装置１０４に格納する。これにより、記憶装置１０４には、基板処理ユニットＷ１に対応する実績データが時系列で蓄積される。蓄積データは、実績データに加えて、その実績データに対応する基板処理ユニットを識別するユニット識別情報、被膜の処理が実行された日時を示す情報をさらに含んでもよい。
【0060】
パラメータ更新部１３０は、記憶装置１０４に記憶された複数の蓄積データを回帰式Ｇ（ｘ）に与えて回帰分析することにより予測アルゴリズムを生成する。また、パラメータ更新部１３０は、所定の条件が満たされた場合、予測アルゴリズムを更新する。所定の条件は、限定するものではないが、基板処理ユニットＷＵ１が基板Ｗの被膜の処理を行った回数が所定の回数に到達した場合である。所定の回数は、記憶装置１０４に実績データの数として予め記憶される。本実施の形態において、所定の回数を５００としている。このため、所定の条件は、基板処理装置３００により基板Ｗの被膜の処理が行われた回数が５００の倍数に到達した場合に満たされる。なお、所定の条件は、予め定められた期間が経過した場合としてもよい。
【0061】
パラメータ更新部１３０は、基板処理装置３００が備える４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４それぞれに対応する予測アルゴリズムを生成する。パラメータ更新部１３０は、４つの基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４ごとに生成した予測アルゴリズムを予測部１５０に出力する。以下、基板処理ユニットＷＵ１に対して生成された予測アルゴリズムを例に説明する。
【0062】
パラメータ更新部１３０は、回帰式Ｇ（ｘ）に複数の蓄積データを与えて回帰分析することにより、第１～第３関数にそれぞれ含まれるパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４を決定し、回帰式Ｇ（ｘ）からなる予測アルゴリズムを生成する。
【0063】
パラメータ更新部１３０は、決定されたパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４と実績データの数（以下、データセット数と略記する。）とを含むパラメータデータをパラメータ履歴生成部２１０に出力する。データセット数は、予測アルゴリズムを特定する値であり、予測アルゴリズムが生成される時点までに基板処理ユニットＷＵ１により基板Ｗに対して被膜の処理が行われた累積回数の最大値を示す。
【0064】
パラメータ履歴生成部２１０には、パラメータ更新部１３０からパラメータデータが入力される。パラメータ履歴生成部２１０は、パラメータデータが入力されることに応じて、そのパラメータデータを記憶装置１０４に格納し、パラメータ履歴データを生成する。パラメータ履歴データは、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４のいずれかを識別するためのユニット識別情報およびパラメータが更新された日時を示す更新日時を含む。
【0065】
図５は、パラメータ履歴データの一例を示す概念図である。図５に示すように、パラメータ履歴データは、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４ごとのテーブルを含む。基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４それぞれのテーブルに含まれる複数の項目は同じなので、ここでは、基板処理ユニットＷＵ１に対応するパラメータ履歴データが例に示される。基板処理ユニットＷＵ１に対応するパラメータ履歴データは、データセット数の項目と、パラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４それぞれの値が設定される項目とを含む。データセット数の項目は、予測アルゴリズムが生成された時点までに基板処理ユニットＷＵ１により基板Ｗに対して被膜の処理が行われた累積回数の最大値を示す。ここでは、データセット数が５００の倍数である場合が示される。パラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４の値の図示が省略されている。
【0066】
図３に戻って、分析部２２０は、パラメータ履歴生成部２１０により生成され、記憶装置１０４に格納されたパラメータ履歴データに基づいて、基板処理装置３００の状態を分析する。分析部２２０は、基板処理装置３００の状態を分析した分析結果を操作量決定部２３０に出力する。
分析部２２０は、基板処理装置３００が備える処理実行部材の状態を分析することにより、基板処理装置３００の状態を分析する。処理実行部材は、基板処理装置３００が被膜の処理を実行する間に動作する部材である。処理実行部材は、スピンモータＳＭ、エッチング液の温度を調整するヒータ、エッチング液の流量を調整するニードルバルブを含む。
分析部２２０は、基板処理装置３００が備える処理実行部材の状態を分析することにより、基板処理装置３００の状態を分析する。処理実行部材は、基板処理装置３００が被膜の処理を実行する間に動作する部材である。処理実行部材は、スピンモータＳＭ、エッチング液の温度を調整するヒータ、エッチング液の流量を調整するニードルバルブを含む。
【0067】
分析部２２０は、記憶装置１０４に記憶されたデータセット数が異なる複数のパラメータ履歴データを読み出し、パラメータ履歴データに含まれるパラメータの時系列的な変化量に基づいて、基板処理装置３００が備える処理実行部材の状態の変化を検出する。例えば、パラメータ履歴データに含まれるパラメータの時系列的な変化量をしきい値と比較することにより、処理実行部材の状態の変化を検出する。しきい値は、例えば、記憶装置１０４に予め記憶されるようにすればよい。
【0068】
上述したように、パラメータγ３，δ３，ε３，ξ３については基板Ｗの設定回転数Ｒに関連する。このため、分析部２２０は、記憶装置１０４に記憶されたデータセット数が異なる複数のパラメータ履歴データを読み出し、パラメータγ３，δ３，ε３，ξ３の経時変化量に基づいてスピンモータＳＭの状態の経時変化の有無を検出する。例えば、分析部２２０は、パラメータγ３，δ３，ε３，ξ３それぞれについて、前回の更新時の値と今回の更新時の値との差分（経時変化量）をしきい値と比較することにより、スピンモータＳＭの経時変化の有無を検出する。具体的には、分析部２２０は、パラメータγ３，δ３，ε３，ξ３の少なくとも１つにおいて、前回の更新時の値と今回の更新時の値との差分がしきい値以上である場合、スピンモータＳＭの状態が経時変化したこと検出する。分析部２２０は、スピンモータＳＭの状態の経時変化を検出する場合、スピンモータＳＭに対する変更指示を操作量決定部２３０に出力する。変更指示は、スピンモータＳＭを識別するための部品識別情報を含む。
【0069】
また、パラメータγ１，δ１，ε１，ξ１についてはエッチング液の設定温度Ｔに関連する。このため、分析部２２０は、記憶装置１０４に記憶されたデータセット数が異なる複数のパラメータ履歴データを読み出し、パラメータγ１，δ１，ε１，ξ１の経時変化量に基づいてヒータの状態の経時変化の有無を検出する。例えば、分析部２２０は、パラメータγ１，δ１，ε１，ξ１それぞれについて、前回の更新時の値と今回の更新時に値との差分（経時変化量）をしきい値と比較することにより、ヒータの状態が経時変化したことを検出する。具体的には、分析部２２０は、パラメータγ１，δ１，ε１，ξ１の少なくとも１つにおいて、前回の更新時の値と今回の更新時に値との差分が所定のしきい値以上の場合、ヒータの状態が経時変化したことを検出する。分析部２２０は、ヒータの状態の経時変化を検出する場合、ヒータに対する変更指示を操作量決定部２３０に出力する。変更指示は、ヒータを識別するための部品識別情報を含む。
【0070】
パラメータγ２，δ２，ε２，ξ２についてはエッチング液の設定流量Ｄに関連する。このため、分析部２２０は、記憶装置１０４に記憶されたデータセット数が異なる複数のパラメータ履歴データを読み出し、パラメータγ２，δ２，ε２，ξ２の経時変化量に基づいてニードルバルブの状態の経時変化の有無を検出する。例えば、分析部２２０は、パラメータγ２，δ２，ε２，ξ２それぞれについて、前回の更新時の値と今回の更新時に値との差分（経時変化量）をしきい値と比較することにより、ニードルバルブの状態が経時変化したことを検出する。具体的には、分析部２２０は、パラメータγ２，δ２，ε２，ξ２の少なくとも１つにおいて、前回の更新時の値と今回の更新時に値との差分がしきい値以上の場合、ニードルバルブの状態が経時変化したことを検出する。分析部２２０は、ニードルバルブの状態の経時変化を検出する場合、ニードルバルブに対する変更指示を操作量決定部２３０に出力する。変更指示は、ニードルバルブを識別するための部品識別情報を含む。
【0071】
操作量取得部２４０は、基板処理装置３００の被膜の処理において動作する各処理実行部材に対して設定されている設定操作量、その処理実行部材が処理条件にしたがって実際に動作した実績動作量を取得する。実績動作量は、処理条件の一部である設定動作量に従ってその部品が実際に動作した実績動作量を含む。操作量取得部２４０は、取得した設定操作量および実績動作量を操作量決定部２３０に出力する。
【0072】
設定操作量は、スピンモータＳＭを制御するために用いられるゲインＡ、エッチング液の温度を調整するヒータを制御するために用いられるゲインＢ、エッチング液の流量を調整するニードルバルブの制御に用いられるゲインＣを含む。
【0073】
スピンモータＳＭに対する実績動作量は、処理条件に含まれる設定回転数Ｒが与えられたスピンモータＳＭが実際に基板を単位時間当たりに回転させた回転数を示す実績回転数Ｒｒである。ヒータに対する実績動作量は、処理条件に含まれるエッチング液の設定温度Ｔが与えられたヒータにより熱が加えられたエッチング液の実際の温度を示す実績温度Ｔｒである。ニードルバルブに対する実績動作量は、処理条件に含まれるエッチング液の設定流量Ｄが与えられたニードルバルブにより流量が調整されたエッチング液の実際の流量を示す実績流量Ｄｒである。
【0074】
操作量決定部２３０には、操作量取得部２４０から各処理実行部材に対する設定操作量および実績動作量が入力され、データ取得部１１０から処理条件が入力される。操作量決定部２３０は、分析部２２０から処理実行部材の部品識別情報を含む変更指示が入力されることに応じて、その処理実行部材の設定操作量を変更するための操作量を決定する。操作量決定部２３０は、基板処理装置３００に設定されている設定操作量を、決定された操作量で更新する。
具体的には、操作量決定部２３０は、分析部２２０からスピンモータＳＭの部品識別情報を含む変更指示が入力されることに応じて、スピンモータＳＭの設定操作量を変更するための操作量を決定する。スピンモータＳＭの設定操作量は、ゲインＡである。操作量決定部２３０は、スピンモータＳＭのゲインＡ、実績回転数Ｒｒおよび設定回転数Ｒの関係を示す次式（２０）を用いて、スピンモータＳＭに対して設定操作量として設定されるべき操作量を決定する。設定回転数Ｒは、スピンモータＳＭに指令として入力される単位時間当たりの回転数である。実績回転数Ｒｒは、指令に従って動作するスピンモータＳＭの単位時間当たりの回転数である。
具体的には、操作量決定部２３０は、操作量取得部２４０から入力される実績回転数Ｒｒおよび処理条件に含まれる設定回転数Ｒを式（２０）に代入し、スピンモータＳＭに対して設定されている設定操作量を変更するためのゲインＡ（操作量）を算出する。
具体的には、操作量決定部２３０は、分析部２２０からスピンモータＳＭの部品識別情報を含む変更指示が入力されることに応じて、スピンモータＳＭの設定操作量を変更するための操作量を決定する。スピンモータＳＭの設定操作量は、ゲインＡである。操作量決定部２３０は、スピンモータＳＭのゲインＡ、実績回転数Ｒｒおよび設定回転数Ｒの関係を示す次式（２０）を用いて、スピンモータＳＭに対して設定操作量として設定されるべき操作量を決定する。設定回転数Ｒは、スピンモータＳＭに指令として入力される単位時間当たりの回転数である。実績回転数Ｒｒは、指令に従って動作するスピンモータＳＭの単位時間当たりの回転数である。
具体的には、操作量決定部２３０は、操作量取得部２４０から入力される実績回転数Ｒｒおよび処理条件に含まれる設定回転数Ｒを式（２０）に代入し、スピンモータＳＭに対して設定されている設定操作量を変更するためのゲインＡ（操作量）を算出する。
【0075】
【数5】
【0076】
式（２０）に示すように、実績回転数Ｒｒは、設定回転数Ｒと、ゲインＡと、定数ｋＡとの積で示される。定数ｋＡは、実績回転数Ｒｒと設定回転数Ｒとを関連付けるために予め定められた定数である。基板処理装置３００においては、実績回転数Ｒｒと、処理条件に含まれる設定回転数Ｒとが等しくなることが理想である。そこで、操作量決定部２３０は、定数ｋＡを一定の値とした状態で式（２０）が成立するゲインＡの値をスピンモータＳＭの設定操作量として設定されるべき操作量に決定する。
【0077】
操作量決定部２３０は、決定された操作量を含む更新コマンドを、基板処理装置３００の制御装置１０に出力する。制御装置１０は、更新コマンドを受信することに応じて、コマンドに従って基板処理装置３００にスピンモータＳＭの設定操作量を、コマンドとともに受信される操作量で更新する。これにより、スピンモータＳＭの設定操作量が操作量で更新されるので、スピンモータＳＭの経時変化による設定回転数Ｒと実績回転数Ｒｒとの差が補正される。
【0078】
操作量決定部２３０は、分析部２２０からヒータの部品識別情報を含む変更指示が入力されることに応じて、ヒータの設定操作量を変更するための設定値を決定する。ヒータの設定操作量は、ゲインＢである。操作量決定部２３０は、ヒータのゲインＢ、実績温度Ｔｒおよび設定温度Ｔの関係を示す次式（２１）を用いて、ヒータに対して設定操作量として設定されるべき操作量を決定する。設定温度Ｔは、ヒータに指令として入力される温度である。実績温度Ｔｒは、指令に従って動作するヒータの温度である。
具体的には、操作量決定部２３０は、操作量取得部２４０から入力される実績温度Ｔｒおよび処理条件に含まれる設定温度Ｔを式（２１）に代入し、ヒータに対して設定操作量として設定されるべきゲインＢ（操作量）を算出する。
具体的には、操作量決定部２３０は、操作量取得部２４０から入力される実績温度Ｔｒおよび処理条件に含まれる設定温度Ｔを式（２１）に代入し、ヒータに対して設定操作量として設定されるべきゲインＢ（操作量）を算出する。
【0079】
【数6】
【0080】
式（２１）に示すように、実績温度Ｔｒは、設定温度Ｔと、ゲインＢと、定数ｋＢとの積で示される。定数ｋＢは、実績温度Ｔｒと設定温度Ｔとを関連付けるために予め定められた定数である。基板処理装置３００においては、実績温度Ｔｒと、設定温度Ｔとを等しくすることが理想である。そこで、操作量決定部２３０は、定数ｋＢを一定の値とした状態で式（２１）が成立するゲインＢの値をヒータの設定操作量として設定されるべき操作量に決定する。
【0081】
操作量決定部２３０は、決定された操作量を含む更新コマンドを基板処理装置３００の制御装置１０に出力する。制御装置１０は、基板処理装置３００にヒータの設定操作量を、コマンドに含まれる操作量で更新する。これにより、ヒータの設定操作量が更新されるので、ヒータの経時変化による設定温度Ｔと実績温度Ｔｒの差が補正される。
【0082】
操作量決定部２３０は、分析部２２０からニードルバルブの部品識別情報を含む指示が入力されることに応じて、ニードルバルブの設定操作量を変更するための操作量を決定する。ニードルバルブの設定操作量は、ゲインＣである。操作量決定部２３０は、ニードルバルブのゲインＣ、実績流量Ｄｒおよび設定流量Ｄの関係を示す次式（２２）を用いて、ニードルバルブに対して設定操作量として設定されるべき操作量を決定する。設定流量Ｄは、ニードルバルブに指令として入力される単位時間当たりの流量である。実績流量Ｄｒは、指令に従って動作するニードルバルブを単位時間当たりに流れる流量である。
具体的には、操作量決定部２３０は、操作量取得部２４０から入力される実績流量Ｄｒおよび処理条件に含まれる設定流量Ｄを式（２２）に代入し、ニードルバルブに対して設定操作量として設定されるべきゲインＣ（操作量）を算出する。
具体的には、操作量決定部２３０は、操作量取得部２４０から入力される実績流量Ｄｒおよび処理条件に含まれる設定流量Ｄを式（２２）に代入し、ニードルバルブに対して設定操作量として設定されるべきゲインＣ（操作量）を算出する。
【0083】
【数7】
【0084】
式（２２）に示すように、実績流量Ｄｒは、設定流量Ｄと、ゲインＣと、定数ｋＣとの積で示される。定数ｋＣは、実績流量Ｄｒと設定流量Ｄとを関連付けるために予め定められた定数である。基板処理装置３００においては、実績流量Ｄｒと、設定流量Ｄとを等しくすることが理想である。そこで、操作量決定部２３０は、定数ｋＣを一定の値とした状態で式（２２）が成立するゲインＣの値をニードルバルブの設定操作量として設定されるべき操作量に決定する。
【0085】
操作量決定部２３０は、決定された操作量を含むコマンドを基板処理装置３００の制御装置１０に出力する。制御装置１０は、基板処理装置３００にニードルバルブの設定操作量を、コマンドに含まれる操作量で更新する。これにより、ニードルバルブの経時劣化による設定流量Ｄと実績流量Ｄｒとの差が補正される。
【0086】
処理条件決定部１４０は、基板処理ユニットＷＵ１がこれから処理の対象とする基板Ｗに対する仮の処理条件を決定し、仮の処理条件を予測部１５０に出力する。仮の処理条件は、基板処理装置３００で被膜の処理を実行するための条件であり、固定条件および変動条件を含む。予測部１５０は、パラメータ更新部１３０から予測アルゴリズムが入力され、処理条件決定部１４０から仮の処理条件が入力される。予測部１５０は、予測アルゴリズムを用いて仮の処理条件から予測処理結果を推測する。予測部１５０は、処理条件決定部１４０から入力される仮の処理条件を予測アルゴリズムに入力し、予測アルゴリズムが出力する予測処理結果を評価部１６０に出力する。具体的には、予測部１５０は、第１関数Ｆ１（ｘ）に固定条件のエッチング液の設定温度Ｔおよびエッチング液の設定流量Ｄとを与え、第２関数Ｆ２（ｘ）に固定条件のエッチング液の設定濃度ｃ、エッチング液の設定流量Ｄおよび基板Ｗの設定回転数Ｒとを与え、第３関数Ｈ（ｘ）に変動条件ならびにエッチング液の設定流量Ｄおよび基板Ｗの設定回転数Ｒを与える。
【0087】
評価部１６０は、予測部１５０から入力される予測処理結果を評価し、評価結果を処理条件決定部１４０に出力する。詳細には、評価部１６０は、基板処理ユニットＷＵ１が処理対象とする予定の基板Ｗの処理前の膜厚特性を取得する。評価部１６０は、予測部１５０から入力される予測処理結果と、基板Ｗの処理前の膜厚特性とからエッチング処理後に予測される膜厚特性を算出し、目標とする膜厚特性と比較する。比較の結果が評価基準を満たしていれば、処理条件決定部１４０から入力される仮の処理条件を実際に使用する処理条件に決定し、処理条件送信部１７０に出力する。例えば、評価部１６０は、乖離特性を算出し、乖離特性が評価基準を満たしているか否かが判断される。乖離特性は、エッチング処理後の基板Ｗの膜厚特性と目標の膜厚特性との差分である。評価基準は、任意に定めることができる。例えば、評価基準は、乖離特性において差分の最大値が閾値以下であるとしてもよいし、差分の平均が閾値以下であるとしてもよい。
【0088】
処理条件送信部１７０は、評価部１６０から入力される処理条件を、基板処理装置３００の制御装置１０に送信する。制御装置１０は、基板処理ユニットＷＵ１に、処理条件に従って基板Ｗに被膜の処理を実行させる。
【0089】
評価部１６０は、評価結果が評価基準を満たしていない場合は、評価結果を処理条件決定部１４０に出力する。評価結果は、エッチング処理後に予測される膜厚特性またはエッチング処理後に予測される膜厚特性と目標の膜厚特性との差分を含む。
【0090】
処理条件決定部１４０は、評価部１６０から評価結果が入力されることに応じて、予測部１５０に推測させるための新たな仮の処理条件を決定する。処理条件決定部１４０は、実験計画法、ペアワイズ法またはベイズ推定等を用いて、予め準備された複数の処理条件のうちから１つを選択し、選択された仮の処理条件を予測部１５０に推測させるための新たな仮の処理条件として決定する。
【0091】
処理条件決定部１４０は、ベイズ推定を用いて処理条件を探索してもよい。評価部１６０により複数の評価結果が出力される場合、処理条件と評価結果とのデータセットが複数組となる。複数組のデータセットそれぞれにおける予測処理結果の傾向から被膜の膜厚が均一となる処理条件またはエッチング処理後に予測される膜厚特性と目標の膜厚特性との差分が最小となる処理条件を探索する。
【0092】
具体的には、処理条件決定部１４０は、目的関数を最小化するように仮の処理条件を探索する。目的関数は、被膜の膜厚の均一性を示す関数または被膜の膜厚特性と目標膜厚特性との一致性を示す関数である。例えば、目的関数は、エッチング処理後に予測される膜厚特性と目標の膜厚特性との差分をパラメータで示した関数である。ここでのパラメータは、対応する処理条件である。対応する処理条件は、予測アルゴリズムが予測処理結果を推測するために用いた処理条件である。処理条件決定部１４０は、複数の処理条件のうちから探索により決定されたパラメータである仮の処理条件を選択し、選択された仮の処理条件を新たな仮の処理条件として決定する。
【0093】
図６は、分析処理の流れの一例を示すフローチャートである。分析処理は、分析装置１００が備えるＣＰＵ１０１がＲＡＭ１０２に格納された分析プログラムを実行することにより、ＣＰＵ１０１により実行される処理である。分析処理が実行される前の段階で予測アルゴリズムとしての回帰式Ｇ（ｘ）は、予め決定している。
【0094】
図６を参照して、分析装置１００が備えるＣＰＵ１０１は、処理条件決定処理を実行する（ステップＳ０１）。ここでは、基板処理装置３００が被膜の処理を実行するための処理条件が決定される。処理条件決定処理の詳細については後述する。次のステップＳ０２においては、決定された処理条件を基板処理装置３００に送信する。次のステップＳ０３においては、基板処理装置３００から処理条件と処理結果とを実績データとして取得する。次のステップＳ０４においては、ＣＰＵ１０１は、取得した処理条件と処理結果とを含む蓄積データを生成し、記憶装置１０４に格納する。
【0095】
次のステップＳ０５においては、ＣＰＵ１０１は、記憶装置１０４に格納された蓄積データが所定の数に到達したか否かを判定する。ここでの所定の数は、５００の倍数である。蓄積データは、基板処理装置３００が基板を処理するごとに生成されるので、蓄積データの数は基板処理装置３００が被膜の処理を実行した基板の枚数に等しい。ステップＳ０５において、記憶装置１０４に格納された蓄積データが所定の数に到達した場合、処理はステップＳ０６に進むが、記憶装置１０４に格納された蓄積データが所定の数に到達していない場合、処理はステップＳ０１に戻る。これにより、記憶装置１０４に格納された蓄積データが所定の数になるまで、ステップＳ０１～ステップＳ０４が繰り返される。
【0096】
ステップＳ０６においては、ＣＰＵ１０１は、所定の数に到達した複数の蓄積データに基づいて予測アルゴリズムを生成する。ここでは、回帰式Ｇ（ｘ）のパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４が決定される。
【0097】
次のステップＳ０７においては、ＣＰＵ１０１は、決定されたパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４を含むパラメータ履歴データを生成する。このとき、ＣＰＵ１０１は、パラメータ履歴データを記憶装置１０４に格納する。パラメータ履歴データは、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４のいずれかを識別するためのユニット識別情報およびステップＳ０６において予測アルゴリズムが生成された日時を示す更新日時情報を含む。次のステップＳ０８において、ＣＰＵ１０１は、予め決定されている回帰式Ｇ（ｘ）をステップＳ０６において決定された回帰式Ｇ（ｘ）に置き換えることにより、予測アルゴリズムを更新する。
【0098】
次のステップＳ０９において、ＣＰＵ１０１は、装置設定変更処理を実行する。装置設定変更処理については、後述する。次のステップＳ１０においては、分析処理の終了が指示されたか否かが判定される。分析処理の終了は、使用者が分析処理の終了を指示してもよく、所定の条件を満たした場合に自動的に分析処理の終了が指示されてもよい。分析処理の終了が指示されていない場合、処理は、ステップＳ０１に戻る。それにより、ステップＳ０１～ステップＳ０９が分析処理の終了が指示されるまで繰り返される。分析処理の終了が指示された場合、分析処理が終了する。
【0099】
図７は、処理条件決定処理の流れの一例を示すフローチャートである。処理条件決定処理は、分析処理のステップＳ０１においてＣＰＵ１０１により実行される処理である。分析装置１００が備えるＣＰＵ１０１は、予め準備された複数の処理条件のうちから１つを選択し（ステップＳ１１）、処理をステップＳ１２に進める。ここでは、実験計画法、ペアワイズ法またはベイズ推定等を用いて、予め準備された複数の処理条件のうちから１つが選択される。
【0100】
ステップＳ１２においては、予測アルゴリズムを用いて、処理条件から処理結果が予測され、処理はステップＳ１４に進む。具体的には、処理条件に含まれる変動条件および固定条件が予測アルゴリズムに与えられ、予測アルゴリズムが出力する処理結果が予測処理結果として取得される。ここで用いられる予測アルゴリズムは、分析処理が実行され、ステップＳ０８において更新された後の予測アルゴリズムである。なお、分析処理が最初に実行される場合には、基板処理装置３００に所定数の基板に被膜の処理を実行させて得られる処理条件および処理結果を用いて生成される予測アルゴリズムが用いられる。
【0101】
ステップＳ１３においては、予測処理結果が目標膜厚特性と比較される。基板処理装置３００が処理の対象とする基板Ｗの処理前の膜厚特性と、ステップＳ１２において取得された予測処理結果とから基板Ｗを処理した後の膜厚特性が算出される。そして、処理後の膜厚特性が目標膜厚特性と比較される。ここでは、基板Ｗを処理した後の膜厚特性と目標膜厚特性との差分が算出される。
【0102】
ステップＳ１４においては、比較結果が評価基準を満たすか否かが判断される。比較結果が評価基準を満たすならば（ステップＳ１４でＹＥＳ）、処理はステップＳ１５に進むが、そうでなければ処理はステップＳ１１に戻る。ここでは、例えば、差分の最大値が閾値以下である場合に評価基準を満たすと判断する。また、差分の平均が閾値以下である場合に評価基準を満たすと判断してもよい。
【0103】
ステップＳ１５においては、基板処理装置３００を駆動するための処理条件の候補に、ステップＳ１１において選択された処理条件が設定され、処理はステップＳ１６に進む。ステップＳ１６においては、探索の終了指示が受け付けられたか否かが判断される。分析装置１００を操作するユーザーにより終了指示が受け付けられたならば処理はステップＳ１７に進むが、そうでなければ処理はステップＳ１１に戻る。なお、ユーザーにより入力される終了指示に変えて、予め定められた数の処理条件が候補に設定されたか否かが判断されてもよい。
【0104】
ステップＳ１７においては、候補に設定された１以上の処理条件のうちから１つが決定され、処理はステップＳ１８に進む。候補に設定された１以上の処理条件のうちから分析装置１００を操作するユーザーにより１つが選択されてもよい。したがって、ユーザーの選択の範囲が広がる。また、複数の処理条件に含まれる変動条件のうちからノズル動作が最も簡略な変動条件が自動的に選択されてもよい。ノズル動作が最も簡略な変動条件は、例えば、変速点の数が最少の変動条件とすることができる。これにより、基板Ｗを処理する複雑なノズル動作に対する処理結果に対して複数の変動条件を提示することができる。複数の変動条件のうちからノズルの制御が容易な変動条件が選択される場合、基板処理装置３００の制御が簡略になる。
【0105】
ステップＳ１８においては、ステップＳ１７において決定された処理条件が基板処理装置３００に送信され、処理は分析処理に戻る。ＣＰＵ１０１は、入出力Ｉ／Ｆ１０７を制御して、処理条件を基板処理装置３００に送信する。基板処理装置３００は、分析装置１００から処理条件を受信する場合、その処理条件に従って基板Ｗを処理する。
【0106】
図８は、装置設定変更処理の流れの一例を示すフローチャートである。装置設定変更処理は、分析処理のステップＳ０９においてＣＰＵ１０１により実行される処理である。分析装置１００が備えるＣＰＵ１０１は、記憶装置１０４に蓄積されたパラメータ履歴データを取得し（ステップＳ３１）、処理をステップＳ３２に進める。ここで取得されたパラメータ履歴データは、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４のいずれかを識別するためのユニット識別情報および予測アルゴリズムが生成された日時を示す更新日時情報を含む。
【0107】
次のステップＳ３２においては、基板処理装置３００を構成する複数の処理実行部材のうちから処理対象となる処理実行部材が選択され、処理はステップＳ３３に進む。基板処理装置３００を構成する複数の処理実行部材は、例えば、基板Ｗを回転させるスピンモータＳＭ、基板Ｗに供給されるエッチング液を温めるためのヒータ、基板Ｗに供給されるエッチング液の流量を調整するニードルバルブを含む。ステップＳ３２においては、処理対象に選択された処理実行部材に関連するパラメータが選択される。例えば、処理対象に選択された処理実行部材がスピンモータＳＭである場合、パラメータγ３，δ３，ε３，ξ３が選択され、処理対象に選択された処理実行部材がヒータである場合、パラメータγ１，δ１，ε１，ξ１が選択され、処理対象に選択された処理実行部材がニードルバルブである場合、パラメータγ２，δ２，ε２，ξ２が選択される。
【0108】
次のステップＳ３３においては、ＣＰＵ１０１は、ステップＳ３２で選択した処理実行部材に関連するパラメータを分析し、処理をステップＳ３４に進める。ステップＳ３２で処理対象に選択された処理実行部材に関連するパラメータの経時変化量に基づいて選択された処理実行部材の経時変化の有無が分析される。具体的には、ステップＳ３２で処理対象に選択された処理実行部材に関連するパラメータの経時変化量に基づいて経時変化の有無が判定される。この判定については、前回生成された予測アルゴリズムのパラメータと最新の予測アルゴリズムのパラメータとの差分が所定のしきい値とが比較される。差分がしきい値以上の場合に選択された部品の経時変化が有りと判定される。また、過去３回以上のパラメータ履歴データを用いて、経時変化の有無を判定してもよい。さらに、過去のパラメータの変動傾向から将来の経時変化を予測してもよい。
【0109】
ステップＳ３４において、分析結果により処理が分岐する。処理対象に選択された処理実行部材に経時変化が有りと判定された場合、処理はステップＳ３５に進むが、そうでなければ処理はステップＳ３８に進む。ステップＳ３５においては、ＣＰＵ１０１は、基板処理装置３００から、処理対象に選択された処理実行部材に対する実績動作量を取得する。処理対象に選択された処理実行部材がスピンモータＳＭである場合、実績動作量は、スピンモータＳＭの実績回転数Ｒｒである。処理対象に選択された処理実行部材が基板Ｗに供給されるエッチング液が流れる配管を温めるためのヒータである場合、実績動作量は、ヒータの実績温度Tｒである。処理対象に選択された処理実行部材が基板Ｗに供給されるエッチング液の流量を調整するニードルバルブである場合、実績動作量は、ニードルバルブの実績流量Ｄｒである。
【0110】
ステップＳ３６においては、ＣＰＵ１０１は操作量を決定し、処理をステップＳ３７に進める。ここでは、ステップ３５で取得された実績動作量と処理条件とを用いて、処理対象に選択された処理実行部材に対する新たな操作量を決定する。具体的には、処理対象に選択された処理実行部材がスピンモータＳＭである場合、上述した式（２０）が定数ｋＡを一定の値とした状態で成立するスピンモータＳＭのゲインＡの値をスピンモータＳＭの新たな操作量として決定する。また、処理対象に選択された部品がヒータである場合、上述した式（２１）が定数ｋＢを一定の値とした状態で成立するヒータのゲインＢの値をヒータの新たな操作量として決定する。また、処理対象に選択された部品がニードルバルブである場合、上述した式（２２）が定数ｋＣを一定の値とした状態で成立するニードルバルブのゲインＣの値をニードルバルブの新たな操作量として決定する。
【0111】
次のステップＳ３７においては、ステップＳ３６で決定された新たな操作量が基板処理装置３００に送信される。ＣＰＵ１０１は、入出力Ｉ／Ｆ１０７を制御して、新たな操作量を基板処理装置３００に設定させるコマンドを送信する。基板処理装置３００の制御装置１０は、分析装置１００から新たな操作量を設定するコマンド受信する場合、その操作量で、設定操作量を更新する。
【0112】
次のステップＳ３８においては、ステップＳ３２において処理対象に選択されていない処理実行部材が存在するか否かが判定される。未選択の処理実行部材が存在すると判定されたならば処理はステップＳ３２に戻るが、未選択の部品が存在しないと判定されたならば処理は分析処理に戻る。これにより、基板処理装置３００が備える予め定められた複数の処理実行部材のすべてに対して、ステップＳ３２～ステップＳ３８が実行される。
【0113】
（４）実施の形態の効果
上記実施の形態の分析装置１００によれば、基板処理装置３００で実行される処理の処理条件と処理結果とに基づいて回帰式Ｇ（ｘ）のパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４が更新される。それにより、任意の時点に取得された処理条件および処理結果に基づいて回帰式Ｇ（ｘ）のパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４を更新することができる。また、回帰式Ｇ（ｘ）は、基板処理装置３００により実行される処理条件に含まれる少なくとも１つの条件に用いられる変数を説明変数とするので、更新されたパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４は、処理を実行する間に経時変化する基板処理装置３００の更新時の状態を示す。このため、任意の時点における基板処理装置３００の状態を分析することが可能な分析装置１００を提供することができる。
上記実施の形態の分析装置１００によれば、基板処理装置３００で実行される処理の処理条件と処理結果とに基づいて回帰式Ｇ（ｘ）のパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４が更新される。それにより、任意の時点に取得された処理条件および処理結果に基づいて回帰式Ｇ（ｘ）のパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４を更新することができる。また、回帰式Ｇ（ｘ）は、基板処理装置３００により実行される処理条件に含まれる少なくとも１つの条件に用いられる変数を説明変数とするので、更新されたパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４は、処理を実行する間に経時変化する基板処理装置３００の更新時の状態を示す。このため、任意の時点における基板処理装置３００の状態を分析することが可能な分析装置１００を提供することができる。
【0114】
また、分析部は更新されたパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４の経時変化量に基づいて基板処理装置３００の状態を分析するので、処理を実行する間に変化する基板処理装置３００の状態の経時変化を検出することが可能になる。
【0115】
さらに、基板処理装置３００の状態に基づいて基板処理装置３００の設定操作量が調整されるので、使用者が基板処理装置３００の設定操作量を直接的に変更する操作する必要がなくなり、使用者の負担を軽減することが可能になる。
【0116】
（５）他の実施の形態
（５－１）上記実施の形態において、分析部２２０が、新たな操作量を設定するコマンドを基板処理装置３００に送信するようにしたが、分析装置１００が備える表示装置１０６に新たな操作量を表示することによりユーザーに通知してもよい。ユーザーは、表示装置１０６に表示された新たな操作量で、基板処理装置３００に設定された設定操作量を更新することができるので、基板処理装置３００のメンテナンス作業が容易になる。また、前回生成された予測アルゴリズムのパラメータと最新の予測アルゴリズムのパラメータとの差分が所定のしきい値以上の場合に、その部品に経時変化が認められることを分析部２２０が表示装置１０６に表示させてもよい。この場合、ユーザーに部品の問題を提示することができるので、被膜の処理の予測精度を担保することができる。
（５－１）上記実施の形態において、分析部２２０が、新たな操作量を設定するコマンドを基板処理装置３００に送信するようにしたが、分析装置１００が備える表示装置１０６に新たな操作量を表示することによりユーザーに通知してもよい。ユーザーは、表示装置１０６に表示された新たな操作量で、基板処理装置３００に設定された設定操作量を更新することができるので、基板処理装置３００のメンテナンス作業が容易になる。また、前回生成された予測アルゴリズムのパラメータと最新の予測アルゴリズムのパラメータとの差分が所定のしきい値以上の場合に、その部品に経時変化が認められることを分析部２２０が表示装置１０６に表示させてもよい。この場合、ユーザーに部品の問題を提示することができるので、被膜の処理の予測精度を担保することができる。
【0117】
（５－２）上記実施の形態において、分析部２２０の分析結果に基づいて、操作量決定部２３０が基板処理装置３００に対して新たな操作量を送信する例が記載されるが本発明はこれに限定されない。例えば、分析装置１００が操作量決定部２３０および操作量取得部２４０を有さずに、分析部２２０の分析結果が表示装置１０６に表示されてもよい。この場合、基板処理装置３００の状態を通知することが可能になるので、基板処理装置３００の基板Ｗの処理不良を未然に抑制することができる。また、使用者が基板処理装置３００のメンテナンスすべき時期を容易に把握することが可能になる。
【0118】
（５－３）上記実施の形態の分析装置１００においては、基板処理ユニットＷＵ１を構成する部品の経時変化を検出する例が記載されているが、本発明は、これに限定されない。基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４それぞれのパラメータα１～α３，β１～β３、パラメータγ１～γ４，δ１～δ４，ε１～ε４，ξ１～ξ４およびパラメータν１～ν４を比較することにより基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４間の機差を検出してもよい。この場合、分析部２２０は、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４間の同一のパラメータを統計処理することにより、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４間における部品の機差を検出してもよい。例えば、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４間で、同一のパラメータの平均および／または分散を用いて分析してもよい。この場合、基板処理ユニットＷＵ１～ＷＵ４間の部品の機差を検出することが可能になるので、部品の機差に起因する被膜の処理の誤差を抑制することが可能になる。また、一の基板処理ユニットの部品と、他の基板処理ユニットの部品との機差を比較することができるので、各基板処理ユニットにおける異常を予測することが可能になる。
【0119】
（５－４）上記実施の形態の分析装置１００においては、予測アルゴリズムが有する複数のパラメータそれぞれの時系列的な変化量に基づいて処理実行部材の状態の変化を検出する例として、第１予測アルゴリズムが前回生成された時点のパラメータの値と第１予測アルゴリズムが今回生成された時点の値とを比較する例が記載されるが、本発明はこれに限定されない。分析装置１００においては、任意の時点に生成された第１予測アルゴリズムの各パラメータの値と更新時に生成された予測アルゴリズムの各パラメータの値とを比較することにより、処理実行部材の状態の変化を検出してもよい。任意の時点は、例えば、基板処理装置３００が設定された後に最初に予測アルゴリズムが生成された時点、処理実行部材が交換された後に最初に予測アルゴリズムが生成された時点、または、複数の時点で予測アルゴリズムが生成されている場合は、ユーザーにより指定された時点のいずれであってもよい。また、異なる２つの時点におけるパラメータの値を比較するのに代えて、または、その比較とともに、３以上の時点にけるパラメータの変化の割合を、しきい値と比較することにより、処理実行部材の状態の変化を検出してもよい。
【0120】
（６）実施の形態の総括
（第１項） 本発明の一態様に係る分析装置は、
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得部と、
前記データ取得部によって取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部と、
前記パラメータ更新部で更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析部と、を備える。
（第１項） 本発明の一態様に係る分析装置は、
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得部と、
前記データ取得部によって取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新部と、
前記パラメータ更新部で更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析部と、を備える。
【0121】
第１項に記載の分析装置によれば、基板処理装置で実行される処理の処理条件と処理結果とに基づいて回帰式のパラメータが更新される。回帰式は、基板処理装置により実行される処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とするので、更新されたパラメータは、処理を実行する間に経時変化する基板処理装置の更新時の状態を示す。このため、パラメータが更新された時点の基板処理装置の状態が検出される。その結果、経時変化する基板処理装置の任意の時点における状態を検出することが可能な分析装置を提供することができる。
【0122】
（第２項） 第１項に記載の分析装置において、
前記分析部は、前記回帰式の前記パラメータの経時変化量に基づいて、前記基板処理装置の状態を分析してもよい。
前記分析部は、前記回帰式の前記パラメータの経時変化量に基づいて、前記基板処理装置の状態を分析してもよい。
【0123】
第２項に記載の分析装置によれば、分析部は回帰式のパラメータの経時変化量に基づいて基板処理装置の状態が分析されるので、基板処理装置が処理を実行する間に変化する基板処理装置の状態の経時変化を検出することが可能になる。
【0124】
（第３項） 第１項または第２項に記載の分析装置において、
前記基板処理装置は、前記処理の一部を実行する処理実行部材と、
前記処理実行部材の動作を予め設定された設定操作量に従って制御する駆動制御部材と、を有し、
前記分析装置は、
前記パラメータ更新部により更新された前記回帰式の前記パラメータに基づき、前記操作量を決定する操作量決定部を、さらに備えてもよい。
前記基板処理装置は、前記処理の一部を実行する処理実行部材と、
前記処理実行部材の動作を予め設定された設定操作量に従って制御する駆動制御部材と、を有し、
前記分析装置は、
前記パラメータ更新部により更新された前記回帰式の前記パラメータに基づき、前記操作量を決定する操作量決定部を、さらに備えてもよい。
【0125】
第３項に記載の分析装置によれば、回帰式の前記パラメータに基づいて基板処理装置の設定操作量が調整されるので、使用者が基板処理装置を直接的に操作する必要がなくなり、使用者の負担を軽減することが可能になる。
【0126】
（第４項） 第３項に記載の分析装置において、
前記分析部による分析結果は、前記基板処理装置の状態の経時変化量の検出結果を含み、
前記操作量決定部は、前記経時変化量が所定のしきい値以上である場合に、前記操作量を決定してもよい。
前記分析部による分析結果は、前記基板処理装置の状態の経時変化量の検出結果を含み、
前記操作量決定部は、前記経時変化量が所定のしきい値以上である場合に、前記操作量を決定してもよい。
【0127】
第４項に記載の分析装置によれば、基板処理装置の状態の経時変化量が所定のしきい値以上の場合に、基板処理装置に設定操作量として設定されている操作量が決定される。したがって、経時変化する基板処理装置の状態に適した操作量を設定することが可能になる。
【0128】
（第５項） 第３項または第４項に記載の分析装置において、
前記操作量決定部は、前記操作量を決定することに応じて、前記基板処理装置に設定されている前記設定操作量を前記操作量で更新してもよい。
前記操作量決定部は、前記操作量を決定することに応じて、前記基板処理装置に設定されている前記設定操作量を前記操作量で更新してもよい。
【0129】
第５項に記載の分析装置によれば、基板処理装置の状態の経時変化量が所定のしきい値以上の場合に、基板処理装置に設定されている設定操作量が決定された操作量で更新される。したがって、経時変化する基板処理装置の状態に適した設定操作量で基板処理装置を動作させることが可能になる。
【0130】
（第６項） 第１項～第５項のいずれかに記載の分析装置において、
前記基板処理装置は複数あり、
前記分析部は、複数の前記基板処理装置ごとに前記基板処理装置の状態を分析してもよい。
前記基板処理装置は複数あり、
前記分析部は、複数の前記基板処理装置ごとに前記基板処理装置の状態を分析してもよい。
【0131】
第６項に記載の分析装置によれば、複数の基板処理装置ごとに基板処理装置の状態が分析されるので、複数の基板処理装置それぞれの状態の経時変化を検出することが可能になる。
【0132】
（第７項） 第１項～第６項のいずれかに記載の分析装置において、
前記基板処理装置は複数あり、
前記分析部は、複数の前記基板処理装置間で状態を分析してもよい。
前記基板処理装置は複数あり、
前記分析部は、複数の前記基板処理装置間で状態を分析してもよい。
【0133】
第７項に記載の分析装置によれば、複数の基板処理装置それぞれの状態が比較されるので、複数の基板処理装置間の機差を把握することが可能になる。
【0134】
（第８項） 第１項～第７項のいずれかに記載の分析装置は、
前記分析部で分析された前記基板処理装置の状態を通知する通知部を、さらに備えてもよい。
前記分析部で分析された前記基板処理装置の状態を通知する通知部を、さらに備えてもよい。
【0135】
第８項に記載の分析装置によれば、基板処理装置の状態が通知されるので、使用者に、基板処理装置のメンテナンスを支援する情報を提供することが可能になる。
【0136】
（第９項） 本発明の他の態様に係る分析方法は、
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、を備える。
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、を備える。
【0137】
第９項に記載の分析方法によれば、経時変化する基板処理装置の任意の時点における状態を検出することが可能な分析方法を提供することができる。
【0138】
（第１０項） 本発明の他の態様に係る分析プログラムは、
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、をコンピューターに実行させる。
基板処理装置で実行される処理の処理条件と、当該処理の処理結果を取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップにおいて取得された前記処理条件と前記処理結果とに基づき、前記処理条件に含まれる少なくとも１つの条件で用いられる変数を説明変数とし、前記処理結果の推定値を算出する回帰式のパラメータを更新するパラメータ更新ステップと、
前記パラメータ更新ステップにおいて更新された前記パラメータに基づき、前記基板処理装置の状態を分析する分析ステップと、をコンピューターに実行させる。
【0139】
第１０項に記載の分析プログラムによれば、経時変化する基板処理装置の任意の時点における状態を検出することが可能な分析プログラムを提供することができる。
【符号の説明】
【0140】
１…基板処理システム，１０…制御装置，１００…分析装置，１１０…データ取得部，１２０…蓄積データ生成部，１３０…パラメータ更新部，１４０…処理条件決定部，１５０…予測部，１６０…評価部，１７０…処理条件送信部，２１０…パラメータ履歴生成部，２２０…分析部，２２１…データ取得部，２３０…操作量決定部，２４０…操作量取得部，３００…基板処理装置，３０１…ノズル移動機構，３０３…ノズルモータ，３０５…ノズルアーム，３１１…表面ノズル，ＳＣ…スピンチャック，ＳＭ…スピンモータ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】