特開 2024-137259 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024137259

(43)【公開日】2024-10-07

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/11 20060101AFI20240927BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240927BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20240927BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20240927BHJP

   H05K 3/24 20060101ALI20240927BHJP

【ＦＩ】

H05K1/11 H

H05K3/46 E

H05K3/46 N

H05K3/40 E

H05K3/42

H05K3/46 T

H05K3/24 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023048710

(22)【出願日】2023-03-24

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】桑原 雅

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】福島 志保

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA15

5E316AA43

5E316BB02

5E316CC09

5E316CC18

5E316CC32

5E316CC34

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD24

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH33

5E316HH40

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB12

5E317BB15

5E317BB18

5E317CC25

5E317CC33

5E317CD32

5E317GG03

5E317GG05

5E317GG09

5E343AA07

5E343AA17

5E343AA26

5E343BB13

5E343BB24

5E343BB28

5E343BB44

5E343DD25

5E343DD43

5E343FF16

5E343GG02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】高い品質を有する配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板は、スルーホール導体を有するコア基板と、コア基板上に形成されていてる第１樹脂絶縁層２０Ｆと、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に形成されている第１導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と第１導体層を電気的に接続しているビア導体と、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層１２０Ｆと、を有する。第１導体層は、第１面２２Ｆ上に形成されている第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂとからなるシード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されていて、第１導体層に含まれる導体回路の断面において、第１層３１Ｆａの幅Ｄ２は第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３より大きく、電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１は第１層３１Ｆａの幅Ｄ２より大きい。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口とを有する第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と前記第１導体層を電気的に接続しているビア導体と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層は前記第１面上に形成されている第１層と前記第１層上の第２層とからなるシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されていて、前記第１導体層に含まれる導体回路の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。

【請求項2】

請求項１の配線基板であって、前記導体回路の幅は、前記シード層と前記電解めっき層の境界部分で最小値を有する。

【請求項3】

請求項１の配線基板であって、前記第１樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記第１樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。

【請求項4】

請求項１の配線基板であって、前記第２層の幅を前記電解めっき層の幅と前記第１層の幅より小さくすることで、前記導体回路の側壁は凹みを有し、前記第２樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記凹みは前記第２樹脂絶縁層で充填され、前記凹み内に存在する前記無機粒子（第３無機粒子）の径は前記凹み以外の部分に存在する前記無機粒子の径より小さい。

【請求項5】

請求項４の配線基板であって、前記第３無機粒子の径は１．０μｍ以下である。

【請求項6】

請求項１の配線基板であって、前記第１層と前記第２層はスパッタリングで形成される。

【請求項7】

請求項１の配線基板であって、前記第１層は銅合金で形成され、前記第２層は銅で形成されている。

【請求項8】

請求項７の配線基板であって、前記銅合金中の銅の含有量が９０．０ａｔ％以上である。

【請求項9】

請求項７の配線基板であって、前記銅合金は、銅とアルミニウムと特定金属で形成され、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【請求項10】

請求項１の配線基板であって、前記シード層の厚みは、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。

【請求項11】

請求項１の配線基板であって、前記第１層の厚みは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。

【請求項12】

請求項１の配線基板であって、前記第２層の厚みは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。

【請求項13】

請求項３の配線基板であって、前記第１無機粒子は平坦部を有し、前記内壁面は前記平坦部の露出面と前記樹脂の面で形成される。

【請求項14】

請求項１３の配線基板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記露出面は前記突出部分を除去することで形成される。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１はガラス材質のコアを有する多層基板を開示する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１３３４７３号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口とを有する第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と前記第１導体層を電気的に接続しているビア導体と、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層、とを有する。前記第１導体層は前記第１面上に形成されている第１層と前記第１層上の第２層とからなるシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されていて、前記第１導体層に含まれる導体回路の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。

【0006】

本発明の実施形態の配線基板では、コア基板はガラス製の基板を含む。ガラス製の基板は平坦性に優れる。そのため第１樹脂絶縁層の第１面は平坦性に優れる。第１面は平滑性に優れる。第１樹脂絶縁層の第１面上に微細な信号配線を形成することができる。導体回路の断面において、第２層の幅は第１層の幅と電解めっき層の幅より小さい。導体回路の側壁はまっすぐに形成されない。側壁は凹みを有する。ガラス製の基板の熱膨張率と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層、第２樹脂絶縁層）の熱膨張率の差に起因するストレスが導体回路の側壁に沿って第１樹脂絶縁層に伝わりがたい。凹み部分によりストレスが分散されると考えられる。導体回路の側壁と第２樹脂絶縁層の界面の延長線に沿うクラックが第１樹脂絶縁層内に発生しがたい。第１層の幅は第２層の幅より大きい。導体回路の側壁が凹みを有するので、導体回路の側壁と第２樹脂絶縁層間の接触面積が大きい。第２樹脂絶縁層が導体回路の側壁から剥がれがたい。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態の配線基板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態の配線基板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態の配線基板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4E】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4G】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4H】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4I】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4J】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4K】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5】改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6】改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態の配線基板２を示す断面図である。図２と図３は実施形態の配線基板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、配線基板２は、コア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂとを有する。

【0009】

コア基板３は基板４と貫通孔６とスルーホール導体８を有する。基板４は表面５Ｆと表面５Ｆと反対側の裏面５Ｂを有する。基板４はガラス製である。貫通孔６は基板４を貫通する。貫通孔６の形状は略円柱である。貫通孔６の径はほぼ一定である。貫通孔６の形状は略円錐台であってもよい。貫通孔６の形状は２つの略円錐を繋げることで得られる形状でもよい。２つの円錐は表面側の円錐と裏面側の円錐である。表面側の円錐の底面は表面５Ｆに位置し、裏面側の円錐の底面は裏面５Ｂに位置する。この場合、貫通孔６の側面は表面５Ｆから裏面５Ｂに向かってテーパーしている面と裏面５Ｂから表面５Ｆに向かってテーパーしている面で形成される。

【0010】

スルーホール導体８は貫通孔６内に形成されている。スルーホール導体８は主に銅によって形成されている。スルーホール導体８は、貫通孔６の内壁面上に形成されるシード層１０ａとシード層１０ａ上に形成される電解めっき層１０ｂを含む。電解めっき層１０ｂは貫通孔６を充填する。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。スルーホール導体８は上端８Ｆと下端８Ｂを有する。上端８Ｆの面と表面５Ｆは実質的に同一な平面を形成する。下端８Ｂの面と裏面５Ｂは実質的に同一な平面を形成する。上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。

【0011】

表側ビルドアップ層３００Ｆは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。表側ビルドアップ層３００Ｆは、表側の樹脂絶縁層と表側の導体層と表側の樹脂絶縁層を貫通する表側のビア導体を有する。表側の導体層と表側のビア導体はスルーホール導体８に電気的に繋がっている。表側の樹脂絶縁層と表側の導体層は交互に積層されている。図１中の表側の樹脂絶縁層は、第１樹脂絶縁層２０Ｆと第２樹脂絶縁層１２０Ｆである。表側の導体層は第１導体層３０Ｆと第２導体層１３０Ｆである。表側のビア導体は第１ビア導体４０Ｆと第２ビア導体１４０Ｆである。

【0012】

第１樹脂絶縁層２０Ｆは第１面２２Ｆと第１面２２Ｆと反対側の第２面２４Ｆを有する。第２面２４Ｆと表面５Ｆが対向するように、第１樹脂絶縁層２０Ｆは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。図１の例では、第２面２４Ｆは表面５Ｆに接している。第２面２４Ｆは上端８Ｆの一部と接している。表面５Ｆと第２面２４Ｆとの間に導体回路は存在しない。表面５Ｆ上に導体回路は形成されていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆに至る第１開口２６Ｆを有する。第１開口２６Ｆは第１面２２Ｆ上の開口（トップ開口）と第２面２４Ｆ上の開口（ボトム開口）を有する。トップ開口とボトム開口の形状はほぼ円である。ボトム開口は上端８Ｆと表面５Ｆを同時に露出することができる。この場合、上端８Ｆの周りの表面５Ｆが露出される。ボトム開口は上端８Ｆの一部とその一部の周りの表面５Ｆを露出しても良い（第１例）。ボトム開口は上端８Ｆの全てと上端８Ｆの周りの表面５Ｆを露出しても良い（第２例）。図１に示されるように、ボトム開口は上端８Ｆのみを露出することができる（第３例）。第１例と第２例と第３例の内、２つの例が混在しても良い。第１例と第２例と第３例の全てが混在しても良い。第１例と第３例が混在することが好ましい。この場合、いくつかのスルーホール導体８の上端８Ｆは第１例の開口で露出され、残りのスルーホール導体８の上端８Ｆは第３例の開口で露出される。第１樹脂絶縁層２０Ｆは樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０はガラス粒子である。無機粒子９０はアルミナであってもよい。第１樹脂絶縁層２０Ｆ中の無機粒子９０の含有量は７５ｗｔ％以上である。

【0013】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆを形成する第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0014】

第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０（第２無機粒子９２）は露出しない。第１面２２Ｆは第２無機粒子９２の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆには凹凸が形成されていない。第１面２２Ｆは荒らされていない。第１面２２Ｆは平滑に形成されている。

【0015】

図２に示されるように、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。第１無機粒子９１は平坦部９１ａを有する。平坦部９１ａは内壁面２７Ｆを形成する。内壁面２７Ｆは樹脂８０と平坦部９１ａで形成されている。平坦部９１ａと内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０の面は平滑である。平坦部９１ａの露出面９１ｂ（内壁面２７Ｆを形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９１ａの露出面９１ｂは平滑である。内壁面２７Ｆは平滑に形成される。内壁面２７Ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0016】

第１無機粒子９１の平坦部９１ａは第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７Ｆを形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図１と図２中に実質的な直線で描かれている平坦部９１ａは平面を意味している。図１と図２に示される断面において平坦部９１ａは平面である。平坦部９１ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９１ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0017】

図２に示されるように、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは傾斜している。基板４の表面５Ｆと内壁面２７Ｆとの間の角度（傾斜角度）θ１は７０°以上８５°以下である。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと内壁面２７Ｆとの間の角度（傾斜角度）θ２は９５°以上１１０°以下である。

【0018】

図１と図２に示される断面では、第１開口２６Ｆの形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の第１開口２６Ｆの形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の第１開口２６Ｆの内壁面（側壁）２７Ｆは略曲面である。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７Ｆを含む。

【0019】

図１に示されるように、第１導体層３０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に形成されている。第１導体層３０Ｆは第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆとを含む。図に示されていないが、第１導体層３０Ｆは第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆはペア配線を形成している。第１導体層３０Ｆは主に銅によって形成される。第１導体層３０Ｆは、シード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されている。例えば、シード層３０Ｆａは銅合金で形成される。シード層３０Ｆａはスパッタリングによって形成されている。シード層３０Ｆａは第１面２２Ｆ上の第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。第１層３１Ｆａは第１面２２Ｆに接している。第２層３１Ｆｂは必須ではない。第１導体層３０Ｆのうち第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと対向する面は第１面２２Ｆの表面形状に沿って形成されている。第１導体層３０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆの内側に入り込まない。

【0020】

第１層３１Ｆａは銅とアルミニウムと特定金属を含有する銅合金からなる。特定金属の例は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムである。銅合金は１種類の特定金属、または、２種類の特定金属、または、３種類の特定金属を含むことが好ましい。銅合金中の銅の含有量は９０．０ａｔ％以上である。銅合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。特定金属の例はケイ素である。銅合金中の特定金属の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。第１層３１Ｆａは不純物を含んでも良い。不純物の例は酸素と炭素である。第１層３１Ｆａは酸素、または、炭素を含むことができる。第１層３１Ｆａは酸素と炭素を含むことができる。実施形態では、銅合金はさらに炭素を含有している。銅合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。銅合金はさらに酸素を含有している。銅合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。上記各元素の含有量の値は一例である。第１層３１Ｆａを形成する元素の中で銅の量が最も大きい。次いで、アルミニウムの量が大きい。特定金属の量はアルミニウムの量より小さい。従って、銅は主の金属であり、アルミニウムは第１の副の金属であり、特定金属は第２の副の金属である。不純物の量は特定金属の量より小さい。

【0021】

第２層３１Ｆｂは銅で形成されている。第２層３１Ｆｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１Ｆｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。電解めっき層３０Ｆｂは銅で形成されている。電解めっき層３０Ｆｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。電解めっき層３０Ｆｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0022】

第１樹脂絶縁層２０Ｆはガラス製の基板４上に形成される。ガラスは平坦性に優れるので、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆも平坦性に優れる。表面５Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆ間に導体回路が形成されないと、第１面２２Ｆが表面５Ｆに追従することができる。第１面２２Ｆは表面５Ｆと同等な平坦性を有することができる。実施形態は第１面２２Ｆ上に微細な配線を形成することができる。例えば、第１導体層３０Ｆは１．５μｍ以上、３．５μｍ以下の幅を有する配線を有することができる。隣接する配線間のスペースの幅は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。

【0023】

第１ビア導体４０Ｆは第１開口２６Ｆ内に形成されている。第１ビア導体４０Ｆはスルーホール導体８と第１導体層３０Ｆを電気的に接続する。第１ビア導体４０Ｆはスルーホール導体８と第１ビア導体４０Ｆのランド３６Ｆを電気的に接続する。第１ビア導体４０Ｆはシード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されている。第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆ上と第１開口２６Ｆから露出するスルーホール導体８の上端８Ｆ上に形成されている第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。図１では第１ビア導体４０Ｆは上端８Ｆに繋がっている。第１層３１Ｆａはスルーホール導体８の上端８Ｆと内壁面２７Ｆに接している。第１ビア導体４０Ｆは上端８Ｆの直上に形成されている。

【0024】

ビア導体用の開口が表面５Ｆを露出する場合、第１層３１Ｆａはガラス製の基板４に接する。第１例の開口と第２例の開口は表面５Ｆを露出する。さらに、第１例の開口と第２例の開口は上端８Ｆを露出する。第１層３１Ｆａがアルミニウムを含み、ガラスが酸素を含むので、第１層３１Ｆａと基板４間の接合強度が増すと考えられる。さらに、第１層３１Ｆａがケイ素を含むと、第１層３１Ｆａと基板４は同じ元素（ケイ素）を含む。さらに、第１層３１Ｆａと基板４間の接合強度が増すと考えられる。ビア導体を形成するシード層の一部がガラス製の基板４に接すると、配線基板２が熱衝撃を受けてもビア導体がスルーホール導体８から剥がれ難い。上端８Ｆに接しているビア導体を形成するシード層（例えば、第１層３１Ｆａ）は上端８Ｆと表面５Ｆの両方に接することが好ましい。同様に、下端８Ｂに接しているビア導体を形成するシード層（例えば、第１層）は下端８Ｂと裏面５Ｂの両方に接することが好ましい。表面５Ｆと第２面２４Ｆの間に第１樹脂絶縁層２０Ｆなどの樹脂絶縁層と基板４を接着するための接着層が配置される場合、接着層は樹脂絶縁層の一部であってもよい。接着層は樹脂絶縁層に含まれる。接着層は有機製接着層と無機製接着層を含む。接着層は絶縁材料で形成される。

【0025】

第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層３０Ｆ上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆとの間に第１導体層３０Ｆが形成されている。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１面１２２Ｆと第１面１２２Ｆと反対側の第２面１２４Ｆを有する。第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第２面１２４Ｆは第１導体層３０Ｆと対向する。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆと同様に樹脂８０と無機粒子９０（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２）で形成されている。従って、第２樹脂絶縁層１２０Ｆの材質と第１樹脂絶縁層２０Ｆの材質は同様である。第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは同様である。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１導体層３０Ｆを形成する導体回路間の空間を充填している。

【0026】

第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１導体層３０Ｆを露出する第２開口１２６Ｆを有している。第２開口１２６Ｆはランド３６Ｆを露出している。第２開口１２６Ｆは内壁面１２７Ｆを有する。第１開口２６Ｆと第２開口１２６Ｆは同様である。従って、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆと第２開口１２６Ｆの内壁面１２７Ｆは同様である。

【0027】

第２導体層１３０Ｆは第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆ上に形成されている。第２導体層１３０Ｆは第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆとランド１３６Ｆとを含む。図に示されていないが、第２導体層１３０Ｆは第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆとランド１３６Ｆ以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆはペア配線を形成している。第２導体層１３０Ｆと第１導体層３０Ｆは同様である。従って、第２導体層１３０Ｆは、シード層１３０Ｆａとシード層１３０Ｆａ上の電解めっき層１３０Ｆｂで形成されている。シード層１３０Ｆａは第１層１３１Ｆａと第１層１３１Ｆａ上の第２層１３１Ｆｂで形成されている。第２導体層１３０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成する第１層３１Ｆａは同様である。第２導体層１３０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する第２層３１Ｆｂは同様である。第２導体層１３０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂは同様である。

【0028】

第２ビア導体１４０Ｆは第２開口１２６Ｆ内に形成されている。第２ビア導体１４０Ｆは第１導体層３０Ｆと第２導体層１３０Ｆを電気的に接続する。図１では第２ビア導体１４０Ｆはランド３６Ｆとランド１３６Ｆを電気的に接続する。第２ビア導体１４０Ｆと第１ビア導体４０Ｆは同様である。従って、第２ビア導体１４０Ｆはシード層１３０Ｆａとシード層１３０Ｆａ上の電解めっき層１３０Ｆｂで形成されている。シード層１３０Ｆａは第１層１３１Ｆａと第１層１３１Ｆａ上の第２層１３１Ｆｂで形成されている。第２ビア導体１４０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａと第２導体層１３０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａは共通である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂと第２導体層１３０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂは共通である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂと第２導体層１３０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂは共通である。

【0029】

図３は、実施形態内の導体回路の拡大断面図を示す。図３には、実施形態内の導体回路の代表例として、第１導体層３０Ｆの第１信号配線３２Ｆが示されている。図３に示されるように、第１信号配線３２Ｆは、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上のシード層３０Ｆａと、シード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂによって形成されている。シード層３０Ｆａは、第１面２２Ｆ上の第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。第１層３１Ｆａは第１面２２Ｆに接している。第１面２２Ｆと対向する第１層３１Ｆａの面は第１面２２Ｆの表面形状に沿って形成されている。電解めっき層３０Ｆｂは第２層３１Ｆｂの直上に形成されている。

【0030】

第１信号配線３２Ｆのシード層３０Ｆａの幅は電解めっき層３０Ｆｂの幅よりも小さい。第１信号配線３２Ｆの幅は、シード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂの境界部分Ｂで最小値を有する。第１層３１Ｆａの幅Ｄ２は第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３より大きく、電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１は第１層３１Ｆａの幅Ｄ２より大きい。第１信号配線３２Ｆの断面において、シード層３０Ｆａの側壁と第１面２２Ｆとの間の角度θ３は、電解めっき層３０Ｆｂの側壁下端部から境界部分Ｂに向かう直線と第１面２２Ｆとの間の角度θ４より大きい。各幅Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は図３等の断面図を用いて測定される。測定に用いられる断面と第１面は垂直である。もしくは、測定に用いられる断面と表面５Ｆは垂直である。もしくは、測定に用いられる断面と裏面５Ｂは垂直である。測定に用いられる断面と測定対象の導体回路の側面は垂直である。

【0031】

幅Ｄ１は、電解めっき層３０Ｆｂの上面から延びていて第１面２２Ｆに向かっている電解めっき層３０Ｆｂの２つの面間の距離である。電解めっき層３０Ｆｂの上面はシード層３０Ｆａから離れている面である。幅Ｄ１を測定するために用いられる面は電解めっき層３０Ｆｂの壁面（側壁）を形成する。導体回路（例えば、第１信号配線３２Ｆ）の幅は幅Ｄ１で代表されてもよい。幅Ｄ１は導体回路の上面近くで測定される。幅Ｄ２は第１面２２Ｆ上で測定される。幅Ｄ３は第２層３１Ｆｂと電解めっき層３０Ｆｂとの間の界面で測定される。

【0032】

図３に示されるように、電解めっき層３０Ｆｂの断面形状の例は略六角形である。断面形状が略六角形であると、六角形を形成する辺の内、シード層３０Ｆａと接する辺は下辺ＢＬである。下辺ＢＬと対向する辺は上辺ＵＬである。上辺ＵＬから延びている辺は第１辺ＳＬ１と第２辺ＳＬ２である。第１辺ＳＬ１と第２辺ＳＬ２は幅Ｄ１を測定するための２辺である。下辺ＢＬから延びている辺は第３辺ＳＬ３と第４辺ＳＬ４である。第３辺ＳＬ３は第１辺ＳＬ１に繋がる。第３辺ＳＬ３は第１辺ＳＬ１と下辺ＢＬ間に形成されている。第４辺ＳＬ４は第２辺ＳＬ２に繋がる。第４辺ＳＬ４は第２辺ＳＬ２と下辺ＢＬ間に形成されている。第１辺ＳＬ１を含む面は電解めっき層３０ｂの一方の側壁（側面）を形成する。第２辺ＳＬ２を含む面は電解めっき層３０ｂの他方の側壁（側面）を形成する。

【0033】

第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３を電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１と第１層３１Ｆａの幅Ｄ２より小さくすることで、導体回路の側壁は凹み３３Ｆを有する。導体回路の例は第１信号配線３２Ｆ等の信号配線である。電解めっき層３０Ｆｂの側面を含む面と第１面２２Ｆと導体回路の実際の側面で囲まれる領域が凹み３３Ｆを形成する。実際の側面はシード層３０Ｆａの側面を含む。凹み３３Ｆは第２樹脂絶縁層１２０Ｆで充填される。凹み３３Ｆを充填している第２樹脂絶縁層１２０Ｆは特定部分Ｓと称される。特定部分Ｓは第３無機粒子９３を含む。特定部分Ｓに含まれる第３無機粒子９３の径は他の部分に含まれる第２無機粒子９２の径より小さい。特定部分Ｓに含まれる第３無機粒子９３の径は例えば１．０μｍ以下である。特定部分Ｓの幅は図３のＣに相当する。特定部分Ｓの幅は１．０μｍ程度である。特定部分Ｓ内の樹脂８０の含有量はそれ以外の部分に含まれている樹脂の含有量より大きい。そのため、シード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂ間の界面に発生する応力が緩和される。

【0034】

図３は第１信号配線３２Ｆを例示するが、第１導体層３０Ｆ内の他の導体回路（第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ等）も第１信号配線３２Ｆと同様の構成を有する。第２導体層１３０Ｆ内の導体回路（第１信号配線１３２Ｆ、第２信号配線１３４Ｆ、ランド１３６Ｆ等）も第１信号配線３２Ｆと同様の構成を有する。

【0035】

裏側ビルドアップ層３００Ｂは、裏側の樹脂絶縁層と裏側の導体層と裏側の樹脂絶縁層を貫通する裏側のビア導体を有する。裏側の樹脂絶縁層と裏側の導体層は交互に積層されている。裏側の導体層と裏側のビア導体はスルーホール導体８に電気的に繋がっている。図１中の裏側の樹脂絶縁層は、第１面２２Ｂと第２面２４Ｂを有する第１樹脂絶縁層２０Ｂと第１面１２２Ｂと第２面１２４Ｂを有する第２樹脂絶縁層１２０Ｂである。裏側の導体層は第１導体層３０Ｂと第２導体層１３０Ｂである。第１導体層３０Ｂと第２導体層１３０Ｂは第１信号配線３２Ｂ、１３２Ｂと第２信号配線３４Ｂ、１３４Ｂを含む。裏側のビア導体は第１ビア導体４０Ｂと第２ビア導体１４０Ｂである。

【0036】

表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。従って、表側ビルドアップ層３００Ｆを形成する表側の樹脂絶縁層と裏側ビルドアップ層３００Ｂを形成する裏側の樹脂絶縁層は同様である。各裏側の樹脂絶縁層は樹脂８０と無機粒子９０で形成される。各裏側の樹脂絶縁層は第１無機粒子９１と第２無機粒子９２を含む。各樹脂絶縁層の第１面は樹脂のみで形成されている。表側の導体層と裏側の導体層は同様である。表側のビア導体用の開口と裏側のビア導体用の開口は同様である。各ビア導体用の開口の内壁面は樹脂８０の面（露出面）８０ａと無機粒子の露出面９１ｂで形成されている。表側のビア導体と裏側のビア導体は同様である。

【0037】

図に示されないが、配線基板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。実施形態によって形成される信号配線の長さは５ｍｍ以上である。信号配線の長さは１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であってもよい。

【0038】

［実施形態の配線基板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｋは実施形態の配線基板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｇ、図４Ｉ～図４Ｋは断面図である。図４Ｈは拡大断面図である。図４Ａはガラス製の基板４を示す。基板４は表面５Ｆと裏面５Ｂを有する。図４Ｂに示されるように、表面５Ｆから裏面５Ｂに至る貫通孔６が形成される。貫通孔６は基板４を貫通する。基板４の表面５Ｆ側からレーザ光が照射される。その後、基板４はフッ酸に浸漬される。貫通孔６が形成される。

【0039】

図４Ｃに示されるようにシード層１０ａが形成される。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。シード層１０ａは貫通孔６の内壁面上と表面５Ｆ上と裏面５Ｂ上に形成される。

【0040】

図４Ｄに示されるように電解めっき層１０ｂが形成される。電解めっき層１０ｂはシード層１０ａ上に形成される。電解めっき層１０ｂは貫通孔６内を充填する。

【0041】

図４Ｅに示されるように、表面５Ｆ上の電解めっき層１０ｂとシード層１０ａが研磨で除去される。裏面５Ｂ上の電解めっき層１０ｂとシード層１０ａが研磨で除去される。基板４の表面５Ｆと裏面５Ｂが露出する。貫通孔６の内壁面上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂによってスルーホール導体８が形成される。スルーホール導体８の上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。スルーホール導体８の下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。上端８Ｆを形成する面と表面５Ｆは同一平面を形成する。下端８Ｂを形成する面と裏面５Ｂは同一平面を形成する。コア基板３（図１）が形成される。図１のコア基板３は表面５Ｆ上に導体回路を有していない。図１のコア基板３は裏面５Ｂ上に導体回路を有していない。

【0042】

コア基板３上に表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様な方法で形成される。表側ビルドアップ層３００Ｆの形成方法が以下に示される。図には裏側ビルドアップ層３００Ｂも描かれている。

【0043】

図４Ｆに示されるように、基板４の表面５Ｆと上端８Ｆ上に第１樹脂絶縁層２０Ｆと保護膜５０Ｆが形成される。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第２面２４Ｆが基板４の表面５Ｆと対向している。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に保護膜５０Ｆが形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆには凹凸が形成されていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆは表面５Ｆと上端８Ｆで形成される平面上に形成される。そのため、第１面２２Ｆは実質的な平面で形成される。表面５Ｆと第１面２２Ｆはほぼ平行である。

【0044】

図４Ｇに示されるように、保護膜５０Ｆの上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆを同時に貫通する。スルーホール導体８の上端８Ｆに至るビア導体用の第１開口２６Ｆが形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。第１開口２６Ｆによりスルーホール導体８の上端８Ｆが露出する。第１開口２６Ｆが形成される時、第１面２２Ｆは保護膜５０Ｆで覆われている。第１開口２６Ｆが形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２Ｆに樹脂が付着することが抑制される。

【0045】

第１面２２Ｆが平坦性に優れる。レーザ光Ｌが第１面２２Ｆに照射されるとき、レーザ光Ｌが乱反射しがたい。各第１開口２６Ｆが形成される時、レーザ光Ｌの焦点の位置が一致しやすい。小さな径を有するビア導体用の開口を形成することができる。各ビア導体用の開口の径がほぼ等しい。例えば、１５μｍ以上、３５μｍ以下の径を有するビア導体用の開口を形成することができる。径の大きさは第１面２２Ｆ上で測定される。

【0046】

図４Ｈは、レーザ光照射後の第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆｂを示す。内壁面２７Ｆｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することで、平坦部９１ａ（図２参照）を有する第１無機粒子９１が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２７Ｆの形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0047】

第１樹脂絶縁層２０Ｆにレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７Ｆｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７Ｆ（図１、図２）が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が形成される。平坦部９１ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２７Ｆは平坦部９１ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで内壁面２７Ｆｂ上にシード層３０Ｆａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜（スパッタリング製膜）の成長を阻害する。例えば、内壁面２７Ｆｂ上に連続しているシード層３０Ｆａが形成されない。あるいは、シード層３０Ｆａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタリングで形成されるシード層３０Ｆａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０Ｆａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０Ｆａが得られる。

【0048】

第１開口２６Ｆを形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆｂを形成する樹脂８０から突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは第１無機粒子９１の露出面９１ｂを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0049】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９１ａが形成されるので、平坦部９１ａの露出面９１ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７Ｆを形成することを含む。

【0050】

内壁面２７Ｆは、第１無機粒子９１の露出面９１ｂとその露出面９１ｂを有する第１無機粒子９１を囲んでいる樹脂８０の面８０ａとの間に段差を有することができる。露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａから凹んでいる。あるいは、露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａから出っ張っている。段差（露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離）は５μｍ以下である。段差は３μｍ以下であることが好ましい。段差は１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差が形成されていても、段差が小さいので、露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。

【0051】

内壁面２７Ｆ上に凹凸が形成されない。内壁面２７Ｆは平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0052】

第１開口２６Ｆ内が洗浄される。第１開口２６Ｆ内を洗浄することにより、第１開口２６Ｆ形成時に発生する樹脂残渣が除去される。第１開口２６Ｆ内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。

【0053】

第１開口２６Ｆ内が洗浄される時、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは保護膜５０Ｆで覆われている。第１面２２Ｆはプラズマの影響を受けない。第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは凹凸を有さない。第１面２２Ｆは平滑に形成されている。

【0054】

レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することが第１開口２６Ｆ内を洗浄することを含む場合、第１開口２６Ｆ内を洗浄することを削除することができる。

【0055】

図４Ｉに示されるように、第１開口２６Ｆ内を洗浄することの後に、第１樹脂絶縁層２０Ｆから保護膜５０Ｆが除去される。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することが第１開口２６Ｆ内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することの後に、第１樹脂絶縁層２０Ｆから保護膜５０Ｆが除去される。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂが処理される時、保護膜５０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを覆っている。保護膜５０Ｆ除去後、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを荒らすことは行われない。

【0056】

図４Ｊに示されるように、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上にシード層３０Ｆａが形成される。シード層３０Ｆａはスパッタリングによって形成される。シード層３０Ｆａの形成はドライプロセスで行われる。シード層３０Ｆａは第１開口２６Ｆから露出するスルーホール導体８の上端８Ｆと第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆにも形成される。シード層３０Ｆａは主に銅で形成される。第１層３１Ｆａが第１面２２Ｆ上にスパッタリングで形成される。第１開口２６Ｆから露出する内壁面２７Ｆとスルーホール導体８の上端８Ｆ上に第１層３１Ｆａがスパッタリングで形成される。第２層３１Ｆｂが第１層３１Ｆａ上にスパッタリングで形成される。

【0057】

第１層３１Ｆａの形成後、第１層３１Ｆａに熱処理が施されても良い。例えば、熱処理の温度は１２０度であり、熱処理の時間は１時間である。第２層３１Ｆｂの形成後、第２層３１Ｆｂに熱処理が施されても良い。例えば、熱処理の温度は８０度であり、熱処理の時間は３０分である。第２層３１Ｆｂの形成後、熱処理が施されると、その熱処理は第１層３１Ｆａにも施される。

【0058】

シード層３０Ｆａの第１層３１Ｆａは銅とアルミニウムとケイ素を含有する銅合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、第１樹脂絶縁層２０Ｆと第１層３１Ｆａ間の密着力が高い。ヒートサイクルにより第１樹脂絶縁層２０Ｆが伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層３０Ｆａがその伸縮に追従することができると考えられる。第１面２２Ｆが平滑であっても、シード層３０Ｆａは第１樹脂絶縁層２０Ｆから剥がれ難い。アルミニウムは酸化しやすいと考えられる。第１無機粒子９１が酸素を含む無機粒子９０であると、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆ上に形成される第１層３１Ｆａは内壁面２７Ｆを形成する無機粒子９０内の酸素を介して第１無機粒子９１に密着すると考えられる。第１層３１Ｆａと内壁面２７Ｆが強く接合される。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆと第１層３１Ｆａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０Ｆａは内壁面２７Ｆから剥がれ難い。内壁面２７Ｆを形成する無機粒子９０は酸素を含むことが好ましい。第２層３１Ｆｂは銅で形成されている。

【0059】

第１面２２Ｆは平坦性に優れる。スパッタリングを用いて第１面２２Ｆ上にシード層３０Ｆａが形成されるとき、ターゲットと第１面２２Ｆ間の距離がほぼ一定である。ほぼ均一な厚みを有するシード層３０Ｆａを形成することができる。

【0060】

シード層３０Ｆａの厚みは、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。より好ましい例は０．０３μｍ以上０．５μｍ以下である。さらに好ましい例は０．０５μｍ以上０．３μｍ以下である。第１面２２Ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。シード層３０Ｆａの厚みが０．０２μｍ未満であると、シード層３０Ｆａを第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上全体に均一に形成することが困難である。厚みが１．０μｍより大きいと、シード層３０Ｆａが除去される時、電解めっき層３０Ｆｂの幅の制御が難しい。第１層３１Ｆａの厚みは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。より好ましい例は０．０２μｍ以上０．３μｍ以下である。さらに好ましい例は０．０３μｍ以上０．１μｍ以下である。第１層３１Ｆａの厚みが０．０１μｍ未満であると、第１層３１Ｆａと第１樹脂絶縁層２０Ｆ間の密着性が低下する。第１層３１Ｆａの厚みが０．５μｍより大きいと、配線抵抗値が高くなる。第２層３１Ｆｂの厚みは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。より好ましい例は０．０２μｍ以上０．３μｍ以下である。さらに好ましい例は０．０３μｍ以上０．２μｍ以下である。第２層３１Ｆｂの厚みが０．０１μｍ未満であると、配線抵抗値が高くなる。第２層３１Ｆｂの厚みが０．９μｍより大きいと、シード層３０Ｆａが除去される時、電解めっき層３０Ｆｂの幅の制御が難しい。シード層３０Ｆａは第１面２２Ｆの表面形状に沿って形成されている。第１導体層３０Ｆ内の導体回路を形成するシード層３０Ｆａは第１樹脂絶縁層２０Ｆの内側に入り込まない。シード層３０Ｆａが除去される時、エッチング量を小さくすることができる。導体回路が過度に除去され難い。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。

【0061】

シード層３０Ｆａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ（図１）を形成するための開口を有する。

【0062】

めっきレジストから露出するシード層３０Ｆａ上に電解めっき層３０Ｆｂが形成される。電解めっき層３０Ｆｂの厚みは５μｍ以上２０μｍ以下である。電解めっき層３０Ｆｂは電解銅めっき層で形成されている。電解めっき層３０Ｆｂは第１開口２６Ｆを充填する。第１面２２Ｆ上のシード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂによって、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ（図１）が形成される。第１導体層３０Ｆが形成される。第１開口２６Ｆ内のシード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂによって、第１ビア導体４０Ｆ（図１）が形成される。第１ビア導体４０Ｆは、スルーホール導体８とランド３６Ｆを接続する。第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆはペア配線を形成する。

【0063】

めっきレジストが除去される。電解めっき層３０Ｆｂから露出するシード層３０Ｆａがエッチングで除去される。図４Ｋに示されるように、第１導体層３０Ｆと第１ビア導体４０Ｆが同時に形成される。

【0064】

第２層３１Ｆｂのエッチング速度Ｒ２は第１層３１Ｆａのエッチング速度Ｒ１より大きい。第１層３１Ｆａのエッチング速度Ｒ１は電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度ＲＥより大きい。シード層３０Ｆａのエッチング速度ＲＳは電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度ＲＥより大きい。例えば、第２層３１Ｆｂのエッチング速度Ｒ２と電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度ＲＥとの比（Ｒ２／ＲＥ）は１．２以上１．５以下である。第１層３１Ｆａのエッチング速度Ｒ１と電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度ＲＥとの比（Ｒ１／ＲＥ）は１．１以上１．４以下である。第２層３１Ｆｂのエッチング速度Ｒ２と第１層３１Ｆａのエッチング速度Ｒ１との比（Ｒ２／Ｒ１）は１．１以上１．５以下である。そのため、図３に示されるように、第１層３１Ｆａの幅Ｄ２は第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３より大きい。電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１は第１層３１Ｆａの幅Ｄ２より大きい。シード層３０Ｆａが除去される時、電解めっき層３０Ｆｂのエッチング量が小さい。導体回路が過度に除去されがたい。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。シード層３０Ｆａを除去するためのエッチング液として、第１層３１Ｆａより第２層３１Ｆｂをより溶解するエッチング液が好ましい。配線の幅（配線の側壁間の距離）は第２層３１Ｆｂと電解めっき層３０Ｆｂとの境界部分Ｂで最小値を有する（図３）。境界部分Ｂで応力は最大値を示すので、第１層３１Ｆａと第１樹脂絶縁層２０Ｆとの密着性が向上する。

【0065】

導体回路を形成する各層３１Ｆａ、３１Ｆｂ、３０Ｆｂの間でエッチング速度が異なる。各層３１Ｆａ、３１Ｆｂ、３０Ｆｂの構造比率（アモルファス構造／結晶構造）がエッチング速度の違いに関わっていると推察される。なぜなら、アモルファス構造は格子欠陥を有しやすい。そのため、大きな構造比率を有する層は大きなエッチング速度を有しやすい。構造比率を求めるための装置の例は透過電子顕微鏡やＸ線回折である。例えば、構造比率は両者の体積を用いて算出される。あるいは、構造比率は断面に含まれる両者の面積を用いて算出される。面積が用いられる場合、面積比（アモルファス構造の面積／結晶構造の面積）が構造比率の代表値として用いられる。

【0066】

構造比率が大きいと、エッチング速度は大きいと考えられる。従って、第２層３１Ｆｂの構造比率は第１層３１Ｆａの構造比率より大きいはずである。第１層３１Ｆａの構造比率は電解めっき層３０Ｆｂの構造比率より大きいはずである。熱量や組成、厚み、時間、形成方法、密度、結晶性等が構造比率に影響していると考えられる。第１層３１Ｆａに加えられる熱量は第２層３１Ｆｂに加えられる熱量より大きい。第１層３１Ｆａの厚みと第２層３１Ｆｂの厚みはほぼ等しい。電解めっき層３０Ｆｂの厚みは第１層３１Ｆａの厚みよりかなり厚い。第２層３１Ｆｂと電解めっき層３０Ｆｂは銅で形成され、第１層３１Ｆａは銅合金で形成されている。第１層３１Ｆａは樹脂上に形成される。第２層３１Ｆｂは銅合金からなる第１層３１Ｆａ上に形成される。電解めっき層３０Ｆｂは銅からなる第２層３１Ｆｂ上に形成されている。第１層３１Ｆａと第２層３１Ｆｂ、電解めっき層３０Ｆｂの内、第１層３１Ｆａが最も先に形成される。第１層３１Ｆａと第２層３１Ｆｂはスパッタリングで形成される。電解めっき層３０Ｆｂは電解めっきで形成される。導体回路を形成する各層３１Ｆａ、３１Ｆｂ、３０Ｆｂの間で共通する点と相違する点が存在する。構造比率に影響する因子を制御することで、各層３１Ｆａ、３１Ｆｂ、３０Ｆｂのエッチング速度を制御することができると考えられる。

【0067】

第１無機粒子９１の平坦部９１ａが内壁面２７Ｆを形成するので、第１層３１Ｆａの厚みを小さくすることができる。第１層３１Ｆａの厚みは電解めっき層３０Ｆｂの厚みより十分薄い。そのため、第１層３１Ｆａを形成する粒子の配向性は電解めっき層３０Ｆｂを形成する粒子の配向性より小さくなりやすい。あるいは、第１層３１Ｆａの密度は電解めっき層３０Ｆｂの密度より小さくなりやすい。あるいは、第１層３１Ｆａの結晶性は電解めっき層３０Ｆｂの結晶性より小さくなりやすい。第１無機粒子９１の平坦部９１ａが内壁面２７Ｆを形成するので、第２層３１Ｆｂの厚みを小さくすることができる。第２層３１Ｆｂの厚みは電解めっき層３０Ｆｂの厚みより十分薄い。そのため、第２層３１Ｆｂを形成する粒子の配向性は電解めっき層３０Ｆｂを形成する粒子の配向性より小さくなりやすい。あるいは、第２層３１Ｆｂの密度は電解めっき層３０Ｆｂの密度より小さくなりやすい。あるいは、第２層３１Ｆｂの結晶性は電解めっき層３０Ｆｂの結晶性より小さくなりやすい。このため、第１層３１Ｆａと第２層３１Ｆｂのエッチング速度は電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度より大きい。電解めっき層３０Ｆｂから露出するシード層３０Ｆａが除去されると、電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１は第１層３１Ｆａの幅Ｄ２より大きい。電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１は第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３より大きい。電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度はシード層３０Ｆａのエッチング速度より小さい。そのため、電解めっき層３０Ｆｂを溶解するために消費されるエッチング液中の溶解成分の量は小さい。実施形態によれば、溶解成分がシード層３０Ｆａに十分に到達する。シード層３０Ｆａが効率的に溶解する。目標値の幅を有する信号配線を形成することができる。第１層３１Ｆａは第２層３１Ｆｂで覆われている。第２層３１Ｆｂを溶解するために溶解成分が消費される。そのため、第１層３１Ｆａの溶解量を第２層３１Ｆｂの溶解量より小さくすることができる。電解めっき層３０Ｆｂから露出するシード層３０Ｆａが除去されると、第１層３１Ｆａの幅Ｄ２は第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３より大きい。

【0068】

シード層３０Ｆａのエッチング速度は電解めっき層３０Ｆｂのエッチング速度より大きい。そのため第１信号配線３２Ｆの断面において角度θ３が角度θ４より大きい。境界部分Ｂの深さが小さい。応力集中が緩和される。

【0069】

第２樹脂絶縁層１２０Ｆが第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層３０Ｆ上に形成される。第２導体層１３０Ｆが第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆ上に形成される。第２ビア導体１４０Ｆが第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第２開口１２６Ｆ内に形成される。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆと同様の手法で形成される。第２導体層１３０Ｆは第１導体層３０Ｆと同様の手法で形成される。第２ビア導体１４０Ｆは第１ビア導体４０Ｆと同様の手法で形成される。実施形態の配線基板２（図１）が得られる。

【0070】

第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３を電解めっき層３０Ｆｂの幅Ｄ１と第１層３１Ｆａの幅Ｄ２より小さくすることで、第１信号配線３２Ｆの側壁は凹み３３Ｆを有する（図３）。ガラス製の基板４の熱膨張率と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｆ、第２樹脂絶縁層１２０Ｆ）の熱膨張率の差に起因するストレスが第１信号配線３２Ｆの側壁に沿って第１樹脂絶縁層２０Ｆに伝わりがたい。凹み３３Ｆによりストレスが分散される。第１信号配線３２Ｆの側壁と第２樹脂絶縁層１２０Ｆの界面の延長線に沿うクラックが第１樹脂絶縁層２０Ｆ内に発生しがたい。第１層３１Ｆａの幅Ｄ２は第２層３１Ｆｂの幅Ｄ３より大きい。第１信号配線３２Ｆの側壁が凹み３３Ｆを有するので、第１信号配線３２Ｆと第２樹脂絶縁層１２０Ｆ間の接触面積が大きい。第２樹脂絶縁層１２０Ｆが第１信号配線３２Ｆから剥がれがたい。

【0071】

第１導体層３０Ｆのうち第１面２２Ｆと対向する面は第１面２２Ｆの表面形状に沿って形成されている。そのため、第１導体層３０Ｆ内の導体回路（第１信号配線３２Ｆ、第２信号配線３４Ｆ、ランド３６Ｆ）を形成するシード層３０Ｆａは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆより内側に入り込まない。薄いシード層３０Ｆａが形成される。シード層３０Ｆａの厚みのバラツキが小さい。シード層３０Ｆａが除去される時、エッチング量が小さい。導体回路が過度に除去され難い。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。

【0072】

実施形態の配線基板２（図１）のコア基板３はガラス製の基板４を含む。ガラス製の基板４は平坦性に優れる。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは樹脂８０で形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは樹脂８０のみで形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは平坦性と平滑性に優れる。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂ上に微細な信号配線３２Ｆ、３２Ｂ、３４Ｆ、３４Ｂを形成することができる。第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂも第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂと同様である。そのため第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂ上に微細な信号配線１３２Ｆ、１３２Ｂ、１３４Ｆ、１３４Ｂを形成することができる。実施形態によって形成される信号配線のＬ／Ｓは例えば５μｍ／５μｍ未満である。信号配線のＬ／Ｓは１．５μｍ／１．５μｍ以上３．５μｍ／３．５μｍ以下であることが好ましい。Ｌは信号配線の幅を意味し、Ｓは隣接する信号配線間のスペースの幅を意味する。

【0073】

実施形態では内壁面上に形成される第１層はスパッタリングによって形成されている。ガラス製の基板４上の樹脂絶縁層は反りがたい。ビア導体用の開口の内壁面を形成する樹脂８０と第１無機粒子９１間にスパッタ膜の成長を阻害する隙間が発生しがたい。開口の内壁面が大きなうねりや大きな凹凸を有しがたい。内壁面上のスパッタ膜の厚みが薄くても、連続するスパッタ膜を形成することができる。スパッタリングで形成される膜をスパッタ膜と称することができる。

【0074】

ビア導体用の開口（第１開口、第２開口）の内壁面は樹脂８０と第１無機粒子９１の平坦部９１ａの露出面９１ｂで形成されている。第１層が形成されるとき、スパッタ膜を形成する粒子が第１無機粒子９１に付着すると考えられる。スパッタ膜を形成する粒子は第１無機粒子９１の中に埋まらないと考えられる。内壁面上に薄くて連続するシード層を形成することができる。実施形態によれば、第１面と内壁面上に薄くて連続するシード層を形成することができる。シード層が除去される時、エッチング量が少ない。そのため電解めっき層のエッチング量が少ない。信号配線が設計値通りの幅を有する。微細な信号配線を形成することができる。高い品質を有する配線基板２が提供される。

【0075】

実施形態の配線基板２（図１）では第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは樹脂８０で形成されている。第１面２２Ｆ、２２Ｂには無機粒子９０が露出しない。第１面２２Ｆ、２２Ｂには凹凸が形成されない。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂ近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２Ｆ、２２Ｂの比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂが第１面２２Ｆ、２２Ｂに接していても、第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂ間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態の配線基板２ではノイズが抑制される。実施形態の配線基板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂで伝達されるデータと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂで伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂの長さと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂの長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂの長さと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂの長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂも第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂと同様である。そのため第１信号配線１３２Ｆ、１３２Ｂと第２信号配線１３４Ｆ、１３４Ｂも第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂと同様の効果を有する。高い品質を有する配線基板２が提供される。

【0076】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、第１層を形成する銅合金に含まれる特定金属は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【0077】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、第１層を形成する銅合金は炭素を含有していない。

【0078】

［実施形態の別例３］
実施形態の別例３では、第１層を形成する銅合金は酸素を含有していない。

【0079】

［実施形態の改変例］
改変例の配線基板は実施形態と同様にコア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂを有する。実施形態のコア基板３と改変例のコア基板３は異なる。実施形態の表側ビルドアップ層３００Ｆと改変例の表側ビルドアップ層３００Ｆは同様である。実施形態の裏側ビルドアップ層３００Ｂと改変例の裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。改変例のコア基板３の断面が図５と図６に示される。図５と図６に示されるように、改変例のコア基板３はガラス製の基板４の表面５Ｆ上に導体層１０Ｆ、１１Ｆを有する。導体層１０Ｆ、１１Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆うランド１４Ｆを含む。さらに、改変例のコア基板３は基板４の裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂ、１１Ｂを有する。導体層１０Ｂ、１１Ｂはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆うランド１４Ｂを含む。ランド１４Ｆとランド１４Ｂはスルーホール導体８によって電気的に接続されている。実施形態のコア基板３は表面５Ｆ上の導体層と裏面５Ｂ上の導体層を有していない。

【0080】

改変例では、表側ビルドアップ層３００Ｆを形成する表側の樹脂絶縁層（コア基板直上の樹脂絶縁層）は導体層１０Ｆ、１１Ｆと表面５Ｆ上に形成される。コア基板直上の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｆ）はランド１４Ｆに至るビア導体用の開口（第１開口２６Ｆ）を有する。ビア導体用の開口内に実施形態と同様なビア導体（第１ビア導体４０Ｆ）が形成されている。コア基板直上の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｆに至るので、そのビア導体を形成するシード層（第１層３１Ｆａ）はランド１４Ｆの上面と開口の内壁面に接している。コア基板直上の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｆを介しスルーホール導体８に電気的に繋がっている。

【0081】

改変例では、裏側ビルドアップ層３００Ｂを形成する裏側の樹脂絶縁層（コア基板直下の樹脂絶縁層）は導体層１０Ｂ、１１Ｂと裏面５Ｂ上に形成される。コア基板直下の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｂ）はランド１４Ｂに至るビア導体用の開口（第１開口）を有する。ビア導体用の開口内に実施形態と同様なビア導体（第１ビア導体４０Ｂ）が形成されている。コア基板直下の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｂに至るので、そのビア導体を形成するシード層はランド１４Ｂの上面と開口の内壁面に接している。コア基板直下の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｂを介しスルーホール導体８に電気的に繋がっている。

【0082】

［改変例の配線基板の製造方法］
図５に示されるコア基板３は第１例のコア基板３である。第１例のコア基板３の製造方法が次に示される。図４Ｄに示される途中基板が準備される。サブトラクティブ法によって、表面５Ｆ上に導体層１０Ｆが形成される。裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂが形成される。改変例の第１例にかかるコア基板３が得られる。

【0083】

導体層１０Ｆはシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。導体層１０Ｂはシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。導体層１０Ｆを形成するシード層１０ａと導体層１０Ｂを形成するシード層１０ａとスルーホール導体８を形成するシード層１０ａは共通である。導体層１０Ｆを形成する電解めっき層１０ｂと導体層１０Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとスルーホール導体８を形成する電解めっき層１０ｂは共通である。導体層１０Ｆ、１０Ｂとスルーホール導体８は同時に形成されている。スルーホール導体８とランド１４Ｆ、１４Ｂは同時に形成される。スルーホール導体８とランド１４Ｆ、１４Ｂは一体的に形成される。上端８Ｆとランド１４Ｆ間にシード層が存在しない。下端８Ｂとランド１４Ｂ間にシード層が存在しない。

【0084】

図６に示されるコア基板３は第２例のコア基板３である。第２例のコア基板３の製造方法が次に示される。図４Ｅに示される途中基板が準備される。表面５Ｆ上と裏面５Ｂ上にシード層１１Ｆａ、１１Ｂａが形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａは無電解めっきによって形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａはスパッタリングで形成されてもよい。シード層１１Ｆａは基板４の表面５Ｆとスルーホール導体８の上端８Ｆを覆う。シード層１１Ｂａは基板４の裏面５Ｂとスルーホール導体８の下端８Ｂを覆う。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａ上に電解めっき層１１Ｆｂ、１１Ｂｂが形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層１１Ｆ、１１Ｂが形成される。改変例の第２例にかかるコア基板３が得られる。

【0085】

導体層１１Ｆはシード層１１Ｆａとシード層１１Ｆａ上の電解めっき層１１Ｆｂで形成されている。導体層１１Ｂはシード層１１Ｂａとシード層１１Ｂａ上の電解めっき層１１Ｂｂで形成されている。シード層１１Ｆａは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。シード層１１Ｆａはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆っている。シード層１１Ｂａは基板４の裏面５Ｂ上に形成されている。シード層１１Ｂａはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆っている。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａは無電解めっきによって形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａはスパッタリングによって形成されてもよい。導体層１１Ｆ、１１Ｂを形成するシード層１１Ｆａ、１１Ｂａとスルーホール導体８を形成するシード層１０ａは異なる。導体層１１Ｆ、１１Ｂを形成する電解めっき層１１Ｆｂ、１１Ｂｂとスルーホール導体８を形成する電解めっき層１０ｂは異なる。導体層１１Ｆ、１１Ｂとスルーホール導体８は別々に形成されている。第２例では、上端８Ｆを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｆを形成する電解めっき層１１Ｆｂ間にランド１４Ｆを形成するシード層１１Ｆａが存在する。下端８Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｂを形成する電解めっき層１１Ｂｂ間にランド１４Ｂを形成するシード層１１Ｂａが存在する。それに対し、第１例（図５）では、上端８Ｆを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｆを形成する電解めっき層１０ｂが連続している。下端８Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｂを形成する電解めっき層１０ｂが連続している。

【0086】

改変例のコア基板３上に実施形態と同様な方法で表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂが形成される。

【0087】

本明細書内では、平面は内壁面の形状と平坦部９１ａの形状、第１無機粒子９１の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図１と図２に示されている。すなわち、図１と図２では、内壁面はほぼまっすぐに描かれている。図１と図２中の内壁面の形状はほぼ直線である。本明細書内の平面は、断面中に示されている実質的な直線を含む。図１と図２の第１無機粒子９１の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。

【符号の説明】

【0088】

２：配線基板
３：コア基板
４：基板
５Ｆ：表面
５Ｂ：裏面
６：貫通孔
８：スルーホール導体
１０Ｆ、１０Ｂ：導体層
１１Ｆ、１１Ｂ：導体層
１４Ｆ、１４Ｂ：ランド
２０Ｆ、２０Ｂ：第１樹脂絶縁層
２２Ｆ、２２Ｂ：第１面
２４Ｆ、２４Ｂ：第２面
２６Ｆ：第１開口
２７Ｆ：内壁面
３０Ｆ、３０Ｂ：第１導体層
３０Ｆａ：シード層
３０Ｆｂ：電解めっき層
３２Ｆ、３２Ｂ：第１信号配線
３３Ｆ：凹部
３４Ｆ、３４Ｂ：第２信号配線
３６Ｆ：ランド
４０Ｆ、４０Ｂ：第１ビア導体
８０：樹脂
９０：無機粒子
９１：第１無機粒子
９１ａ：平坦部
９１ｂ：露出面
９２：第２無機粒子
９３：第３無機粒子
１２０Ｆ、１２０Ｂ：第２樹脂絶縁層
１２２Ｆ、１２２Ｂ：第１面
１２４Ｆ、１２４Ｂ：第２面
１２６Ｆ：第２開口
１２７Ｆ：内壁面
１３０Ｆ、１３０Ｂ：第２導体層
１３０Ｆａ：シード層
１３０Ｆｂ：電解めっき層
１３２Ｆ、１３２Ｂ：第１信号配線
１３４Ｆ、１３４Ｂ：第２信号配線
１３６Ｆ：ランド
１４０Ｆ、１４０Ｂ：第２ビア導体
３００Ｆ：表側ビルドアップ層
３００Ｂ：裏側ビルドアップ層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図4K】

【図5】

【図6】