特開 2024-137424 ガス浄化装置および粉粒体処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024137424

(43)【公開日】2024-10-07

(54)【発明の名称】ガス浄化装置および粉粒体処理装置

(51)【国際特許分類】

   F26B 21/00 20060101AFI20240927BHJP

   B01D 53/86 20060101ALI20240927BHJP

   F01N 3/24 20060101ALI20240927BHJP

【ＦＩ】

F26B21/00 K

B01D53/86 280

F01N3/24 E

F01N3/24 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023048946

(22)【出願日】2023-03-24

(71)【出願人】

【識別番号】000129183

【氏名又は名称】株式会社カワタ

(74)【代理人】

【識別番号】100129643

【弁理士】

【氏名又は名称】皆川 祐一

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 和希

(72)【発明者】

【氏名】大堀 進一

(72)【発明者】

【氏名】加藤 好治

【テーマコード（参考）】

3G091

3L113

4D148

【Ｆターム（参考）】

3G091AA06

3G091AB01

3G091AB08

3G091CA01

3G091GB06

3L113AA07

3L113AB04

3L113AC08

3L113AC48

3L113AC49

3L113AC51

3L113AC67

3L113AC87

3L113BA02

3L113CA08

3L113CB05

3L113CB40

3L113DA02

4D148AA17

4D148AB01

4D148AB03

4D148BA30Y

4D148CC53

4D148CD01

4D148DA01

4D148DA02

4D148DA06

4D148DA20

(57)【要約】

【課題】浄化対象ガスから除去対象成分を除去する除去処理が無駄に実行されることを抑制できる、ガス浄化装置および粉粒体処理装置を提供する。
【解決手段】脱湿乾燥機２の運転が開始されると、乾燥ブロワ２３および乾燥ヒータ２５が作動し、乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスの温度が上昇する。脱湿乾燥機２の運転が開始されても、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでは、ガス浄化装置３（触媒ヒータ１２２）の運転が開始されず、浄化対象ガスから処理対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始されない。脱湿乾燥機２の運転の開始後、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると、ガス浄化装置３の運転が開始されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

除去対象成分を含む浄化対象ガスを排出するガス排出装置に接続されて、前記ガス排出装置から排出される前記浄化対象ガスを浄化するガス浄化装置であって、
前記ガス排出装置の運転により上昇する温度を検出する検出器と、
前記浄化対象ガスから前記除去対象成分を除去する除去処理を実行する除去処理部と、
前記検出器により検出される温度が第１所定値未満から前記第１所定値以上に上昇したことに応じて、前記除去処理部による前記除去処理を開始させる制御部と、を含む、ガス浄化装置。

【請求項2】

前記除去処理部は、
前記浄化対象ガスを昇温させる昇温器と、
前記昇温器による昇温後の前記浄化対象ガスが通過する領域に配置されて、前記浄化対象ガスに含まれる前記除去対象成分を分解する触媒と、を備え、
前記制御部は、前記検出器により検出される温度が前記第１所定値未満から前記第１所定値以上に上昇したことに応じて、前記昇温器による前記浄化対象ガスの昇温を開始させる、請求項１に記載のガス浄化装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記検出器により検出される温度が第２所定値以上から前記第２所定値未満に低下したことに応じて、前記除去処理部による前記除去処理を停止させる、請求項１に記載のガス浄化装置。

【請求項4】

前記除去処理部は、
前記浄化対象ガスを昇温させる昇温器と、
前記昇温器による昇温後の前記浄化対象ガスが通過する領域に配置されて、前記浄化対象ガスに含まれる前記除去対象成分を分解する触媒と、を備え、
前記制御部は、前記検出器により検出される温度が前記第２所定値以上から前記第２所定値未満に低下したことに応じて、前記昇温器による前記浄化対象ガスの昇温を停止させる、請求項３に記載のガス浄化装置。

【請求項5】

前記検出器は、前記除去処理部に入る前記浄化対象ガスの温度を検出する、請求項１～４のいずれか一項に記載のガス浄化装置。

【請求項6】

粉粒体を処理して、除去対象成分を含む浄化対象ガスを排出するガス排出部と、
前記ガス排出部から排出される前記浄化対象ガスを浄化するガス浄化部と、を含み、
前記ガス浄化部は、
前記ガス排出部の運転により上昇する温度を検出する検出器と、
前記浄化対象ガスから前記除去対象成分を除去する除去処理を実行する除去処理部と、
前記検出器により検出される温度が第１所定値未満から前記第１所定値以上に上昇したことに応じて、前記除去処理部による前記除去処理を開始させる制御部と、を備える、粉粒体処理装置。

【請求項7】

前記除去処理部は、
前記浄化対象ガスを昇温させる昇温器と、
前記昇温器による昇温後の前記浄化対象ガスが通過する領域に配置されて、前記浄化対象ガスに含まれる前記除去対象成分を分解する触媒と、を備え、
前記制御部は、前記検出器により検出される温度が前記第１所定値未満から前記第１所定値以上に上昇したことに応じて、前記昇温器による前記浄化対象ガスの昇温を開始させる、請求項６に記載の粉粒体処理装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記検出器により検出される温度が第２所定値以上から前記第２所定値未満に低下したことに応じて、前記除去処理部による前記除去処理を停止させる、請求項６に記載の粉粒体処理装置。

【請求項9】

前記除去処理部は、
前記浄化対象ガスを昇温させる昇温器と、
前記昇温器による昇温後の前記浄化対象ガスが通過する領域に配置されて、前記浄化対象ガスに含まれる前記除去対象成分を分解する触媒と、を備え、
前記制御部は、前記検出器により検出される温度が前記第２所定値以上から前記第２所定値未満に低下したことに応じて、前記昇温器による前記浄化対象ガスの昇温を停止させる、請求項８に記載の粉粒体処理装置。

【請求項10】

前記ガス排出部は、
乾燥ガスの乾燥ガス入口および乾燥ガス出口を有し、乾燥処理対象の前記粉粒体を収容する乾燥容器と、
前記乾燥ガス入口から前記乾燥容器内に前記乾燥ガスを供給する乾燥ブロワと、
前記乾燥ガス入口に向けて流れる前記乾燥ガスを昇温させる乾燥ヒータと、を備える、請求項６～９のいずれか一項に記載の粉粒体処理装置。

【請求項11】

前記ガス排出部は、
複数のガス流路を有し、少なくとも前記ガス流路の内面が吸着材で形成され、乾燥領域および再生領域が設定され、前記乾燥領域に存在する前記ガス流路を前記乾燥ガスが通過し、前記再生領域に存在する前記ガス流路を再生ガスが通過する吸着器と、
前記再生領域に存在する前記ガス流路に前記再生ガスを供給する再生ブロワと、
前記再生領域に向けて流れる前記再生ガスを昇温させる再生ヒータと、をさらに備える、請求項１０に記載の粉粒体処理装置。

【請求項12】

前記検出器は、前記乾燥ガス出口から出る前記乾燥ガスの温度を検出する、請求項１０に記載の粉粒体処理装置。

【請求項13】

前記検出器は、前記再生領域に存在する前記ガス流路に入る前記再生ガスの温度を検出する、請求項１１に記載の粉粒体処理装置。

【請求項14】

前記除去処理部は、前記除去処理により、前記再生領域に存在する前記ガス流路から出る前記再生ガスから前記除去対象成分を除去する、請求項１１に記載の粉粒体処理装置。

【請求項15】

前記除去処理部は、前記除去処理により、前記乾燥ガス出口から出る前記乾燥ガスから前記除去対象成分を除去する、請求項１０に記載の粉粒体処理装置。

【請求項16】

前記検出器は、前記除去処理部に入る前記浄化対象ガスの温度を検出する、請求項６に記載の粉粒体処理装置。

【請求項17】

前記ガス排出部を収めた第１筐体と、
前記第１筐体の外部に設けられ、前記ガス浄化部を収めた第２筐体と、をさらに含む、請求項６に記載の粉粒体処理装置。

【請求項18】

筐体、をさらに含み、
前記ガス排出部および前記ガス浄化部は、前記筐体に収められている、請求項６に記載の粉粒体処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ガス浄化装置および粉粒体処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

たとえば、プラスチック製品の製造工程では、プラスチック材料が成形機に投入されるまでに、プラスチック材料から水分を除去するための予備乾燥が行われる。

【0003】

プラスチック材料には、多くの場合、紫外線防止剤や難燃剤などの種々の添加剤が混合されている。添加剤には、ＶＯＣ（Volatile Organic Compounds：揮発性有機化合物）を含むものがある。ＶＯＣを含む添加剤がプラスチック材料に混合されていると、予備乾燥の工程で、プラスチック材料からＶＯＣが揮発する。ＶＯＣは、臭気を発するだけでなく、そのＶＯＣを含むガスが通過する管路内に析出して付着し、管路内を汚染することもある。

【0004】

被乾燥物の乾燥時にＶＯＣを含むガスが発生する乾燥機と、乾燥機から排出されるガスを脱臭する脱臭装置とを備える乾燥設備が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。乾燥設備の運転時には、乾燥機および脱臭装置が作動し、乾燥機から排出されるガスが脱臭装置に供給される。脱臭装置には、予熱炉および触媒ユニットが設けられている。乾燥機から脱臭装置に供給されたガスは、予熱炉で加熱により昇温した後、触媒ユニット内を通過する。触媒ユニット内には、ＶＯＣを酸化分解する触媒が備えられている。ＶＯＣを含むガスが触媒ユニット内を通過する際に、ＶＯＣが触媒作用によって酸化分解され、そのガスからＶＯＣが除去される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特許第６０６８９６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

その乾燥設備では、乾燥機の作動中は、脱臭装置が常に作動している。ところが、乾燥機の作動中であっても、乾燥機でＶＯＣを含むガスが発生していないときがあり、そのときに脱臭装置が作動するのは無駄である。

【0007】

本発明の目的は、浄化対象ガスから除去対象成分を除去する除去処理が無駄に実行されることを抑制できる、ガス浄化装置および粉粒体処理装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

前記の目的を達成するため、本発明の一の局面に係るガス浄化装置は、除去対象成分を含む浄化対象ガスを排出するガス排出装置に接続されて、ガス排出装置から排出される浄化対象ガスを浄化するガス浄化装置であって、ガス排出装置の運転により上昇する温度を検出する検出器と、浄化対象ガスから除去対象成分を除去する除去処理を実行する除去処理部と、検出器により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したことに応じて、除去処理部による除去処理を開始させる制御部とを含む。

【0009】

本発明の他の局面に係る粉粒体処理装置は、粉粒体を処理して、除去対象成分を含む浄化対象ガスを排出するガス排出部と、ガス排出部から排出される浄化対象ガスを浄化するガス浄化部とを含み、ガス浄化部は、ガス排出部の運転により上昇する温度を検出する検出器と、浄化対象ガスから除去対象成分を除去する除去処理を実行する除去処理部と、検出器により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したことに応じて、除去処理部による除去処理を開始させる制御部とを備える。

【0010】

これらの構成によれば、ガス排出装置またはガス排出部の運転が開始されると、検出器により検出される温度が上昇する。ガス排出装置またはガス排出部の運転の開始後、検出器により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでは、除去処理部による除去処理が開始されない。そして、検出器により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると、除去処理部による除去処理が開始される。

【0011】

除去処理では、浄化対象ガスから除去対象成分が除去される。ガス排出装置またはガス排出部の運転が開始されても、検出器により検出される温度が第１所定値未満である間は、ガス排出装置またはガス排出部で除去対象成分が発生していないか、または、除去対象成分が発生していても発生量が少ないと推定される。よって、検出器により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまで、除去処理部による除去処理が開始されないことにより、除去処理が無駄に実行されることを抑制できる。

【0012】

ガス排出装置またはガス排出部の運転により、ガス排出装置またはガス排出部内の温度が上昇すると、ガス排出装置またはガス排出部から排出されて除去処理部に入る浄化対象ガスの温度も上昇するので、検出器は、除去処理部に入る浄化対象ガスの温度を検出してもよい。

【0013】

除去処理部は、浄化対象ガスを昇温させる昇温器と、昇温器による昇温後の浄化対象ガスが通過する領域に配置されて、浄化対象ガスに含まれる除去対象成分を分解する触媒とを備え、制御部は、検出器により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したことに応じて、昇温器による浄化対象ガスの昇温を開始させてもよい。

【0014】

検出器により検出される温度が第１所定値未満である間、昇温器による浄化対象ガスの昇温が開始されないことにより、除去対象成分を含まない浄化対象ガスが無駄に昇温されることを抑制できる。そして、検出器により検出される温度が第１所定値以上に上昇してから、昇温器による浄化対象ガスの昇温が開始されることにより、浄化対象ガスの温度が触媒による分解作用が良好に発揮される温度まで上昇するのに要するエネルギーを低減できる。

【0015】

制御部は、検出器により検出される温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下したことに応じて、除去処理部による除去処理を停止させてもよい。

【0016】

検出器により検出される温度が第２所定値未満に低下した状態では、ガス排出装置またはガス排出部で除去対象成分が発生していないか、または、除去対象成分が発生していても発生量が少ないと推定される。よって、検出器により検出される温度が第２所定値未満に低下したことに応じて、除去処理部による除去処理が停止されることにより、除去処理が無駄に実行されることを抑制できる。

【0017】

除去処理部は、浄化対象ガスを昇温させる昇温器と、昇温器による昇温後の浄化対象ガスが通過する領域に配置されて、浄化対象ガスに含まれる除去対象成分を分解する触媒とを備え、制御部は、検出器により検出される温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下したことに応じて、昇温器による浄化対象ガスの昇温を停止させてもよい。

【0018】

検出器により検出される温度が第２所定値未満に低下した状態で、昇温器による浄化対象ガスの昇温が停止されることにより、除去対象成分を含まない浄化対象ガスが無駄に昇温されることを抑制できる。

【0019】

粉粒体処理装置において、ガス排出部は、乾燥ガスの乾燥ガス入口および乾燥ガス出口を有し、乾燥処理対象の粉粒体を収容する乾燥容器と、乾燥ガス入口から乾燥容器内に乾燥ガスを供給する乾燥ブロワと、乾燥ガス入口に向けて流れる乾燥ガスを昇温させる乾燥ヒータとを備えていてもよい。

【0020】

この構成によれば、ガス排出部（乾燥ブロワおよび乾燥ヒータ）の運転により、加熱された乾燥ガスが乾燥ガス入口から乾燥容器内に供給される。これにより、乾燥容器に収容されている粉粒体を乾燥させることができる。

【0021】

ガス排出部（乾燥ブロワおよび乾燥ヒータ）の運転により、乾燥ガス入口から乾燥容器内に入る乾燥ガスの温度が上昇すると、乾燥ガス出口から出る乾燥ガスの温度も上昇するので、検出器は、乾燥ガス出口から出る乾燥ガスの温度を検出してもよい。

【0022】

粉粒体処理装置において、ガス排出部は、複数のガス流路を有し、少なくともガス流路の内面が吸着材で形成され、乾燥領域および再生領域が設定され、乾燥領域に存在するガス流路を乾燥ガスが通過し、再生領域に存在するガス流路を再生ガスが通過する吸着器と、再生領域に存在するガス流路に再生ガスを供給する再生ブロワと、再生領域に向けて流れる再生ガスを昇温させる再生ヒータとをさらに備えていてもよい。

【0023】

この構成によれば、吸着器では、乾燥領域と再生領域とが設定されている。乾燥ブロワの運転により、乾燥ガスが乾燥領域を通過し、乾燥領域で乾燥ガスから吸着材に水分が奪われる（吸着される）。そして、乾燥ヒータの運転により、乾燥ガスが昇温し、脱湿および昇温した乾燥ガスが乾燥容器内に供給される。そのため、乾燥容器に収容されている粉粒体をより良好に乾燥させることができる。一方、再生ブロワおよび再生ヒータの運転により、昇温した再生ガスが再生領域に存在するガス流路を通過し、再生領域で吸着材から再生ガスに水分が奪われる。これにより、吸着材を吸着材に吸着している水分量が少ない低湿状態に再生することができる。

【0024】

ガス排出部（再生ブロワおよび再生ヒータ）の運転により、再生領域に存在するガス流路に入る再生ガスの温度が上昇するので、検出器は、再生領域に存在するガス流路に入る再生ガスの温度を検出してもよい。

【0025】

乾燥容器内での粉粒体の乾燥により粉粒体からＶＯＣなどの除去対象成分が揮発する場合、乾燥領域では、乾燥ガスから吸着材に水分だけでなく除去対象成分も吸着され、再生領域では、吸着材から再生ガスに水分でなく除去対象成分も奪われる。そのため、再生領域を通過した後の再生ガスが粉粒体処理装置の外部に排出されると、その粉粒体処理装置の周辺の環境の悪化を招くおそれがある。

【0026】

そこで、除去処理部は、除去処理により、再生領域に存在するガス流路から出る再生ガスから除去対象成分を除去してもよい。これにより、再生ガスから除去対象成分が除去されるので、粉粒体処理装置からの排気による環境の悪化を抑制することができる。

【0027】

乾燥容器内での粉粒体の乾燥により粉粒体からＶＯＣなどの除去対象成分が揮発する場合、乾燥ガスに除去対象成分が含まれるので、乾燥容器を通過した後の乾燥ガスが粉粒体処理装置の外部に排出されると、その粉粒体処理装置の周辺の環境の悪化を招くおそれがある。また、乾燥ガスが粉粒体処理装置内を循環する構成（乾燥ガスが粉粒体処理装置の外部に排出されない構成）では、乾燥ガスに除去対象成分が含まれたままであると、乾燥ガスが通過する管路内に除去対象成分が析出して固着し、粉粒体処理装置の性能の低下や劣化を招くおそれがある。

【0028】

そこで、除去処理部は、除去処理により、乾燥ガス出口から出る乾燥ガスから除去対象成分を除去してもよい。これにより、乾燥ガスから除去対象成分が除去されるので、粉粒体処理装置から乾燥ガスが排出される構成では、粉粒体処理装置からの排気による環境の悪化を抑制することができ、粉粒体処理装置内を乾燥ガスが循環する構成では、乾燥ガスが通過する管路内に除去対象成分が析出することを抑制して、粉粒体処理装置の性能の低下や劣化を抑制することができる。

【0029】

粉粒体処理装置は、ガス排出部を収めた第１筐体と、第１筐体の外部に設けられ、ガス浄化部を収めた第２筐体とをさらに含む構成であってもよい。すなわち、粉粒体処理装置は、ガス排出部を第１筐体に収めて構成されるガス排出装置と、ガス浄化部を第２筐体に収めて構成されるガス浄化装置とを含む構成であってもよい。

【0030】

ガス排出部に、乾燥ガスの乾燥ガス入口および乾燥ガス出口を有し、乾燥処理対象の粉粒体を収容する乾燥容器と、乾燥ガス入口から乾燥容器内に乾燥ガスを供給する乾燥ブロワと、乾燥ガス入口に向けて流れる乾燥ガスを昇温させる乾燥ヒータと、複数のガス流路を有し、少なくともガス流路の内面が吸着材で形成され、乾燥領域および再生領域が設定され、乾燥領域に存在するガス流路を乾燥ガスが通過し、再生領域に存在するガス流路を再生ガスが通過する吸着器と、再生領域に存在するガス流路に再生ガスを供給する再生ブロワと、再生領域に向けて流れる再生ガスを昇温させる再生ヒータとが備えられる場合、ガス排出装置は、粉粒体を乾燥させる脱湿乾燥機となる。

【0031】

粉粒体処理装置は、筐体をさらに含み、ガス排出部およびガス浄化部は、その単一の筐体に収められていてもよい。

【発明の効果】

【0032】

本発明によれば、浄化対象ガスから除去対象成分を除去する除去処理が無駄に実行されることを抑制できる。その結果、装置で消費するエネルギーを低減でき、装置のランニングコストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】本発明の第１実施形態に係る粉粒体処理装置の構成を図解的に示す図である。

【図2】粉粒体処理装置の電気的構成を示すブロック図である。

【図3】ガス浄化装置の制御部により実行されるメインルーチンの流れを示すフローチャートである。

【図4】運転制御処理（サブルーチン）の流れを示すフローチャートである。

【図5】本発明の第２実施形態に係る粉粒体処理装置の構成を図解的に示す図である。

【図6】図５に示される粉粒体処理装置の電気的構成を示すブロック図である。

【図7】本発明の第３実施形態に係る粉粒体処理装置の構成を図解的に示す図である。

【図8】本発明の第４実施形態に係る粉粒体処理装置の構成を図解的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下では、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

【0035】

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る粉粒体処理装置１の構成を図解的に示す図である。

【0036】

粉粒体処理装置１は、プラスチック製品の製造設備に含まれて、プラスチック製品の原料となるプラスチックペレットなどの粉粒体を処理する装置である。粉粒体処理装置１は、脱湿乾燥機２およびガス浄化装置３を含む。脱湿乾燥機２およびガス浄化装置３は、それぞれ筐体４，５を備えている。

【0037】

＜脱湿乾燥機＞
脱湿乾燥機２は、粉粒体を乾燥させて、その乾燥した粉粒体を成形機に輸送する装置である。脱湿乾燥機２は、乾燥ホッパ１１と、乾燥ホッパ１１の上方に配置されるローダホッパ１２とを備えている。粉粒体は、ローダホッパ１２から乾燥ホッパ１１に供給されて、乾燥ホッパ１１内に収容（貯留）された状態で乾燥された後、乾燥ホッパ１１から成形機に輸送される。

【0038】

乾燥ホッパ１１は、乾燥ガス入口１３および乾燥ガス出口１４を有している。乾燥ホッパ１１の側壁には、乾燥ガス導入管１５が貫通している。乾燥ガス導入管１５は、乾燥ホッパ１１内で下方に屈曲して延び、その下端部が下方ほど広がる円錐状に形成されており、乾燥ガス入口１３は、その円錐状の下端部の下端が開放されることにより形成されている。乾燥ガス出口１４は、乾燥ホッパ１１の上壁に形成されている。

【0039】

乾燥ガス導入管１５の他端には、乾燥ガスライン１６の一端が接続されている。乾燥ガスライン１６の他端は、乾燥ガス出口１４に接続されている。乾燥ガスライン１６の一端が乾燥ガス導入管１５を介して乾燥ガス入口１３に接続され、乾燥ガスライン１６の他端が乾燥ガス出口１４に接続されることにより、乾燥ガスライン１６は、乾燥ホッパ１１内と連通して、乾燥ガスを循環させる循環路を形成している。

【0040】

脱湿乾燥機２は、乾燥フィルタ２１、アフタクーラ２２、乾燥ブロワ２３、吸着器２４および乾燥ヒータ２５を備えている。乾燥ガスライン１６は、乾燥フィルタ２１、アフタクーラ２２、乾燥ブロワ２３、吸着器２４および乾燥ヒータ２５を乾燥ガス出口１４側からその順で経由している。具体的には、乾燥ガスライン１６は、第１接続管３１、第２接続管３２、第３接続管３３、第４接続管３４、第５接続管３５および第６接続管３６を含む。第１接続管３１の一端は、乾燥ガス出口１４に接続され、第１接続管３１の他端は、乾燥フィルタ２１の入口４１に接続されている。第２接続管３２の一端は、乾燥フィルタ２１の出口４２に接続され、第２接続管３２の他端は、アフタクーラ２２の第１入口４３に接続されている。第３接続管３３の一端は、アフタクーラ２２の第１出口４４に接続され、第３接続管３３の他端は、乾燥ブロワ２３の吸込口４５に接続されている。アフタクーラ２２の第１入口４３と第１出口４４とは、アフタクーラ２２内で連通している。第４接続管３４の一端は、乾燥ブロワ２３の吹出口４６に接続され、第４接続管３４の他端は、吸着器２４に接続されている。第５接続管３５の一端は、吸着器２４に接続され、第５接続管３５の他端は、乾燥ヒータ２５の入口４７に接続されている。第６接続管３６の一端は、乾燥ヒータ２５の出口４８に接続され、第６接続管３６の他端は、乾燥ガス導入管１５に接続されている。

【0041】

吸着器２４は、略円筒状の吸着筒５１を備えている。吸着筒５１は、その中心線方向に延びる多数のガス流路を有している。ガス流路の内面は、水分を吸着する吸着材（たとえば、ゼオライト）で形成されている。吸着筒５１が存在する領域には、乾燥領域、冷却領域および再生領域が設定されている。吸着筒５１のガス流路には、乾燥領域に存在するガス流路（以下、「乾燥流路」という。）と、冷却領域に存在するガス流路（以下、「冷却流路」という。）と、再生領域に存在するガス流路（以下、「再生流路」という。）とが含まれる。

【0042】

吸着筒５１は、第１蓋体５２および第２蓋体５３に、中心線方向の両側から挟まれている。第１蓋体５２には、乾燥流路と連通する第１乾燥ポート５４Ｄ、冷却流路と連通する第１冷却ポート５４Ｃと、再生流路と連通する第１再生ポート５４Ｒとが設けられている。第２蓋体５３には、乾燥流路と連通する第２乾燥ポート５５Ｄと、冷却流路と連通する第２冷却ポート５５Ｃと、再生流路と連通する第２再生ポート５５Ｒとが設けられている。

【0043】

また、吸着筒５１は、中心線まわりに回転可能に設けられている。吸着器２４は、たとえば、モータ５６を駆動源とし、そのモータ５６の駆動力により吸着筒５１を回転させる回転機構５７を備えている。

【0044】

第１乾燥ポート５４Ｄには、乾燥ガスライン１６の第５接続管３５が接続されている。第２乾燥ポート５５Ｄには、乾燥ガスライン１６の第４接続管３４が接続されている。これにより、第４接続管３４と第５接続管３５とは、吸着筒５１内の乾燥流路を介して連通している。

【0045】

第１冷却ポート５４Ｃには、第１環流管６１の一端が接続されている。第１環流管６１の他端は、乾燥ガスライン１６の第４接続管３４に分岐して接続されている。第２冷却ポート５５Ｃには、第２環流管６２の一端が接続されている。第２環流管６２の他端は、乾燥ガスライン１６の第２接続管３２に分岐して接続されている。これにより、第１環流管６１と第２環流管６２とは、吸着筒５１内の冷却流路を介して連通している。

【0046】

脱湿乾燥機２には、再生ガスライン６３が設けられている。また、脱湿乾燥機２は、再生ブロワ６４および再生ヒータ６５を備えており、再生ガスライン６３は、再生ブロワ６４、再生ヒータ６５および吸着器２４を再生ブロワ６４側からその順で経由している。具体的には、再生ガスライン６３は、第１接続管６６、第２接続管６７および再生ガス排出管６８を含む。再生ブロワ６４の吹出口７１には、第１接続管６６の一端が接続されている。再生ブロワ６４の吸込口７２は、再生フィルタ７３を通して大気に開放されている。第１接続管６６の他端は、アフタクーラ２２の第２入口７４に接続されている。第２接続管６７の一端は、アフタクーラ２２の第２出口７５に接続され、第２接続管６７の他端は、再生ヒータ６５の入口７６に接続されている。アフタクーラ２２の第２入口７４と第２出口７５とは、アフタクーラ２２内で連通している。再生ヒータ６５の出口７７は、第２再生ポート５５Ｒに接続されている。再生ガス排出管６８は、一端が第１再生ポート５４Ｒに接続されて、筐体４外へと延びている。これにより、第２接続管６７と再生ガス排出管６８とは、吸着筒５１内の再生流路を介して連通している。

【0047】

乾燥ブロワ２３が駆動されると、乾燥ガスライン１６の第４接続管３４に、乾燥ブロワ２３の吹出口４６から吸着器２４に向かう乾燥ガスの気流が発生する。その気流により、乾燥ガスは、吸着器２４の第２乾燥ポート５５Ｄから吸着器２４の吸着筒５１内の乾燥流路に流入し、乾燥流路を通過して、吸着器２４の第１乾燥ポート５４Ｄから乾燥ガスライン１６の第５接続管３５に流出する。乾燥ガスが乾燥流路を通過する際、乾燥ガスに含まれる水分が吸着筒５１に吸着される。これにより、乾燥流路を通過した乾燥ガスは、脱湿された低露点の乾燥ガスとなる。

【0048】

第５接続管３５を乾燥ホッパ１１に向けて流れる乾燥ガスは、乾燥ヒータ２５を通過して、乾燥ガスライン１６の第６接続管３６を流れる。乾燥ガスは、乾燥ヒータ２５を通過する際、乾燥ヒータ２５により加熱されて昇温し、脱湿および昇温した乾燥ガスとなる。この乾燥ガスの設定温度は、たとえば、６０～１６０℃である。脱湿および昇温した乾燥ガスは、第６接続管３６から乾燥ガス導入管１５を流れて、乾燥ガス導入管１５の先端の乾燥ガス入口１３から吹き出す。乾燥ガス入口１３から吹き出した乾燥ガスは、乾燥ホッパ１１内に貯留されている粉粒体の間を下方に向けて流れ、乾燥ホッパ１１の底面で流れ方向が転換されて、粉粒体の上方に抜ける。これにより、粉粒体から乾燥ガスに水分が奪われて、粉粒体が乾燥する。粉粒体から水分を奪った乾燥ガスは、乾燥ガス出口１４から乾燥ガスライン１６の第１接続管３１に排出され、第１接続管３１を乾燥ブロワ２３に向けて流れる。

【0049】

第１接続管３１を流れる乾燥ガスは、乾燥フィルタ２１を通過して、第２接続管３２を流れる。乾燥ガスが乾燥フィルタ２１を通過することにより、乾燥ガスから異物が除去される。第２接続管３２を流れる乾燥ガスは、アフタクーラ２２を通過して、第３接続管３３を流れ、乾燥ブロワ２３の吸込口４５に吸い込まれる。

【0050】

一方、再生ブロワ６４が駆動される。再生ブロワ６４が駆動されると、外気が再生フィルタ７３を通して再生ブロワ６４の吸込口７２に吸い込まれる。そして、外気が再生ブロワ６４の吹出口７１から再生ガスライン６３の第１接続管６６に吹き出されることにより、第１接続管６６に吸着器２４に向かう再生ガスの気流が発生する。その気流により、再生ガスは、第１接続管６６からアフタクーラ２２を通過して、再生ガスライン６３の第２接続管６７を流れ、第２接続管６７から再生ヒータ６５を通過して、吸着器２４の第２再生ポート５５Ｒから吸着器２４の吸着筒５１内の再生流路に流入する。

【0051】

アフタクーラ２２では、アフタクーラ２２を通過する再生ガス（再生ガスライン６３の第１接続管６６から第２接続管６７に流れる再生ガス）とアフタクーラ２２を通過する乾燥ガス（乾燥ガスライン１６の第２接続管３２から第３接続管３３に流れる乾燥ガス）との間で熱交換が行われて、再生ガスが昇温し、乾燥ガスが降温する。アフタクーラ２２で昇温した再生ガスは、再生ヒータ６５でさらに加熱されることにより昇温する。この昇温した再生ガスが吸着器２４の第２再生ポート５５Ｒから吸着筒５１内の再生流路に流入し、再生流路を通過して、吸着器２４の第１再生ポート５４Ｒから再生ガスライン６３の再生ガス排出管６８に流出する。

【0052】

吸着筒５１における乾燥ガスから水分を吸着した高湿部分は、回転機構５７による吸着筒５１の回転により、乾燥領域から再生領域に移動する。吸着筒５１内の再生流路を再生ガスが通過する際、高湿部分から再生ガスに水分が奪われ、高湿部分が高湿部分よりも吸着している水分量が少ない低湿状態に再生される。高湿部分から水分を脱離させるため、再生流路に流入する再生ガスの温度は、たとえば、１８０～２５０℃に設定される。

【0053】

乾燥ガスライン１６の第５接続管３５を流れる乾燥ガスの一部は、第１環流管６１を流れ、吸着器２４の第１冷却ポート５４Ｃから冷却流路に流入する。冷却流路を通過した乾燥ガスは、吸着器２４の第２冷却ポート５５Ｃから第２環流管６２に流出して、第２環流管６２を流れる。

【0054】

吸着筒５１における再生ガスの通過により低湿状態に再生された再生部分は、再生ガスで加熱されて昇温している。回転機構５７による吸着筒５１の回転により、その再生部分は、再生領域から冷却領域に移動する。第１冷却ポート５４Ｃから冷却流路に流入する乾燥ガスが冷却流路を通過する際、再生部分が乾燥ガスにより冷却される。これにより、再生部分が乾燥領域で水分を吸着可能な温度に降温する。

【0055】

乾燥ホッパ１１の下部は、下方に先細りとなる円錐状に形成されており、その下端には、排出口８１が形成されている。乾燥ホッパ１１には、排出口８１を開閉するゲートシャッタ８２が設けられている。ゲートシャッタ８２が閉じられて、排出口８１が閉鎖された状態で、乾燥ホッパ１１内に、ローダホッパ１２から供給される粉粒体を貯留することができる。排出口８１には、排出分岐管８３が接続されている。乾燥ホッパ１１内に粉粒体が貯留されている状態から、ゲートシャッタ８２が開かれて、排出口８１が開放されると、乾燥ホッパ１１内の粉粒体が排出口８１から排出分岐管８３に排出される。

【0056】

脱湿乾燥機２には、１次輸送管８４および２次輸送管８５が設けられている。

【0057】

１次輸送管８４の一端は、ローダホッパ１２の側壁に接続されて、１次輸送管８４は、ローダホッパ１２内と連通している。１次輸送管８４の他端は、吸込管８６に接続されている。１次輸送管８４は、粉粒体を貯留した原料タンク（図示せず）に向けて延び、吸込管８６は、原料タンク内に貯留されている粉粒体内に配置される。

【0058】

２次輸送管８５の一端は、排出分岐管８３に接続されて、２次輸送管８５は、排出分岐管８３と連通している。粉粒体の輸送先である成形機の上方には、成形機に投入される粉粒体を貯留する輸送先ホッパが設けられている。２次輸送管８５の他端は、輸送先ホッパの側壁に接続されて、２次輸送管８５は、輸送先ホッパ内と連通している。

【0059】

また、脱湿乾燥機２は、１次２次切替弁９１、集塵サイクロン９２、輸送フィルタ９３、輸送ブロワ９４および切替弁９５を備えている。

【0060】

１次２次切替弁９１は、１次入力ポート９６、２次入力ポート９７および出力ポート９８を有している。１次２次切替弁９１には、１次入力ポート９６および２次入力ポート９７を個別に開閉する弁体が設けられている。１次２次切替弁９１は、それらの弁体の位置により、２次入力ポート９７を閉鎖し、１次入力ポート９６を開放して、弁箱内で１次入力ポート９６と出力ポート９８とを連通させる１次輸送位置と、１次入力ポート９６を閉鎖し、２次入力ポート９７を開放して、弁箱内で２次入力ポート９７と出力ポート９８とを連通させる２次輸送位置とに切り替えられる。

【0061】

１次入力ポート９６には、１次吸引管１０１の一端が接続されている。１次吸引管１０１の他端は、ローダホッパ１２の上壁に接続されており、１次吸引管１０１は、ローダホッパ１２内と連通している。２次入力ポート９７には、２次吸引管１０２の一端が接続されている。２次吸引管１０２の他端は、輸送先ホッパの上壁に接続されており、２次吸引管１０２は、輸送先ホッパ内と連通している。

【0062】

出力ポート９８には、第１共通吸引管１０３の一端が接続されている。第１共通吸引管１０３の他端は、集塵サイクロン９２の入口１０４に接続されている。集塵サイクロン９２の出口１０５には、第２共通吸引管１０６の一端が接続されている。第２共通吸引管１０６の他端は、輸送フィルタ９３の入口１０７に接続されている。輸送フィルタ９３の出口１０８には、第３共通吸引管１０９の一端が接続されている。第３共通吸引管１０９の他端は、輸送ブロワ９４の吸込口１１１に接続されている。輸送ブロワ９４の吹出口１１２には、第４共通吸引管１１３の一端が接続されている。

【0063】

切替弁９５は、入力ポート１１４、循環出力ポート１１５、大気開放ポート１１６および乾燥導入ポート１１７を有している。切替弁９５には、循環出力ポート１１５、大気開放ポート１１６および乾燥導入ポート１１７を個別に開閉する弁体が設けられている。切替弁９５は、それらの弁体の位置により、大気開放ポート１１６を閉鎖し、循環出力ポート１１５および乾燥導入ポート１１７を開放して、弁箱内で入力ポート１１４と循環出力ポート１１５および乾燥導入ポート１１７とを連通させる循環位置と、循環出力ポート１１５および乾燥導入ポート１１７を閉鎖し、大気開放ポート１１６を開放して、弁箱内で入力ポート１１４と大気開放ポート１１６とを連通させる開放位置と、循環出力ポート１１５および大気開放ポート１１６を閉鎖し、乾燥導入ポート１１７を開放して、弁箱内で入力ポート１１４と乾燥導入ポート１１７とを連通させる乾燥導入位置とに切り替えられる。

【0064】

入力ポート１１４には、第４共通吸引管１１３の他端が接続されている。すなわち、第４共通吸引管１１３の一端は、輸送ブロワ９４の吹出口１１２に接続され、その他端は、切替弁９５の入力ポート１１４に接続されている。循環出力ポート１１５には、循環接続管１１８の一端が接続されている。循環接続管１１８の他端は、排出分岐管８３に接続されて、循環接続管１１８は、排出分岐管８３と連通している。乾燥導入ポート１１７には、乾燥接続管１１９の一端が接続されている。乾燥接続管１１９の他端は、乾燥ガスライン１６の第４接続管３４に分岐して接続され、乾燥接続管１１９は、第４接続管３４と連通している。

【0065】

原料タンクからローダホッパ１２に粉粒体が供給される際には、切替弁９５が開放位置にされ、１次２次切替弁９１が１次輸送位置にされる。輸送ブロワ９４が駆動されると、第４共通吸引管１１３に輸送ブロワ９４の吹出口１１２から切替弁９５の入力ポート１１４に向かう気流が発生し、その気流の発生により、１次吸引管１０１、第１共通吸引管１０３、第２共通吸引管１０６および第３共通吸引管１０９に負圧が発生する。そして、その負圧により、原料タンク内の粉粒体が吸込管８６に吸い込まれ、吸込管８６から１次輸送管８４を通してローダホッパ１２内に供給される。第４共通吸引管１１３に発生した気流は、切替弁９５の弁箱内を通過し、開放されている大気開放ポート１１６から大気に放出される。

【0066】

粉粒体の乾燥後、乾燥ホッパ１１から輸送先ホッパに粉粒体が輸送される際には、切替弁９５が循環位置にされ、１次２次切替弁９１が２次輸送位置にされる。そして、輸送ブロワ９４が駆動される。輸送ブロワ９４が駆動されると、第４共通吸引管１１３に輸送ブロワ９４の吹出口１１２から切替弁９５の入力ポート１１４に向かう気流が発生し、その気流の発生により、２次吸引管１０２、第１共通吸引管１０３、第２共通吸引管１０６および第３共通吸引管１０９に負圧が発生する。一方、第４共通吸引管１１３に発生した気流は、切替弁９５の弁箱内を通過し、切替弁９５の循環出力ポート１１５から循環接続管１１８および排出分岐管８３をこの順に流れ、排出分岐管８３から２次輸送管８５を流れる。また、第４共通吸引管１１３に発生した気流は、切替弁９５の弁箱内を通過し、切替弁９５の乾燥導入ポート１１７から乾燥接続管１１９、乾燥ガスライン１６の第４接続管３４、吸着器２４の吸着筒５１内の乾燥流路、乾燥ガスライン１６の第５接続管３５および第６接続管３６、ならびに乾燥ガス導入管１５をこの順に流れ、乾燥ガス導入管１５の先端の乾燥ガス入口１３から乾燥ホッパ１１内に吹き出す。乾燥ホッパ１１のゲートシャッタ８２が開かれて、乾燥ホッパ１１の排出口８１が開放されると、乾燥ホッパ１１内の粉粒体が排出口８１から排出分岐管８３に排出される。そして、排出分岐管８３に排出された粉粒体は、排出分岐管８３および２次輸送管８５を気流に乗って輸送先ホッパに向けて輸送される。

【0067】

このとき、第５接続管３５から第６接続管３６に流れる気流が乾燥ヒータ２５により加熱されることが好ましく、これにより、脱湿および昇温した気流が乾燥ホッパ１１内から排出口８１を通して排出分岐管８３に供給されるので、粉粒体を輸送する気流を低湿度に保つことができる。

【0068】

第１共通吸引管１０３から輸送ブロワ９４に向かう気流に含まれる粉塵などの異物は、その気流が集塵サイクロン９２および輸送フィルタ９３を通過する際に捕集される。集塵サイクロン９２内では、気流が旋回し、遠心力と重力とにより、気流から異物が分離して、異物が集塵サイクロン９２の下端に接続された捕集ボックスに貯留される。

【0069】

粉粒体の添加剤にＶＯＣ（Volatile Organic Compounds：揮発性有機化合物）が含まれている場合、そのＶＯＣが粉粒体の乾燥に伴って揮発するので、乾燥ガスライン１６を循環する乾燥ガスには、粉粒体から揮発したＶＯＣが含まれる。乾燥ガスライン１６を循環する乾燥ガスに含まれるＶＯＣの一部が吸着器２４の吸着筒５１（吸着材）に付着するため、吸着器２４の第２再生ポート５５Ｒから再生ガスライン６３の再生ガス排出管６８に排出される再生ガスにも、ＶＯＣが含まれる。

【0070】

＜ガス浄化装置＞
ガス浄化装置３は、脱湿乾燥機２の再生ガス排出管６８に接続されて、再生ガス排出管６８を流れる再生ガスを浄化対象ガスとして浄化する装置である。

【0071】

ガス浄化装置３には、浄化対象ガス取込管１２１が設けられている。また、ガス浄化装置３は、触媒ヒータ１２２、触媒ユニット１２３およびアフタクーラ１２４を備えている。浄化対象ガス取込管１２１の一端は、触媒ヒータ１２２の入口１２５に接続されている。浄化対象ガス取込管１２１の他端には、再生ガス排出管６８の先端が接続されて、再生ガス排出管６８は、浄化対象ガス取込管１２１と連通する。

【0072】

触媒ユニット１２３は、ケース内に触媒（たとえば、白金）を担持した担体が収容された構成を有している。触媒ヒータ１２２の出口１２６は、触媒ユニット１２３のケースに形成された入口１２７に接続されている。また、ガス浄化装置３には、第１浄化ガス排出管１３１および第２浄化ガス排出管１３２が設けられている。触媒ユニット１２３のケースに形成された出口１２８には、第１浄化ガス排出管１３１の一端が接続されている。第１浄化ガス排出管１３１の他端は、アフタクーラ１２４の第１入口１３３に接続されている。第２浄化ガス排出管１３２は、一端がアフタクーラ１２４の第１出口１３４に接続され、他端がガス浄化装置３の筐体５の外部で大気に開放されている。アフタクーラ１２４の第１入口１３３と第１出口１３４とは、アフタクーラ１２４内で連通している。

【0073】

また、ガス浄化装置３の筐体５内には、再生ガスライン６３の第２接続管６７が引き込まれている。第２接続管６７は、一端が脱湿乾燥機２のアフタクーラ２２の第２出口７５に接続された第１部分と、一端が脱湿乾燥機２の再生ヒータ６５の入口７６に接続された第２部分とに分断されている。そして、第２接続管６７の第１部分の他端がアフタクーラ１２４の第２入口１３５に接続され、第２接続管６７の第２部分の他端がアフタクーラ１２４の第２出口１３６に接続されている。アフタクーラ１２４の第２入口１３５と第２出口１３６とは、アフタクーラ１２４内で連通している。

【0074】

再生ガス排出管６８から浄化対象ガス取込管１２１に流入する浄化対象ガス（再生ガス）は、触媒ヒータ１２２により加熱されて、２００～３００℃に昇温した後、触媒ユニット１２３内の触媒に接触しつつ、触媒ユニット１２３を通過する。その際、触媒の分解作用により、浄化対象ガスに含まれる除去対象成分であるＶＯＣの化学分解が生じ、触媒ユニット１２３を通過する浄化対象ガスからＶＯＣが除去されて、浄化対象ガスが浄化されたガスとなる。

【0075】

触媒ユニット１２３を通過した浄化されたガスは、アフタクーラ１２４を通過する。一方、脱湿乾燥機２の再生ガスライン６３の第２接続管６７を流れる再生ガスがアフタクーラ１２４を通過する。アフタクーラ１２４では、浄化されたガスと第２接続管６７を流れる再生ガスとの間で熱交換が行われて、再生ガスが昇温し、浄化されたガスが降温する。その結果、浄化されたガスは、１１０℃以下、たとえば、９２～９３℃に低下した状態で、第２浄化ガス排出管１３２を通して大気に排出される。

【0076】

また、ガス浄化装置３には、浄化対象ガス取込管１２１から触媒ヒータ１２２の入口１２５に入る浄化対象ガスの温度を検出する温度センサ１３７が設けられている。

【0077】

＜粉粒体処理装置の電気的構成＞
図２は、粉粒体処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。

【0078】

脱湿乾燥機２およびガス浄化装置３は、それぞれ制御部１４１，１４２を備えている。制御部１４１，１４２はいずれも、マイコン（マイクロコントローラ）を含む構成であり、マイコンには、たとえば、ＣＰＵと、フラッシュメモリやＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などのメモリとが内蔵されている。制御部１４１と制御部１４２とは、双方向に通信可能に接続されている。

【0079】

脱湿乾燥機２の制御部１４１は、乾燥ブロワ２３、乾燥ヒータ２５、回転機構５７のモータ５６、再生ブロワ６４、再生ヒータ６５、ゲートシャッタ８２、１次２次切替弁９１、輸送ブロワ９４および切替弁９５の動作を制御する。

【0080】

ガス浄化装置３の制御部１４２には、温度センサ１３７の検出信号が入力される。制御部１４２は、温度センサ１３７の検出信号などに基づいて、触媒ヒータ１２２の動作を制御する。

【0081】

＜ガス浄化装置の運転制御＞
図３は、ガス浄化装置３の制御部１４２により実行されるメインルーチンの流れを示すフローチャートである。

【0082】

ガス浄化装置３では、制御部１４２により、図３に示されるメインルーチンが実行される。

【0083】

メインルーチンでは、脱湿乾燥機２の制御部１４１から乾燥運転信号が入力されたか否かが判断される（ステップＳ１）。乾燥運転信号は、脱湿乾燥機２が運転していることを表す信号であり、たとえば、乾燥ブロワ２３の運転中（作動中）、制御部１４１からガス浄化装置３の制御部１４２に入力される。

【0084】

脱湿乾燥機２の制御部１４１からガス浄化装置３の制御部１４２に乾燥運転信号が入力されるまでは（ステップＳ１のＮＯ）、ガス浄化装置３の運転は開始されず、後述する運転制御処理は実行されない。

【0085】

脱湿乾燥機２の制御部１４１から乾燥運転信号が入力されると（ステップＳ１のＹＥＳ）、ガス浄化装置３の運転がスタンバイ状態とされて（ステップＳ２）、運転制御処理が実行される（ステップＳ３）。

【0086】

図４は、運転制御処理（サブルーチン）の流れを示すフローチャートである。

【0087】

運転制御処理は、ガス浄化装置３の運転を制御するための処理であり、ガス浄化装置３の制御部１４２により実行される。

【0088】

運転制御処理では、温度センサ１３７による検出温度、つまり触媒ヒータ１２２の入口１２５に入る浄化対象ガスの温度が予め設定された第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したか否かが繰り返し判断される（ステップＳ３１）。第１所定値は、脱湿乾燥機２で吸着器２４の第２再生ポート５５Ｒから吸着筒５１内の再生流路に流入する再生ガスの設定温度よりも低い温度、たとえば、５０～１２０℃の温度範囲内の値に設定される。

【0089】

温度センサ１３７による検出温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると（ステップＳ３１のＹＥＳ）、触媒ヒータ１２２の運転が開始される（ステップＳ３２）。触媒ヒータ１２２の運転の開始により、ガス浄化装置３による浄化対象ガスを浄化する処理、つまり触媒ヒータ１２２および触媒ユニット１２３からなる除去処理部により浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始される。

【0090】

触媒ヒータ１２２の運転中は、温度センサ１３７による検出温度が予め設定された第２所定値以上から第２所定値未満に低下したか否かが繰り返し判断される（ステップＳ３３）。第２所定値は、第１所定値と同じ値であってもよいし、第１所定値よりも小さい値であってもよい。脱湿乾燥機２において、粉粒体を乾燥させる処理が終了するか、または、乾燥ヒータ２５の故障などの異常が発生すると、脱湿乾燥機２の運転が停止し、温度センサ１３７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下する。

【0091】

温度センサ１３７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると（ステップＳ３３のＹＥＳ）、触媒ヒータ１２２の運転が停止される（ステップＳ３４）。触媒ヒータ１２２の運転の停止により、触媒作用によるＶＯＣの除去が停止し、浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が停止する。これにより、運転制御処理が終了となる。

【0092】

＜作用効果＞
脱湿乾燥機２の運転が開始されると、乾燥ブロワ２３および乾燥ヒータ２５が作動し、乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスの温度が上昇する。また、再生ブロワ６４および再生ヒータ６５が作動し、再生ガスライン６３の再生ガス排出管６８を流れる再生ガスの温度が上昇する。そのため、再生ガス排出管６８から浄化対象ガス取込管１２１に流入する再生ガスの温度が上昇し、温度センサ１３７により検出される温度、つまり浄化対象ガス取込管１２１から触媒ヒータ１２２の入口１２５に入る浄化対象ガス（再生ガス）の温度が上昇する。

【0093】

脱湿乾燥機２の運転が開始されても、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでは、ガス浄化装置３（触媒ヒータ１２２）の運転が開始されず、浄化対象ガスから処理対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始されない。

【0094】

第１所定値は、脱湿乾燥機２で吸着器２４の第２再生ポート５５Ｒから吸着筒５１内の再生流路に流入する再生ガスの設定温度よりも低い温度、たとえば、８０～１２０℃の温度範囲内の値に設定される。一方、乾燥ヒータ２５の加熱による昇温後の乾燥ガスの温度は、たとえば、６０～１６０℃に設定されている。ところが、脱湿乾燥機２の運転の開始後、乾燥ホッパ１１内の粉粒体が昇温するまで、粉粒体が乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスから熱を奪うので、乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスの温度よりも、再生ガスライン６３の再生ガス排出管６８を流れる再生ガスの温度が上がりやすい。そのため、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満である状態では、乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスの温度が十分に昇温しておらず、粉粒体の添加剤に除去対象成分であるＶＯＣが含まれていても、粉粒体からの揮発によるＶＯＣの発生量が０または０に近いと推定される。また、第１所定値が吸着筒５１内の再生流路に流入する再生ガスの設定温度よりも小さい値に設定されているので、吸着筒５１にＶＯＣが付着していても、吸着筒５１からの揮発によるＶＯＣの発生量も０または０に近いと推定される。

【0095】

したがって、脱湿乾燥機２の運転の開始後、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでの間、ガス浄化装置３の運転が開始されず、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始されないことにより、除去処理が無駄に実行されることを抑制できる。すなわち、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満である間、触媒ヒータ１２２による浄化対象ガスの昇温が開始されないことにより、ＶＯＣを含まない浄化対象ガスが無駄に昇温されることを抑制できる。その結果、ガス浄化装置３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置３、ひいては粉粒体処理装置１のランニングコストを低減することができる。

【0096】

脱湿乾燥機２の運転の開始後、温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると、ガス浄化装置３（触媒ヒータ１２２）の運転が開始されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始される。温度センサ１３７により検出される温度が第１所定値以上に上昇してから、触媒ヒータ１２２による浄化対象ガスの昇温が開始されることにより、浄化対象ガスの温度が触媒による分解作用が良好に発揮される温度まで上昇するのに要するエネルギーを低減できる。その結果、ガス浄化装置３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置３、ひいては粉粒体処理装置１のランニングコストをさらに低減することができる。もちろん、浄化対象ガスからＶＯＣが除去されるので、ＶＯＣが粉粒体処理装置１の周辺に放出されることによる環境の悪化を抑制できる。

【0097】

温度センサ１３７により検出される温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると、触媒ヒータ１２２の運転が停止されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が停止される。温度センサ１３７により検出される温度が第２所定値未満に低下すると、第２所定値が吸着筒５１内の再生流路に流入する再生ガスの設定温度よりも小さい値に設定されているので、吸着筒５１にＶＯＣが付着していても、吸着筒５１からの揮発によるＶＯＣの発生量が０または０に近いと推定される。よって、温度センサ１３７により検出される温度が第２所定値未満に低下したことに応じて、ガス浄化装置３による除去処理が停止さることにより、除去処理が無駄に継続して実行されることを抑制できる。その結果、ガス浄化装置３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置３、ひいては粉粒体処理装置１のランニングコストを低減することができる。

【0098】

［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態に係る粉粒体処理装置１５１の構成を図解的に示す図である。図５において、図１に示される各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号が付されている。以下では、その同一の参照符号が付された部分の説明を省略し、図１に示される構成との相違点を中心に説明する。

【0099】

粉粒体処理装置１５１は、図１に示される粉粒体処理装置１と同様、プラスチック製品の製造設備に含まれて、プラスチック製品の原料となるプラスチックペレットなどの粉粒体を処理する装置である。粉粒体処理装置１５１は、筐体１５２を備え、筐体１５２内に、図１に示される脱湿乾燥機２およびガス浄化装置３と同等の構成を備えている。

【0100】

粉粒体処理装置１５１では、再生ガスライン６３に第３接続管１５３が含まれ、再生ヒータ６５の出口７７に第３接続管１５３の一端が接続されている。第３接続管１５３の他端は、吸着器２４の第１再生ポート５４Ｒに接続されている。再生ガスライン６３の再生ガス排出管６８の一端は、吸着器２４の第２再生ポート５５Ｒに接続されている。

【0101】

また、粉粒体処理装置１５１では、図１に示される構成のうち、切替弁９５の乾燥導入ポート１１７と、乾燥導入ポート１１７に接続される乾燥接続管１１９が省略されている。

【0102】

粉粒体処理装置１５１は、触媒ヒータ１５４、触媒ユニット１５５およびアフタクーラ１５６を備えている。また、粉粒体処理装置１５１には、接続管１５７、第１浄化ガス排出管１５８および第２浄化ガス排出管１５９が設けられている。

【0103】

再生ガス排出管６８の他端、触媒ヒータ１５４の入口１６１に接続されている。触媒ヒータ１５４の出口１６２には、接続管１５７の一端が接続されている。触媒ユニット１５５は、ケース内に触媒を担持した担体が収容された構成を有している。接続管１５７の他端は、触媒ユニット１５５のケースに形成された入口１６３に接続されている。触媒ユニット１５５のケースに形成された出口１６４には、第１浄化ガス排出管１５８の一端が接続されている。第１浄化ガス排出管１５８の他端は、アフタクーラ１５６の第１入口１６５に接続されている。第２浄化ガス排出管１３２は、一端がアフタクーラ１５６の第１出口１６６に接続され、他端が筐体１５２の外部で大気に開放されている。アフタクーラ１５６の第１入口１６５と第１出口１６６とは、アフタクーラ１５６内で連通している。

【0104】

また、再生ガスライン６３の第２接続管６７は、一端がアフタクーラ２２の第２出口７５に接続された第１部分と、一端が再生ヒータ６５の入口７６に接続された第２部分とに分断されている。そして、第２接続管６７の第１部分の他端がアフタクーラ１５６の第２入口１６７に接続され、第２接続管６７の第２部分の他端がアフタクーラ１５６の第２出口１６８に接続されている。アフタクーラ１５６の第２入口１６７と第２出口１６８とは、アフタクーラ１５６内で連通している。

【0105】

再生ガス排出管６８を流れる再生ガスは、触媒ヒータ１５４および触媒ユニット１５５からなる除去処理部による浄化処理の対象となる浄化対象ガスであり、その再生ガスは、触媒ヒータ１５４により加熱されて、２００～３００℃に昇温した後、触媒ユニット１５５内の触媒に接触しつつ、触媒ユニット１５５を通過する。その際、触媒の分解作用により、浄化対象ガスに含まれる除去対象成分であるＶＯＣの化学分解が生じ、触媒ユニット１５５を通過する浄化対象ガスからＶＯＣが除去されて、浄化対象ガスが浄化されたガスとなる。

【0106】

触媒ユニット１５５を通過した浄化されたガスは、アフタクーラ１５６を通過する。一方、脱湿乾燥機２の再生ガスライン６３の第２接続管６７を流れる再生ガスがアフタクーラ１５６を通過する。アフタクーラ１５６では、浄化されたガスと第２接続管６７を流れる再生ガスとの間で熱交換が行われて、再生ガスが昇温し、浄化されたガスが降温する。その結果、浄化されたガスは、１１０℃以下、たとえば、９２～９３℃に低下した状態で、第２浄化ガス排出管１３２を通して大気に排出される。

【0107】

また、ガス浄化装置３には、吸着器２４の第１再生ポート５４Ｒから吸着筒５１（再生領域）に入る再生ガスの温度を検出する温度センサ１６９が設けられている。

【0108】

＜粉粒体処理装置の電気的構成＞
図６は、粉粒体処理装置１５１の電気的構成を示すブロック図である。

【0109】

粉粒体処理装置１５１は、制御部１７０を備えている。制御部１７０は、マイコン（マイクロコントローラ）を含む構成であり、マイコンには、たとえば、ＣＰＵと、フラッシュメモリやＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などのメモリとが内蔵されている。

【0110】

制御部１７０には、温度センサ１６９の検出信号が入力される。制御部１７０は、温度センサ１６９の検出信号などに基づいて、乾燥ブロワ２３、乾燥ヒータ２５、回転機構５７のモータ５６、再生ブロワ６４、再生ヒータ６５、ゲートシャッタ８２、１次２次切替弁９１、輸送ブロワ９４、切替弁９５および触媒ヒータ１５４の動作を制御する。

【0111】

＜粉粒体処理装置の運転制御＞
粉粒体処理装置１５１では、制御部１７０により、粉粒体処理装置１５１の運転を制御するための運転制御処理が実行される。

【0112】

運転制御処理では、温度センサ１６９による検出温度、つまり吸着器２４の第１再生ポート５４Ｒから吸着筒５１（再生領域）に入る再生ガスの温度が予め設定された第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したか否かが繰り返し判断される（図４のステップＳ３１）。第１所定値は、吸着器２４の第１再生ポート５４Ｒから吸着筒５１内の再生流路に流入する再生ガスの設定温度よりも低い温度、たとえば、５０～１２０℃の温度範囲内の値に設定される。

【0113】

温度センサ１６９による検出温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると（図４のステップＳ３１のＹＥＳ）、触媒ヒータ１５４の運転が開始される（図４のステップＳ３２）。触媒ヒータ１５４の運転の開始により、浄化対象ガスを浄化する処理、つまり触媒ヒータ１５４および触媒ユニット２４４からなる除去処理部により浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始される。

【0114】

触媒ヒータ１５４の運転中は、温度センサ１６９による検出温度が予め設定された第２所定値以上から第２所定値未満に低下したか否かが繰り返し判断される（図４のステップＳ３３）。第２所定値は、第１所定値と同じ値であってもよいし、第１所定値よりも小さい値であってもよい。粉粒体を乾燥させる処理が終了するか、または、乾燥ヒータ２５の故障などの異常が発生すると、乾燥ブロワ２３、乾燥ヒータ２５、再生ブロワ６４および再生ヒータ６５の運転が停止し、温度センサ１６９による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下する。

【0115】

温度センサ１６９による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると（図４のステップＳ３３のＹＥＳ）、触媒ヒータ１５４の運転が停止される（図４のステップＳ３４）。触媒ヒータ１５４の運転の停止により、触媒作用によるＶＯＣの除去が停止し、浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が停止する。これにより、運転制御処理が終了となる。

【0116】

＜作用効果＞
粉粒体処理装置１５１の構成によっても、粉粒体処理装置１と同様の効果を奏することができる。

【0117】

［第３実施形態］
図７は、本発明の第３実施形態に係る粉粒体処理装置１７１の構成を図解的に示す図である。図７において、図１に示される各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号が付されている。以下では、その同一の参照符号が付された部分の説明を省略し、図１に示される構成との相違点を中心に説明する。また、図７では、粉粒体の１次輸送および２次輸送に関する構成の図示が省略され、以下では、その構成についての説明が省略されているが、粉粒体処理装置１７１（脱湿乾燥機１７２）にも、その省略された構成が備えられている。

【0118】

粉粒体処理装置１７１は、図１に示される粉粒体処理装置１と同様、プラスチック製品の製造設備に含まれて、プラスチック製品の原料となるプラスチックペレットなどの粉粒体を処理する装置である。粉粒体処理装置１７１は、脱湿乾燥機１７２およびガス浄化装置１７３を含む。

【0119】

＜脱湿乾燥機＞
脱湿乾燥機１７２では、図１に示される構成のうち、第１環流管６１および第２環流管６２が省略されている。そして、脱湿乾燥機１７２では、乾燥ガスライン１６の第４接続管３４の一端が乾燥ブロワ２３の吹出口４６に接続され、第４接続管３４の他端は、２本に分岐して、吸着器２４の第２乾燥ポート５５Ｄおよび第２冷却ポート５５Ｃに接続されている。また、吸着器２４の第１冷却ポート５４Ｃには、環流管１７４の一端が接続されている。環流管１７４の他端は、乾燥ガスライン１６の第２接続管３２に分岐して接続されている。

【0120】

さらに、乾燥ガスライン１６の第１接続管３１の途中部には、ラインフィルタ１７５が介装されている。第１接続管３１を流れる乾燥ガスがラインフィルタ１７５を通過することにより、乾燥ガスから異物が除去される。

【0121】

＜ガス浄化装置＞
ガス浄化装置１７３は、脱湿乾燥機１７２の乾燥ガスライン１６の第１接続管３１に接続されて、第１接続管３１を流れる乾燥ガスを浄化対象ガスとして浄化する装置である。

【0122】

ガス浄化装置１７３には、浄化対象ガス取込管１８１が設けられている。浄化対象ガス取込管１８１の一端は、乾燥ガスライン１６の第１接続管３１の途中部であって、ラインフィルタ１７５と乾燥フィルタ２１との間の位置に分岐して接続されて、浄化対象ガス取込管１８１は、第１接続管３１と連通している。

【0123】

また、ガス浄化装置１７３は、アフタクーラ１８２、触媒ヒータ１８３および触媒ユニット１８４を備えている。また、ガス浄化装置１７３には、接続管１８５、第１浄化ガス戻し管１８６および第２浄化ガス戻し管１８７が設けられている。

【0124】

浄化対象ガス取込管１８１の他端は、アフタクーラ１８２の第１入口１８８に接続されている。接続管１８５の一端は、アフタクーラ１８２の第２出口１８９に接続されている。アフタクーラ１８２の第１入口１８８と第１出口２４９とは、アフタクーラ１８２内で連通している。接続管１８５の他端は、触媒ヒータ１８３の入口１９１に接続されている。

【0125】

触媒ユニット１８４は、ケース内に触媒を担持した担体が収容された構成を有している。触媒ヒータ１８３の出口１９２は、触媒ユニット１８４のケースに形成された入口１９３に接続されている。触媒ユニット１８４のケースに形成された出口１９４には、第１浄化ガス戻し管１８６の一端が接続されている。第１浄化ガス戻し管１８６の他端は、アフタクーラ１８２の第２入口１９５に接続されている。第２浄化ガス戻し管１８７は、一端がアフタクーラ１８２の第２出口１９６に接続され、他端が乾燥ガスライン１６の第１接続管３１の途中部であって、浄化対象ガス取込管１８１の接続部分と乾燥フィルタ２１との間の位置に分岐して接続されて、第１接続管３１と連通している。アフタクーラ１８２の第２入口１９５と第２出口１９６とは、アフタクーラ１８２内で連通している。

【0126】

第１接続管３１から浄化対象ガス取込管１８１に流入する浄化対象ガス（乾燥ガス）は、アフタクーラ１８２および触媒ヒータ１８３を順に通過する。浄化対象ガスは、触媒ヒータ１８３により加熱されて、２００～３００℃に昇温した後、触媒ユニット１８４内の触媒に接触しつつ、触媒ユニット１８４を通過する。その際、触媒の分解作用により、浄化対象ガスに含まれる除去対象成分であるＶＯＣの化学分解が生じ、触媒ユニット１８４を通過する浄化対象ガスからＶＯＣが除去されて、浄化対象ガスが浄化されたガスとなる。

【0127】

触媒ユニット１８４を通過した浄化されたガスは、アフタクーラ１８２を通過する。一方、アフタクーラ１８２では、浄化されたガスと浄化対象ガス取込管１８１から接続管１８５に流れる浄化対象ガスとの間で熱交換が行われて、浄化対象ガスが昇温し、浄化されたガスが降温する。その結果、浄化されたガスは、１１０℃以下、たとえば、９２～９３℃に低下した状態で、第２浄化ガス戻し管１８７を通して第１接続管３１に戻される。

【0128】

また、ガス浄化装置１７３には、浄化対象ガス取込管１８１からアフタクーラ１８２の第１入口１８８に入る浄化対象ガスの温度を検出する温度センサ１９７が設けられている。

【0129】

＜粉粒体処理装置の電気的構成＞
脱湿乾燥機１７２およびガス浄化装置１７３は、図２に示される脱湿乾燥機１７２およびガス浄化装置１７３と同様に、それぞれマイコンを含む構成の制御部を備えている。脱湿乾燥機１７２の制御部とガス浄化装置１７３の制御部とは、双方向に通信可能に接続されている。

【0130】

脱湿乾燥機１７２の制御部は、乾燥ブロワ２３および乾燥ヒータ２５など、脱湿乾燥機１７２の各部の動作を制御する。

【0131】

ガス浄化装置１７３の制御部には、温度センサ１９７の検出信号が入力される。ガス浄化装置１７３の制御部は、温度センサ１９７の検出信号などに基づいて、触媒ヒータ１８３の動作を制御する。

【0132】

＜ガス浄化装置の運転制御＞
ガス浄化装置１７３では、ガス浄化装置１７３の制御部により、脱湿乾燥機１７２の制御部から乾燥運転信号が入力されたか否かが判断される（図３のステップＳ１）。乾燥運転信号は、脱湿乾燥機１７２が運転していることを表す信号であり、たとえば、乾燥ブロワ２３の運転中（作動中）、熱風乾燥機２０２の制御部からガス浄化装置１７３の制御部に入力される。

【0133】

脱湿乾燥機１７２の制御部からガス浄化装置１７３の制御部に乾燥運転信号が入力されるまでは（図３のステップＳ１のＮＯ）、ガス浄化装置１７３の運転は開始されず、後述する運転制御処理は実行されない。

【0134】

脱湿乾燥機１７２の制御部からガス浄化装置１７３の制御部に乾燥運転信号が入力されると（図３のステップＳ１のＹＥＳ）、ガス浄化装置１７３の運転がスタンバイ状態とされて（図３のステップＳ２）、運転制御処理が実行される（図３のステップＳ３）。

【0135】

運転制御処理は、ガス浄化装置１７３の運転を制御するための処理であり、ガス浄化装置１７３の制御部により実行される。

【0136】

運転制御処理では、温度センサ１９７による検出温度、つまりアフタクーラ１８２の第１入口１８８に入る浄化対象ガスの温度が予め設定された第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したか否かが繰り返し判断される（図４のステップＳ３１）。乾燥ヒータ２５による加熱後の乾燥ガスの設定温度が６０～１６０℃である場合、第１所定値は、その乾燥ガスの設定温度よりも低い温度、たとえば、３０～１３０℃の温度範囲内の値（一例では、４０℃）に設定される。

【0137】

温度センサ１９７による検出温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると（図４のステップＳ３１のＹＥＳ）、触媒ヒータ１８３の運転が開始される（図４のステップＳ３２）。触媒ヒータ１８３の運転の開始により、ガス浄化装置１７３による浄化対象ガスを浄化する処理、つまり触媒ヒータ１８３および触媒ユニット１８４からなる除去処理部により浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始される。

【0138】

触媒ヒータ１８３の運転中は、温度センサ１９７による検出温度が予め設定された第２所定値以上から第２所定値未満に低下したか否かが繰り返し判断される（図４のステップＳ３３）。第２所定値は、第１所定値と同じ値であってもよいし、第１所定値よりも小さい値であってもよい。脱湿乾燥機１７２において、粉粒体を乾燥させる処理が終了するか、または、乾燥ヒータ２５の故障などの異常が発生すると、脱湿乾燥機１７２の運転が停止し、温度センサ１９７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下する。

【0139】

温度センサ１９７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると（図４のステップＳ３３のＹＥＳ）、触媒ヒータ１８３の運転が停止される（図４のステップＳ３４）。触媒ヒータ１８３の運転の停止により、触媒作用によるＶＯＣの除去が停止し、浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が停止する。これにより、運転制御処理が終了となる。

【0140】

なお、浄化対象ガス取込管１８１と乾燥ガスライン１６の第１接続管３１との接続部分には、第１接続管３１を流れる乾燥ガスの流通先を制御する分岐弁が介装されることが好ましい。

【0141】

この場合、分岐弁により、ガス浄化装置１７３の運転が停止した状態では、第１接続管３１を切替弁に向けて流れる乾燥ガスがそのまま第１接続管３１を流れ、ガス浄化装置１７３の運転中は、第１接続管３１を切替弁に向けて流れる乾燥ガスが浄化対象ガス取込管１８１に流れるように、乾燥ガスの流通先が切り替えられてもよい。こうすることにより、ガス浄化装置１７３の運転停止中、乾燥ガスがガス浄化装置１７３に無駄に流れ込むことが阻止され、脱湿乾燥機１７２における乾燥ヒータ２５による乾燥ガスの昇温に要するエネルギーを低減できる。

【0142】

また、ガス浄化装置１７３の運転中、第１接続管３１を切替弁に向けて流れる乾燥ガスの一部（たとえば、乾燥ガスの流量の１／５）が浄化対象ガス取込管１８１に流れ、乾燥ガスの残りが第１接続管３１をそのまま流れるように、分岐弁により、浄化対象ガス取込管１８１を流れる流量と分岐弁から第１接続管３１に流れる乾燥ガスの流量とが調節されてもよい。こうすることにより、ガス浄化装置１７３の運転中、ガス浄化装置１７３で乾燥ガスから奪われる熱量を低減でき、脱湿乾燥機１７２における乾燥ヒータ２５による乾燥ガスの昇温に要するエネルギーを低減できる。

【0143】

＜作用効果＞
脱湿乾燥機１７２の運転が開始されると、乾燥ブロワ２３および乾燥ヒータ２５が作動し、乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスの温度が上昇する。

【0144】

脱湿乾燥機１７２の運転が開始されても、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでは、ガス浄化装置１７３（触媒ヒータ１８３）の運転が開始されず、浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始されない。

【0145】

第１所定値は、乾燥ヒータ２５による加熱後の乾燥ガスの設定温度よりも低い温度の値に設定される。そのため、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値未満である状態では、乾燥ガスライン１６を流れる乾燥ガスの温度が十分に昇温しておらず、粉粒体の添加剤に除去対象成分であるＶＯＣが含まれていても、粉粒体からの揮発によるＶＯＣの発生量が０または０に近いと推定される。

【0146】

したがって、脱湿乾燥機１７２の運転の開始後、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでの間、ガス浄化装置１７３の運転が開始されず、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始されないことにより、除去処理が無駄に実行されることを抑制できる。すなわち、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値未満である間、触媒ヒータ１８３による浄化対象ガスの昇温が開始されないことにより、ＶＯＣを含まない浄化対象ガスが無駄に昇温されることを抑制できる。その結果、ガス浄化装置１７３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置１７３、ひいては粉粒体処理装置１７１のランニングコストを低減することができる。

【0147】

脱湿乾燥機１７２の運転の開始後、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると、ガス浄化装置１７３（触媒ヒータ１８３）の運転が開始されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始される。

【0148】

粉粒体の乾燥により粉粒体からＶＯＣが揮発する場合、乾燥ホッパ１１内および乾燥ガスライン１６を循環する乾燥ガスにＶＯＣが含まれるので、そのままにしておくと、乾燥ガスライン１６を構成する管路内に除去対象成分が析出して固着し、脱湿乾燥機１７２の性能の低下や劣化を招くおそれがある。乾燥ガスライン１６（第１接続管３１）から浄化対象ガス取込管１８１に流入する乾燥ガスを浄化対象ガスとして、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値以上に上昇したことに応じて、その浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始されることにより、乾燥ガスライン１６を構成する管路内に除去対象成分が析出することを抑制でき、脱湿乾燥機１７２の性能の低下や劣化を抑制することができる。しかも、温度センサ１９７により検出される温度が第１所定値以上に上昇してから、触媒ヒータ１８３による浄化対象ガスの昇温が開始されることにより、浄化対象ガスの温度が触媒による分解作用が良好に発揮される温度まで上昇するのに要するエネルギーを低減できる。その結果、ガス浄化装置１７３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置１７３、ひいては粉粒体処理装置１７１のランニングコストをさらに低減することができる。

【0149】

温度センサ１９７により検出される温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると、触媒ヒータ１８３の運転が停止されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が停止される。温度センサ１９７により検出される温度が第２所定値未満に低下すると、第２所定値が乾燥ヒータ２５による加熱後の乾燥ガスの設定温度よりも低い温度の値に設定されているので、粉粒体の添加剤に除去対象成分であるＶＯＣが含まれていても、粉粒体からの揮発によるＶＯＣの発生量が０または０に近いと推定される。よって、温度センサ１９７により検出される温度が第２所定値未満に低下したことに応じて、ガス浄化装置１７３による除去処理が停止さることにより、除去処理が無駄に継続して実行されることを抑制できる。その結果、ガス浄化装置１７３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置１７３、ひいては粉粒体処理装置１７１のランニングコストを低減することができる。

【0150】

［第４実施形態］
図８は、本発明の第４実施形態に係る粉粒体処理装置２０１の構成を図解的に示す図である。図８では、粉粒体の１次輸送および２次輸送に関する構成の図示が省略され、以下では、その構成についての説明が省略されているが、粉粒体処理装置２０１にも、その省略された構成が備えられている。

【0151】

粉粒体処理装置２０１は、図１に示される粉粒体処理装置１と同様、プラスチック製品の製造設備に含まれて、プラスチック製品の原料となるプラスチックペレットなどの粉粒体を処理する装置である。粉粒体処理装置２０１は、熱風乾燥機２０２およびガス浄化装置２０３を含む。熱風乾燥機２０２およびガス浄化装置２０３は、それぞれ筐体２０４，２０５を備えている。

【0152】

＜熱風乾燥機＞
熱風乾燥機２０２は、粉粒体を乾燥させて、その乾燥した粉粒体を成形機に輸送する装置である。熱風乾燥機２０２は、乾燥ホッパ２１１と、乾燥ホッパ２１１の上方に配置されるローダホッパ２１２とを備えている。粉粒体は、ローダホッパ２１２から乾燥ホッパ２１１に供給されて、乾燥ホッパ２１１内に収容（貯留）された状態で乾燥された後、乾燥ホッパ２１１から成形機に輸送される。

【0153】

乾燥ホッパ２１１は、乾燥ガス入口２１３および乾燥ガス出口２１４を有している。乾燥ホッパ２１１の側壁には、乾燥ガス導入管２１５が貫通している。乾燥ガス導入管２１５は、乾燥ホッパ２１１内で下方に屈曲して延び、その下端部が下方ほど広がる円錐状に形成されており、乾燥ガス入口２１３は、その円錐状の下端部の下端が開放されることにより形成されている。乾燥ガス出口２１４は、乾燥ホッパ２１１の側壁であって、乾燥ガス導入管２１５よりも上方の位置に形成されている。

【0154】

乾燥ガス導入管２１５の他端には、乾燥ガスライン２１６の一端が接続されている。乾燥ガスライン２１６の他端は、乾燥ガス出口２１４に接続されている。乾燥ガスライン２１６の一端が乾燥ガス導入管２１５を介して乾燥ガス入口２１３に接続され、乾燥ガスライン２１６の他端が乾燥ガス出口２１４に接続されることにより、乾燥ガスライン２１６は、乾燥ホッパ２１１内と連通して、乾燥ガスを循環させる循環路を形成している。

【0155】

熱風乾燥機２０２は、乾燥排気フィルタ２２１、乾燥ブロワ２２２および乾燥ヒータ２２３を備えている。乾燥ガスライン２１６は、乾燥排気フィルタ２２１、乾燥ブロワ２２２および乾燥ヒータ２２３を乾燥ガス出口２１４側からその順で経由している。具体的には、乾燥ガスライン２１６は、第１接続管２２４、第２接続管２２５、第３接続管２２６および第４接続管２２７を含む。第１接続管２２４の一端は、乾燥ガス出口２１４に接続され、第１接続管２２４の他端は、乾燥排気フィルタ２２１の入口２３１に接続されている。第２接続管２２５の一端は、乾燥排気フィルタ２２１の出口２３２に接続され、第２接続管２２５の他端は、乾燥ブロワ２２２の吸込口２３３に接続されている。第３接続管２２６の一端は、乾燥ブロワ２２２の吹出口２３４に接続され、第３接続管２２６の他端は、乾燥ヒータ２２３の入口２３５に接続されている。第４接続管２２７の一端は、乾燥ヒータ２２３の出口２３６に接続され、第４接続管２２７の他端は、乾燥ガス導入管２１５に接続されている。

【0156】

第４接続管２２７の途中部には、環流管２２８の一端が接続されている。環流管２２８の他端は、第２接続管２２５の途中部に分岐して接続されている。また、第２接続管２２５の途中部には、環流管２２８の分岐接続位置よりも乾燥排気フィルタ２２１側の位置に、乾燥ガス排出管２２９の一端が分岐して接続されている。さらに、第２接続管２２５の途中部には、環流管２２８および乾燥ガス排出管２２９の分岐接続位置よりも乾燥ブロワ２２２側の位置に、外気取込管２３７の一端が分岐して接続されている。外気取込管２３７の他端は、乾燥吸気フィルタ２３８を介して大気に開放されている。

【0157】

乾燥ブロワ２２２が駆動されると、乾燥ガスライン２１６の第３接続管２２６に、乾燥ブロワ２２２の吹出口２３４から乾燥ヒータ２２３に向かう乾燥ガスの気流が発生する。その気流により、乾燥ガスは、乾燥ヒータ２２３を通過して、乾燥ガスライン２１６の第４接続管２２７を流れる。乾燥ガスは、乾燥ヒータ２２３を通過する際、乾燥ヒータ２２３により加熱されて昇温し、昇温した乾燥ガスとなる。この乾燥ガスの設定温度は、たとえば、６０～１６０℃である。昇温した乾燥ガスは、第４接続管２２７から乾燥ガス導入管２１５を流れて、乾燥ガス導入管２１５の先端の乾燥ガス入口２１３から吹き出す。乾燥ガス入口２１３から吹き出した乾燥ガスは、乾燥ホッパ２１１内に貯留されている粉粒体の間を下方に向けて流れ、乾燥ホッパ２１１の底面で流れ方向が転換されて、粉粒体の上方に抜ける。これにより、粉粒体から乾燥ガスに水分が奪われて、粉粒体が乾燥する。粉粒体から水分を奪った乾燥ガスは、乾燥ガス出口２１４から乾燥ガスライン２１６の第１接続管２２４に排出され、第１接続管２２４を乾燥ブロワ２２２に向けて流れる。

【0158】

第１接続管２２４を流れる乾燥ガスは、乾燥排気フィルタ２２１を通過して、第２接続管２２５を流れる。乾燥ガスが乾燥排気フィルタ２２１を通過することにより、乾燥ガスから異物が除去される。第２接続管２２５を流れる乾燥ガスは、乾燥ブロワ２２２の吸込口２３３に吸い込まれる。

【0159】

また、乾燥ブロワ２２２の駆動により、第３接続管２２６に乾燥ガスの気流が発生するとともに、第２接続管２２５に負圧が発生する。その負圧により、第４接続管２２７を流れる乾燥ガスの一部が環流管２２８を通して第２接続管２２５に引き込まれ、外気が乾燥吸気フィルタ２３８を通して第２接続管２２５に引き込まれる。

【0160】

さらに、第１接続管２２４から乾燥排気フィルタ２２１を通過して第２接続管２２５に流れ込む乾燥ガスの一部は、第２接続管２２５から乾燥ガス排出管２２９に流出する。

【0161】

粉粒体の添加剤にＶＯＣが含まれている場合、そのＶＯＣが粉粒体の乾燥に伴って揮発するので、乾燥ガスライン２１６を流れる乾燥ガスには、粉粒体から揮発したＶＯＣが含まれる。そのため、乾燥ガスライン２１６の第２接続管２２５から乾燥ガス排出管２２９に流出する乾燥ガスには、ＶＯＣが含まれる。

【0162】

＜ガス浄化装置＞
ガス浄化装置２０３は、熱風乾燥機２０２の乾燥ガス排出管２２９に接続されて、乾燥ガス排出管２２９を流れる乾燥ガスを浄化対象ガスとして浄化する装置である。

【0163】

ガス浄化装置２０３には、浄化対象ガス取込管２４１が設けられている。浄化対象ガス取込管２４１の一端には、乾燥ガス排出管２２９の先端が接続されて、乾燥ガス排出管２２９は、浄化対象ガス取込管２４１と連通する。

【0164】

また、ガス浄化装置２０３は、アフタクーラ２４２、触媒ヒータ２４３および触媒ユニット２４４を備えている。また、ガス浄化装置２０３には、接続管２４５、第１浄化ガス排出管２４６および第２浄化ガス排出管２４７が設けられている。

【0165】

浄化対象ガス取込管２４１の他端は、アフタクーラ２４２の第１入口２４８に接続されている。接続管２４５の一端は、アフタクーラ２４２の第１出口２４９に接続されている。アフタクーラ２４２の第１入口２４８と第１出口２４９とは、アフタクーラ２４２内で連通している。接続管２４５の他端は、触媒ヒータ２４３の入口２５１に接続されている。

【0166】

触媒ユニット２４４は、ケース内に触媒を担持した担体が収容された構成を有している。触媒ヒータ２４３の出口２５２は、触媒ユニット２４４のケースに形成された入口２５３に接続されている。触媒ユニット２４４のケースに形成された出口２５４には、第１浄化ガス排出管２４６の一端が接続されている。第１浄化ガス排出管２４６の他端は、アフタクーラ２４２の第２入口２５５に接続されている。第２浄化ガス排出管２４７は、一端がアフタクーラ２４２の第２出口２５６に接続され、他端がガス浄化装置２０３の筐体２０５の外部で大気に開放されている。アフタクーラ２４２の第２入口２５５と第２出口２５６とは、アフタクーラ２４２内で連通している。

【0167】

乾燥ガス排出管２２９から浄化対象ガス取込管２４１に流入する浄化対象ガス（乾燥ガス）は、アフタクーラ２４２および触媒ヒータ２４３を順に通過する。浄化対象ガスは、触媒ヒータ２４３により加熱されて、２００～３００℃に昇温した後、触媒ユニット２４４内の触媒に接触しつつ、触媒ユニット２４４を通過する。その際、触媒の分解作用により、浄化対象ガスに含まれる除去対象成分であるＶＯＣの化学分解が生じ、触媒ユニット２４４を通過する浄化対象ガスからＶＯＣが除去されて、浄化対象ガスが浄化されたガスとなる。

【0168】

触媒ユニット２４４を通過した浄化されたガスは、アフタクーラ２４２を通過する。一方、アフタクーラ２４２では、浄化されたガスと浄化対象ガス取込管２４１から接続管２４５に流れる浄化対象ガスとの間で熱交換が行われて、浄化対象ガスが昇温し、浄化されたガスが降温する。その結果、浄化されたガスは、１１０℃以下、たとえば、９２～９３℃に低下した状態で、第２浄化ガス排出管２４７を通して大気に排出される。

【0169】

また、ガス浄化装置２０３には、浄化対象ガス取込管２４１からアフタクーラ２４２の第１入口２４８に入る浄化対象ガスの温度を検出する温度センサ２５７が設けられている。

【0170】

なお、第１接続管２２４を流れる乾燥ガスから異物をより良好に除去するため、第１接続管２２４に集塵サイクロン２５８が介装されてもよい。

【0171】

また、図８に示される構成では、環流管２２８の途中部に、リリーフ弁２５９が介装されているが、リリーフ弁２５９に代えて、電磁弁が介装されて、電磁弁が適宜開閉されてもよい。

【0172】

＜粉粒体処理装置の電気的構成＞
熱風乾燥機２０２およびガス浄化装置２０３は、図示されていないが、図２に示される熱風乾燥機２０２およびガス浄化装置２０３と同様に、それぞれマイコンを含む構成の制御部を備えている。熱風乾燥機２０２の制御部とガス浄化装置２０３の制御部とは、双方向に通信可能に接続されている。

【0173】

熱風乾燥機２０２の制御部は、乾燥ブロワ２２２および乾燥ヒータ２２３など、熱風乾燥機２０２の各部の動作を制御する。

【0174】

ガス浄化装置２０３の制御部には、温度センサ２５７の検出信号が入力される。ガス浄化装置２０３の制御部は、温度センサ２５７の検出信号などに基づいて、触媒ヒータ２４３の動作を制御する。

【0175】

＜ガス浄化装置の運転制御＞
ガス浄化装置２０３では、ガス浄化装置２０３の制御部により、熱風乾燥機２０２の制御部から乾燥運転信号が入力されたか否かが判断される（図３のステップＳ１）。乾燥運転信号は、熱風乾燥機２０２が運転していることを表す信号であり、たとえば、乾燥ブロワ２２２の運転中（作動中）、熱風乾燥機２０２の制御部からガス浄化装置２０３の制御部に入力される。

【0176】

熱風乾燥機２０２の制御部からガス浄化装置２０３の制御部に乾燥運転信号が入力されるまでは（図３のステップＳ１のＮＯ）、ガス浄化装置２０３の運転は開始されず、後述する運転制御処理は実行されない。

【0177】

熱風乾燥機２０２の制御部からガス浄化装置２０３の制御部に乾燥運転信号が入力されると（図３のステップＳ１のＹＥＳ）、ガス浄化装置２０３の運転がスタンバイ状態とされて（図３のステップＳ２）、運転制御処理が実行される（図３のステップＳ３）。

【0178】

運転制御処理は、ガス浄化装置２０３の運転を制御するための処理であり、ガス浄化装置２０３の制御部により実行される。

【0179】

運転制御処理では、温度センサ２５７による検出温度、つまりアフタクーラ２４２の第１入口２４８に入る浄化対象ガスの温度が予め設定された第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したか否かが繰り返し判断される（図４のステップＳ３１）。第１所定値は、乾燥ガスの設定温度よりも低い温度、たとえば、３０～１３０℃の温度範囲内の値（一例では、４０℃）に設定される。

【0180】

温度センサ２５７による検出温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると（図４のステップＳ３１のＹＥＳ）、触媒ヒータ２４３の運転が開始される（図４のステップＳ３２）。触媒ヒータ２４３の運転の開始により、ガス浄化装置２０３による浄化対象ガスを浄化する処理、つまり触媒ヒータ２４３および触媒ユニット２４４からなる除去処理部により浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始される。

【0181】

触媒ヒータ２４３の運転中は、温度センサ２５７による検出温度が予め設定された第２所定値以上から第２所定値未満に低下したか否かが繰り返し判断される（図４のステップＳ３３）。第２所定値は、第１所定値と同じ値であってもよいし、第１所定値よりも小さい値であってもよい。熱風乾燥機２０２において、粉粒体を乾燥させる処理が終了するか、または、乾燥ヒータ２２３の故障などの異常が発生すると、熱風乾燥機２０２の運転が停止し、温度センサ２５７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下する。

【0182】

温度センサ２５７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると（図４のステップＳ３３のＹＥＳ）、触媒ヒータ２４３の運転が停止される（図４のステップＳ３４）。触媒ヒータ２４３の運転の停止により、触媒作用によるＶＯＣの除去が停止し、浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が停止する。これにより、運転制御処理が終了となる。

【0183】

＜作用効果＞
熱風乾燥機２０２の運転が開始されると、乾燥ブロワ２２２および乾燥ヒータ２２３が作動し、乾燥ガスライン２１６を流れる乾燥ガスの温度が上昇する。

【0184】

熱風乾燥機２０２の運転が開始されても、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでは、ガス浄化装置２０３（触媒ヒータ２４３）の運転が開始されず、浄化対象ガスから除去対象成分であるＶＯＣを除去する除去処理が開始されない。

【0185】

第１所定値は、乾燥ヒータ２２３による加熱後の乾燥ガスの設定温度よりも低い温度の値に設定される。そのため、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値未満である状態では、乾燥ガスライン２１６を流れる乾燥ガスの温度が十分に昇温しておらず、粉粒体の添加剤に除去対象成分であるＶＯＣが含まれていても、粉粒体からの揮発によるＶＯＣの発生量が０または０に近いと推定される。

【0186】

したがって、熱風乾燥機２０２の運転の開始後、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇するまでの間、ガス浄化装置２０３の運転が開始されず、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始されないことにより、除去処理が無駄に実行されることを抑制できる。すなわち、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値未満である間、触媒ヒータ２４３による浄化対象ガスの昇温が開始されないことにより、ＶＯＣを含まない浄化対象ガスが無駄に昇温されることを抑制できる。その結果、ガス浄化装置２０３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置２０３、ひいては粉粒体処理装置１７１のランニングコストを低減することができる。

【0187】

熱風乾燥機２０２の運転の開始後、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇すると、ガス浄化装置２０３（触媒ヒータ２４３）の運転が開始されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始される。

【0188】

粉粒体の乾燥により粉粒体からＶＯＣが揮発する場合、乾燥ホッパ２１１内および乾燥ガスライン２１６を循環する乾燥ガスにＶＯＣが含まれるので、そのままにしておくと、乾燥ガスライン２１６を構成する管路内に除去対象成分が析出して固着し、熱風乾燥機２０２の性能の低下や劣化を招くおそれがある。乾燥ガスライン２１６から乾燥ガス排出管２２９を通して浄化対象ガス取込管２４１に流入する乾燥ガスを浄化対象ガスとして、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値以上に上昇したことに応じて、その浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が開始されることにより、乾燥ガスライン２１６を構成する管路内に除去対象成分が析出することを抑制でき、熱風乾燥機２０２の性能の低下や劣化を抑制することができる。しかも、温度センサ２５７により検出される温度が第１所定値以上に上昇してから、触媒ヒータ２４３による浄化対象ガスの昇温が開始されることにより、浄化対象ガスの温度が触媒による分解作用が良好に発揮される温度まで上昇するのに要するエネルギーを低減できる。その結果、ガス浄化装置２０３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置２０３、ひいては粉粒体処理装置１７１のランニングコストをさらに低減することができる。

【0189】

温度センサ２５７により検出される温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると、触媒ヒータ２４３の運転が停止されて、浄化対象ガスからＶＯＣを除去する除去処理が停止される。温度センサ２５７により検出される温度が第２所定値未満に低下すると、第２所定値が乾燥ヒータ２２３による加熱後の乾燥ガスの設定温度よりも低い温度の値に設定されているので、粉粒体の添加剤に除去対象成分であるＶＯＣが含まれていても、粉粒体からの揮発によるＶＯＣの発生量が０または０に近いと推定される。よって、温度センサ２５７により検出される温度が第２所定値未満に低下したことに応じて、ガス浄化装置２０３による除去処理が停止さることにより、除去処理が無駄に継続して実行されることを抑制できる。その結果、ガス浄化装置２０３で消費するエネルギーを低減でき、ガス浄化装置２０３、ひいては粉粒体処理装置１７１のランニングコストを低減することができる。

【0190】

［変形例］
以上、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。

【0191】

たとえば、図１に示される粉粒体処理装置１では、温度センサ１３７により、ガス浄化装置３の触媒ヒータ１２２の入口１２５に入る浄化対象ガスの温度が検出されるとしたが、図５に示される構成と同様に、脱湿乾燥機２の吸着器２４の第１再生ポート５４Ｒから吸着筒５１に入る再生ガスの温度が検出されてもよい。

【0192】

また、図１に示される粉粒体処理装置１および図５に示される粉粒体処理装置１５１では、乾燥ブロワ２３および乾燥ヒータ２５の運転により、乾燥ガス入口１３から乾燥ホッパ１１内に入る乾燥ガスの温度が上昇すると、乾燥ガス出口１４から出る乾燥ガスの温度も上昇する。乾燥ガス出口１４から出る乾燥ガスの温度が一定以上に上昇すると、乾燥ホッパ１１内で粉粒体からＶＯＣが揮発し始めていると推定されるので、乾燥ガス出口１４から出る乾燥ガスの温度が温度センサにより検出されて、その温度センサの検出温度が第１所定値未満から第１所定値以上に上昇したことに応じて、触媒ヒータ１２２，１５４の運転が開始されてもよい。

【0193】

図１に示される粉粒体処理装置１では、乾燥ブロワ２３の運転中、脱湿乾燥機２の制御部１４１からガス浄化装置３の制御部１４２に乾燥運転信号が入力されるとした。すなわち、粉粒体処理装置１では、乾燥運転信号が乾燥ブロワ２３が運転していることを表す信号であるとした。これに限らず、乾燥運転信号を乾燥ヒータ２５、再生ブロワ６４または再生ヒータ６５が運転していることを表す信号であるとして、乾燥ヒータ２５、再生ブロワ６４または再生ヒータ６５の運転中、脱湿乾燥機２の制御部１４１からガス浄化装置３の制御部１４２に乾燥運転信号が入力されてもよい。図７に示される粉粒体処理装置１５１においても、同様である。図８に示される粉粒体処理装置２０１では、乾燥運転信号を乾燥ヒータ２２３が運転していることを表す信号であるとして、乾燥ヒータ２２３の運転中、熱風乾燥機２０２の制御部からガス浄化装置２０３の制御部に乾燥運転信号が入力されてもよい。

【0194】

また、図１に示される粉粒体処理装置１では、温度センサ１３７による検出温度が第２所定値以上から第２所定値未満に低下すると、触媒ヒータ１２２の運転が停止されるとしたが、脱湿乾燥機２の制御部１４１からガス浄化装置３の制御部１４２への乾燥運転信号の入力がなくなったことに応じて、触媒ヒータ１２２の運転が停止されてもよい。図５に示される粉粒体処理装置１５１、図７に示される粉粒体処理装置１７１および図８に示される粉粒体処理装置２０１においても、同様である。

【0195】

図１に示される粉粒体処理装置１において、脱湿乾燥機２の運転開始時に、脱湿乾燥機２の運転開始を表す乾燥運転開始信号が脱湿乾燥機２の制御部１４１からパルス的に出力され、脱湿乾燥機２の運転終了時に、脱湿乾燥機２の運転終了を表す乾燥運転終了信号が脱湿乾燥機２の制御部１４１からパルス的に出力される構成が採用されてもよい。この場合、脱湿乾燥機２の制御部１４１からガス浄化装置３の制御部１４２に乾燥運転終了信号が入力されたことに応じて、触媒ヒータ１２２の運転が停止されてもよい。図７に示される粉粒体処理装置１７１および図８に示される粉粒体処理装置２０１においても、同様である。

【0196】

前述の各実施形態から、アフタクーラ１２４，１５６，１８２，２４２が省略されてもよい。アフタクーラ１２４，１５６，１８２，２４２が省略されて、触媒ユニット１２３，１５５，１８４，２４４を通過した後の浄化されたガスの熱が乾燥ホッパ１１，２１１や輸送先ホッパの加熱に利用されてもよい。また、触媒ユニット１２３，１５５，１８４，２４４を通過した後の浄化されたガスの熱が粉粒体処理装置１，１５１，１７１，２０１以外の装置、たとえば、粉粒体を含む複数種類の材料を混合する混合機の加熱に利用されてもよい。

【0197】

アフタクーラ１２４，１５６，１８２，２４２に加えて、触媒ユニット１２３，１５５，１８４，２４４を通過した後の浄化されたガスを冷却するファンがさらに設けられてもよい。

【0198】

図１に示されるガス浄化装置３は、脱湿乾燥機２と別体で独立して構成されているので、脱湿乾燥機２以外に、既存の脱湿乾燥機と容易に組み合わせることができる。図７に示されるガス浄化装置１７３および図８に示されるガス浄化装置２０３についても、同様である。

【0199】

また、前述の各実施形態では、浄化対象ガスから除去対象成分を除去する除去処理の方法として、触媒分解法が採用されている。しかし、除去処理の方法としては、触媒分解法以外の方法、ＶＯＣなどの除去対象成分を高温処理して酸化分解する燃焼法、オゾンと除去対象成分を接触させて酸化分解するオゾン酸化法、除去対象成分をプラズマにより酸化分解するプラズマ分解法、紫外線および酸化チタンを主成分とする触媒により除去対象成分を酸化分解する光触媒分解法、除去対象成分を吸着材に吸着させる吸着法、除去対象成分を含む排気を洗浄液（酸、アルカリ、水）と気液接触させて、除去対象成分を洗浄液に吸収させて分解する洗浄法などが適宜採用されてもよい。

【0200】

その他、前述の構成には、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【符号の説明】

【0201】

１，１５１，１７１，２０１：粉粒体処理装置
２，１７２：脱湿乾燥機（ガス排出装置、ガス排出部）
３，１７３，２０３：ガス浄化装置（ガス浄化部）
４，２０４：筐体（第１筐体）
５，２０５：筐体（第２筐体）
１１，２１１：乾燥ホッパ（乾燥容器）
１３，２１３：乾燥ガス入口
１４，２１４：乾燥ガス出口
２３，２２２：乾燥ブロワ
２４：吸着器
２５，２２３：乾燥ヒータ
６４：再生ブロワ
６５：再生ヒータ
１２２，１５４，１８３，２４３：触媒ヒータ（昇温器）
１２３，１５５，１８４，２４４：触媒ユニット（触媒）
１３７，１６９，１９７，２５７：温度センサ（検出器）
１４２，１７０：制御部
１５２：筐体
２０２：熱風乾燥機（ガス排出装置、ガス排出部）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】