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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024137696
(43)【公開日】2024-10-07
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01J 37/147 20060101AFI20240927BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01J37/147 C
H01L21/30 541W
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024000996
(22)【出願日】2024-01-09
(31)【優先権主張番号】P 2023046062
(32)【優先日】2023-03-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100119035
【弁理士】
【氏名又は名称】池上 徹真
(74)【代理人】
【識別番号】100141036
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 章
(74)【代理人】
【識別番号】100178984
【弁理士】
【氏名又は名称】高下 雅弘
(72)【発明者】
【氏名】中村 裕子
【テーマコード（参考）】
5C101
5F056
【Ｆターム（参考）】
5C101AA03
5C101AA07
5C101AA27
5C101EE03
5C101EE23
5C101EE65
5C101EE68
5F056AA07
5F056CB05
5F056EA03
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電気的接続が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、複数の第４電極と、を備え、第１、第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２、第４電極は上記以外の追加電極パターンであり、第１、第２電極からなるパターンと、第３、第４電極からなる電極パターンとは、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。
【選択図】図８
【解決手段】第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、複数の第４電極と、を備え、第１、第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２、第４電極は上記以外の追加電極パターンであり、第１、第２電極からなるパターンと、第３、第４電極からなる電極パターンとは、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板面と、前記第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、
前記第１チップの上に設けられ、前記第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、前記複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ前記複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、
前記第１基板面上に、前記複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、
前記第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、
前記第４基板面上に、前記複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、
前記第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、
を備え、
前記第１電極および前記第３電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、
前記第２電極および前記第４電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、
前記第１基板面上の前記第１電極と前記第２電極からなる電極パターンが、前記第４基板面上の前記第３電極と前記第４電極からなる電極パターンと、前記２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、
半導体装置。
前記第１チップの上に設けられ、前記第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、前記複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ前記複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、
前記第１基板面上に、前記複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、
前記第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、
前記第４基板面上に、前記複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、
前記第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、
を備え、
前記第１電極および前記第３電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、
前記第２電極および前記第４電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、
前記第１基板面上の前記第１電極と前記第２電極からなる電極パターンが、前記第４基板面上の前記第３電極と前記第４電極からなる電極パターンと、前記２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、
半導体装置。
【請求項2】
前記第１基板面上に設けられた前記複数の第２電極は前記複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッドであり、
前記第４基板面上に設けられた前記複数の第４電極は前記複数の第３電極と電気的に接続された複数の第２パッドであり、
前記第１パッドと前記第２パッドは、前記第２チップ上面から見て重ならないように配置されており、
前記第１チップと前記第２チップは支持体に保持され、
前記複数の第１パッドと前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと接続されている、
請求項１記載の半導体装置。
前記第４基板面上に設けられた前記複数の第４電極は前記複数の第３電極と電気的に接続された複数の第２パッドであり、
前記第１パッドと前記第２パッドは、前記第２チップ上面から見て重ならないように配置されており、
前記第１チップと前記第２チップは支持体に保持され、
前記複数の第１パッドと前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと接続されている、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項3】
前記複数の第１パッド及び前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
請求項２記載の半導体装置。
【請求項4】
前記支持体は、前記第１基板面に対向する第１面に設けられたパッドを有しており、
前記複数の第１パッドと複数のバンプを介して電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
前記複数の第１パッドと複数のバンプを介して電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１チップは、
前記第１チップを貫通する複数のビアと、
前記第１電極と、前記複数のビアを介して電気的に接続され、前記第２基板面に設けられた複数の第３のパッドと、
を有し、
前記複数の第２のパッドと前記複数の第３のパッドは、前記支持体に設けられたパッド
と、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
前記第１チップを貫通する複数のビアと、
前記第１電極と、前記複数のビアを介して電気的に接続され、前記第２基板面に設けられた複数の第３のパッドと、
を有し、
前記複数の第２のパッドと前記複数の第３のパッドは、前記支持体に設けられたパッド
と、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項２記載の半導体装置。
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項３記載の半導体装置。
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項４記載の半導体装置。
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項４記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第３パッドは、前記第２基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項５記載の半導体装置。
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第３パッドは、前記第２基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置され、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極の偏向電極と前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置されている、
請求項１記載の半導体装置。
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置され、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極の偏向電極と前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置されている、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第２チップ上方から見て、
前記複数の第１電極のグラウンド電極と、前記複数の第２電極からなるパターン、または、前記複数の第３電極のグラウンド電極と、前記複数の第４電極からなるパターンのいずれかが、前記複数の第１電極の偏向電極、前記第３電極の偏向電極、前記複数の第１貫通孔、及び前記複数の第２貫通孔を囲んでいる、
請求項１記載の半導体装置。
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第２チップ上方から見て、
前記複数の第１電極のグラウンド電極と、前記複数の第２電極からなるパターン、または、前記複数の第３電極のグラウンド電極と、前記複数の第４電極からなるパターンのいずれかが、前記複数の第１電極の偏向電極、前記第３電極の偏向電極、前記複数の第１貫通孔、及び前記複数の第２貫通孔を囲んでいる、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極のグラウンド電極と接続し、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極のグラウンド電極と接続する、
請求項１記載の半導体装置。
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極のグラウンド電極と接続し、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極のグラウンド電極と接続する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
請求項１０記載の半導体装置。
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
請求項１０記載の半導体装置。
【請求項14】
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
請求項１１記載の半導体装置。
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
請求項１１記載の半導体装置。
【請求項15】
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
請求項１２記載の半導体装置。
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
請求項１２記載の半導体装置。
【請求項16】
前記第２基板面と前記第３基板面は互いに接している、
請求項１記載の半導体装置。
請求項１記載の半導体装置。
【請求項17】
前記複数の荷電粒子ビームの軌跡を制御する、
請求項１記載の半導体装置。
請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施の形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
荷電粒子ビーム装置、特に電子ビームを用いた装置は、リソグラフィーにおけるマスクやウェハの描画装置として使用されている。
【0003】
また、荷電粒子ビーム装置は、走査型電子顕微鏡、Ｈｅ（ヘリウム）イオン顕微鏡等の、物質の表面形状を観察する顕微鏡としても使用されている。さらに、荷電粒子ビーム装置のかかる顕微鏡機能を利用して、半導体ウェハ製品、半導体に使用するマスク、液晶ディスプレイ等に発生した欠陥を観察する欠陥検査装置としても使用されている。
【0004】
また、最近、速度の向上のために、複数のビームを使用することが可能な、マルチビーム装置も使用されるようになっている。かかるマルチビーム装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを、成形アパーチャを通過させることによりマルチビームを形成し、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、マスク像が縮小されて、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０００－２５２１９８号公報
【特許文献2】特許第５６７５２４９号公報
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】Ｈ．Ｙａｓｕｄａ ｅｔ．ａｌ．：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９３）６０１２．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明が解決しようとする課題は、電気的接続が容易な半導体装置を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
実施形態の半導体装置は、第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、を備え、第１電極および第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２電極および第４電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、第１基板面上の第１電極と第２電極からなる電極パターンが、第４基板面上の第３電極と第４電極からなる電極パターンと、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態の電子ビーム描画装置の模式断面図である。
【図2】第１実施形態のブランキングアパーチャアレイの原理を示す模式図である。
【図3】第１実施形態の第１態様の半導体装置の模式図である。
【図4】第１実施形態の第２態様の半導体装置の模式図である。
【図5】第１実施形態の第３態様の半導体装置の模式図である。
【図6】第１実施形態の比較形態となる半導体装置の模式図である。
【図7】第１実施形態の比較形態となる半導体装置の模式平面図である。
【図8】第１実施形態の半導体装置の模式平面図である。
【図9】第１実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【図10】第１実施形態の半導体装置の要部の模式平面図である。
【図11】第２実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【図12】第３実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【図13】第４実施形態の比較形態となる半導体装置の要部の模式図である。
【図14】第４実施形態の比較形態となる半導体装置の要部の模式図である。
【図15】第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【図16】第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【図17】第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【図18】第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【図19】第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【図20】第４実施形態の半導体装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を用いて実施の形態を説明する。尚、図面中、同一又は類似の箇所には、同一又は類似の符号を付している。
【0011】
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
【0012】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【0013】
（第１実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、を備え、第１電極および第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２電極および第４電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、第１基板面上の第１電極と第２電極からなる電極パターンが、第４基板面上の第３電極と第４電極からなる電極パターンと、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。本実施形態においては、第２電極、第４電極はパッドである。
本実施形態の半導体装置は、第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、を備え、第１電極および第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２電極および第４電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、第１基板面上の第１電極と第２電極からなる電極パターンが、第４基板面上の第３電極と第４電極からなる電極パターンと、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。本実施形態においては、第２電極、第４電極はパッドである。
【0014】
また、本実施形態の半導体装置は、第１基板面上に設けられ、複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッドと、第４基板面上に設けられ、複数の第３電極と電気的に接続され、上方から見たときに複数の第１パッドと重ならない複数の第２パッドを備える。また、本実施形態の半導体装置は、複数の第１パッド及び複数の第２パッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続された支持体と、を備える。
【0015】
図１は、本実施形態の電子ビーム描画装置１５０の模式断面図である。電子ビーム描画装置１５０は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置又は荷電粒子ビーム描画装置の一例である。
【0016】
本実施形態の半導体装置１００は、例えば、電子ビーム描画装置１５０のブランキングアパーチャアレイ（偏向器）として用いられる。なお、半導体装置１００の用途は、これに限定されるものではない。
【0017】
電子ビーム描画装置１５０は、電子鏡筒１０２（マルチ電子ビームカラム）と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ２０３、半導体装置１００（ブランキングアパーチャアレイ）、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ部材２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９が配置されている。
【0018】
ここで、Ｘ軸と、Ｘ軸に垂直に交差するＹ軸と、Ｘ軸及びＹ軸に垂直に交差するＺ軸と、を定義する。電子銃２０１はＺ軸方向と反対の方向に電子ビーム２００を放出するものとする。また、試料１０１は、ＸＹ面に平行な面内に配置されているものとする。
【0019】
電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により、ほぼ垂直に成形アパーチャアレイ２０３を照明する。そして、成形アパーチャアレイ２０３の開口部を電子ビーム２００が通過することにより、マルチビーム１１１が形成される。マルチビーム１１１は、電子ビーム１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃ、１０９ｄ、１０９ｅ及び１０９ｆを有する。それぞれの電子ビーム１０９の形状は、成形アパーチャアレイ２０３の開口部の形状を反映したものであり、例えば矩形形状である。なお、図１において成形アパーチャアレイ２０３の開口部が６個示されているが、これに限定されるものではない。成形アパーチャアレイ２０３により形成されるマルチビーム１１１は、図１においては６本示されている。しかし、形成されるマルチビーム１１１の本数は、限定されるものではない。一例としては、成形アパーチャアレイ２０３の開口部は、Ｘ方向及びＹ方向）に方向にそれぞれ５１２個ずつ、マトリックス状に配置されている。
【0020】
半導体装置１００は、成形アパーチャアレイ２０３の下に設けられている。半導体装置１００によって偏向された、図中において点線で示された電子ビーム１０９は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。一方、偏向されなかった電子ビーム１０９は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴を通過する。これにより、電子ビームのオンオフが制御される。
【0021】
制限アパーチャ部材２０６を通過した電子ビーム１０９は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって一括して偏向される。そして、ＸＹステージ１０５に載置された試料１０１上の、それぞれの照射位置に照射される。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置されている。
【0022】
図２は、本実施形態のブランキングアパーチャアレイの原理を示す模式図である。一対の電極５２０ａ及び５２０ｂが、基板５００の上に配置されている。例えば、電極５２０ｂｂには所定の電圧を印加する。所定の電圧は、例えば数ボルトの程度であるが、特に限定されるものではない。また、電極５２０ａは、例えば、接地する。これにより、電極５２０ａと電極５２０ｂの間に電界が発生し、貫通孔５１０を通過する電子は偏向され、偏向電子となる。電圧の印加は、例えば基板５００内に設けられたスイッチング素子により行われる。この電圧は、例えば、図示しない基板５００の表面に設けられた多層配線を介して、電極５２０ａに印加される。
【0023】
ここで、スイッチング素子としては、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）素子が用いられる。スイッチング速度を速くするため、ＣＭＯＳ素子に用いられる電圧の低電圧化が進んでいる。このため、電極５２０ａと電極５２０ｂの間に印加される電圧の差は低下する。このため、電子の偏向量は小さくなる。これを回避するためには、Ｚ方向の電極の高さを高くすることが好ましい。しかし、電極の高さを高くする場合、電極形成が困難となるという問題があった。
【0024】
１枚のチップの中に、高い電極を形成する代わりに、半分の高さの電極を２枚に分けて作製し、２枚のチップを上下に配置することで、電極形成を容易にし、かつ、十分な荷電粒子ビーム偏向量を得ることができる。
図３は、本実施形態の第１態様の半導体装置１０００の模式図である。半導体装置１０００は、支持部５３２及び支持部５３４を有する支持体５３０を用いて、ＬＳＩチップ５４０及びＬＳＩチップ５５０を支持している。半導体装置１０００によれば、ＬＳＩチップ５４０に形成された図示しない電極と、ＬＳＩチップ５５０に形成された図示しない電極と、をＺ方向に並べることによって、Ｚ方向の電極の高さを高くしている。
図３は、本実施形態の第１態様の半導体装置１０００の模式図である。半導体装置１０００は、支持部５３２及び支持部５３４を有する支持体５３０を用いて、ＬＳＩチップ５４０及びＬＳＩチップ５５０を支持している。半導体装置１０００によれば、ＬＳＩチップ５４０に形成された図示しない電極と、ＬＳＩチップ５５０に形成された図示しない電極と、をＺ方向に並べることによって、Ｚ方向の電極の高さを高くしている。
【0025】
図４は、本実施形態の第２態様の半導体装置１１００の模式図である。ＬＳＩチップ５６０とＬＳＩチップ５７０を接合することにより、Ｚ方向の電極の高さを高くしている。
【0026】
図５は、本実施形態の第３態様の半導体装置１２００の模式図である。半導体装置１２００は、ＬＳＩチップ５８０と、ＬＳＩチップ５９０と、を有する。ＬＳＩチップ５８０は、シリコン基板５８４と、電極５８２と、貫通孔５８６と、を有する。ＬＳＩチップ５９０は、シリコン基板５９４と、電極５９２と、貫通孔５９６と、を有する。貫通孔５８６は、貫通孔５９６の上に配置されている。シリコン基板５８４とシリコン基板５９４は、それぞれ薄膜化された上で、シリコン－シリコン結合されている。作成難易度の低い、高さの低い電極５８２と電極５９２をＺ方向に並べている。これにより、実質的に高さが２倍となる、高さの高い電極を、容易に形成することができる。
【0027】
図５のように形成した半導体チップを実装することを考える。図６及び図７は、本実施形態の比較形態となる半導体装置１３００の模式図である。図６は、本実施形態の比較形態となる半導体装置１３００の模式断面図である。図７（ａ）は、本実施形態の比較形態となる半導体装置１３００のＬＳＩチップ６０４の模式上面図である。図７（ｂ）は、本実施形態の比較形態となる半導体装置１３００のＬＳＩチップ６０２の模式下面図である。
【0028】
図６に示すように、半導体装置１３００は、ＬＳＩチップ６０２と、ＬＳＩチップ６０４と、支持体６２０と、を有する。ＬＳＩチップ６０４の上面６０４ｂには、パッド６３６及びパッド６３８が設けられている。パッド６３６は、ワイヤ６４４により、支持体６２０に設けられたパッド６４６に接続されている。パッド６３８は、ワイヤ６４２により、支持体６２０に設けられたパッド６４０に接続されている。一方、ＬＳＩチップ６０２の下面６０２ａには、パッド６３２及びパッド６３４が設けられている。ここで、パッド６３６とパッド６３２は、上（Ｚ方向）から見て同じ位置に設けられているものとする。また、パッド６３８とパッド６３４は、上（Ｚ方向）から見て同じ位置に設けられているものとする。また、パッドは、例えばボンディングパッドである。また、ワイヤは、例えばボンディングワイヤである。
【0029】
ＬＳＩチップ６０２は、複数の第１貫通孔６５０を有する。複数の第１電極６５１ａは、複数の第１貫通孔６５０と隣接して、ＬＳＩチップ６０２の下面６０２ａに、それぞれ設けられている。複数の第１電極６５１ａは、例えば、図示しない、ＬＳＩチップ６０２内に設けられた多層配線により、パッド６３２に接続されている。複数の第１電極６５１ａには、例えば、数ボルト程度の所定の電圧が印加される。複数の第２電極６５１ｂは、複数の第１貫通孔６５０と隣接して、ＬＳＩチップ６０２の下面６０２ａに、例えばそれぞれ第１電極６５１ａと対向して設けられている。複数の第２電極６５１ｂは、例えば、図示しない、ＬＳＩチップ６０２内に設けられた多層配線により、パッド６３４に接続されている。複数の第２電極６５１ｂは、例えば、接地されている。
【0030】
ＬＳＩチップ６０４は、複数の第２貫通孔６５２を有する。複数の第３電極６５３ａは、複数の第２貫通孔６５２と隣接して、ＬＳＩチップ６０４の上面６０４ｂに、それぞれ設けられている。複数の第３電極６５３ａは、例えば、図示しない、ＬＳＩチップ６０４内に設けられた多層配線により、パッド６３６に接続されている。複数の第３電極６５３ａには、例えば、数ボルト程度の所定の電圧が印加される。複数の第４電極６５３ｂは、複数の第２貫通孔６５２と隣接して、ＬＳＩチップ６０４の上面６０４ｂに、例えばそれぞれ第３電極６５３ａと対向して設けられている。複数の第４電極６５３ｂは、例えば、図示しない、ＬＳＩチップ６０４内に設けられた多層配線により、パッド６３８に接続されている。複数の第４電極６５３ｂは、例えば、接地されている。
【0031】
ここで、複数の第２貫通孔６５２は、それぞれ複数の第１貫通孔６５０の上に設けられている。また、ＬＳＩチップ６０２の上面６０２ｂとＬＳＩチップ６０４の下面６０４ａは、例えば、接している。ＬＳＩチップ６０２の上面６０２ｂとＬＳＩチップ６０４の下面６０４ａは、例えば、接合されている。
【0032】
支持体６２０は、ワイヤ６４４及びワイヤ６４２を介して、ＬＳＩチップ６０２及びＬＳＩチップ６０４を支持する。支持体６２０の材料や構造は、特に図６に示したものに限定されるものではない。
【0033】
上（Ｚ方向）から見て同じ位置にＬＳＩチップ６０２及びＬＳＩチップ６０４がボンディングパットを備える場合、言い換えると、それぞれのパッドに接続されるワイヤ（ボンディングワイヤ）が重なってしまうという問題があった。このために、チップを実装することができないという問題があった。
【0034】
図８、図９及び図１０を用いて本実施形態の半導体装置を説明する。
本実施形態の半導体装置は、第１基板面上に設けられ、複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッド(第２電極の一例)と、第４基板面上に設けられ、複数の第３電極と電気的に接続され、上方から見たときに複数の第１パッドと重ならない複数の第２パッド（第４電極の一例）と、を備える。また、本実施形態の半導体装置は、複数の第１パッド及び複数の第２パッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続された支持体と、を備える。
ここで、第１電極及び第３電極は電子ビームを偏向するための電極、第２電極及び第４電極はパッドである。
本実施形態の半導体装置は、第１基板面上に設けられ、複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッド(第２電極の一例)と、第４基板面上に設けられ、複数の第３電極と電気的に接続され、上方から見たときに複数の第１パッドと重ならない複数の第２パッド（第４電極の一例）と、を備える。また、本実施形態の半導体装置は、複数の第１パッド及び複数の第２パッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続された支持体と、を備える。
ここで、第１電極及び第３電極は電子ビームを偏向するための電極、第２電極及び第４電極はパッドである。
【0035】
また、第１チップ２は矩形形状を有している。第２チップ４は矩形形状を有している。複数の第１パッドは、第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられている。複数の第２パッドは、第４基板面に平行で第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられている。
【0036】
図８は、本実施形態の半導体装置１００の模式平面図である。図９は、本実施形態の半導体装置１００の模式断面図である。図１０は、本実施形態の半導体装置１００の要部の模式平面図である。より詳細に説明すると、図９（ａ）は、ＹＺ平面に平行な、Ａ－Ａ’断面における、半導体装置１００の模式断面図である。図９（ｂ）は、ＸＺ平面に平行な、Ｂ－Ｂ’断面における、半導体装置１００の模式断面図である。図１０（ａ）は、本実施形態の半導体装置１００の第２チップ４の第４基板面４ｂの模式上面図である。図１０（ｂ）は、本実施形態の半導体装置１００の第１チップ２の第１基板面２ａの模式下面図である。
【0037】
【0038】
図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図９（ｂ）を用いて説明する。第１チップ２は、第１基板面２ａと、第２基板面２ｂと、を有する。第２基板面２ｂは、第１基板面２ａの反対側に設けられている。第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂは、ＸＹ面に平行に設けられている。第１チップの第１基板面２ａには、パッド３２及びパッド３４が設けられている。パッド３２は、ワイヤ６４により、支持体２０に設けられたパッド６６に接続されている。パッド３４は、ワイヤ６２により、支持体２０に設けられたパッド６０に接続されている。
【0039】
図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図９（ａ）を用いて説明する。第２チップ４は、第１チップ２の上に設けられている。第２チップ４は、第３基板面４ａと、第４基板面４ｂと、を有する。第４基板面４ｂは、第３基板面４ａの反対側に設けられている。第３基板面４ａ及び第４基板面４ｂは、ＸＹ面に平行に設けられている。第２チップの第４基板面４ｂには、パッド３６及び３８が設けられている。パッド３６は、ワイヤ４４により、支持体２０に設けられたパッド４６に接続されている。パッド３８は、ワイヤ４２により、支持体２０に設けられたパッド４０に接続されている。
【0040】
第１チップ２及び第２チップ４は、例えば、それぞれ、半導体チップである。第１チップ２及び第２チップ４は、例えば、それぞれ、ＬＳＩチップである。
【0041】
パッドは、例えば、ボンディングパッドである。また、ワイヤは、例えば、ボンディングワイヤである。
【0042】
第２基板面２ｂと第３基板面４ａは、互いに接している。例えば第１チップ２及び第２チップ４がシリコン基板を用いて形成された半導体チップである場合、第２基板面２ｂと第３基板面４ａは、互いにシリコン－シリコン結合されている。
【0043】
図１０（ｂ）を用いて説明する。第１チップ２は、複数の第１貫通孔５０を有する。複数の第１ａ電極５１ａは、複数の第１貫通孔５０と隣接して、第１チップ２の第１基板面２ａに、それぞれ設けられている。複数の第１ａ電極５１ａは、例えば、図示しない、第１チップ２内に設けられた多層配線により、パッド３２に接続されている。複数の第１ａ電極５１ａには、例えば、数ボルト程度の所定の電圧が印加される。複数の第１ｂ電極５１ｂは、複数の第１貫通孔５０と隣接して、第１チップ２の第１基板面２ａに、例えば複数の第１ａ電極５１ａとそれぞれ対向して設けられている。複数の第１ｂ電極５１ｂは、例えば、図示しない、第１チップ２内に設けられた多層配線により、パッド３４に接続されている。複数の第１ｂ電極５１ｂは、例えば、接地されている。例えば、第１電極は、荷電粒子ビームを偏向させるための、第１電極対である。例えば、第１電極対は、偏向電極（５１ａ）と接地電極（５１ｂ）を含む。例えば、第１ａ電極５１ａは、偏向電極である。例えば、第１ｂ電極５１ｂは、接地電極である。
【0044】
図１０（ａ）を用いて説明する。第２チップ４は、複数の第２貫通孔５２を有する。複数の第３ａ電極５３ａは、複数の第２貫通孔５２と隣接して、第２チップ４の第４基板面４ｂに、それぞれ設けられている。複数の第３ａ電極５３ａは、例えば、図示しない、第２チップ４内に設けられた多層配線により、パッド３６に接続されている。複数の第３ａ電極５３ａには、例えば、数ボルト程度の所定の電圧が印加される。複数の第３ｂ電極５３ｂは、複数の第２貫通孔５２と隣接して、第２チップ４の第４基板面４ｂに、例えば複数の第３ａ電極５３ａとそれぞれ対向して設けられている。複数の第３ｂ電極５３ｂは、例えば、図示しない、第２チップ４内に設けられた多層配線により、パッド３８に接続されている。複数の第３ｂ電極５３ｂは、例えば、接地されている。例えば、第３電極は、荷電粒子ビームを偏向させるための、第２電極対である。例えば、第２電胸対は、偏向電極（５３ａ）と接地電極（５３ｂ）を含む。例えば、第３ａ電極５３ａは、偏向電極である。例えば、第３ｂ電極５３ｂは、接地電極である。
【0045】
第１チップ２のパッド３２及びパッド３４は、それぞれ、第１チップ２の、Ｙ方向における端部に並んで設けられている。かかるＹ方向における端部は、Ｘ方向に沿っている。一方、第２チップのパッド３６及びパッド３８は、それぞれ、第２チップ４の、Ｘ方向における端部に並んで設けられている。かかるＸ方向における端部は、Ｙ方向に沿っている。パッド３２は、上から見たときに、パッド３６及びパッド３８と重ならない。また、パッド３４は、上から見たときに、パッド３６及びパッド３８と重ならない。
【0046】
図９（ｂ）に示すように、複数の第２貫通孔５２は、それぞれ複数の第１貫通孔５０の上に設けられている。第２貫通孔５２と第１貫通孔５０はつながっており、連通している。（図８では、第２貫通孔５２の下に第１貫通孔５０がある。)
【0047】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示したように、支持体２０は、板部２２と、凸部２４と、を有する。板部２２は、第１基板面２ａに対向する第１面２２ａと、第１面２２ａの反対側に設けられた第２面２２ｂと、を有する。凸部２４は、第１面２２ａの上に、第１チップ２及び第２チップ４を囲むように設けられている。凸部２４の上に、パッド４０、パッド４６、パッド６０及びパッド６６が設けられている。支持体２０は、ワイヤ４２、ワイヤ４４、ワイヤ６２及びワイヤ６４を介して、第１チップ２及び第２チップ４を支持する。支持体２０の材料や構造は、特に限定されるものではない。
【0048】
第１チップ２は、ＸＹ面内に平行な面内において、矩形形状を有していることが好ましい。第２チップ４は、ＸＹ面内に平行な面内において、矩形形状を有していることが好ましい。
【0049】
図８では、第３ａ電極５３ａ、第３ｂ電極５３ｂの下に、第１ａ電極５１ａ、第１ｂ電極５１ｂがある。
本実施形態の変形例として、例えば、第２チップ４の形状は、第１チップ２の形状をＸＹ面内に９０°回転させたものであってもよい。電子ビームの偏向量は√２になるが、準備するチップの種類が１種類になるため、製造工程が容易になるため好ましい。なおこの場合、複数の第３ａ電極５３ａ、第３ｂ電極５３ｂは、上から見たときに、複数の第１ａ電極５１ａ、複数の第１ｂ電極５１ｂを、第４基板面４ｂに平行な面内で９０度回転させた形状を有する。
本実施形態の変形例として、例えば、第２チップ４の形状は、第１チップ２の形状をＸＹ面内に９０°回転させたものであってもよい。電子ビームの偏向量は√２になるが、準備するチップの種類が１種類になるため、製造工程が容易になるため好ましい。なおこの場合、複数の第３ａ電極５３ａ、第３ｂ電極５３ｂは、上から見たときに、複数の第１ａ電極５１ａ、複数の第１ｂ電極５１ｂを、第４基板面４ｂに平行な面内で９０度回転させた形状を有する。
【0050】
本実施形態の半導体装置によれば、図８に示すように、パッド３２は、上から見たときに（Ｚ方向において）、パッド３６及びパッド３８と重ならない。また、パッド３４は、上から見たときに、パッド３６及びパッド３８と重ならない。従って、ワイヤを用いて、第１チップ２及び第２チップ４を支持体２０に、容易に電気的接続を行う実装することが可能となる。
【0051】
本実施形態の半導体装置によれば、電気的接続が容易な半導体装置の提供が可能となる。
【0052】
（第２実施形態）
第１実施形態では、チップ１をワイヤボンディングしたが、第２実施形態では、チップ１をフリップボンディングした例を示す。
第１実施形態では、チップ１をワイヤボンディングしたが、第２実施形態では、チップ１をフリップボンディングした例を示す。
【0053】
上面図は図８、図１０と同様で、半導体装置が１００ではなく、１１０となる。Ｂ－Ｂ’断面（図９（ｂ）記載）が図１１に対応し、本実施形態の半導体装置１１０の断面模式図である。Ａ－Ａ’断面（図９（ａ）記載）は図９（ａ）と同様である。ここで、第１実施形態と重複する内容の記載は省略する。
【0054】
図１１に示すように、本実施形態の半導体装置では、支持体２０は、第１チップ２の第１基板面２ａに対向する第１面２２ａに設けられた複数のパッド３１を有している。本実施形態の半導体装置では、複数のバンプ７２、７４を介して、第１チップ２の第１基板面２ａに設けられた複数のパッド３２，３４と電気的に接続されている。
【0055】
パッド３２は、支持体２０の第１面２２ａの上に設けられたパッド３１ａと、バンプ７２を介して接続されている。パッド３４は、支持体２０の第１面２２ａの上に設けられたパッド３１ｂと、バンプ７４を介して接続されている。第２チップ４は、図９（ａ）同様、第４基板面にあるパッド３６、パッド３８と、支持体２０の凸部２４のパッド４６、４０とそれぞれ、ワイヤ４４、４２によりボンディングされている。
【0056】
第１面２２ａと第１チップ２の間には、封止樹脂７０が設けられている。封止樹脂７０を用いることにより、さらに安定して第１チップ２及び第２チップ４を保持することが可能である。なお、封止樹脂７０は、例えば酸化シリコン粒子や酸化アルミニウム粒子等のフィラーを含んでいてもかまわない。
【0057】
本実施形態の半導体装置によっても、電気的接続が容易な半導体装置の提供が可能となる。
【0058】
（第３実施形態）
第１実施形態では、例えば、図９（ｂ）に示すように、第１チップ２の下面のパッドをワイヤボンディングしたが、本実施形態では、第１チップ２の上面に設けられたパッドと接続して、ワイヤボンディングする例について述べる。
第１実施形態では、例えば、図９（ｂ）に示すように、第１チップ２の下面のパッドをワイヤボンディングしたが、本実施形態では、第１チップ２の上面に設けられたパッドと接続して、ワイヤボンディングする例について述べる。
【0059】
平面図は図８、図１０と同様で、半導体装置が１００ではなく、１２０となる。Ｂ－Ｂ’断面（図９（ｂ）記載）が図１２に対応し、本実施形態の半導体装置１２０の断面模式図である。Ａ－Ａ’断面（図９（ａ）記載）は図９（ａ）と同様である。
【0060】
ここで、第１実施形態及び第２実施形態と重複する内容の記載は省略する。
【0061】
図１２に示すように、本実施形態の半導体装置の第１チップ２は、第１基板面２ａと反対の第２基板面２ｂ上に複数の第３パッド３５が設けられている。第３パッド３５は複数のビア８０ａ、８０ｂを介して、第１チップ２を貫通し、複数の第１a電極５１ａ又は複数の第1ｂ電極５１ｂと電気的に接続されている。
【0062】
図１２に示すように、支持体２０はパッド６０、６６を有している。
【0063】
第３パッド３５ａはワイヤ６４により支持体上のパッド６６、第３パッド３５ｂはワイヤ６２により支持体上のパッド６０と接続されている。
【0064】
図９（ａ）に示した、第４基板面４ｂ上に設けられ、複数の第３ａ電極５３ａ又は複数の第３ｂ電極５３ｂと電気的に接続された複数の第２パッド３６、３８と第３パッド３５は、上方から見たときに重ならない。（図８の３４，３２が上面に形成されていることに対応する。）
【0065】
図９（ａ）同様、第４基板面にあるパッド３６、パッド３８と、支持体凸部のパッド４６、４０とそれぞれ、ワイヤ４４、４２によりボンディングされている。
【0066】
第１チップ２がシリコン基板を用いて形成されている場合、ビア８０ａ及びビア８０ｂは、例えば、シリコン貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ－ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）である。
【0067】
本実施形態の半導体装置１２０によれば、支持体２０の上方から、ワイヤ６２及びワイヤ６４を用いたワイヤボンディングを行うことができる。そのため、実装が容易になる。
【0068】
本実施形態の半導体装置によれば、電気的接続が容易な半導体装置の提供が可能となる。
【0069】
（第４実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、を備え、第１電極および第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２電極および第４電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、第１基板面上の第１電極と第２電極からなる電極パターンが、第４基板面上の第３電極と第４電極からなる電極パターンと、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。
本実施形態においては、図１３において、第１電極と第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための電極対（枠Ｆ１で囲まれたグラウンド電極９６と偏向電極９４）、第２電極と第４電極は追加電極９８である。
本実施形態の半導体装置は、第１基板面と、第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、第１チップの上に設けられ、第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、第１基板面上に、複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、第４基板面上に、複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、を備え、第１電極および第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、第２電極および第４電極は荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、第１基板面上の第１電極と第２電極からなる電極パターンが、第４基板面上の第３電極と第４電極からなる電極パターンと、２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、半導体装置である。
本実施形態においては、図１３において、第１電極と第３電極は荷電粒子ビームを偏向するための電極対（枠Ｆ１で囲まれたグラウンド電極９６と偏向電極９４）、第２電極と第４電極は追加電極９８である。
【0070】
チップを２つ並べて電極高さを２倍にし、荷電粒子ビームの偏向量を２倍にすることができることは前述した。さらに、電極パターンの平面配置を工夫することで描画パターンのゆがみを起こりにくくすることもできる。
【0071】
マルチ荷電粒子ビーム描画装置の原理を図２に示したが、基本的には偏向電極とグラウンド電極の対があれば、電子ビームを偏向させることができる。図１３の枠Ｆ１に囲まれたパターンは、比較例の電極パターンの平面配置を示す。偏向電極９４とグラウンド電極９６が図示されている。荷電粒子ビームが通過する貫通孔５２の両側に一対の電極（偏向電極９４とグラウンド電極９６）が存在すれば、荷電粒子を偏向することができる。この対電極を、実施形態説明のために図示した枠Ｆ１で囲った。
【0072】
しかし、これ以外に、偏向電極と開口を囲むようにグラウンド電極が延伸・追加されていることが多い。これらの追加電極はクロストークを解消するために形成されている。クロストークとは、荷電粒子ビームを偏向するための対電極を周期的に並べると、隣の開口にも電界が回りこんでしまうことをいい、これにより、隣の開口を通過するビームが影響をうけて軌跡が変わってしまう。そこで、例えば、グラウンド電極を延伸して、偏向電極の周囲を囲むことにより、クロストークを抑えることができる。
【0073】
偏向電極を囲んだ例を図１４に示す。対電極は荷電粒子ビームを偏向するためのグラウンド電極９６と偏向電極（ブランキング電極）９４からなる。追加電極９８とグラウンド電極９６は接続され、グラウンド電極として機能する。具体的には、追加電極９８ａとグラウンド電極９６ａ、９６ｂ、９６ｅは接続されている。追加電極９８ｂとグラウンド電極９６ａ、９６ｂ、９６ｅ、９６ｃ、９６ｄ、９６ｆは接続されている。追加電極９８ｃとグラウンド電極９６ｃ、９６ｄ及び９６ｆは接続されている。
【0074】
図１３は図１４のユニットセル（枠Ｆ２で囲った部分、繰り返しの最小単位）の隣り合う2か所、上側と下側を切り欠きした構造になっている。これは、グラウンド電極で偏向電極周囲をすべて囲ってしまうと、応力が大きくなってしまうためである。応力を緩和するため、囲っている電極のパターンの一部を切り欠いている。
【0075】
しかし、このように電極に切り欠き（離間部）を入れると、グラウンド電極と追加電極パターンは対称でなくなってしまう。対称性が崩れると、荷電粒子ビーム描画装置のレンズ系の収差が強調されたり、二次電子や散乱電子の影響が非対称になるため、基板上の描画パターンがゆがむという現象が起こりやすくなる。
【0076】
２枚の半導体チップを図５に示すように重ねる場合、平面上で、２枚重ねて、グラウンド電極配置が対称になるようにすると、荷電粒子ビームは２枚のチップを通過する間に、グラウンド電極と追加電極パターンが非対称であることにより受ける影響が逆方向に働く。このため、荷電粒子ビーム描画装置のレンズ系の収差が強調されなくなり、二次電子や散乱電子の影響がキャンセルされる。結果として、基板上の描画パターンのゆがみを抑えることができる。
【0077】
【0078】
図５の上側の矢印方向（上方、Ｚ方向）から電極パターンを見て、下に投影した場合、第１基板面２ａ上に設けられた偏向電極８４と第４基板面４ｂ上に設けられた偏向電極９４は、ほぼ重なる。また、第１基板面２ａ上に設けられたグラウンド電極８６と第４基板面４ｂ上に設けられたグラウンド電極９６は、ほぼ重なる。また、第１チップ２の貫通孔５０と第２チップ４の貫通孔５２は、ほぼ重なる。第１基板面２ａの追加電極８８の第１離間部（切り欠き）８９と、第４基板面４ｂの追加電極９８の第２離間部（切り欠き）９９の配置は、異なっている。図５の上側の矢印方向（チップ２上方）から電極パターンを見て、下に投影した場合、第１基板面２ａ上と第４基板面４ｂ上に形成されたグラウンド電極と追加電極からなるパターンが偏向電極を囲むように配置する。これにより、電極高さを２倍にして偏向量を２倍にできる効果に加えて、グラウンド電極の対称性が維持でき、描画パターン歪を抑制できる。
【0079】
なお、図示を省略しているが、追加電極８８ｇは、追加電極８８ｄと同様に、Ｘ方向に延伸している。また、追加電極８８ｈは、追加電極８８ｅと同様に、Ｘ方向に延伸している。また、追加電極８８ｉは、追加電極８８ｆと同様に、Ｘ方向に延伸している。また、追加電極９８ａは、追加電極９８ｄと同様に、－Ｘ方向（Ｘ方向と反対の方向）に延伸している。追加電極９８ｂは、追加電極９８ｅと同様に、－Ｘ方向に延伸している。追加電極９８ｃは、追加電極９８ｆと同様に、－Ｘ方向に延伸している。
【0080】
グラウンド電極８６ａ、第１貫通孔５０ａ、偏向電極８４ａ、グラウンド電極８６ｂ、第１貫通孔５０ｂ、偏向電極８４ｂは、Ｘ方向に並んで順に設けられている。追加電極８８ａは、グラウンド電極８６ａに接続され、Ｘ方向に延伸している。追加電極８８ｄは、グラウンド電極８６ｂに接続され、Ｘ方向に延伸している。ここで、追加電極８８ａ及び追加電極８８ｄは、Ｘ方向に平行な同一直線上に設けられている。そして、追加電極８８ａと追加電極８８ｄは、第１偏向電極８４ａの近傍で離間部８９ａをもって互いに離間している。
【0081】
グラウンド電極９６ａ、第２貫通孔５２ａ、偏向電極９４ａ、グラウンド電極９６ｂ、第２貫通孔５２ｂ、偏向電極９４ｂは、それぞれ、グラウンド電極８６ａ、第１貫通孔５０ａ、偏向電極８４ａ、グラウンド電極８６ｂ、第１貫通孔５０ｂ、偏向電極８４ｂの上に設けられている。第２貫通孔５２は、第１貫通孔５０と、上下対応する位置にある。言い換えると、第２貫通孔５２は、上から見たときに、第１貫通孔５０と、実質的に同一の位置にある。追加電極９８ａは、グラウンド電極９６ａに接続され、－Ｘ方向に延伸している。追加電極９８ｄは、グラウンド電極９６ｂに接続され、－Ｘ方向に延伸している。ここで、追加電極９８ａと追加電極９８ｄは、Ｘ方向に平行な同一直線上に設けられている。そして、追加電極９８ａと追加電極９８ｄは、グラウンド電極９６ａの近傍で離間部９９ａをもって互いに離間している。
【0082】
【0083】
第１貫通孔５０ｅと第１貫通孔５０ｃは、Ｙ方向に並んで、互いに離間して設けられている。第１貫通孔５０ｆは、Ｙ方向において、第１貫通孔５０ｅと第１貫通孔５０ｃの間に設けられている。また、第１貫通孔５０ｅと第１貫通孔５０ｆは、Ｘ方向に並んで、互いに離間して設けられている。グラウンド電極８６ｅ、第１貫通孔５０ｅ、偏向電極８４ｅは、Ｘ方向に順に並んで、互いに離間して設けられている。グラウンド電極８６ｃ、第１貫通孔５０ｃ、偏向電極８４ａは、Ｘ方向に順に並んで、互いに離間して設けられている。グラウンド電極８６ｆ、第１貫通孔５０ｆ、偏向電極８８ｇは、Ｘ方向に順に並んで、互いに離間して設けられている。グラウンド電極８６ｆは、偏向電極８４ｅ及び偏向電極８４ｃと離間して設けられている。追加電極８８ｂは、グラウンド電極８６ｅ及びグラウンド電極８６ｃに接続され、第１貫通孔５０ｃと第１貫通孔５０ｅの間に設けられている。そして、追加電極８８ｂの先端は偏向電極８４ｅと偏向電極８４ｃの間に設けられ、偏向電極８４ｅ、偏向電極８４ｃ及びグラウンド電極８６ｆと離間部８９ｂをもって離間している。
【0084】
第２貫通孔５２は、第１貫通孔５０と、上下対応する位置にある。言い換えると、第２貫通孔５２は、上から見たときに、第１貫通孔５０と、実質的に同一の位置にある。第２貫通孔５２ｅは、第１貫通孔５０ｅの上に設けられている。第２貫通孔５２ｃは、第１貫通孔５０ｃの上に設けられている。第２貫通孔５２ｆは、第１貫通孔５０ｆの上に設けられている。偏向電極９４ｅは、偏向電極８４ｅの上に設けられている。偏向電極９４ｃは、偏向電極８４ｃの上に設けられている。グラウンド電極９６ｅは、グラウンド電極８６ｅの上に設けられている。グラウンド電極９６ｈは、グラウンド電極８６ｈの上に設けられている。グラウンド電極９６ｆは、グラウンド電極８６ｆの上に設けられている。追加電極９８ｅは、グラウンド電極９６ｂとグラウンド電極９６ｄに接続され、偏向電極９４ａと追加電極９８ｈの間に設けられ、偏向電極９４ａ及び追加電極９８ｈと離間して設けられている。
【0085】
上記では追加電極の隣り合う２か所切り欠きを入れた例を示したが、切り欠きの位置はこれに限定されない。対角線上の２か所に切り欠きをいれたパターンであっても、同様の配置をすることで、描画パターンの歪を抑える効果が得られる。
その一例を図１９及び図２０に示す。貫通孔を４５°方向に配置した場合である。2つのチップを重ねてチップ２上側から見て、投影した時、２つのチップが作るグラウンド電極＋追加電極パターンが、偏向電極を囲む例である。ここで、第２貫通孔５２は、第１貫通孔５０と、上下対応する位置にある。言い換えると、第２貫通孔５２は、上から見たときに、第１貫通孔５０と、実質的に同一の位置にある。
その一例を図１９及び図２０に示す。貫通孔を４５°方向に配置した場合である。2つのチップを重ねてチップ２上側から見て、投影した時、２つのチップが作るグラウンド電極＋追加電極パターンが、偏向電極を囲む例である。ここで、第２貫通孔５２は、第１貫通孔５０と、上下対応する位置にある。言い換えると、第２貫通孔５２は、上から見たときに、第１貫通孔５０と、実質的に同一の位置にある。
【0086】
それぞれの偏向電極９４は、それぞれの偏向電極８４の上に設けられている。それぞれのグラウンド電極９６は、それぞれのグラウンド電極８６の上に設けられている。それぞれの第２貫通孔５２は、それぞれの第１貫通孔５０の上に設けられている。
【0087】
追加電極８８ｂは、グラウンド電極８６ｃとグラウンド電極８６ｅの間に設けられ、グラウンド電極８６ｃ及びグラウンド電極８６ｅと接続されている。追加電極８８ｃは、第１貫通孔５０ｃと第１貫通孔５０ｅの間及び偏向電極８４ｃと偏向電極８４ｅの間に設けられ、グラウンド電極８６ｆと接続され、追加電極８８ｂと離間部８９ｃをもって離間している。
【0088】
追加電極８８ａは、グラウンド電極８６ａとグラウンド電極８６ｃの間に設けられ、グラウンド電極８６ａ及びグラウンド電極８６ｃと接続されている。また、追加電極８８ａは、第１貫通孔５０ａと第１貫通孔５０ｃの間及び偏向電極８４ａと偏向電極８４ｃの間に設けられ、グラウンド電極８６ｄと離間部８９ａをもって離間している。
【0089】
追加電極９８ｃは、グラウンド電極９６ｃとグラウンド電極９６ｅの間に設けられ、グラウンド電極９６ｃ及びグラウンド電極９６ｅと接続されている。また、追加電極９８ｃは、第２貫通孔５２ｃと第２貫通孔５２ｅの間及び偏向電極９４ｃと偏向電極９４ｅの間に設けられ、グラウンド電極９６ｆと離間部９９ｂをもって離間している。
【0090】
追加電極９８ｂは、第２貫通孔５２ａと第２貫通孔５２ｃの間及び偏向電極９４ａと偏向電極９４ｃの間に設けられ、グラウンド電極９６ｄと接続され、追加電極９８ａと離間部９９ａをもって離間している。
【0091】
追加電極の対角線上の２か所に切り欠きをいれ、貫通孔を９０°方向に配置した場合も同様の配置が可能であり、描画パターンの歪を抑える効果がある。
【0092】
図５の上側の矢印方向（チップ２上方）からグラウンド電極と追加電極からなるパターンを見て、下に投影した場合、第１基板面上と第４基板面上に形成されたグラウンド電極と追加電極からなるパターンが偏向電極を囲むように配置することが発明の要件であり、種々の変形が可能である。
【0093】
本実施形態において、Ｘ方向は第４方向の一例、Ｙ方向は第４方向に垂直に交差する第５方向の一例、－Ｘ方向は第４方向と反対の第６方向の一例である。
【0094】
本実施形態の半導体装置によっても、電気的接続が容易な半導体装置の提供が可能となる。
【0095】
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態及び実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0096】
なお、上記の実施形態を、以下の技術案にまとめることができる。
（技術案１）
第１基板面と、前記第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、
前記第１チップの上に設けられ、前記第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、前記複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ前記複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、
前記第１基板面上に、前記複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、
前記第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、
前記第４基板面上に、前記複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、
前記第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、
を備え、
前記第１電極および前記第３電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、
前記第２電極および前記第４電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、
前記第１基板面上の前記第１電極と前記第２電極からなる電極パターンが、前記第４基板面上の前記第３電極と前記第４電極からなる電極パターンと、前記２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、
半導体装置。
（技術案２）
前記第１基板面上に設けられた前記複数の第２電極は前記複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッドであり、
前記第４基板面上に設けられた前記複数の第４電極は前記複数の第３電極と電気的に接続された複数の第２パッドであり、
前記第１パッドと前記第２パッドは、前記第２チップ上面から見て重ならないように配置されており、
前記第１チップと前記第２チップは支持体に保持され、
前記複数の第１パッドと前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと接続されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案３）
前記複数の第１パッド及び前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案４）
前記支持体は、前記第１基板面に対向する第１面に設けられたパッドを有しており、
前記複数の第１パッドと複数のバンプを介して電気的に接続されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案５）
前記第１チップは、
前記第１チップを貫通する複数のビアと、
前記第１電極と、前記複数のビアを介して電気的に接続され、前記第２基板面に設けられた複数の第３のパッドと、
を有し、
前記複数の第２のパッドと前記複数の第３のパッドは、前記支持体に設けられたパッド
と、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
技術案２記載の半導体装置。
（技術案６）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案２記載の半導体装置。
（技術案７）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案３記載の半導体装置。
（技術案８）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案４記載の半導体装置。
（技術案９）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第３パッドは、前記第２基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案５記載の半導体装置。
（技術案１０）
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置され、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極の偏向電極と前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１１）
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第２チップ上方から見て、
前記複数の第１電極のグラウンド電極と、前記複数の第２電極からなるパターン、または、前記複数の第３電極のグラウンド電極と、前記複数の第４電極からなるパターンのいずれかが、前記複数の第１電極の偏向電極と前記第３電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔、前記複数の第２貫通孔を囲んでいる、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１２）
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極のグラウンド電極と接続し、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極のグラウンド電極と接続する、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１３）
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
技術案１０記載の半導体装置。
（技術案１４）
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
技術案１１記載の半導体装置。
（技術案１５）
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
技術案１２記載の半導体装置。
（技術案１６）
前記第２基板面と前記第３基板面は互いに接している、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１７）
前記複数の荷電粒子ビームの軌跡を制御する、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１）
第１基板面と、前記第１基板面の反対側に設けられた第２基板面と、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔と、を有する第１チップと、
前記第１チップの上に設けられ、前記第２基板面に対向する第３基板面と、第４基板面と、前記複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過しそれぞれ前記複数の第１貫通孔の上に設けられた複数の第２貫通孔と、を有する第２チップと、
前記第１基板面上に、前記複数の第１貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第１電極と、
前記第１基板面上に設けられた、複数の第２電極と、
前記第４基板面上に、前記複数の第２貫通孔と隣接してそれぞれ設けられた、複数の第３電極と、
前記第４基板面上に設けられた、複数の第４電極と、
を備え、
前記第１電極および前記第３電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極であり、
前記第２電極および前記第４電極は前記荷電粒子ビームを偏向するための対となる電極以外の追加電極パターンであり、
前記第１基板面上の前記第１電極と前記第２電極からなる電極パターンが、前記第４基板面上の前記第３電極と前記第４電極からなる電極パターンと、前記２つのチップの対向基板面に対して対称ではない、
半導体装置。
（技術案２）
前記第１基板面上に設けられた前記複数の第２電極は前記複数の第１電極と電気的に接続された複数の第１パッドであり、
前記第４基板面上に設けられた前記複数の第４電極は前記複数の第３電極と電気的に接続された複数の第２パッドであり、
前記第１パッドと前記第２パッドは、前記第２チップ上面から見て重ならないように配置されており、
前記第１チップと前記第２チップは支持体に保持され、
前記複数の第１パッドと前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと接続されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案３）
前記複数の第１パッド及び前記複数の第２パッドは、前記支持体に設けられたパッドと、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案４）
前記支持体は、前記第１基板面に対向する第１面に設けられたパッドを有しており、
前記複数の第１パッドと複数のバンプを介して電気的に接続されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案５）
前記第１チップは、
前記第１チップを貫通する複数のビアと、
前記第１電極と、前記複数のビアを介して電気的に接続され、前記第２基板面に設けられた複数の第３のパッドと、
を有し、
前記複数の第２のパッドと前記複数の第３のパッドは、前記支持体に設けられたパッド
と、複数のワイヤを用いて電気的に接続されている、
技術案２記載の半導体装置。
（技術案６）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案２記載の半導体装置。
（技術案７）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案３記載の半導体装置。
（技術案８）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第１パッドは、前記第１基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案４記載の半導体装置。
（技術案９）
前記第１チップは矩形形状を有し、
前記第２チップは矩形形状を有し、
前記複数の第３パッドは、前記第２基板面に平行な第１方向に沿った端部に並んで設けられ、
前記複数の第２パッドは、前記第４基板面に平行で前記第１方向に交差する第２方向に沿った端部に並んで設けられた、
技術案５記載の半導体装置。
（技術案１０）
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置され、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極の偏向電極と前記複数の第２貫通孔の少なくとも一部を囲むように配置されている、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１１）
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第２チップ上方から見て、
前記複数の第１電極のグラウンド電極と、前記複数の第２電極からなるパターン、または、前記複数の第３電極のグラウンド電極と、前記複数の第４電極からなるパターンのいずれかが、前記複数の第１電極の偏向電極と前記第３電極の偏向電極と前記複数の第１貫通孔、前記複数の第２貫通孔を囲んでいる、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１２）
前記第１電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極のグラウンド電極と接続し、
前記複数の第４電極は、前記複数の第３電極のグラウンド電極と接続する、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１３）
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
技術案１０記載の半導体装置。
（技術案１４）
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
技術案１１記載の半導体装置。
（技術案１５）
前記第１の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記第３の電極は、電圧を印加する偏向電極とグラウンド電極の対を含み、
前記複数の第１貫通孔と前記複数の第２貫通孔は上下対応する位置にあり、
前記第４基板上に設けられた前記複数の第３電極のグラウンド電極と前記複数の第４電極からなるパターンは、第２チップ上面から見て、前記第１基板上に設けられた前記複数の第１電極のグラウンド電極と前記複数の第２電極からなるパターンを、前記第４基板面に平行な面内で１８０度回転させた形状を有する、
技術案１２記載の半導体装置。
（技術案１６）
前記第２基板面と前記第３基板面は互いに接している、
技術案１記載の半導体装置。
（技術案１７）
前記複数の荷電粒子ビームの軌跡を制御する、
技術案１記載の半導体装置。
【符号の説明】
【0097】
１ ：チップ
２ ：第１チップ
２ａ ：第１基板面
２ｂ ：第２基板面
４ ：第２チップ
４ａ ：第３基板面
４ｂ ：第４基板面
２０ ：支持体
２２ａ ：第１面
３１ ：パッド
３２ ：パッド
３４ ：パッド
３５ ：第３パッド
３６ ：パッド
３６ ：第２パッド
４０ ：パッド
４２ ：ワイヤ
４４ ：ワイヤ
４６ ：パッド
５０ ：第１貫通孔
５１ａ ：第１ａ電極
５１ｂ ：第１ｂ電極
５２ａ ：第２貫通孔
５３ａ ：第３ａ電極
５３ｂ ：第３ｂ電極
６０ ：パッド
６２ ：ワイヤ
６４ ：ワイヤ
６６ ：パッド
７０ ：封止樹脂
７２ ：バンプ
７４ ：バンプ
８０ ：ビア
８４ ：偏向電極
８６ ：グラウンド電極
８８ ：追加電極
８９ ：離間部
９２ ：偏向電極
９４ ：偏向電極
９６ ：グラウンド電極
９８ ：追加電極
９９ ：離間部
１００ ：半導体装置
１１０ ：半導体装置
１２０ ：半導体装置
２ ：第１チップ
２ａ ：第１基板面
２ｂ ：第２基板面
４ ：第２チップ
４ａ ：第３基板面
４ｂ ：第４基板面
２０ ：支持体
２２ａ ：第１面
３１ ：パッド
３２ ：パッド
３４ ：パッド
３５ ：第３パッド
３６ ：パッド
３６ ：第２パッド
４０ ：パッド
４２ ：ワイヤ
４４ ：ワイヤ
４６ ：パッド
５０ ：第１貫通孔
５１ａ ：第１ａ電極
５１ｂ ：第１ｂ電極
５２ａ ：第２貫通孔
５３ａ ：第３ａ電極
５３ｂ ：第３ｂ電極
６０ ：パッド
６２ ：ワイヤ
６４ ：ワイヤ
６６ ：パッド
７０ ：封止樹脂
７２ ：バンプ
７４ ：バンプ
８０ ：ビア
８４ ：偏向電極
８６ ：グラウンド電極
８８ ：追加電極
８９ ：離間部
９２ ：偏向電極
９４ ：偏向電極
９６ ：グラウンド電極
９８ ：追加電極
９９ ：離間部
１００ ：半導体装置
１１０ ：半導体装置
１２０ ：半導体装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
