(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024137974
(43)【公開日】2024-10-07
(54)【発明の名称】表示パネル
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240927BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20240927BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/33
G09F9/30 348A
H01L33/00 L
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024113406
(22)【出願日】2024-07-16
(62)【分割の表示】P 2023054919の分割
【原出願日】2019-04-29
(31)【優先権主張番号】P 2018091820
(32)【優先日】2018-05-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】楠 紘慈
(72)【発明者】
【氏名】塚本 洋介
(72)【発明者】
【氏名】岡崎 健一
(57)【要約】
【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。また、利便性または
信頼性に優れた新規な表示装置を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な入
出力装置を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供する
。
【解決手段】画素と、機能層と、放熱部材と、を有する表示パネルであって、画素は表示
素子および画素回路を含み、画素回路は表示素子と電気的に接続される。また、機能層は
画素回路、端子および中間膜を含み、端子は表示素子と接続される。中間膜は開口部を備
え、放熱部材は、開口部において、端子と接続される。
【選択図】図３
信頼性に優れた新規な表示装置を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な入
出力装置を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供する
。
【解決手段】画素と、機能層と、放熱部材と、を有する表示パネルであって、画素は表示
素子および画素回路を含み、画素回路は表示素子と電気的に接続される。また、機能層は
画素回路、端子および中間膜を含み、端子は表示素子と接続される。中間膜は開口部を備
え、放熱部材は、開口部において、端子と接続される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示素子と、機能層と、放熱部材と、を有し、
前記機能層は、画素回路、端子および中間膜を含み、
前記画素回路は、前記表示素子と電気的に接続され、
前記端子は、前記表示素子と接続され、
前記中間膜は、開口部を備え、
前記放熱部材は、前記開口部において、前記端子と接続され、
前記表示素子は、マイクロＬＥＤである、表示パネル。
前記機能層は、画素回路、端子および中間膜を含み、
前記画素回路は、前記表示素子と電気的に接続され、
前記端子は、前記表示素子と接続され、
前記中間膜は、開口部を備え、
前記放熱部材は、前記開口部において、前記端子と接続され、
前記表示素子は、マイクロＬＥＤである、表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置または情報処理装置に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
画素を有する表示パネルであって、画素は機能層、第１の表示素子および第２の表示素子
を備える構成が知られている（特許文献１）。機能層は画素回路を含み、機能層は第１の
表示素子および第２の表示素子の間に挟まれる領域を備える。画素回路は第１の表示素子
および第２の表示素子と電気的に接続される。第１の表示素子は反射膜を備え、第１の表
示素子は反射膜が反射する光の強度を制御する機能を備え、反射膜は第２の表示素子が射
出する光を遮らない形状を備える。第２の表示素子は、例えば、発光ダイオードなどの発
光素子を含み、第２の表示素子は第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部に
おいて当該第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。
を備える構成が知られている（特許文献１）。機能層は画素回路を含み、機能層は第１の
表示素子および第２の表示素子の間に挟まれる領域を備える。画素回路は第１の表示素子
および第２の表示素子と電気的に接続される。第１の表示素子は反射膜を備え、第１の表
示素子は反射膜が反射する光の強度を制御する機能を備え、反射膜は第２の表示素子が射
出する光を遮らない形状を備える。第２の表示素子は、例えば、発光ダイオードなどの発
光素子を含み、第２の表示素子は第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部に
おいて当該第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－６０１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課
題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供すること
を課題の一とする。
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課
題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供すること
を課題の一とする。
【0006】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0007】
（１）本発明の一態様は、画素と、機能層と、放熱部材と、を有する表示パネルである。
【0008】
画素は、表示素子および画素回路を含む。画素回路は、表示素子と電気的に接続される。
【0009】
機能層は、画素回路、端子および中間膜を含む。端子は、表示素子と接続される。
【0010】
中間膜は、開口部を備え、放熱部材は、開口部において、端子と接続される。
【0011】
これにより、放熱部材と表示素子を接続することができる。または、表示素子が発する熱
を、放熱部材に伝達できる。または、放熱部材を用いて、表示素子を冷却することができ
る。または、表示素子の温度上昇を抑制することができる。または、温度上昇にともなう
輝度の低下を抑制することができる。または、表示素子の信頼性を高めることができる。
その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
を、放熱部材に伝達できる。または、放熱部材を用いて、表示素子を冷却することができ
る。または、表示素子の温度上昇を抑制することができる。または、温度上昇にともなう
輝度の低下を抑制することができる。または、表示素子の信頼性を高めることができる。
その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【0012】
（２）また、本発明の一態様は、表示素子がマイクロＬＥＤである上記の表示パネルであ
る。
る。
【0013】
（３）また、本発明の一態様は、機能層が熱伝導性の膜を備える上記の表示パネルである
。
。
【0014】
熱伝導性の膜は端子と接続され、熱伝導性の膜は開口部と重なる。
【0015】
中間膜は第１の面を備え、第１の面は、第１の領域を備える。
【0016】
第１の領域は開口部の周縁に位置し、第１の領域は熱伝導性の膜と接する。
【0017】
これにより、表示素子が発する熱を、熱伝導性の膜に伝達できる。または、表示素子が発
する熱を放熱部材に伝達できる。または、信頼性を損なう不純物の外部から画素への拡散
を、熱伝導性の膜または中間膜を用いて抑制できる。または、信頼性を損なう不純物の画
素回路への拡散または表示素子への拡散を、抑制できる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
する熱を放熱部材に伝達できる。または、信頼性を損なう不純物の外部から画素への拡散
を、熱伝導性の膜または中間膜を用いて抑制できる。または、信頼性を損なう不純物の画
素回路への拡散または表示素子への拡散を、抑制できる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【0018】
（４）また、本発明の一態様は、熱伝導性の膜がチタンを含み、第１の領域がシリコン、
酸素およびフッ素を含む、上記の表示パネルである。
酸素およびフッ素を含む、上記の表示パネルである。
【0019】
（５）また、本発明の一態様は、熱伝導性の膜がタングステンを含み、第１の領域がシリ
コン、酸素および窒素を含む上記の表示パネルである。
コン、酸素および窒素を含む上記の表示パネルである。
【0020】
（６）また、本発明の一態様は、中間膜が第２の領域を備える上記の表示パネルである。
【0021】
第２の領域は、第１の領域の熱伝導性の膜に対する密着力より大きな力で、機能層の他の
構成と密着する。
構成と密着する。
【0022】
これにより、外力に対する開口部の強度を高めることができる。または、壊れにくくする
ことができる。信頼性を損なう不純物の外部から画素への拡散を、熱伝導性の膜または中
間膜を用いて抑制することができる。または、信頼性を損なう不純物の画素回路または表
示素子への拡散を、抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な表示パネルを提供することができる。
ことができる。信頼性を損なう不純物の外部から画素への拡散を、熱伝導性の膜または中
間膜を用いて抑制することができる。または、信頼性を損なう不純物の画素回路または表
示素子への拡散を、抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な表示パネルを提供することができる。
【0023】
（７）また、本発明の一態様は、表示領域を有する上記の表示パネルである。
【0024】
表示領域は、一群の画素、他の一群の画素、走査線および信号線を備える。
【0025】
一群の画素は、画素を含み、一群の画素は、行方向に配設される。
【0026】
他の一群の画素は、画素を含み、他の一群の画素は、行方向と交差する列方向に配設され
る。
る。
【0027】
走査線Ｇ２（ｉ）は、一群の画素と電気的に接続される。
【0028】
信号線Ｓ２（ｉ）は、他の一群の画素と電気的に接続される。
【0029】
これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、画像情報を表示す
ることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供するこ
とができる。
ることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供するこ
とができる。
【0030】
（８）また、本発明の一態様は、上記の表示パネルと、制御部と、を有する。
【0031】
制御部は、画像情報および制御情報を供給され、制御部は、画像情報に基づいて情報を生
成する。制御部は、制御情報にもとづいて制御信号を生成し、制御部は、情報および制御
信号を供給する。
成する。制御部は、制御情報にもとづいて制御信号を生成し、制御部は、情報および制御
信号を供給する。
【0032】
表示パネルは、情報および制御信号を供給される。表示パネルは駆動回路を備え、駆動回
路は制御信号に基づいて動作する。また、画素は、情報に基づいて表示する。
路は制御信号に基づいて動作する。また、画素は、情報に基づいて表示する。
【0033】
これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性また
は信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
は信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【0034】
（９）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。
【0035】
表示部は上記の表示パネルを備え、入力部は、検知領域を備える。
【0036】
入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は、画素と重なる領域を備える。
【0037】
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するも
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する
ことができる。
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する
ことができる。
【0038】
（１０）また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置で
ある。
ある。
【0039】
演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は入力情報または検知情報に基
づいて、制御情報および画像情報を生成する。また、演算装置は制御情報および画像情報
を供給する。
づいて、制御情報および画像情報を生成する。また、演算装置は制御情報および画像情報
を供給する。
【0040】
入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を
供給され、入出力装置は、表示部、入力部および検知部を備える。
供給され、入出力装置は、表示部、入力部および検知部を備える。
【0041】
表示部は上記の表示パネルを備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示する。
【0042】
入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。
【0043】
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。ま
たは、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果
、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
たは、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果
、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【0044】
（１１）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデ
バイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出
装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。
バイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出
装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。
【0045】
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御
情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な情報処理装置を提供することができる。
情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な情報処理装置を提供することができる。
【0046】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックと
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【0047】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
【0048】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であ
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【0049】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
【0050】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【0051】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であって
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【0052】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【0053】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供すること
ができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる
。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。また
は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、
新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または、新
規な半導体装置を提供することができる。
ができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる
。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。また
は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、
新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または、新
規な半導体装置を提供することができる。
【0054】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0055】
【図1】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図2】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図および回路図。
【図3】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図4】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図5】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図6】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図7】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図8】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。
【図9】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図10】実施の形態に係る情報処理装置のプログラムを説明するフロー図。
【図11】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図12】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【図13】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0056】
本発明の一態様の表示パネルは、画素と、機能層と、放熱部材と、を有する。画素は表示
素子および画素回路を含み、画素回路は表示素子と電気的に接続される。また、機能層は
画素回路、端子および中間膜を含み、端子は表示素子と接続される。中間膜は開口部を備
え、放熱部材は、開口部において、端子と接続される。
素子および画素回路を含み、画素回路は表示素子と電気的に接続される。また、機能層は
画素回路、端子および中間膜を含み、端子は表示素子と接続される。中間膜は開口部を備
え、放熱部材は、開口部において、端子と接続される。
【0057】
これにより、放熱部材と表示素子を接続することができる。または、表示素子が発する熱
を、放熱部材に伝達できる。または、放熱部材を用いて、表示素子を冷却することができ
る。または、表示素子の電流輝度特性を安定させることができる。または、表示素子の信
頼性を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを
提供することができる。
を、放熱部材に伝達できる。または、放熱部材を用いて、表示素子を冷却することができ
る。または、表示素子の電流輝度特性を安定させることができる。または、表示素子の信
頼性を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを
提供することができる。
【0058】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
【0059】
【0060】
【0061】
【0062】
【0063】
【0064】
【0065】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例え
ば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍお
よび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。
ば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍお
よび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。
【0066】
＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、機能層５２０と
、放熱部材５１０ＨＳと、を有する（図１（Ａ）および図２（Ａ）参照）。また、表示パ
ネル７００はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を備える。
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、機能層５２０と
、放熱部材５１０ＨＳと、を有する（図１（Ａ）および図２（Ａ）参照）。また、表示パ
ネル７００はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を備える。
【0067】
《画素７０２（ｉ，ｊ）》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）および画素回路５３０（ｉ，ｊ）を
含む。
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）および画素回路５３０（ｉ，ｊ）を
含む。
【0068】
【0069】
また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続される（図２（Ｂ
）参照）。
）参照）。
【0070】
【0071】
《端子５４４の構成例１．》
端子５４４は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と接続される（図３（Ａ）参照）。
端子５４４は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と接続される（図３（Ａ）参照）。
【0072】
例えば、端子５４４および表示素子６５０（ｉ，ｊ）に接する接合層５４４Ｂを用いて、
端子５４４と表示素子６５０（ｉ，ｊ）を熱的に接続することができる。
端子５４４と表示素子６５０（ｉ，ｊ）を熱的に接続することができる。
【0073】
具体的には、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは５Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を備える材料を接合層５４４Ｂに用いることができる。
／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を備える材料を接合層５４４Ｂに用いることができる。
【0074】
なお、本明細書において、複数の構成が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは１Ｗ／ｍ・Ｋ
以上、より好ましくは５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を備えて接続する場合、その接続を熱
的に接続されているという。
以上、より好ましくは５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を備えて接続する場合、その接続を熱
的に接続されているという。
【0075】
具体的には、はんだまたは導電性ペーストを接合層５４４Ｂに用いて、表示素子６５０（
ｉ，ｊ）と端子５４４を熱的に接続することができる。これにより、表示素子６５０（ｉ
，ｊ）と端子５４１（ｉ，ｊ）を電気的に接続する接合層５４１（ｉ，ｊ）Ｂを形成する
工程において、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と端子５４４を熱的に接続する接合層５４４Ｂ
を形成することができる。
ｉ，ｊ）と端子５４４を熱的に接続することができる。これにより、表示素子６５０（ｉ
，ｊ）と端子５４１（ｉ，ｊ）を電気的に接続する接合層５４１（ｉ，ｊ）Ｂを形成する
工程において、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と端子５４４を熱的に接続する接合層５４４Ｂ
を形成することができる。
【0076】
《中間膜５０１Ｂの構成例１．》
中間膜５０１Ｂは、開口部５９１Ｄを備える。また、開口部５９１Ａおよび開口部５９１
Ｃを備える。
中間膜５０１Ｂは、開口部５９１Ｄを備える。また、開口部５９１Ａおよび開口部５９１
Ｃを備える。
【0077】
例えば、厚さが５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の
膜を中間膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、厚さ２００ｎｍのシリコン、酸
素および窒素を含む膜を中間膜５０１Ｂに用いることができる。
膜を中間膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、厚さ２００ｎｍのシリコン、酸
素および窒素を含む膜を中間膜５０１Ｂに用いることができる。
【0078】
《放熱部材５１０ＨＳ》
放熱部材５１０ＨＳは、開口部５９１Ｄにおいて、端子５４４と接続される。
放熱部材５１０ＨＳは、開口部５９１Ｄにおいて、端子５４４と接続される。
【0079】
例えば、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは
１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料を放熱部材５１０ＨＳに用いることができる。
１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料を放熱部材５１０ＨＳに用いることができる。
【0080】
例えば、金属またはセラミックスを放熱部材５１０ＨＳに用いることができる。
【0081】
例えば、銅、アルミニウム等の金属、窒化アルミニウム、炭化シリコン等のセラミックス
を用いることができる。
を用いることができる。
【0082】
また、接合層５０５と接しない側の表面積を、接合層５０５と接する側の表面積より大き
くする。これにより、接合層５０５と接しない側から熱を排出することができる。なお、
例えば熱を大気中に排出してもよく、冷媒を用いて放熱部材５１０ＨＳを冷却してもよい
。
くする。これにより、接合層５０５と接しない側から熱を排出することができる。なお、
例えば熱を大気中に排出してもよく、冷媒を用いて放熱部材５１０ＨＳを冷却してもよい
。
【0083】
《接合層５０５》
接合層５０５は、端子５４４および放熱部材５１０ＨＳの間に挟まれる。これにより、端
子５４４および放熱部材５１０ＨＳを熱的に接続することができる。
接合層５０５は、端子５４４および放熱部材５１０ＨＳの間に挟まれる。これにより、端
子５４４および放熱部材５１０ＨＳを熱的に接続することができる。
【0084】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を接合層５０５に用いることがで
きる。
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を接合層５０５に用いることがで
きる。
【0085】
例えば、樹脂および球状、柱状またはフィラー状等の形状を備える粒子を含む組成物を接
合層５０５に用いることができる。具体的には、樹脂および熱伝導率が樹脂より高い材料
の粒子を含む組成物を接合層５０５に用いることができる。例えば、金属粒子またはセラ
ミック粒子を含む組成物を接合層５０５に用いることができる。例えば、銀、銅、アルミ
ニウム等の金属粒子、アルミナ，窒化アルミニウム，炭化珪素，グラファイト等のセラミ
ックス粒子を含む組成物を接合層５０５に用いることができる。
合層５０５に用いることができる。具体的には、樹脂および熱伝導率が樹脂より高い材料
の粒子を含む組成物を接合層５０５に用いることができる。例えば、金属粒子またはセラ
ミック粒子を含む組成物を接合層５０５に用いることができる。例えば、銀、銅、アルミ
ニウム等の金属粒子、アルミナ，窒化アルミニウム，炭化珪素，グラファイト等のセラミ
ックス粒子を含む組成物を接合層５０５に用いることができる。
【0086】
例えば、粒子を４０％以上、好ましくは６０％以上より好ましくは７０％以上の体積充填
率で含む組成物を、接合層５０５に用いることができる。これにより、接合層５０５の熱
伝導率を高めることができる。
率で含む組成物を、接合層５０５に用いることができる。これにより、接合層５０５の熱
伝導率を高めることができる。
【0087】
例えば、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは５Ｗ／ｍ
・Ｋ以上の熱伝導率を備える材料を接合層５０５に用いることができる。
・Ｋ以上の熱伝導率を備える材料を接合層５０５に用いることができる。
【0088】
これにより、放熱部材５１０ＨＳと表示素子６５０（ｉ，ｊ）を接続することができる。
または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が発する熱を、放熱部材５１０ＨＳに伝達できる。ま
たは、放熱部材５１０ＨＳを用いて、表示素子６５０（ｉ，ｊ）を冷却することができる
。または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）の温度上昇を抑制することができる。または、温度
上昇にともなう輝度の低下を抑制することができる。または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）
の信頼性を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネ
ルを提供することができる。
または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が発する熱を、放熱部材５１０ＨＳに伝達できる。ま
たは、放熱部材５１０ＨＳを用いて、表示素子６５０（ｉ，ｊ）を冷却することができる
。または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）の温度上昇を抑制することができる。または、温度
上昇にともなう輝度の低下を抑制することができる。または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）
の信頼性を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネ
ルを提供することができる。
【0089】
【0090】
《膜５１９Ｂ（１）》
熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）は端子５４４と熱的に接続され、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１
）は開口部５９１Ｄと重なる。なお、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）および端子５４４の間
に、例えば、熱伝導性の膜５１９Ｂ（２）を挟んでもよい。
熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）は端子５４４と熱的に接続され、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１
）は開口部５９１Ｄと重なる。なお、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）および端子５４４の間
に、例えば、熱伝導性の膜５１９Ｂ（２）を挟んでもよい。
【0091】
《中間膜５０１Ｂの構成例２．》
中間膜５０１Ｂは、面５０１Ｂ（１）を備える。なお、面５０１Ｂ（１）は面５０１Ｂ（
２）に対向し、面５０１Ｂ（１）は面５０１Ｂ（２）より画素回路５３０（ｉ，ｊ）の側
に位置する（図３（Ａ）および図５（Ａ）参照）。
中間膜５０１Ｂは、面５０１Ｂ（１）を備える。なお、面５０１Ｂ（１）は面５０１Ｂ（
２）に対向し、面５０１Ｂ（１）は面５０１Ｂ（２）より画素回路５３０（ｉ，ｊ）の側
に位置する（図３（Ａ）および図５（Ａ）参照）。
【0092】
面５０１Ｂ（１）は領域５０１Ｂ（１１）を備える。
【0093】
領域５０１Ｂ（１１）は開口部５９１Ｄの周縁に位置し、領域５０１Ｂ（１１）は熱伝導
性の膜５１９Ｂ（１）と接する。なお、膜５１９Ｂ（１）は、開口部５９１Ｄにおいて露
出し、接合層５０５を介して、放熱部材５１０ＨＳと膜５１９Ｂ（１）を熱的に接続する
。また、開口部５９１Ｄは側端部５０１Ｂ（３）を備え、側端部５０１Ｂ（３）は膜５１
９Ｂ（１）と接する（図５（Ｂ）参照）。
性の膜５１９Ｂ（１）と接する。なお、膜５１９Ｂ（１）は、開口部５９１Ｄにおいて露
出し、接合層５０５を介して、放熱部材５１０ＨＳと膜５１９Ｂ（１）を熱的に接続する
。また、開口部５９１Ｄは側端部５０１Ｂ（３）を備え、側端部５０１Ｂ（３）は膜５１
９Ｂ（１）と接する（図５（Ｂ）参照）。
【0094】
これにより、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が発する熱を、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）に伝
達できる。または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が発する熱を放熱部材５１０ＨＳに伝達で
きる。または、信頼性を損なう不純物の外部から画素７０２（ｉ，ｊ）への拡散を、熱伝
導性の膜５１９Ｂ（１）または中間膜を用いて抑制できる。または、信頼性を損なう不純
物の画素回路５３０（ｉ，ｊ）への拡散または表示素子６５０（ｉ，ｊ）への拡散を、抑
制できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することがで
きる。
達できる。または、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が発する熱を放熱部材５１０ＨＳに伝達で
きる。または、信頼性を損なう不純物の外部から画素７０２（ｉ，ｊ）への拡散を、熱伝
導性の膜５１９Ｂ（１）または中間膜を用いて抑制できる。または、信頼性を損なう不純
物の画素回路５３０（ｉ，ｊ）への拡散または表示素子６５０（ｉ，ｊ）への拡散を、抑
制できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することがで
きる。
【0095】
＜表示パネルの構成例２．＞
熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）の膜はチタンを含み、領域５０１Ｂ（１１）はシリコン、酸
素およびフッ素を含む。
熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）の膜はチタンを含み、領域５０１Ｂ（１１）はシリコン、酸
素およびフッ素を含む。
【0096】
＜表示パネルの構成例３．＞
熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）はタングステンを含み、領域５０１Ｂ（１１）はシリコン、
酸素および窒素を含む。
熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）はタングステンを含み、領域５０１Ｂ（１１）はシリコン、
酸素および窒素を含む。
【0097】
＜表示パネルの構成例４．＞
中間膜５０１Ｂは領域５０１Ｂ（１２）を備える。領域５０１Ｂ（１２）は、領域５０１
Ｂ（１１）の膜５１９Ｂ（１）に対する密着力より大きな力で、機能層５２０の他の構成
と密着する。
中間膜５０１Ｂは領域５０１Ｂ（１２）を備える。領域５０１Ｂ（１２）は、領域５０１
Ｂ（１１）の膜５１９Ｂ（１）に対する密着力より大きな力で、機能層５２０の他の構成
と密着する。
【0098】
［絶縁膜５０１Ｃの構成例２．］
例えば、絶縁膜５０１Ｃは中間膜５０１Ｂの領域５０１Ｂ（１２）と密着する（図５（Ａ
）参照）。具体的には、領域５０１Ｂ（１２）が絶縁膜５０１Ｃと密着する力は、領域５
０１Ｂ（１１）が膜５１９Ｂ（１）と密着する力より大きい。
例えば、絶縁膜５０１Ｃは中間膜５０１Ｂの領域５０１Ｂ（１２）と密着する（図５（Ａ
）参照）。具体的には、領域５０１Ｂ（１２）が絶縁膜５０１Ｃと密着する力は、領域５
０１Ｂ（１１）が膜５１９Ｂ（１）と密着する力より大きい。
【0099】
例えば、日本工業規格ＪＩＳ－Ｒ３２５５に定められたマイクロ・スクラッチ法に準じて
、領域５０１Ｂ（１２）の密着力および領域５０１Ｂ（１１）の密着力を比較する。具体
的には、領域５０１Ｂ（１１）の損傷に要する圧子の押しつけ圧は、領域５０１Ｂ（１２
）の損傷に要する圧子の押しつけ圧より低い。例えば、領域５０１Ｂ（１２）から領域５
０１Ｂ（１１）に向けて圧子を移動して、損傷のし易さを比較する。
、領域５０１Ｂ（１２）の密着力および領域５０１Ｂ（１１）の密着力を比較する。具体
的には、領域５０１Ｂ（１１）の損傷に要する圧子の押しつけ圧は、領域５０１Ｂ（１２
）の損傷に要する圧子の押しつけ圧より低い。例えば、領域５０１Ｂ（１２）から領域５
０１Ｂ（１１）に向けて圧子を移動して、損傷のし易さを比較する。
【0100】
これにより、外力に対する開口部５９１Ｄの強度を高めることができる。または、壊れに
くくすることができる。信頼性を損なう不純物の外部から画素７０２（ｉ，ｊ）への拡散
を、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）または中間膜を用いて抑制することができる。または、
信頼性を損なう不純物の画素回路５３０（ｉ，ｊ）または表示素子６５０（ｉ，ｊ）への
拡散を、抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネ
ルを提供することができる。
くくすることができる。信頼性を損なう不純物の外部から画素７０２（ｉ，ｊ）への拡散
を、熱伝導性の膜５１９Ｂ（１）または中間膜を用いて抑制することができる。または、
信頼性を損なう不純物の画素回路５３０（ｉ，ｊ）または表示素子６５０（ｉ，ｊ）への
拡散を、抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネ
ルを提供することができる。
【0101】
《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成》
例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等
を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等
を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0102】
具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量
素子Ｃ２１を含む。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる。
素子Ｃ２１を含む。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる。
【0103】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、画
素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0104】
【0105】
半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂ
と電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領
域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。
と電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領
域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。
【0106】
導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備
える。
える。
【0107】
絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁
膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【0108】
導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１
２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【0109】
また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０
４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機
能を備える。導電膜５２４を、例えば、導電膜５０４と電気的に接続することができる。
なお、導電膜５２４を走査線Ｇ２（ｉ）に用いることができる。
４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機
能を備える。導電膜５２４を、例えば、導電膜５０４と電気的に接続することができる。
なお、導電膜５２４を走査線Ｇ２（ｉ）に用いることができる。
【0110】
《トランジスタＭの構成例１．》
例えば、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタと同一の構成を、トランジスタＭに用いる
ことができる。また、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタが備える半導体膜と同一の工
程で形成することができる半導体膜を、トランジスタＭに用いることができる。また、導
電膜５１２Ｃおよび５１２ＤをトランジスタＭに用いることができる。
例えば、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタと同一の構成を、トランジスタＭに用いる
ことができる。また、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタが備える半導体膜と同一の工
程で形成することができる半導体膜を、トランジスタＭに用いることができる。また、導
電膜５１２Ｃおよび５１２ＤをトランジスタＭに用いることができる。
【0111】
《半導体膜５０８の構成例１．》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には
、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には
、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。
【0112】
［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、
微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリ
シリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供
することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、
微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリ
シリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供
することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。
【0113】
［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水
素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの
電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコン
を半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素
の開口率を向上することができる。
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水
素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの
電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコン
を半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素
の開口率を向上することができる。
【0114】
または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタよ
り、トランジスタの信頼性を高めることができる。
り、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【0115】
または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジ
スタより、低くすることができる。
スタより、低くすることができる。
【0116】
または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる
半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一
の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減
することができる。
半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一
の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減
することができる。
【0117】
［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜に用いることができる。これにより、例えば、水素化
アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることが
できる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示
ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまた
はヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
例えば、単結晶シリコンを半導体膜に用いることができる。これにより、例えば、水素化
アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることが
できる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示
ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまた
はヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
【0118】
《半導体膜５０８の構成例２．》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファス
シリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画
像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの
発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは
一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積
する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファス
シリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画
像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの
発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは
一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積
する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【0119】
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、イン
ジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導
体膜に用いることができる。
ジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導
体膜に用いることができる。
【0120】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用
いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半
導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半
導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【0121】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に
用いることができる。
用いることができる。
【0122】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と
、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜
５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜
５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【0123】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を
含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。
なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および
窒素を含む膜を挟む領域を備える。
含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。
なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および
窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【0124】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの
膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２
Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体
膜５０８と接する領域を備える。
膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２
Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体
膜５０８と接する領域を備える。
【0125】
これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができ
る。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写
真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネル
を提供することができる。
る。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写
真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネル
を提供することができる。
【0126】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジス
タの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造
ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型
のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトラン
ジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活
用することができる。
タの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造
ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型
のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトラン
ジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活
用することができる。
【0127】
《半導体膜５０８の構成例３．》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリ
ウムヒ素を含む半導体を用いることができる。
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリ
ウムヒ素を含む半導体を用いることができる。
【0128】
例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリア
セン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
セン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【0129】
【0130】
絶縁膜５２１は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を
備える。
備える。
【0131】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。
【0132】
絶縁膜５１６は絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。
【0133】
絶縁膜５０６は絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。
【0134】
［絶縁膜５２１］
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
【0135】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
【0136】
例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等
またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いるこ
とができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優
れる。
またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いるこ
とができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優
れる。
【0137】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、
ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材
料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材
料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重な
るさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材
料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材
料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重な
るさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【0138】
なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの
特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを
絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。
特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを
絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。
【0139】
例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる
。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜
を絶縁膜５２１に用いることができる。
。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜
を絶縁膜５２１に用いることができる。
【0140】
［絶縁膜５１８］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。
【0141】
例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備
える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１
８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジ
スタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１
８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジ
スタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
【0142】
［絶縁膜５１６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。
また、絶縁膜５１６Ａおよび絶縁膜５１６Ｂを絶縁膜５１６に用いることができる。
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。
また、絶縁膜５１６Ａおよび絶縁膜５１６Ｂを絶縁膜５１６に用いることができる。
【0143】
具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる
。
。
【0144】
［絶縁膜５０６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６または絶縁膜５０１Ｄに
用いることができる。
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６または絶縁膜５０１Ｄに
用いることができる。
【0145】
具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン
膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜
、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウ
ム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。
膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜
、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウ
ム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。
【0146】
［絶縁膜５０１Ｄ］
絶縁膜５０１Ｄは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える（図
３（Ｂ）参照）。
絶縁膜５０１Ｄは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える（図
３（Ｂ）参照）。
【0147】
例えば、絶縁膜５０６に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｄに用いることができる
。
。
【0148】
［絶縁膜５０１Ｃの構成例１．］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる
。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる
。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【0149】
【0150】
《基材７７０》
透光性を備える材料を、基材７７０に用いることができる。
透光性を備える材料を、基材７７０に用いることができる。
【0151】
例えば、可撓性を有する材料を基材７７０に用いることができる。これにより、可撓性を
備える表示パネルを提供することができる。
備える表示パネルを提供することができる。
【0152】
例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用いることができる。具体的に
は、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低
減することができる。
は、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低
減することができる。
【0153】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００
ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００
ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を基材７７０に用い
ることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００
ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を基材７７０に用い
ることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【0154】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材７７０に用いること
ができる。
ができる。
【0155】
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、
無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガ
ラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材７７０に用いるこ
とができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイ
ア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材７７０に好適に用いることができ
る。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガ
ラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材７７０に用いるこ
とができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイ
ア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材７７０に好適に用いることができ
る。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【0156】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる
。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜
等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材７７０に用
いることができる。
。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜
等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材７７０に用
いることができる。
【0157】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコ
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材７７０に用いることができる
。これにより、半導体素子を基材７７０に形成することができる。
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材７７０に用いることができる
。これにより、半導体素子を基材７７０に形成することができる。
【0158】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材７７０に用いること
ができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミ
ド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル樹脂、エポキシ樹
脂含またはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材７７０に用いることができる。
例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができ
る。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発
生頻度を低減することができる。
ができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミ
ド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル樹脂、エポキシ樹
脂含またはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材７７０に用いることができる。
例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができ
る。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発
生頻度を低減することができる。
【0159】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）または
シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材７７０に用いることができる。
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）または
シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材７７０に用いることができる。
【0160】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせ
た複合材料を基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガ
ラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材７７０に用いることができる。
例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を
基材７７０に用いることができる。
た複合材料を基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガ
ラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材７７０に用いることができる。
例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を
基材７７０に用いることができる。
【0161】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材７７０に用いることができる
。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、酸化シリコン
層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層さ
れた材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる不純物の拡散を防
ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる
。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。
。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、酸化シリコン
層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層さ
れた材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる不純物の拡散を防
ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる
。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。
【0162】
また、紙または木材などを基材７７０に用いることができる。
【0163】
例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材７７０に用いる
ことができる。具体的には、トランジスタまたは容量素子等を直接形成する作成工程中に
加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材７７０に用いることができる。
ことができる。具体的には、トランジスタまたは容量素子等を直接形成する作成工程中に
加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材７７０に用いることができる。
【0164】
例えば、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用基板に絶縁膜、トランジスタまた
は容量素子等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を、例えば、
基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する
基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を形成できる。
は容量素子等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を、例えば、
基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する
基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【0165】
《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２
０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２
０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。
【0166】
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いること
ができる。
ができる。
【0167】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いること
ができる。
ができる。
【0168】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。
剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。
【0169】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用
いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用
いることができる。
【0170】
【0171】
《機能膜７７０Ｐ》
機能膜７７０Ｐは、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
機能膜７７０Ｐは、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【0172】
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光
フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【0173】
例えば、厚さ１μｍ以下の反射防止膜を、機能膜７７０Ｐに用いることができる。具体的
には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層
膜を機能膜７７０Ｐに用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましく
は０．０８％以下に抑制することができる。
には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層
膜を機能膜７７０Ｐに用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましく
は０．０８％以下に抑制することができる。
【0174】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【0175】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止
膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の
発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の
発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【0176】
《表示素子６５０（ｉ，ｊ）の構成例．》
表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。例えば、発光ダイオード、有
機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子またはＱＤＬＥＤ
（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることがで
きる。
表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。例えば、発光ダイオード、有
機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子またはＱＤＬＥＤ
（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることがで
きる。
【0177】
例えば、水平構造を備える発光ダイオードまたは垂直構造を備える発光ダイオードを表示
素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、マイクロＬＥＤを表示素子６５０
（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には光を射出する領域の面積が１ｍｍ２以下、
好ましくは１００００μｍ２以下、より好ましくは３０００μｍ２以下、さらに好ましく
は７００μｍ２以下であるマイクロＬＥＤを表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることがで
きる。
素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、マイクロＬＥＤを表示素子６５０
（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には光を射出する領域の面積が１ｍｍ２以下、
好ましくは１００００μｍ２以下、より好ましくは３０００μｍ２以下、さらに好ましく
は７００μｍ２以下であるマイクロＬＥＤを表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることがで
きる。
【0178】
表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、例えば、Ｐ型のクラッド層、Ｎ型のクラッド層、発光層を
備え、発光層はＰ型のクラッド層およびＮ型のクラッド層に挟まれる領域を備える。これ
により、キャリアを発光層において再結合させることができ、キャリアの再結合にともな
う発光を得ることができる。
備え、発光層はＰ型のクラッド層およびＮ型のクラッド層に挟まれる領域を備える。これ
により、キャリアを発光層において再結合させることができ、キャリアの再結合にともな
う発光を得ることができる。
【0179】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層
された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、表示素子６５
０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、ガリウム・リン化合物、ガリウム・ヒ
素化合物、ガリウム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム・ガリウム・インジウム
・リン化合物、インジウム・窒化ガリウム化合物等を、表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用い
ることができる。
された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、表示素子６５
０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、ガリウム・リン化合物、ガリウム・ヒ
素化合物、ガリウム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム・ガリウム・インジウム
・リン化合物、インジウム・窒化ガリウム化合物等を、表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用い
ることができる。
【0180】
《色変換層》
色変換層を表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。色変換層は発光層が射出す
る光の色を吸収し、異なる色の光を放出する機能を備える。
色変換層を表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。色変換層は発光層が射出す
る光の色を吸収し、異なる色の光を放出する機能を備える。
【0181】
色変換層は、例えば、発光層が射出する青色の光を吸収し、黄色の光を放出する機能を備
える。これにより、色変換層が放出する黄色の光と、色変換層を透過する青色の光を混合
することができる。その結果、白色の光にすることができる。
える。これにより、色変換層が放出する黄色の光と、色変換層を透過する青色の光を混合
することができる。その結果、白色の光にすることができる。
【0182】
色変換層は、例えば、発光層が射出する近紫外光を吸収し、赤色の光、緑色の光および青
色の光を放出する機能を備える。これにより、近紫外光を射出する発光層を表示素子６５
０（ｉ，ｊ）に用いることができる。その結果、近紫外光を白色の光にすることができる
。または、近紫外光を演色性に優れた光にすることができる。
色の光を放出する機能を備える。これにより、近紫外光を射出する発光層を表示素子６５
０（ｉ，ｊ）に用いることができる。その結果、近紫外光を白色の光にすることができる
。または、近紫外光を演色性に優れた光にすることができる。
【0183】
例えば、蛍光体を色変換層に用いることができる。または、量子ドットを色変換層に用い
ることができる。量子ドットを色変換層に用いると、半値幅が狭い、鮮やかな色の光を発
することができる。
ることができる。量子ドットを色変換層に用いると、半値幅が狭い、鮮やかな色の光を発
することができる。
【0184】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0185】
【0186】
図６は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。
【0187】
＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図６参照）。
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図６参照）。
【0188】
《表示領域２３１の構成例１．》
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群
の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、信号線Ｓ２
（ｊ）と、を有する（図６参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ
以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群
の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、信号線Ｓ２
（ｊ）と、を有する（図６参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ
以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【0189】
また、図示しないが、表示領域２３１は、導電膜ＶＣＯＭ２および導電膜ＡＮＯを有する
。
。
【0190】
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す
方向）に配設され、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２
（ｉ，ｊ）を含む。
方向）に配設され、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２
（ｉ，ｊ）を含む。
【0191】
他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（
図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設され、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０
２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。
図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設され、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０
２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。
【0192】
走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（
ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【0193】
信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０
２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【0194】
これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性または信
頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【0195】
《表示領域２３１の構成例２．》
表示領域２３１は、１インチあたり６００個以上の画素を備える。
表示領域２３１は、１インチあたり６００個以上の画素を備える。
【0196】
これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れ
た新規な表示パネルを提供することができる。
た新規な表示パネルを提供することができる。
【0197】
《表示領域２３１の構成例３．》
表示領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、表示領域２３１は、７６００
個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える
。具体的には、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。
表示領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、表示領域２３１は、７６００
個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える
。具体的には、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。
【0198】
《表示領域２３１の構成例４．》
表示領域２３１は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表
示する機能を備える。または、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない
色相の色を、加法混色により表示することができる。
表示領域２３１は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表
示する機能を備える。または、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない
色相の色を、加法混色により表示することができる。
【0199】
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、
それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、
画素と言い換えることができる。
それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、
画素と言い換えることができる。
【0200】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）
、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３
（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ｃ）参照）。
、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３
（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ｃ）参照）。
【0201】
具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素
を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副
画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７
０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副
画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７
０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【0202】
また、例えば、白色等を表示する副画素を上記の一組に加えて、画素に用いることができ
る。
る。
【0203】
【0204】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大き
く０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色を表示する。
く０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色を表示する。
【0205】
画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上
０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色を表示する。
０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色を表示する。
【0206】
画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上
０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満の色を表示する。
０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満の色を表示する。
【0207】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２
）を、ＣＩＥ色度図（ｘ，ｙ）におけるＢＴ．２０２０の色域に対する面積比が８０％以
上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面
積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。
）を、ＣＩＥ色度図（ｘ，ｙ）におけるＢＴ．２０２０の色域に対する面積比が８０％以
上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面
積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。
【0208】
【0209】
《駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ》
駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、駆
動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有
する。
駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、駆
動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有
する。
【0210】
具体的には、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で、選
択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示する
ことができる。
択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示する
ことができる。
【0211】
または、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一
分に一回未満の頻度で選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、フリ
ッカーが抑制された静止画像を表示することができる。
分に一回未満の頻度で選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、フリ
ッカーが抑制された静止画像を表示することができる。
【0212】
複数の駆動回路を備える場合、例えば、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆
動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静
止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する
他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制
された静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静
止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する
他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制
された静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
【0213】
ところで、フレーム周波数を可変にすることができる。または、例えば、１Ｈｚ以上１２
０Ｈｚ以下のフレーム周波数で表示をすることができる。または、プログレッシブ方式を
用いて、１２０Ｈｚのフレーム周波数で表示をすることができる。
０Ｈｚ以下のフレーム周波数で表示をすることができる。または、プログレッシブ方式を
用いて、１２０Ｈｚのフレーム周波数で表示をすることができる。
【0214】
これにより、国際規格であるＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＩＴＵ－Ｒ ＢＴ．２０２
０－２を満たす、極めて高解像度な表示をすることができる。または、極めて高解像度な
表示をすることができる。
０－２を満たす、極めて高解像度な表示をすることができる。または、極めて高解像度な
表示をすることができる。
【0215】
【0216】
なお、例えば、駆動回路ＧＤのトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路５３０（ｉ，
ｊ）のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程で形成することができる。
ｊ）のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程で形成することができる。
【0217】
【0218】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる
。
。
【0219】
例えば、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【0220】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉ
ｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に接続することができる。具体的には、異方性導電膜
を用いて、集積回路を端子に接続することができる。
ｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に接続することができる。具体的には、異方性導電膜
を用いて、集積回路を端子に接続することができる。
【0221】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0222】
【0223】
図７は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図７（Ａ）は本発明の一態
様の表示装置のブロック図であり、図７（Ｂ－１）乃至図７（Ｂ－３）は本発明の一態様
の表示装置の外観を説明する投影図である。
様の表示装置のブロック図であり、図７（Ｂ－１）乃至図７（Ｂ－３）は本発明の一態様
の表示装置の外観を説明する投影図である。
【0224】
＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００とを有する（図
７（Ａ）参照）。
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００とを有する（図
７（Ａ）参照）。
【0225】
《制御部２３８の構成例》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号
またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号
またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
【0226】
制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御情報ＣＩにもとづいて
制御信号ＳＰを生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給す
る。
制御信号ＳＰを生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給す
る。
【0227】
例えば、情報Ｖ１１は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例
えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制
御信号ＳＰに用いることができる。
えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制
御信号ＳＰに用いることができる。
【0228】
具体的には、制御部２３８は、制御回路２３３、伸張回路２３４および画像処理回路２３
５を備える。
５を備える。
【0229】
《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。
伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機
能を備える。
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。
伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機
能を備える。
【0230】
《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報Ｖ１
に含まれる情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報Ｖ１
に含まれる情報を記憶する機能を備える。
【0231】
画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報
Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。
Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。
【0232】
《表示パネルの構成例》
表示パネル７００は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。また、表示パネル７０
０は駆動回路ＧＤを備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２において説明する
表示パネル７００を用いることができる。
表示パネル７００は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。また、表示パネル７０
０は駆動回路ＧＤを備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２において説明する
表示パネル７００を用いることができる。
【0233】
また、例えば、制御回路２３３を表示パネル７００に用いることができる。駆動回路を表
示パネル７００に用いることができる。
示パネル７００に用いることができる。
【0234】
《制御回路２３３》
制御回路２３３は制御信号ＳＰを生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号
またはタイミング信号などを制御信号ＳＰに用いることができる。具体的には、タイミン
グコントローラを制御回路２３３に用いることができる。
制御回路２３３は制御信号ＳＰを生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号
またはタイミング信号などを制御信号ＳＰに用いることができる。具体的には、タイミン
グコントローラを制御回路２３３に用いることができる。
【0235】
例えば、リジッド基板上に形成された制御回路２３３を表示パネル７００に用いることが
できる。また、フレキシブルプリント基板を用いて、リジッド基板上に形成された制御回
路２３３と制御部２３８を、電気的に接続することができる。
できる。また、フレキシブルプリント基板を用いて、リジッド基板上に形成された制御回
路２３３と制御部２３８を、電気的に接続することができる。
【0236】
《駆動回路》
駆動回路ＧＤは制御信号ＳＰに基づいて動作する。
駆動回路ＧＤは制御信号ＳＰに基づいて動作する。
【0237】
例えば、駆動回路ＧＤＡ（１）、駆動回路ＧＤＡ（２）駆動回路ＧＤＢ（１）、駆動回路
ＧＤＢ（２）は、制御信号ＳＰを供給され、選択信号を供給する機能を備える。
ＧＤＢ（２）は、制御信号ＳＰを供給され、選択信号を供給する機能を備える。
【0238】
例えば、ＳＤＡ（１）、ＳＤＡ（２）、ＳＤＢ（１）、ＳＤＢ（２）、ＳＤＣ（１）およ
びＳＤＣ（２）は、制御信号ＳＰおよび情報Ｖ１１を供給され、画像信号を供給すること
ができる。
びＳＤＣ（２）は、制御信号ＳＰおよび情報Ｖ１１を供給され、画像信号を供給すること
ができる。
【0239】
制御信号ＳＰを用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。
【0240】
《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１１に基づいて表示する。
画素７０２（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１１に基づいて表示する。
【0241】
これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性また
は信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョ
ン受像システム（図７（Ｂ－１）参照）、映像モニター（図７（Ｂ－２）参照）またはノ
ートブックコンピュータ（図７（Ｂ－３）参照）などを提供することができる。
は信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョ
ン受像システム（図７（Ｂ－１）参照）、映像モニター（図７（Ｂ－２）参照）またはノ
ートブックコンピュータ（図７（Ｂ－３）参照）などを提供することができる。
【0242】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0243】
【0244】
図８は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【0245】
＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図
８参照）。
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図
８参照）。
【0246】
《表示部２３０》
表示部２３０は表示パネルを備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２に記載の
表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示
部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。
表示部２３０は表示パネルを備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２に記載の
表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示
部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。
【0247】
《入力部２４０の構成例１．》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するもの
を検知する機能を備える。
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するもの
を検知する機能を備える。
【0248】
検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【0249】
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するも
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する
ことができる。
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する
ことができる。
【0250】
【0251】
《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備える。
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備える。
【0252】
検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、
他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお
、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上
の整数である。
他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお
、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上
の整数である。
【0253】
一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ
，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示
す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示
す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【0254】
また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子
７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設
される。
７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設
される。
【0255】
《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等を
ポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用
いることができる。
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等を
ポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用
いることができる。
【0256】
具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接セ
ンサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。
ンサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。
【0257】
また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と
、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。
、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。
【0258】
これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類
に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに
指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。また
は、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付
けることができる。
に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに
指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。また
は、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付
けることができる。
【0259】
具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することがで
きる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検
知することができる。
きる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検
知することができる。
【0260】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0261】
【0262】
【0263】
図１０は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１０（Ａ）
は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１０（
Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１０（
Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
【0264】
図１１は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１１（Ａ）は、本発明の
一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１１（Ｂ
）は、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１１（Ｃ）は、本発明の一態様の
情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１１（Ｂ
）は、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１１（Ｃ）は、本発明の一態様の
情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【0265】
＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有
する（図９（Ａ）参照）。なお、入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。
また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図９（Ｂ）または図９（Ｃ）参
照）。
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有
する（図９（Ａ）参照）。なお、入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。
また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図９（Ｂ）または図９（Ｃ）参
照）。
【0266】
《演算装置２１０の構成例１．》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は入力
情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を生成し、制
御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は入力
情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を生成し、制
御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。
【0267】
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は
、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【0268】
伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と
電気的に接続される。
電気的に接続される。
【0269】
《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【0270】
《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または
画像等を記憶する機能を有する。
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または
画像等を記憶する機能を有する。
【0271】
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタ
を用いたメモリ等を用いることができる。
を用いたメモリ等を用いることができる。
【0272】
《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給され
る機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力
装置２２０と電気的に接続することができる。
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給され
る機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力
装置２２０と電気的に接続することができる。
【0273】
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入
出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記
憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記
憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
【0274】
【0275】
例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画
像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が
使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報ま
たは湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。
像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が
使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報ま
たは湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。
【0276】
例えば、画像情報Ｖ１を表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御
する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を
変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。
する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を
変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。
【0277】
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば
、実施の形態４において説明する入出力装置を用いることができる。
、実施の形態４において説明する入出力装置を用いることができる。
【0278】
《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。
【0279】
【0280】
《入力部２４０の構成例》
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給
する機能を備える。
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給
する機能を備える。
【0281】
【0282】
また、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表
示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タ
ッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タ
ッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
【0283】
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タ
ップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
ップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【0284】
例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析
し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることが
できる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の
操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることが
できる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の
操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【0285】
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッ
チパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる
。
チパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる
。
【0286】
《検知部２５０の構成例》
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００
が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００
が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【0287】
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、
照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供
給できる。
照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供
給できる。
【0288】
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐ
ｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度セ
ンサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
ｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度セ
ンサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
【0289】
《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を
備える。
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を
備える。
【0290】
《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、
筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、
筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
【0291】
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。ま
たは、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、
情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける
光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法
を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を
提供することができる。
たは、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、
情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける
光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法
を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を
提供することができる。
【0292】
なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成
の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは
、表示部であるとともに入力部でもある。
の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは
、表示部であるとともに入力部でもある。
【0293】
【0294】
［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体か
ら１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込
められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的
に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３
は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生
成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体か
ら１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込
められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的
に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３
は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生
成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
【0295】
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含ま
れる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事
実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽
出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する情報を生成し、制御
情報ＣＩに用いることができる。
れる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事
実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽
出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する情報を生成し、制御
情報ＣＩに用いることができる。
【0296】
［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの
特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された
年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴
に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情
報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラ
ー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの
特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された
年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴
に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情
報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラ
ー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。
【0297】
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる
一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界
を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲
む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界
を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲
む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
【0298】
［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論を生成することができる。
または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるよ
うに制御情報ＣＩを生成することができる。
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論を生成することができる。
または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるよ
うに制御情報ＣＩを生成することができる。
【0299】
具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適である
と感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。ま
たは、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるよう
に、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。
と感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。ま
たは、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるよう
に、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。
【0300】
なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号
などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給
するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給
するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
【0301】
【0302】
《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１０（Ａ）参照）。
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１０（Ａ）参照）。
【0303】
［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１０（Ａ）（Ｓ１）参照）。
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１０（Ａ）（Ｓ１）参照）。
【0304】
例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、
当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する
。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることが
できる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する
。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることが
できる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
【0305】
［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１０（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお
、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことが
できる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果
を主の処理に反映することができる。
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１０（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお
、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことが
できる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果
を主の処理に反映することができる。
【0306】
なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理
から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを
起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを
起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
【0307】
［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定
のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１０（Ａ）（Ｓ３）参照
）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を
表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることがで
きる。
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定
のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１０（Ａ）（Ｓ３）参照
）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を
表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることがで
きる。
【0308】
例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。
または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。こ
れにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。こ
れにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
【0309】
《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供
給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供
給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
【0310】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像
の動きを滑らかに表示することができる。
の動きを滑らかに表示することができる。
【0311】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操
作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表
示することができる。
作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表
示することができる。
【0312】
《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻
度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモー
ドに関連付けることができる。
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻
度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモー
ドに関連付けることができる。
【0313】
３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号
を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、
消費電力を低減することができる。
を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、
消費電力を低減することができる。
【0314】
例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の
頻度等で表示を更新することができる。
頻度等で表示を更新することができる。
【0315】
ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて
、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて
、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため
、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。また
は、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて
、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため
、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。また
は、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
【0316】
【0317】
例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
【0318】
［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１０（Ａ）（Ｓ５）参照）。
第５のステップにおいて、終了する（図１０（Ａ）（Ｓ５）参照）。
【0319】
【0320】
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用さ
れる環境の照度を検出する（図１０（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環
境光の色温度や色度を検出してもよい。
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用さ
れる環境の照度を検出する（図１０（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環
境光の色温度や色度を検出してもよい。
【0321】
【0322】
なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の
色味を調節してもよい。
色味を調節してもよい。
【0323】
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１０（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１０（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
【0324】
＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１１を参照しながら説明する。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１１を参照しながら説明する。
【0325】
【0326】
なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更
するステップを割り込み処理に有する点が、図１０（Ｂ）を参照しながら説明する割り込
み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。
するステップを割り込み処理に有する点が、図１０（Ｂ）を参照しながら説明する割り込
み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。
【0327】
【0328】
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、
所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１１（Ａ）（Ｕ６
）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いること
ができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下
であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、
所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１１（Ａ）（Ｕ６
）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いること
ができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下
であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
【0329】
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１１（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には
、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択して
いた場合は、第１のモードを選択する。
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１１（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には
、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択して
いた場合は、第１のモードを選択する。
【0330】
例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体
的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の
一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（
図１１（Ｂ）参照）。
的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の
一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（
図１１（Ｂ）参照）。
【0331】
例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、
所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モ
ードを変更することができる（図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）参照）。具体的には、指
等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給
する選択信号の頻度を変更することができる。
所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モ
ードを変更することができる（図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）参照）。具体的には、指
等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給
する選択信号の頻度を変更することができる。
【0332】
なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ
１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動
回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号
を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。
１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動
回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号
を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。
【0333】
これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することな
く、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび
駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選
択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力
を抑制することができる。
く、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび
駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選
択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力
を抑制することができる。
【0334】
【0335】
《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」
等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッ
グ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」
等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッ
グ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
【0336】
また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速
度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
【0337】
例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果
をイベントに用いることができる。
をイベントに用いることができる。
【0338】
具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器
等を検知部２５０に用いることができる。
等を検知部２５０に用いることができる。
【0339】
《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
【0340】
例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめく
り命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を
実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて
与えることができる。
り命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を
実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて
与えることができる。
【0341】
例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する
他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができ
る。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する
引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができ
る。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する
引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【0342】
例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベント
に関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベン
トに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２
５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
に関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベン
トに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２
５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
【0343】
例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得す
る命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
る命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
【0344】
なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断して
もよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる
場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校また
は大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いるこ
とができる（図９（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、
会議資料に用いることができる。
もよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる
場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校また
は大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いるこ
とができる（図９（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、
会議資料に用いることができる。
【0345】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0346】
【0347】
図１２および図１３は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１
２（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１２（Ｂ）乃至図１２（Ｅ）は情報処理
装置の構成を説明する斜視図である。また、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｅ）は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。
２（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１２（Ｂ）乃至図１２（Ｅ）は情報処理
装置の構成を説明する斜視図である。また、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｅ）は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。
【0348】
【0349】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を
供給する機能を備える。
供給する機能を備える。
【0350】
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、および通信
部５２９０を有し、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。
また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および
通信情報を供給される機能を備える。
部５２９０を有し、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。
また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および
通信情報を供給される機能を備える。
【0351】
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処
理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【0352】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ
、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５
２４０に用いることができる。
、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５
２４０に用いることができる。
【0353】
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形
態１または実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることがで
きる。
態１または実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることがで
きる。
【0354】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されて
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【0355】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知
部５２５０に用いることができる。
部５２５０に用いることができる。
【0356】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【0357】
《情報処理装置の構成例１．》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１２
（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また
、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の
柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または
、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１２
（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また
、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の
柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または
、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【0358】
《情報処理装置の構成例２．》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（
図１２（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０イン
チ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複
数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（
図１２（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０イン
チ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複
数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【0359】
《情報処理装置の構成例３．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１２（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または
、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をス
マートウオッチに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１２（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または
、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をス
マートウオッチに表示することができる。
【0360】
《情報処理装置の構成例４．》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１２（
Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面
、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけで
なく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１２（
Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面
、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけで
なく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【0361】
《情報処理装置の構成例５．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ａ）参照
）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、
晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォ
ンに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ａ）参照
）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、
晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォ
ンに表示することができる。
【0362】
《情報処理装置の構成例６．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｂ）参照
）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるよう
に、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｂ）参照
）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるよう
に、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【0363】
《情報処理装置の構成例７．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｃ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｃ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【0364】
《情報処理装置の構成例８．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるよ
うに、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｄ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるよ
うに、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【0365】
《情報処理装置の構成例９．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｅ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｅ）参照
）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるよ
うに、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【0366】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0367】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものと
する。
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものと
する。
【0368】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
、など）であるとする。
【0369】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【0370】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0371】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0372】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【0373】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【0374】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
【0375】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
【0376】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
【0377】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【0378】
ＡＮＯ：導電膜、Ｃ２１：容量素子、ＤＳ：検知情報、Ｇ２：走査線、ＧＣＬＫ：信号、
ＣＩ：制御情報、ＩＩ：入力情報、Ｐ１：位置情報、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、
Ｓ２：信号線、ＳＰ：制御信号、ＳＷ２：スイッチ、Ｖ１：画像情報、Ｖ１１：情報、Ｖ
ＣＯＭ２：導電膜、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２
：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２
２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸
張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、
２５０：検知部、２９０：通信部、５０１Ｂ（３）：側端部、５０１Ｂ：中間膜、５０１
Ｂ（１）：面、５０１Ｂ（２）：面、５０１Ｂ（１１）：領域、５０１Ｂ（１２）：領域
、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０５：接合層、５０６：絶
縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０Ｈ
Ｓ：放熱部材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１６：絶縁膜、５１６Ａ：絶縁
膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５１９Ｂ（１）：膜、５１９Ｂ（２）：膜、５
２０：機能層、５２１：絶縁膜、５２４：導電膜、５３０：画素回路、５４１：端子、５
４１（ｉ，ｊ）Ｂ：接合層、５４４：端子、５４４Ｂ：接合層、５９１Ａ：開口部、５９
１Ｃ：開口部、５９１Ｄ：開口部、６５０：表示素子、７００：表示パネル、７００ＴＰ
：入出力パネル、７０２：画素、７０３：画素、７０５：封止材、７７０：基材、７７０
Ｐ：機能膜、７７５：検知素子、５２００Ｂ：情報処理装置、５２１０：演算装置、５２
２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０
：通信部
ＣＩ：制御情報、ＩＩ：入力情報、Ｐ１：位置情報、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、
Ｓ２：信号線、ＳＰ：制御信号、ＳＷ２：スイッチ、Ｖ１：画像情報、Ｖ１１：情報、Ｖ
ＣＯＭ２：導電膜、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２
：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２
２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸
張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、
２５０：検知部、２９０：通信部、５０１Ｂ（３）：側端部、５０１Ｂ：中間膜、５０１
Ｂ（１）：面、５０１Ｂ（２）：面、５０１Ｂ（１１）：領域、５０１Ｂ（１２）：領域
、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０５：接合層、５０６：絶
縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０Ｈ
Ｓ：放熱部材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１６：絶縁膜、５１６Ａ：絶縁
膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５１９Ｂ（１）：膜、５１９Ｂ（２）：膜、５
２０：機能層、５２１：絶縁膜、５２４：導電膜、５３０：画素回路、５４１：端子、５
４１（ｉ，ｊ）Ｂ：接合層、５４４：端子、５４４Ｂ：接合層、５９１Ａ：開口部、５９
１Ｃ：開口部、５９１Ｄ：開口部、６５０：表示素子、７００：表示パネル、７００ＴＰ
：入出力パネル、７０２：画素、７０３：画素、７０５：封止材、７７０：基材、７７０
Ｐ：機能膜、７７５：検知素子、５２００Ｂ：情報処理装置、５２１０：演算装置、５２
２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０
：通信部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【手続補正書】
【提出日】2024-07-23
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示素子と、機能層と、放熱部材と、を有し、
前記機能層は、前記表示素子と電気的に接続された画素回路、前記表示素子と接続された端子、熱伝導性の膜、および中間膜を有し、
前記中間膜は、開口部を有し、
前記放熱部材は、前記開口部において、前記端子と接続され、
前記熱伝導性の膜は、前記開口部と重なりを有し、且つ、前記端子と接続され、
前記中間膜は、第１の面を有し、
前記第１の面は、前記開口部の周縁に位置し、且つ、前記熱伝導性の膜と接する領域を有する第１の領域を有し、
前記熱伝導性の膜は、チタンを有し、
前記第１の領域は、シリコン、酸素、およびフッ素を有し、
前記表示素子は、マイクロＬＥＤであり、
前記画素回路は、インジウムを含む酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを有する、表示パネル。
前記機能層は、前記表示素子と電気的に接続された画素回路、前記表示素子と接続された端子、熱伝導性の膜、および中間膜を有し、
前記中間膜は、開口部を有し、
前記放熱部材は、前記開口部において、前記端子と接続され、
前記熱伝導性の膜は、前記開口部と重なりを有し、且つ、前記端子と接続され、
前記中間膜は、第１の面を有し、
前記第１の面は、前記開口部の周縁に位置し、且つ、前記熱伝導性の膜と接する領域を有する第１の領域を有し、
前記熱伝導性の膜は、チタンを有し、
前記第１の領域は、シリコン、酸素、およびフッ素を有し、
前記表示素子は、マイクロＬＥＤであり、
前記画素回路は、インジウムを含む酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを有する、表示パネル。