特開 2024-138199 基板処理方法、及び基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024138199

(43)【公開日】2024-10-07

(54)【発明の名称】基板処理方法、及び基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240927BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651J

H01L21/304 651H

H01L21/304 651G

【審査請求】有

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024124881

(22)【出願日】2024-07-31

(62)【分割の表示】P 2020130882の分割

【原出願日】2020-07-31

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山本 滋

(72)【発明者】

【氏名】藤井 大樹

(72)【発明者】

【氏名】枝光 建治

(72)【発明者】

【氏名】岩田 敬次

(72)【発明者】

【氏名】川井 侑哉

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 健一

(57)【要約】

【課題】基板の清浄度を向上させることができる基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコール（ｄＩＰＡ）を処理槽（３）に貯める工程（Ｓ１４）と、処理槽（３）内の希釈イソプロピルアルコール（ｄＩＰＡ）に、撥水化処理された基板（Ｗ）を浸漬する浸漬工程（Ｓ１５）とを包含する。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する基板処理方法であって、
希釈化されたイソプロピルアルコールである液状の希釈イソプロピルアルコールを処理槽に貯める工程と、
撥水化処理された前記基板に、蒸気化された有機溶媒を供給する工程と、
前記有機溶媒を供給する工程の後、表面に撥水化剤が残留している前記基板を前記処理槽の上方の位置から下降させて前記処理槽内の液状の前記希釈イソプロピルアルコールに浸漬する浸漬工程と
を包含する、基板処理方法。

【請求項2】

前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する前に、前記基板を乾燥させる工程を更に包含する、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記有機溶媒を供給する工程において、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された撥水化剤を供給して、前記基板を撥水化処理する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記処理槽内に貯められたリンス液に前記基板を浸漬する工程と、
前記リンス液から前記基板を引き上げる工程と、
前記処理槽から前記リンス液を排液する工程と
を更に包含し、
前記リンス液の排液後に前記撥水化処理を行う、請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項5】

前記有機溶媒を供給する工程において、前記密閉空間内に蒸気化された有機溶媒を供給する請求項３又は請求項４に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記密閉空間内を減圧して、前記撥水化処理を行う、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記希釈イソプロピルアルコールを前記処理槽に貯める前に、前記密閉空間内の圧力を大気圧に戻す工程を更に包含する、請求項６に記載の基板処理方法。

【請求項8】

前記希釈イソプロピルアルコールから前記基板を引き上げる引き上げ工程と、
前記希釈イソプロピルアルコールから引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を更に包含する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項9】

前記有機溶媒を供給する工程は、前記引き上げ工程の前に行われ、
前記乾燥工程は、前記処理槽を収容する密閉空間内に不活性ガスを供給する工程を含む、請求項８に記載の基板処理方法。

【請求項10】

前記処理槽を収容する密閉空間内を減圧して、前記乾燥工程を行う、請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。

【請求項11】

前記浸漬工程において、前記処理槽に前記希釈イソプロピルアルコールを供給する、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項12】

前記浸漬工程において、前記基板を振動させる、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項13】

前記希釈イソプロピルアルコールにおいて、イソプロピルアルコールの濃度は０．３％以上５％未満である、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項14】

基板を処理する基板処理装置であって、
希釈化されたイソプロピルアルコールである液状の希釈イソプロピルアルコールを貯留する処理槽と、
前記処理槽を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内において、前記処理槽内の第１処理位置と、前記処理槽外の第２処理位置との間で前記基板を移動させる移動部と、
撥水化処理された前記基板に、蒸気化された有機溶媒を供給するノズルと、
前記移動部を制御して、表面に撥水化剤が残留している前記基板を前記処理槽の上方の位置から下降させて前記処理槽内の液状の前記希釈イソプロピルアルコールに浸漬させる制御部と
を備える、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体ウエハのような基板を処理して、半導体装置のような製品を製造する工程には、薬液によって基板を処理する薬液処理工程と、リンス液によって基板の表面から薬液を除去するリンス工程と、基板を乾燥させる乾燥工程とが含まれる。

【0003】

しかし、乾燥工程において、基板の表面に形成されているパターンが倒壊することがある。パターンの倒壊は、パターン内に侵入したリンス液の表面張力に起因する。

【0004】

そこで、パターンの倒壊を回避するために、基板に撥水化剤を供給してパターンを撥水性保護膜で覆うことがある。例えば、特許文献１には、薬液処理、純水リンス処理、アルコールリンス処理、撥水性処理、アルコールリンス処理、純水リンス処理、及び乾燥処理を基板に対して順次実行する基板処理方法が開示されている。撥水性処理後のアルコールリンス処理は、基板の表面に残留している撥水化剤をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）に置換して除去する処理である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１０－１１４４１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、撥水性処理後にアルコールリンス処理を行うと、基板の表面に残留している撥水化剤がＩＰＡと反応してパーティクルが発生することがある。この結果、基板の清浄度が低下する可能性がある。

【0007】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の清浄度を向上させることができる基板処理方法、及び基板処理装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一局面によれば、基板処理方法は、基板を処理する方法である。当該基板処理方法は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコール（液状の希釈イソプロピルアルコール）を処理槽に貯める工程と、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する浸漬工程とを包含する。

【0009】

ある実施形態において、前記基板処理方法は、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する前に、前記基板を乾燥させる工程を更に包含する。

【0010】

ある実施形態において、前記浸漬工程は、前記有機溶媒を供給する工程の後、表面に撥水化剤が残留している前記基板を前記処理槽の上方の位置から下降させて前記処理槽内の液状の前記希釈イソプロピルアルコールに浸漬する。

【0011】

ある実施形態において、前記基板処理方法は、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された撥水化剤を供給して、前記基板を撥水化処理する工程をさらに包含する。

【0012】

ある実施形態において、前記基板処理方法は、前記有機溶媒を供給する工程において、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された撥水化剤を供給して、前記基板を撥水化処理する。

【0013】

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記処理槽内に貯められたリンス液に前記基板を浸漬する工程と、前記リンス液から前記基板を引き上げる工程と、前記処理槽から前記リンス液を排液する工程とを更に包含する。前記リンス液の排液後に前記撥水化処理を行う。

【0014】

ある実施形態では、前記有機溶媒を供給する工程において、前記密閉空間内に蒸気化された有機溶媒を供給する。

【0015】

ある実施形態では、前記密閉空間内を減圧して、前記撥水化処理を行う。

【0016】

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記希釈イソプロピルアルコールを前記処理槽に貯める前に、前記密閉空間内の圧力を大気圧に戻す工程を更に包含する。

【0017】

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記希釈イソプロピルアルコールから前記基板を引き上げる引き上げ工程と、前記希釈イソプロピルアルコールから引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥工程とを更に包含する。

【0018】

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記引き上げ工程の前に、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された有機溶媒を供給する工程を更に包含する。前記乾燥工程は、前記密閉空間内に不活性ガスを供給する工程を含む。

【0019】

ある実施形態では、前記処理槽を収容する密閉空間内を減圧して、前記乾燥工程を行う。

【0020】

ある実施形態では、前記浸漬工程において、前記処理槽に前記希釈イソプロピルアルコールを供給する。

【0021】

ある実施形態では、前記浸漬工程において、前記基板を振動させる。

【0022】

ある実施形態では、前記希釈イソプロピルアルコールにおいて、イソプロピルアルコールの濃度は０．３％以上５％未満である。

【0023】

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、処理槽と、チャンバーと、移動部と、制御部とを備える。前記処理槽は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコール（液状の希釈イソプロピルアルコール）を貯留する。前記チャンバーは、前記処理槽を収容する。前記移動部は、前記チャンバー内において、前記処理槽内の第１処理位置と、前記処理槽外の第２処理位置との間で前記基板を移動させる。前記制御部は、前記移動部を制御して、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬させる。

【0024】

ある実施形態では、前記基板処理装置は、撥水化処理された前記基板に、蒸気化された有機溶媒を供給するノズルを備える。

【0025】

ある実施形態では、前記制御部は、前記移動部を制御して、表面に撥水化剤が残留している前記基板を前記処理槽の上方の位置から下降させて前記処理槽内の液状の前記希釈イソプロピルアルコールに浸漬させる。

【発明の効果】

【0026】

本発明に係る基板処理方法、及び基板処理装置によれば、基板の清浄度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の内部の構成を示す模式図である。

【図2】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の内部の構成を示す他の模式図である。

【図3】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図4】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図5】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図6】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図7】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図8】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図9】本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図10】本発明の実施形態２に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図11】本発明の実施形態２に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図12】本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図13】本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図14】本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図15】本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【図16】本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、図面（図１～図１６）を参照して本発明の基板処理方法、及び基板処理装置に係る実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

【0029】

本明細書では、理解を容易にするため、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向を記載することがある。典型的には、Ｘ方向及びＹ方向は水平方向に平行であり、Ｚ方向は鉛直方向に平行である。但し、これらの方向の定義により、本発明に係る基板処理方法の実行時の向き、及び本発明に係る基板処理装置の使用時の向きを限定する意図はない。

【0030】

本実施形態における「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理方法及び基板処理装置を例に採って本実施形態を説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また、基板の形状についても各種のものを適用可能である。

【0031】

［実施形態１］
以下、図１～図９を参照して本発明の実施形態１を説明する。まず、図１及び図２を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の内部の構成を示す模式図である。図２は、本実施形態の基板処理装置１００の内部の構成を示す他の模式図である。本実施形態の基板処理装置１００はバッチ式である。したがって、基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを一括して処理する。具体的には、基板処理装置１００は、ロット単位で複数の基板Ｗを処理する。１ロットは、例えば２５枚の基板Ｗからなる。

【0032】

図１に示すように、基板処理装置１００は、処理ユニット１０１を備える。処理ユニット１０１は、基板Ｗを乾燥させる。具体的には、処理ユニット１０１は、チャンバー２と、処理槽３と、気体供給部４と、液供給部５と、保持部５０と、開閉部１０２と、昇降部１０３とを備える。以下、処理ユニット１０１を、「乾燥処理ユニット１０１」と記載する。

【0033】

基板Ｗは、パターンが形成されたパターン形成面を有する。パターンは、ウェットエッチング処理よって基板Ｗの表面に形成される。具体的には、基板処理装置１００は、乾燥処理ユニット１０１以外に、基板Ｗをエッチングする処理ユニットを備える。この処理ユニットによってエッチングされた基板Ｗが、乾燥処理ユニット１０１に搬送（搬入）される。

【0034】

チャンバー２には、処理槽３と、気体供給部４と、液供給部５とが収容される。また、チャンバー２には、基板Ｗの処理時に保持部５０が収容される。チャンバー２は、カバー２ａを有する。カバー２ａは、チャンバー２の上部の開口に装着されている。カバー２ａは開閉可能である。

【0035】

処理槽３は、処理液を貯留する。処理液は、リンス液と、希釈ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とを含む。したがって、処理槽３は、リンス液と、希釈ＩＰＡとを貯留する。希釈ＩＰＡは、希釈化されたＩＰＡを示す。本実施形態において、リンス液は、ＤＩＷ（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：脱イオン水）である。また、希釈ＩＰＡは、ＤＩＷによって希釈化されたＩＰＡである。換言すると、希釈ＩＰＡは、ＩＰＡとＤＩＷとの混合液である。以下、希釈ＩＰＡを「ｄＩＰＡ」と記載する場合がある。

【0036】

気体供給部４は、チャンバー２内に気体を供給する。具体的には、気体供給部４は、チャンバー２内に、不活性ガスと、有機溶剤の蒸気と、撥水化剤ＳＭＴの蒸気とを供給する。本実施形態において、有機溶剤の蒸気は、ＩＰＡの蒸気である。

【0037】

詳しくは、気体供給部４は、第１ノズル１１～第８ノズル１８を有する。第１ノズル１１～第８ノズル１８は、チャンバー２の内部であって、処理槽３の外部に配置される。具体的には、第１ノズル１１～第８ノズル１８は、処理槽３の上方に配置される。図２を参照して説明するように、第１ノズル１１～第６ノズル１６は、不活性ガスを吐出する。また、第３ノズル１３及び第４ノズル１４は、ＩＰＡの蒸気を吐出する。第７ノズル１７及び第８ノズル１８は、撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出する。

【0038】

撥水化剤ＳＭＴは、例えば、シリコン系撥水化剤、又はメタル系撥水化剤である。シリコン系撥水化剤は、シリコン又はシリコンを含む化合物を撥水化（疎水化）させる。メタル系撥水化剤は、金属又は金属を含む化合物を撥水化（疎水化）させる。

【0039】

シリコン系撥水化剤は、例えば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、及び非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、例えば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミン、及びオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

【0040】

メタル系撥水化剤は、例えば、疎水基を有するアミン、及び有機シリコン化合物のうちの少なくとも一方を含む。

【0041】

撥水化剤ＳＭＴは、親水性有機溶媒に対して相溶解性がある溶媒で希釈されていてもよい。溶媒は、例えば、ＩＰＡ、又はＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）である。

【0042】

液供給部５は、処理槽３に処理液を供給する。具体的には、液供給部５は、リンス液（ＤＩＷ）と、ｄＩＰＡとを処理槽３に供給する。詳しくは、液供給部５は、第９ノズル１９と、第１０ノズル２０とを有する。第９ノズル１９及び第１０ノズル２０は、処理槽３内に配置される。図２を参照して説明するように、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０は、リンス液（ＤＩＷ）と、ｄＩＰＡとを吐出する。

【0043】

保持部５０は、複数の基板Ｗを保持する。具体的には、保持部５０は、複数の保持棒５１と、本体板５２とを有する。本実施形態では、保持部５０は、３つの保持棒５１を有する。本体板５２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板状の部材である。保持棒５１はそれぞれ、本体板５２の一方の主面から水平方向（Ｘ方向）に延びる。複数の基板Ｗのそれぞれの下縁は、複数（ここでは、３つ）の保持棒５１に当接する。複数の基板Ｗは、Ｘ方向に間隔をあけて整列した状態で、起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。

【0044】

開閉部１０２は、カバー２ａを開閉させる。すなわち、開閉部１０２は、カバー２ａを開状態と閉状態との間で遷移させる。カバー２ａが開閉することにより、チャンバー２の上部の開口が閉塞状態と開放状態との間で遷移する。開閉部１０２は、駆動源と、開閉機構とを有しており、駆動源によって開閉機構を駆動して、カバー２ａを開閉させる。駆動源は、例えば、モータを含む。開閉機構は、例えば、ラック・ピニオン機構を含む。

【0045】

昇降部１０３は、保持部５０を昇降させる。昇降部１０３が保持部５０を昇降させることにより、保持部５０に保持されている基板Ｗが昇降する。昇降部１０３は、駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、保持部５０を上昇及び下降させる。駆動源は、例えば、モータを含む。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。

【0046】

詳しくは、昇降部１０３は、チャンバー２の上部の開口を介して、チャンバー２の外部と内部との間で保持部５０（基板Ｗ）を移動（昇降）させる。すなわち、昇降部１０３は、チャンバー２内への基板Ｗの搬入と、チャンバー２外への基板Ｗの搬出とを行う。

【0047】

また、昇降部１０３は、チャンバー２内において、処理槽３内の第１処理位置と処理槽３外の第２処理位置との間で保持部５０（基板Ｗ）を移動（昇降）させる。保持部５０が第１処理位置へ移動することにより、基板Ｗが処理槽３内に移動する。保持部５０が第２処理位置へ移動することにより、基板Ｗが処理槽３外へ移動する。具体的には、第２処理位置は、第１処理位置の上方の位置である。保持部５０が第２処理位置へ移動することにより、基板Ｗが処理槽３の上方の空間へ移動する。昇降部１０３は、移動部の一例である。なお、図１は、第１処理位置へ移動した保持部５０及び基板Ｗを実線で示し、第２処理位置へ移動した保持部５０及び基板Ｗを破線で示している。

【0048】

続いて、図１を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図１に示すように、基板処理装置１００は、制御装置１１０を更に備える。制御装置１１０は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。具体的には、制御装置１１０は、制御部１１１と、記憶部１１２とを含む。

【0049】

制御部１１１は、プロセッサーを有する。制御部１１１は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有する。あるいは、制御部１１１は、汎用演算機を有してもよい。

【0050】

記憶部１１２は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。

【0051】

記憶部１１２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１１２は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１１２はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１１１は、記憶部１１２に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。

【0052】

制御装置１１０（制御部１１１）は、開閉部１０２を制御して、カバー２ａを開状態と閉状態との間で遷移させる。詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、チャンバー２内への基板Ｗの搬入時、及びチャンバー２外への基板Ｗの搬出時に、カバー２ａを開状態にする。カバー２ａが開状態となることにより、チャンバー２の上部の開口が開放状態となり、チャンバー２内への基板Ｗの搬入、及びチャンバー２外への基板Ｗの搬出が可能となる。制御装置１１０（制御部１１１）は、基板Ｗの処理時に、カバー２ａを閉状態にする。カバー２ａが閉状態となることにより、チャンバー２の上部の開口が閉塞状態となる。この結果、チャンバー２の内部が密閉空間となる。基板Ｗは、密閉空間内で処理される。

【0053】

制御装置１１０（制御部１１１）は、昇降部１０３を制御して、保持部５０（基板Ｗ）を昇降させる。詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、チャンバー２内への基板Ｗの搬入時に、チャンバー２の上部の開口を介して、チャンバー２の外部から内部へ保持部５０を移動させて、基板Ｗをチャンバー２内に搬入する。制御装置１１０（制御部１１１）は、チャンバー２外への基板Ｗの搬出時に、チャンバー２の上部の開口を介して、チャンバー２の内部から外部へ保持部５０を移動させて、基板Ｗをチャンバー２から搬出する。制御装置１１０（制御部１１１）は、基板Ｗの処理時に、チャンバー２内で、保持部５０を第１処理位置と第２処理位置との間で移動（昇降）させる。

【0054】

続いて、図２を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図２に示すように、基板処理装置１００は、不活性ガス供給源２１と、ＩＰＡ供給源２２と、撥水化剤供給源２３と、ＤＩＷ供給源２４と、減圧部２５と、第１配管３１～第７配管３７と、排液ライン４１と、排気ライン４２と、第１バルブＶ１～第８バルブＶ８と、第１ヒータＨ１と、第２ヒータＨ２とを更に備える。

【0055】

不活性ガス供給源２１は、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。ＩＰＡ供給源２２は、ＩＰＡを供給する。撥水化剤供給源２３は、撥水化剤ＳＭＴを供給する。ＤＩＷ供給源２４は、ＤＩＷを供給する。

【0056】

第１配管３１には、不活性ガス供給源２１から不活性ガスが供給される。第１配管３１は、不活性ガス供給源２１から供給される不活性ガスを、第１ノズル１１及び第２ノズル１２まで流通させる。

【0057】

第１ノズル１１及び第２ノズル１２は、中空の管状部材である。第１ノズル１１及び第２ノズル１２にはそれぞれ、複数の吐出孔が形成されている。本実施形態において、第１ノズル１１及び第２ノズル１２はＸ方向に延びる。第１ノズル１１の複数の吐出孔は、Ｘ方向に等間隔に形成されている。同様に、第２ノズル１２の複数の吐出孔は、Ｘ方向に等間隔に形成されている。

【0058】

第１配管３１を介して第１ノズル１１に不活性ガスが供給されると、第１ノズル１１の複数の吐出孔からチャンバー２の内部へ不活性ガスが吐出される。同様に、第１配管３１を介して第２ノズル１２に不活性ガスが供給されると、第２ノズル１２の複数の吐出孔からチャンバー２の内部へ不活性ガスが吐出される。

【0059】

第１配管３１には、第１バルブＶ１が介装されている。第１バルブＶ１は、第１配管３１の流路を開閉する開閉弁である。第１バルブＶ１は、第１配管３１を流れる不活性ガスの流通を制御する。詳しくは、第１バルブＶ１が開くと、不活性ガスが第１配管３１を介して第１ノズル１１及び第２ノズル１２まで流れる。この結果、第１ノズル１１及び第２ノズル１２から不活性ガスが吐出される。第１バルブＶ１が閉じると、不活性ガスの流通が遮断されて、第１ノズル１１及び第２ノズル１２による不活性ガスの吐出が停止する。

【0060】

第１バルブＶ１は、第１配管３１を流れる不活性ガスの流量を調整する調整弁としても機能する。第１バルブＶ１は、例えば電磁弁である。第１バルブＶ１は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0061】

第２配管３２には、ＩＰＡ供給源２２からＩＰＡが供給される。第２配管３２には、第１ヒータＨ１が介装されている。第１ヒータＨ１は、ＩＰＡを加熱して、ＩＰＡを気化させる。つまり、第１ヒータＨ１は、ＩＰＡの蒸気を生成する。第２配管３２は、ＩＰＡの蒸気を第３ノズル１３及び第４ノズル１４まで流通させる。

【0062】

第３ノズル１３及び第４ノズル１４は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２の下方に配置される。第３ノズル１３及び第４ノズル１４の構成は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様である。第３ノズル１３及び第４ノズル１４は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様に、チャンバー２の内部へＩＰＡの蒸気を吐出する。

【0063】

第２配管３２には、第２バルブＶ２が介装されている。第２バルブＶ２は、第２配管３２の流路を開閉する開閉弁である。第２バルブＶ２は、第２配管３２に対して、第１ヒータＨ１よりも下流に設けられている。第２バルブＶ２は、第１バルブＶ１と同様に、第２配管３２を流れるＩＰＡの蒸気の流通を制御する。第２バルブＶ２は、第２配管３２を流れるＩＰＡの蒸気の流量を調整する調整弁としても機能する。第２バルブＶ２は、例えば電磁弁である。第２バルブＶ２は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0064】

第３配管３３には、不活性ガス供給源２１から不活性ガスが供給される。第３配管３３は、第２配管３２に接続している。つまり、第３配管３３は、不活性ガスを第２配管３２まで流通させる。

【0065】

第３配管３３には、第３バルブＶ３が介装されている。第３バルブＶ３は、第３配管３３の流路を開閉する開閉弁である。第３バルブＶ３は、第１バルブＶ１と同様に、第３配管３３を流れる不活性ガスの流通を制御する。第３バルブＶ３は、第３配管３３を流れる不活性ガスの流量を調整する調整弁としても機能する。第３バルブＶ３は、例えば電磁弁である。第３バルブＶ３は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0066】

制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からＩＰＡの蒸気を吐出させる際に、第２バルブＶ２を開き、第３バルブＶ３を閉じる。一方、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４から不活性ガスを吐出させる際に、第２バルブＶ２を閉じ、第３バルブＶ３を開く。第３バルブＶ３が開くことにより、不活性ガスが第３配管３３から第２配管３２に流入し、第２配管３２を介して第３ノズル１３及び第４ノズル１４に不活性ガスが供給される。その結果、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からチャンバー２の内部へ不活性ガスが吐出される。

【0067】

第４配管３４には、不活性ガス供給源２１から不活性ガスが供給される。第４配管３４は、不活性ガス供給源２１から供給される不活性ガスを、第５ノズル１５及び第６ノズル１６まで流通させる。

【0068】

第５ノズル１５及び第６ノズル１６は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４の下方に配置される。第５ノズル１５及び第６ノズル１６の構成は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様である。第５ノズル１５及び第６ノズル１６は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様に、チャンバー２の内部へ不活性ガスを吐出する。

【0069】

第４配管３４には、第４バルブＶ４が介装されている。第４バルブＶ４は、第４配管３４の流路を開閉する開閉弁である。第４バルブＶ４は、第１バルブＶ１と同様に、第４配管３４を流れる不活性ガスの流通を制御する。第４バルブＶ４は、第４配管３４を流れる不活性ガスの流量を調整する調整弁としても機能する。第４バルブＶ４は、例えば電磁弁である。第４バルブＶ４は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0070】

第５配管３５には、撥水化剤供給源２３から撥水化剤ＳＭＴが供給される。第５配管３５には、第２ヒータＨ２が介装されている。第２ヒータＨ２は、撥水化剤ＳＭＴを加熱して、撥水化剤ＳＭＴを気化させる。つまり、第２ヒータＨ２は、撥水化剤ＳＭＴの蒸気を生成する。第５配管３５は、撥水化剤ＳＭＴの蒸気を第７ノズル１７及び第８ノズル１８まで流通させる。

【0071】

第７ノズル１７及び第８ノズル１８は、第５ノズル１５及び第６ノズル１６の下方に配置される。第７ノズル１７及び第８ノズル１８の構成は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様である。第７ノズル１７及び第８ノズル１８は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様に、チャンバー２の内部へ撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出する。

【0072】

第５配管３５には、第５バルブＶ５が介装されている。第５バルブＶ５は、第５配管３５の流路を開閉する開閉弁である。第５バルブＶ５は、第５配管３５に対して、第２ヒータＨ２よりも下流に設けられている。第５バルブＶ５は、第１バルブＶ１と同様に、第５配管３５を流れる撥水化剤ＳＭＴの蒸気の流通を制御する。第５バルブＶ５は、第５配管３５を流れる撥水化剤ＳＭＴの蒸気の流量を調整する調整弁としても機能する。第５バルブＶ５は、例えば電磁弁である。第５バルブＶ５は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0073】

第６配管３６には、ＤＩＷ供給源２４からＤＩＷが供給される。第６配管３６は、ＤＩＷ供給源２４から供給されるＤＩＷを第９ノズル１９及び第１０ノズル２０まで流通させる。

【0074】

第９ノズル１９及び第１０ノズル２０の構成は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２と同様である。第６配管３６を介して第９ノズル１９及び第１０ノズル２０にＤＩＷが供給されることにより、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０から処理槽３内へＤＩＷが吐出される。

【0075】

第６配管３６には、第６バルブＶ６が介装されている。第６バルブＶ６は、第６配管３６の流路を開閉する開閉弁である。第６バルブＶ６は、第１バルブＶ１と同様に、第６配管３６を流れるＤＩＷの流通を制御する。第６バルブＶ６は、第６配管３６を流れるＤＩＷの流量を調整する調整弁としても機能する。第６バルブＶ６は、例えば電磁弁である。第６バルブＶ６は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0076】

第７配管３７には、ＩＰＡ供給源２２からＩＰＡが供給される。第７配管３７は、第６配管３６に接続している。つまり、第７配管３７は、ＩＰＡを第６配管３６まで流通させる。

【0077】

第７配管３７には、第７バルブＶ７が介装されている。第７バルブＶ７は、第７配管３７の流路を開閉する開閉弁である。第７バルブＶ７は、第１バルブＶ１と同様に、第７配管３７を流れるＩＰＡの流通を制御する。第７バルブＶ７は、第７配管３７を流れるＩＰＡの流量を調整する調整弁としても機能する。第７バルブＶ７は、例えば電磁弁である。第７バルブＶ７は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。

【0078】

制御装置１１０（制御部１１１）は、処理槽３にＤＩＷを貯める際に、第６バルブＶ６を開き、第７バルブＶ７を閉じる。これにより、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０から処理槽３内へＤＩＷが吐出される。

【0079】

一方、制御装置１１０（制御部１１１）は、処理槽３にｄＩＰＡを貯める際に、第６バルブＶ６及び第７バルブＶ７を開く。第６バルブＶ６及び第７バルブＶ７が開くことにより、ＩＰＡが第７配管３７から第６配管３６に流入し、第６配管３６を流通しているＤＩＷにＩＰＡが合流して、第６配管３６内でｄＩＰＡが生成される。ｄＩＰＡは、第６配管３６を介して第９ノズル１９及び第１０ノズル２０に供給される。その結果、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０から処理槽３内へｄＩＰＡが吐出される。

【0080】

また、制御装置１１０（制御部１１１）は、ｄＩＰＡにおいて、ＩＰＡの濃度が所定の濃度となるように、第６バルブＶ６及び第７バルブＶ７の開度を調整する。所定の濃度は、０．３％以上５％未満である。

【0081】

排液ライン４１は、処理槽３の底部に接続している。排液ライン４１には、第８バルブＶ８が介装されている。第８バルブＶ８は、排液ライン４１の流路を開閉する開閉弁である。第８バルブＶ８は、例えば電磁弁である。第８バルブＶ８は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。制御装置１１０（制御部１１１）は、処理槽３内に処理液を貯める際に、第８バルブＶ８を閉じる。一方、制御装置１１０（制御部１１１）は、処理槽３から処理液を排出させる際に、第８バルブＶ８を開く。第８バルブＶ８が開くと、処理槽３に貯められていた処理液が、排液ライン４１を介して、処理槽３からチャンバー２の外部へ排出される。

【0082】

減圧部２５は、チャンバー２内の圧力を減少させる。つまり、減圧部２５は、チャンバー２内を減圧する。減圧部２５は、例えば、排気ポンプを含む。排気ポンプは、例えば、真空ポンプである。減圧部２５は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。詳しくは、減圧部２５は、排気ライン４２を介してチャンバー２に接続している。減圧部２５は、カバー２ａが閉状態の際にチャンバー２内の気体を排気して、チャンバー２内を大気圧未満に減圧する。

【0083】

続いて、図１～図９を参照して本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、図１及び図２を参照して説明した基板処理装置１００により実行される。図３～図９は、本実施形態の基板処理方法を示すフロー図である。詳しくは、図３～図９は、基板処理装置１００が実行する処理シーケンスを示す。図３～図９に示すように、本実施形態の基板処理方法（処理シーケンス）は、ステップＳ１～ステップＳ２１を含む。

【0084】

まず、図３に示すように、ステップＳ１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第１処理位置へ移動させて、チャンバー２内に搬入された基板Ｗを、処理槽３に貯留されているＤＩＷに浸漬させる。

【0085】

チャンバー２内には、エッチング処理後（ウェットエッチング処理後）の基板Ｗが搬入される。エッチング処理後の基板ＷをＤＩＷに浸漬させることにより、基板Ｗの表面に付着しているエッチング液が、ＤＩＷによって水洗される。

【0086】

本実施形態では、ステップＳ１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０（液供給部５）からＤＩＷを吐出させる。これにより、エッチング液が、より水洗される。

【0087】

また、ステップＳ１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４から不活性ガスを吐出させる。例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板ＷをＤＩＷに浸漬させた後に不活性ガスの吐出を開始する。なお、このとき、減圧部２５は駆動していない。したがって、チャンバー２の内圧は大気圧となっている。

【0088】

次に、ステップＳ２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、不活性ガスの吐出を継続させる。また、ステップＳ２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０（液供給部５）からのＤＩＷの吐出を停止させる。なお、このとき、減圧部２５は駆動していない。したがって、チャンバー２の内圧は大気圧となっている。

【0089】

次に、ステップＳ３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、不活性ガスの吐出を継続させる。また、ステップＳ３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、減圧部２５を駆動させることにより、排気ライン４２を介してチャンバー２内の気体を排気させる。この結果、チャンバー２内が大気圧未満に減圧される。なお、このとき、基板ＷはＤＩＷに浸漬されている。したがって、基板Ｗが乾燥してパターンが倒壊することを回避できる。

【0090】

次に、図４に示すように、ステップＳ４において、制御装置１１０（制御部１１１）は、チャンバー２内の減圧を継続させる。チャンバー２内の減圧は、ステップＳ１２（図６）まで継続される。また、ステップＳ４において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からＩＰＡの蒸気を吐出させる。この結果、チャンバー２内にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成される。なお、ＩＰＡの蒸気の吐出は、ステップＳ７（図７）まで継続される。

【0091】

次に、ステップＳ５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第２処理位置へ移動させて、基板ＷをＤＩＷから引き上げる。この結果、基板Ｗに付着している水滴（ＤＩＷの液滴）がＩＰＡの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Ｗに付着している水滴がＩＰＡの液滴に置換される。

【0092】

また、ステップＳ５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第８バルブＶ８を開いて、排液ライン４１を介して処理槽３からＤＩＷを排出させる。なお、第８バルブＶ８の開状態は、ステップＳ１３（図７）まで維持される。

【0093】

本実施形態によれば、ステップＳ５において、減圧下で、水滴からＩＰＡの液滴への置換を行うことができる。したがって、大気圧下で行う場合と比べて、水滴からＩＰＡの液滴への置換を短時間で行うことができる。

【0094】

次に、ステップＳ６において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第１処理位置へ移動させて、基板Ｗを処理槽３内へ移動させる。このとき、処理槽３内にＤＩＷは残っていない。

【0095】

次に、図５に示すように、ステップＳ７において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第２処理位置へ移動させて、処理槽３から基板Ｗを引き上げる。また、ステップＳ７において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第７ノズル１７及び第８ノズル１８から撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出させる。なお、ステップＳ７においてＩＰＡの蒸気及び撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出させているのは、チャンバー２内の圧力の変動を抑制するためである。

【0096】

次に、ステップＳ８において、制御装置１１０（制御部１１１）は、撥水化剤ＳＭＴの蒸気の吐出を継続させる。また、ステップＳ８において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ＩＰＡの蒸気の吐出を停止させる。この結果、基板Ｗに付着しているＩＰＡの液滴が撥水化剤ＳＭＴの液滴に置換されて、撥水性保護膜が基板Ｗの表面に形成される。したがって、基板Ｗに形成されているパターンが撥水性保護膜によって覆われる（撥水化処理）。パターンを撥水性保護膜で覆うことにより、パターンの倒壊を回避することができる。

【0097】

次に、ステップＳ９において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からＩＰＡの蒸気を吐出させる。また、ステップＳ９において、制御装置１１０（制御部１１１）は、撥水化剤ＳＭＴの蒸気の吐出を継続させる。ステップＳ９においてＩＰＡの蒸気及び撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出させているのは、チャンバー２内の圧力の変動を抑制するためである。

【0098】

次に、図６に示すように、ステップＳ１０において、制御装置１１０（制御部１１１）は、撥水化剤ＳＭＴの蒸気の吐出を停止させる。また、ステップＳ１０において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ＩＰＡの蒸気の吐出を継続させる。この結果、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物がＩＰＡの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物がＩＰＡの液滴に置換される。

【0099】

次に、ステップＳ１１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４から不活性ガスを吐出させる。

【0100】

次に、ステップＳ１２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、第１ノズル１１、第２ノズル１２、第５ノズル１５、及び第６ノズル１６からも不活性ガスを吐出させる。この結果、基板Ｗが乾燥する。本実施形態では、減圧下で基板Ｗを乾燥させる。減圧下で基板Ｗを乾燥させることにより、大気圧下で基板Ｗを乾燥させる場合と比べて、乾燥効率を高めることができる。すなわち、基板Ｗの乾燥に要する時間を短縮させることができる。

【0101】

次に、図７に示すように、ステップＳ１３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第１ノズル１１～第６ノズル１６からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、減圧部２５の駆動を停止させる。この結果、チャンバー２の内圧が大気圧に戻る。

【0102】

次に、ステップＳ１４において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第１ノズル１１、第２ノズル１２、第５ノズル１５、及び第６ノズル１６からの不活性ガスの吐出を停止させる一方で、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からの不活性ガスの吐出を継続させる。

【0103】

また、ステップＳ１４において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第８バルブＶ８を閉じた後、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０からｄＩＰＡを吐出させて、処理槽３内にｄＩＰＡを貯留させる。このとき、チャンバー２の内圧は大気圧となっている。したがって、処理槽３内にｄＩＰＡを容易に貯留させることができる。

【0104】

次に、ステップＳ１５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ｄＩＰＡの吐出を停止させる。また、ステップＳ１５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第１処理位置へ移動させて、処理槽３に貯留されているｄＩＰＡに基板Ｗを浸漬させる（浸漬工程）。この結果、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物とＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルが、ｄＩＰＡによって除去される。具体的には、撥水化剤ＳＭＴとＩＰＡとの反応に起因して発生するパーティクルは、ｄＩＰＡに含まれる水に溶解する。

【0105】

また、ステップＳ１５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、不活性ガスの吐出を継続させる一方で、減圧部２５を駆動することにより、排気ライン４２を介してチャンバー２内の気体を排気させる。この結果、チャンバー２内が大気圧未満に減圧される。チャンバー２内の減圧は、ステップＳ１９（図９）まで継続される。

【0106】

なお、ステップＳ１５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ｄＩＰＡの吐出を継続させてもよい。ｄＩＰＡの吐出を継続させることにより、撥水化剤ＳＭＴとＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルを、より除去することができる。

【0107】

また、ステップＳ１５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板ＷがｄＩＰＡに浸漬している状態を保ちつつ、保持部５０を上下方向に揺動させてもよい。これにより、撥水化剤ＳＭＴとＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルを、より除去することができる。

【0108】

次に、図８に示すように、ステップＳ１６において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からＩＰＡの蒸気を吐出させる。この結果、チャンバー２内にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成される。

【0109】

次に、ステップＳ１７において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第２処理位置へ移動させて、ｄＩＰＡから基板Ｗを引き上げる（引き上げ工程）。この結果、基板Ｗに付着しているｄＩＰＡの液滴がＩＰＡの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Ｗに付着しているｄＩＰＡの液滴がＩＰＡの液滴に置換される。

【0110】

また、ステップＳ１７において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第８バルブＶ８を開いて、処理槽３から排液ライン４１を介してｄＩＰＡを排出させる。なお、第８バルブＶ８の開状態は、ステップＳ２１（図９）まで維持される。

【0111】

本実施形態によれば、ステップＳ１７において、減圧下で、ｄＩＰＡの液滴からＩＰＡの液滴への置換を行うことができる。したがって、大気圧下で行う場合と比べて、ｄＩＰＡの液滴からＩＰＡの液滴への置換を短時間で行うことができる。

【0112】

次に、ステップＳ１８において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４から不活性ガスを吐出させる。

【0113】

次に、図９に示すように、ステップＳ１９において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、第１ノズル１１、第２ノズル１２、第５ノズル１５、及び第６ノズル１６からも不活性ガスを吐出させる（乾燥工程）。この結果、基板Ｗが乾燥する。

【0114】

本実施形態では、減圧下で基板Ｗを乾燥させる。減圧下で基板Ｗを乾燥させることにより、大気圧下で基板Ｗを乾燥させる場合と比べて、乾燥効率を高めることができる。

【0115】

次に、ステップＳ２０において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第１ノズル１１～第６ノズル１６からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、減圧部２５の駆動を停止させる。この結果、チャンバー２の内圧が大気圧に戻る。

【0116】

次に、ステップＳ２１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第１ノズル１１、第２ノズル１２、第５ノズル１５、及び第６ノズル１６からの不活性ガスの吐出を停止させる一方で、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からの不活性ガスの吐出を継続させる。このとき、チャンバー２の内圧は大気圧となっている。

【0117】

以上、図１～図９を参照して本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物とＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルを、ｄＩＰＡによって除去することができる。したがって、基板Ｗの清浄度を向上させることができる。

【0118】

また、本実施形態によれば、撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出する前に、基板Ｗの表面に付着している水滴をＩＰＡの液滴に置換することができる。したがって、基板Ｗの表面に水滴が付着している場合に比べて、基板Ｗの表面に撥水化剤ＳＭＴの液滴を容易に付着させることができる。

【0119】

また、本実施形態によれば、乾燥処理（ステップＳ１９）の前に、基板Ｗの表面に付着しているｄＩＰＡの液滴をＩＰＡの液滴に置換することができる。ＩＰＡは、ｄＩＰＡと比べて表面張力が小さいため、乾燥処理時にパターンに作用する液体の表面張力がより小さくなり、パターンの倒壊をより回避することができる。

【0120】

また、本実施形態によれば、減圧下で撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出して基板Ｗの表面に撥水化膜を形成することができる。したがって、大気圧下で撥水化剤ＳＭＴの蒸気を吐出して基板Ｗの表面に撥水化膜を形成する場合と比べて、撥水化膜をより容易に形成することができる。

【0121】

［実施形態２］
続いて図１、図２、図１０及び図１１を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、ｄＩＰＡによるリンス処理以降の処理を大気圧下で行う。

【0122】

図１０及び図１１は、本実施形態の基板処理方法を示すフロー図である。詳しくは、図１０及び図１１は、基板処理装置１００が実行する処理シーケンスを示す。図１０及び図１１に示すように、本実施形態の基板処理方法（処理シーケンス）は、ステップＳ３１～ステップＳ３６を含む。

【0123】

本実施形態において、制御装置１１０（制御部１１１）は、まず、実施形態１で説明したステップＳ１～ステップＳ１４の処理を実行する。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、図１０に示すように、ステップＳ３１において、ｄＩＰＡの吐出を停止させる。また、ステップＳ３１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第１処理位置へ移動させて、処理槽３に貯留されているｄＩＰＡに基板Ｗを浸漬させる（浸漬工程）。この結果、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物とＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルが、ｄＩＰＡによって除去される。

【0124】

また、ステップＳ３１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ１５と同様に、不活性ガスの吐出を継続させる。その一方で、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ１５と異なり、減圧部２５を駆動させない。したがって、チャンバー２の内圧は大気圧で維持される。チャンバー２の内圧は、ステップＳ３４（図１１）まで大気圧で維持される。

【0125】

なお、ステップＳ３１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ１５と同様に、ｄＩＰＡの吐出を継続させてもよい。また、ステップＳ３１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ１５と同様に、基板ＷがｄＩＰＡに浸漬している状態を保ちつつ、保持部５０を上下方向に揺動させてもよい。

【0126】

次に、ステップＳ３２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からＩＰＡの蒸気を吐出させる。この結果、チャンバー２内にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成される。

【0127】

次に、ステップＳ３３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第２処理位置へ移動させて、ｄＩＰＡから基板Ｗを引き上げる（引き上げ工程）。また、ステップＳ３３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第８バルブＶ８を開いて、処理槽３から排液ライン４１を介してｄＩＰＡを排出させる。なお、第８バルブＶ８の開状態は、ステップＳ３６（図１１）まで維持される。

【0128】

次に、図１１に示すように、ステップＳ３４において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ＩＰＡの蒸気の吐出を継続させる。この結果、基板Ｗに付着しているｄＩＰＡの液滴がＩＰＡの蒸気によって除去される。

【0129】

次に、ステップＳ３５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、減圧部２５を駆動させることにより、排気ライン４２を介してチャンバー２内の気体を排気させる。この結果、チャンバー２内が大気圧未満に減圧される。また、ステップＳ３５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４から不活性ガスを吐出させることにより、基板Ｗを乾燥させる（乾燥工程）。

【0130】

本実施形態では、減圧下で基板Ｗを乾燥させる。減圧下で基板Ｗを乾燥させることにより、大気圧下で基板Ｗを乾燥させる場合と比べて、乾燥効率を高めることができる。

【0131】

次に、ステップＳ３６において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、第１ノズル１１、第２ノズル１２、第５ノズル１５、及び第６ノズル１６からも不活性ガスを吐出させる。また、ステップＳ３６において、制御装置１１０（制御部１１１）は、減圧部２５の駆動を停止させる。この結果、チャンバー２の内圧が大気圧に戻る。

【0132】

本実施形態によれば、第１ノズル１１～第６ノズル１６から不活性ガスを吐出させることにより、チャンバー２の内圧を大気圧に効率よく戻すことができる。

【0133】

以上、図１、図２、図１０及び図１１を参照して本発明の実施形態２について説明した。本実施形態によれば、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物とＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルを、ｄＩＰＡによって除去することができる。したがって、基板Ｗの清浄度を向上させることができる。

【0134】

［実施形態３］
続いて図１、図２、及び図１２～図１５を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、大気圧化で処理を行う。

【0135】

図１２～図１５は、本実施形態の基板処理方法を示すフロー図である。詳しくは、図１２～図１５は、基板処理装置１００が実行する処理シーケンスを示す。図１２～図１５に示すように、本実施形態の基板処理方法（処理シーケンス）は、ステップＳ４１～ステップＳ５２を含む。

【0136】

まず、図１２に示すように、ステップＳ４１及びステップＳ４２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態１で説明したステップＳ１及びステップＳ２と同様の処理を行う。ステップＳ４１及びステップＳ４２の処理は、実施形態１で説明したステップＳ１及びステップＳ２と同様であるため、その説明は割愛する。

【0137】

次に、ステップＳ４３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態１で説明したステップＳ３と同様に、第３ノズル１３及び第４ノズル１４からの不活性ガスの吐出を継続させる。一方、ステップＳ４３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態１で説明したステップＳ３と異なり、減圧部２５を駆動させない。したがって、チャンバー２の内圧は大気圧で維持される。チャンバー２の内圧は、ステップＳ５２（図１５）まで大気圧で維持される。

【0138】

次に、図１３に示すように、ステップＳ４４及びステップＳ４５において、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態１で説明したステップＳ４及びステップＳ５と同様の処理を行う。ステップＳ４４及びステップＳ４５の処理は、大気圧化で行われることを除いて、実施形態１で説明したステップＳ４及びステップＳ５と同様であるため、その説明は割愛する。なお、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ４５において、第８バルブＶ８を開いて、排液ライン４１を介して処理槽３からＤＩＷを排出させる。第８バルブＶ８の開状態は、ステップＳ５０（図１５）まで維持される。

【0139】

次に、ステップＳ４６において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ＩＰＡの蒸気の吐出を継続させるとともに、保持部５０の位置を第２処理位置で維持する。この結果、基板Ｗに付着している水滴（ＤＩＷの液滴）がＩＰＡの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Ｗに付着している水滴がＩＰＡの液滴に置換される。

【0140】

次に、図１４に示すように、ステップＳ４７～ステップＳ４９において、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態１で説明したステップＳ７～ステップＳ９と同様の処理を行う。ステップＳ４７～ステップＳ４９の処理は、大気圧化で行われることを除いて、実施形態１で説明したステップＳ７～ステップＳ９と同様であるため、その説明は割愛する。

【0141】

次に、図１５に示すように、ステップＳ５０において、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態１で説明したステップＳ１０と同様の処理を行う。ステップＳ５０の処理は、大気圧化で行われることを除いて、実施形態１で説明したステップＳ１０と同様であるため、その説明は割愛する。

【0142】

次に、ステップＳ５１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ＩＰＡの蒸気の吐出を継続させる。また、ステップＳ５１において、制御装置１１０（制御部１１１）は、第８バルブＶ８を閉じた後、第９ノズル１９及び第１０ノズル２０からｄＩＰＡを吐出させて、処理槽３内にｄＩＰＡを貯留させる。このとき、チャンバー２の内圧は大気圧となっている。したがって、処理槽３内にｄＩＰＡを容易に貯留させることができる。

【0143】

次に、ステップＳ５２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ｄＩＰＡの吐出を停止させる。また、ステップＳ５２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、保持部５０を第１処理位置へ移動させて、処理槽３に貯留されているｄＩＰＡに基板Ｗを浸漬させる（浸漬工程）。この結果、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物とＩＰＡとの反応に起因して発生したパーティクルが、ｄＩＰＡによって除去される。また、ステップＳ５２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ＩＰＡの蒸気の吐出を継続させる。

【0144】

その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態２で説明したステップＳ３３～ステップＳ３６の処理を実行する。

【0145】

なお、ステップＳ５２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ１５と同様に、ｄＩＰＡの吐出を継続させてもよい。また、ステップＳ５２において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ステップＳ１５と同様に、基板ＷがｄＩＰＡに浸漬している状態を保ちつつ、保持部５０を上下方向に揺動させてもよい。

【0146】

以上、図１、図２、及び図１２～図１５を参照して本発明の実施形態３について説明した。本実施形態によれば、実施形態１、２と同様に、基板Ｗの清浄度を向上させることができる。また、本実施形態によれば、チャンバー２の内圧を大気圧で維持するため、基板Ｗに付着している撥水化剤ＳＭＴの残渣物をＩＰＡの蒸気によって除去した後（ステップＳ５０の後）、乾燥処理（実施形態１で説明したステップＳ１１～Ｓ１３）を行うことなく、処理槽３内にｄＩＰＡを供給することができる。

【0147】

以上、図面（図１～図１５）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

【0148】

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

【0149】

例えば、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、ＤＩＷによるエッチング液のリンス処理が乾燥処理ユニット１０１の処理槽３内で行われたが、ＤＩＷによるエッチング液のリンス処理は、乾燥処理ユニット１０１とは異なる処理ユニットの処理槽内で行われてもよい。例えば、ＤＩＷによるエッチング液のリンス処理は、基板Ｗをエッチングする処理ユニットの処理槽内で行われてもよい。

【0150】

また、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、撥水化処理が乾燥処理ユニット１０１のチャンバー２内で行われたが、撥水化処理は、乾燥処理ユニット１０１とは異なる処理ユニットのチャンバー内で行われてもよい。

【0151】

また、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、基板ＷをｄＩＰＡに浸漬させている際に、基板Ｗを上下方向に揺動させたが、基板Ｗを揺動させる方向は上下方向に限定されない。いずれの方向に基板Ｗを揺動させても、パーティクルの除去を促進させることができる。例えば、基板ＷをｄＩＰＡに浸漬させている際に、基板Ｗを横方向に揺動させてもよい。

【0152】

また、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、蒸気化された撥水化剤ＳＭＴを用いて基板Ｗを撥水化させたが、液状の撥水化剤ＳＭＴを処理槽３に貯留させて、処理槽３内の撥水化剤ＳＭＴに基板Ｗを浸漬させてもよい。

【0153】

また、図１、図２、及び図１２～図１５を参照して説明した実施形態（実施形態３）では、ステップＳ５２の後、実施形態２で説明したステップＳ３３～ステップＳ３６の処理が実行されたが、図１６に示すように、ステップＳ５２の後の処理を減圧下で行ってもよい。以下、図１６を参照して、本発明の他の実施形態を説明する。

【0154】

図１６は、本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。図１６に示すように、本実施形態の基板処理方法（処理シーケンス）は、ステップＳ５２及びステップＳ６１を含む。

【0155】

図１６に示すように、制御装置１１０（制御部１１１）は、実施形態３で説明したステップＳ４１～ステップＳ５２の処理の実行後、ステップＳ６１において、ＩＰＡの蒸気の吐出を継続させる一方で、減圧部２５を駆動することにより、排気ライン４２を介してチャンバー２内の気体を排気させてもよい。この結果、チャンバー２内が大気圧未満に減圧される。他の実施形態では、ステップＳ６１の後、実施形態１で説明したステップＳ１７～ステップＳ２１の処理が実行される。

【産業上の利用可能性】

【0156】

本発明は、基板を処理する方法及び装置に有用である。

【符号の説明】

【0157】

２ ：チャンバー
３ ：処理槽
４ ：気体供給部
５ ：液供給部
２１ ：不活性ガス供給源
２２ ：ＩＰＡ供給源
２３ ：撥水化剤供給源
２４ ：ＤＩＷ供給源
２５ ：減圧部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：処理ユニット（乾燥処理ユニット）
１０３ ：昇降部
１１０ ：制御装置
１１１ ：制御部
１１２ ：記憶部
Ｗ ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】