特開2024-138199IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

基板処理方法、及び基板処理装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】基板の清浄度を向上させることができる基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコール（ｄＩＰＡ）を処理槽（３）に貯める工程（Ｓ１４）と、処理槽（３）内の希釈イソプロピルアルコール（ｄＩＰＡ）に、撥水化処理された基板（Ｗ）を浸漬する浸漬工程（Ｓ１５）とを包含する。
【選択図】図７

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、撥水性処理後にアルコールリンス処理を行うと、基板の表面に残留している撥水化剤がＩＰＡと反応してパーティクルが発生することがある。この結果、基板の清浄度が低下する可能性がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一局面によれば、基板処理方法は、基板を処理する方法である。当該基板処理方法は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコール（液状の希釈イソプロピルアルコール）を処理槽に貯める工程と、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する浸漬工程とを包含する。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係る基板処理方法、及び基板処理装置によれば、基板の清浄度を向上させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の内部の構成を示す模式図である。
【図2】 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の内部の構成を示す他の模式図である。
【図3】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図4】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図5】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図6】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図7】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図8】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図9】 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図10】 本発明の実施形態２に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図11】 本発明の実施形態２に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図12】 本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図13】 本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図14】 本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図15】 本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図16】 本発明の他の基板処理方法を示すフロー図である。

選択図 図7出願人が指定した本件の代表的な図

２ ：チャンバー ３ ：処理槽 ４ ：気体供給部 ５ ：液供給部 ２１ ：不活性ガス供給源 ２２ ：ＩＰＡ供給源 ２３ ：撥水化剤供給源 ２４ ：ＤＩＷ供給源 ２５ ：減圧部 １００ ：基板処理装置 １０１ ：処理ユニット（乾燥処理ユニット） １０３ ：昇降部 １１０ ：制御装置 １１１ ：制御部 １１２ ：記憶部 Ｗ ：基板

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