特開 2024-138833 振動素子及び振動デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024138833

(43)【公開日】2024-10-09

(54)【発明の名称】振動素子及び振動デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/19 20060101AFI20241002BHJP

【ＦＩ】

H03H9/19 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023049537

(22)【出願日】2023-03-27

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】山本 雄介

(72)【発明者】

【氏名】山口 啓一

(72)【発明者】

【氏名】西澤 竜太

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108BB02

5J108CC04

5J108CC08

5J108DD02

5J108EE03

5J108EE07

5J108EE09

5J108EE18

5J108FF07

5J108GG03

5J108GG11

5J108GG15

5J108GG16

5J108KK02

(57)【要約】

【課題】接合強度に優れた振動素子及び振動デバイスを提供する。
【解決手段】振動素子１は、薄肉部１１及び厚肉部１２を含む基板１０と、励振電極３１，３２、パッド電極３３，３４、及び引出電極３５，３６を含む電極部３０と、を備え、電極部３０は、基板１０上の、パッド電極配置領域１４及び第１領域１６に配置されている第１電極層４１と、第１電極層４１上で第１電極層４１と重なる領域に配置され、第１電極層４１より厚さが大きい第２電極層４２と、第２電極層４２上において、平面視で、パッド電極配置領域１４及び第１領域１６と重なる領域と、基板１０上において、平面視で、第２領域１７及び励振電極配置領域１３と重なる領域と、に亘って配置され、第２電極層４２より厚さが小さい第３電極層４３と、第３電極層４３上で第３電極層４３と重なる領域に配置され、第２電極層４２より厚さが小さい第４電極層４４と、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄肉部及び前記薄肉部より厚さが大きい厚肉部を含む基板と、
前記薄肉部の励振電極配置領域に配置されている励振電極と、前記厚肉部のパッド電極配置領域に配置されているパッド電極と、前記励振電極と前記パッド電極とを接続し、前記基板の引出電極配置領域に配置されている引出電極と、を含む電極部と、
を備え、
前記引出電極配置領域は、前記厚肉部に位置する部分を含む第１領域と、前記薄肉部に位置する部分を含む第２領域と、を含み、
前記電極部は、
前記基板上の、前記パッド電極配置領域及び前記第１領域に配置されている第１電極層と、
前記第１電極層上において、平面視で、前記パッド電極配置領域及び前記第１領域と重なる領域に配置され、前記第１電極層より厚さが大きい第２電極層と、
前記第２電極層上において、平面視で、前記パッド電極配置領域及び前記第１領域と重なる領域と、前記基板上において、平面視で、前記第２領域及び前記励振電極配置領域と重なる領域と、に亘って配置され、前記第２電極層より厚さが小さい第３電極層と、
前記第３電極層上において、平面視で、前記パッド電極配置領域、前記引出電極配置領域、及び前記励振電極配置領域と重なる領域に亘って配置され、前記第２電極層より厚さが小さい第４電極層と、を含む、
振動素子。

【請求項2】

前記第２電極層の厚さは、前記第４電極層の厚さの３倍以上である、
請求項１に記載の振動素子。

【請求項3】

前記第１領域は、前記薄肉部に位置する部分を含む、
請求項１に記載の振動素子。

【請求項4】

前記第１領域は、前記薄肉部に位置する部分を含む、
請求項２に記載の振動素子。

【請求項5】

前記基板は、前記厚肉部と前記薄肉部との間を接続し、傾斜部を有する接続部を含み、
前記第１領域は、平面視で、前記薄肉部及び前記接続部に位置する部分を含む、
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動素子。

【請求項6】

前記第２電極層及び前記第４電極層は、金であり、
前記第１電極層及び前記第３電極層は、ニッケル、クロム、及び窒化クロムの少なくとも１つを含む、
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動素子。

【請求項7】

前記第２電極層及び前記第４電極層は、金であり、
前記第１電極層及び前記第３電極層は、ニッケル、クロム、及び窒化クロムの少なくとも１つを含む、
請求項５に記載の振動素子。

【請求項8】

請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動素子と、
前記振動素子を収容し、接合材を介して前記振動素子が固定されたパッケージと、
を備える、
振動デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、振動素子及び振動デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、主面の一部に凹陥部を形成して高周波化を図った所謂逆メサ構造の圧電振動素子が開示されている。この圧電振動素子は、接着・固定に起因する応力の広がりを抑圧するために圧電振動素子を固定する厚肉部と振動部との間にスリットを設けている。また、高周波化に伴う電極の薄膜化により、特に、励振電極とパッド電極とを電気的に接続する幅の狭い引出電極において、シート抵抗の増大を防ぐために引出電極の厚みを励振電極の厚みより厚くしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－７６９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１の圧電振動素子は、圧電振動素子をパッケージに機械的接続且つ電気的接続する接合材がパッド電極に接合されている。そのため、パッド電極の厚さが不十分な場合、圧電振動素子と接合材との間の接合強度が得られず、結果として圧電振動素子とパッケージとの間の機械的接続又は電気的接続が不安定になるという課題があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

振動素子は、薄肉部及び前記薄肉部より厚さが大きい厚肉部を含む基板と、前記薄肉部の励振電極配置領域に配置されている励振電極と、前記厚肉部のパッド電極配置領域に配置されているパッド電極と、前記励振電極と前記パッド電極とを接続し、前記基板の引出電極配置領域に配置されている引出電極と、を含む電極部と、を備え、前記引出電極配置領域は、前記厚肉部に位置する部分を含む第１領域と、前記薄肉部に位置する部分を含む第２領域と、を含み、前記電極部は、前記基板上の、前記パッド電極配置領域及び前記第１領域に配置されている第１電極層と、前記第１電極層上において、平面視で、前記パッド電極配置領域及び前記第１領域と重なる領域に配置され、前記第１電極層より厚さが大きい第２電極層と、前記第２電極層上において、平面視で、前記パッド電極配置領域及び前記第１領域と重なる領域と、前記基板上において、平面視で、前記第２領域及び前記励振電極配置領域と重なる領域と、に亘って配置され、前記第２電極層より厚さが小さい第３電極層と、前記第３電極層上において、平面視で、前記パッド電極配置領域、前記引出電極配置領域、及び前記励振電極配置領域と重なる領域に亘って配置され、前記第２電極層より厚さが小さい第４電極層と、を含む。

【0006】

振動デバイスは、上記に記載の振動素子と、前記振動素子を収容し、接合材を介して前記振動素子が固定されたパッケージと、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係る振動素子の構成を示す斜視図。

【図2】ＡＴカット水晶基板と水晶の結晶軸との関係を説明する図。

【図3】図１に示す振動素子の平面図。

【図4】図３中のＡ１－Ａ１線断面図。

【図5】図３中のＡ２－Ａ２線断面図。

【図6】図３中のＡ３－Ａ３線断面図。

【図7】第２実施形態に係る振動素子の構成を示す平面図。

【図8】図７中のＢ１－Ｂ１線断面図。

【図9】第３実施形態に係る振動素子の構成を示す斜視図。

【図10】第４実施形態に係る振動デバイスの構成を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

１．第１実施形態
１．１．振動素子
第１実施形態に係る振動素子１について、図１～図６を参照して説明する。

【0009】

尚、説明の便宜上、図２を除く以降の各図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ’軸、及びＺ’軸を図示している。また、振動素子１の長手方向をＸ軸に沿った方向として「Ｘ方向」、振動素子１の厚み方向をＹ’軸に沿った方向として「Ｙ’方向」、Ｘ軸及びＹ’軸に垂直な方向をＺ’軸に沿った方向として「Ｚ’方向」と言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印と反対側を「マイナス側」とも言う。また、Ｙ’方向のプラス側を「表」、Ｙ’方向のマイナス側を「裏」とも言う。

【0010】

本実施形態の振動素子１は、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に形成された電極部３０と、を有している。

【0011】

基板１０は、板状の水晶基板である。ここで、基板１０の材料である水晶は、三方晶系に属しており、図２に示すように互いに直交する結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有している。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれ、電気軸、機械軸、光学軸と呼称される。本実施形態の基板１０は、ＸＺ面をＸ軸の回りに所定の角度θ回転させた平面に沿って切り出された「回転Ｙカット水晶基板」であり、例えばθ＝３５°１５’だけ回転させた平面に沿って切り出された場合の基板は「ＡＴカット水晶基板」という。このような水晶基板を用いることにより優れた温度特性を有する振動素子１となる。

【0012】

但し、基板１０としては、厚みすべり振動を励振することができれば、ＡＴカットの水晶基板に限定されず、例えば、ＢＴカットの水晶基板を用いてもよい。また、基板１０としては、水晶基板の他、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の各種圧電基板を用いてもよい。
尚、以下では、角度θに対応してＸ軸回りに回転したＹ軸及びＺ軸を、Ｙ’軸及びＺ’軸とする。即ち、基板１０は、Ｙ’方向に厚みを有し、ＸＺ’面方向に広がりを有する。

【0013】

基板１０は、平面視にて、Ｘ方向を長辺とし、Ｚ’方向を短辺とする長手形状をなしている。また、基板１０は、マイナスＸ方向を先端側とし、プラスＸ方向を基端側としている。基板１０のＸ方向の最大長さＬとし、Ｚ’方向の最大幅Ｗとしたとき、Ｌ／Ｗとしては、特に限定されないが、例えば、１．１～１．４程度とすることが好ましい。

【0014】

基板１０は、図１及び図３に示すように、振動エネルギーが閉じ込められる領域である振動領域の薄肉部１１と、薄肉部１１と一体化され、薄肉部１１より厚さが大きい厚肉部１２とを有している。
薄肉部１１は、基板１０の中央に対して、Ｘ方向マイナス側及びＺ’方向マイナス側に片寄っており、その外縁の一部が厚肉部１２から露出している。振動素子１の平面視にて、薄肉部１１の面積は、基板１０の面積の１／２以下であるのが好ましい。これにより、機械的強度が高い厚肉部１２を十分広く形成することができるため、薄肉部１１の剛性を十分に確保することができる。

【0015】

薄肉部１１は、振動素子１の平面視にて、厚み滑り振動の振動方向であるＸ方向に離間し、Ｚ’方向に延在する第１外縁２１及び第２外縁２２と、Ｚ’方向に離間し、Ｘ方向に延在する第３外縁２３及び第４外縁２４とを有している。第１外縁２１、第２外縁２２のうち、第１外縁２１がＸ方向プラス側に位置し、第２外縁２２がＸ方向マイナス側に位置している。また、第３外縁２３、第４外縁２４のうち、第３外縁２３がＺ’方向プラス側に位置し、第４外縁２４がＺ’方向マイナス側に位置している。また、第３外縁２３が第１外縁２１及び第２外縁２２のＺ’方向プラス側の端同士を連結しており、第４外縁２４が第１外縁２１及び第２外縁２２のＺ’方向マイナス側の端同士を連結している。

【0016】

また、図１に示すように、厚肉部１２のＹ’方向プラス側の主面である表面は、薄肉部１１のＹ’方向プラス側の主面である表面よりもＹ’方向プラス側へ突出して設けられている。一方、厚肉部１２のＹ’方向マイナス側の主面である裏面は、薄肉部１１のＹ’方向マイナス側の主面である裏面と同一平面上に設けられている。

【0017】

厚肉部１２は、第１外縁２１に沿って配置された厚肉部１２と、第３外縁２３に沿って配置された厚肉部１２とを有している。そのため、厚肉部１２は、平面視で、薄肉部１１に沿って曲がった構造を備え、略Ｌ字状をなしている。一方、薄肉部１１の第２外縁２２及び第４外縁２４には、厚肉部１２が形成されておらず、これら第２外縁２２、第４外縁２４は、厚肉部１２から露出している。このように、厚肉部１２を薄肉部１１の外縁に部分的に設けて略Ｌ字とし、第２外縁２２及び第４外縁２４に沿って設けないことによって、振動素子１の薄肉部１１の剛性を保ちつつ、振動素子１の先端側の質量を低減することができる。また、振動素子１の小型化を図ることができる。

【0018】

厚肉部１２は、厚肉部１２と薄肉部１１との間を接続する、第１外縁２１に連設され、プラスＸ方向に向けて厚みが漸増する傾斜部を有する接続部２６と、第３外縁２３に連設され、プラスＺ’方向に向けて厚みが漸増する傾斜部を有する接続部２５と、を備えている。また、接続部２６側の厚肉部１２がマウント部となり、導電性接着剤等を用いてパッケージ等に固定される。

【0019】

電極部３０は、一対の励振電極３１，３２と、一対のパッド電極３３，３４と、一対の引出電極３５，３６とを有している。

【0020】

励振電極３１，３２は、薄肉部１１の励振電極配置領域１３に配置されている。励振電極３１は、薄肉部１１の表面に形成されている。一方、励振電極３２は、薄肉部１１の裏面に、励振電極３１と対向して配置されている。励振電極３１、３２は、それぞれ、Ｘ方向を長手とし、Ｚ’方向を短手とする略矩形である。

【0021】

パッド電極３３，３４は、厚肉部１２のパッド電極配置領域１４に配置されている。パッド電極３３は、接続部２６側の厚肉部１２の表面に形成されている。一方、パッド電極３４は、接続部２６側の厚肉部１２の裏面に、パッド電極３３と対向して形成されている。

【0022】

引出電極３５，３６は、基板１０の引出電極配置領域１５に配置されている。尚、引出電極配置領域１５は、接続部２５，２６を含む厚肉部１２に位置する部分を含む第１領域１６と、薄肉部１１に位置する部分を含む第２領域１７と、で構成されている。引出電極３５は、励振電極３１とパッド電極３３とを電気的に接続している。一方、引出電極３６は、励振電極３２とパッド電極３４とを電気的に接続している。引出電極３５，３６は、基板１０を介して重ならないように設けられている。これにより、引出電極３５，３６間の静電容量を抑えることができる。

【0023】

また、電極部３０は、図３、図４、図５、及び図６に示すように、第１電極層４１、第２電極層４２、第３電極層４３、及び第４電極層４４の４層の金属が積層されたパッド電極３３，３４及び引出電極３５，３６の一部と、第３電極層４３及び第４電極層４４の２層の金属が積層された引出電極３５，３６の一部及び励振電極３１，３２と、で構成されている。

【0024】

具体的には、第１電極層４１は、基板１０上のパッド電極配置領域１４及び第１領域１６に配置されている。第２電極層４２は、第１電極層４１上において、平面視で、パッド電極配置領域１４及び第１領域１６と重なる領域に配置されている。尚、第２電極層４２の厚さｔ２は、第１電極層４１の厚さｔ１より大きい。また、第２電極層４２の厚さｔ２は、第４電極層４４の厚さｔ４の３倍以上であることが、シート抵抗の増大を制御する上で、より好ましい。

【0025】

第３電極層４３は、第２電極層４２上において、平面視で、パッド電極配置領域１４及び第１領域１６と重なる領域と、基板１０上において、平面視で、第２領域１７及び励振電極配置領域１３と重なる領域と、に亘って配置されている。尚、第３電極層４３の厚さｔ３は、第２電極層４２の厚さｔ２より小さい。

【0026】

第４電極層４４は、第３電極層４３上において、平面視で、パッド電極配置領域１４、引出電極配置領域１５、及び励振電極配置領域１３と重なる領域に亘って配置されている。尚、第４電極層４４の厚さｔ４は、第２電極層４２の厚さｔ２より小さい。

【0027】

電極部３０の構成材料は、第２電極層４２及び第４電極層４４は、金（Ａｕ）であり、第１電極層４１及び第３電極層４３は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、及び窒化クロム（ＣｒＮ）の少なくとも１つである。

【0028】

以上で述べたように本実施形態の振動素子１は、基板１０の接続部２５，２６を含む厚肉部１２に４層構造のパッド電極３３，３４と引出電極３５，３６とが設けられ、薄肉部１１に２層構造の励振電極３１，３２と引出電極３５，３６とが設けられている。従って、励振電極３１，３２の厚さを不要なスプリアスが発生し難い薄さとし、引出電極３５，３６の厚さをシート抵抗が増大し難い厚みとし、パッド電極３３，３４の厚さを十分な接合強度が得られる厚みとすることができる。そのため、振動特性に優れ、機械的信頼性又は電気的信頼性に優れた振動素子１を得ることができる。

【0029】

１．２．振動素子の製造方法
次に、振動素子１の製造方法について説明する。
振動素子１の製造方法は、基板１０の一部を薄肉化する薄肉部形成工程と、基板１０上に電極を形成する第１電極部形成工程と、第１電極部上と薄肉部上に電極を形成する第２電極部形成工程と、を含む。

【0030】

１．２．１．薄肉部形成工程
基板１０の表裏面に、スパッタリング等の成膜装置によって、金（Ａｕ）等のエッチング保護膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー技法及びエッチング技法を用いて、基板１０の表面に凹陥部を形成するための保護膜マスクを形成する。

【0031】

次に、エッチング液、例えば、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液を用いて、保護膜マスクを介して基板１０をウエットエッチングし、基板１０に薄肉部１１を形成する。

【0032】

１．２．２．第１電極部形成工程
薄肉部１１が形成された基板１０の表裏面に、スパッタリング等の成膜装置によって、クロム（Ｃｒ）等の第１電極層４１と金（Ａｕ）等の第２電極層４２とを積層して形成する。その後、フォトリソグラフィー技法及びエッチング技法を用いて、基板１０上のパッド電極配置領域１４及び引出電極配置領域１５の第１領域１６に、パッド電極３３，３４と引出電極３５，３６を形成する。

【0033】

１．２．３．第２電極部形成工程
パッド電極配置領域１４及び引出電極配置領域１５の第１領域１６に、パッド電極３３，３４と引出電極３５，３６が形成された基板１０の表裏面に、スパッタリング等の成膜装置によって、クロム（Ｃｒ）等の第３電極層４３と金（Ａｕ）等の第４電極層４４とを積層して形成する。その後、フォトリソグラフィー技法及びエッチング技法を用いて、第２電極層４２上のパッド電極配置領域１４及び引出電極配置領域１５の第１領域１６と重なる領域と、基板１０上の引出電極配置領域１５の第２領域１７及び励振電極配置領域１３にパッド電極３３，３４、引出電極３５，３６、及び励振電極３１，３２を形成する。

【0034】

以上の製造方法により、基板１０の接続部２５，２６を含む厚肉部１２に４層構造のパッド電極３３，３４と引出電極３５，３６が設けられ、薄肉部１１に２層構造の励振電極３１，３２と引出電極３５，３６が設けられた振動素子１を製造することができる。従って、励振電極３１，３２の厚さを不要なスプリアスが発生し難い薄さとし、引出電極３５，３６の厚さをシート抵抗が増大し難い厚みとし、パッド電極３３，３４の厚さを十分な接合強度が得られる厚みとすることができる。そのため、振動特性に優れ、機械的信頼性又は電気的信頼性に優れた振動素子１を得ることができる。

【0035】

２．第２実施形態
２．１．振動素子
次に、第２実施形態に係る振動素子１ａについて、図７及び図８を参照して説明する。

【0036】

本実施形態の振動素子１ａは、第１実施形態の振動素子１に比べ、電極部３０ａの配置位置構成が異なること以外は、第１実施形態の振動素子１と同様である。なお、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項は同じ符号を付してその説明を省略する。

【0037】

振動素子１ａは、図７に示すように、基板１０と、基板１０上に形成された電極部３０ａと、を有している。

【0038】

振動素子１ａの電極部３０ａは、４層構造のパッド電極３３，３４と、４層構造と２層構造から構成される引出電極３５ａ，３６ａと、２層構造の励振電極３１，３２と、で構成されている。４層構造の引出電極３５ａ，３６ａが形成される引出電極配置領域１５ａの第１領域１６ａは、薄肉部１１に位置する部分も含んでいる。つまり、図８に示すように、４層構造の引出電極３５ａは、接続部２５を含む厚肉部１２と薄肉部１１の一部に形成されている。

【0039】

このような構成とすることで振動素子１ａは、２層構造の引出電極３５ａ，３６ａを短くすることができ、シート抵抗の増大を更に抑制することができる。従って、接合強度に優れ、低ＣＩ値の振動素子１ａを得ることができる。

【0040】

３．第３実施形態
３．１．振動素子
次に、第３実施形態に係る振動素子１ｂについて、図９を参照して説明する。

【0041】

本実施形態の振動素子１ｂは、第１実施形態の振動素子１に比べ、基板１０ｂの形状が異なること以外は、第１実施形態の振動素子１と同様である。なお、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項は同じ符号を付してその説明を省略する。

【0042】

振動素子１ｂは、図９に示すように、基板１０ｂと、基板１０ｂ上に形成された電極部３０と、を有している。

【0043】

振動素子１ｂの基板１０ｂは、厚肉部１２のＹ’方向プラス側の主面である表面は、薄肉部１１ｂのＹ’方向プラス側の主面である表面よりもＹ’方向プラス側へ突出して設けられている。一方、厚肉部１２のＹ’方向マイナス側の主面である裏面は、薄肉部１１ｂのＹ’方向マイナス側の主面である裏面よりもＹ’方向マイナス側へ突出して設けられている。つまり、基板１０ｂの表裏面に凹陥部を形成することによって、薄肉部１１ｂが形成されている。そのため、製造方法において、前述した第１実施形態と比較して、凹陥部のエッチング深さを浅くでき、低コスト化が図れる。

【0044】

このような構成とすることで振動素子１ｂは、接合強度に優れ、低コストの振動素子１ｂを得ることができる。

【0045】

４．第４実施形態
４．１．振動デバイス
次に、第４実施形態に係る振動デバイス２について、図１０を参照して説明する。尚、本説明では、前述した振動素子１を備えた振動デバイス２を一例として挙げ説明する。

【0046】

振動デバイス２は、図１０に示すように、振動素子１と、振動素子１を収容するパッケージ５０と、パッケージ５０と収容空間５２を形成するリッド６０と、を有している。

【0047】

パッケージ５０は、第１面５５に開放する凹部５１を有し、第１面５５に凹部５１の開口を塞ぐリッド６０が接合されている。パッケージ５０の凹部５１をリッド６０で塞ぐことによって、振動素子１を収容する収容空間５２が形成される。収容空間５２は、減圧又は真空状態となっていてもよいし、窒素（Ｎｉ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスが封入されていてもよい。

【0048】

パッケージ５０の構成材料としては、特に限定されないが、酸化アルミニウム等の各種セラミックスを用いることができる。また、リッド６０の構成材料としては、特に限定されないが、パッケージ５０の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。尚、パッケージ５０とリッド６０の接合は、特に限定されず、例えば、接着剤を介して接合してもよいし、シーム溶接等により接合してもよい。

【0049】

パッケージ５０の内底面５３には、接続電極５６，５７が形成されている。また、パッケージ５０の第２面５４には、外部実装端子５８，５９が形成されている。接続電極５６は、パッケージ５０に形成された図示しない貫通電極を介して外部実装端子５８と電気的に接続されており、接続電極５７は、パッケージ５０に形成された図示しない貫通電極を介して外部実装端子５９と電気的に接続されている。

【0050】

収容空間５２内に収容されている振動素子１は、厚肉部１２のＹ’方向プラス側の主面である表面をパッケージ５０側に向けて、厚肉部１２のマウント部において、導電性接着剤である接合材６１によってパッケージ５０に固定されている。接合材６１は、接続電極５６とパッド電極３３とに接触して設けられている。これにより、接合材６１を介して接続電極５６とパッド電極３３とが電気的に接続される。接合材６１を用いて振動素子１を一カ所又は一点で支持することによって、例えば、パッケージ５０と基板１０の熱膨張率の差によって振動素子１に発生する応力を抑えることができる。

【0051】

振動素子１のパッド電極３４は、ボンディングワイヤー６２を介して接続電極５７に電気的に接続されている。前述したように、パッド電極３４は、パッド電極３３と対向して配置されているため、振動素子１がパッケージ５０に固定されている状態では、接合材６１の直上に位置している。そのため、ワイヤーボンディング時にパッド電極３４に与える超音波振動の漏れを抑制することができ、パッド電極３４へのボンディングワイヤー６２の接続をより確実に行うことができる。

【0052】

また、パッド電極３３，３４は、４層構造で十分な厚みを有している。そのため、接合材６１との接合強度やボンディングワイヤー６２との接合強度を十分確保することができる。従って、十分な接合強度を有するパッド電極３３，３４を備えた振動素子１をパッケージ５０内に固定している振動デバイス２は、機械的信頼性又は電気的信頼性に優れている。

【0053】

このような構成とすることで振動デバイス２は、励振電極３１，３２の厚さを不要なスプリアスが発生し難い薄さとし、引出電極３５，３６の厚さをシート抵抗が増大し難い厚みとし、パッド電極３３，３４の厚さを十分な接合強度が得られる厚みとした振動素子１を備えているので、良好な振動特性を有し、機械的信頼性又は電気的信頼性に優れた振動デバイス２を得ることができる。

【符号の説明】

【0054】

１，１ａ，１ｂ…振動素子、２…振動デバイス、１０…基板、１１…薄肉部、１２…厚肉部、１３…励振電極配置領域、１４…パッド電極配置領域、１５…引出電極配置領域、１６…第１領域、１７…第２領域、２１…第１外縁、２２…第２外縁、２３…第３外縁、２４…第４外縁、２５，２６…接続部、３０…電極部、３１，３２…励振電極、３３，３４…パッド電極、３５，３６…引出電極、４１…第１電極層、４２…第２電極層、４３…第３電極層、４４…第４電極層、５０…パッケージ、５１…凹部、５２…収容空間、５３…内底面、５４…第２面、５５…第１面、５６，５７…接続電極、５８，５９…外部実装端子、６０…リッド、６１…接合材、６２…ボンディングワイヤー、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４…厚さ、Ｌ…最大長さ、Ｗ…最大幅。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】