ホーム > 特許ランキング > 日本特殊陶業株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024138994
(43)【公開日】2024-10-09
(54)【発明の名称】保持装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20241002BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20241002BHJP
C23C 16/458 20060101ALI20241002BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
H01L21/302 101G
C23C16/458
【審査請求】有
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023049749
(22)【出願日】2023-03-27
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2024-06-28
(71)【出願人】
【識別番号】000004547
【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001036
【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】植松 大輔
(72)【発明者】
【氏名】公門 保明
(72)【発明者】
【氏名】井上 志郎
(72)【発明者】
【氏名】野村 一平
(72)【発明者】
【氏名】大原 穂波
【テーマコード（参考）】
4K030
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
4K030CA04
4K030CA12
4K030FA01
4K030GA02
4K030LA15
5F004AA16
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB29
5F131AA02
5F131AA03
5F131BA03
5F131BA04
5F131BA19
5F131BA23
5F131CA03
5F131CA06
5F131EA03
5F131EB11
5F131EB78
5F131EB82
5F131EB84
(57)【要約】
【課題】ガス流路の所定箇所に多孔質体を設置可能な保持装置の提供。
【解決手段】本発明の保持装置１００は、対象物Ｗを保持する第１表面Ｓ１、それの反対側に配される第２表面Ｓ２を含み、セラミックスを主成分とする板状部材１１と、その内部に形成されるガス流路１２と、ガス流路１２の一部に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０とを有する保持基板１０を備える。ガス流路１２は、第１表面Ｓ１側に開口したガス流出口１２ｂを含み、ガス流出口１２ｂから第２表面Ｓ２側に延びつつ、多孔質体７０が充填される縦流路部１２０と、縦流路部１２０と接続し、第１表面Ｓ１に対して平行に延びた横流路部１３０とを有する。多孔質体７０は、ガス流出口１２ｂよりも第２表面Ｓ２側であり、かつ横流路部１３０よりも第１表面Ｓ１側に配され、径方向においてガス流出口１２ｂよりも大きい幅広部７２を有する。
【選択図】図３
【解決手段】本発明の保持装置１００は、対象物Ｗを保持する第１表面Ｓ１、それの反対側に配される第２表面Ｓ２を含み、セラミックスを主成分とする板状部材１１と、その内部に形成されるガス流路１２と、ガス流路１２の一部に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０とを有する保持基板１０を備える。ガス流路１２は、第１表面Ｓ１側に開口したガス流出口１２ｂを含み、ガス流出口１２ｂから第２表面Ｓ２側に延びつつ、多孔質体７０が充填される縦流路部１２０と、縦流路部１２０と接続し、第１表面Ｓ１に対して平行に延びた横流路部１３０とを有する。多孔質体７０は、ガス流出口１２ｂよりも第２表面Ｓ２側であり、かつ横流路部１３０よりも第１表面Ｓ１側に配され、径方向においてガス流出口１２ｂよりも大きい幅広部７２を有する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
対象物を保持する第１表面、及び前記第１表面の反対側に配される第２表面を含み、セラミックスを主成分とする板状部材と、前記板状部材の内部に形成されるガス流路と、前記ガス流路の一部に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体とを有する保持基板を備える保持装置であって、
前記ガス流路は、
前記第１表面側に開口したガス流出口を含み、前記ガス流出口から前記第２表面側に延びつつ、前記多孔質体が充填される縦流路部と、
前記縦流路部と接続し、前記第１表面に対して平行に延びた横流路部とを有し、
前記多孔質体は、前記ガス流出口よりも前記第２表面側であり、かつ前記横流路部よりも前記第１表面側に配され、径方向において前記ガス流出口よりも大きい幅広部を有する保持装置。
前記ガス流路は、
前記第１表面側に開口したガス流出口を含み、前記ガス流出口から前記第２表面側に延びつつ、前記多孔質体が充填される縦流路部と、
前記縦流路部と接続し、前記第１表面に対して平行に延びた横流路部とを有し、
前記多孔質体は、前記ガス流出口よりも前記第２表面側であり、かつ前記横流路部よりも前記第１表面側に配され、径方向において前記ガス流出口よりも大きい幅広部を有する保持装置。
【請求項2】
前記幅広部は、前記第１表面側から前記第２表面側に向かって広がるように傾斜する傾斜面を含む請求項１に記載の保持装置。
【請求項3】
前記幅広部は、前記傾斜面を含む傾斜部と、前記傾斜部から前記第２表面側に真っ直ぐ延びた柱状部とを含む請求項２に記載の保持装置。
【請求項4】
前記幅広部は、前記横流路部に隣り合う形で配される請求項１から請求項３の何れか一項に記載の保持装置。
【請求項5】
前記縦流路部は、前記多孔質体の前記第２表面側に配されかつ前記多孔質体の前記第２表面側と対向する底部を含み、前記多孔質体が充填されない底側流路部と、前記ガス流出口の反対側であり、かつ前記底側流路部よりも前記第１表面側に配され、前記多孔質体の前記第２表面側を露出させるように前記底部側に開口した開口部とを有し、
前記開口部から露出した前記多孔質体の前記第２表面側が、前記底部と全面的に対向している請求項１に記載の保持装置。
前記開口部から露出した前記多孔質体の前記第２表面側が、前記底部と全面的に対向している請求項１に記載の保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、保持装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体を製造する際にウェハ（半導体ウェハ）を保持する保持装置の一例として、静電チャックが挙げられる（特許文献１参照）。静電チャックは、絶縁性のセラミックス（例えば、アルミナ）を主体とした保持基板（セラミック基板）を備えており、その保持基板の表面上でウェハが静電引力により保持される。静電引力は、保持基板の内部に設けられたチャック電極に電圧が印加されることで、発生する。
【0003】
この種の静電チャックでは、プラズマエッチング等のプラズマ処理において、保持基板とウェハとの間に、ヘリウムガス等の熱伝導ガスを供給して、ウェハから熱を取り除くことが行われている。そのため、静電チャックの保持基板の内部には、外部から供給された熱伝導ガスを、ウェハに向かって流すためのガス流路が形成されている。
【0004】
なお、プラズマ処理時に印加される高周波電力により、ガス流路内で異常放電（アーキング）が発生して、その異常放電により保持基板上のウェハが損傷することがあった。そのため、このような異常放電の発生を抑制するために、ガス流路の内部に、絶縁性のセラミック材料からなるガス透過性の多孔質体が設けられていた。
【0005】
多孔質体は、例えば、セラミック粉末、造孔材、バインダ等を含むペースト状の未焼成組成物を、所定形状に成形した状態で焼成することで得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特許第４９５９９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
静電チャックを製造する際に、例えば、保持基板用のグリーンシートに設けられたガス流路用の円筒状の孔部に、前記未焼成組成物を充填した状態で、前記グリーンシート及び前記未焼成組成物を同時に焼成（脱脂焼成等）すると、前記未焼成組成物からなる多孔質体が、前記孔部から内圧の影響等により、浮き上がるように外側へ突出する等して変形することがあった。そのため、従来の静電チャックでは、多孔質体等の歩留まりが悪くなることがあり、問題となっていた。
【0008】
本発明の目的は、ガス流路の所定箇所に多孔質体を設置可能な保持装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 対象物を保持する第１表面、及び前記第１表面の反対側に配される第２表面を含み、セラミックスを主成分とする板状部材と、前記板状部材の内部に形成されるガス流路と、前記ガス流路の一部に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体とを有する保持基板を備える保持装置であって、前記ガス流路は、前記第１表面側に開口したガス流出口を含み、前記ガス流出口から前記第２表面側に延びつつ、前記多孔質体が充填される縦流路部と、前記縦流路部と接続し、前記第１表面に対して平行に延びた横流路部とを有し、前記多孔質体は、前記ガス流出口よりも前記第２表面側であり、かつ前記横流路部よりも前記第１表面側に配され、径方向において前記ガス流出口よりも大きい幅広部を有する保持装置。
＜１＞ 対象物を保持する第１表面、及び前記第１表面の反対側に配される第２表面を含み、セラミックスを主成分とする板状部材と、前記板状部材の内部に形成されるガス流路と、前記ガス流路の一部に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体とを有する保持基板を備える保持装置であって、前記ガス流路は、前記第１表面側に開口したガス流出口を含み、前記ガス流出口から前記第２表面側に延びつつ、前記多孔質体が充填される縦流路部と、前記縦流路部と接続し、前記第１表面に対して平行に延びた横流路部とを有し、前記多孔質体は、前記ガス流出口よりも前記第２表面側であり、かつ前記横流路部よりも前記第１表面側に配され、径方向において前記ガス流出口よりも大きい幅広部を有する保持装置。
【0010】
＜２＞ 前記幅広部は、前記第１表面側から前記第２表面側に向かって広がるように傾斜する傾斜面を含む前記＜１＞に記載の保持装置。
【0011】
＜３＞ 前記幅広部は、前記傾斜面を含む傾斜部と、前記傾斜部から前記第２表面側に真っ直ぐ延びた柱状部とを含む前記＜２＞に記載の保持装置。
【0012】
＜４＞ 前記幅広部は、前記横流路部に隣り合う形で配される前記＜１＞から＜３＞の何れか１つに記載の保持装置。
【0013】
＜５＞ 前記縦流路部は、前記多孔質体の前記第２表面側に配されかつ前記多孔質体の前記第２表面側と対向する底部を含み、前記多孔質体が充填されない底側流路部と、前記ガス流出口の反対側であり、かつ前記底側流路部よりも前記第１表面側に配され、前記多孔質体の前記第２表面側を露出させるように前記底部側に開口した開口部とを有し、 前記開口部から露出した前記多孔質体の前記第２表面側が、前記底部と全面的に対向している前記＜１＞から＜４＞の何れか１つに記載の保持装置。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、ガス流路の所定箇所に多孔質体を設置可能な保持装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】実施形態１に係る保持装置の外観構成を模式的に表した斜視図
【図2】実施形態１に係る保持装置の内部構造を模式的に表した断面図
【図3】基板側ガス流路の一部を拡大した保持基板の断面図
【図5】保持基板の製造方法を模式的に表した説明図
【図6】保持基板の製造方法を模式的に表した説明図
【図7】射出成型装置を用いて、グリーンシートの積層物（第１積層物）に設けられた孔部に、多孔質体用ペーストを充填する方法を模式的に表した説明図
【図8】スクリーン印刷装置を用いて、グリーンシートの積層物（第１積層物）に設けられた孔部に、多孔質体用ペーストを充填する方法を模式的に表した説明図
【図9】実施形態２に係る保持基板の基板側ガス流路の一部を拡大した断面図
【図10】実施形態３に係る保持基板の基板側ガス流路の一部を拡大した断面図
【図11】実施形態４に係る保持基板の基板側ガス流路の一部を拡大した断面図
【図12】実施形態５に係る保持基板の基板側ガス流路の一部を拡大した断面図
【図13】実施形態６に係る保持基板の基板側ガス流路の一部を拡大した断面図
【発明を実施するための形態】
【0016】
＜実施形態１＞
以下、実施形態１に係る保持装置１００を、図１～図８を参照しつつ説明する。保持装置１００は、対象物（例えば、ウェハＷ）を、静電引力によって吸着して保持する静電チャックである。静電チャックは、例えば減圧されたチャンバー内でプラズマを用いてエッチングを行うプロセスにおいて、ウェハＷを載置するテーブルとして使用される。
以下、実施形態１に係る保持装置１００を、図１～図８を参照しつつ説明する。保持装置１００は、対象物（例えば、ウェハＷ）を、静電引力によって吸着して保持する静電チャックである。静電チャックは、例えば減圧されたチャンバー内でプラズマを用いてエッチングを行うプロセスにおいて、ウェハＷを載置するテーブルとして使用される。
【0017】
図１は、実施形態１に係る保持装置１００の外観構成を模式的に表した斜視図であり、図２は、実施形態１に係る保持装置１００の内部構造を模式的に表した断面図である。保持装置１００は、円板状の保持基板（セラミック基板）１０と、その保持基板１０よりも大きな円板状のベース部材２０とを備える。例えば、保持基板１０が、直径３００ｍｍ及び厚み３ｍｍの円板状をなす場合、ベース部材２０は、直径３４０ｍｍ及び厚み２０ｍｍの円板状に設定される。なお、保持基板１０及びベース部材２０には、それぞれ、互いの位置合わせを行うための位置決め部（凹凸等）が設けられてもよい。
【0018】
保持基板１０及びベース部材２０は、保持基板１０が上側に配され、かつベース部材２０が下側に配された状態で、上下方向に互いに重ねられる。保持基板１０及びベース部材２０は、それらの間に介在される接合材３０により、互いに接合される。
【0019】
保持基板１０は、上側に配される略円形状の第１表面Ｓ１と、その第１表面Ｓ１の反対側（つまり、下側）に配され、かつベース部材２０と対向する略円形状の第２表面Ｓ２とを有する。ベース部材２０は、上側に配され、かつ保持基板１０の第２表面Ｓ２と対向する略円形状の第３表面Ｓ３と、その第３表面Ｓ３の反対側（つまり、下側）に配される略円形状の第４表面Ｓ４とを有する。上述した接合材３０は、保持基板１０の第２表面Ｓ２とベース部材２０の第３表面Ｓ３との間で挟まれつつ、層状に広がった状態となっている。
【0020】
保持基板１０は、円板状の板状部材１１と、その板状部材１１の内部に形成された基板側ガス流路１２とを備える。板状部材１１の上側の表面が、保持基板１０の第１表面Ｓ１となる。また、板状部材１１の下側の表面が、保持基板１０の第２表面Ｓ２となる。
【0021】
板状部材１１は、セラミックスを主成分とする板状（円板状）をなした絶縁性の部材である。本明細書において、「主成分」とは、含有割合の最も多い成分を意味する。本実施形態の板状部材１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる。なお、他の実施形態においては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の他のセラミックスからなるものであってもよい。
【0022】
基板側ガス流路（ガス流路の一例）１２は、保持装置１００が備える不活性ガス（例えば、熱伝導ガスであるヘリウムガス）を流すための流路６０の一部を構成する。基板側ガス流路１２は、保持基板１０の板状部材１１の内部に形成される。基板側ガス流路１２は、保持基板１０の第２表面Ｓ２に開口した入口１２ａと、第１表面Ｓ１に開口したガス流出口１２ｂとを含む、保持基板１０内を貫通する孔からなる。入口１２ａから不活性ガスが供給されると、不活性ガスは、基板側ガス流路１２内を通って最終的にガス流出口１２ｂから外部に排出される。
【0023】
図３は、基板側ガス流路１２の一部を拡大した保持基板１０の断面図であり、図４は、図３のＡ－Ａ線断面図である。図３には、保持基板１０を厚み方向に沿って切断した断面構造が示されている。基板側ガス流路１２は、図３等に示されるように、第１縦流路部１２０と、横流路部１３０と、第２縦流路部１４０とを備える。
【0024】
第１縦流路部１２０は、第１表面Ｓ１側に開口したガス流出口１２ｂを含み、ガス流出口１２ｂから第２表面Ｓ２側に、板状部材１１の厚み方向に沿って延びた流路である。この第１縦流路部１２０内に、後述する多孔質体７０が充填される。
【0025】
横流路部１３０は、第１縦流路部１２０と接続し、第１表面Ｓ１に対して平行に延びた流路である。横流路部１３０の下流側の端部は、第１縦流路部１２０の上流側の端部と接続している。なお、基板側ガス流路１２において、入口１２ａ側が上流側であり、ガス流出口１２ｂが下流側である。
【0026】
第２縦流路部１４０は、第２表面Ｓ２に開口した入口１２ａを含み、入口１２ａから第１表面Ｓ１側に、板状部材１１の厚み方向に沿って延びた流路である。第２縦流路部１４０の下流側の端部は、横流路部１３０の上流側の端部と接続している。なお、入口１２ａは、基板側ガス流路１２の入口をなす。
【0027】
また、保持基板１０は、基板側ガス流路１２の一部である第１縦流路部１２０に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０を備える。多孔質体７０の詳細は、後述する。
【0028】
保持基板１０は、更に、電極部材であるチャック電極４０を備える。チャック電極４０は、全体的には、第１表面Ｓ１に略平行な平面状（層状）をなしている。チャック電極４０は、例えば、タングステン、モリブデン、白金等の電電性材料から形成される。チャック電極４０は、図２に示されるように、保持基板１０（板状部材１１）の内部において、第１表面Ｓ１側に配されている。チャック電極４０は、端子等を介して外部の電源に接続されており、チャック電極４０に対して給電が行われると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷが、保持基板１０の第１表面Ｓ１に吸着保持される。なお、チャック電極４０には、厚み方向（上下方向）に貫通する貫通孔４１が形成されている。なお、他の実施形態において、電極部材として高周波電極、ヒータ電極を備えていてもよい。
【0029】
図１及び図２に示されるように、保持基板１０の第１表面Ｓ１には、複数のガス流出口１２ｂが設けられている。第１表面Ｓ１の外周縁部は、それよりも内側の部分と比べて僅かに上方に突出しつつ、円環状に形成されている。そのため、第１表面Ｓ１にウェハＷが吸着保持されると、図２に示されるように、ウェハＷと第１表面Ｓ１の内側の部分との間に隙間（ギャップ）Ｇが形成される。
【0030】
ベース部材２０は、例えば、金属（アルミニウム、アルミニウム合金等）、金属とセラミックスの複合体（Ａｌ－ＳｉＣ）、又はセラミックス（ＳｉＣ）を主成分として構成される。
【0031】
ベース部材２０の内部には、冷媒流路２１が設けられている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体、水等）が流されることで、プラズマ熱の冷却が行われる。また、冷媒流路２１に冷媒が流されると、ベース部材２０が冷却され、接合材３０を介したベース部材２０と保持基板１０との間の伝熱（熱引き）により、保持基板１０が冷却される。その結果、保持基板１０の第１表面Ｓ１で保持されたウェハＷが冷却される。なお、冷媒流路２１における冷媒の流量を適宜、調整することにより、第１表面Ｓ１で保持されたウェハＷの温度を制御することができる。
【0032】
ベース部材２０の内部には、流路６０の一部を構成するベース側ガス流路２２が設けられている。ベース側ガス流路２２は、全体的には、ベース部材２０の厚み方向に延びた貫通孔状をなしており、ベース部材２０の第４表面Ｓ４に開口した入口２２ａと、第３表面Ｓ３に開口した出口２２ｂとを備える。入口２２ａは、ベース側ガス流路２２の入口をなすと共に、保持装置１００に設けられた流路６０全体の入口をなす。
【0033】
接合材３０は、例えば、シリコーン系の有機接合剤、無機接合剤、又はＡｌ系の金属接着剤を含むボンディングシート等により構成される。接合材３０としては、保持基板１０及びベース部材２０の双方に対して高い接着力を備えつつ、高い耐圧性及び熱伝導性を備えるものが好ましい。
【0034】
接合材３０にも、流路６０の一部を構成する接合側ガス流路３１が形成されている。接合側ガス流路３１は、層状の接合材３０を厚み方向に貫通する孔からなる。
【0035】
流路６０は、保持装置１００の第１表面Ｓ１側に、不活性ガス（ヘリウムガス等）を供給するものである。第１表面Ｓ１には、上述したように、流路６０の出口であるガス流出口１２ｂが多数設けられており、各ガス流出口１２ｂから不活性ガスが排出される形で、第１表面Ｓ１側に不活性ガスが供給される。このような流路６０は、上述したように、ベース側ガス流路２２と、接合側ガス流路３１と、基板側ガス流路（ガス流路）１２とを備える。
【0036】
流路６０の入口２２ａは、ベース部材２０の第４表面Ｓ４に複数設けられている。各入口２２ａから不活性ガス（図２中の矢印Ｈ）が供給されると、その不活性ガスは、各入口２２ａに接続したベース側ガス流路２２、接合側ガス流路３１及び基板側ガス流路（ガス流路）１２を順次通過し、最終的に、第１表面Ｓ１に設けられた複数のガス流出口１２ｂから排出される。
【0037】
ベース側ガス流路２２の出口２２ｂは、接合側ガス流路３１の下側（ベース部材２０側）の開口部と接続する。また、接合側ガス流路３１の上側（保持基板１０側）の開口部は、基板側ガス流路（ガス流路）１２の入口１２ａと接続する。基板側ガス流路（ガス流路）１２の入口１２ａは、保持基板１０の第２表面Ｓ２に複数設けられている。
【0038】
このような基板側ガス流路（ガス流路）１２の入口１２ａを含む第２縦流路部１４０は、その下流側で、複数の横流路部１３０と接続する。そして、各横流路部１３０には、それぞれ第１縦流路部１２０が接続されている。つまり、基板側ガス流路（ガス流路）１２は、保持基板１０（板状部材１１）の内部において、上流側から下流側に向かって複数に分岐した形をなしている。
【0039】
次いで、多孔質体７０及び多孔質体７０が充填される基板側ガス流路１２について、詳細に説明する。
【0040】
多孔質体７０は、絶縁性のセラミックスを主成分とする、多数の気孔を含むガス透過性の部材である。多孔質体７０は、基板側ガス流路１２における複数の第１縦流路部１２０に対して、それぞれ充填される。多孔質体７０は、全体的には、上下方向（保持基板１０の厚み方向）に延びた形をなしており、内部に不活性ガスを通過させる通気経路が網目状に形成されている。通気経路は、多孔質体７０内において、多数の気孔が互いに連なったものからなる。気孔は、多孔質体７０の製造時（焼成時）に、粒子状の造孔材が焼失（消失）した痕として形成される。造孔材としては、例えば、合成樹脂製のビーズや炭素粉末等が利用される。
【0041】
第１縦流路部１２０は、図３に示されるように、全体的には、上下方向に延びた有底の筒状をなしている。第１縦流路部１２０は、第１表面Ｓ１側に配されるガス流出口１２ｂと、第２表面Ｓ２側に配される底部１２０ｂとを有する。また、第１縦流路部１２０はガス流出口１２ｂの反対側であり、かつ底部１２０ｂの上方（第１表面Ｓ１側）に、ガス流出口１２ｂよりも大径の開口部１２ｃを備えている。
【0042】
このような第１縦流路部１２０は、上端（第１表面Ｓ１側）に配され、ガス流出口１２ｂを含む小径収容部１２１と、小径収容部１２１の下端（第２表面Ｓ２側）に接続し、小径収容部１２１よりも内径の大きい幅広収容部１２２とを備える。
【0043】
小径収容部１２１は、ガス流出口１２ｂから第２表面Ｓ２側に、板状部材１１の厚み方向に沿って真っ直ぐに延びた周面を含む円筒状の孔部である。
【0044】
幅広収容部１２２は、小径収容部１２１の下端（第２表面Ｓ２側）に接続する幅広傾斜収容部１２３と、幅広傾斜収容部１２３の下端（第２表面Ｓ２側）に接続する幅広大径収容部１２４とからなる。
【0045】
幅広傾斜収容部１２３は、第１表面Ｓ１側から第２表面Ｓ２側に向かって外側に広がるように傾斜した円環状の傾斜周面を含む筒状の孔部である。幅広大径収容部１２４は、幅広傾斜収容部１２３から第２表面Ｓ２側に、板状部材１１の厚み方向に沿って真っ直ぐに延び、小径収容部１２１よりも内径の大きい周面を含む円筒状の孔部である。
【0046】
なお、第１縦流路部１２０は、幅広収容部１２２の下側（第２表面Ｓ２側）に、多孔質体７０が充填されない底側流路部１２５を備えている。底側流路部１２５は、図４に示されるように、平面視で円形状をなした底部１２０ｂと、この周縁から幅広大径収容部１２４（第１表面Ｓ１側）に向かって立ち上がった周面１２５ａを含む部分である。底部１２０ｂは、多孔質体７０の第２表面Ｓ２側に配され、かつ多孔質体７０の第２表面Ｓ２側と対向する。なお、底側流路部１２５の周面１２５ａの一部は、開口されており、その開口した部分（開口部）１２５ｂに、横流路部１３０の下流側の端部１３０ｂが接続される。
【0047】
多孔質体７０は、その下側に空間Ｖが形成されるように、第１縦流路部１２０に充填される。具体的には、多孔質体７０は、幅広収容部１２２の下側（第２表面Ｓ２側）に空間Ｖが形成されるように、第１縦流路部１２０の小径収容部１２１及び幅広収容部１２２に充填される。このような多孔質体７０は、第１表面Ｓ１側に配され、小径収容部１２１に充填される先端部７１と、その先端部７１の下端（第２表面Ｓ２側）に接続し、幅広収容部１２２に充填される幅広部７２とを有する。
【0048】
先端部７１は、全体的には、上下方向に延びた円柱状をなしており、第１縦流路部１２０の小径収容部１２１内に充填される。先端部７１の上端面７０ａは、平面視で円形状をなしており、第２表面Ｓ２のガス流出口１２ｂから露出している。本実施形態の場合、第１平面Ｓ１及び上端面７０ａは、互いに同一平面をなすように配されている。また、先端部７１の周面７１ｂは、上下方向に真っ直ぐに延びた円筒状をなしている。
【0049】
幅広部７２は、径方向の大きさが、ガス流出口１２ｂよりも大きい部分である。また、幅広部７２は、先端部７１よりも径方向の大きさが大きい部分である。このような幅広部７２は、第１表面Ｓ１側から第２表面Ｓ２側に向かって広がるように傾斜する円環状の傾斜面７３ａを含む傾斜部７３と、この傾斜部７３から第２表面Ｓ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の柱状部７４とを備える。傾斜面７３ａは、円錐台の周面のような円環状の形をなしている。柱状部７４の下端面７０ｂ（多孔質体７０の第２表面Ｓ２側の端面）は、横流路部１３０の上部と、略同じ高さ位置に設定される。
【0050】
下端面７０ｂは、開口部１２ｃから空間Ｖ側に露出しており、この下端面７０ｂから多孔質体７０内に不活性ガスが供給される。開口部１２ｃは、ガス流出口１２ｂの反対側であり、かつ底側流路部１２５よりも第１表面Ｓ１側に配され、多孔質体７０の第２表面Ｓ２側を露出させるように底部１２０ｂ側に開口している。このような開口部１２ｃから露出した多孔質体７０の下端面７０ｂ（第２表面Ｓ２側）が、底部１２０ｂの表面（底面）と全面的に対向している。本実施形態の場合、底部１２０ｂの表面（底面）の大きさは、下端面７０ｂの大きさと同じである。そして、このような底部１２０ｂを含む底側流路部１２５に、第１表面Ｓ１に対して平行に延びた横流路部１３０が接続されている。
【0051】
このように多孔質体７０の下端面７０ｂが、多孔質体７０が充填されない底流路部１２５の底部１２０ｂと全面的に対向することにより、十分な流量の不活性ガスを多孔質体７０内に導入することができる。
【0052】
本実施形態の多孔質体７０では、幅広部７２（傾斜部７３）の第１表面Ｓ１側に接続する先端部７１の周面７１ｂと、傾斜部７３の傾斜面７３ａとの間の角度θが、９０°＜θ＜１８０°となるように設定されている。このように設定されていると、保持基板１０の製造時（後述する脱脂焼成時等）に、多孔質体７０を形成するための多孔質体用ペーストに対して、仮に、第２表面Ｓ２側から第１表面Ｓ１側に向かうような力が作用して、多孔質体用ペーストが第１縦流路部１２０を形成するための孔部内を第２表面Ｓ２側から第１表面Ｓ１側へ移動しようとしても、多孔質体７０の幅広部７２に対応する部分が、多孔質体７０の周りに配置される、第１縦流路部１２０を構成する周壁部１１１の円環状の角部（小径収容部１２１の周り及び幅広傾斜収容部１２３の周りを構成する部分）１１１ａに対応する部分に対して引っ掛かる形（係止される形）となる。そのため、第１縦流路部１２０を形成するための孔部内の多孔質体用ペーストが変形等して、多孔質体７０が第１縦流路部１２０の外部に脱落等することが抑制される。その結果、本実施形態の保持装置１００では、基板側ガス流路１２の所定箇所に、多孔質体７０を設置することができる。
【0053】
なお、多孔質体７０は、図３に示されるように、ガス流出口１２ｂよりも第２表面Ｓ２側であり、かつ横流路部１３０よりも第１表面Ｓ１側に配されている。
【0054】
また、多孔質体７０は、ガス流出口１２ｂの内側に配される円形状の上端面７０ａから第２表面Ｓ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の中心部７０ｃと、その中心部７０ｃの周りを囲むように中心部７０ｃの外側に配され、かつ中心部７０ｃの外周面よりも外側に突出した幅広突出部７０ｄとから構成されているとも言える。このような幅広突出部７０ｄを備えることで、多孔質体７０の製造時に、第１縦流路部１２０を形成するための孔部の開口部から上側にはみ出すことが抑制される。
【0055】
特に、本実施形態の多孔質体７０は、第１表面Ｓ１側から第２表面Ｓ２側に、先端部７１、傾斜部７３及び幅広部７４が、この順で繋がったものからなる。先端部７１は、円柱状であり、この下端に、先端部７１よりも幅広の傾斜部７３が接続している。傾斜部７３は、第１表面Ｓ１側から第２表面Ｓ２側に向かって広がるように傾斜する傾斜面７３ａ含んでおり、この傾斜面７３ａ（傾斜部７３）から第２表面Ｓ２側に真っ直ぐに円柱状に延びる形で、円柱部７４が設けられている。つまり、本実施形態の多孔質体７０は、板状部材１１の厚み方向において、傾斜面７３ａを含む傾斜部７３が、真っ直ぐに延びた円柱状の先端部７１と、真っ直ぐに延びた円柱状の柱状部７４とで挟まれている。
【0056】
多孔質体７０がこのような構成を備えていると、多孔質体７０が位置ずれし難く、しかも多孔質体７０と、その周りに配される板状部材１１（周壁部１１１）との密着性が良くなる。保持基板１０の製造過程において、後述するように、板状部材１１を形成するためのグリーンシートの積層物（成形体）の焼成が行われる。積層物には、第１縦流路部１２０を形成するための孔部が形成されており、その孔部に、多孔質体７０を形成するための多孔質体用ペーストが充填される。このような積層物を焼成すると、孔部内に充填された多孔質体７０を形成するための多孔質体用ペーストよりも、その周りに配されるグリーンシートの積層物（周壁部１１１に対応する部分）の方が、収縮（特に、面内方向における収縮）が大きいため、孔部内の多孔質体用ペーストが、その周りに配されるグリーンシートの積層物によって締め付けられる形となる。そのため、例えば、先端部と傾斜部のみからなる多孔質体（傾斜部の下端面が開口部１２ｃから露出する場合）や、ガス流出口１２ｂ側（第１表面Ｓ１側）から開口部１２ｃ側（第２表面Ｓ２側）に向かって広がるように傾斜した円錐台状の多孔質体（後述する実施形態５の多孔質体７０Ｄ）よりも、本実施形態の多孔質体７０は、上述したように、位置ずれし難く、その周りに配される板状部材１１（周壁部１１１）との密着性が良い。
【0057】
また、本実施形態の多孔質体７０は、先端部７１、傾斜部７３及び柱状部７４を備えているため、例えば、図３に示される角度θが９０°の場合の多孔質体と比べて、多孔質体７０の体積を必要最小限に留めることができる。このような本実施形態の多孔質体７０を備える保持基板１０は、相対的に、板状部材１１を構成するセラミックス部分（アルミナ）の比率を高めつつ、高い強度を維持できる。
【0058】
続いて、本実施形態の保持装置１００の製造方法の一例を説明する。ここで、先ず図５及び図６を参照しつつ、保持装置１００を構成する保持基板１０の製造方法について説明する。図５及び図６は、保持基板１０の製造方法を模式的に表した説明図である。この保持基板１０の製造方法は、グリーンシート（セラミックグリーンシート）を利用するシート積層法を応用したものである。なお、図５及び図６のうち、図６（Ｅ）以外については、保持基板１０の下側（第２表面Ｓ２側）が各図の上側に対応し、かつ保持基板１０の上側（第１表面Ｓ１側）が各図の下側に対応するように示される。
【0059】
先ず、図５（Ａ）に示されるように、保持基板１０の板状部材１１を形成するためのグリーンシート８が複数枚積層される。その際、グリーンシート８の所定箇所には、必要に応じて孔部８１や導体層９が形成される。
【0060】
アルミナ粉末、アクリル系バインダ、分散剤、可塑剤等を含む混合物に、更に有機溶剤を加えたものを、ボールミルを用いて混合することで、グリーンシート用のスラリーが得られる。このスラリーを、キャスティング装置でシート状に成形し、その後、得られた成形物を乾燥させることで、複数枚のグリーンシートが得られる。
【0061】
また、アルミナ粉末、アクリル系バインダ、有機溶剤の混合物に、タングステンやモリブデン等の導電性粉末を添加して混錬することにより、メタライズペーストが得られる。このメタライズペーストを、例えばスクリーン印刷装置を用いて印刷することにより、特定のグリーンシート８に、導体層９が形成される。
【0062】
孔部８１は、公知の加工装置（ルーター等）を利用して、グリーンシート８の所定箇所に形成される。
【0063】
図５（Ａ）には、３枚のグリーンシート８が、上下で互いに分かれた状態で示されている。図５（Ａ）の最も上側に示されるグリーンシート８ａには、第１縦流路部１２０の幅広収容部１２２（幅広大径収容部１２４）を形成するための孔部８１ａが設けられている。また、グリーンシート８ａの下側に配されるグリーンシート８ｂには、第１縦流路部１２０の幅広収容部１２２（幅広傾斜収容部１２３）を形成するための孔部８１ｂが設けられている。また、図５（Ａ）の最も下側に示されるグリーンシート８ｃには、第１縦流路部１２０の小径収容部１２１を形成するための孔部８１ｃや、チャック電極４０等の電極や配線パターンに対応した導体層９が設けられている。なお、グリーンシート８ｃは、数枚のグリーンシート８が予め積層されたものからなる。
【0064】
図５（Ｂ）には、複数枚のグリーンシート８が積層されてなる第１積層物８０ａが示される。この第１積層物８０ａには、各グリーンシート８に設けられた各孔部８１が互いに繋がることで形成される第１縦流路部１２０用の孔部８２が設けられている。
【0065】
次いで、図５（Ｃ）に示されるように、第１積層物８０ａの孔部８２に対して、多孔質体７０を形成するための多孔質体用ペースト７が充填される。多孔質体用ペースト７は、例えば、アルミナ粉末、造孔材、バインダ、有機溶剤等を含む混合物を混錬することで得られる。多孔質体用ペースト７を孔部８２に充填する方法としては、例えば、射出成型装置を用いる方法、スクリーン印刷装置を用いる方法等が挙げられる。
【0066】
図７は、射出成型装置２００を用いて、グリーンシートの積層物（第１積層物８０ａ）に設けられた孔部８２に、多孔質体用ペースト７を充填する方法を模式的に表した説明図である。図７に示されるように、第１積層物８０ａの表面上において、孔部８２を覆うように射出成型装置２００の金型２１０が配置される。金型２１０は、所定の温度に制御されており、そのような金型２１０には、上下方向で往復移動可能なプランジャー２２０が設けられている。図示されないホッパー内の多孔質体用ペースト７が金型２１０内に供給されると、金型２１０内の多孔質体用ペースト７が、プランジャー２２０によって押されることで、孔部８２内に充填される。多孔質体用ペースト７は、孔部８２に対して、隙間なく充填される。このように射出成型装置２００を用いて、第１積層物８０ａの孔部８２に多孔質体用ペースト７を充填してもよい。
【0067】
図８は、スクリーン印刷装置３００を用いて、グリーンシートの積層物（第１積層物８０ａ）に設けられた孔部８２に、多孔質体用ペースト７を充填する方法を模式的に表した説明図である。図８に示されるように、グリーンシートの積層物（第１積層物８０ａ）の表面上に、所定の枠体３０２で支持されたスクリーン印刷版３０３が配置されており、そのスクリーン印刷版３０３が孔部８２の開口部と重なる箇所に、多孔質体用ペースト７を通過させる貫通部３０３ａが設けられている。そのようなスクリーン印刷版３０３上に、多孔質体用ペースト７を載せつつ、スクリーン印刷版３０３上を擦るようにスキージ３０１を動かすことで、多孔質体用ペースト７が貫通部３０３ａを通過して、孔部８２に供給される。このようなスクリーン印刷は、孔部８２に多孔質体用ペースト７が隙間なく充填されるまで行われる。このようにスクリーン印刷装置３００を用いて、第１積層物８０ａの孔部８２に多孔質体用ペースト７を充填してもよい。
【0068】
なお、孔部８２に多孔質体用ペースト７が充填された第１積層物８０ａは、適宜、乾燥される。
【0069】
その後、図６（Ｄ）に示されるように、第１積層物８０ａと、第２積層物８０ｂとが積層される。第２積層物８０ｂは、複数枚のグリーンシート８が積層されたものからなる。第２積層物８０ｂの所定箇所には、第２縦流路部１４０を形成するための孔部８１ｄや、横流路部１３０及び第１縦流路部１２０の底側流路部１２５を形成するための溝部８３が設けられている。第１積層物８０ａ及び第２積層物８０ｂの積層物８０は、例えば、２０枚のグリーンシートの積層物からなり、それらは互いに熱圧着される。前記積層物８０の外周は、適宜、切断されてもよい。そして、前記積層物８０をマシニングによって切削加工して円板状の成形体を作製する。その後、得られた成形体を脱脂焼成し、更に、脱脂焼成後の成形体を焼成（本焼成）することで、焼成体が得られる。
【0070】
なお、脱脂焼成及び本焼成は、保持基板１０の第１表面Ｓ１側が上側に、かつ第２表面Ｓ２側が下側となるように、第１積層物８０ａ及び第２積層物８０ｂの積層物８０に対して行われる。このような脱脂焼成及び本焼成において、孔部８２に充填された多孔質体用ペースト７（未焼成組成物）と、板状部材１１を形成するためのグリーンシートの積層物８０とが、同時に焼成される。
【0071】
その後、焼成体の表面に、凸状の外周縁部に対応する部分を遮蔽するマスクを配置し、例えばセラミックス等の粒体を投射するショットブラストを行うことにより、焼成体の表面に凸状の外周縁部を形成する。その後、この焼成体の表面を研磨加工等することにより、図３に示されるような、板状部材１１を有する保持基板１０が得られる。
【0072】
なお、ベース部材２０の製造方法は、基本的に従来品の製造方法と同じである。そのため、その詳細説明は省略する。
【0073】
保持基板１０及びベース部材２０がそれぞれ作製された後、それらを、接合材３０を利用して接合する。接合材３０による保持基板１０及びベース部材２０の接合は、基本的には、従来品における接合と同じである。そのため、その詳細説明は省略する。このようにして、保持装置１００が製造される。
【0074】
本実施形態の場合、上述した保持基板１０の製造過程において、円筒状の孔部８２に充填された多孔質体用ペースト７（未焼成組成物）と、板状部材１１を形成するためのグリーンシートの積層物８０とが、脱脂焼成及び本焼成において、同時に焼成される際に、多孔質体用ペースト７（未焼成組成物）が、孔部８２内の内圧の影響等により、上側（第１表面Ｓ１側）へ突出する等して変形することが抑制される。なお、多孔質体７０と、その周りの板状部材１１（周壁部１１１）とは、互いに焼結して接合されている。
【0075】
保持基板１０の製造過程において、孔部８２内は、多孔質体用ペースト７（未焼成組成物）等から発生するガスの影響により、内圧が高くなり易い状況にある。しかしながら、本実施形態の場合、孔部８２の形状に倣いつつ隙間なく充填されている多孔質体用ペースト７のうち、最終的に得られる多孔質体７０の幅広部７２に対応する部分が、径方向において、孔部８２の開口部（ガス流出口１２ｂに対応する開口部）よりも大きく設定されているため、その幅広部７２に対応する部分が、孔部８２の周りを囲む部分（周壁部１１１に対応する部分）に引っ掛かる形となる。そのため、上述した脱脂焼成及び本焼成において、孔部８２内の多孔質体用ペースト７が変形等して、外部に脱落等することが抑制される。
【0076】
本実施形態の場合、多孔質体７０の幅広部７２は、第１表面Ｓ１側から第２表面Ｓ２側に向かって広がるように傾斜する傾斜面７３ａを含んでいる。このような傾斜面７３ａを含む、多孔質体７０の幅広部７２は、上述した脱脂焼成及び本焼成において、その幅広部７２に対応する部分が、孔部８２の周りを囲む部分（周壁部１１１に対応する部分）に引っ掛かり易い形となる。なお、幅広部７２がこのような傾斜面７３ａを含む構成であると、保持基板１０の製造過程において、その傾斜面７３ａに対応した傾斜周面を含む孔部８２内に、多孔質体用ペースト７を隙間なく充填し易い。
【0077】
また、本実施形態の場合、幅広部７２は、傾斜面７３ａを含む傾斜部７３と、傾斜部７３から第２表面Ｓ２側に真っ直ぐ延びた柱状部７４とを含む。このような幅広部７２を含む多孔質体７０は、その周りに配される周壁部１１１との間の接触面積が多いため、上述した脱脂焼成及び本焼成において、孔部８２の周りを囲む部分（周壁部１１１に対応する部分）に引っ掛かり易い形となる。しかも、前記多孔質体７０に対応した多孔質体用ペースト７が自重等により、下側の空間Ｖ側に移動することも抑制される。
【0078】
また、本実施形態の場合、幅広部７２は、横流路部１３０に隣り合う形で配されている。このような構成であると、横流路部１３０側から供給された不活性ガスが、多孔質体７０の下端面７０ｂから内部に供給され易くなる。
【0079】
＜実施形態２＞
次いで、実施形態２に係る保持装置が備える保持基板１０Ａを、図９を参照しつつ説明する。図９は、実施形態２に係る保持基板１０Ａの基板側ガス流路１２Ａの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ａの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図９では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ａ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
次いで、実施形態２に係る保持装置が備える保持基板１０Ａを、図９を参照しつつ説明する。図９は、実施形態２に係る保持基板１０Ａの基板側ガス流路１２Ａの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ａの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図９では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ａ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
【0080】
保持基板１０Ａは、円板状の板状部材１１Ａと、その内部に形成された基板側ガス流路１２Ａとを備える。板状部材１１Ａの上側の表面が、保持基板１０Ａの第１表面ＳＡ１となり、板状部材１１Ａの下側の表面が、保持基板１０Ａの第２表面ＳＡ２となる。
【0081】
基板側ガス流路１２Ａは、図９に示されるように、第１縦流路部１２０Ａと、横流路部１３０Ａと、第２縦流路部１４０Ａとを備える。そして、基板側ガス流路１２Ａの一部である第１縦流路部１２０Ａに、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０Ａが充填される。
【0082】
第１縦流路部１２０Ａは、第１表面ＳＡ１側に開口したガス流出口１２Ａｂを含み、ガス流出口１２Ａｂから第２表面ＳＡ２側に、板状部材１１Ａの厚み方向に沿って延びた流路である。第１縦流路部１２０Ａは、全体的には、上下方向に延びた有底の筒状をなしている。第１縦流路部１２０Ａは、第１表面ＳＡ１側に配されるガス流出口１２Ａｂと、第２表面ＳＡ２側に配される底部１２０Ａｂとを有する。なお、第１縦流路部１２０Ａは、第２表面ＳＡ２側に、多孔質体７０Ａが充填されない底側流路部１２５Ａを備える。また、第１縦流路部１２０Ａはガス流出口１２Ａｂの反対側であり、かつ底部１２０Ａｂの上方（第１表面ＳＡ１側）に、ガス流出口１２Ａｂと同径の開口部１２Ａｃを備えている。
【0083】
横流路部１３０Ａは、第１縦流路部１２０Ａと接続し、第１表面ＳＡ１に対して平行に延びた流路である。横流路部１３０Ａの下流側の端部は、第１縦流路部１２０Ａの上流側の端部（底側流路部１２５Ａの周面の一部に設けられた開口部）と接続している。第２縦流路部１４０Ａは、第２表面ＳＡ２に開口した入口１２Ａａを含み、入口１２Ａａから第１表面ＳＡ１側に、板状部材１１Ａの厚み方向に沿って延びた流路である。第２縦流路部１４０Ａの下流側の端部は、横流路部１３０Ａの上流側の端部と接続している。
【0084】
多孔質体７０Ａは、その下側に空間ＶＡが形成されるように、第１縦流路部１２０Ａに充填される。また、多孔質体７０Ａは、ガス流出口１２Ａｂよりも第２表面ＳＡ２側であり、かつ横流路部１３０Ａよりも第１表面ＳＡ１側に配される。多孔質体７０Ａは、第１縦流路部１２０Ａ内において、第１表面ＳＡ１側に充填される円柱状の先端部７１Ａと、その先端部７１Ａの下端（第２表面ＳＡ２側）に接続し、径方向においてガス流出口１２Ａｂよりも大きい円柱状の幅広部７２Ａとを備える。なお、多孔質体７０Ａには、更に、幅広部７２Ａよりも第２表面ＳＡ２側に、径方向においてガス流出口１２Ａｂよりも大きい円柱状の幅広部７３Ａ及び幅広部７４Ａを備える。また、多孔質体７０Ａは、幅広部７２Ａと幅広部７３Ａとの間に配され、先端部７１Ａと同径の円柱状の第１中間部７５Ａと、幅広部７３Ａと幅広部７４Ａとの間に配され、先端部７１Ａと同径の円柱状の第２中間部７６Ａと、幅広部７４Ａの下端に接続し、先端部７１Ａと同径の円柱状の下端部７７Ａとを備える。下端部７７Ａの下端面７０Ａｂは、横流路部１３０Ａの上部と、略同じ高さ位置に設定される。この下端面７０Ａｂから多孔質体７０Ａ内に不活性ガスが供給される。
【0085】
先端部７１Ａの上端面７０Ａａは、平面視で円形状をなしており、第２表面ＳＡ２のガス流出口１２Ａｂから露出している。第１平面ＳＡ１及び上端面７０Ａａは、互いに同一平面をなすように配されている。
【0086】
本実施形態の多孔質体７０Ａでは、幅広部７２Ａの第１表面ＳＡ１側に接続する先端部７１Ａの周面と、幅広部７２Ａの表面との間の角度θが９０°となるように設定されている。このように設定されていると、保持基板１０Ａの製造時（脱脂焼成時等）に、多孔質体７０Ａを形成するための多孔質体用ペーストに対して、仮に、第２表面ＳＡ２側から第１表面ＳＡ１側に向かうような力が作用して、多孔質体用ペーストが第１縦流路部１２０Ａを形成するための孔部内を第２表面ＳＡ２側から第１表面ＳＡ１側へ移動しようとしても、多孔質体７０Ａの幅広部７２Ａ等に対応する部分が、多孔質体７０Ａの周りに配置される、第１縦流路部１２０Ａを構成する周壁部に対応する部分に引っ掛かる形となる。そのため、第１縦流路部１２０Ａを形成するための孔部内の多孔質体用ペーストが変形等して、多孔質体７０Ａが第１縦流路部１２０Ａの外部に脱落等することが抑制される。
【0087】
なお、多孔質体７０Ａは、ガス流出口１２Ａｂの内側に配される円形状の上端面７０Ａａから第２表面ＳＡ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の中心部７０Ａｃと、その中心部７０Ａｃの周りを囲むように中心部７０Ａｃの外側に配され、かつ中心部７０Ａｃの外周面よりも外側に突出した円環状の複数の幅広突出部７０Ａｄとから構成されているとも言える。このような幅広突出部７０Ａｄを備えることで、多孔質体７０Ａの製造時に、多孔質体７０Ａに対応した所定形状の多孔質体用ペーストが、第１縦流路部１２０Ａを形成するための孔部の開口部から上側にはみ出すことや、空間ＶＡ側に落下すること等が抑制される。
【0088】
＜実施形態３＞
次いで、実施形態３に係る保持装置が備える保持基板１０Ｂを、図１０を参照しつつ説明する。図１０は、実施形態３に係る保持基板１０Ｂの基板側ガス流路１２Ｂの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｂの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１０では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｂ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
次いで、実施形態３に係る保持装置が備える保持基板１０Ｂを、図１０を参照しつつ説明する。図１０は、実施形態３に係る保持基板１０Ｂの基板側ガス流路１２Ｂの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｂの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１０では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｂ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
【0089】
保持基板１０Ｂは、円板状の板状部材１１Ｂと、その内部に形成された基板側ガス流路１２Ｂとを備える。板状部材１１Ｂの上側の表面が、保持基板１０Ｂの第１表面ＳＢ１となり、板状部材１１Ｂの下側の表面が、保持基板１０Ｂの第２表面ＳＢ２となる。
【0090】
基板側ガス流路１２Ｂは、図１０に示されるように、第１縦流路部１２０Ｂと、横流路部１３０Ｂと、第２縦流路部１４０Ｂとを備える。そして、基板側ガス流路１２Ｂの一部である第１縦流路部１２０Ｂに、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０Ｂが充填される。
【0091】
第１縦流路部１２０Ｂは、第１表面ＳＢ１側に開口したガス流出口１２Ｂｂを含み、ガス流出口１２Ｂｂから第２表面ＳＢ２側に、板状部材１１Ｂの厚み方向に沿って延びた流路である。第１縦流路部１２０Ｂは、全体的には、上下方向に延びた有底の筒状をなしている。第１縦流路部１２０Ｂは、第１表面ＳＢ１側に配されるガス流出口１２Ｂｂと、第２表面ＳＢ２側に配される底部１２０Ｂｂとを有する。なお、第１縦流路部１２０Ｂは、第２表面ＳＢ２側に、多孔質体７０Ｂが充填されない底側流路部１２５Ｂを備える。また、第１縦流路部１２０Ｂはガス流出口１２Ｂｂの反対側であり、かつ底部１２０Ｂｂの上方（第１表面ＳＢ１側）に、ガス流出口１２Ｂｂと同径の開口部１２Ｂｃを備えている。
【0092】
横流路部１３０Ｂは、第１縦流路部１２０Ｂと接続し、第１表面ＳＢ１に対して平行に延びた流路である。横流路部１３０Ｂの下流側の端部は、第１縦流路部１２０Ｂの上流側の端部（底側流路部１２５Ｂの周面の一部に設けられた開口部）と接続している。第２縦流路部１４０Ｂは、第２表面ＳＢ２に開口した入口１２Ｂａを含み、入口１２Ｂａから第１表面ＳＢ１側に、板状部材１１Ｂの厚み方向に沿って延びた流路である。第２縦流路部１４０Ｂの下流側の端部は、横流路部１３０Ｂの上流側の端部と接続している。
【0093】
多孔質体７０Ｂは、その下側に空間ＶＢが形成されるように、第１縦流路部１２０Ｂに充填される。また、多孔質体７０Ｂは、ガス流出口１２Ｂｂよりも第２表面ＳＢ２側であり、かつ横流路部１３０Ｂよりも第１表面ＳＢ１側に配される。多孔質体７０Ｂは、第１縦流路部１２０Ｂ内において、第１表面ＳＢ１側に充填される円柱状の先端部７１Ｂと、その先端部７１Ｂの下端（第２表面ＳＢ２側）に接続し、径方向においてガス流出口１２Ｂｂよりも大きい円柱状の幅広部７２Ｂとを備える。なお、多孔質体７０Ｂには、更に、幅広部７２Ｂの下端に接続し、先端部７１Ｂと同径の円柱状の下端部７３Ｂとを備える。下端部７３Ｂの下端面７０Ｂｂは、横流路部１３０Ｂの上部と、略同じ高さ位置に設定される。この下端面７０Ｂｂから多孔質体７０Ｂ内に不活性ガスが供給される。
【0094】
先端部７１Ｂの上端面７０Ｂａは、平面視で円形状をなしており、第２表面ＳＢ２のガス流出口１２Ｂｂから露出している。第１平面ＳＢ１及び上端面７０Ｂａは、互いに同一平面をなすように配されている。
【0095】
本実施形態の多孔質体７０Ｂでは、幅広部７２Ｂの第１表面ＳＢ１側に接続する先端部７１Ｂの周面と、幅広部７２Ｂの表面との間の角度θが９０°となるように設定されている。このように設定されていると、保持基板１０Ｂの製造時（脱脂焼成時等）に、多孔質体７０Ｂを形成するための多孔質体用ペーストに対して、仮に、第２表面ＳＢ２側から第１表面ＳＢ１側に向かうような力が作用して、多孔質体用ペーストが第１縦流路部１２０Ｂを形成するための孔部内を第２表面ＳＢ２側から第１表面ＳＢ１側へ移動しようとしても、多孔質体７０Ｂの幅広部７２Ｂ等に対応する部分が、多孔質体７０Ｂの周りに配置される、第１縦流路部１２０Ｂを構成する周壁部に対応する部分に引っ掛かる形となる。そのため、第１縦流路部１２０Ｂを形成するための孔部内の多孔質体用ペーストが変形等して、多孔質体７０Ｂが第１縦流路部１２０Ｂの外部に脱落等することが抑制される。
【0096】
なお、多孔質体７０Ｂは、ガス流出口１２Ｂｂの内側に配される円形状の上端面７０Ｂａから第２表面ＳＢ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の中心部７０Ｂｃと、その中心部７０Ｂｃの周りを囲むように中心部７０Ｂｃの外側に配され、かつ中心部７０Ｂｃの外周面よりも外側に突出した円環状の幅広突出部７０Ｂｄとから構成されているとも言える。このような幅広突出部７０Ｂｄを備えることで、多孔質体７０Ｂの製造時に、多孔質体７０Ｂに対応した所定形状の多孔質体用ペーストが、第１縦流路部１２０Ｂを形成するための孔部の開口部から上側にはみ出すことや、空間ＶＢ側に落下すること等が抑制される。
【0097】
＜実施形態４＞
次いで、実施形態４に係る保持装置が備える保持基板１０Ｃを、図１１を参照しつつ説明する。図１１は、実施形態４に係る保持基板１０Ｃの基板側ガス流路１２Ｃの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｃの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１１では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｃ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
次いで、実施形態４に係る保持装置が備える保持基板１０Ｃを、図１１を参照しつつ説明する。図１１は、実施形態４に係る保持基板１０Ｃの基板側ガス流路１２Ｃの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｃの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１１では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｃ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
【0098】
保持基板１０Ｃは、円板状の板状部材１１Ｃと、その内部に形成された基板側ガス流路１２Ｃとを備える。板状部材１１Ｃの上側の表面が、保持基板１０Ｃの第１表面ＳＣ１となり、板状部材１１Ｃの下側の表面が、保持基板１０Ｃの第２表面ＳＣ２となる。
【0099】
基板側ガス流路１２Ｃは、図１１に示されるように、第１縦流路部１２０Ｃと、横流路部１３０Ｃと、第２縦流路部１４０Ｃとを備える。そして、基板側ガス流路１２Ｃの一部である第１縦流路部１２０Ｃに、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０Ｃが充填される。
【0100】
第１縦流路部１２０Ｃは、第１表面ＳＣ１側に開口したガス流出口１２Ｃｂを含み、ガス流出口１２Ｃｂから第２表面ＳＣ２側に、板状部材１１Ｃの厚み方向に沿って延びた流路である。第１縦流路部１２０Ｃは、全体的には、上下方向に延びた有底の筒状をなしている。第１縦流路部１２０Ｃは、第１表面ＳＣ１側に配されるガス流出口１２Ｃｂと、第２表面ＳＣ２側に配され、かつガス流出口１２Ｃｂと対向する底部１２０Ｃｂとを有する。なお、第１縦流路部１２０Ｃは、第２表面ＳＣ２側に、多孔質体７０Ｃが充填されない底側流路部１２５Ｃを備える。また、第１縦流路部１２０Ｃはガス流出口１２Ｃｂの反対側であり、かつ底部１２０Ｃｂの上方（第１表面ＳＣ１側）に、ガス流出口１２Ｃｂと同径の開口部１２Ｃｃを備えている。
【0101】
横流路部１３０Ｃは、第１縦流路部１２０Ｃと接続し、第１表面ＳＣ１に対して平行に延びた流路である。横流路部１３０Ｃの下流側の端部は、第１縦流路部１２０Ｃの上流側の端部（底側流路部１２５Ｃの周面の一部に設けられた開口部）と接続している。第２縦流路部１４０Ｃは、第２表面ＳＣ２に開口した入口１２Ｃａを含み、入口１２Ｃａから第１表面ＳＣ１側に、板状部材１１Ｃの厚み方向に沿って延びた流路である。第２縦流路部１４０Ｃの下流側の端部は、横流路部１３０Ｃの上流側の端部と接続している。
【0102】
多孔質体７０Ｃは、その下側に空間ＶＣが形成されるように、第１縦流路部１２０Ｃに充填される。また、多孔質体７０Ｃは、ガス流出口１２Ｃｂよりも第２表面ＳＣ２側であり、かつ横流路部１３０Ｃよりも第１表面ＳＣ１側に配される。多孔質体７０Ｃは、第１縦流路部１２０Ｃ内において、第１表面ＳＣ１側に充填される先端部７１Ｃと、その先端部７１Ｃの下端（第２表面ＳＣ２側）に接続し、径方向においてガス流出口１２Ｃｂよりも大きい幅広部７２Ｃとを備える。なお、多孔質体７０Ｃには、更に、幅広部７２Ｃの下端に接続し、径方向において幅広部７２Ｃよりも小さい下端部７３Ｃとを備える。下端部７３Ｃの下端面７０Ｃｂは、横流路部１３０Ｃの上部と、略同じ高さ位置に設定される。この下端面７０Ｃｂから多孔質体７０Ｃ内に不活性ガスが供給される。
【0103】
先端部７１Ｃの上端面７０Ｃａは、平面視で円形状をなしており、第２表面ＳＣ２のガス流出口１２Ｃｂから露出している。第１平面ＳＣ１及び上端面７０Ｃａは、互いに同一平面をなすように配されている。
【0104】
本実施形態の多孔質体７０Ｃは、径方向においてガス流出口１２Ｃｂよりも大きい幅広部７２Ｃを備える。このような幅広部７２Ｃを備えていると、保持基板１０Ｃの製造時（脱脂焼成時等）に、多孔質体７０Ｃを形成するための多孔質体用ペーストに対して、仮に、第２表面ＳＣ２側から第１表面ＳＣ１側に向かうような力が作用して、多孔質体用ペーストが第１縦流路部１２０Ｃを形成するための孔部内を第２表面ＳＣ２側から第１表面ＳＣ１側へ移動しようとしても、多孔質体７０Ｃの幅広部７２Ｃに対応する部分が、多孔質体７０Ｃの周りに配置される、第１縦流路部１２０Ｃを構成する周壁部に対応する部分に引っ掛かる形となる。そのため、第１縦流路部１２０Ｃを形成するための孔部内の多孔質体用ペーストが変形等して、多孔質体７０Ｃが第１縦流路部１２０Ｃの外部に脱落等することが抑制される。
【0105】
なお、多孔質体７０Ｃは、ガス流出口１２Ｃｂの内側に配される円形状の上端面７０Ｃａから第２表面ＳＣ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の中心部７０Ｃｃと、その中心部７０Ｃｃの周りを囲むように中心部７０Ｃｃの外側に配され、かつ中心部７０Ｃｃの外周面よりも外側に突出した円環状の幅広突出部７０Ｃｄとから構成されているとも言える。このような幅広突出部７０Ｃｄを備えることで、多孔質体７０Ｃの製造時に、多孔質体７０Ｃに対応した所定形状の多孔質体用ペーストが、第１縦流路部１２０Ｃを形成するための孔部の開口部から上側にはみ出すことや、空間ＶＣ側に落下すること等が抑制される。
【0106】
＜実施形態５＞
次いで、実施形態５に係る保持装置が備える保持基板１０Ｄを、図１２を参照しつつ説明する。図１２は、実施形態５に係る保持基板１０Ｄの基板側ガス流路１２Ｄの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｄの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１２では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｄ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
次いで、実施形態５に係る保持装置が備える保持基板１０Ｄを、図１２を参照しつつ説明する。図１２は、実施形態５に係る保持基板１０Ｄの基板側ガス流路１２Ｄの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｄの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１２では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｄ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
【0107】
保持基板１０Ｄは、円板状の板状部材１１Ｄと、その内部に形成された基板側ガス流路１２Ｄとを備える。板状部材１１Ｄの上側の表面が、保持基板１０Ｄの第１表面ＳＤ１となり、板状部材１１Ｄの下側の表面が、保持基板１０Ｄの第２表面ＳＤ２となる。
【0108】
基板側ガス流路１２Ｄは、図１２に示されるように、第１縦流路部１２０Ｄと、横流路部１３０Ｄと、第２縦流路部１４０Ｄとを備える。そして、基板側ガス流路１２Ｄの一部である第１縦流路部１２０Ｄに、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０Ｄが充填される。
【0109】
第１縦流路部１２０Ｄは、第１表面ＳＤ１側に開口したガス流出口１２Ｄｂを含み、ガス流出口１２Ｄｂから第２表面ＳＤ２側に、板状部材１１Ｄの厚み方向に沿って延びた流路である。第１縦流路部１２０Ｄは、全体的には、上下方向に延びた有底の筒状をなしている。第１縦流路部１２０Ｄは、第１表面ＳＤ１側に配されるガス流出口１２Ｄｂと、第２表面ＳＤ２側に配され、かつガス流出口１２Ｄｂと対向する底部１２０Ｄｂとを有する。なお、第１縦流路部１２０Ｄは、第２表面ＳＤ２側に、多孔質体７０Ｄが充填されない底側流路部１２５Ｄを備える。また、第１縦流路部１２０Ｄはガス流出口１２Ｄｂの反対側であり、かつ底部１２０Ｄｂの上方（第１表面ＳＤ１側）に、ガス流出口１２Ｄｂよりも大径の開口部１２Ｄｃを備えている。
【0110】
横流路部１３０Ｄは、第１縦流路部１２０Ｄと接続し、第１表面ＳＤ１に対して平行に延びた流路である。横流路部１３０Ｄの下流側の端部は、第１縦流路部１２０Ｄの上流側の端部（底側流路部１２５Ｄの周面の一部に設けられた開口部）と接続している。第２縦流路部１４０Ｄは、第２表面ＳＤ２に開口した入口１２Ｄａを含み、入口１２Ｄａから第１表面ＳＤ１側に、板状部材１１Ｄの厚み方向に沿って延びた流路である。第２縦流路部１４０Ｄの下流側の端部は、横流路部１３０Ｄの上流側の端部と接続している。
【0111】
多孔質体７０Ｄは、その下側に空間ＶＤが形成されるように、第１縦流路部１２０Ｄに充填される。また、多孔質体７０Ｄは、ガス流出口１２Ｄｂよりも第２表面ＳＤ２側であり、かつ横流路部１３０Ｄよりも第１表面ＳＤ１側に配される。多孔質体７０Ｄは、第１縦流路部１２０Ｄ内において、第１表面ＳＤ１側に充填される先端部７１Ｄと、その先端部７１Ｄの下端（第２表面ＳＣ２側）に接続し、径方向においてガス流出口１２Ｄｂよりも大きい幅広部７２Ｄとを備える。幅広部７２Ｄの下端面７０Ｄｂは、平面視で円形状をなしており、空間ＶＤを間に置く形で、底部１２０Ｄｂと対向する。この下端面７０Ｄｂから多孔質体７０Ｄ内に不活性ガスが供給される。
【0112】
先端部７１Ｄの上端面７０Ｄａは、平面視で円形状をなしており、第２表面ＳＤ２のガス流出口１２Ｄｂから露出している。第１平面ＳＤ１及び上端面７０Ｄａは、互いに同一平面をなすように配されている。
【0113】
本実施形態の多孔質体７０Ｄは、径方向においてガス流出口１２Ｄｂよりも大きい幅広部７２Ｄを備える。このような幅広部７２Ｄを備えていると、保持基板１０Ｄの製造時（脱脂焼成時等）に、多孔質体７０Ｄを形成するための多孔質体用ペーストに対して、仮に、第２表面ＳＤ２側から第１表面ＳＤ１側に向かうような力が作用して、多孔質体用ペーストが第１縦流路部１２０Ｄを形成するための孔部内を第２表面ＳＤ２側から第１表面ＳＤ１側へ移動しようとしても、多孔質体７０Ｄの幅広部７２Ｄに対応する部分が、多孔質体７０Ｄの周りに配置される、第１縦流路部１２０Ｄを構成する周壁部に対応する部分に引っ掛かる形となる。そのため、第１縦流路部１２０Ｄを形成するための孔部内の多孔質体用ペーストが変形等して、多孔質体７０Ｄが第１縦流路部１２０Ｄの外部に脱落等することが抑制される。
【0114】
なお、多孔質体７０Ｄは、ガス流出口１２Ｄｂの内側に配される円形状の上端面７０Ｄａから第２表面ＳＤ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の中心部７０Ｄｃと、その中心部７０Ｄｃの周りを囲むように中心部７０Ｄｃの外側に配され、かつ中心部７０Ｄｃの外周面よりも外側に突出した円環状の幅広突出部７０Ｄｄとから構成されているとも言える。幅広突出部７０Ｄｄは、第１表面ＳＤ１側から第２表面ＳＤ２側に向かって広がるように傾斜した円環状の傾斜面を含んでいる。このような幅広突出部７０Ｄｄを備えることで、多孔質体７０Ｄの製造時に、多孔質体７０Ｄに対応した所定形状の多孔質体用ペーストが、第１縦流路部１２０Ｄを形成するための孔部の開口部から上側にはみ出すこと等が抑制される。
【0115】
＜実施形態６＞
次いで、実施形態６に係る保持装置が備える保持基板１０Ｅを、図１３を参照しつつ説明する。図１３は、実施形態６に係る保持基板１０Ｅの基板側ガス流路１２Ｅの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｅの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１３では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｅ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
次いで、実施形態６に係る保持装置が備える保持基板１０Ｅを、図１３を参照しつつ説明する。図１３は、実施形態６に係る保持基板１０Ｅの基板側ガス流路１２Ｅの一部を拡大した断面図である。本実施形態の保持基板１０Ｅの基本的な構成は、実施形態１と同じである。そのため、図１３では、実施形態１と対応する部分について、実施形態１と同一の符号に更に符号「Ｅ」を追加した符号を付し、詳細な説明を省略する。
【0116】
保持基板１０Ｅは、円板状の板状部材１１Ｅと、その内部に形成された基板側ガス流路１２Ｅとを備える。板状部材１１Ｅの上側の表面が、保持基板１０Ｅの第１表面ＳＥ１となり、板状部材１１Ｅの下側の表面が、保持基板１０Ｅの第２表面ＳＥ２となる。
【0117】
基板側ガス流路１２Ｅは、図１１に示されるように、第１縦流路部１２０Ｅと、横流路部１３０Ｅと、第２縦流路部１４０Ｅとを備える。そして、基板側ガス流路１２Ｅの一部である第１縦流路部１２０Ｅに、セラミックスを主成分とするガス透過性の多孔質体７０Ｅが充填される。
【0118】
第１縦流路部１２０Ｅは、第１表面ＳＥ１側に開口したガス流出口１２Ｅｂを含み、ガス流出口１２Ｅｂから第２表面ＳＥ２側に、板状部材１１Ｅの厚み方向に沿って延びた流路である。第１縦流路部１２０Ｅは、全体的には、上下方向に延びた有底の筒状をなしている。第１縦流路部１２０Ｅは、第１表面ＳＥ１側に配されるガス流出口１２Ｅｂと、第２表面ＳＥ２側に配され、かつガス流出口１２Ｅｂと対向する底部１２０Ｅｂとを有する。なお、第１縦流路部１２０Ｅは、第２表面ＳＥ２側に、多孔質体７０Ｅが充填されない底側流路部１２５Ｅを備える。また、第１縦流路部１２０Ｅはガス流出口１２Ｅｂの反対側であり、かつ底部１２０Ｅｂの上方（第１表面ＳＥ１側）に、ガス流出口１２Ｅｂと同径の開口部１２Ｅｃを備えている。
【0119】
横流路部１３０Ｅは、第１縦流路部１２０Ｅと接続し、第１表面ＳＥ１に対して平行に延びた流路である。横流路部１３０Ｅの下流側の端部は、第１縦流路部１２０Ｅの上流側の端部（底側流路部１２５Ｅの周面の一部に設けられた開口部）と接続している。第２縦流路部１４０Ｅは、第２表面ＳＥ２に開口した入口１２Ｅａを含み、入口１２Ｅａから第１表面ＳＥ１側に、板状部材１１Ｅの厚み方向に沿って延びた流路である。第２縦流路部１４０Ｅの下流側の端部は、横流路部１３０Ｅの上流側の端部と接続している。
【0120】
多孔質体７０Ｅは、その下側に空間ＶＥが形成されるように、第１縦流路部１２０Ｅに充填される。また、多孔質体７０Ｅは、ガス流出口１２Ｅｂよりも第２表面ＳＥ２側であり、かつ横流路部１３０Ｅよりも第１表面ＳＥ１側に配される。多孔質体７０Ｅは、第１縦流路部１２０Ｅ内において、第１表面ＳＥ１側に充填される先端部７１Ｅと、その先端部７１Ｅの下端（第２表面ＳＥ２側）に接続し、径方向においてガス流出口１２Ｅｂよりも大きい幅広部７２Ｅとを備える。なお、多孔質体７０Ｅには、更に、幅広部７２Ｅの下端に接続し、径方向において幅広部７２Ｅよりも小さい下端部７３Ｅとを備える。下端部７３Ｅの下端面７０Ｅｂは、横流路部１３０Ｅの上部と、略同じ高さ位置に設定される。この下端面７０Ｅｂから多孔質体７０Ｅ内に不活性ガスが供給される。
【0121】
先端部７１Ｅの上端面７０Ｅａは、平面視で円形状をなしており、第２表面ＳＥ２のガス流出口１２Ｅｂから露出している。第１平面ＳＥ１及び上端面７０Ｅａは、互いに同一平面をなすように配されている。
【0122】
本実施形態の多孔質体７０Ｅは、径方向においてガス流出口１２Ｅｂよりも大きい幅広部７２Ｅを備える。このような幅広部７２Ｅを備えていると、保持基板１０Ｅの製造時（脱脂焼成時等）に、多孔質体７０Ｅを形成するための多孔質体用ペーストに対して、仮に、第２表面ＳＥ２側から第１表面ＳＥ１側に向かうような力が作用して、多孔質体用ペーストが第１縦流路部１２０Ｅを形成するための孔部内を第２表面ＳＥ２側から第１表面ＳＥ１側へ移動しようとしても、多孔質体７０Ｅの幅広部７２Ｅに対応する部分が、多孔質体７０Ｅの周りに配置される、第１縦流路部１２０Ｅを構成する周壁部に対応する部分に引っ掛かる形となる。そのため、第１縦流路部１２０Ｅを形成するための孔部内の多孔質体用ペーストが変形等して、多孔質体７０Ｅが第１縦流路部１２０Ｅの外部に脱落することや、空間ＶＥ側に落下すること等が抑制される。
【0123】
なお、多孔質体７０Ｅは、ガス流出口１２Ｅｂの内側に配される円形状の上端面７０Ｅａから第２表面ＳＥ２側に真っ直ぐに延びた円柱状の中心部７０Ｅｃと、その中心部７０Ｅｃの周りを囲むように中心部７０Ｅｃの外側に配され、かつ中心部７０Ｅｃの外周面よりも外側に突出した円環状の幅広突出部７０Ｅｄとから構成されているとも言える。このような幅広突出部７０Ｅｄを備えることで、多孔質体７０Ｅの製造時に、多孔質体７０Ｅに対応した所定形状の多孔質体用ペーストが、第１縦流路部１２０Ｅを形成するための孔部の開口部から上側にはみ出すことや、空間ＶＥ側に落下すること等が抑制される。
【0124】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【0125】
（１）ガス流出口から露出する多孔質体の上端面は、本発明の目的を損なわない限り、円形状以外の形（多角形状等）であってもよい。
【0126】
（２）多孔質体の上端面は、本発明の目的を損なわない限り、第１表面よりも下側にはいされてもよい。
【0127】
（３）不活性ガスを通すためのガス流路は、ベース部材に形成されなくてもよく、保持基板のみに形成されていてもよい。
【0128】
（４）上記実施形態で示した保持装置の製造方法は、一例であり、本発明の目的を損なわない限り、他の方法で製造されてもよい。
【符号の説明】
【0129】
１００…保持装置、１０…保持基板、１１…板状部材、１２…基板側ガス流路（ガス流路）、１２ｂ…ガス流出口、１２０…第１縦流路部（縦流路部）、１３０…横流路部、１４０…第２縦流路部、７０…多孔質体、７２…幅広部、Ｖ…空間、Ｓ１…第１表面、Ｓ２…第２表面、Ｗ…ウェハ（対象物）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】