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特開2024-139226電子構造体、電子構造体の製造方法および電子デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024139226
(43)【公開日】2024-10-09
(54)【発明の名称】電子構造体、電子構造体の製造方法および電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20241002BHJP
H01L 33/48 20100101ALI20241002BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 C
H01L33/48
H01L21/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023050073
(22)【出願日】2023-03-27
(71)【出願人】
【識別番号】000000295
【氏名又は名称】沖電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100116964
【弁理士】
【氏名又は名称】山形 洋一
(74)【代理人】
【識別番号】100120477
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 賢改
(74)【代理人】
【識別番号】100135921
【弁理士】
【氏名又は名称】篠原 昌彦
(74)【代理人】
【氏名又は名称】半田 淳一
(72)【発明者】
【氏名】川田 寛人
(72)【発明者】
【氏名】石川 琢磨
(72)【発明者】
【氏名】古田 裕典
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 貴人
(72)【発明者】
【氏名】谷川 兼一
(72)【発明者】
【氏名】中井 佑亮
(72)【発明者】
【氏名】北島 由隆
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142FA32
(57)【要約】
【課題】機能部の転写を含むプロセスを容易にする。
【解決手段】電子構造体（１）の製造方法は、基板（１０）と、基板（１０）上に形成された第１の犠牲層（１１）と、第１の犠牲層（１１）上に形成された機能部（１２）とを有する積層基板を用い、基板（１０）から機能部（１２）まで延在する第２の犠牲層（１３）を形成する工程と、基板（１０）から第２の犠牲層（１３）まで延在する被覆層（１４）を形成する工程と、第１の犠牲層（１１）および第２の犠牲層（１３）を除去する工程とを有する。
【選択図】図７
【解決手段】電子構造体（１）の製造方法は、基板（１０）と、基板（１０）上に形成された第１の犠牲層（１１）と、第１の犠牲層（１１）上に形成された機能部（１２）とを有する積層基板を用い、基板（１０）から機能部（１２）まで延在する第２の犠牲層（１３）を形成する工程と、基板（１０）から第２の犠牲層（１３）まで延在する被覆層（１４）を形成する工程と、第１の犠牲層（１１）および第２の犠牲層（１３）を除去する工程とを有する。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、前記第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、前記基板から前記機能部まで延在する第２の犠牲層を形成する工程と、
前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程と
を有する電子構造体の製造方法。
前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程と
を有する電子構造体の製造方法。
【請求項2】
前記第２の犠牲層を形成する工程の前に、
前記基板上に前記第１の犠牲層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層上に前記機能部を形成する工程と
を有する請求項１に記載の電子構造体の製造方法。
前記基板上に前記第１の犠牲層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層上に前記機能部を形成する工程と
を有する請求項１に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項3】
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、前記機能部と前記基板とを接触する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項4】
前記被覆層の前記機能部側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項5】
前記積層基板は、前記基板と前記第１の犠牲層との間に第３の犠牲層を有し、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程は、
前記第１の犠牲層を除去する工程と、
前記第３の犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする工程と、
前記第２の犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程は、
前記第１の犠牲層を除去する工程と、
前記第３の犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする工程と、
前記第２の犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項6】
前記第２の犠牲層を除去する工程では、前記機能部と前記第３の犠牲層とを接触させる
ことを特徴とする請求項４に記載の電子構造体の製造方法。
ことを特徴とする請求項４に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項7】
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、
前記第１の犠牲層と前記第２の犠牲層とを、同一のエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
前記第１の犠牲層と前記第２の犠牲層とを、同一のエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項8】
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、
前記第１の犠牲層を所定のエッチング材料を用いて除去したのち、前記第２の犠牲層のうちの他方を前記エッチング材料とは異なるエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
前記第１の犠牲層を所定のエッチング材料を用いて除去したのち、前記第２の犠牲層のうちの他方を前記エッチング材料とは異なるエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項9】
前記被覆層を形成する工程では、
前記機能部の外周に沿って、複数の被覆層を形成する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
前記機能部の外周に沿って、複数の被覆層を形成する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子構造体の製造方法。
【請求項10】
基板と、
前記基板上に形成された機能部と、
前記基板上に、前記機能部を囲むように形成された被覆層と
を有し、
前記機能部と前記被覆層との間に空隙が形成されている
電子構造体。
前記基板上に形成された機能部と、
前記基板上に、前記機能部を囲むように形成された被覆層と
を有し、
前記機能部と前記被覆層との間に空隙が形成されている
電子構造体。
【請求項11】
前記被覆層の前記機能部側の面の表面粗さは、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子構造体。
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子構造体。
【請求項12】
前記基板と前記機能部との間に、犠牲層を有し、
前記犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さは、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子構造体。
前記犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さは、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子構造体。
【請求項13】
前記機能部の外周に沿って、複数の前記被覆層が形成されている
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子構造体。
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子構造体。
【請求項14】
基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、前記第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、前記基板から前記機能部まで延在する第２の犠牲層を形成する工程と、
前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去することにより、前記基板と前記機能部とを接触させる工程と、
前記機能部を前記基板から剥離する工程と、
前記機能部を前記基板とは別の基板に転写する工程と
を有する電子デバイスの製造方法。
前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去することにより、前記基板と前記機能部とを接触させる工程と、
前記機能部を前記基板から剥離する工程と、
前記機能部を前記基板とは別の基板に転写する工程と
を有する電子デバイスの製造方法。
【請求項15】
前記機能部を前記基板から剥離する工程では、
前記機能部と共に前記被覆層を前記基板から剥離する
請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
前記機能部と共に前記被覆層を前記基板から剥離する
請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項16】
前記機能部を前記基板から剥離する工程では、
前記被覆層を変形させながら、前記機能部を前記基板から剥離する
請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
前記被覆層を変形させながら、前記機能部を前記基板から剥離する
請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子構造体、電子構造体の製造方法および電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板上に支持層を介して機能部を形成し、機能部を基板から剥離して別の基板（転写基板とも称する）に転写する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００９－１５２３８７号公報（要約参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述した従来の技術では、機能部と共に支持層も基板から剥離され、転写基板に転写される。そのため、転写工程またはその後工程において、支持層を除去する作業が必要となる。また、剥離の際に支持層の一部が破断するため、転写基板に破断片が付着し、接合不良等の不具合を生じる可能性もある。そのため、機能部の転写を含むプロセスを容易にすることが求められている。
【0005】
本開示は、機能部の転写を含むプロセスを容易にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の電子構造体の製造方法は、基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、基板から機能部まで延在する第２の犠牲層を形成する工程と、基板から第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、第１の犠牲層および第２の犠牲層を除去する工程とを有する。
【0007】
本開示の電子構造体は、基板と、基板上に形成された機能部と、基板上に、機能部を囲むように形成された被覆層とを有し、機能部と被覆層との間に空隙が形成されている。
【0008】
本開示の電子デバイスの製造方法は、基板上に第１の犠牲層を形成する工程と、第１の犠牲層上に機能部を形成する工程と、基板から機能部まで延在する第２の犠牲層を形成する工程と、基板から第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、第１の犠牲層および第２の犠牲層を除去することで、基板と機能部とを接触させる工程と、機能部を基板から剥離する工程と、機能部を基板とは別の基板に転写する工程とを有する。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、第１の犠牲層と第２の犠牲層が除去されて、機能部が基板上で保持されるため、機能部を基板から容易に剥離し、別の基板に転写することができる。そのため、機能部の転写を含むプロセスを容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施の形態１の電子構造体の製造方法を示すフローチャートである。
【図2】実施の形態１の電子構造体の製造方法において、基板上に第１の犠牲層および機能部を形成する工程を示す断面図（Ａ）、および第２の犠牲層を形成する工程を示す断面図（Ｂ）である。
【図3】実施の形態１の電子構造体の製造方法において、第２の犠牲層の表面を粗面化する工程を示す断面図（Ａ）、および第２の犠牲層をパターニングする工程を示す断面図（Ｂ）である。
【図4】実施の形態１の電子構造体の製造方法において、保持層（被覆層）を形成する工程を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図5】実施の形態１の電子構造体の製造方法において、第１の犠牲層および第２の犠牲層を除去する工程を示す断面図（Ａ）および底面図（Ｂ）である。
【図6】実施の形態１の電子構造体と転写ツールとを示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図7】実施の形態１の電子構造体の機能部を基板から剥離する工程を段階的に示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
【図8】実施の形態１の電子構造体の機能部を転写基板に転写する工程を段階的に示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
【図9】実施の形態１の電子構造体から転写基板に転写した機能部に配線等を形成する工程を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図10】実施の形態１の電子構造体の他の構成例を示す断面図である。
【図11】変形例の電子構造体の製造方法において、基板上に第１の犠牲層、機能ユニット、第２の犠牲層および保持層を形成した状態を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図12】変形例の電子構造体の製造方法において、第１の犠牲層および第２の犠牲層を除去する工程を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図13】実施の形態２の電子構造体の製造方法を示すフローチャートである。
【図14】実施の形態２の電子構造体の製造方法において、基板上に第１の犠牲層および機能部を形成する工程を示す断面図（Ａ）、第２の犠牲層を形成する工程を示す断面図（Ｂ）、および第２の犠牲層をパターニングする工程を示す断面図（Ｃ）である。
【図15】実施の形態２の電子構造体の製造方法において、保持層を形成する工程を示す断面図（Ａ）、および、第１の犠牲層および第２の犠牲層を除去する工程を示す断面図（Ｂ）である。
【図16】実施の形態３の電子構造体の製造方法を示すフローチャートである。
【図17】実施の形態３の電子構造体の製造方法において、基板上に第３の犠牲層および第１の犠牲層を形成する工程を示す断面図（Ａ）、第１の犠牲層上に機能ユニットを形成する工程を示す断面図（Ｂ）、および第２の犠牲層を形成する工程を示す断面図（Ｃ）である。
【図18】実施の形態３の電子構造体の製造方法において、第２の犠牲層の表面を粗面化する工程を示す断面図（Ａ）、および第２の犠牲層をパターニングする工程を示す断面図（Ｂ）である。
【図19】実施の形態３の電子構造体の製造方法において、保持層を形成する工程を示す断面図（Ａ）、および第１の犠牲層を除去する工程を示す断面図（Ｂ）である。
【図20】実施の形態３の電子構造体の製造方法において、第３の犠牲層の表面を粗面化する工程を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図21】実施の形態３の電子構造体の製造方法において、第２の犠牲層を除去する工程を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図22】実施の形態３の電子構造体の機能ユニットを基板から剥離する工程を段階的に示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
【図23】実施の形態３の電子構造体の機能ユニットを転写基板に転写する工程を段階的に示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
【図24】実施の形態４の電子構造体の製造方法において、基板上に、第１の犠牲層、機能ユニット、第２の犠牲層および保持層を形成した状態を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図25】実施の形態４の電子構造体を示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図26】実施の形態４の電子構造体の機能部を基板から剥離する工程を段階的に示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、実施の形態に係る電子構造体およびその製造方法について、図面を参照して説明する。電子構造体は、電子デバイスの製造工程で用いられる。
【0012】
電子デバイスは、例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の光電変換素（発光素子、受光素子）を有する光電変換デバイス等である。光電変換デバイスは、ＬＥＤディスプレイ、イメージセンサ等の光電変換モジュールに用いられる。
【0013】
また、電子デバイスは、圧電デバイスであってもよい。圧電デバイスは、例えば、圧電センサ、アクチュエータ、超音波センサ、超音波発生器、圧力トランスデューサ等の圧電モジュールに用いられる。また、電子デバイスは、スイッチ素子、パワーデバイス等であってもよい。
【0014】
≪実施の形態１≫
＜電子構造体の製造方法＞
図１は、実施の形態１の電子構造体の製造方法を示すフローチャートである。図２（Ａ）は、基板１０上に第１の犠牲層１１および機能部１２を形成する工程を示す断面図である。図２（Ｂ）は、第２の犠牲層１３を形成する工程を示す断面図である。
＜電子構造体の製造方法＞
図１は、実施の形態１の電子構造体の製造方法を示すフローチャートである。図２（Ａ）は、基板１０上に第１の犠牲層１１および機能部１２を形成する工程を示す断面図である。図２（Ｂ）は、第２の犠牲層１３を形成する工程を示す断面図である。
【0015】
【0016】
基板１０は、半導体基板または絶縁基板である。以下で説明する機能部１２が発光素子となる半導体層である場合には、基板１０は、半導体層の形成に適したＧａＡｓ基板（ウエハ）であることが望ましい。
【0017】
第１の犠牲層１１は、基板１０の表面に形成される。第１の犠牲層１１上に機能部１２をエピタキシャル成長する場合には、第１の犠牲層１１は、機能部１２に格子定数が近く、エッチング選択比が大きいＡｌＧａＡｓ層であることが好ましい。第１の犠牲層１１の厚さは、例えば１０ｎｍ以上、１μｍ以下である。
【0018】
機能部１２は、例えば半導体層であり、エピタキシャル層である。機能部１２は、機能性薄膜とも称する。
【0019】
機能部１２は、例えば、ＧａＰ／ＡｌＩｎＧａＰのヘテロ接合半導体膜である。機能部１２は、また、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮであってもよい。機能部１２は、また、圧電特性を有する結晶層であってもよい。
【0020】
機能部１２は、上記の通り、第１の犠牲層１１上にエピタキシャル成長により形成される。但し、機能部１２は、基板１０とは別の基板上にエピタキシャル成長させ、当該基板から剥離して第１の犠牲層１１上に転写してもよい。この場合、第１の犠牲層１１は、ＣＶＤ（化学蒸着）により成膜されるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機膜、または感光レジスト等の有機膜で形成することができる。基板１０は、例えばＳｉ基板であってもよい。
【0021】
機能部１２の底面すなわち基板１０側の面は、表面粗さ（最大高さＲｙ）が１０ｎｍ以下の平滑面である。
【0022】
ステップＳ１０２（図１）では、図２（Ｂ）に示すように、第１の犠牲層１１および機能部１２をエッチング等によりパターニングし、基板１０の表面を露出させる分離溝６１を形成する。なお、基板１０と、第１の犠牲層１１と、機能部１２とを合わせて、積層基板と称する。
【0023】
ステップＳ１０３（図１）では、図２（Ｂ）に示すように、基板１０の表面から機能部１２まで延在する第２の犠牲層１３を形成する。第２の犠牲層１３は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機膜、または、感光性レジスト等の有機膜である。第２の犠牲層１３の厚さは、例えば１００ｎｍである。
【0024】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の材質を、同じエッチング液で除去されるように選定すれば、後述するステップＳ１０７において、第１の犠牲層１１と第２の犠牲層１３とを同時に除去することができる。
【0025】
第２の犠牲層１３は、分離溝６１によって露出した基板１０の表面から、機能部１２の表面（すなわち基板１０と反対側の面）に達するように形成される。
【0026】
【0027】
【0028】
また、プラズマ処理に限らず、第２の犠牲層１３の表面１３ｅに粒子を付着させてもよい。例えば金属材料を真空蒸着すると、自己組織化により粒状化された金属材料が第２の犠牲層１３の表面１３ｅに付着し、表面粗さを粗くすることができる。いずれの粗面化方法を用いた場合も、第２の犠牲層１３の表面１３ｅに加え、第２の犠牲層１３の側面も粗面化される。
【0029】
第２の犠牲層１３の表面１３ｅの粗面化後の表面粗さは、機能部１２の底面（すなわち基板１０側の面）の表面粗さよりも粗い。一例としては、第２の犠牲層１３の表面１３ｅの表面粗さ（最大高さＲｙ）は、１０ｎｍよりも粗い。
【0030】
ステップＳ１０５（図１）では、図３（Ｂ）に示すように、第２の犠牲層１３をパターニングし、開口部６２を形成する。開口部６２は、後述する犠牲層１１，１３の除去工程（ステップＳ１０７）において、エッチング液が第１の犠牲層１１に到達し易くするために形成される。
【0031】
【0032】
ステップＳ１０６（図１）では、図４（Ａ）に示すように、基板１０の表面から第２の犠牲層１３まで延在する被覆層としての保持層１４を形成する。保持層１４の材質は、後述する第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の除去工程（ステップＳ１０７）においてエッチング液で浸食されない材質が望ましく、一例としては、有機レジストが用いられる。
【0033】
保持層１４において第２の犠牲層１３の表面１３ｅに接する面１４ｅは、第２の犠牲層１３の表面１３ｅと同様に粗面化される。保持層１４の面１４ｅの表面粗さは、例えば、機能部１２の底面（すなわち基板１０側の面）の表面粗さよりも粗い。一例としては、保持層１４の面１４ｅの表面粗さ（最大高さＲｙ）は、１０ｎｍよりも粗い。
【0034】
保持層１４は、図４（Ａ）に示すように、第２の犠牲層１３の表面上に形成される頂部１４ａと、基板１０の表面上に形成される基部１４ｂと、頂部１４ａと基部１４ｂとの間で延在する柱部１４ｃとを有する。
【0035】
また、保持層１４は、図４（Ｂ）に示すようにパターニングすることが望ましい。ここで、基板１０の表面に沿って、互いに直交するＸ方向およびＹ方向を定義する。機能部１２の平面形状は、Ｘ方向に延在する２辺とＹ方向に延在する２辺とを有する矩形状である。
【0036】
保持層１４は、上面視で、機能部１２をＸ方向に跨ぐ第１の延在部１４１と、機能部１２をＹ方向に跨ぐ第２の延在部１４２とを有する。第１の延在部１４１と第２の延在部１４２とは、機能部１２の表面の中央で交差している。
【0037】
保持層１４がこのようにパターニングされるため、機能部１２の４つの角部に対応する位置に、開口部６３が形成される。なお、上記ステップＳ１０５で形成された第２の犠牲層１３の開口部６２は、開口部６３に対応する位置に形成される。
【0038】
【0039】
ステップＳ１０７（図１）では、図５（Ａ）に示すように、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば、リン酸と過酸化水素の混合液を用いることができる。
【0040】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３が除去されることにより、機能部１２は、エッチング液中で浮遊する。このとき、機能部１２が保持層１４に囲まれているため、機能部１２の位置ずれは抑制される。
【0041】
特に、保持層１４が機能部１２をＸ方向およびＹ方向に跨ぐように設けられているため、基板１０の表面と平行な面内における機能部１２の位置ずれが防止され、また、基板１０の表面に直交する方向における機能部１２の位置も規制される。
【0042】
なお、犠牲層の除去とは、犠牲層の大部分が除去されていればよく、僅かに残存部分が残っていても良い。例えば、第１の犠牲層１１の一部が基板１０上に僅かに残っていてもよい（後述する図１０参照）。
【0043】
基板１０をエッチング液から取り出すと、自重により、機能部１２が基板１０の表面に付着して保持される。機能部１２と基板１０の表面との間の付着力は、自重によるものであり、弱い付着力である。また、機能部１２と保持層１４との間には、空隙Ａが形成される。
【0044】
機能部１２の側面と保持層１４と隙間Ｗは、第２の犠牲層１３の厚さに相当する。第２の犠牲層１３の厚さが薄いほど、隙間Ｗを小さくすることができ、機能部１２がエッチング液中で浮遊している間の位置ずれを抑制することができる。すなわち、基板１０上での機能部１２の位置精度を高めることができる。
【0045】
第２の犠牲層１３の厚さは、ここでは１００ｎｍとしたが、１００ｎｍには限定されない。後述する転写基板２０（図８（Ａ））上での機能部１２の位置精度が１μｍオーダーで要求されるため、第２の犠牲層１３の厚さは１μｍ以下であることが望ましい。
【0046】
なお、ステップＳ１０７では第１の犠牲層１１と第２の犠牲層１３とを同時に除去しているが、いずれか一方を先に除去してもよい。この場合は、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の材質は、別々のエッチング液で除去されるように選定する。
【0047】
例えば、第１の犠牲層１１を第２の犠牲層１３よりも先に除去した場合には、第１の犠牲層１１を除去する間、第２の犠牲層１３によって機能部１２が基板１０から離れた位置で保持される。そのため、機能部１２の周縁部の垂れ下がり等を防止することができ、エッチング液を第１の犠牲層１１の全体に十分に浸透させることができる。これにより、エッチング残りを無くし、第１の犠牲層１１を効率よく除去することができる。
【0048】
以上のように第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去することにより、図５（Ａ）に示すように、基板１０と機能部１２と保持層１４とを有し、機能部１２と保持層１４との間に空隙Ａが設けられた電子構造体１が得られる。ステップＳ１０１～Ｓ１０７は、電子構造体１の製造工程に相当する。
【0049】
これらのステップＳ１０１～Ｓ１０７と、以下で説明するステップＳ１０８～Ｓ１１０とにより、電子デバイス２が製造される。
【0050】
【0051】
ステップＳ１０８（図１）では、電子構造体１の基板１０から、機能部１２および保持層１４を剥離する。剥離には、図６（Ａ）に示す転写ツール１７を用いる。転写ツール１７は、保持体１８と、これを支持する支持基板１９とを有する。
【0052】
保持体１８は、粘着性（タック性）および弾性を有することが望ましく、ここでは有機構造体である。例えば、硬質の材料で形成された支持基板１９の表面に、エラストマーまたは厚膜レジストによって保持体１８を形成することができる。
【0053】
保持体１８は、機能部１２の表面に接する第１の接触部１８ａと、保持層１４の表面（すなわち頂部１４ａの表面）に接する第２の接触部１８ｂとを有する。第１の接触部１８ａは、第２の接触部１８ｂよりも電子構造体１側に突出した位置にある。
【0054】
保持層１４がＸ方向およびＹ方向に十字状に延在している場合には（図５（Ｂ）参照）、第１の接触部１８ａは、Ｘ方向とＹ方向に２行２列に配置されている。第２の接触部１８ｂは、保持層１４と同様の十字状に延在する溝として形成される。
【0055】
図７（Ａ），（Ｂ）は、機能部１２および保持層１４を基板１０から剥離する工程を段階的に示す断面図である。
【0056】
まず、図７（Ａ）に示すように、転写ツール１７の保持体１８の接触部１８ａ，１８ｂを機能部１２および保持層１４に押し当てる。保持層１４は、保持体１８に上方から押圧されることにより変形し、機能部１２の表面に接触する。但し、保持層１４の機能部１２側の面１４ｅは粗面化されているため、保持層１４と機能部１２との付着力は極めて弱いものとなる。
【0057】
次に、図７（Ｂ）に示すように、転写ツール１７を基板１０から離間する方向に移動させる。転写ツール１７の保持体１８と機能部１２との付着力は、機能部１２と基板１０の表面との付着力よりも強いため、機能部１２は保持層１４と共に基板１０から剥離される。
【0058】
図８（Ａ），（Ｂ）は、機能部１２および保持層１４を、基板１０とは別の基板（転写基板と称する）２０に転写する工程を段階的に示す断面図である。転写基板２０は、機能部１２の実装領域に平滑面を有し、その平滑面の表面粗さ（最大高さＲｙ）は１０ｎｍ以下である。転写基板２０は、第２の基板とも称する。
【0059】
【0060】
機能部１２の底面および転写基板２０の表面は、いずれも表面粗さが１０ｎｍ以下の平滑面であるため、所定の加圧および加熱を行うことにより、機能部１２の底面と転写基板２０の表面とが、分子間力すなわち強い接合力で接合される。
【0061】
その後、図８（Ｂ）に示すように、転写ツール１７を転写基板２０から離間する方向に移動させる。
【0062】
機能部１２の底面と転写基板２０の表面との接合力は、転写ツール１７の保持体１８と機能部１２および保持層１４との付着力よりも強い。また、保持層１４の機能部１２側の面１４ｅは粗面化されているため、保持層１４と機能部１２との付着力は非常に弱い。
【0063】
そのため、機能部１２は転写基板２０上に接合されたまま残り、保持層１４が転写ツール１７と共に転写基板２０から離間する。転写基板２０上に機能部１２だけが残るため、転写基板２０上から不要な部材を取り除く必要がない。
【0064】
【0065】
【0066】
例えば、半導体プロセスにより、機能部１２のアノード層１２ａおよびカソード層１２ｂと転写基板２０上の配線２１，２２とを接続するように、配線層２３，２４を形成する。半導体プロセスに限らず、例えばワイヤボンディングあるいは印刷プロセスを用いても良い。
【0067】
これにより、電子デバイス２が完成する。駆動回路から配線２１，２２を介して配線層２３，２４に電圧を印加することにより、ＬＥＤである機能部１２から光が照射される。
【0068】
＜作用＞
この実施の形態１の電子構造体１は、図５（Ａ）に示したように、基板１０に第１の犠牲層１１、機能部１２、第２の犠牲層１３および保持層１４を形成したのち、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去することによって製造される。そのため、機能部１２は、基板１０の表面に弱い力で付着して保持される。
この実施の形態１の電子構造体１は、図５（Ａ）に示したように、基板１０に第１の犠牲層１１、機能部１２、第２の犠牲層１３および保持層１４を形成したのち、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去することによって製造される。そのため、機能部１２は、基板１０の表面に弱い力で付着して保持される。
【0069】
従って、図７（Ｂ）に示したように機能部１２を基板１０から容易に剥離し、転写基板２０に転写することができる。これにより、機能部１２の転写を含むプロセスを容易にすることができる。
【0070】
また、機能部１２を転写基板２０に転写したのち、図８（Ｂ）に示したように、保持層１４が転写ツール１７に付着したまま除去されるため、転写基板２０からの保持層１４の除去工程が不要である。そのため、転写基板２０として、予め電子部品等が実装されたプリント基板、フレキシブル基板等を用いることができる。
【0071】
また、図５（Ａ）に示したように、保持層１４が基板１０から第２の犠牲層１３まで延在しているため、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去する工程では、保持層１４によって機能部１２の位置ずれを抑制することができる。そのため、基板１０上での機能部１２の位置精度を高めることができる。
【0072】
また、図３（Ａ）で示したように、第２の犠牲層１３の表面１３ｅを粗面化することにより、第２の犠牲層１３上に形成される保持層１４の機能部１２側の面１４ｅも粗面化される。これにより、機能部１２と保持層１４との付着力を弱くすることができ、図８（Ｂ）に示した工程で保持層１４を機能部１２から容易に離間させることができる。
【0073】
＜実施の形態１の効果＞
以上説明したように、実施の形態１の電子構造体１の製造方法は、基板１０と、基板１０上に設けられた第１の犠牲層１１と、第１の犠牲層１１上に形成された機能部１２とを有する積層基板を用い、基板１０から機能部１２まで延在する第２の犠牲層１３を形成する工程と、基板１０から第２の犠牲層１３まで延在する保持層（被覆層）１４を形成する工程と、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去する工程とを有する。
以上説明したように、実施の形態１の電子構造体１の製造方法は、基板１０と、基板１０上に設けられた第１の犠牲層１１と、第１の犠牲層１１上に形成された機能部１２とを有する積層基板を用い、基板１０から機能部１２まで延在する第２の犠牲層１３を形成する工程と、基板１０から第２の犠牲層１３まで延在する保持層（被覆層）１４を形成する工程と、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去する工程とを有する。
【0074】
この電子構造体１では、機能部１２が基板１０に弱い付着力で付着した状態で保持されるため、機能部１２を基板１０から容易に剥離し、転写基板２０に転写することができる。これにより、機能部１２の転写を含むプロセスを容易にすることができる。
【0075】
また、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去する工程では、保持層１４が機能部１２の位置ずれを抑制する作用を奏する。そのため、基板１０上での機能部１２の位置精度を高めることができる。
【0076】
また、保持層１４の機能部１２側の面１４ｅの表面粗さを、機能部１２の底面（すなわち基板１０側の面）の表面粗さよりも粗くすることにより、機能部１２を転写基板２０に転写した後に、保持層１４を機能部１２から容易に離間させることができる。
【0077】
また、第１の犠牲層１１と第２の犠牲層１３とが同一のエッチング材料で除去されるため、単一の工程（ステップＳ１０７）で第１の犠牲層１１と第２の犠牲層１３を除去することができ、生産効率をさらに高めることができる。
【0078】
図１０は、電子構造体１の他の構成例を示す図である。図１０に示す電子構造体１は、実施の形態１と同様の製造方法で製造されるが、ステップＳ１０７（図１）において第１の犠牲層１１の一部（残存部１１ａと称する）を残している。
【0079】
この構成例では、基板１０と機能部１２とが残存部１１ａを介して接合されるため、基板１０上での機能部１２の位置ずれを抑制する効果が高い。また、第１の犠牲層１１の残存部１１ａの面積を微小面積とすれば、ステップＳ１０８（図１）の剥離工程において機能部１２を基板１０から容易に剥離することができる。
【0080】
但し、機能部１２を転写基板２０に転写する転写工程（図８（Ａ））の前に、基板１０の底面から残存部１１ａを除去するための洗浄工程が必要である。
【0081】
変形例．
次に、実施の形態１の変形例について説明する。変形例では、実施の形態１の機能部１２の代わりに、複数の素子および配線層を含む機能ユニット３０を用いる。機能ユニット３０は、例えば、他の成長基板上で形成し、成長基板から剥離して、基板１０に転写したものである。
次に、実施の形態１の変形例について説明する。変形例では、実施の形態１の機能部１２の代わりに、複数の素子および配線層を含む機能ユニット３０を用いる。機能ユニット３０は、例えば、他の成長基板上で形成し、成長基板から剥離して、基板１０に転写したものである。
【0082】
図１１（Ａ），（Ｂ）は、実施の形態１の変形例の電子構造体１Ａの製造方法において、基板１０上に第１の犠牲層１１、機能ユニット３０、第２の犠牲層１３および保持層１４を形成した状態を示す断面図および平面図である。
【0083】
機能部としての機能ユニット３０は、ベース層３１と、機能層３２と、第１の配線層３３と、第２の配線層３４と、これらを覆うカプセル層３５とを有する。
【0084】
ベース層３１は第１の犠牲層１１上に配置され、ＳｉＯ２等の絶縁体で形成されている。ベース層３１には、第１の犠牲層１１に達する貫通孔（スルーホール）３１ａ，３１ｂが形成されている。ベース層３１の底面すなわち基板１０側の面は、表面粗さ（最大高さＲｙ）が１０ｎｍ以下の平滑面である。
【0085】
機能層３２は、例えば半導体層であり、エピタキシャル層である。機能層３２は、アノード層３２ａとカソード層３２ｂとを有する。機能層３２は、機能性薄膜とも称する。
【0086】
配線層３３，３４は、例えば金（Ａｕ）またはその合金で形成されている。第１の配線層３３は、機能層３２のアノード層３２ａからベース層３１の貫通孔３１ａまで延在している。第１の配線層３３は、貫通孔３１ａを介してベース層３１の下面に露出し、電極パッド３３ａを形成している。電極パッド３３ａの表面粗さは、例えば１０ｎｍである。
【0087】
第２の配線層３４は、機能層３２のカソード層３２ｂからベース層３１の貫通孔３１ｂまで延在している。第２の配線層３４は、貫通孔３１ｂを介してベース層３１の下面に露出し、電極パッド３４ａを形成している。電極パッド３４ａの表面粗さは、例えば１０ｎｍである。
【0088】
カプセル層３５は、ベース層３１、機能層３２および配線層３３，３４を覆うように形成され、ＳｉＯ２等の絶縁体で形成される。機能層３２がＬＥＤ等の半導体素子である場合には、カプセル層３５は光を透過する材質で形成される。
【0089】
機能層３２と第１の配線層３３と第２の配線層３４とにより、所定の機能（例えば発光機能）を有する素子が構成される。後述する図１２（Ｂ）に示すように、機能ユニット３０内には、機能の異なる複数の素子が設けられている。ここでは、機能ユニット３０内に、赤色、緑色および青色の光を発する３組の素子（機能層３２および配線層３３，３４）が設けられている。
【0090】
機能ユニット３０は、第１の犠牲層１１上に設けられている。また、機能ユニット３０上には第２の犠牲層１３が設けられ、第２の犠牲層１３上には保持層１４が設けられている。なお、基板１０と、第１の犠牲層１１と、機能ユニット３０とを合わせて、積層基板と称する。
【0091】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３は、例えば、無機膜または有機膜である。より具体的には、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３は、機能ユニット３０のベース層３１およびカプセル層３５を浸食しないエッチング液で除去される材質で形成される。
【0092】
保持層１４は、例えば、有機レジストで形成される。保持層１４は、実施の形態１で説明したように、頂部１４ａと基部１４ｂと柱部１４ｃとを有する。
【0093】
実施の形態１で説明したように、第２の犠牲層１３の表面１３ｅは粗面化され、これに接する保持層１４の面１４ｅも粗面化される。
【0094】
なお、ここでは第２の犠牲層１３の表面１３ｅを粗面化することによって保持層１４の当該面１４ｅを粗面化しているが、他の方法で保持層１４の当該面１４ｅを粗面化してもよい。例えば、機能ユニット３０のカプセル層３５の表面を粗面化すれば、これに追従して第２の犠牲層１３の表面１３ｅが粗面化され、保持層１４の当該面１４ｅを粗面化することができる。
【0095】
【0096】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の除去は、実施の形態１のステップＳ１０７と同様に、ウエットエッチングにより行われる。エッチング液としては、機能ユニット３０のベース層３１およびカプセル層３５が浸食されない材料が選択される。
【0097】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３は同一工程で除去してもよく、第１の犠牲層１１を先に除去しても良い。
【0098】
機能ユニット３０はエッチング液中で浮遊するが、保持層１４によって機能ユニット３０の位置ずれが抑制される。なお、機能ユニット３０の底面には、配線層３３，３４の一部である電極パッド３３ａ，３４ａが露出しており、エッチング液に接するため、配線層３３，３４はエッチング液に浸食されない材質（上述した金等）で形成されている。
【0099】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の除去後は、機能ユニット３０が基板１０の表面に弱い付着力により付着して保持される。また、機能ユニット３０と保持層１４との間には、空隙Ａが形成される。これにより、電子構造体１Ａが形成される。
【0100】
【0101】
機能ユニット３０が基板１０の表面に弱い付着力で付着しているため、機能ユニット３０を基板１０から容易に剥離することができる。
【0102】
機能ユニット３０の底面の電極パッド３３ａ，３４ａと、転写基板２０上の配線２１，２２（図９（Ｂ））との位置合わせ精度を確保するため、第２の犠牲層１３の厚さは、電極パッド３３ａ，３４ａのそれぞれの短手方向の幅の半分以上であることが望ましい。
【0103】
この変形例では、複数の素子および配線等を有する機能ユニット３０を、基板１０から容易に剥離し、転写基板２０に転写することができる。そのため、機能ユニット３０の転写を含むプロセスを容易にすることができる。
【0104】
また、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３を除去する工程では、保持層１４によって機能ユニット３０の位置ずれが抑制されるため、基板１０上での機能ユニット３０の位置精度を高めることができる。
【0105】
【0106】
図１４（Ａ）は、基板１０上に第１の犠牲層１１および機能部１２を形成する工程を示す断面図である。図１４（Ｂ）は、第１の犠牲層１１および機能部１２をパターニングし、第２の犠牲層１３を形成する工程を示す断面図である。図１４（Ｃ）は、第２の犠牲層１３をパターニングする工程である。
【0107】
【0108】
ステップＳ１０２（図１３）では、図１４（Ｂ）に示すように、第１の犠牲層１１および機能部１２をエッチング等によりパターニングし、基板１０の表面を露出させる分離溝６１を形成する。なお、基板１０と、第１の犠牲層１１と、機能部１２とを合わせて、積層基板と称する。
【0109】
【0110】
実施の形態１では、ステップＳ１０４で第２の犠牲層１３の表面の粗面化を行ったが、実施の形態２では粗面化を行わない。
【0111】
【0112】
【0113】
ステップＳ１０６（図１３）では、図１５（Ａ）に示すように、基板１０の表面から第２の犠牲層１３まで延在する保持層１４を形成する。第２の犠牲層１３の表面が粗面化されていないため、保持層１４の第２の犠牲層１３に接触する面も粗面化されない。
【0114】
ステップＳ１０７（図１３）では、図１５（Ｂ）に示すように、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３をエッチングにより除去する。犠牲層１１，１３の除去により、機能部１２が基板１０の表面に弱い付着力で付着して保持される。また、機能部１２と保持層１４との間には、空隙Ａが形成される。これにより、電子構造体１Ｂが得られる。
【0115】
【0116】
上記の通り、機能部１２は基板１０の表面に弱い付着力で付着しているため、基板１０からの剥離工程では、機能部１２を基板１０から容易に剥離することができる。
【0117】
実施の形態２では、保持層１４の機能部１２側の面が粗面化されていない。しかしながら、保持層１４の材質の選択により、保持層１４と機能部１２との付着力が機能部１２と転写基板２０の表面との接合力よりも十分小さくなるようにすれば、転写基板２０上に機能部１２を残し、保持層１４を転写基板２０から剥離することができる。
【0118】
実施の形態３．
次に、実施の形態３について説明する。図１６は、実施の形態３の電子構造体１Ｃの製造方法を示すフローチャートである。図１７（Ａ）は、基板１０上に第３の犠牲層１５および第１の犠牲層１１を形成する工程を示す断面図である。図１７（Ｂ）は、第１の犠牲層１１上に機能ユニット３０を形成する工程を示す断面図である。図１７（Ｃ）は、第２の犠牲層１３を形成する工程を示す断面図である。
次に、実施の形態３について説明する。図１６は、実施の形態３の電子構造体１Ｃの製造方法を示すフローチャートである。図１７（Ａ）は、基板１０上に第３の犠牲層１５および第１の犠牲層１１を形成する工程を示す断面図である。図１７（Ｂ）は、第１の犠牲層１１上に機能ユニット３０を形成する工程を示す断面図である。図１７（Ｃ）は、第２の犠牲層１３を形成する工程を示す断面図である。
【0119】
【0120】
第３の犠牲層１５は、例えば、無機膜または有機膜である。第１の犠牲層１１は、例えば、無機膜または有機膜である。より具体的には、第１の犠牲層１１は、第３の犠牲層１５および後述する第２の犠牲層１３を浸食しないエッチング液によって除去可能な材質で形成される。
【0121】
【0122】
ステップＳ２０３（図１６）では、図１７（Ｂ）に示すように、第１の犠牲層１１上に機能ユニット３０を形成する。機能ユニット３０は、実施の形態１の変形例で説明したように、複数の素子および配線層を含む複合体である。機能ユニット３０は、例えば、他の成長基板上で形成し、成長基板から剥離して基板１０に転写したものである。
【0123】
機能ユニット３０は、ベース層３１と、機能層３２と、第１の配線層３３と、第２の配線層３４と、これらを覆うカプセル層３５とを有する。これらは第１の実施の形態の変形例（図１１（Ａ）～図１２（Ｂ））と同様であるため、説明を省略する。なお、基板１０と、第３の犠牲層１５と、第１の犠牲層１１と、機能ユニット３０とを合わせて、積層基板と称する。
【0124】
ステップＳ２０４（図１６）では、図１７（Ｃ）に示すように、基板１０の表面から機能ユニット３０まで延在する第２の犠牲層１３を形成する。第２の犠牲層１３は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機膜である。第２の犠牲層１３の厚さは、例えば１００ｎｍである。
【0125】
【0126】
【0127】
【0128】
【0129】
ステップＳ２０７（図１６）では、図１９（Ａ）に示すように、基板１０の表面から第２の犠牲層１３まで延在する被覆層としての保持層１４を形成する。保持層１４は、後述する第１の犠牲層１１の除去工程（ステップＳ２０８）でエッチング液に浸食されない材質、例えば有機レジストで形成される。保持層１４において第２の犠牲層１３の表面１３ｅに接する面１４ｅは、第２の犠牲層１３の表面１３ｅと同様に粗面化される。
【0130】
保持層１４は、図１９（Ａ）に示すように、第２の犠牲層１３の表面上に形成される頂部１４ａと、基板１０の表面上に形成される基部１４ｂと、頂部１４ａと基部１４ｂとの間で延在する柱部１４ｃとを有する。また、保持層１４は、例えば、実施の形態１の図４（Ｂ）に示した平面形状にパターニングすることが望ましい。
【0131】
【0132】
第１の犠牲層１１は除去されるが、第２の犠牲層１３は除去されないため、機能ユニット３０は第２の犠牲層１３を介して保持層１４に保持される。そのため、基板１０上の第３の犠牲層１５と機能ユニット３０との間には、空隙Ｃが形成される。
【0133】
【0134】
ステップＳ２０９（図１６）では、図２０（Ａ），（Ｂ）に示すように、第３の犠牲層１５の表面を粗面化する。第３の犠牲層１５の表面は狭い空隙Ｃ内にあるが、アッシング等のプラズマ処理による粗面化は可能である。また、第３の犠牲層１５が金属で形成されている場合には、加熱によって第３の犠牲層１５の表面を粗面化することもできる。
【0135】
プラズマ処理の場合、機能ユニット３０の底面（電極パッド３３ａ，３４ａを含む）を粗面化しない材料（例えば不活性ガス）を用いることが望ましい。
【0136】
粗面化は、第３の犠牲層１５の表面粗さが、機能ユニット３０のベース層３１の底面よりも粗くなるように行う。一例としては、第３の犠牲層１５の表面粗さ（最大高さＲｙ）が１０ｎｍよりも荒くなるように粗面化を行う。
【0137】
図２１（Ａ），（Ｂ）は、第２の犠牲層１３を除去する工程を示す断面図および平面図である。なお、図２１（Ａ）は、図２１（Ｂ）に示した線分２１Ａ－２１Ａにおける断面図に相当する。また、図２１（Ｂ）では、保持層１４を破線で示している。
【0138】
【0139】
第２の犠牲層１３の除去に伴い、機能ユニット３０はエッチング液中で浮遊するが、機能ユニット３０を囲むように保持層１４が設けられているため（図２１（Ｂ））、機能ユニット３０の位置ずれは抑制される。
【0140】
基板１０をエッチング液から取り出すと、自重により、機能ユニット３０が第３の犠牲層１５の表面上で保持される。第３の犠牲層１５の表面が粗面化されているため、第３の犠牲層１５と機能ユニット３０との付着力は極めて弱い。また、機能ユニット３０と保持層１４との間には、空隙Ａが形成される。
【0141】
これにより、図２１（Ｂ）に示すように、基板１０と機能ユニット３０と保持層１４とを有し、機能ユニット３０と保持層１４との間に空隙Ａが設けられた電子構造体１Ｃが得られる。ステップＳ２０１～Ｓ２１０は、電子構造体１Ｃの製造工程に相当する。
【0142】
これらのステップＳ２０１～Ｓ２１０と、以下で説明するステップＳ２１１～Ｓ２１３とにより、電子デバイス２Ｃが得られる。
【0143】
図２２（Ａ），（Ｂ）は、機能ユニット３０および保持層１４を基板１０から剥離する工程を段階的に示す断面図である。
【0144】
ステップＳ２１１（図１６）では、電子構造体１Ｃの基板１０から、機能ユニット３０および保持層１４を剥離する。剥離には、図２２（Ａ）に示す転写ツール１７を用いる。転写ツール１７の構成は、実施の形態１で説明した通りである。
【0145】
まず、図２２（Ａ）に示すように、転写ツール１７の保持体１８を機能ユニット３０および保持層１４に押し当てる。保持層１４は、保持体１８に上方から押圧されることにより変形し、機能ユニット３０の表面に接触する。但し、保持層１４の機能ユニット３０側の面１４ｅは粗面化されているため、保持層１４と機能ユニット３０との付着力は極めて弱い。
【0146】
次に、図２２（Ｂ）に示すように、転写ツール１７を基板１０から離間する方向に移動させる。転写ツール１７の保持体１８と機能ユニット３０との付着力は、機能ユニット３０と第３の犠牲層１５との付着力よりも強い。そのため、機能ユニット３０は保持層１４と共に基板１０から剥離される。
【0147】
なお、図２２（Ｂ）では、機能ユニット３０の剥離時に保持層１４が破断して、基部１４ｂが基板１０に残っているが、保持層１４を完全に基板１０から離間させてもよい。
【0148】
図２３（Ａ），（Ｂ）は、機能ユニット３０を基板１０とは別の転写基板４０に転写する工程を段階的に示す断面図である。転写基板４０は、実施の形態１で説明した転写基板２０と同様に構成されているが、予め配線４１，４２が形成されている。
【0149】
【0150】
機能ユニット３０の底面および転写基板２０の表面は、表面粗さ（最大高さＲｙ）が１０ｎｍ以下の平滑面である。そのため、所定の加圧および加熱を行うことにより、機能ユニット３０の底面と転写基板２０の表面とが、分子間力すなわち強い接合力で互いに接合される。
【0151】
転写基板４０上の配線４１，４２の延在方向をＹ方向とすると、機能ユニット３０は、３つの素子（機能層３２および配線層３３，３４）がＹ方向に並ぶように、転写基板４０に転写される。
【0152】
上述した第２の犠牲層１３の除去工程（ステップＳ２１０）において、保持層１４により機能ユニット３０の位置ずれが抑制されるため、機能ユニット３０の電極パッド３３ａ，３４ａと、転写基板４０の配線４１，４２との位置ずれを最小限に抑えることができる。
【0153】
その後、図２３（Ｂ）に示すように、転写ツール１７を転写基板２０から離間する方向に移動させる。
【0154】
機能ユニット３０の底面と転写基板２０の表面との接合力は、転写ツール１７の保持体１８と機能ユニット３０および保持層１４との付着力よりも強い。また、保持層１４の機能ユニット３０側の面１４ｅは粗面化されているため、保持層１４と機能ユニット３０との付着力は弱い。
【0155】
そのため、機能ユニット３０は転写基板２０上に接合されたまま残り、保持層１４が転写ツール１７と共に転写基板２０から離間する。
【0156】
これにより、転写基板２０に機能ユニット３０が配置された電子デバイス２Ｃが得られる。図示しない駆動回路から配線４１，４２を介して配線層３３，３４に電圧を印加することにより、機能ユニット３０の３つの素子から赤色、緑色および青色の光が照射される。
【0157】
以上説明したように、実施の形態３では、第１の犠牲層１１を除去したのち、基板１０上の第３の犠牲層１５の表面を粗面化する。第２の犠牲層１３を除去すると、機能ユニット３０が第３の犠牲層１５の粗面化された表面で保持されるため、機能ユニット３０と第３の犠牲層１５との付着力が弱い。そのため、剥離工程では、機能ユニット３０を第３の犠牲層１５から容易に剥離することができる。
【0158】
なお、ここでは機能ユニット３０を用いた例について説明したが、機能ユニット３０の代わりに、実施の形態１で説明した機能部１２を用いてもよい。また、実施の形態１の実施の形態２で説明したように、第２の犠牲層１３の粗面化を行わなくてもよい。
【0159】
実施の形態４．
次に、実施の形態４について説明する。図２４（Ａ），（Ｂ）は、実施の形態４の電子構造体１Ｄの製造方法において、基板１０上に第１の犠牲層１１、機能ユニット３０、第２の犠牲層１３および保持層１４を形成した状態を示す断面図および平面図である。
次に、実施の形態４について説明する。図２４（Ａ），（Ｂ）は、実施の形態４の電子構造体１Ｄの製造方法において、基板１０上に第１の犠牲層１１、機能ユニット３０、第２の犠牲層１３および保持層１４を形成した状態を示す断面図および平面図である。
【0160】
実施の形態４では、実施の形態１の保持層１４の代わりに、機能ユニット３０の外周に沿って配置された被覆層としての複数の保持層５１を用いる。ここでは、図２４（Ｂ）に示すように、４つの保持層５１が、機能ユニット３０の四辺にそれぞれ配置されている。
【0161】
言い換えると、機能ユニット３０をＸ方向両側およびＹ方向両側から挟み込む位置に、保持層５１がそれぞれ配置されている。なお、保持層５１は、機能ユニット３０の四辺に限らず、例えば４つの角部に配置してもよい。各保持層５１は、例えば、有機レジストによって形成される。
【0162】
保持層５１は、上面視で、機能ユニット３０の中央領域には到達していないことが望ましい。このようにすれば、機能ユニット３０の剥離工程（図２６（Ａ））において、転写ツール１７の保持体１８を、保持層５１に接触させずに機能ユニット３０のみに接触させることができる。
【0163】
図２４（Ａ）に示すように、各保持層５１は、第２の犠牲層１３の表面に位置する頂部５１ａと、基板１０上に形成された基部５１ｂと、頂部５１ａと基部５１ｂとの間で延在する柱部５１ｃとを有する。頂部５１ａと柱部５１ｃとの間の角部５１ｄは、機能ユニット３０のカプセル層３５の角部３０ａの湾曲形状に追従して、同様の湾曲形状となる。
【0164】
図２４（Ｂ）に示すように、Ｘ方向に対向する２つの保持層５１の頂部５１ａの最短距離Ｄｘは、機能ユニット３０のＸ方向の幅よりも短い。同様に、Ｙ方向に対向する保持層５１の頂部５１ａの最短距離Ｄｙは、機能ユニット３０のＹ方向の幅よりも短い。
【0165】
図２５（Ａ），（Ｂ）は、第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３をウエットエッチングにより除去する工程を示す断面図および平面図である。なお、図２５（Ａ）は、図２５（Ｂ）に示す線分２５Ａ－２５Ａにおける断面図に相当する。
【0166】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の除去工程では、機能ユニット３０がエッチング液中で浮遊する。しかしながら、図２５（Ａ）に示すように、機能ユニット３０が複数の保持層５１で囲まれているため、基板１０の表面と平行な面内における機能ユニット３０の位置ずれが抑制され、また、基板１０の表面に直交する方向における機能ユニット３０の位置ずれも規制される。
【0167】
第１の犠牲層１１および第２の犠牲層１３の除去により、機能ユニット３０は基板１０の表面に弱い付着力で付着した状態で保持される。また、機能ユニット３０と保持層５１との間には、空隙Ａが形成される。これにより、電子構造体１Ｄが得られる。
【0168】
図２６（Ａ），（Ｂ）は、電子構造体１Ｄの機能ユニット３０を基板１０から剥離する工程を段階的に示す断面図である。機能ユニット３０の剥離には、実施の形態１で説明した転写ツール１７を用いる。
【0169】
転写ツール１７の保持体１８は、機能ユニット３０の上面に押し当てられる。保持層５１の頂部５１ａは機能ユニット３０の中央領域まで達していないため、保持体１８を保持層５１に接触させずに、機能ユニット３０のみに接触させることができる。
【0170】
図２６（Ａ）に示すように、転写ツール１７を基板１０から離間する方向に移動させると、機能ユニット３０が基板１０から剥離する。
【0171】
図２６（Ｂ）に示すように、転写ツール１７を基板１０から離間する方向にさらに移動させると、機能ユニット３０のカプセル層３５の角部の湾曲面３５ａが保持層５１の頂部５１ａに当接し、保持層５１を外側に押し広げる。
【0172】
保持層５１は有機レジストで形成され、ある程度の弾性および可撓性を有するため、機能ユニット３０に付勢されることによる弾性変形が可能である。そのため、保持層５１を破断することなく、機能ユニット３０を基板１０から離間することができる。
【0173】
機能ユニット３０の転写基板４０への転写は、実施の形態３で図２３（Ａ），（Ｂ）を参照して説明した通りである。但し、転写ツール１７に保持層５１が付着していないため、機能ユニット３０を転写基板２０に簡単に転写することができる。
【0174】
実施の形態４では、転写ツール１７に保持層５１が残らないため、転写ツール１７を再利用することができる。
【0175】
ここでは、機能ユニット３０の周囲に４つの保持層５１を配置した例について説明したが、保持層５１の数は４つに限らず、２つ以上であればよい。例えば、機能ユニット３０の３辺に保持層５１を設けてもよい。
【0176】
また、機能ユニット３０に代えて、実施の形態１の機能部１２を用いてもよい。また、実施の形態３で説明した第３の犠牲層１５を設けてもよい。基板１０と、第３の犠牲層１５と、第１の犠牲層１１と、機能ユニット３０（または機能部１２）とを合わせて、積層基板と称する。
【0177】
以上説明したように、実施の形態４では、互いに離間して配置された複数の保持層（被覆層）５１を用いるため、犠牲層１１，１３の除去時の機能ユニット３０の位置ずれを防止することができると共に、転写ツール１７を機能ユニット３０のみに接触させることができ、転写を含むプロセスを容易にすることができる。また、転写ツール１７に保持層５１が残らず、転写ツール１７の再利用が可能になる。
【0178】
なお、機能ユニット３０の代わりに、実施の形態１で説明した機能部１２を用いてもよい。また、実施の形態２で説明したように、第２の犠牲層１３の粗面化を行わなくてもよい。また、実施の形態３で説明したように、第３の犠牲層１５を設けて、その粗面化を行っても良い。
【0179】
以上、望ましい実施の形態について具体的に説明したが、本開示は上記の実施の形態に限定されるものではなく、各種の改良または変形を行なうことができる。
【0180】
本開示は、圧電デバイス、光電変換デバイス、スイッチ素子、パワーデバイス等の電子デバイスの製造方法に適用することができる。
【0181】
以下に、本開示の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
（付記１）
基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、前記第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、前記基板から前記機能部まで延在する第２の犠牲層を形成する工程と、
前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程と
を有する電子構造体の製造方法。
（付記２）
前記第２の犠牲層を形成する工程の前に、
前記基板上に前記第１の犠牲層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層上に前記機能部を形成する工程と
を有する付記１に記載の電子構造体の製造方法。
（付記３）
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、前記機能部と前記基板とを接触する
ことを特徴とする付記１または２に記載の電子構造体の製造方法。
（付記４）
前記被覆層の前記機能部側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする
ことを特徴とする付記１から３までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記５）
前記積層基板は、前記基板と前記第１の犠牲層との間に第３の犠牲層を有し、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程は、
前記第１の犠牲層を除去する工程と、
前記第３の犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする工程と、
前記第２の犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記６）
前記第２の犠牲層を除去する工程では、前記機能部と前記第３の犠牲層とを接触させる
ことを特徴とする付記５に記載の電子構造体の製造方法。
（付記７）
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、
前記第１の犠牲層と前記第２の犠牲層とを、同一のエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記８）
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、
前記第１の犠牲層を所定のエッチング材料を用いて除去したのち、前記第２の犠牲層のうちの他方を前記エッチング材料とは異なるエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記９）
前記被覆層を形成する工程では、
前記機能部の外周に沿って、複数の被覆層を形成する
ことを特徴とする付記１から８までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記１０）
基板と、
前記基板上に形成された機能部と、
前記基板上に、前記機能部を囲むように形成された被覆層と
を有し、
前記機能部と前記被覆層との間に空隙が形成されている
電子構造体。
（付記１１）
前記被覆層の前記機能部側の面の表面粗さは、前記機能部の前記被覆層側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする付記１０に記載の電子構造体。
（付記１２）
前記基板と前記機能部との間に、犠牲層を有し、
前記犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さは、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする付記１０または１１に記載の電子構造体。
（付記１３）
前記機能部の外周に沿って、複数の前記被覆層が形成されている
ことを特徴とする付記１０から１２までの何れか１項に記載の電子構造体。
（付記１４）
基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、前記第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去することにより、前記基板と前記機能部とを接触させる工程と、
前記機能部を前記基板から剥離する工程と、
前記機能部を前記基板とは別の基板に転写する工程と
を有する電子デバイスの製造方法。
（付記１５）
前記機能部を前記基板から剥離する工程では、
前記機能部と共に前記被覆層を前記基板から剥離する
付記１４に記載の電子デバイスの製造方法。
（付記１６）
前記機能部を前記基板から剥離する工程では、
前記被覆層を変形させながら、前記機能部を前記基板から剥離する
付記１４に記載の電子デバイスの製造方法。
（付記１）
基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、前記第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、前記基板から前記機能部まで延在する第２の犠牲層を形成する工程と、
前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程と
を有する電子構造体の製造方法。
（付記２）
前記第２の犠牲層を形成する工程の前に、
前記基板上に前記第１の犠牲層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層上に前記機能部を形成する工程と
を有する付記１に記載の電子構造体の製造方法。
（付記３）
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、前記機能部と前記基板とを接触する
ことを特徴とする付記１または２に記載の電子構造体の製造方法。
（付記４）
前記被覆層の前記機能部側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする
ことを特徴とする付記１から３までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記５）
前記積層基板は、前記基板と前記第１の犠牲層との間に第３の犠牲層を有し、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程は、
前記第１の犠牲層を除去する工程と、
前記第３の犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さを、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗くする工程と、
前記第２の犠牲層を除去する工程とを有する
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記６）
前記第２の犠牲層を除去する工程では、前記機能部と前記第３の犠牲層とを接触させる
ことを特徴とする付記５に記載の電子構造体の製造方法。
（付記７）
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、
前記第１の犠牲層と前記第２の犠牲層とを、同一のエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記８）
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去する工程では、
前記第１の犠牲層を所定のエッチング材料を用いて除去したのち、前記第２の犠牲層のうちの他方を前記エッチング材料とは異なるエッチング材料を用いて除去する
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記９）
前記被覆層を形成する工程では、
前記機能部の外周に沿って、複数の被覆層を形成する
ことを特徴とする付記１から８までの何れか１項に記載の電子構造体の製造方法。
（付記１０）
基板と、
前記基板上に形成された機能部と、
前記基板上に、前記機能部を囲むように形成された被覆層と
を有し、
前記機能部と前記被覆層との間に空隙が形成されている
電子構造体。
（付記１１）
前記被覆層の前記機能部側の面の表面粗さは、前記機能部の前記被覆層側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする付記１０に記載の電子構造体。
（付記１２）
前記基板と前記機能部との間に、犠牲層を有し、
前記犠牲層の前記基板と反対側の面の表面粗さは、前記機能部の前記基板側の面の表面粗さよりも粗い
ことを特徴とする付記１０または１１に記載の電子構造体。
（付記１３）
前記機能部の外周に沿って、複数の前記被覆層が形成されている
ことを特徴とする付記１０から１２までの何れか１項に記載の電子構造体。
（付記１４）
基板と、基板上に形成された第１の犠牲層と、前記第１の犠牲層上に形成された機能部とを有する積層基板を用い、前記基板から前記第２の犠牲層まで延在する被覆層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去することにより、前記基板と前記機能部とを接触させる工程と、
前記機能部を前記基板から剥離する工程と、
前記機能部を前記基板とは別の基板に転写する工程と
を有する電子デバイスの製造方法。
（付記１５）
前記機能部を前記基板から剥離する工程では、
前記機能部と共に前記被覆層を前記基板から剥離する
付記１４に記載の電子デバイスの製造方法。
（付記１６）
前記機能部を前記基板から剥離する工程では、
前記被覆層を変形させながら、前記機能部を前記基板から剥離する
付記１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【符号の説明】
【0182】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 電子構造体、 ２，２Ｃ 電子デバイス、 １０ 基板（第１の基板）、 １１ 第１の犠牲層、 １２ 機能部、 １３ 第２の犠牲層、 １３ｅ 表面、 １４ 保持層（被覆層）、 １４ｅ 面、 １５ 第３の犠牲層（犠牲層、第３の犠牲層）、 １７ 転写ツール、 １８ 保持器、 １９ 支持体、 ２０，４０ 転写基板（第２の基板）、 ３０ 機能ユニット（機能部）、 ３１ ベース層、 ３２ 機能部、 ３３ 第１の配線層、 ３３ａ，３４ａ 電極パッド、 ３４ 第２の配線層、 ３５ カプセル層（カバー層）、 ５１ 保持層（被覆層）。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】