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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024139267
(43)【公開日】2024-10-09
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01C 7/00 20060101AFI20241002BHJP
H01C 17/24 20060101ALI20241002BHJP
【ＦＩ】
H01C7/00 110
H01C17/24
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023050132
(22)【出願日】2023-03-27
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】金森 アヌーシュ
【テーマコード（参考）】
5E032
5E033
【Ｆターム（参考）】
5E032BA14
5E032BB02
5E032CA02
5E032CC14
5E032TA03
5E032TA17
5E032TB02
5E033AA05
5E033BC01
5E033BD12
5E033BE01
5E033BH01
(57)【要約】
【課題】高周波数帯域におけるインピーダンス特性の向上を図ること。
【解決手段】電子部品は、第１主面を有する基板と、第１主面に形成され、互いに離隔した第１外部端子３１および第２外部端子３２と、第１主面に形成され、第１外部端子３１および第２外部端子３２に電気的に接続された抵抗回路部４０と、を備える。抵抗回路部４０は、第１主面に形成され、第１外部端子３１が電気的に接続された第１配線４１と、第１主面に形成され、第２外部端子３２が電気的に接続された第２配線４２と、第１配線４１および第２配線４２に電気的に接続され、平面視においてＸ方向に延びるとともにＹ方向に配列された第１抵抗体であるメイン抵抗体５１および第２抵抗体である補正抵抗体５２と、を含む。補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも小さい。
【選択図】図５
【解決手段】電子部品は、第１主面を有する基板と、第１主面に形成され、互いに離隔した第１外部端子３１および第２外部端子３２と、第１主面に形成され、第１外部端子３１および第２外部端子３２に電気的に接続された抵抗回路部４０と、を備える。抵抗回路部４０は、第１主面に形成され、第１外部端子３１が電気的に接続された第１配線４１と、第１主面に形成され、第２外部端子３２が電気的に接続された第２配線４２と、第１配線４１および第２配線４２に電気的に接続され、平面視においてＸ方向に延びるとともにＹ方向に配列された第１抵抗体であるメイン抵抗体５１および第２抵抗体である補正抵抗体５２と、を含む。補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも小さい。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面を有する基板と、
前記第１主面に形成され、互いに離隔した第１外部端子および第２外部端子と、
前記第１主面に形成され、前記第１外部端子および前記第２外部端子に電気的に接続された抵抗回路部と、
を備え、
前記抵抗回路部は、
前記第１主面に形成され、前記第１外部端子が電気的に接続された第１配線と、
前記第１主面に形成され、前記第２外部端子が電気的に接続された第２配線と、
前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続され、平面視において第１方向に延びるとともに前記第１方向と直交する第２方向に配列された第１抵抗体および第２抵抗体と、
を含み、
前記第２抵抗体の前記第１方向の長さ寸法は、前記第１抵抗体の前記第１方向の長さ寸法よりも小さい
電子部品。
前記第１主面に形成され、互いに離隔した第１外部端子および第２外部端子と、
前記第１主面に形成され、前記第１外部端子および前記第２外部端子に電気的に接続された抵抗回路部と、
を備え、
前記抵抗回路部は、
前記第１主面に形成され、前記第１外部端子が電気的に接続された第１配線と、
前記第１主面に形成され、前記第２外部端子が電気的に接続された第２配線と、
前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続され、平面視において第１方向に延びるとともに前記第１方向と直交する第２方向に配列された第１抵抗体および第２抵抗体と、
を含み、
前記第２抵抗体の前記第１方向の長さ寸法は、前記第１抵抗体の前記第１方向の長さ寸法よりも小さい
電子部品。
【請求項2】
前記第２抵抗体の前記第１方向の長さ寸法は、前記第１抵抗体の前記第１方向の長さ寸法の１／２以上３／４以下である
請求項１に記載の電子部品。
請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記第１抵抗体は、前記第１配線および前記第２配線と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体であり、
前記第２抵抗体は、前記第１配線および前記第２配線と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体である
請求項１に記載の電子部品。
前記第２抵抗体は、前記第１配線および前記第２配線と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体である
請求項１に記載の電子部品。
【請求項4】
前記第１抵抗体は、前記第１配線および前記第２配線と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体であり、
前記第２抵抗体は、前記第１配線および前記第２配線と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体である
請求項１に記載の電子部品。
前記第２抵抗体は、前記第１配線および前記第２配線と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体である
請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
前記補正抵抗体は、前記第２方向において隣り合う第１補正抵抗、第２補正抵抗、および第３補正抵抗を含み、
前記第１補正抵抗、前記第２補正抵抗、および前記第３補正抵抗は、前記第２方向において前記第１抵抗体から離れる側に向けて、この順で並んでおり、
前記第２補正抵抗の前記第２方向の幅寸法は、前記第１補正抵抗の前記第２方向の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗の前記第２方向の幅寸法は、前記第２補正抵抗の前記第２方向の幅寸法よりも小さい
請求項３に記載の電子部品。
前記第１補正抵抗、前記第２補正抵抗、および前記第３補正抵抗は、前記第２方向において前記第１抵抗体から離れる側に向けて、この順で並んでおり、
前記第２補正抵抗の前記第２方向の幅寸法は、前記第１補正抵抗の前記第２方向の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗の前記第２方向の幅寸法は、前記第２補正抵抗の前記第２方向の幅寸法よりも小さい
請求項３に記載の電子部品。
【請求項6】
前記メイン抵抗体の前記第２方向の幅寸法は、前記第１補正抵抗の前記第２方向の幅寸法、前記第２補正抵抗の前記第２方向の幅寸法、および前記第３補正抵抗の前記第２方向の幅寸法よりも大きい
請求項５に記載の電子部品。
請求項５に記載の電子部品。
【請求項7】
前記メイン抵抗体の前記第２方向の幅寸法は、前記メイン抵抗体の前記第１方向の長さ寸法よりも大きい
請求項３に記載の電子部品。
請求項３に記載の電子部品。
【請求項8】
前記抵抗回路部は、
前記補正抵抗体と前記第１配線とを切り離し可能に接続する第１ヒューズと、
前記補正抵抗体と前記第２配線とを切り離し可能に接続する第２ヒューズと、
を含む
請求項３に記載の電子部品。
前記補正抵抗体と前記第１配線とを切り離し可能に接続する第１ヒューズと、
前記補正抵抗体と前記第２配線とを切り離し可能に接続する第２ヒューズと、
を含む
請求項３に記載の電子部品。
【請求項9】
前記第１主面上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜上に形成された第１導電膜とを含む素子積層部を含み、
前記第１導電膜は、前記第１配線と、前記第１配線とは物理的に分離された前記第２配線とを含み、
前記第１抵抗体および前記第２抵抗体は、前記第１配線と前記第２配線との間の領域において、前記第１導電膜から露出した前記抵抗膜の部分によって形成されている
請求項１に記載の電子部品。
前記第１導電膜は、前記第１配線と、前記第１配線とは物理的に分離された前記第２配線とを含み、
前記第１抵抗体および前記第２抵抗体は、前記第１配線と前記第２配線との間の領域において、前記第１導電膜から露出した前記抵抗膜の部分によって形成されている
請求項１に記載の電子部品。
【請求項10】
当該電子部品は、チップ抵抗器である
請求項１～９のいずれか一項に記載の電子部品。
請求項１～９のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
電子部品の一種として、基板と、基板上に形成された抵抗回路網とを含むチップ抵抗器が知られている（例えば特許文献１参照）。抵抗回路網は、多数の抵抗体を含み、１個または複数個の抵抗体が電気的に接続されることによって複数種類の抵抗単位体を構成している。これら抵抗単位体は、接続用導体膜およびヒューズ膜を用いて所定の態様で接続されている。そして、ヒューズ膜を選択的に溶断することによって、抵抗単位体が抵抗回路網に組み込まれた状態、抵抗回路網から電気的に分離された状態のいずれかに設定することができる。したがって、抵抗回路網の抵抗値を要求される抵抗値とすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－１５３１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、高周波数帯域におけるインピーダンス特性の向上が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する電子部品は、第１主面を有する基板と、前記第１主面に形成され、互いに離隔した第１外部端子および第２外部端子と、前記第１主面に形成され、前記第１外部端子および前記第２外部端子に電気的に接続された抵抗回路部と、を備え、前記抵抗回路部は、前記第１主面に形成され、前記第１外部端子が電気的に接続された第１配線と、前記第１主面に形成され、前記第２外部端子が電気的に接続された第２配線と、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続され、平面視において第１方向に延びるとともに前記第１方向と直交する第２方向に配列された第１抵抗体および第２抵抗体と、を含み、前記第２抵抗体の前記第１方向の長さ寸法は、前記第１抵抗体の前記第１方向の長さ寸法よりも小さい。
【発明の効果】
【0006】
上記電子部品によれば、高周波数帯域におけるインピーダンス特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して、本開示における電子部品のいくつかの実施形態について説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な説明は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0010】
また以下の説明において、「Ａ部品の幅寸法がＢ部品の幅寸法と等しい」との記載はＡ部品の長さ寸法とＢ部品の長さ寸法との差がＡ部品の長さ寸法の１０％以内であることを意味し、「Ａ部品の長さ寸法がＢ部品の長さ寸法と等しい」との記載はＡ部品の幅とＢ部品の幅との差がＡ部品の幅の１０％以内であることを意味する。
【0011】
＜第１実施形態＞
［電子部品の全体構成］
図１～図３を参照して、電子部品１０の全体構成の一例について説明する。図１は、電子部品１０の斜視構造を模式的に示している。図２は、電子部品１０の実装状態の側面構造を模式的に示している。図３は、電子部品１０の平面構造を模式的に示している。なお、図面を容易に理解するため、図１および図３では、後述する表面絶縁層６３および保護層６４を省略している。
［電子部品の全体構成］
図１～図３を参照して、電子部品１０の全体構成の一例について説明する。図１は、電子部品１０の斜視構造を模式的に示している。図２は、電子部品１０の実装状態の側面構造を模式的に示している。図３は、電子部品１０の平面構造を模式的に示している。なお、図面を容易に理解するため、図１および図３では、後述する表面絶縁層６３および保護層６４を省略している。
【0012】
図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向は、電子部品１０の厚さ方向に対応している。なお、本明細書において使用される「平面視」という用語は、明示的に別段の記載がない限り、Ｚ方向に沿って電子部品１０を視ることをいう。
【0013】
図１に示すように、第１実施形態では、電子部品１０は、チップ抵抗器として構成されている。このチップ抵抗器は、ウエハ上に格子状に多数個のチップ抵抗器が形成された後、ウエハが切断されることによって個々のチップ抵抗器に分離されることによって得られる。
【0014】
電子部品１０は、基板２０と、基板２０上に設けられた第１外部端子３１、第２外部端子３２、および抵抗回路部４０と、を備える。
基板２０は、Ｚ方向が厚さ方向となる直方体形状に形成されている。図１の例では、基板２０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。一例では、基板２０のＸ方向の寸法は０．３ｍｍ程度であり、基板２０のＹ方向の寸法は０．１５ｍｍ程度であり、基板２０の厚さは０．１ｍｍ程度である。
基板２０は、Ｚ方向が厚さ方向となる直方体形状に形成されている。図１の例では、基板２０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。一例では、基板２０のＸ方向の寸法は０．３ｍｍ程度であり、基板２０のＹ方向の寸法は０．１５ｍｍ程度であり、基板２０の厚さは０．１ｍｍ程度である。
【0015】
基板２０は、例えば半導体基板によって構成されている。半導体基板は例えばシリコン（Ｓｉ）基板が用いられる。一例では、基板２０は、ノンドープのＳｉ基板である。なお、基板２０は、半導体基板に限られず、ガラス基板、セラミック基板等の絶縁基板であってもよい。また、基板２０は、樹脂フィルムであってもよい。
【0016】
基板２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く第１主面２１および第２主面２２と、第１主面２１と第２主面２２とを繋ぐ第１～第４側面２３～２６と、を有する。第１側面２３および第２側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３側面２５および第４側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。
【0017】
第１外部端子３１および第２外部端子３２は、基板２０の第１主面２１においてＸ方向に離隔して配列されている。図１の例では、第１外部端子３１は、Ｘ方向において第１主面２１の中央よりも第１側面２３寄りに配置されている。第２外部端子３２は、Ｘ方向において第１主面２１の中央よりも第２側面２４寄りに配置されている。
【0018】
第１外部端子３１および第２外部端子３２の各々は、外部の回路パターン等の導電体と接続する外部接続電極として機能する。図２に示すように、電子部品１０が回路基板ＣＢに実装された状態において、第１外部端子３１および第２外部端子３２の各々は、導電性接合材ＳＤによって回路基板ＣＢの回路パターン（図示略）に電気的に接続される。導電性接合材ＳＤは、たとえばはんだペーストが用いられる。なお、外部接続電極として機能するため、第１外部端子３１および第２外部端子３２は、はんだ濡れ性の向上および信頼性の向上を図るため、金（Ａｕ）で形成すること、または電極表面に金メッキを施すことが好ましい。
【0019】
図１および図３に示すように、平面視における第１外部端子３１および第２外部端子３２の各々の形状は、例えばＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。第１外部端子３１のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法は、例えば第２外部端子３２のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法と等しい。なお、平面視における第１外部端子３１および第２外部端子３２の各々の形状およびサイズは任意に変更可能である。
【0020】
抵抗回路部４０は、基板２０の第１主面２１に形成された第１配線４１、第２配線４２、および抵抗素子５０を含む。
第１配線４１には、第１外部端子３１が電気的に接続されている。第１配線４１は、Ｘ方向において第１主面２１の中央よりも第１側面２３寄りに配置されている。平面視において、第１配線４１は、第１外部端子３１と重なる位置に配置されている。平面視における第１配線４１のＸ方向の寸法は第１外部端子３１のＸ方向の寸法よりも大きく、第１配線４１のＹ方向の寸法は第１外部端子３１のＹ方向の寸法よりも大きい。第１外部端子３１は、第１配線４１上に配置されているともいえる。
第１配線４１には、第１外部端子３１が電気的に接続されている。第１配線４１は、Ｘ方向において第１主面２１の中央よりも第１側面２３寄りに配置されている。平面視において、第１配線４１は、第１外部端子３１と重なる位置に配置されている。平面視における第１配線４１のＸ方向の寸法は第１外部端子３１のＸ方向の寸法よりも大きく、第１配線４１のＹ方向の寸法は第１外部端子３１のＹ方向の寸法よりも大きい。第１外部端子３１は、第１配線４１上に配置されているともいえる。
【0021】
第２配線４２は、Ｘ方向において第１配線４１と離隔して配置されている。第２配線４２には、第２外部端子３２が電気的に接続されている。第２配線４２は、Ｘ方向において第１主面２１の中央よりも第２側面２４寄りに配置されている。平面視において、第２配線４２は、第２外部端子３２と重なる位置に配置されている。平面視における第２配線４２のＸ方向の寸法は第２外部端子３２のＸ方向の寸法よりも大きく、第２配線４２のＹ方向の寸法は第２外部端子３２のＹ方向の寸法よりも大きい。第２外部端子３２は、第２配線４２上に配置されているともいえる。図３に示す例では、第２配線４２のＹ方向の寸法は、第１配線４１のＹ方向の寸法と等しい。
【0022】
抵抗素子５０は、第１配線４１と第２配線４２とのＸ方向の間に形成されている。抵抗素子５０は、第１配線４１および第２配線４２に電気的に接続されている。図３に示す例では、抵抗素子５０のＹ方向の寸法は、第１配線４１のＹ方向の寸法（第２配線４２のＹ方向の寸法）と等しい。なお、抵抗素子５０のＹ方向の寸法は任意に変更可能である。一例では、抵抗素子５０のＹ方向の寸法は、第１配線４１のＹ方向の寸法（第２配線４２のＹ方向の寸法）よりも小さくてもよい。
【0023】
【0024】
図４に示すように、電子部品１０は、基板２０の第１主面２１上に積層された基板絶縁層６１と、素子積層部６２と、表面絶縁層６３と、保護層６４と、を主に含む。
基板絶縁層６１は、基板２０の第１主面２１と素子積層部６２とのＺ方向の間に形成されている。基板絶縁層６１は、基板２０と素子積層部６２とを絶縁する層である。基板絶縁層６１は、第１主面２１の全体にわたり形成されてよい。基板絶縁層６１は、１つの絶縁膜または複数の絶縁膜の積層構造によって構成されている。基板絶縁層６１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜および窒化シリコン（ＳｉＮ）膜の少なくとも一方を含む。一例では、基板絶縁層６１は、酸化シリコン膜によって構成されている。なお、基板２０として絶縁基板または樹脂フィルムが用いられる場合、基板絶縁層６１は省略されてもよい。
基板絶縁層６１は、基板２０の第１主面２１と素子積層部６２とのＺ方向の間に形成されている。基板絶縁層６１は、基板２０と素子積層部６２とを絶縁する層である。基板絶縁層６１は、第１主面２１の全体にわたり形成されてよい。基板絶縁層６１は、１つの絶縁膜または複数の絶縁膜の積層構造によって構成されている。基板絶縁層６１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜および窒化シリコン（ＳｉＮ）膜の少なくとも一方を含む。一例では、基板絶縁層６１は、酸化シリコン膜によって構成されている。なお、基板２０として絶縁基板または樹脂フィルムが用いられる場合、基板絶縁層６１は省略されてもよい。
【0025】
素子積層部６２は、抵抗素子５０、第１配線４１、および第２配線４２を形成する部分であり、例えば複数の導電膜の積層構造によって形成されている。一例では、素子積層部６２は、抵抗膜６２Ａ、第１導電膜６２Ｂ、および第２導電膜６２Ｃを含む。抵抗膜６２Ａ、第１導電膜６２Ｂ、および第２導電膜６２Ｃは、基板２０（基板絶縁層６１）側からこの順に積層されている。
【0026】
抵抗膜６２Ａは、基板絶縁層６１上において基板絶縁層６１に接している。抵抗膜６２Ａは、例えば基板絶縁層６１の表面の概ね全体にわたり形成されている。抵抗膜６２Ａは、１つの抵抗膜または複数の抵抗膜の積層構造によって構成されている。抵抗膜６２Ａは、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）膜、酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）膜、および酸窒化チタンシリコン（ＴｉＳｉＯＮ）膜の少なくとも１つを含む。
【0027】
第１導電膜６２Ｂは、第１配線４１および第２配線４２を構成する導電膜である。第１導電膜６２Ｂは、抵抗膜６２Ａ上において抵抗膜６２Ａに接している。図４に示す例では、第１導電膜６２Ｂは、Ｘ方向に離隔して２つ形成されている。以降では、この２つの第１導電膜６２Ｂを便宜上、「第１導電膜６２ＢＡ」および「第２導電膜６２ＢＢ」と称する。第１導電膜６２ＢＡは、Ｘ方向において基板２０の中央よりも第１側面２３寄りに配置されている。第１導電膜６２ＢＢは、Ｘ方向において基板２０の中央よりも第２側面２４寄りに配置されている。つまり、第１導電膜６２ＢＡは第１配線４１を構成する導電膜であり、第１導電膜６２ＢＢは第２配線４２を構成する導電膜である。
【0028】
第１導電膜６２ＢＡと第１導電膜６２ＢＢのＸ方向の間には、抵抗膜６２Ａが露出している。この露出した抵抗膜６２Ａによって抵抗素子５０が構成されている。つまり、抵抗素子５０は、抵抗膜６２Ａのうち第１配線４１と第２配線４２とのＸ方向の間に設けられ、第１配線４１と第２配線４２とを電気的に接続する部分に対応する。
【0029】
第１導電膜６２ＢＡ，６２ＢＢは、例えば抵抗膜６２Ａよりも厚い厚さを有する。第１導電膜６２ＢＡ，６２ＢＢは、抵抗膜６２Ａよりも抵抗値が小さくなるように形成されている。つまり、第１導電膜６２ＢＡ，６２ＢＢは、抵抗膜６２Ａよりも電流が流れやすくなるように形成されている。第１導電膜６２ＢＡ，６２ＢＢは、例えばアルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）の少なくとも一方を含む材料によって形成されている。一例では、第１導電膜６２ＢＡ，６２ＢＢは、ＡｌＣｕ合金によって形成されている。
【0030】
第１配線４１および第２配線４２は抵抗膜６２Ａよりも抵抗値が小さいので抵抗膜６２Ａよりも第１配線４１（第１導電膜６２ＢＡ）および第２配線４２（第１導電膜６２ＢＢ）に電流が流れやすくなる。第１配線４１と第２配線４２とは物理的に分離され、抵抗膜６２Ａによって電気的に接続されているので、例えば第１配線４１に流れる電流は抵抗膜６２Ａ（抵抗素子５０）を経て第２配線４２に流れる。第２配線４２は抵抗膜６２Ａよりも抵抗値が小さいので抵抗膜６２Ａよりも第２配線４２に電流が流れる。
【0031】
第２導電膜６２Ｃは、第１導電膜６２Ｂと第１外部端子３１および第２外部端子３２とを接続する導電膜である。第２導電膜６２Ｃは、第１導電膜６２Ｂ上において第１導電膜６２Ｂと接している部分を含む。一方、図４に示す例では、第２導電膜６２Ｃは、Ｚ方向において第１導電膜６２Ｂから離隔して対向している部分を含む。なお、第２導電膜６２Ｃは、その全体が第１導電膜６２Ｂに直接的に接続されるように形成されていてもよい。
【0032】
図４に示す例では、第２導電膜６２Ｃは、Ｘ方向において互いに離隔して２つ形成されている。２つの第２導電膜６２ＣのＸ方向の間には、第１導電膜６２Ｂおよび抵抗膜６２Ａが露出している。以降では、この２つの第２導電膜６２Ｃを便宜上、「第２導電膜６２ＣＡ」および「第２導電膜６２ＣＢ」と称する。第２導電膜６２ＣＡは、第１導電膜６２ＢＡ上において第１導電膜６２ＢＡと接している。第２導電膜６２ＣＢは、第１導電膜６２ＢＢ上において第１導電膜６２ＢＢと接している。
【0033】
第２導電膜６２ＣＡ，６２ＣＢは、例えばアルミニウムおよび銅の少なくとも一方を含む材料によって形成されている。一例では、第２導電膜６２ＣＡ，６２ＣＢは、ＡｌＣｕ合金によって形成されている。つまり、第２導電膜６２ＣＡ，６２ＣＢは、第１導電膜６２ＢＡ，６２ＢＢと同じ材料によって形成されてよい。一例では、第２導電膜６２ＣＡ，６２ＣＢは、抵抗膜６２Ａよりも厚い厚さを有する。
【0034】
表面絶縁層６３は、平面視において基板２０の第１主面２１の全体にわたり形成されている。より詳細には、表面絶縁層６３は、第１主面２１上に形成された基板絶縁層６１上に形成されている。表面絶縁層６３は、素子積層部６２上において素子積層部６２と接している。つまり、表面絶縁層６３は、素子積層部６２を覆っている。また、表面絶縁層６３は、基板２０の第１～第４側面２３～２６を覆っている。このように、表面絶縁層６３は、素子積層部６２を覆う素子絶縁層６３Ａと、第１～第４側面２３～２６を全面にわたり覆う側面絶縁層６３Ｂと、を含む。側面絶縁層６３Ｂの厚さは、例えば素子絶縁層６３Ａの厚さよりも薄い。表面絶縁層６３は、例えば窒化シリコン膜によって形成されている。
【0035】
保護層６４は、平面視において基板２０の第１主面２１の全体にわたり形成されている。保護層６４は、表面絶縁層６３の素子絶縁層６３Ａ上において素子絶縁層６３Ａと接している。つまり、保護層６４は、素子絶縁層６３Ａを覆っている。一方、保護層６４は、Ｚ方向において基板２０の第１主面２１よりも第２主面２２寄りに形成されていない。つまり、保護層６４は、表面絶縁層６３の側面絶縁層６３Ｂを覆っていない。保護層６４は、例えば樹脂材料によって形成されている。一例では、保護層６４は、ポリイミド（ＰＩ）によって形成されている。
【0036】
保護層６４および表面絶縁層６３の素子絶縁層６３Ａには、第２導電膜６２ＣＡ，６２ＣＢを個別に露出する第１開口７１および第２開口７２が形成されている。第１開口７１は、保護層６４および素子絶縁層６３ＡをＺ方向に貫通することによって、第２導電膜６２ＣＡの一部を露出している。第２開口７２は、保護層６４および素子絶縁層６３ＡをＺ方向に貫通することによって、第２導電膜６２ＣＢの一部を露出している。
【0037】
第１開口７１には、第１開口７１を埋めるように第１外部端子３１が設けられている。第１外部端子３１は、第１開口７１を介して第２導電膜６２ＣＡ上において第２導電膜６２ＣＡと接するように形成されている。
【0038】
第２開口７２には、第２開口７２を埋めるように第２外部端子３２が設けられている。第２外部端子３２は、第２導電膜６２ＣＢ上において第２導電膜６２ＣＢと接するように形成されている。
【0039】
第１外部端子３１および第２外部端子３２は、既知の電極材料によって形成されていてよい。電極材料の一例は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、および金（Ａｕ）の積層構造（ＮｉＰｄＡｕ）である。
【0040】
【0041】
図５に示すように、抵抗素子５０は、平面視においてＸ方向に延びるとともにＹ方向に配列されたメイン抵抗体５１および補正抵抗体５２を含む。以下では、便宜上、メイン抵抗体５１および補正抵抗体５２においてＸ方向を「長さ方向」と称し、メイン抵抗体５１および補正抵抗体５２においてＹ方向を「幅方向」と称する場合がある。メイン抵抗体５１および補正抵抗体５２におけるＸ方向の寸法を「メイン抵抗体５１の長さ寸法」および「補正抵抗体５２の長さ寸法」と称し、メイン抵抗体５１および補正抵抗体５２におけるＹ方向の寸法を「メイン抵抗体５１の幅寸法」および「補正抵抗体５２の幅寸法」と称する場合がある。
【0042】
図５に示す例では、メイン抵抗体５１は、平面視においてＹ方向が長手方向であり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。このため、メイン抵抗体５１は、幅寸法が長さ寸法よりも大きくなるように形成されているといえる。
【0043】
補正抵抗体５２は、第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、第３補正抵抗５２Ｃ、第４補正抵抗５２Ｄ、第５補正抵抗５２Ｅ、および第６補正抵抗５２Ｆを含む。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆは、Ｘ方向に沿って補正抵抗体５２を分離する分離部５３によってＹ方向に互いに離隔した状態で配列されている。
【0044】
メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆは、例えばメイン抵抗体５１、第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、第３補正抵抗５２Ｃ、第４補正抵抗５２Ｄ、第５補正抵抗５２Ｅ、および第６補正抵抗５２Ｆの順に、等比数列的に抵抗値が増加するように設定されてよい。一例では、メイン抵抗体５１、第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、第３補正抵抗５２Ｃ、第４補正抵抗５２Ｄ、第５補正抵抗５２Ｅ、および第６補正抵抗５２Ｆの順に、平面視における面積が小さくなるように設定されてよい。
【0045】
一例では、メイン抵抗体５１の抵抗値が４０Ω（等比数列の初項）であり、第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、第３補正抵抗５２Ｃ、第４補正抵抗５２Ｄ、第５補正抵抗５２Ｅ、および第６補正抵抗５２Ｆの抵抗値が、公比＝２の等比数列で設定されてよい。より詳細には、第１補正抵抗５２Ａの抵抗値が８０Ωであり、第２補正抵抗５２Ｂの抵抗値が１６０Ωであり、第３補正抵抗５２Ｃの抵抗値が３２０Ωであり、第４補正抵抗５２Ｄの抵抗値が６４０Ωであり、第５補正抵抗５２Ｅの抵抗値が１２８０Ωであり、第６補正抵抗５２Ｆの抵抗値が２５６０Ωであってよい。なお、これら抵抗値は、メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの抵抗値の一例であり、メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの抵抗値は、電子部品１０の仕様に応じて適宜変更することができる。
【0046】
図５に示す例では、メイン抵抗体５１は、第１配線４１および第２配線４２と電気的に分離不能に接続されている。一例では、メイン抵抗体５１は、そのＹ方向の全体にわたり第１配線４１および第２配線４２と接続されている。つまり、メイン抵抗体５１は、後述する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２を介することなく第１配線４１および第２配線４２に接続されている。このため、メイン抵抗体５１は、第１配線４１および第２配線４２と常時接続されている。つまり、メイン抵抗体５１は、第１外部端子３１および第２外部端子３２と常時、電気的に接続されている。メイン抵抗体５１は、第１配線４１および第２配線４２にＸ方向に挟まれた領域に配置されている。このため、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の溶断の有無に関わらず、第１配線４１と第２配線４２とを常時最短距離で接続することができる。
【0047】
図５に示す例では、補正抵抗体５２は、第１配線４１および第２配線４２と電気的に分離可能に接続されている。つまり、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆは、Ｘ方向の両端部において第１配線４１および第２配線４２と電気的に分離可能に接続されている。
【0048】
一例では、抵抗回路部４０は、補正抵抗体５２と第１配線４１とを切り離し可能に接続する複数の第１ヒューズＦ１と、補正抵抗体５２と第２配線４２とを切り離し可能に接続する複数の第２ヒューズＦ２とを含む。複数の第１ヒューズＦ１は、第１配線４１のうち抵抗素子５０と接続される第１接続領域４３に設けられている。複数の第２ヒューズＦ２は、第２配線４２のうち抵抗素子５０と接続される第２接続領域４４に設けられている。各第１ヒューズＦ１および各第２ヒューズＦ２は、第１導電膜６２Ｂおよび抵抗膜６２Ａによって構成されている。各第１ヒューズＦ１および各第２ヒューズＦ２は、平面視においてＸ方向に延びる細帯状に形成されている。
【0049】
第１接続領域４３は、平面視において第１配線４１のうち第１外部端子３１と抵抗素子５０とのＸ方向の間の領域である。第１接続領域４３は、例えば抵抗素子５０のＹ方向の全体にわたり形成されている。図５に示す例では、複数の第１ヒューズＦ１は、第１接続領域４３のうち第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２ＦとＸ方向に隣り合う領域に形成されている。
【0050】
第２接続領域４４は、平面視において第２配線４２のうち第２外部端子３２と抵抗素子５０とのＸ方向の間の領域である。第２接続領域４４は、例えば抵抗素子５０のＹ方向の全体にわたり形成されている。図５に示す例では、複数の第２ヒューズＦ２は、第２接続領域４４のうち第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２ＦとＸ方向に隣り合う領域に形成されている。
【0051】
複数の第１ヒューズＦ１は、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの各々と第１配線４１とを切り離し可能に接続されている。複数の第２ヒューズＦ２は、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの各々と第２配線４２とを切り離し可能に接続されている。複数の第１ヒューズＦ１は、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆと第１配線４１とを繋ぐ部分である。複数の第１ヒューズＦ１は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。換言すると、Ｙ方向において隣り合う第１ヒューズＦ１の間の部分は、第１導電膜６２Ｂおよび抵抗膜６２Ａが除去され、基板絶縁層６１が露出している。複数の第２ヒューズＦ２は、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆと第２配線４２とを繋ぐ部分である。複数の第２ヒューズＦ２は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。換言すると、Ｙ方向において隣り合う第２ヒューズＦ２の間の部分は、第１導電膜６２Ｂおよび抵抗膜６２Ａが除去され、基板絶縁層６１が露出している。一例では、複数の第１ヒューズＦ１の数と複数の第２ヒューズＦ２の数とは互いに等しい。
【0052】
第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の数は、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの幅寸法に応じて設定されている。つまり、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の数は、第１補正抵抗５２Ａが最も多く、第４～第６補正抵抗５２Ｄ～５２Ｆが最も少ない。一例では、第１補正抵抗５２Ａに対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の各々の数は８つである。第２補正抵抗５２Ｂに対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の各々の数は４つである。第３補正抵抗５２Ｃに対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の各々の数は２つである。第４～第６補正抵抗５２Ｄ～５２Ｆの各々に対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の各々の数は１つである。
【0053】
【0054】
図６は、図５から第１および第２ヒューズＦ１，Ｆ２が溶断された後の抵抗素子５０およびその周辺を拡大した平面構造を示している。図７は、各ヒューズＦ１，Ｆ２を溶断する工程に示す図であり、電子部品１０の概略的な断面構造を示している。なお、図７は、図５に示す電子部品１０の断面構造と同じ箇所の断面構造を示している。
【0055】
図７に示すように、電子部品１０においては、レーザ光ＬＺによって第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２が溶断されることによって、抵抗回路部４０の全体の抵抗値が任意の抵抗値に設定される。
【0056】
一例では、図６に示すように、第２～第６補正抵抗５２Ｂ～５２Ｆに接続された第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の全てが溶断されることによって、第２～第６補正抵抗５２Ｂ～５２Ｆが抵抗回路部４０から電気的に分離されている。一方、第１補正抵抗５２Ａに接続された複数の第１ヒューズＦ１および複数の第２ヒューズＦ２がいずれも溶断されていない。これにより、抵抗回路部４０においては、第１配線４１と第２配線４２との間にメイン抵抗体５１と第１補正抵抗５２Ａとが並列接続された回路が形成される。
【0057】
【0058】
図８に示すように、抵抗回路部４０は、第１配線４１から第２配線４２までの導電経路の間に、並列接続されたメイン抵抗体５１および補正抵抗体５２の第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆが設けられている。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆのうち第１配線４１寄りの第１端子の各々は、第１ヒューズＦ１を介して第１配線４１と電気的に接続されている。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆのうち第２配線４２寄りの第２端子の各々は、第２ヒューズＦ２を介して第２配線４２と電気的に接続されている。
【0059】
メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの各々は、寄生インダクタンスＬと直列接続され、かつキャパシタＣ１および抵抗Ｒｓの直列回路と並列接続されている。
【0060】
寄生インダクタンスＬは、メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの幅寸法および長さ寸法に依存する寄生インダクタンスを含む。つまり、メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの幅寸法および長さ寸法の少なくとも一方を調整することによって、寄生インダクタンスＬを調整することができる。一例では、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの長さ寸法を短くすることによって、寄生インダクタンスＬが減少する。一例では、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの幅寸法を大きくすることによって、寄生インダクタンスＬが減少する。
【0061】
抵抗Ｒｓは、基板２０の抵抗を含む。抵抗Ｒｓに直列接続されたキャパシタＣ１は、例えば抵抗膜６２Ａの下地絶縁膜（第１実施形態では、基板絶縁層６１）を介して抵抗膜６２Ａと基板２０との間に生じる寄生容量と、表面絶縁層６３を介して抵抗膜６２Ａと第２導電膜６２Ｃとの間に生じる寄生容量とを含む。キャパシタＣ２は、例えば抵抗膜６２Ａの下地絶縁膜（第１実施形態では、基板絶縁層６１）および表面絶縁層６３を介して、メイン抵抗体５１および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆ間に生じる寄生容量を含む。キャパシタＣ３は、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆに対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の溶断によって形成される寄生容量を含む。
【0062】
図６に示すように、第２補正抵抗５２Ｂに対応する全ての第１ヒューズＦ１および全ての第２ヒューズＦ２が溶断された場合、第２補正抵抗５２ＢのＸ方向の両側には、キャパシタＣ３が形成される。これは、第２補正抵抗５２Ｂに対応する全ての第１ヒューズＦ１および全ての第２ヒューズＦ２が溶断されることによって生じたスペースを挟んで、第２補正抵抗５２Ｂと、第１配線４１および第２配線４２とが対向配置されるためである。第３～第６補正抵抗５２Ｃ～５２Ｆについても同様に、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２が溶断されることによって、第３～第６補正抵抗５２Ｃ～５２Ｆの各々の両側にキャパシタＣ３が形成される。なお、第１補正抵抗５２Ａの第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２が溶断された場合、第２～第６補正抵抗５２Ｂ～５２Ｆと同様に、第１補正抵抗５２ＡのＸ方向の両側にキャパシタＣ３が形成される。以上説明したキャパシタＣ１～Ｃ３、抵抗Ｒｓ、および寄生インダクタンスＬ等に基づいて抵抗回路部４０のインピーダンスの周波数に対する特性が決定される。
【0063】
［高周波数帯域におけるインピーダンスの調整構造］
図５を参照して、抵抗回路部４０について、高周波数帯域におけるインピーダンスの調整構造について説明する。ここで、高周波数帯域とは、例えば数十ＧＨｚ帯の周波数帯であり、一例では１０ＧＨｚ～４０ＧＨｚである。
図５を参照して、抵抗回路部４０について、高周波数帯域におけるインピーダンスの調整構造について説明する。ここで、高周波数帯域とは、例えば数十ＧＨｚ帯の周波数帯であり、一例では１０ＧＨｚ～４０ＧＨｚである。
【0064】
図５に示すように、抵抗素子５０の構成に基づいて抵抗回路部４０の高周波数帯域におけるインピーダンス値を調整している。抵抗回路部４０の高周波数帯域におけるインピーダンス値の調整とは、例えば第１配線４１から第２配線４２までの回路における所定の高周波でのインピーダンス値が予め設定されたインピーダンス値に一致もしくは近づくようにすることである。そして、高周波数帯域におけるインピーダンス値の調整する手段として、例えば補正抵抗体５２の長さ寸法を調整すること、および第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの配列順序を調整することが主に挙げられる。
【0065】
補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１の調整では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１がメイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも短くしている。より詳細には、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの長さ寸法は互いに等しい。このため、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの長さ寸法は「長さ寸法ＬＢ１」とすることができる。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも短い。このため、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも短いといえる。一例では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１の１／２以上３／４以下である。第１実施形態では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１の３／４である。ここで、第１実施形態では、メイン抵抗体５１が「第１抵抗体」の一例であり、補正抵抗体５２が「第２抵抗体」の一例である。
【0066】
メイン抵抗体５１は、平面視においてＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状に形成されている。つまり、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２（メイン抵抗体５１のＹ方向の寸法）よりも小さい。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆは、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
【0067】
第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆは、Ｙ方向においてメイン抵抗体５１に近い方からこの順に並んでいる。つまり、第１補正抵抗５２ＡがＹ方向においてメイン抵抗体５１に最も近くに配置されており、第６補正抵抗５２ＦがＹ方向においてメイン抵抗体５１から最も遠くに配置されている。
【0068】
第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの幅寸法は、互いに異なる。一例では、第１補正抵抗５２Ａの幅寸法は第２～第５補正抵抗５２Ｂ～５２Ｆの幅寸法よりも大きく、第６補正抵抗５２Ｆの幅寸法は第１～第５補正抵抗５２Ａ～５２Ｅの幅寸法よりも小さい。つまり、第１補正抵抗５２Ａの幅寸法が最大であり、第６補正抵抗５２Ｆの幅寸法が最小となる。そして、第１実施形態では、第１補正抵抗５２Ａから第６補正抵抗５２Ｆに向かうにつれて幅寸法が徐々に小さくなる。具体的には、第２補正抵抗５２Ｂの幅寸法は第１補正抵抗５２Ａの幅寸法よりも小さく、第３補正抵抗５２Ｃの幅寸法は第２補正抵抗５２Ｂの幅寸法よりも小さい。また、第４補正抵抗５２Ｄの幅寸法は第３補正抵抗５２Ｃの幅寸法よりも小さく、第５補正抵抗５２Ｅの幅寸法は第４補正抵抗５２Ｄの幅寸法よりも小さく、第６補正抵抗５２Ｆの幅寸法は第５補正抵抗５２Ｅの幅寸法よりも小さい。
【0069】
換言すると、第１実施形態では、平面視において、第１補正抵抗５２Ａから第６補正抵抗５２Ｆに向かうにつれて面積が徐々に小さくなる。具体的には、第２補正抵抗５２Ｂの面積は第１補正抵抗５２Ａの面積よりも小さく、第３補正抵抗５２Ｃの面積が第２補正抵抗５２Ｂの面積よりも小さい。また、第４補正抵抗５２Ｄの面積は第３補正抵抗５２Ｃの面積よりも小さく、第５補正抵抗５２Ｅの面積は第４補正抵抗５２Ｄの面積よりも小さく、第６補正抵抗５２Ｆの面積は第５補正抵抗５２Ｅの面積よりも小さい。
【0070】
一例では、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの各々の幅寸法は、メイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２よりも小さい。また、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの合計の幅寸法は、メイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２よりも小さい。これにより、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの各々の面積は、メイン抵抗体５１の面積よりも小さい。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの合計の面積は、メイン抵抗体５１の面積よりも小さい。
【0071】
［効果］
第１実施形態の電子部品１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）電子部品１０は、第１主面２１を有する基板２０と、第１主面２１に形成され、互いに離隔した第１外部端子３１および第２外部端子３２と、第１主面２１に形成され、第１外部端子３１および第２外部端子３２に電気的に接続された抵抗回路部４０と、を備える。抵抗回路部４０は、第１主面２１に形成され、第１外部端子３１が電気的に接続された第１配線４１と、第１主面２１に形成され、第２外部端子３２が電気的に接続された第２配線４２と、第１配線４１および第２配線４２に電気的に接続され、平面視においてＸ方向に延びるとともにＹ方向に配列された第１抵抗体であるメイン抵抗体５１および第２抵抗体である補正抵抗体５２と、を含む。補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも小さい。
第１実施形態の電子部品１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）電子部品１０は、第１主面２１を有する基板２０と、第１主面２１に形成され、互いに離隔した第１外部端子３１および第２外部端子３２と、第１主面２１に形成され、第１外部端子３１および第２外部端子３２に電気的に接続された抵抗回路部４０と、を備える。抵抗回路部４０は、第１主面２１に形成され、第１外部端子３１が電気的に接続された第１配線４１と、第１主面２１に形成され、第２外部端子３２が電気的に接続された第２配線４２と、第１配線４１および第２配線４２に電気的に接続され、平面視においてＸ方向に延びるとともにＹ方向に配列された第１抵抗体であるメイン抵抗体５１および第２抵抗体である補正抵抗体５２と、を含む。補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも小さい。
【0072】
この構成によれば、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１がメイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも小さくなることによって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンスの変動幅を小さくすることができる。したがって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンス特性の向上を図ることができる。加えて、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも長くなることによって、メイン抵抗体５１の破壊耐量の低下を抑制できる。
【0073】
（１－２）補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１の１／２以上３／４以下である。
この構成によれば、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンスの変動幅を小さくすることができる。したがって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンス特性の向上を図ることができる。
この構成によれば、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンスの変動幅を小さくすることができる。したがって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンス特性の向上を図ることができる。
【0074】
（１－３）メイン抵抗体５１は、第１配線４１および第２配線４２と電気的に分離不能に接続されている。補正抵抗体５２は、第１配線４１および第２配線４２と電気的に分離可能に接続されている。
【0075】
この構成によれば、補正抵抗体５２を電気的に分離することによって、抵抗回路部４０の抵抗値を調整することができる。したがって、抵抗回路部４０の抵抗値を要求された抵抗値に合わせ込むことができる。
【0076】
（１－４）補正抵抗体５２は、Ｙ方向において隣り合う第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、および第３補正抵抗５２Ｃを含む。第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、および第３補正抵抗５２Ｃは、Ｙ方向においてメイン抵抗体５１から離れる側に向けて、この順で並んでいる。第２補正抵抗５２Ｂの幅寸法（Ｙ方向の寸法）は、第１補正抵抗５２Ａの幅寸法（Ｙ方向の寸法）よりも小さい。第３補正抵抗５２Ｃの幅寸法（Ｙ方向の寸法）は、第２補正抵抗５２Ｂの幅寸法（Ｙ方向の寸法）よりも小さい。
【0077】
この構成によれば、幅寸法が大きい順に並んだ第１補正抵抗５２Ａ、第２補正抵抗５２Ｂ、および第３補正抵抗５２Ｃがメイン抵抗体５１から離れる側に向けてこの順に配列されることによって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンスの変動幅を小さくすることができる。したがって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンス特性の向上を図ることができる。
【0078】
（１－５）抵抗回路部４０は、補正抵抗体５２と第１配線４１とを切り離し可能に接続する第１ヒューズＦ１と、補正抵抗体５２と第２配線４２とを切り離し可能に接続する第２ヒューズＦ２と、を含む。
【0079】
この構成によれば、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２が補正抵抗体５２のＸ方向の両側に分散して設けられている。補正抵抗体５２は、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２によって互いに並列に接続された第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆを含む。例えば１つの補正抵抗に対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２を溶断した場合、補正抵抗体５２によって生じる寄生容量ＣＰは、これらヒューズＦ１，Ｆ２の溶断によって抵抗回路部４０の１つの補正抵抗と第１配線４１および第２配線４２との間に生じる２つのキャパシタＣ３を直列接続した状態と等価となる。したがって、寄生容量ＣＰは、それぞれの容量値を同じ符号を用いて、１／ＣＰ＝１／Ｃ３＋１／Ｃ３の式に基づいてＣＰ＝Ｃ３／２となる。一方、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２のいずれか一方のみが溶断された場合、補正抵抗体５２によって生じる寄生容量ＣＰは、抵抗回路部４０に生じる１つのキャパシタＣ３によるものとなる。したがって、寄生容量ＣＰは、１つのキャパシタＣ３と等しく（ＣＰ＝Ｃ３）なる。つまり、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２の両方を溶断することによって、補正抵抗体５２によって生じる寄生容量ＣＰを半減することができる。第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆは、互いに並列接続されている。したがって、複数の補正抵抗に対応する第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２を溶断した場合も同様のことがいえる。その結果、抵抗回路部４０のインピーダンスを高くすることができる。
【0080】
＜第２実施形態＞
図９を参照して、第２実施形態の電子部品１０について説明する。第２実施形態の電子部品１０では、第１実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図９を参照して、第２実施形態の電子部品１０について説明する。第２実施形態の電子部品１０では、第１実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0081】
図９に示すように、第２実施形態では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも短い。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１の１／２である。このため、第２実施形態では、メイン抵抗体５１は「第２抵抗体」の一例であり、補正抵抗体５２は「第１抵抗体」の一例である。
【0082】
図９に示す例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法（Ｙ方向の寸法）の１／２よりも小さい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法の１／３よりも小さくてもよい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法の１／３よりも大きくてもよい。なお、第２実施形態では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも小さい範囲内において任意に変更可能である。
【0083】
メイン抵抗体５１は、Ｘ方向において補正抵抗体５２の中央と同じ位置に配置されている。なお、メイン抵抗体５１の幅寸法と、補正抵抗体５２の構成および幅寸法とは、第１実施形態と同様であるため、その詳細な説明を省略する。また、Ｘ方向における補正抵抗体５２に対するメイン抵抗体５１の位置は任意に変更可能である。
【0084】
［効果］
第２実施形態の電子部品１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも小さい。
第２実施形態の電子部品１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも小さい。
【0085】
この構成によれば、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンスの変動幅を小さくすることができる。したがって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンス特性の向上を図ることができる。
【0086】
＜第３実施形態＞
図１０を参照して、第３実施形態の電子部品１０について説明する。第３実施形態の電子部品１０では、第２実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第２実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第２実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１０を参照して、第３実施形態の電子部品１０について説明する。第３実施形態の電子部品１０では、第２実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第２実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第２実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0087】
図１０に示すように、第３実施形態では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１が第２実施形態の補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１（図５参照）よりも短い。第３実施形態では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１と等しい。第３実施形態のメイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、第２実施形態のメイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１（図９参照）と等しい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２の１／４よりも大きく１／２よりも小さい。
【0088】
図１０に示す例では、補正抵抗体５２の第１補正抵抗５２Ａの長さ寸法ＬＢ１は、第１補正抵抗５２Ａの幅寸法（Ｙ方向の寸法）よりも小さい。また、図１０に示す例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１および補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１の双方は、例えばＸ方向における第１外部端子３１と第２外部端子３２との間の距離ＤＴの１／２以下であってよい。このように、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１および補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１の双方を短くすることによって、高周波数帯域における抵抗回路部４０のインピーダンスを調整してもよい。
【0089】
＜第４実施形態＞
図１１を参照して、第４実施形態の電子部品１０について説明する。第４実施形態の電子部品１０では、第１実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１１を参照して、第４実施形態の電子部品１０について説明する。第４実施形態の電子部品１０では、第１実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0090】
図１１に示すように、第４実施形態では、メイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２が第１実施形態のメイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２（図５参照）よりも短い。補正抵抗体５２の幅寸法が第１実施形態の補正抵抗体５２の幅寸法よりも短い。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法ＬＡ２よりも大きい。一例では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、補正抵抗体５２の幅寸法ＬＢ２よりも小さい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも大きい。このため、第４実施形態では、メイン抵抗体５１は「第１抵抗体」の一例であり、補正抵抗体５２は「第２抵抗体」の一例である。
【0091】
第４実施形態では、補正抵抗体５２は、第１～第５補正抵抗５２Ａ～５２Ｅを含む。つまり、第４実施形態の補正抵抗体５２の補正抵抗の数は、第１実施形態の補正抵抗体５２の補正抵抗の数よりも少ない。
【0092】
このように、メイン抵抗体５１および補正抵抗体５２の各々の幅寸法を変更することによって、抵抗回路部４０のインピーダンスを調整することができる。より詳細には、メイン抵抗体５１および補正抵抗体５２の各々の幅寸法を小さくすることによって、抵抗回路部４０のうち高周波数帯域におけるインピーダンスを増加することができる。
【0093】
［効果］
第４実施形態の電子部品１０によれば、以下の効果が得られる。
（４－１）メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法よりも大きい。補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、補正抵抗体５２の幅寸法ＬＢ２よりも大きい。この構成によれば、抵抗素子５０の幅寸法を小さくすることができる。したがって、電子部品１０のＹ方向の小型化を図ることができる。
第４実施形態の電子部品１０によれば、以下の効果が得られる。
（４－１）メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１は、メイン抵抗体５１の幅寸法よりも大きい。補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１は、補正抵抗体５２の幅寸法ＬＢ２よりも大きい。この構成によれば、抵抗素子５０の幅寸法を小さくすることができる。したがって、電子部品１０のＹ方向の小型化を図ることができる。
【0094】
＜第５実施形態＞
図１２を参照して、第５実施形態の電子部品１０について説明する。第５実施形態の電子部品１０では、第１実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１２を参照して、第５実施形態の電子部品１０について説明する。第５実施形態の電子部品１０では、第１実施形態の電子部品１０と比較して、抵抗素子５０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の電子部品１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の電子部品１０と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0095】
図１２に示すように、補正抵抗体５２は、Ｙ方向においてメイン抵抗体５１から離れる側に向かうにつれて、第６補正抵抗５２Ｆ、第５補正抵抗５２Ｅ、第４補正抵抗５２Ｄ、第３補正抵抗５２Ｃ、第２補正抵抗５２Ｂ、および第１補正抵抗５２Ａの順に配列されている。つまり、補正抵抗体５２は、メイン抵抗体５１に近づくにつれて補正抵抗の幅寸法が小さくなるように構成されている。
【0096】
また、図１３に示すように、補正抵抗体５２は、Ｙ方向において第１補正抵抗５２Ａから離れる側に向かうにつれて、第６補正抵抗５２Ｆ、第５補正抵抗５２Ｅ、第４補正抵抗５２Ｄ、第３補正抵抗５２Ｃ、および第２補正抵抗５２Ｂの順に配列されていてもよい。第１補正抵抗５２Ａは、メイン抵抗体５１とＹ方向に隣り合っている。このように、第１～第６補正抵抗５２Ａ～５２Ｆの配置態様を変更することによって、抵抗回路部４０のうち高周波数帯域におけるインピーダンスを調整してもよい。
【0097】
図１２および図１３に示す例では、補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１がメイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１よりも短い。このため、第５実施形態では、メイン抵抗体５１は「第１抵抗体」の一例であり、補正抵抗体５２は「第２抵抗体」の一例である。
【0098】
＜変更例＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。
【0099】
・第１～第５実施形態は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。
一例では、第４実施形態において、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１と補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１との関係は任意に変更可能である。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも短くてもよい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１と等しくてもよい。
一例では、第４実施形態において、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１と補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１との関係は任意に変更可能である。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも短くてもよい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１と等しくてもよい。
【0100】
一例では、第５実施形態において、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１と補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１との関係は任意に変更可能である。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１よりも短くてもよい。一例では、メイン抵抗体５１の長さ寸法ＬＡ１が補正抵抗体５２の長さ寸法ＬＢ１と等しくてもよい。
【0101】
・各実施形態において、素子積層部６２から第２導電膜６２Ｃを省略してもよい。
・各実施形態において、補正抵抗体５２の数は任意に変更可能である。
・各実施形態において、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２のいずれか一方を省略してもよい。
・各実施形態において、補正抵抗体５２の数は任意に変更可能である。
・各実施形態において、第１ヒューズＦ１および第２ヒューズＦ２のいずれか一方を省略してもよい。
【0102】
・各実施形態において、電子部品１０をチップ抵抗器に適用した例について説明したが、チップ抵抗器に限られず、抵抗回路部４０が用いられる電子部品に適用することができる。
【0103】
本開示における記述「ＡおよびＢの少なくとも１つ」は、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡとＢの両方」を意味するものとして理解されたい。
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【0104】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0105】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0106】
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0107】
［付記１］
第１主面（２１）を有する基板（２０）と、
前記第１主面（２１）に形成され、互いに離隔した第１外部端子（３１）および第２外部端子（３２）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）および前記第２外部端子（３２）に電気的に接続された抵抗回路部（４０）と、
を備え、
前記抵抗回路部（４０）は、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）が電気的に接続された第１配線（４１）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第２外部端子（３２）が電気的に接続された第２配線（４２）と、
前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）に電気的に接続され、平面視において第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）に配列された第１抵抗体（５１）および第２抵抗体（５２）と、
を含み、
前記第２抵抗体（５２）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＢ１）は、前記第１抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）よりも小さい
電子部品（１０）。
第１主面（２１）を有する基板（２０）と、
前記第１主面（２１）に形成され、互いに離隔した第１外部端子（３１）および第２外部端子（３２）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）および前記第２外部端子（３２）に電気的に接続された抵抗回路部（４０）と、
を備え、
前記抵抗回路部（４０）は、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）が電気的に接続された第１配線（４１）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第２外部端子（３２）が電気的に接続された第２配線（４２）と、
前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）に電気的に接続され、平面視において第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）に配列された第１抵抗体（５１）および第２抵抗体（５２）と、
を含み、
前記第２抵抗体（５２）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＢ１）は、前記第１抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）よりも小さい
電子部品（１０）。
【0108】
［付記２］
前記第２抵抗体（５２）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＢ１）は、前記第１抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）の１／２以上３／４以下である
付記１に記載の電子部品。
前記第２抵抗体（５２）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＢ１）は、前記第１抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）の１／２以上３／４以下である
付記１に記載の電子部品。
【0109】
［付記３］
前記第１抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体（５１）であり、
前記第２抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体（５２）である
付記１または２に記載の電子部品。
前記第１抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体（５１）であり、
前記第２抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体（５２）である
付記１または２に記載の電子部品。
【0110】
［付記４］
前記第１抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体（５２）であり、
前記第２抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体（５１）である
付記１または２に記載の電子部品。
前記第１抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離可能に接続された補正抵抗体（５２）であり、
前記第２抵抗体は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離不能に接続されたメイン抵抗体（５１）である
付記１または２に記載の電子部品。
【0111】
［付記５］
前記補正抵抗体（５２）は、前記第２方向（Ｙ方向）において隣り合う第１補正抵抗（５２Ａ）、第２補正抵抗（５２Ｂ）、および第３補正抵抗（５２Ｃ）を含み、
前記第１補正抵抗（５２Ａ）、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）、および前記第３補正抵抗（５２Ｃ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記第１抵抗体（５１）から離れる側に向けて、この順で並んでおり、
前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さい
付記３または４に記載の電子部品。
前記補正抵抗体（５２）は、前記第２方向（Ｙ方向）において隣り合う第１補正抵抗（５２Ａ）、第２補正抵抗（５２Ｂ）、および第３補正抵抗（５２Ｃ）を含み、
前記第１補正抵抗（５２Ａ）、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）、および前記第３補正抵抗（５２Ｃ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記第１抵抗体（５１）から離れる側に向けて、この順で並んでおり、
前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さい
付記３または４に記載の電子部品。
【0112】
［付記６］
前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法、および前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも大きい
付記５に記載の電子部品。
前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法、および前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも大きい
付記５に記載の電子部品。
【0113】
［付記７］
前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）は、前記メイン抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）よりも大きい
付記３～６のいずれか１つに記載の電子部品。
前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）は、前記メイン抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）よりも大きい
付記３～６のいずれか１つに記載の電子部品。
【0114】
［付記８］
前記抵抗回路部（４０）は、
前記補正抵抗体（５２）と前記第１配線（４１）とを切り離し可能に接続する第１ヒューズ（Ｆ１）と、
前記補正抵抗体（５２）と前記第２配線（４２）とを切り離し可能に接続する第２ヒューズ（Ｆ２）と、
を含む
付記３～７のいずれか１つに記載の電子部品。
前記抵抗回路部（４０）は、
前記補正抵抗体（５２）と前記第１配線（４１）とを切り離し可能に接続する第１ヒューズ（Ｆ１）と、
前記補正抵抗体（５２）と前記第２配線（４２）とを切り離し可能に接続する第２ヒューズ（Ｆ２）と、
を含む
付記３～７のいずれか１つに記載の電子部品。
【0115】
［付記９］
前記第１主面（２１）上に形成された抵抗膜（６２Ａ）と、前記抵抗膜（６２Ａ）上に形成された第１導電膜（６２Ｂ）とを含む素子積層部（６２）を含み、
前記第１導電膜（６２Ｂ）は、前記第１配線（４１）と、前記第１配線（４１）とは物理的に分離された前記第２配線（４２）とを含み、
前記第１抵抗体（５１）および前記第２抵抗体（５２）は、前記第１配線（４１）と前記第２配線（４２）との間の領域において、前記第１導電膜（６２Ｂ）から露出した前記抵抗膜（６２Ａ）の部分によって形成されている
付記１～８のいずれか１つに記載の電子部品。
前記第１主面（２１）上に形成された抵抗膜（６２Ａ）と、前記抵抗膜（６２Ａ）上に形成された第１導電膜（６２Ｂ）とを含む素子積層部（６２）を含み、
前記第１導電膜（６２Ｂ）は、前記第１配線（４１）と、前記第１配線（４１）とは物理的に分離された前記第２配線（４２）とを含み、
前記第１抵抗体（５１）および前記第２抵抗体（５２）は、前記第１配線（４１）と前記第２配線（４２）との間の領域において、前記第１導電膜（６２Ｂ）から露出した前記抵抗膜（６２Ａ）の部分によって形成されている
付記１～８のいずれか１つに記載の電子部品。
【0116】
［付記１０］
当該電子部品（１０）は、チップ抵抗器である
付記１～９のいずれか１つに記載の電子部品。
当該電子部品（１０）は、チップ抵抗器である
付記１～９のいずれか１つに記載の電子部品。
【0117】
［付記１１］
第１主面（２１）を有する基板（２０）と、
前記第１主面（２１）に形成され、互いに離隔した第１外部端子（３１）および第２外部端子（３２）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）および前記第２外部端子（３２）に電気的に接続された抵抗回路部（４０）と、
を備え、
前記抵抗回路部（４０）は、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）が電気的に接続された第１配線（４１）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第２外部端子（３２）が電気的に接続された第２配線（４２）と、
前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）に電気的に接続され、平面視において第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）に配列された第１抵抗体（５１）および第２抵抗体（５２）と、
を含み、
前記第１抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）および前記第２抵抗体（５２）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＢ１）の双方は、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１外部端子（３１）と前記第２外部端子（３２）との間の距離の１／２以下である
電子部品。
第１主面（２１）を有する基板（２０）と、
前記第１主面（２１）に形成され、互いに離隔した第１外部端子（３１）および第２外部端子（３２）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）および前記第２外部端子（３２）に電気的に接続された抵抗回路部（４０）と、
を備え、
前記抵抗回路部（４０）は、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）が電気的に接続された第１配線（４１）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第２外部端子（３２）が電気的に接続された第２配線（４２）と、
前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）に電気的に接続され、平面視において第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）に配列された第１抵抗体（５１）および第２抵抗体（５２）と、
を含み、
前記第１抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）および前記第２抵抗体（５２）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＢ１）の双方は、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１外部端子（３１）と前記第２外部端子（３２）との間の距離の１／２以下である
電子部品。
【0118】
［付記１２］
前記メイン抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）は、前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）よりも大きい
付記３～６のいずれか１つに記載の電子部品。
前記メイン抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）は、前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）よりも大きい
付記３～６のいずれか１つに記載の電子部品。
【0119】
［付記１３］
前記補正抵抗体（５２）は、前記第２方向（Ｙ方向）において隣り合う第１補正抵抗（５２Ａ）、第２補正抵抗（５２Ｂ）、および第３補正抵抗（５２Ｃ）を含み、
前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）、および前記第１補正抵抗（５２Ａ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記メイン抵抗体（５１）から離れる側に向けて、この順で並んでいる
付記３または４に記載の電子部品。
前記補正抵抗体（５２）は、前記第２方向（Ｙ方向）において隣り合う第１補正抵抗（５２Ａ）、第２補正抵抗（５２Ｂ）、および第３補正抵抗（５２Ｃ）を含み、
前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）、および前記第１補正抵抗（５２Ａ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記メイン抵抗体（５１）から離れる側に向けて、この順で並んでいる
付記３または４に記載の電子部品。
【0120】
［付記１４］
前記補正抵抗体（５２）は、前記第２方向（Ｙ方向）において隣り合う第１補正抵抗（５２Ａ）、第２補正抵抗（５２Ｂ）、および第３補正抵抗（５２Ｃ）を含み、
前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第１補正抵抗（５２Ａ）、前記第３補正抵抗（５２Ｃ）、および前記第２補正抵抗（５２Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記メイン抵抗体（５１）から離れる側に向けて、この順で並んでいる
付記３または４に記載の電子部品。
前記補正抵抗体（５２）は、前記第２方向（Ｙ方向）において隣り合う第１補正抵抗（５２Ａ）、第２補正抵抗（５２Ｂ）、および第３補正抵抗（５２Ｃ）を含み、
前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第１補正抵抗（５２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第３補正抵抗（５２Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法は、前記第２補正抵抗（５２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも小さく、
前記第１補正抵抗（５２Ａ）、前記第３補正抵抗（５２Ｃ）、および前記第２補正抵抗（５２Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記メイン抵抗体（５１）から離れる側に向けて、この順で並んでいる
付記３または４に記載の電子部品。
【0121】
［付記１５］
第１主面（２１）を有する基板（２０）と、
前記第１主面（２１）に形成され、互いに離隔した第１外部端子（３１）および第２外部端子（３２）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）および前記第２外部端子（３２）に電気的に接続された抵抗回路部（４０）と、
を備え、
前記抵抗回路部（４０）は、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）が電気的に接続された第１配線（４１）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第２外部端子（３２）が電気的に接続された第２配線（４２）と、
前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）に電気的に接続され、平面視において第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）に配列されたメイン抵抗体（５１）および補正抵抗体（５２）と、
を含み、
前記メイン抵抗体（５１）は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離不能に接続されており、
前記補正抵抗体（５２）は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離可能に接続されており、
前記メイン抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）は、前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）よりも大きい
電子部品（１０）。
第１主面（２１）を有する基板（２０）と、
前記第１主面（２１）に形成され、互いに離隔した第１外部端子（３１）および第２外部端子（３２）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）および前記第２外部端子（３２）に電気的に接続された抵抗回路部（４０）と、
を備え、
前記抵抗回路部（４０）は、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第１外部端子（３１）が電気的に接続された第１配線（４１）と、
前記第１主面（２１）に形成され、前記第２外部端子（３２）が電気的に接続された第２配線（４２）と、
前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）に電気的に接続され、平面視において第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）に配列されたメイン抵抗体（５１）および補正抵抗体（５２）と、
を含み、
前記メイン抵抗体（５１）は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離不能に接続されており、
前記補正抵抗体（５２）は、前記第１配線（４１）および前記第２配線（４２）と電気的に分離可能に接続されており、
前記メイン抵抗体（５１）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ寸法（ＬＡ１）は、前記メイン抵抗体（５１）の前記第２方向（Ｙ方向）の幅寸法（ＬＡ２）よりも大きい
電子部品（１０）。
【0122】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれる全ての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0123】
１０…電子部品
２０…基板
２１…第１主面
２２…第２主面
２３～２６…第１～第４側面
３１…第１外部端子
３２…第２外部端子
４０…抵抗回路部
４１…第１配線
４２…第２配線
４３…第１接続領域
４４…第２接続領域
５０…抵抗素子
５１…メイン抵抗体
５２…補正抵抗体
５２Ａ～５２Ｆ…第１～第６補正抵抗
５３…分離部
６１…基板絶縁層
６２…素子積層部
６２Ａ…抵抗膜
６２Ｂ，６２ＢＡ，６２ＢＢ…第１導電膜
６２Ｃ，６２ＣＡ，６２ＣＢ…第２導電膜
６３…表面絶縁層
６３Ａ…素子絶縁層
６３Ｂ…側面絶縁層
６４…保護層
７１…第１開口
７２…第２開口
Ｆ１…第１ヒューズ
Ｆ２…第２ヒューズ
Ｃ１～Ｃ３…キャパシタ
ＣＢ…回路基板
ＣＰ…寄生容量
ＳＤ…導電性接合材
Ｒｓ…抵抗
Ｌ…寄生インダクタンス
ＬＺ…レーザ光
ＬＡ１…メイン抵抗体の長さ寸法
ＬＡ２…メイン抵抗体の幅寸法
ＬＢ１…補正抵抗体の長さ寸法
ＬＢ２…補正抵抗体の幅寸法
ＤＴ…第１外部端子と第２外部端子とのＸ方向の間の距離
２０…基板
２１…第１主面
２２…第２主面
２３～２６…第１～第４側面
３１…第１外部端子
３２…第２外部端子
４０…抵抗回路部
４１…第１配線
４２…第２配線
４３…第１接続領域
４４…第２接続領域
５０…抵抗素子
５１…メイン抵抗体
５２…補正抵抗体
５２Ａ～５２Ｆ…第１～第６補正抵抗
５３…分離部
６１…基板絶縁層
６２…素子積層部
６２Ａ…抵抗膜
６２Ｂ，６２ＢＡ，６２ＢＢ…第１導電膜
６２Ｃ，６２ＣＡ，６２ＣＢ…第２導電膜
６３…表面絶縁層
６３Ａ…素子絶縁層
６３Ｂ…側面絶縁層
６４…保護層
７１…第１開口
７２…第２開口
Ｆ１…第１ヒューズ
Ｆ２…第２ヒューズ
Ｃ１～Ｃ３…キャパシタ
ＣＢ…回路基板
ＣＰ…寄生容量
ＳＤ…導電性接合材
Ｒｓ…抵抗
Ｌ…寄生インダクタンス
ＬＺ…レーザ光
ＬＡ１…メイン抵抗体の長さ寸法
ＬＡ２…メイン抵抗体の幅寸法
ＬＢ１…補正抵抗体の長さ寸法
ＬＢ２…補正抵抗体の幅寸法
ＤＴ…第１外部端子と第２外部端子とのＸ方向の間の距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】