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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024139521
(43)【公開日】2024-10-09
(54)【発明の名称】研磨液組成物
(51)【国際特許分類】
C09K 3/14 20060101AFI20241002BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20241002BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20241002BHJP
【ＦＩ】
C09K3/14 550D
C09K3/14 550Z
G11B5/84 A
B24B37/00 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023050494
(22)【出願日】2023-03-27
(71)【出願人】
【識別番号】000000918
【氏名又は名称】花王株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000040
【氏名又は名称】弁理士法人池内アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】多久島 大樹
【テーマコード（参考）】
3C158
5D112
【Ｆターム（参考）】
3C158AA07
3C158AA19
3C158CA01
3C158CA04
3C158CB02
3C158CB03
3C158CB10
3C158DA02
3C158DA17
3C158EB01
3C158EB29
3C158ED10
3C158ED23
3C158ED26
5D112AA24
5D112GA09
5D112GA14
(57)【要約】
【課題】一態様において、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチ低減とを両立できる研磨液組成物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と、酸（成分Ｂ）と、水系媒体と、を含有し、成分Ａは、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子であり、ｐＨが１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、研磨による基板の腐食反応により発生する電子の発生量を電気化学測定装置により測定した電流密度の値である。
【選択図】図１
【解決手段】本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と、酸（成分Ｂ）と、水系媒体と、を含有し、成分Ａは、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子であり、ｐＨが１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、研磨による基板の腐食反応により発生する電子の発生量を電気化学測定装置により測定した電流密度の値である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリカ粒子（成分Ａ）と、酸（成分Ｂ）と、水系媒体と、を含有し、
成分Ａは、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子であり、
ｐＨが１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、評価対象プレート電極（磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板）が作用極電極として配置され、セル内に参照電極（銀－塩化銀電極）及び対極電極（白金電極）が配置されたプレート電極評価セルと、各電極に接続されたポテンショスタットと、前記評価対象プレート電極に接触可能に配置された研磨パッド（スエードパッド）を有する回転制御体とを備え、前記セル内に電解質（シリカ粒子:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物）が前記各電極を浸漬又は接触させるように貯留されている電気化学測定装置を用い、下記ステップで測定される。
・前記電解質の液温約２６℃において、前記回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ（印加荷重：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2）、前記回転制御体を回転させる（回転数：２５ｒｐｍ）。このとき測定される開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。
・腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
成分Ａは、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子であり、
ｐＨが１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、評価対象プレート電極（磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板）が作用極電極として配置され、セル内に参照電極（銀－塩化銀電極）及び対極電極（白金電極）が配置されたプレート電極評価セルと、各電極に接続されたポテンショスタットと、前記評価対象プレート電極に接触可能に配置された研磨パッド（スエードパッド）を有する回転制御体とを備え、前記セル内に電解質（シリカ粒子:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物）が前記各電極を浸漬又は接触させるように貯留されている電気化学測定装置を用い、下記ステップで測定される。
・前記電解質の液温約２６℃において、前記回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ（印加荷重：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2）、前記回転制御体を回転させる（回転数：２５ｒｐｍ）。このとき測定される開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。
・腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
【請求項2】
成分Ａは、前記In-situ電気化学測定において観測される腐食電位Ｅcorrが、－０．３２Ｖ超である、請求項１に記載の研磨液組成物。
【請求項3】
成分Ａの平均一次粒子径は１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
【請求項4】
酸化剤（成分Ｃ）をさらに含有する、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項5】
複素環芳香族化合物（成分Ｄ）、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｅ）、及び、アニオン性水溶性高分子（成分Ｆ）から選ばれる少なくとも１種をさらに含有する、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項6】
請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項7】
請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、被研磨基板の研磨速度を向上させる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレ（ロールオフ）の低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。
【0003】
このような要求に対して、例えば、特許文献１には、シリカ粒子、酸、酸化剤、水溶性高分子、含窒素有機化合物、及び水を含み、ｐＨが４．０以下の研磨液組成物が開示されている。同文献には、Ｎｉ－Ｐめっきが施された磁気ディスク基板を、前記研磨用組成物に浸漬し、該研磨用組成物から取り出して水で洗浄し、次いでアルカリ性水溶液で洗浄する浸漬－洗浄試験において、研磨液組成物に浸漬する前後の基板の腐食電位の差が所定範囲内であることが記載されている。
特許文献２には、予め溝を形成させた絶縁膜上に銅を電気めっき法を用いて埋め込んだ後、配線形成のための溝部分以外の過剰な銅を除去するための研磨液として、砥粒（例えば、シリカ）、金属酸化剤（例えば、過酸化水素）、銅を溶解させるとともに銅と錯体をつくる化合物（例えば、無機酸、有機酸）、ｐＨ調整剤、荷重下における銅の溶解を促進する溶解速度促進剤（例えば、硝酸塩）、及び、非荷重下における銅の溶解を抑制する溶解抑制剤（例えば、ベンゾトリアゾール）を含み、ｐＨが３以下である研磨液が開示されている。
特許文献３には、コバルト含有材料を研磨するための研磨用組成物であって、シリカ等の研磨剤と弱酸除去速度向上剤とアゾール含有腐食阻害剤とｐＨ調整剤とを含み、前記除去速度向上剤、前記腐食阻害剤及び前記ｐＨ調整剤がそれぞれ１と１８の間のｐＫａを有し、前記組成物のｐＨが７と１２の間にあり、それぞれ前記組成物の総重量に基づいて約１００百万分率未満の硫酸イオン及び約１００百万分率未満のハロゲン化物イオンを有する、研磨用組成物が提案されている。
特許文献４には、コバルトを含む層を研磨するための研磨用組成物として、砥粒と第１酸解離定数が２以上である酸又はその塩と防食剤と分散剤とを含み、電気伝導度が３ｍＳ／ｃｍ以上であり、ｐＨが６．５以上である研磨用組成物が提案されている。
特許文献２には、予め溝を形成させた絶縁膜上に銅を電気めっき法を用いて埋め込んだ後、配線形成のための溝部分以外の過剰な銅を除去するための研磨液として、砥粒（例えば、シリカ）、金属酸化剤（例えば、過酸化水素）、銅を溶解させるとともに銅と錯体をつくる化合物（例えば、無機酸、有機酸）、ｐＨ調整剤、荷重下における銅の溶解を促進する溶解速度促進剤（例えば、硝酸塩）、及び、非荷重下における銅の溶解を抑制する溶解抑制剤（例えば、ベンゾトリアゾール）を含み、ｐＨが３以下である研磨液が開示されている。
特許文献３には、コバルト含有材料を研磨するための研磨用組成物であって、シリカ等の研磨剤と弱酸除去速度向上剤とアゾール含有腐食阻害剤とｐＨ調整剤とを含み、前記除去速度向上剤、前記腐食阻害剤及び前記ｐＨ調整剤がそれぞれ１と１８の間のｐＫａを有し、前記組成物のｐＨが７と１２の間にあり、それぞれ前記組成物の総重量に基づいて約１００百万分率未満の硫酸イオン及び約１００百万分率未満のハロゲン化物イオンを有する、研磨用組成物が提案されている。
特許文献４には、コバルトを含む層を研磨するための研磨用組成物として、砥粒と第１酸解離定数が２以上である酸又はその塩と防食剤と分散剤とを含み、電気伝導度が３ｍＳ／ｃｍ以上であり、ｐＨが６．５以上である研磨用組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２０－１２８４７９号公報
【特許文献2】国際公開第２００６／３０５９５号
【特許文献3】特開２０１８－９３２０４号公報
【特許文献4】特開２０１８－１５７１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面のスクラッチをいっそう低減できる研磨液組成物の開発が求められている。
さらに、近年では、基板の薄型化も進んでおり、基板の剛性が低下する傾向にある。基板の剛性が低下すると、基板の加工が難しいため、加工条件の緩和が必要となる。しかし、加工条件を緩和（例えば、加工圧の低下）すると、従来のシリカ砥粒では十分な研磨速度を確保できない。
また、一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。
さらに、近年では、基板の薄型化も進んでおり、基板の剛性が低下する傾向にある。基板の剛性が低下すると、基板の加工が難しいため、加工条件の緩和が必要となる。しかし、加工条件を緩和（例えば、加工圧の低下）すると、従来のシリカ砥粒では十分な研磨速度を確保できない。
また、一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。
【0006】
そこで、本開示は、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチ低減とを両立できる研磨液組成物、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法及び基板の研磨方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と酸（成分Ｂ）と水系媒体とを含有し、成分ＡはIn-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子であり、ｐＨが１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。
ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、評価対象プレート電極（磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板）が作用極電極として配置され、セル内に参照電極（銀－塩化銀電極）及び対極電極（白金電極）が配置されたプレート電極評価セルと、各電極に接続されたポテンショスタットと、前記評価対象プレート電極に接触可能に配置された研磨パッド（スエードパッド）を有する回転制御体とを備え、前記セル内に電解質（シリカ粒子:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物）が前記各電極を浸漬又は接触させるように貯留されている電気化学測定装置を用い、下記ステップで測定される。
・前記電解質の液温約２６℃において、前記回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ（印加荷重：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2）、前記回転制御体を回転させる（回転数：２５ｒｐｍ）。このとき測定される開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。
・腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、評価対象プレート電極（磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板）が作用極電極として配置され、セル内に参照電極（銀－塩化銀電極）及び対極電極（白金電極）が配置されたプレート電極評価セルと、各電極に接続されたポテンショスタットと、前記評価対象プレート電極に接触可能に配置された研磨パッド（スエードパッド）を有する回転制御体とを備え、前記セル内に電解質（シリカ粒子:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物）が前記各電極を浸漬又は接触させるように貯留されている電気化学測定装置を用い、下記ステップで測定される。
・前記電解質の液温約２６℃において、前記回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ（印加荷重：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2）、前記回転制御体を回転させる（回転数：２５ｒｐｍ）。このとき測定される開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。
・腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
【0008】
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【0009】
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、被研磨基板の研磨速度を向上させる方法に関する。
【発明の効果】
【0010】
本開示の研磨組成物によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチ低減とを両立できるという効果が奏されうる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
上述したとおり、近年、基板の薄型化が進んでおり、基板の剛性が低下する傾向にある。基板の剛性が低下すると、基板の加工が難しいため、加工条件の緩和が必要となる。しかし、加工条件を緩和（例えば、加工圧の低下）すると、従来のシリカ砥粒では十分な研磨速度を確保できなかった。
そこで、本発明者らは、粒子表面に腐食促進作用を有するシリカを用いることで、研磨速度の向上と低スクラッチを両立できることを見出した。
また、シリカ粒子の腐食促進作用は、In-situ電気化学測定により研磨中の動的な瞬間腐食速度を測定することにより検出できることを見出した。
本開示は、腐食促進作用を有する特定のシリカ粒子と酸とを含み、ｐＨが１～４の研磨液組成物を磁気ディスク基板の研磨に用いると、研磨速度を向上しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという知見に基づく。
そこで、本発明者らは、粒子表面に腐食促進作用を有するシリカを用いることで、研磨速度の向上と低スクラッチを両立できることを見出した。
また、シリカ粒子の腐食促進作用は、In-situ電気化学測定により研磨中の動的な瞬間腐食速度を測定することにより検出できることを見出した。
本開示は、腐食促進作用を有する特定のシリカ粒子と酸とを含み、ｐＨが１～４の研磨液組成物を磁気ディスク基板の研磨に用いると、研磨速度を向上しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという知見に基づく。
【0013】
従来、被研磨基板に対する研磨液組成物としての腐食速度を測定する方法として、研磨剤組成物中に被研磨基板を浸漬させ、浸漬前後の基板の重量変化から浸漬時間に対する平均の腐食速度を算出する方法（秤量法）が存在する。しかしながら、酸化剤を含む研磨液組成物中での金属の腐食機構は、金属（Ｍ）が酸化剤で酸化され（Ｍ→Ｍ－Ｏ）、金属酸化物が金属イオンとして溶解する（Ｍ－Ｏ→Ｍn+）機構を取ることが一般的であるが、酸素が結合し基板重量が増える反応と、金属イオンとして溶解し基板重量が減少する反応を一括して、天秤等で重量変化を観測せざるを得なかった。また天秤により重量変化を観測するため、十分な重量変化(数十ｍｇ程度の重量変化が必要)が起きるまで、浸漬時間を増やす必要があり、評価に時間がかかるという課題がある。それに対し、In-situ電気化学測定法では、金属が溶解する際に発生する電子を観測するため、金属種の比重にもよるが１０－１９ｇ程度の基板重量変化から正確に腐食速度を測定することができる。
【0014】
腐食速度を見積もるもう１つの方法として、前記のように被研磨基板を研磨剤組成物へ浸漬し、液中の金属の溶解量をＩＣＰ－ＯＥＳ（ｐｐｍオーダーでの測定が可能）で測定する方法がある。しかしながら固体である砥粒を含んだ状態でＩＣＰ－ＯＥＳを測定すると、装置の故障につながる可能性が高く、実用的ではない。また両者の方法いずれにしても静的な平均腐食速度を見積もる手法であって、研磨中の動的な腐食速度を測定することはできない。それに対し、In-situ電気化学測定は動的な腐食速度を観測できる唯一の手法であり、シリカ粒子の研磨中における動的な腐食速度を観測することで本発明に至った。
【0015】
すなわち、本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と酸（成分Ｂ）と水系媒体とを含有し、成分ＡはIn-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子であり、ｐＨが１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
【0016】
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
従来からＮｉ－Ｐめっき基板の腐食反応は、研磨剤中に含まれる酸・酸化剤及び保護助剤等により、腐食速度を制御していたが、今回新たに、研磨剤中に含まれるシリカ種によっても腐食電位及び腐食速度が変化することを見出した。これはシリカ粒子表面とＮｉ－Ｐめっき基板界面において発生する、研磨中の摩擦エネルギーや熱エネルギー等によって、酸・酸化剤が粒子及び基板界面付近での腐食反応に寄与していると考えられる。例えば、シラノール基が酸と反応することで脱水縮合し、シロキサン基へと変換され、粒子表面が疎水的表面に変換された結果、粒子－粒子間や粒子－基板間での摩擦力が増し、研磨速度が向上する作用が発現する。また摩擦力が向上すると、熱が発生しやすくなる結果、粒子や基板界面での化学反応も向上する。その結果、酸化剤による基板の酸化反応や腐食反応が進行しやすくなることで高研磨速度を発現できると考えられる。つまり、腐食（酸化）反応が進行する腐食電位及び腐食速度を最適な範囲で有するシリカ粒子を含んだ研磨剤組成物を用いれば、機械研磨力及び化学研磨力が最も優れたバランスで研磨を進行することができ、その結果、実用的な高い研磨速度を有しつつ、スクラッチ抑制に優れる高品質な基板を生産できる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
従来からＮｉ－Ｐめっき基板の腐食反応は、研磨剤中に含まれる酸・酸化剤及び保護助剤等により、腐食速度を制御していたが、今回新たに、研磨剤中に含まれるシリカ種によっても腐食電位及び腐食速度が変化することを見出した。これはシリカ粒子表面とＮｉ－Ｐめっき基板界面において発生する、研磨中の摩擦エネルギーや熱エネルギー等によって、酸・酸化剤が粒子及び基板界面付近での腐食反応に寄与していると考えられる。例えば、シラノール基が酸と反応することで脱水縮合し、シロキサン基へと変換され、粒子表面が疎水的表面に変換された結果、粒子－粒子間や粒子－基板間での摩擦力が増し、研磨速度が向上する作用が発現する。また摩擦力が向上すると、熱が発生しやすくなる結果、粒子や基板界面での化学反応も向上する。その結果、酸化剤による基板の酸化反応や腐食反応が進行しやすくなることで高研磨速度を発現できると考えられる。つまり、腐食（酸化）反応が進行する腐食電位及び腐食速度を最適な範囲で有するシリカ粒子を含んだ研磨剤組成物を用いれば、機械研磨力及び化学研磨力が最も優れたバランスで研磨を進行することができ、その結果、実用的な高い研磨速度を有しつつ、スクラッチ抑制に優れる高品質な基板を生産できる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【0017】
本開示において、基板表面のスクラッチは、例えば、光学式欠陥検査装置により検出可能であり、スクラッチ数として定量評価できる。スクラッチ数は、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。
【0018】
［シリカ粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、砥粒として、シリカ粒子（以下「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａは、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子である。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、砥粒として、シリカ粒子（以下「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａは、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子である。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0019】
本開示において、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度とは、研磨による基板の腐食反応により発生する電子の発生量を電気化学測定装置により測定した電流密度の値である。
ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、評価対象プレート電極（磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板）が作用極電極として配置され、セル内に参照電極（銀－塩化銀電極）及び対極電極（白金電極）が配置されたプレート電極評価セルと、各電極に接続されたポテンショスタットと、前記評価対象プレート電極に接触可能に配置された研磨パッド（スエードパッド）を有する回転制御体とを備え、前記セル内に電解質（シリカ粒子:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物）が前記各電極を浸漬又は接触させるように貯留されている電気化学測定装置を用い、下記ステップで測定される。
・前記電解質の液温約２６℃において、前記回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ（印加荷重：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2）、前記回転制御体を回転させる（回転数：２５ｒｐｍ）。このとき測定される開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。
・腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
前記電気化学測定装置としては、例えば、図１に示すような電気化学測定装置が挙げられる。
作用極電極は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板が挙げられる。該磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板は研磨及び洗浄を実施した基板であってもよい。研磨方法としては、例えば、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いた研磨が挙げられる。具体的には、平均一次粒子径１５０ｎｍのコロイダルシリカ：５質量％、リン酸：１質量％、過酸化水素：０．８質量％を含み、残部が水である研磨液組成物を用いた研磨（例えば粗研磨）や、平均一次粒子径２０ｎｍのコロイダルシリカ：５質量％、リン酸：１質量％、過酸化水素：０．４質量％を含み、残部が水である研磨液組成物を用いた研磨（例えば仕上げ研磨）が挙げられる。洗浄方法としては、例えば、超音波洗浄及びブラシ洗浄から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。前記研磨及び洗浄を実施した基板は、さらに耐水性サンドペーパーで研磨した後、基板表面をエタノール及び水ですすぎ洗浄し、乾燥させた基板であってもよい。
研磨パッドは、一又は複数の実施形態において、スエードパッドが挙げられる。スエードパッドとしては、例えば、ポリウレタン製軟質スエードパッドが挙げられる。研磨パッドの圧縮率は、例えば、２０％以下が挙げられる。研磨パッドとしては、例えば、ポリウレタン製軟質スエードパッドをダイヤモンドドレスで目開き後、前記電解質で所定時間（例えば、５時間）研磨したパッドを用いてもよい。
ここで、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度は、評価対象プレート電極（磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板）が作用極電極として配置され、セル内に参照電極（銀－塩化銀電極）及び対極電極（白金電極）が配置されたプレート電極評価セルと、各電極に接続されたポテンショスタットと、前記評価対象プレート電極に接触可能に配置された研磨パッド（スエードパッド）を有する回転制御体とを備え、前記セル内に電解質（シリカ粒子:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物）が前記各電極を浸漬又は接触させるように貯留されている電気化学測定装置を用い、下記ステップで測定される。
・前記電解質の液温約２６℃において、前記回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ（印加荷重：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2）、前記回転制御体を回転させる（回転数：２５ｒｐｍ）。このとき測定される開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。
・腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
前記電気化学測定装置としては、例えば、図１に示すような電気化学測定装置が挙げられる。
作用極電極は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板が挙げられる。該磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板は研磨及び洗浄を実施した基板であってもよい。研磨方法としては、例えば、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いた研磨が挙げられる。具体的には、平均一次粒子径１５０ｎｍのコロイダルシリカ：５質量％、リン酸：１質量％、過酸化水素：０．８質量％を含み、残部が水である研磨液組成物を用いた研磨（例えば粗研磨）や、平均一次粒子径２０ｎｍのコロイダルシリカ：５質量％、リン酸：１質量％、過酸化水素：０．４質量％を含み、残部が水である研磨液組成物を用いた研磨（例えば仕上げ研磨）が挙げられる。洗浄方法としては、例えば、超音波洗浄及びブラシ洗浄から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。前記研磨及び洗浄を実施した基板は、さらに耐水性サンドペーパーで研磨した後、基板表面をエタノール及び水ですすぎ洗浄し、乾燥させた基板であってもよい。
研磨パッドは、一又は複数の実施形態において、スエードパッドが挙げられる。スエードパッドとしては、例えば、ポリウレタン製軟質スエードパッドが挙げられる。研磨パッドの圧縮率は、例えば、２０％以下が挙げられる。研磨パッドとしては、例えば、ポリウレタン製軟質スエードパッドをダイヤモンドドレスで目開き後、前記電解質で所定時間（例えば、５時間）研磨したパッドを用いてもよい。
【0020】
前記動的瞬間腐食速度は、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、１７０μＡ／ｃｍ2以上であって、２００μＡ／ｃｍ2以上が好ましく、２４０μＡ／ｃｍ2以上がより好ましく、そして、３３０μＡ／ｃｍ2未満であって、３２０Ａ／ｃｍ2以下が好ましく、３００μＡ／ｃｍ2以下がより好ましい。より具体的には、前記研磨時の動的瞬間腐食速度（電流密度）は、１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であって、２００μＡ／ｃｍ2以上３２０μＡ／ｃｍ2以下が好ましく、２４０μＡ／ｃｍ2以上３００μＡ／ｃｍ2以下がより好ましい。
【0021】
前記In-situ電気化学測定において観測される腐食電位Ｅcorrは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、－０．３２Ｖ超が好ましく、－０．２５Ｖ以上がより好ましく、－０．２３Ｖ以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、－０．１９Ｖ以下が好ましく、－０．２０Ｖ以下がより好ましく、－０．２０Ｖ未満が更に好ましく、－０．２１Ｖ以下が更に好ましい。本開示において、腐食電位Ｅcorrとは、測定系中でのカソード反応及びアノード反応中に消費又は生成される電子量がつり合い、見かけ上電流が流れない電位のことを云う。例えば、本開示の反応系でいえば、ニッケルが酸化溶解する際に発生する電子と、水の電気分解やプロトン及び過酸化水素の還元反応により消費する電子量が釣り合う電位となる。一般的に腐食電位の値が低くなると、その金属種が酸化されやすいことを意味するが、あくまでも酸化のされやすさであり、腐食電位の値だけでは腐食速度を見積もることはできない。例えば、参考文献１「腐食の電気化学測定法の基礎 - 腐食電位- 」(材料と環境，Vol.67, No.1, pp2－8（2018）,春名 匠著）や参考文献２「腐食の電気化学と測定法」（水流 徹著）には、腐食電位が上昇し腐食速度が増加する例と、腐食電位が上昇し腐食速度が低下する事例が説明されている。このように、腐食電位の値から腐食速度を見積もることは難しい。本開示における腐食電位Ｅcorrは、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。
【0022】
成分Ａの製造方法としては、一般的な水ガラス法によって製造される。例えば、珪酸アルカリとしては珪酸ナトリウム、珪酸カリウム等を用い、珪酸アルカリの追熟工程、塩基性化合物添加による重合ゾルの製造工程、成長工程を経ることにより成分Ａを製造できる。具体体な方法については、実施例にて述べる。
成分Ａは、一又は複数の実施形態において、水ガラス法によって製造されたものの中から動的瞬間腐食速度が所定の範囲となるシリカ粒子を選別して用いてもよい。
成分Ａは、一又は複数の実施形態において、水ガラス法によって製造されたものの中から動的瞬間腐食速度が所定の範囲となるシリカ粒子を選別して用いてもよい。
【0023】
成分Ａとしては、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、これらのなかでもコロイダルシリカが好ましい。
【0024】
成分Ａの形状は、球状でも非球状でもよい。
成分Ａの使用形態としては、スラリー状の研磨液成分であることが好ましい。
成分Ａの使用形態としては、スラリー状の研磨液成分であることが好ましい。
【0025】
成分Ａの平均一次粒子径は、研磨速度向上の観点から、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましく、１５ｎｍ以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下が更に好ましく、２５ｎｍ以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの平均一次粒子径は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が更に好ましく、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、シリカ粒子の平均一次粒子径は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。平均一次粒子径は、具体的には実施例に記載する方法で測定できる。
【0026】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度向上の観点から、ＳｉＯ2換算で、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、ＳｉＯ2換算で、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。さらに、本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度の向上及びスクラッチ低減の観点から、ＳｉＯ2換算で、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上のシリカ粒子からなる場合、成分Ａの含有量は、それらの合計含有量をいう。
【0027】
［酸（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物は、酸（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸又はその塩の使用を含む。成分Ｂは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、酸（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸又はその塩の使用を含む。成分Ｂは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0028】
成分Ｂとしては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸；有機リン酸、有機ホスホン酸、カルボン酸等の有機酸；等が挙げられる。これらの中でも、成分Ｂは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、無機酸及び有機ホスホン酸を含むことが好ましく、無機酸を含むことがより好ましい。成分Ｂ中の無機酸の含有量は、同様の観点から、０．５質量％以上が好ましく、０．７質量％以上がより好ましく、０．８質量％以上が更に好ましい。
無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、リン酸がより好ましい。
有機ホスホン酸としては、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属としては、周期表の１～１１族に属する金属が挙げられる。
無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、リン酸がより好ましい。
有機ホスホン酸としては、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属としては、周期表の１～１１族に属する金属が挙げられる。
【0029】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましく、２質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上４質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上３質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以上２質量％以下が更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0030】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂ（成分Ａの含有量／成分Ｂの含有量）は、研磨速度の向上及びスクラッチ低減の観点から、０．５以上が好ましく、１以上がより好ましく、２以上が更に好ましく、４以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の質量比Ａ／Ｂは、０．５以上１０以下が好ましく、１以上８以下がより好ましく、２以上６以下が更に好ましく、４以上６以下が更に好ましい。
【0031】
［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【0032】
［酸化剤（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨速度向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、酸化剤（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨速度向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、酸化剤（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0033】
成分Ｃとしては、研磨速度向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、研磨速度向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着しない観点、及び入手容易性の観点から、過酸化水素がより好ましい。
【0034】
本開示の研磨液組成物が成分Ｃを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度の更なる向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、４質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．０１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0035】
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、複素環芳香族化合物（以下、「成分Ｄ」ともいう）、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（以下、「成分Ｅ」ともいう）、及び、アニオン性水溶性高分子（以下、「成分Ｆ」ともいう）から選ばれる少なくとも１種をさらに含有してもよい。成分Ｄ～成分Ｆについて以下に説明する。
【0036】
［複素環芳香族化合物（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｄ）をさらに含有してもよい。成分Ｄは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｄ）をさらに含有してもよい。成分Ｄは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0037】
成分Ｄとしては、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環内に窒素原子を２個以上含む複素環芳香族化合物であることが好ましく、複素環内に窒素原子を３個以上有することがより好ましく、３個以上９個以下が更に好ましく、３個以上５個以下が更に好ましく、３又は４個が更に好ましい。
【0038】
成分Ｄとしては、一又は複数の実施形態において、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、５－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾール、及びこれらのアルキル置換体若しくはアミン置換体から選ばれる少なくとも１種が好ましい。前記アルキル置換体のアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の低級アルキル基が挙げられ、一又は複数の実施形態において、メチル基、エチル基が挙げられる。前記アミン置換体としては、一又は複数の実施形態において、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］トリルトリアゾール等が挙げられる。これらの中でも、スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｄとしては、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、及び３－アミノベンゾトリアゾールから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が更に好ましい。
【0039】
本開示の研磨液組成物が成分Ｄを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、研磨速度向上の観点から、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、０．００５質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましく、０．０２質量％以上０．２質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せである場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0040】
［脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｅ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｅの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｅは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｅの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｅは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0041】
前記脂肪族アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３－（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３－（メチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＡ）が更に好ましい。
前記脂環式アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、１－アミノ－４－メチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）がより好ましい。
前記脂環式アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、１－アミノ－４－メチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）がより好ましい。
【0042】
本開示の研磨液組成物が成分Ｅを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、研磨速度向上の観点から、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、０．００５質量％以上１質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せである場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0043】
［アニオン性水溶性高分子（成分Ｆ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、アニオン性水溶性高分子（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。アニオン性水溶性高分子とは、分子内にアニオン性基を有する水溶性高分子である。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
成分Ｆは、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、分子内に繰り返し単位とスルホン酸基又はその塩を有するものであり、繰り返し単位の主鎖に芳香環を有する構造であることが好ましい。芳香環としては、例えば、フェノール骨格、ナフタレン骨格が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩等が挙げられる。成分Ｆは、１種であってもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、アニオン性水溶性高分子（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。アニオン性水溶性高分子とは、分子内にアニオン性基を有する水溶性高分子である。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
成分Ｆは、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、分子内に繰り返し単位とスルホン酸基又はその塩を有するものであり、繰り返し単位の主鎖に芳香環を有する構造であることが好ましい。芳香環としては、例えば、フェノール骨格、ナフタレン骨格が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩等が挙げられる。成分Ｆは、１種であってもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0044】
成分Ｆとしては、一又は複数の実施形態において、不飽和カルボン酸由来の構成単位と分子内にスルホン酸基を有するモノマー由来の構成単位を含む共重合体が挙げられる。不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸及びそれらの塩から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。分子内にスルホン酸基を有するモノマーとしては、例えば、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸が挙げられる。不飽和カルボン酸由来の構成単位と分子内にスルホン酸基を有するモノマー由来の構成単位を含む共重合体としては、例えば、アクリル酸／２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体（ＡＡ／ＡＭＰＳ）が挙げられる。
成分Ｆとしては、一又は複数の実施形態において、スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマーの縮合物又はその塩、スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマー由来の構成単位と該構成単位以外の構成単位を含む縮合物又はその塩等が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩等が挙げられる。
スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマーの縮合物又はその塩としては、うねりの更なる低減の観点から、主鎖を構成する芳香環の少なくとも１つの水素原子がスルホン酸基に置換された構造を有する縮合物又はその塩が好ましく、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。例えば、フェノールスルホン酸（ＰｈＳ）のホルマリン縮合物、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物（ＮａＳ）が挙げられる。
スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマー由来の構成単位と該構成単位以外の構成単位を含む縮合物又はその塩としては、例えば、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン（ＢｉｓＳ）とフェノールスルホン酸（ＰｈＳ）のホルマリン縮合物（ＢｉｓＳ／ＰｈＳ）等が挙げられる。
成分Ｆとしては、一又は複数の実施形態において、スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマーの縮合物又はその塩、スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマー由来の構成単位と該構成単位以外の構成単位を含む縮合物又はその塩等が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩等が挙げられる。
スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマーの縮合物又はその塩としては、うねりの更なる低減の観点から、主鎖を構成する芳香環の少なくとも１つの水素原子がスルホン酸基に置換された構造を有する縮合物又はその塩が好ましく、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。例えば、フェノールスルホン酸（ＰｈＳ）のホルマリン縮合物、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物（ＮａＳ）が挙げられる。
スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマー由来の構成単位と該構成単位以外の構成単位を含む縮合物又はその塩としては、例えば、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン（ＢｉｓＳ）とフェノールスルホン酸（ＰｈＳ）のホルマリン縮合物（ＢｉｓＳ／ＰｈＳ）等が挙げられる。
【0045】
成分Ｆの重量平均分子量は、うねりの更なる低減の観点から、５００以上が好ましく、１０００以上がより好ましく、１５００以上が更に好ましく、そして、５００００以下が好ましく、３００００以下がより好ましく、２００００以下が更に好ましく、１００００以下が更に好ましく、５０００以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｆの重量平均分子量は、５００以上５００００以下が好ましく、１０００以上３００００以下がより好ましく、１５００以上２００００以下が更に好ましく、１５００以上１００００以下が更に好ましく、１５００以上５０００以下が更に好ましい。
【0046】
本開示の研磨液組成物が成分Ｆを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、０．００１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種以上の組合せである場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0047】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、成分Ａ以外の砥粒、成分Ｆ以外の高分子、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、成分Ａ以外の砥粒、成分Ｆ以外の高分子、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。
【0048】
［研磨液組成物のｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、４以下であって、３．５以下が好ましく、３以下がより好ましく、そして、同様の観点から、１以上であって、１．５以上が好ましく、２以上がより好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、１以上４以下であって、１．５以上３．５以下が好ましく、２以上３以下がより好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｂ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、４以下であって、３．５以下が好ましく、３以下がより好ましく、そして、同様の観点から、１以上であって、１．５以上が好ましく、２以上がより好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、１以上４以下であって、１．５以上３．５以下が好ましく、２以上３以下がより好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｂ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
【0049】
［研磨液組成物の製造方法］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体と、さらに所望により任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体、並びに必要に応じて任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａは、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類のシリカ粒子からなる場合、複数種類のシリカ粒子は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体と、さらに所望により任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体、並びに必要に応じて任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａは、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類のシリカ粒子からなる場合、複数種類のシリカ粒子は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
【0050】
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。
本開示の研磨液組成物中の各成分の含有量は、一又は複数の実施形態において、各成分の配合量とみなすことができる。
本開示の研磨液組成物中の各成分の含有量は、一又は複数の実施形態において、各成分の配合量とみなすことができる。
【0051】
本開示の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して使用すればよい。希釈倍率は、希釈した後に上述した各成分の含有量（使用時）を確保できれば特に限定されるものではなく、例えば、１０～１００倍とすることができる。
【0052】
［研磨液キット］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。
本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含むシリカ分散液と、成分Ｂを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記シリカ分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を向上しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物が得られうる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。
本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含むシリカ分散液と、成分Ｂを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記シリカ分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を向上しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物が得られうる。
【0053】
［被研磨基板］
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。一又は複数の実施形態において、被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。一又は複数の実施形態において、被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
【0054】
本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板に好適である。被研磨基板としては、例えば、Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等のガラス基板がより適しており、Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板が更に適している。本開示において「Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理したものをいう。
【0055】
被研磨基板の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２～１００ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．４～２ｍｍ程度である。
【0056】
［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示の研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示の研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
【0057】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。
【0058】
被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。さらに、使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示の研磨液組成物は使用できる。研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
【0059】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができ、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
【0060】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、研磨速度向上の観点から、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、更に好ましくは７．５ｋＰａ以上であり、そして、スクラッチ低減の観点から、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、更に好ましくは１６ｋＰａ以下である。本開示の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
【0061】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における本開示の研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５ｍＬ／分以上１５ｍＬ／分以下であり、より好ましくは０．０６ｍＬ／分以上１０ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上１ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下である。
【0062】
本開示の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示の研磨液組成物となる。
【0063】
本開示の基板製造方法によれば、本開示の研磨液組成物を用いることで、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
【0064】
［研磨速度を向上する方法］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、被研磨基板の研磨速度を向上させる方法（以下、「本開示の研磨速度向上方法」ともいう）に関する。本開示の研磨速度向上方法によれば、本開示の研磨液組成物を用いることで、研磨速度向上と研磨後の基板表面のスクラッチ低減とを両立できる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、被研磨基板の研磨速度を向上させる方法（以下、「本開示の研磨速度向上方法」ともいう）に関する。本開示の研磨速度向上方法によれば、本開示の研磨液組成物を用いることで、研磨速度向上と研磨後の基板表面のスクラッチ低減とを両立できる。
【0065】
本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。本開示の研磨速度向上方法における研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
【0066】
［研磨方法］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法における被研磨基板としては、上述した被研磨基板が挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。本開示の研磨方法は、例えば、仕上げ研磨工程に用いることができる。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法における被研磨基板としては、上述した被研磨基板が挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。本開示の研磨方法は、例えば、仕上げ研磨工程に用いることができる。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
【実施例0067】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【0068】
１．シリカ粒子Ａ１～Ａ７
表１に示すシリカ粒子Ａ１～Ａ７には、以下のものを用いた。
Ａ１の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間室温保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１２．５に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ１）を得た。
Ａ２の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間室温保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１１．２に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ２）を得た。
Ａ３の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間３５℃で保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１１．２に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ３）を得た。
Ａ４の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加えｐＨを３．６に調整後、２．５時間室温保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１２．５に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ４）を得た。
Ａ５の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間３５℃で保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１２．５に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ５）を得た。
Ａ６：コロイダルシリカ［扶桑化学工業社製のＰＬ－２］
Ａ７：コロイダルシリカ［日揮触媒化成社製のカタロイドＳＩ－３０Ｗ］
表１に示すシリカ粒子Ａ１～Ａ７には、以下のものを用いた。
Ａ１の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間室温保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１２．５に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ１）を得た。
Ａ２の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間室温保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１１．２に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ２）を得た。
Ａ３の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間３５℃で保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１１．２に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ３）を得た。
Ａ４の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加えｐＨを３．６に調整後、２．５時間室温保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１２．５に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ４）を得た。
Ａ５の製造例：
３号珪酸ソーダを５％濃度となるように純水で希釈し、限外濾過して、精製水ガラス珪酸液５，０００ｇ得た。上記珪酸水溶液４００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを４．８に調整後、２．５時間３５℃で保管し、重合珪酸液約１０００ｇを得た。得られた重合珪酸液１０００ｇに２３％濃度のアンモニアを加え、ｐＨを１０．６に調整し、液温を９０℃まで昇温して、１時間後に珪酸ゾルを得た。得られたゾル１００ｇに２０％濃度の３号珪酸ソーダを加え、ｐＨを１２．５に調整し、８５℃まで昇温し、３０分間その状態を保持した。次に上記で残った精製水ガラス珪酸液９００ｇに純水を６００ｇ加え、更に１％濃度の硫酸を加えた成長用の珪酸液を作り、これを前記昇温保持したゾルへ６時間かけて添加した。添加完了後、さらに１時間、８５℃で保持し、その後室温まで冷却した。得られたシリカゾルをロータリーエバポレーター（ＥＹＥＬＡ製）で濃縮し、シリカ濃度２５％のシリカ分散液（シリカ粒子Ａ５）を得た。
Ａ６：コロイダルシリカ［扶桑化学工業社製のＰＬ－２］
Ａ７：コロイダルシリカ［日揮触媒化成社製のカタロイドＳＩ－３０Ｗ］
【0069】
［In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度及び腐食電位Ｅcorrの測定]
図１に示すポテンショスタットを用いた電気化学装置を用い、下記のようにして動的瞬間腐食速度及び腐食電位を測定した。
まず、電気化学セル内に３０℃の恒温槽に１２時間保管した電解質を４５ｍＬ注ぎ、参照電極、対極及び作用極を前記電解質に接触させる。前記各電極をポテンショスタットに接続する。その後、回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ、所定の荷重となるようにジャッキにて天秤の位置を調整し、回転制御体を回転させる。このとき測定した開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
・電気化学セル：株式会社イーシーフロンティア製、ＶＭ３
・ポテンショスタット：ＢＡＳ社製、電気化学アナライザー、モデル：６１１Ｄ
・電解質：シリカ粒子（ここでは表１に示すシリカ粒子Ａ１～Ａ７のいずれか１種）:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水（残部）を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物。なお、研磨液組成物のｐＨが２．５となるように、水酸化カリウムで適宜ｐＨを調整してよい。
・開回路電圧の測定メソッド：
付属ソフト内の測定メソッドを開回路電圧（ＯＣＰ）モードにし、測定時間２００秒で測定した。測定開始から２００秒経過時の開回路電圧値を腐食電位Ｅcorrとする。なお、電解質の液温で腐食電位の値も変化するため、室温も２５～２６度となる温度にて測定できる。
・ＬＳＶ法の測定メソッド：
付属ソフト内の測定メソッドからＬＳＶ法を選択する。サンプリング間隔は１ｍＶとし、１ｍＶ毎に流れる電流値を観測する。なお、開回路電圧測定同様、電解質の液温により電流密度の値も変動するため、室温も２５～２６度となる温度にて測定できる。
・ターフェル・プロット法による解析：（比較例１を例に以下に説明する。）
（比較例１）
腐食電位からアノード側へ０．５Ｖ電位を走査すると、比較例１の場合、シリカ粒子Ａ６、リン酸、過酸化水素、水、（及び水酸化カリウム）を含むｐＨ２．５の電解質中では、開回路電圧（腐食電位）が－０．３２Ｖとなり、同時に測定開始時の電圧が腐食電位と同じ値である－０．３２Ｖとなる。ここ（腐食電位）から０．５Ｖアノード側へ０．１ｍＶずつ電位を走査すると、測定終了時の電圧は０．１８Ｖとなる。ここで、腐食反応は作用極表面と研磨パッドを張り付けた回転制御体が接触している場所で起きると仮定し、得られた電流値に対して、反応面積を除する必要がある。本系で用いた電気化学セル（ＶＭ３）の作用極の面積は約１．０ｃｍ2となるように設計されており、研磨パッドを張り付けた回転制御体の直径が約８ｍｍであるため、研磨パッドと作用極が相互作用できる面積は０．５０２６５５ｃｍ2となる。この値（面積）を得られた電流値に対して割ると、単位面積当たりの電流値（発生した電子量）が算出される。比較例１の場合、シリカ粒子Ａ６、リン酸、過酸化水素、水（及び水酸化カリウム）を含むｐＨ２．５の電解質中では、開回路電圧（腐食電位）が－０．３２Ｖ、得られた電流値は０．００００７５７２Ａ、単位面積当たりの電流値は０．０００１５０６４Ａ／ｃｍ2となる。得られた単位面積当たりの電流値に対して、底を１０とした対数（＝Ｌｏｇ10０．０００１５０６４＝－３．８２２０５９２５）を取ると、－３．８２２０５９２５という値が得られる。このとき、仮に単位面積当たりの電流値が負の値が観測された場合は、Ｌｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜のように、正の値に直して対数を取る。－０．３２Ｖ（開回路電圧）から０．１８Ｖ（測定終了時の電圧）まで１ｍＶ毎に得られた単位面積当たりの電流値に対して対数を取り、縦軸：Ｌｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜と、横軸：電位（例えばー０．５０Ｖから＋０．５０Ｖなど、走査した電位が含まれる範囲）の散布図を得る。Ｎｅｒｎｓｔの式から導出されるＢｕｔｌｅｒ－Ｖｏｌｍｅｒの式によると、過電圧が大きい場合ので、対極での反応電流を無視でき、Ｂｕｔｌｅｒ－Ｖｏｌｍｅｒの式は、ターフェル（Ｔａｆｅｌ）の式に簡略化できる。つまり本系で言えば、過電圧が大きいとき、カソード反応を無視し、アノード反応電流が腐食反応における電子の発生量、つまりは本開示で定義する動的瞬間腐食反応速度とする。ターフェル法では、一般的に腐食電位から５０ｍＶ離れると、過電圧が大きいと見なすことができ、カソード反応を無視できる。以上より、－０．３２Ｖ（腐食電位）に対しアノード側へ５０ｍＶ離れた電位からアノード側へ１００ｍＶ離れた電位（つまり－０．３２５０Ｖ～－０．３３０Ｖ）に対するＬｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜を求め、この範囲の値に対して、散布図上で線形近似を引く。線形近似式のｘに腐食電位の値を代入し、ｙ値を求める。比較例１の場合、シリカ粒子Ａ６、リン酸、過酸化水素、水、（及び水酸化カリウム）を含むｐＨ２．５の電解質では、線形近似式はｙ＝３．７２１４ｘ－２．５８７８となり、腐食電位をｘに代入すると、ｙ＝－３．７７８６４８００（＝Ｌｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜）となる。Ｌｏｇを外すと１０の－３．７７８６４８００乗となり、腐食電流密度１６６．５μＡ／ｃｍ2が算出できる。
なお、線形近似を引くために採用する値の範囲により、腐食電流密度値も変動することを避けるため、本開示では腐食電位からアノード側へ５０ｍＶ～１００ｍＶの値を採用する。
実施例１～８及び比較例２についても、上記比較例１と同様にして、腐食電位及び腐食電流密度を求め、結果を表１に示した。
・作用極：下記被研磨基板を下記条件で仕上げ研磨及び洗浄を実施し、耐水性サンドペーパー(#600、次いで#1000の２段研磨)で研磨した後、基板表面をエタノール及び水ですすぎ洗浄し、乾燥させた基板
・参照電極：銀－塩化銀電極（ＢＡＳ社製、ＲＥ－１Ｂ）
・対極：白金電極（ＢＡＳ社製、型番：０１２９６１、コイル状／電極部の長さ２３ｃｍ、電極部の直径０．５ｍｍ）
・研磨パッド：ポリウレタン製軟質スエードパッド（圧縮率：２０％以下）をダイヤモンドドレス(#600)で目開き後、前記電解質で５時間研磨したパッド
・測定時の電解質の液温：約２６℃
・測定時の回転制御体の回転数：２５ｒｐｍ
・測定時の印加荷重（電子天秤による回転時の実測値）：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2
＜仕上げ研磨＞
［被研磨基板］
被研磨基板として、磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板（Western Digital-Sarawak工場製）を予めシリカ砥粒を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．６３５ｍｍ、外径が９７ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（ブルカー製、Dimension FastScan AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ：０．７ｍｍ、平均開孔径：１０μｍ）
研磨液組成物：平均一次粒子径２０ｎｍのコロイダルシリカ：５質量％、リン酸：１質量％、過酸化水素：０．４質量％を含み、残部が水である研磨液組成物
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．１４５ｍＬ／分）
下定盤回転数：２４ｒｐｍ
研磨荷重：１０．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
＜洗浄＞
上記研磨後の基板をヒカリ社製洗浄機を用いて以下の工程で洗浄した。
［洗浄条件］
（１）超音波洗浄（５分、４３０ｋＨｚ、浸漬液：超純水）
（３）ＰＶＡブラシ洗浄（９秒）
（４）超純水すすぎ（９秒）
（５）スピンドライ（９秒）
図１に示すポテンショスタットを用いた電気化学装置を用い、下記のようにして動的瞬間腐食速度及び腐食電位を測定した。
まず、電気化学セル内に３０℃の恒温槽に１２時間保管した電解質を４５ｍＬ注ぎ、参照電極、対極及び作用極を前記電解質に接触させる。前記各電極をポテンショスタットに接続する。その後、回転制御体に貼り付けた研磨パッドを作用極と接触させ、所定の荷重となるようにジャッキにて天秤の位置を調整し、回転制御体を回転させる。このとき測定した開回路電圧の値を腐食電位Ｅcorrとする。腐食電位Ｅcorrから０．５Ｖアノード側へＬＳＶ法(Linear Sweep Voltammetry)を用いて電位を走査したときに観測されるアノード反応の電流曲線に対し、ターフェル・プロット法を用いて電流密度を測定し、この電流密度を動的瞬間腐食速度として算出する。
・電気化学セル：株式会社イーシーフロンティア製、ＶＭ３
・ポテンショスタット：ＢＡＳ社製、電気化学アナライザー、モデル：６１１Ｄ
・電解質：シリカ粒子（ここでは表１に示すシリカ粒子Ａ１～Ａ７のいずれか１種）:５質量％、リン酸:１質量％、過酸化水素:０．３質量％、及び水（残部）を含み、ｐＨが２．５である研磨液組成物。なお、研磨液組成物のｐＨが２．５となるように、水酸化カリウムで適宜ｐＨを調整してよい。
・開回路電圧の測定メソッド：
付属ソフト内の測定メソッドを開回路電圧（ＯＣＰ）モードにし、測定時間２００秒で測定した。測定開始から２００秒経過時の開回路電圧値を腐食電位Ｅcorrとする。なお、電解質の液温で腐食電位の値も変化するため、室温も２５～２６度となる温度にて測定できる。
・ＬＳＶ法の測定メソッド：
付属ソフト内の測定メソッドからＬＳＶ法を選択する。サンプリング間隔は１ｍＶとし、１ｍＶ毎に流れる電流値を観測する。なお、開回路電圧測定同様、電解質の液温により電流密度の値も変動するため、室温も２５～２６度となる温度にて測定できる。
・ターフェル・プロット法による解析：（比較例１を例に以下に説明する。）
（比較例１）
腐食電位からアノード側へ０．５Ｖ電位を走査すると、比較例１の場合、シリカ粒子Ａ６、リン酸、過酸化水素、水、（及び水酸化カリウム）を含むｐＨ２．５の電解質中では、開回路電圧（腐食電位）が－０．３２Ｖとなり、同時に測定開始時の電圧が腐食電位と同じ値である－０．３２Ｖとなる。ここ（腐食電位）から０．５Ｖアノード側へ０．１ｍＶずつ電位を走査すると、測定終了時の電圧は０．１８Ｖとなる。ここで、腐食反応は作用極表面と研磨パッドを張り付けた回転制御体が接触している場所で起きると仮定し、得られた電流値に対して、反応面積を除する必要がある。本系で用いた電気化学セル（ＶＭ３）の作用極の面積は約１．０ｃｍ2となるように設計されており、研磨パッドを張り付けた回転制御体の直径が約８ｍｍであるため、研磨パッドと作用極が相互作用できる面積は０．５０２６５５ｃｍ2となる。この値（面積）を得られた電流値に対して割ると、単位面積当たりの電流値（発生した電子量）が算出される。比較例１の場合、シリカ粒子Ａ６、リン酸、過酸化水素、水（及び水酸化カリウム）を含むｐＨ２．５の電解質中では、開回路電圧（腐食電位）が－０．３２Ｖ、得られた電流値は０．００００７５７２Ａ、単位面積当たりの電流値は０．０００１５０６４Ａ／ｃｍ2となる。得られた単位面積当たりの電流値に対して、底を１０とした対数（＝Ｌｏｇ10０．０００１５０６４＝－３．８２２０５９２５）を取ると、－３．８２２０５９２５という値が得られる。このとき、仮に単位面積当たりの電流値が負の値が観測された場合は、Ｌｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜のように、正の値に直して対数を取る。－０．３２Ｖ（開回路電圧）から０．１８Ｖ（測定終了時の電圧）まで１ｍＶ毎に得られた単位面積当たりの電流値に対して対数を取り、縦軸：Ｌｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜と、横軸：電位（例えばー０．５０Ｖから＋０．５０Ｖなど、走査した電位が含まれる範囲）の散布図を得る。Ｎｅｒｎｓｔの式から導出されるＢｕｔｌｅｒ－Ｖｏｌｍｅｒの式によると、過電圧が大きい場合ので、対極での反応電流を無視でき、Ｂｕｔｌｅｒ－Ｖｏｌｍｅｒの式は、ターフェル（Ｔａｆｅｌ）の式に簡略化できる。つまり本系で言えば、過電圧が大きいとき、カソード反応を無視し、アノード反応電流が腐食反応における電子の発生量、つまりは本開示で定義する動的瞬間腐食反応速度とする。ターフェル法では、一般的に腐食電位から５０ｍＶ離れると、過電圧が大きいと見なすことができ、カソード反応を無視できる。以上より、－０．３２Ｖ（腐食電位）に対しアノード側へ５０ｍＶ離れた電位からアノード側へ１００ｍＶ離れた電位（つまり－０．３２５０Ｖ～－０．３３０Ｖ）に対するＬｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜を求め、この範囲の値に対して、散布図上で線形近似を引く。線形近似式のｘに腐食電位の値を代入し、ｙ値を求める。比較例１の場合、シリカ粒子Ａ６、リン酸、過酸化水素、水、（及び水酸化カリウム）を含むｐＨ２．５の電解質では、線形近似式はｙ＝３．７２１４ｘ－２．５８７８となり、腐食電位をｘに代入すると、ｙ＝－３．７７８６４８００（＝Ｌｏｇ10｜単位面積当たりの電流値｜）となる。Ｌｏｇを外すと１０の－３．７７８６４８００乗となり、腐食電流密度１６６．５μＡ／ｃｍ2が算出できる。
なお、線形近似を引くために採用する値の範囲により、腐食電流密度値も変動することを避けるため、本開示では腐食電位からアノード側へ５０ｍＶ～１００ｍＶの値を採用する。
実施例１～８及び比較例２についても、上記比較例１と同様にして、腐食電位及び腐食電流密度を求め、結果を表１に示した。
・作用極：下記被研磨基板を下記条件で仕上げ研磨及び洗浄を実施し、耐水性サンドペーパー(#600、次いで#1000の２段研磨)で研磨した後、基板表面をエタノール及び水ですすぎ洗浄し、乾燥させた基板
・参照電極：銀－塩化銀電極（ＢＡＳ社製、ＲＥ－１Ｂ）
・対極：白金電極（ＢＡＳ社製、型番：０１２９６１、コイル状／電極部の長さ２３ｃｍ、電極部の直径０．５ｍｍ）
・研磨パッド：ポリウレタン製軟質スエードパッド（圧縮率：２０％以下）をダイヤモンドドレス(#600)で目開き後、前記電解質で５時間研磨したパッド
・測定時の電解質の液温：約２６℃
・測定時の回転制御体の回転数：２５ｒｐｍ
・測定時の印加荷重（電子天秤による回転時の実測値）：３００ｇ／ｃｍ2±１００ｇ／ｃｍ2
＜仕上げ研磨＞
［被研磨基板］
被研磨基板として、磁気ディスク基板用Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板（Western Digital-Sarawak工場製）を予めシリカ砥粒を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．６３５ｍｍ、外径が９７ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（ブルカー製、Dimension FastScan AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ：０．７ｍｍ、平均開孔径：１０μｍ）
研磨液組成物：平均一次粒子径２０ｎｍのコロイダルシリカ：５質量％、リン酸：１質量％、過酸化水素：０．４質量％を含み、残部が水である研磨液組成物
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．１４５ｍＬ／分）
下定盤回転数：２４ｒｐｍ
研磨荷重：１０．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
＜洗浄＞
上記研磨後の基板をヒカリ社製洗浄機を用いて以下の工程で洗浄した。
［洗浄条件］
（１）超音波洗浄（５分、４３０ｋＨｚ、浸漬液：超純水）
（３）ＰＶＡブラシ洗浄（９秒）
（４）超純水すすぎ（９秒）
（５）スピンドライ（９秒）
【0070】
［腐食電流密度の相対値］
シリカ粒子Ａ６の腐食電流密度を１００とした相対値を表１に示す。
シリカ粒子Ａ６の腐食電流密度を１００とした相対値を表１に示す。
【0071】
【表1】
【0072】
２．研磨液組成物の調製（実施例１～８、比較例１～２）
（実施例１～５、比較例１～２の研磨液組成物）
成分Ａ又は非成分Ａ（表１及び表２に示すシリカ粒子Ａ１～Ａ７）、成分Ｂ（リン酸）、成分Ｃ（過酸化水素）及び水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１～５及び比較例１～２の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａ又は非成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。
（実施例６～８の研磨液組成物）
成分Ａ（表１及び表２に示すシリカ粒子Ａ１）、成分Ｂ（リン酸）、成分Ｃ（過酸化水素）、添加剤（成分Ｄ：ＢＴＡ、成分Ｅ：ＡＥＡ、成分Ｆ：ＡＡ／ＡＭＰＳ）及び水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例６～８の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃと添加剤（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ）とを除いた残余である。
（実施例１～５、比較例１～２の研磨液組成物）
成分Ａ又は非成分Ａ（表１及び表２に示すシリカ粒子Ａ１～Ａ７）、成分Ｂ（リン酸）、成分Ｃ（過酸化水素）及び水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１～５及び比較例１～２の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａ又は非成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。
（実施例６～８の研磨液組成物）
成分Ａ（表１及び表２に示すシリカ粒子Ａ１）、成分Ｂ（リン酸）、成分Ｃ（過酸化水素）、添加剤（成分Ｄ：ＢＴＡ、成分Ｅ：ＡＥＡ、成分Ｆ：ＡＡ／ＡＭＰＳ）及び水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例６～８の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃと添加剤（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ）とを除いた残余である。
【0073】
各研磨液組成物の調製において、成分Ｂ、成分Ｃ及び添加剤（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ）には以下のものを使用した。
リン酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｂ）
過酸化水素［濃度３５％、ＡＤＥＫＡ社製］（成分Ｃ）
ＢＴＡ［１，２，３－ベンゾトリアゾール、東京化成工業社製］（成分Ｄ）
ＡＥＡ［Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、日本乳化剤社製］（成分Ｅ）
ＡＡ／ＡＭＰＳ［アクリル酸／２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、モル比（AA/AMPS）:９０／１０、東亜合成社製、商品名：Ａ６０１６、重量平均分子量：２０００］（成分Ｆ）
リン酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｂ）
過酸化水素［濃度３５％、ＡＤＥＫＡ社製］（成分Ｃ）
ＢＴＡ［１，２，３－ベンゾトリアゾール、東京化成工業社製］（成分Ｄ）
ＡＥＡ［Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、日本乳化剤社製］（成分Ｅ）
ＡＡ／ＡＭＰＳ［アクリル酸／２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、モル比（AA/AMPS）:９０／１０、東亜合成社製、商品名：Ａ６０１６、重量平均分子量：２０００］（成分Ｆ）
【0074】
３．各パラメータの測定
［シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径］
シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
シリカ粒子（成分Ａ）の比表面積Ｓは、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
＜前処理＞
（ａ）スラリー状のシリカ粒子（成分Ａ）を硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ａをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルタで濾過する。
（ｅ）フィルタ上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルタをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ａ）をフィルタ屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
［シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径］
シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
シリカ粒子（成分Ａ）の比表面積Ｓは、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
＜前処理＞
（ａ）スラリー状のシリカ粒子（成分Ａ）を硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ａをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルタで濾過する。
（ｅ）フィルタ上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルタをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ａ）をフィルタ屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
【0075】
［アニオン性水溶性高分子（成分Ｆ）の重量平均分子量］
成分Ｆの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。
＜測定条件＞
カラム：TSKgel GMPWXL+TSKgel GMPWXL（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）
成分Ｆの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。
＜測定条件＞
カラム：TSKgel GMPWXL+TSKgel GMPWXL（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）
【0076】
［ｐＨの測定］
研磨液組成物のｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。結果を表１に示す。
研磨液組成物のｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。結果を表１に示す。
【0077】
４．研磨方法
前記のように調製した実施例１～８及び比較例１～２の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。
前記のように調製した実施例１～８及び比較例１～２の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。
【0078】
［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．８ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。Ｎｉ－Ｐめっき中におけるＮｉとＰの比率は質量比で８８：１２であった。
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．８ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。Ｎｉ－Ｐめっき中におけるＮｉとＰの比率は質量比で８８：１２であった。
【0079】
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
【0080】
５．評価
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。研磨速度の測定結果を、比較例２を１００とした相対値として表２に示す。
質量減少量（ｍｇ）＝｛研磨前の質量（ｍｇ）－ 研磨後の質量（ｍｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／分）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（分）
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。研磨速度の測定結果を、比較例２を１００とした相対値として表２に示す。
質量減少量（ｍｇ）＝｛研磨前の質量（ｍｇ）－ 研磨後の質量（ｍｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／分）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（分）
【0081】
［スクラッチの評価］
測定機器：ＫＬＡ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。スクラッチ数の評価結果を、比較例２を１００とした相対値として表２に示す。
測定機器：ＫＬＡ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。スクラッチ数の評価結果を、比較例２を１００とした相対値として表２に示す。
【0082】
【表2】
【0083】
上記表２に示すとおり、In-situ電気化学測定における動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2以上３３０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子を用いた実施例１～８の研磨液組成物は、動的瞬間腐食速度が１７０μＡ／ｃｍ2未満であるシリカ粒子を用いた比較例１、及び、動的瞬間腐食速度が３３０μＡ／ｃｍ2以上であるシリカ粒子を用いた比較例２に比べて、研磨速度の向上とスクラッチの低減とを両立できていることがわかった。
また、シリカ粒子の腐食電位Ｅcorrが－０．２３Ｖ～－０．２１Ｖである用いた実施例１～３、６～８は、シリカ粒子の腐食電位Ｅcorrが－０．１９Ｖである実施例４～５に比べて、スクラッチがより低減していた。成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆがそれぞれ添加された実施例６～８は、実施例１よりもスクラッチが低減していた。
また、シリカ粒子の腐食電位Ｅcorrが－０．２３Ｖ～－０．２１Ｖである用いた実施例１～３、６～８は、シリカ粒子の腐食電位Ｅcorrが－０．１９Ｖである実施例４～５に比べて、スクラッチがより低減していた。成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆがそれぞれ添加された実施例６～８は、実施例１よりもスクラッチが低減していた。
【産業上の利用可能性】
【0084】
本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。
【図1】
