特開 2024-139720 物理的複製不可関数コード生成装置及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024139720

(43)【公開日】2024-10-09

(54)【発明の名称】物理的複製不可関数コード生成装置及び方法

(51)【国際特許分類】

   H04L 9/10 20060101AFI20241002BHJP

   H10B 41/30 20230101ALI20241002BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20241002BHJP

   G11C 16/04 20060101ALI20241002BHJP

【ＦＩ】

H04L9/10 Z

H10B41/30

H01L29/78 371

G11C16/04 110

【審査請求】有

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024036001

(22)【出願日】2024-03-08

(31)【優先権主張番号】112111585

(32)【優先日】2023-03-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】512167426

【氏名又は名称】華邦電子股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ｗｉｎｂｏｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．

(74)【代理人】

【識別番号】100204490

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 葉子

(72)【発明者】

【氏名】呉 伯倫

(72)【発明者】

【氏名】許 博硯

(72)【発明者】

【氏名】陳 宜秀

【テーマコード（参考）】

5B225

5F083

5F101

【Ｆターム（参考）】

5B225BA02

5B225CA04

5B225CA22

5B225EA01

5B225EH04

5B225EJ01

5F083EP02

5F083EP22

5F083EP42

5F083EP77

5F083ER03

5F083ER09

5F083ER14

5F083ER19

5F083GA09

5F083GA12

5F083KA01

5F083KA05

5F083LA03

5F083LA04

5F083LA05

5F083LA06

5F083LA12

5F083LA16

5F101BA01

5F101BB02

5F101BC02

5F101BD16

5F101BD30

5F101BD33

5F101BE07

(57)【要約】      （修正有）

【課題】物理的複製不可関数（ＰＵＦ）コード生成の消費電力を低減し、ＰＵＦコード生成装置の製造プロセスを簡略化した持続可能なＰＵＦコード生成装置及びＰＵＦコード生成方法を提供する。
【解決手段】物理的複製不可関数（ＰＵＦ）コード生成装置１００において、ＰＵＦコード生成素子１１０は、複数のメモリセル１１２を含む。各メモリセルは、ゲート層、半導体層及びトンネル酸化層を含む。トンネル酸化層は、ゲート層と半導体層との間に位置する。方法は、ＰＵＦコード生成素子内のメモリセルのトンネル酸化層において、中央領域の最大厚さに対する周辺領域の最小厚さの比であるコーナーが０．９９未満となるようにＰＵＦコード生成素子を製造し、ＰＵＦコード生成素子をプログラムした後、データ保持損失プロセスを介して、一部のビットをランダムに変化させて、ランダムなＰＵＦコードを生成し、ＰＵＦコード記憶素子１２０にＰＵＦコードを記憶する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＰＵＦコードを生成するように構成されたＰＵＦコード生成素子と、
前記ＰＵＦコード受信して記憶するように構成されたＰＵＦコード記憶素子と、
を備え、
前記ＰＵＦコード生成素子は、複数の第１のメモリセルを含み、各前記第１のメモリセルは、フローティングゲート層、半導体層、及びトンネル酸化物層を含み、前記トンネル酸化層は、前記フローティングゲート層と前記半導体層との間に位置し、前記トンネル酸化層は、中央領域及び周辺領域を含み、前記トンネル酸化層の前記中央領域の最大厚さに対する前記トンネル酸化層の前記周辺領域の最小厚さの比は、コーナー比として定義され、前記コーナー比は、０．９９未満である、
物理的複製不可関数（ＰＵＦ）コード生成装置。

【請求項2】

前記第１のメモリセルはＮＯＲ型フラッシュメモリセルである、
請求項１に記載ＰＵＦコード生成装置。

【請求項3】

前記第１のメモリセルの前記トンネル酸化層は、前記コーナー比が０．９９未満となるように第１のプロセスを通じて製造され、前記第１のプロセスは、
前記半導体層にアニーリングステップを実行して、前記半導体層上に第１の厚さのトンネル酸化物層を形成することと、
前記トンネル酸化層を平坦化して、前記半導体層上に第２の厚さの前記トンネル酸化層を形成することであって、前記第２の厚さの前記トンネル酸化層の前記コーナー比を０．９９未満にすることと、を含む、
請求項１に記載ＰＵＦコード生成装置。

【請求項4】

前記トンネル酸化層の前記第２の厚さは、４０オングストローム～２４０オングストロームである、
請求項３に記載ＰＵＦコード生成装置。

【請求項5】

前記第１のメモリセルの前記トンネル酸化層は、前記コーナー比が０．９９未満となるように第２のプロセスを通じて製造され、前記第２のプロセスは、
前記半導体層上にイオン注入を実行し、窒化シリコン層を形成することと、
前記窒化シリコン層の一部を除去することと、
前記半導体層にアニーリングステップを実行して、前記コーナー比が０．９９未満となるように、前記半導体層上に前記トンネル酸化層を形成することと、を含む、
請求項１に記載ＰＵＦコード生成装置。

【請求項6】

前記第１のメモリセルの前記トンネル酸化層は、前記コーナー比が０．９９未満となるように第３のプロセスを通じて製造され、前記第３のプロセスは、
前記半導体層上に９５オングストローム未満の厚さの前記トンネル酸化層を形成することを含む、
請求項１に記載ＰＵＦコード生成装置。

【請求項7】

前記ＰＵＦコード生成素子は第１の論理値としてプログラムされ、データ保持損失プロセスを介して、前記ＰＵＦコード生成素子一部のビットをランダムに第２の論理値に変化させて、前記ＰＵＦコードを生成する、
請求項１に記載ＰＵＦコード生成装置。

【請求項8】

前記ＰＵＦコード生成素子に結合されたセレクタ回路と、
前記セレクタ回路と前記ＰＵＦコード記憶素子との間に結合されたセンスアンプ回路と、
選択されたＰＵＦコードを記憶する前記ＰＵＦコード記憶素子内の対応するメモリセルをアドレス指定するための複数のデコーダと、
をさらに備える、
請求項１に記載のＰＵＦコード生成装置。

【請求項9】

ＰＵＦコード生成装置用に構成されたＰＵＦコード生成方法であって、
前記ＰＵＦコード生成装置は、ＰＵＦコード生成素子と、ＰＵＦコード記憶素子と、を備え、
前記ＰＵＦコード生成方法は、
第１のプロセス、第２のプロセス、又は第３のプロセスを通じて、前記ＰＵＦコード生成素子内の前記第１のメモリセルのコーナー比が０．９９未満となるように、前記ＰＵＦコード生成素子内の複数の第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造することと、
第１の論理値として前記ＰＵＦコード生成素子をプログラムし、データ保持損失プロセスを介して、前記ＰＵＦコード生成素子一部のビットをランダムに第２の論理値に変化させて、前記ＰＵＦコードを生成することと、
前記ＰＵＦコード記憶素子に前記ＰＵＦコードを記憶することと、
を備え、
各前記第１のメモリセルは、ゲート層、半導体層、及びトンネル酸化層を含み、前記トンネル酸化層は、前記ゲート層と前記半導体層との間に位置し、前記トンネル酸化層は、中央領域及び周辺領域を含み、前記トンネル酸化層の前記中央領域の最大厚さに対する前記トンネル酸化層の前記周辺領域の最小厚さの比は、前記コーナー比として定義される、
物理的複製不可関数（ＰＵＦ）コード生成方法。

【請求項10】

前記第１のメモリセルは、ＮＯＲ型フラッシュメモリセルである、
請求項９に記載のＰＵＦコード生成方法。

【請求項11】

前記第１のプロセスは、
前記半導体層にアニーリングステップを実行して、前記半導体層上に第１の厚さのトンネル酸化物層を形成することと、
前記トンネル酸化層を平坦化して、前記半導体層上の第２の厚さの前記トンネル酸化層を形成することとであって、前記第２の厚さの前記トンネル酸化層の前記コーナー比を０．９９未満にすることと、を含む、
請求項９に記載のＰＵＦコード生成方法。

【請求項12】

前記トンネル酸化層の前記第２の厚さは、４０オングストローム～２４０オングストロームである、
請求項１１に記載のＰＵＦコード生成方法。

【請求項13】

前記第２のプロセスは、
上にイオン注入を実行し、前記半導体層、窒化シリコン層を形成することと、
前記窒化シリコン層の一部を除去することと、
前記半導体層にアニーリングステップを実行して、前記コーナー比が０．９９未満となるように、前記半導体層上に前記トンネル酸化層を形成することと、を含む、
請求項９に記載のＰＵＦコード生成方法。

【請求項14】

前記第３のプロセスは、
前記半導体層上に９５オングストローム未満の厚さの前記トンネル酸化層を形成することを含む、
請求項９に記載のＰＵＦコード生成方法。

【請求項15】

前記データ保持損失プロセスは、前記ＰＵＦコード生成素子を周囲温度環境に置くことを含む
、請求項９に記載のＰＵＦコード生成方法。

【請求項16】

前記データ保持損失プロセスの後、不安定なビットを選別するための選別プロセスはない、
請求項９に記載のＰＵＦコード生成方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コード生成装置及びコード生成方法に関し、特に、物理的複製不可関数コード生成装置及び物理的複製不可関数コード生成方法に関する。

【背景技術】

【0002】

プロセス中に発生する物理的な変更は、物理的複製不可関数（ＰＵＦ）と呼ばれる。プロセス中の物理的変化はランダムで予測不可能であるため、ＰＵＦに基づいて生成されたランダムコードはランダムで固有の特性を有する。したがって、ＰＵＦは、要素ＩＤ、セキュリティ、認証などの幅広い応用に適用することができる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

従来技術では、既存のフラッシュメモリのプログラミングを変更したり、既存のフラッシュメモリの動作に使用されるパラメータや方法を消去したりして、フラッシュメモリのさまざまな製造プロセスによって決定されるトンネル酸化膜の厚さによって発生するランダムな電子ノイズを増幅することが行われてきたことが知られている。しかしながら、既存のフラッシュメモリは特性が安定しており、既存のフラッシュメモリのランダムな電子ノイズを増幅するために、従来技術では、複雑な回路やプロセスを用いて、プログラムの変更や動作に使用するパラメータや方法の消去を行う必要があり、微細化やランダム化が容易ではなかった。

【0004】

近年、ランダムコードを生成する需要が高まるにつれ、関連応用分野の業者の間では、ＰＵＦコードを効果的に生成するための革新的な設計に対する需要も高まっている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のＰＵＦコード生成装置は、ＰＵＦコード生成素子と、ＰＵＦコード記憶素子と、を含む。ＰＵＦコード生成素子は、ＰＵＦコードを生成するように構成される。ＰＵＦコード記憶素子は、ＰＵＦコード生成素子に結合される。ＰＵＦコード記憶素子は、ＰＵＦコードを受信して記憶するように構成される。ＰＵＦコード生成素子は、複数の第１のメモリセルを含む。各第１のメモリセルは、ゲート層、半導体層、及びトンネル酸化層を含む。トンネル酸化層は、ゲート層と半導体層との間に位置する。トンネル酸化層は、中央領域及び周辺領域を含む。トンネル酸化層の中央領域の最大厚さに対する周辺領域の最小厚さの比は、コーナー比として定義され、コーナー比は、０．９９未満である。

【0006】

本発明のＰＵＦコード生成方法は、ＰＵＦコード生成装置用に構成される。ＰＵＦコード生成装置は、ＰＵＦコード生成素子と、ＰＵＦコード記憶素子と、を含む。ＰＵＦコード生成方法は、第１のプロセス、第２のプロセス、又は第３のプロセスを通じて、ＰＵＦコード生成素子内の第１のメモリセルのコーナー比が０．９９未満となるように、ＰＵＦコード生成素子内の複数の第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造することと、第１の論理値としてＰＵＦコード生成素子をプログラムし、データ保持損失プロセスを介して、ＰＵＦコード生成素子一部のビットをランダムに第２の論理値に変化させて、ＰＵＦコードを生成することと、ＰＵＦコード記憶素子にＰＵＦコードを記憶することと、を備える。各第１のメモリセルは、ゲート層、半導体層、及びトンネル酸化層を含み、トンネル酸化層は、ゲート層と半導体層との間に位置する。トンネル酸化層は、中央領域及び周辺領域を含む。トンネル酸化層の中央領域の最大厚さに対するトンネル酸化層の周辺領域の最小厚さの比は、コーナー比として定義される。

【発明の効果】

【0007】

本発明は、ランダムにＰＵＦコードを生成することができる、ＰＵＦコード生成装置及びＰＵＦコード生成方法を提供する。コーナー比０．９９未満のトンネル酸化層を有する第１のメモリセルがプログラムされた後、データ保持損失プロセスを通じて、一部のビットをランダムに変化させて、ＰＵＦコードが生成される。ＰＵＦで生成されたランダムコードのランダムで固有の特性に基づいて、ランダムコードは暗号キーとして機能することができ、これにより、システム装置のセキュリティが向上する。さらに、本発明により、ＰＵＦコード生成の消費電力が低減され、ＰＵＦコード生成装置の製造プロセスが簡略化される。本発明は、持続可能なＰＵＦコード生成装置を提供する。

【0008】

本発明の上述の特徴及び利点を理解しやすくするために、以下に図面を参照して実施形態を詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態によるＰＵＦコード生成装置の概略図を示す。

【図2A】本発明の一実施形態によるＰＵＦコードを示す。

【図2B】本発明の一実施形態によるＰＵＦコードを示す。

【図2C】本発明の一実施形態によるＰＵＦコードを示す。

【図3】本発明の一実施形態による第１のメモリセルの構造の概略図を示す。

【図4A】本発明の一実施形態による第１のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。

【図4B】本発明の一実施形態による第１のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。

【図5A】本発明の一実施形態による第２のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。

【図5B】本発明の一実施形態による第２のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。

【図6】本発明の一実施形態による第３のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。

【図7】本発明の一実施形態によるＰＵＦコード生成方法のフローチャートを示す。

【発明を実施するための形態】

【0010】

図１を参照すると、本発明の一実施形態の物理的複製不可関数（ＰＵＦ）コード生成装置１００は、ＰＵＦコード生成素子１１０と、ＰＵＦコード記憶素子１２０と、を備える。ＰＵＦコード記憶素子１２０は、セレクタ回路１３０及びセンスアンプ回路１４０を介してＰＵＦコード生成素子１１０に結合されて良い。セレクタ回路１３０は、ビット線ＢＬに接続された列マルチプレクサによって実現されて良い。センスアンプ回路１４０は、選択されたＰＵＦコードを記憶する対応するＰＵＦコード記憶素子１２０をアドレス指定するためのデコーダをさらに含んで良い。ＰＵＦコード生成素子１１０は、図２Ａ、２Ｂ、及び２Ｃに示されるように、ＰＵＦコード２１０、２２０、及び２３０を生成するように構成される。ＰＵＦコード記憶素子１２０は、ＰＵＦコード２１０、２２０、及び２３０を受信して記憶するように構成される。なお、図２Ａ、２Ｂ、及び２Ｃに示されるＰＵＦコード２１０、２２０、及び２３０は、専ら例示を目的としたものであり、本発明を限定することを意図したものではない。

【0011】

ＰＵＦコード生成素子１１０は、アレイ状に配置された複数の第１のメモリセル１１２を含む。第１のメモリセル１１２は、それぞれのビット線ＢＬ及びワード線ＷＬに結合される。第１のメモリセル１１２は、例えば、ＮＯＲ型フラッシュメモリセルである。ＰＵＦコード記憶素子１２０は、アレイ状に配置された複数の第２のメモリセル１２２を含む。第２のメモリセル１２２は、それぞれのビット線ＢＬ及びワード線ＷＬに結合される。第２のメモリセル１２２は、例えば、抵抗性ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ）セルであるが、本発明はこれに限定されるものではない。第２のメモリセル１２２は、第１のメモリセル１１２とは異なる不揮発性メモリセルであって良い。

【0012】

本実施形態において、ＰＵＦコード生成素子１１０は、第１の論理値“０”として“０”プログラムされて良く、データ保持損失プロセスを介して、ＰＵＦコード生成素子１１０の一部のビットをランダムに第２の論理値“１”に変化させて、ＰＵＦコード２１０、２２０、又は２３０が生成される。データ保持損失プロセスとは、ＰＵＦコード生成素子１１０を周囲温度環境に置き、ＰＵＦコード生成素子１１０のビットデータをランダムに変化させることにより、ＰＵＦコードを生成するプロセスをいう。一実施形態では、ＰＵＦコードのランダム性を高め、ＰＵＦコードの生成効率を向上させるために、データ保持損失プロセスの後に、不安定なビットを選別するための選別プロセスはない。図２Ａ、２Ｂ、及び２Ｃでは、最初に論理値“０”としてプログラムされたメモリアレイの一部のビットをランダムに論理値“１”に変化させて、ＰＵＦコードが生成される。本発明の実施形態で提供されるビットデータがランダムに変化する特性を有するＮＯＲ型フラッシュメモリを用いることにより、本発明の実施形態は、システム装置のセキュリティを高めるための暗号キーとして機能するＰＵＦコードを生成することができる。

【0013】

図３を参照すると、第１のメモリセル１１２は、フローティングゲート層ＦＧ、半導体層ＡＡ、及びトンネル酸化層Ｔｏｘを含む。トンネル酸化層Ｔｏｘｉｓは、フローティングゲート層ＦＧと半導体層ＡＡとの間に位置する。トンネル酸化層Ｔｏｘは、中央領域３１０及び周辺領域３２０を含む。中央領域３１０の最大厚さＴ１に対する周辺領域３２０の最小厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は、コーナー比Ｃとして定義される。中央領域３１０の最大厚さＴ１は、周辺領域３２０の最小厚さＴ２よりも大きく、コーナー比Ｃは、０．９９未満である。

【0014】

以下、異なるプロセス方法を使用して、ＰＵＦコード生成素子のトンネル酸化層Ｔｏｘを製造し、第１のメモリセル１１２のコーナー比Ｃを０．９９未満にすることのできる、本発明の実施形態について説明する。さらに、各実施形態は適宜組み合わせてもよい。

【0015】

図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の一実施形態による第１のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。第１のプロセスにより製造されるトンネル酸化層は、第１のメモリセルのコーナー比を０．９９未満にすることができる。

【0016】

図４Ａ及び図４Ｂを参照されたい。図４Ａにおいて、過剰量の酸素を導入することにより半導体層ＡＡ上にアニールステップが実行され、半導体層ＡＡ上に第１の厚さ４１０のトンネル酸化物層Ｔｏｘが形成される。次に、図４Ｂにおいて、第１の厚さ４１０のトンネル酸化層Ｔｏｘが平坦化され、半導体層ＡＡ上に第２の厚さ４２０のトンネル酸化層Ｔｏｘが形成される。第２の厚さ４２０のトンネル酸化層Ｔｏｘは、コーナー比Ｃを０．９９未満にすることができる。第２の厚さのトンネル酸化層は、４０オングストローム～２４０オングストロームである。

【0017】

図５Ａ及び５Ｂは、第２のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。第２のプロセスにより製造されるトンネル酸化層は、第１のメモリセルのコーナー比を０．９９未満にすることができる。

【0018】

図５Ａ及び５Ｂを参照されたい。図５Ａにおいて、半導体層ＡＡ上にイオン注入５１０が実行され、窒化シリコン層が形成される。次に、図５Ｂにおいて、窒化シリコン層の一部が除去され、半導体層ＡＡ上にアニーリングステップが実行されて、コーナー比Ｃが０．９９未満となるように、半導体層ＡＡ上にトンネル酸化層Ｔｏｘ（酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）など）が形成される。図５Ａにおけるイオン注入５１０のステップにおいて、窒素原子は、アニーリングステップにおいて半導体層の酸化速度を変化させて、形成されるトンネル酸化層Ｔｏｘの厚さが、コーナー比Ｃ０．９９未満の特性を有するようにすることができる。

【0019】

図６は、本発明の一実施形態による第３のプロセスを通じて第１のメモリセルのトンネル酸化層を製造するステップのフローチャートを示す。第３のプロセスにより製造されるトンネル酸化層は、第１のメモリセルのコーナー比を０．９９未満にすることができる。図６を参照すると、本実施形態では、例えば、半導体層ＡＡ上に厚さ９５オングストローム未満のトンネル酸化層Ｔｏｘを直接形成することで、トンネル酸化層Ｔｏｘの厚さのコーナー比をＣ０．９９未満とすることができる。

【0020】

上述した第１プロセス、第２プロセス、又は第３プロセスのうちの少なくともいずれかを介して、ＰＵＦコード生成装置１１０内の第１のメモリセル１１２のトンネル酸化層Ｔｏｘを製造することにより、ＰＵＦコード生成装置１１０内の第１のメモリセル１１２のコーナー比Ｃを０．９９未満にすることができる。

【0021】

図７は、本発明の一実施形態によるＰＵＦコード生成方法のフローチャートを示す。図１及び図７を参照すると、本実施形態のＰＵＦコード生成方法は、少なくとも図１の実施形態のＰＵＦコード生成装置１００に適用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。ステップＳ１００において、ＰＵＦコード生成素子１１０内の第１のメモリセル１１２のトンネル酸化層は、第１のプロセス、第２のプロセス、又は，第３のプロセスを通じて、ＰＵＦコード生成素子１１０内の第１のメモリセル１１２のコーナー比が０．９９未満となるように製造される。ステップＳ１１０において、ＰＵＦコード生成素子１１０は、第１の論理値“０”としてプログラムされ、データ保持損失プロセスを介して、ＰＵＦコード生成素子１１０の一部のビットをランダムに第２の論理値“１”に変更させて、ＰＵＦコード２１０、２２０、又は２３０を生成する。ステップＳ１２０において、ＰＵＦコード２１０、２２０、又は２３０は、ＰＵＦコード記憶素子１２０内に記憶されて、暗号キーとして機能し、システム装置のセキュリティを向上させる。

【0022】

まとめると、本発明の実施形態において、ＰＵＦコード生成素子は、ＮＯＲ型フラッシュメモリを含む。本発明に従って製造されたＮＯＲ型フラッシュメモリがプログラムされた後、データ保持損失プロセスを通じて、一部のビットをランダムに変化させて、ＰＵＦコードが生成される。ＰＵＦコード生成素子は、本発明により製造されたＮＯＲ型フラッシュメモリのランダムに変化するビットデータの特性を利用して、ＰＵＦコードを生成する。

【産業上の利用可能性】

【0023】

ＰＵＦで生成されたランダムコードのランダムで固有の特性に基づいて、ランダムコードは暗号キーとして機能することができ、これによりシステム装置のセキュリティを向上することができる。本発明は、ウェーハ上のダイの総数を増加させるために、小型化されたＰＵＦコード生成装置を製造するのに適している。したがって、単一のＩＣを製造する際の生産コスト及び消費エネルギーが低減され、その後のパッケージングの生産エネルギー消費も低減され、これによりＰＵＦコード生成装置の製造過程における炭素排出量を低減することができる。さらに、本発明により、ＰＵＦコード生成の消費電力が低減され、ＰＵＦコード生成装置の製造プロセスが簡略化される。本発明は、持続可能なＰＵＦコード生成装置を提供する。

【0024】

本発明を上記の実施形態を参照して説明したが、説明した実施形態は本発明を限定することを意図したものではない。当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、いくつかの変更及び修正を行うことができる。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定義される範囲に従うものとする。

【符号の説明】

【0025】

１００： ＰＵＦコード生成装置
１１０： ＰＵＦコード生成素子
１１２： 第１のメモリセル
１２０： ＰＵＦコード記憶素子
１２２： 第２のメモリセル
１３０： セレクタ回路
１４０： センスアンプ回路
２１０、２２０、２３０： ＰＵＦコード
４１０、４２０、Ｔ１、Ｔ２： 厚さ
５１０： イオン注入
ＡＡ： 半導体層
ＢＬ： ビット線
ＦＧ： フローティングゲート層
Ｔｏｘ： トンネル酸化層
ＷＬ： ワード線
Ｘ、Ｙ、Ｚ： 方向
Ｓ１００、Ｓ１１０、Ｓ１２０： ステップ

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【外国語明細書】