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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024139740
(43)【公開日】2024-10-09
(54)【発明の名称】底面発光型垂直キャビティ表面発光レーザ
(51)【国際特許分類】
H01S 5/183 20060101AFI20241002BHJP
【ＦＩ】
H01S5/183
【審査請求】有
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024046245
(22)【出願日】2024-03-22
(31)【優先権主張番号】63/492,354
(32)【優先日】2023-03-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】18/522,647
(32)【優先日】2023-11-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】519146787
【氏名又は名称】ツー－シックス デラウェア インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＩＩ－ＶＩ Ｄｅｌａｗａｒｅ，Ｉｎｃ．
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(72)【発明者】
【氏名】ジョヴァンニ・バルバロッサ
(72)【発明者】
【氏名】アンナ・タタルチャック
(72)【発明者】
【氏名】クリストファー・ココット
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AC03
5F173AC13
5F173AC34
5F173AC52
5F173AD10
5F173AD30
5F173AK21
5F173AK22
5F173AL01
5F173AL07
5F173AR92
5F173AR99
(57)【要約】
【課題】この開示は、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する底面発光型垂直キャビティ表面発光レーザ（ＢＳＥ ＶＣＳＥＬ）を説明する。
【解決手段】ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、酸化物なしでもよい。２つのコンタクトが、基板より上に設置される。１つのアパーチャおよび１つまたは複数の活性領域が、２つのＤＢＲ同士の間に設置される。第１のコンタクトが、基板およびアパーチャより下にある第１のＤＢＲに結合される。第２のコンタクトが、アパーチャより上にある第２のＤＢＲに結合される。
【選択図】図１
【解決手段】ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、酸化物なしでもよい。２つのコンタクトが、基板より上に設置される。１つのアパーチャおよび１つまたは複数の活性領域が、２つのＤＢＲ同士の間に設置される。第１のコンタクトが、基板およびアパーチャより下にある第１のＤＢＲに結合される。第２のコンタクトが、アパーチャより上にある第２のＤＢＲに結合される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の底面発光型垂直キャビティ表面発光レーザ（ＢＳＥ ＶＣＳＥＬ）を備えるシステムであって、前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、
底面側から光信号を出力するように動作可能な基板と、
第１のコンタクトと、
前記基板の上面側および前記第１のコンタクトに動作可能に結合された第１の分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）と、
前記第１のＤＢＲの上面側に直に結合された第１のアパーチャであって、前記第１のアパーチャはリソグラフィを用いて画定される、第１のアパーチャと、
前記第１のアパーチャの上面側に直に結合された第１の活性領域と、
前記第１の活性領域の上面側に動作可能に結合された第２のＤＢＲと、
前記第２のＤＢＲの上面側に直に結合された第２のコンタクトと
を備える、システム。
底面側から光信号を出力するように動作可能な基板と、
第１のコンタクトと、
前記基板の上面側および前記第１のコンタクトに動作可能に結合された第１の分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）と、
前記第１のＤＢＲの上面側に直に結合された第１のアパーチャであって、前記第１のアパーチャはリソグラフィを用いて画定される、第１のアパーチャと、
前記第１のアパーチャの上面側に直に結合された第１の活性領域と、
前記第１の活性領域の上面側に動作可能に結合された第２のＤＢＲと、
前記第２のＤＢＲの上面側に直に結合された第２のコンタクトと
を備える、システム。
【請求項2】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板は半絶縁性である、システム。
【請求項3】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板は、前記底面側を反射防止コーティングにより覆われる、システム。
【請求項4】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板は、前記上面側を電流拡散層により覆われる、システム。
【請求項5】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のコンタクトはｎコンタクトであり、
前記第２のコンタクトはｐコンタクトである、
システム。
前記第１のコンタクトはｎコンタクトであり、
前記第２のコンタクトはｐコンタクトである、
システム。
【請求項6】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のＤＢＲはｎＤＢＲであり、
前記第２のＤＢＲはｐＤＢＲである、
システム。
前記第１のＤＢＲはｎＤＢＲであり、
前記第２のＤＢＲはｐＤＢＲである、
システム。
【請求項7】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のコンタクトはｎコンタクトであり、
前記第２のコンタクトはｎコンタクトである、
システム。
前記第１のコンタクトはｎコンタクトであり、
前記第２のコンタクトはｎコンタクトである、
システム。
【請求項8】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のＤＢＲはｎＤＢＲであり、
前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、前記第１の活性領域より上にトンネル接合を備え、
前記第２のＤＢＲはｎＤＢＲであり、
前記第２のＤＢＲは、前記トンネル接合に直に結合された、
システム。
前記第１のＤＢＲはｎＤＢＲであり、
前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、前記第１の活性領域より上にトンネル接合を備え、
前記第２のＤＢＲはｎＤＢＲであり、
前記第２のＤＢＲは、前記トンネル接合に直に結合された、
システム。
【請求項9】
請求項１に記載のシステムであって、前記システムは、第２のＢＳＥ ＶＣＳＥＬを備え、前記第２のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、
前記基板の上面側に動作可能に結合された第３のコンタクトと、
前記基板の前記上面側に動作可能に結合された第３のＤＢＲと、
前記第３のＤＢＲの上面側に直に結合された第２のアパーチャと、
前記第２のアパーチャの上面側に直に結合された第２の活性領域と、
前記第２の活性領域の上面側に動作可能に結合された第４のＤＢＲと、
前記第４のＤＢＲの上面側に直に結合された第４のコンタクトと
を備える、システム。
前記基板の上面側に動作可能に結合された第３のコンタクトと、
前記基板の前記上面側に動作可能に結合された第３のＤＢＲと、
前記第３のＤＢＲの上面側に直に結合された第２のアパーチャと、
前記第２のアパーチャの上面側に直に結合された第２の活性領域と、
前記第２の活性領域の上面側に動作可能に結合された第４のＤＢＲと、
前記第４のＤＢＲの上面側に直に結合された第４のコンタクトと
を備える、システム。
【請求項10】
請求項９に記載のシステムであって、前記基板は、前記上面側を電流拡散層により覆われ、前記第１のＤＢＲの下の前記電流拡散層は、前記第３のＤＢＲの下の前記電流拡散層とは分離される、システム。
【請求項11】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、複数の活性領域を備え、
前記複数の活性領域は、前記第１の活性領域を備え、
前記複数の活性領域は、トンネル接合により分離される、
システム。
前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、複数の活性領域を備え、
前記複数の活性領域は、前記第１の活性領域を備え、
前記複数の活性領域は、トンネル接合により分離される、
システム。
【請求項12】
請求項１に記載のシステムであって、前記第１のコンタクトは、前記第１のＤＢＲの上面側に直に結合される、システム。
【請求項13】
請求項１に記載のシステムであって、前記アパーチャの形状は、円形および多角形のうちの１つである、システム。
【請求項14】
請求項１に記載のシステムであって、前記アパーチャは、トンネル接合を介して、利得導波用に画定される、システム。
【請求項15】
請求項１に記載のシステムであって、前記アパーチャは、インデックスステップを介して、インデックス導波用に画定される、システム。
【請求項16】
請求項１に記載のシステムであって、前記アパーチャは、０．５μｍよりも大きい、システム。
【請求項17】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のコンタクトは、ビアを通して平坦化され、
前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、前記第２のコンタクトから前記第１のコンタクトを隔離するパッシベーション層を備える、
システム。
前記第１のコンタクトは、ビアを通して平坦化され、
前記第１のＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、前記第２のコンタクトから前記第１のコンタクトを隔離するパッシベーション層を備える、
システム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
[0001]従来型の底面発光型垂直キャビティ表面発光レーザ（ＢＳＥ ＶＣＳＥＬ）デバイスの限界および欠点は、図面を参照してこの開示の残りの部分に述べられる本方法およびシステムのいくつかの態様とのこのような手法の比較を通して当業者には明らかになるだろう。
【発明の概要】
【0002】
[0002]システムおよび方法は、特許請求の範囲にさらに完全に述べられるように、実質的に複数の図のうちの少なくとも１つにより図説されおよび／または関連して記述されるようなリソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有するＢＳＥ ＶＣＳＥＬデバイスを提供する。
【図面の簡単な説明】
【0003】
【図1】[0003]この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する例の単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの図である。
【図2】[0004]この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する２つの単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの例のアレイの図である。
【図3】[0005]この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第１の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの図である。
【図4】[0006]この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第２の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの図である。
【図5】[0007]この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第３の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの図である。
【図6】[0008]この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第４の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの図である。
【発明を実施するための形態】
【0004】
[0009]この開示は、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する底面発光型垂直キャビティ表面発光レーザ（ＢＳＥ ＶＣＳＥＬ）を説明する。システムおよび方法は、小さな発光体間隔を可能にするリソグラフィを用いて画定されるアパーチャを備えるＢＳＥ ＶＣＳＥＬを提供する。
【0005】
[0010]リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有するＶＣＳＥＬは、さらに優れたモードコンテンツ制御および信頼性を有する。加えて、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャは、より小さな発光体間隔を可能にする。既存のＢＳＥ ＶＣＳＥＬデバイスのアパーチャは、ＡｌＩｎＧａＡｓの酸化プロセスにより画定されることがある。酸化物アパーチャは、追加される酸化距離のためにアレイ内により大きな発光体同士の間隔を必要とするという欠点を有する。したがって、開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、酸化物のないアパーチャを備え得る。
【0006】
[0011]開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインが、酸化物のないアパーチャを備えるときには、発光体間隔は、従来型の酸化物ベースのＢＳＥ ＶＣＳＥＬにおけるよりも小さいことがある。したがって、開示した酸化物のないＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインでは酸化距離間隔に関する必要性がない。
【0007】
[0012]開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインは、精密な光学アパーチャ（ＯＡ）およびモード制御を可能にする。アパーチャ形状およびサイズの高い再現性は、小さなアパーチャ（例えば、０．５μｍよりも大きい）の製造性を可能にする。ＢＳＥ ＶＣＳＥＬのアパーチャは、リソグラフィを用いて画定されてもよく、１０ｎｍに至るまでの精確度を可能にする。このアパーチャは、利得導波用のトンネル接合（Ｔｊ）を通して画定されてもよい。あるいは、アパーチャは、インデックス導波用にインデックスステップを通して画定されてもよい。
【0008】
[0013]モード形状およびコンテンツは、裏側の光学的必要条件に対して設計され、適合されてもよい。ＯＡの様々な円形または多角形（例えば、三角形、長方形、六角形）形状は、リソグラフィを用いて画定されてもよい。アパーチャの配置および数は、デザインに依存する。
【0009】
[0014]リソグラフィを用いて画定されるアパーチャの実装形態は、単一接合および多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの両方に適用されてもよい。１つまたは複数のアパーチャが、要求されるモードコンテンツおよびデバイス出力部のところの発散角を得るために設計され、リソグラフィを用いて画定されてもよい。各々のアパーチャは、トンネル接合層内にまたはインデックスステップを通して画定されてもよい。
【0010】
[0015]開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインは、上面発光体に比較して電流拡散の改善を可能にできる。開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインはまた、製造可能である大きなアパーチャも可能にできる。このような大きなアパーチャ（例えば、＞１００ｕｍ）は、大きな光学出力パワーを可能にする。開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインは、酸化物層がないことのために信頼性の向上を可能にできる。開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインは、光学的出力部とは反対側での電気的接続を可能にでき、これが縦方向のインテグレーションを単純化する。開示したＢＳＥ ＶＣＳＥＬデザインは、向上した放熱により優れた過温度性能を可能にできる。
【0011】
[0016]図１は、この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する例の単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬを図示する。
[0017]図１の単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎ分布ブラッグ反射鏡（ｎＤＢＲ）１０５と、アパーチャ１０７と、活性領域１０９１と、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。ｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の側面に結合される。基板１０１は、半絶縁性（Ｓ－Ｉ）であってもよい。基板１０１は、底面側を反射防止（ＡＲ）コーティング１１９により覆われてもよい。基板１０１は、上面側を、ｎコンタクト１０３およびｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したようにＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
[0017]図１の単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎ分布ブラッグ反射鏡（ｎＤＢＲ）１０５と、アパーチャ１０７と、活性領域１０９１と、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。ｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の側面に結合される。基板１０１は、半絶縁性（Ｓ－Ｉ）であってもよい。基板１０１は、底面側を反射防止（ＡＲ）コーティング１１９により覆われてもよい。基板１０１は、上面側を、ｎコンタクト１０３およびｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したようにＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
【0012】
[0018]図２は、この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する２つの単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの例のアレイを図示する。アレイは、２つ以上の発光体を備えてもよい。
【0013】
[0019]図２の各々の単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬ（発光体）は、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、活性領域１０９１と、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。ｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の側面に結合される。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。アレイの単一接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬのすべては、単一の基板１０１上に設置されてもよい。単一の基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。基板１０１は、上面側を、各々のｎコンタクト１０３および各々のｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。各々の発光体の下の電流拡散層１１７は、すべての他の発光体の下の電流拡散層１１７には電気的に結合されない。アレイのＢＳＥ ＶＣＳＥＬのすべてからの光は、示したようにＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
【0014】
[0020]図３は、この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第１の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬを図示する。
[0021]図３の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、１つまたは複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍ－１により分離された複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。ｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の側面に結合される。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。基板１０１は、上面側を、ｎコンタクト１０３およびｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
[0021]図３の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、１つまたは複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍ－１により分離された複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。ｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の側面に結合される。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。基板１０１は、上面側を、ｎコンタクト１０３およびｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
【0015】
[0022]図４は、この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第２の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬを図示する。
[0023]図４の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、１つまたは複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍ－１により分離された複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。図４の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、キャビティ内ｎコンタクト１０３を含む。図４の基板１０１は、ｎＤＢＲ１０５に直に結合され、そしてｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の上部に設置される。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
[0023]図４の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、１つまたは複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍ－１により分離された複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。図４の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、キャビティ内ｎコンタクト１０３を含む。図４の基板１０１は、ｎＤＢＲ１０５に直に結合され、そしてｎコンタクト１０３は、ｎＤＢＲ１０５の上部に設置される。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
【0016】
[0024]図５は、この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第３の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬを図示する。
[0025]図５の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、１つまたは複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍ－１により分離された複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。図５の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬでは、ｎコンタクト１０３は、ｎ－ビア１２１を通して平坦化される。パッシベーション層１２３は、ｐコンタクト１１５からｎコンタクト１０３を隔離する。基板１０１は、上面側を、ｎ－ビア１２１およびｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
[0025]図５の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、ｎコンタクト１０３と、ｎＤＢＲ１０５と、アパーチャ１０７と、１つまたは複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍ－１により分離された複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、ｐＤＢＲ１１３と、ｐコンタクト１１５とを備える。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。図５の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬでは、ｎコンタクト１０３は、ｎ－ビア１２１を通して平坦化される。パッシベーション層１２３は、ｐコンタクト１１５からｎコンタクト１０３を隔離する。基板１０１は、上面側を、ｎ－ビア１２１およびｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
【0017】
[0026]図６は、この開示の様々な例の実装形態による、リソグラフィを用いて画定されるアパーチャを有する第４の例の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬを図示する。
[0027]図６の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、第１のｎコンタクト１０３１と、第２のｎコンタクト１０３２と、第１のｎＤＢＲ１０５１と、第２のｎＤＢＲ１０５２と、アパーチャ１０７と、複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍとを備える。各々のトンネル接合は、トンネル接合と活性領域との間にｐ－領域を生成するために電子をホールへと変換する。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。図６の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬでは、第１のｎコンタクト１０３１は、アパーチャ１０７より下で第１のｎＤＢＲ１０５１の側面に結合され、第２のｎコンタクト１０３２は、アパーチャ１０７より上で第２のｎＤＢＲ１０５２の上面に結合される。基板１０１は、上面側を、第１のｎコンタクト１０３および第１のｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
[0027]図６の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬは、基板１０１と、第１のｎコンタクト１０３１と、第２のｎコンタクト１０３２と、第１のｎＤＢＲ１０５１と、第２のｎＤＢＲ１０５２と、アパーチャ１０７と、複数の活性領域１０９１～１０９ｍと、複数のトンネル接合（Ｔｊｓ）１１１１～１１１ｍとを備える。各々のトンネル接合は、トンネル接合と活性領域との間にｐ－領域を生成するために電子をホールへと変換する。基板１０１は、半絶縁性であってもよい。基板１０１は、底面側をＡＲコーティング１１９により覆われてもよい。図６の多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬでは、第１のｎコンタクト１０３１は、アパーチャ１０７より下で第１のｎＤＢＲ１０５１の側面に結合され、第２のｎコンタクト１０３２は、アパーチャ１０７より上で第２のｎＤＢＲ１０５２の上面に結合される。基板１０１は、上面側を、第１のｎコンタクト１０３および第１のｎＤＢＲ１０５に隣接する電流拡散層１１７により覆われてもよい。光は、示したように多重接合ＢＳＥ ＶＣＳＥＬの底部から出力される。
【0018】
[0028]本明細書において使用されるように、「回路（ｃｉｒｃｕｉｔｓ）」および「サーキットリ（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）」という用語は、物理電子部品（すなわち、ハードウェア）、ならびにハードウェアを構成することがあり、ハードウェアにより実行されることがあり、またはそうでなければハードウェアに関連してもよい任意のソフトウェアおよび／またはファームウェア（「コード（ｃｏｄｅ）」）を指す。本明細書において使用されるように、例えば、特定のプロセッサおよびメモリは、コードの最初の１つまたは複数のラインを実行するときに第１の「回路」を含んでもよく、コードの２番目の１つまたは複数のラインを実行するときに第２の「回路」を含んでもよい。本明細書において使用されるように、「および／または」は、「および／または」によりつなげられたリスト内の項目のうちの任意の１つまたは複数を意味する。例として、「ｘおよび／またはｙ」は、３つの要素の組｛（ｘ）、（ｙ）、（ｘ，ｙ）｝のうちのいずれかの要素を意味する。もう１つの例として、「ｘ、ｙ、および／またはｚ」は、７個の要素の組｛（ｘ）、（ｙ）、（ｚ）、（ｘ，ｙ）、（ｘ，ｚ）、（ｙ，ｚ）、（ｘ，ｙ，ｚ）｝のうちのいずれかの要素を意味する。本明細書において使用されるように、「例示的な」という用語は、非限定的な例、事例、または実例として働くことを意味する。本明細書において使用されるように、「例えば（ｅ．ｇ．，）」および「例えば（ｆｏｒ ｅｘａｍｐｌｅ）」という用語は、１つまたは複数の非限定的な例、事例、または実例のリストから出発する。本明細書において使用されるように、サーキットリは、機能の性能が（例えば、ユーザが設定可能な設定値、工場トリム、等により）無効にされているかまたは有効でないかにか拘わらず、機能を実行するために（いずれかが必要である場合には）サーキットリが必要なハードウェアおよびコードを含むときにはいつでも機能を実行するために「動作可能（ｏｐｅｒａｂｌｅ）」である。本明細書において使用されるように、「に基づく（ｂａｓｅｄ ｏｎ）」という用語は、「少なくとも一部が基づく」ことを意味する。例えば、「ｙに基づくｘ」は、「ｘ」が少なくとも一部は「ｙ」に基づき（そしてまた、例えば、ｚにも基づいてもよい）ことを意味する。
【0019】
[0029]本方法および／またはシステムがある種の実装形態を参照して説明されてきている一方で、様々な変更が行われてもよいことおよび等価物が本方法および／またはシステムの範囲から逸脱せずに置き換えられてもよいことを当業者なら理解するだろう。加えて、多くの修正は、本開示の範囲から逸脱せずに本開示の教示への特定の状況または材料に適合するように行われてもよい。それゆえに、本方法および／またはシステムは、開示した特定の実装形態に限定されないばかりか、本方法および／またはシステムが、別記の特許請求の範囲内になるすべての実装形態を含むだろうことが意図される。
【符号の説明】
【0020】
１０１ 基板
１０３ ｎコンタクト
１０３１ 第１のｎコンタクト
１０３２ 第２のｎコンタクト
１０５ ｎＤＢＲ
１０５１ 第１のｎＤＢＲ
１０５２ 第２のｎＤＢＲ
１０７ アパーチャ
１０９ 活性領域
１０９１ 活性領域
１０９２ 活性領域
１０９ｍ 活性領域
１１１ トンネル接合
１１１１ トンネル接合
１１１ｍ－１ トンネル接合
１１１ｍ トンネル接合
１１３ ｐＤＢＲ
１１５ ｐコンタクト
１１７ 電流拡散層
１１９ ＡＲコーティング
１２１ ｎ－ビア
１２３ パッシベーション層
１０３ ｎコンタクト
１０３１ 第１のｎコンタクト
１０３２ 第２のｎコンタクト
１０５ ｎＤＢＲ
１０５１ 第１のｎＤＢＲ
１０５２ 第２のｎＤＢＲ
１０７ アパーチャ
１０９ 活性領域
１０９１ 活性領域
１０９２ 活性領域
１０９ｍ 活性領域
１１１ トンネル接合
１１１１ トンネル接合
１１１ｍ－１ トンネル接合
１１１ｍ トンネル接合
１１３ ｐＤＢＲ
１１５ ｐコンタクト
１１７ 電流拡散層
１１９ ＡＲコーティング
１２１ ｎ－ビア
１２３ パッシベーション層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【外国語明細書】