(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024139933
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】波長変換素子
(51)【国際特許分類】
G02B 5/20 20060101AFI20241003BHJP
【FI】
G02B5/20
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023050884
(22)【出願日】2023-03-28
(71)【出願人】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100156177
【弁理士】
【氏名又は名称】池見 智治
(74)【代理人】
【識別番号】100130166
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 宏明
(72)【発明者】
【氏名】菊池 直樹
【テーマコード(参考)】
2H148
【Fターム(参考)】
2H148AA05
2H148AA07
(57)【要約】
【課題】波長変換素子における発光効率を向上させる。
【解決手段】波長変換素子は、波長変換部、を備えている。波長変換部は、複数の蛍光体粒子と、バインダー層と、複数の熱伝導性粒子と、を含む。バインダー層は、複数の蛍光体粒子どうしを接合しているとともにガラスを含む。波長変換部における複数の蛍光体粒子が存在していない領域を、複数の蛍光体粒子のそれぞれに接触している第1領域と、複数の蛍光体粒子から離れている第2領域と、に区分した場合に、第1領域における複数の熱伝導性粒子の存在率は、第2領域における複数の熱伝導性粒子の存在率よりも大きい。
【選択図】
図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の蛍光体粒子と、該複数の蛍光体粒子どうしを接合しているとともにガラスを含むバインダー層と、複数の熱伝導性粒子と、を含む、波長変換部、を備え、
前記波長変換部における前記複数の蛍光体粒子が存在していない領域を、前記複数の蛍光体粒子のそれぞれに接触している第1領域と、前記複数の蛍光体粒子から離れている第2領域と、に区分した場合に、前記第1領域における前記複数の熱伝導性粒子の存在率は、前記第2領域における前記複数の熱伝導性粒子の存在率よりも大きい、波長変換素子。
【請求項2】
請求項1に記載の波長変換素子であって、
前記波長変換部の体積に占める前記複数の熱伝導性粒子の体積の割合は、1パーセント以上であり且つ7パーセント以下である、波長変換素子。
【請求項3】
請求項1または請求項2に記載の波長変換素子であって、
前記複数の熱伝導性粒子の平均粒径は、0.1μm以上であり且つ0.45μm以下である、波長変換素子。
【請求項4】
請求項1または請求項2に記載の波長変換素子であって、
前記複数の熱伝導性粒子は、球状の熱伝導性粒子を含む、波長変換素子。
【請求項5】
請求項1または請求項2に記載の波長変換素子であって、
前記複数の熱伝導性粒子のそれぞれは、六方晶窒化ホウ素を含み、
前記複数の熱伝導性粒子は、前記複数の蛍光体粒子の表面に沿って位置している1つ以上の熱伝導性粒子を含む、波長変換素子。
【請求項6】
請求項5に記載の波長変換素子であって、
前記波長変換部は、励起光が照射される第1面を有し、
前記1つ以上の熱伝導性粒子は、前記第1面に垂直な方向に沿って並んだ2つ以上の熱伝導性粒子を含む、波長変換素子。
【請求項7】
請求項1または請求項2に記載の波長変換素子であって、
前記波長変換部を支持している基材、をさらに備え、
該基材の熱伝導率は、前記波長変換部の熱伝導率よりも高い、波長変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、波長変換素子に関する。
【背景技術】
【0002】
蛍光体に励起光を照射して、この励起光を異なる波長の光に変換する波長変換素子が知られている。そして、例えば、特許文献1には、ガラスをマトリックスとして蛍光体粒子および熱伝導性フィラーがマトリックスに分散された構成を有する蛍光体粒子分散ガラスと、励起光を発する半導体発光素子と、を備えた発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
波長変換素子については、発光効率を向上させる点で改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
波長変換素子が開示される。
【0006】
波長変換素子の一態様は、波長変換部、を備えている。前記波長変換部は、複数の蛍光体粒子と、バインダー層と、複数の熱伝導性粒子と、を含む。前記バインダー層は、前記複数の蛍光体粒子どうしを接合しているとともにガラスを含む。前記波長変換部における前記複数の蛍光体粒子が存在していない領域を、前記複数の蛍光体粒子のそれぞれに接触している第1領域と、前記複数の蛍光体粒子から離れている第2領域と、に区分した場合に、前記第1領域における前記複数の熱伝導性粒子の存在率は、前記第2領域における前記複数の熱伝導性粒子の存在率よりも大きい。
【発明の効果】
【0007】
波長変換素子における発光効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【
図1】
図1は、第1実施形態に係る照明システムの構成の一例を示す概略図である。
【
図2】
図2は、第1実施形態に係る波長変換素子の構成の一例を示す断面図である。
【
図3】
図3は、第1実施形態に係る波長変換素子の断面構成の一例を示すイメージ図である。
【
図4】
図4は、第1実施形態に係る波長変換素子の仮想的な断面の一部の構成における複数の熱伝導性粒子の分布の一例を簡略化して示すイメージ図である。
【
図5】
図5は、第1実施形態に係る波長変換素子の製造フローの一例を示す流れ図である。
【
図6】
図6は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図7】
図7は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図8】
図8は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図9】
図9は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図10】
図10は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図11】
図11は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図12】
図12は、各具体例に係る波長変換素子の作製フローを示す流れ図である。
【
図13】
図13は、第2実施形態に係る波長変換素子の仮想的な断面の一部の構成における複数の熱伝導性粒子の分布の一例を簡略化して示すイメージ図である。
【
図14】
図14は、波長変換素子の製造途中の状態の一例を示す断面図である。
【
図15】
図15は、一参考例に係る加圧加工前の仮焼結体における熱伝導性粒子の状態のイメージを模式的に示す断面図である。
【
図16】
図16は、一参考例に係る加圧加工後の仮焼結体における熱伝導性粒子の状態のイメージを模式的に示す断面図である。
【
図17】
図17は、第3実施形態に係る波長変換素子の構成の一例を示す斜視図である。
【
図18】
図18は、第3実施形態に係る波長変換素子の構成の一例を示す断面図である。
【
図19】
図19は、第3実施形態に係る波長変換素子の製造フローの一例を示す流れ図である。
【
図20】
図20は、第3実施形態に係る基材の構成の一例を示す斜視図である。
【
図21】
図21は、第3実施形態に係る基材の構成の一例を示す断面図である。
【
図22】
図22は、別の第1例に係る基材の構成を示す断面図である。
【
図23】
図23は、別の第2例に係る基材の構成を示す断面図である。
【
図24】
図24は、別の第1例に係る波長変換素子の一構成例を示す断面図である。
【
図25】
図25は、別の第1例に係る波長変換素子の一構成例を示す断面図である。
【
図26】
図26は、別の第2例に係る波長変換素子の一構成例を示す断面図である。
【
図27】
図27は、別の第2例に係る波長変換素子の一構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
レーザー光などの励起光を蛍光体に照射して励起光とは異なる波長の光に変換する波長変換素子が知られている。この波長変換素子については、例えば、複数の蛍光体粒子と、隣接する蛍光体粒子を連結するガラスを含むバインダー層とを備えた構成が考えられる。
【0010】
この波長変換素子は、例えば、ガラス粉末と複数の蛍光体粒子とを混合して得られた混合物を用いてガラス粉末の焼結を行うことで製造され得る。
【0011】
この波長変換素子では、ガラス粉末の焼結で形成されるバインダー層の結晶性が低く、蛍光体粒子からの放熱性が低い。このため、励起光の照射によって蛍光体粒子の温度が上昇して、蛍光体粒子における発光効率が低下し得る。換言すれば、波長変換素子における発光効率が低下し得る。ここで言う発光効率は、入射する励起光のエネルギーを基準とした発せられる光のエネルギーの割合である。特に、励起光のエネルギーが高くなると、蛍光体粒子が発熱しやすく、波長変換素子における発光効率がさらに低下し得る。
【0012】
これに対して、例えば、バインダー層に、ガラスよりも熱伝導性に優れた複数の熱伝導性粒子を分散させることで、蛍光体粒子に励起光が照射される際における蛍光体粒子の温度の上昇を低減することが考えられる。
【0013】
しかしながら、波長変換素子については、蛍光体粒子に励起光が照射される際における蛍光体粒子の温度の上昇を低減する点で改善の余地がある。すなわち、波長変換素子については、発光効率を向上させる点で改善の余地がある。
【0014】
そこで、本開示の発明者は、波長変換素子について、発光効率を向上させることができる技術を創出した。
【0015】
これについて、以下、各種の実施形態および各種の例について図面を参照しつつ説明する。図面においては同一または類似の構成および機能を有する部分に同じ符号が付されている。下記の説明では重複する説明が省略されている。図面は模式的に示されている。
図2から
図4、
図7から
図11、
図13、
図15、
図16、
図18および
図21から
図27には、右手系のXYZ座標系が付されている。そして、波長変換部30tの第1面F1が向いている方向が+Z方向とされ、+Z方向に垂直である一方向が+X方向とされ、+Z方向に垂直であり且つ+X方向に垂直である一方向が+Y方向とされている。
【0016】
<1.第1実施形態>
<1-1.照明システム>
図1は、第1実施形態に係る照明システム1の構成の一例を示す概略図である。照明システム1は、蛍光体を含む波長変換素子30に対して光源部2から励起光L0が照射されることで生じる蛍光L1を照明光L2として所定の空間(照明空間ともいう)に放射することが可能である。照明システム1は、屋内の空間に対して照明光L2を放射してもよいし、屋外の空間に対して照明光L2を放射してもよい。換言すれば、照明システム1が放射する照明光L2は、屋内で利用されてもよいし、屋外で利用されてもよい。また、複数の照明システム1が同じ空間に対して照明光L2をそれぞれ放射してもよいし、複数の照明システム1が互いに異なる複数の空間に対して照明光L2をそれぞれ放射してもよい。
【0017】
図1で示されるように、照明システム1は、例えば、光源部2と、変換部3と、照明部4と、を備えている。
【0018】
光源部2は、例えば、励起光L0を出射することができる。光源部2は、例えば、発光素子を有する。発光素子は、例えば、レーザーダイオード(Laser Diode:LD)または発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)のチップなどを含む。発光素子が発する励起光L0には、例えば、紫色、青紫色または青色などの単色の光が適用される。より具体的には、発光素子には、例えば、405ナノメートル(nm)の波長に強度のピークを有する紫色のレーザー光、420nmの波長に強度のピークを有する青紫のレーザー光および450nmの波長に強度のピークを有する青色のレーザー光の何れかを放出する窒化ガリウム(GaN)系の半導体レーザーが適用されてよい。
図1の例では、光源部2から出射される励起光L0は、光ファイバなどの光の伝送路(第1光伝送路ともいう)G1などを介して変換部3に伝送される。この場合には、光源部2は、第1光伝送路G1のうちの励起光L0が入射される端部(第1入射端部ともいう)が接続されている接続部を有する。
図1では、第1光伝送路G1によって励起光L0が伝送される様子を細い2点鎖線で描かれた矢印で示している。
【0019】
変換部3は、例えば、波長変換素子30を有する。波長変換素子30は、例えば、照射された励起光L0を、この励起光L0とは異なる波長の光に変換することができる。波長変換素子30は、例えば、励起光L0の照射に応じて励起光L0とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体を含む。波長変換素子30が、例えば、蛍光体として、紫色の励起光L0の照射に応じて、赤色(R)の蛍光、緑色(G)の蛍光および青色(B)の蛍光を発する蛍光体を含んでいれば、波長変換素子30において、紫色の励起光L0は、擬似的な白色光に変換される。
図1の例では、励起光L0の照射に応じて波長変換素子30から発せられる蛍光L1は、光ファイバなどの光の伝送路(第2光伝送路ともいう)G2などを介して照明部4に伝送される。
図1では、第2光伝送路G2によって蛍光L1が伝送される様子を細い2点鎖線で描かれた矢印で示している。
【0020】
また、変換部3は、例えば、波長変換素子30が内部に固定された筐体を有する。この場合には、筐体は、例えば、第1光伝送路G1のうちの励起光L0が出射する端部(第1出射端部ともいう)が接続された第1開口部と、第2光伝送路G2のうちの蛍光L1が入射される端部(第2入射端部ともいう)が接続された第2開口部と、を有する。筐体の内部には、例えば、励起光L0の照射に応じて波長変換素子30から発せられる蛍光L1を第2光伝送路G2の第2入射端部に集めるためのミラーなどの光学素子が配置されていてもよい。
【0021】
照明部4は、例えば、光源部2から出射された励起光L0の照射に応じて波長変換素子30から発せられる蛍光L1を所定の照明空間に向けて発することができる。照明部4は、例えば、本体部および光学素子などを有する。この場合には、本体部は、例えば、第2光伝送路G2のうちの蛍光L1を出射する端部(第2出射端部ともいう)が接続された接続部を有する。本体部は、例えば、筒状の部材であってよい。光学素子は、例えば、本体部に取り付けられており、第2光伝送路G2の第2出射端部から出射される蛍光L1を照明光L2として所定の照明空間に向けて発する。
図1では、照明部4から所定の照明空間に向けて照明光L2が発せられる様子を細い2点鎖線で描かれた矢印で示している。
【0022】
また、照明システム1は、例えば、光源部2の動作を制御するための制御装置5を備えていてよい。制御装置5は、例えば、制御部51および駆動部52を有する。制御部51は、制御装置5の他の構成要素を制御することで、制御装置5の動作を統括的に管理することができる。制御部51は、例えば、中央演算処理装置(Central Processing Unit:CPU)511および記憶部512を備えている。記憶部512は、ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory)などの、CPU511が読み取り可能な非一時的な記録媒体を含む。記憶部512は、例えば、制御装置5を制御するためのプログラムPg1などを記憶している。制御部51における各種の機能は、CPU511が記憶部512内のプログラムPg1を実行することで実現される。駆動部52は、例えば、制御部51からの指示に応じて、光源部2を駆動させることができる。駆動部52は、例えば、電源からの電力を光源部2に供給することで光源部2を駆動させて、光源部2から励起光L0を出力させることができる。例えば、制御部51は、駆動部52を通じて電源から光源部2への電力の供給の有無を制御することで、光源部2が励起光L0を出射するタイミングを制御することができる。
【0023】
<1-2.波長変換素子の構成>
図2は、第1実施形態に係る波長変換素子30の構成の一例を示す断面図である。
図2では、第1光伝送路G1のうちの第1出射端部の周辺および第2光伝送路G2のうちの第2入射端部の周辺が模式的に描かれている。
図2で示されるように、波長変換素子30は、波長変換部30tと、基材30bと、を備えている。波長変換部30tの断面の構造は、微小な構造が入り組んだ複雑な構造を有するが、
図2では便宜的に構造の模式的な図示を省略している。
【0024】
波長変換部30tは、例えば、励起光L0が入射される面(第1面ともいう)F1を有する。
図2では、第1光伝送路G1から第1面F1に向けて励起光L0が出射する様子を細い2点鎖線で描かれた矢印で示している。
図2では、第1面F1から第2光伝送路G2に向けて蛍光L1が出射する様子を細い2点鎖線で描かれた矢印で示している。また、波長変換部30tは、例えば、第1面F1とは逆側に位置している面(第2面ともいう)F2を有する。波長変換部30tは、例えば、第2面F2から第1面F1に向かう方向に沿った厚さを有する板状もしくは膜状の形状を有する。
【0025】
基材30bは、波長変換部30tを支持している部材である。別の観点から言えば、基材30bは、波長変換部30tが固定された部材である。ここで、例えば、基材30bの熱伝導率が、波長変換部30tの熱伝導率よりも高ければ、基材30bは、波長変換部30tから熱を放出させるヒートシンクとしての機能を有する。換言すれば、基材30bの存在によって、波長変換部30tから熱が放散する速度が上昇し得る。これにより、波長変換部30tに含まれている複数の蛍光体粒子31から熱が放散する速度が上昇し得る。その結果、波長変換素子30において、励起光L0の照射に応じて出射する蛍光L1の光量の低下が低減され得る。換言すれば、波長変換素子30において、励起光L0の照射に応じて出射する蛍光L1の光量が増加し得る。よって、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。ここで言う波長変換素子30における「発光効率」は、波長変換素子30に入射する励起光L0のエネルギーを基準とした、波長変換素子30から発せられる蛍光L1のエネルギーの割合であってよい。
【0026】
基材30bの材料は、例えば、金属材料などであってよい。この金属材料として、例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、金(Au)、銀(Ag)、鉄(Fe)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ベリリウム(Be)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)または合金などが採用される。ここで、例えば、金属材料として、Cu、Al、Mg、Fe、Cr、CoまたはBeを採用すれば、ダイキャスト成型などの鋳造法によって、基材30bを容易に作製することができる。ここで、例えば、金属材料として、Al、Mg、Ag、Fe、CrまたはCoを採用すれば、基材30bの表面における可視光線の反射率を上昇させることができる。基材30bの表面を物理的研磨または化学研磨などで鏡面に加工することで可視光線の反射率を向上させてもよい。
【0027】
また、基材30bの材料として、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(Si3N4)、炭素(C)、アルミナ(Al2O3)、マグネシア(MgO)またはガーネットなどの非金属材料を採用してもよい。非金属材料は、例えば、結晶性を有する材料であっても、結晶性を有さない非結晶性の材料であってもよい。結晶性を有する非金属材料としては、例えば、SiCまたはSi3N4を採用してもよい。これらの非金属材料は、可視光に対する反射率が低いため、例えば、基材30bの材料としてAlNを用いる場合には、基材30bの表面に光学反射膜を形成してもよい。基材30bの形状および大きさは、波長変換素子30の大きさに応じて適宜設定してよい。例えば、平面視で矩形状の基材30bの場合には、基材30bの厚さを、0.1ミリメートル(mm)から5mm程度に設定し、基材30bの縦および横の長さを、それぞれ0.5mmから30mm程度に設定してよい。
【0028】
また、基材30bは、例えば、波長変換部30tが配置された面(第3面ともいう)F3を有する。より具体的には、第3面F3に、波長変換部30tの第2面F2が固定された状態にある。
図2の例では、第1面F1は、+Z方向を向いており、第2面F2は、-Z方向を向いており、第3面F3は、+Z方向を向いている。基材30bは、例えば、板状の部材であってよい。板状の部材は、例えば、円板状の部材であってもよいし、平面視で矩形状の形状を有する部材であってもよい。
【0029】
図3は、第1実施形態に係る波長変換素子30の仮想的な断面の構成の一例を模式的に示すイメージ図である。
図3には、切断、研磨および洗浄などの処理で得られた波長変換部30tの切断面を対象とした走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)を用いた撮影によって得られた画像(SEM画像ともいう)に基づいて描いた断面のイメージが示されている。
図3では、基材30bに間隔の広い複数本の右上がりの斜線を用いたハッチングを付している。
【0030】
図3で示されるように、波長変換部30tは、複数の蛍光体粒子31と、バインダー層32と、複数の熱伝導性粒子33と、を含む。
図3では、複数の蛍光体粒子31のそれぞれに間隔の狭い複数本の斜線を用いたハッチングを付している。
図3では、バインダー層32に梨地の模様を用いたハッチングを付している。
図3では、複数の熱伝導性粒子33は、微小であるため、図示が省略されている。波長変換部30tの形状および大きさは、波長変換素子30の大きさに応じて適宜設定してよい。例えば、波長変換部30tの厚さは、0.05mmから0.1mm程度に設定してよい。
【0031】
<1-2-1.蛍光体粒子>
複数の蛍光体粒子31のそれぞれは、例えば、励起光L0の照射に応じて蛍光を発する蛍光体の粒子である。複数の蛍光体粒子31は、例えば、励起光L0の照射に応じて励起光L0の波長スペクトルとは異なる1種類以上の波長スペクトルの蛍光を発する1種類以上の蛍光体粒子31を含む。1種類以上の蛍光体粒子31は、例えば、励起光L0の照射に応じて相互に異なる波長スペクトルを有する蛍光を発する複数の種類の蛍光体粒子31を含んでいてよい。複数の種類の蛍光体粒子31は、例えば、赤色蛍光体の粒子と、緑色蛍光体の粒子と、青色蛍光体の粒子と、を含む。赤色蛍光体は、励起光L0の照射に応じて赤色(R)の蛍光を発する蛍光体である。緑色蛍光体は、励起光L0の照射に応じて緑色(G)の蛍光を発する蛍光体である。青色蛍光体は、励起光L0の照射に応じて青色(B)の蛍光を発する蛍光体である。
【0032】
複数の蛍光体粒子31を構成する蛍光体としては、例えば、ユーロピウム(Eu)、セリウム(Ce)もしくはイットリウム(Y)などのレアアースを、リン酸塩、酸化物、ケイ酸塩、窒化物、フッ化物、アルミン酸塩または硫化物などの化合物の形態で含む蛍光体が採用されてよい。
【0033】
赤色蛍光体として、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の強度のピークの波長が620nmから750nm程度の範囲にある蛍光体を採用してよい。赤色蛍光体の材料としては、例えば、CaAlSiN3:Eu、Y3O3S:Eu、Y3O3:Eu、SrCaClAlSiN3:Eu2+またはCaAlSi(ON)3:Euなどを採用してよい。赤色蛍光体の蛍光体粒子として、例えば、リン(P)を含まない蛍光体粒子(非リン系の蛍光体粒子ともいう)を採用してもよいし、窒化物を含む蛍光体粒子を採用してもよい。
【0034】
緑色蛍光体として、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の強度のピークの波長が495nmから570nm程度の範囲にある蛍光体を採用してよい。緑色蛍光体の材料としては、例えば、β-サイアロン(β-SiAlON:Eu)、SrSi2(O,Cl)2N2:Eu、(Sr,Ba,Mg)2SiO4:Eu2
2+、ZnS:Cu,AlまたはZn2SiO4:Mnなどを採用してよい。緑色蛍光体の蛍光体粒子として、例えば、リン(P)を含まない蛍光体粒子(非リン系の蛍光体粒子)を採用してもよいし、窒化物を含む蛍光体粒子を採用してもよい。
【0035】
青色蛍光体として、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の強度のピークの波長が450nmから495nm程度の範囲にある蛍光体を採用してよい。青色蛍光体の材料としては、例えば、(Ba,Sr)MgAl10O17:Eu、BaMgAl10O17:Eu、(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu、(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Euまたはα-サイアロンなどを採用してよい。青色蛍光体の蛍光体粒子として、例えば、リン(P)を含む蛍光体粒子(リン系の蛍光体粒子ともいう)を採用してもよいし、窒化物を含む蛍光体粒子を採用してもよい。
【0036】
蛍光体粒子31の粒径は、例えば、5マイクロメートル(μm)から50μm程度であってよい。
【0037】
<1-2-2.バインダー層>
バインダー層32は、複数の蛍光体粒子31どうしを接合している。換言すれば、波長変換素子30は、バインダー層32において複数の蛍光体粒子31が分散している形態を有する。バインダー層32の材料としては、ガラスが採用される。換言すれば、バインダー層32は、ガラスを含む。バインダー層32は、主成分としてガラスを含んでいてよい。主成分とは、物質を構成している成分のうちの含有されている比率(含有率ともいう)が最も大きい(高い)成分のことを意味する。ガラスは、例えば、励起光L0を波長変換部30tの内部まで透過させるとともに、励起光L0の照射に応じて励起された蛍光体粒子31が発する蛍光L1を波長変換部30tの外部に放射するために透明性を有する。換言すれば、ガラスは、例えば、励起光L0および蛍光L1を透過させる透明性を有する。
【0038】
バインダー層32を構成しているガラスとして、例えば、低融点ガラスを採用してよい。低融点ガラスとして、例えば、融点(Tm)が摂氏200度(200℃)から700℃の酸化物ガラスを採用してよい。この低融点ガラスとしての酸化物ガラスは、例えば、100℃から600℃の範囲内のガラス転移点(Tg)と、150℃から650℃の範囲内の結晶化温度(Tc)と、を有する。酸化物ガラスとして、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化ナトリウム(Na2O3)、酸化カリウム(K2O)、酸化リチウム(Li2O)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化亜鉛(ZnO)、一酸化鉛(PbO)および五酸化二リン(P2O5)のうちの2つ以上の酸化物を主成分として含有するガラスを採用してよい。換言すれば、酸化物ガラスは、金属元素の酸化物を含んでいてもよいし、半金属元素の酸化物を含んでいてもよい。
【0039】
バインダー層32は、例えば、複数の蛍光体粒子31の間、ならびに蛍光体粒子31と基材30bとの間に位置している。バインダー層32は、蛍光体粒子31に直接接触している部分では、蛍光体粒子31の熱を直接に伝導する機能を有する。ここで、蛍光体粒子31の表面は、被覆層で被覆されていてもよい。この場合には、「バインダー層32が蛍光体粒子31に直接接触している」状態は、蛍光体粒子31を被覆する被覆層とバインダー層32とが直接接触している状態を含む。波長変換部30tの第1面F1に励起光L0が照射される際には、励起光L0の照射によって複数の蛍光体粒子31で熱が生じる。この熱は、バインダー層32などを介して基材30bに伝導されて放散される。
【0040】
バインダー層32は、例えば、ガラスのアモルファス相(非晶質相)を含む。この非晶質相は、例えば、低融点ガラスのアモルファス相の部分であってよい。ガラスで構成された非晶質相は、例えば、励起光L0および蛍光L1を透過させる透明性を有する。
【0041】
<1-2-3.熱伝導性粒子>
複数の熱伝導性粒子33のそれぞれは、例えば、バインダー層32に囲まれた領域、複数の蛍光体粒子31とバインダー層32との境界、2つの蛍光体粒子31の間、および波長変換部30tの表面に沿った領域のうちの1つ以上の場所に位置している。
【0042】
複数の熱伝導性粒子33のそれぞれは、バインダー層32に含まれた非晶質相よりも優れた熱伝導性を有する粒子である。熱伝導性粒子33は、蛍光体粒子31に直接接触している部分では、蛍光体粒子31の熱を直接に伝導する機能を有し、バインダー層32に接触している部分では、バインダー層32を介して蛍光体粒子31の熱を間接的に伝導する機能を有する。
【0043】
複数の熱伝導性粒子33のそれぞれの材料には、例えば、窒化ホウ素が適用される。窒化ホウ素には、正方晶の結晶構造を有する窒化ホウ素(正方晶窒化ホウ素ともいう)が適用されてもよいし、六方晶の結晶構造を有する窒化ホウ素(六方晶窒化ホウ素ともh-BNともいう)が適用されてもよい。
【0044】
図4は、第1実施形態に係る波長変換素子30の仮想的な断面の一部の構成における複数の熱伝導性粒子33の分布の一例を簡略化して示すイメージ図である。
図4では、複数の蛍光体粒子31の形状を便宜的に角が丸まった矩形としている。
図4では、熱伝導性粒子33を便宜的に小さな黒丸で描いている。
【0045】
ここで、
図4で示されるように、波長変換部30tにおける複数の蛍光体粒子31が存在していない領域を、複数の蛍光体粒子31を接合するための領域(接合用領域ともいう)A1とする。接合用領域A1は、バインダー層32と複数の熱伝導性粒子33とによって構成された領域であってもよいし、バインダー層32と複数の熱伝導性粒子33と1つ以上の空隙とによって構成された領域であってもよい。この空隙は、例えば、バインダー層32に囲まれた領域、バインダー層32と蛍光体粒子31との間の領域、バインダー層32と熱伝導性粒子33との間の領域、熱伝導性粒子33と蛍光体粒子31との間の領域、2つ以上の蛍光体粒子31の間の領域、および2つ以上の熱伝導性粒子33の間の領域のうちの1つ以上の領域に位置していてよい。この空隙は、固体が存在しておらず、気体が存在している空間の部分であってよい。
【0046】
そして、接合用領域A1を、複数の蛍光体粒子31のそれぞれに接触している領域(第1領域とも接触領域ともいう)A11と、複数の蛍光体粒子31から離れている領域(第2領域とも周辺領域ともいう)A12と、に区分した場合を想定する。
図4の例では、第1領域A11と第2領域A12との境界を細い2点鎖線で示している。より具体的には、
図4の例では、複数の蛍光体粒子31のそれぞれを囲んでいる角が丸まった6つの矩形状の境界が連結された境界と複数の蛍光体粒子31との間の領域が第1領域A11であり、接合用領域A1のうちの第1領域A11を除く残余の領域が第2領域A12である。第1実施形態では、第1領域A11における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第1存在率ともいう)は、第2領域A12における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第2存在率ともいう)よりも大きい。
【0047】
この構成が採用されれば、接合用領域A1のうち、複数の蛍光体粒子31に近接している第1領域A11において、複数の蛍光体粒子31から離れている第2領域A12よりも、相対的に多くの熱伝導性粒子33が存在している。このため、複数の熱伝導性粒子33を介した熱伝達および熱伝導によって、複数の蛍光体粒子31からの放熱が増加し得る。これにより、複数の蛍光体粒子31における発光効率が向上して、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。
【0048】
また、接合用領域A1のうち、複数の蛍光体粒子31から離れている第2領域A12において、複数の蛍光体粒子31に近接している第1領域A11よりも、相対的に少ない熱伝導性粒子33が存在している。このため、接合用領域A1の全体の体積に占める複数の熱伝導性粒子33の体積の割合の増大が低減される。ここで、例えば、ガラス粉末と複数の蛍光体粒子とを混合して得られた混合物を用いてガラス粉末の焼結を行うことで波長変換部30tを製造する場合を想定する。この場合には、複数の熱伝導性粒子33の添加量の増大が低減されることで、ガラス粉末の焼結によってバインダー層32を成型する際におけるバインダー層32の成形性が高まり得る。
【0049】
よって、第1実施形態では、例えば、バインダー層32の成形性を確保するために、複数の熱伝導性粒子33の濃度を過度に高めることなく、複数の蛍光体粒子31の近傍の第1領域A11において複数の熱伝導性粒子33の存在率を高めることができる。その結果、波長変換素子30における発光効率の向上が実現され得る。
【0050】
第1領域A11は、例えば、接合用領域A1のうち、複数の蛍光体粒子31のそれぞれの表面から所定の距離(第1距離ともいう)の範囲内にある領域であってよい。第1距離は、例えば、複数の蛍光体粒子31の分散の度合いに応じて設定されてよい。複数の蛍光体粒子31が密に分布している場合には、複数の蛍光体粒子31が疎に分布している場合よりも第1距離が小さくてもよい。第1距離は、例えば、複数の熱伝導性粒子33の粒径に応じて設定されてもよい。第1距離は、例えば、1.5μmであってもよいし、1μmであってもよいし、1μm以下の任意の長さであってもよい。
【0051】
第1領域A11における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第1存在率)と、第2領域A12における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第2存在率)との比較は、種々の比較方法によって実施され得る。この種々の比較方法の1つとして、例えば、切断、研磨および洗浄などの処理で得られた波長変換部30tの切断面を対象としたSEM画像において、第1領域A11の面積に占める複数の熱伝導性粒子33の面積の割合(第1面積占有率ともいう)と、第2領域A12の面積に占める複数の熱伝導性粒子33の面積の割合(第2面積占有率ともいう)と、を比較する方法が考えられる。この場合には、例えば、第1存在率は、第1領域A11の仮想的な断面(仮想断面ともいう)の面積に占める複数の熱伝導性粒子33の面積の割合であってもよいし、第2存在率は、第2領域A12の仮想断面の面積に占める複数の熱伝導性粒子33の面積の割合であってもよい。ここで、第1領域A11の仮想断面と第2領域A12の仮想断面とは、例えば、波長変換部30tの同一の仮想断面上に位置していてもよいし、波長変換部30tの別の仮想断面上に位置していてもよい。
【0052】
例えば、波長変換部30tの切断面を対象としたSEM画像を取得する走査電子顕微鏡(SEM)には、エネルギー分散型X線分析装置(EDS装置ともいう)が搭載されている場合がある。この場合には、例えば、波長変換部30tの切断面のうちのSEM画像の対象となっている領域について、EDS装置を用いた元素分析によって、蛍光体粒子31と、バインダー層32と、熱伝導性粒子33と、を区別してもよい。また、例えば、第1存在率は、第1領域A11の体積に占める複数の熱伝導性粒子33の体積の割合(第1体積占有率ともいう)であってもよいし、第2存在率は、第2領域A12の体積に占める複数の熱伝導性粒子33の体積の割合(第2体積占有率ともいう)であってもよい。
【0053】
ここで、第1領域A11における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第1存在率)は、例えば、3パーセント(%)以上であり且つ20%以下であってよい。第2領域A12における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第2存在率)は、例えば、0%以上であり且つ5%以下であってもよい。例えば、第1存在率が20%であり、第2存在率が2%である場合が考えられる。また、例えば、第1存在率が5%であり、第2存在率が0.5%である場合が考えられる。また、例えば、第1存在率が、第2存在率の2倍以上であってもよいし、第2存在率の3倍以上であってもよいし、第2存在率の4倍以上であってもよいし、第2存在率の5倍以上であってもよいし、第2存在率の10倍以上であってもよい。
【0054】
ここで、
図4で示されるように、例えば、複数の熱伝導性粒子33は、蛍光体粒子31の表面に接触している熱伝導性粒子33を含んでいてもよい。この場合には、例えば、蛍光体粒子31から熱伝導性粒子33を介したバインダー層32などへの放熱が増加し得る。これにより、例えば、蛍光体粒子31の温度上昇が低減され得る。その結果、波長変換素子30における発光効率の向上が実現され得る。
【0055】
複数の熱伝導性粒子33における平均粒径は、例えば、0.1μm以上であり且つ1μm以下であってよい。ここで、複数の熱伝導性粒子33における平均粒径は、複数の熱伝導性粒子33のそれぞれの粒径の算術平均であってもよいし、50%粒子径(D50)であってもよい。波長変換部30tにおける各熱伝導性粒子33の粒径は、例えば、切断、研磨および洗浄などの処理で得られた波長変換部30tの切断面を対象として取得されたSEM画像を、画像解析ソフトを用いて二値化することで熱伝導性粒子33を捉えた領域(熱伝導性粒子領域ともいう)を明確にして、熱伝導性粒子領域の最大フェレ径を計測することで測定され得る。複数の熱伝導性粒子33における平均粒径は、例えば、波長変換部30tの切断面を対象としてそれぞれ取得された1つ以上の所定数のSEM画像で捉えられた複数の熱伝導性粒子33についての平均粒径であってよい。
【0056】
ここで、複数の熱伝導性粒子33における平均粒径は、例えば、0.1μm以上であり且つ0.45μm以下であってもよいし、0.1μm以上であり且つ0.4μm以下であってもよい。
【0057】
ここでは、例えば、複数の熱伝導性粒子33の平均粒径を0.45μm以下もしくは0.4μm以下まで減少させることで、複数の熱伝導性粒子33の存在による励起光L0および蛍光L1の散乱が低減され得る。その結果、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。
【0058】
例えば、ガラス中に粒子が分散しているときの光の散乱強度σpは、式(1)で表される(例えば、山本茂、「超微粒子構造制御の研究開発と応用展開」、NEW GLASS 60 Vol.16 No.1(2001年)第28~33頁など参照)。
【0059】
σp=(2/3)×N×V×k4×a3×(n×Δn)2 ・・・(1)。
【0060】
ここでは、Nは粒子の数密度(粒子数密度ともいう)であり、Vは粒子が占める体積(粒子体積ともいう)であり、kは2π/λであり、λは光の波長であり、aは粒子の半径であり、nは粒子の屈折率であり、Δnは粒子とマトリクス(母体)としてのガラスとの屈折率の差(屈折率差ともいう)である。式(1)で示されるように、散乱強度σpは、粒子の粒径の3乗に比例する。このため、例えば、複数の熱伝導性粒子33の平均粒径を0.45μm以下もしくは0.4μm以下まで減少させることで、複数の熱伝導性粒子33の存在による励起光L0および蛍光L1の散乱が低減され得る。
【0061】
また、複数の熱伝導性粒子33の平均粒径を0.1μm以上とすることで、複数の熱伝導性粒子33の平均粒径の過度な減少によって生じ得る複数の熱伝導性粒子33の凝集の発生が低減され得る。これにより、複数の熱伝導性粒子33が凝集した凝集体の存在に起因する励起光L0および蛍光L1の散乱の増加が低減され得る。その結果、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。
【0062】
換言すれば、例えば、複数の熱伝導性粒子33における平均粒径が、0.1μm以上であり且つ0.45μm以下であれば、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。
【0063】
ここでは、例えば、波長変換素子30における発光効率を向上する観点で、複数の熱伝導性粒子33における平均粒径は、0.1μm以上であり且つ0.4μm以下であってもよいし、0.1μm以上であり且つ0.2μm以下であってもよいし、0.14μm以上であり且つ0.2μm以下であってもよい。
【0064】
<1-3.波長変換素子の製造方法>
図5は、第1実施形態に係る波長変換素子30の製造フローの一例を示す流れ図である。
図6から
図11は、波長変換素子30の製造途中の状態の一例のそれぞれを示す断面図である。以下、
図5を参照しつつ
図6から
図11を用いて波長変換素子30の製造方法を説明する。ここでは、ステップS1からステップS8の工程をこの記載の順に行うことで、波長変換素子30を製造することができる。
【0065】
まず、
図6で示されるように、複数の蛍光体粒子31oのそれぞれの表面に複数の熱伝導性粒子33oが分散されたガラスの被膜(粒子分散ガラス被膜ともいう)Fm1が形成された複数の粒子(被膜付き蛍光体粒子ともいう)31fの粉末(蛍光体粉末ともいう)を準備する(ステップS1)。
【0066】
ここでは、複数の蛍光体粒子31oは、例えば、赤色蛍光体の粒子と緑色蛍光体の粒子と青色蛍光体の粒子とを含む。赤色蛍光体には、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の波長のピークが620nmから750nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。赤色蛍光体の材料には、例えば、CaAlSiN3:Eu、Y3O3S:Eu、Y3O3:Eu、SrCaClAlSiN3:Eu2+またはCaAlSi(ON)3:Euなどが適用される。緑色蛍光体には、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の強度のピークの波長が495nmから570nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。緑色蛍光体の材料には、例えば、β-サイアロン(β-SiAlON:Eu)、SrSi2(O,Cl)2N2:Eu、(Sr,Ba,Mg)2SiO4:Eu2
2+、ZnS:Cu,AlまたはZn2SiO4:Mnなどが採用される。青色蛍光体には、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の強度のピークの波長が450nmから495nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。青色蛍光体の材料には、例えば、(Ba,Sr)MgAl10O17:Eu、BaMgAl10O17:Eu、(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu、(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Euまたはα-サイアロンなどが適用される。
【0067】
蛍光体粉末における複数の蛍光体粒子31oの粒度分布は、種々の粒子径分布を有していてもよい。例えば、蛍光体粉末における複数の蛍光体粒子31oの50%粒子径(D50)は、1μm以上であり且つ100μm以下の範囲、および10μm以上であり且つ30μm以下の範囲の何れの範囲にあってもよい。
【0068】
複数の熱伝導性粒子33oは、例えば、熱伝導性粒子としての窒化ホウ素の粒子を含む。窒化ホウ素は、例えば、正方晶窒化ホウ素および六方晶窒化ホウ素の何れであってもよい。
【0069】
複数の熱伝導性粒子33oの粒度分布は、種々の粒子径分布を有していてもよい。例えば、蛍光体粉末における複数の熱伝導性粒子33oの50%粒子径(D50)は、0.1μm以上であり且つ1μm以下の範囲、0.1μm以上であり且つ0.45μm以下の範囲、0.1μm以上であり且つ0.4μm以下の範囲、0.1μm以上であり且つ0.2μm以下の範囲、および0.14μm以上であり且つ0.2μm以下の範囲の何れの範囲にあってもよい。
【0070】
蛍光体粒子31oの表面上における粒子分散ガラス被膜Fm1は、例えば、ゾルゲル法を利用した手法によって形成され得る。例えば、粒子分散ガラス被膜Fm1を構成しているガラスの成分が二酸化ケイ素(SiO2)である場合には、次の[工程1]から[工程7]をこの記載の順に実行することで、複数の蛍光体粒子31oのそれぞれの表面に対して粒子分散ガラス被膜Fm1を形成することができる。
【0071】
[工程1]秤量計の上に載置されたポリプロピレンビーカーに、テトラエトキシシラン(Tetraethoxysilane:TEOS)を注入しながら、TEOSの秤量を行うことで、ポリプロピレンビーカー内に所望の量のTEOSが入った状態にする。
【0072】
[工程2]ポリプロピレンビーカー内において、TEOSに、秤量された所望の量のアルコールとしてのエタノールを加え、スターラーを用いて、TEOSにエタノールが加えられた液の撹拌を行う。これにより、TEOSとエタノールとが十分に混合された混合液(第1混合液ともいう)が生成される。
【0073】
[工程3]ポリプロピレンビーカー内において、第1混合液に、所望の量の水(H2O)を加え、スターラーを用いて第1混合液に水が加えられた液の撹拌を行う。これにより、ポリプロピレンビーカー内において、TEOSとエタノールと水とが十分に混合された混合液(第2混合液ともいう)が生成される。
【0074】
[工程4]ポリプロピレンビーカー内において、第2混合液に、蛍光体粒子31oの粉末および熱伝導性粒子33oの粉末を加え、スターラーを用いて第2混合液に蛍光体粒子31oの粉末および熱伝導性粒子33oの粉末を加えた液の撹拌をある程度行う。これにより、第2混合液内に複数の蛍光体粒子31oおよび複数の熱伝導性粒子33oが分散している液(第3混合液ともいう)が生成される。
【0075】
[工程5]ポリプロピレンビーカー内において、第3混合液に、秤量された所望の量の塩酸(HCl)を添加した後に、ウォーターバスの水槽内にポリプロピレンビーカーを配置して、ウォーターバスによって25℃から80℃の温度域で加熱を行いながら、ポリプロピレンビーカー内において、第3混合液に塩酸が添加された液を撹拌する。これにより、第3混合液に塩酸が添加された液をゲル化させる。
【0076】
[工程6]工程5でゲル化した液を対象として濾紙(ろし)を用いた濾過(ろか)を行う。これにより、濾紙上に、ゲル状の液体が表面にそれぞれ被着した複数の蛍光体粒子31oが残った状態になる。
【0077】
[工程7]工程6で得られたゲル状の液体が表面にそれぞれ被着した複数の蛍光体粒子31oに対して、オーブンによって300℃から500℃の温度域で1時間前後の乾燥を施す。これにより、複数の蛍光体粒子31oのそれぞれの表面に、複数の熱伝導性粒子33oが分散された二酸化ケイ素のガラスの被膜(粒子分散ガラス被膜)Fm1が形成される。
【0078】
ここで、蛍光体粒子31oの表面に形成される粒子分散ガラス被膜Fm1の厚さは、例えば、複数の熱伝導性粒子33oの平均粒径以上であってよい。
【0079】
上記工程1から工程5においては、例えば、1グラム(g)から10g程度のTEOSに対して、1gから14g程度のエタノールと、0.5gから5g程度の水と、0.1gから2g程度の塩酸と、1gの複数の蛍光体粒子31oと、0.02gから0.2g程度の複数の熱伝導性粒子33oと、が混合される。
【0080】
上記工程1では、例えば、TEOSの代わりに、TEOS以外の金属アルコキシドを用いてもよい。この金属アルコキシドには、例えば、アルコキシル基を2つ以上有するシラン化合物が適用される。例えば、アルコキシル基を2つ以上有するシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラプロポキシシラン、チタンテトラプロポキシド、チタンテトラブドキシド、アルミニウムトリエトキシド、アルミニウムトリプロポキシド、アルミニウムトリブドキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、およびジルコニウムテトラブトキシドなどが挙げられる。
【0081】
次に、
図7に示されるように、基材30bを準備する(ステップS2)。基材30bの材料としては、例えば、Cu、Al、Mg、Au、Ag、Fe、Cr、Co、Be、Mo、Wまたは合金などの金属材料を採用してよい。基材30bの材料としては、例えば、AlN、GaN、SiC、Si
3N
4、C、Al
2O
3、MgOまたはガーネットなどの非金属材料を採用してもよい。
【0082】
次に、
図8で示されるように、基材30bのうちの波長変換部30tを形成する側の主面としての第3面F3に、波長変換部30tの平面視形状に対応した開口部30oを有するマスク30mを重ね合わせる(ステップS3)。マスク30mの材料としては、例えば、アルミニウムを採用してよい。この場合には、エッチング加工などにより所望の平面視形状の開口部30oが形成され得る。マスク30mの厚さは、波長変換部30tの厚さよりも大きく設定されている。例えば、波長変換部30tの厚さが0.1mmであれば、マスク30mの厚さは、0.15mmから0.2mmに設定されてよい。ここでは、例えば、マスク30mの材料は、樹脂であってもよい。所望の形状の開口部30oの形成が可能で、次の粉体の充填工程に耐えられる強度があれば、マスクの材料に限定はない。
【0083】
次に、
図9で示されるように、ステップS1で準備した蛍光体粉末と、ガラスの粉末(ガラス粉末ともいう)と、を十分に混合した粉末(混合粉末ともいう)を、マスク30mの開口部30o内に充填し、粉末充填体PWを形成する(ステップS4)。混合粉末には、例えば、複数の熱伝導性粒子の粉末(熱伝導性粉末ともいう)が含まれていてもよい。換言すれば、混合粉末は、ステップS1で準備した蛍光体粉末と、ガラス粉末と、熱伝導性粉末と、が十分に混合された粉末であってもよい。
【0084】
ここで、混合粉末において、例えば、蛍光体粉末の含有率が10重量パーセント(wt%)から80wt%程度とされ、ガラス粉末の含有率が20wt%から90wt%程度とされ、熱伝導性粉末の含有率が0wt%から5wt%とされる。
【0085】
ガラス粉末には、例えば、焼結後に透明性を有する低融点ガラスの粉末が適用される。低融点ガラスには、融点が摂氏200度(200℃)から700℃の酸化物ガラスが適用される。低融点ガラスとしては、例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルルおよびリン酸のうちの複数の成分を主成分として含有するガラスが採用され得る。低融点ガラスは、例えば、アルカリ金属の酸化物などを含んでいてもよい。具体的には、ガラス粉末には、例えば、スズ-リン酸塩系の低融点ガラスが適用される。
【0086】
ガラス粉末の粒度分布は、蛍光体粉末の粒度分布と同じく種々の粒子径分布を有していてよい。例えば、ガラス粉末は、50%粒子径(D50)が0.1μmから100μmの範囲のガラス粒子を含んでいてもよいし、D50が10μmから20μmの範囲のガラス粒子を含んでいてもよい。
【0087】
熱伝導性粉末には、例えば、熱伝導性粒子としての窒化ホウ素の粒子の粉末が適用される。窒化ホウ素は、例えば、正方晶窒化ホウ素および六方晶窒化ホウ素の何れが適用されてもよい。
【0088】
熱伝導性粉末の粒度分布は、種々の粒子径分布を有していてよい。例えば、熱伝導性粉末の50%粒子径(D50)は、0.1μm以上であり且つ1μm以下の範囲、0.1μm以上であり且つ0.45μm以下の範囲、0.1μm以上であり且つ0.4μm以下の範囲、0.1μm以上であり且つ0.2μm以下の範囲、および0.14μm以上であり且つ0.2μm以下の範囲の何れの範囲にあってもよい。
【0089】
蛍光体粉末とガラス粉末との混合、あるいは蛍光体粉末とガラス粉末と熱伝導性粉末との混合には、振動法または回転揺動法などを利用することができる。また、蛍光体粉末とガラス粉末との混合、あるいは蛍光体粉末とガラス粉末と熱伝導性粉末との混合を行う際にメディアを用いても良い。このメディアは、例えば、複数の種類の粉末を粉体の状態で直接混ぜる乾式方式、ならびに複数の種類の粉末を溶剤もしくはバインダーなどと混ぜる湿式方式など、複数の種類の粉末を混合する種々の方式で用いることができる。
【0090】
次に、
図10で示されるように、粉末充填体PWが形成された基材30b上からマスク30mを取り外し(ステップS5)、粉末充填体PWを加熱して仮焼結体PSを形成する(ステップS6)。ここでは、加熱温度を、ガラス粉末を構成しているガラスの融点(Tm)以上とし、蛍光体粒子31が蛍光機能を失う温度よりも低い温度に設定する。例えば、加熱温度は、260℃から600℃程度の温度域であってもよいし、350℃から450℃の温度域であってもよい。
【0091】
粉末充填体PWおよび仮焼結体PSの加熱ならびに以下に説明する加圧加工は、例えば、共通のチャンバー内で行われる。このチャンバーは、真空容器であってもよいし、真空容器でなくてもよい。例えば、チャンバーが真空容器であれば、加熱中に、チャンバー内を真空状態とすることができる。例えば、チャンバー内を真空状態として加熱すれば、ガラス粉末が溶融する際における気泡の発生が低減される。粉末充填体PWおよび仮焼結体PSの加熱ならびに加圧加工は、例えば、大気中で行われてもよい。粉末充填体PWおよび仮焼結体PSの加熱ならびに加圧加工は、例えば、多目的高温焼結炉を用いて行われてもよいし、ヒーターブロックとハンドプレスとを用いて行われてもよい。
【0092】
次に、
図11で示されるように、加熱温度が設定温度に達した後に、設定温度を保った状態で基材30b上において仮焼結体PSに加圧加工を施す(ステップS7)。加圧加工時の圧力は、蛍光体粒子31oが物理的に潰れて蛍光機能を失うことがない圧力に設定され得る。ここで、加熱温度が、粒子分散ガラス被膜Fm1を構成しているガラスの成分の軟化点および融点よりも低い場合には、粒子分散ガラス被膜Fm1が破壊されない圧力に設定されてもよい。例えば、加圧加工時の圧力は、20kgf/cm
2から300kgf/cm
2(約2MPaから約30MPa)程度に設定される。ここでは、この圧力条件を満たす圧力で、例えば、30秒間から30分間程度の期間、仮焼結体PSに対して加圧加工が施された状態が保持される。
【0093】
次に、仮焼結体PSに対する加圧加工時の圧力を維持したままで仮焼結体PSを冷却し(ステップS8)、仮焼結体PSの温度がガラス粉末を構成していたガラスの融点より低くなれば圧力を解除する。これにより、仮焼結体PSは、波長変換部30tとなる。ここでは、複数の被膜付き蛍光体粒子31fのうちの複数の蛍光体粒子31oが、波長変換部30tにおける複数の蛍光体粒子31となる。複数の被膜付き蛍光体粒子31fのうちの粒子分散ガラス被膜Fm1に含まれた複数の熱伝導性粒子33oが、波長変換部30tの第1領域A11における複数の熱伝導性粒子33となり得る。また、混合粉末に熱伝導性粉末が含まれている場合には、混合粉末に含まれた熱伝導性粉末を構成している熱伝導性粒子の少なくとも一部が、波長変換部30tの第2領域A12における複数の熱伝導性粒子33となり得る。
【0094】
以上のステップによって、波長変換素子30が製造され得る。
【0095】
上記の波長変換素子30の製造方法では、例えば、蛍光体粒子31oの表面上に粒子分散ガラス被膜Fm1を形成する工程において、蛍光体粒子31oの粉末の重量に対する熱伝導性粒子33oの粉末の重量の割合を適宜設定することで、第1領域A11における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第1存在率)を調整することができる。また、例えば、混合粉末の重量における熱伝導性粉末の重量の割合を適宜設定することで、第2領域A12における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第2存在率)を調整することができる。
【0096】
ここで、上記の波長変換素子30の製造方法において、基材30bにアルミニウムなどの酸化膜が形成され易い材料を用いた場合には、基材30bと波長変換部30tとは、酸化結合によって結合される。この場合には、加熱により基材30bの表面に形成された酸化膜の酸素と、酸化物ガラスの酸素とが結合する酸化結合によって基材30bと波長変換部30tとが結合する。これにより、基材30bと波長変換部30tとの結合力が高まり得る。
【0097】
また、上記の波長変換素子30の製造方法において、例えば、基材30bの材料に酸化結合しにくい材料を用いる場合には、基材30bの表面に、数μmの微小な凹凸を設けておき、この凹凸にガラスを絡みつかせることで、アンカー効果により基材30bと波長変換部30tとの結合力を高めてもよい。換言すれば、基材30bの表面は、凹凸形状(微小な凹凸)を有していてもよい。例えば、ここでいう微小な凹凸の大きさは、加熱時に液状化した低融点ガラスが流動し、この微小な凹凸に入り込む大きさであればよい。この場合には、微小な凹凸の大きさは、例えば、0.1μmから50μmに設定され得る。また、微小な凹凸の大きさは、この微小な凹凸に蛍光体粒子が入り込む大きさに設定されてもよい。この場合には、微小な凹凸の大きさは、例えば、5μmから50μmに設定され得る。ここでいう基材30bの微小な凹凸(凹凸形状の凹凸)の大きさは、例えば、基材30bの厚さ方向における、微小な凹凸の凹部の底(最下点)と凸部の頂(最高点)との間の寸法をいう。
【0098】
また、上記の波長変換素子30の製造方法において、例えば、基材30bの材料に酸化結合もアンカー効果も期待できない材料を用いる場合には、波長変換部30tと基材30bとを別々に準備してもよい。ここでは、例えば、基材30b上に波長変換部30tを形成するのではなく、基材30bとは別に、粉末充填体PWを形成して、粉末充填体PWを加熱して仮焼結体PSを形成し、仮焼結体PSに対する加圧加工などを行うことで、波長変換部30tを得てもよい。この場合には、波長変換部30tのうちの基材30bに対向する面に、金属の多層膜を形成し、波長変換部30tと基材30bとを半田付けで接合してもよい。
【0099】
ここで、多層膜の一例としては、波長変換部30t側からチタン(Ti)、白金(Pt)、金(Au)の順で薄膜が積層された多層膜(Ti/Pt/Auの多層膜ともいう)が挙げられる。この多層膜は、例えば、スパッタリング法もしくは蒸着法によって数nmから数百nmの厚さで形成され得る。ここでは、Tiは酸化物ガラスとの結合性が良く、Auは半田材との濡れ性が良い材料である。Pt膜は、半田材が溶融した際に、溶融した半田材によるTi膜の波長変換部30tからの剥離を低減するバリア膜として機能する。多層膜には、例えば、波長変換部30t側からクロム(Cr)、Pt、Auの順で薄膜が積層された多層膜(Cr/Pt/Auの多層膜ともいう)または波長変換部30t側からCr、ニッケル(Ni)、Auの順で薄膜が積層された多層膜(Cr/Ni/Auの多層膜ともいう)などの多層膜が用いられてもよい。ここで、例えば、Tiの薄膜の厚さが0.1μm程度とされ、Ptの薄膜の厚さが0.2μm程度とされ、Auの薄膜の厚さが0.2μm程度とされ得る。また、半田材としては、例えば、スズ(Sn)-リン(P)-銅(Cu)半田またはAu-Sn半田などが採用され得る。
【0100】
ところで、例えば、波長変換部30tにおいて、熱伝導性粒子33が、球状の熱伝導性粒子33であれば、ガラス粉末の焼結によってバインダー層32が形成される際に、バインダー層32と熱伝導性粒子33との界面を基点とした空隙の発生が低減され得る。これにより、波長変換部30tにおける空隙の存在による熱伝達および熱伝導の低下が低減され得る。その結果、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。例えば、熱伝導性粒子33の材料として正方晶窒化ホウ素が適用されれば、熱伝導性粒子33の形状が球状になり得る。また、例えば、熱伝導性粒子33の材料として六方晶窒化ホウ素が適用されている場合には、波長変換素子30の製造工程において、六方晶窒化ホウ素の板状の粒子の破砕などによって球状の熱伝導性粒子33oを準備することで、球状の熱伝導性粒子33を実現してよい。ここでは、例えば、混合粉末が熱伝導性粉末を含む場合には、六方晶窒化ホウ素の板状の粒子の破砕などによって熱伝導性粉末を構成している複数の熱伝導性粒子を準備することで、球状の熱伝導性粒子33を実現してよい。
【0101】
<1-4.波長変換部に占める複数の熱伝導性粒子の割合の影響>
波長変換素子30を製造する際に用いる混合粉末に占める複数の熱伝導性粒子の割合を変更してそれぞれ得られた波長変換素子30の具体例について、励起光L0の照射に応じて発せられる蛍光L1に係る全光束を測定した。また、波長変換素子30を製造する際に用いる混合粉末に占める複数の熱伝導性粒子の割合をゼロに変更して得られた波長変換素子の参考例について、励起光L0の照射に応じて発せられる蛍光L1に係る全光束を測定した。
【0102】
<1-4-1.波長変換素子の各具体例および参考例の作製>
図12は、各具体例に係る波長変換素子30の作製フローを示す流れ図である。
図12のステップSa1の工程からステップSa7の工程をこの記載の順に実行することで、各具体例に係る波長変換素子30を作製した。
【0103】
具体的には、まず、
図7で示されたように、基材30bを準備した(ステップSa1)。ここでは、基材30bとして、アルミナ(Al
2O
3)で構成された、一辺の長さが4.2mmである正方形の上下面と0.6mmの厚さとを有する板状の基材を採用した。
【0104】
次に、
図8で示されたように、基材30bのうちの波長変換部30tを形成する側の主面としての第3面F3に、波長変換部30tの平面視形状に対応した開口部30oを有するマスク30mを重ね合わせた(ステップSa2)。ここでは、マスク30mとして、アルミニウム(Al)で構成された、直径が3mmである円形状の開口部30oと0.1mmの厚さとを有する板状のマスクを採用した。
【0105】
次に、
図9で示されたように、蛍光体粒子の粉末(蛍光体粉末)と、ガラスの粉末(ガラス粉末)と、熱伝導性粒子の粉末(熱伝導性粉末)と、を十分に混合した粉末(混合粉末)を、マスク30mの開口部30o内に充填し、粉末充填体PWを形成した(ステップSa3)。
【0106】
ここでは、蛍光体粉末として、赤色蛍光体の複数の粒子と、緑色蛍光体の複数の粒子と、青緑色蛍光体の複数の粒子と、青色蛍光体の複数の粒子と、を含む粉末を採用した。赤色蛍光体の複数の粒子には、50%粒子径(D50)が15.1μmである窒化物系のCaAlSiN3:Eu2+の複数の粒子、ならびにD50が16.4μmである窒化物系の(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+の複数の粒子を適用した。緑色蛍光体の複数の粒子には、D50が16.2μmである窒化物系のβ-SiAlON:Eu2+の複数の粒子を適用した。青緑色蛍光体の複数の粒子には、D50が16.6μmである窒化物系のCa-α-SiAlON:Ce3+の複数の粒子を適用した。青色蛍光体の複数の粒子には、D50が14.3μmである(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+の複数の粒子を適用した。
【0107】
ガラス粉末として、50%粒子径(D50)が3.9μmであるホウケイ酸亜鉛系ガラスの粉末を採用した。硼ケイ酸亜鉛系ガラスには、11.1wt%の二酸化ケイ素(SiO2)、6.5wt%の酸化アルミニウム(Al2O3)、37.1wt%の酸化ホウ素(B2O3)、2.7wt%の酸化ナトリウム(Na2O3)、4.3wt%の酸化リチウム(Li2O)および38.2wt%の酸化亜鉛(ZnO)を含有するガラスを適用した。
【0108】
熱伝導性粉末として、50%粒子径(D50)が0.19μmである窒化ホウ素の粉末を採用した。
【0109】
蛍光体粉末における各種の蛍光体の複数の粒子、ガラス粉末、および熱伝導性粉末のそれぞれについての50%粒子径(D50)は、レーザー回折散乱法を用いて測定した。ホウケイ酸亜鉛系ガラスにおける各酸化物の含有率については、誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP-MS)を用いて測定した。
【0110】
また、ここでは、混合粉末において、蛍光体粉末の含有率を57体積パーセント(vol%)で一定とした。混合粉末において、ガラス粉末の含有率と熱伝導性粉末の含有率の合計を43vol%で一定とした。具体例1に係る波長変換素子30を作製する際には、熱伝導性粉末の含有率を0.5vol%とした。具体例2に係る波長変換素子30を作製する際には、熱伝導性粉末の含有率を1vol%とした。具体例3に係る波長変換素子30を作製する際には、熱伝導性粉末の含有率を4vol%とした。具体例4に係る波長変換素子30を作製する際には、熱伝導性粉末の含有率を7vol%とした。具体例5に係る波長変換素子30を作製する際には、熱伝導性粉末の含有率を8vol%とした。具体例6に係る波長変換素子30を作製する際には、熱伝導性粉末の含有率を10vol%とした。
【0111】
次に、
図10で示されたように、粉末充填体PWが形成された基材30b上からマスク30mを取り外し(ステップSa4)、チャンバー内において大気雰囲気で粉末充填体PWを550℃で加熱して仮焼結体PSを形成した(ステップSa5)。
【0112】
次に、チャンバー内において仮焼結体PSを550℃に保った状態で、基材30b上において仮焼結体PSに加圧加工を施した(ステップSa6)。ここでは、加圧加工の圧力を3メガパスカル(MPa)とし、加圧加工の時間を5分間とし、加圧加工を行う雰囲気を大気とした。
【0113】
そして、仮焼結体PSに対する加圧加工時の圧力を維持したままで仮焼結体PSを冷却し(ステップSa7)、仮焼結体PSの温度がガラス粉末の融点より低くなった後に圧力を解除した。これにより、仮焼結体PSが、波長変換部30tとなった。
【0114】
以上のステップによって、具体例1に係る波長変換素子30、具体例2に係る波長変換素子30、具体例3に係る波長変換素子30、具体例4に係る波長変換素子30、具体例5に係る波長変換素子30および具体例6に係る波長変換素子30がそれぞれ作製された。
【0115】
具体例6に係る波長変換素子30については、ガラスの焼結を行う際に、波長変換部30tの形の崩れの発生および空隙の著しい増加が認められた。これは、混合粉末において、ガラス粉末の含有率としての33vol%に対して、熱伝導性粉末の含有率としての10vol%が高かったことに起因しているものと推定された。
【0116】
一方、具体例1から具体例5のそれぞれに係る波長変換素子30については、切断、研磨および洗浄などの処理で得られた波長変換部30tの切断面を対象としたSEM画像において、第1領域A11の面積に占める複数の熱伝導性粒子33の面積の割合(第1面積占有率)が、第2領域A12の面積に占める複数の熱伝導性粒子33の面積の割合(第2面積占有率)よりも大きいことが確認された。
【0117】
ここで、上記ステップSa3において、混合粉末における熱伝導性粉末の含有率を0vol%に変更することで、参考例1に係る波長変換素子を作製した。
【0118】
<1-4-2.全光束の測定方法および測定結果>
具体例1に係る波長変換素子30、具体例2に係る波長変換素子30、具体例3に係る波長変換素子30、具体例4に係る波長変換素子30、具体例5に係る波長変換素子30、および参考例1に係る波長変換素子のそれぞれについて、励起光L0の照射に応じて発せられる光に係る全光束を測定した。具体例6に係る波長変換素子30については、上述した波長変換部30tの形の崩れの発生によって、波長変換素子30の表面において励起光L0の照射に必要な十分な広さの平坦な面を確保することができず、励起光L0の照射に応じて発せられる光に係る全光束の測定を行わなかった。
【0119】
この全光束の測定には、Labsphere社製の全光束測定システムを用いた。より具体的には、積分球(Labsphere社製の型番LMS100)と、積分球の開口に配置されたセンサとしてのスペクトロメータ(Labsphere社製の型番LPS-100-0260)と、専用のソフト(Labsphere社製の型番LightMtrX)と、積分球の開口に配置されたレーザー光源(日亜化学工業社製の型番NUV103E)と、を用いた。
【0120】
ここでは、積分球内のペルチェステージに、熱伝導率が8ワット毎メートル毎ケルビン(W/m・K)である熱伝導性グリスを用いて各波長変換素子の基材を固定した。そして、波長変換素子の波長変換部の表面に、レーザー光源が発する405nmの波長に強度のピークを有する励起光としての紫色のレーザー光を照射した。このとき、ペルチェステージの温度を20℃に維持した状態とし、レーザー光源の出力を6ワット(W)とし、波長変換部の表面におけるレーザー光のスポットの径を1.5mmとし、波長変換素子の表面にレーザー光を照射する時間を1分間とした。この際に波長変換部から発せられる光を、積分球の内面である白色の拡散反射面で反射させて、スペクトロメータを用いての分光強度を測定し、専用のソフトで全光束の値(測定値)[単位:ルーメン(lm)]を算出した。
【0121】
表1には、具体例1から具体例5のそれぞれに係る波長変換素子30および参考例1に係る波長変換素子のそれぞれについて得られた全光束の測定値を示している。
【0122】
【0123】
表1で示されるように、参考例1に係る波長変換素子に係る全光束の測定値は287[ルーメン(lm)]であった。具体例1に係る波長変換素子30に係る全光束の測定値は257[lm]であった。具体例2に係る波長変換素子30に係る全光束の測定値は314[lm]であった。具体例3に係る波長変換素子30に係る全光束の測定値は304[lm]であった。具体例4に係る波長変換素子30に係る全光束の測定値は295[lm]であった。具体例5に係る波長変換素子30に係る全光束の測定値は265[lm]であった。
【0124】
具体例1および具体例5のそれぞれに係る波長変換素子30については、参考例1に係る波長変換素子よりも全光束の測定値が大きくはなく、具体例2から具体例4のそれぞれに係る波長変換素子30については、参考例1に係る波長変換素子よりも全光束の測定値が大きかった。このため、波長変換部30tの体積に占める複数の熱伝導性粒子33の体積の割合が、1%以上であり且つ7%以上であれば、波長変換素子30における発光効率が向上し得ることが確認された。
【0125】
なお、具体例1に係る波長変換素子30については、複数の蛍光体粒子31からの放熱の増加に資する複数の熱伝導性粒子33の数が十分でなく、波長変換素子30における発光効率が向上しなかったものと推定された。
【0126】
また、具体例5に係る波長変換素子30については、バインダー層32と熱伝導性粒子33との界面の近傍において空隙の発生が増加して、波長変換部30tにおける熱伝達および熱伝導が低下したことで、波長変換素子30における発光効率が向上しなかったものと推定された。ここで、バインダー層32と熱伝導性粒子33との界面の近傍における空隙の発生の増加は、ガラス粉末の焼結によってバインダー層32を形成する際に、混合粉末においてガラス粉末の含有率に対する熱伝導性粉末の含有率が高くなり過ぎて生じたものと推定された。
【0127】
<1-5.第1実施形態のまとめ>
第1実施形態に係る波長変換素子30では、例えば、波長変換部30tが、複数の蛍光体粒子31と、バインダー層32と、複数の熱伝導性粒子33と、を含む。波長変換部30tにおいて、複数の蛍光体粒子31が存在していない接合用領域A1を、複数の蛍光体粒子31のそれぞれに接触している第1領域A11と、複数の蛍光体粒子31から離れている第2領域A12とに区分した場合に、第1領域A11における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第1存在率)は、第2領域A12における複数の熱伝導性粒子33の存在率(第2存在率)よりも大きい。
【0128】
この構成が採用されれば、接合用領域A1のうち、複数の蛍光体粒子31に近接している第1領域A11において、複数の蛍光体粒子31から離れている第2領域A12よりも、相対的に多くの熱伝導性粒子33が存在している。これにより、複数の熱伝導性粒子33を介した熱伝達および熱伝導によって、複数の蛍光体粒子31からの放熱が増加し得る。また、接合用領域A1のうち、複数の蛍光体粒子31から離れている第2領域A12において、複数の蛍光体粒子31に近接している第1領域A11よりも、相対的に少ない熱伝導性粒子33が存在している。これにより、接合用領域A1の全体の体積に占める複数の熱伝導性粒子33の体積の割合の増大が低減される。このため、例えば、バインダー層32の成形性を確保するために、複数の熱伝導性粒子33の濃度を過度に高めることなく、複数の蛍光体粒子31の近傍の第1領域A11において複数の熱伝導性粒子33の存在率を高めることができる。その結果、波長変換素子30における発光効率の向上が実現され得る。
【0129】
<2.他の実施形態>
本開示は上述の第1実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良などが可能である。
【0130】
<2-1.第2実施形態>
上記第1実施形態において、例えば、複数の熱伝導性粒子33のそれぞれは、六方晶窒化ホウ素を含んでいてもよい。そして、
図13で例示されるように、複数の熱伝導性粒子33が、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している1つ以上の熱伝導性粒子33を含んでいる構成(構成Aともいう)が採用されてもよい。ここで、この1つ以上の熱伝導性粒子33のそれぞれを、第1熱伝導性粒子33aと称してもよい。上記構成Aが採用されれば、熱伝導性に優れた六方晶窒化ホウ素(h-BN)が蛍光体粒子31の表面に沿って位置していることで、熱伝導性粒子33を介した熱伝達および熱伝導により、複数の蛍光体粒子31から熱が放散する速度が向上し得る。これにより、複数の蛍光体粒子31からの放熱が増加することで、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。
【0131】
図13は、第2実施形態に係る波長変換素子30の仮想的な断面の一部の構成における複数の熱伝導性粒子33の分布の一例を簡略化して示すイメージ図である。
図13のイメージ図は、
図4のイメージ図を基礎として、黒丸で描かれた熱伝導性粒子33が、直線状の太線で描かれた熱伝導性粒子33に置換された構成を有する。熱伝導性粒子33としての六方晶窒化ホウ素の粒子は、通常、板状の形状を有する。このため、
図13では、熱伝導性粒子33の断面が便宜的に直線状の太線で描かれている。
【0132】
この構成は、例えば、上記第1実施形態に係る波長変換素子30の製造方法において、ステップS1において準備した
図6で例示された被膜付き蛍光体粒子31fを、
図14で例示されるような被膜付き蛍光体粒子31fに変更することで実現され得る。
図14で例示される被膜付き蛍光体粒子31fは、
図6で例示された被膜付き蛍光体粒子31fを基礎として、粒子分散ガラス被膜Fm1に分散された複数の熱伝導性粒子33oのそれぞれを、蛍光体粒子31oの表面に沿って位置している板状の六方晶窒化ホウ素(h-BN)の熱伝導性粒子33oに置き換えた構成を有する。
【0133】
図14で例示される被膜付き蛍光体粒子31fの粉末は、上記第1実施形態に係る波長変換素子30の製造方法において、ステップS1の処理を変更することで準備され得る。ここでは、ステップS1の処理のうち、例えば、上記[工程4]において、熱伝導性粒子33oの粉末として、板状の六方晶窒化ホウ素(h-BN)の熱伝導性粒子33oの粉末を採用する。この場合には、上記第1実施形態に係る波長変換素子30の製造方法のステップS1のうちの上記[工程6]および[工程7]において、各蛍光体粒子31oの表面に沿ってゲル状の液体が流動することで、板状の六方晶窒化ホウ素(h-BN)の熱伝導性粒子33oが、蛍光体粒子31oの表面に沿って位置し得る。その結果、
図14で例示されるような被膜付き蛍光体粒子31fの構成が実現され得る。
【0134】
ここで、例えば、波長変換素子30の製造方法のステップS6,S7における加熱温度が、粒子分散ガラス被膜Fm1を構成しているガラスの成分の軟化点および融点よりも低い場合には、被膜付き蛍光体粒子31fの粉末における各被膜付き蛍光体粒子31fの形態が維持され得る。その結果、
図13で例示されるように、複数の熱伝導性粒子33が、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している1つ以上の熱伝導性粒子33としての1つ以上の第1熱伝導性粒子33aを含む構成(構成A)が実現され得る。
図13の例では、波長変換素子30は、複数の熱伝導性粒子33が、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している多数の熱伝導性粒子33としての多数の第1熱伝導性粒子33aを含む構成を有する。
【0135】
また、ここで、例えば、波長変換素子30の製造方法のステップS6,S7における加熱温度が、粒子分散ガラス被膜Fm1を構成しているガラスの成分の軟化点および融点よりも高い場合には、仮焼結体PSに加圧加工を施す際に、仮焼結体PSにおける複数の蛍光体粒子31の含有率がある程度高ければ、複数の蛍光体粒子31の間隔が狭い場所が増加し得る。これにより、例えば、複数の蛍光体粒子31の間において溶融したガラスが毛細管現象で流動し得る。その際に、複数の熱伝導性粒子33が、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している部分が形成され得る。
【0136】
六方晶窒化ホウ素の粒子は、例えば、板状の形状を有し、板面に沿った方向(ab面に沿った方向とも(002)面に沿った方向ともいう)に高い熱伝導性を示すことが知られている(例えば、虎瀬 なつみ、多々見 純一、飯島 志行、高橋 拓実、「窒化物蛍光体粒子分散h-BN/ガラス複合体の作製」、粉体工学会誌 57巻3号 2020年 第137~143頁など参照)。このため、熱伝導性粒子33は、板面に沿った方向において高い熱伝導性を有する。複数の熱伝導性粒子33のそれぞれの板面に沿った長さは、例えば、0.1μmから1μm程度であってよい。
【0137】
さらに、例えば、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している1つ以上の熱伝導性粒子33としての1つ以上の第1熱伝導性粒子33aが、第1面F1に垂直な方向に沿って並んでいる2つ以上の熱伝導性粒子33を含んでいる構成(構成Bともいう)が採用されてもよい。ここで、この2つ以上の熱伝導性粒子33のそれぞれを、第1A熱伝導性粒子33a1と称してもよい。ここでは、第1A熱伝導性粒子33a1は、例えば、第1面F1から第2面F2に向かう方向に沿った板面を有する。換言すれば、第1A熱伝導性粒子33a1は、例えば、波長変換部30tの厚さ方向としての±Z方向に沿った板面を有する。このため、例えば、第1面F1に垂直な方向に沿って並んだ2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1は、波長変換部30tにおいて第1面F1から第2面F2に向かう方向における熱伝導を増加させることができる。換言すれば、第1面F1に垂直な方向に沿って並んだ2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1は、波長変換部30tにおける厚さ方向における熱伝導を増加させることができる。これにより、例えば、波長変換部30tにおける放熱性能が向上し得る。その結果、波長変換部30tの第1面F1に対して励起光L0が照射される際における複数の蛍光体粒子31の温度上昇が低減され得る。よって、波長変換素子30における発光効率が向上し得る。
【0138】
ここでは、第1面F1に垂直な方向に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態は、第1面F1に垂直な仮想的な平面(仮想平面ともいう)と2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1の板面とが完全に一致している状態に限られない。
図13の断面構造では、第1面F1に垂直な方向に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態は、Z軸に対して平行な仮想線と2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1の板面とが完全に一致している状態に限られない。例えば、第1面F1に垂直な方向に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態は、第1面F1に垂直な仮想平面に対して0度から15度の範囲内で傾斜した仮想平面に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態を含んでいてもよい。また、仮想平面に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態は、仮想平面と2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1のそれぞれの板面とが、0度から15度の範囲内で傾斜している状態を含んでいてもよい。
図13の断面構造では、第1面F1に垂直な方向に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態は、Z軸に対して0度から15度の範囲内で傾斜した仮想線に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態を含んでいてもよい。また、仮想線に沿って2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1が並んでいる状態は、仮想線と2つ以上の第1A熱伝導性粒子33a1のそれぞれの板面とが、0度から15度の範囲内で傾斜している状態を含んでいてもよい。
【0139】
ところで、波長変換素子30の製造方法において、例えば、蛍光体粉末が、熱伝導性粒子を含まず、混合粉末が、蛍光体粉末とガラス粉末と六方晶窒化ホウ素の熱伝導性粉末とが十分に混合された粉末である一参考例を想定する。
図15は、一参考例に係る加圧加工前の仮焼結体PSにおける熱伝導性粒子33の状態のイメージを模式的に示す断面図である。
図16は、一参考例に係る加圧加工後の仮焼結体PSにおける熱伝導性粒子33の状態のイメージを模式的に示す断面図である。
図15および
図16では、仮焼結体PSにおける複数の蛍光体粒子の含有率が低いため、複数の蛍光体粒子の図示が省略されている。
【0140】
図15の例では、加圧加工前の仮焼結体PSでは、板状の複数の熱伝導性粒子33がランダムな方向を向いている状態で位置している。ここで、加圧加工時には、仮焼結体PSの加熱温度がガラス粉末の融点以上であるため、ガラスが溶融して流動し得る状態となる。この状態で、-Z方向の押圧力を付与する加圧加工が仮焼結体PSに施されると、
図16で示されるように、板状の複数の熱伝導性粒子33のそれぞれは、押圧力が付与される方向に垂直な方向に沿って位置する形態となる。これにより、板状の複数の熱伝導性粒子33のそれぞれが仮焼結体PSの厚さ方向に垂直な方向に沿って配置され得る。
【0141】
これに対して、第2実施形態に係る波長変換素子30では、例えば、上述したように、被膜付き蛍光体粒子31fを、
図14で例示されるような被膜付き蛍光体粒子31fとすることで、上述した構成Bが実現され得る。ここでは、例えば、波長変換素子30の製造方法のステップS6,S7における加熱温度が、粒子分散ガラス被膜Fm1を構成しているガラスの成分の軟化点および融点よりも低い場合には、被膜付き蛍光体粒子31fの粉末における各被膜付き蛍光体粒子31fの形態が維持され得る。その結果、
図13で例示されるように、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している1つ以上の熱伝導性粒子33としての1つ以上の第1熱伝導性粒子33aが、第1面F1に垂直な方向に沿って並んでいる2つ以上の熱伝導性粒子33を含んでいる構成(構成B)が実現され得る。
【0142】
ここで、例えば、第2実施形態に係る波長変換素子30において、
図13で示されるように、例えば、複数の蛍光体粒子31が多面体状の蛍光体粒子31を含んでいる構成(構成Cともいう)が採用されれば、隣り合う2つの蛍光体粒子31の間には、細長い隙間が存在し得る。そして、仮焼結体PSにおける複数の蛍光体粒子31の含有率がある程度高ければ、隣り合う2つの蛍光体粒子31の間における細長い隙間が存在している場所が増加し得る。この場合には、例えば、波長変換素子30の製造方法のステップS6,S7における加熱温度が、粒子分散ガラス被膜Fm1を構成しているガラスの成分の軟化点および融点よりも高くても、仮焼結体PSに加圧加工を施す際に、複数の蛍光体粒子31の間において溶融したガラスが毛細管現象で流動し得る。これにより、複数の熱伝導性粒子33が、複数の蛍光体粒子31の表面に沿って位置している部分が形成され得る。その結果、仮焼結体PSに加圧加工を施す際には、第1面F1に垂直な方向に沿って並んでいる複数の熱伝導性粒子33の数が増加し得る。よって、例えば、波長変換部30tにおける放熱性能が向上し得る。ここでは、例えば、緑色蛍光体に、β-サイアロン(β-SiAlON:Eu)が適用されれば、緑色蛍光体の蛍光体粒子31の形状が六面体状などの多面体状になり得る。
【0143】
<2-2.第3実施形態>
上記各実施形態において、例えば、基材30bは、波長変換部30tが配置される種々の構造を有する基材とされてもよい。
【0144】
図17は、第3実施形態に係る波長変換素子30の構成の一例を示す斜視図である。
図18は、第2実施形態に係る波長変換素子30の構成の一例を示す断面図である。
【0145】
図17および
図18で示されるように、波長変換素子30は、例えば、基材30bAの凹部30r内に波長変換部30tが位置している波長変換素子30Aに変更されてもよい。凹部30rは、底面としての第3面F3および側面としての第4面F4とを有する。波長変換部30tの第2面F2が凹部30rの第3面F3に固定された状態にある。波長変換部30tの側面が凹部30rの第4面F4に接している。
【0146】
この構成が採用されれば、波長変換部30tの内部で散乱して蛍光L1に変換されなかった励起光L0が、基材30bAの凹部30rの側面としての第4面F4で反射して、波長変換部30tの内部に戻り、蛍光L1に変換され得る。また、波長変換部30tの側面が凹部30rの第4面F4に接しているため、波長変換部30tで発生した熱が第4面F4から基材30bを介して外部に放散され、波長変換部30tの温度の上昇が低減され得る。
【0147】
図19は、第3実施形態に係る波長変換素子30Aの製造フローの一例を示す流れ図である。以下、
図19を参照して波長変換素子30Aの製造方法について説明する。
【0148】
まず、上記第1実施形態または上記第2実施形態のステップS1と同じく、
図6または
図14で例示された被膜付き蛍光体粒子31fの粉末を蛍光体粉末として準備する(ステップS11)。
【0149】
次に、
図20および
図21で示されるような基材30bAを準備する(ステップS12)。
図20は、第3実施形態に係る基材30bAの構成の一例を示す斜視図である。
図21は、第3実施形態に係る基材30bAの構成の一例を示す断面図である。基材30bAは、例えば、全体が円板状の形状を有し、第1の板面に凹部30rを有する。例えば、基材30bAの凹部30rの深さは0.01mmから1mmに設定され、基材30bAの凹部30rの底面より下の厚さは0.05mmから10mmに設定される。凹部30rの深さは、波長変換部30tの厚さよりも大きく設定される。例えば、波長変換部30tの厚さが0.1mmであれば、凹部30rの深さは0.15mmから0.2mmに設定される。また、例えば、基材30bAの直径は0.5mmから30mmに設定され、凹部30rの直径は0.1mmから10mmに設定される。
【0150】
基材30bAの材料には、波長変換部30tの熱膨張係数と近い熱膨張係数を持つ材料が採用される。例えば、波長変換部30tのバインダー層32の材料である低融点ガラスの熱膨張係数に対して、±50%の熱膨張係数を持つ金属材料または無機材料が採用され得る。例えば、基材30bAの材料に金属材料が用いられる場合には、金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金などが採用され得る。例えば、基材30bAの材料としてアルミニウムなどの光の反射率が高い材料を用いる場合には、基材30bAの表面を物理的研磨または化学研磨などで鏡面に加工することで基材30bAの表面における可視光線の反射率を向上させてもよい。また、基材30bAの材料に金属材料を用いる場合には、例えば、マシニング加工による切削加工またはダイキャスト法による成型加工によって基材30bAが形成され得る。
【0151】
また、基材30bAの材料にセラミックスを用いてもよい。この場合には、積層セラミックスを用いて基材30bAが形成されてもよいし、粉体の加圧成型によって基材30bAが形成されてもよい。ここでは、例えば、グリーンシートの状態で、凹部30rに対応する貫通穴を設けたリング状のグリーンシートと、貫通穴を設けていない円板状のグリーンシートとを積層して、焼結させることで、積層セラミックスによって基材30bAが形成され得る。また、例えば、円筒状の開口部を有する第1の金型にセラミックスの粉末を充填し、凹部30rに対応する凹部を設けるための第2の金型によって第1の金型に充填されたセラミックスの粉末に圧力をかけることで、粉体の加圧成型によって基材30bAが形成され得る。例えば、セラミックスの粉末にワックスおよびバインダーなどを混ぜて、加圧処理することで凹部30rに対応する凹部が設けられた成型体を形成し、この成型体を焼結させることで、基材30bAが形成されてもよい。基材30bAの材料に適用可能なセラミックスは、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、ムライトおよびジルコニアなどを含む。
【0152】
また、基材30bAがセラミックスと金属とで形成されていてもよい。例えば、円板状のセラミックスの基板の上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属製のリング状の部材(金属製部材ともいう)を接合材で接合することで、基材30bAが形成され得る。この場合には、リング状の部材の貫通穴が凹部30rとなる。接合材としては、例えば、AgまたはCuを主成分とするロウ材などが適用され得る。または、接合材としては、Alを主成分とするロウ材、SnとAgとCuとを主成分とした半田、またはエポキシ、シリコーンもしくはアクリルなどの樹脂製の接合材が適用されてもよい。樹脂製の接合材には、例えば、Ag、AlNもしくは窒化ホウ素(BN)などの高い熱伝導性を有するフィラー(高熱伝導フィラーともいう)を入れることで、基材30bAの熱伝導性が高められてもよい。
【0153】
また、基材30bAは、一体焼成による積層セラミックスで形成するのではなく、セラミックスの基板とセラミックスのリング状部材とを接合材で接合することで形成されてもよい。この場合にも、前述した接合材を用いることができる。
【0154】
ここで、
図19の説明に戻り、次に、ステップS11で準備した蛍光体粉末と、ガラス粉末と、を十分に混合した粉末(混合粉末)を、凹部30r内に充填し、粉末充填体を形成する(ステップS13)。混合粉末には、例えば、複数の熱伝導性粒子の粉末(熱伝導性粉末)が含まれていてもよい。換言すれば、混合粉末は、ステップS11で準備した蛍光体粉末と、ガラス粉末と、熱伝導性粉末と、が十分に混合された粉末であってもよい。ここで、混合粉末における蛍光体粉末、ガラス粉末および熱伝導性粉末の各含有率、蛍光体粒子、ガラス粉末および熱伝導性粒子の材料、組成および混合法などの説明については、上記第1実施形態および上記第2実施形態の何れかにおける説明と重複するため、その説明を省略する。
【0155】
次に、凹部30r内に粉末充填体が充填された基材30bAごと粉末充填体を加熱して仮焼結体を形成する(ステップS14)。
【0156】
次に、加熱温度が設定温度に達した後に、設定温度を保った状態で基材30bA上において仮焼結体に対して加圧加工を施す(ステップS15)。
【0157】
粉末充填体の加熱および加圧加工の説明については、上記第1実施形態および上記第2実施形態の何れかにおける説明と重複するため、その説明を省略する。
【0158】
次に、仮焼結体に対する加圧加工時の圧力を維持したままで仮焼結体を冷却し(ステップS16)、仮焼結体の温度がガラス粉末の融点より低くなれば圧力を解除する。これにより、仮焼結体は、波長変換部30tとなる。
【0159】
以上のステップによって、波長変換素子30Aが製造され得る。また、例えば、基材30bAの凹部30r内に粉末充填体を形成するため、
図5の製造フローを用いて説明した上記第1実施形態および上記第2実施形態の何れかに係る波長変換素子30の製造方法に対して、基材上にマスクを重ね合わせるステップS3およびマスクを取り外すステップS5が不要となり、製造工程の簡略化が図られ得る。
【0160】
ここで、
図17で示した波長変換素子30Aは、円板状の基材30bAの上面に平面視形状が円形の凹部30rが設けられた構成を有していたが、基材30bAは、円板状に限定されず、凹部30rの平面視形状も円形に限定されない。
【0161】
ここで、基材30bAの凹部30rの内部空間の形状は、板状または柱状に限定されない。基材30bAの凹部30rの内部空間の形状は、例えば、
図22で示されるように、円錐状もしくは角錐状などの錐状であってもよいし、
図23で示されるように、半球状もしくは半楕円体状であってもよい。
図22は、別の第1例に係る基材30bAの構成を示す断面図である。
図23は、別の第2例に係る基材30bAの構成を示す断面図である。これらの場合には、基材30bAは、例えば、凹部30rの底面として第3面F3を有していれば、凹部30rの側面としての第4面F4を有していなくてもよい。
【0162】
図22で示された基材30bAが採用される場合には、例えば、
図24で示されるように、波長変換部30tの第1面F1はXY平面に沿った平坦な面であってもよいし、
図25で示されるように、波長変換部30tの第1面F1は第3面F3に平行な面であってもよい。換言すれば、波長変換部30tの第1面F1は、
図25で示されるように、第3面F3に沿って円錐状もしくは角錐状などの錐状に窪んだ面であってもよい。別の観点から言えば、波長変換部30tは、例えば、
図24で示されるように、凹部30rの形状に応じた円錐状もしくは角錐状などの錐状の形状を有していてもよいし、
図25で示されるように、第3面F3に沿って曲がった板状の形状を有していてもよい。
【0163】
図23で示された基材30bAが採用される場合には、例えば、
図26で示されるように、波長変換部30tの第1面F1はXY平面に沿った平坦な面であってもよいし、
図27で示されるように、波長変換部30tの第1面F1は第3面F3に平行な面であってもよい。換言すれば、波長変換部30tの第1面F1は、
図27で示されるように、第3面F3に沿って半球状もしくは半楕円体状に窪んだ面であってもよい。別の観点から言えば、波長変換部30tは、例えば、
図26で示されるように、凹部30rの形状に応じた半球状もしくは半楕円体状の形状を有していてもよいし、
図27で示されるように、第3面F3に沿って曲がった板状の形状を有していてもよい。
【0164】
図25および
図27で示される、窪んだ第1面F1を有する波長変換部30tは、例えば、加圧加工において、第3面F3の形状に応じた凸状部を有する押圧体によって仮焼結体が押圧されることで実現され得る。
【0165】
<3.その他>
上記各実施形態において、例えば、熱伝導性粒子33の材料には、窒化ホウ素が適用されたが、これに限られない。熱伝導性粒子33の材料には、例えば、窒化アルミニウムなどの窒化ホウ素とは異なる金属窒化物が適用されてもよいし、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化バナジウム、酸化銅、酸化鉄、または酸化銀などの金属酸化物が適用されてもよい。熱伝導性粒子33の材料には、例えば、石英粉、炭化ケイ素または雲母などのケイ素化合物が適用されてもよい。複数の熱伝導性粒子33は、異なる材料を用いて構成された2種類以上の粒子であってもよい。
【0166】
上記各実施形態において、例えば、複数の蛍光体粒子31に対応する1種類以上の蛍光体粒子のそれぞれは、励起光L0の照射に応じて1つの波長スペクトルを有する蛍光を発する1種類の蛍光体粒子であってもよい。
【0167】
また、例えば、複数の蛍光体粒子31に含まれる複数の種類の蛍光体粒子31は、励起光L0の照射に応じて第1の波長スペクトルを有する第1の蛍光を発する第1種類の蛍光体粒子31、および励起光L0の照射に応じて第1の波長スペクトルとは異なる第2の波長スペクトルを有する第2の蛍光を発する第2種類の蛍光体粒子31を、少なくとも含んでいてもよい。第1種類の蛍光体粒子31および第2種類の蛍光体粒子31としては、例えば、赤色蛍光体の粒子、緑色蛍光体の粒子および青色蛍光体の粒子から選出される2種類の蛍光体の粒子が採用され得る。
【0168】
また、例えば、複数の蛍光体粒子31に含まれる複数の種類の蛍光体粒子31は、励起光L0の照射に応じて第1の波長スペクトルおよび第2の波長スペクトルの何れとも異なる第3の波長スペクトルを有する第3の蛍光を発する第3種類の蛍光体粒子31を含んでいてもよい。第1種類の蛍光体粒子31、第2種類の蛍光体粒子31もしくは3種類の蛍光体粒子31としては、青緑色蛍光体の粒子もしくは黄色蛍光体の粒子など、励起光L0の照射に応じて種々の色の蛍光を発する蛍光体の粒子が採用されてもよい。
【0169】
青緑色蛍光体は、励起光L0の照射に応じて青緑色の蛍光を発する蛍光体である。黄色蛍光体は、励起光L0の照射に応じて黄色の蛍光を発する蛍光体である。青緑色蛍光体としては、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の波長のピークが495nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。青緑色蛍光体の材料としては、例えば、(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:EuまたはSr4Al14O25:Euなどが適用される。黄色蛍光体としては、例えば、励起光L0の照射に応じて発する蛍光の波長のピークが570nmから590nm程度の範囲にある蛍光体が採用される。黄色蛍光体の材料としては、例えば、SrSi2(O,Cl)2N2:Euなどが適用される。ここでは、かっこ内の元素の割合は、分子式の範囲内であれば任意に設定され得る。
【0170】
また、例えば、複数の蛍光体粒子31に含まれる複数の種類の蛍光体粒子31は、4種類以上の蛍光体粒子31を含んでいてもよい。
【0171】
上記各実施形態において、例えば、光源部2と変換部3とが近接している状態で位置していてもよい。この場合には、光源部2から出射される励起光L0は、変換部3の波長変換素子30,30Aに対して、直接照射されても良いし、コリメータレンズなどの光学素子などを介して照射されてもよい。
【0172】
上記各実施形態において、例えば、波長変換素子30は、基材30bを有さず、波長変換部30tを有していてもよい。この場合には、波長変換部30tに含まれるバインダー層32は、例えば、少なくとも複数の蛍光体粒子31の間に位置していてよい。ここでは、例えば、基材30bとは別に、鋳型などを用いて粉末充填体PWを形成して、粉末充填体PWを加熱して仮焼結体PSを形成し、仮焼結体PSに対する加圧加工などを行うことで、波長変換部30tを波長変換素子として得ることができる。
【0173】
上記各実施形態において、例えば、バインダー層32は、ガラスの非晶質相の他に、複数の微細な結晶粒子(微細結晶粒子ともいう)を含んでいてもよい。微細結晶粒子は、結晶質の粒子である。複数の微細結晶粒子のそれぞれは、ガラスの非晶質相に含まれた少なくとも一部の成分を含んでいてよい。複数の微細結晶粒子のそれぞれは、例えば、SiO2、Al2O3、B2O3、Na2O3、K2O、Li2O、CaO、BaO、ZnO、PbOおよびP2O5を含む酸化物のグループ(第1酸化物グループともいう)のうちの1つ以上の酸化物の結晶であってもよいし、第1酸化物グループのうちの2つ以上の酸化物が複合した酸化物(複合酸化物ともいう)の結晶であってもよい。例えば、微細結晶粒子がZnOで構成されている例が考えられる。微細結晶粒子は、ガラスの非晶質相に含まれた全ての成分を含む結晶質の粒子であってもよい。換言すれば、非晶質相に含まれた少なくとも一部の成分は、非晶質相に含まれた一部の成分であってもよいし、非晶質相に含まれた全ての成分であってもよい。
【0174】
複数の微細結晶粒子の大きさは、例えば、複数の蛍光体粒子31の大きさよりも小さくてよい。ここで、複数の微細結晶粒子の大きさが、複数の蛍光体粒子の大きさよりも小さい状態は、例えば、複数の微細結晶粒子の粒子径の平均値が、複数の蛍光体粒子31の粒子径の平均値よりも小さい状態であってもよいし、複数の微細結晶粒子のそれぞれの粒子径が、複数の蛍光体粒子31の粒子径の平均値よりも小さい状態であってもよい。粒子の粒子径は、例えば、粒子の長軸方向における径(長軸径ともいう)と粒子の短軸方向における径(短軸径ともいう)との平均値(幾何学的平均径ともいう)であってもよいし、平面に投影した面積もしくは体積と所定の幾何学的な公式とを用いて円または球形の粒子の直径に換算した値(相当径ともいう)であってもよいし、粒子の長手方向における長さ(最大径ともいう)であってもよい。微細結晶粒子の粒子径は、例えば、0.1μmから3μm程度であってよい。
【0175】
微細結晶粒子は、例えば、励起光L0および蛍光L1を透過させる透明性を有する。微細結晶粒子は、例えば、励起光L0および蛍光L1の一部を散乱させる特性を有していてもよい。
【0176】
複数の微細結晶粒子は、複数の蛍光体粒子31のうちの1つ以上の蛍光体粒子31に接触している1つ以上の微細結晶粒子を含んでいてもよい。例えば、1つの蛍光体粒子31に対して1つの微細結晶粒子が接触していてもよいし、1つの蛍光体粒子31に対して2つ以上の微細結晶粒子が接触していてもよい。ここでは、微細結晶粒子の熱伝導率が、ガラスの非晶質相の熱伝導率よりも高ければ、蛍光体粒子31に接触している微細結晶粒子の存在により、微細結晶粒子を介した熱伝達および熱伝導によって、蛍光体粒子31から熱が放散する速度が向上し得る。これにより、励起光L0の照射に応じて出射される蛍光L1の光量の低下を低減することができる。換言すれば、波長変換素子30における発光効率を向上させることができる。
【0177】
以上のように、波長変換素子は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種の例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用することが可能である。そして、例示されていない無数の例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【0178】
本開示には、以下の内容が含まれる。
【0179】
一実施形態において、(1)波長変換素子は、複数の蛍光体粒子と、該複数の蛍光体粒子どうしを接合しているとともにガラスを含むバインダー層と、複数の熱伝導性粒子と、を含む、波長変換部、を備え、前記波長変換部における前記複数の蛍光体粒子が存在していない領域を、前記複数の蛍光体粒子のそれぞれに接触している第1領域と、前記複数の蛍光体粒子から離れている第2領域と、に区分した場合に、前記第1領域における前記複数の熱伝導性粒子の存在率は、前記第2領域における前記複数の熱伝導性粒子の存在率よりも大きい。
【0180】
(2)上記(1)の波長変換素子において、前記波長変換部の体積に占める前記複数の熱伝導性粒子の体積の割合は、1パーセント以上であり且つ7パーセント以下であってもよい。
【0181】
(3)上記(1)または(2)の波長変換素子において、前記複数の熱伝導性粒子の平均粒径は、0.1μm以上であり且つ0.45μm以下であってもよい。
【0182】
(4)上記(1)から(3)の何れか1つの波長変換素子において、前記複数の熱伝導性粒子は、球状の熱伝導性粒子を含んでいてもよい。
【0183】
(5)上記(1)から(4)の何れか1つの波長変換素子において、前記複数の熱伝導性粒子のそれぞれは、六方晶窒化ホウ素を含み、前記複数の熱伝導性粒子は、前記複数の蛍光体粒子の表面に沿って位置している1つ以上の熱伝導性粒子を含んでいてもよい。
【0184】
(6)上記(5)の波長変換素子において、前記波長変換部は、励起光が照射される第1面を有し、前記1つ以上の熱伝導性粒子は、前記第1面に垂直な方向に沿って並んだ2つ以上の熱伝導性粒子を含んでいてもよい。
【0185】
(7)上記(1)から(6)の何れか1つの波長変換素子において、前記波長変換部を支持している基材、をさらに備え、該基材の熱伝導率は、前記波長変換部の熱伝導率よりも高くてもよい。
【符号の説明】
【0186】
30,30A 波長変換素子
30b,30bA 基材
30t 波長変換部
31 蛍光体粒子
32 バインダー層
33 熱伝導性粒子
A1 接合用領域
A11 第1領域
A12 第2領域
F1 第1面
L0 励起光