特開 2024-140100 転写方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024140100

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】転写方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20241003BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20241003BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

H01L33/00 H

G09F9/33

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023051095

(22)【出願日】2023-03-28

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001427

【氏名又は名称】弁理士法人前田特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大久保 憲治

【テーマコード（参考）】

5C094

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA46

5C094AA60

5C094BA25

5C094CA19

5C094GB10

5C094HA08

5C094JA01

5F142AA82

5F142FA32

5F142FA50

5F142GA02

5G435AA00

5G435BB04

5G435CC09

5G435KK05

5G435KK10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】基板からパネルにチップを転写するシミュレーションにおいて計算時間を短縮できる転写方法を提供する。
【解決手段】発光素子を備えたドナーと、パネルと、パネルに発光素子を転写させる転写手段と、ドナーとパネルと転写手段との各相対位置を制御する位置制御手段と、ドナー及びパネルの発光素子の各位置情報を記憶する記憶手段と、ドナーからパネルに転写可能な発光素子の数を算出する算出手段とを用い、所定の数まで発光素子が転写されるシミュレーションを各相対位置において行うシミュレーションステップと、転写領域にパネルとドナーが相対するよう配置させる配置ステップと、発光素子をパネルに転写させる転写ステップとを備え、シミュレーションステップでは所定の数より小さい第１の数まで第１のシミュレーションアルゴリズムを用い、第１の数以降は計算量がより多い第２のシミュレーションアルゴリズムを用いてシミュレーションを行う。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の発光素子が平面的に配列されているドナーと、前記発光素子が前記ドナーから転写されて搭載されるパネルと、前記ドナーから前記パネルに前記発光素子を転写させる転写手段と、前記ドナーと前記パネルと前記転写手段とのそれぞれの相対位置を制御する位置制御手段と、前記ドナーにおける前記発光素子の位置情報及び前記パネルにおける転写された前記発光素子の位置情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されたデータを用いて前記パネルに所定の数の前記発光素子を転写するために前記相対位置の順番およびそれぞれの前記相対位置において前記ドナーから前記パネルに転写可能な前記発光素子の数を算出する算出手段と、を用いて前記発光素子を前記パネルに転写する転写方法であって、
前記転写手段は前記ドナーよりも小さい面積の転写領域を有しており、当該転写領域において前記発光素子を転写させることが可能な転写可能位置は複数存在しており、
前記パネルに前記所定の数まで前記発光素子が転写されるシミュレーションを、算出された前記相対位置の順番に従って、各前記相対位置において前記発光素子の転写が行われる前記転写可能位置を用いて行うシミュレーションステップと、
前記シミュレーションステップにより選択された前記相対位置および前記転写可能位置の組み合わせと、その順番に従って、前記位置制御手段により前記転写領域に対して前記パネルおよび前記ドナーのそれぞれの所定の位置が相対するように前記パネルと前記ドナーとを配置させる配置ステップと、
それぞれの前記相対位置および前記転写可能位置の組み合わせにおいて、前記転写手段により前記発光素子を前記パネルに転写させる転写ステップと
を備え、
前記シミュレーションステップでは、前記所定の数よりも小さい第１の数まで第１のシミュレーションアルゴリズムを用い、前記第１の数以降は第２のシミュレーションアルゴリズムを用いてシミュレーションを行い、
前記第２のシミュレーションアルゴリズムは前記第１のシミュレーションアルゴリズムよりも計算量が多いアルゴリズムである、転写方法。

【請求項2】

前記第１のシミュレーションアルゴリズムは、前記相対位置をランダムに順次選択するアルゴリズムであり、
前記第２のシミュレーションアルゴリズムは、前記相対位置および前記転写可能位置のすべての組み合わせに対して前記発光素子が転写されるシミュレーションを行って、その結果に基づいて前記相対位置の順番を算出するアルゴリズムである、請求項１に記載の転写方法。

【請求項3】

前記第１の数は、前記所定の数をｎとしたとき、０．９ｎ以上０．９９９９ｎ以下である、請求項２に記載の転写方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、転写方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

近年、従来の液晶ディスプレイに代わるものとしてＬＥＤを使用したディスプレイの開発が進められており、製品化が進みつつある。このようなＬＥＤを使用したディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）は、ＦＨＤ（Ｆｕｌｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）パネルであって、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤが１９２０×１０８０個、４Ｋパネルでは３８４０×２１６０個、それぞれ格子状の配列にて配線基板に高密度に実装されている。

【0003】

このように配線基板へ高密度に実装される各色ＬＥＤとしては、たとえば約５０μｍ×５０μｍといった微小寸法を有する、いわゆるマイクロＬＥＤが用いられる。このようなマイクロＬＥＤは特許文献１に示すようにサファイアなどの成長基板上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させる工程などを経て得られ、基板上で上記寸法のチップ状にダイシングされる。このように形成されたＬＥＤチップは、１回もしくは複数回の転写工程を経て成長基板からディスプレイである配線基板へ転写される。その後、熱圧着などの実装工程を経て、配線基板にＬＥＤチップが固定される。

【0004】

ＬＥＤチップをディスプレイパネルである配線基板に転写する方法はいくつかあるが、例えば特許文献２，３に開示されているレーザーアブレーション技術を用いた方法が知られている。

【0005】

特許文献２にはレーザーアブレーション技術を用いた素子（ＬＥＤチップ）の転写方法が開示されている。また、１つの成長基板上に形成された複数のＬＥＤチップの発光波長には個体差があるが、特許文献３には、ＬＥＤディスプレイを製造した際に発光波長の個体差によって色むらが見る人によって感じられないようにする転写方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００２－１７０９９３号公報

【特許文献2】特開２００６－４１５００号公報

【特許文献3】特開２０２２－１３５５２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献３に開示された発明は、特許文献２に開示された発明を利用しつつＬＥＤディスプレイに色むらが生じないようにするという新たな課題を解決すべく創作されたものである。特許文献３では転写位置決定部によって発光素子の転写位置を決定することが開示されている。しかしながら、具体的な転写位置の決定方法は記載されていない。１つの基板上には数百万個のＬＥＤチップが存在しており、１つのディスプレイパネルには数十万個のＬＥＤチップを搭載する必要があるが、基板上の数百万個からパネルの数十万個に搭載していく組み合わせは１兆通りを越える場合があり、計算に膨大な時間がかかるという問題があった。

【0008】

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板からパネルにチップを転写するシミュレーションにおいて計算時間を短縮できる転写方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の転写方法は、複数の発光素子が平面的に配列されているドナーと、前記発光素子が前記ドナーから転写されて搭載されるパネルと、前記ドナーから前記パネルに前記発光素子を転写させる転写手段と、前記ドナーと前記パネルと前記転写手段とのそれぞれの相対位置を制御する位置制御手段と、前記ドナーにおける前記発光素子の位置情報及び前記パネルにおける転写された前記発光素子の位置情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されたデータを用いて前記パネルに所定の数の前記発光素子を転写するために前記相対位置の順番およびそれぞれの前記相対位置において前記ドナーから前記パネルに転写可能な前記発光素子の数を算出する算出手段と、を用いて前記発光素子を前記パネルに転写する転写方法であって、前記転写手段は前記ドナーよりも小さい面積の転写領域を有しており、当該転写領域において前記発光素子を転写させることが可能な転写可能位置は複数存在しており、前記パネルに前記所定の数まで前記発光素子が転写されるシミュレーションを、算出された前記相対位置の順番に従って、各前記相対位置において前記発光素子の転写が行われる前記転写可能位置を用いて行うシミュレーションステップと、前記シミュレーションステップにより選択された前記相対位置および前記転写可能位置の組み合わせと、その順番に従って、前記位置制御手段により前記転写領域に対して前記パネルおよび前記ドナーのそれぞれの所定の位置が相対するように前記パネルと前記ドナーとを配置させる配置ステップと、それぞれの前記相対位置および前記転写可能位置の組み合わせにおいて、前記転写手段により前記発光素子を前記パネルに転写させる転写ステップとを備え、前記シミュレーションステップでは、前記所定の数よりも小さい第１の数まで第１のシミュレーションアルゴリズムを用い、前記第１の数以降は第２のシミュレーションアルゴリズムを用いてシミュレーションを行い、前記第２のシミュレーションアルゴリズムは前記第１のシミュレーションアルゴリズムよりも計算量が多いアルゴリズムであることを特徴とする。記憶手段に記憶されたデータには発光素子の位置情報が含まれ、それ以外にもドナーとパネルと転写手段とのそれぞれの相対位置や、シミュレーションにおけるドナーとパネルと転写手段とのそれぞれの相対位置の順番、シミュレーションによる結果なども含まれる。

【0010】

前記第１のシミュレーションアルゴリズムは、前記相対位置をランダムに順次選択するアルゴリズムであり、前記第２のシミュレーションアルゴリズムは、前記相対位置および前記転写可能位置のすべての組み合わせに対して前記発光素子が転写されるシミュレーションを行って、その結果に基づいて前記相対位置の順番を算出するアルゴリズムであってもよい。

【0011】

前記第１の数は、前記所定の数をｎとしたとき、０．９ｎ以上０．９９９９ｎ以下であってもよい。

【発明の効果】

【0012】

パネルへの発光素子の転写のシミュレーションにおいて、最初は計算量が少ないシミュレーションアルゴリズムを用いて計算し、途中で計算量が計算量が多いシミュレーションアルゴリズムを用いて計算することで、いずれか一方のみのシミュレーションアルゴリズムを用いた場合に比べてシミュレーションにかかる時間と実際に転写を行う時間との合計を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】実施形態に係る発光素子の転写装置の模式的な図である。

【図2】実施形態に係るドナー、転写手段、転写領域、パネルの相対的な位置関係の一例を示す模式的な図である。

【図3】（Ａ）は転写領域に相対しているドナーの領域、（Ｂ）は転写領域、（Ｃ）は転写領域に相対しているパネルの領域を示す一例である。

【図4】実施形態に係るドナーの格子点を示す模式的な図である。

【図5】実施形態に係るパネルの格子点を示す模式的な図である。

【図6】シミュレーションによる計算時間と転写回数とを示した図である。

【図7】本実施形態に係るシミュレーションによる計算時間と転写回数とを示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。

【0015】

（実施形態１）
実施形態１は、多数のマイクロＬＥＤのチップが平面的に隣り合って配列されているドナー（ウェハ）から、転写手段によりチップをディスプレイパネルとなるパネル基板に転写する転写方法に関する。転写手段はレーザーリフトオフ（レーザーアブレーション技術）を用いているが、他の方法を用いても構わない。

【0016】

図１に示すように、ドナー２０は複数の発光素子２２が平面的に配列されており、保持手段２５により保持されてパネル３０に向き合っている。パネル３０は、発光素子２２ａが転写された面とは反対側の面を載置部３２により吸着把持されており、載置部３２は移動ステージ４２の上に載せられている。なお、保持手段２５はチップをエピタキシャル成長させるベースとなる成長基板やウェハに貼り付けられた中間基板などである。

【0017】

転写手段１０はレーザー光源１１、ガルバノミラー１２、Ｆθレンズ１４を備えている。レーザー光源１１は１本のレーザー光１３を出射する装置である。用いるレーザーとしてはＹＡＧレーザー、可視光レーザー、紫外線レーザーなどを挙げることができる。ガルバノミラー１２は２枚のミラーを有し、これらのミラーの位置および角度を制御することで、入射してきた光線を任意の方向へ出射する。

【0018】

転写は以下のように行われる。レーザー光源１１から発せられたパルス状のレーザー光１３がガルバノミラー１２及びＦθレンズ１４を経由して保持手段２５に照射される。レーザー光１３は保持手段２５を透過して、保持手段２５と発光素子２２との界面に到達し、この界面においてレーザーアブレーションを生じさせる。このレーザーアブレーションによって発光素子２２は保持手段２５から剥離して下側に付勢されて、パネル３０に転写される。なお、パネル３０に転写済みの発光素子には符号２２ａを付す。

【0019】

転写手段においては、レーザー光１３はガルバノミラー１２によって光路が制御されて、保持手段２５の様々な位置に照射されるが、ガルバノミラー１２の位置および角度の変更範囲は限定されている。そのため、図２に示すように、転写手段１０において、レーザー光１３を照射可能な領域である転写領域１５はドナー２０及びパネル３０に比べて小さい面積となっている。

【0020】

（配置ステップ）
転写領域１５がドナー２０及びパネル３０に比べて小さい面積であるので、パネル３０の全面に発光素子２２ａを必要な数だけ転写させるためには、転写領域１５とドナー２０とパネル３０との相対的な位置を変更してその都度転写を行う必要がある。転写手段１０は大がかりな装置であって固定されているので、保持手段２５を把持している把持手段４１によりドナー２０の位置を制御し、パネル３０の位置を移動ステージ４２により制御する。把持手段４１及び移動ステージ４２を備えた位置制御手段によって、パネル３０の発光素子２２ａが転写される面に対して平行にドナー２０及びパネル３０が移動して、転写領域１５とドナー２０とパネル３０との相対的な位置が変わっていく。ドナー２０とパネル３０とは、選択された所定の位置（領域）が転写領域１５に対して相対するように、位置制御手段によって移動されて配置される。

【0021】

（転写ステップ）
図３に示すように、（Ａ）では転写領域１５に相対するドナー２０の領域に複数の発光素子２２が隙間（小さな間隔）を介して隣接して並んでいるのに対し、（Ｃ）では転写領域１５に相対するパネル３０の領域に、ドナー２０における発光素子２２同士の隣接間隔よりも大きな間隔（数倍から数十倍）で発光素子２２ａが転写されることになる。転写領域１５も（Ｂ）に示すようにパネル３０の転写間隔と同じ間隔で転写可能位置１６が設定されている。なお、図３では転写領域１５における転写可能位置１６は９個存在している。また、転写領域１５と重なっているドナー２０の範囲内には、１３×１３＝１６９個の発光素子２２が存在している。パネル３０へのすべての発光素子２２ａの転写が完了するまでは、使用可能な転写可能位置１６をすべて使用して転写を行う方が効率よく転写ができて早く転写が完了する。使用可能な転写可能位置１６というのは、転写可能位置１６に対応するドナー２０の位置に発光素子２２が存在し、且つ転写可能位置１６に対応するパネル３０の位置に発光素子２２が転写されていない状態のものである。

【0022】

図３では、ドナー２０に抜けなく発光素子２２が並んでいるため、転写領域１５のすべての転写可能位置１６を用いてパネル３０へ発光素子２２を転写することが可能であり、このようにすることで転写効率を良くすることができる。ただ、ドナー２０から発光素子２２が次第に転写されていってドナー２０に発光素子２２の抜けが生じ、パネル３０上に転写された発光素子２２ａも増えていくと、状況は変化していく。

【0023】

（シミュレーションステップ）
一般的に１枚のドナー（ウェハ）２０の全発光素子２２数よりも、パネル３０に搭載される全発光素子２２ａ数の方が相当少ないため、１枚のドナー２０から複数枚のパネル３０に発光素子２２を転写できる。

【0024】

ドナー２０からパネル３０に発光素子２２の転写を開始する前に、ドナー２０のどの位置の発光素子２２を、パネル３０のどの位置に搭載するのかについて、パネル３０の発光素子搭載位置のすべてに発光素子２２を転写できるようにシミュレーションをまず行う。このようなシミュレーションを完了せずに転写を開始してしまうと、パネル３０の発光素子搭載位置のすべてに発光素子２２を実際に転写できるまで配置ステップ及び転写ステップを繰り返し行っていくと非常に時間が掛かったり、ドナー２０に発光素子２２が残っていてもシミュレーションや配置を効率よく行うためにドナーと２０パネル３０の相対的位置が限定されていることで、パネル３０への転写が行えずパネル３０が完成できない事態に陥る虞もある。

【0025】

このような転写のシミュレーションや配置ステップ及び転写ステップを繰り返すシステムはコンピュータを利用して行う。また、シミュレーションステップでは、ドナー２０における発光素子２２の位置情報及びパネル３０における転写された発光素子２２ａの位置情報や何回目の配置ステップ及び転写ステップにおいてその発光素子２２が転写されたのかという情報等は記憶手段によってデータとして記憶される。このデータには、任意の時点でのドナー２０において残存している発光素子２２の位置情報が含まれ、このデータを用いてシミュレーションを行う。

【0026】

シミュレーションでは、まずドナー２０とパネル３０との相対位置を１つ決定する。そしてその相対位置付近で、ドナー２０からパネル３０に転写する発光素子２２を決定して、転写する発光素子２２のドナー２０上及びパネル３０上の位置情報を記憶する。次にドナー２０とパネル３０との相対位置として別の位置を選択して、その位置付近でのドナー２０からパネル３０に転写する発光素子２２を決定して、転写する発光素子２２のドナー２０上及びパネル３０上の位置情報を記憶する。これを繰り返した後、パネル３０の発光素子搭載位置のすべてに発光素子２２を転写できる相対位置の選択順番と発光素子２２の転写順番とを決定してシミュレーションステップは終了し、次に実際の転写工程を行う。

【0027】

ドナー２０における隣接する発光素子２２の間隔は数十μｍという短い間隔なので、ドナー２０とパネル３０との相対位置を隣接する発光素子２２毎に設定してしまうと、シミュレーションおよび配置ステップに非常に時間がかかってしまう。そこで図４，５に示すように、ドナー２０を横仮想線７１と縦仮想線７２で仕切って格子を作成して格子点２７を設定し、同様にパネル３０を横仮想線７３と縦仮想線７４で仕切って格子を作成して格子点３７を設定し、これらの格子点２７，３７を利用してドナー２０とパネル３０との相対位置を決めることとした。これらの格子の大きさは転写領域１５の大きさを考慮して決めている。

【0028】

図４では、ドナー２０上の格子点２７を３×３＝９個設定しており、図５ではパネル３０上の格子点を１１×１３＝１４１個設定している。ドナー２０とパネル３０との相対位置は、ドナー２０の格子点２７とパネル３０の格子点３７とが重なる位置に設定しており、全部で９×１４１＝１２６９の位置が存在することになる。

【0029】

（第１、第２のシミュレーションアルゴリズム）
本実施形態では２種類のシミュレーションアルゴリズムを組み合わせて１つのパネル３０に発光素子２２をすべて搭載するシミュレーションを行う。上述したようにシミュレーションでは、ドナー２０とパネル３０との相対位置を１つ選んで、その位置でドナー２０からパネル３０に転写する発光素子２２を決定することを行う。シミュレーションの結果は記憶手段に記憶される。そして、相対位置の選択と転写する発光素子２２の決定というプロセスを繰り返していく。

【0030】

シミュレーションアルゴリズムとしては、ドナー２０とパネル３０との相対位置をどのように選ぶのか（相対位置選択）、および、ドナー２０からパネル３０に転写する発光素子２２をどのように決定するのか（発光素子選択）、が重要になる。発光素子選択では選択する発光素子２２の数を少なくすると、シミュレーションの計算時間および実際の転写工程の時間の双方が長くなってコストが大きくなってしまうので、本実施形態では発光素子選択においてはできるだけ多くの発光素子２２を選択して転写することにした。

【0031】

一方、相対位置選択については、そのやり方によってシミュレーションの計算時間と実際に発光素子２２の転写を行う転写工程の時間とがそれぞれ変わってくる。相対位置選択は図４，５に示した格子点２７，３７を利用して、ドナー２０の格子点２７とパネル３０の格子点３７とが重なる相対位置を選択する。ドナー２０の格子点２７とパネル３０の格子点３７とのすべての組み合わせは１２６９通りある。さらに、その組み合わせの１つ１つにおいてドナー２０とパネル３０とを、パネル平面に対してドナー２０の発光素子配列ピッチ毎に縦または横に移動させて、パネル３０上の空いている発光素子搭載位置にドナー２０からいくつ発光素子２２を転写できるかをシミュレーションする。

【0032】

ドナー２０の発光素子配列ピッチ毎に縦または横に移動させる範囲は、最初の格子点２７，３７同士が重なる位置において転写領域１５と重なっているドナー２０の領域（発光素子２２が１３×１３＝１６９個並んでいる範囲）が、パネル３０の発光素子搭載位置（既に発光素子２２ａが搭載されている位置を含む）の少なくとも１つと重なり合う範囲である。ドナー２０の発光素子配列ピッチ毎に縦または横に移動させる（ドナー内移動）と、１６９通りのシミュレーションを行うことになる。

【0033】

ドナー２０の格子点２７とパネル３０の格子点３７との１つの組み合わせに対して、ドナー２０の発光素子配列ピッチ毎に縦または横に移動させる組み合わせが１６９通りあるので、格子点２７，３７のすべての組み合わせでは、１２６９×１６９＝約２１万４千通りのシミュレーションすることになる。これらのシミュレーションの結果の中から、パネル３０に最も多くの発光素子２２を転写できるシミュレーションを選んで、これで１回目の配置ステップ、転写ステップを行うことを記憶手段に記憶しておく。

【0034】

２回目の配置ステップ、転写ステップも１回目のシミュレーションアルゴリズムと同じやり方でシミュレーションを行って、決定する。以後、パネル３０に必要な発光素子２２をすべて転写して搭載し終わる状態に達するまで、同じシミュレーションアルゴリズムを用いてシミュレーションを続けていく。このシミュレーションアルゴリズムを全数アルゴリズムと呼ぶことにする。

【0035】

なお、未使用のドナー２０を用いて、パネル３０に最初に転写を行うシミュレーションでは、いずれのシミュレーションもパネル３０に転写できる発光素子２２数ほぼ同じになるが、ドナー２０から発光素子２２が転写されていくにつれて、約２５万４千通りのシミュレーションの中ではパネル３０に転写できる発光素子２２数は大きく変化する。

【0036】

全数アルゴリズムは計算回数（計算量）が多いため、シミュレーションの計算時間が長くなるが、配置ステップと転写ステップの回数は少なくなり、実際に転写を行う時間は短い。

【0037】

上述の全数アルゴリズムとは異なる相対位置選択の方法を採用するアルゴリズムとして、例えばパネル３０の格子点３７の１４１個の中から１つを選び、それに対してドナー２０の格子点２７のすべてとドナー内移動との組み合わせ、即ち９×１６９＝１５２１通りのシミュレーションをして、これらのシミュレーションの結果の中から、パネル３０に最も多くの発光素子２２を転写できるシミュレーションを選び、これで１回目の配置ステップ、転写ステップを行うことを記憶して、続いてパネル３０の別の格子点３７をランダムに１つ選び、同じようにドナー２０の格子点２７のすべてとドナー内移動との組み合わせのシミュレーションを行う、というアルゴリズム（ランダム選択アルゴリズム）が考えられる。

【0038】

ランダム選択アルゴリズムは、１回の配置ステップ、転写ステップを決定するための計算量が１／１４１であって少ないため、１回のシミュレーションの計算時間が短くなる。しかし、転写が進んでパネル３０上の発光素子２２未搭載の位置が非常に少なくなってくると、シミュレーションの回数が増える割には発光素子２２を搭載できるシミュレーションを見つけられる割合が非常に低くなり、パネル３０への発光素子２２搭載の最終盤にシミュレーションの計算時間及び実際の転写回数・転写時間が長くなってしまう。特に、最後の数チップを転写するためのシミュレーションの計算時間及び実際の転写回数・転写時間が非常に長くなってしまう。

【0039】

図６に全数アルゴリズムによるシミュレーションの結果と、ランダム選択アルゴリズムによるシミュレーションの結果とを示す。実際の転写が行われる転写時間は、転写回数にほぼ比例する長さとなる。全数アルゴリズムによるシミュレーションでは、転写を行うための計算時間を符号９２で表しており、計算量が多いために比較的長時間の計算時間が必要であることがわかるが、転写回数は少ないため実際の転写時間は短い。また、符号９１で表されている転写チップ数は転写の初期から比較的多数のチップが転写されて且つ最後に搭載される数十チップの転写のための転写回数も比較的少ないので、実際の転写時間が比較的短くなる。

【0040】

一方、ランダム選択アルゴリズムによるシミュレーションでは、転写を行うための計算時間を符号８２で表しており、短時間で計算されていることがわかるが、符号８１で表されている転写チップ数は符号９１と比較して、転写回数が増えていってもなかなか増えていかないので、実際の転写時間が長くなってしまう。また、最後に搭載される数十チップの転写のための転写回数も多くなって、実際の転写時間が長くなってしまっている。

【0041】

本実施形態では、上記の特徴を踏まえて、最初にランダム選択アルゴリズムを使用してシミュレーションを行い、途中で全数アルゴリズムに切り替えてシミュレーションを行うことにした。第１のシミュレーションアルゴリズムであるランダム選択アルゴリズムを使用して、パネル３０に搭載された発光素子２２ａが第１の数になるまでシミュレーションを行い、そこから第２のアルゴリズムである全数アルゴリズムを使用してシミュレーションを行う。第１の数は、パネル３０への発光素子２２全搭載数をｎとしたとき０．９ｎ以上０．９９９９ｎ以下が好ましい。

【0042】

本実施形態に係るシミュレーションの結果を図７に示す。本実施形態では、まず第１のシミュレーションアルゴリズムであるランダム選択アルゴリズムを使用してシミュレーションを行う。符号８２ａにより示されている計算時間は短いが、転写回数は多い。そして、符号８１ａにより示されている転写チップ数は転写回数が多い割には増加のペースが小さい。特に、パネル３０へ搭載された発光素子２２ａの数が全体の９０％を越えてくると転写チップ数の増加のペースがさらに小さくなる。そこでパネル３０へ搭載された発光素子２２ａの数が０．９７ｎに達した時点で、アルゴリズムを切り替えて第２のアルゴリズムである全数アルゴリズムを使用してシミュレーションを行う。図７では切り替えの時点を符号１０１及び１０２により示す。アルゴリズムの切り替え以降の計算時間９４は転写回数の１回あたりでは増加するが、１回あたりの転写による転写チップ数９３が多くすることができ、第１のアルゴリズムに比べて転写終了までの転写回数を少なくできるので、計算時間と転写時間とのトータルはアルゴリズムを切り替えることで短縮される。

【0043】

本実施形態では最初に計算量が少ない第１のアルゴリズムを用いて発光素子の転写のシミュレーションを行い、シミュレーションを行う回数に比べて転写できる発光素子の数がお幅に減ってきた時点でシミュレーションのアルゴリズムを第２のアルゴリズムにすることで、シミュレーションにかかる時間と実際に発光素子をパネルに転写を行う転写工程の時間との和を、それぞれのアルゴリズム単独でシミュレーションした場合よりも短くすることができる。

【0044】

（その他の実施形態）
上述の実施形態は本願発明の例示であって、本願発明はこれらの例に限定されず、これらの例に周知技術や慣用技術、公知技術を組み合わせたり、一部置き換えたりしてもよい。また当業者であれば容易に思いつく改変発明も本願発明に含まれる。

【0045】

シミュレーションアルゴリズムとして上記以外のアルゴリズムを用いてもよく、また、３つ以上のアルゴリズムを用いてもよい。シミュレーションアルゴリズムとしては、途中でアルゴリズムを切り替えたときに、少なくとも１度の切り替えにおいて、先のシミュレーションアルゴリズムの方が後のシミュレーションアルゴリズムよりも計算量が少ないものであればよい。

【0046】

実施形態１の第１のアルゴリズムであるランダム選択アルゴリズムにおいて、パネル３０の格子点３７をランダムに選んでいくと、あるときに選んだ格子点３７でのシミュレーションにおける結果としての転写することになる発光素子２２の数αに対して、次に選んだ格子点３７ではシミュレーションを行ってもαよりも著しく少ない発光素子２２しか転写可能とならない場合がある（例えば、何回か前に選択した格子点３７を再度選んだ場合）。このような場合は、著しく少ない発光素子２２（例えば直前のシミュレーションでの転写可能な発光素子２２の数の１０％未満）しか選べないシミュレーションの結果は採用しないアルゴリズムとしてもよい。シミュレーションの結果を採用しないとは、その結果に基づく実際の転写を行わないということを意味する。

【0047】

実施形態１の第１のアルゴリズムであるランダム選択アルゴリズムにおいて、パネル３０の格子点３７をランダムに選んでいく代わりに、あらかじめ決められた順番で選んでいくアルゴリズムにしてもよい。

【0048】

シミュレーションアルゴリズムとして、ドナー２０とパネル３０とのある相対位置において、ドナー２０からパネル３０に転写する発光素子２２を特定の位置にあるもの、あるいは特定の発光特性を有するものを選ぶアルゴリズムであってもよい。例えば図３に示す、転写領域１５における転写可能位置１６をすべて使用しないで一部使用にするアルゴリズムにしてもよい。あるいは、ドナー２０が備える発光素子２２のそれぞれの発光特性（例えば発光波長）も記憶手段に記憶させて、発光波長にばらつきがある場合はパネル３０の特定領域に特定の発光波長を有する発光素子２２が集中してパネル３０に色むら生じることがないよう、発光波長分布に応じてパネル３０全体に発光波長のばらつきを均等に存在させるようなアルゴリズムであってもよい。

【0049】

ドナー２０とパネル３０との相対位置を決める方法は格子点２７，３７を用いる方法に限定されない。

【符号の説明】

【0050】

１０ 転写手段
１５ 転写領域
１６ 転写可能位置
２０ ドナー
２２ 発光素子
２２ａ 発光素子（パネル上に転写された）
３０ パネル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】