特開 2024-140724 ＭＥＭＳミラー

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024140724

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】ＭＥＭＳミラー

(51)【国際特許分類】

   G02B 26/08 20060101AFI20241003BHJP

   B81B 3/00 20060101ALI20241003BHJP

   G02B 26/10 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

G02B26/08 E

B81B3/00

G02B26/10 104Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023052028

(22)【出願日】2023-03-28

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100184343

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 茂雄

(74)【代理人】

【識別番号】100112911

【弁理士】

【氏名又は名称】中野 晴夫

(72)【発明者】

【氏名】波多野 雅也

(72)【発明者】

【氏名】松島 理

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 達也

(72)【発明者】

【氏名】山本 千早人

(72)【発明者】

【氏名】藤森 敬和

【テーマコード（参考）】

2H045

2H141

3C081

【Ｆターム（参考）】

2H045AB81

2H141MA12

2H141MB24

2H141MC09

2H141MD12

2H141MD16

2H141MD24

2H141MD40

2H141MF16

2H141MZ06

2H141MZ23

2H141MZ30

3C081AA01

3C081AA13

3C081BA22

3C081BA28

3C081BA32

3C081BA44

3C081BA47

3C081BA55

3C081CA13

3C081DA03

3C081DA04

3C081DA21

3C081DA24

3C081DA27

3C081DA30

3C081EA07

3C081EA11

(57)【要約】

【課題】マイクロミラーを駆動する圧電素子上での反射光の再反射を防止し、ノイズを低減したＭＥＭＳミラーを提供する。
【解決手段】基板と、基板に設けられた凹部と、凹部内に第１連結軸で中空に支持されたミラー部と、ミラー部を挟んでその両側に配置された１対の駆動部であって、第１連結軸に接続された第２連結軸と、第２連結軸に接続されて中空に支持され、基板の表面から上方に向かって、第１電極層、圧電体層、および第２電極層が順次積層された圧電素子と、
を備えた駆動部と、を含み、第１電極層と第２電極層の間に電圧を印加して圧電体層を伸縮させることで、第１連結軸に沿った回転軸の周りでミラー部を回転させ、ミラー部に入射する入射光の反射方向を制御するＭＥＭＳミラーにおいて、第２電極層の上方に、さらに入射光に対する反射防止膜を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板に設けられた凹部と、
前記凹部内に第１連結軸で中空に支持されたミラー部と、
前記ミラー部を挟んでその両側に配置された１対の駆動部であって、
前記第１連結軸に接続された第２連結軸と、
前記第２連結軸に接続されて中空に支持され、前記基板の表面から上方に向かって、第１電極層、圧電体層、および第２電極層が順次積層された圧電素子と、
を備えた駆動部と、を含み、
前記第１電極層と前記第２電極層の間に電圧を印加して前記圧電体層を伸縮させることで、前記第１連結軸に沿った回転軸の周りで前記ミラー部を回転させ、前記ミラー部に入射する入射光の反射方向を制御するＭＥＭＳミラーであって、
前記第２電極層の上方に、さらに前記入射光に対する反射防止膜を含むＭＥＭＳミラー。

【請求項2】

前記第２電極層の上に、保護膜を介して前記反射防止膜が設けられた請求項１に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項3】

前記第２電極層と前記反射防止膜とは同一材料から形成される請求項２に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項4】

前記反射防止膜は、酸化イリジウム、窒化チタン、クロム、および酸化ストロンチウムからなる群から選択される材料からなる単層膜または積層膜である請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項5】

前記第２電極層および前記反射防止膜は酸化イリジウムから形成され、前記保護膜はイリジウムから形成される請求項３に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項6】

前記入射光に対する前記反射防止膜の反射率は、前記入射光に対する前記ミラー部の反射率の２５％以下である請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項7】

前記反射防止膜は、可視光領域の入射光に対して、３５％以下の反射率を有する請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項8】

前記反射防止膜の膜厚は、３０ｎｍ以上でかつ１００ｎｍ以下である請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項9】

前記反射防止膜の膜厚は、５０ｎｍ以上でかつ７０ｎｍ以下である請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳミラー。

【請求項10】

請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳミラーと、
前記ＭＥＭＳミラーを内部に搭載するパッケージと、を含み、
前記パッケージは、前記入射光が透過し、前記ミラー部で反射されて再度透過する透明部を有するＭＥＭＳミラー装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＭＥＭＳミラーに関し、特に、圧電素子を用いてミラーを駆動する圧電式ＭＥＭＳミラーに関する。

【背景技術】

【0002】

圧電式ＭＥＭＳミラーでは、マイクロミラーを支持する圧電素子に電圧を印加することにより、圧電素子に含まれるＰＺＴ等の圧電体膜を伸縮させて、マイクロミラーを駆動している。圧電素子では、圧電体膜の上下に金属からなる上部電極および下部電極を設けて、両電極間に電圧を印加し、圧電効果により圧電体膜を伸縮させる。

【0003】

ＭＥＭＳミラーは、通常、パッケージに入れられて、表面が保護用のガラスで覆われた状態で使用される。そして、例えばこのガラスを透過してパッケージ内に入射するＲＧＢレーザ光を、圧電素子でマイクロミラーを駆動しながら反射することで、再度ガラスを透過した反射光を走査しながらスクリーン等に投影し、プロジェクタとして使用できる（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２－２２０５３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、反射光の一部はガラスを透過する際にガラスの裏面で反射され、マイクロミラーの周囲に配置された圧電素子に入射する。圧電素子の上部電極は白金やイリジウムのような反射率の高い金属からなるため、圧電素子に入射した反射光は、再反射されて、ガラスを透過して外部に出る。再反射された反射光は、本来の反射光に対してノイズとなり、投影画像が不鮮明になる等の問題があった。

【0006】

そこで、本発明は、マイクロミラーを駆動する圧電素子上での反射光の再反射を防止し、ノイズを低減したＭＥＭＳミラーの提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一の形態は、
基板と、
基板に設けられた凹部と、
凹部内に第１連結軸で中空に支持されたミラー部と、
ミラー部を挟んでその両側に配置された１対の駆動部であって、
第１連結軸に接続された第２連結軸と、
第２連結軸に接続されて中空に支持され、基板の表面から上方に向かって、第１電極層、圧電体層、および第２電極層が順次積層された圧電素子と、
を備えた駆動部と、を含み、
第１電極層と第２電極層の間に電圧を印加して圧電体層を伸縮させることで、第１連結軸に沿った回転軸の周りでミラー部を回転させ、ミラー部に入射する入射光の反射方向を制御するＭＥＭＳミラーであって、
第２電極層の上方に、さらに入射光に対する反射防止膜を含むＭＥＭＳミラーである。

【0008】

本発明の他の形態は、
ＭＥＭＳミラーと、
ＭＥＭＳミラーを内部に搭載するパッケージと、を含み、
パッケージは、入射光が透過し、ミラー部で反射されて再度透過する透明部を有するＭＥＭＳミラー装置である。

【発明の効果】

【0009】

本発明では、マイクロミラーを駆動する圧電素子上での反射を防止し、ノイズを低減したＭＥＭＳミラーの提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラーの平面図である。

【図2】図１のＭＥＭＳミラーをＩＩ－ＩＩ方向に見た場合の断面図である。

【図3】図１のＭＥＭＳミラーをＩＩＩ－ＩＩＩ方向に見た場合の断面図である。

【図4】図１のＭＥＭＳミラーをＩＶ－ＩＶ方向に見た場合の断面図である。

【図5】従来構造のＭＥＭＳミラーの動作を説明する断面図である。

【図6】本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラーの動作を説明する断面図である。

【図7】入射光の波長と反射率との関係を示す測定結果である。

【図8】反射防止膜の膜厚と反射率との関係を示すシミュレーション結果である。

【図9】従来構造と本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラーの容量特性の比較である。

【図10】従来構造と本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラーのコンタクト抵抗の比較である。

【図11】従来構造と本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラーの印加電圧とミラー部の変位の関係である。

【図12】従来構造と本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラーの印加電圧とミラー部の変位の関係である。

【0011】

図１は、全体が１００で表される、本発明の実施の形態にかかる１軸のＭＥＭＳミラーの平面図であり、図２は、図１のＭＥＭＳミラー１００をＩＩ－ＩＩ方向に見た場合の断面図である。

【0012】

ＭＥＭＳミラー１００は、枠部５０を有する。枠部５０は、例えばシリコンからなる基板５１と、基板５１の上に設けられた、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜５３と、絶縁膜５３の上に設けられた、例えばシリコンからなる基板５５からなる。枠部５０は、ＳＯＩ基板（基板５５／絶縁膜５３／基板５１）の中央の基板５１を、裏面からエッチングで除去して形成しても良い。

【0013】

枠部５０の内側には、Ｙ軸方向に配置された第１連結軸５と、第１連結軸５に両側が接続され、中空に保持されたミラー部３０を有する。第１連結軸５は、枠部５０と共通する、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜５３と、シリコンからなる基板５５の積層構造からなる。第１連結軸５は、後述するように、ミラー部３０の回転軸ａ１となる。

【0014】

ミラー部３０は、枠部５０と共通する絶縁膜５３、基板５５の上に、例えばアルミニウム銅（ＡｌＣｕ）からなるマイクロミラー３１を有する。マイクロミラー３１の表面は、例えばシリコン酸化膜からなるパッシベーション膜３３で覆われている。一方、絶縁膜５３の裏面の一部には、基板５１が設けられている。基板５１は、ミラー部３０の重さ調整用の錘として設けられ、例えば枠部５０を形成する際のエッチング工程において、基板５１の一部をマイクロミラー３１の下方に残すことで形成しても良い。

【0015】

図１に示すように、ミラー部３０の両側に設けられた第１連結軸５には、それぞれ、Ｘ軸方向に延びる第２連結軸４が接続されている。第２連結軸４も、第１連結軸５と同様に、枠部５０と共通する、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜５３と、シリコンからなる基板５５の積層構造からなる。

【0016】

第２連結軸４は、ミラー部３０の両側（図１では上下）において、第１連結軸５からＸ軸の正方向および負方向に延びて、それぞれ圧電素子２０に接続されている。圧電素子２０は、第２連結軸４に両端が接続され、ミラー部３０の両側（図１では左右）に、第１連結軸５（回転軸ａ１）に対して対称となるように中空に保持される。第２連結軸４と圧電素子２０とで駆動部１０が形成される。

【0017】

このように、ＭＥＭＳミラー１００では、ミラー部３０が第１連結軸５により中空に保持され、さらに、その両側に、２つの圧電素子２０が、第１連結軸５に接続された第２連結軸４により中空に保持されて駆動部１０を構成する。

【0018】

次に、図３、４を用いて圧電素子２０について詳しく説明する。図３は、圧電素子２０を、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ方向に見た場合の断面図、図４は、圧電素子２０を、図１のＩＶ－ＩＶ方向に見た場合の断面図である。

【0019】

図３、４に示すように、駆動部１０を構成する圧電素子２０は、絶縁膜５３と基板５５とを有する。これらの層は、枠部５０、ミラー部３０と共通する。

【0020】

基板５５の上には、例えば膜厚が５００ｎｍの酸化シリコンからなる絶縁膜９を有し、その上に、例えば膜厚が８０ｎｍの酸化アルミニウムからなるバリア膜１１を有する。バリア膜１１の上には、下部電極２３と上部電極２５に挟まれた圧電体層１４が設けられている。

【0021】

下部電極２３は、例えば膜厚が３８ｎｍの酸化チタンからなる密着層１２、例えば膜厚が１６０ｎｍの白金からなる電極層（第１電極層）１３からなる。

【0022】

一方、上部電極２５は、例えば膜厚が３５ｎｍの酸化イリジウムからなる電極層（第２電極層）１５、例えば膜厚が４４ｎｍのイリジウムからなる保護膜１６、および例えば膜厚が７０ｎｍの酸化イリジウムからなる反射防止膜１７からなる。

【0023】

下部電極２３と上部電極２５との間には、例えば膜厚が３１００ｎｍのチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層１４が設けられている。

【0024】

下部電極２３、圧電体層１４、上部電極２５を覆うように、例えば膜厚が８０ｎｍの酸化アルミニウムからなるバリア膜１８が設けられ、その上に例えば膜厚が１５０ｎｍの酸化シリコンからなる絶縁膜１９および例えば膜厚が５００ｎｍの酸化シリコンからなるパッシベーション膜３３が設けられている。

【0025】

さらに、図３に示すように、下部電極２３および上部電極２５には、それぞれ例えば銅アルミニウム／窒化チタンからなる配線層２７が電気的に接続されている。配線層２７を用いて圧電体層１４に電圧を印加することで、圧電効果により圧電体層１４を伸縮させることができる。

【0026】

図１に示すように、ミラー部３０の両側に、第１連結軸５（回転軸ａ１）に対して対称となるように、第２連結軸４と、第２連結軸４に両端が接続された圧電素子２０が、駆動部１０として設けられている。圧電素子２０は、ミラー部３０の両側で、別々に配線されて電圧を印加することができる（図１、２では配線は省略）。

【0027】

従来構造のＭＥＭＳミラーでは、上部電極は、例えば酸化イリジウムからなる電極層１５と、例えばイリジウムからなる保護膜１６の２層構造であったが、本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラー１００では、さらにその上に例えば酸化イリジウムからなる反射防止膜１７が設けられている。

【0028】

なお、ここで例示した各層や膜の厚さや材料は、特にこれらに限定するものではない。例えば、反射防止膜１７には、酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）の他に、窒化チタン（ＴｉＮ）、クロム（Ｃｒ）、酸化ストロンチウム（ＳＴＯ）等を使用しても良いし、これらの材料の積層としても良い。

【0029】

図５、６は、従来構造のＭＥＭＳミラー１５０と、本発明の実施形態にかかるＭＥＭＳミラー１００の動作の比較を説明する断面図である。上述のように、ＭＥＭＳミラー１００、１５０は、通常、保護用のガラスを備えたパッケージ（図５、６ではガラスのみ表示）に入った状態で使用される。そして、ガラスを透過して入射したＲＧＢレーザ光等の入射光をミラー部３０で反射し、反射光としてガラスを透過して外部に出射する構造となる。このときに駆動部１０を用いてミラー部３０の向きを変えることで、反射光の向きを制御することができる。

【0030】

図５に示す従来構造のＭＥＭＳミラー１５０では、上部電極の上層が反射率の高いイリジウム等の保護膜であるため、ガラスの裏面で反射された反射光が、上部電極で再反射されて再反射光として外部に出射する（破線で表示）。かかる再反射光は、反射光（実線で表示）に対してノイズとなり、投影画像の劣化等の原因となる。

【0031】

これに対して、本発明の実施の形態にかかるＭＥＭＳミラー１００では、イリジウム等の保護膜の上に、例えば酸化イリジウムからなる反射防止膜１７が設けられている（図３、４参照）。これにより、ガラスの裏面で反射された反射光が、上部電極で反射されて生じる再反射光（破線で表示）を、反射防止膜１７により、防止または大きく低減できる。この結果、反射光（実線で表示）に対するノイズも大幅に低減され、鮮明な投影画像を得ることができる。

【0032】

なお、図６では、ミラー部３０の右側の圧電素子２０では圧電体層が縮む方向に、ミラー部３０の左側の圧電素子２０では圧電体層１４が伸びる方向に、それぞれ圧電素子に電圧が印加されている。図３、４に示すように、圧電素子２０では、例えばシリコンからなる基板５５の上に、例えばＰＺＴからなる圧電体層１４が設けられている。このため、圧電体層１４に電圧をかけて圧電体層１４を伸縮させることで、基板５５は伸縮しないため、圧電素子が、上に凸、または下に凸となるように反り、これによりミラー部３０の傾きを制御できる。

【0033】

具体的には、図６の場合、ミラー部３０を挟んで右側の圧電素子２０の圧電体層１４が縮み、左側の圧電素子２０の圧電体層１４が伸びるように電圧が印加されている。これにより、ミラー部３０の回転軸ａ１（図１参照）を中心に、右側の第２連結軸４は下方（－Ｙ軸）右側（＋Ｘ軸）方向に引っ張られ、一方、左側の第２連結軸４は上方（＋Ｙ軸）左側（－Ｘ軸）方向に引っ張られる。この結果、ミラー部３０は、回転軸ａ１の周りで、Ｙ軸方向に見て右方向（時計周り）に回転して傾斜する。これにより、ミラー部３０での入射光の反射方向を制御できる。

【0034】

ここでは、反射防止膜１７を保護膜１６の直上に設けたが、再反射を防止できる限り、バリア膜１８の上やパッシベーション膜３３の上のように、反射防止膜１７の上方であれば他の位置でも構わない。

【0035】

次に、図７、８を用いて、上部電極の反射特性について説明する。図７は、入射光の波長と反射率との関係であり、（１）はミラー部での反射率、（２）は従来構造の上部電極での反射率、（３）は本発明の上部電極での反射率を示す。

【0036】

（１）ミラー部は、ＳｉＯ₂パッシベーション膜／ＡｌＣｕマイクロミラーからなり、（２）従来の上部電極は、ＳｉＯ₂パッシベーション膜／ＳｉＯ₂絶縁膜／Ｉｒ保護膜／ＩｒＯ₂電極層からなり、（３）本発明にかかる上部電極は、ＳｉＯ₂パッシベーション膜／ＳｉＯ₂絶縁膜／ＩｒＯ₂反射防止膜／Ｉｒ保護膜／ＩｒＯ₂電極層からなる。測定波長領域は４００ｎｍ～８００ｎｍとした（４６０ｎｍが青色、５２０ｎｍが緑色、６４０ｎｍが赤色に相当する）。なお、ここではＩｒＯ₂反射防止膜の膜厚は７０ｎｍとし、他の膜厚は上述のとおりとした。

【0037】

図７に示すように、全波長領域（４００～８００ｎｍ）において、（１）ミラー部の反射率は８０～９０％、（２）従来の上部電極では４０～７０％、であるのに対して、（３）本発明にかかる上部電極では、０～３５％となり、特に、光の３原色である青色、緑色、赤色（ＲＧＢ）の波長域では、１０％以下の低い反射率が得られた。

【0038】

このように、本発明にかかる反射防止膜を備えた上部電極を用いることにより、ミラー部の反射率に対して、上部電極での反射率を、２５％以下、特にＲＧＢの波長領域では１５％以下とすることが可能となる。

【0039】

次に、図８は本発明にかかる上部電極中のＩｒＯ₂反射防止膜の膜厚を変化させたときの、４００～８００ｎｍの波長領域における反射率のシミュレーション結果である。各グラフは、ＩｒＯ₂反射防止膜の膜厚が、（ａ）０ｎｍ（従来構造：反射防止膜なし）、（ｂ）１０ｎｍ、（ｃ）２０ｎｍ、（ｄ）３０ｎｍ、（ｅ）４０ｎｍ、（ｆ）５０ｎｍ、（ｇ）６０ｎｍ、（ｈ）７０ｎｍ、（ｉ）８０ｎｍ、（ｊ）９０ｎｍ、（ｋ）１００ｎｍの場合を示す。

【0040】

図８から、ＩｒＯ₂反射防止膜の膜厚が（ｄ）３０ｎｍ～（ｋ）１００ｎｍ、好ましくは（ｆ）５０ｎｍ～（ｇ）１００ｎｍにおいて、全波長領域で２０％以下の低い反射率となることがわかる。

【0041】

なお、図３に示すように、配線層２７は、反射防止膜１７をエッチングして形成したバイアホールを介して保護膜１６に電気的に接続される。反射防止膜１７の膜厚が大きすぎるとバイアホールの形成が難しくなるため、反射防止膜１７の膜厚は１００ｎｍ以下が好ましく、さらに７０ｎｍ以下が好ましい。

【0042】

次に、図９に、従来構造の圧電素子（反射防止膜なし）と、本発明の圧電素子（反射防止膜あり）について、圧電体層の容量特性を測定した結果を示す。圧電素子の各層の材料や膜厚は、図３を用いて説明したものと同じである。横軸が測定点および測定回数、縦軸が容量の測定値であり、横軸において、Ｉ～ＩＶは測定点を、１～６は各測定点における測定回数を示す。

【0043】

本発明の圧電素子、従来の圧電素子とも、容量の測定値は５．５ｆＦ／μｍ²前後となり、反射防止膜の形成が圧電素子の容量特性に影響しないことがわかる。即ち、本発明において、反射防止膜を追加で設けても、駆動部１０の圧電素子２０を用いたミラー部３０の制御に影響はないことがわかる。

【0044】

図１０は、従来構造の圧電素子（反射防止膜なし）と、本発明の圧電素子（反射防止膜あり）について、圧電体層の上部電極のコンタクト抵抗の測定結果である。コンタクト抵抗の測定は、配線層２７と電極層１５との間で行った。

【0045】

図１０から、本発明の圧電素子、従来の圧電素子とも、コンタクト抵抗は２．０～２．５Ωで、反射防止膜の形成が上部電極のコンタクト抵抗に影響しないことがわかる。むしり、反射防止膜を設けた本発明の上部電極の方が、従来構造に比較してコンタクト抵抗が小さくなっているが、これは反射防止膜をエッチングしてバイアホールを形成する際に、反射防止膜の下の電極層１５の表面もエッチングされて酸化膜等が除去されたためと考えられる。

【0046】

次に、図１１、１２は、従来構造のＭＥＭＳミラーおよび本発明にかかるＭＥＭＳミラーの電極に電圧を印加した場合の、印加電圧とミラー部の変位量との関係を示す。図１１は、ミラー部３０のマイクロミラー３１の下方に有るＳＯＩ構造（基板５１、絶縁膜５３、基板５５）の膜厚が１００μｍの場合、図１２は、４０μｍの場合である。ＳＯＩ構造の膜厚の違いは、基板５１の膜厚の違いによる。図１１、１２中、白色の丸は従来構造の圧電素子（反射防止膜なし）、白色の四角は本発明の圧電素子（反射防止膜あり）を示す。

【0047】

図１１、１２の双方において、白い丸と白い四角はほぼ重なり、ＳＯＩ構造の膜厚、即ちミラー部の重さによらず、従来構造のＭＥＭＳミラーと本発明にかかるＭＥＭＳミラーで、ほぼ同じ変位特性が得られた。即ち、圧電素子の反射防止膜を形成しても、ミラー部の制御性に影響を与えないことがわかる。

【0048】

以上で述べたように、本発明にかかるＭＥＭＳミラー１００では、圧電素子２０の上部電極が反射防止膜を有することにより、圧電体層の容量特性、上部電極のコンタクト抵抗、およびミラー部の制御性に影響を与えることなく、上部電極での再反射を防止または大きく低減できることがわかる。

【0049】

＜付記＞
本開示は、
基板と、
基板に設けられた凹部と、
凹部内に第１連結軸で中空に支持されたミラー部と、
ミラー部を挟んでその両側に配置された１対の駆動部であって、
第１連結軸に接続された第２連結軸と、
第２連結軸に接続されて中空に支持され、基板の表面から上方に向かって、第１電極層、圧電体層、および第２電極層が順次積層された圧電素子と、
を備えた駆動部と、を含み、
第１電極層と第２電極層の間に電圧を印加して圧電体層を伸縮させることで、第１連結軸に沿った回転軸の周りでミラー部を回転させ、ミラー部に入射する入射光の反射方向を制御するＭＥＭＳミラーであって、
第２電極層の上方に、さらに入射光に対する反射防止膜を含むＭＥＭＳミラーである。
駆動部をかかる構成とすることで、マイクロミラーを駆動する圧電素子上での反射を防止し、ノイズを低減したＭＥＭＳミラーの提供が可能となる。

【0050】

本開示では、第２電極層の上に、保護膜を介して反射防止膜が設けられる。
マイクロミラーを駆動する圧電素子上での反射を防止し、ノイズを低減したＭＥＭＳミラーの提供が可能となる。

【0051】

本開示では、第２電極層と反射防止膜とは同一材料から形成される。
第２電極層と反射防止膜とを同一材料から形成することにより、上部電極の作製が容易になる。

【0052】

本開示では、反射防止膜は、酸化イリジウム、窒化チタン、クロム、および酸化ストロンチウムからなる群から選択される材料からなる単層膜または積層膜である。
反射防止膜にこのような材料を用いることにより、反射を防止し、または反射率を低く抑えることが可能となる。

【0053】

本開示では、第２電極層および反射防止膜は酸化イリジウムから形成され、保護膜はイリジウムから形成される。
上部電極の作製が容易になると共に、反射を防止しまたは反射率を低く抑えることが可能となる。

【0054】

本開示では、入射光に対する反射防止膜の反射率は、入射光に対するミラー部の反射率の２５％以下である。
反射防止膜での反射に起因するノイズ等を有効に抑制することが可能となる。

【0055】

本開示では、反射防止膜は、可視光領域の入射光に対して、３５％以下の反射率を有する。
反射防止膜での反射に起因するノイズ等を有効に抑制することが可能となる。

【0056】

本開示では、反射防止膜の膜厚は、３０ｎｍ以上でかつ１００ｎｍ以下である。
反射防止膜をこのような膜厚とすることで、有効な反射防止効果を奏すると共に、反射防止膜を貫通するバイアホールの作製も容易になる。

【0057】

本開示では、反射防止膜の膜厚は、５０ｎｍ以上でかつ７０ｎｍ以下である。
反射防止膜をこのような膜厚とすることで、有効な反射防止効果を奏すると共に、反射防止膜を貫通するバイアホールの作製も容易になる。

【0058】

本開示は、
上述のＭＥＭＳミラーと、
ＭＥＭＳミラーを内部に搭載するパッケージと、を含み、
パッケージは、入射光が透過し、ミラー部で反射されて再度透過する透明部を有するＭＥＭＳミラー装置である。
かかるＭＥＭＳミラー装置では、ミラー部で反射された反射光の一部が、透明部で反射されてミラー部の周囲の圧電素子に入射しても、圧電素子での再度の反射を防止または抑制することが可能となる。

【産業上の利用可能性】

【0059】

本発明は、ＭＥＭＳミラー、特に圧電素子でマイクロミラーを駆動する圧電式ＭＥＭＳミラーに適用できる。

【符号の説明】

【0060】

４ 第２連結軸
５ 第１連結軸
１０ 駆動部
１３ 電極層（第１電極層）
１４ 圧電体層
１５ 電極層（第２電極層）
１６ 保護膜
１７ 反射防止膜
２０ 圧電素子
２７ 配線層
２３ 下部電極
２５ 上部電極
３０ ミラー部
５０ 枠部
１００ ＭＥＭＳミラー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】