特開 2024-141466 電気光学装置、および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024141466

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/852 20230101AFI20241003BHJP

   H10K 59/123 20230101ALI20241003BHJP

   H10K 50/856 20230101ALI20241003BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20241003BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H10K50/852

H10K59/123

H10K50/856

H10K59/35

G09F9/30 365

G09F9/30 338

G09F9/30 349D

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023053142

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003177

【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】太田 人嗣

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC33

3K107DD10

3K107DD39

3K107DD90

3K107EE03

3K107EE33

3K107FF15

5C094AA02

5C094BA27

5C094DA13

5C094DB01

5C094EA05

5C094EA07

5C094ED11

(57)【要約】

【課題】表示品位の低下が低減された電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、基板と、第１電極と、第２電極と、第３電極と、第１反射層と、第２反射層と、発光機能層と、第１光学調整層と、第２光学調整層と、第１駆動回路と、第２駆動回路と、基板の法線方向における第１位置において第２電極と接し、第２電極と第１反射層とを電気的に接続するための第１導電部と、法線方向における第２位置において第３電極と接し、第３電極と第２反射層とを電気的に接続するための第２導電部と、を備え、第２電極の第１発光領域と第１反射層との間の第１距離、第３電極の第２発光領域と第２反射層との間の第２距離、第１反射層と第１位置との第３距離、第２反射層と第２位置との第４距離としたとき、第１距離は、第２距離より大きく、第３距離と第４距離との差は、第１距離と第２距離との差よりも小さい。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
半透過性を有する第１電極と、
透光性を有し、前記第１電極と前記基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第２電極と、
透光性を有し、前記第１電極と前記基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第３電極と、
前記基板と前記第２電極との間に設けられ、前記第２電極と対向する第１反射層と、
前記基板と前記第３電極との間に設けられ、前記第３電極と対向する第２反射層と、
前記第１電極と前記第２電極との間、および前記第１電極と前記第３電極との間に設けられる発光機能層と、
前記第２電極と前記第１反射層との間に設けられる第１光学調整層と、
前記第３電極と前記第２反射層との間に設けられる第２光学調整層と、
前記基板に設けられ、前記第２電極に供給される電流量を制御する第１駆動回路と、
前記基板に設けられ、前記第３電極に供給される電流量を制御する第２駆動回路と、
前記基板の法線方向における第１位置において前記第２電極と接し、前記第２電極と前記第１反射層とを電気的に接続するための第１導電部と、
前記法線方向における第２位置において前記第３電極と接し、前記第３電極と前記第２反射層とを電気的に接続するための第２導電部と、を備え、
前記第２電極は、第１波長域の光が透過する第１発光領域を有し、
前記第３電極は、第２波長域の光が透過する第２発光領域を有し、
前記第２電極の前記第１発光領域と前記第１反射層との間の前記法線方向における距離を第１距離、
前記第３電極の前記第２発光領域と前記第２反射層との間の前記法線方向における距離を第２距離、
前記法線方向における前記第１反射層と前記第１位置との距離を第３距離、
前記法線方向における前記第２反射層と前記第２位置との距離を第４距離、としたとき、
前記第１距離は、前記第２距離より大きく、
前記第３距離と前記第４距離との差は、前記第１距離と前記第２距離との差よりも小さい、
ことを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記第１導電部および前記第２導電部のそれぞれは、コンタクトプラグである、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

透光性を有し、前記第１電極と前記基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第４電極と、
前記基板と前記第４電極との間に設けられ、前記第４電極と対向する第３反射層と、
前記第４電極と前記第３反射層との間に設けられる第３光学調整層と、
前記基板に設けられ、前記第４電極に供給される電流量を制御する第３駆動回路と、
前記法線方向における第３位置において前記第４電極と接し、前記第４電極と前記第３反射層とを電気的に接続するための第３導電部と、をさらに備え、
前記発光機能層は、前記第１電極と前記第４電極との間に設けられ、
前記第４電極は、第３波長域の光が透過する第３発光領域を有し、
前記第４電極の前記第３発光領域と前記第３反射層との間の前記法線方向における距離を第５距離、
前記法線方向における前記第３反射層と前記第３位置との距離を第６距離、としたとき、
前記第２距離は、前記第５距離より大きく、
前記第４距離と前記第６距離との差は、前記第２距離と前記第５距離との差よりも小さい、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記第３距離と前記第２距離との差は、前記第１距離と前記第２距離との差よりも小さく、
前記第２距離と前記第６距離との差は、前記第２距離と前記第５距離との差よりも小さい、
請求項３に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記第２電極、前記第３電極、および前記第４電極は、前記法線方向と交差する第１方向に並び、
前記第１位置、前記第２位置、および前記第３位置は、前記第１方向に並ぶ、
請求項３に記載の電気光学装置。

【請求項6】

前記第４電極は、前記第３電極に対して前記法線方向と交差する第１方向に並び、
前記第２電極は、前記第３電極に対して前記法線方向および前記第１方向のそれぞれと交差する第２方向に並び、
平面視において、前記第１発光領域と前記第３位置との間の距離は、前記第１発光領域と前記第３発光領域との間の距離よりも短い、
請求項４に記載の電気光学装置。

【請求項7】

前記第４電極は、前記第３電極に対して前記法線方向と交差する第１方向に並び、
前記第２電極は、前記第３電極に対して前記法線方向および前記第１方向のそれぞれと交差する第２方向に並び、
前記第１位置と前記第３位置との間の距離は、前記第１発光領域と前記第３発光領域との間の距離よりも短い、
請求項３に記載の電気光学装置。

【請求項8】

請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置および有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の電気光学装置が知られている。かかる装置の一例として、特許文献１に記載の表示装置が挙げられる。

【0003】

当該文献の表示装置では、基板と、絶縁層と、複数の反射板と、複数の第１の電極と、エレクトロルミネッセンス層と、第２の電極と、を備える。基板には、複数の薄膜トランジスターを含む駆動回路が設けられる。複数の第１の電極は、絶縁層上に設けられ、マトリクス状に２次元配置される。第１の電極は、第１の面と第２の面とを含む。複数の反射板は、複数の第１の電極の第２の面にそれぞれ対向して設けられる。第２の電極は、複数の第１の電極の第１の面に対向して設けられる。エレクトロルミネッセンス層は、複数の第１の電極と第２の電極との間に設けられる。

【0004】

かかる表示装置では、エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振させる複数の共振器構造が、複数の反射板と第２の電極とにより構成される。また、複数の反射板と複数の第１の電極との間には、光学調整層が設けられる。当該光学調整層の厚さは、各色のサブ画素ごとに異なり、当該光学調整層によって各共振器構造における光路長が調整されている。また、かかる文献では、基板に設けられた各駆動回路の薄膜トランジスターが、コンタクトプラグを介して第１電極に電気的に接続される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２２－５４０４８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

光学調整層の厚さが異なることで、薄膜トランジスターと第１電極との間の距離は、各色のサブ画素ごとに異なる。したがって、コンタクトプラグのアスペクト比も、各色のサブ画素ごとに異なる。このため、例えば、ある色に対応するコンタクトの上面と、他の色に対応するコンタクトの上面との間に、段差が生じてしまう。このようなコンタクトに起因する段差に光が当たると迷光が生じてしまい、電気光学装置の表示品位が低下するおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

以上の課題を解決するために、本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、基板と、半透過性を有する第１電極と、透光性を有し、前記第１電極と前記基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第２電極と、透光性を有し、前記第１電極と前記基板との間に設けられ、前記第１電極と対向する第３電極と、前記基板と前記第２電極との間に設けられ、前記第２電極と対向する第１反射層と、前記基板と前記第３電極との間に設けられ、前記第３電極と対向する第２反射層と、前記第１電極と前記第２電極との間、および前記第１電極と前記第３電極との間に設けられる発光機能層と、前記第２電極と前記第１反射層との間に設けられる第１光学調整層と、前記第３電極と前記第２反射層との間に設けられる第２光学調整層と、前記基板に設けられ、前記第２電極に供給される電流量を制御する第１駆動回路と、前記基板に設けられ、前記第３電極に供給される電流量を制御する第２駆動回路と、前記基板の法線方向における第１位置において前記第２電極と接し、前記第２電極と前記第１反射層とを電気的に接続するための第１導電部と、前記法線方向における第２位置において前記第３電極と接し、前記第３電極と前記第２反射層とを電気的に接続するための第２導電部と、を備え、前記第２電極は、第１波長域の光が透過する第１発光領域を有し、前記第３電極は、第２波長域の光が透過する第２発光領域を有し、前記第２電極の前記第１発光領域と前記第１反射層との間の前記法線方向における距離を第１距離、前記第３電極の前記第２発光領域と前記第２反射層との間の前記法線方向における距離を第２距離、前記法線方向における前記第１反射層と前記第１位置との距離を第３距離、前記法線方向における前記第２反射層と前記第２位置との距離を第４距離、としたとき、前記第１距離は、前記第２距離より大きく、前記第３距離と前記第４距離との差は、前記第１距離と前記第２距離との差よりも小さい。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態における電気光学装置を示す平面図である。

【図2】図１のサブ画素の等価回路図である。

【図3】図１の電気光学装置の１画素の平面図である。

【図4】図１の電気光学装置の断面を示す図である。

【図5】図４に示す電気光学装置の一部を示す図である。

【図6】第１変形例における１画素の平面図である。

【図7】第２変形例における１画素の平面図である。

【図8】第３変形例における１画素の平面図である。

【図9】第４変形例における１画素の平面図である。

【図10】電子機器の一例である虚像電気光学装置の一部を模式的に示す平面図である。

【図11】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0010】

また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。また、「要素α上の要素β」とは、要素αと要素βとが直接的に接触している構成のほか、要素αと要素βとが他の要素を介して間接的に接触している構成も含まれる。また、「要素αと要素βとが等しい」とは、実質的に等しければよく、製造上の誤差等を含む。また、「要素αと要素βとの差」とは、差の絶対値をいう。

【0011】

１．実施形態
１Ａ．電気光学装置の基本構成
図１は、実施形態における電気光学装置１００を示す平面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。また、Ｚ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」という。また、光透過性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が５０％以上であることをいう。

【0012】

また、以下の実施形態では、画素電極２３Ｒが「第２電極」に相当する。画素電極２３Ｇが「第３電極」に相当する。画素電極２３Ｂが「第４電極」に相当する。反射層２１Ｒが「第１反射層」に相当する。反射層２１Ｇが「第２反射層」に相当する。反射層２１Ｂが「第３反射層」に相当する。光学調整層２２Ｒが「第１光学調整層」に相当する。光学調整層２２Ｇが「第２光学調整層」に相当する。光学調整層２２Ｂが「第３光学調整層」に相当する。駆動回路３０Ｒが「第１駆動回路」に相当する。駆動回路３０Ｇが「第２駆動回路」に相当する。駆動回路３０Ｂが「第３駆動回路」に相当する。導電部４Ｒが「第１導電部」に相当する。導電部４Ｇが「第２導電部」に相当する。導電部４Ｂが「第３導電部」に相当する。発光領域ＡＲが「第１発光領域」に相当する。発光領域ＡＧが「第２発光領域」に相当する。発光領域ＡＢが「第３発光領域」に相当する。位置Ｐ１が「第１位置」に相当する。位置Ｐ２が「第２位置」に相当する。位置Ｐ３が「第３位置」に相当する。距離Ｄ１が「第１距離」に相当する。距離Ｄ２が「第２距離」に相当する。距離Ｄ３が「第３距離」に相当する。距離Ｄ４が「第４距離」に相当する。距離Ｄ５が「第５距離」に相当する。距離Ｄ６が「第６距離」に相当する。また、基板１０の法線方向Ａ１は、Ｚ１方向に一致する。Ｘ１方向は、「第１方向」の例示であって、法線方向Ａ１と交差する。Ｙ２方向は、「第２方向」の例示であって、法線方向Ａ１およびＸ１方向のそれぞれと交差する。

【0013】

図１に示す電気光学装置１００は、例えばフルカラーの画像を表示する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置である。電気光学装置１００は、例えば、フレキシブルディスプレイとして用いることが可能である。なお、画像には、文字情報のみを表示するものが含まれる。電気光学装置１００は、例えば、ヘッドマウントディスプレイにおいて画像を表示するマイクロディスプレイとして好適に用いられる。

【0014】

電気光学装置１００は、表示領域Ａ１０と周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、画像を表示する領域である。表示領域Ａ１０の平面視での形状は、ほぼ四角形であるが、他の形状でもよい。周辺領域Ａ２０は、表示領域Ａ１０の外側に設けられ、表示領域Ａ１０を平面視で囲む枠状の領域である。

【0015】

表示領域Ａ１０は、複数の画素Ｐを含む。各画素Ｐは、画像の表示における最小単位である。複数の画素Ｐは、例えば、Ｘ軸およびＹ軸に沿った行列状に配置される。各画素Ｐは、サブ画素ＰＢと、サブ画素ＰＧと、サブ画素ＰＲとを含む。サブ画素ＰＲは、赤色の波長域の光を出射する。サブ画素ＰＧは、緑色の波長域の光を出射する。サブ画素ＰＢは、青色の波長域の光を出射する。赤色の波長域は、「第１波長域」の例示であり、５８０ｎｍを超え、７００ｎｍ以下である。緑色の波長域は、「第２波長域」の例示であり、５００ｎｍ以上、５８０ｎｍ以下である。青色の波長域は、「第３波長域」の例示であり、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満である。

【0016】

以下では、サブ画素ＰＲ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＢを区別しない場合、サブ画素Ｐ０と表記する。サブ画素Ｐ０は、画素Ｐを構成する要素である。サブ画素Ｐ０は、表示する画像の最小単位である。サブ画素ＰＲ、サブ画素ＰＧ、サブ画素ＰＢによって、カラー画像の１つの画素Ｐが表現される。サブ画素Ｐ０は他のサブ画素Ｐ０とは独立して制御される。本実施形態では、サブ画素Ｐ０の配列は、ストライプ配列である。

【0017】

図１に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１と、透光性基板９と、を有する。電気光学装置１００は、いわゆるトップエミッション構造である。電気光学装置１００は、透光性基板９から光を出射させる。

【0018】

周辺領域Ａ２０には、データ線駆動回路１０１と、走査線駆動回路１０２と、制御回路１０３と、複数の外部端子１０４とが配置される。データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２は、各サブ画素Ｐ０に含まれる各部の駆動を制御する。制御回路１０３には、図示省略された上位回路から画像データが供給される。制御回路１０３は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２に供給し、画像の表示を制御する。図示省略するが、外部端子１０４には、上位回路との電気的な接続を図るためのＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板等が接続される。なお、電気光学装置１００には、図示省略された電源回路が電気的に接続される。

【0019】

１Ｂ．電気光学装置の電気的な構成
図２は、図１に示すサブ画素Ｐ０の等価回路図である。電気光学装置１００は、複数の走査線１３および複数のデータ線１４を有する。図２では、１つのサブ画素Ｐ０に対応する１つの走査線１３および１つのデータ線１４が図示される。走査線１３はＸ軸に沿って延在し、データ線１４はＹ軸に沿って延在する。なお、図示省略するが、複数の走査線１３と複数のデータ線１４は、格子状に配列される。また、各走査線１３は図１に示す走査線駆動回路１０２に接続され、各データ線１４は図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続される。

【0020】

図２に示すように、サブ画素Ｐ０は、発光素子２０と、駆動回路３０とを含む。発光素子２０は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）で構成される。発光素子２０は、画素電極２３と、第１電極２５と、発光機能層２４とを有する。画素電極２３は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられ、陽極として機能する。第１電極２５は、複数のサブ画素Ｐ０で共通であり、陰極として機能する。発光機能層２４は、画素電極２３と第１電極２５との間に配置される。発光素子２０では、画素電極２３から供給される正孔と、第１電極２５から供給される電子とが発光機能層２４で再結合することにより、発光機能層２４が光を発生させる。第１電極２５には、給電線１６が電気的に接続される。給電線１６には、図示省略されたい電源回路から低位側の電位Ｖctが供給される。画素電極２３は他の画素電極２３とは独立して互いに異なるように設定可能である。

【0021】

駆動回路３０は、発光素子２０の駆動を制御する画素回路であり、画素電極２３に供給される電流量を制御する。駆動回路３０は、スイッチング用トランジスター３１と、駆動用トランジスター３２と、保持容量３３とを有する。スイッチング用トランジスター３１のゲートは、走査線１３に電気的に接続される。また、スイッチング用トランジスター３１のソースまたはドレインの一方が、データ線１４に電気的に接続され、他方が、駆動用トランジスター３２のゲートに電気的に接続される。また、駆動用トランジスター３２のソースまたはドレインの一方が、給電線１５に電気的に接続され、他方が、画素電極２３に電気的に接続される。なお、給電線１５には、図示省略された電源回路から高位側の電位Ｖelが供給される。また、保持容量３３の一方の電極は、駆動用トランジスター３２のゲートに接続され、他方の電極は、給電線１５に接続される。

【0022】

走査線駆動回路１０２が走査信号をアクティブにすることで走査線１３が選択されると、選択されるサブ画素Ｐ０に設けられるスイッチング用トランジスター３１がオンする。すると、データ線１４からデータ信号が、選択される走査線１３に対応する駆動用トランジスター３２に供給される。駆動用トランジスター３２は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子２０に対して供給する。そして、発光素子２０は、駆動用トランジスター３２から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。また、走査線駆動回路１０２が走査線１３の選択を解除してスイッチング用トランジスター３１がオフした場合、駆動用トランジスター３２のゲートの電位は、保持容量３３により保持される。このため、発光素子２０は、スイッチング用トランジスター３１がオフした後も発光が可能である。

【0023】

なお、前述の駆動回路３０の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、駆動回路３０は、画素電極２３と駆動用トランジスター３２との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。

【0024】

１Ｃ．画素Ｐにおける平面的な配置
図３は、図１に示す電気光学装置１００の１画素Ｐの平面図である。図３では、１つの画素Ｐの要素が代表的に図示される。以下では、サブ画素ＰＲに関連する要素の符号の末尾に「Ｒ」を付し、サブ画素ＰＧに関連する要素の符号の末尾に「Ｇ」を付し、サブ画素ＰＢに関連する要素の符号の末尾に「Ｂ」を付す。なお、発光色ごとに区別しない場合には、符号の末尾の「Ｂ」、「Ｇ」および「Ｒ」を省略する。

【0025】

図３に示すように、素子基板１は、画素Ｐごとに、発光素子２０Ｒ、発光素子２０Ｇ、および発光素子２０Ｂの組を有する。発光素子２０Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる発光素子２０である。発光素子２０Ｇは、サブ画素ＰＧに設けられる発光素子２０である。発光素子２０Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる発光素子２０である。

【0026】

発光素子２０Ｒには、画素電極２３Ｒが設けられる。画素電極２３Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる画素電極２３である。発光素子２０Ｇには、画素電極２３Ｇが設けられる。画素電極２３Ｇは、サブ画素ＰＧに設けられる画素電極２３である。発光素子２０Ｂには、画素電極２３Ｂが設けられる。画素電極２３Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる画素電極２３である。

【0027】

画素電極２３Ｒは、発光領域ＡＲを有する。発光領域ＡＲからは、赤色の波長域を含む波長域の光が発せられる。発光領域ＡＲのＹ２方向には、後述の導電部４Ｒが設けられる。画素電極２３Ｇは、発光領域ＡＧを有する。発光領域ＡＧからは、緑色の波長域を含む波長域の光が発せられる。発光領域ＡＧのＹ２方向には、後述の導電部４Ｇが設けられる。画素電極２３Ｂは、発光領域ＡＢを有する。発光領域ＡＢからは、青色の波長域を含む波長域の光が発せられる。発光領域ＡＢのＹ２方向には、後述の導電部４Ｂが設けられる。

【0028】

また、図３に示す例では、発光領域ＡＲ、発光領域ＡＧおよび発光領域ＡＢのそれぞれの平面視での形状は、四角形であるが、他の形状でもよい。また、発光領域ＡＲ、発光領域ＡＧおよび発光領域ＡＢの平面視での形状は、互いに異なってもよいし、互いに等しくてもよい。

【0029】

１Ｄ．画素Ｐにおける断面構造
図４は、図１の電気光学装置１００の断面図である。なお、図４では、説明の便宜上、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲが有する各要素を１つの断面に示す。

【0030】

図４に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１と、接着層９０と、透光性基板９とを含む。素子基板１は、基板１０と、反射層２１Ｒと、反射層２１Ｇと、反射層２１Ｂと、光学調整部２２と、画素電極２３Ｒと、画素電極２３Ｇと、画素電極２３Ｂと、発光機能層２４と、第１電極２５と、封止層２６と、素子分離層２７と、着色層５とを含む。

【0031】

基板１０には、前述の駆動回路３０が設けられる。サブ画素ＰＲに設けられる駆動回路３０は、駆動回路３０Ｒであり、画素電極２３Ｒに供給される電流量を制御する。サブ画素ＰＧに設けられる駆動回路３０は、駆動回路３０Ｇであり、画素電極２３Ｇに供給される電流量を制御する。サブ画素ＰＢに設けられる駆動回路３０は、駆動回路３０Ｂであり、画素電極２３Ｂに供給される電流量を制御する。

【0032】

基板１０は、平板状の基部１１と、積層体１２とを含む。基部１１は、例えば、Ｐ型シリコン基板である。基部１１には、駆動回路３０Ｒ、駆動回路３０Ｇ、および駆動回路３０Ｂのそれぞれが有する前述の駆動用トランジスター３２が設けられる。

【0033】

駆動用トランジスター３２は、ドレイン・ソース領域３２１、ドレイン・ソース領域３２２、ゲート電極３２３、およびゲート絶縁層３２４を有する。詳細な図示は省略するが、基部１１には、Ｎウェルが形成される。当該Ｎウェルには、電位Ｖelが給電される。ドレイン・ソース領域３２１、およびドレイン・ソース領域３２２は、当該Ｎウェルの表面にイオンをドープすることにより形成されるＰ型拡散層である。基部１１上には、ゲート絶縁層３２４を介してゲート電極３２３が配置される。

【0034】

基部１１上には、積層体１２が配置される。積層体１２は、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料を含む複数の層間絶縁膜を含む。当該複数の層間絶縁膜間には、中継電極２１１、２１２、２１３および２１４が配置される。中継電極２１１は、導電性の接続部２１５を介してドレイン・ソース領域３２１に電気的に接続される。中継電極２１２は、導電性の接続部２１６を介してドレイン・ソース領域３２２に電気的に接続される。中継電極２１３は、導電性の接続部２１７を介して中継電極２１１に電気的に接続される。中継電極２１４は、導電性の接続部２１８を介して中継電極２１３に電気的に接続される。また、中継電極２１４には、導電性の接続部２１９が接続されている。

【0035】

なお、中継電極２１１～２１４のそれぞれは、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、または窒化チタン等の金属化合物を含み、単層でも複数層であってもよい。また、接続部２１５～２１９のそれぞれは、層間絶縁膜を貫通する孔であるコンタクトホールの内壁面に沿って形成されたトレンチ型の電極でもよいし、当該孔を埋めるコンタクトプラグでもよい。接続部２１５～２１８のそれぞれは、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等を含む。また、図示省略するが、基板１０には、前述のスイッチング用トランジスター３１、および各種配線が設けられる。

【0036】

基板１０上には、画素Ｐごとに、反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂが配置される。反射層２１Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる。反射層２１Ｒは、基板１０と画素電極２３Ｒとの間に設けられ、画素電極２３Ｒと対向する。反射層２１Ｇは、サブ画素ＰＧに設けられる。反射層２１Ｇは、基板１０と画素電極２３Ｇとの間に設けられ、画素電極２３Ｇと対向する。反射層２１Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる。反射層２１Ｂは、基板１０と画素電極２３Ｂとの間に設けられ、画素電極２３Ｂと対向する。

【0037】

反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂのそれぞれは、対応する中継電極２１４に接続部２１９を介して電気的に接続される。反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂのそれぞれは、光反射性を有しており、発光機能層２４で発する光を反射する。

【0038】

反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂの各材料としては、例えば、アルミニウム、銅（Ｃｕ）および銀（Ａｇ）等の金属、あるいはこれらの金属の合金が挙げられる。例えば、反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂのそれぞれは、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂの各厚さは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

【0039】

反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂは、互いに離間して配置され、その隙間を埋めるように埋込部２２０が配置される。埋込部２２０は、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含む。

【0040】

反射層２１Ｒ、反射層２１Ｇ、および反射層２１Ｂ上には、光学調整部２２が配置される。光学調整部２２は、調整層２２１、２２２、および２２３を含む。調整層２２１は、サブ画素ＰＲ、ＰＧおよびＰＢに一様に配置される。調整層２２２は、サブ画素ＰＲおよびＰＧに配置され、サブ画素ＰＢには配置されない。調整層２２３は、サブ画素ＰＲに配置され、サブ画素ＰＧおよびＰＢには配置されない。

【0041】

調整層２２１、２２２、および２２３の各材料としては、例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等の無機ケイ素材料が挙げられる。調整層２２１、２２２、および２２３の各厚さは、例えば、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

【0042】

また、光学調整部２２は、光学調整層２２Ｒ、光学調整層２２Ｇ、および光学調整層２２Ｂを含む。光学調整層２２Ｒは、光学調整部２２のうちサブ画素ＰＲに設けられる部分である。光学調整層２２Ｒは、画素電極２３Ｒと反射層２１Ｒとの間に設けられる。光学調整層２２Ｇは、光学調整部２２のうちサブ画素ＰＧに設けられる部分である。光学調整層２２Ｇは、画素電極２３Ｇと反射層２１Ｇとの間に設けられる。光学調整層２２Ｂは、光学調整部２２のうちサブ画素ＰＢに設けられる部分である。光学調整層２２Ｂは、画素電極２３Ｂと反射層２１Ｂとの間に設けられる。

【0043】

光学調整層２２Ｒの厚さ、光学調整層２２Ｇの厚さ、および光学調整層２２Ｂの厚さは、この順に大きい。光学調整層２２Ｒは、光学距離ＬＲを調整する層である。光学距離ＬＲは、第１電極２５の上面と、反射層２１Ｒの上面との間における光学的な距離である。光学距離ＬＲは、赤色の波長域に対応して設定される。光学調整層２２Ｇは、光学距離ＬＧを調整する層である。光学距離ＬＧは、第１電極２５の上面と、反射層２１Ｇの上面との間における光学的な距離である。光学距離ＬＧは、緑色の波長域に対応して設定される。光学調整層２２Ｂは、光学距離ＬＢを調整する層である。光学距離ＬＢは、第１電極２５の上面と、反射層２１Ｂの上面との間における光学的な距離である。光学距離ＬＢは、青色の波長域に対応して設定される。

【0044】

また、光学調整部２２には、画素Ｐごとに、導電部４Ｒ、導電部４Ｇ、および導電部４Ｂが配置される。導電部４Ｒは、導電性を有し、光学調整層２２Ｒを貫通する貫通孔を埋めるコンタクトプラグである。導電部４Ｒは、基板１０の法線方向Ａ１における位置Ｐ１において画素電極２３Ｒと接し、画素電極２３Ｒと反射層２１Ｒとを電気的に接続する。位置Ｐ１は、導電部４Ｒの上面である。導電部４Ｇは、導電性を有し、光学調整層２２Ｇを貫通する貫通孔を埋めるコンタクトプラグである。導電部４Ｇは、基板１０の法線方向Ａ１における位置Ｐ２において画素電極２３Ｇと接し、画素電極２３Ｇと反射層２１Ｇとを電気的に接続する。位置Ｐ２は、導電部４Ｇの上面である。導電部４Ｂは、導電性を有し、光学調整層２２Ｂを貫通する貫通孔を埋めるコンタクトプラグである。導電部４Ｂは、基板１０の法線方向Ａ１における位置Ｐ３において画素電極２３Ｂと接し、画素電極２３Ｂと反射層２１Ｂとを電気的に接続する。位置Ｐ３は、導電部４Ｂの上面である。

【0045】

導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各材料の材料としては、前述のように、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂは、タングステンを含むことが好ましい。タングステンは、これら金属等の中でも充填性に優れる。このため、タングステンを用いることで、アスペクト比の高い貫通孔を均質に埋めることができる。

【0046】

導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂのそれぞれは、単一材料で構成されてもよいし、複数層で形成されてもよい。例えば、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂのそれぞれは、バリア層と導電層とを含む。バリア層は、貫通孔を形成する内壁面に接触する。バリア層は、導電層の成分の拡散防止のために設けられる。導電層は、バリア層の内側に配置され、貫通孔を埋める。バリア層は、タングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）含むことが好ましい。導電層は、タングステンを含むことが好ましい。

【0047】

光学調整部２２上には、画素Ｐごとに、画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂが配置される。画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂのそれぞれは、光透過性を有する。画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂのそれぞれは、第１電極２５と基板１０との間に設けられ、第１電極２５と対向する。また、画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂの各材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料が挙げられる。画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂの各厚さは、例えば、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

【0048】

画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂ上には、素子分離層２７が配置される。素子分離層２７は、画素Ｐごとに、画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂに対応する３つの開口を有する。当該３つの開口によって、図３の発光領域ＡＲ、ＡＧ、およびＡＢが形成される。なお、各開口は、素子分離層２７に形成された孔である。また、素子分離層２７によって、画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、および画素電極２３Ｂは互いに絶縁される。素子分離層２７が設けられることで、サブ画素ＰＲ、ＰＧ、およびＰＢが確実に分離されるため、各色の鮮明さを高めることができる。素子分離層２７の材料としては、例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料が挙げられる。素子分離層２７の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。

【0049】

画素電極２３Ｒ、画素電極２３Ｇ、画素電極２３Ｂおよび素子分離層２７上には、発光機能層２４が配置される。発光機能層２４は、第１電極２５と画素電極２３Ｒとの間、第１電極２５と画素電極２３Ｇとの間、および第１電極２５と画素電極２３Ｂとの間に設けられる。発光機能層２４は、有機発光材料を含む発光層を有する。有機発光材料は、発光性の有機化合物である。また、発光機能層２４は、発光層以外に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層等を含む。発光機能層２４は、青色、緑色および赤色の各発光色が得られる発光層を含んで白色発光を実現する。なお、発光機能層２４の構成は、前述の構成に特に限定されるものではなく、公知の構成を適用することができる。

【0050】

発光機能層２４上には、第１電極２５が配置される。第１電極２５は、半透過性を有しており、光反射性および光透過性を有する。第１電極２５は、例えば、ＭｇＡｇ等のＡｇを含む合金等に金属材料を含む。

【0051】

第１電極２５上には、封止層２６が配置される。封止層２６は、ガスバリア性を有しており、封止層２６よりも下層部を外部からの水分または酸素等から保護する。また、封止層２６は、上面に平坦な面を提供するための平坦化層である。封止層２６は、例えば、複数の封止膜の積層体で構成される。各封止膜は、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料、またはエポキシ樹脂等の樹脂を含む。

【0052】

発光素子２０Ｒは、反射層２１Ｒと光学調整層２２Ｒと画素電極２３Ｒと発光機能層２４と第１電極２５とを有する。発光素子２０Ｇは、反射層２１Ｇと光学調整層２２Ｇと画素電極２３Ｇと発光機能層２４と第１電極２５とを有する。発光素子２０Ｂは、反射層２１Ｂと光学調整層２２Ｂと画素電極２３Ｂと発光機能層２４と第１電極２５とを有する。

【0053】

また、発光素子２０Ｒは、光共振構造２９Ｒを有する。光共振構造２９Ｒは、赤色の波長域の光を反射層２１Ｒと第１電極２５との間で共振させる。具体的には、発光機能層２４で発光する光を反射層２１Ｒと第１電極２５との間で多重反射させ、赤色の波長域の光を選択的に強める。発光素子２０Ｇは、光共振構造２９Ｇを有する。光共振構造２９Ｇは、緑色の波長域の光を反射層２１Ｇと第１電極２５との間で共振させる。具体的には、発光機能層２４で発光する光を反射層２１Ｇと第１電極２５との間で多重反射させ、緑色の波長域の光を選択的に強める。発光素子２０Ｂは、光共振構造２９Ｂを有する。光共振構造２９Ｂは、青色の波長域の光を反射層２１Ｂと第１電極２５との間で共振させる。具体的には、発光機能層２４で発光する光を反射層２１Ｂと第１電極２５との間で多重反射させ、青色の波長域の光を選択的に強める。

【0054】

光共振構造２９Ｒ、２９Ｇ、および２９Ｂの各共振波長をλ０とするとき、次のような関係式［１］が成り立つ。なお、関係式［１］中のΦ（ラジアン）は、反射層２１Ｒ、２１Ｇ、または２１Ｂと第１電極２５との間での透過および反射の際に生じる位相シフトの総和を表す。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］
取り出したい波長域の光のピーク波長が波長λ０となるよう、光学距離ＬＲ、ＬＧ、およびＬＢが設定される。この設定により、取り出したい波長域の光が増強され、当該光の高強度化およびスペクトルの狭幅化が図られることができる。

【0055】

封止層２６上には、着色層５が配置される。着色層５は、所定の波長域の光を選択的に透過させるカラーフィルターである。当該所定の波長域は、色ごとのピーク波長λ０を含む。着色層５を備えることで、着色層５を備えていない場合に比べ、各サブ画素Ｐ０から発せられる光の色純度を高めることができる。着色層５は、例えば、色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料等の樹脂材料で構成される。当該色材は、顔料または染料である。

【0056】

着色層５は、着色部５１Ｒと、着色部５１Ｇと、着色部５１Ｂとを有する。着色部５１Ｒは、サブ画素ＰＲに対応して設けられ、発光素子２０Ｒからの光のうち赤色の波長域の光を選択的に透過させる。着色部５１Ｇは、サブ画素ＰＧに対応して設けられ、発光素子２０Ｇからの光のうち緑色の波長域の光を選択的に透過させる。着色部５１Ｂは、サブ画素ＰＢに対応して設けられ、発光素子２０Ｂからの光のうち青色の波長域の光を選択的に透過させる。

【0057】

以上の素子基板１上には、接着層９０を介して透光性基板９が接合される。接着層９０は、例えば、エポキシ樹脂、およびアクリル樹脂等の樹脂材料を用いた透明な接着剤である。透光性基板９は、素子基板１を保護するカバーである。透光性基板９は、例えばガラス基板または石英基板で構成される。

【0058】

１Ｅ．共振器構造および導電部
図５は、図４に示す電気光学装置１００の一部を示す図である。前述のように、発光素子２０Ｒは、光共振構造２９Ｒを有する。発光素子２０Ｇは、光共振構造２９Ｇを有する。発光素子２０Ｂは、光共振構造２９Ｂを有する。

【0059】

光共振構造２９Ｒの共振波長は、光学距離ＬＲに応じて決定される。光共振構造２９Ｇの共振波長は、光学距離ＬＧに応じて決定される。光共振構造２９Ｂの共振波長は、光学距離ＬＢに応じて決定される。光学距離ＬＲの調整のため、光学調整層２２Ｒが設けられる。光学距離ＬＧの調整のため、光学調整層２２Ｇが設けられる。光学距離ＬＢの調整のため、光学調整層２２Ｂが設けられる。

【0060】

共振波長は、色毎に異なる。このため、光学距離ＬＲ、ＬＧ、およびＬＢは互いに異なる。具体的には、光学距離ＬＲ、ＬＧ、およびＬＢは、この順に長い。したがって、光学調整層２２Ｒ、２２Ｇ、および２２Ｂは、この順にＺ１方向に沿った厚さが厚い。それゆえ、距離Ｄ１は、距離Ｄ２よりも大きく、距離Ｄ２は、距離Ｄ５よりも大きい。距離Ｄ１は、画素電極２３Ｒの発光領域ＡＲと反射層２１Ｒと間の距離である。距離Ｄ２は、画素電極２３Ｇの発光領域ＡＧと反射層２１Ｇとの間の距離である。距離Ｄ５は、画素電極２３Ｂの発光領域ＡＢと反射層２１Ｒとの間の距離である。

【0061】

また、導電部４Ｒは、位置Ｐ１において画素電極２３Ｒと接触する。導電部４Ｇは、位置Ｐ２において画素電極２３Ｇと接触する。導電部４Ｂは、位置Ｐ３において画素電極２３Ｂと接触する。

【0062】

法線方向Ａ１における反射層２１Ｒと位置Ｐ１との距離を距離Ｄ３とする。また、法線方向Ａ１における反射層２１Ｇと位置Ｐ２との距離を距離Ｄ４とする。法線方向Ａ１における反射層２１Ｂと位置Ｐ３との距離を距離Ｄ６とする。

【0063】

本実施形態では、距離Ｄ３と距離Ｄ４との差は、前述の距離Ｄ１と距離Ｄ２との差よりも小さい。さらに、距離Ｄ４と距離Ｄ６との差は、前述の距離Ｄ２と距離Ｄ５との差よりも小さい。距離Ｄ１と距離Ｄ２との差、および距離Ｄ２と距離Ｄ５との差が小さいことで、位置Ｐ１、Ｐ２、およびＰ３の法線方向Ａ１での位置の差を小さくすることができる。つまり、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上面同士の高さの差を小さくすることができる。このため、図３に示すＸ１方向に並ぶ導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上面同士の間の段差を小さくすることができる。また、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上層部同士の間の段差を小さくすることができる。それゆえ、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂに起因する段差に光が当たって迷光が生じるおそれを従来よりも抑制することができる。よって、電気光学装置１００の表示品位の低下を従来よりも抑制することができる。

【0064】

また、光共振構造２９Ｒ、２９Ｇ、および２９Ｂを備えることで、光の各色の純度を向上させることができる。その一方、従来、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂ同士の間に段差に起因する迷光が生じてしまう。本実施形態によれば、光の各色の純度の向上を図ることができるとともに、段差による迷光を抑制することができる。よって、電気光学装置１００の表示品位を高めることができる。

【0065】

図示の例では、距離Ｄ３と距離Ｄ４と距離Ｄ６とは、互いに等しい。このため、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上面同士の間の段差をなくすことができる。また、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上層部同士の間の段差を小さくすることができる。それゆえ、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂに起因する段差に光が当たって迷光が生じるおそれを最も効果的に抑制することができる。

【0066】

また、距離Ｄ３と距離Ｄ４と距離Ｄ６とは、互いに等しいことで、これらを同一工程において一括で形成し易い。このため、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの歩留まりを向上させることができる。よって、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。

【0067】

また、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂのそれぞれは、コンタクトプラグである。このため、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上面に凹凸が生じ難い。このため、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂのそれぞれが所謂トレンチ型の電極である場合に比べ、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂに起因する凹凸を低減することができる。なお、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂのそれぞれは、所謂トレンチ型の電極であってもよい。

【0068】

また、距離Ｄ３と距離Ｄ２との差は、距離Ｄ１と距離Ｄ２との差よりも小さい。このため、距離Ｄ３を距離Ｄ１よりも距離Ｄ２に近づけることができる。さらに、距離Ｄ２と距離Ｄ６との差は、距離Ｄ２と距離Ｄ５との差よりも小さい。このため、距離Ｄ６を距離Ｄ５よりも距離Ｄ２に近づけることができる。また、距離Ｄ２と距離Ｄ４との差は、距離Ｄ１と距離Ｄ３との差、および距離Ｄ６と距離Ｄ５との差のそれぞれよりも小さい。よって、距離Ｄ３、Ｄ４およびＤ６を距離Ｄ２に近づけることができる。距離Ｄ２は、距離Ｄ１と距離Ｄ５との間の大きさであり、サブ画素ＰＧに対応する。距離Ｄ３、Ｄ４およびＤ６を距離Ｄ２に近づけることで、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂに起因する段差を特に効果的に抑制することができる。

【0069】

図示の例では、距離Ｄ３、Ｄ４およびＤ６のそれぞれは、距離Ｄ２に等しい。したがって、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの法線方向Ａ１の長さは、距離Ｄ２に等しい。導電部４Ｒ、４Ｇおよび４Ｂは、距離Ｄ２に対応しており、緑のサブ画素ＰＧに対応している。距離Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４およびＤ６が互いに等しいことで、図３に示す例において、画素電極２３Ｒの導電部４Ｒと平面視で重なる部分と、画素電極２３Ｇの導電部４Ｇと平面視で重なる部分と、画素電極２３Ｂの導電部４Ｂと平面視で重なる部分と、画素電極２３Ｇの発光領域ＡＧとの間の段差が無くなる。よって、距離Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４およびＤ５が互いに等しいことで、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂに起因する段差を最も効果的に抑制することができる。

【0070】

また、前述のように、本実施形態では、サブ画素Ｐ０の配列は、ストライプ配列である。このため、図３に示すように、サブ画素ＰＲ、ＰＧ、およびＰＢは、Ｘ１方向に並ぶ。それゆえ、画素電極２３Ｒ、２３Ｇおよび２３Ｂは、Ｘ１方向に並ぶ。また、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂは、Ｘ１方向に並ぶ。よって、位置Ｐ１、Ｐ２、およびＰ３は、Ｘ１方向に並ぶ。

【0071】

前述のように、位置Ｐ１、Ｐ２、およびＰ３は、Ｘ１方向に並ぶ場合、すなわち導電部４Ｒ、４Ｇおよび４Ｂの各上面がＸ１方向に並ぶ場合、導電部４Ｒ、４Ｇ、および４Ｂの各上面同士の間の段差を低減する効果が顕著に発揮される。よって、導電部４Ｒ、導電部４Ｇ、および導電部４Ｂの各上層部における段差を低減する効果が顕著に発揮される。

【0072】

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。

【0073】

２－１．第１変形例
図６は、第１変形例における１画素Ｐの平面図である。図６に示す例では、サブ画素Ｐ０の配列は、ベイヤー配列である。図６に示す例では、１画素Ｐは、２つのサブ画素ＰＧを含む。１つのサブ画素ＰＧとサブ画素ＰＢとは、Ｘ１方向に並ぶ。当該１つのサブ画素ＰＧとサブ画素ＰＲとは、Ｙ２方向に並ぶ。また、１つのサブ画素ＰＧと他のサブ画素ＰＧとは、平面視でＸ１方向およびＹ１方向と交差する方向に並ぶ。

【0074】

画素電極２３Ｂは、平面視で、図６中に左斜め上の画素電極２３Ｇに対してＸ１方向に並ぶ。画素電極２３Ｒは、当該画素電極２３Ｇに対してＹ２方向に並ぶ。また、図６中に右斜め下の画素電極２３Ｇは、図６中に左斜め上の画素電極２３Ｇとは、平面視でＸ１方向およびＹ１方向と交差する方向に並ぶ。

【0075】

導電部４Ｒは、画素電極２３Ｒの図中右斜め下に配置される。導電部４Ｇは、画素電極２３Ｇの図中右斜め下に配置される。導電部４Ｂは、画素電極２３Ｂの図中右斜め下に配置される。また、発光領域ＡＲは、平面視で、導電部４Ｒとは異なる位置に設けられ、導電部４Ｒと重ならない。発光領域ＡＧは、平面視で、導電部４Ｇとは異なる位置に設けられ、導電部４Ｇと重ならない。発光領域ＡＢは、平面視で、導電部４Ｂとは異なる位置に設けられ、導電部４Ｂと重ならない。

【0076】

平面視において、発光領域ＡＲと導電部４Ｂとの間の最短の距離は、発光領域ＡＲと発光領域ＡＢとの間の最短の距離よりも短い。よって、平面視において、発光領域ＡＲと位置Ｐ３との間の距離は、発光領域ＡＲと発光領域ＡＢとの間の距離よりも短い。この場合に、距離Ｄ３、Ｄ４およびＤ６がサブ画素ＰＧの距離Ｄ２に対応することで、発光領域ＡＲと、画素電極２３Ｂのうちの導電部４Ｂと平面視で重なる部分との間の段差を低減することができる。このため、導電部４Ｂに起因する段差による迷光の発生を低減することができる。

【0077】

２－２．第２変形例
図７は、第２変形例における１画素Ｐの平面図である。第２変形例では第１変形例との相違点を説明する。図７に示す第２変形例では、導電部４Ｒは、平面視で、発光領域ＡＲ内に設けられており、発光領域ＡＲと重なっている。導電部４Ｇは、平面視で、発光領域ＡＧ内に設けられており、発光領域ＡＧと重なっている。導電部４Ｂは、平面視で、発光領域ＡＢ内に設けられており、発光領域ＡＢと重なっている。

【0078】

第２変形例によっても、例えば、発光領域ＡＲと、画素電極２３Ｂのうち導電部４Ｂと平面視で重なる部分との段差が低減することができる。このため、導電部４Ｂに起因する段段差による迷光の発生を低減することができる。

【0079】

２－３．第３変形例
図８は、第３変形例における１画素Ｐの平面図である。第３変形例では第１変形例との相違点を説明する。図８に示す第３変形例では、導電部４Ｒ、２つの導電部４Ｇ、および導電部４Ｂが、平面視で、１画素Ｐの中心部に集まっている。このため、位置Ｐ１と位置Ｐ３との間の最短の距離は、発光領域ＡＲと発光領域ＡＢとの間の最短の距離よりも短い。

【0080】

導電部４Ｒ、２つの導電部４Ｇ、および導電部４Ｂが、平面視で１画素Ｐの中心部に集まっていることで、実施形態と同様に、導電部４Ｒ、２つの導電部４Ｇ、および導電部４Ｂの各上面同士の間の段差を低減する効果が顕著に発揮される。よって、導電部４Ｒ、２つの導電部４Ｇ、および導電部４Ｂの各上層部における段差を低減する効果が顕著に発揮される。

【0081】

２－４．第４変形例
図９は、第４変形例における１画素Ｐの平面図である。図９に示すサブ画素Ｐ０の配列は、ストライプ配列である。図９に示すように、導電部４Ｒは、平面視で、発光領域ＡＲ内に設けられており、発光領域ＡＲと重なっていてもよい。導電部４Ｇは、平面視で、発光領域ＡＧ内に設けられており、発光領域ＡＧと重なっていてもよい。導電部４Ｂは、平面視で、発光領域ＡＢ内に設けられており、発光領域ＡＢと重なっていてもよい。

【0082】

２－５．その他の変形例
前述の実施形態では、１画素Ｐは、サブ画素ＰＲ、ＰＧ、およびＰＢを含む。しかし、１画素Ｐは、サブ画素ＰＲ、ＰＧ、およびＰＢのうちのいずれか２つを含み、残りの１つを省略してもよい。この場合、「第４電極」、「第３反射層」、「第３光学調整層」、「第３駆動回路」、「第３発光領域」、「第３位置」、「第５距離」、および「第６距離」は、省略される。

【0083】

例えば、１画素Ｐが、サブ画素ＰＲ、およびＰＢを含む場合、以下のようになる。画素電極２３Ｒが「第２電極」に相当し、画素電極２３Ｂが「第３電極」に相当する。反射層２１Ｒが「第１反射層」に相当し、反射層２１Ｂが「第２反射層」に相当する。光学調整層２２Ｒが「第１光学調整層」に相当し、光学調整層２２Ｂが「第２光学調整層」に相当する。駆動回路３０Ｒが「第１駆動回路」に相当し、駆動回路３０Ｂが「第２駆動回路」に相当する。導電部４Ｒが「第１導電部」に相当し、導電部４Ｂが「第２導電部」に相当する。発光領域ＡＲが「第１発光領域」に相当し、発光領域ＡＢが「第２発光領域」に相当する。位置Ｐ１が「第１位置」に相当し、位置Ｐ３が「第２位置」に相当する。距離Ｄ１が「第１距離」に相当し、距離Ｄ５が「第２距離」に相当し、距離Ｄ３が「第３距離」に相当すし、距離Ｄ６が「第４距離」に相当する。「第１波長域」は、赤色の波長域に相当し、「第２波長域」は、青色の波長域に相当する。

【0084】

例えば、１画素Ｐが、サブ画素ＰＧ、およびＰＢを含む場合、以下のようになる。画素電極２３Ｇが「第２電極」に相当し、画素電極２３Ｂが「第３電極」に相当する。反射層２１Ｇが「第１反射層」に相当し、反射層２１Ｂが「第２反射層」に相当する。光学調整層２２Ｇが「第１光学調整層」に相当し、光学調整層２２Ｂが「第２光学調整層」に相当する。駆動回路３０Ｇが「第１駆動回路」に相当し、駆動回路３０Ｂが「第２駆動回路」に相当する。導電部４Ｇが「第１導電部」に相当し、導電部４Ｂが「第２導電部」に相当する。発光領域ＡＧが「第１発光領域」に相当し、発光領域ＡＢが「第２発光領域」に相当する。位置Ｐ２が「第１位置」に相当し、位置Ｐ３が「第２位置」に相当する。距離Ｄ２が「第１距離」に相当し、距離Ｄ５が「第２距離」に相当し、距離Ｄ４が「第３距離」に相当すし、距離Ｄ６が「第４距離」に相当する。「第１波長域」は、緑色の波長域に相当し、「第２波長域」は、青色の波長域に相当する。

【0085】

また、サブ画素Ｐ０の配列は、ストライプ配列、およびベイヤー配列に限定されず、例えば、レクタングル配列、またはデルタ配列等の他の配列でもよい。

【0086】

３．電子機器
前述の実施形態の電気光学装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。

【0087】

３－１．ヘッドマウントディスプレイ
図１０は、電子機器の一例である虚像電気光学装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図１０に示す虚像電気光学装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像電気光学装置７００は、前述した電気光学装置１００と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４と、制御部７９と、を備える。なお、電気光学装置１００から出射される光は、映像光ＬＬとして出射される。

【0088】

制御部７９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。コリメーター７１は、電気光学装置１００と導光体７２との間に配置される。コリメーター７１は、電気光学装置１００から出射された光を平行光にする。コリメーター７１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター７１で平行光に変換された光は、導光体７２に入射する。

【0089】

導光体７２は、平板状をなし、コリメーター７１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体７２は、その内部で光を反射して導光する。導光体７２のコリメーター７１と対向する面７２１には、光が入射する光入射口と、光を出射する光出射口が設けられる。導光体７２の面７２１とは反対側の面７２２には、回折光学素子としての第１反射型体積ホログラム７３および回折光学素子としての第２反射型体積ホログラム７４が配置される。第１反射型体積ホログラム７３は、第２反射型体積ホログラム７４よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム７３および第２反射型体積ホログラム７４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。

【0090】

かかる構成の虚像電気光学装置７００では、光入射口から導光体７２内に入射した映像光ＬＬが、反射を繰り返して進み、光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光ＬＬにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。

【0091】

虚像電気光学装置７００は、前述の電気光学装置１００を備える。前述の電気光学装置は表示品位が良好である。このため、電気光学装置１００を備えることで、表示品質の高い虚像電気光学装置７００を提供することができる。

【0092】

なお、虚像電気光学装置７００は、電気光学装置１００から出射される光を合成するダイクロイックプリズム等の合成素子を備えてもよい。その場合、虚像電気光学装置７００は、例えば、青色の波長域の光を出射する電気光学装置１００、緑色の波長域の光を出射する電気光学装置１００および赤色の波長域の光を出射する電気光学装置１００を備えることができる。

【0093】

３－２．パーソナルコンピューター
図１１は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図２１に示すパーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、制御部４０９とを備える。制御部４０９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１００を備えるため、品質に優れる。

【0094】

なお、電気光学装置１００を備える「電子機器」としては、図１０に例示した虚像電気光学装置７００および図１１に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。

【0095】

以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。

【符号の説明】

【0096】

１…素子基板、４Ｂ…導電部、４Ｇ…導電部、４Ｒ…導電部、５…着色層、９…透光性基板、１０…基板、１１…基部、１２…積層体、１３…走査線、１４…データ線、１５…給電線、１６…給電線、２０…発光素子、２０Ｂ…発光素子、２０Ｇ…発光素子、２０Ｒ…発光素子、２１Ｂ…反射層、２１Ｇ…反射層、２１Ｒ…反射層、２２…光学調整部、２２Ｂ…光学調整層、２２Ｇ…光学調整層、２２Ｒ…光学調整層、２３…画素電極、２３Ｂ…画素電極、２３Ｇ…画素電極、２３Ｒ…画素電極、２４…発光機能層、２５…第１電極、２６…封止層、２７…素子分離層、２９Ｂ…光共振構造、２９Ｇ…光共振構造、２９Ｒ…光共振構造、３０…駆動回路、３０Ｂ…駆動回路、３０Ｇ…駆動回路、３０Ｒ…駆動回路、３１…スイッチング用トランジスター、３２…駆動用トランジスター、３３…保持容量、５１…着色部、５１Ｂ…着色部、５１Ｇ…着色部、５１Ｒ…着色部、７１…コリメーター、７２…導光体、７３…第１反射型体積ホログラム、７４…第２反射型体積ホログラム、７９…制御部、９０…接着層、１００…電気光学装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…制御回路、１０４…外部端子、２１１…中継電極、２１２…中継電極、２１３…中継電極、２１４…中継電極、２１５…接続部、２１６…接続部、２１７…接続部、２１８…接続部、２１９…接続部、２２０…埋込部、２２１…調整層、２２２…調整層、２２３…調整層、３２１…ドレイン領域、３２２…ソース領域、３２３…ゲート電極、３２４…ゲート絶縁層、４００…パーソナルコンピューター、４０１…電源スイッチ、４０２…キーボード、４０３…本体部、４０９…制御部、７００…虚像電気光学装置、７２１…面、７２２…面、Ａ１…法線方向、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、ＡＢ…発光領域、ＡＧ…発光領域、ＡＲ…発光領域、Ｄ１…距離、Ｄ２…距離、Ｄ３…距離、Ｄ４…距離、Ｄ５…距離、Ｄ６…距離、ＥＹ…瞳、ＬＢ…光学距離、ＬＧ…光学距離、ＬＲ…光学距離、ＬＬ…映像光、Ｐ…画素、Ｐ０…サブ画素、ＰＢ…サブ画素、ＰＧ…サブ画素、ＰＲ…サブ画素、Ｐ１…位置、Ｐ２…位置、Ｐ３…位置。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】