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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024141627
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/122 20230101AFI20241003BHJP
H10K 50/814 20230101ALI20241003BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20241003BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20241003BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H10K59/122
H10K50/814
H10K50/824
H10K59/131
G09F9/30 338
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023053376
(22)【出願日】2023-03-29
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】河村 真一
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC11
3K107CC29
3K107DD37
3K107DD89
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA15
5C094EA04
5C094FA02
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】 改善された配線構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性のボトム部、前記ボトム部の上に配置された軸部および前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部を有し、前記画素開口を囲う隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆う上電極と、を備えている。前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分を含む。前記第１部分の前記ボトム部は、前記画素開口側の第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部の反対側に位置する第２端部と、を有している。さらに、前記第１端部は、前記軸部から露出し、前記第２端部は、前記軸部により覆われている。
【選択図】 図２
【解決手段】 実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性のボトム部、前記ボトム部の上に配置された軸部および前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部を有し、前記画素開口を囲う隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆う上電極と、を備えている。前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分を含む。前記第１部分の前記ボトム部は、前記画素開口側の第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部の反対側に位置する第２端部と、を有している。さらに、前記第１端部は、前記軸部から露出し、前記第２端部は、前記軸部により覆われている。
【選択図】 図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極と、
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部とを有し、前記画素開口を囲う隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆う上電極と、
を備え、
前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分を含み、
前記第１部分の前記ボトム部は、前記画素開口側の第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部の反対側に位置する第２端部と、を有し、
前記第１端部は、前記軸部から露出し、
前記第２端部は、前記軸部により覆われている、
表示装置。
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部とを有し、前記画素開口を囲う隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆う上電極と、
を備え、
前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分を含み、
前記第１部分の前記ボトム部は、前記画素開口側の第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部の反対側に位置する第２端部と、を有し、
前記第１端部は、前記軸部から露出し、
前記第２端部は、前記軸部により覆われている、
表示装置。
【請求項2】
前記上電極は、前記第１端部に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記隔壁は、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分をさらに含み、
前記第２部分は、前記ボトム部を有していない、
請求項１に記載の表示装置。
前記第２部分は、前記ボトム部を有していない、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記隔壁は、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分をさらに含み、
前記第２部分の前記ボトム部の両端部は、前記軸部から露出している、
請求項１に記載の表示装置。
前記第２部分の前記ボトム部の両端部は、前記軸部から露出している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記隔壁は、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分をさらに含み、
前記第１部分の前記軸部は、前記ボトム部が突出した第１側面と、前記第２方向において前記第１側面の反対側に位置し、前記ボトム部が突出していない第２側面と、を有し、
前記第２部分は、前記第２方向において前記第２側面と隙間を介して対向している、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１部分の前記軸部は、前記ボトム部が突出した第１側面と、前記第２方向において前記第１側面の反対側に位置し、前記ボトム部が突出していない第２側面と、を有し、
前記第２部分は、前記第２方向において前記第２側面と隙間を介して対向している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１端部は、前記軸部の側面から突出している、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１端部は、前記軸部の側面と揃っている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記軸部は、導電性の材料で形成されている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項9】
前記軸部は、絶縁性の材料で形成されている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項10】
下電極と、
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部とを有し、前記画素開口を囲う隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆う上電極と、
を備え、
前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分と、を含み、
前記第１部分においては、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層され、
前記第２部分においては、前記軸部および前記トップ部が積層され、前記軸部の下方に前記ボトム部が配置されていない、
表示装置。
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部とを有し、前記画素開口を囲う隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆う上電極と、
を備え、
前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分と、を含み、
前記第１部分においては、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層され、
前記第２部分においては、前記軸部および前記トップ部が積層され、前記軸部の下方に前記ボトム部が配置されていない、
表示装置。
【請求項11】
前記第１部分の前記ボトム部は、前記画素開口側の第１端部と、前記第２方向において前記第１端部の反対側に位置する第２端部と、を有し、
前記第１端部は、前記軸部から露出し、
前記上電極は、前記第１端部に接触している、
請求項１０に記載の表示装置。
前記第１端部は、前記軸部から露出し、
前記上電極は、前記第１端部に接触している、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記第２端部は、前記軸部により覆われている、
請求項１１に記載の表示装置。
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記第２端部は、前記軸部から露出している、
請求項１１に記載の表示装置。
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項14】
前記第１端部は、前記軸部の側面から突出している、
請求項１１乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１１乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項15】
前記第１端部は、前記軸部の側面と揃っている、
請求項１１乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１１乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項16】
前記軸部は、導電性の材料で形成されている、
請求項１０乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１０乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項17】
前記軸部は、絶縁性の材料で形成されている、
請求項１０乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１０乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
複数の表示素子が配置された表示領域には、上電極に給電するための給電配線が形成される。例えば歩留まりを改善する観点からは、給電配線と上電極とを接続する構造について種々の改善の余地がある。例えば、給電配線が有機層と接触した場合、有機層にリーク電流が流れて表示不良を生じ得る。また、給電配線と上電極を接続すべき箇所や接続すべきでない箇所が表示領域に混在している構造において、製造時に給電配線と上電極の接続の制御を正確に行うことが困難な場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、改善された配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
概して、各実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性のボトム部、前記ボトム部の上に配置された軸部および前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部を有し、前記画素開口を囲う隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆う上電極と、を備えている。
【0007】
一実施形態によれば、前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分を含む。前記第１部分の前記ボトム部は、前記画素開口側の第１端部と、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１端部の反対側に位置する第２端部と、を有している。さらに、前記第１端部は、前記軸部から露出し、前記第２端部は、前記軸部により覆われている。
【0008】
他の実施形態によれば、前記隔壁は、第１方向に延びる第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分と、を含む。前記第１部分においては、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層されている。さらに、前記第２部分においては、前記軸部および前記トップ部が積層され、前記軸部の下方に前記ボトム部が配置されていない。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0011】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0012】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0013】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0018】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0019】
図２は、表示領域ＤＡの概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。また、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに並び、複数の副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並び、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0020】
表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と重なる領域には、それぞれ表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が形成されている。
【0021】
隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１部分Ｐ１と、第２方向Ｙに延びる複数の第２部分Ｐ２とを有している。これら第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２は、いずれもリブ５の上に配置されている。
【0022】
図２の例においては、各第１部分Ｐ１と各第２部分Ｐ２が互いに接続されている。これにより、隔壁６の平面形状は、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
詳しくは後述するが、隔壁６は、ボトム部６１と、ボトム部６１の上に位置する軸部６２と、軸部６２の上に位置するトップ部６３とを含む。図２においては、ボトム部６１に斜線模様を付し、トップ部６３にドット模様を付している。また、軸部６２の外形を破線で示している。
【0024】
第１部分Ｐ１は、ボトム部６１、軸部６２およびトップ部６３を含む。本実施形態において、第２部分Ｐ２は、軸部６２およびトップ部６３を含むが、ボトム部６１を含んでいない。
【0025】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0026】
絶縁層１２の上には、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１と、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２と、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３とが配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0027】
図３に示す隔壁６は、図２に示した第２部分Ｐ２に相当する。隔壁６のトップ部６３は、軸部６２よりも大きい幅を有している。これにより、図３においてはトップ部６３の両端部が軸部６２の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0028】
副画素ＳＰ１には薄膜ＦＬ１が配置され、副画素ＳＰ２には薄膜ＦＬ２が配置され、副画素ＳＰ３には薄膜ＦＬ３が配置されている。薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３は、例えば蒸着によって形成される。本実施形態においては、薄膜ＦＬ１が有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含み、薄膜ＦＬ２が有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含み、薄膜ＦＬ３が有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む。
【0029】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１を覆っている。
【0030】
有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２を覆っている。
【0031】
有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３を覆っている。
【0032】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１に含まれる画素回路１（図１参照）に接続されている。隔壁６は、共通電圧を供給するための給電配線として機能する。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３には、隔壁６の共通電圧が供給される。
【0033】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0034】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0035】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0036】
下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１のうち、画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２のうち、画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３のうち、画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。
【0037】
薄膜ＦＬ１の一部は、トップ部６３の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0038】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0039】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0040】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0041】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（ＯｐｔｉｃａｌＣｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0042】
絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成することができる。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、いずれかの無機絶縁材料の単層構造を有してもよいし、２種類以上の無機絶縁材料の層が重ねられた積層構造を有してもよい。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３をそれぞれ形成する無機絶縁材料は、同一であってもよいし、異なってもよい。
【0043】
樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の透明導電層とを有している。各透明導電層は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0044】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0046】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３と異なる屈折率を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されてもよい。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。
【0047】
図４Ａは、図２におけるＡ－Ａ線に沿う隔壁６の第１部分Ｐ１の概略的な断面図である。図４Ｂは、図２におけるＢ－Ｂ線に沿う隔壁６の第２部分Ｐ２の概略的な断面図である。これらの図においては、リブ５、隔壁６、下電極ＬＥ１，ＬＥ２、有機層ＯＲ１，ＯＲ２および上電極ＵＥ１，ＵＥ２以外の要素を省略している。
【0048】
図４Ａに示すように、第１部分Ｐ１は、ボトム部６１、軸部６２およびトップ部６３を含む。ボトム部６１は、リブ５の上に配置されている。軸部６２は、リブ５およびボトム部６１の上に配置されている。図４Ａおよび図４Ｂの例においては、ボトム部６１および軸部６２が単層構造を有している。一方で、トップ部６３は、第１トップ層６３１と、第１トップ層６３１の上に配置された第２トップ層６３２との積層構造を有している。例えば、ボトム部６１およびトップ部６３は軸部６２よりも薄いが、この例に限られない。
【0049】
なお、ボトム部６１、軸部６２およびトップ部６３の構造は、図４Ａおよび図４Ｂの例に限られない。例えば、ボトム部６１および軸部６２は、複数の層が重ねられた積層構造を有してもよい。また。トップ部６３は、単層構造を有してもよい。
【0050】
図４Ａに示すボトム部６１は、左方の画素開口ＡＰ１側の第１端部Ｅ１ａと、第２方向Ｙにおいて第１端部Ｅ１ａの反対側に位置する第２端部Ｅ２ａとを有している。第１部分Ｐ１の軸部６２は、左方の画素開口ＡＰ１側の第１側面Ｆ１ａと、第２方向Ｙにおいて第１側面Ｆ１ａの反対側に位置する第２側面Ｆ２ａとを有している。また、第１部分Ｐ１のトップ部６３は、第１側面Ｆ１ａから突出した第１突出部ＰＴ１ａと、第２側面Ｆ２ａから突出した第２突出部ＰＴ２ａとを有している。
【0051】
第１端部Ｅ１ａは、軸部６２から露出している。一方で、第２端部Ｅ２ａは、軸部６２により覆われている。第２端部Ｅ２ａと第２側面Ｆ２ａの間の領域においては、軸部６２がリブ５の上面に接触している。例えば、ボトム部６１の幅は、軸部６２の幅の約半分である。
【0052】
図４Ａの例においては、第１端部Ｅ１ａが第１側面Ｆ１ａから突出している。第１側面Ｆ１ａからの第１端部Ｅ１ａの突出長さは、第１側面Ｆ１ａからの第１突出部ＰＴ１ａの突出長さよりも短い。すなわち、第１端部Ｅ１ａの全体が第３方向Ｚにおいて第１突出部ＰＴ１ａの下方に位置している。
【0053】
図４Ｂに示すように、第２部分Ｐ２は、軸部６２およびトップ部６３を含み、ボトム部６１を含んでいない。第２部分Ｐ２の軸部６２は、左方の画素開口ＡＰ１側の第１側面Ｆ１ｂと、第２方向Ｙにおいて第１側面Ｆ１ｂの反対側に位置する第２側面Ｆ２ｂとを有している。また、第２部分Ｐ２のトップ部６３は、第１側面Ｆ１ｂから突出した第１突出部ＰＴ１ｂと、第２側面Ｆ２ｂから突出した第２突出部ＰＴ２ｂとを有している。
【0054】
ボトム部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）、モリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料によって形成することができる。ボトム部６１は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。
【0055】
軸部６２は、例えばアルミニウム、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）のような導電性の材料によって形成することができる。軸部６２は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。
【0056】
第１トップ層６３１および第２トップ層６３２は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成されてもよいし、アルミニウム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金、モリブデン－ニオブ合金、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料によって形成されてもよい。一例では、第１トップ層６３１がチタンにより形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯによって形成されている。ただし、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の一方が導電性の材料で形成され、他方が絶縁性の材料で形成されてもよい。また、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の双方が絶縁性の材料で形成されてもよい。
【0057】
図４Ａ中の左右の有機層ＯＲ１の端部は、いずれも第１部分Ｐ１と離間しており、上電極ＵＥ１により覆われている。図中左方の上電極ＵＥ１は、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａに接触している。この上電極ＵＥ１は、第１端部Ｅ１ａの上方に位置する第１側面Ｆ１ａにさらに接触してもよい。図４Ａの例においては、図中右方の上電極ＵＥ１が第２側面Ｆ２ａと離間している。ただし、この上電極ＵＥ１が第２側面Ｆ２ａに接触してもよい。
【0058】
図４Ｂに示す有機層ＯＲ１の端部も上電極ＵＥ１により覆われている。さらに、有機層ＯＲ２の端部が上電極ＵＥ２により覆われている。図４Ｂの例においては、上電極ＵＥ１が第１側面Ｆ１ｂと離間し、上電極ＵＥ２が第２側面Ｆ２ｂと離間している。ただし、上電極ＵＥ１が第１側面Ｆ１ｂに接触してもよい。また、上電極ＵＥ２が第２側面Ｆ２ｂに接触してもよい。
【0059】
なお、図４Ａにおいては上電極ＵＥ１と第１部分Ｐ１が接触する構造を示したが、これと同様に上電極ＵＥ２，ＵＥ３も第１部分Ｐ１のボトム部６１に接触している。すなわち、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３には、少なくとも第１部分Ｐ１を介して共通電圧が供給される。
【0060】
図５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの他の例を示す概略的な平面図である。この例においては、第２方向Ｙにおける画素開口ＡＰ１の幅が、第２方向Ｙにおける画素開口ＡＰ２の幅よりも大きい。さらに、第２方向Ｙにおける画素開口ＡＰ２の幅が、第２方向Ｙにおける画素開口ＡＰ３の幅よりも大きい。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の第１方向Ｘにおける幅は、例えば同等である。画素開口ＡＰ２，ＡＰ３は、第２方向Ｙに並んでいる。さらに、画素開口ＡＰ２と画素開口ＡＰ１が第１方向Ｘに並び、画素開口ＡＰ３と画素開口ＡＰ１が第１方向に並んでいる。
【0061】
図２の例と同じく、隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１部分Ｐ１と、第２方向Ｙに延びる複数の第２部分Ｐ２とを有している。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の各々は、第１方向Ｘに隣り合う２本の第２部分Ｐ２と、第２方向Ｙに隣り合う２本の第１部分Ｐ１とで囲われている。
【0062】
画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の図中上方に位置する複数の第１部分Ｐ１においては、ボトム部６１がこれら複数の第１部分Ｐ１にわたって第１方向Ｘに連続的に延びている。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の図中下方に位置する複数の第１部分Ｐ１においても、ボトム部６１がこれら複数の第１部分Ｐ１にわたって第１方向Ｘに連続的に延びている。一方で、画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間に位置する第１部分Ｐ１には、他のボトム部６１と繋がっていない島状のボトム部６１が配置されている。この島状のボトム部６１は、導電性の軸部６２を介して他のボトム部６１と電気的に接続されている。
【0063】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２の上電極ＵＥ１，ＵＥ２は、図中下方に位置するボトム部６１の第１端部Ｅ１ａと接触している。表示素子ＤＥ３の上電極ＵＥ３は、画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間に位置するボトム部６１の第１端部Ｅ１ａと接触している。
【0064】
続いて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が図５に示すレイアウトを有する場合を例にとり、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図６は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。
図６は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。
【0065】
図７乃至図１２は、リブ５および隔壁６を形成する一連の工程を示す図である。これらの図においては、（ａ）表示領域ＤＡの一部の概略的な平面図、（ｂ）第１部分Ｐ１が形成される領域の概略的な断面図、および、（ｃ）第２部分Ｐ２が形成される領域の概略的な断面図を示している。
【0066】
工程ＰＲ２においては、先ず、図７に示すように、リブ５に加工するための絶縁層５ａが形成され、ボトム部６１に加工するための第１層Ｌ１が絶縁層５ａの上に形成される。さらに、第１層Ｌ１の上にレジストＲ１が形成される。図７（ａ）においては、第１層Ｌ１が形成された領域（この段階では表示領域ＤＡの全域）に斜線模様を付している。
【0067】
レジストＲ１は、図５に示したボトム部６１と同様の平面形状を有している。このレジストＲ１をマスクとしたエッチングにより第１層Ｌ１がパターニングされ、このパターニングの後にレジストＲ１が除去される。これにより、図８に示すようにボトム部６１が形成される。
【0068】
続いて、図９に示すように、軸部６２に加工するための第２層Ｌ２が絶縁層５ａおよびボトム部６１の上に形成され、トップ部６３に加工するための第３層Ｌ３が第２層Ｌ２の上に形成され、隔壁６の平面形状にパターニングされたレジストＲ２が第３層Ｌ３の上に形成される。図９（ｂ）（ｃ）に示すように、第３層Ｌ３は、第１トップ層６３１ａと、第１トップ層６３１ａを覆う第２トップ層６３２ａとを含む。なお、図９（ａ）においては、第３層Ｌ３が存在する領域（この段階では表示領域ＤＡの全域）にドット模様を付している。
【0069】
図９の工程の後、図１０に示すように、第２層Ｌ２および第３層Ｌ３がパターニングされる。このパターニングは、第２トップ層６３２ａのうちレジストＲ２から露出した部分を除去するエッチングと、第１トップ層６３１ａのうちレジストＲ２から露出した部分を除去するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を含むトップ部６３が形成される。
【0070】
さらに、当該パターニングは、第２層Ｌ２のうちレジストＲ２から露出した部分を除去する異方性のドライエッチングを含む。これにより、トップ部６３と同等の幅を有する軸部６２が形成される。
【0071】
【0072】
続いて、図１１に示すように、軸部６２の幅を低減するための等方性のウェットエッチングが実施される。さらに、軸部６２から突出したボトム部６１をやや後退させるドライエッチングが実施される。これらのエッチングの後、レジストＲ２が除去される。
【0073】
図１１の工程の後、図１２に示すように、リブ５の平面形状にパターニングされたレジストＲ３が配置される。さらに、絶縁層５ａのうちレジストＲ３から露出した部分がエッチングにより除去される。これにより、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。当該エッチングの後、レジストＲ３が除去される。
【0074】
なお、図７乃至図１２の例においては、隔壁６が形成された後にリブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0075】
リブ５および隔壁６の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程ＰＲ３乃至ＰＲ８（図６参照）が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0076】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、表示領域ＤＡの全体に有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、封止層ＳＥ１がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ３）。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ１は、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ１および隔壁６を連続的に覆う。
【0077】
工程ＰＲ３の後、薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうち副画素ＳＰ１に位置する部分が残され、他の部分が除去される。これにより、表示素子ＤＥ１が形成される。
【0078】
工程ＰＲ４の後、表示領域ＤＡの全体に有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ５）。有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ２は、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ２および隔壁６を連続的に覆う。
【0079】
工程ＰＲ５の後、薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングにおいては、薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２のうち副画素ＳＰ２に位置する部分が残され、他の部分が除去される。これにより、表示素子ＤＥ２が形成される。
【0080】
工程ＰＲ６の後、表示領域ＤＡの全体に有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ３は、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ３および隔壁６を連続的に覆う。
【0081】
工程ＰＲ７の後、薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングにおいては、薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３のうち副画素ＳＰ３に位置する部分が残され、他の部分が除去される。これにより、表示素子ＤＥ３が形成される。
【0082】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0083】
ここで、有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１を蒸着する工程につき、図１３Ａ乃至図１４Ｂを用いて説明する。
図１３Ａおよび図１３Ｂは、有機層ＯＲ１を蒸着する工程を示す概略的な断面図である。図１４Ａおよび図１４Ｂは、上電極ＵＥ１を蒸着する工程を示す概略的な断面図である。図１３Ａおよび図１４Ａの断面図は、図４Ａと同じく隔壁６の第１部分Ｐ１を含む。図１３Ｂおよび図１４Ｂの断面図は、図４Ｂと同じく隔壁６の第２部分Ｐ２を含む。
図１３Ａおよび図１３Ｂは、有機層ＯＲ１を蒸着する工程を示す概略的な断面図である。図１４Ａおよび図１４Ｂは、上電極ＵＥ１を蒸着する工程を示す概略的な断面図である。図１３Ａおよび図１４Ａの断面図は、図４Ａと同じく隔壁６の第１部分Ｐ１を含む。図１３Ｂおよび図１４Ｂの断面図は、図４Ｂと同じく隔壁６の第２部分Ｐ２を含む。
【0084】
有機層ＯＲ１の形成にあたっては、リブ５や隔壁６が形成された基板（マザー基板）が有機層ＯＲ１を構成する各層を形成するためのチャンバに順次搬送される。各チャンバには、図１３Ａおよび図１３Ｂに示す蒸着源１００が配置されている。蒸着源１００のノズル１１０からは、蒸着材料Ｍ１が放たれる。
【0085】
【0086】
図１３Ａに示すように、ノズル１１０から放射される蒸着材料Ｍ１は、第２方向Ｙと第３方向Ｚで規定されるＹ－Ｚ断面において拡がり角θ１ｙを有している。また、図１３Ｂに示すように、蒸着材料Ｍ１は、第１方向Ｘと第３方向Ｚで規定されるＸ－Ｚ断面において拡がり角θ１ｘを有している。拡がり角θ１ｙ，θ１ｘは、いずれも蒸着材料Ｍ１がトップ部６３に遮られてボトム部６１および軸部６２に付着しない角度である。
【0087】
有機層ＯＲ１が形成された後の基板は、上電極ＵＥ１を形成するためのチャンバに搬送される。このチャンバには、図１４Ａおよび図１４Ｂに示す蒸着源２００が配置されている。蒸着源２００のノズル２１０からは、蒸着材料Ｍ２が放たれる。
【0088】
蒸着材料Ｍ２は、ノズル２１０から拡がりをもって放射される。図１４Ａの断面において、蒸着材料Ｍ２の放射方向ＲＤ２は、ボトム部６１に蒸着材料が付着しやすいように第３方向Ｚに対して傾いている。一方で、図１４Ｂの断面においては、放射方向ＲＤ２が第３方向Ｚと平行である。
【0089】
図１４Ａに示すように、ノズル２１０から放射される蒸着材料Ｍ２は、Ｙ－Ｚ断面において拡がり角θ２ｙを有している。また、図１４Ｂに示すように、蒸着材料Ｍ２は、Ｘ－Ｚ断面において拡がり角θ２ｘを有している。拡がり角θ２ｙは、図１３Ａに示した拡がり角θ１ｙよりも大きい。また、拡がり角θ２ｘは、図１３Ｂに示した拡がり角θ１ｘよりも大きい。
【0090】
図１４Ａの例においては、放射方向ＲＤ２が傾いていることから、図中左方の副画素ＳＰ１には隔壁６と良好に接触した上電極ＵＥ１が形成されている。一方で、図中右方の副画素ＳＰ１には、隔壁６と離間した上電極ＵＥ１が形成されている。
【0091】
本実施形態においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出している。この場合には、第１端部Ｅ１ａからの第１突出部ＰＴ１ａの突出長さＤ１が、第２側面Ｆ２ａからの第２突出部ＰＴ２ａの突出長さＤ２に比べて短くなる。また、リブ５の上面からの第１突出部ＰＴ１ａの高さＨ１は、リブ５の上面からの第２突出部ＰＴ２ａの高さＨ２よりもボトム部６１の厚さ分だけ高い。このような構成においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａ付近を良好に覆う上電極ＵＥ１を形成しやすい。一方で、第２側面Ｆ２ａ付近においては第２突出部ＰＴ２ａにより蒸着材料Ｍ２が遮られるため、第２側面Ｆ２ａに上電極ＵＥ１が接触しにくい。
【0092】
図１４Ｂの断面において、第１側面Ｆ１ｂからの第１突出部ＰＴ１ｂの突出長さ、および、第２側面Ｆ２ｂからの第２突出部ＰＴ２ｂの突出長さは、いずれもＤ２である。また、リブ５の上面からの突出部ＰＴ１ｂ，ＰＴｂ２の高さは、いずれもＨ２である。しかも、蒸着材料Ｍ２の放射方向ＲＤ２が第３方向Ｚに対して傾いていない。このような場合には、突出部ＰＴ１ｂ，ＰＴ２ｂの下方に蒸着材料Ｍ２が入り込みにくい。そのため、軸部６２と離間した上電極ＵＥ１，ＵＥ２が形成される。
【0093】
仮に、有機層ＯＲ１がボトム部６１や軸部６２に接触すると、有機層ＯＲ１にリーク電流が流れて表示不良を生じ得る。これに対し、有機層ＯＲ１の蒸着材料Ｍ１については、放射方向ＲＤ１が傾いておらず、かつ拡がり角θ１ｙ，θ１ｘも小さいことから、ボトム部６１および軸部６２のいずれにも付着しにくい。これにより、有機層ＯＲ１とボトム部６１や軸部６２との接触を抑制することが可能である。
【0094】
なお、蒸着装置によっては、拡がり角θ１ｙ，θ１ｘの双方を正確に制御することが困難な場合もあり得る。仮に、拡がり角θ１ｙ，θ１ｘの一方が大きくなってしまうと、有機層ＯＲ１がボトム部６１や軸部６２に接触する可能性がある。この点に関し、図１３Ａおよび図１３Ｂの構成においては、少なくとも拡がり角θ１ｙを小さく制御してボトム部６１との接触を防げば、拡がり角θ１ｘが多少大きくなっても、有機層ＯＲ１と軸部６２との接触が抑制されやすい。
【0095】
有機層ＯＲ２，ＯＲ３および上電極ＵＥ２，ＵＥ３を蒸着する工程は、図１３Ａ乃至図１４Ｂに示したものと同様である。これにより、有機層ＯＲ２，ＯＲ３とボトム部６１および軸部６２との接触も抑制することができる。また、ボトム部６１に対して上電極ＵＥ２，ＵＥ３を良好に接触させることができる。
【0096】
以上のとおり、本実施形態においては、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６とを接触させる必要がある場所（隔壁６のコンタクト辺）に対して局所的にボトム部６１が設けられている。これにより、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３への良好な給電と、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３におけるリーク電流の抑制とを両立した給電構造を得ることができる。
【0097】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形することが可能である。以下に、第１実施形態の変形例を示す。
＜第１変形例＞
図１５は、第１変形例を示す平面図である。この平面図は、図２と同じく表示領域ＤＡの概略的な構成を示している。図２の例においては、ボトム部６１が複数の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に沿って第１方向Ｘに連続的に延びていた。一方、図１５の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれに対して島状のボトム部６１が配置されている。各ボトム部６１は、第１方向Ｘに長尺な形状を有している。これらのボトム部６１は、導電性の軸部６２を介して電気的に接続されている。
＜第１変形例＞
図１５は、第１変形例を示す平面図である。この平面図は、図２と同じく表示領域ＤＡの概略的な構成を示している。図２の例においては、ボトム部６１が複数の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に沿って第１方向Ｘに連続的に延びていた。一方、図１５の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれに対して島状のボトム部６１が配置されている。各ボトム部６１は、第１方向Ｘに長尺な形状を有している。これらのボトム部６１は、導電性の軸部６２を介して電気的に接続されている。
【0098】
＜第２変形例＞
図１６は、第２変形例を示す断面図である。この断面図は、図４Ａと同じく隔壁６の第１部分Ｐ１の概略的な構成を示している。図１６の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出していない。すなわち、第１端部Ｅ１ａは、第１側面Ｆ１ａと第３方向Ｚに揃っている。
図１６は、第２変形例を示す断面図である。この断面図は、図４Ａと同じく隔壁６の第１部分Ｐ１の概略的な構成を示している。図１６の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出していない。すなわち、第１端部Ｅ１ａは、第１側面Ｆ１ａと第３方向Ｚに揃っている。
【0099】
＜第３変形例＞
第１実施形態においては、軸部６２が導電性の材料によって形成される場合を想定したが、軸部６２は絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。本変形例は、隔壁６が図４Ａに示した第１部分Ｐ１を有する場合、および、隔壁６が図１６に示した第１部分Ｐ１を有する場合のいずれにも適用できる。
第１実施形態においては、軸部６２が導電性の材料によって形成される場合を想定したが、軸部６２は絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。本変形例は、隔壁６が図４Ａに示した第１部分Ｐ１を有する場合、および、隔壁６が図１６に示した第１部分Ｐ１を有する場合のいずれにも適用できる。
【0100】
なお、軸部６２を絶縁性の材料で形成する場合には、例えばボトム部６１が図２に示したように連続的に延びて表示領域ＤＡを横切る構成を採用し、周辺領域ＳＡにおいてボトム部６１を共通電圧の給電源と接続すればよい。
【0101】
軸部６２が絶縁性であれば、第１部分Ｐ１における第２側面Ｆ２ａ側や、ボトム部６１を有していない第２部分Ｐ２において、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３へのリーク電流の発生を確実に防ぐことができる。
【0102】
＜第４変形例＞
図２および図５の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図２および図５の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。
図２および図５の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図２および図５の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。
【0103】
［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0104】
図１７は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡの概略的な平面図である。本実施形態における隔壁６は、第１実施形態と同じく、ボトム部６１を含む第１部分Ｐ１と、ボトム部６１を含まない第２部分Ｐ２とを有している。ただし、本実施形態においては、ボトム部６１の第２方向Ｙにおける幅が、軸部６２の第２方向Ｙにおける幅以上である。
【0105】
図１７の例においては、ボトム部６１が複数の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に沿って第１方向Ｘに連続的に延びている。他の例として、図１５の例と同じく、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれに対して島状のボトム部６１が配置されてもよい。
【0106】
図１８は、図１７におけるＡ－Ａ線に沿う第１部分Ｐ１の概略的な断面図である。図１８の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａおよび第２端部Ｅ２ａがいずれも軸部６２から露出している。すなわち、第１部分Ｐ１において、軸部６２は、その全体がボトム部６１の上に位置し、リブ５に接触していない。
【0107】
図１８の例においては、第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出している。また、第２端部Ｅ２ａが軸部６２の第２側面Ｆ２ａから突出している。図中左方の上電極ＵＥ１は、第１端部Ｅ１ａに接触している。図中右方の上電電極ＵＥ１は、第２端部Ｅ２ａに接触していない。ただし、この上電極ＵＥ１が第２端部Ｅ２ａに接触してもよい。
【0108】
第２部分Ｐ２の構成は、第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態の構成であっても、第２部分Ｐ２と上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３との接触を抑制することが可能である。
【0109】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形することが可能である。以下に、第２実施形態の変形例を示す。
＜第５変形例＞
図１９は、第５変形例を示す断面図である。この断面図は、図１８と同じく隔壁６の第１部分Ｐ１の概略的な構成を示している。図１９の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出していない。また、ボトム部６１の第２端部Ｅ２ａが軸部６２の第２側面Ｆ２ａから突出していない。すなわち、第１端部Ｅ１ａおよび第２端部Ｅ２ａは、それぞれ第１側面Ｆ１ａおよび第２側面Ｆ２ａと第３方向Ｚに揃っている。
＜第５変形例＞
図１９は、第５変形例を示す断面図である。この断面図は、図１８と同じく隔壁６の第１部分Ｐ１の概略的な構成を示している。図１９の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出していない。また、ボトム部６１の第２端部Ｅ２ａが軸部６２の第２側面Ｆ２ａから突出していない。すなわち、第１端部Ｅ１ａおよび第２端部Ｅ２ａは、それぞれ第１側面Ｆ１ａおよび第２側面Ｆ２ａと第３方向Ｚに揃っている。
【0110】
＜第６変形例＞
上述の第３変形例と同じく、第２実施形態においても軸部６２が絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。本変形例は、隔壁６が図１８に示した第１部分Ｐ１を有する場合、および、隔壁６が図１９に示した第１部分Ｐ１を有する場合のいずれにも適用できる。
上述の第３変形例と同じく、第２実施形態においても軸部６２が絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。本変形例は、隔壁６が図１８に示した第１部分Ｐ１を有する場合、および、隔壁６が図１９に示した第１部分Ｐ１を有する場合のいずれにも適用できる。
【0111】
＜第７変形例＞
図１７の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図１７の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。
図１７の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図１７の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。
【0112】
［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0113】
図２０は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡの概略的な平面図である。本実施形態においては、隔壁６の第１部分Ｐ１だけでなく、第２部分Ｐ２にもボトム部６１が配置されている。
【0114】
図２０の例においては、第１部分Ｐ１のボトム部６１と、第２部分Ｐ２のボトム部６１とが繋がっている。ボトム部６１は、全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。ただし、第１部分Ｐ１のボトム部６１と、第２部分Ｐ２のボトム部６１とが離間していてもよい。
【0115】
【0116】
図２１は、図２０におけるＢ－Ｂ線に沿う隔壁６の第２部分Ｐ２の概略的な断面図である。この図においては、リブ５、隔壁６、下電極ＬＥ１，ＬＥ２、有機層ＯＲ１，ＯＲ２および上電極ＵＥ１，ＵＥ２以外の要素を省略している。
【0117】
第２部分Ｐ２のボトム部６１は、第１方向Ｘにおける第１端部Ｅ１ｂおよび第２端部Ｅ２ｂを有している。第１端部Ｅ１ａおよび第２端部Ｅ２ｂは、いずれも軸部６２から露出している。すなわち、第２部分Ｐ２において、軸部６２は、その全体がボトム部６１の上に位置し、リブ５に接触していない。図２１の例においては、第１端部Ｅ１ｂが軸部６２の第１側面Ｆ１ｂから突出している。また、第２端部Ｅ２ｂが軸部６２の第２側面Ｆ２ｂから突出している。
【0118】
本実施形態においても、隔壁６が第１部分Ｐ１を有しているため、少なくとも第１部分Ｐ１の一方の側面に対する上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の接触を抑制することが可能である。
【0119】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形することが可能である。以下に、第３実施形態の変形例を示す。
＜第８変形例＞
図２２は、第８変形例を示す断面図である。この断面図は、図２１と同じく隔壁６の第２部分Ｐ２の概略的な構成を示している。図２２の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ｂが軸部６２の第１側面Ｆ１ｂから突出していない。また、ボトム部６１の第２端部Ｅ２ｂが軸部６２の第２側面Ｆ２ｂから突出していない。すなわち、第１端部Ｅ１ｂが第１側面Ｆ１ｂと第３方向Ｚに揃うとともに、第２端部Ｅ２ｂが第２側面Ｆ２ｂと第３方向Ｚに揃っている。
＜第８変形例＞
図２２は、第８変形例を示す断面図である。この断面図は、図２１と同じく隔壁６の第２部分Ｐ２の概略的な構成を示している。図２２の例においては、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ｂが軸部６２の第１側面Ｆ１ｂから突出していない。また、ボトム部６１の第２端部Ｅ２ｂが軸部６２の第２側面Ｆ２ｂから突出していない。すなわち、第１端部Ｅ１ｂが第１側面Ｆ１ｂと第３方向Ｚに揃うとともに、第２端部Ｅ２ｂが第２側面Ｆ２ｂと第３方向Ｚに揃っている。
【0120】
＜第９変形例＞
上述の第３変形例と同じく、第３実施形態においても軸部６２が絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。本変形例は、隔壁６が図２１に示した第２部分Ｐ２を有する場合、および、隔壁６が図２２に示した第２部分Ｐ２を有する場合のいずれにも適用できる。
上述の第３変形例と同じく、第３実施形態においても軸部６２が絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。本変形例は、隔壁６が図２１に示した第２部分Ｐ２を有する場合、および、隔壁６が図２２に示した第２部分Ｐ２を有する場合のいずれにも適用できる。
【0121】
＜第１０変形例＞
図２０の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図２０の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。
図２０の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図２０の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。
【0122】
［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
第４実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0123】
図２３は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡの概略的な平面図である。表示領域ＤＡには、共通電極ＣＥ（カソード電極）が配置されている。図中下方に拡大して示すように、共通電極ＣＥは、隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３により構成されている。
【0124】
表示装置ＤＳＰを含む電子機器は、近距離無線通信（ＮＦＣ）のためのアンテナを備えることがある。アンテナは、表示領域ＤＡに重ねて配置され得る。この場合、共通電極ＣＥが表示領域ＤＡの全体を覆い、かつ低抵抗であると、通信時に共通電極ＣＥに生じる渦電流によりアンテナによる通信の感度が低下する可能性がある。
【0125】
そこで、図２３の例においては、共通電極ＣＥに複数のスリットＳＬＴが設けられている。スリットＳＬＴを設けることで、共通電極ＣＥの抵抗を上げるとともに渦電流の発生が抑制される。これにより、通信感度の向上が期待できる。
【0126】
図２３の例においては、各スリットＳＬＴが第１方向Ｘに延びている。さらに、これらのスリットＳＬＴが第２方向Ｙに並んでいる。共通電極ＣＥは、スリットＳＬＴにより複数のセグメントＳＧに分割されている。図２３の例においては、これらのセグメントＳＧの一端が接続されている。
【0127】
【0128】
図２４の例においては、スリットＳＬＴに相当する領域で第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２とが隙間ＧＰを介して離間している。図２４におけるＡ－Ａ線に沿う第１部分Ｐ１の断面構造は、例えば図４Ａと同様である。すなわち、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａよりも突出し、ボトム部６１の第２端部Ｅ２ａが軸部６２により覆われている。また、スリットＳＬＴにおいては、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が第１部分Ｐ１のボトム部６１および軸部６２と離間している。
【0129】
図２４におけるＢ－Ｂ線に沿う第２部分Ｐ２の断面構造は、例えば図２１の例と同様である。すなわち、ボトム部６１の第１端部Ｅ１ｂが軸部６２の第１側面Ｆ１ｂよりも突出し、ボトム部６１の第２端部Ｅ２ｂが軸部６２の第２側面Ｆ２ｂよりも突出している。
【0130】
隙間ＧＰは、第１部分Ｐ１における軸部６２の第２側面Ｆ２ａ（ボトム部６１が突出していない側面）と第２部分Ｐ２の間に形成されている。すなわち、第２部分Ｐ２は、第２方向Ｙにおいて第２側面Ｆ２ａと隙間ＧＰを介して対向している。
【0131】
仮に、スリットＳＬＴにより分断される２つのセグメントＳＧを上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が接続すると、スリットＳＬＴを設けたことによる通信感度向上の実効性が失われる。これに対し、図２３のように第１部分Ｐ１の非コンタクト辺（第２側面Ｆ２ａ）に沿ってスリットＳＬＴを形成する場合には、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３による２つのセグメントＳＧの接続を良好に抑制することが可能となる。
【0132】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形することが可能である。以下に、第４実施形態の変形例を示す。
＜第１１変形例＞
上述の第２変形例（図１６参照）と同じく、第１部分Ｐ１のボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出していなくてもよい。さらに、上述の第８変形例（図２２参照）と同じく、第２部分Ｐ２のボトム部６１の第１端部Ｅ１ｂおよび第２端部Ｅ２ｂがそれぞれ軸部６２の第１側面Ｆ１ｂおよび第２側面Ｆ２ｂから突出していなくてもよい。
＜第１１変形例＞
上述の第２変形例（図１６参照）と同じく、第１部分Ｐ１のボトム部６１の第１端部Ｅ１ａが軸部６２の第１側面Ｆ１ａから突出していなくてもよい。さらに、上述の第８変形例（図２２参照）と同じく、第２部分Ｐ２のボトム部６１の第１端部Ｅ１ｂおよび第２端部Ｅ２ｂがそれぞれ軸部６２の第１側面Ｆ１ｂおよび第２側面Ｆ２ｂから突出していなくてもよい。
【0133】
＜第１２変形例＞
上述の第３変形例と同じく、第４実施形態においても軸部６２が絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。
上述の第３変形例と同じく、第４実施形態においても軸部６２が絶縁性の材料で形成されてもよい。当該絶縁性の材料としては、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物が挙げられる。
【0134】
＜第１３変形例＞
図２４の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図２４の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。この場合においては、スリットＳＬＴが第２方向Ｙに沿って形成される。
図２４の例においては、第１部分Ｐ１が第１方向Ｘに延び、第２部分Ｐ２が第２方向Ｙに延びる場合を例示した。しかしながら、図２４の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトにおいて、第１部分Ｐ１が第２方向Ｙに延び、第２部分Ｐ２が第１方向Ｘに延びてもよい。この場合においては、スリットＳＬＴが第２方向Ｙに沿って形成される。
【0135】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0136】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0137】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0138】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、６１…ボトム部、６２…軸部、６３…トップ部、Ｐ１…第１部分、Ｐ２…第２部分。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】