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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024141628
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/122 20230101AFI20241003BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241003BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20241003BHJP
H10K 59/126 20230101ALI20241003BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20241003BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H10K59/122
H10K50/844
H10K50/858
H10K59/126
H10K59/131
G09F9/30 365
G09F9/30 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023053377
(22)【出願日】2023-03-29
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】河村 真一
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC05
3K107CC11
3K107CC36
3K107DD37
3K107DD89
3K107EE27
3K107EE46
3K107FF06
3K107FF15
5C094AA60
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA15
5C094EA04
5C094EC03
5C094ED15
5C094FA02
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】 改善された配線構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、導電性のボトム部、絶縁性の軸部および前記軸部の側面から突出したトップ部を有する隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極とを備える。さらに、前記隔壁は、第１厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第２部分と、を含む。
【選択図】 図４
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、導電性のボトム部、絶縁性の軸部および前記軸部の側面から突出したトップ部を有する隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極とを備える。さらに、前記隔壁は、第１厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第２部分と、を含む。
【選択図】 図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極と、
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部と、を有する隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
を備え、
前記隔壁は、
第１厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、
前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第２部分と、
を含む、
表示装置。
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部と、を有する隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
を備え、
前記隔壁は、
第１厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、
前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第２部分と、
を含む、
表示装置。
【請求項2】
前記ボトム部は、第１ボトム層と、前記第１ボトム層を覆う第２ボトム層とを有し、
前記第１部分は、前記第１ボトム層および前記第２ボトム層を含み、
前記第２部分は、前記第１ボトム層および前記第２ボトム層の一方を含み、他方を含まない、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１部分は、前記第１ボトム層および前記第２ボトム層を含み、
前記第２部分は、前記第１ボトム層および前記第２ボトム層の一方を含み、他方を含まない、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１ボトム層および前記第２ボトム層の前記一方、前記リブ、前記軸部および前記トップ部は、透光性を有し、
前記第１ボトム層および前記第２ボトム層の前記他方は、遮光性を有している、
請求項２に記載の表示装置。
前記第１ボトム層および前記第２ボトム層の前記他方は、遮光性を有している、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
下電極と、
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部と、を有する隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
を備え、
前記隔壁は、
前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、
前記軸部および前記トップ部が積層され、前記軸部の下方に前記ボトム部が配置されていない第２部分と、
を含む、
表示装置。
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部と、を有する隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
を備え、
前記隔壁は、
前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、
前記軸部および前記トップ部が積層され、前記軸部の下方に前記ボトム部が配置されていない第２部分と、
を含む、
表示装置。
【請求項5】
前記リブ、前記軸部および前記トップ部は、透光性を有し、
前記ボトム部は、遮光性を有している、
請求項４に記載の表示装置。
前記ボトム部は、遮光性を有している、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
下電極と、
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部と、を有する隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
を備え、
前記リブ、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部は、透光性を有している、
表示装置。
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部と、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部と、を有する隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
を備え、
前記リブ、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部は、透光性を有している、
表示装置。
【請求項7】
前記有機層および前記上電極を含む薄膜と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層をさらに備えている、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記封止層と異なる屈折率を有し、前記上電極と前記封止層の間に配置されたキャップ層をさらに備える、
請求項７に記載の表示装置。
請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
複数の表示素子が配置された表示領域には、上電極に給電するための配線が形成される。この配線による抵抗は適切な値に調整する必要があるが、表示素子やその周囲の構造上、必ずしもそのような調整が容易ではないケースもある。
【0004】
また、表示装置に透光性が求められることがある。しかしながら、上記配線が金属などの遮光性を有する材料で形成されていると、表示装置の透光性が大幅に低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、改善された配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
概して、実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性のボトム部、前記ボトム部の上に配置された絶縁性の軸部、および、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部を有する隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、を備える。
【0008】
実施形態の一つの観点によると、前記隔壁は、第１厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第２部分と、を含む。
【0009】
実施形態の他の観点によると、前記隔壁は、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部が積層された第１部分と、前記軸部および前記トップ部が積層され、前記軸部の下方に前記ボトム部が配置されていない第２部分と、を含む。
【0010】
実施形態のさらに他の観点によると、前記リブ、前記ボトム部、前記軸部および前記トップ部は、透光性を有している。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0013】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0014】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0015】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0016】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0017】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0018】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0019】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0020】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0021】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0022】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0023】
表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。
【0024】
隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。図２の例においては、隔壁６が画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0025】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0026】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５および隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0027】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。図２の例においては、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３が全体的にリブ５および隔壁６と重なっているが、この例に限られない。
【0028】
隔壁６は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を分離するとともに、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電する配線として機能する。本実施形態において、隔壁６は、第１部分Ｐ１と、複数の第２部分Ｐ２とを有している。第１部分Ｐ１は、図２においてドット模様を付した領域である。第２部分Ｐ２は、図２において斜線模様を付した領域である。
【0029】
第１部分Ｐ１は、導電性を有している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３への給電は、主に第１部分Ｐ１によって行われる。図２の例においては、隔壁６の大部分が第１部分Ｐ１に相当する。すなわち、複数の第２部分Ｐ２の面積の合計は、第１部分Ｐ１の面積よりも小さい。
【0030】
第２部分Ｐ２は、導電性を有してもよいし、絶縁性を有してもよい。導電性を有する場合、第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１よりも高い抵抗を有している。複数の第２部分Ｐ２は、表示領域ＤＡにおいて分散されている。例えば、第１部分Ｐ１は、第２部分Ｐ２により完全には分断されず、表示領域ＤＡの全体において繋がっている。他の例として、隔壁６は、第２部分Ｐ２によって分断された複数の第１部分Ｐ１を有してもよい。
【0031】
図２の例においては、矩形状の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の各々の４辺のうち、１辺に隣接して第２部分Ｐ２が配置されている。この例に限られず、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の各々の４辺のうち、２辺以上に隣接して第２部分Ｐ２が配置されてもよい。
【0032】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。
【0033】
回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。
【0034】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0035】
図３に示す隔壁６は、図２に示した第１部分Ｐ１に相当する。隔壁６は、リブ５の上に配置されたボトム部６１と、ボトム部６１の上に配置された軸部６２と、軸部６２の上に配置されたトップ部６３とを備えている。トップ部６３は、ボトム部６１および軸部６２よりも大きい幅を有している。これにより、図３においてはトップ部６３の両端部がボトム部６１および軸部６２の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0036】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。
【0037】
図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0038】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0039】
薄膜ＦＬ１の一部は、トップ部６３の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0040】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0041】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0042】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0043】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0044】
絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成することができる。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、いずれかの無機絶縁材料の単層構造を有してもよいし、２種類以上の無機絶縁材料の層が重ねられた積層構造を有してもよい。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３をそれぞれ形成する無機絶縁材料は、同一であってもよいし、異なってもよい。
【0045】
樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の透明導電層とを有している。各透明導電層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0046】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0047】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0048】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３と異なる屈折率を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されてもよい。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。
【0049】
ボトム部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）、モリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料によって形成することができる。ボトム部６１は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。
【0050】
軸部６２は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成することができる。軸部６２は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。
【0051】
トップ部６３は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成されてもよいし、アルミニウム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金、モリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料によって形成されてもよい。トップ部６３は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。積層構造を有する場合、トップ部６３は、導電性の材料で形成された導電層と絶縁性の材料で形成された絶縁層を含んでもよい。この場合において、導電層の上に絶縁層が配置されてもよいし、反対に、絶縁層の上に導電層が配置されてもよい。
【0052】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ボトム部６１の側面に接触している。ボトム部６１には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0053】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0054】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0055】
図４は、図２におけるＩＶ－ＩＶ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、隔壁６の第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２に適用し得る構成の一例を示している。この例において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の各々は、ボトム部６１、軸部６２およびトップ部６３が積層された構造を有している。ただし、第１部分Ｐ１のボトム部６１の厚さＴ１ａ（第１厚さ）と、第２部分Ｐ２のボトム部６１の厚さＴ１ｂ（第２厚さ）とが異なる。
【0056】
第１部分Ｐ１のボトム部６１は、第１ボトム層６１１と、第１ボトム層６１１を覆う第２ボトム層６１２とを有している。一方で、第２部分Ｐ２のボトム部６１は、第１ボトム層６１１を含み、第２ボトム層６１２を含まない。
【0057】
すなわち、厚さＴ１ｂは、第２ボトム層６１２の厚さ分だけ厚さＴ１ａよりも小さい（Ｔ１ａ＞Ｔ１ｂ）。このように、導電性のボトム部６１の厚さを第２部分Ｐ２において減じることで、通電時における第２部分Ｐ２の抵抗が第１部分Ｐ１よりも高くなる。結果として、第２部分Ｐ２を設けない場合に比べ、隔壁６の全体における抵抗が増大する。
【0058】
第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２における軸部６２およびトップ部６３の構造は同様である。図４の例において、軸部６２は、単層構造を有している。また、トップ部６３は、第１トップ層６３１と、第１トップ層６３１の上に配置された第２トップ層６３２とを有している。
【0059】
第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の材料は、ボトム部６１の材料として上述した導電性の材料の中から適宜に選定し得る。第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の材料は、トップ部６３の材料として上述した絶縁性の材料および導電性の材料の中から適宜に選定し得る。
【0060】
第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２のそれぞれにおいて、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の両端部は、ボトム部６１および軸部６２の各側面よりも隔壁６の幅方向に突出している。図４の例においては、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の幅が軸部６２の幅よりも僅かに大きい。他の例として、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の幅と軸部６２の幅が同等であってもよい。
【0061】
軸部６２は厚さＴ２を有し、トップ部６３は厚さＴ３を有している。図４の例においては、厚さＴ２が厚さＴ１ａ，Ｔ１ｂよりも大きく（Ｔ１ａ，Ｔ１ｂ＜Ｔ２）、厚さＴ３が厚さＴ２よりも小さい（Ｔ２＞Ｔ３）。厚さＴ１ａ，Ｔ３は、例えば同等である。ただし、厚さＴ１ａ，Ｔ１ｂ，Ｔ２，Ｔ３の関係は、ここで例示したものに限られない。
【0062】
【0063】
一方で、図５の例においては、第２部分Ｐ２のボトム部６１が第２ボトム層６１２を含み、第１ボトム層６１１を含んでいない。この場合においては、第２部分Ｐ２のボトム部６１の厚さＴ１ｂが、第１部分Ｐ１のボトム部６１の厚さＴ１ａよりも第１ボトム層６１１の厚さ分だけ小さくなる（Ｔ１ａ＞Ｔ１ｂ）。
【0064】
【0065】
図６の例においては、第２部分Ｐ２の軸部６２の下方にボトム部６１が配置されていない。このような構成においては、ボトム部６１に流れる電流が第２部分Ｐ２を通過しない。結果として、隔壁６の全体における電流の経路が減少し、第２部分Ｐ２を設けない場合に比べて隔壁６の全体における抵抗が増大する。
【0066】
図７は、隔壁６およびリブ５の一実施例を示す図である。この図に示す隔壁６は、図４乃至図６に示した第１部分Ｐ１に相当するものであり、第１ボトム層６１１が窒化チタンによって形成され、第２ボトム層６１２がアルミニウムによって形成され、軸部６２がシリコン窒化物によって形成され、第１トップ層６３１がチタンによって形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯによって形成されている。リブ５は、シリコン酸窒化物によって形成されている。
【0067】
例えば、第１ボトム層６１１の厚さは２０ｎｍであり、第２ボトム層６１２の厚さは第１ボトム層６１１よりも厚い１００ｎｍであり、軸部６２の厚さは８００ｎｍであり、第１トップ層６３１の厚さは１００ｎｍであり、第２トップ層６３２の厚さは第１トップ層６３１よりも薄い５０ｎｍである。また、リブ５の厚さは、例えば４００ｎｍである。
【0068】
窒化チタン、アルミニウム、チタンおよびＩＴＯの成膜には、スパッタリングを用いることができる。また、シリコン窒化物およびシリコン酸窒化物の成膜には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いることができる。
【0069】
第１部分Ｐ１が図７のような構成を備える場合において、第２部分Ｐ２は、図４の例と同じく第２ボトム層６１２を含まなくてもよいし、図５の例と同じく第１ボトム層６１１を含まなくてもよいし、図６の例と同じく第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の双方を含まなくてもよい。
【0070】
なお、図４乃至図７に示した隔壁６の構成は一例にすぎない。ボトム部６１およびトップ部６３は、単層構造を有してもよいし、３層以上の積層構造を有してもよい。また、軸部６２は、２層以上の絶縁層の積層構造を有してもよい。
【0071】
ボトム部６１が単層構造を有する場合には、図６の構成を適用し、第２部分Ｐ２がボトム部６１を含まないようにすればよい。また、ボトム部６１が複数の導電層の積層構造を有する場合、第２部分Ｐ２において除去すべき導電層は、各導電層の抵抗や加工性などを考慮して適宜に定め得る。
【0072】
例えば、図７の実施例のボトム部６１においては、アルミニウムによって厚く形成された第２ボトム層６１２の方が、窒化チタンによって薄く形成された第１ボトム層６１１よりもボトム部６１全体の抵抗に与える影響が支配的である。そこで、第２部分Ｐ２において第２ボトム層６１２を除去することで、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の抵抗差を高めることができる。また、一般に、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料の抵抗はアルミニウムなどの金属材料の抵抗よりも大きい。そのため、ボトム部６１がＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料で形成された層と金属材料で形成された層の積層構造を有する場合、第２部分Ｐ２において少なくとも金属材料で形成された層を除去することで、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の抵抗差を高めることができる。
【0073】
第１部分Ｐ１のボトム部６１が３層以上の導電層の積層構造を有する場合においても、第２部分Ｐ２のボトム部６１を構成する導電層の数を少なくとも１つ減じることで、第２部分Ｐ２の抵抗を高めることができる。
【0074】
続いて、隔壁６の第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２が図４の構成を有する場合を例にとり、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。
図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。
【0075】
図９乃至図１４は、リブ５および隔壁６を形成する一連の工程を示す図である。これらの図においては、（ａ）表示領域ＤＡの一部の概略的な平面図、（ｂ）第１部分Ｐ１が形成される領域の概略的な断面図、および、（ｃ）第２部分Ｐ２が形成される領域の概略的な断面図を示している。
【0076】
工程ＰＲ２においては、先ず、図９に示すように、リブ５に加工するための絶縁層５ａが形成され、ボトム部６１に加工するための第１層Ｌ１が絶縁層５ａの上に形成される。図９（ｂ）（ｃ）に示すように、第１層Ｌ１は、第１ボトム層６１１ａと、第１ボトム層６１１ａを覆う第２ボトム層６１２ａとを含む。
【0077】
その後、図１０に示すように、第１層Ｌ１の上にレジストＲ１が形成される。レジストＲ１は、第２部分Ｐ２に対応する位置に設けられた複数の開口を有している。このレジストＲ１をマスクとしたエッチングにより第２ボトム層６１２ａがパターニングされ、第２ボトム層６１２ａに複数の開口ＡＰａが形成される。図１０（ａ）においては、開口ＡＰａを通じて露出した第１ボトム層６１１ａに斜線模様を付している。
【0078】
図１０の工程の後、レジストＲ１が除去される。さらに、図１１に示すように、軸部６２に加工するための第２層Ｌ２が第１層Ｌ１の上に形成され、トップ部６３に加工するための第３層Ｌ３が第２層Ｌ２の上に形成され、隔壁６の平面形状にパターニングされたレジストＲ２が第３層Ｌ３の上に形成される。図１１（ａ）に示すように、レジストＲ２の幅は、開口ＡＰａの幅よりも小さい。図１１（ｂ）（ｃ）に示すように、第３層Ｌ３は、第１トップ層６３１ａと、第１トップ層６３１ａを覆う第２トップ層６３２ａとを含む。
【0079】
【0080】
【0081】
第１エッチング工程は、第２トップ層６３２ａのうちレジストＲ２から露出した部分を除去するエッチングと、第１トップ層６３１ａのうちレジストＲ２から露出した部分を除去するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を含むトップ部６３が形成される。
【0082】
第２エッチング工程は、第２層Ｌ２のうちレジストＲ２から露出した部分を除去する異方性エッチングと、当該異方性エッチングを経た第２層Ｌ２の側面を侵食する等方性エッチングとを含む。これらのエッチングにより、トップ部６３よりも幅が小さい軸部６２が形成される。図１２（ｂ）に示すように、開口ＡＰａが設けられていない領域においては軸部６２が第２ボトム層６１２ａの上に位置する。一方、図１２（ｃ）に示すように、開口ＡＰａが設けられている領域においては軸部６２が第１ボトム層６１１ａの上に位置する。
【0083】
図１２の工程の後、図１３に示すように、第１層Ｌ１をパターニングするための第３エッチング工程が実施される。第３エッチング工程は、第２ボトム層６１２ａのうち軸部６２から露出した部分を除去するエッチングと、第１ボトム層６１１ａのうち軸部６２から露出した部分を除去するエッチングとを含む。
【0084】
第３エッチング工程を経ると、図１３（ｂ）に示すように、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２を含むボトム部６１を備えた第１部分Ｐ１が形成される。さらに、図１３（ｃ）に示すように、第１ボトム層６１１を含み、第２ボトム層６１２を含まないボトム部６１を備えた第２部分Ｐ２が形成される。
【0085】
図１３（ａ）においては、ボトム部６１の外形を破線で示している。さらに、ボトム部６１において、第１ボトム層６１１の上に第２ボトム層６１２が配置されていない領域に斜線模様を付している。
【0086】
第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２を含む隔壁６が形成された後、レジストＲ２が除去される。続いて、図１４（ｂ）（ｃ）に示すように、リブ５の平面形状にパターニングされたレジストＲ３が配置される。さらに、絶縁層５ａのうちレジストＲ３から露出した部分がエッチングにより除去される。これにより、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。当該エッチングの後、レジストＲ３が除去される。
【0087】
なお、図９乃至図１４の例においては、隔壁６が形成された後にリブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0088】
リブ５および隔壁６の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程ＰＲ３乃至ＰＲ８（図８参照）が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0089】
図１５乃至図２０は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成する一連の工程を示す概略的な断面図である。表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１５に示すように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆う有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆うとともにボトム部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ３）。
【0090】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３や隔壁６の上にも配置されている。薄膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ１および隔壁６を連続的に覆っている。
【0091】
工程ＰＲ３の後、薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、図１６に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ４が配置される。レジストＲ４は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。
【0092】
その後、レジストＲ４をマスクとしたエッチングにより、図１７に示すように薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ４から露出した部分が除去される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0093】
図１７に示した工程の後、レジストＲ４が除去される。これにより、図１８に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。
【0094】
表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ４の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆う有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ５）。
【0095】
有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ３や隔壁６の上にも配置される。薄膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ２および隔壁６を連続的に覆う。
【0096】
工程ＰＲ５の後、薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングの流れは工程ＰＲ４と同様である。
【0097】
工程ＰＲ６を経ると、図１９に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。
【0098】
表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ６の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆う有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。
【0099】
有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ２や隔壁６の上にも配置される。薄膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ３は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ３および隔壁６を連続的に覆う。
【0100】
工程ＰＲ７の後、薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングの流れは工程ＰＲ４と同様である。
【0101】
工程ＰＲ８を経ると、図２０に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。
【0102】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0103】
以上説明した本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法においては、蒸着により形成される薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３がオーバーハング状の隔壁６によって分断される。さらに、このように分断された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３をそれぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３によって覆うことにより、個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電する配線としての役割も担う。
【0104】
薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を良好に分断するためには、隔壁６のボトム部６１および軸部６２の厚さや、軸部６２の側面からのトップ部６３の突出長さを大きくする必要がある。仮に、ボトム部６１および軸部６２の全体を導電性の材料で形成し、かつこれらを厚くした場合、隔壁６の抵抗が大幅に低下する。
【0105】
表示装置ＤＳＰの使用態様によっては、隔壁６の抵抗の大幅な低下が好ましくない場合がある。図２１は、その一例を示す模式図である。この図において、表示装置ＤＳＰは、電子機器１００に搭載されている。電子機器１００は、例えばスマートフォンなどのモバイル端末や、スマートウォッチなどのウェアラブル端末である。
【0106】
電子機器１００は、表示装置ＤＳＰの表示面側（図３に示した樹脂層１５の上面側）に配置されたカバー部材ＣＭと、表示装置ＤＳＰの裏面側（図３に示した基板１０の下面側）に配置されたアンテナＡＴとを備えている。カバー部材ＣＭは、例えばガラスによって形成されている。アンテナＡＴは、近距離無線通信（ＮＦＣ）のための電波を送受信する。
【0107】
このような構成の電子機器１００を読み取り機２００と近距離無線通信させる際、電子機器１００は、例えばカバー部材ＣＭが読み取り機２００と対向する姿勢で読み取り機２００にかざされる。このとき、アンテナＡＴと読み取り機２００の間に表示装置ＤＳＰが介在する。この場合、隔壁６の抵抗が低すぎると、隔壁６がアンテナＡＴと読み取り機２００の通信の感度に影響を及ぼす可能性がある。
【0108】
これに対し、本実施形態における隔壁６は、導電性のボトム部６１と、絶縁性の軸部６２とを備えている。このような構成においては、隔壁６の全体、あるいは隔壁６のうちトップ部６３を除く部分の全体を導電性の材料で形成する場合に比べ、隔壁６の抵抗を上げることができる。
【0109】
さらに、本実施形態においては、隔壁６の各所に第２部分Ｐ２を設けることでも隔壁６の抵抗が上げられている。結果として、図２１に示す態様で表示装置ＤＳＰを用いる場合において、近距離無線通信の感度を良好に保つことが可能となる。
【0110】
なお、第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１と同様のオーバーハング形状を有している。そのため、第２部分Ｐ２の近傍においても薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を良好に分断することができる。
【0111】
隔壁６の抵抗は、例えば図４乃至図６に示したボトム部６１の厚さＴ１ａによって適切な値に調整することができる。すなわち、隔壁６の抵抗を上げるべき場合には厚さＴ１ａを小さくすればよい。また、抵抗を下げるべき場合には厚さＴ１ａを大きくすればよい。
【0112】
さらに、隔壁６の抵抗は、第２部分Ｐ２の数、幅、位置、第２部分Ｐ２におけるボトム部６１の厚さＴ１ｂなどによっても調整することができる。このように、各種のパラメータの調整により、表示装置ＤＳＰに求められる性能に応じた所望の隔壁６の抵抗を実現することが可能である。また、主に軸部６２の厚さＴ２で隔壁６の高さを調整すれば、抵抗とは独立して隔壁６の高さを制御することができる。
【0113】
なお、本実施形態においては、軸部６２の全体が絶縁性を有する場合を例示した。しかしながら、軸部６２は、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料で形成された層を含んでもよい。このような場合でも、ボトム部６１に第２部分Ｐ２を設けることで、隔壁６の抵抗を調整することができる。
【0114】
［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第１実施形態と同様のものを適用できる。
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第１実施形態と同様のものを適用できる。
【0115】
表示装置ＤＳＰの裏面側（図３に示した基板１０の下面側）に、表示領域ＤＡに入射する光を検出する各種の受光素子が配置されることがある。このような受光素子の例としては、環境光を検出する調光センサ（環境光センサ）やカメラが挙げられる。
【0116】
第１実施形態にて開示した構成の表示装置ＤＳＰにおいて、隔壁６が遮光性を有していると、表示領域ＤＡの大部分が隔壁６および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３によって遮光されることとなる。この場合には、上記受光素子による光の検出が妨げられる。そこで、本実施形態においては、表示領域ＤＡにおける透光性を高めるための構成を開示する。
【0117】
第１実施形態と同じく、隔壁６は、第１部分Ｐ１および複数の第２部分Ｐ２を有している。本実施形態においては、第１部分Ｐ１が遮光性を有し、第２部分Ｐ２が透光性を有している。以下、このような隔壁６を実現するめの構成を例示する。
【0118】
【0119】
図４乃至図６の例と同じく、第１部分Ｐ１のボトム部６１は、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２を有している。また、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の各々において、トップ部６３は第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を有し、軸部６２は単層構造である。
【0120】
本実施形態においては、軸部６２およびトップ部６３が透光性を有している。なお、リブ５や図３に示した基板１０、絶縁層１２、樹脂層１３，１５および封止層１４も透光性を有している。回路層１１は、遮光性の金属配線を含み得るが、このような配線が配置されていない領域においては透光性を有している。
【0121】
軸部６２は、第１実施形態と同じく、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成することができる。また、軸部６２は、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料で形成された層を含んでもよい。
【0122】
第１トップ層６３１および第２トップ層６３２は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成されてもよいし、ＩＴＯおよびＩＺＯのような透明導電材料によって形成されてもよい。
【0123】
例えば、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２は、いずれも金属材料で形成されている。この場合においては、ボトム部６１が遮光性を有している。第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２に用い得る金属材料としては、例えばアルミニウム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金およびモリブデン－ニオブ合金が挙げられる。
【0124】
図２２の例においては、第２部分Ｐ２がボトム部６１を含んでいない。すなわち、遮光性を有する第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の双方が第２部分Ｐ２において除去されている。
【0125】
隔壁６がこのような構成を備える場合、第１部分Ｐ１に入射する外光などの光Ｌは、トップ部６３および軸部６２を透過するがボトム部６１によって遮光される。一方、第２部分Ｐ２においては、光Ｌが隔壁６により遮光されない。このように隔壁６を透過した光Ｌの少なくとも一部は、リブ５や下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の隙間などを通り、表示装置ＤＳＰの下方に出射する。
【0126】
なお、図２２においては第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の双方が遮光性を有する場合を想定したが、この例に限られない。例えば、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の一方がＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料で形成されることにより透光性を有し、他方が金属材料で形成されることにより遮光性を有してもよい。この場合において、第２部分Ｐ２は、図４および図５に示した構成のように、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２のうち透光性を有する一方を含み、遮光性を有する他方を含まなくてもよい。
【0127】
図２３は、本実施形態に係る隔壁６およびリブ５の一実施例を示す図である。この図に示す隔壁６は、図２２に示した第１部分Ｐ１に相当するものであり、第１ボトム層６１１が窒化チタンによって形成され、第２ボトム層６１２がアルミニウムによって形成され、軸部６２がシリコン窒化物によって形成され、第１トップ層６３１がシリコン酸化物によって形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯによって形成されている。リブ５は、シリコン酸窒化物によって形成されている。
【0128】
例えば、第１ボトム層６１１の厚さは２０ｎｍであり、第２ボトム層６１２の厚さは第１ボトム層６１１よりも厚い１００ｎｍであり、軸部６２の厚さは８００ｎｍであり、第１トップ層６３１の厚さは１００ｎｍであり、第２トップ層６３２の厚さは第１トップ層６３１よりも薄い５０ｎｍである。また、リブ５の厚さは、例えば４００ｎｍである。
【0129】
窒化チタン、アルミニウムおよびＩＴＯの成膜には、スパッタリングを用いることができる。また、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物の成膜には、ＣＶＤを用いることができる。
【0130】
なお、図２２および図２３に示した隔壁６の構成は一例にすぎない。ボトム部６１およびトップ部６３は、単層構造を有してもよいし、３層以上の積層構造を有してもよい。また、軸部６２は、２層以上の積層構造を有してもよい。
【0131】
続いて、隔壁６の第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２が図２２の構成を有する場合を例にとり、本実施形態における隔壁６の製造工程について説明する。図２４乃至図２８は、リブ５および隔壁６を形成する一連の工程を示す図である。
隔壁６の形成にあたっては、先ず第１実施形態における図９の工程と同様に、絶縁層５ａと、第１ボトム層６１１ａおよび第２ボトム層６１２ａを含む第１層Ｌ１とが形成される。
隔壁６の形成にあたっては、先ず第１実施形態における図９の工程と同様に、絶縁層５ａと、第１ボトム層６１１ａおよび第２ボトム層６１２ａを含む第１層Ｌ１とが形成される。
【0132】
その後、第１実施形態における図１０の工程と同様に、第１層Ｌ１の上にレジストＲ１が形成され、第１層Ｌ１に複数の開口ＡＰａが形成される。ただし、本実施形態においては、図２４に示すように、開口ＡＰａが第１ボトム層６１１ａおよび第２ボトム層６１２ａの双方を貫通している。
【0133】
【0134】
図２５の工程の後、図２６に示すように、第３層Ｌ３をパターニングするための第１エッチング工程と、第２層Ｌ２をパターニングするための第２エッチング工程とが実施される。これらのエッチング工程は、第１実施形態における図１２の例と同様である。すなわち、これらのエッチング工程により、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を含むトップ部６３と、トップ部６３よりも幅が小さい軸部６２とが形成される。
【0135】
図２６（ｂ）に示すように、開口ＡＰａが設けられていない領域においては軸部６２が第２ボトム層６１２ａの上に位置する。一方、図２６（ｃ）に示すように、開口ＡＰａが設けられている領域においては軸部６２が絶縁層５ａの上に位置する。
【0136】
図２６の工程の後、図２７に示すように、第１層Ｌ１をパターニングするための第３エッチング工程が実施される。第３エッチング工程は、第１実施形態における図１３の例と同様である。すなわち、第３エッチング工程により、図２７（ｂ）に示すように、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２を含むボトム部６１を備えた第１部分Ｐ１が形成される。さらに、図２７（ｃ）に示すように、ボトム部６１を備えない第２部分Ｐ２が形成される。
【0137】
図２７（ａ）においては、ボトム部６１の外形を破線で示している。本実施形態においては、第２部分Ｐ２においてボトム部６１が途切れている。
【0138】
第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２を含む隔壁６が形成された後、レジストＲ２が除去される。続いて、図２８（ｂ）（ｃ）に示すように、第１実施形態における図１４の工程と同様のレジストＲ３が配置される。このレジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。当該エッチングの後、レジストＲ３が除去される。
【0139】
なお、図２４乃至図２８の例においては、隔壁６が形成された後にリブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0140】
本実施形態においては、隔壁６の第２部分Ｐ２が透光性を有しているため、表示領域ＤＡにおける透過率を高めることができる。これにより、例えば表示装置ＤＳＰの裏面側に受光素子が配置される場合には、当該受光素子による検出精度を高めることが可能となる。
【0141】
また、第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１と同様のオーバーハング形状を有している。そのため、第２部分Ｐ２の近傍においても薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を良好に分断することができる。また、第１実施形態と同じく、第２部分Ｐ２によって隔壁６の抵抗を調整することができる。
【0142】
［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第１および第２実施形態と同様のものを適用できる。
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第１および第２実施形態と同様のものを適用できる。
【0143】
本実施形態においては、隔壁６が第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２に区別されない一様な構成を有している。さらに、隔壁６は、全体的に透光性を有する材料で形成されている。
【0144】
例えば、隔壁６は、導電性のボトム部６１と、絶縁性の軸部６２と、トップ部６３とを有している。これらボトム部６１、軸部６２およびトップ部６３は、いずれも透光性を有している。
【0145】
本実施形態において、ボトム部６１は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電材料の単層構造または積層構造を有している。軸部６２は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料の単層構造または積層構造を有している。トップ部６３は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、ＩＴＯおよびＩＺＯのような材料の単層構造または積層構造を有している。
【0146】
図２９は、本実施形態に係る隔壁６およびリブ５の一実施例を示す図である。この実施例においては、ボトム部６１がＩＴＯの単層構造を有し、軸部６２がシリコン窒化物の単層構造を有している。トップ部６３は、シリコン酸化物で形成された第１トップ層６３１と、ＩＴＯで形成された第２トップ層６３２とを有している。リブ５は、シリコン酸窒化物によって形成されている。
【0147】
例えば、ボトム部６１の厚さは１００ｎｍであり、軸部６２の厚さは８００ｎｍであり、第１トップ層６３１の厚さは１００ｎｍであり、第２トップ層６３２の厚さは第１トップ層６３１よりも薄い５０ｎｍである。また、リブ５の厚さは、例えば４００ｎｍである。
【0148】
隔壁６がこのような構成を備える場合、隔壁６に入射する外光などの光Ｌは、トップ部６３、軸部６２およびボトム部６１を透過する。さらに、このように隔壁６を透過した光Ｌの少なくとも一部は、リブ５なども透過して表示装置ＤＳＰの下方に出射する。
【0149】
【0150】
本実施形態においては、隔壁６が全体的に透光性を有しているため、表示領域ＤＡにおける透過率を大幅に高めることができる。これにより、例えば第２実施形態にて説明したように表示装置ＤＳＰの裏面側に受光素子が配置される場合には、当該受光素子による検出精度を高めることが可能となる。
【0151】
第１乃至第３実施形態によれば、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電するための配線構造、すなわち隔壁６の構造が少なくとも抵抗と透光性の観点において改善された表示装置ＤＳＰを提供することができる。
【0152】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0153】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0154】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0155】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、６１…ボトム部、６２…軸部、６３…トップ部、Ｐ１…第１部分、Ｐ２…第２部分。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】