(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024141883
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】フィルタ装置
(51)【国際特許分類】
H03H 7/01 20060101AFI20241003BHJP
H05K 1/16 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H03H7/01 A
H05K1/16 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023053744
(22)【出願日】2023-03-29
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(72)【発明者】
【氏名】東森 匡史
【テーマコード（参考）】
4E351
5J024
【Ｆターム（参考）】
4E351BB04
4E351GG20
5J024AA01
5J024BA01
5J024BA04
5J024CA03
5J024DA04
5J024DA25
5J024DA35
5J024EA03
5J024KA03
(57)【要約】
【課題】サイズを小さくすることが可能なフィルタ装置を提供する。
【解決手段】フィルタ装置は、インダクタ部品と、前記インダクタ部品が実装される基板であって、実装面を有する第１誘電体層と、前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、を含む前記基板と、を備え、前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される。
【選択図】図２
【解決手段】フィルタ装置は、インダクタ部品と、前記インダクタ部品が実装される基板であって、実装面を有する第１誘電体層と、前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、を含む前記基板と、を備え、前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
インダクタ部品と、
前記インダクタ部品が実装される基板であって、
実装面を有する第１誘電体層と、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、
開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、
を含む前記基板と、を備え、
前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
前記インダクタ部品が実装される基板であって、
実装面を有する第１誘電体層と、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、
開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、
を含む前記基板と、を備え、
前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
【請求項2】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の面積は、前記第１パッド電極の面積より小さい、
フィルタ装置。
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の面積は、前記第１パッド電極の面積より小さい、
フィルタ装置。
【請求項3】
請求項２に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の全てが、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の全てが、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
【請求項4】
請求項２に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
【請求項5】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記第１電極を含む第１配線層であって、前記第１配線層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる前記第１配線層と、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１誘電体層との間に前記第１配線層が位置するように設けられる前記第２誘電体層と、
基準電位が供給される基準電極を含む第２配線層であって、前記第２配線層と前記第１配線層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられる前記第２配線層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極と前記基準電極とを電気的に接続する第１ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
前記基板は、
前記第１電極を含む第１配線層であって、前記第１配線層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる前記第１配線層と、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１誘電体層との間に前記第１配線層が位置するように設けられる前記第２誘電体層と、
基準電位が供給される基準電極を含む第２配線層であって、前記第２配線層と前記第１配線層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられる前記第２配線層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極と前記基準電極とを電気的に接続する第１ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
【請求項6】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
【請求項7】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
前記第１電極と前記第２パッド電極とを接続する配線と、
をさらに含み、
前記第１キャパシタ及び前記インダクタ部品によって並列共振回路が形成される、
フィルタ装置。
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
前記第１電極と前記第２パッド電極とを接続する配線と、
をさらに含み、
前記第１キャパシタ及び前記インダクタ部品によって並列共振回路が形成される、
フィルタ装置。
【請求項8】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
開放されていない第２電極であって、前記第２電極と前記第２パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第２電極の少なくとも一部が前記第２パッド電極と重なる前記第２電極と、
をさらに含み、
前記第２パッド電極と前記第２電極の前記少なくとも一部とによって、第２キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
開放されていない第２電極であって、前記第２電極と前記第２パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第２電極の少なくとも一部が前記第２パッド電極と重なる前記第２電極と、
をさらに含み、
前記第２パッド電極と前記第２電極の前記少なくとも一部とによって、第２キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
【請求項9】
請求項５に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、複数の前記第１ビアを含む、
フィルタ装置。
前記基板は、複数の前記第１ビアを含む、
フィルタ装置。
【請求項10】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
第１誘電体層と前記第１電極との間に位置する第３誘電体層をさらに含む、
フィルタ装置。
前記基板は、
第１誘電体層と前記第１電極との間に位置する第３誘電体層をさらに含む、
フィルタ装置。
【請求項11】
請求項１に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる第２誘電体層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極である第２ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
前記基板は、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる第２誘電体層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極である第２ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フィルタ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ＬＣ回路を含む広帯域高調波トラップがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０１７―５０１６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載の広帯域高調波トラップの構成素子を基板上の表面実装デバイス（Surface Mount Device : SMD）又は配線によって実現しようとすると、サイズが大きくなってしまうので好ましくない。
【0005】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、サイズを小さくすることが可能なフィルタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面に係るフィルタ装置は、インダクタ部品と、前記インダクタ部品が実装される基板であって、実装面を有する第１誘電体層と、前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、を含む前記基板と、を備え、前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、サイズを小さくすることが可能なフィルタ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を極力省略する。
【0010】
［第１実施形態］
第１実施形態に係るフィルタ回路２１及びフィルタ装置１１について説明する。図１は、フィルタ回路２１の回路図である。図１に示すように、フィルタ回路２１は、インダクタ４１と、キャパシタ４６（第１キャパシタ）と、を含む。
第１実施形態に係るフィルタ回路２１及びフィルタ装置１１について説明する。図１は、フィルタ回路２１の回路図である。図１に示すように、フィルタ回路２１は、インダクタ４１と、キャパシタ４６（第１キャパシタ）と、を含む。
【0011】
フィルタ回路２１は、例えば、ＲＦ（Radio Frequency）信号を増幅するパワーアンプ回路の後段に設けられる。フィルタ回路２１は、例えば、ＲＦ信号の基本波を通過させるとともに、ＲＦ信号の高調波の通過を抑制する。
【0012】
フィルタ回路２１におけるインダクタ４１は、入力端子３１に接続された第１端と、出力端子３２に接続された第２端と、を有する。キャパシタ４６は、入力端子３１に接続された第１端と、接地に接続された第２端と、を有する。
【0013】
各図面には、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を示すことがある。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、右手系の３次元の直交座標を形成する。以下、ｘ軸の矢印方向をｘ軸＋側、矢印とは逆方向をｘ軸－側と呼ぶことがあり、その他の軸についても同様である。なお、ｚ軸＋側及びｚ軸－側を、それぞれ「上側」及び「下側」と呼ぶこともある。また、ｚ軸方向を「積層方向」と呼ぶこともある。また、ｘ軸、ｙ軸又はｚ軸にそれぞれ直交する面を、ｙｚ面、ｚｘ面又はｘｙ面と呼ぶことがある。
【0014】
図２は、フィルタ装置１１を模式的に示す斜視図である。図３は、フィルタ装置１１のｚｘ面に平行な断面を模式的に示す断面図である。図２及び図３に示すように、フィルタ装置１１は、インダクタ部品６２と、積層基板１１１と、を備える。フィルタ装置１１には、フィルタ回路２１が形成される。
【0015】
図１及び図２に示すように、積層基板１１１は、誘電体層１２１（第１誘電体層）及び１２２（第２誘電体層）と、金属層１３０、１３１（第１配線層）及び１３２（第２配線層）と、ビア１５１（第１ビア）と、を含む。
【0016】
インダクタ部品６２は、積層基板１１１に実装される表面実装デバイス（Surface Mount Device : SMD）である。インダクタ部品６２は、例えば、ＲＦ（Radio Frequency）信号に用いる高周波部品であり、フィルタ回路２１におけるインダクタ４１として機能する。
【0017】
インダクタ部品６２は、インダクタ４１の第１端に相当する第１端子と、インダクタ４１に第２端に相当する第２端子と、を有する。
【0018】
積層基板１１１における誘電体層１２１及び１２２は、例えばプレプリグによって形成される。誘電体層１２１は、ｚ軸＋側すなわち上側の面１２１ａ（実装面）と、面１２１ａの反対側すなわち下側の面１２１ｂと、を有する。面１２１ａ及び１２１ｂは、例えば、ｘｙ面と平行である。
【0019】
誘電体層１２１の面１２１ａには、金属層１３０が設けられる。金属層１３０は、金属層１３０の導体パターンの一部である、配線電極１６１及び１６２並びにパッド電極１４１ａ（第１パッド電極）及び１４１ｂを含む。
【0020】
配線電極１６１は、パッド電極１４１ａと入力端子３１とを電気的に接続する。配線電極１６２は、パッド電極１４１ｂと出力端子３２とを電気的に接続する。
【0021】
パッド電極１４１ａ及び１４１ｂは、ｘ軸に沿って設けられる。パッド電極１４１ｂは、パッド電極１４１ａのｘ軸＋側に位置する。パッド電極１４１ａ及び１４１ｂを上側から見たときの形状は、略同じであり例えば矩形である。なお、パッド電極１４１ａ及び１４１ｂの形状は、互いに異なってもよいし、略同じであっても矩形と異なる形状であってもよい。
【0022】
パッド電極１４１ａ及び１４１ｂには、インダクタ部品６２の第１端子及び第２端子が例えばはんだ付けによってそれぞれ接続される。
【0023】
金属層１３１は、金属層１３１と金属層１３０との間に誘電体層１２１（第１誘電体層）が位置するように設けられる。金属層１３１は、金属層１３１の導体パターンの一部である電極５１（第１電極）を含む。電極５１を上側から見たときの形状は、例えば矩形である。
【0024】
誘電体層１２２は、誘電体層１２２と誘電体層１２１との間に金属層１３１が位置するように設けられる。
【0025】
金属層１３２は、金属層１３２と金属層１３１との間に誘電体層１２２が位置するように設けられる。金属層１３２は、金属層１３２の導体パターンの一部である、基準電位が供給される基準電極Ｅｇ１を含む。
【0026】
電極５１とパッド電極１４１ａとの間には、誘電体層１２１が位置する。面１２１ａを上側から平面視したときに、電極５１の少なくとも一部がパッド電極１４１ａと重なる。本実施形態では、面１２１ａを上側から平面視したときに、電極５１の全部がパッド電極１４１ａと重なる。パッド電極１４１ａと電極５１とによって、キャパシタ４６（図１参照）が形成される。
【0027】
なお、パッド電極１４１ａと、面１２１ａを上側から平面視したときにパッド電極１４１aと重なる電極５１の少なくとも一部との間に誘電体層１２１が位置している場合には常に、パッド電極１４１ａと電極５１とでキャパシタ４６が形成される。言い換えれば、キャパシタ４６がパッド電極１４１ａと電極５１とにより形成されているという特徴は、パッド電極１４１ａと、面１２１ａを上側から平面視したときにパッド電極１４１aと重なる電極５１の少なくとも一部との間に、誘電率がゼロより大きい誘電体層１２１が位置していることと同義である。
【0028】
本実施形態では、電極５１の面積は、パッド電極１４１ａの面積より小さい。このような構成により、０．１ｐＦ程度の小さい静電容量のキャパシタ４６を実現することができる。
【0029】
電極５１は、開放されていない電極である。言い換えれば、電極５１は、フィルタ回路２１と電気的に接続される他の電極に接続されている電極である。本実施形態では、電極５１は、所定の電位を有する電極に接続されている電極である。具体的には、電極５１の下側には、ビア１５１が設けられる。ビア１５１は、誘電体層１２２を貫通し、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する。これにより、電極５１は、接地に電気的に接続される。
【0030】
【0031】
仮に、パッド電極１４１ａ及び電極５１によって形成されるキャパシタ４６の代わりに、キャパシタの機能を有するＳＭＤを誘電体層１２１の面１２１ａに設ける場合、ＳＭＤを２つ設けるためのスペースが求められるため、フィルタ装置１１のサイズが大きくなってしまう。
【0032】
また、ＳＭＤによって実現されるキャパシタでは、静電容量を小さくすることが困難である。キャパシタの静電容量が大きいときのフィルタ特性は、図４に示す曲線Ｒ１のようになる。曲線Ｒ１では、ＲＦ信号の高調波の周波数帯Ｂｈより低周波側に極ＰＲ１が位置するため、周波数帯Ｂｈにおける高調波の通過を抑制することが困難となる。
【0033】
これに対して、本実施形態のフィルタ装置１１において、パッド電極１４１ａ及び電極５１によってキャパシタ４６を形成する構成により、誘電体層１２１の面１２１ａに設けるＳＭＤをインダクタ部品６２の１つにすることができるので、フィルタ装置１１のサイズが大きくなることを抑制することができる。
【0034】
また、電極５１の面積をパッド電極１４１ａの面積より小さくする構成により、キャパシタ４６の静電容量を小さくすることができる。キャパシタの静電容量が小さいときのフィルタ特性は、図４に示す曲線Ｃ１のようになり、極ＰＲ１と比べて、極ＰＣ１の周波数を高周波側にシフトさせ、極ＰＣ１の周波数を周波数帯Ｂｈに含めることができる。
【0035】
これにより、ＲＦ信号の高調波の通過を効果的に抑制することができるとともに、ＲＦ信号の基本波の周波数帯ＢｂにおいてＲＦ信号を良好に通過させることができる。
【0036】
さらに、面１２１ａを平面視したときに、電極５１の全部がパッド電極１４１ａと重なる構成により、後述の図６に開示されるような、電極５１において、インダクタ部品６２とは重なるがパッド電極１４１とは重ならない部分が生じることを抑制しやすくすることができる。これにより、インダクタ部品６２と電極５１との電磁界的な結合を抑制しやすくすることができるので、フィルタ特性が劣化することを抑制しやすくすることができる。
【0037】
また、電極５１が、ビア１５１を通じて、電極５１とは別層に設けられた基準電極Ｅｇ１に接続される構成により、電極５１の接地を電極５１と同じ層でとる必要がない。すなわち、電極５１の面積をそれだけ小さくすることが可能となるため、キャパシタ４６の静電容量をさらに小さくすることができる。これにより、極ＰＣ１の周波数をさらに高周波側にシフトさせることが可能となる。
【0038】
なお、ｘｙ面と平行な面内における電極５１の位置は、面１２１ａを平面視したときに、電極５１がパッド電極１４１ａからはみ出さない位置であれば、任意の位置でよい。
【0039】
具体的には、面１２１ａを平面視したときに、電極５１のｘ軸＋側の縁とパッド電極１４１ａのｘ軸＋側の縁とが重なるように、又は、電極５１のｘ軸－側の縁とパッド電極１４１ａのｘ軸－側の縁とが重なるように、電極５１が設けられてもよい。ｙ軸方向についても同様である。これにより、電極５１のレイアウトの自由度を高めることができる。
【0040】
［第２実施形態］
第２実施形態に係るフィルタ装置１２について説明する。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
第２実施形態に係るフィルタ装置１２について説明する。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【0041】
図５は、フィルタ装置１２を模式的に示す斜視図である。図５に示すように、第２実施形態に係るフィルタ装置１２では、誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、電極５１の全部ではなく一部がパッド電極１４１ａと重なる点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
【0042】
フィルタ装置１２は、図２に示すフィルタ装置１１と比べて、積層基板１１１の代わりに積層基板１１２を備える。
【0043】
フィルタ装置１２における積層基板１１２では、誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、電極５１のｘ軸＋側に位置し、かつ、ｙ軸＋側に位置する一部が、パッド電極１４１ａのｘ軸－側に位置し、かつ、ｙ軸－側に位置する一部と重なる。
【0044】
このような構成により、パッド電極１４１ａ及び電極５１によって形成されるキャパシタ４６の静電容量を極めて小さくすることができる。これにより、曲線Ｃ１の極ＰＣ１（図４参照）をより高周波側へシフトさせることができる。
【0045】
図６は、フィルタ装置１２の第１変形例であるフィルタ装置１２Ａを模式的に示す、上側から見た平面図である。図６に示すフィルタ装置１２Ａのように、誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、電極５１の一部である重なり部分１８１がインダクタ部品６２と重なる構成であってもよい。
【0046】
しかしながら、誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、電極５１のうち、インダクタ部品６２とは重なるがパッド電極１４１ａとは重ならない部分１８２があるとき、部分１８２とインダクタ部品６２とが電磁界的に結合し、フィルタ特性が劣化することがある。
【0047】
図７は、フィルタ装置１２の第２変形例であるフィルタ装置１２Ｂを模式的に示す、上側から見た平面図である。図７に示すように、フィルタ装置１２Ｂでは、誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、インダクタ部品６２と電極５１とが重なる重なり部分１８１があるとき、重なり部分１８１は、パッド電極１４１ａと重なる。
【0048】
このような構成により、インダクタ部品６２と電極５１との電磁界的な結合を抑制することができるので、フィルタ特性が劣化することを抑制することができる。
【0049】
［第３実施形態］
第３実施形態に係るフィルタ装置１３について説明する。図８は、フィルタ装置１３を模式的に示す斜視図である。図８に示すように、第３実施形態に係るフィルタ装置１３は、キャパシタ４６を形成するパッド電極の面積が大きい点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
第３実施形態に係るフィルタ装置１３について説明する。図８は、フィルタ装置１３を模式的に示す斜視図である。図８に示すように、第３実施形態に係るフィルタ装置１３は、キャパシタ４６を形成するパッド電極の面積が大きい点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
【0050】
フィルタ装置１３は、図２に示すフィルタ装置１１と比べて、積層基板１１１の代わりに積層基板１１３を備え、インダクタ部品６３をさらに備える。
【0051】
積層基板１１３は、図２に示す積層基板１１１と比べて、パッド電極１４１ａの代わりにパッド電極１４１ｃを含み、パッド電極１４２ａ及び１４２ｂをさらに含む。
【0052】
インダクタ部品６３は、インダクタ部品６２と同様のＳＭＤであり、キャパシタ、インダクタ又は抵抗の機能を有する。
【0053】
パッド電極１４２ａ及び１４２ｂは、金属層１３０の導体パターンの一部である。パッド電極１４２ａ及び１４２ｂには、インダクタ部品６３の第１端子及び第２端子が例えばはんだ付けによってそれぞれ接続される。
【0054】
パッド電極１４１ｂ、１４２ａ及び１４２ｂは、ＳＭＤの端子を１つはんだ付けするための電極であるので、面積は略同じである。
【0055】
パッド電極１４１ｃの面積は、パッド電極１４１ｂ、１４２ａ及び１４２ｂの面積より大きい。なお、図８において、パッド電極１４１ｃにおいて点線で示される領域の面積は、パッド電極１４１ｂ、１４２ａ及び１４２ｂの面積と略同じである。なお、パッド電極１４１ｃの面積は、パッド電極１４１ｂ、１４２ａ及び１４２ｂの面積と同じであってもよい。つまり、パッド電極１４１ｃの面積は、点線で示される領域の面積以上であればよい。
【0056】
このように、パッド電極１４１ｃの面積を大きくする構成により、ｘｙ面と平行な面内における電極５１の位置の自由度を高めることができるので、電極５１のレイアウトの自由度を高めることができる。
【0057】
また、電極５１の面積を大きくすることができるので、パッド電極１４１ｃ及び電極５１によって形成されるキャパシタ４６の静電容量を大きくすることができる。これにより、曲線Ｃ１の極ＰＣ１（図４参照）を低周波側へシフトさせることができる。
【0058】
［第４実施形態］
第４実施形態に係るフィルタ回路２４及びフィルタ装置１４について説明する。図９は、フィルタ回路２４の回路図である。図９に示すように、第４実施形態に係るフィルタ回路２４は、タンク回路となっている点で第１実施形態に係るフィルタ回路２１と異なる。
第４実施形態に係るフィルタ回路２４及びフィルタ装置１４について説明する。図９は、フィルタ回路２４の回路図である。図９に示すように、第４実施形態に係るフィルタ回路２４は、タンク回路となっている点で第１実施形態に係るフィルタ回路２１と異なる。
【0059】
【0060】
図１０は、フィルタ装置１４を模式的に示す斜視図である。図１０に示すように、フィルタ装置１４は、図２に示すフィルタ装置１１と比べて、積層基板１１１の代わりに積層基板１１４を備える。フィルタ装置１４には、フィルタ回路２４が形成される。
【0061】
積層基板１１３は、図２に示す積層基板１１１と比べて、配線１７１をさらに含む。配線１７１は、電極５３及び１４３と、ビア１５３と、配線電極１６３及び１６４と、を含む。
【0062】
積層基板１１３では、金属層１３０は、金属層１３０の導体パターンの一部である、パッド電極１４１ａ（第１パッド電極）及び１４１ｂ（第２パッド電極）、電極１４３並びに配線電極１６１、１６２及び１６４を含む。
【0063】
金属層１３１は、金属層１３１の導体パターンの一部である、電極５１及び５３並びに配線電極１６３を含む。誘電体層１２１は、ビア１５３を含む。
【0064】
配線１７１は、電極５１とパッド電極１４１ｂとを電気的に接続する。詳細には、配線１７１に含まれる配線電極１６３は、金属層１３１において、電極５１と電極５３とを電気的に接続する。
【0065】
誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、配線電極１６３とインダクタ部品６２とは重ならない。これにより、配線電極１６３とインダクタ部品６２との電磁界的な結合を抑制することができるので、フィルタ特性が劣化することを抑制することができる。
【0066】
ビア１５３は、電極５３と電極１４３とを電気的に接続する。配線電極１６４は、金属層１３０において、電極１４３とパッド電極１４１ｂ及び配線電極１６２とを電気的に接続する。
【0067】
パッド電極１４１ａ及び電極５１によって形成されるキャパシタ４６と、インダクタ部品６２とによって並列共振回路が形成される。
【0068】
［第５実施形態］
第５実施形態に係るフィルタ回路２５及びフィルタ装置１５について説明する。図１１は、フィルタ回路２５の回路図である。図１１に示すように、第５実施形態に係るフィルタ回路２５は、π型のフィルタ回路となっている点で第１実施形態に係るフィルタ回路２１と異なる。
第５実施形態に係るフィルタ回路２５及びフィルタ装置１５について説明する。図１１は、フィルタ回路２５の回路図である。図１１に示すように、第５実施形態に係るフィルタ回路２５は、π型のフィルタ回路となっている点で第１実施形態に係るフィルタ回路２１と異なる。
【0069】
【0070】
図１２は、フィルタ装置１５を模式的に示す斜視図である。図１２に示すように、フィルタ装置１５は、図２に示すフィルタ装置１１と比べて、積層基板１１１の代わりに積層基板１１５を備える。フィルタ装置１５には、フィルタ回路２５が形成される。
【0071】
積層基板１１５は、図２に示す積層基板１１１と比べて、電極５２（第２電極）と、ビア１５２と、をさらに含む。
【0072】
積層基板１１５では、金属層１３１は、金属層１３１の導体パターンの一部である電極５１及び５２を含む。誘電体層１２２は、ビア１５１及び１５２を含む。電極５２を上側から見たときの形状は、例えば矩形である。
【0073】
電極５２とパッド電極１４１ｂとの間には、誘電体層１２１が位置する。誘電体層１２１の面１２１ａを上側から平面視したときに、電極５２の少なくとも一部がパッド電極１４１ｂと重なる。本実施形態では、面１２１ａを上側から平面視したときに、電極５２の全部がパッド電極１４１ｂと重なる。なお、面１２１ａを上側から平面視したときに、電極５２の一部がパッド電極１４１ｂと重なる構成であってよい。パッド電極１４１ｂと電極５２とによって、キャパシタ４７が形成される。
【0074】
本実施形態では、電極５２の面積は、パッド電極１４１ｂの面積より小さい。このような構成により、０．１ｐＦ程度の小さい静電容量のキャパシタ４７を実現することができる。
【0075】
電極５２は、開放されていない電極である。本実施形態では、電極５２の下側には、ビア１５２が設けられる。ビア１５２は、誘電体層１２２を貫通し、電極５２と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する。これにより、電極５２は、接地に電気的に接続される。
【0076】
［第６実施形態］
第６実施形態に係るフィルタ装置１６について説明する。図１３は、フィルタ装置１６を模式的に示す斜視図である。図１３に示すように、第６実施形態に係るフィルタ装置１６は、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する複数のビア１５１が設けられる点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
第６実施形態に係るフィルタ装置１６について説明する。図１３は、フィルタ装置１６を模式的に示す斜視図である。図１３に示すように、第６実施形態に係るフィルタ装置１６は、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する複数のビア１５１が設けられる点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
【0077】
フィルタ装置１５は、図２に示すフィルタ装置１１と比べて、積層基板１１１の代わりに積層基板１１６を備える。
【0078】
積層基板１１６は、図２に示す積層基板１１１と比べて、２つのビア１５１を含む。誘電体層１２２では、２つのビア１５１は、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する。
【0079】
このような構成により、基準電極Ｅｇ１の電位に対する電極５１の電位のふらつきを抑制することができるので、曲線Ｃ１の極ＰＣ１（図４参照）における減衰量を大きくすることができる。これにより、ＲＦ信号の高調波の通過をより効果的に抑制することができる。
【0080】
なお、本実施形態では、誘電体層１２２において、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する２つのビア１５１が設けられる構成について説明したが、これに限定するものではない。誘電体層１２２では、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する３つ以上のビア１５１が設けられる構成であってもよい。
【0081】
［第７実施形態］
第７実施形態に係るフィルタ装置１７について説明する。図１４は、フィルタ装置１７を模式的に示す斜視図である。図１４に示すように、第７実施形態に係るフィルタ装置１７は、金属層１３１と誘電体層１２１との間に誘電体層１２３が設けられる点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
第７実施形態に係るフィルタ装置１７について説明する。図１４は、フィルタ装置１７を模式的に示す斜視図である。図１４に示すように、第７実施形態に係るフィルタ装置１７は、金属層１３１と誘電体層１２１との間に誘電体層１２３が設けられる点で第１実施形態に係るフィルタ装置１１と異なる。
【0082】
フィルタ装置１７は、図２に示すフィルタ装置１１と比べて、積層基板１１１の代わりに積層基板１１７を備える。
【0083】
積層基板１１７は、図２に示す積層基板１１１と比べて、誘電体層１２３（第３誘電体層）をさらに含む。
【0084】
誘電体層１２１と金属層１３１との間に誘電体層１２３が位置する構成により、電極５１とパッド電極１４１ａとの間の距離を大きくすることができるので、パッド電極１４１ａ及び電極５１によって形成されるキャパシタ４６の静電容量をより小さくすることができる。これにより、曲線Ｃ１の極ＰＣ１（図４参照）をより高周波側へシフトさせることができる。
【0085】
なお、図１４には図示しないが、誘電体層１２１と誘電体層１２３との間には、他の金属層が設けられる構成であってもよい。誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、当該他の金属層１３１に含まれる導体パターンは、パッド電極１４１ａ及び電極５１が重なる領域と重ならない。
【0086】
［第８実施形態］
第８実施形態に係るフィルタ装置１８について説明する。図１５は、フィルタ装置１８を模式的に示す斜視図である。図１５に示すように、第８実施形態に係るフィルタ装置１８は、キャパシタ４６の第２端に相当する電極が導体パターンではなくビアとなっている点で第７実施形態に係るフィルタ装置１７と異なる。
第８実施形態に係るフィルタ装置１８について説明する。図１５は、フィルタ装置１８を模式的に示す斜視図である。図１５に示すように、第８実施形態に係るフィルタ装置１８は、キャパシタ４６の第２端に相当する電極が導体パターンではなくビアとなっている点で第７実施形態に係るフィルタ装置１７と異なる。
【0087】
フィルタ装置１８は、図１４に示すフィルタ装置１７と比べて、積層基板１１７の代わりに積層基板１１８を備える。
【0088】
積層基板１１８は、図１４に示す積層基板１１７と比べて、電極５１及びビア１５１の代わりに、電極５４及びビア１５４（第２ビア）をそれぞれ含む。
【0089】
金属層１３１は、導体パターンである電極５４を含む。電極５４には、貫通孔５４ａが形成される。
【0090】
本実施形態では、ビア１５４は、第１電極である。ビア１５４は、貫通孔５４ａの内部を通じて誘電体層１２２（第２誘電体層）及び１２１を貫通する。ビア１５４の断面の形状は、円形又は楕円形である。なお、ビア１５４の断面の形状は、他の形状であってもよい。
【0091】
本実施形態では、誘電体層１２１の面１２１ａを上側から平面視したときに、ビア１５４の面１５４ａの全部がパッド電極１４１ａと重なる。なお、誘電体層１２１の面１２１ａを上側から平面視したときに、ビア１５４の面１５４ａの一部がパッド電極１４１ａと重なる構成であってもよい。パッド電極１４１ａとビア１５４とによって、キャパシタ４６（図１参照）が形成される。
【0092】
ビア１５４の下側の面は、金属層１３２における基準電極Ｅｇ１に接する。ビア１５４の上側の面１５４ａは、ｘｙ面と略平行であり、誘電体層１２１を間に挟んでパッド電極１４１ａと対向する。
【0093】
このように、極小の断面積を有するビア１５４が第１電極である構成により、パッド電極１４１ａ及びビア１５４によって形成されるキャパシタ４６の静電容量を極めて小さくすることができる。これにより、曲線Ｃ１の極ＰＣ１（図４参照）をより高周波側へシフトさせることができる。
【0094】
［第９実施形態］
第９実施形態に係るフィルタ装置１９について説明する。図１６は、フィルタ装置１９を模式的に示す斜視図である。図１６に示すように、第９実施形態に係るフィルタ装置１９は、ビア１５４の下側が配線電極を通じで接地に接続される点で第８実施形態に係るフィルタ装置１８と異なる。
第９実施形態に係るフィルタ装置１９について説明する。図１６は、フィルタ装置１９を模式的に示す斜視図である。図１６に示すように、第９実施形態に係るフィルタ装置１９は、ビア１５４の下側が配線電極を通じで接地に接続される点で第８実施形態に係るフィルタ装置１８と異なる。
【0095】
フィルタ装置１９は、図１５に示すフィルタ装置１８と比べて、積層基板１１８の代わりに積層基板１１９を備える。
【0096】
積層基板１１９は、図１５に示す積層基板１１８と比べて、基準電極Ｅｇ１の代わりに、電極５５を含む。
【0097】
金属層１３２は、導体パターンである電極５５及び配線電極１６５を含む。電極５５のｘ軸－側には、ｘ軸＋側に向かって切り欠かれた切り欠き部５５ａが形成される。
【0098】
ビア１５４の下側は、金属層１３２における電極５５の切り欠き部５５ａの内部に位置し、電極５５とは接しない。ビア１５４の下側は、配線電極１６５を通じて接地（図示しない）に電気的に接続される。
【0099】
なお、フィルタ装置１５では、電極５１及び５２が設けられる構成について説明したが、これに限定するものではない。電極５１及び５２が設けられない構成であってもよい。この場合、ビア１５１及び１５２が、それぞれ第１電極及び第２電極となる。
【0100】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。フィルタ装置１１～１９は、インダクタ部品６２と、積層基板１１１～１１９と、をそれぞれ備える。積層基板１１１～１１９は、インダクタ部品６２が実装される。積層基板１１１～１１９は、誘電体層１２１と、パッド電極１４１ａと、電極５１又はビア１５４と、を含む。誘電体層１２１は、面１２１ａを有する。パッド電極１４１ａは、面１２１ａ（実装面１２１ａ）に設けられ、インダクタ部品６２の第１端子が接続される。電極５１又はビア１５４は、開放されていない電極であって、電極５１又はビア１５４とパッド電極１４１ａとの間に誘電体層１２１が位置するように設けられ、面１２１ａを平面視したときに、電極５１又はビア１５４の少なくとも一部がパッド電極１４１ａと重なる。パッド電極１４１ａと電極５１又はビア１５４の当該少なくとも一部とによって、キャパシタ４６が形成される。
【0101】
このように、パッド電極１４１ａと電極５１又はビア１５４の当該少なくとも一部とによって、キャパシタ４６が形成される構成により、キャパシタ４６として機能するＳＭＤをインダクタ部品６２とは別に面１２１ａに設けることなく、フィルタ回路２１、２４又は２５が形成されたフィルタ装置１１～１９を実現することができる。これにより、フィルタ装置１１～１９のサイズを小さくすることができる。
【0102】
また、フィルタ装置１１～１９では、面１２１ａ（実装面１２１ａ）を平面視したときに、電極５１又はビア１５４の面積は、パッド電極１４１ａの面積より小さい。
【0103】
このように、電極５１又はビア１５４の面積をパッド電極１４１ａの面積より小さくする構成により、キャパシタ４６の静電容量を小さくすることができる。キャパシタ４６の静電容量が小さいフィルタ特性では、極ＰＣ１の周波数を高周波側にシフトさせ、ＲＦ信号の高調波の周波数帯Ｂｈに極ＰＣ１の周波数を含めることができる。これにより、ＲＦ信号の高調波の通過を効果的に抑制することができるとともに、ＲＦ信号の基本波の周波数帯ＢｂにおいてＲＦ信号を良好に通過させることができる。
【0104】
また、フィルタ装置１１及び１３～１９では、面１２１ａ（実装面１２１ａ）を平面視したときに、電極５１の全てが、パッド電極１４１ａと重なる。
【0105】
このように、面１２１ａを平面視したときに、電極５１の全てがパッド電極１４１ａと重なる構成により、電極５１において、インダクタ部品６２とは重なるがパッド電極１４１とは重ならない部分が生じることを抑制しやすくすることができる。これにより、インダクタ部品６２と電極５１との電磁界的な結合を抑制しやすくすることができるので、フィルタ特性が劣化することを抑制しやすくすることができる。
【0106】
また、積層基板１１１～１１７は、金属層１３１と、誘電体層１２２と、金属層１３２と、ビア１５１と、をさらに含む。金属層１３１は、電極５１を含み、金属層１３１とパッド電極１４１ａとの間に誘電体層１２１が位置するように設けられる。誘電体層１２２は、誘電体層１２２と誘電体層１２１との間に金属層１３１が位置するように設けられる。金属層１３２は、基準電位が供給される基準電極Ｅｇ１を含み、金属層１３２と金属層１３１との間に誘電体層１２２が位置するように設けられる。ビア１５１は、誘電体層１２２を貫通し、電極５１と基準電極Ｅｇ１とを電気的に接続する。
【0107】
このように、ビア１５１を通じて電極５１を基準電極Ｅｇ１に電気的に接続する構成により、キャパシタ４６を、浮遊容量ではなく基準電位に接続された容量にすることができる。これにより、キャパシタ４６を通じてＲＦ信号の高調波を基準電極Ｅｇ１に流すことができる。また、仮に、金属層１３１の導体パターンを通じて電極５１を基準電極Ｅｇ１に電気的に接続させる場合、導体パターンとパッド電極１４１ａとによってキャパシタが形成されて極ＰＣ１が低周波側にシフトしてしまうことがある。これに対して、上記構成では、当該キャパシタを形成することなく電極５１を基準電極Ｅｇ１に電気的に接続させることができるので、極ＰＣ１が低周波側にシフトすることを抑制することができる。
【0108】
また、フィルタ装置１２Ｂでは、誘電体層１２１の面１２１ａを平面視したときに、インダクタ部品６２と電極５１とが重なる重なり部分１８１があるとき、重なり部分１８１は、パッド電極１４１ａと重なる。
【0109】
このような構成により、インダクタ部品６２と電極５１との電磁界的な結合を抑制することができるので、フィルタ特性が劣化することを抑制することができる。
【0110】
また、フィルタ装置１４では、積層基板１１４は、パッド電極１４１ｂと、配線１７１と、をさらに含む。パッド電極１４１ｂは、誘電体層１２１の面１２１ａに設けられ、インダクタ部品６２の第２端子が接続される。配線１７１は、電極５１とパッド電極１４１ｂとを接続する。キャパシタ４６及びインダクタ部品６２によって並列共振回路が形成される。
【0111】
このような構成により、静電容量が小さいキャパシタ４６を含むタンク回路が形成され、かつ、サイズの小さいフィルタ装置１４を実現することができる。
【0112】
また、フィルタ装置１５では、積層基板１１５は、パッド電極１４１ｂと、電極５２と、をさらに含む。パッド電極１４１ｂは、誘電体層１２１の面１２１ａに設けられ、インダクタ部品６２の第２端子が接続される。電極５２は、開放されていない電極であって、電極５２とパッド電極１４１ｂとの間に誘電体層１２１が位置するように設けられ、面１２１ａを平面視したときに、電極５２の少なくとも一部がパッド電極１４１ｂと重なる。パッド電極１４１ｂと電極５２の当該少なくとも一部とによって、キャパシタ４７が形成される。
【0113】
このような構成により、静電容量が小さいキャパシタ４６及び４７を含むπ型フィルタ回路が形成され、かつ、サイズの小さいフィルタ装置１５を実現することができる。
【0114】
また、フィルタ装置１６では、積層基板１１６は、複数のビア１５１を含む。
【0115】
このような構成により、基準電極Ｅｇ１の電位に対する電極５１の電位のふらつきを抑制することができるので、極ＰＣ１（図４参照）における減衰量を大きくすることができる。これにより、ＲＦ信号の高調波の通過をより効果的に抑制することができる。
【0116】
また、フィルタ装置１７では、積層基板１１７は、誘電体層１２１と電極５１との間に位置する誘電体層１２３をさらに含む。
【0117】
このように、誘電体層１２１と電極５１との間に誘電体層１２３が位置する構成により、電極５１とパッド電極１４１ａとの間の距離を大きくすることができるので、パッド電極１４１ａ及び電極５１によって形成されるキャパシタ４６の静電容量をより小さくすることができる。これにより、極ＰＣ１（図４参照）をより高周波側へシフトさせることができる。
【0118】
また、フィルタ装置１８又は１９では、積層基板１１８又は１１９は、誘電体層１２２と、ビア１５４と、をさらに含む。誘電体層１２２は、誘電体層１２２とパッド電極１４１ａとの間に誘電体層１２１が位置するように設けられる。ビア１５４は、誘電体層１２２を貫通し、第１電極である。
【0119】
このように、極小の断面積のビア１５４が第１電極である構成により、パッド電極１４１ａ及びビア１５４によって形成されるキャパシタ４６の静電容量を極めて小さくすることができる。これにより、極ＰＣ１（図４参照）をより高周波側へシフトさせることができる。
【0120】
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【0121】
＜１＞
インダクタ部品と、
前記インダクタ部品が実装される基板であって、
実装面を有する第１誘電体層と、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、
開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、
を含む前記基板と、を備え、
前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
インダクタ部品と、
前記インダクタ部品が実装される基板であって、
実装面を有する第１誘電体層と、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第１端子が接続される第１パッド電極と、
開放されていない第１電極であって、前記第１電極と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の少なくとも一部が前記第１パッド電極と重なる前記第１電極と、
を含む前記基板と、を備え、
前記第１パッド電極と前記第１電極の前記少なくとも一部とによって、第１キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
【0122】
＜２＞
＜１＞に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の面積は、前記第１パッド電極の面積より小さい、
フィルタ装置。
＜１＞に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の面積は、前記第１パッド電極の面積より小さい、
フィルタ装置。
【0123】
＜３＞
＜２＞に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の全てが、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
＜２＞に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記第１電極の全てが、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
【0124】
＜４＞
＜２＞又は＜３＞に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
＜２＞又は＜３＞に記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
【0125】
＜５＞
＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記第１電極を含む第１配線層であって、前記第１配線層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる前記第１配線層と、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１誘電体層との間に前記第１配線層が位置するように設けられる前記第２誘電体層と、
基準電位が供給される基準電極を含む第２配線層であって、前記第２配線層と前記第１配線層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられる前記第２配線層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極と前記基準電極とを電気的に接続する第１ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記第１電極を含む第１配線層であって、前記第１配線層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる前記第１配線層と、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１誘電体層との間に前記第１配線層が位置するように設けられる前記第２誘電体層と、
基準電位が供給される基準電極を含む第２配線層であって、前記第２配線層と前記第１配線層との間に前記第２誘電体層が位置するように設けられる前記第２配線層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極と前記基準電極とを電気的に接続する第１ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
【0126】
＜６＞
＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記実装面を平面視したときに、前記インダクタ部品と前記第１電極とが重なる重なり部分があるとき、前記重なり部分は、前記第１パッド電極と重なる、
フィルタ装置。
【0127】
＜７＞
＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
前記第１電極と前記第２パッド電極とを接続する配線と、
をさらに含み、
前記第１キャパシタ及び前記インダクタ部品によって並列共振回路が形成される、
フィルタ装置。
＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
前記第１電極と前記第２パッド電極とを接続する配線と、
をさらに含み、
前記第１キャパシタ及び前記インダクタ部品によって並列共振回路が形成される、
フィルタ装置。
【0128】
＜８＞
＜１＞から＜７＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
開放されていない第２電極であって、前記第２電極と前記第２パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第２電極の少なくとも一部が前記第２パッド電極と重なる前記第２電極と、
をさらに含み、
前記第２パッド電極と前記第２電極の前記少なくとも一部とによって、第２キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
＜１＞から＜７＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
前記実装面に設けられ、前記インダクタ部品の第２端子が接続される第２パッド電極と、
開放されていない第２電極であって、前記第２電極と前記第２パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられ、前記実装面を平面視したときに、前記第２電極の少なくとも一部が前記第２パッド電極と重なる前記第２電極と、
をさらに含み、
前記第２パッド電極と前記第２電極の前記少なくとも一部とによって、第２キャパシタが形成される、
フィルタ装置。
【0129】
＜９＞
＜５＞に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、複数の前記第１ビアを含む、
フィルタ装置。
＜５＞に記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、複数の前記第１ビアを含む、
フィルタ装置。
【0130】
＜１０＞
＜１＞から＜９＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
第１誘電体層と前記第１電極との間に位置する第３誘電体層をさらに含む、
フィルタ装置。
＜１＞から＜９＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
第１誘電体層と前記第１電極との間に位置する第３誘電体層をさらに含む、
フィルタ装置。
【0131】
＜１１＞
＜１＞から＜１０＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる第２誘電体層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極である第２ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
＜１＞から＜１０＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置であって、
前記基板は、
第２誘電体層であって、前記第２誘電体層と前記第１パッド電極との間に前記第１誘電体層が位置するように設けられる第２誘電体層と、
前記第２誘電体層を貫通し、前記第１電極である第２ビアと、
をさらに含む、
フィルタ装置。
【符号の説明】
【0132】
１１、１２、１２Ａ、１２Ｂ、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９…フィルタ装置
２１、２４、２５…フィルタ回路
３１…入力端子
３２…出力端子
４１…インダクタ
４６、４７…キャパシタ
５１、５２、５３、５４、５５…電極
５４ａ…貫通孔
５５ａ…切り欠き部
６２、６３…インダクタ部品
１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９…積層基板
１２１…誘電体層
１２１ａ、１２１ｂ…面
１２２、１２３…誘電体層
１３０、１３１、１３２、１３３、１３４、１３５…金属層
１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ、１４２ａ、１４２ｂ…パッド電極
１４３…電極
１５１、１５２、１５３、１５４…ビア
１５４ａ…面
１６１、１６２、１６３、１６４、１６５…配線電極
１７１…配線
１８１…重なり部分
１８２…部分
Ｅｇ１…基準電極
２１、２４、２５…フィルタ回路
３１…入力端子
３２…出力端子
４１…インダクタ
４６、４７…キャパシタ
５１、５２、５３、５４、５５…電極
５４ａ…貫通孔
５５ａ…切り欠き部
６２、６３…インダクタ部品
１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９…積層基板
１２１…誘電体層
１２１ａ、１２１ｂ…面
１２２、１２３…誘電体層
１３０、１３１、１３２、１３３、１３４、１３５…金属層
１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ、１４２ａ、１４２ｂ…パッド電極
１４３…電極
１５１、１５２、１５３、１５４…ビア
１５４ａ…面
１６１、１６２、１６３、１６４、１６５…配線電極
１７１…配線
１８１…重なり部分
１８２…部分
Ｅｇ１…基準電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】