特開 2024-141946 通信装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024141946

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】通信装置

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/43 20060101AFI20241003BHJP

   H04J 14/00 20060101ALI20241003BHJP

   H04J 14/02 20060101ALI20241003BHJP

   G02B 6/12 20060101ALN20241003BHJP

   G02B 6/30 20060101ALN20241003BHJP

【ＦＩ】

G02B6/43

H04J14/00

H04J14/02

G02B6/12 301

G02B6/30

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023053834

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100109210

【弁理士】

【氏名又は名称】新居 広守

(74)【代理人】

【識別番号】100137235

【弁理士】

【氏名又は名称】寺谷 英作

(74)【代理人】

【識別番号】100131417

【弁理士】

【氏名又は名称】道坂 伸一

(72)【発明者】

【氏名】小畑 幸嗣

(72)【発明者】

【氏名】崔 成伯

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

5K102

【Ｆターム（参考）】

2H137AA11

2H137AB05

2H137AB06

2H137AB09

2H137AB12

2H137AC02

2H137AC04

2H137AC05

2H137BA18

2H137BA55

2H137BB02

2H137BB12

2H137BB17

2H137BB25

2H137BC01

2H137BC51

2H137DA39

2H137EA04

2H147BG02

2H147CA01

2H147CA13

2H147CB01

2H147CB06

2H147CC02

2H147CD02

2H147EA16A

2H147EA16B

2H147EA18A

2H147EA18B

2H147FB04

2H147FC05

5K102AD00

5K102AD01

5K102PA00

5K102PB02

5K102PB18

5K102PC11

5K102PH31

(57)【要約】

【課題】従来よりも容易に光通信における通信品質を向上させることができる通信装置を提供する。
【解決手段】通信装置１は、複数の発光素子３２を有する光源部と、複数の発光素子３２からの光を受光する受光部（例えば、受光素子３３）と、光源部及び受光部を接続し、複数の発光素子３２から出射された光を伝搬する導波部材５０とを備え、複数の発光素子３２のうち少なくとも１つの発光素子３２は、他の発光素子３２と発光色が異なる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の発光素子を有する光源部と、
前記複数の発光素子からの光を受光する受光部と、
前記光源部及び前記受光部を接続し、前記複数の発光素子から出射された光を伝搬する導波部材とを備え、
前記複数の発光素子のうち少なくとも１つの発光素子は、他の発光素子と発光色が異なる
通信装置。

【請求項2】

前記複数の発光素子は、２次元状に配置されており、隣り合う発光素子の発光色が異なる
請求項１に記載の通信装置。

【請求項3】

前記複数の発光素子は、青色を出射する第１発光素子と、緑色を出射する第２発光素子とを含む
請求項１又は２に記載の通信装置。

【請求項4】

前記複数の発光素子は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系の半導体発光素子を含む
請求項１又は２に記載の通信装置。

【請求項5】

前記複数の発光素子は、互いに隣接し、かつ、互いに発光色が異なる、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子及び第４発光素子を含む
請求項１又は２に記載の通信装置。

【請求項6】

前記導波部材は、複数本のコアと、前記複数本のコアを覆い、前記複数本のコアより屈折率が低いクラッドとを有するポリマー導波路である
請求項１又は２に記載の通信装置。

【請求項7】

さらに、前記光源部及び前記受光部の少なくとも一方が配置される第１基板を備え、
前記ポリマー導波路は、前記第１基板に埋め込まれて配置される
請求項６に記載の通信装置。

【請求項8】

さらに、
光ファイバと、
前記ポリマー導波路と前記光ファイバとを接続するコネクタとを備える
請求項６に記載の通信装置。

【請求項9】

前記導波部材は、光ファイバである
請求項１又は２に記載の通信装置。

【請求項10】

さらに、
前記光源部を制御する第１通信制御部と、
前記受光部を制御する第２通信制御部とを備え、
前記第１通信制御部及び前記光源部は、第２基板の同一主面に配置され、
前記第２通信制御部及び前記受光部は、第３基板の同一主面に配置される
請求項１又は２に記載の通信装置。

【請求項11】

前記複数の発光素子は、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子である
請求項１又は２に記載の通信装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、通信装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、光通信等において用いられる光導波回路において、通信品質を向上するための種々の検討が行われている。例えば、特許文献１には、クラッドの一部を除去して光吸収物質を追加することで、光導波路で発生する散乱光が他の導波路に紛れ込むことを抑制する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平９－５５４８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１の技術では、光導波回路の製造段階において、クラッドの一部を除去して光吸収物質を追加する必要があり、工程が複雑である。

【0005】

そこで、本開示は、従来よりも容易に光通信における通信品質を向上させることができる通信装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様に係る通信装置は、複数の発光素子を有する光源部と、前記複数の発光素子からの光を受光する受光部と、前記光源部及び前記受光部を接続し、前記複数の発光素子から出射された光を伝搬する導波部材とを備え、前記複数の発光素子のうち少なくとも１つの発光素子は、他の発光素子と発光色が異なる。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一態様によれば、従来よりも容易に光通信における通信品質を向上させることができる通信装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1A】図１Ａは、通信装置の形態の第１例を示す図である。

【図1B】図１Ｂは、通信装置の形態の第２例を示す図である。

【図1C】図１Ｃは、通信装置の形態の第３例を示す図である。

【図1D】図１Ｄは、通信装置の形態の第４例を示す図である。

【図2】図２は、実施の形態１に係る通信装置の構成を示す図である。

【図3】図３は、実施の形態１に係る光源部から出射される光の発光特性を示す図である。

【図4A】図４Ａは、ＬＥＤのチップサイズとピーク外部量子効率との関係を示す図である。

【図4B】図４Ｂは、ＬＥＤのチップサイズと正規化された発光効率との関係を示す図である。

【図5】図５は、実施の形態２に係る通信装置の構成を示す図である。

【図6】図６は、実施の形態２に係る通信装置を作製する方法を示すフローチャートである。

【図7】図７は、実施の形態２に係る通信装置のポリマー導波路を作製する工程を示す図である。

【図8】図８は、実施の形態２の変形例に係る通信装置の構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（本開示の基礎となった知見）
近年、データ通信において、光通信の導入が進んでいる。例えば、データセンタに配置される複数のサーバ装置間の通信に光通信が導入されている。今後、通信の高速化が進むにつれて、近距離通信においても電気通信から光通信に置き換わることが想定される。また、さらに、基板上に配置された複数のチップ間（ダイ間）の通信も電気通信から光通信に置き換わることも想定される。

【0010】

このような光通信を行う通信装置の形態について、図１Ａ～図１Ｄを参照しながら説明する。図１Ａ～図１Ｄは、通信装置の形態の各例を示す図である。図１Ａでは、送信側及び受信側それぞれの構成を示しており、図１Ｂ～図１Ｄでは、送信側及び受信側の一方の構成を示す。図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄの順に光の帯域幅が広くなり、より高速通信が可能である。なお、本開示の技術は、図１Ａ～図１Ｄに示す通信装置の各形態のいずれにも適用可能である。

【0011】

図１Ａの（ａ）は、第１通信部を上方から見た平面図であり、図１Ａの（ｂ）は、通信装置を側方から見た側面図であり、図１Ａの（ｃ）は、第２通信部を上方から見た平面図である。

【0012】

図１Ａに示すように、通信装置１００は、基板１１０Ａ及び１１０Ｂと、パッケージ基板１１１Ａ及び１１１Ｂと、通信制御部１１２Ａ及び１１２Ｂと、光モジュール１１３Ａ及び１１３Ｂと、光ファイバ１２０とを備える。基板１１０Ａ、パッケージ基板１１１Ａ、通信制御部１１２Ａ及び光モジュール１１３Ａにより第１通信部が構成され、基板１１０Ｂ、パッケージ基板１１１Ｂ、通信制御部１１２Ｂ及び光モジュール１１３Ｂにより第２通信部が構成される。通信装置１００は、第１通信部及び第２通信部の一方から他方又は双方向に光信号を伝送する。なお、第１通信部及び第２通信部の構成は同一であってもよく、以下では主に第１通信部について説明する。

【0013】

基板１１０Ａは、光通信を行うための各種電子部品が実装される電子基板（プリント回路基板）である。基板１１０Ａは、システムボードとも称される。

【0014】

パッケージ基板１１１Ａは、基板１１０Ａ上に配置され、少なくとも光通信を行うための制御を行う通信制御部１１２Ａが実装されるパッケージ基板である。パッケージ基板１１１Ａと基板１１０Ａとは、配線等により接続されている。パッケージ基板１１１Ａは第２基板の一例であり、パッケージ基板１１１Ｂは第３基板の一例である。

【0015】

通信制御部１１２Ａは、光通信による信号の送受信を制御する制御装置である。通信制御部１１２Ａは、例えば、データを送信する場合、送信元のサーバ装置から送信対象の信号を受信し、受信した信号を送信するための制御信号を生成し、光源部の発光（明滅）を制御してもよい。また、通信制御部１１２Ａは、例えば、データを受信する場合、受光部を介して受光（受信）された受光信号を受信先のサーバ装置に送信してもよい。通信制御部１１２Ａは、例えば、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の通信ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。

【0016】

光モジュール１１３Ａは、電気信号及び光信号を一方から他方に変換する光電変換デバイス（光電変換回路）である。光モジュール１１３Ａは、データを送信する場合、制御信号（電気信号）を光信号に変換し、データを受信する場合、光信号を受光信号（電気信号）に変換する。光モジュール１１３Ａは、光トランシーバ又はプラガブルトランシーバとも称される。

【0017】

なお、光モジュール１１３Ａは、電気信号を光信号に変換する、及び、光信号を電気信号に変換することの少なくとも一方が可能なように構成されていればよい。光モジュール１１３Ａは、電気信号を光信号に変換する場合、１以上の発光素子を有する光源部を含んで構成され、光信号を電気信号に変換する場合、１以上の受光素子を有する受光部を含んで構成される。発光素子は、例えば、レーザ素子又はＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子であるがこれに限定されない。また、受光素子は、例えば、フォトダイオードであるがこれに限定されない。

【0018】

なお、基板１１０Ａ及びパッケージ基板１１１Ａには電気信号の伝送路１１４Ａ（第２通信部においては、伝送路１１４Ｂ）が設けられる。伝送路１１４Ａは、基板１１０Ａ及びパッケージ基板１１１Ａを介して通信制御部１１２Ａ及び光モジュール１１３Ａを電気的に接続し、通信制御部１１２Ａ及び光モジュール１１３Ａの一方から他方に電気信号を伝送する。伝送路１１４Ａは、例えば、金属配線を含んで構成される。

【0019】

プラガブルモジュール１１５Ａは、光モジュール１１３Ａを収容し、光ファイバ１２０が挿抜可能なコネクタを有する。また、プラガブルモジュール１１５Ｂは、光モジュール１１３Ｂを収容し、光ファイバ１２０が挿抜可能なコネクタを有する。

【0020】

光ファイバ１２０は、一方の端部が光モジュール１１３Ａのコネクタに挿入され、他方の端部が光モジュール１１３Ｂのコネクタに挿入され、光（光信号）を伝搬するための導波路（伝送路）である。光ファイバ１２０は、可撓性を有するケーブル（光ファイバケーブル）である。なお、光ファイバ１２０は、マルチモードファイバであってもよいし、シングルモードファイバであってもよい。

【0021】

次に、図１Ｂの（ａ）は、第１通信部を上方から見た平面図であり、図１Ｂの（ｂ）は、第１通信部を側方から見た側面図である。図１Ｂに示す通信装置２００は、図１Ａに示す通信装置１００に比べて、光モジュール２１３が基板２１０上に配置されている点が主に異なる。このような構成は、Ｏｎ Ｂｏａｒｄ Ｏｐｔｉｃｓ（ＯＢＯ）とも称される。

【0022】

図１Ｂに示すように、通信装置２００では、光モジュール２１３が基板２１０上に配置（実装）されている。例えば、平面視において、複数の光モジュール２１３が通信制御部２１２を囲むように配置されてもよい。

【0023】

コネクタ２１５は、光コネクタ同士を接続するための光ファイバ用の光アダプタである。

【0024】

なお、基板２１０、パッケージ基板２１１、通信制御部２１２、光モジュール２１３及び伝送路２１４のそれぞれは、基板１１０Ａ又は１１０Ｂ、パッケージ基板１１１Ａ又は１１１Ｂ、通信制御部１１２Ａ又は１１２Ｂ、光モジュール１１３Ａ又は１１３Ｂ及び伝送路１１４Ａ又は１１４Ｂのそれぞれと同様の構成及び機能を有する。

【0025】

次に、図１Ｃの（ａ）は、第１通信部を上方から見た平面図であり、図１Ｃの（ｂ）は、第１通信部を側方から見た側面図である。図１Ｃに示す通信装置３００は、図１Ｂに示す通信装置２００に比べて、光モジュール２１３がパッケージ基板２１１上に配置されている点が主に異なる。このような構成は、Ｃｏ－ｐａｃｋａｇｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ（ＣＰＯ）とも称される。

【0026】

図１Ｃに示すように、光モジュール２１３は、パッケージ基板２１１上に配置（実装）されており、パッケージ基板２１１に形成された伝送路２１４により通信制御部２１２と接続されている。つまり、通信制御部２１２と光モジュール２１３とが集積化されている。通信装置３００では、図１Ａ等の通信装置に比べて光ファイバ１２０を通信制御部２１２に近づけることができる。これにより、例えば、図１Ａに示す通信装置１００に比べて、伝送路２１４が短くなることによる高速化、通信装置３００の消費電力量の低減等の効果が期待される。

【0027】

次に、図１Ｄの（ａ）は、第１通信部を上方から見た平面図であり、図１Ｄの（ｂ）は、第１通信部を側方から見た側面図である。図１Ｄに示す通信装置４００は、図１Ｃに示す通信装置３００に比べて、インターポーザ４１１上に、通信制御部２１２及び光モジュール２１３が配置されている点が主に異なる。このような集積方法は、例えば、２．５Ｄ集積とも称される。なお、集積方法はこれに限定されず、例えば、３Ｄ集積などであってもよい。

【0028】

図１Ｄに示すように、通信制御部２１２及び光モジュール２１３は、インターポーザ４１１上に配置される。インターポーザ４１１を介して通信制御部２１２及び光モジュール２１３がパッケージ化されているとも言える。

【0029】

インターポーザ４１１は、基板を貫通する電極（貫通ビア）によって表裏の回路を接続するための基板である。インターポーザ４１１は、通信制御部２１２及び光モジュール２１３と基板２１０との間に配置される。インターポーザ４１１は、例えば、シリコン貫通ビアを複数有するシリコンインターポーザである。インターポーザ４１１は、第２基板の一例である。

【0030】

伝送路４１４は、インターポーザ４１１上に配置された通信制御部２１２及び光モジュール２１３を接続する。伝送路４１４は、インターポーザ４１１内又はインターポーザ４１１上に形成される配線である。

【0031】

上記のような各種通信装置が知られている又は開発されている。このような光通信を行う通信装置においては、通信品質を向上させることが望まれる。例えば、イメージングマルチコア光ファイバを用いている場合、１つの光ファイバ内に数千本のコアが配置されていることもあり、ＬＥＤ素子としてマイクロＬＥＤ素子が用いられ、かつ、複数のマイクロＬＥＤ素子が近接して配置される。そのため、マイクロＬＥＤ素子を用いる場合、クロストークが発生しやすくなると考えられる。クロストークが発生すると光信号が混ざるので、長距離通信、高速通信の実現が困難となる。つまり、通信品質が低下することになる。

【0032】

また、「発明が解決しようとする課題」でも説明したように、光通信における通信品質の向上は、容易に実現されることが望まれる。

【0033】

そこで、本願発明者は、従来よりも容易に光通信における通信品質を向上させることができる通信装置について鋭意検討を行い、以下に説明する通信装置を創案した。

【0034】

本開示の第１の態様に係る通信装置は、複数の発光素子を有する光源部と、前記複数の発光素子からの光を受光する受光部と、前記光源部及び前記受光部を接続し、前記複数の発光素子から出射された光を伝搬する導波部材とを備え、前記複数の発光素子のうち少なくとも１つの発光素子は、他の発光素子と発光色が異なる。

【0035】

これにより、１つの発光素子と、他の発光素子との光が混ざっても発光色が異なるので、フィルタ等を用いて容易に分離することができる。つまり、クロストークの影響を低減することができるので、複数の発光素子のそれぞれの発光色が同じ場合に比べて通信品質を向上することができる。また、基板上に異なる発光色の発光素子を配置するだけでよいので、製造が容易である。よって、従来よりも容易に光通信における通信品質を向上させることができる通信装置を実現することができる。

【0036】

また、例えば、本開示の第２の態様に係る通信装置は、第１の態様に係る通信装置であって、前記複数の発光素子は、２次元状に配置されており、隣り合う発光素子の発光色が異なっていてもよい。

【0037】

これにより、隣り合う発光素子の発光色が互いに異なるので、クロストークの影響をより低減することができる。

【0038】

また、例えば、本開示の第３の態様に係る通信装置は、第１の態様又は第２の態様に係る通信装置であって、前記複数の発光素子は、青色を出射する第１発光素子と、緑色を出射する第２発光素子とを含んでいてもよい。

【0039】

これにより、青色及び緑色を出射する発光素子はＧａＮ系の半導体材料を用いて作製されることが多く、ＧａＮ系の半導体材料は高効率であり信頼性も高いので、通信品質をより向上させ得る。

【0040】

また、例えば、本開示の第４の態様に係る通信装置は、第１の態様～第３の態様のいずれかに係る通信装置であって、前記複数の発光素子は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系の半導体発光素子を含んでいてもよい。

【0041】

これにより、ＧａＮ系の半導体材料を用いた発光素子は、高効率であり信頼性も高いので、通信品質をより向上させることができる。

【0042】

また、例えば、本開示の第５の態様に係る通信装置は、第１の態様又は第２の態様に係る通信装置であって、前記複数の発光素子は、互いに隣接し、かつ、互いに発光色が異なる、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子及び第４発光素子を含んでいてもよい。

【0043】

これにより、同一発光色（同一波長）の発光素子が隣同士にならないように発光素子を配置することが可能となるので、クロストークの影響をさらに低減することができる。

【0044】

また、例えば、本開示の第６の態様に係る通信装置は、第１の態様～第５の態様のいずれかに係る通信装置であって、前記導波部材は、複数本のコアと、前記複数本のコアを覆い、前記複数本のコアより屈折率が低いクラッドとを有するポリマー導波路であってもよい。

【0045】

これにより、ポリマー導波路を用いることで、発光素子（例えば、マイクロＬＥＤ素子）のチップサイズに対する制約を緩和することができる。マイクロＬＥＤ素子は、チップサイズが大きくなると発光効率が向上する傾向がある。よって、ポリマー導波路を用いることで発光効率がより高いマイクロＬＥＤ素子を用いることが可能となるので、通信装置の通信品質を向上させることができる。

【0046】

また、例えば、本開示の第７の態様に係る通信装置は、第６の態様に係る通信装置であって、さらに、前記光源部及び前記受光部の少なくとも一方が配置される第１基板を備え、前記ポリマー導波路は、前記第１基板に埋め込まれて配置されてもよい。

【0047】

これにより、埋め込み型のポリマー導波路を用いて、通信装置の通信品質を向上させることができる。

【0048】

また、例えば、本開示の第８の態様に係る通信装置は、第６の態様又は第７の態様に係る通信装置であって、さらに、光ファイバと、前記ポリマー導波路と前記光ファイバとを接続するコネクタとを備えてもよい。

【0049】

これにより、ポリマー導波路を備える通信装置において、光信号の伝送距離を延ばすことができる。

【0050】

また、例えば、本開示の第９の態様に係る通信装置は、第１の態様～第８の態様のいずれかに係る通信装置であって、前記導波部材は、光ファイバであってもよい。

【0051】

これにより、光ファイバを備える通信装置において、従来よりも容易に光通信における通信品質を向上させることができる。

【0052】

また、例えば、本開示の第１０の態様に係る通信装置は、第１の態様～第９の態様のいずれかに係る通信装置であって、さらに、前記光源部を制御する第１通信制御部と、前記受光部を制御する第２通信制御部とを備え、前記第１通信制御部及び前記光源部は、第２基板の同一主面に配置され、前記第２通信制御部及び前記受光部は、第３基板の同一主面に配置されてもよい。

【0053】

これにより、光源部及び第１通信制御部の間の電気信号の伝送距離、並びに、受光部及び第２通信制御部の間の電気信号の伝送距離を短くすることができるので、通信の高速化、並びに、第１通信制御部及び第２通信制御部の消費電力量の低減を実現することができる。

【0054】

また、例えば、本開示の第１１の態様に係る通信装置は、第１の態様～第１０の態様のいずれかに係る通信装置であって、前記複数の発光素子は、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子であってもよい。

【0055】

これにより、発光素子の発光色を容易に変更することができる。

【0056】

以下、実施の形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。

【0057】

なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ（工程を含む）、ステップ（工程を含む）の順序等は、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

【0058】

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

【0059】

また、本明細書において、同一、等しい等の要素間の関係性を示す用語、及び、円形状、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値、及び、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度（あるいは、１０％程度）の差異をも含むことを意味する表現である。

【0060】

また、本明細書において、「〇〇上（例えば、基板上）」、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「〇〇上（例えば、基板上）」、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合にも適用される。

【0061】

また、本明細書において、「第１」、「第２」などの序数詞は、特に断りの無い限り、構成要素の数又は順序を意味するものではなく、同種の構成要素の混同を避け、区別する目的で用いられている。

【0062】

また、各構成要素の「接続」とは、光学的又は電気的な接続を意味し、２つの構成要素が直接的に接続される場合だけでなく、２つの構成要素の間に他の構成要素を挿入した状態で２つの構成要素が間接的に接続される場合も含まれる。

【0063】

（実施の形態１）
［１－１．通信装置の構成］
以下、本実施の形態に係る通信装置について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る通信装置１の構成を示す図である。図２の（ａ）は、通信装置１の全体構成を示す図である。図２の（ｂ）は、光モジュール３０Ａを拡大して示す斜視図である。図２の（ｃ）は、光モジュール３０Ａのうち光源部を拡大して示す平面図である。図２の（ｄ）は、導波部材５０をＩＩｄ－ＩＩｄ線で切断した断面を示す斜視図である。図２の（ｃ）では、発光色ごとに発光素子３２ｒ、３２ｇ、３２ｙ及び３２ｂのハッチング態様を異ならせている。

【0064】

図２では、通信装置１の形態がＣＰＯと称される形態を採用している例を示している。つまり、通信装置１では、通信制御部２０Ａと光モジュール３０Ａとが同一パッケージ内に集積されている。なお、図２では、基板等の図示を省略している。

【0065】

図２の（ａ）に示すように、通信装置１は、基板と、パッケージ基板１０Ａ及び１０Ｂと、通信制御部２０Ａ及び２０Ｂと、光モジュール３０Ａ及び３０Ｂと、光学部材４０Ａ及び４０Ｂと、導波部材５０とを備える。光モジュール３０Ａ及び通信制御部２０Ａは、パッケージ基板１０Ａの同一主面に配置され、光モジュール３０Ｂ及び通信制御部２０Ｂは、パッケージ基板１０Ｂの同一主面に配置される。

【0066】

パッケージ基板１０Ａ及び１０Ｂは、図１Ｃに示すパッケージ基板と同様の構成を有する。パッケージ基板１０Ａは、第２基板の一例であり、パッケージ基板１０Ｂは、第３基板の一例である。

【0067】

通信制御部２０Ａ及び２０Ｂは、図１Ａ等に示す通信制御部１１２Ａ、１１２Ｂ、２１２と同様の構成を有する。通信制御部２０Ａは、第１通信部の一例であり、通信制御部２０Ｂは、第２通信部の一例である。

【0068】

光モジュール３０Ａ及び３０Ｂは、発光（光信号の生成）及び受光（光信号の受光）のいずれかを行うことが可能に構成され、本実施の形態では、発光及び受光のそれぞれが可能に構成される。光モジュール３０Ａ及び３０Ｂは、例えば、同一の構成を有する。

【0069】

図２の（ｂ）に示すように、光モジュール３０Ａは、基板３１と、基板３１の同一主面に配置された複数の発光素子３２及び複数の受光素子３３を有する。

【0070】

基板３１は、複数の発光素子３２及び複数の受光素子３３が実装される実装基板である。基板３１は、平面視（基板３１の主面側から場合）における外形が、矩形状であるがこれに限定されない。基板３１は、金属配線がパターン形成された、いわゆるプリント基板である。このような基板としては、ガラスエポキシ基板、及び複合基材エポキシ樹脂基板等が例示される。

【0071】

複数の発光素子３２は、光学部材４０Ａに向けて光を出射する。本実施の形態では、複数の発光素子３２のそれぞれは、マイクロ発光素子により実現される。本実施の形態では、複数の発光素子３２のそれぞれは、マイクロＬＥＤ素子（マイクロＬＥＤチップ）により実現される。マイクロ発光素子とは、数μｍ～１００μｍ程度の微細化された発光素子であり、マイクロＬＥＤ素子は、数μｍ～１００μｍ程度の微細化されたＬＥＤ素子である。例えば、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズは４μｍ程度であり、基板３１上に２５６個（１６×１６個）程度配置されていてもよいが、マイクロＬＥＤ素子の数は特に限定されない。複数の発光素子３２及び基板３１は光源部の一例である。

【0072】

複数の発光素子３２のうち少なくとも１つの発光素子３２は、他の発光素子３２と発光色が異なる。つまり、複数の発光素子３２は、第１色を出射する第１発光素子と、第２色を出射する第２発光素子とを含む。発光色が異なるとは、例えば、光のピーク波長が異なることであってもよい。また、複数の発光素子３２は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系の半導体発光素子を含んでいてもよい。ＧａＮ（窒化ガリウム）系の半導体発光素子としては、例えば、青色を出射する発光素子、緑色を出射する発光素子等が例示される。例えば、上記の第１色は青色であり、第２色は緑色であってもよい。青色の光のピーク波長は、例えば、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である。緑色の光のピーク波長は、例えば、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満である。なお、ＧａＮ（窒化ガリウム）系の半導体発光素子とは、ＧａＮ系の半導体材料を用いて作製される発光素子である。

【0073】

複数の発光素子３２は、２次元状（例えば、碁盤目状）に基板３１上に配置されていてもよい。そして、複数の発光素子３２は、隣り合う発光素子３２の発光色が互いに異なっていてもよい。隣り合う発光素子３２とは、上下方向、左右方向及び斜め方向に並んだ発光素子のうちの少なくとも１つの隣り合う発光素子を含む。つまり、発光色が互いに異なる隣り合う発光素子３２とは、上下方向に隣り合う発光素子３２、左右方向に隣り合う発光素子３２及び斜め方向に隣り合う発光素子３２のうちの少なくとも１つを含む。例えば、複数の発光素子３２は、２次元を構成する２つの方向のいずれにおいても隣り合う発光素子３２の発光色が異なっていてもよいし、当該２つの方向に斜め方向を加えた３つの方向のいずれにおいても隣り合う発光素子３２の発光色が異なっていてもよい。

【0074】

複数の発光素子３２は、互いに異なる２以上の発光色の光を出射可能である。複数の発光素子３２は、互いに異なる４以上の発光色の光を出射可能であってもよい。例えば、図２の（ｃ）に示すように、互いに隣接する発光素子３２ｂ、３２ｇ、３２ｒ及び３２ｙは、互いに発光色が異なっていてもよい。発光素子３２ｂは、青色を出射するマイクロＬＥＤ素子であり、発光素子３２ｇは、緑色を出射するマイクロＬＥＤ素子であり、発光素子３２ｒは、赤色を出射するマイクロＬＥＤ素子であり、発光素子３２ｙは、黄色を出射するマイクロＬＥＤ素子である。４つの発光色（４つのピーク波長）を用いることで、上下方向に隣り合う発光素子（例えば、発光素子３２ｒ及び３２ｙ、又は、発光素子３２ｇ及び３２ｂ）、左右方向に隣り合う発光素子（例えば、発光素子３２ｒ及び３２ｇ、又は、発光素子３２ｙ及び３２ｂ）、及び、斜め方向に隣り合う発光素子（例えば、発光素子３２ｒ及び３２ｂ、又は、発光素子３２ｇ及び３２ｙ）のそれぞれの発光色を異ならせることができる。つまり、ピーク波長が同一波長の発光素子３２が、上下方向、左右方向及び斜め方向のそれぞれに並ばないように発光素子３２を配置することができる。

【0075】

図３は、本実施の形態に係る光源部から出射される光の発光特性を示す図である。

【0076】

図３では、発光素子３２が出射する光の波形（スペクトル）として、８つの波形Ｗ１～Ｗ８が図示されている。波形Ｗ１～Ｗ８のそれぞれは、互いにピーク波長が異なる。例えば、発光素子３２がＬＥＤ素子である場合、波形Ｗ１～Ｗ８のようにピーク波長が異なるＬＥＤ素子を容易に作製することができる。

【0077】

波形Ｗ１及びＷ２は、例えば、ＩｎＧａｎ（窒化インジウムガリウム）系材料を用いて作製された発光素子３２が出射する光（例えば、青色）の相対発光強度を示している。波形Ｗ３は、例えば、ＩｎＧａＡＩＰ系材料を用いて作成された発光素子３２が出射する光（例えば、緑色）の相対発光強度を示している。

【0078】

複数の発光素子３２が２色の発光色を発光可能である場合を例に説明すると、クロストークの発生を効果的に抑制する観点（混色した２つの光を容易に分離する観点から）から波長（ピーク波長）がより離れている光を出射する発光素子が用いられるとよい。例えば、波形Ｗ１及びＷ８等が用いられてもよい。また、通信の信頼性を向上させる観点から、青色及び青色付近の波長（ピーク波長）を有する光を出射する発光素子が用いられるとよい。青色及び青色付近にピーク波長を有する発光素子は、ＧａＮ系の半導体材料を用いて作製されていることが多く、高効率で信頼性が高いためである。

【0079】

なお、複数の発光素子３２のうち、ＧａＮ系の半導体材料を含む発光素子３２の数は、ＧａＮ系の半導体材料を含んでいない発光素子３２の数より多くてもよい。また、上下方向及び左右方向に配置される発光素子３２の発光色（例えば、ピーク波長）の違いは、斜め方向に配置される発光素子３２の発光色（例えば、ピーク波長）の違いより小さくてもよい。例えば、上下方向及び左右方向に配置される発光素子３２の発光色は青色及び緑色など青色に近い色が選択され、斜め方向に配置される発光素子３２は発光色が大きく異なるものが選択されてもよい。

【0080】

なお、光モジュール３０Ａは、複数の発光素子３２の発光を個々に制御可能に構成される。

【0081】

図２を再び参照して、複数の受光素子３３は、導波部材５０を伝送した光を受光する。本実施の形態では、複数の受光素子３３のそれぞれは、フォトダイオード等の受光素子により実現される。複数の受光素子３３は、例えば、光モジュール３０Ｂが有する複数の発光素子の数と同数配置される。複数の受光素子３３は、基板３１上に２５６個（１６×１６個）配置されていてもよいが、受光素子３３の数はこれに限定されない。複数の受光素子３３及び基板３１は受光部の一例である。

【0082】

また、受光部は、当該受光素子３３に対応する発光素子３２の発光色（特定色）以外の発光色を分離するための光学フィルタを有してもよい。光学フィルタは、特定色を透過させるフィルタであってもよい。なお、特定色以外の発光色（所定の波長範囲外の光）は、通信制御部２０Ａの信号処理により除去されてもよい。つまり、光学フィルタは、物理的フィルタであってもよいし、デジタルフィルタであってもよい。

【0083】

光学部材４０Ａは、ミラ－、レンズ等を有し、発光素子３２から出射された光を導波部材５０に入射させ、かつ、導波部材５０からの光を受光素子３３に入射させる。

【0084】

導波部材５０は、光源部及び受光部を接続し、複数の発光素子３２から出射された光を受光部に伝搬する。本実施の形態では、導波部材５０は、光ファイバであり、クラッドの中に複数本のコア５１を配置したマルチコアファイバである。コア５１の数は、例えば、光モジュール３０Ａ又は３０Ｂが有する発光素子及び受光素子の合計数と等しくてもよい。また、例えば、導波部材５０の径はφ１ｍｍ程度であり、その内部には数千のコア５１が形成されている。

【0085】

コア５１は、ガラスまたはプラスチック製等の円柱形状であり、一端部の断面に光が入力されると、その入力された光を他端部の断面から出力する。一端部及び他端部の断面は、例えば、円形状である。

【0086】

なお、導波部材５０は、マルチコアファイバであることに限定されず、例えば、複数本のシングルコアファイバであってもよい。

【0087】

（実施の形態２）
以下では、本実施の形態に係る通信装置について、図４Ａ～図７を参照しながら説明する。

【0088】

［２－１．基礎となった知見］
まずは、本実施の形態の基礎なった知見について、図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら説明する。図４Ａは、ＬＥＤのチップサイズとピーク外部量子効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ：ＥＱＥ）との関係を示す図である。外部量子効率は、発光素子に注入された電子及び正孔の数に対する、発光素子の外部に取り出すことができた光子（フォトン）の数を示しており、発光素子の効率を表す指標の１つである。図４Ｂは、ＬＥＤのチップサイズと正規化された発光効率との関係を示す図である。

【0089】

図４Ａに示すように、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズが小さくなるにつれて、各色の外部量子効率が低下していることがわかる。

【0090】

図４Ｂに示すように、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズが小さくなるにつれて、各色の発光効率が低下していることがわかる。

【0091】

このように、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズが小さくなる、つまり小型のマイクロＬＥＤ素子となるほど発光効率が低くなることがわかる。発光効率の低下は、光通信全体の効率を低下させる要因となり得る。

【0092】

発光効率を向上させるためにより大型のマイクロＬＥＤ素子を用いればよいが、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズは、導波部材である光ファイバの径の制約を受けるので、光ファイバとの結合を考慮すると小型のマイクロＬＥＤ素子を使わざるを得ない場合がある。

【0093】

このように、従来では、所望の光ファイバを選択し、選択された光ファイバの径に応じたマイクロＬＥＤ素子が選択されるので、発光効率が高いマイクロＬＥＤ素子が使用できない場合がある。

【0094】

そこで、本実施の形態では、より大きなチップサイズのマイクロＬＥＤ素子を用いることができる、つまり発光効率を改善することができる通信装置について、以下の図５～図７を参照しながら説明する。

【0095】

［２－２．通信装置の構成］
本実施の形態に係る通信装置の構成について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施の形態に係る通信装置２の構成を示す図である。図５の（ａ）は、本実施の形態に係る通信装置２の断面図であり、図５の（ｂ）は、図５の（ａ）の破線枠部分を拡大して示す斜視図である。なお、図５では、光学部材等の図示を省略している。

【0096】

なお、以下では、実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。

【0097】

図５の（ａ）に示すように、通信装置２は、基板１３と、通信制御部２３Ａ及び２３Ｂと、光モジュール３５Ａ及び３５Ｂと、ポリマー導波路５３とを備える。通信装置２は、主に導波部材としてポリマー導波路５３を用いる点で、実施の形態１に係る通信装置１と相違する。

【0098】

図５の（ｂ）に示すように、ポリマー導波路５３は、ポリマー材料により形成される、複数のコア５３ａ及びクラッド５３ｂを有する。本実施の形態では、ポリマー導波路５３は、基板１３に埋め込まれて配置される。基板１３には、ポリマー導波路５３を配置するための凹みが形成されている。

【0099】

コア５３ａは、ポリマー導波路５３において導波層（光路）となる部分であり、本実施の形態では、図５の（ａ）の破線枠内においてＬ字状を有する。コア５３ａは、例えば、複数の発光素子及び複数の受光素子の数だけ形成される。

【0100】

コア５３ａは、高屈折率材料で構成されている。高屈折率材料としては、例えば、無機成分及び有機成分を含むハイブリッド樹脂、又は、シリコーン樹脂が例示されるが、これに限定されない。

【0101】

また、高屈折率材料としては、例えば、可視光域の少なくとも一部（例えば、全部）を含む波長範囲において、低損失な材料が用いられるとよい。例えば、３８０ｎｍ～１６００ｎｍ程度の波長範囲の全てにおいて、伝送率が８５％以上であり、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上である材料が用いられるとよい。なお、伝送率とは、ポリマー導波路５３の入射端に入力される光信号の強度に対するポリマー導波路５３の出力端から出力される光信号の強度の割合を示す。

【0102】

また、高屈折率材料としては、例えば、６００ｎｍ～１１００ｎｍまでの損失が１０ｂＢ以下であり、より好ましくは５ｄＢ以下であってもよい。また、高屈折率材料としては、例えば、４５０ｎｍ～１１００ｎｍまでの損失が１０ｂＢ以下であり、より好ましくは５ｄＢ以下であってもよい。ここでの損失とは、６００ｎｍ～１１００ｎｍ又は４５０ｎｍ～１１００ｎｍの各波長の損失の平均値であるが、最大値、最小値、中央値等であってもよい。

【0103】

クラッド５３ｂは、複数のコア５３ａそれぞれを取り囲む（例えば、被覆する）ように配置される。クラッド５３ｂは、コア５３ａより屈折率が低い低屈折率材料で構成されている。低屈折率材料としては、例えば、無機成分及び有機成分を含むハイブリッド樹脂、又は、シリコーン樹脂が例示されるが、これに限定されない。

【0104】

これにより、コア５３ａの屈折率とクラッド５３ｂの屈折率とが異なるので、コア５３ａとクラッド５３ｂとの間の境界面で全反射を起こして光信号が進行方向に進行する。

【0105】

図５に示す構成の場合、複数の発光素子及び複数の受光素子は、基板の主面３５ａ及び３５ｂのうち、主面３５ａ側に配置される。例えば、複数の発光素子は、下方側（ポリマー導波路５３側）に光を出射する。つまり、通信装置２は、基板１３に設けられるポリマー導波路５３とマイクロＬＥＤとが光学的に結合する構成を有する。

【0106】

また、複数の発光素子は、実施の形態１と同様、２以上の発光色の光を出射可能であってもよいし、１つの発光色の光（例えば、青色）のみを出射可能であってもよい。

【0107】

詳細は後述するが、このようなポリマー導波路５３を用いることで、例えば、チップサイズが１００μｍ程度の大きなマイクロＬＥＤ素子を使用することが可能となる。

【0108】

なお、ポリマー導波路５３は、基板１３に埋め込まれて配置されることに限定されず、基板１３上に配置されてもよい。この場合、例えば、コア５３ａは、光モジュール３５Ａ及び３５Ｂを結ぶ直線状に形成される。

【0109】

［２－３．通信装置の製造方法］
続いて、上記のように構成される通信装置２の製造方法について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６は、本実施の形態に係る通信装置２を作製する方法を示すフローチャートである。

【0110】

図６に示すように、まず、設計者は、光モジュール３５Ａ及び３５Ｂに用いるＬＥＤ（マイクロＬＥＤ素子）のチップサイズを決定する（Ｓ１０）。例えば、設計者は、複数種のマイクロＬＥＤ素子の中から、所望の光強度又は所望の発光効率を達成可能なマイクロＬＥＤ素子を決定する。

【0111】

次に、設計者は、決定したマイクロＬＥＤ素子及び当該マイクロＬＥＤ素子の配置に基づいて、導波路（ポリマー導波路５３）を設計する（Ｓ２０）。つまり、マイクロＬＥＤ素子が決定された後に、ポリマー導波路５３の形状等が決定される。設計者は、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズに応じたコア５３ａの端面のサイズ等を決定する。コア５３ａの端面は、光入射面（又は光出射面）であり、例えば、図５の（ｂ）に示す光モジュール３５Ａと対向して配置されるコア５３ａの矩形状の部分である。

【0112】

次に、設計された導波路を基板１３に形成する（Ｓ３０）。

【0113】

上記のように、ポリマー導波路５３を用いる場合、先にマイクロＬＥＤ素子を選ぶことができ、選んだマイクロＬＥＤ素子のチップサイズに応じてポリマー導波路５３を形成することができるので、導波部材として光ファイバを用いる場合に比べて、マイクロＬＥＤ素子のチップサイズに対する制約を緩和することができる。つまり、ポリマー導波路５３を用いることで、マイクロＬＥＤ素子を選ぶ自由度が増す。また、光ファイバを用いる場合に比べてよりチップサイズの大きいマイクロＬＥＤ素子を選ぶことができるようになるので、図４Ａ及び図４Ｂから明らかなように、高い発光効率のマイクロＬＥＤ素子を使用できるようになる。これは、通信装置２における光通信の効率を向上させることにつながる。

【0114】

図７は、本実施の形態に係る通信装置２のポリマー導波路５３を作製する工程を示す図である。なお、ポリマー導波路５３の作製方法としては、選択重合方、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）法、直接露光法、射出成形利用法及びフォトブリーチング法等の様々な方法が知られており、本実施の形態に係るポリマー導波路５３は、既知のいかなる方法により作製されてもよい。以下では、一例として、ＲＩＥ法を用いる場合について簡単に説明する。ＲＩＥ法は、主にシングルモードのポリマー導波路５３の作製に用いられる。

【0115】

図７の（ａ）は、基板５１３上に下部クラッド層５５３ｂ１及び高屈折率材料の膜５５３ａ１が塗布された状態を示す断面図である。例えば、基板５１３上に低屈折率材料の膜（例えば、ハイブリッド樹脂膜）を成膜して、下部クラッド層５５３ｂ１とし、下部クラッド層５５３ｂ１上に下部クラッド層５５３ｂ１よりも屈折率が高い高屈折率材料の膜５５３ａ１（例えば、ハイブリッド樹脂膜）を成膜することで、図７の（ａ）に示す積層体が形成される。

【0116】

図７の（ｂ）は、高屈折率材料の膜５５３ａ１上にフォトレジスト５６０を塗布した後、マスク５７０を用いて露光している状態を示す断面図である。

【0117】

図７の（ｃ）は、図７の（ｂ）の状態からパターン部以外（図７の（ｃ）の例では、光が照射された部分）のフォトレジスト５６０を除去する現像が行われた後の状態を示す断面図である。

【0118】

図７の（ｄ）は、図７の（ｃ）の状態からドライエッチング（例えば、ＲＩＥ等）を行った後の状態を示す断面図である。この状態から、残っていたフォトレジスト５６０が除去される。

【0119】

図７の（ｂ）～（ｄ）に示すように、高屈折率材料の膜５５３ａ１にフォトリソグラフィーによるパターニングと、ドライエッチング（例えば、ＲＩＥ等）とを行って、図７の（ｄ）に示すように、導波層となるコア層５５３ａ２が形成される。

【0120】

図７の（ｅ）は、上部クラッド層５５３ｂ２が塗布された状態を示す断面図である。例えば、コア層５５３ａ２及び下部クラッド層５５３ｂ１の上にコア層５５３ａ２よりも屈折率の低い低屈折率材料の膜（例えば、ハイブリッド樹脂膜）を、コア層５５３ａ２を取り囲むように成膜して上部クラッド層５５３ｂ２とすることで、埋め込み型の光導波路を作製することができる。

【0121】

上記の方法で、基板の凹みにポリマー導波路が形成されることで、例えば、図５に示すポリマー導波路５３が形成される。

【0122】

（実施の形態２の変形例）
以下では、本変形例に係る通信装置について、図８を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態２との相違点を中心に説明し、実施の形態２と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。

【0123】

図８は、本変形例に係る通信装置２ａの構成を示す図である。なお、図８では、通信制御部２３Ｂ、光モジュール３５Ｂ等の図示を省略している。

【0124】

図８に示すように、通信装置２ａは、基板１３ａと、通信制御部２３Ａ及び２３Ｂと、光モジュール３５Ａ及び３５Ｂと、ポリマー導波路５３と、コネクタ６０と、光ファイバ７０とを備える。通信装置２ａは、実施の形態２に係る通信装置２の光モジュール３５Ａ及び３５Ｂの間の光の伝送経路上に、一対のコネクタ６０と光ファイバ７０とを配置した構成を有する。言い換えると、通信装置２ａは、光モジュール３５Ａ及び３５Ｂと光ファイバ７０との間の光の伝送経路上に、ポリマー導波路５３を配置した構成を有する。基板１３ａは、第１基板の一例である。

【0125】

コネクタ６０は、ポリマー導波路５３のコア５３ａ（図５の（ｂ）を参照）と光ファイバ７０のコア（例えば、図２の（ｄ）に示すコア５１）とを光学的に接続する光コネクタである。コネクタ６０は、例えば、コア５３ａとコア５１とを一対一に対応付けるように構成され、１つのコア５３ａからの光を１つのコア５１に入射させる伝送路を複数（コア５３ａ及びコア５１の数）有する。コネクタ６０は、例えば、伝送路を構成する高屈折率材料により形成されるコア（伝送路）と、当該伝送路を取り囲むように配置され伝送路より屈折率が低い低屈折率材料で構成されるクラッドとを有していてもよい。コネクタ６０の構成はこれに限定されず、既存のいかなる光コネクタが用いられてもよい。

【0126】

光ファイバ７０は、両端がコネクタ６０に接続され、一方の端部に入射された光を他方に端部に伝搬する。光ファイバ７０は、例えばマルチコアファイバ等である。

【0127】

このような通信装置２ａにおいて、光モジュール３５Ａの発光素子から出射された光は、ポリマー導波路５３、コネクタ６０、光ファイバ７０、コネクタ６０（図示しない）、ポリマー導波路５３（図示しない）を介して光モジュール３５Ｂ（図５の（ａ）を参照）の受光素子に入射する。このように、光ファイバ７０を介して光モジュール３５Ａ及び３５Ｂが光学的に接続されることで、伝送距離を長くすることができる。例えば、データセンタにおいてサーバ装置同士を接続する等の、１０ｍ程度の距離の光信号の送受信が可能となる。

【0128】

（その他の実施の形態）
以上、一つまたは複数の態様に係る通信装置について、各実施の形態等に基づいて説明したが、本開示は、この各実施の形態等に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示に含まれてもよい。

【0129】

例えば、上記各実施の形態等に係る光源部における複数の発光素子の配置は、図２に示す配置（碁盤目状）に限定されない。例えば、複数の発光素子は、同心円状に配置されてもよいし、他の配列であってもよい。複数の受光素子においても同様である。

【0130】

また、上記各実施の形態等では、マイクロ発光素子がマイクロＬＥＤ素子である例について説明したが、これに限定されず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子又は量子ドットエレクトロルミネッセンス素子等であってもよい。

【0131】

また、上記各実施の形態等に係る通信装置の構成は、それぞれ単独で使用されてもよいし、組み合わせて使用されてもよい。

【0132】

また、上記各実施の形態等で示した通信装置の構成は一例であり、上記で説明した構成に限定されない。例えば、通信装置が備える各構成要素、又は、第１通信部及び第２通信部のそれぞれが有する各構成要素が同一の基板上に配置されていてもよい。図１Ｂ（第１通信部）を例に説明すると、例えば、通信制御部２１２、光モジュール２１３、伝送路２１４及びコネクタ２１５が同一の基板の同一主面に配置されていても良い。

【産業上の利用可能性】

【0133】

本開示は、光通信によりデータを送受信する通信装置等に有用である。

【符号の説明】

【0134】

１、２、２ａ、１００、２００、３００、４００ 通信装置
１０Ａ、１１１Ａ、２１１ パッケージ基板（第２基板）
１０Ｂ、１１１Ｂ パッケージ基板（第３基板）
１３、１３ａ、１１０Ａ、１１０Ｂ、２１０、５１３ 基板（第１基板）
２０Ａ、２０Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ、１１２Ａ、１１２Ｂ、２１２ 通信制御部
３０Ａ、３０Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、１１３Ａ、１１３Ｂ、２１３ 光モジュール
３１ 基板
３２、３２ｂ、３２ｇ、３２ｒ、３２ｙ 発光素子
３３ 受光素子
３５ａ、３５ｂ 主面
４０Ａ、４０Ｂ 光学部材
５０ 導波部材
５１、５３ａ コア
５３ ポリマー導波路（導波部材）
５３ｂ クラッド
６０ コネクタ
７０、１２０ 光ファイバ
１１４Ａ、１１４Ｂ、２１４、４１４ 伝送路
１１５Ａ、１１５Ｂ プラガブルモジュール
２１５ コネクタ
４１１ インターポーザ（第２基板）
５５３ａ１ 高屈折率材料の膜
５５３ａ２ コア層
５５３ｂ１ 下部クラッド層
５５３ｂ２ 上部クラッド層
５６０ フォトレジスト
５７０ マスク
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６、Ｗ７、Ｗ８ 波形

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】