特開 2024-142231 素子転写装置および素子の転写方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024142231

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】素子転写装置および素子の転写方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023054309

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100104433

【弁理士】

【氏名又は名称】宮園 博一

(74)【代理人】

【識別番号】100202728

【弁理士】

【氏名又は名称】三森 智裕

(72)【発明者】

【氏名】藤重 遥

(72)【発明者】

【氏名】新井 義之

(72)【発明者】

【氏名】陣田 敏行

(72)【発明者】

【氏名】風間 浩一

(72)【発明者】

【氏名】岡田 達弥

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA17

5F047BA39

5F047BA40

5F047CA08

5F047FA07

5F047FA90

(57)【要約】

【課題】支持基板から被転写基板に素子を転写する際に、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、素子を高精度に転写することが可能な素子転写装置を提供することである。
【解決手段】この素子転写装置１００は、少なくとも１つの素子１が支持された支持基板１０を保持する支持基板保持部３０と、支持基板１０に支持された素子１が転写される被転写基板２０を保持する被転写基板保持部４０と、支持基板１０または素子１と、被転写基板２０との間の距離をギャップ長Ｄとして取得するギャップ長取得部８０と、位置調整機構５０の調整方向および調整量を制御する制御部６０とを備え、制御部は、ギャップ長Ｄに基づいて、少なくとも支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整するように位置調整機構５０を制御するように構成されている。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも１つの素子が支持された支持基板を保持する支持基板保持部と、
前記支持基板に支持された前記素子が転写される被転写基板を保持する被転写基板保持部と、
前記支持基板が前記素子を支持する面と反対側に配置され、前記支持基板に向かってレーザ光を照射して、前記支持基板と前記素子との支持状態を解除するレーザ光照射部と、
少なくとも前記支持基板保持部と、前記被転写基板保持部との相対的な傾きを調整する位置調整機構と、
前記支持基板または前記素子と、前記被転写基板との間の距離をギャップ長として取得するギャップ長取得部と、
前記位置調整機構の調整方向および調整量を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記ギャップ長に基づいて、少なくとも前記支持基板保持部と前記被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように前記位置調整機構を制御する、素子転写装置。

【請求項2】

前記制御部は、
予め設定されたギャップ許容範囲と、前記ギャップ長取得部によって取得された前記ギャップ長とに基づいて、前記支持基板の前記素子を支持する面のうちの、前記ギャップ長が前記ギャップ許容範囲内に収まるような部分面領域と、前記部分面領域を形成するための前記支持基板および前記被転写基板の相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得し、
複数の前記相対位置情報に基づいて、少なくとも前記支持基板保持部と前記被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように、前記位置調整機構を制御する、請求項１に記載の素子転写装置。

【請求項3】

前記制御部は、転写を行う全ての領域を複数の前記部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の前記分割パターンの中から、１つの前記部分面領域に含まれる前記素子の数が最大となる最大部分面領域を含む第１分割パターンを選択し、
前記第１分割パターンに含まれるそれぞれの前記部分面領域を形成するための前記相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている、請求項２に記載の素子転写装置。

【請求項4】

前記制御部は、転写を行う全ての領域を前記部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の前記分割パターンの中から、複数の前記相対位置情報の数が最も少ない数となる第２分割パターンを取得する制御を行うように構成されている、請求項２に記載の素子転写装置。

【請求項5】

前記制御部は、それぞれの前記部分面領域内における複数の前記ギャップ長同士の値が均一に近づくような、前記相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている、請求項２に記載の素子転写装置。

【請求項6】

前記ギャップ長取得部は、少なくとも、任意に設定する基準位置から、前記支持基板の前記素子を支持する側の面までの第１距離と、前記基準位置から、前記被転写基板の前記素子が転写される側の面までの第２距離とを取得する、請求項１または２に記載の素子転写装置。

【請求項7】

前記ギャップ長取得部は、前記被転写基板の前記素子が転写される側の面とは反対側において任意に設定される第１基準位置から前記支持基板の前記素子を支持する側の面までの第１基準距離と、前記支持基板が前記素子を支持する側の面と反対側において任意に設定される第２基準位置から前記被転写基板の前記素子が転写される側の面までの第２基準距離と、前記第１基準位置および前記第２基準位置の基準位置間距離とを取得する、請求項１または２に記載の素子転写装置。

【請求項8】

素子または前記素子を支持する支持基板と、前記素子が転写される被転写基板との間の距離をギャップ長として複数点取得するギャップ長取得工程と、
少なくとも前記支持基板と前記被転写基板との相対的な傾きを調整する位置調整工程と、
前記支持基板に向かってレーザ光を照射して、前記支持基板と前記素子との支持状態を解除するレーザ光照射工程とを備え、
前記位置調整工程は、前記ギャップ長取得工程によって取得された前記ギャップ長に基づいて、少なくとも前記支持基板と前記被転写基板との相対的な傾きを調整する、素子の転写方法。

【請求項9】

予め設定されたギャップ許容範囲と、前記ギャップ長取得工程によって取得された前記ギャップ長とに基づいて、前記支持基板の前記素子を支持する面のうち、前記ギャップ長が前記ギャップ許容範囲内に収まるような部分面領域と、
前記部分面領域を形成するための前記支持基板および前記被転写基板の相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得する情報取得工程をさらに備え、
前記位置調整工程は、複数の前記相対位置情報に基づいて、少なくとも前記支持基板と前記被転写基板との相対的な傾きを調整する、請求項８に記載の素子転写方法。

【請求項10】

前記情報取得工程は、転写を行う全ての領域を複数の前記部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の前記分割パターンの中から、１つの前記部分面領域に含まれる前記素子の数が最大となる第１部分面領域を含む第１分割パターンを選択し、
前記第１分割パターンに含まれるそれぞれの前記部分面領域を形成するための前記相対位置情報を取得する工程を含む、請求項９に記載の素子の転写方法。

【請求項11】

前記情報取得工程は、転写を行う全ての領域を前記部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得し、複数の前記分割パターンの中から、複数の前記相対位置情報の数が最も少ない数となる第２分割パターンを取得する工程を含む、請求項９に記載の素子の転写方法。

【請求項12】

前記情報取得工程は、それぞれの前記部分面領域内において、複数の前記ギャップ長同士の値が均一に近づくような、前記相対位置情報を取得する工程を含む、請求項９に記載の素子の転写方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、レーザ光を照射するレーザ光照射部を含む素子転写装置および素子の転写方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、レーザ光照射部からレーザ光を照射する工程を含む半導体チップ（素子）の転写装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

【0003】

上記特許文献１には、ドナー基板（支持基板）の表面に配置された転写対象のチップ（素子）にレーザ光照射部からレーザ光を照射して、転写対象の素子をターゲット基板（被転写基板）の表面に設定された被転写部位に転写させる構成の素子転写装置が開示されている。

【0004】

上記特許文献１の素子転写装置では、被転写基板保持部と、支持基板保持部と、たわみ量測定部と、レーザ光照射部と、相対移動部と、制御部とを備えている。また、相対移動部は、被転写基板と支持基板との隙間距離（ギャップ長）を変更するギャップ長変更部を含む。そして、上記特許文献１の素子転写装置は、支持基板が自重でたわんだ場合に、ギャップ長が、支持基板の面内の位置によって異なる状態となることに起因して素子の転写位置のずれが発生する。そこで、上記特許文献１では、素子の転写位置のずれを防ぐために、制御部が、支持基板を介して転写対象の素子に向けてレーザ光を照射する際、たわみ量測定部で測定した支持基板のたわみ量に基づいて、ギャップ長が所望の範囲内に収まるように、ギャップ長変更部を制御する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２１-１２９０３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記特許文献１に記載のような従来の素子転写装置では、たわみ量測定部で測定した支持基板のたわみ量（変位量）に基づいて、ギャップ長を制御することによって、たわみの影響を抑制している。しかし、実際の装置構成においては、支持基板の厚みムラや、被転写基板の厚みムラ、被転写基板の平面度および装置の組み付け精度など、支持基板のたわみ量以外にもギャップ長を変動させる要因が存在しており、支持基板のたわみ量を測定するのみでは、ギャップ長の正確な調整が困難であり、素子を高精度に転写することができない場合がある。そこで、支持基板から被転写基板に素子を転写する際に、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、素子を高精度に転写する技術が望まれている。

【0007】

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、支持基板から被転写基板に素子を転写する際に、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、素子を高精度に転写することが可能な素子転写装置および素子の転写方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するために、この第１の局面による素子転写装置は、少なくとも１つの素子が支持された支持基板を保持する支持基板保持部と、支持基板に支持された素子が転写される被転写基板を保持する被転写基板保持部と、支持基板が素子を支持する面と反対側に配置され、支持基板に向かってレーザ光を照射して、支持基板と素子との支持状態を解除するレーザ光照射部と、少なくとも支持基板保持部と、被転写基板保持部との相対的な傾きを調整する位置調整機構と、支持基板または素子と、被転写基板との間の距離をギャップ長として取得するギャップ長取得部と、位置調整機構の調整方向および調整量を制御する制御部とを備え、制御部は、ギャップ長に基づいて、少なくとも支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように位置調整機構を制御する。

【0009】

この第１の局面による素子転写装置は、上記のように、支持基板または素子と、被転写基板との間の距離をギャップ長として取得するギャップ長取得部を備え、制御部は、ギャップ長に基づいて、少なくとも支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように位置調整機構を制御する。これにより、支持基板のたわみ量に基づいて支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な位置を調整する場合とは異なり、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らないギャップ長に基づいて、より正確に位置調整をすることができる。その結果、支持基板から被転写基板に素子を転写する際に、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、素子を高精度に転写することができる。

【0010】

上記第１の局面による素子転写装置において、好ましくは、制御部は、予め設定されたギャップ許容範囲と、ギャップ長取得部によって取得されたギャップ長とに基づいて、支持基板の素子を支持する面のうちの、ギャップ長がギャップ許容範囲内に収まるような部分面領域と、部分面領域を形成するための支持基板および被転写基板の相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得し、複数の相対位置情報に基づいて、少なくとも支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように、位置調整機構を制御する。このように構成すれば、転写を行う全ての領域にわたって、ギャップ長がギャップ許容範囲内に収まるように調整されるため、転写を行う全ての領域にわたって、素子の被転写基板に対する傾きをより正確に調整できるようになり、素子をより高精度で転写することができる。

【0011】

この場合、好ましくは、制御部は、転写を行う全ての領域を複数の部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の分割パターンの中から、１つの部分面領域に含まれる素子の数が最大となる最大部分面領域を含む第１分割パターンを選択し、第１分割パターンに含まれるそれぞれの部分面領域を形成するための相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている。このように構成すれば、１つの相対位置情報に基づいて転写させられるチップの数が最大となる最大部分面領域を含んだ第１分割パターンを用いて、相対位置情報に基づいて位置調整機構を制御することができるようになる。その結果、制御部が位置調整機構を制御する回数を少なくすることができ、転写に要する時間を短縮することができる。

【0012】

上記部分面領域と相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得する構成において、好ましくは、制御部は、転写を行う全ての領域を部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の分割パターンの中から、複数の相対位置情報の数が最も少ない数となる第２分割パターンを取得する制御を行うように構成されている。このように構成すれば、第２分割パターンを用いて、相対位置情報に基づいて位置調整機構を制御する回数を最も少なくすることができ、転写に要する時間を短縮することができる。

【0013】

上記複数の相対位置情報に基づいて、少なくとも支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように、位置調整機構を制御する構成において、好ましくは、制御部は、それぞれの部分面領域内における複数のギャップ長同士の値が均一に近づくような、相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている。このように構成すれば、部分面領域内に含まれる複数のチップが同程度のギャップ長で保持されるため、素子をより高精度に転写することができる。

【0014】

上記第１の局面による素子転写装置において、好ましくは、ギャップ長取得部は、少なくとも、任意に設定する基準位置から、支持基板の素子を支持する側の面までの第１距離と、基準位置から、被転写基板の素子が転写される側の面までの第２距離とを取得する。このように構成すれば、ギャップ長を直接測定することが難しい場合にも、同時に取得することが可能な第１距離および第２距離に基づいて正確なギャップ長を測定することができる。

【0015】

上記第１の局面による素子転写装置において、好ましくは、ギャップ長取得部は、被転写基板の素子が転写される側の面とは反対側において任意に設定される第１基準位置から支持基板の素子を支持する側の面までの第１基準距離と、支持基板が素子を支持する側の面と反対側において任意に設定される第２基準位置から被転写基板の素子が転写される側の面までの第２基準距離と、第１基準位置および第２基準位置の基準位置間距離とを取得する。このように構成すれば、ギャップ長を直接測定することが難しい場合にも、第１基準距離と第２基準距離と基準位置間距離に基づいて正確なギャップ長を測定することができる。

【0016】

この第２の局面による素子の転写方法は、素子または素子を支持する支持基板と、素子が転写される被転写基板との間の距離をギャップ長として複数点取得するギャップ長取得工程と、少なくとも支持基板と被転写基板との相対的な傾きを調整する位置調整工程と、支持基板に向かってレーザ光を照射して、支持基板と素子との支持状態を解除するレーザ光照射工程とを備え、位置調整工程は、ギャップ長取得工程によって取得されたギャップ長に基づいて、少なくとも支持基板と被転写基板との相対的な傾きを調整する。

【0017】

上記第２の局面による素子の転写方法は、上記のように、位置調整工程は、ギャップ長取得工程によって取得されたギャップ長に基づいて、少なくとも支持基板と被転写基板との相対的な傾きを調整する。これにより、支持基板のたわみ量に基づいて支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な位置を調整する場合とは異なり、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らないギャップ長に基づいて位置調整をすることができるようになる。その結果、支持基板から被転写基板に素子を転写する際に、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、素子を高精度に転写することが可能な素子の転写方法を提供することができる。

【0018】

上記第２の局面による素子の転写方法において、好ましくは、予め設定されたギャップ許容範囲と、ギャップ長取得工程によって取得されたギャップ長とに基づいて、支持基板の素子を支持する面のうち、ギャップ長がギャップ許容範囲内に収まるような部分面領域と、部分面領域を形成するための支持基板および被転写基板の相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得する情報取得工程をさらに備え、位置調整工程は、複数の相対位置情報に基づいて、少なくとも支持基板と被転写基板との相対的な傾きを調整する。このように構成すれば、転写を行う全ての領域にわたって、ギャップ長がギャップ許容範囲内に収まるように調整されるため、転写を行う全ての領域にわたって、素子の被転写基板に対する傾きをより正確に調整できるようになり、素子をより高精度で転写することが可能な素子の転写方法を提供することができる。

【0019】

この場合、好ましくは、情報取得工程は、転写を行う全ての領域を複数の部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の分割パターンの中から、１つの部分面領域に含まれる素子の数が最大となる最大部分面領域を含む第１分割パターンを選択し、第１分割パターンに含まれるそれぞれの部分面領域を形成するための相対位置情報を取得する。このように構成すれば、１つの相対位置情報に基づいて転写させられるチップの数が最大となる、最大部分面領域を含んだ相対位置情報に基づいて位置調整機構を制御することができるようになるため、位置調整工程における位置調整回数を少なくすることができ、転写に要する時間を短縮することが可能な素子の転写方法を提供することができる。

【0020】

上記部分面領域と相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得する方法において、好ましくは、情報取得工程は、転写を行う全ての領域を部分面領域として分割する際に、複数の分割パターンを取得し、複数の分割パターンの中から、複数の相対位置情報の数を最も少なくできるような分割パターンを取得する。このように構成すれば、相対位置情報に基づいて位置調整機構を制御する回数を最も少なくすることができ、転写に要する時間を短縮することが可能な素子の転写方法を提供することができる。

【0021】

上記複数の相対位置情報に基づいて、少なくとも支持基板保持部と被転写基板保持部との相対的な傾きを調整するように、位置調整機構を制御する方法において、好ましくは、情報取得工程は、それぞれの部分面領域内において、複数のギャップ長同士の値が均一に近づけられるような、相対位置情報を取得する。このように構成すれば、部分面領域内に含まれる複数のチップが同程度のギャップ長で保持されるため、素子をより高精度に転写することが可能な素子の転写方法を提供することができる。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、上記のように、支持基板から被転写基板に素子を転写する際に、素子転写装置の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、素子を高精度に転写することが可能な素子転写装置および素子の転写方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】第１実施形態による半導体チップ転写装置の全体構成を示した模式図である。

【図2】半導体チップが支持基板に支持されている構成を示した模式図である。

【図3】支持基板のたわみに起因してギャップ長が被転写基板の位置によって異なる状態を示した模式図である。

【図4】第１実施形態による転写方法を説明するためのフローチャートである。

【図5】第１実施形態による半導体チップ転写装置において、ギャップ長を取得する構成を示した図である。

【図6】第１実施形態による半導体チップ転写装置において、ギャップ許容値を説明するための図である。

【図7】第１実施形態による半導体チップ転写装置において、支持基板の半導体チップを支持する側の面における部分面領域の設定について説明するための図である。

【図8】第１実施形態による半導体チップ転写装置において、部分面領域を形成するときの相対位置情報を説明するための図である。

【図9】第２および第３実施形態による半導体チップ転写装置において、分割パターンを複数取得することを説明するための図である。

【図10】第２および第３実施形態による半導体チップ転写装置において、分割パターンを複数取得することを説明するための別の図である。

【図11】第４実施形態による半導体チップ転写装置において、部分面領域の設定を説明するための図である。

【図12】第４実施形態による半導体チップ転写装置において、部分面領域を形成するときの相対位置情報を説明するための図である。

【図13】変形例による半導体チップ転写装置において、被転写基板および被転写基板保持部がない状態で、ギャップ長を取得する構成を示した図である。

【図14】変形例による半導体チップ転写装置において、被転写基板および被転写基板保持部がある状態で、ギャップ長を取得する構成を示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。

【0025】

［第１実施形態］
図１および図２を参照して、第１実施形態による半導体チップ転写装置１００の構成について説明する。

【0026】

（半導体チップ転写装置）
図１に示すように、半導体チップ転写装置１００は、支持基板保持部３０と、被転写基板保持部４０と、位置調整機構５０と、制御部６０と、レーザ光照射部７０とを備える。なお、図面において、半導体チップ転写装置１００の左右方向（水平面内の一方向）をＸ方向としている。また、半導体チップ転写装置１００の上下方向（垂直方向）をＺ方向としている。また、半導体チップ転写装置１００のＸ方向およびＺ方向と直交する方向（水平面内の他方向）をＹ方向としている。なお、半導体チップ転写装置１００は、特許請求の範囲の「素子転写装置」の一例である。

【0027】

半導体チップ１として、例えば、マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）と呼ばれる５０ｕｍ×５０ｕｍ以下のサイズの半導体チップ１などが用いられる。なお、半導体チップ１は、マイクロＬＥＤに限定されず、種々の半導体素子を用いてもよい。なお、半導体チップ１は、特許請求の範囲の「素子」の一例である。

【0028】

支持基板１０は、たとえば、ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）基板やサファイヤ基板のようにレーザ光Ｌを透過する材料により形成されている。支持基板１０は、支持基板１０上に形成された図示しない粘着層を介して複数の半導体チップ１を支持している。図２に示すように、複数の半導体チップ１は、支持基板１０上において粘着層を介して所定の間隔でマトリクス状に配列されている。支持基板１０は、円形状を有している。

【0029】

図１に示すように、支持基板保持部３０は、半導体チップ１が支持された支持基板１０を保持する。支持基板保持部３０は、半導体チップ１を支持した支持基板１０を、半導体チップ１を支持した面を下向きにして保持する。支持基板保持部３０は、開口部３１を有する。支持基板保持部３０に保持された支持基板１０には、開口部３１を介してレーザ光照射部７０から出射されたレーザ光Ｌが照射される。支持基板保持部３０は、位置調整機構５０により、少なくともＸ方向およびＹ方向において被転写基板保持部４０に対して相対移動可能なように構成されている。

【0030】

支持基板１０と半導体チップ１との間には、図示しない粘着層が形成されている。粘着層は、レーザ光照射部７０からレーザ光Ｌが照射されることにより分解してガス成分を発生する材料により形成されている。粘着層は、たとえば、ポリイミドやシリコンにより形成されている。

【0031】

被転写基板２０は、たとえば、支持基板１０上のマイクロＬＥＤが被転写基板２０に多数転写されることによりマイクロＬＥＤディスプレイパネルを製造するための基板である。この第１実施形態では、被転写基板２０は、矩形形状を有している。

【0032】

被転写基板保持部４０は、支持基板１０に支持された半導体チップ１が転写される被転写基板２０を下方から保持する。被転写基板保持部４０は、位置調整機構５０により、少なくともＸ方向およびＹ方向に関して支持基板保持部３０に対して相対移動可能なように構成されている。

【0033】

制御部６０は、たとえば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などのプロセッサにより構成され、プログラム（ソフトウェア）を実行することにより各種制御を行う。制御部６０は、転写領域内の半導体チップ１を任意に選択し、レーザ光照射部７０にレーザ光Ｌを照射させることにより、転写領域内の半導体チップ１のみを被転写基板２０に転写する制御を行う。また、制御部６０は、ギャップ長取得部８０によって取得された支持基板１０と被転写基板２０との間の距離（ギャップ長Ｄ）に基づいて、少なくとも支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整するように位置調整機構５０を制御するように構成されている。

【0034】

レーザ光照射部７０は、支持基板１０にレーザ光Ｌを照射するように構成されている。レーザ光照射部７０は、レーザ光源７１と、ガルバノミラー７２と、ｆθレンズ７３とを含む。レーザ光源７１は、レーザ光Ｌを出射する光源である。ガルバノミラー７２は、交差する二軸を回転軸として回転可能であり、レーザ光Ｌを任意の角度で反射する。ｆθレンズ７３はガルバノミラー７２からのレーザ光Ｌを支持基板１０の転写領域上に集光する。したがって、ガルバノミラー７２の回転可能範囲内において反射されるレーザ光Ｌの照射範囲内に、支持基板１０内に配置された転写領域の大きさが納まる。

【0035】

レーザ光照射部７０は、ガルバノミラー７２およびｆθレンズ７３を介して、支持基板保持部３０に保持された支持基板１０の半導体チップ１を支持した面と反対側の面にレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌは、ガルバノミラー７２およびｆθレンズ７３により、転写領域における、選択した半導体チップ１に照射される。レーザ光Ｌが支持基板１０を介して粘着層に照射されることにより、支持基板１０から半導体チップ１が剥離され、支持基板１０から被転写基板２０へ半導体チップ１が転写される。すなわち、レーザリフトオフ法による転写が行われる。

【0036】

ギャップ長取得部８０は、支持基板１０または半導体チップ１と、被転写基板２０との間の距離をギャップ長Ｄとして取得する。たとえば、ギャップ長取得部８０は、支持基板１０の上方（Ｚ１方向）に取り付けられたレーザ変位計８１を備えるように構成されている。

【0037】

（半導体チップの転写方法）
次に、図３～図８を参照して、第１実施形態における半導体チップ１の転写方法の処理について説明する。なお、以下に説明する半導体チップ１の転写方法の処理は、制御部６０により実行される。

【0038】

図３は、図１の半導体チップ転写装置１００をＹ２方向から見た側面図（ＸＺ断面図）である。第１実施形態では、図３に示すように、支持基板１０が自重によって下方（Ｚ２方向）にたわむ。これにより、支持基板１０の中央における位置Ｃと位置Ｃの垂直下方（Ｚ２方向）に位置する位置Ｃ２との間の距離であるギャップ長ｄｃと、支持基板１０の端部における位置Ｅと位置Ｅの垂直下方（Ｚ２方向）に位置する位置Ｅ２との間の距離であるギャップ長ｄｅが異なる値となる場合について説明する。

【0039】

図４のステップＳ１において、第１実施形態では、図５に示すように、ギャップ長取得部８０は、少なくとも、支持基板１０より上方（Ｚ１方向）に位置する基準位置Ｔから、支持基板１０の半導体チップ１を支持する側の面までの第１距離Ｄ１を取得する。また、ギャップ長取得部８０は、基準位置Ｔから、被転写基板２０の半導体チップ１が転写される側の面までの第２距離Ｄ２を取得する。この場合、ギャップ長取得部８０が取得する任意の位置におけるギャップ長Ｄは、Ｄ＝Ｄ２－Ｄ１で表される。

【0040】

第１実施形態におけるギャップ長Ｄの具体的な取得方法について、図５を用いて説明する。第１実施形態では、ギャップ長取得部８０は、支持基板１０の上方（Ｚ１方向）に取り付けられたレーザ変位計８１を用いて測定したデータをもとに、ギャップ長Ｄを取得する。レーザ変位計８１は、たとえば白色干渉法式の測定方法により、基準位置Ｔと、支持基板１０の半導体チップ１を支持する側の面における任意の位置Ｓ１との間の距離を、第１距離Ｄ１として測定する。また、レーザ変位計８１は、基準位置Ｔと、位置Ｓ１の垂直下方（Ｚ２方向）に位置する被転写基板２０の半導体チップ１が転写される側の面の位置Ｓ２との間の距離を、第２距離Ｄ２として取得する。そして、ギャップ長取得部８０は、レーザ変位計８１が測定した第１距離Ｄ１および第２距離Ｄ２の差分をギャップ長Ｄとして取得するように構成されている。その後、ステップＳ２の処理に進む。

【0041】

ステップＳ２において、第１実施形態では、図６および図７に示すように、予め設定されたギャップ許容範囲ｇと、ギャップ長取得部８０によって取得されたギャップ長Ｄとに基づいて、支持基板１０の半導体チップ１を支持する面のうちの、ギャップ長Ｄがギャップ許容範囲ｇ内に収まるような部分面領域Ａと、部分面領域Ａを形成するための支持基板１０および被転写基板２０の相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得する。

【0042】

具体的には、図６に示すように、制御部６０は、支持基板１０と被転写基板２０との間の距離として任意に設定するギャップ長Ｄｇを取得する。この第１実施形態では、ギャップ長Ｄｇは、転写を行う全ての領域にわたって、半導体チップ１と被転写基板２０が接触しないような距離に設定される。また、制御部６０は、所定のギャップ長Ｄｇに対して、Ｚ方向にずれた値の範囲として設定されたギャップ許容範囲ｇを取得する。この第１実施形態では、ギャップ許容範囲ｇは、支持基板１０と被転写基板２０との相対的な位置を調整しても、半導体チップ１が被転写基板２０に接触しないような範囲に設定される。

【0043】

次に、制御部６０は、予め設定されたギャップ許容範囲ｇと、ギャップ長取得部８０によって転写を行う全ての領域にわたって取得されたギャップ長Ｄとに基づいて、ギャップ長Ｄの所定のギャップ長Ｄｇに対する誤差がギャップ許容範囲ｇ内に収まるような、図７に示す部分面領域Ａを取得する。ここで、図７に示すように、部分面領域Ａは、破線で囲まれた領域のように、転写を行う全ての領域にわたって、半導体チップ１を１つまたは２つ以上に分けたそれぞれの領域のことである。この部分面領域Ａは、支持基板１０と被転写基板２０との相対的な位置が所定の条件になった場合において、部分面領域Ａ内の全ての位置におけるギャップ長Ｄの所定のギャップ長Ｄｇに対する誤差がギャップ許容範囲ｇ内に収まるように取得される。また、制御部６０は、部分面領域Ａを形成するための支持基板１０と被転写基板２０の所定の位置を、相対位置情報として各部分面領域Ａごとにそれぞれ取得する。その後、ステップＳ３の処理に進む。

【0044】

ステップＳ３において、第１実施形態では、制御部６０は、複数の相対位置情報に基づいて、少なくとも支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整するように、位置調整機構５０を制御する。

【0045】

図８は、第１実施形態において、図７の部分面領域Ａを形成する場合の相対位置情報に基づいて、支持基板１０の傾きを調整するように、支持基板保持部３０を位置調整機構５０によって調整したときの半導体チップ転写装置１００の側面図である。このとき、図７における部分面領域Ａ内の任意の位置Ａ１およびＡ２がギャップ許容範囲ｇ内に収まるように配置される。その後、ステップＳ４の処理に進む。

【0046】

ステップＳ４において、第１実施形態では、支持基板１０が半導体チップ１を支持する面と反対側（Ｚ１方向側）に配置され、支持基板１０に向かってレーザ光Ｌを照射して、支持基板１０と半導体チップ１との支持状態を解除する。これによって、支持基板１０に支持された半導体チップ１が剥離されて、被転写基板２０に転写される。

【0047】

具体的には、制御部６０は、ガルバノミラー７２を調整するとともに、レーザ光照射部７０からレーザ光Ｌを照射させる。図８に示すように、支持基板１０の半導体チップ１を支持した面と反対側の面から半導体チップ１にレーザ光Ｌが照射されることにより、支持基板１０に形成された図示しない粘着層が、レーザ光Ｌが照射されることによって分解されるため、半導体チップ１が剥離される。

【0048】

ここで、ステップＳ４においては、第１実施形態では、制御部６０は、部分面領域Ａ内に含まれる転写すべき半導体チップ１に対して、レーザ光Ｌを照射して、支持基板１０と半導体チップ１との支持状態を解除するようにレーザ光照射部７０を制御する。その後、ステップＳ５の処理に進む。

【0049】

ステップＳ５において、制御部６０は、複数の部分面領域Ａの全てにおいて、転写すべき半導体チップ１の被転写基板２０へ転写が終了したか否かを判定する。制御部６０は、複数の部分面領域Ａの全てにおいて、転写すべき半導体チップ１の被転写基板２０に対しての転写が終了したと判定した場合（ステップＳ５においてＹｅｓの場合）、処理を終了する。また、配置した複数の転写領域の全てにおいて、転写すべき半導体チップ１の被転写基板２０に対しての転写が終了していないと判定した場合（ステップＳ５においてＮｏの場合）は、ステップＳ３の処理に戻り、別の相対位置情報において半導体チップ１の転写を行う。第１実施形態では、この一連の処理を繰り返すことによって、被転写基板２０の全面に対して半導体チップ１の転写が行われる。

【0050】

（第１実施形態の効果）
次に、第１実施形態の効果について説明する。

【0051】

第１実施形態の半導体チップ転写装置１００および半導体チップ１の転写方法は、少なくとも１つの半導体チップ１が支持された支持基板１０を保持する支持基板保持部３０と、支持基板１０に支持された半導体チップ１が転写される被転写基板２０を保持する被転写基板保持部４０とを備える。また、第１実施形態の半導体チップ転写装置１００および半導体チップ１の転写方法は、支持基板１０が半導体チップ１を支持する面と反対側（Ｚ１方向側）に配置され、支持基板１０に向かってレーザ光Ｌを照射して、支持基板１０と半導体チップ１との支持状態を解除するレーザ光照射部７０と、少なくとも支持基板保持部３０と、被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整する位置調整機構５０と、支持基板１０または半導体チップ１と、被転写基板２０との間の距離をギャップ長Ｄとして取得するギャップ長取得部８０と、位置調整機構５０の調整方向および調整量を制御する制御部６０とを備える。そして、制御部６０は、ギャップ長Ｄに基づいて、少なくとも支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整するように位置調整機構５０を制御する。これにより、支持基板１０のたわみ量に基づいて支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な位置を調整する場合とは異なり、半導体チップ転写装置１００の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らないギャップ長Ｄに基づいて位置調整をすることができるようになる。その結果、支持基板１０から被転写基板２０に半導体チップ１を転写する際に、半導体チップ転写装置１００の組付け精度や、種々の構成部材の加工精度に依らず、半導体チップ１を高精度に転写することができる。

【0052】

なお、制御部６０は、予め設定されたギャップ許容範囲ｇと、ギャップ長取得部８０によって取得されたギャップ長Ｄとに基づいて、支持基板１０の半導体チップ１を支持する面のうちの、ギャップ長Ｄの所定のギャップ長Ｄｇに対する誤差がギャップ許容範囲ｇ内に収まるような部分面領域Ａと部分面領域Ａを形成するための支持基板１０および被転写基板２０の相対位置情報とを、転写を行う全ての領域にわたって複数取得する。また、制御部６０は、複数の相対位置情報に基づいて、少なくとも支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整するように、位置調整機構５０を制御する。このように構成すれば、転写を行う全ての領域にわたって、ギャップ長Ｄの所定のギャップ長Ｄｇに対する誤差がギャップ許容範囲ｇ内に収まるようにして転写をすることができるようになる。その結果、転写を行う全ての領域にわたって、半導体チップ１の被転写基板２０に対する傾きをより正確に調整できるようになり、半導体チップ１をより高精度で転写することができる。

【0053】

また、第１実施形態では、ギャップ長取得部８０は、少なくとも、任意に設定する基準位置Ｔから、支持基板１０の半導体チップ１を支持する側の面までの第１距離Ｄ１と、基準位置Ｔから、被転写基板２０の半導体チップ１が転写される側の面までの第２距離Ｄ２とを取得する。このように構成すれば、ギャップ長Ｄを直接測定することが難しい場合にも、同時に取得することが可能な第１距離Ｄ１および第２距離Ｄ２に基づいて正確なギャップ長Ｄを測定することができる。

【0054】

［第２実施形態］
次に、第２実施形態による半導体チップ転写装置１００ａおよび半導体チップ１の転写方法について説明する。半導体チップ転写装置１００ａの装置構成は、制御部６０ａ以外は、図１に示した半導体チップ転写装置１００と同様の装置構成である。第２実施形態においても、図４の半導体チップ１の転写方法の処理のフローに基づいて処理が行われるが、後述するように、ステップＳ２の処理において、第１実施形態とは異なる。なお、第２実施形態において、第１実施形態と共通する点については、説明を省略する。

【0055】

第２実施形態では、図４のステップＳ２において、制御部６０ａは、転写を行う全ての領域を複数の部分面領域Ａとして分割する際に、複数の分割パターンを取得するように構成されている。たとえば、第２実施形態では、制御部６０ａは、複数の分割パターンとして、図７、図９および図１０に示される分割パターン１０１、１０２および１０３を取得する。

【0056】

さらに、制御部６０ａは、分割パターン１０１、１０２および１０３を比較して、１つの部分面領域Ａに含まれる半導体チップ１の数が最大となる最大部分面領域Ｆを含む第１分割パターン１０２を選択する。最大部分面領域Ｆを含む分割パターンが複数ある場合は、制御部６０ａが自動でどれか１つを選択するように構成されていてもよいし、任意の分割パターンを手動で選択して制御部６０ａに取得させるようにしてもよい。たとえば、第２実施形態においては、制御部６０ａは図９に示した分割パターンを第１分割パターン１０２として選択する。そして、制御部６０ａは、選択した第１分割パターン１０２に含まれるそれぞれの部分面領域Ａを形成するための相対位置情報を取得する。

【0057】

（第２実施形態の効果）
次に、第２実施形態の効果について説明する。

【0058】

第２実施形態では、制御部６０ａは、転写を行う全ての領域を複数の部分面領域Ａとして分割する際に、複数の分割パターン１０１、１０２および１０３を取得するとともに、複数の分割パターン１０１、１０２および１０３の中から、１つの部分面領域Ａに含まれる半導体チップ１の数が最大となる最大部分面領域Ｆを含む第１分割パターン１０２を選択する。そして、制御部６０ａは、第１分割パターン１０２に含まれるそれぞれの部分面領域Ａを形成するための相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている。これにより、１つの相対位置情報に基づいて転写させられる半導体チップ１の数が最大となる、最大部分面領域Ｆを含んだ第１分割パターン１０２を用いて、相対位置情報に基づいて位置調整機構５０を制御することができるようになるため、制御部６０ａが位置調整機構５０を制御する回数を少なくすることができ、転写に要する時間を短縮することができる。

【0059】

なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

【0060】

［第３実施形態］
次に、第３実施形態による半導体チップ転写装置１００ｂおよび半導体チップ１の転写方法について説明する。半導体チップ転写装置１００ｂの装置構成は、制御部６０ｂ以外は、図１に示した半導体チップ転写装置１００と同様の装置構成である。第３実施形態においても、図４の半導体チップ１の転写方法の処理のフローに基づいて処理が行われるが、後述するように、ステップＳ２の処理において、第１および第２実施形態とは異なる。なお、第３実施形態において、第１および第２実施形態と共通する点については、説明を省略する。

【0061】

第３実施形態では、図４のステップＳ２において、制御部６０ｂは、転写を行う全ての領域を部分面領域Ａとして分割する際に、複数の分割パターンを取得する。この第３実施形態においても、第２実施形態と同様に、制御部６０ｂが、複数の分割パターンとして、図７、図９および図１０に示される分割パターン１０１、１０２および１０３を取得する場合について説明する。

【0062】

さらに、制御部６０ｂは、分割パターン１０１、１０２および１０３の中から、複数の相対位置情報の数が最も少ない数となる第２分割パターン１０１を取得する制御を行うように構成されている。複数の相対位置情報の数が最も少ない数となる分割パターンが複数ある場合は、制御部６０ｂが自動でどれか１つを選択するように構成されていてもよいし、任意の分割パターンを手動で選択して制御部６０ｂに取得させるようにしてもよい。たとえば、第２実施形態においては、制御部６０ｂは図７に示した分割パターンを第２分割パターン１０１として選択する。そして、制御部６０ｂは、選択した第２分割パターン１０１に含まれるそれぞれの部分面領域Ａを形成するための相対位置情報を取得する。

【0063】

（第３実施形態の効果）
次に、第３実施形態の効果について説明する。

【0064】

第３実施形態では、制御部６０ｂは、転写を行う全ての領域を部分面領域Ａとして分割する際に、複数の分割パターン１０１、１０２および１０３を取得するとともに、複数の分割パターン１０１、１０２および１０３の中から、複数の相対位置情報の数が最も少ない数となる第２分割パターン１０１を取得する制御を行うように構成されている。これにより、相対位置情報に基づいて位置調整機構５０を制御する回数を最も少なくすることができ、転写に要する時間を短縮することができる。

【0065】

なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態および上記第２実施形態と同様である。

【0066】

［第４実施形態］ 次に、図１１および図１２を用いて、第４実施形態による半導体チップ転写装置１００ｃおよび半導体チップ１の転写方法について説明する。半導体チップ転写装置１００ｃの装置構成は、制御部６０ｃ以外は、図１に示した半導体チップ転写装置１００と同様の装置構成である。第４実施形態においても、図４の半導体チップ１の転写方法の処理のフローに基づいて処理が行われるが、後述するように、ステップＳ２の処理において、第１～第３実施形態とは異なる。なお、第４実施形態において、第１～第３実施形態と共通する点については、説明を省略する。

【0067】

第４実施形態では、それぞれの部分面領域Ａ内における複数のギャップ長Ｄ同士の値が均一に近づくように、相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている。

【0068】

具体的には、図４のステップＳ２において、図１１に示すように、制御部６０ｃは、特定の部分面領域Ｂ内における、任意の位置かつ任意の数の複数のギャップ長取得位置を選択する。この第４実施形態では、制御部６０ｃは、Ｂ１、Ｂ２およびＢ３を選択する。このとき、Ｂ１とＢ１の垂直下方（Ｚ２方向）に位置する被転写基板２０上の位置Ｂ４との間の距離をギャップ長ｄ１とする。また、Ｂ２とＢ２の垂直下方（Ｚ２方向）に位置する被転写基板２０上の位置Ｂ５との間の距離をギャップ長ｄ２とする。また、Ｂ３とＢ３の垂直下方（Ｚ２方向）に位置する被転写基板２０上の位置Ｂ６との間の距離をギャップ長ｄ３とする。

【0069】

このとき、図１２に示すように、制御部６０ｃは、部分面領域Ｂ内における複数のギャップ長取得位置Ｂ１、Ｂ２およびＢ３におけるギャップ長ｄ１、ｄ２およびｄ３が、ギャップ許容範囲ｇ内に収まるように、相対位置情報として取得する。さらに、制御部６０ｃは、ギャップ長ｄ１と、ｄ２と、ｄ３との距離が均一に近づくような相対位置情報を取得するように構成される。

【0070】

（第４実施形態の効果）
次に、第４実施形態の効果について説明する。

【0071】

第４実施形態では、それぞれの部分面領域Ａ内における複数のギャップ長Ｄ同士の値が均一に近づくような、相対位置情報を取得する制御を行うように構成されている。これにより、部分面領域Ａ内に含まれる複数の半導体チップ１が同程度のギャップ長Ｄとして保持されるため、半導体チップ１をより高精度に転写することができる。

【0072】

なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第１～第３実施形態と同様である。

【0073】

［変形例］
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更（変形例）が含まれる。

【0074】

たとえば、上記第１～第４実施形態では、支持基板１０の形状は円形であり、被転写基板２０の形状は矩形である例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持基板１０および被転写基板２０の形状は、いずれも、円形であってもよいし、多角形であってもよい。

【0075】

また、上記第１～第４実施形態では、被転写基板２０がマイクロＬＥＤディスプレイパネルを製造するための基板である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明の被転写基板２０は、マイクロＬＥＤディスプレイパネル以外の用途であってもよい。また、被転写基板２０には、転写された半導体チップ１を接着するための図示しない粘着層が形成されていてもよい。また、被転写基板２０には、転写された半導体チップ１に対して接続可能な配線が形成されていてもよい。

【0076】

また、上記第１～第４実施形態では、レーザ光照射部７０は、レーザ光源７１と、ガルバノミラー７２と、ｆθレンズ７３とを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ガルバノミラー７２の代わりにポリゴンミラーを用いてもよいし、ガルバノミラー７２とｆθレンズ７３との代わりにマスクを用いてもよい。

【0077】

また、上記第１～第４実施形態では、制御部６０、６０ａ～６０ｃは、ギャップ長Ｄに基づいて、少なくとも支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整するように位置調整機構５０を制御して、支持基板保持部３０の傾きを調整する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、制御部６０、６０ａ～６０ｃは、被転写基板保持部４０の傾きを調整してもよいし、支持基板保持部３０および被転写基板保持部４０の両方の傾きを調整してもよい。また、制御部６０、６０ａ～６０ｃは、支持基板保持部３０および被転写基板保持部４０を、傾きだけではなく、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動するように位置調整機構５０を制御してもよい。また、位置調整機構５０は、支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０とに対して別々に設けられていてもよい。

【0078】

また、上記第１～第４実施形態では、予め設定されたギャップ許容範囲ｇと、ギャップ長取得部８０によって取得されたギャップ長Ｄとに基づいて、支持基板１０の半導体チップ１を支持する面のうちの、ギャップ長Ｄの所定のギャップ長Ｄｇに対する誤差がギャップ許容範囲ｇ内に収まるように支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ギャップ許容範囲ｇを設けずに、複数のギャップ長Ｄがそれぞれ均一に近づくように、支持基板保持部３０と被転写基板保持部４０との相対的な傾きを調整してもよい。

【0079】

また、上記第１～第４実施形態では、転写を行う全ての領域を複数の部分面領域Ａとして分割する際に、複数の部分面領域Ａが構成される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持基板１０のたわみが少なく、１つの相対位置情報において全ての半導体チップ１がギャップ許容範囲ｇ内に収まる場合は、取得する部分面領域Ａのみとなっていてもよい。

【0080】

また、上記第２実施形態では、転写を行う全ての領域を複数の部分面領域Ａとして分割する際に、複数の分割パターンを取得するとともに、複数の分割パターンの中から、１つの部分面領域Ａに含まれる半導体チップ１の数が最大となる最大部分面領域Ｆを含む第１分割パターン１０２を選択する。そして、制御部６０ａは、第１分割パターン１０２に含まれるそれぞれの部分面領域Ａを形成するための相対位置情報を取得する、という例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、制御部６０ａに複数の分割パターンを表示させ、任意に選択したパターンを制御部６０ａが取得するように構成されていてもよい。

【0081】

また、上記第１～第４実施形態では、１枚の支持基板１０と被転写基板２０との相対位置情報に基づいて、被転写基板２０の全面に半導体チップ１が転写される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持基板１０を複数枚準備し、１つの支持基板１０から被転写基板２０に対して半導体チップ１の転写が終了した後に、支持基板１０を交換して、別の支持基板１０から被転写基板２０に対して半導体チップ１の転写がされるようにして、被転写基板２０の全面に半導体チップ１が転写されるように構成されていてもよい。

【0082】

また、上記第１～第４実施形態では、支持基板１０に支持された半導体チップ１が、それぞれの部分面領域Ａに含まれる複数の半導体チップ１ごとに被転写基板２０へ転写される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持基板１０に支持された半導体チップ１のピッチと、被転写基板２０に配置すべき半導体チップ１のピッチに応じて、部分面領域Ａに含まれる複数の半導体チップ１のうち、転写する半導体チップ１が任意に選択されるように構成されていてもよい。また、被転写基板２０上において、転写された複数の半導体チップ１の集合領域が形成される場合、その集合領域内に含まれる複数の半導体チップ１は、別々の部分面領域Ａから、それぞれ半導体チップ１が転写されることによって構成されていてもよい。

【0083】

また、上記第１～第４実施形態では、ギャップ長取得部８０は、支持基板１０の上方（Ｚ１方向）に取り付けられたレーザ変位計８１を用いて、第１距離Ｄ１および第２距離Ｄ２を測定して、ギャップ長Ｄを取得する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ギャップ長取得部８０は、レーザ変位計８１を複数設けて、支持基板１０の上方（Ｚ１方向）および、被転写基板２０の下方（Ｚ２方向）にそれぞれ配置して、ギャップ長Ｄを取得してもよい。この場合、ギャップ長取得部８０は、図１３に示すように、被転写基板２０の下方（Ｚ２方向）に配置されたレーザ変位計８１の第１基準位置Ｐ１から、基準位置Ｐ１の垂直上方（Ｚ１方向）に位置する支持基板１０の半導体チップ１を支持する側の面の位置Ｑ１までの第１基準距離Ｄａを取得する。また、ギャップ長取得部８０は、第１基準位置Ｐ１から第２基準位置Ｐ２までの基準位置間距離Ｄｃを取得する。また、ギャップ長取得部８０は、図１４に示すように支持基板１０の上方（Ｚ１方向）に配置されたレーザ変位計８１の第２基準位置Ｐ２から、基準位置Ｐ２の垂直下方（Ｚ２方向）に位置する被転写基板２０の半導体チップ１が転写される側の面の位置Ｑ２までの第２基準距離Ｄｂを取得する。これにより、ギャップ長取得部８０は、ギャップ長Ｄを、Ｄ＝Ｄａ―（Ｄｃ－Ｄｂ）として取得する。

【0084】

また、上記第１～第４実施形態では、ギャップ長取得部８０は、支持基板１０の上方（Ｚ１方向）に取り付けられたレーザ変位計８１を用いてギャップ長Ｄを測定する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ギャップ長取得部８０は、隙間ゲージなどを用いて事前に設定した支持基板１０と被転写基板２０との間の距離の値をギャップ長Ｄとして取得するように構成されていてもよい。

【0085】

また、上記第１～第４実施形態では、ギャップ長取得部８０は、支持基板１０と被転写基板２０との間の距離をギャップ長Ｄとして取得する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ギャップ長取得部８０は、半導体チップ１と被転写基板２０との間の距離をギャップ長Ｄとして取得してもよい。

【0086】

また、上記第１～第４実施形態では、本発明の素子として半導体チップ１を適用する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明の素子として、半導体チップ１以外の素子を適用してもよい。

【符号の説明】

【0087】

１ 半導体チップ（素子）
１０ 支持基板
２０ 被転写基板
３０ 支持基板保持部
４０ 被転写基板保持部
５０ 位置調整機構
６０、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ 制御部
７０ レーザ光照射部
８０ ギャップ長取得部
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ 半導体チップ転写装置（素子転写装置）
Ａ 部分面領域
Ｄ ギャップ長
Ｆ 最大部分面領域
ｇ ギャップ許容範囲
Ｌ レーザ光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】