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特開2024-142243導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、および半導体装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024142243
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20241003BHJP
G03F 1/40 20120101ALI20241003BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
G03F1/40
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023054352
(22)【出願日】2023-03-29
(71)【出願人】
【識別番号】000113263
【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】513240733
【氏名又は名称】ホーヤ エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＨＯＹＡ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＳＩＮＧＡＰＯＲＥ ＰＴＥ．ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】１０ Ｔａｍｐｉｎｅｓ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｃｒｅｓｃｅｎｔ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ ５２８６０３
(74)【代理人】
【識別番号】100113343
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 武史
(72)【発明者】
【氏名】岸田 響
(72)【発明者】
【氏名】中川 真徳
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195BB25
2H195BC17
2H195CA16
2H195CA22
2H197BA11
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA20
2H197HA03
(57)【要約】
【課題】強固に静電チャックに吸着でき、かつ容易に静電チャックから脱離可能な導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】基板の第１主面上に導電膜が設けられた導電膜付き基板であって、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定（ωはＸ線回折測定におけるＸ線の入射角）によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上である。
【選択図】図１
【解決手段】基板の第１主面上に導電膜が設けられた導電膜付き基板であって、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定（ωはＸ線回折測定におけるＸ線の入射角）によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の第１主面上に導電膜が設けられた導電膜付き基板であって、
回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上であることを特徴とする導電膜付き基板。
回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上であることを特徴とする導電膜付き基板。
【請求項2】
前記導電膜は、タンタルまたはクロムを含むことを特徴とする請求項１に記載の導電膜付き基板。
【請求項3】
前記導電膜は、タンタルを９５原子％以上含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
【請求項4】
前記導電膜は、タンタルおよび窒素を合計で９５原子％以上含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
【請求項5】
前記導電膜は、前記基板に接して形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
【請求項6】
前記導電膜は圧縮応力を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
【請求項7】
請求項１又は２に記載の導電膜付き基板の前記第１主面に対向する第２主面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
【請求項8】
請求項７に記載の多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項9】
前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の反射型マスクブランク。
【請求項10】
請求項８に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をエッチングによりパターニングして得られる吸収体膜パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項11】
請求項１０に記載の反射型マスクを用いて、露光により前記吸収体膜パターンを転写対象に転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般にガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。
【0003】
フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを経て行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。
【0004】
転写用マスクの種類としては、従来の基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。
また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィがある。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。本明細書においては、ＥＵＶ光とは、波長１３．５ｎｍの光を含む光であり、波長１３ｎｍから１４ｎｍの光、より具体的には、波長１３．５ｎｍの光とすることができる。本明細書において、光とは可視光だけでなく電磁波も含む。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクがある。このような反射型マスクは、基板上に露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィがある。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。本明細書においては、ＥＵＶ光とは、波長１３．５ｎｍの光を含む光であり、波長１３ｎｍから１４ｎｍの光、より具体的には、波長１３．５ｎｍの光とすることができる。本明細書において、光とは可視光だけでなく電磁波も含む。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクがある。このような反射型マスクは、基板上に露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
【0005】
反射型マスクは、例えば半導体基板上へのパターン転写時に、露光装置内の静電チャックによって支持される。一方で、反射型マスクブランクや反射型マスクに用いられる基板は、絶縁性のガラス基板等からなる。このため、反射型マスクブランクや反射型マスクの基板の裏面には、導電膜（裏面導電膜）が形成される。従来技術として、例えば特許文献１には、シリコン、モリブデン、クロム、オキシ窒化クロムまたはＴａＳｉのような、基板よりも高い誘電率の物質の裏面コーティングを有したマスク基板が開示されている。また、特許文献２には、アモルファスのクロム系導電膜が形成された導電膜付基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特表２００３－５０１８２３号公報
【特許文献2】特開２０１５－２１５６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、パターン転写時に、静電チャックを用いて可動式のステージ上に載置した反射型マスクの位置ずれが起こると、高精度なパターン転写が困難となる。したがって、反射型マスクの裏面導電膜は、静電チャックに強固に固定されることが好ましい。一方、裏面導電膜が静電チャックに強固に固定されていると、この反射型マスクを静電チャックから脱離するときに、裏面膜由来のパーティクルが発生することがあった。このパーティクルが静電チャック上に残存していると、この静電チャックに別の反射型マスクの基板を吸着させた場合、この反射型マスクの平坦度が低下し、高精度なパターン転写が困難となることがあった。また、このパーティクルが反射型マスクに付着し、欠陥となることもあった。
【0008】
そこで本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第１に、強固に静電チャックに吸着でき、かつ、容易に静電チャックから脱離可能であり、静電チャックへの着脱によるパーティクルの発生を抑制できる導電膜付き基板を提供することである。
また、第２に、上記導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを提供することであり、第３に、この反射型マスクを使用する半導体装置の製造方法を提供することである。
また、第２に、上記導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを提供することであり、第３に、この反射型マスクを使用する半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者は、従来の課題を解決するべく鋭意研究を続けた結果、以下の発明を完成した。
（構成１）
基板の第１主面上に導電膜が設けられた導電膜付き基板であって、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上であることを特徴とする導電膜付き基板。
（構成１）
基板の第１主面上に導電膜が設けられた導電膜付き基板であって、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上であることを特徴とする導電膜付き基板。
【0010】
（構成２）
前記導電膜は、タンタルまたはクロムを含むことを特徴とする構成１に記載の導電膜付き基板。
（構成３）
前記導電膜は、タンタルを９５原子％以上含むことを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
前記導電膜は、タンタルまたはクロムを含むことを特徴とする構成１に記載の導電膜付き基板。
（構成３）
前記導電膜は、タンタルを９５原子％以上含むことを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
【0011】
（構成４）
前記導電膜は、タンタルおよび窒素を合計で９５原子％以上含むことを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
（構成５）
前記導電膜は、前記基板に接して形成されていることを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
前記導電膜は、タンタルおよび窒素を合計で９５原子％以上含むことを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
（構成５）
前記導電膜は、前記基板に接して形成されていることを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
【0012】
（構成６）
前記導電膜は圧縮応力を有することを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
前記導電膜は圧縮応力を有することを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。
【0013】
（構成７）
構成１又は２に記載の導電膜付き基板の前記第１主面に対向する第２主面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
構成１又は２に記載の導電膜付き基板の前記第１主面に対向する第２主面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
【0014】
（構成８）
構成７に記載の多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
（構成９）
前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、保護膜が形成されていることを特徴とする構成８に記載の反射型マスクブランク。
構成７に記載の多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
（構成９）
前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、保護膜が形成されていることを特徴とする構成８に記載の反射型マスクブランク。
【0015】
（構成１０）
構成８に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をエッチングによりパターニングして得られる吸収体膜パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
構成８に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をエッチングによりパターニングして得られる吸収体膜パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
【0016】
（構成１１）
構成１０に記載の反射型マスクを用いて、露光により前記吸収体膜パターンを転写対象に転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
構成１０に記載の反射型マスクを用いて、露光により前記吸収体膜パターンを転写対象に転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、強固に静電チャックに吸着でき、かつ、容易に静電チャックから脱離可能であり、静電チャックへの着脱によるパーティクルの発生を抑制できる導電膜付き基板を提供することができる。
また、本発明によれば、上記導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを提供することができる。
また、本発明によれば、上記導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを提供することができる。
【0018】
さらに、本発明によれば、この反射型マスクを使用する半導体装置の製造方法を提供することができる。この反射型マスクを用いてパターン転写を行うことにより、パターン転写時に、静電チャックを用いて可動式のステージ上に載置した反射型マスクの位置ずれを生じることなく、高精度なパターン転写を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の導電膜付き基板の一実施形態を示す断面図である。
【図2】本発明の多層反射膜付き基板の一実施形態を示す断面図である。
【図3】本発明の反射型マスクブランクの一実施形態を示す断面図である。
【図4】本発明の反射型マスクブランクの他の実施形態を示す断面図である。
【図5】本発明の反射型マスクブランクのその他の実施形態を示す断面図である。
【図6】本発明の反射型マスクの一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
［導電膜付き基板］
まず、本発明の導電膜付き基板について説明する。
図１は、本発明の導電膜付き基板の一実施形態を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の導電膜付き基板１０は、基板１の第１主面（図示する状態では基板１の裏面）上に導電膜２が設けられている。本実施形態では、前記導電膜２は、前記基板１に接して形成されている。
［導電膜付き基板］
まず、本発明の導電膜付き基板について説明する。
図１は、本発明の導電膜付き基板の一実施形態を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の導電膜付き基板１０は、基板１の第１主面（図示する状態では基板１の裏面）上に導電膜２が設けられている。本実施形態では、前記導電膜２は、前記基板１に接して形成されている。
【0021】
本発明の導電膜付き基板は、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定（２θ／ωスキャン）によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上であることを特徴とする。
上記ωは、Ｘ線回折測定におけるＸ線の入射角である。
上記ωは、Ｘ線回折測定におけるＸ線の入射角である。
【0022】
＜基板＞
基板１は、互いに対向する２つの主面および４つの端面を有する。本発明の導電膜付き基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに用いられる場合、上記基板１としてはガラス基板が好ましく、特に、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０－７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０－７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
基板１は、互いに対向する２つの主面および４つの端面を有する。本発明の導電膜付き基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに用いられる場合、上記基板１としてはガラス基板が好ましく、特に、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０－７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０－７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
【0023】
上記ガラス基板の転写パターンが形成される側の主面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を向上させる観点から高平坦度となるように表面加工されている。ＥＵＶ露光用の場合、ガラス基板の転写パターンが形成される側の主面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。なお、本明細書において、平坦度は、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ Ｒｅａｄｉｎｇ）で示される表面の反り（変形量）を表す値である。この値は、基板１の表面を基準として最小二乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板１の表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板１の表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
【0024】
また、ＥＵＶ露光用の場合、上記ガラス基板としては、上記のとおり、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラスなどの低熱膨張係数を有する素材が好ましく用いられる。ガラス基板の表面粗さの低減、若しくはガラス基板表面の欠陥を低減する目的で、必要に応じて、ガラス基板の転写パターンが形成される側の主面に下地層を形成してもよい。このような下地層の材料としては、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。例えば、Si又はSiを含有するケイ素化合物（例えばSiO2、SiONなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、下地層の材料として好ましく用いられる。下地層の材料は、特にSiが好ましい。このような下地層を用いることで、ガラス基板の表面粗さとして例えば二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することができる。
【0025】
下地層の表面は、反射型マスクブランク用基板として要求される平滑度となるように精密研磨された表面とすることが好適である。下地層の表面は、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下となるように精密研磨されることが望ましい。また、下地層の表面は、下地層上に形成する多層反射膜の表面への影響を考慮すると、最大高さ（Ｒｍａｘ）との関係において、Ｒｍａｘ／Ｒｑが２～１０であることが良く、特に好ましくは、２～８となるように精密研磨されることが望ましい。
下地層の膜厚は、例えば１０ｎｍ～３００ｎｍの範囲が好ましい。
下地層の膜厚は、例えば１０ｎｍ～３００ｎｍの範囲が好ましい。
【0026】
＜導電膜＞
上記導電膜２は、単層からなることができる。これにより、成膜工程が簡便となる。なお、単層の導電膜２の基板１とは反対側の表面は、酸化されていてもよい。すなわち、導電膜２は、基板１とは反対側の表面に、膜厚のごく小さな表面酸化層を有していてもよい。表面酸化層の膜厚は、４ｎｍ以下とすることができ、２ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以下がより好ましい。これにより、静電チャック脱離時のパーティクル発生をより抑制することができる。また、上記導電膜２は、複数の層を含む積層膜であってもよい。この場合、例えば、積層膜が含む最上層の酸素含有率を他の層よりも高くすることができる。すなわち、最上層を最も酸素含有率の高い層とすることができる。これにより、静電チャック脱離時のパーティクル発生をより抑制することができる。この最上層は、例えば５ｎｍ以上とすることが好ましい。
上記導電膜２の膜厚としては、特に限定されないが、例えば１０ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましい。また、該膜厚は、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましい。導電膜２の成膜方法は特に限定されないが、通常、マグネトロンスパッタリング法や、イオンビームスパッタリング法などが好適である。
上記導電膜２は、単層からなることができる。これにより、成膜工程が簡便となる。なお、単層の導電膜２の基板１とは反対側の表面は、酸化されていてもよい。すなわち、導電膜２は、基板１とは反対側の表面に、膜厚のごく小さな表面酸化層を有していてもよい。表面酸化層の膜厚は、４ｎｍ以下とすることができ、２ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以下がより好ましい。これにより、静電チャック脱離時のパーティクル発生をより抑制することができる。また、上記導電膜２は、複数の層を含む積層膜であってもよい。この場合、例えば、積層膜が含む最上層の酸素含有率を他の層よりも高くすることができる。すなわち、最上層を最も酸素含有率の高い層とすることができる。これにより、静電チャック脱離時のパーティクル発生をより抑制することができる。この最上層は、例えば５ｎｍ以上とすることが好ましい。
上記導電膜２の膜厚としては、特に限定されないが、例えば１０ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましい。また、該膜厚は、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましい。導電膜２の成膜方法は特に限定されないが、通常、マグネトロンスパッタリング法や、イオンビームスパッタリング法などが好適である。
【0027】
また、導電膜２の基板１との界面領域（基板界面領域）および導電膜２の基板１とは反対側の表層領域は、いずれも導電膜２の組成比が連続的に変化する組成傾斜領域となる。よって、上記の導電膜２が単層からなるとは、導電膜２が、組成傾斜領域（表層領域および基板界面領域）と組成傾斜領域以外の内部領域（組成比が膜厚方向に均一な領域）とからなる場合も含む。ここで、組成比が膜厚方向に均一とは、膜厚方向における各構成元素の差が無視できるほどに小さく、例えば、各構成元素の差がいずれも３原子％以下であることを指す。
【0028】
上記の基板界面領域は、導電膜２と基板１との界面から基板１とは反対側の表面（すなわち、表層領域）に向かって例えば０ｎｍ超え５ｎｍ以下の厚さまでの範囲にわたる領域である。基板界面領域の厚さは、より好ましくは４ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３ｎｍ以下である。
【0029】
また、上記の表層領域は、導電膜２の基板１とは反対側の表面から基板１に向かって例えば０ｎｍ超え５ｎｍ以下の厚さまでの範囲にわたる領域である。表層領域の厚さは、より好ましくは４ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３ｎｍ以下である。
【0030】
本発明において、上記導電膜２の材料は特に限定はされないが、例えば、タンタル系材料やクロム系材料が好ましく挙げられる。
タンタル系材料としては、タンタル（Ｔａ）単体、またはタンタルに、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）などから選ばれる１以上を含有してもよい。
また、クロム系材料としては、クロム（Ｃｒ）単体、またはクロムに、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）などから選ばれる１以上を含有してもよい。
タンタル系材料としては、タンタル（Ｔａ）単体、またはタンタルに、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）などから選ばれる１以上を含有してもよい。
また、クロム系材料としては、クロム（Ｃｒ）単体、またはクロムに、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）などから選ばれる１以上を含有してもよい。
【0031】
特に上記のタンタル系材料は洗浄耐性が高いことから、本発明においては、上記導電膜２はタンタル系材料からなることが好ましい。また、上記導電膜２が含む金属は、耐薬性や耐摩耗性の観点から、タンタルのみであることがより好ましい。
【0032】
上記導電膜２がタンタル系材料からなる場合、具体例としては例えば、ＴａＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ等が挙げられる。
上記導電膜２がタンタルを含む場合、その含有量は９５原子％以上であることが好ましい。また、上記導電膜２がタンタルおよび窒素を含む場合、タンタルおよび窒素の含有量は合計で９５原子％以上であることが好ましい。
上記導電膜２がタンタルを含む場合、その含有量は９５原子％以上であることが好ましい。また、上記導電膜２がタンタルおよび窒素を含む場合、タンタルおよび窒素の含有量は合計で９５原子％以上であることが好ましい。
【0033】
また、本発明においては、上記導電膜２は圧縮応力を有することが好ましい。導電膜２が圧縮応力を有することにより、多層反射膜によって生じる基板１の反りを低減することが向上できる。
【0034】
上記したように、本発明の導電膜付き基板は、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される前記導電膜の結晶子サイズが２．５ｎｍ以上であることを特徴とするものである。
【0035】
本発明においては、Ｘ線回折測定は、２θ/ωスキャンを用いたＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定であり、導電膜２表面に対してＸ線を入射角ωで入射させて回折角２θを測定した。
【0036】
以下、本発明におけるＸ線回折の具体的な測定方法について説明する。
Ｘ線回折装置を用い、導電膜２に対して２θ/ωスキャン測定を行った。測定領域（測定点）は、導電膜の中央を含む２０ｍｍ×２０ｍｍの領域内の１点とした。Ｘ線源には出力４５ｋＶ－２００ｍＡのＣｕＫα１線（波長：１．５４０５Å）を用い、ステップ幅０．１°、スキャンスピード１°／分の条件で測定し、データを得た。
Ｘ線回折装置を用い、導電膜２に対して２θ/ωスキャン測定を行った。測定領域（測定点）は、導電膜の中央を含む２０ｍｍ×２０ｍｍの領域内の１点とした。Ｘ線源には出力４５ｋＶ－２００ｍＡのＣｕＫα１線（波長：１．５４０５Å）を用い、ステップ幅０．１°、スキャンスピード１°／分の条件で測定し、データを得た。
【0037】
また、本発明における導電膜２の結晶子サイズの算出方法は以下のとおりである。
回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において回折強度が最大となる回折ピークの半値幅β(rad)から、以下のシェラーの式（式（１））を用いて、結晶子サイズＤを算出した。
Ｄ＝Ｋ・λ/(β・cos(u/2)) ・・・（１）
ここで、Ｋ：シェラー定数0.9、λ：Ｘ線（ＣｕＫα１）波長＝１．５４０５Å
回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において回折強度が最大となる回折ピークの半値幅β(rad)から、以下のシェラーの式（式（１））を用いて、結晶子サイズＤを算出した。
Ｄ＝Ｋ・λ/(β・cos(u/2)) ・・・（１）
ここで、Ｋ：シェラー定数0.9、λ：Ｘ線（ＣｕＫα１）波長＝１．５４０５Å
【0038】
なお、uは、回折角２θｍａｘが３０度≦２θ≦９０度の範囲において回折強度が最大となる回折角２θｍａｘ±２（度）の範囲内の回折スペクトルを下記のガウス関数（式（２））を用いて、最小二乗法によるフィッティングを行うことで得られ、該フィッティングで得られるσから半値幅βを算出した。
【0039】
【数1】
【0040】
そして、半値幅βは、上記フィッティングで得られたσを用いて、以下の式（式（３））から求めた。
【0041】
【数2】
【0042】
本発明では、上記導電膜２の結晶子サイズを２．５ｎｍ以上とすることで、導電膜２の静摩擦係数を大きくしているため、静電チャック上で導電膜付き基板１０が滑ることを抑制することができ、導電膜付き基板１０をより強固に静電チャックに固定することができる。さらに、導電膜２の結晶子サイズを２．５ｎｍ以上としているため、導電膜２と静電チャックとの実際の接触面積を小さくすることができ、より容易に導電膜付き基板１０を静電チャックから脱離することができる。このため、導電膜付き基板１０を静電チャックから脱離するときの膜剥がれなどによるパーティクルの発生を抑制することができる。
なお、導電膜２の表面粗さが大きくなりすぎるのを抑制するため、導電膜２の結晶子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下、さらに好ましくは２２ｎｍ以下である。
なお、導電膜２の表面粗さが大きくなりすぎるのを抑制するため、導電膜２の結晶子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下、さらに好ましくは２２ｎｍ以下である。
【0043】
以上のとおり、本発明の導電膜付き基板によれば、強固に静電チャックに吸着でき、かつ、容易に静電チャックから脱離可能であり、静電チャックへの着脱によるパーティクルの発生を抑制することができる。
またしたがって、本発明の導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、及び反射型マスク（これらの詳細は後述）においても、上記と同様の効果を奏するものである。
またしたがって、本発明の導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、及び反射型マスク（これらの詳細は後述）においても、上記と同様の効果を奏するものである。
【0044】
［多層反射膜付き基板］
次に、本発明の多層反射膜付き基板について説明する。
図２は、本発明の多層反射膜付き基板の一実施形態を示す断面図である。
図２に示されるように、本発明の一実施形態に係る多層反射膜付き基板２０は、上記導電膜付き基板１０の前記第１主面に対向する第２主面（図示する状態では基板１の表面）上に、露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜３が形成されている。
次に、本発明の多層反射膜付き基板について説明する。
図２は、本発明の多層反射膜付き基板の一実施形態を示す断面図である。
図２に示されるように、本発明の一実施形態に係る多層反射膜付き基板２０は、上記導電膜付き基板１０の前記第１主面に対向する第２主面（図示する状態では基板１の表面）上に、露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜３が形成されている。
【0045】
本実施形態の多層反射膜付き基板２０は、上記導電膜付き基板１０の上記第２主面上に、露光光の例えばＥＵＶ光を反射する多層反射膜３を成膜することにより作製される。
【0046】
上記多層反射膜３は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に３０～６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３～１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長に応じて、材質を適宜選択すればよい。
例えば、波長１３～１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長に応じて、材質を適宜選択すればよい。
【0047】
通常、吸収体膜のパターニング或いはパターン修正の際に多層反射膜を保護する目的で、上記多層反射膜３上には、保護膜（キャッピング層とも呼ばれることがある。）を設けることが好ましい。このような保護膜は、例えば、ルテニウムを主成分として含む材料により形成される。ルテニウムを主成分として含む材料としては、Ｒｕ金属単体、Ｒｕにチタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、ランタン（Ｌａ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択される少なくとも１つの金属を含有したＲｕ合金、及びそれらに窒素を含む材料が挙げられる。なお、物質Ａを主成分として含むとは、物質Ａを５０％以上含むことを言う。
また、保護膜の膜厚としては、例えば１ｎｍ以上が好ましい。また、保護膜の膜厚は、５ｎｍ以下が好ましい。
また、保護膜の膜厚としては、例えば１ｎｍ以上が好ましい。また、保護膜の膜厚は、５ｎｍ以下が好ましい。
【0048】
以上の多層反射膜３、及び保護膜の成膜方法は特に限定されないが、通常、イオンビームスパッタリング法や、マグネトロンスパッタリング法などが好適である。
【0049】
［反射型マスクブランク］
次に、本発明の反射型マスクブランクについて説明する。
図３は、本発明の反射型マスクブランクの一実施形態を示す断面図である。
図３に示されるように、本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランク３０は、上記多層反射膜付き基板２０の上記多層反射膜３上に、吸収体膜５が形成されている。
次に、本発明の反射型マスクブランクについて説明する。
図３は、本発明の反射型マスクブランクの一実施形態を示す断面図である。
図３に示されるように、本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランク３０は、上記多層反射膜付き基板２０の上記多層反射膜３上に、吸収体膜５が形成されている。
【0050】
上記反射型マスクブランク３０は、上記多層反射膜付き基板２０における上記多層反射膜３（多層反射膜３の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜５を成膜することにより作製される。
【0051】
上記吸収体膜５は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、上記反射型マスクブランクを使用して作製される反射型マスク６０（図６参照）において、上記多層反射膜３（多層反射膜３の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン５ａ（図６参照）による反射光との間で所望の反射率差を有するものであればよい。例えば、ＥＵＶ光に対する吸収体膜５の反射率は、０．１％以上４０％以下の間で選定される。また、上記反射率差に加えて、上記多層反射膜３（多層反射膜３の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン５ａによる反射光との間で所望の位相差を有するものであってもよい。なお、上記多層反射膜３（多層反射膜３の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン５ａによる反射光との間で所望の位相差を有する場合、反射型マスクブランクにおける吸収体膜５を位相シフト膜と称する場合がある。上記多層反射膜３（多層反射膜３の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン５ａによる反射光との間で所望の位相差を設けて、コントラストを向上させる場合、位相差は１５０度から３１０度の範囲に設定するのが好ましく、吸収体膜５の反射率は、３％以上４０％以下に設定するのが好ましい。
【0052】
上記吸収体膜５は、単層でも積層構造であってもよい。積層構造の場合、同一材料の積層膜、異種材料の積層膜でもよい。積層膜は、材料や組成が膜厚方向に段階的及び／又は連続的に変化したものとすることができる。吸収体膜５が積層膜である場合、吸収体膜５は、例えば、膜厚方向において最も基板に近い位置に、保護膜に対してエッチング選択性を有する層（バッファ層）を含んでもよい。
【0053】
上記吸収体膜５の材料としては、例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有し、エッチング等により加工が可能（好ましくは塩素（Ｃｌ）系ガス及び／又はフッ素（Ｆ）系ガスのドライエッチングでエッチング可能）であり、上記多層反射膜３（多層反射膜３の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）に対してエッチング選択比が高い材料である限り、特に限定されない。そのような機能を有するものとして、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、テルル（Ｔｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）から選ばれる少なくとも１つの金属、２以上の金属を含む合金又はこれらの化合物を好ましく用いることができる。化合物は、上記金属又は合金に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び／又はホウ素（Ｂ）を含んでもよい。
【0054】
上記吸収体膜５の膜厚としては、例えば３０ｎｍ～１００ｎｍ程度の範囲が好ましい。吸収体膜５の成膜方法は特に限定されないが、通常、マグネトロンスパッタリング法や、イオンビームスパッタリング法などが好適である。
【0055】
また、図４は、本発明の反射型マスクブランクの他の実施形態を示す断面図である。
図４に示されるように、本実施形態の反射型マスクブランク４０は、上記多層反射膜３の表面に前述の保護膜４を有しており、すなわち、上記多層反射膜３と上記吸収体膜５との間に、保護膜４が形成されている。保護膜４については前述のとおりである。
図４に示されるように、本実施形態の反射型マスクブランク４０は、上記多層反射膜３の表面に前述の保護膜４を有しており、すなわち、上記多層反射膜３と上記吸収体膜５との間に、保護膜４が形成されている。保護膜４については前述のとおりである。
【0056】
また、図５は、本発明の反射型マスクブランクのその他の実施形態を示す断面図である。
図５に示されるように、本実施形態の反射型マスクブランク５０は、上記吸収体膜５上に、エッチングマスク膜６が形成されている。
図５に示されるように、本実施形態の反射型マスクブランク５０は、上記吸収体膜５上に、エッチングマスク膜６が形成されている。
【0057】
上記エッチングマスク膜６は、吸収体膜５をパターニングする際にマスク機能を有するものであり、吸収体膜５の最上層の材料とエッチング選択性が異なる材料により構成する。例えば、吸収体膜５がＴａ単体又はＴａを含む材料の場合、エッチングマスク膜６は、クロムやクロム化合物、若しくはケイ素やケイ素化合物などの材料を使用することができる。クロム化合物としては、ＣｒとＮ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料が挙げられる。ケイ素化合物としては、ＳｉとＮ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料や、ケイ素やケイ素化合物に金属を含む金属ケイ素（金属シリサイド）や金属ケイ素化合物（金属シリサイド化合物）などの材料が挙げられる。金属ケイ素化合物としては、金属、ＳｉとＮ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料が挙げられる。
また、吸収体膜５が、多層反射膜３側からＴａを含む材料と、Ｃｒを含む材料の積層膜の場合、エッチングマスク膜６の材料は、Ｃｒを含む材料とエッチング選択性が異なるケイ素、ケイ素化合物、金属シリサイド、金属シリサイド化合物などを選択することができる。
また、吸収体膜５が、多層反射膜３側からＴａを含む材料と、Ｃｒを含む材料の積層膜の場合、エッチングマスク膜６の材料は、Ｃｒを含む材料とエッチング選択性が異なるケイ素、ケイ素化合物、金属シリサイド、金属シリサイド化合物などを選択することができる。
【0058】
また、本実施形態に係る反射型マスクブランク５０（上述の反射型マスクブランク３０、４０においても同様）は、吸収体膜５を、互いにエッチング選択性が異なる材料からなる最上層とそれ以外の層との積層膜で構成し、最上層がそれ以外の層に対するエッチングマスク膜としての機能を有するようにした構成とすることもできる。
【0059】
以上のとおり、上述の実施形態に係る反射型マスクブランク３０、４０、５０における吸収体膜５は、単層膜には限られず、同一材料の積層膜、異種材料の積層膜で構成することができ、さらには、上記のような積層膜あるいは単層膜の吸収体膜５とエッチングマスク膜としての機能を有する膜との積層膜の構成とすることができる。
【0060】
また、上述の実施形態に係る反射型マスクブランク３０、４０、５０には、上記吸収体膜５（反射型マスクブランク５０のように吸収体膜５上にエッチングマスク膜６を有する場合には、そのエッチングマスク膜６）上にレジスト膜を形成した態様も含まれる。このようなレジスト膜は、反射型マスクブランクにおける吸収体膜５をフォトリソグラフィ法によりパターニングする際に用いられる。
【0061】
［反射型マスク］
本発明は、上記反射型マスクブランク３０等を用いて作製される反射型マスクについても提供するものである。
図６は、本発明の反射型マスクの一実施形態を示す断面図である。
図６に示すように、本実施形態の反射型マスク６０は、例えば前述の反射型マスクブランク４０の前記吸収体膜５をエッチングによりパターニングして得られる吸収体膜パターン５ａを有する。
本発明は、上記反射型マスクブランク３０等を用いて作製される反射型マスクについても提供するものである。
図６は、本発明の反射型マスクの一実施形態を示す断面図である。
図６に示すように、本実施形態の反射型マスク６０は、例えば前述の反射型マスクブランク４０の前記吸収体膜５をエッチングによりパターニングして得られる吸収体膜パターン５ａを有する。
【0062】
反射型マスクブランク４０における、転写パターンとなる上記吸修体膜５をパターニングする方法は、フォトリソグラフィ法が最も好適である。すなわち、上述の反射型マスクブランク４０上に電子線描画用レジストを塗布し、ベーキングすることによりレジスト膜を形成し、電子線描画装置を用いてレジスト膜を描画、現像し、レジスト膜に転写パターンに対応したレジストパターン形成する。その後、このレジストパターンをマスクにして吸収体膜５をパターニングして吸収体膜パターン５ａを形成することにより図６に示す反射型マスク６０が作製される。
【0063】
なお、吸収体膜パターン５ａを形成したことにより露出した領域の保護膜４は最終的には除去してもよいが、残存していても反射型マスクとしての機能に影響がなければ、特に除去しなくてもよい。また、上述のエッチングマスク膜６を含む構成の反射型マスクブランク５０を用いて反射型マスクを製造する場合、エッチングマスク膜６は最終的には除去してもよいが、残存していても反射型マスクとしての機能に影響がなければ、特に除去しなくてもよい。
【0064】
［半導体装置の製造方法］
さらに、上述の本発明の反射型マスク６０を用い、上記転写パターン（吸収体膜パターン５ａ）を転写対象、たとえば半導体基板上のレジスト膜に露光転写することにより、欠陥の少ない高品質の半導体装置を製造することができる。本発明の導電膜付き基板を用いた反射型マスク６０を用いてパターン転写を行うことにより、パターン転写時に、静電チャックを用いて可動式のステージ上に載置した反射型マスク６０の位置ずれを生じることなく、高精度なパターン転写を行うことができる。
さらに、上述の本発明の反射型マスク６０を用い、上記転写パターン（吸収体膜パターン５ａ）を転写対象、たとえば半導体基板上のレジスト膜に露光転写することにより、欠陥の少ない高品質の半導体装置を製造することができる。本発明の導電膜付き基板を用いた反射型マスク６０を用いてパターン転写を行うことにより、パターン転写時に、静電チャックを用いて可動式のステージ上に載置した反射型マスク６０の位置ずれを生じることなく、高精度なパターン転写を行うことができる。
【0065】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、強固に静電チャックに吸着でき、かつ、容易に静電チャックから脱離可能であり、静電チャックへの着脱によるパーティクルの発生を抑制できる導電膜付き基板を提供することができる。
また、本発明によれば、上記導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを提供することができる。
また、本発明によれば、上記導電膜付き基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを提供することができる。
【0066】
さらに、この反射型マスクを用いて露光によるパターン転写を行うことにより、高精度なパターン転写を行うことができ、欠陥の少ない高品質の半導体装置を製造することができる。
【実施例0067】
以下、実施例により、本発明の実施形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
基板として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．０ｍｍ×約１５２．０ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍの６インチ角の基板）を準備した。このガラス基板は、機械研磨により、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．２５ｎｍの平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有している。なお、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定し、測定領域は１μｍ×１μｍとした。
（実施例１）
基板として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．０ｍｍ×約１５２．０ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍの６インチ角の基板）を準備した。このガラス基板は、機械研磨により、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．２５ｎｍの平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有している。なお、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定し、測定領域は１μｍ×１μｍとした。
【0068】
まず、上記基板の裏面に、タンタルからなるＴａ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）ガスをスパッタリングガスとし、スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａ膜を形成した。
【0069】
形成した上記Ｔａ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、２１．３ｎｍであった。具体的な測定、算出方法は前記の方法で行った。
【0070】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0071】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層し、最後にＳｉ膜（膜厚：４ｎｍ）を形成し、さらにその上に、Ｒｕからなる保護膜（膜厚：２．５ｎｍ）を成膜して、多層反射膜付き基板を得た。
【0072】
続いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、上記多層反射膜付き基板の保護膜上に、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜を形成した。以上のようにして反射型マスクブランクを得た。
【0073】
次に、この反射型マスクブランクを用いて、反射型マスクを作製した。
まず、反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布し、ベーキングしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対して電子線により所定のマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
まず、反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布し、ベーキングしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対して電子線により所定のマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
【0074】
このレジストパターンをマスクとし、吸収体膜に対してフッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。
さらに、吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、反射型マスクを得た。
さらに、吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、反射型マスクを得た。
【0075】
こうして得られた本実施例の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0076】
（実施例２）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝６０：４０）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝８１原子％：１９原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝６０：４０）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝８１原子％：１９原子％）を形成した。
【0077】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、２．９ｎｍであった。
【0078】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0079】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例２の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例２の反射型マスクを作製した。
【0080】
こうして得られた実施例２の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0081】
（実施例３）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝４７：５３）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７１原子％：２９原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝４７：５３）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７１原子％：２９原子％）を形成した。
【0082】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、７．０ｎｍであった。
【0083】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0084】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例３の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例３の反射型マスクを作製した。
【0085】
こうして得られた実施例３の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0086】
（実施例４）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝３９：６１）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝６５原子％：３５原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝３９：６１）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝６５原子％：３５原子％）を形成した。
【0087】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、１６．８ｎｍであった。
【0088】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0089】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例４の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例４の反射型マスクを作製した。
【0090】
こうして得られた実施例４の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0091】
（実施例５）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝６０：４０）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７３原子％：２７原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝６０：４０）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７３原子％：２７原子％）を形成した。
【0092】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、４．８ｎｍであった。
【0093】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0094】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例５の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例５の反射型マスクを作製した。
【0095】
こうして得られた実施例５の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0096】
（実施例６）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝５３：４７）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝６４原子％：３６原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝５３：４７）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝６４原子％：３６原子％）を形成した。
【0097】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、５．５ｎｍであった。
【0098】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0099】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例６の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例６の反射型マスクを作製した。
【0100】
こうして得られた実施例６の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0101】
（実施例７）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝５２：４８）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７５原子％：２５原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ｘｅ：Ｎ２＝５２：４８）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７５原子％：２５原子％）を形成した。
【0102】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、５．６ｎｍであった。
【0103】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0104】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例７の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例７の反射型マスクを作製した。
【0105】
こうして得られた実施例７の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0106】
（実施例８）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、クロム、酸素および窒素からなるＣｒＯＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２＝５０：２９：２１）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＣｒＯＮ膜（組成比 Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝７５原子％：１５原子％：１０原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、クロム、酸素および窒素からなるＣｒＯＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２＝５０：２９：２１）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＣｒＯＮ膜（組成比 Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝７５原子％：１５原子％：１０原子％）を形成した。
【0107】
形成した上記ＣｒＯＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、４．６ｎｍであった。
【0108】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0109】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例８の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、実施例８の反射型マスクを作製した。
【0110】
こうして得られた実施例８の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0111】
（比較例１）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝６５：３５）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７５原子％：２５原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝６５：３５）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝７５原子％：２５原子％）を形成した。
【0112】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、２．０ｎｍであった。
【0113】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0114】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、比較例１の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、比較例１の反射型マスクを作製した。
【0115】
こうして得られた比較例１の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0116】
（比較例２）
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝７２：２８）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝８１原子％：１９原子％）を形成した。
実施例１と同様にして用意した基板の裏面に、タンタルおよび窒素からなるＴａＮ導電膜を形成した。スパッタリング装置内に上記基板を設置し、タンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比(％) Ａｒ：Ｎ２＝７２：２８）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリングによって、膜厚７０ｎｍのＴａＮ膜（組成比 Ｔａ：Ｎ＝８１原子％：１９原子％）を形成した。
【0117】
形成した上記ＴａＮ導電膜に対し、回折角２θが３０度以上９０度以下の範囲において、Ｘ線回折を用いた２θ／ω測定によって得られる回折強度が最大となる回折角２θｍａｘから算出される上記導電膜の結晶子サイズは、１．８ｎｍであった。
【0118】
以上のようにして得られた導電膜付き基板を用いて、実施例１と同様に、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した。
【0119】
次に、上記と全く同様にして作製した別の導電膜付き基板における導電膜とは反対側の基板表面上に、実施例１と同様にして、多層反射膜、保護膜および吸収体膜を順に成膜して、反射型マスクブランクを得た。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、比較例２の反射型マスクを作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして、比較例２の反射型マスクを作製した。
【0120】
こうして得られた比較例２の反射型マスクを露光装置内の静電チャックによって可動式のステージ上にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行った。
【0121】
上記したように、実施例１～８および比較例１～２において、導電膜付き基板を、静電チャックへの着脱を１００回繰り返した後、欠陥検査装置を用いて、導電膜における１．０μｍ以上の欠陥を検査した結果、実施例１～８の各導電膜付き基板では、いずれも、１．０μｍ以上の欠陥は３個未満と無視できるほどに少なかった。つまり、パーティクルの発生を抑制できた。なお、上記欠陥の個数は、１つの導電膜付き基板（１枚の導電膜）あたりの欠陥の個数である。比較例も同様である。
一方、比較例１～２の各導電膜付き基板では、いずれも１．０μｍ以上の欠陥は、１００個以上と大きな値となり、パーティクルの発生が多かった。
一方、比較例１～２の各導電膜付き基板では、いずれも１．０μｍ以上の欠陥は、１００個以上と大きな値となり、パーティクルの発生が多かった。
【0122】
また、上記したように、実施例１～８の各反射型マスクを用いて、半導体基板上へのパターン転写を行った結果、反射型マスクを搭載するステージの移動速度を速くした場合でも位置ずれを生じることなく、高精度なパターン転写を行うことができた。
一方、比較例１～２の各反射型マスクを用いて、半導体基板上へのパターン転写を行った結果、反射型マスクを搭載するステージの移動速度を速くすると位置ずれが生じ、高精度なパターン転写を行うことができなかった。
一方、比較例１～２の各反射型マスクを用いて、半導体基板上へのパターン転写を行った結果、反射型マスクを搭載するステージの移動速度を速くすると位置ずれが生じ、高精度なパターン転写を行うことができなかった。
【0123】
以上説明した実施例から明らかなように、本発明の導電膜付き基板によれば、強固に静電チャックに吸着でき、かつ、容易に静電チャックから脱離可能であり、静電チャックへの着脱によるパーティクルの発生を抑制することができる。
また、本発明の導電膜付き基板を適用した反射型マスクを用いて露光によるパターン転写を行うことにより、高精度なパターン転写を行うことができ、欠陥の少ない高品質の半導体装置を製造することができる。
また、本発明の導電膜付き基板を適用した反射型マスクを用いて露光によるパターン転写を行うことにより、高精度なパターン転写を行うことができ、欠陥の少ない高品質の半導体装置を製造することができる。
【符号の説明】
【0124】
１ 基板
２ 導電膜
３ 多層反射膜
４ 保護膜
５ 吸収体膜
６ エッチングマスク膜
１０ 導電膜付き基板
２０ 多層反射膜付き基板
３０、４０、５０ 反射型マスクブランク
６０ 反射型マスク
２ 導電膜
３ 多層反射膜
４ 保護膜
５ 吸収体膜
６ エッチングマスク膜
１０ 導電膜付き基板
２０ 多層反射膜付き基板
３０、４０、５０ 反射型マスクブランク
６０ 反射型マスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】