特開 2024-142273 磁性基体、磁性基体を備えるコイル部品、コイル部品を備える回路モジュール、及び回路モジュールを備える電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024142273

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】磁性基体、磁性基体を備えるコイル部品、コイル部品を備える回路モジュール、及び回路モジュールを備える電子機器

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20241003BHJP

   H01F 1/24 20060101ALI20241003BHJP

   H01F 3/08 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01F17/04 F

H01F1/24

H01F3/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023054406

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126572

【弁理士】

【氏名又は名称】村越 智史

(72)【発明者】

【氏名】制野 博太朗

(72)【発明者】

【氏名】土屋 健吾

(72)【発明者】

【氏名】冨田 龍也

(72)【発明者】

【氏名】萩原 智也

【テーマコード（参考）】

5E041

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E041AA11

5E041BB03

5E041CA01

5E041CA02

5E041HB11

5E070AA01

5E070AB03

5E070BA12

5E070BB03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】磁性基体内における不均一な磁気飽和の発生を抑制する。
【解決手段】コイル部品１において、磁性基体１０は、第１金属磁性粒子群と、第２金属磁性粒子とを有する。第１金属磁性粒子群は、複数の第１金属磁性粒子を含み、第１平均粒径を有する。第１金属磁性粒子は、第１金属部及び第１金属部の表面を覆う第１絶縁膜を有する。第２金属磁性粒子群は、複数の第２金属磁性粒子を含み、第２平均粒径を有する。第２金属磁性粒子は、第２金属部及び第２金属部の表面を覆う第２絶縁膜を有する。第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおけるマグネタイトのピーク強度に対するヘマタイトのピーク強度の比を表す第１ＨＭ比は、第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおけるマグネタイトのピーク強度に対するヘマタイトのピーク強度の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１金属部及び前記第１金属部の表面を覆いヘマタイトを含有する第１絶縁膜を有する第１金属磁性粒子を複数含み、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子群と、
第２金属部及び前記第２金属部の表面を覆いマグネタイトを含有する第２絶縁膜を有する第２金属磁性粒子を複数含み、前記第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子と、
を有し、
前記第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第１ＨＭ比は、前記第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい、
磁性基体。

【請求項2】

前記第１絶縁膜は、マグネタイトをさらに含み、
前記第１ＨＭ比は、１より大きい、
請求項１に記載の磁性基体。

【請求項3】

前記第１絶縁膜は、クロマイトをさらに含み、
前記第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度の比は、１より大きい、
請求項１又は２に記載の磁性基体。

【請求項4】

前記第２絶縁膜は、ヘマタイトをさらに含み、
前記第２ＨＭ比は、１より小さい、
請求項１又は２に記載の磁性基体。

【請求項5】

前記第２絶縁膜は、クロマイトをさらに含み、
前記第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度の比は、１より小さい、
請求項１又は２に記載の磁性基体。

【請求項6】

前記第１金属部におけるＦｅの含有比率が、前記第２金属部におけるＦｅの含有比率よりも高い、
請求項１又は２に記載の磁性基体。

【請求項7】

第１金属部及び前記第１金属部の表面を覆いヘマタイトを含有する第１絶縁膜を有する第１金属磁性粒子を複数含み、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子群と、第２金属部及び前記第２金属部の表面を覆いマグネタイトを含有する第２絶縁膜を有する第２金属磁性粒子を複数含み、前記第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子群と、を有する磁性基体と、
前記磁性基体内に埋設されたコイル導体と、
を備え、
前記第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第１ＨＭ比は、前記第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい、
コイル部品。

【請求項8】

前記基体は、複数の第１金属磁性粒子から構成される第１領域と、複数の第２金属磁性粒子から構成される第２領域と、に区画され、
前記基体内の閉磁路は、前記第１領域内を通過する第１磁路と、前記第２領域内を通過する第２磁路と、に区画され、
前記第１磁路の長さを表す第１磁路長は、前記第２磁路の長さを表す第２磁路長よりも長い、
請求項７に記載のコイル部品。

【請求項9】

前記閉磁路は、前記第１磁路及び前記第２磁路のみを通過する、
請求項８に記載のコイル部品。

【請求項10】

請求項７又は８に記載のコイル部品を備える回路モジュール。

【請求項11】

請求項１０に記載の回路モジュールを含む、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書の開示は、主に、磁性基体、磁性基体を備えるコイル部品、コイル部品を備える回路モジュール、及び回路モジュールを備える電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

コイル部品は、磁性材料から構成される磁性基体と、当該磁性基体に設けられたコイル導体と、当該コイル導体の端部に接続された外部電極とを有する。大電流が流れても磁気飽和が発生しにくい軟磁性金属材料から成る多数の金属磁性粒子を結合することで構成された磁性基体が知られている。

【0003】

コイル部品の磁性基体は、高い透磁率を有することが求められる。磁性基体における金属磁性粒子の充填率を向上させることにより、磁性基体の透磁率を高められることが知られている。例えば、特開２０１６－２０８００２号公報には、互いに異なる平均粒径を有する３種類以上の金属磁性粒子を含むように磁性基体を構成することにより、磁性基体における金属磁性粒子の充填率を高めることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１６－２０８００２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

互いに平均粒径の異なる２種類以上の金属磁性粒子群を含む磁性基体を備えるコイル部品においては、電流印加時に発生する磁束は、平均粒径が大きい金属磁性粒子群に含まれる大径の金属磁性粒子を選好して通過する。よって、このようなコイル部品においては、大径の金属磁性粒子が多く存在する磁路において磁気飽和が起こりやすいので、磁性基体において磁気飽和が不均一に発生する。磁性基体において磁気飽和が不均一に発生すると、コイル部品の電気的特性を高めることが困難になる。

【0006】

本明細書において開示される発明の目的は、上述した問題の少なくとも一部を解決または緩和することである。本明細書に開示される発明のより具体的な目的の一つは、磁性基体内における不均一な磁気飽和の発生を抑制することである。本明細書において開示される様々な発明は、「本発明」と総称されることがある。

【0007】

本発明の前記以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。本明細書に開示される発明は、「発明を解決しようとする課題」の欄の記載以外から把握される課題を解決するものであってもよい。本明細書に、実施形態の作用効果が記載されている場合には、その作用効果から当該実施形態に対応する発明の課題を把握することができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様におけるコイル部品は、第１金属磁性粒子群と、第２金属磁性粒子とを有する。第１金属磁性粒子群は、複数の第１金属磁性粒子を含み、第１平均粒径を有する。第１金属磁性粒子は、第１金属部、及び、第１金属部の表面を覆いヘマタイトを含有する第１絶縁膜を有する。第２金属磁性粒子群は、複数の第２金属磁性粒子を含み、第２平均粒径を有する。第２金属磁性粒子は、第２金属部、及び、第２金属部の表面を覆いマグネタイトを含有する第２絶縁膜を有する。一態様において、第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第１ＨＭ比は、第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい。

【発明の効果】

【0009】

明細書に開示されている発明の一態様によれば、磁性基体内における不均一な磁気飽和の発生を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】一実施形態に係るコイル部品を模式的に示す斜視図である。

【図2】図１のコイル部品をＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す断面図である。

【図3】図２の磁性基体の領域Ａを拡大して模式的に示す図である。

【図4a】第１金属磁性粒子の断面を模式的に示す断面図である。

【図4b】第２金属磁性粒子の断面を模式的に示す断面図である。

【図5】一実施形態に従ってコイル部品の製造方法の流れを示すフロー図である。

【図6】別の実施形態に係るコイル部品の断面図である。

【図7】図６の磁性基体の領域Ｂを拡大して模式的に示す図である。

【図8】別の実施形態に係るコイル部品の断面図である。

【図9】図８のコイル部品の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一又は類似の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。以下で説明される実施形態は、必ずしも特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。以下の実施形態で説明されている諸要素が発明の解決手段に必須であるとは限らない。

【0012】

１ 第１実施形態
１－１ コイル部品１の基本構造
本明細書に開示される様々な実施形態は、磁性基体及び当該磁性基体を備えるコイル部品に関する。図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る磁性基体１０を備えるコイル部品１の基本構造について説明する。図１は、コイル部品１を模式的に示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ線に沿った平面で切断されたコイル部品１の模式的な断面図である。

【0013】

図１及び図２には、コイル部品１の例として、積層インダクタが示されている。図示されている積層インダクタは、本発明を適用可能な磁性基体１０を備えたコイル部品１の一例であり、本発明は積層インダクタ以外の様々な種類のコイル部品に適用され得る。コイル部品１は、巻線型のコイル部品、平面コイル、ビーズインダクタ、及び前記以外の任意のコイル部品であってもよい。コイル部品１は、トランス、フィルタ、リアクトル、インダクタアレイ、及びこれら以外の様々なコイル部品であってもよい。コイル部品１は、カップルドインダクタ、チョークコイル及びこれら以外の様々な磁気結合型コイル部品であってもよい。コイル部品１の用途は、本明細書で明示されるものには限定されない。

【0014】

図示されているように、コイル部品１は、磁性基体１０と、磁性基体１０に設けられたコイル導体２５と、磁性基体１０の表面に設けられた外部電極２１と、磁性基体１０の表面において外部電極２１から離間した位置に設けられた外部電極２２と、を備える。外部電極２１は、コイル導体２５の一端と電気的に接続されており、外部電極２２は、コイル導体２５の他端と電気的に接続されている。

【0015】

コイル部品１は、実装基板２ａに実装され得る。図示の実施形態において、実装基板２ａには、ランド部３ａ、３ｂが設けられている。コイル部品１は、外部電極２１とランド部３ａとを接合し、また、外部電極２２とランド部３ｂとを接続することで実装基板２ａに実装される。本明細書では、コイル部品１が搭載された実装基板２ａを回路モジュール２と呼ぶ。本発明の一実施形態による回路モジュール２は、コイル部品１と、このコイル部品１が実装される実装基板２ａと、を備える。回路モジュール２には、コイル部品１以外の様々な電子部品も実装され得る。回路モジュール２は、様々な電子機器に搭載され得る。回路モジュール２が搭載され得る電子機器には、スマートフォン、タブレット、ゲームコンソール、自動車の電装品、サーバ及びこれら以外の様々な電子機器が含まれる。

【0016】

１－２ 磁性基体１０の構成
一態様において、磁性基体１０は、直方体形状を有するように構成されてもよい。磁性基体１０の長さ寸法は、例えば、１．０ｍｍ～６．０ｍｍの範囲にあり、幅寸法は、例えば、０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲にあり、高さ寸法は、例えば、０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲にある。磁性基体１０の寸法は、本明細書で具体的に説明される寸法には限定されない。本明細書において「直方体」又は「直方体形状」という場合には、数学的に厳密な意味での「直方体」のみを意味するものではない。磁性基体１０の寸法及び形状は、本明細書で明示されるものには限定されない。

【0017】

磁性基体１０は、上面１０ａ、下面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆを有する。磁性基体１０は、これらの６つの面によってその外表面が画定されている。上面１０ａと下面１０ｂとはそれぞれ磁性基体１０の高さ方向両端の面を成し、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとはそれぞれ磁性基体１０の長さ方向両端の面を成し、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとはそれぞれ磁性基体１０の幅方向両端の面を成している。上面１０ａと下面１０ｂとの間は磁性基体１０の高さ寸法だけ離間しており、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとの間は磁性基体１０の長さ寸法だけ離間しており、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとの間は磁性基体１０の幅寸法だけ離間している。

【0018】

磁性基体１０は、本体層２０と、本体層２０の下面に設けられた下側カバー層１９と、本体層２０の上面に設けられた上側カバー層１８と、を有する。上側カバー層１８、下側カバー層１９、及び本体層２０は、磁性基体１０の構成要素である。

【0019】

１－３ コイル導体
図２に示されているように、コイル導体２５は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って延びるコイル軸Ａｘ１の周りに巻回されている周回部２５ａと、周回部２５ａの一端から磁性基体１０の第１端面１０ｃまで延伸する引出部２５ｂ１と、周回部２５ａの他端から磁性基体１０の第２端面１０ｄまで延伸する引出部２５ｂ２と、を有する。周回部２５ａは、コイル軸Ａｘ１の周りの周方向に延びる導体パターンＣ１１～Ｃ１７を有する。導体パターンＣ１１～Ｃ１７のうち隣接するもの同士は、不図示のビアにより接続されている。

【0020】

１－４ 外部電極
外部電極２１は、磁性基体１０の第１端面１０ｃに設けられる。外部電極２２は、磁性基体１０の第２端面１０ｄに設けられる。各外部電極は、図示のように、磁性基体１０の下面まで延伸してもよい。各外部電極の形状及び配置は、図示された例には限定されない。例えば、外部電極２１，２２はいずれも磁性基体１０の下面１０ｂに設けられてもよい。この場合、コイル導体２５は、ビア導体を介して、磁性基体１０の下面１０ｂに設けられた外部電極２１，２２と接続される。外部電極２１と外部電極２２とは、長さ方向において互いから離間して配置されている。

【0021】

１－５ 磁性基体１０に含有される金属磁性粒子
次に、図３、図４ａ、及び図４ｂを参照して、磁性基体１０に含有される金属磁性粒子について説明する。図３は、図２に示されている断面の領域Ａを拡大して模式的に示す拡大断面図である。図３は、磁性基体１０の断面の領域Ａを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したＳＥＭ像を模式的に示している。領域Ａは、磁性基体１０をＬＴ面に沿って切断した断面に含まれる任意の領域である。図３には、磁性基体１０に含まれる多数の金属磁性粒子のうちの一部分が模式的に示されている。

【0022】

磁性基体１０は、複数の第１金属磁性粒子３１及び複数の第２金属磁性粒子を含む。本明細書では、磁性基体１０に含まれる複数の第１金属磁性粒子３１をまとめて第１金属磁性粒子群と呼び、磁性基体１０に含まれる複数の第２金属磁性粒子３２をまとめて第２金属磁性粒子群と呼ぶことがある。つまり、第１金属磁性粒子群は複数の第１金属磁性粒子３１から構成され、第２金属磁性粒子群は複数の第２金属磁性粒子３２から構成される。

【0023】

一態様において、複数の第１金属磁性粒子３１の平均粒径（すなわち、第１金属磁性粒子群の平均粒径）は、３～１５μｍの範囲にある。一態様において、複数の第２金属磁性粒子３２の平均粒径（すなわち、第２金属磁性粒子群の平均粒径）は、例えば１～５μｍの範囲にある。本明細書においては、複数の第１金属磁性粒子３１の平均粒径を「第１平均粒径」と呼び、複数の第２金属磁性粒子３２の平均粒径を「第２平均粒径」と呼ぶことがある。第２平均粒径は、第１平均粒径よりも小さい。

【0024】

一態様において、第１金属磁性粒子群の平均粒径は、第２金属磁性粒子群の平均粒径の１．５倍から５倍の範囲にある。第１金属磁性粒子群の平均粒径を第２金属磁性粒子群の平均粒径の１．５倍から５倍とすることにより、第１金属磁性粒子３１と比べて小径の第２金属磁性粒子３２が第１金属磁性粒子３１の間に入り込み易くなる。このように、磁性基体１０が複数の第１金属磁性粒子３１と複数の第２金属磁性粒子３２とを含むことにより、磁性基体１０における金属磁性粒子の充填率（Density）を高めることができる。

【0025】

磁性基体１０に含まれる複数の第１金属磁性粒子３１の平均粒径は、以下のようにして定めることができる。まず、磁性基体１０をその厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍から２０００倍程度の倍率で撮影したＳＥＭ像において、画像解析により複数の第１金属磁性粒子３１の各々の円相当径（ヘイウッド径）を求める。次に、複数の第１金属磁性粒子３１の各々の円相当径の平均値を算出し、この平均値を複数の第１金属磁性粒子３１の平均粒径とすることができる。第１金属磁性粒子３１の平均粒径は、原料粉の平均粒径と大きく異ならないため、第１金属磁性粒子３１の原料粉の粒度分布をＪＩＳ Ｚ ８８２５に従ってレーザ回折散乱法により測定し、このレーザ回折散乱法によって測定された体積基準の粒度分布のＤ５０値を、磁性基体１０に含まれる第１金属磁性粒子３１の平均粒径としてもよい。第２金属磁性粒子３２の平均粒径も、第１金属磁性粒子３１の平均粒径と同様にして算出することができる。

【0026】

磁性基体１０が平均粒径の異なる第１金属磁性粒子群及び第２金属磁性粒子群を有することは、次のようにして確認することができる。まず、磁性基体１０に含まれる金属磁性粒子の各々の粒径を測定し、この測定結果に基づいて粒径の分布を示す粒度分布を作成する。粒度分布は、横軸が粒径を示し、縦軸が粒子のカウント数を示すグラフである。この粒度分布において、横軸の異なる２つの位置の各々にピークが現れる場合に、磁性基体１０が、平均粒径が互いと異なる第１金属磁性粒子群及び第２金属磁性粒子群を有すると判断することができる。

【0027】

磁性基体１０は、第１金属磁性粒子群及び第２金属磁性粒子群に加えて、第２金属磁性粒子群の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する第３金属磁性粒子群を含んでもよい。磁性基体１０は、互いに異なる平均粒径を有する３種類以上の金属磁性粒子を含んでいてもよい。

【0028】

図４ａに示されているように、第１金属磁性粒子３１は、磁性を発現する第１金属部３１ａと、この第１金属部３１ａの表面を覆う第１絶縁膜３１ｂと、を有する。また、図４ｂに示されているように、第２金属磁性粒子３２は、磁性を発現する第２金属部３２ａと、この第２金属部３２ａの表面を覆う第２絶縁膜３２ｂと、を有する。第１絶縁膜３１ｂは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による１００００倍程度のＳＥＭ像において、明度の違いに基づいて、第１金属部３１ａから区別することができる。同様に、第２絶縁膜３２ｂは、ＳＥＭ像における明度の差により第２金属部３２ａから区別することができる。

【0029】

一態様において、第１金属部３１ａは、Ｆｅを含有する軟磁性金属材料から構成される。一態様において、第１金属部３１ａは、Ｆｅを９３．５ｗｔ％以上含有する。第１金属部３１ａは、Ｆｅを９３．５～９７ｗｔ％の範囲で含有することができる。第１金属部３１ａは、Ｆｅに加えて、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの添加元素を含むことができる。第１金属部３１ａは、例えば、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ａｌ、又はこれらの混合材料から構成される。第１金属部３１ａ用の軟磁性金属材料は、上述のものには限られない。

【0030】

一態様において、第１絶縁膜３１ｂは、Ｆｅの酸化物を含有する。第１絶縁膜３１ｂは、絶縁性のヘマタイト（Ｆｅ₂Ｏ₃）を含有する。第１絶縁膜３１ｂは、ヘマタイトに加えてマグネタイト（Ｆｅ₃Ｏ₄）を含有してもよい。ヘマタイトは、マグネタイトよりも絶縁性に優れるが軟磁性を示さない。他方、マグネタイトは、ヘマタイトと比べて絶縁性に劣るが軟磁性を示す。一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおけるマグネタイトの含有比率は、ヘマタイトの含有比率より低い。一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおいて、ヘマタイトの含有比率は、マグネタイトの含有比率より高い。一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおけるヘマタイトの含有比率とマグネタイトの含有比率との高低は、第１絶縁膜３１ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおける波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度と波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度とを比較することで定められる。本明細書において、第１絶縁膜３１ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を「第１ＨＭ比」と呼ぶことがある。一態様において、第１ＨＭ比は、１より大きい。第１絶縁膜３１ｂにおけるヘマタイトの含有比率を導電性のマグネタイトの含有比率よりも高くすることにより（言い換えると、第１ＨＭ比を１より大きくすることにより）、第１絶縁膜３１ｂの絶縁性を高めることができる。第１絶縁膜３１ｂの絶縁性を高めることにより、第１金属部３１ａ同士や第１金属部３１ａと第２金属部３２ａとの電気的な接続を防止することができるので、磁性基体１０における渦電流損失を抑制することができる。

【0031】

第１絶縁膜３１ｂは、クロマイト（ＦｅＣｒ₂Ｏ₄）をさらに含有してもよい。第１絶縁膜３１ｂにおいて、マグネタイトの含有比率は、クロマイトの含有比率より低くともよい。第１絶縁膜３１ｂにおいて、クロマイトの含有比率は、マグネタイトの含有比率より高くともよい。一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおけるマグネタイトの含有比率とクロマイトの含有比率との高低は、第１絶縁膜３１ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおける波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度と波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度とを比較することで定められる。例えば、第１絶縁膜３１ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度の比が１より大きい場合に、第１絶縁膜３１ｂにおけるクロマイトの含有比率がマグネタイトの含有比率よりも高いと判定することができる。クロマイトは、マグネタイトよりも絶縁性に優れるが軟磁性を示さない。第１絶縁膜３１ｂにおけるクロマイトの含有比率を導電性のマグネタイトの含有比率よりも高くすることにより、第１絶縁膜３１ｂの絶縁性を高めることができる。第１絶縁膜３１ｂの絶縁性を高めることにより、第１金属部３１ａ同士や第１金属部３１ａと第２金属部３２ａとの電気的な接続を防止することができるので、磁性基体１０における渦電流損失を抑制することができる。

【0032】

一態様において、第２金属部３２ａは、Ｆｅを含有する軟磁性金属材料から構成される。一態様において、第２金属部３２ａは、Ｆｅを９３．５ｗｔ％以上含有する。第２金属部３２ａは、Ｆｅを９３．５～９６ｗｔ％の範囲で含有することができる。第１金属部３１ａは、Ｆｅに加えて、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの元素を含むことができる。第２金属部３２ａ用の軟磁性金属材料として、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｍｎ、又はこれらの混合材料を用いることができる。第２金属部３２ａ用の軟磁性金属材料は、上述のものには限られない。

【0033】

一態様において、第２絶縁膜３２ｂは、Ｆｅの酸化物を含有する。第２絶縁膜３２ｂは、軟磁性を示すマグネタイトを含有する。第２絶縁膜３２ｂは、マグネタイトに加えてヘマタイトを含有してもよい。一態様において、第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率は、ヘマタイトの含有比率より高い。一態様において、第２絶縁膜３２ｂにおけるヘマタイトの含有比率とマグネタイトの含有比率との高低は、第２絶縁膜３２ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおける波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度と波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度とを比較することで定められる。本明細書において、第２絶縁膜３２ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を「第２ＨＭ比」と呼ぶことがある。一態様において、第２ＨＭ比は、１より小さい。

【0034】

第２絶縁膜３２ｂは、クロマイトをさらに含有してもよい。第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率は、クロマイトの含有比率より高くともよい。一態様において、第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率とクロマイトの含有比率との高低は、第２絶縁膜３２ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおける波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度と波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度とを比較することで定められる。例えば、第２絶縁膜３２ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度の比が１より小さい場合に、第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率がクロマイトの含有比率よりも高いと判定することができる。

【0035】

磁性基体１０において、第１金属磁性粒子３１は、隣接する別の第１金属磁性粒子又は第２金属磁性粒子３２と、第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂの少なくとも一方を介して結合する。よって、第１金属部３１ａ同士、及び、第１金属部３１ａと第２金属部３２ａとの間は、電気的に絶縁されている。

【0036】

一態様において、第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの添加元素の酸化物を含有する。一態様において、第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂの少なくとも一方は、上記添加元素の窒化物を含有してもよい。第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂにおいて、Ｆｅの酸化物は、添加元素の酸化物及び窒化物の径方向外側に形成される。

【0037】

一態様において、第１絶縁膜３１ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第１ＨＭ比は、第２絶縁膜３２ｂに波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい。

【0038】

既述のとおり、第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂにおけるヘマタイト、マグネタイト及びクロマイトの含有比率の高低は、ラマン分光分析によるピーク強度に基づいて決めることができる。一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおけるラマン分光強度の分析は、磁性基体１０をＴ軸に沿って切断した断面（例えば、ＬＴ面の沿って切断された磁性基体１０の切断面）において、隣接している２つの第１金属磁性粒子３１を特定し、その隣接している２つの第１金属磁性粒子３１の間に介在している第１絶縁膜３１ｂに対して波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射したときの散乱光を分光測定装置により測定することにより得られるラマンスペクトルを用いて行うことができる。第１絶縁膜３１ｂにおけるラマン分光強度の分析は、磁性基体１０をＴ軸に沿って切断した断面において、第１金属磁性粒子３１の三重点を特定し、この三重点に存在している第１絶縁膜３１ｂに対して波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射したときの散乱光を分光測定装置により測定することにより得られるラマンスペクトルを用いて行うことができる。

【0039】

上記のようにして得られるラマンスペクトルにおいて、ヘマタイト、マグネタイト及びクロマイトのそれぞれに由来するピークのピーク強度を求め、このヘマタイト、マグネタイト及びクロマイトのそれぞれのピーク強度の大小に応じて、第１絶縁膜３１ｂにおけるヘマタイト、マグネタイト及びクロマイトの含有比率の大小を決定することができる。例えば、取得したラマンスペクトルにおいて、ヘマタイトに由来するピークのピーク強度が、マグネタイトに由来するピークのピーク強度よりも大きい場合に、ヘマタイトの含有比率がマグネタイトの含有比率よりも高いと決定することができる。ラマンスペクトルにおいて、波数３００ｃｍ^-1付近に存在するピークは、ヘマタイト（Ｆｅ₂Ｏ₃）に由来するピークであり、波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するピークは、マグネタイト（Ｆｅ₃Ｏ₄）に由来するピークであり、波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するピークは、クロマイト（ＦｅＣｒ₂Ｏ₄）に由来するピークである。ヘマタイト（Ｆｅ₂Ｏ₃）に由来するピークは、ラマンスペクトルにおいて波数２７０ｃｍ^-1～３３０ｃｍ^-1の範囲に現れ得る。マグネタイト（Ｆｅ₃Ｏ₄）に由来するピークは、ラマンスペクトルにおいて波数６６５ｃｍ^-1～６９５ｃｍ^-1の範囲に現れ得る。クロマイト（ＦｅＣｒ₂Ｏ₄）に由来するピークは、ラマンスペクトルにおいて、波数７００ｃｍ^-1～７６０ｃｍ^-1の範囲に現れ得る。ラマン分光分析の散乱光の測定には、日本分光株式会社製のラマン分光光度計（ＮＲＳ－３３００）を用いることができる。

【0040】

第２絶縁膜３２ｂにおけるヘマタイト、マグネタイト及びクロマイトの含有比率の大小も、第１絶縁膜３１ｂにおけるヘマタイト、マグネタイト及びクロマイトの含有比率の大小の決定方法と同様にして決定することができる。

【0041】

第１絶縁膜３１ｂにおけるマグネタイトの含有比率に対するヘマタイトの含有比率の比を表す第１ＨＭ比は、磁性基体１０の断面に露出した第１絶縁膜３１ｂに励起レーザーを照射したときに生じる散乱光から得られるラマンスペクトルにおいて、ヘマタイトのピーク強度とマグネタイトのピーク強度を求め、このようにして得られたヘマタイトのピーク強度をマグネタイトのピーク強度で除することで算出される。第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率に対するヘマタイトの含有比率の比を表す第２ＨＭ比は、磁性基体１０の断面に露出した第２絶縁膜３２ｂに励起レーザーを照射したときに生じる散乱光から得られるラマンスペクトルにおいて、ヘマタイトのピーク強度とマグネタイトのピーク強度を求め、このようにして得られたヘマタイトのピーク強度をマグネタイトのピーク強度で除することで算出される。

【0042】

一態様において、第１金属部３１ａにおけるＦｅの含有比率は、第２金属部３２ａにおけるＦｅの含有比率よりも高い。Ｆｅは高い飽和磁化を有するため、第１金属部３１ａにおけるＦｅの含有比率を第２金属部３２ａにおけるＦｅの含有比率よりも高くすることにより、第１金属磁性粒子３１を通過する磁路において磁気飽和を起こりにくくすることができる。第１金属部３１ａに含まれるＦｅの含有比率及び第２金属部３２ａに含まれるＦｅの含有比率は、コイル軸Ａｘ１に沿って磁性基体１０を切断することで磁性基体１０の断面を露出させ、この断面においてエネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）分析を行うことにより測定される。Ｆｅの含有比率の測定は、エネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）検出器を搭載した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて行うことができる。ＥＤＳ検出器を搭載したＳＥＭによるＥＤＳ分析は、ＳＥＭ－ＥＤＳ分析と呼ばれる。Ｆｅの含有比率は、例えば、株式会社日立ハイテク製の走査型電子顕微鏡ＳＵ７０００及びアメテック株式会社製のエネルギー分散型Ｘ線分光検出器Ｏｃｔａｎｅ Ｅｌｉｔｅを用い、加速電圧５ｋＶで測定される。第１軟磁性金属粒子３０ａに含まれるＦｅ以外の元素の含有比率も、Ｆｅの含有比率と同様にＳＥＭ－ＥＤＳ分析により測定される。

【0043】

第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂは、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２の原料粉を含む成形体に対して加熱処理を行うことで、原料粉に含まれるＦｅ等の元素が酸化することで形成される酸化膜であってもよい。詳しくは後述するように、磁性基体１０は、軟磁性材料からなる原料粉を樹脂と混合して混合樹脂組成物を生成し、この混合樹脂組成物を加熱することで作製され得る。この磁性基体１０の製造プロセスにおける加熱処理により、原料粉に含まれている元素が原料粉の表面に拡散し、原料粉の表面で酸化されることにより、第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂが形成されてもよい。第１絶縁膜３１ｂ及び第２絶縁膜３２ｂは、Ｆｅを含有する第１金属部３１ａの原料粉及びＦｅを含有する第２金属部３２ａの原料粉の表面に形成されたコーティング層を加熱することで形成されてもよい。

【0044】

一実施形態において、第１絶縁膜３１ｂ及びび第２絶縁膜３２ｂの厚さは１００ｎｍ以下とされる。第１絶縁膜３１ｂ及びび第２絶縁膜３２ｂの厚さは、当該軟磁性金属粒子の平均粒径に応じて変更され得る。

【0045】

１－６ コイル部品１の製造方法
次に図５を参照して、コイル部品１の製造方法の一例について説明する。コイル部品１を製造する過程で磁性基体１０が作製されるので、磁性基体１０の製造方法についても図５を参照して説明される。図５は、本発明の一実施形態によるコイル部品１の製造方法を示すフロー図である。以下の説明では、コイル部品１がシート積層法により製造されることを想定している。コイル部品１は、シート積層法以外の公知の方法で作製されてもよい。例えば、コイル部品１は、印刷積層法、薄膜プロセス法、又はスラリービルド法などの積層法により作製され得る。

【0046】

まず、ステップＳ１において、磁性体シートが作製される。磁性体シートは、軟磁性金属粒子の原料となる軟磁性金属粉（原料粉）をバインダー樹脂及び溶剤と混練して得られる磁性材ペーストから生成される。原料粉は、第１金属磁性粒子３１の原料粉である第１原料粉と、第２金属磁性粒子３２の原料粉である第２原料粉とを混合することで生成される混合粉である。第２原料粉の平均粒径は、第１原料粉の平均粒径よりも小さい。第１原料粉及び第２原料粉はいずれも、Ｆｅを主成分とする。原料粉は、９３．５ｔ％以上のＦｅを含有することができる。第１原料粉及び第２原料粉は、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの元素を添加元素として含むことができる。添加元素はいずれも、ステップＳ１２の加熱工程において酸素よりも酸化されやすい元素である。第１原料粉におけるＣｒの含有比率は、第２原料粉におけるＣｒの含有比率より高くてもよい。第２原料粉におけるＡｌの含有比率は、第１原料粉におけるＡｌの含有比率より高くても良い。第２原料粉におけるＳｉの含有比率は、第１原料粉におけるＳｉの含有比率より高くてもよい。

【0047】

第１原料粉及び第２原料粉の表面には、上記の添加元素を含有するコーティング層が形成されていてもよい。コーティング層は、例えば、ゾルゲル法により形成される。

【0048】

磁性材ペースト用のバインダー樹脂は、例えば、アクリル樹脂である。磁性材ペースト用のバインダー樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、前記以外のバインダー樹脂として公知の樹脂、又はこれらの混合物であってもよい。溶剤は、例えば、トルエンである。この磁性材ペーストは、ドクターブレード法又はこれ以外の一般的な方法にてプラスチック製のベースフィルムの表面に塗布される。このベースフィルムの表面に塗布された磁性材ペーストを乾燥させることでシート状の成形体が得られる。このシート状の成形体を型内で１０～１００ＭＰａ程度の成型圧力で加圧成型することにより磁性体シートが複数作製される。

【0049】

次に、ステップＳ２において、ステップＳ１で準備された複数の磁性体シートの一部に導電性ペーストが塗布される。導電性ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金等の導電性に優れた導電性材料から構成される導体粉をバインダー樹脂及び溶剤と混練して生成される。導電性ペースト用のバインダー樹脂は、磁性材ペースト用のバインダー樹脂と同じ種類の樹脂であってもよい。導電性ペースト用のバインダー樹脂及び磁性材ペースト用のバインダー樹脂はいずれもアクリル樹脂であってもよい。

【0050】

磁性体シートに導電性ペーストを塗布することにより、当該磁性体シートに、焼成後に導体パターンＣ１１～Ｃ１７となる未焼成導体パターンが形成される。磁性体シートの一部には積層方向に貫通する貫通孔が形成される。貫通孔を有する磁性体シートに導電性ペーストが塗布されるときには、貫通孔内にも導電性ペーストが埋め込まれる。このようにして、磁性体シートの貫通孔内に未焼成ビアが形成される。導電性ペーストは、例えば、スクリーン印刷法により磁性体シートに塗布される。

【0051】

次に、ステップＳ３において、ステップＳ１で作製された磁性体シートを積層することで、上側カバー層１８となる上部積層体、本体層２０となる中間積層体、及び下側カバー層１９となる下部積層体を作製する。上部積層体及び下部積層体はそれぞれ、ステップＳ１で準備された磁性体シートのうち未焼成導体パターンが形成されていないものを４枚積層することによって形成される。中間積層体は、未焼成導体パターンが形成された磁性体シート７枚を所定の順序で積層することにより形成される。上記のように作製された中間積層体を上下から上部積層体及び下部積層体で挟み込み、この上部積層体及び下部積層体を中間積層体に熱圧着して本体積層体を得る。次に、ダイシング機やレーザー加工機などの切断機を用いて当該本体積層体を所望のサイズに個片化することでチップ積層体が得られる。チップ積層体は、加熱処理後に磁性基体１０となる素体及び加熱処理後にコイル導体２５となる未焼成導体パターンを含む成形体の例である。加熱処理後に磁性基体１０となる素体及び加熱処理後にコイル導体２５となる未焼成導体パターンを含む成形体は、シート積層法以外の方法で作製されてもよい。

【0052】

次に、ステップＳ４において、ステップＳ３で作製された成形体に対して脱脂処理が行われる。磁性材ペースト及び導電性ペーストのバインダー樹脂として熱分解性樹脂が用いられる場合には、成形体に対する脱脂処理は、窒素雰囲気等の非酸素雰囲気下で行うことができる。脱脂処理を非酸素雰囲気下で行うことにより、脱脂処理において原料粉に含まれるＦｅが酸化されることを防止できる。脱脂処理は、磁性材ペースト用のバインダー樹脂の熱分解開始温度よりも高い温度で行われる。磁性材ペースト用のバインダー樹脂としてアクリル樹脂が用いられる場合には、脱脂は、アクリル樹脂の熱分解開始温度よりも高い温度、例えば３００～５００℃で行われる。脱脂処理により、成形体に含まれる熱分解性樹脂が分解されるので、脱脂処理の完了後の成形体には、熱分解性樹脂は残存しない。導電性ペースト用のバインダー樹脂を磁性材ペースト用のバインダー樹脂と同じ熱分解性樹脂とすることにより、ステップＳ４の脱脂処理において、未焼成導体パターンに含まれる熱分解性樹脂も熱分解される。このように、ステップＳ４においては、成形体を構成する磁性体シート及び未焼成導体パターンの両方が脱脂される。

【0053】

次に、ステップＳ５において、脱脂された成形体に対して第１加熱処理が施される。第１加熱処理は、５～１０００ｐｐｍの範囲の酸素を含有する低酸素濃度雰囲気において、７５０℃～９００℃の第１加熱温度で行われる。第１加熱処理は、５～１０ｐｐｍ程度の低酸素濃度雰囲気で行われてもよい。原料粉を７５０～９００℃で加熱することにより、各原料粉において添加元素（例えば、Ｃｒ、Ａｌ、及びＳｉ）が熱拡散により表面付近に拡散し、雰囲気中の酸素と結合する。第１加熱処理においては、各原料粉の表面に移動した添加元素のうち、酸化されやすいＡｌ、Ｃｒ及びＳｉの酸化物が生成される。第１加熱処理により、加熱された第１原料粉及び第２原料粉の表面に、添加元素の酸化物（例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂）が形成される。第１加熱処理が行われる第１加熱時間は、１時間～６時間の間とすることができる。第１加熱処理においては、添加元素に加えて、Ｆｅも僅かに酸化する可能性がある。第１加熱処理は、低酸素濃度雰囲気において行われるため、Ｆｅが酸化される場合、Ｆｅの酸化物としては、ヘマタイト（Ｆｅ₂Ｏ₃）に比べてマグネタイト（Ｆｅ₃Ｏ₄）の方が多く生成される。第１加熱処理において、Ｆｅの酸化物は、添加元素の酸化物よりも径方向外側に生成される。

【0054】

次に、ステップＳ６において、第１加熱処理で加熱された後の成形体に対して、第１加熱処理における酸素濃度よりも高い酸素濃度で第２加熱処理が施される。第２加熱処理は、１０００ｐｐｍより大きく１００００ｐｐｍ以下の低酸素雰囲気で行われてもよい。第２加熱処理は、第１加熱処理よりも高い酸素濃度で行われるため、第２加熱処理において、第１原料粉の表面に形成されていたマグネタイトの一部がさらに酸化されてヘマタイトが生成される。他方、第２原料粉においては、Ａｌ及びＳｉの含有比率が第１原料粉よりも高いので、第２原料粉の周囲に供給された酸素の多くは、Ａｌ及びＳｉの酸化のために消費される。このため、第２原料分の表面では、第１原料粉の表面で起こる反応と比較して、マグネタイトからヘマタイトへの変化が進みにくい。また、第２加熱処理において、第１加熱処理において生成されたマグネタイトがＣｒと結合し、クロマイト（ＦｅＣｒ₂Ｏ₄）が生成される。第２原料粉よりも第１原料粉の方が高い含有比率でＣｒを含有しているので、第２原料粉よりも第１原料粉の表面において多くのクロマイトが生成される。

【0055】

このように、第２加熱処理により、第２原料粉の表面よりも第１原料粉の表面において、より多くのヘマタイト及びクロマイトが生成される。また、ヘマタイト及びクロマイトを生成するためにマグネタイトが消費されるので、第１原料粉の表面では、マグネタイトが減少する。よって、第２加熱処理により、第１原料粉の表面において、ヘマタイト及びクロマイトの含有比率をマグネタイトの含有比率よりも高くすることができる。また、第２原料粉の表面においては、第１加熱処理において生成されたマグネタイトがヘマタイトやクロマイトに変化しにくいため、第２原料粉の表面におけるマグネタイトの含有比率をヘマタイト及びクロマイトの含有比率よりも高くすることができる。

【0056】

第２加熱処理においては、原料粉の酸化に加えて、未焼結導体パターン中の導体粉の焼結も起こる。未焼結導体パターン中の導体粉が焼結することで、コイル導体２５が得られる。導体粉として銅粉が用いられる場合には、銅結晶が緻密に焼結し、コイル導体２５となる。

【0057】

第２加熱処理は、第２加熱温度で、第２加熱時間だけ行われる。第２加熱温度及び第２加熱時間は、原料粉の表面に絶縁性確保のために十分な膜厚を有する絶縁膜が形成されるように定められる。第２加熱温度は、例えば、５００～７００℃の間の温度とすることができる。第２加熱温度が高いほど酸化の進行が速いため、第２加熱時間は、第２加熱温度によって変わる。第２加熱温度が５００℃の場合には、第２加熱時間は、１時間から６時間の間とすることができる。第２加熱温度が７００℃の場合には、第２加熱時間は、３０分から１時間の間とすることができる。

【0058】

このように、第１加熱処理及び第２加熱処理により、成形体に含まれる第１原料粉及び第２原料粉が酸化されることで、第１原料粉から第１金属磁性粒子３１が生成され、また、第２原料粉から第２金属磁性粒子３２が生成される。第２加熱処理において、第１金属磁性粒子３１の表面には第１絶縁膜３１ｂが形成され、第２金属磁性粒子３２の表面には第２絶縁膜３２ｂが形成されている。第２加熱処理により、隣接する金属磁性粒子同士は、互いの表面に形成された絶縁膜を介して結合される。このようにして、軟磁性金属粒子が結合した磁性基体１０が得られる。

【0059】

次に、ステップＳ７において、ステップＳ６で得られた磁性基体１０表面に外部電極２１及び外部電極２２を形成する。外部電極２１は、コイル導体２５の一端に接続され、外部電極２２は、コイル導体２５の他端と接続される。外部電極２１、２２の形成前に、第２加熱処理後の成形体を樹脂に含浸させてもよい。成形体は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に含浸される。これにより、磁性基体１０内の軟磁性金属粒子の隙間に樹脂が浸透する。そして、磁性基体１０に含浸した樹脂を硬化させることにより、磁性基体１０の機械的強度を向上させることができる。

【0060】

以上の工程により、コイル部品１が作製される。

【0061】

１－７ 第１実施形態による作用効果の例示
第１実施形態においては、平均粒径が大きい第１金属磁性粒子群を構成する第１金属磁性粒子３１の表面に形成されている第１絶縁膜３１ｂにおける第１ＨＭ比が、平均粒径が小さい第２金属磁性粒子群を構成する第２金属磁性粒子３２の表面に形成されている第２絶縁膜３２ｂにおける第２ＨＭ比よりも大きくなっている。つまり、第１絶縁膜３１ｂと第２絶縁膜３２ｂとをヘマタイト及びマグネタイトの含有比率の観点から比較すると、第１絶縁膜３１ｂにおけるマグネタイトに対するヘマタイトの含有比率は、第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトに対するヘマタイトの含有比率よりも高くなっている。ヘマタイトは非磁性であるから、第２絶縁膜３２ｂよりもヘマタイトの含有比率が高い第１絶縁膜３１ｂで大径の第１金属磁性粒子３１の表面を覆うことにより、第１金属磁性粒子３１への磁束の集中を緩和することができる。よって、第１金属磁性粒子３１を通過する磁路における磁気飽和を抑制することができ、その結果、磁性基体１０内における磁気飽和の不均一さを緩和することができる。

【0062】

また、第１金属磁性粒子３１の表面をヘマタイトの含有比率が高い第１絶縁膜３１ｂで覆うことにより、第１金属磁性粒子３１の絶縁性を高めることができる。このため、第１金属磁性粒子３１と、隣接する他の金属磁性粒子（別の第１金属磁性粒子３１又は第２金属磁性粒子３２）とが電気的に接続されることによる、大きな渦電流損失の発生を抑制できる。

【0063】

一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおけるマグネタイトの含有比率はヘマタイトの含有比率よりも低い（つまり、第１ＨＭ比が１より大きい）ので、第１絶縁膜３１ｂにより、第１金属磁性粒子３１への磁束の集中をより緩和することができ、また、第１金属磁性粒子３１の絶縁性をより向上することができる。

【0064】

一態様において、第１絶縁膜３１ｂにおけるマグネタイトの含有比率は、非磁性のクロマイトの含有比率よりも低い。このような第１絶縁膜３１ｂにより、第１金属磁性粒子３１への磁束の集中をさらに緩和することができる。

【0065】

一態様において、第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率は、非磁性のヘマタイトの含有比率よりも高いので、第２絶縁膜３２ｂにより、第２金属磁性粒子３２を通過する磁路の磁気抵抗を低下させることができる。これにより、第１金属磁性粒子３１への磁束の集中を抑制することができるので、磁性基体１０における磁気飽和の不均一さをさらに緩和することができる。

【0066】

一態様において、第２絶縁膜３２ｂにおけるマグネタイトの含有比率は、非磁性のクロマイトの含有比率よりも高いので、第２絶縁膜３２ｂにより、第２金属磁性粒子３２を通過する磁路の磁気抵抗を低下させることができる。これにより、第１金属磁性粒子３１への磁束の集中を抑制することができるので、磁性基体１０における磁気飽和の不均一さをさらに緩和することができる。

【0067】

一態様において、第１金属部３１ａにおけるＦｅの含有比率が第２金属部３２ａにおけるＦｅの含有比率よりも高い。Ｆｅは飽和磁化が高いので、第１金属部３１ａにおけるＦｅの含有比率を高くすることにより、第１金属磁性粒子３１（第１金属部３１ａ）を通過する磁束による磁気飽和の発生を抑制することができる。これにより、磁性基体１０における磁気飽和の不均一さをさらに緩和することができる。

【0068】

２ 第２実施形態
続いて、図６及び図７を参照して、第２実施形態に係るコイル部品１について説明する。図６は、第２実施形態に係るコイル部品１をＬＴ面に沿って切断した断面を示す断面図であり、図７は、図６に示されている断面の領域Ｂを拡大して模式的に示す拡大断面図である。第２実施形態においては、磁性基体１０が第１領域５０ａ及び第２領域５０ｂに区画されている点で、第１実施形態と異なっている。

【0069】

図６に示されているように、磁性基体１０は、第１領域５０ａと、第２領域５０ｂと、に区画されている。図示の実施形態において、磁性基体１０は、複数の第２領域５０ｂを有している。第２領域５０ｂの各々は、導体パターンＣ１１～Ｃ１７のうち隣接する導体パターン間に配置されている。第２領域５０ｂは、ＬＷ平面に平行に第１端面１０ｃから第２端面１０ｄまで、また、第１側面１０ｅから第２側面１０ｆまで延伸する板状の部材である。第１領域５０ａは、磁性基体１０のうち第２領域５０ｂ以外の領域である。

【0070】

図７に示されているように、第１領域５０ａは、第１金属磁性粒子３１から構成されている。第１領域５０ａは、第２金属磁性粒子３２を含まない。第２領域５０ｂは、第２金属磁性粒子３２から構成されている。第２領域５０ｂは、第１金属磁性粒子３１を含まない。

【0071】

図６には、コイル導体２５を通って外部電極２１、２２間に流れる電流が変化したときに生じる磁束が通過する磁路ＭＰが示されている。磁路ＭＰの全長は、磁性材料から構成された磁性基体１０内を通過しているので、磁路ＭＰは、閉磁路である。磁束は、磁路ＭＰに沿って、コイル導体２５の周りに流れる。図６には、磁束の流れを矢印で模式的に示されている。

【0072】

磁路ＭＰは、第１領域５０ａ内を通過する第１磁路と、第２領域５０ｂを通過する第２磁路と、に区画される。第１磁路は、磁路ＭＰが第１領域５０ａと重複する領域を示す。第２磁路は、磁路ＭＰが第２領域５０ｂと重複する領域を示す。一態様において、第１領域５０ａ及び第２領域５０ｂは、第１磁路の長さを表す第１磁路長が第２磁路の長さを表す第２磁路長よりも長くなるように配置されている。図示の実施形態においては、磁路ＭＰのうちＴ軸に沿って延びている領域の半分弱が第２領域５０ｂと重複しているが、磁路ＭＰのうちＴ軸に沿って延びる残りの領域及び磁路ＭＰのうちＬ軸に沿って延びる領域はいずれも第１領域５０ａと重複している。よって、磁路ＭＰのうち第１領域５０ａと重複している第１磁路の長さは、磁路ＭＰのうち第２領域５０ｂと重複している第２磁路の長さよりも長い。コイル導体２５の周囲には、複数の磁路が発生する。第１磁路及び第２磁路の長さを決める際には、複数の磁路のうち、コイル導体２５の周囲を最短距離で１周する磁路が第１領域５０ａと重複する領域を第１磁路とし、当該磁路が第２領域５０ｂと重複する領域を第２磁路とすることができる。コイル導体２５の周囲を最短距離で１周する磁路は、図６に示されている磁路ＭＰを導体パターンＣ１１の上面、導体パターンＣ１７の下面、導体パターンＣ１１～Ｃ１７の各々のＬ軸方向の両端を通るように縮めた経路である。

【0073】

磁性基体１０は、第１領域５０ａと第２領域５０ｂとに区画されており、他の領域を含まなくともよい。つまり、一態様において、磁性基体１０は、第１領域５０ａ及び第２領域５０ｂ以外の領域は有していない。

【0074】

第２実施形態に係る磁性基体１０及びコイル部品１は、第１実施形態に係る磁性基体１０及びコイル部品１と同様の作用効果を奏することができる。また、第２実施形態によれば、磁路ＭＰのうち過半を占める経路は、平均粒径が大きな第１金属磁性粒子群から構成されている第１領域５０ａを通過するので、第１金属磁性粒子３１と第２金属磁性粒子３２とを混在させる第１金属磁性粒子３１よりも、磁路ＭＰの磁気抵抗を低減することができ、コイル部品１のインダクタンスを向上させることができる。インダクタンスをさらに向上させるために、磁路ＭＰのうち第１領域５０ａと重複している第１磁路の長さは、磁路ＭＰのうち第２領域５０ｂと重複している第２磁路の長さの２倍以上であることが望ましい。

【0075】

３ 第３実施形態
続いて、図８及び図９を参照して、本発明の別の実施形態によるコイル部品１０１について説明する。図８は、コイル部品１０１をＬＴ面に沿って切断した断面を示す断面図であり、図９は、コイル部品１０１の平面図である。図９においては、基体を透過してコイル導体が描かれている。コイル部品１０１は、磁性基体１０に代えて磁性基体１１０を備えており、コイル導体２５に代えてコイル導体１２５を備えている点でコイル部品１と異なっている。以下では、コイル部品１０１においてコイル部品１と異なる点を中心に説明する。

【0076】

図１０に示されているように、コイル導体１２５は、平面視において（Ｔ軸から見た視点において）外部電極２１から外部電極２２に向かって直線状に延びている。このように、コイル導体１２５は、平面視したときに磁性基体１０内で互いに対向して配置される部分を有していない。このように、コイル導体１２５は、平面視したときに磁性基体１０内で互いに対向して配置される部分を有していないことにより、平面視で互いに対向する部分を有する内部導体を有する従来のインダクタと比較して、磁性基体１０の体積抵抗率を変えずに絶縁信頼性（耐電圧）を高くすることができる。

【0077】

磁性基体１１０は、第１領域１５０ａと、第２領域１５０ｂと、に区画されている。図９に示されているように、第２領域５０ｂは、ＬＴ平面に平行に上面１１０ａから下面１１０ｂまで、また、第１端面１１０ｃから第２端面１０ｄまで延伸する板状の部材である。第１領域１５０ａは、磁性基体１１０のうち第２領域１５０ｂ以外の領域である。

【0078】

第１領域１５０ａは、第２実施形態の第１領域５０ａと同様に、第１金属磁性粒子３１から構成されている。また、第２領域１５０ｂは、第２実施形態の第２領域５０ｂと同様に、第２金属磁性粒子３２から構成されている。磁性基体１１０は、第１領域１５０ａと第２領域１５０ｂとに区画されており、他の領域を含まなくともよい。つまり、一態様において、磁性基体１１０は、第１領域１５０ａ及び第２領域１５０ｂ以外の領域は有していない。

【0079】

図９には、コイル導体２５を通って外部電極２１、２２間に流れる電流が変化したときに生じる磁束が通過する磁路ＭＰが示されている。磁路ＭＰの全長は、磁性材料から構成された磁性基体１０内を通過しているので、磁路ＭＰは、閉磁路である。磁束は、磁路ＭＰに沿って、コイル導体２５の周りに流れる。図９には、磁束の流れを矢印で模式的に示している。

【0080】

磁路ＭＰは、第１領域１５０ａ内を通過する第１磁路と、第２領域１５０ｂを通過する第２磁路と、に区画される。第１磁路は、磁路ＭＰが第１領域１５０ａと重複する領域を示す。第２磁路は、磁路ＭＰが第２領域１５０ｂと重複する領域を示す。一態様において、第１領域１５０ａ及び第２領域１５０ｂは、第１磁路の長さを表す第１磁路長が記第２磁路の長さを表す第２磁路長よりも長くなるように配置されている。図示の実施形態においては、磁路ＭＰのうちＷ軸に沿って延びている領域の半分弱が第２領域１５０ｂと重複しているが、磁路ＭＰのうちＷ軸に沿って延びる残りの領域及び磁路ＭＰのうちＬ軸に沿って延びる領域はいずれも第１領域５０ａと重複している。よって、磁路ＭＰのうち第１領域１５０ａと重複している第１磁路の長さは、磁路ＭＰのうち第２領域１５０ｂと重複している第２磁路の長さよりも長い。

【0081】

第３実施形態によれば、磁路ＭＰのうち第１領域１５０ａと重複している第１磁路の方が第２領域１５０ｂと重複している第２磁路よりも長くなるように磁性基体１１０が構成されている。よって、磁路ＭＰのうち過半を占める経路は、平均粒径が大きな第１金属磁性粒子群から構成されている第１領域１５０ａを通過するので、第１金属磁性粒子３１と第２金属磁性粒子３２とを混在させる場合よりも、磁路ＭＰの磁気抵抗を低減することができ、コイル部品１のインダクタンスを向上させることができる。インダクタンスをさらに向上させるために、磁路ＭＰのうち第１領域１５０ａと重複している第１磁路の長さは、磁路ＭＰのうち第２領域１５０ｂと重複している第２磁路の長さの２倍以上であることが望ましい。

【0082】

４ 注記
前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。

【0083】

本明細書において明示的に説明していない構成要素を、上述の各実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。

【0084】

本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数、順序、もしくはその内容を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。

【0085】

本明細書において、ある構成要素を「含む」又は「有する」という場合は、本発明の内容と矛盾しない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0086】

５ 付記
本明細書において開示される実施形態には、以下の事項も含まれる。

【0087】

［付記１］
第１金属部及び前記第１金属部の表面を覆いヘマタイトを含有する第１絶縁膜を有する第１金属磁性粒子を複数含み、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子群と、
第２金属部及び前記第２金属部の表面を覆いマグネタイトを含有する第２絶縁膜を有する第２金属磁性粒子を複数含み、前記第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子と、
を有し、
前記第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第１ＨＭ比は、前記第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数３００ｃｍ^-1付近に存在するヘマタイトのピーク強度の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい、
磁性基体。
［付記２］
前記第１絶縁膜は、マグネタイトをさらに含み、
前記第１ＨＭ比は、１より大きい、
［付記１］に記載の磁性基体。
［付記３］
前記第１絶縁膜は、クロマイトをさらに含み、
前記第１絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度の比は、１より大きい、
［付記１］又は［付記２］に記載の磁性基体。
［付記４］
前記第２絶縁膜は、ヘマタイトをさらに含み、
前記第２ＨＭ比は、１より小さい、
［付記１］から［付記３］のいずれか一つに記載の磁性基体。
［付記５］
前記第２絶縁膜は、クロマイトをさらに含み、
前記第２絶縁膜に波長４８８ｎｍの励起レーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて波数６８０ｃｍ^-1付近に存在するマグネタイトのピーク強度に対する波数７３０ｃｍ^-1付近に存在するクロマイトのピーク強度の比は、１より小さい、
［付記１］から［付記４］のいずれか一つに記載の磁性基体。
［付記６］
前記第１金属部におけるＦｅの含有比率が、前記第２金属部におけるＦｅの含有比率よりも高い、
［付記１］から［付記５］のいずれか一つに記載の磁性基体。
［付記７］
第１金属部及び前記第１金属部の表面を覆いヘマタイトを含有する第１絶縁膜を有する第１金属磁性粒子を複数含み、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子群と、第２金属部及び前記第２金属部の表面を覆いマグネタイトを含有する第２絶縁膜を有する第２金属磁性粒子を複数含み、前記第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子と、を有する磁性基体と、
前記磁性基体内に埋設されたコイル導体と、
を備え、
前記第１絶縁膜におけるマグネタイトの含有比率に対するヘマタイトの含有比率の比を表す第１ＨＭ比は、前記第２絶縁膜におけるマグネタイトの含有比率に対するヘマタイトの含有比率の比を表す第２ＨＭ比よりも大きい、
コイル部品。
［付記８］
前記基体は、前記複数の第１金属磁性粒子から構成される第１領域と、前記複数の第２金属磁性粒子から構成される第２領域と、に区画され、
前記基体内の閉磁路は、前記第１領域内を通過する第１磁路と、前記第２領域内を通過する第２磁路と、に区画され、
前記第１磁路の長さを表す第１磁路長は、前記第２磁路の長さを表す第２磁路長よりも長い、
［付記７］に記載のコイル部品。
［付記９］
前記閉磁路は、前記第１磁路及び前記第２磁路のみを通過する、
請求項７又は８に記載のコイル部品。
［付記１０］
［付記７］から［付記９］のいずれか一つに記載のコイル部品を備える回路モジュール。
［付記１１］
［付記１０］に記載の回路モジュールを含む、電子機器。

【符号の説明】

【0088】

１、１０１ コイル部品
１０、１１０ 磁性基体
２５、１２５ コイル導体
３１ 第１金属磁性粒子
３１ａ 第１金属部
３１ｂ 第１絶縁膜
３２ 第２金属磁性粒子
３２ａ 第２金属部
３２ｂ 第２絶縁膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4a】

【図4b】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】