ホーム > 特許ランキング > セイコーエプソン株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024142658
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】液晶装置及び電子機器
(51)【国際特許分類】
G02F 1/133 20060101AFI20241003BHJP
G02F 1/1345 20060101ALI20241003BHJP
G02F 1/1368 20060101ALN20241003BHJP
【ＦＩ】
G02F1/133 550
G02F1/1345
G02F1/1368
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023054899
(22)【出願日】2023-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】藤川 紳介
【テーマコード（参考）】
2H092
2H192
2H193
【Ｆターム（参考）】
2H092JA24
2H092JB77
2H092NA30
2H092RA05
2H192AA24
2H192FA65
2H192FA72
2H192HB04
2H192HB12
2H192HB13
2H192HB22
2H192JB02
2H193ZA04
2H193ZH21
2H193ZH30
2H193ZK03
2H193ZK09
2H193ZK14
2H193ZR04
(57)【要約】
【課題】液晶中の可動性イオンが急増する前において、可動性イオンが徐々に増えていく状況を観測できる液晶装置を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第１電極と、液晶層と、第２電極と、測定回路と、を備え、測定回路は、第１期間において、第１電極に第１電位を供給し、第２電極に第１電位よりも高い第２電位を供給し、第２期間において、第１電極に第１電位を供給し、第２電極に第１電位よりも高く且つ第２電位よりも低い第３電位を供給し、第３期間において、第１電極に第３電位よりも高く且つ第２電位よりも低い第４電位を供給し、第２電極に第３電位を供給し、第４期間において、第１電極への電位の供給を停止し、第２電極に第３電位を供給する。
【選択図】図３
【解決手段】液晶装置は、第１電極と、液晶層と、第２電極と、測定回路と、を備え、測定回路は、第１期間において、第１電極に第１電位を供給し、第２電極に第１電位よりも高い第２電位を供給し、第２期間において、第１電極に第１電位を供給し、第２電極に第１電位よりも高く且つ第２電位よりも低い第３電位を供給し、第３期間において、第１電極に第３電位よりも高く且つ第２電位よりも低い第４電位を供給し、第２電極に第３電位を供給し、第４期間において、第１電極への電位の供給を停止し、第２電極に第３電位を供給する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電極と、
液晶層と、
前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、
を備え、
前記測定回路は、
第１期間において、前記第１電極に第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、
前記第１期間後の第２期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、
前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、
液晶装置。
液晶層と、
前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、
を備え、
前記測定回路は、
第１期間において、前記第１電極に第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、
前記第１期間後の第２期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、
前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、
液晶装置。
【請求項2】
表示領域に設けられた画素電極をさらに備え、
前記第１電極は、前記表示領域の外に設けられる、
請求項１に記載の液晶装置。
前記第１電極は、前記表示領域の外に設けられる、
請求項１に記載の液晶装置。
【請求項3】
前記第１期間は、前記表示領域における１フレーム期間より長く、
前記第１期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、前記表示領域における前記液晶層の最大印加電圧以上である、
請求項２に記載の液晶装置。
前記第１期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、前記表示領域における前記液晶層の最大印加電圧以上である、
請求項２に記載の液晶装置。
【請求項4】
前記第２期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
請求項２に記載の液晶装置。
請求項２に記載の液晶装置。
【請求項5】
前記第３期間は、前記表示領域における１フレーム期間より短く、
前記第３期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
請求項２に記載の液晶装置。
前記第３期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
請求項２に記載の液晶装置。
【請求項6】
前記測定回路は、
前記第４期間後の第５期間において、前記第１電極に前記第２電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位を供給し、
前記第５期間後の第６期間において、前記第１電極に前記第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第６期間後の第７期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第７期間後の第８期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、
請求項２に記載の液晶装置。
前記第４期間後の第５期間において、前記第１電極に前記第２電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位を供給し、
前記第５期間後の第６期間において、前記第１電極に前記第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第６期間後の第７期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第７期間後の第８期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、
請求項２に記載の液晶装置。
【請求項7】
前記第５期間は、前記表示領域における１フレーム期間より長く、
前記第５期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、前記表示領域における前記液晶層の最大印加電圧以上である、
請求項６に記載の液晶装置。
前記第５期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、前記表示領域における前記液晶層の最大印加電圧以上である、
請求項６に記載の液晶装置。
【請求項8】
前記第６期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
請求項６に記載の液晶装置。
請求項６に記載の液晶装置。
【請求項9】
前記第７期間は、前記表示領域における１フレーム期間より短く、
前記第７期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
請求項６に記載の液晶装置。
前記第７期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、
請求項６に記載の液晶装置。
【請求項10】
第１電極と、
液晶層と、
前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、
を備え、
前記測定回路は、
第１期間において、前記第２電極に前記第１電位を供給し、前記第１電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、
前記第１期間後の第２期間において、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、
前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、
液晶装置。
液晶層と、
前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、
を備え、
前記測定回路は、
第１期間において、前記第２電極に前記第１電位を供給し、前記第１電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、
前記第１期間後の第２期間において、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、
前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、
前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、
液晶装置。
【請求項11】
前記測定回路は、
前記第１電極と電気的に接続される第１ノードと、
前記第２電極と電気的に接続される第２電極線と、
前記第１電位が印加される第１電位線と、
前記第１ノードと前記第１電位線との間に電気的に接続される第１コンデンサーと、
前記第２電極線と前記第１電位線との間に電気的に接続される第２コンデンサーと、
第１スイッチと、
第２スイッチと、
第３スイッチと、
第４スイッチと、
第５スイッチと、
第１参照電圧に対応する第１測定電位を出力する第１給電回路と、
前記第２電位を出力する第２給電回路と、
前記第３電位を出力する第３給電回路と、
前記第１参照電圧を前記第１給電回路に出力し、前記第１スイッチから前記第５スイッチを制御する制御回路と、
前記第１ノードの電位を前記第１電極の電位として測定する電位測定回路と、
を備え、
前記第１ノードは、前記第１スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第１ノードは、前記第２スイッチを介して前記第１給電回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第３スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第４スイッチを介して前記第３給電回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第５スイッチを介して前記第２給電回路の出力端子と電気的に接続される、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
前記第１電極と電気的に接続される第１ノードと、
前記第２電極と電気的に接続される第２電極線と、
前記第１電位が印加される第１電位線と、
前記第１ノードと前記第１電位線との間に電気的に接続される第１コンデンサーと、
前記第２電極線と前記第１電位線との間に電気的に接続される第２コンデンサーと、
第１スイッチと、
第２スイッチと、
第３スイッチと、
第４スイッチと、
第５スイッチと、
第１参照電圧に対応する第１測定電位を出力する第１給電回路と、
前記第２電位を出力する第２給電回路と、
前記第３電位を出力する第３給電回路と、
前記第１参照電圧を前記第１給電回路に出力し、前記第１スイッチから前記第５スイッチを制御する制御回路と、
前記第１ノードの電位を前記第１電極の電位として測定する電位測定回路と、
を備え、
前記第１ノードは、前記第１スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第１ノードは、前記第２スイッチを介して前記第１給電回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第３スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第４スイッチを介して前記第３給電回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第５スイッチを介して前記第２給電回路の出力端子と電気的に接続される、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項12】
前記第１スイッチ及び前記第２スイッチは、第１電圧によって制御され、
前記第３スイッチ、前記第４スイッチ及び前記第５スイッチは、前記第１電圧よりも高い第２電圧によって制御される、
請求項１１に記載の液晶装置。
前記第３スイッチ、前記第４スイッチ及び前記第５スイッチは、前記第１電圧よりも高い第２電圧によって制御される、
請求項１１に記載の液晶装置。
【請求項13】
前記測定回路は、
前記第１電極と電気的に接続される第１ノードと、
前記第２電極と電気的に接続される第２電極線と、
前記第１電位が印加される第１電位線と、
前記第１ノードと前記第１電位線との間に電気的に接続される第１コンデンサーと、
前記第２電極線と前記第１電位線との間に電気的に接続される第２コンデンサーと、
第１スイッチと、
第２スイッチと、
第３スイッチと、
第４スイッチと、
第１参照電圧に対応する第１測定電位を出力する第１給電回路と、
第２参照電圧に対応する第２測定電位を出力する第４給電回路と、
前記第１参照電圧を前記第１給電回路に出力し、前記第２参照電圧を前記第４給電回路に出力し、前記第１スイッチから前記第４スイッチを制御する制御回路と、
前記第１ノードの電位を前記第１電極の電位として測定する電位測定回路と、
を備え、
前記第１ノードは、前記第１スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第１ノードは、前記第２スイッチを介して前記第１給電回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第３スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第４スイッチを介して前記第４給電回路の出力端子と電気的に接続される、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
前記第１電極と電気的に接続される第１ノードと、
前記第２電極と電気的に接続される第２電極線と、
前記第１電位が印加される第１電位線と、
前記第１ノードと前記第１電位線との間に電気的に接続される第１コンデンサーと、
前記第２電極線と前記第１電位線との間に電気的に接続される第２コンデンサーと、
第１スイッチと、
第２スイッチと、
第３スイッチと、
第４スイッチと、
第１参照電圧に対応する第１測定電位を出力する第１給電回路と、
第２参照電圧に対応する第２測定電位を出力する第４給電回路と、
前記第１参照電圧を前記第１給電回路に出力し、前記第２参照電圧を前記第４給電回路に出力し、前記第１スイッチから前記第４スイッチを制御する制御回路と、
前記第１ノードの電位を前記第１電極の電位として測定する電位測定回路と、
を備え、
前記第１ノードは、前記第１スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第１ノードは、前記第２スイッチを介して前記第１給電回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第３スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、
前記第２電極線は、前記第４スイッチを介して前記第４給電回路の出力端子と電気的に接続される、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項14】
前記第１スイッチ及び前記第２スイッチは、第１電圧によって制御され、
前記第３スイッチ及び前記第４スイッチは、前記第１電圧よりも高い第２電圧によって制御される、
請求項１３に記載の液晶装置。
前記第３スイッチ及び前記第４スイッチは、前記第１電圧よりも高い第２電圧によって制御される、
請求項１３に記載の液晶装置。
【請求項15】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶装置に用いられる液晶は、長時間のＤＣ電圧成分の印加によって劣化する。また、液晶装置をプロジェクターのライトバルブとして使用する場合では、液晶は高強度の光入射と熱による化学的作用によっても劣化する。液晶の劣化とは、例えば、液晶中に陰イオン、陽イオンからなる可動性イオンが増加し、それによって、液晶の絶縁性が低下する現象である。絶縁性の低下は、例えば、液晶の電圧保持率の低下として現れ、液晶パネルではシミ、ムラ等の表示不良となって視認される。特許文献１には、このような液晶の劣化現象を加速評価する方法が開示されている。この方法では、液晶パネルの表示領域外に一対の劣化評価用電極を設け、当該液晶パネルに１００時間の加速試験を行った後、当該劣化評価用電極間に、５Ｖの電圧を５０μ秒印加し、その後、１６．７ｍ秒後の電圧保持率を測定することによって、液晶の劣化評価を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平４－２１５０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本出願人の研究によれば、例えば、液晶パネルを用いて高強度の光入射を伴う加速試験を実施すると、液晶中の可動性イオンが比較的穏やかに増加する段階と、その後、液晶中の可動性イオンが急激に増加する段階があることが判っている。また、可視光以外の、例えば、ＵＶ光を液晶パネルに入射させる場合には、ＵＶ光の高エネルギーによって化学的作用が強まり、液晶の劣化が早く進行する。
【0005】
そして、液晶中の可動性イオン量が顕著になると、液晶パネルの表示品位の低下などの不具合の発生が避けられないため、予防保全の観点から液晶パネルが寿命に達する前に、液晶パネルの寿命が近いことを知りたい、という要望があった。
【0006】
しかしながら、特許文献１の方法では、予防保全を行うことは困難であるという課題があった。詳しくは、本出願人の検証結果によれば、特許文献１の方法では、液晶中の可動性イオンが比較的穏やかに増加する段階において、可動性イオンが徐々に増加していく状況を観測することが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一つの態様の液晶装置は、第１電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、を備え、前記測定回路は、第１期間において、前記第１電極に第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、前記第１期間後の第２期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する。
【0008】
本発明の一つの態様の電子機器は、上記態様の液晶装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態の液晶装置に用いられる液晶パネルの概略的な構成を示す平面図である。
【図3】第１実施形態の液晶装置の概略的な構成を示す説明図である。
【図4】液晶層の物性測定方法を示す概略的なフローチャートである。
【図5】第１実施形態における検出電極及び共通電極のそれぞれの電位の時間的な変化を示す図である。
【図6】第１実施形態における第１測定処理及び第２測定処理の実行時における検出電極と共通電極との電位差の時間的な変化を示す図である。
【図7】使用時間と放電特性との関係を示す図である。
【図8】使用時間と測定値との関係を示す図である。
【図9】逆掃引期間の効果を示す図である。
【図10】液晶層の電気特性図である。
【図11】液晶層の規格化透過率と電圧との関係を示す図である。
【図12】充電期間の効果を示す図である。
【図13】液晶層の劣化の進行を追跡した結果を示す第１図である。
【図14】液晶層の劣化の進行を追跡した結果を示す第２図である。
【図15】測定再現性を検証した結果を示す第１図である。
【図16】測定再現性を検証した結果を示す第２図である。
【図17】第２実施形態の液晶装置の概略的な構成を示す説明図である。
【図18】電子機器として投射型表示装置の概略的な構成を示す説明図である。
【図19】投射型表示装置の設定メニュー画面例を示す説明図である。
【図20】液晶層の劣化状況を表示する表示画面例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。ここで、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせている場合がある。また、以下の各図において、必要に応じて、相互に直交する座標軸としてＸＹＺ軸を付し、各図において、軸に沿った各矢印が指す方向を＋方向とし、＋方向と反対の方向を－方向とする。
【0011】
なお、＋Ｘ方向を右又は右側、－Ｘ方向を左又は左側ということがある。＋Ｚ方向を上方、－Ｚ方向を下方ということもあり、＋Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的という。さらに、以下の説明において、例えば、基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。
【0012】
１．第１実施形態
１．１．液晶パネル１００の構成の概要
図１は、第１実施形態の液晶装置１０００に用いられる液晶パネル１００の概略的な構成を示す平面図である。なお、例えば、本実施形態における液晶パネル１００は、画素Ｐごとに画素スイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１を備えたアクティブ駆動型の液晶パネルである。この液晶パネル１００は、後述の測定回路２００と組み合わされて液晶装置１０００を構成するとともに、電子機器としての投射型表示装置などにおいて、光変調装置として好適に用いることができるものである。
１．１．液晶パネル１００の構成の概要
図１は、第１実施形態の液晶装置１０００に用いられる液晶パネル１００の概略的な構成を示す平面図である。なお、例えば、本実施形態における液晶パネル１００は、画素Ｐごとに画素スイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１を備えたアクティブ駆動型の液晶パネルである。この液晶パネル１００は、後述の測定回路２００と組み合わされて液晶装置１０００を構成するとともに、電子機器としての投射型表示装置などにおいて、光変調装置として好適に用いることができるものである。
【0013】
液晶パネル１００は、素子基板１０と、対向基板２０とを備える。なお、対向基板２０の外形線の内側に実線で記載された構成は、いずれも、対向基板２０と素子基板１０との間に配置された構成である。
【0014】
シール材１４は、対向基板２０の外縁に沿って枠状に設けられている。網点で示す見切り部２７は、遮光膜よりなり、シール材１４の内側で、表示領域Ｅの外縁に沿って、表示領域Ｅを取り囲むように配置される。シール材１４は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０との間のギャップを所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材を含んでいる。
【0015】
表示領域Ｅには、画素Ｐがマトリクス状に配置される。表示領域Ｅとシール材１４との間の周辺領域Ｆには、走査線駆動回路２４、プリチャージ回路２５などの周辺回路が配置される。また、シール材１４の外側の素子基板１０の対向基板２０から図面下側、－Ｙ方向に張り出した部分には、データ線駆動回路２３と複数の外部接続端子１８が配置される。
【0016】
対向基板２０の四隅に対応して、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的な導通を取るための、基板間導通部１７が配置される。
【0017】
【0018】
素子基板１０は、その基板１０ａと液晶層５との間に、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極９ａと、画素電極９ａに対応して配置された画素スイッチング素子としてのＴＦＴ１１と、画素電極９ａを覆って配置された第１配向膜１２とを備える。
【0019】
対向基板２０は、その基板２０ａと液晶層５との間に、見切り部２７と、共通電極２１と、共通電極２１を覆って配置された第２配向膜２２とを備える。
【0020】
見切り部２７は、平面的に走査線駆動回路２４と重なる位置に設けられている。見切り部２７は、対向基板２０側から入射する、不図示のレーザー光源からの光Ｌを、走査線駆動回路２４を含む周辺回路に入射しないように遮光して、周辺回路が光Ｌによって誤動作することを防止する役目を果たしている。
【0021】
画素電極９ａと共通電極２１とは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料によって形成される。基板１０ａと基板２０ａとは、それぞれ透光性を有する基板であり、例えば、ガラス基板、または、石英基板が用いられる。第１配向膜１２および第２配向膜２２は、酸化シリコンなどの無機材料で形成される。液晶層５は、例えば、負の誘電異方性を有する液晶から構成される。
【0022】
１．２．液晶装置１０００の構成の概要
図３は、液晶装置１０００の概略的な構成を示す説明図である。液晶装置１０００は、液晶パネル１００と、測定回路２００と、を備える。図１及び図２では省略したが、液晶パネル１００は、シール材１４と表示領域Ｅとの間の周辺領域Ｆに配置された検出電極３０を備える。検出電極３０は、素子基板１０に設けられた電極の１つであり、例えば、画素電極９ａと同様に、ＩＴＯなどの透明導電材料によって形成される。検出電極３０は、見切り部２７の直下において、例えば、表示領域Ｅを囲むように配置される。なお、見切り部２７は説明のため一部のみを図示している。また、シール材１４については、概ね枠状に塗布された形態として図示を簡略化している。
図３は、液晶装置１０００の概略的な構成を示す説明図である。液晶装置１０００は、液晶パネル１００と、測定回路２００と、を備える。図１及び図２では省略したが、液晶パネル１００は、シール材１４と表示領域Ｅとの間の周辺領域Ｆに配置された検出電極３０を備える。検出電極３０は、素子基板１０に設けられた電極の１つであり、例えば、画素電極９ａと同様に、ＩＴＯなどの透明導電材料によって形成される。検出電極３０は、見切り部２７の直下において、例えば、表示領域Ｅを囲むように配置される。なお、見切り部２７は説明のため一部のみを図示している。また、シール材１４については、概ね枠状に塗布された形態として図示を簡略化している。
【0023】
検出電極３０は、いわゆるベタ膜パターンで形成されてもよいし、複数の画素電極９ａを連結させることにより形成されてもよい。検出電極３０がＩＴＯ膜で形成される場合、検出電極３０の電位応答を改善するために、ＩＴＯ膜の下層に配置されたアルミニウムを主体とする下層配線層３１を補助配線として付加してもよい。検出電極３０は、複数のコンタクトホール３２を介して、下層配線層３１と電気的に接続される。
【0024】
検出電極３０は、複数の外部接続端子１８の１つである第１電極接続端子１８ａと電気的に接続される。検出電極３０は、第１電極接続端子１８ａを介して、測定回路２００と電気的に接続される。また、検出電極３０は、導通検査端子１９と電気的に接続される。導通検査端子１９は、素子基板１０の表面において、外部接続端子１８と対向基板２０との間の領域に配置される。第１電極接続端子１８ａと導通検査端子１９との間の電気抵抗を測定することにより、第１電極接続端子１８ａと検出電極３０との間の電気的接続を検査できる。
【0025】
基板間導通部１７は、対向基板２０の四隅に対応して配置され、共通電位線１６を介して、互いに電気的に接続される。共通電位線１６は、複数の外部接続端子１８のうち、例えば、左端と右端とのそれぞれに位置する第２電極接続端子１８ｂと電気的に接続される。すなわち、対向基板２０の共通電極２１は、共通電位線１６及び基板間導通部１７を介して、第２電極接続端子１８ｂと電気的に接続される。共通電極２１は、第２電極接続端子１８ｂを介して、測定回路２００と電気的に接続される。
【0026】
上記の構成から理解されるように、液晶パネル１００の周辺領域Ｆにおいて、液晶層５は、検出電極３０と共通電極２１との間に配置される。共通電極２１は、液晶層５を介して検出電極３０に対向する。液晶パネル１００は、表示領域Ｅに設けられた画素電極９ａを備え、検出電極３０は、表示領域Ｅの外に設けられる。本実施形態において、検出電極３０は、第１電極に相当し、共通電極２１は、第２電極に相当する。
【0027】
測定回路２００は、検出電極３０と共通電極２１との夫々に電位を供給すると共に、検出電極３０の電位を検出電極電位Ｖｄとして測定する。測定回路２００は、第１給電回路４０と、第２給電回路４１と、第３給電回路４８と、レベルシフター４２と、増幅回路４３と、Ａ／Ｄコンバーター４４と、中央制御回路４５と、測定値記憶回路４６と、表示情報生成回路４７と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、第３スイッチＳＷ３と、第４スイッチＳＷ４と、第５スイッチＳＷ５と、第１コンデンサーＣ１と、第２コンデンサーＣ２と、共通電極線Ｌ１と、第１電位線Ｌ２と、第１ノードＮ１と、を備える。
【0028】
共通電極線Ｌ１は、液晶パネル１００の第２電極接続端子１８ｂと電気的に接続される。つまり、共通電極線Ｌ１は、第２電極接続端子１８ｂを介して、共通電極２１と電気的に接続される。本実施形態において、共通電極線Ｌ１は、第２電極線に相当する。
【0029】
第１電位線Ｌ２は、第１電位Ｖ１が印加される配線である。一例として、第１電位Ｖ１は、グランド電位、すなわち０Ｖである。第１電位線Ｌ２は、液晶装置１０００内のデジタル回路系のグランドと１点で電気的に接続される。このように構成することで、後述する測定時において、デジタル回路系がもたらす測定ノイズを抑制する効果を奏する。第１電位線Ｌ２は、第２コンデンサーＣ２を介して、共通電極線Ｌ１と電気的に接続される。つまり、第２コンデンサーＣ２は、共通電極線Ｌ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される。例えば、第２コンデンサーＣ２は、０．１μＦ以上の容量値を有する。第２コンデンサーＣ２によって共通電極２１の電位が安定する。従って後述する測定時において、共通電極２１との間で主に液晶層５による結合容量を持つ検出電極３０がうける測定ノイズを抑制する。また、液晶装置１０００において、液晶パネル１００は、導体で構成されたホルダー１１０によって保持されており、第１電位線Ｌ２は、ホルダー１１０と電気的に接続される。第１電位線Ｌ２をホルダー１１０と電気的に接続することで、後述する測定時において、検出電極３０がうける測定ノイズを抑制する効果を奏する。
【0030】
測定回路２００内における第１ノードＮ１は、液晶パネル１００の第１電極接続端子１８ａと電気的に接続される。つまり、第１ノードＮ１は、第１電極接続端子１８ａを介して、検出電極３０と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第１コンデンサーＣ１を介して、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。つまり、第１コンデンサーＣ１は、第１ノードＮ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される。例えば、第１コンデンサーＣ１は、１ｎＦから１０ｎＦ程度の容量値を有する。第１コンデンサーＣ１によって、後述する測定時における検出電極３０がうける測定ノイズを抑制する。また第１コンデンサーＣ１の容量値によって、可動性イオンの増加に対する検出感度を調整できる。
【0031】
第１スイッチＳＷ１の状態は、中央制御回路４５から出力される第１制御信号Ｓ１によって制御される。例えば、第１制御信号Ｓ１として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力され、論理「Ｈ」のときに第１スイッチＳＷ１はオン状態になる。第２スイッチＳＷ２の状態は、中央制御回路４５から出力される第２制御信号Ｓ２によって制御される。例えば、第２制御信号Ｓ２として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力され、論理「Ｈ」のときに第２スイッチＳＷ２はオン状態になる。つまり、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、第１電圧（５Ｖ）によってオン状態に制御される。
【0032】
共通電極線Ｌ１は、第３スイッチＳＷ３を介して、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第４スイッチＳＷ４を介して、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第５スイッチＳＷ５を介して、第２給電回路４１の出力端子と電気的に接続される。
【0033】
第３スイッチＳＷ３の状態は、中央制御回路４５からレベルシフター４２を介して出力される第３制御信号Ｓ３によって制御される。例えば、第３制御信号Ｓ３として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力されるが、この論理信号は、レベルシフター４２によって、例えば、１５Ｖの振幅を有する論理信号に変換される。つまり、レベルシフター４２から１５Ｖの振幅を有する第３制御信号Ｓ３が出力され、論理「Ｈ」のときに第３スイッチＳＷ３はオン状態になる。
【0034】
第４スイッチＳＷ４の状態は、中央制御回路４５からレベルシフター４２を介して出力される第４制御信号Ｓ４によって制御される。例えば、第４制御信号Ｓ４として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力されるが、この論理信号は、レベルシフター４２によって、例えば、１５Ｖの振幅を有する論理信号に変換される。つまり、レベルシフター４２から１５Ｖの振幅を有する第４制御信号Ｓ４が出力され、論理「Ｈ」のときに第４スイッチＳＷ４はオン状態になる。
【0035】
第５スイッチＳＷ５の状態は、中央制御回路４５からレベルシフター４２を介して出力される第５制御信号Ｓ５によって制御される。例えば、第５制御信号Ｓ５として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力されるが、この論理信号は、レベルシフター４２によって、例えば、１５Ｖの振幅を有する論理信号に変換される。つまり、レベルシフター４２から１５Ｖの振幅を有する第５制御信号Ｓ５が出力され、論理「Ｈ」のときに第５スイッチＳＷ５はオン状態になる。
上記のように、第３スイッチＳＷ３、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５は、第１電圧（５Ｖ）よりも高い第２電圧（１５Ｖ）によってオン状態に制御される。
上記のように、第３スイッチＳＷ３、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５は、第１電圧（５Ｖ）よりも高い第２電圧（１５Ｖ）によってオン状態に制御される。
【0036】
第１給電回路４０は、中央制御回路４５から出力される第１参照電圧Ｖｆ１に対応する第１測定電位Ｖｓ１を出力する。例えば、第１給電回路４０は、第１参照電圧Ｖｆ１と同じ極性及び絶対値を有する第１測定電位Ｖｓ１を出力する。すなわち、第１給電回路４０から出力される第１測定電位Ｖｓ１は、中央制御回路４５によって可変制御される。このような第１給電回路４０は、例えば、第１参照電圧Ｖｆ１が入力されるボルテージフォロワーによって実現できる。
【0037】
第２給電回路４１及び第３給電回路４８は、定電位生成回路である。第２給電回路４１は、第２電位Ｖ２を出力する。一例として、第２電位Ｖ２は、＋５Ｖである。第３給電回路４８は、第３電位Ｖ３を出力する。一例として、第３電位Ｖ３は、＋１．２５Ｖである。第２給電回路４１及び第３給電回路４８は、例えば、シャントレギュレーターを用いた定電圧回路の出力電圧を入力したボルテージフォロワーを使用できる。あるいは、第２給電回路４１及び第３給電回路４８は、抵抗分圧回路で生成した電圧を入力したボルテージフォロワーを使用できる。
【0038】
増幅回路４３は、検出電極３０と電気的に接続された第１ノードＮ１の電位を増幅する。以下の説明では、第１ノードＮ１の電位を第１ノード電位と呼称する場合がある。増幅回路４３は、増幅された第１ノード電位をＡ／Ｄコンバーター４４に出力する。Ａ／Ｄコンバーター４４は、増幅回路４３によって増幅された第１ノード電位をデジタル値に変換する。Ａ／Ｄコンバーター４４は、第１ノード電位のデジタル値を、検出電極電位Ｖｄの測定値として、中央制御回路４５に出力する。このように、本実施形態において、増幅回路４３及びＡ／Ｄコンバーター４４は、第１ノードＮ１の電位を検出電極３０の電位として測定する電位測定回路に相当する。
【0039】
例えば、増幅回路４３は、オペアンプを用いた非反転増幅回路である。増幅回路４３のグランド端子は、ホルダー１１０、第１コンデンサーＣ１、及び第２コンデンサーＣ２が電気的に接続された第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。このように、増幅回路４３のグランド端子を第１電位線Ｌ２と電気的に接続することにより、検出電極電位Ｖｄの測定値に、測定回路２００を構成するデジタル回路系の動作に伴うノイズ成分が重畳することを抑制できる。
なお、上記の増幅回路４３の構成から理解されるように、Ａ／Ｄコンバーター４４から得られる検出電極電位Ｖｄの測定値は、第１ノード電位、すなわち検出電極３０の電位と、第１電位Ｖ１との電位差に応じた値である。
なお、上記の増幅回路４３の構成から理解されるように、Ａ／Ｄコンバーター４４から得られる検出電極電位Ｖｄの測定値は、第１ノード電位、すなわち検出電極３０の電位と、第１電位Ｖ１との電位差に応じた値である。
【0040】
中央制御回路４５は、液晶層５の劣化状況の測定時において、測定回路２００に含まれる各回路を制御する。具体的には、中央制御回路４５は、第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。中央制御回路４５は、第１制御信号Ｓ１を第１スイッチＳＷ１に出力するとともに、第２制御信号Ｓ２を第２スイッチＳＷ２に出力する。中央制御回路４５は、第３制御信号Ｓ３から第５制御信号Ｓ５を、レベルシフター４２を介して、第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５に出力する。このように、本実施形態における中央制御回路４５は、第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力し、第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御する制御回路に相当する。
【0041】
中央制御回路４５は、Ａ／Ｄコンバーター４４から出力される検出電極電位Ｖｄの測定値を、測定値記憶回路４６に記憶させる。測定値記憶回路４６は、中央制御回路４５による制御に従って、検出電極電位Ｖｄの測定値を記憶する。中央制御回路４５は、判定回路４５ａを含む。判定回路４５ａは、測定値記憶回路４６に記憶された測定値に基づいて、液晶層５の劣化状況を判定する。表示情報生成回路４７は、測定値および判定結果に基づいて、液晶層５の劣化状況の表示用情報を生成する。
【0042】
なお、測定回路２００を構成する各回路は、各回路が実現する機能の一部ないし全部を、例えば、中央制御回路４５の制御プログラムで実現する構成としてもよい。また、測定回路２００は、１つのＩＣ（Integrated Circuit）であっても、複数のＩＣに分割されていてもよい。
【0043】
図示は省略するが、液晶装置１０００は、上記の測定回路２００に加えて、液晶パネル１００を制御するパネル制御回路を備えていてもよい。パネル制御回路は、液晶パネル１００の通常駆動を行う回路である。言い換えれば、パネル制御回路は、液晶パネル１００を光変調装置として動作させる回路である。パネル制御回路は、液晶パネル１００の外部接続端子１８のうち、第１電極接続端子１８ａ及び第２電極接続端子１８ｂ以外の外部接続端子１８を介して、データ線駆動回路２３、走査線駆動回路２４、及びプリチャージ回路２５に、タイミング信号、画像信号、及び制御信号などを出力する。
【0044】
データ線駆動回路２３、走査線駆動回路２４、及びプリチャージ回路２５がパネル制御回路によって制御されることにより、各画素ＰのＴＦＴ１１をオン状態に切り替える走査信号が不図示の各走査線に供給されるとともに、各画素Ｐの画素電極９ａに印加される電位が不図示の各データ線に供給される。その結果、各画素Ｐの光透過率は、画素電極９ａと共通電極２１との電位差によって決定される値となる。このように、各画素Ｐの光透過率がパネル制御回路によって制御されることにより、液晶パネル１００が光変調装置として動作して映像を表示している状態を液晶パネル１００の通常駆動時と呼ぶこととする。また、各画素Ｐでは、映像を表示している通常駆動時には交流駆動が実施され、表示領域Ｅに含まれる画素Ｐの透過率の状態の更新が終わる１フレーム周期毎に各画素Ｐの液晶層５に対する印可電圧の極性が反転する。
【0045】
なお、液晶パネル１００の通常駆動時において、中央制御回路４５は、＋５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。これにより、通常駆動時において、第１給電回路４０から＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力される。また、通常駆動時において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第５スイッチＳＷ５をオン状態に制御し、第１スイッチＳＷ１、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。これにより、通常駆動時において、第１給電回路４０の出力端子は、第１ノードＮ１を介して検出電極３０と電気的に接続され、第２給電回路４１の出力端子は、共通電極線Ｌ１を介して共通電極２１と電気的に接続される。
【0046】
従って、通常駆動時において、＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が検出電極３０に供給され、＋５Ｖの第２電位Ｖ２が共通電極２１に供給される。つまり、通常駆動時において、検出電極３０の電位は、共通電極２１の電位と同じ＋５Ｖとなる。通常駆動時において、第２給電回路４１から出力される第２電位Ｖ２は、コモン電位として使用される。なお、本実施形態ではコモン電位を+５Ｖとして説明しているが、これに限定されるものではなく、例えば、＋７Ｖ等に設定することもできる。その場合には、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２を７Ｖ信号で制御するように構成すればよい。同時に第１給電回路４０と第２給電回路４１も＋７Ｖ出力に対応するようにする。中央制御回路４５が出力する第１参照電圧Ｖｆ１も＋７Ｖ出力に対応するようにする。
【0047】
また、通常駆動、及び後述の液晶層５の物性測定のいずれも行われない非動作時において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御し、第２スイッチＳＷ２、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。これにより、非動作時において、検出電極３０及び共通電極２１は、それぞれ、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。従って、非動作時において、検出電極３０及び共通電極２１のそれぞれの電位は、第１電位Ｖ１、つまり０Ｖとなる。
【0048】
液晶装置１０００において、測定回路２００とパネル制御回路とが同じ基板上に配置されてもよいし、或いは、測定回路２００とパネル制御回路とが異なる複数の基板上に配置されてもよい。例えば、測定回路２００及びパネル制御回路が配置される基板は、リジッド基板、或いはＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板である。
【0049】
【0050】
図４に示すように、ステップＳ１０では、所定のイベントが発生すると、液晶装置１０００は、通常駆動を行う通常駆動モードから液晶層５の物性測定を行う測定モードに移行し、液晶層５の物性測定を開始する。ここで、所定のイベントには、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置の電源オンおよび電源オフ、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置における保全メニュー選択からの測定指示などがあり、これらのイベントの発生により投射型表示装置からの測定開始コマンドが送信される。測定回路２００の中央制御回路４５は、投射型表示装置から測定開始コマンドを受信すると、液晶層５の物性測定を開始する。
【0051】
なお、ステップＳ１０は、測定モード移行イベントの概念を示している。実際には、例えば、保全メニュー選択からの指示は割り込み処理的なものであり、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置は電源が投入されている。また、測定モード移行イベントとしては、例示した「保全メニュー選択」、「電源オン」および「電源オフ」の全てを強制するものでもない。また、本発明において、液晶層５の物性測定は、例えば、投射型表示装置の光源が非点灯の状態で実施する。あるいは、機械的な遮光機構によって光源からの光が遮蔽される構成として実施する。液晶層５の物性測定時において、投射型表示装置の光源が非点灯の状態であれば、投射型表示装置における表示上の問題は発生しない。
【0052】
中央制御回路４５は、測定開始コマンドを受信すると、まず、後述の測定処理の実行回数を示すカウント値Ｋを「０」にリセットする（ステップＳ１１）。続いて、中央制御回路４５は、カウント値Ｋに「１」を加算する（ステップＳ１２）。続いて、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが奇数か否かを判定する（ステップＳ１３）。
【0053】
中央制御回路４５は、カウント値Ｋが奇数である場合（ステップＳ１３：Ｙｅｓ）、第１測定処理を実行する（ステップＳ１４）。一方、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが偶数である場合（ステップＳ１３：Ｎｏ）、第２測定処理を実行する（ステップＳ１５）。第１測定処理及び第２測定処理の具体的な内容については後述する。
【0054】
中央制御回路４５は、第１測定処理または第２測定処理を実行した後に、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しいか否かを判定する（ステップＳ１６）。中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくない場合（ステップＳ１６：Ｎｏ）、ステップＳ１２に戻る。一方、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しい場合（ステップＳ１６：Ｙｅｓ）、後述のステップＳ１７に移行する。なお、上限値Ｋｍａｘは予め、測定回路２００の制御プログラムに設定されているものである。あるいは、図示を省略した入力手段によって数値を設定できるようにしてもよい。入力手段は、例えば、測定回路２００が備える入力キーや、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置に対して有線もしくは無線接続されたＰＣなどである。上限値Ｋｍａｘが２以上に設定されていれば、第１測定処理もしくは第２測定処理の複数回の測定結果について平均値を計算して、再現性の良いデータを得ることができる。後述する詳細な測定例では、上限値Ｋｍａｘ＝２０であり、１０回の第２測定処理の平均値を計算している。
【0055】
上記のステップＳ１１からステップＳ１６までの処理の説明から理解されるように、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。例えば、上限値Ｋｍａｘが「１０」である場合、第１測定処理と第２測定処理とが、それぞれ５回ずつ実行される。以下では、図５及び図６を参照しながら、第１測定処理及び第２測定処理について詳細に説明する。
【0056】
図５は、第１測定処理及び第２測定処理の実行時における検出電極３０及び共通電極２１のそれぞれの電位の時間的な変化を示す図である。図５において、横軸は時間であり、縦軸は電圧である。図５において、検出電極３０の電位である検出電極電位Ｖｄは一部を除いて実線によって示され、共通電極２１の電位である共通電極電位Ｖｃは点線によって示される。
【0057】
図６は、第１測定処理及び第２測定処理の実行時における検出電極３０と共通電極２１との電位差の時間的な変化を示す図である。図６において、横軸は時間であり、縦軸は共通電極２１を基準とした際の検出電極３０の電圧である。換言すれば、検出電極３０における液晶層５の印可電圧である。図６では、共通電極電位Ｖｃに対して、検出電極電位Ｖｄが大きいときの電位差の極性を正極性としている。
【0058】
図５及び図６において、時刻ｔ１から時刻ｔ５までの期間Ｔ１０において第１測定処理が実行される。以下の説明では、第１測定処理が実行される期間Ｔ１０を第１測定期間Ｔ１０と呼称する場合がある。第１測定期間Ｔ１０は、第１逆掃引期間Ｔ１と、第１緩和期間Ｔ２と、第１充電期間Ｔ３と、第１放電期間Ｔ４とを含む。第１逆掃引期間Ｔ１は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間である。第１緩和期間Ｔ２は、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間である。第１充電期間Ｔ３は、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間である。第１放電期間Ｔ４は、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間である。
【0059】
図５及び図６において、時刻ｔ５から時刻ｔ９までの期間Ｔ２０において第２測定処理が実行される。以下の説明では、第２測定処理が実行される期間Ｔ２０を第２測定期間Ｔ２０と呼称する場合がある。第２測定期間Ｔ２０は、第２逆掃引期間Ｔ５と、第２緩和期間Ｔ６と、第２充電期間Ｔ７と、第２放電期間Ｔ８とを含む。第２逆掃引期間Ｔ５は、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間である。第２緩和期間Ｔ６は、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間である。第２充電期間Ｔ７は、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間である。第２放電期間Ｔ８は、時刻ｔ８から時刻ｔ９までの期間である。
【0060】
図５及び図６において、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間Ｔ０は、第１測定期間Ｔ１０の開始前に挿入されるリセット期間である。このリセット期間Ｔ０において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御し、第２スイッチＳＷ２、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。これにより、リセット期間Ｔ０において、検出電極３０及び共通電極２１は、それぞれ、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。従って、リセット期間Ｔ０において、検出電極３０及び共通電極２１のそれぞれの電位は、第１電位Ｖ１、つまり０Ｖとなる。
【0061】
まず、第１測定期間Ｔ１０に行われる第１測定処理について説明する。
第１逆掃引期間Ｔ１において、測定回路２００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高い第２電位Ｖ２を供給する。第１逆掃引期間Ｔ１は、第１期間に相当する。
第１逆掃引期間Ｔ１において、測定回路２００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高い第２電位Ｖ２を供給する。第１逆掃引期間Ｔ１は、第１期間に相当する。
【0062】
具体的には、第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第５スイッチＳＷ５をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。
【0063】
第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続され、共通電極２１は、第２給電回路４１の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極３０に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給され、共通電極２１に＋５Ｖの第２電位Ｖ２が供給される。その結果、図５に示すように、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋５Ｖとなる。また、図６に示すように、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ１は、－５Ｖとなる。
【0064】
第１逆掃引期間Ｔ１後の第１緩和期間Ｔ２において、測定回路２００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高く且つ第２電位Ｖ２よりも低い第３電位Ｖ３を供給する。第１緩和期間Ｔ２は、第２期間に相当する。
【0065】
具体的には、第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0066】
第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続され、共通電極２１は、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極３０に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給される。その結果、図５に示すように、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ２は、－１．２５Ｖとなる。
【0067】
第１緩和期間Ｔ２後の第１充電期間Ｔ３において、測定回路２００は、検出電極３０に第３電位Ｖ３よりも高く且つ第２電位Ｖ２よりも低い第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。第１充電期間Ｔ３は、第３期間に相当する。
【0068】
具体的には、第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路４５は、例えば＋２．５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力される。また、第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第３スイッチＳＷ３及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0069】
第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１充電期間Ｔ３において、検出電極３０に＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が第４電位Ｖ４として供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給される。その結果、図５に示すように、第１充電期間Ｔ３において、検出電極電位Ｖｄは＋２．５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第１充電期間Ｔ３において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ３は、＋１．２５Ｖとなる。
【0070】
第１充電期間Ｔ３後の第１放電期間Ｔ４において、測定回路２００は、検出電極３０への電位の供給を停止すると共に共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、少なくとも１回、例えば、第１放電期間Ｔ４の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。第１放電期間Ｔ４は、第４期間に相当する。
【0071】
具体的には、第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路４５は、第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0072】
第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０及び第１電位線Ｌ２のどちらからも電気的に切断され、共通電極２１は、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１放電期間Ｔ４において、共通電極２１には＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給され続けるが、検出電極３０への電位供給が停止するため、液晶層５は、第１充電期間Ｔ３に充電された電荷を放電する。その結果、図５に示すように、第１放電期間Ｔ４において、検出電極電位Ｖｄは、第４電位Ｖ４から共通電極２１に与えられた第３電位Ｖ３に向かって緩やかに変化し、時刻ｔ５において電位Ｖｄ１に到達する。検出電極電位Ｖｄ１の値は、液晶層５に含まれる可動性イオンの量に依存する。従って、後述するように、第１放電期間Ｔ４の終了時の検出電極電位Ｖｄ１を測定することにより、液晶層５の劣化状況を判定することができる。
なお、図６に示すように、第１放電期間Ｔ４の終了時の検出電極電位Ｖｄ１は、共通電極２１を基準とする電位差Ｖｐ１０に対応する。
なお、図６に示すように、第１放電期間Ｔ４の終了時の検出電極電位Ｖｄ１は、共通電極２１を基準とする電位差Ｖｐ１０に対応する。
【0073】
中央制御回路４５は、例えば、第１放電期間Ｔ４が終了する時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１を測定する。具体的には、検出電極電位Ｖｄ１は増幅回路４３によって増幅され、増幅回路４３の出力がＡ／Ｄコンバーター４４に入力される。中央制御回路４５は、時刻ｔ５にＡ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ１の測定値として取得する。中央制御回路４５は、時刻ｔ５に得られた検出電極電位Ｖｄ１の測定値を測定値記憶回路４６に記憶させる。
【0074】
以上が第１測定処理の説明である。
第１逆掃引期間Ｔ１は、表示領域Ｅにおける１フレーム期間より長いことが好ましい。例えば、１フレーム期間が約１６ｍ秒である場合、第１逆掃引期間Ｔ１は、２０ｍ秒以上である。また、上記の説明では、第１逆掃引期間Ｔ１における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ１が－５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ１の絶対値は、通常駆動における画素Ｐの液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。言い換えれば、電位差Ｖｐ１の絶対値は、表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。第１逆掃引期間Ｔ１の長さと、電位差Ｖｐ１の絶対値とを上記のように設定する理由は後述する。
第１逆掃引期間Ｔ１は、表示領域Ｅにおける１フレーム期間より長いことが好ましい。例えば、１フレーム期間が約１６ｍ秒である場合、第１逆掃引期間Ｔ１は、２０ｍ秒以上である。また、上記の説明では、第１逆掃引期間Ｔ１における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ１が－５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ１の絶対値は、通常駆動における画素Ｐの液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。言い換えれば、電位差Ｖｐ１の絶対値は、表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。第１逆掃引期間Ｔ１の長さと、電位差Ｖｐ１の絶対値とを上記のように設定する理由は後述する。
【0075】
上記の説明では、第１緩和期間Ｔ２における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ２が－１．２５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ２の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）液晶パネル１００において、ギャップが２．６μｍ程度のとき、液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈは約２．１Ｖである。なお、液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈは、液晶層５の透過率または明るさが、その最大階調比で約１０％となるような駆動電圧であり、より好ましくは、液晶分子が動きはじめる直前の電圧、または、液晶分子の配向状態が変化しだす直前の電圧である。本実施形態では、ノーマリーブラック型の液晶パネル１００としているために上記のような液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈを定義した。ノーマリーホワイト型の液晶パネル１００とする場合には、例えば、液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈは、液晶層５の透過率または明るさが、その最大階調比で約９０％となる駆動電圧のように定義できる。第１緩和期間Ｔ２における電位差Ｖｐ２の絶対値を上記のように設定する理由は後述する。
【0076】
第１充電期間Ｔ３は、表示領域Ｅにおける１フレーム期間より短いことが好ましい。例えば、１フレーム期間が約１６ｍ秒である場合、第１充電期間Ｔ３は、５ｍ秒である。また、上記の説明では、第１充電期間Ｔ３における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ３が＋１．２５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ３の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。第１充電期間Ｔ３の長さと、電位差Ｖｐ３の絶対値とを上記のように設定する理由は後述する。
【0077】
続いて、第２測定期間Ｔ２０に行われる第２測定処理について説明する。
第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、測定回路２００は、検出電極３０に第２電位Ｖ２を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１を供給する。第２逆掃引期間Ｔ５は、第５期間に相当する。
第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、測定回路２００は、検出電極３０に第２電位Ｖ２を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１を供給する。第２逆掃引期間Ｔ５は、第５期間に相当する。
【0078】
具体的には、第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路４５は、例えば＋５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力される。第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0079】
第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。これにより、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極３０に＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が第２電位Ｖ２として供給され、共通電極２１に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給される。その結果、図５に示すように、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極電位Ｖｄは＋５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは０Ｖとなる。また、図６に示すように、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ４は、＋５Ｖとなる。
【0080】
第２逆掃引期間Ｔ５後の第２緩和期間Ｔ６において、測定回路２００は、検出電極３０に第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。第２緩和期間Ｔ６は、第６期間に相当する。
【0081】
具体的には、第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路４５は、例えば＋２．５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力される。また、第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第３スイッチＳＷ３及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0082】
第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。これにより、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極３０に＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が第４電位Ｖ４として供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給される。その結果、図５に示すように、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極電位Ｖｄは＋２．５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ５は、＋１．２５Ｖとなる。
【0083】
第２緩和期間Ｔ６後の第２充電期間Ｔ７において、測定回路２００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。第２充電期間Ｔ７は、第７期間に相当する。
【0084】
具体的には、第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0085】
第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続され、共通電極２１は、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。これにより、第２充電期間Ｔ７において、検出電極３０に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給される。その結果、図５に示すように、第２充電期間Ｔ７において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第２充電期間７において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ６は、－１．２５Ｖとなる。
【0086】
第２充電期間Ｔ７後の第２放電期間Ｔ８において、測定回路２００は、検出電極３０への電位の供給を停止すると共に共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、少なくとも１回、例えば、第２放電期間Ｔ８の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。第２放電期間Ｔ８は、第８期間に相当する。
【0087】
具体的には、第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路４５は、第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３及び第５スイッチＳＷ５をオフ状態に制御する。
【0088】
第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０及び第１電位線Ｌ２のどちらからも電気的に切断され、共通電極２１は、第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。これにより、第２放電期間Ｔ８において、共通電極２１には＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給され続けるが、検出電極３０への電位供給が停止するため、液晶層５は、第２充電期間Ｔ７に充電された電荷を放電する。その結果、図５に示すように、第２放電期間Ｔ８において、検出電極電位Ｖｄは、第１電位Ｖ１から共通電極２１に与えられた第３電位Ｖ３に向かって緩やかに変化し、時刻ｔ９において電位Ｖｄ２に到達する。検出電極電位Ｖｄ２の値は、液晶層５に含まれる可動性イオンの量に依存する。従って、後述するように、第２放電期間Ｔ８の終了時の検出電極電位Ｖｄ２を測定することにより、液晶層５の劣化状況を判定することができる。
なお、図６に示すように、第２放電期間Ｔ８の終了時の検出電極電位Ｖｄ２は、共通電極２１を基準とする電位差Ｖｐ２０に対応する。
なお、図６に示すように、第２放電期間Ｔ８の終了時の検出電極電位Ｖｄ２は、共通電極２１を基準とする電位差Ｖｐ２０に対応する。
【0089】
中央制御回路４５は、例えば、第２放電期間Ｔ８が終了する時刻ｔ９における検出電極電位Ｖｄ２を測定する。具体的には、検出電極電位Ｖｄ２は増幅回路４３によって増幅され、増幅回路４３の出力がＡ／Ｄコンバーター４４に入力される。なお、測定回路２００の駆動電源電圧（例えば５Ｖ）を鑑みると大幅な増幅は困難である。例えば、Ｖｄ１として、＋２．５Ｖから０．１Ｖ降下した＋２．４Ｖを得た場合、設定可能な増幅率は２倍程度に限られる。一方、Ｖｄ２として、０Ｖから０．１Ｖ上昇した＋０．１Ｖを得た場合、可能な増幅率を２０倍以上とすることができる。従って、第２測定処理による検出電極電位Ｖｄ２を液晶層５の劣化判定に用いることが検出感度の観点で好ましい。中央制御回路４５は、時刻ｔ９にＡ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ２の測定値として取得する。中央制御回路４５は、時刻ｔ９に得られた検出電極電位Ｖｄ２の測定値を測定値記憶回路４６に記憶させる。
なお、上記の説明では、第１測定処理と第２測定処理の夫々において検出電極電位Ｖｄ（Ｖｄ１、Ｖｄ２）を測定するとしたが、少なくとも一方で測定が実施されていればよい。
なお、上記の説明では、第１測定処理と第２測定処理の夫々において検出電極電位Ｖｄ（Ｖｄ１、Ｖｄ２）を測定するとしたが、少なくとも一方で測定が実施されていればよい。
【0090】
以上が第２測定処理の説明である。
第２逆掃引期間Ｔ５は、表示領域Ｅにおける１フレーム期間より長いことが好ましい。例えば、１フレーム期間が約１６ｍ秒である場合、第２逆掃引期間Ｔ５は、２０ｍ秒以上である。また、上記の説明では、第２逆掃引期間Ｔ５における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ４が＋５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ４の絶対値は、通常駆動における画素Ｐの液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。言い換えれば、電位差Ｖｐ４の絶対値は、表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。第２逆掃引期間Ｔ５の長さと、電位差Ｖｐ４の絶対値とを上記のように設定する理由は後述する。
第２逆掃引期間Ｔ５は、表示領域Ｅにおける１フレーム期間より長いことが好ましい。例えば、１フレーム期間が約１６ｍ秒である場合、第２逆掃引期間Ｔ５は、２０ｍ秒以上である。また、上記の説明では、第２逆掃引期間Ｔ５における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ４が＋５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ４の絶対値は、通常駆動における画素Ｐの液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。言い換えれば、電位差Ｖｐ４の絶対値は、表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上であることが好ましい。第２逆掃引期間Ｔ５の長さと、電位差Ｖｐ４の絶対値とを上記のように設定する理由は後述する。
【0091】
上記の説明では、第２緩和期間Ｔ６における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ５が＋１．２５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ５の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。既に説明したように、例えば、液晶パネル１００がＶＡ液晶パネルである場合、ギャップが２．６μｍ程度のとき、液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈは約２．１Ｖである。第２緩和期間Ｔ６における電位差Ｖｐ５の絶対値を上記のように設定する理由は後述する。
【0092】
第２充電期間Ｔ７は、表示領域Ｅにおける１フレーム期間より短いことが好ましい。例えば、１フレーム期間が約１６ｍ秒である場合、第２充電期間Ｔ７は、５ｍ秒である。また、上記の説明では、第２充電期間Ｔ７における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ６が－１．２５Ｖである場合を例示したが、電位差Ｖｐ６の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さいことが好ましい。第２充電期間Ｔ７の長さと、電位差Ｖｐ６の絶対値とを上記のように設定する理由は後述する。
【0093】
図６から理解されるように、上記のような第１測定処理と第２測定処理とが交互に繰り返されることにより、検出電極３０の領域における液晶層５は交流駆動される。これにより、液晶層５の物性測定時において、液晶層５に直流電圧が印加されることに起因して液晶層５が劣化することを抑制できる。
【0094】
以下、図４に戻って説明を続ける。
既に述べたように、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。そして、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しい場合（ステップＳ１６：Ｙｅｓ）、後述のステップＳ１７に移行する。
既に述べたように、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。そして、中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しい場合（ステップＳ１６：Ｙｅｓ）、後述のステップＳ１７に移行する。
【0095】
なお、全ての測定処理が終了した後、例えば、中央制御回路４５は、＋５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力される。また、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第５スイッチＳＷ５をオン状態に制御し、第１スイッチＳＷ１、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。これにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第２給電回路４１の出力端子と電気的に接続される。その結果、＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が検出電極３０に供給され、＋５Ｖの第２電位Ｖ２が共通電極２１に供給される。
【0096】
ステップＳ１７では、表示情報生成回路４７は、測定値記憶回路４６に記憶された検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の測定値に基づいて、液晶層５の劣化状況を示す表示用データを作成する。そして、液晶パネル１００の通常駆動時に、中央制御回路４５は、表示情報生成回路４７が生成した表示データを、パネル制御回路を介して、液晶パネル１００の表示領域Ｅに表示する。なお、液晶層５の劣化状況の表示は、液晶パネル１００が寿命に近づいて、検出電極電位Ｖｄ１及びＶｄ２の測定値が、予め設定された閾値Ｖｄ＿ｔｈに達した時など、使用者への通知が必要な時にのみ行うようにしてもよい。
【0097】
また、液晶層５の劣化状況を示す表示は、後述するように液晶装置１０００を用いた投射型表示装置が行ってもよい。例えば、投射型表示装置が、ＲＧＢに対応した３個の液晶装置１０００を備えた３板式の投射型表示装置の場合は、液晶装置１０００が個別に、液晶層５の劣化状況を表示するのではなく、投射型表示装置が３個の液晶装置１０００の液晶パネル１００の劣化状況を統合して表示する構成としてもよい。
【0098】
ステップＳ１８では、中央制御回路４５は、測定結果に関するデータを、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置へ送信する。投射型表示装置は、液晶層５の劣化状況を示すデータに基づいて、例えば、音声装置や警告灯などの報知手段を用いた報知処理など必要な処理を行う。なお、ステップＳ１８は、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置の仕様によっては、省略することができる。
【0099】
液晶層５の劣化状況の測定結果は、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置の保全メニューからも表示させることができる。保全メニューは、例えば、投射型表示装置における設定メニューの一部として実装される。ステップＳ１０では、中央制御回路４５は、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置から、測定結果の表示指示コマンドを受信すると、ステップＳ１７に進み、測定結果を液晶パネル１００の表示領域Ｅに表示する。
【0100】
１．４．液晶パネル１００の使用時間と放電特性との関係の概要
図７は、液晶パネル１００の使用時間と放電特性との関係を示すグラフである。使用時間とは、例えば、累積の使用時間である。投射型表示装置では、例えば、累積の点灯時間に相当する。この累積の使用時間（点灯時間）を実験で検証するためには膨大な時間を必要とするので、実使用条件よりも入射光強度や温度を上げた連続加速試験を行った場合に得られるデータとして説明する。放電特性とは具体的には、例えば、図５に示される第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄの時間的な変化である。図７の縦軸は、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを示す。図７の横軸は、第１放電期間Ｔ４における時刻を示す。図７において、時刻ｔ４は、図５に示される時刻ｔ４、すなわち第１放電期間Ｔ４の開始時刻に対応する。また、図７において、時刻ｔ５は、図５に示される時刻ｔ５、すなわち第１放電期間Ｔ４の終了時刻に対応する。例えば、時刻ｔ５は、時刻ｔ４から１５０ｍｓ後の時刻である。従って、横軸を放電開始からの経過時間とするならば時刻ｔ４は０となり、時刻ｔ５は１５０となる。
図７は、液晶パネル１００の使用時間と放電特性との関係を示すグラフである。使用時間とは、例えば、累積の使用時間である。投射型表示装置では、例えば、累積の点灯時間に相当する。この累積の使用時間（点灯時間）を実験で検証するためには膨大な時間を必要とするので、実使用条件よりも入射光強度や温度を上げた連続加速試験を行った場合に得られるデータとして説明する。放電特性とは具体的には、例えば、図５に示される第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄの時間的な変化である。図７の縦軸は、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを示す。図７の横軸は、第１放電期間Ｔ４における時刻を示す。図７において、時刻ｔ４は、図５に示される時刻ｔ４、すなわち第１放電期間Ｔ４の開始時刻に対応する。また、図７において、時刻ｔ５は、図５に示される時刻ｔ５、すなわち第１放電期間Ｔ４の終了時刻に対応する。例えば、時刻ｔ５は、時刻ｔ４から１５０ｍｓ後の時刻である。従って、横軸を放電開始からの経過時間とするならば時刻ｔ４は０となり、時刻ｔ５は１５０となる。
【0101】
図７において、放電曲線Ｇ０は、液晶パネル１００の使用開始時、つまり、使用時間がゼロである使用時間ｈ０における放電曲線を示し、放電曲線Ｇ３は、液晶パネル１００が寿命に達する直前の使用時間ｈ３における放電曲線を示す。放電曲線Ｇ１は、液晶パネル１００の使用開始からの使用時間ｈ１が経過した時点での放電曲線を示し、放電曲線Ｇ２は、液晶パネル１００の使用開始からの使用時間ｈ２が経過した時点での放電曲線を示している。ここで、使用時間の関係は、ｈ０＜ｈ１＜ｈ２＜ｈ３である。
【0102】
各放電曲線において、時刻ｔ４における検出電極電位Ｖｄは、＋２．５Ｖに近しいが、時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ、すなわち検出電極電位Ｖｄ１は異なる。即ち、連続加速試験下では、試験経過と共に検出電極電位Ｖｄ１は低下していく挙動となる。
【0103】
このように、液晶パネル１００の使用時間が長くなるほど、時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１は低下する。これは、液晶パネル１００の使用時間に伴って、高強度光入射による化学反応によって液晶層５の可動性イオンが増加し、放電曲線を変化させた結果である。そして、本実施形態では、判定回路４５ａが、測定値記憶回路４６に記憶された検出電極電位Ｖｄ１の測定値に基づいて、液晶層５の劣化状況を判定する。
【0104】
図８は、液晶パネル１００の使用時間と時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１との関係を示したグラフである。縦軸は、時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１を示し、横軸は液晶パネル１００の使用時間である。
【0105】
図８に示すように、時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１の値は、液晶パネル１００の使用時間ｈ０、ｈ１、ｈ２、ｈ３の長さに応じて変化し、例えば、推移線Ｗ１に沿って推移する。典型的には使用時間の増加に伴って推移線Ｗ１が示す値は漸減していく。すなわち、検出電極電位Ｖｄ１は、Ｖｄ１＿ｈ０、Ｖｄ１＿ｈ１、Ｖｄ１＿ｈ２、Ｖｄ１＿ｈ３の順で徐々に低下していく。そして、推移線Ｗ１が示す値は、使用時間ｈ３を超えた辺りから、使用時間の増加に対して測定値Ｖｄ１の低下する割合が、急激に大きくなり、使用時間ｈ３を超えると、液晶層５の可動性イオン量が急激に増えて、液晶パネル１００が寿命に達する。このように推移線Ｗ１は、液晶パネル１００の使用時間に対して非線形的に変化する。そして、表示品位でも、使用時間ｈ３を超えて矢印ＡＲで示した時間以降では、表示画面上におけるシミ・ムラの発生が顕著になり、それに伴い輝度の低下も起きて、表示品位が低下することが確認されている。
【0106】
判定回路４５ａは、検出電極電位Ｖｄ１の測定値が、閾値Ｖｄ＿ｔｈより低下した場合に、液晶パネル１００の寿命が近いことを使用者ないし管理者に報知するように中央制御回路４５の制御プログラムが組まれている。あるいは後述するように、これまでの液晶パネル１００使用時間と、検出電極電位Ｖｄ１との関係を確認できる中央制御回路４５の制御プログラムが組まれている。
【0107】
なお、閾値Ｖｄ＿ｔｈと比較される検出電極電位Ｖｄ１の測定値は、複数の測定値の平均値でもよい。また、液晶パネル１００が使われる状況に応じて、閾値Ｖｄ＿ｔｈは変更してもよい。例えば、より高い表示品位が求められる場合、或いは液晶パネル１００のメンテナンスに時間がかかる場合には、早めに報知できるように、閾値Ｖｄ＿ｔｈを、使用時間ｈ２に対応する検出電極電位Ｖｄ１＿ｈ２に設定してもよい。
【0108】
また、判定回路４５ａは、第２放電期間Ｔ８の終了時に得られた検出電極電位Ｖｄ２の測定値に基づいて、液晶パネル１００の劣化状況を判定してもよい。この場合、第２放電期間Ｔ８の終了時に得られた検出電極電位Ｖｄ２の測定値と比較される閾値Ｖｄ＿ｔｈは、第１放電期間Ｔ４の終了時に得られた検出電極電位Ｖｄ１の測定値と比較される閾値Ｖｄ＿ｔｈと異なる値に設定されてもよい。
【0109】
１．５．第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５の作用効果
上記のように、本実施形態では、第１測定期間Ｔ１０の先頭に第１逆掃引期間Ｔ１が挿入され、第２測定期間Ｔ２０の先頭に第２逆掃引期間Ｔ５が挿入される。これにより、第１測定期間Ｔ１０の開始直後と、第２測定期間Ｔ２０の開始直後とのそれぞれにおいて、液晶層５に含まれる可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように可動性イオンの初期配置が整えられることにより、測定再現性を得られやすくなる。可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。
上記のように、本実施形態では、第１測定期間Ｔ１０の先頭に第１逆掃引期間Ｔ１が挿入され、第２測定期間Ｔ２０の先頭に第２逆掃引期間Ｔ５が挿入される。これにより、第１測定期間Ｔ１０の開始直後と、第２測定期間Ｔ２０の開始直後とのそれぞれにおいて、液晶層５に含まれる可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように可動性イオンの初期配置が整えられることにより、測定再現性を得られやすくなる。可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。
【0110】
第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５は、それぞれ、１フレーム期間よりも長いことが好ましい。例えば、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５は、それぞれ、２０ｍ秒以上である。これにより、液晶層５に含まれる可動性イオンのうち、移動度の小さい可動性イオンも効果的に初期配置できる。移動度の小さい可動性イオンは、液晶層５内を移動し難い。そのため、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５が通常のフレーム期間である場合には、移動度の小さい可動性イオンの初期配置を通常のフレーム期間内で制御することは困難である。このように移動度の小さい可動性イオンの初期配置を制御できない状態で測定値を得たとしても、十分な測定再現性を得られないことがある。
【0111】
図９は、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５の効果を示す図である。図９以降に示す詳細な実測データは、基本的には図６に示す電圧を液晶層５に印可して得た結果であり、第１逆掃引期間Ｔ１等の作用を説明する上で支障はない。図９は、第２逆掃引期間Ｔ５が２０ｍ秒のケースと、第２逆掃引期間Ｔ５が１００ｍ秒のケースと、第２逆掃引期間Ｔ５が５００ｍ秒のケースとのそれぞれについて、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果を示す。より詳細には、図９に示される結果は、液晶パネル１００の劣化試験の極初期において、上記３つのケースのそれぞれについて、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを１１倍に増幅して測定した結果である。
【0112】
図９において、横軸は、第２放電期間Ｔ８の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。第２放電期間Ｔ８は２００ｍ秒である。また、図９において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄの測定値を、Ａ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値で表している。この測定ではＡ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用し、測定値１０２３は約２．５Ｖに相当する。
【0113】
図９に示されるように、第２逆掃引期間Ｔ５が長いほど、第２放電期間Ｔ８の終了時の測定値が大きくなる。この理由は、第２測定期間Ｔ２０の先頭に第２逆掃引期間Ｔ５を挿入することにより、特に移動度の小さい可動性イオンが、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置された結果と考えられる。このような結果は、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５を長くすることにより、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行を感度良く追跡できることを示唆する。また、図９は連続加速試験の極初期における差異を例示したが、試験終盤の測定においても第２逆掃引期間Ｔ５の効果を確認できた。第２逆掃引期間Ｔ５が２０ｍ秒のケースと１００ｍ秒のケースとでは、明らかに放電特性が変化した。具体的には、第２逆掃引期間Ｔ５を１００ｍ秒とした場合、第２逆掃引期間Ｔ５を２０ｍ秒とした場合よりも検出電極電位Ｖｄの測定値が明らかに大きくなった。
【0114】
図１０は、液晶層５の電気特性図を示す。横軸は液晶層５への印可電圧であり、縦軸は電流である。この電気特性は、例えば、液晶層５に対して０．１Ｈｚの±５Ｖの三角波電圧を印可した際の電流を測定して得ることができる。この手法は一般的にはサイクリックボルタンメトリー（cyclic voltammetry）と呼ばれる測定方法である。図１０において符号Ａで示されるように、典型的には、可動性イオンによる電流は、液晶層５の充電電流に対して増分電流として出現し、比較的小さい電圧においてピーク電流を示す。このピーク電流は、液晶層５の劣化の進行に伴って、例えば破線で示されるような大きなピークとなって現れる。上記のような方法では、専用の精密測定機器を用いれば、可動性イオンの存在を定量的に評価できるが、液晶装置１０００を用いた投射型表示装置にこのような機能を実装することはコスト的に現実的ではない。しかるに本願の構成によれば、比較的簡便な回路構成で液晶層５の劣化状態を定量化できる。
【0115】
第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５において液晶層５に印加される電圧は、液晶パネル１００の通常駆動時の最大印可電圧以上であることが好ましい。言い換えれば、第１逆掃引期間Ｔ１における電位差Ｖｐ１の絶対値と、第２逆掃引期間Ｔ５における電位差Ｖｐ４の絶対値とは、それぞれ、液晶パネル１００の通常駆動時の最大印可電圧以上であることが好ましい。これにより、測定を実施する前の液晶パネル１００の表示状態の影響が抑制された状態で、測定を実施できる。検出電極３０は表示領域Ｅの外縁に沿っており、表示領域Ｅから基板面に沿って拡散してくる可動性イオンを観測している。ところで、各画素Ｐにおいて、可動性イオンの移動は駆動電圧によって制限を受け得る。つまり、可動性イオンが共通電極２１側に存在するのか、検出電極３０側に存在するのかは、画素Ｐの駆動電圧に依存し未制御である。しかるに第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極２１における液晶層５に印加される電圧を、各画素Ｐにおける通常駆動時の液晶層５に印可する最大印可電圧以上とすれば、通常駆動では動かしきれない可動性イオンを制御して初期配置できる。さらに第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５を１フレームよりも長くすれば、通常駆動時よりも可動性イオンの移動距離は長くなるので、初期配置に効果を奏す。第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５において液晶層５に印加される電圧は、液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈ以上の電圧であってもよい。
【0116】
図１１は、液晶層５の規格化透過率と印加電圧との関係を示す図である。液晶層５のギャップ及び液晶材料によって透過率の特性は異なるが、例えば、液晶パネル１００がノーマリーブラック型のＶＡ液晶パネルであり、液晶層５のギャップが約２．６μｍである場合、図１１に示すように、４Ｖ弱の電圧が印加されたときに、液晶層５の透過率は最大となる。従って、液晶パネル１００の通常駆動時の保持状態にある画素Ｐにおいて、液晶層５の最大印可電圧は、４Ｖ弱に設定される。この場合、例えば、液晶パネル１００の通常駆動時の１フレーム期間、換言すれば画素Ｐの極性保持期間に液晶層５の印可電圧の４Ｖ程度で動く可動性イオンが、共通電極２１及び検出電極３０のどちらに位置しているかは不明である。しかしながら、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５において、液晶パネル１００の通常駆動時の最大印可電圧以上の＋５Ｖの電圧を、１フレーム期間よりも長く液晶層５に印加することにより、４Ｖ程度で動く可動性イオンも、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。なお、上記の最大印可電圧はデータ線に供給される電位を観測すれば判る。例えば、共通電極２１を固定電位として表示駆動されている場合には、最大印可電圧は液晶パネル１００を最大階調表示とした際のデータ線供給電位の振幅のおよそ半値である。別の例では、共通電極２１の電位を表示極性に応じて反転駆動としている場合には、最大印可電圧は液晶パネル１００を最大階調表示とした際のデータ線供給電位の振幅とおよそ近しい。
【0117】
また、図９から、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５の効果があまり反映されない測定値を拾い上げることができる。具体的には、図９に示されるように、第２放電期間Ｔ８の開始時点から５０ｍ秒付近までの期間では、３つのケースのそれぞれで得られた測定値に差がほとんどない。つまり、第２放電期間Ｔ８には、第２放電期間Ｔ８の開始時点から５０ｍ秒付近までの第１ステージと、５０ｍ秒付近から第２放電期間Ｔ８の終了時点までの第２ステージとの２つのステージが存在する。第１ステージにおける測定値は、比較的移動度の大きい可動性イオンの挙動を反映しており、第２ステージにおける測定値は、比較的移動度の小さい可動性イオンの挙動を反映していると考察できる。
【0118】
従って、比較的移動度の大きい可動性イオンに焦点を当てる場合には、第１ステージにおける測定値を採用すればよい。一方、比較的移動度の小さい可動性イオンに焦点を当てる場合には、第２ステージにおいて異なる２つの時点に得られた測定値の差を採用すればよい。例えば、第２放電期間Ｔ８の開始時点から５０ｍ秒経過した時点に得られた測定値と、第２放電期間Ｔ８の終了時点に得られた測定値との差である。従って、測定値については、第１放電期間Ｔ４や第２放電期間Ｔ８の終了時の測定値でなくてもよい。
【0119】
１．６．第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６の効果
上記のように、本実施形態では、第１測定期間Ｔ１０において第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間に第１緩和期間Ｔ２が挿入され、第２測定期間Ｔ２０において第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間に第２緩和期間Ｔ６が挿入される。これにより、液晶層５の誘電異方性の影響を回避し、かつ集積した可動性イオンを動かさずに測定できる。
上記のように、本実施形態では、第１測定期間Ｔ１０において第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間に第１緩和期間Ｔ２が挿入され、第２測定期間Ｔ２０において第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間に第２緩和期間Ｔ６が挿入される。これにより、液晶層５の誘電異方性の影響を回避し、かつ集積した可動性イオンを動かさずに測定できる。
【0120】
上記のように、例えば、液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈは、２．１Ｖ程度である。つまり、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６において液晶層５に印加される電圧が、閾値電圧Ｖｔｈより小さければ、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制して測定できる。言い換えれば、第１緩和期間Ｔ２における電位差Ｖｐ２の絶対値と、第２緩和期間Ｔ６における電位差Ｖｐ５の絶対値とが、それぞれ、０Ｖより大きく、且つ閾値電圧Ｖｔｈより小さければ、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制して測定できる。換言すれば、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７において、移動度の大きい可動性イオンの移動を抑制することができる。また、小さい電圧で液晶層５の充放電を行うと、移動度の大きい可動性イオンを効率よく捕捉して測定できる。
【0121】
上記のように、本実施形態では、第１逆掃引期間Ｔ１から第１緩和期間Ｔ２に移行するときに、液晶層５の印加電圧は、極性が変わることなく、－５Ｖから－１．２５Ｖへ切り替えられる。また、第２逆掃引期間Ｔ５から第２緩和期間Ｔ６に移行するときに、液晶層５の印加電圧は、極性が変わることなく、＋５Ｖから＋１．２５Ｖへ切り替えられる。そのため、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６の長さは、液晶層５の応答時間を考慮して設定される。液晶層５の応答時間を考慮すると、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６は、１フレーム期間よりも長く設定されることが好ましい。例えば、第１緩和期間Ｔ２及び第２緩和期間Ｔ６は、２０ｍ秒、或いは５０ｍ秒等である。応答の早い液晶材料であれば、２０ｍ秒よりも短い値としてもよい。
【0122】
１．７．第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７の効果
基本的に、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７は、短いほうがよい。この理由は、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くすると、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなるからである。例えば、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７は、液晶パネル１００の通常駆動時の１フレーム期間より短いことが好ましい。
基本的に、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７は、短いほうがよい。この理由は、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くすると、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなるからである。例えば、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７は、液晶パネル１００の通常駆動時の１フレーム期間より短いことが好ましい。
【0123】
本実施形態では、測定回路２００によって、共通電極２１及び検出電極３０のそれぞれに供給される電位が制御される。共通電極２１に電気的に接続される第２コンデンサーＣ２は、比較的大きな容量値を有する。また、共通電極線Ｌ１には第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５が電気的に接続される。これら第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５のオン抵抗が大きい場合、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くすることが難しい。例えば、市販のスイッチＩＣでは、５Ｖ駆動時のオン抵抗は１ｋΩ程度である。例えば、第２コンデンサーＣ２の容量値が０．２μＦである場合、５τは１ｍ秒である。第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７の長さを５τ程度とし、検出電極電位Ｖｄを１０倍程度増幅する増幅回路４３を用いる場合、この時定数τは測定値に影響を与えてしまうほど大きい。
【0124】
一方、第１放電期間Ｔ４及び第２放電期間Ｔ８においては、検出電極３０と電気的に接続される第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のオフ抵抗を、充分に大きい値にする必要がある。これら第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のオフ抵抗が小さい場合、第１ノードＮ１の電位、すなわち検出電極電位Ｖｄの保持に影響を与えてしまう。また、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のオフ抵抗のばらつきが大きい場合、測定値に影響を与える可能性がある。
【0125】
そこで、本実施形態では、第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５のオン抵抗を小さくするために、例えば１５Ｖという比較的大きな第２電圧を第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５に与える構成を採用した。一方、本実施形態では、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のオフ抵抗を大きくするために、例えば５Ｖという比較的小さな第１電圧を第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２に与える構成を採用した。なお、５Ｖの第１電圧によって第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２を駆動することは、夫々のスイッチにおけるオン抵抗が大きくなることを意味する。しかし検出電極３０のノードに電気的に接続された第１コンデンサーＣ１は、共通電極２１のノードに電気的に接続された第２コンデンサーＣ２よりも容量値が小さいので時定数的には問題なく対応できる。
【0126】
なお、本実施形態では、液晶パネル１００の通常駆動時における共通電極２１の応答性を考慮し、第５スイッチＳＷ５にも、１５Ｖという比較的大きな第２電圧を与える構成を採用した。第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５として、例えば、市販されているスイッチＩＣを使用できる。すなわち、第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５として使用されるスイッチＩＣに、５Ｖ、あるいは１５Ｖの駆動電圧が与えられる。
【0127】
図１２は、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７の効果を示す図である。図１２は、第２充電期間Ｔ７が１ｍ秒のケースと、第２充電期間Ｔ７が５ｍ秒のケースとのそれぞれについて、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果を示す。より詳細には、液晶パネル１００の劣化試験の極初期において、上記２つのケースのそれぞれについて、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを１１倍に増幅して測定した結果である。
【0128】
図１２において、横軸は、第２放電期間Ｔ８の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。一例として、第２放電期間Ｔ８は２００ｍ秒である。また、図１２において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄの測定値を、Ａ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値で表している。この測定ではＡ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用し、測定値１０２３は約２．５Ｖに相当する。
【0129】
図１２に示されるように、第２充電期間Ｔ７が短いほど、第２放電期間Ｔ８の終了時の測定値が大きくなる。この理由は、第２充電期間Ｔ７が短縮されることで、第２充電期間Ｔ７中の可動性イオンの移動が抑制され、移動度の大きい可動性イオンの作用を効率的に反映した結果と考えられる。このような結果は、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くすることにより、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行を感度良く追跡できることを示唆する。
【0130】
なお、図１２に示される結果を詳細に観察すると、第２放電期間Ｔ８の開始時点から５０ｍ秒が経過した後は、２つのケースのそれぞれで得られた測定値は、互いにほぼ平行に移動しているように見える。つまり、前述したように、比較的移動度の大きい可動性イオンの作用によって、このような測定値の差が生じたものと考えられる。このように、第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５の長さと、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７が、測定値に及ぼす作用は異なる。
【0131】
１．８．液晶層５の劣化進行の追跡
図１３は、液晶層５の劣化の進行を追跡した結果を示す第１図である。図１４は、液晶層５の劣化の進行を追跡した結果を示す第２図である。詳細には、液晶パネル１００が約６５℃の条件になるように冷却しながら、１２Ｗ/Ｃｍ２の青色光を表示領域Ｅに所定時間照射する連続加速試験を行った。図１３及び図１４は、照射時間が０時間（初期）のケースと、照射時間が１６６時間のケースと、照射時間が３２６時間のケースとのそれぞれについて、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果を示す。また、図１３に示される結果は、第２逆掃引期間Ｔ５が５００ｍ秒に設定され、第２充電期間Ｔ７が１ｍ秒に設定された条件下で、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果である。図１４に示される結果は、第２逆掃引期間Ｔ５が１００ｍ秒に設定され、第２充電期間Ｔ７が５ｍ秒に設定された条件下で、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果である。
図１３は、液晶層５の劣化の進行を追跡した結果を示す第１図である。図１４は、液晶層５の劣化の進行を追跡した結果を示す第２図である。詳細には、液晶パネル１００が約６５℃の条件になるように冷却しながら、１２Ｗ/Ｃｍ２の青色光を表示領域Ｅに所定時間照射する連続加速試験を行った。図１３及び図１４は、照射時間が０時間（初期）のケースと、照射時間が１６６時間のケースと、照射時間が３２６時間のケースとのそれぞれについて、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果を示す。また、図１３に示される結果は、第２逆掃引期間Ｔ５が５００ｍ秒に設定され、第２充電期間Ｔ７が１ｍ秒に設定された条件下で、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果である。図１４に示される結果は、第２逆掃引期間Ｔ５が１００ｍ秒に設定され、第２充電期間Ｔ７が５ｍ秒に設定された条件下で、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果である。
【0132】
図１３及び図１４において、横軸は、第２放電期間Ｔ８の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。第２放電期間Ｔ８は２００ｍ秒である。また、図１３及び図１４において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄを１１倍に増幅した測定値を、Ａ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値で表している。この測定ではＡ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用し、測定値１０２３は約２．５Ｖに相当する。
【0133】
図１３及び図１４に示されるように、本実施形態によれば、液晶パネル１００に対する青色光の照射を開始してから、すなわち液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行を感度良く追跡できることがわかる。また、実験に使用された液晶パネル１００は、周辺回路等の電源配線等も実製品を反映して配置されているため、図１３及び図１４に示される実験結果は、検出電極３０の寄生容量による影響が加味された実験結果である。従って、図１３及び図１４に示される実験結果から、本実施形態の液晶装置１０００は、液晶層５の劣化進行を電圧値の変化として検知できる十分な実用性を備えていると言える。
【0134】
１．９．測定再現性の検証
図１５は、測定再現性を検証した結果を示す第１図である。図１６は、測定再現性を検証した結果を示す第２図である。詳細には、詳細には、図１５は図１３に示した実験において、連続加速試験が３２６時間経過した際に取得した結果である。同様に、図１６は図１４に示した実験において、連続加速試験が３２６時間経過した際に取得した結果である。図１５及び図１６は、それぞれの測定条件において、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを２回測定した結果を示す。図１５及び図１６において、測定１は、１回目の測定結果を示し、測定２は、２回目の測定結果を示す。２回目の測定は、１回目の測定から所定時間が経過した後に実施された。
図１５は、測定再現性を検証した結果を示す第１図である。図１６は、測定再現性を検証した結果を示す第２図である。詳細には、詳細には、図１５は図１３に示した実験において、連続加速試験が３２６時間経過した際に取得した結果である。同様に、図１６は図１４に示した実験において、連続加速試験が３２６時間経過した際に取得した結果である。図１５及び図１６は、それぞれの測定条件において、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを２回測定した結果を示す。図１５及び図１６において、測定１は、１回目の測定結果を示し、測定２は、２回目の測定結果を示す。２回目の測定は、１回目の測定から所定時間が経過した後に実施された。
【0135】
また、図１５に示される結果は、第２逆掃引期間Ｔ５が５００ｍ秒に設定され、第２充電期間Ｔ７が１ｍ秒に設定された条件下で、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果である。図１６に示される結果は、第２逆掃引期間Ｔ５が１００ｍ秒に設定され、第２充電期間Ｔ７が５ｍ秒に設定された条件下で、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定した結果である。
【0136】
図１５及び図１６において、横軸は、第２放電期間Ｔ８の放電開始からの時刻を示し、縦軸は、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄの測定値を示す。第２放電期間Ｔ８は２００ｍ秒である。また、図１５及び図１６において、縦軸は、検出電極電位Ｖｄを１１倍に増幅した測定値を、Ａ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値で表している。この測定ではＡ／Ｄコンバーター５２として、１０ビット仕様のＡ／Ｄコンバーターを使用し、測定値１０２３は約２．５Ｖに相当する。
【0137】
図１５及び図１６に示されるように、本実施形態によれば、充分な再現性を持って測定できていることがわかる。第１逆掃引期間Ｔ１及び第２逆掃引期間Ｔ５が無い場合、測定前に、液晶パネル１００の液晶層５に対して電気的に何をしていたかによって、このような測定再現性を得られない可能性がある。例えば、検出電極３０において±１．２５Ｖの充放電（＋１．２５Ｖで行う第１充電期間Ｔ３、第１放電期間Ｔ４、－１．２５Ｖで行う第２充電期間Ｔ７、第２放電期間Ｔ８）で構成される測定を行う場合、図１１の表示領域Ｅの電圧－透過率などの光学特性を測定する前後で測定値が変わってしまう現象が発生したりする。
【0138】
（第１実施形態の効果）
以上説明したように、第１実施形態の液晶装置１０００は、検出電極３０と、液晶層５と、液晶層５を介して検出電極３０に対向する共通電極２１と、検出電極３０と共通電極２１との夫々に電位を供給すると共に、検出電極３０の電位を測定する測定回路２００と、を備える。測定回路２００は、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高い第２電位Ｖ２を供給し、第１逆掃引期間Ｔ１後の第１緩和期間Ｔ２において、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高く且つ第２電位Ｖ２よりも低い第３電位Ｖ３を供給し、第１緩和期間Ｔ２後の第１充電期間Ｔ３において、検出電極３０に第３電位Ｖ３よりも高く且つ第２電位Ｖ２よりも低い第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、第１充電期間Ｔ３後の第１放電期間Ｔ４において、検出電極３０への電位の供給を停止し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
以上説明したように、第１実施形態の液晶装置１０００は、検出電極３０と、液晶層５と、液晶層５を介して検出電極３０に対向する共通電極２１と、検出電極３０と共通電極２１との夫々に電位を供給すると共に、検出電極３０の電位を測定する測定回路２００と、を備える。測定回路２００は、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高い第２電位Ｖ２を供給し、第１逆掃引期間Ｔ１後の第１緩和期間Ｔ２において、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１よりも高く且つ第２電位Ｖ２よりも低い第３電位Ｖ３を供給し、第１緩和期間Ｔ２後の第１充電期間Ｔ３において、検出電極３０に第３電位Ｖ３よりも高く且つ第２電位Ｖ２よりも低い第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、第１充電期間Ｔ３後の第１放電期間Ｔ４において、検出電極３０への電位の供給を停止し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
【0139】
上記のように、本実施形態では、第１充電期間Ｔ３及び第１放電期間Ｔ４の前に、第１逆掃引期間Ｔ１が挿入される。これにより、第１逆掃引期間Ｔ１において、液晶層５に含まれる可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置できる。例えば、陽イオンは、共通電極２１及び検出電極３０のうち負極性の電位が供給される電極に初期配置され、陰イオンは、共通電極２１及び検出電極３０のうち正極性の電位が供給される電極に初期配置される。このように第１充電期間Ｔ３が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第１放電期間Ｔ４に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行を感度良く追跡できる。
【0140】
また、本実施形態では、第１逆掃引期間Ｔ１と第１充電期間Ｔ３との間に第１緩和期間Ｔ２が挿入されることにより、第１逆掃引期間Ｔ１に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第１逆掃引期間Ｔ１から第１充電期間Ｔ３へ移行させることができる。これにより、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0141】
共通電極２１は、通常駆動時における電位安定化のために、０．１μＦ以上の容量値を有する安定化コンデンサーを備える構成が多用される。本実施形態では、共通電極２１の電位を切り替えるために汎用スイッチＩＣが用いられるが、そのオン抵抗は数ｋΩ程度となる場合がある。そのため、第１充電期間Ｔ３において、共通電極２１の電位を変化させると、電位変化量が大きいことが原因で、応答不足が発生し得る。従って、第１放電期間Ｔ４において共通電極２１の僅かな電位変動が継続し、主に液晶層５からなる結合容量により検出電極３０の電位測定値を変えてしまう。
【0142】
この点、本実施形態では、図５に示したように第１緩和期間Ｔ２、第１充電期間Ｔ３及び第１放電期間Ｔ４において、共通電極２１への供給電位が第３電位Ｖ３に固定される。なお、図５では第１緩和期間Ｔ２における共通電極２１の電位Ｖ２から電位Ｖ３への電位応答を表現して描いている。この電位応答は、共通電極２１への供給電位が電位Ｖ２から電位Ｖ３に変わった結果生じるものである。同様にして、第２緩和期間Ｔ６における共通電極２１の電位Ｖ１から電位Ｖ３への電位応答は、共通電極２１への供給電位が電位Ｖ１から電位Ｖ３に変わった結果生じるものである。従って、第１緩和期間Ｔ２（第２緩和期間Ｔ６）では共通電極２１への供給電位が第３電位Ｖ３に固定されると言える。共通電極２１の時定数そのものが短縮されるわけではないが、上記のように共通電極２１には定電位が供給され続けており、充電動作時には、検出電極３０との主に液晶層５からなる結合容量による僅かな電位変動しか受けない。その結果、共通電極２１の電位が所定の電位（Ｖ３）に回復するまでの緩和時間は短くなる。従って、充電完了までの時間が短縮され、充電開始から放電開始までの時間が短くなり、例えば、移動度の大きい可動性イオンの作用をより観測しやすくなる。言い換えれば、例えば、充電時間が５ｍｓ程である場合、高移動度イオンが充電期間中に移動してしまい、その作用を取り逃がす可能性があるが、本実施形態によれば、充電時間を１ｍｓ以下、例えば、２００μｓ程度まで短縮できるので高移動度イオンの観測に適したものにできる。なお、例えば、単純に、共通電極２１の電位を５Ｖに固定してしまうと、液晶層５に±５Ｖの電圧を印可するには１０Ｖの電圧をスイッチに与える必要が生じる。その場合、検出電極３０のホールド時にスイッチの漏れ電流が測定に悪影響を与える可能性がある。
【0143】
第１実施形態の液晶装置１０００は、表示領域Ｅに設けられた画素電極９ａをさらに備え、検出電極３０は、表示領域Ｅの外に設けられる。
検出電極３０が、表示領域Ｅの近傍で隣接しているので、表示領域Ｅで生じた可動性イオンを検知しやすくなる。従って、液晶層５の劣化に伴う可動性イオンの増加に対する感度を向上させることができる。
検出電極３０が、表示領域Ｅの近傍で隣接しているので、表示領域Ｅで生じた可動性イオンを検知しやすくなる。従って、液晶層５の劣化に伴う可動性イオンの増加に対する感度を向上させることができる。
【0144】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第１逆掃引期間Ｔ１は、通常駆動時の表示領域Ｅにおける１フレーム期間より長く、第１逆掃引期間Ｔ１における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ１の絶対値は、通常駆動時の表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上である。
このように、第１逆掃引期間Ｔ１を１フレーム期間より長く設定することにより、特に移動度の小さい可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第１逆掃引期間Ｔ１における電位差Ｖｐ１の絶対値、すなわち第１逆掃引期間Ｔ１に液晶層５に印加される電圧を、通常駆動時の表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
このように、第１逆掃引期間Ｔ１を１フレーム期間より長く設定することにより、特に移動度の小さい可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第１逆掃引期間Ｔ１における電位差Ｖｐ１の絶対値、すなわち第１逆掃引期間Ｔ１に液晶層５に印加される電圧を、通常駆動時の表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0145】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第１緩和期間Ｔ２における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ２の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第１緩和期間Ｔ２における電位差Ｖｐ２の絶対値、すなわち第１緩和期間Ｔ２に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
このように、第１緩和期間Ｔ２における電位差Ｖｐ２の絶対値、すなわち第１緩和期間Ｔ２に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0146】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第１充電期間Ｔ３は、通常駆動時の表示領域Ｅにおける１フレーム期間より短く、第１充電期間Ｔ３における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ３の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第１充電期間Ｔ３を１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第１充電期間Ｔ３における電位差Ｖｐ３の絶対値、すなわち第１充電期間Ｔ３に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制しながら、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを測定できる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
このように、第１充電期間Ｔ３を１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第１充電期間Ｔ３における電位差Ｖｐ３の絶対値、すなわち第１充電期間Ｔ３に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制しながら、第１放電期間Ｔ４における検出電極電位Ｖｄを測定できる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0147】
第１実施形態の液晶装置１０００において、測定回路２００は、第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極３０に第２電位Ｖ２を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１を供給し、第２逆掃引期間Ｔ５後の第２緩和期間Ｔ６において、検出電極３０に第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、第２緩和期間Ｔ６後の第２充電期間Ｔ７において、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、第２充電期間Ｔ７後の第２放電期間Ｔ８において、検出電極３０への電位の供給を停止し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
【0148】
上記のように、本実施形態では、第２充電期間Ｔ７及び第２放電期間Ｔ８の前に、第２逆掃引期間Ｔ５が挿入される。これにより、第２逆掃引期間Ｔ５において、液晶層５に含まれる可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように第２充電期間Ｔ７が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第２放電期間Ｔ８に得られる検出電極電位Ｖｄの測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行を感度良く追跡できる。
さらに、本実施形態によれば、液晶層５が交流駆動されるため、検出電極電位Ｖｄの測定時において、液晶層５に直流電圧が印加されることに起因して液晶層５が劣化することを抑制できる。
なお、本実施形態では第１測定処理にあたる第１測定期間Ｔ１０と、第２測定処理にあたる第２測定期間Ｔ２０を交互に実施するとしたが、液晶層５に対する影響が軽微であれば、第１測定期間Ｔ１０または第２測定期間Ｔ２０を単独で実施してもよい。あるいは第１測定期間Ｔ１０または第２測定期間Ｔ２０を繰り返して実施してもよい。
さらに、本実施形態によれば、液晶層５が交流駆動されるため、検出電極電位Ｖｄの測定時において、液晶層５に直流電圧が印加されることに起因して液晶層５が劣化することを抑制できる。
なお、本実施形態では第１測定処理にあたる第１測定期間Ｔ１０と、第２測定処理にあたる第２測定期間Ｔ２０を交互に実施するとしたが、液晶層５に対する影響が軽微であれば、第１測定期間Ｔ１０または第２測定期間Ｔ２０を単独で実施してもよい。あるいは第１測定期間Ｔ１０または第２測定期間Ｔ２０を繰り返して実施してもよい。
【0149】
本実施形態では、第２逆掃引期間Ｔ５と第２充電期間Ｔ７との間に第２緩和期間Ｔ６が挿入されることにより、第２逆掃引期間Ｔ５に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第２逆掃引期間Ｔ５から第２充電期間Ｔ７へ移行させることができる。これにより、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0150】
本実施形態では、図５に示したように第２緩和期間Ｔ６、第２充電期間Ｔ７及び第２放電期間Ｔ８において、共通電極２１への供給電位が第３電位Ｖ３に固定される。従って、充電完了までの時間が短縮され、充電開始から放電開始までの時間が短くなり、その結果、移動度の大きい可動性イオンの作用をより観測しやすくなる。
【0151】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第２逆掃引期間Ｔ５は、通常駆動時の表示領域Ｅにおける１フレーム期間より長く、第２逆掃引期間Ｔ５における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ４の絶対値は、通常駆動時の表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上である。
このように、第２逆掃引期間Ｔ５を１フレーム期間より長く設定することにより、特に移動度の小さい可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第２逆掃引期間Ｔ５における電位差Ｖｐ４の絶対値、すなわち第２逆掃引期間Ｔ５に液晶層５に印加される電圧を、通常駆動時の表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
このように、第２逆掃引期間Ｔ５を１フレーム期間より長く設定することにより、特に移動度の小さい可動性イオンを、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第２逆掃引期間Ｔ５における電位差Ｖｐ４の絶対値、すなわち第２逆掃引期間Ｔ５に液晶層５に印加される電圧を、通常駆動時の表示領域Ｅにおける液晶層５の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、共通電極２１及び検出電極３０のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0152】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第２緩和期間Ｔ６における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ５の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第２緩和期間Ｔ６における電位差Ｖｐ５の絶対値、すなわち第２緩和期間Ｔ６に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
このように、第２緩和期間Ｔ６における電位差Ｖｐ５の絶対値、すなわち第２緩和期間Ｔ６に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0153】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第２充電期間Ｔ７は、通常駆動時の表示領域Ｅにおける１フレーム期間より短く、第２充電期間Ｔ７における検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ６の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さい。
このように、第２充電期間Ｔ７を１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第２充電期間Ｔ７における電位差Ｖｐ６の絶対値、すなわち第２充電期間Ｔ７に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制しながら、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定できる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
このように、第２充電期間Ｔ７を１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第２充電期間Ｔ７における電位差Ｖｐ６の絶対値、すなわち第２充電期間Ｔ７に液晶層５に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層５の閾値電圧Ｖｔｈより小さく設定することにより、液晶層５の誘電異方性の影響を抑制しながら、第２放電期間Ｔ８における検出電極電位Ｖｄを測定できる。
従って、本実施形態によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネル１００の使用初期から、液晶層５の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0154】
第１実施形態の液晶装置１０００において、測定回路２００は、検出電極３０と電気的に接続される第１ノードＮ１と、共通電極２１と電気的に接続される共通電極線Ｌ１と、第１電位Ｖ１が印加される第１電位線Ｌ２と、第１ノードＮ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される第１コンデンサーＣ１と、共通電極線Ｌ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される第２コンデンサーＣ２と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、第３スイッチＳＷ３と、第４スイッチＳＷ４と、第５スイッチＳＷ５と、第１参照電圧Ｖｆ１に対応する第１測定電位Ｖｓ１を出力する第１給電回路４０と、第２電位Ｖ２を出力する第２給電回路４１と、第３電位Ｖ３を出力する第３給電回路４８と、第１参照電圧Ｖｓ１を第１給電回路４０に出力し、第１スイッチＳＷ１から第５スイッチＳＷ５を制御する中央制御回路４５と、第１ノードＮ１の電位を検出電極３０の電位として測定する電位測定回路（増幅回路４３及びＡ／Ｄコンバーター４４）と、を備える。
第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第３スイッチＳＷ３を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第４スイッチＳＷ４を介して第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第５スイッチＳＷ５を介して第２給電回路４１の出力端子と電気的に接続される。
上記の構成を有する測定回路２００を用いることにより、シンプルな回路構成で測定回路２００に要求される機能を実現できるとともに、検出電極３０の電位測定値に含まれるノイズ成分を低減することができる。
第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第３スイッチＳＷ３を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第４スイッチＳＷ４を介して第３給電回路４８の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第５スイッチＳＷ５を介して第２給電回路４１の出力端子と電気的に接続される。
上記の構成を有する測定回路２００を用いることにより、シンプルな回路構成で測定回路２００に要求される機能を実現できるとともに、検出電極３０の電位測定値に含まれるノイズ成分を低減することができる。
【0155】
第１実施形態の液晶装置１０００において、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、第１電圧（５Ｖ）によってオン状態に制御され、第３スイッチＳＷ３、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５は、第１電圧よりも高い第２電圧（１５Ｖ）によってオン状態に制御される。
このように、共通電極線Ｌ１と電気的に接続される第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５が、比較的高い第２電圧によってオン状態に制御されることにより、第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５のオン抵抗を小さくできるため、共通電極線Ｌ１の応答性を向上させることができ、且つ、検出電極３０からのリーク電流を抑制できる。
その結果、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。また、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、中央制御回路４５とは非一体型とすることが好ましい。例えば、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は集積回路チップＡとして実装され、中央制御回路４５は集積回路チップＢとして実装される。中央制御回路４５は高速で駆動される回路系を含む場合があり、発熱して高温化することがある。従って、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２を、中央制御回路４５とは非一体型とすれば、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２の高温化は低減され、各スイッチを通じたリーク電流は抑制される。その結果、第１放電期間Ｔ４や第２放電期間Ｔ８おける検出電極３０の電位変化は可動性イオンの作用がより支配的になり、より測定に適したものとなる。
このように、共通電極線Ｌ１と電気的に接続される第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５が、比較的高い第２電圧によってオン状態に制御されることにより、第３スイッチＳＷ３から第５スイッチＳＷ５のオン抵抗を小さくできるため、共通電極線Ｌ１の応答性を向上させることができ、且つ、検出電極３０からのリーク電流を抑制できる。
その結果、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。また、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、中央制御回路４５とは非一体型とすることが好ましい。例えば、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は集積回路チップＡとして実装され、中央制御回路４５は集積回路チップＢとして実装される。中央制御回路４５は高速で駆動される回路系を含む場合があり、発熱して高温化することがある。従って、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２を、中央制御回路４５とは非一体型とすれば、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２の高温化は低減され、各スイッチを通じたリーク電流は抑制される。その結果、第１放電期間Ｔ４や第２放電期間Ｔ８おける検出電極３０の電位変化は可動性イオンの作用がより支配的になり、より測定に適したものとなる。
【0156】
２．第２実施形態
以下、本発明の第２実施形態について説明する。以下に例示する各形態において、第１実施形態と共通の構成については、第１実施形態で使用した符号と同じ符号を付し、詳細な説明を適宜省略する。
以下、本発明の第２実施形態について説明する。以下に例示する各形態において、第１実施形態と共通の構成については、第１実施形態で使用した符号と同じ符号を付し、詳細な説明を適宜省略する。
【0157】
２．１．液晶装置２０００の構成の概要
図１７は、第２実施形態の液晶装置２０００の概略的な構成を示す説明図である。液晶装置２０００は、第１実施形態と同じ液晶パネル１００と、第１実施形態と異なる測定回路３００と、を備える。
図１７は、第２実施形態の液晶装置２０００の概略的な構成を示す説明図である。液晶装置２０００は、第１実施形態と同じ液晶パネル１００と、第１実施形態と異なる測定回路３００と、を備える。
【0158】
測定回路３００は、第１給電回路４０と、第４給電回路４９と、レベルシフター４２と、増幅回路４３と、Ａ／Ｄコンバーター４４と、中央制御回路４５と、測定値記憶回路４６と、表示情報生成回路４７と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、第３スイッチＳＷ３と、第４スイッチＳＷ４と、第１コンデンサーＣ１と、第２コンデンサーＣ２と、共通電極線Ｌ１と、第１電位線Ｌ２と、第１ノードＮ１と、を備える。
【0159】
共通電極線Ｌ１は、液晶パネル１００の第２電極接続端子１８ｂと電気的に接続される。つまり、共通電極線Ｌ１は、第２電極接続端子１８ｂを介して、共通電極２１と電気的に接続される。第１電位線Ｌ２は、液晶装置２０００内のデジタル回路系のグランドと１点で電気的に接続される。第１電位線Ｌ２は、第２コンデンサーＣ２を介して、共通電極線Ｌ１と電気的に接続される。つまり、第２コンデンサーＣ２は、共通電極線Ｌ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される。また、第１電位線Ｌ２は、液晶パネル１００のホルダー１１０と電気的に接続される。
【0160】
測定回路３００内における第１ノードＮ１は、液晶パネル１００の第１電極接続端子１８ａと電気的に接続される。つまり、第１ノードＮ１は、第１電極接続端子１８ａを介して、検出電極３０と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第１コンデンサーＣ１を介して、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。つまり、第１コンデンサーＣ１は、第１ノードＮ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される。
【0161】
第１スイッチＳＷ１の状態は、中央制御回路４５から出力される第１制御信号Ｓ１によって制御される。例えば、第１制御信号Ｓ１として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力され、論理「Ｈ」のときに第１スイッチＳＷ１はオン状態になる。第２スイッチＳＷ２の状態は、中央制御回路４５から出力される第２制御信号Ｓ２によって制御される。例えば、第２制御信号Ｓ２として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力され、論理「Ｈ」のときに第２スイッチＳＷ２はオン状態になる。つまり、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、第１電圧（５Ｖ）によってオン状態に制御される。
【0162】
共通電極線Ｌ１は、第３スイッチＳＷ３を介して、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第４スイッチＳＷ４を介して、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。
【0163】
第３スイッチＳＷ３の状態は、中央制御回路４５からレベルシフター４２を介して出力される第３制御信号Ｓ３によって制御される。例えば、第３制御信号Ｓ３として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力されるが、この論理信号は、レベルシフター４２によって、例えば、１５Ｖの振幅を有する論理信号に変換される。つまり、レベルシフター４２から１５Ｖの振幅を有する第３制御信号Ｓ３が出力され、論理「Ｈ」のときに第３スイッチＳＷ３はオン状態になる。
【0164】
第４スイッチＳＷ４の状態は、中央制御回路４５からレベルシフター４２を介して出力される第４制御信号Ｓ４によって制御される。例えば、第４制御信号Ｓ４として、５Ｖの振幅を有する論理信号が中央制御回路４５から出力されるが、この論理信号は、レベルシフター４２によって、例えば、１５Ｖの振幅を有する論理信号に変換される。つまり、レベルシフター４２から１５Ｖの振幅を有する第４制御信号Ｓ４が出力され、論理「Ｈ」のときに第４スイッチＳＷ４はオン状態になる。
上記のように、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４は、第１電圧（５Ｖ）よりも高い第２電圧（１５Ｖ）によってオン状態に制御される。
上記のように、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４は、第１電圧（５Ｖ）よりも高い第２電圧（１５Ｖ）によってオン状態に制御される。
【0165】
第１給電回路４０は、中央制御回路４５から出力される第１参照電圧Ｖｆ１に対応する第１測定電位Ｖｓ１を出力する。例えば、第１給電回路４０は、第１参照電圧Ｖｆ１と同じ極性及び絶対値を有する第１測定電位Ｖｓ１を出力する。すなわち、第１給電回路４０から出力される第１測定電位Ｖｓ１は、中央制御回路４５によって可変制御される。このような第１給電回路４０は、例えば、第１参照電圧Ｖｆ１が入力されるボルテージフォロワーによって実現できる。
【0166】
第４給電回路４９は、中央制御回路４５から出力される第２参照電圧Ｖｆ２に対応する第２測定電位Ｖｓ２を出力する。例えば、第４給電回路４９は、第２参照電圧Ｖｆ２と同じ極性及び絶対値を有する第２測定電位Ｖｓ２を出力する。すなわち、第４給電回路４９から出力される第２測定電位Ｖｓ２は、中央制御回路４５によって可変制御される。このような第４給電回路４９は、例えば、第２参照電圧Ｖｆ２が入力されるボルテージフォロワーによって実現できる。
【0167】
中央制御回路４５は、液晶層５の劣化状況の測定時において、測定回路３００に含まれる各回路を制御する。具体的には、中央制御回路４５は、第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力し、第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。中央制御回路４５は、第１制御信号Ｓ１を第１スイッチＳＷ１に出力するとともに、第２制御信号Ｓ２を第２スイッチＳＷ２に出力する。中央制御回路４５は、第３制御信号Ｓ３及び第４制御信号Ｓ４を、レベルシフター４２を介して、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４に出力する。このように、第２実施形態における中央制御回路４５は、第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力し、第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力し、第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御する制御回路に相当する。
【0168】
液晶パネル１００の通常駆動時において、中央制御回路４５は、＋５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力し、＋５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、通常駆動時において、第１給電回路４０から＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力され、第４給電回路４９から＋５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、通常駆動時において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御し、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。これにより、通常駆動時において、第１給電回路４０の出力端子は、検出電極３０と電気的に接続され、第４給電回路４９の出力端子は、共通電極２１と電気的に接続される。
【0169】
従って、通常駆動時において、＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が検出電極３０に供給され、＋５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が共通電極２１に供給される。つまり、通常駆動時において、検出電極３０の電位は、共通電極２１の電位と同じ＋５Ｖとなる。通常駆動時において、第４給電回路４９から出力される＋５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２は、コモン電位として使用される。
【0170】
また、通常駆動及び液晶層５の物性測定のいずれも行われない非動作時において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御し、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。これにより、非動作時において、検出電極３０及び共通電極２１は、それぞれ、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。従って、非動作時において、検出電極３０及び共通電極２１のそれぞれの電位は、第１電位Ｖ１、つまり０Ｖとなる。
なお、測定回路３００に含まれる回路のうち、上記で説明した回路以外の回路は、第１実施形態の測定回路２００に含まれる回路と同じである。
なお、測定回路３００に含まれる回路のうち、上記で説明した回路以外の回路は、第１実施形態の測定回路２００に含まれる回路と同じである。
【0171】
２．２．第２実施形態における第１測定処理及び第２測定処理の説明
第１実施形態と同様に、第２実施形態における中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。第２実施形態における第１測定処理及び第２測定処理の内容は、第１実施形態における第１測定処理及び第２測定処理の内容と異なる。これは、第２実施形態では、第２給電回路４１及び第３給電回路４８の代わりに第４給電回路４９が用いられるためである。検出電極３０と共通電極２１に対する電位制御は第１実施形態と同様である。
第１実施形態と同様に、第２実施形態における中央制御回路４５は、カウント値Ｋが上限値Ｋｍａｘと等しくなるまで、第１測定処理と第２測定処理とを交互に実行する。第２実施形態における第１測定処理及び第２測定処理の内容は、第１実施形態における第１測定処理及び第２測定処理の内容と異なる。これは、第２実施形態では、第２給電回路４１及び第３給電回路４８の代わりに第４給電回路４９が用いられるためである。検出電極３０と共通電極２１に対する電位制御は第１実施形態と同様である。
【0172】
以下では、図５及び図６を参照しながら、第２実施形態における第１測定処理及び第２測定処理について詳細に説明する。なお、リセット期間Ｔ０における測定回路３００の動作は、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【0173】
まず、第１測定期間Ｔ１０に行われる第１測定処理について説明する。
第１逆掃引期間Ｔ１において、測定回路３００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第２電位Ｖ２を供給する。
第１逆掃引期間Ｔ１において、測定回路３００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第２電位Ｖ２を供給する。
【0174】
具体的には、第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路４５は、例えば＋５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第４給電回路４９から＋５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0175】
第１逆掃引期間Ｔ１において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極３０に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給され、共通電極２１に＋５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が第２電位Ｖ２として供給される。その結果、図５に示すように、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋５Ｖとなる。また、図６に示すように、第１逆掃引期間Ｔ１において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ１は、－５Ｖとなる。
【0176】
第１逆掃引期間Ｔ１後の第１緩和期間Ｔ２において、測定回路３００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
【0177】
具体的には、第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路４５は、例えば＋１．２５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第４給電回路４９から＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0178】
第１緩和期間Ｔ２において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極３０に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が第３電位Ｖ３として供給される。その結果、図５に示すように、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第１緩和期間Ｔ２において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ２は、－１．２５Ｖとなる。
【0179】
第１緩和期間Ｔ２後の第１充電期間Ｔ３において、測定回路３００は、検出電極３０に第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
【0180】
具体的には、第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路４５は、例えば＋２．５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力し、＋１．２５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力され、第４給電回路４９から＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0181】
第１充電期間Ｔ３において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１充電期間Ｔ３において、検出電極３０に＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が第４電位Ｖ４として供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が第３電位Ｖ３として供給される。その結果、図５に示すように、第１充電期間Ｔ３において、検出電極電位Ｖｄは＋２．５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第１充電期間Ｔ３において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ３は、＋１．２５Ｖとなる。
【0182】
第１充電期間Ｔ３後の第１放電期間Ｔ４において、測定回路３００は、検出電極３０への電位の供給を停止すると共に共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、少なくとも１回、例えば、第１放電期間Ｔ４の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。
【0183】
具体的には、第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路４５は、＋１．２５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第４給電回路４９から＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路４５は、第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0184】
第１放電期間Ｔ４において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０及び第１電位線Ｌ２のどちらからも電気的に切断され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第１放電期間Ｔ４において、共通電極２１には＋１．２５Ｖの第３電位Ｖ３が供給され続けるが、検出電極３０への電位供給が停止するため、液晶層５は、第１充電期間Ｔ３に充電された電荷を放電する。その結果、図５に示すように、第１放電期間Ｔ４において、検出電極電位Ｖｄ１は、第４電位Ｖ４から共通電極２１に与えられた第３電位Ｖ３に向かって緩やかに変化し、時刻ｔ５において電位Ｖｄ１に到達する。
【0185】
中央制御回路４５は、例えば、第１放電期間Ｔ４が終了する時刻ｔ５における検出電極電位Ｖｄ１を測定する。具体的には、検出電極電位Ｖｄ１は増幅回路４３によって増幅され、増幅回路４３の出力がＡ／Ｄコンバーター４４に入力される。中央制御回路４５は、時刻ｔ５にＡ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ１の測定値として取得する。中央制御回路４５は、時刻ｔ５に得られた検出電極電位Ｖｄ１の測定値を測定値記憶回路４６に記憶させる。
【0186】
続いて、第２測定期間Ｔ２０に行われる第２測定処理について説明する。
第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、測定回路３００は、検出電極３０に第２電位Ｖ２を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１を供給する。
第１放電期間Ｔ４後の第２逆掃引期間Ｔ５において、測定回路３００は、検出電極３０に第２電位Ｖ２を供給し、共通電極２１に第１電位Ｖ１を供給する。
【0187】
具体的には、第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路４５は、例えば＋５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力される。第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオフ状態に制御する。
【0188】
第２逆掃引期間Ｔ５において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。これにより、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極３０に＋５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が第２電位Ｖ２として供給され、共通電極２１に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給される。その結果、図５に示すように、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極電位Ｖｄは＋５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは０Ｖとなる。また、図６に示すように、第２逆掃引期間Ｔ５において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ４は、＋５Ｖとなる。
【0189】
第２逆掃引期間Ｔ５後の第２緩和期間Ｔ６において、測定回路３００は、検出電極３０に第４電位Ｖ４を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
【0190】
具体的には、第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路４５は、例えば＋２．５Ｖの第１参照電圧Ｖｆ１を第１給電回路４０に出力し、＋１．２５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第１給電回路４０から＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が出力され、第４給電回路４９から＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路４５は、第２スイッチＳＷ２及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0191】
第２緩和期間Ｔ６において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ５を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極３０に＋２．５Ｖの第１測定電位Ｖｓ１が第４電位Ｖ４として供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が第３電位Ｖ３として供給される。その結果、図５に示すように、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極電位Ｖｄは＋２．５Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第２緩和期間Ｔ６において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ５は、＋１．２５Ｖとなる。
【0192】
第２緩和期間Ｔ６後の第２充電期間Ｔ７において、測定回路３００は、検出電極３０に第１電位Ｖ１を供給し、共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給する。
【0193】
具体的には、第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路４５は、＋１．２５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第４給電回路４９から＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路４５は、第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0194】
第２充電期間Ｔ７において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１電位線Ｌ２と電気的に接続され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第２充電期間Ｔ７において、検出電極３０に０Ｖの第１電位Ｖ１が供給され、共通電極２１に＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が第３電位Ｖ３として供給される。その結果、図５に示すように、第２充電期間Ｔ７において、検出電極電位Ｖｄは０Ｖとなり、共通電極電位Ｖｃは＋１．２５Ｖとなる。また、図６に示すように、第２充電期間７において、検出電極３０と共通電極２１との電位差Ｖｐ６は、－１．２５Ｖとなる。
【0195】
第２充電期間Ｔ７後の第２放電期間Ｔ８において、測定回路３００は、検出電極３０への電位の供給を停止すると共に共通電極２１に第３電位Ｖ３を供給し、少なくとも１回、例えば、第２放電期間Ｔ８の終了時に検出電極電位Ｖｄを測定する。
【0196】
具体的には、第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路４５は、＋１．２５Ｖの第２参照電圧Ｖｆ２を第４給電回路４９に出力する。これにより、第４給電回路４９から＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が出力される。また、第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路４５は、第４スイッチＳＷ４をオン状態に制御するとともに、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３をオフ状態に制御する。
【0197】
第２放電期間Ｔ８において、中央制御回路４５が、上記のように第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御することにより、検出電極３０は、第１給電回路４０及び第１電位線Ｌ２のどちらからも電気的に切断され、共通電極２１は、第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。これにより、第２放電期間Ｔ８において、共通電極２１には＋１．２５Ｖの第２測定電位Ｖｓ２が第３電位Ｖ３として供給され続けるが、検出電極３０への電位供給が停止するため、液晶層５は、第２充電期間Ｔ７に充電された電荷を放電する。その結果、図５に示すように、第２放電期間Ｔ８において、検出電極電位Ｖｄ１は、第１電位Ｖ１から共通電極２１に与えられた第３電位Ｖ３に向かって緩やかに変化し、時刻ｔ９において電位Ｖｄ２に到達する。
【0198】
中央制御回路４５は、例えば、第２放電期間Ｔ８が終了する時刻ｔ９における検出電極電位Ｖｄ２を測定する。具体的には、検出電極電位Ｖｄ２は増幅回路４３によって増幅され、増幅回路４３の出力がＡ／Ｄコンバーター４４に入力される。中央制御回路４５は、時刻ｔ９にＡ／Ｄコンバーター４４から出力されるデジタル値を、検出電極電位Ｖｄ２の測定値として取得する。中央制御回路４５は、時刻ｔ９に得られた検出電極電位Ｖｄ２の測定値を測定値記憶回路４６に記憶させる。
【0199】
（第２実施形態の効果）
第２実施形態の液晶装置２０００において、測定回路３００は、検出電極３０と電気的に接続される第１ノードＮ１と、共通電極２１と電気的に接続される共通電極線Ｌ１と、第１電位Ｖ１が印加される第１電位線Ｌ２と、第１ノードＮ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される第１コンデンサーＣ１と、共通電極線Ｌ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される第２コンデンサーＣ２と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、第３スイッチＳＷ３と、第４スイッチＳＷ４と、第１参照電圧Ｖｆ１に対応する第１測定電位Ｖｓ１を出力する第１給電回路４０と、第２参照電圧Ｖｆ２に対応する第２測定電位Ｖｓ２を出力する第４給電回路４９と、第１参照電圧Ｖｓ１を第１給電回路４０に出力し、第２参照電圧Ｖｓ２を第４給電回路４９に出力し、第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御する中央制御回路４５と、第１ノードＮ１の電位を検出電極３０の電位として測定する電位測定回路（増幅回路４３及びＡ／Ｄコンバーター４４）と、を備える。
第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第３スイッチＳＷ３を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第４スイッチＳＷ４を介して第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。
上記の構成を有する測定回路３００を用いることにより、第１実施形態の測定回路２００と比較して、よりシンプルな回路構成で測定回路３００に要求される機能を実現できるとともに、検出電極３０の電位測定値に含まれるノイズ成分を低減することができる。
第２実施形態の液晶装置２０００において、測定回路３００は、検出電極３０と電気的に接続される第１ノードＮ１と、共通電極２１と電気的に接続される共通電極線Ｌ１と、第１電位Ｖ１が印加される第１電位線Ｌ２と、第１ノードＮ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される第１コンデンサーＣ１と、共通電極線Ｌ１と第１電位線Ｌ２との間に電気的に接続される第２コンデンサーＣ２と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、第３スイッチＳＷ３と、第４スイッチＳＷ４と、第１参照電圧Ｖｆ１に対応する第１測定電位Ｖｓ１を出力する第１給電回路４０と、第２参照電圧Ｖｆ２に対応する第２測定電位Ｖｓ２を出力する第４給電回路４９と、第１参照電圧Ｖｓ１を第１給電回路４０に出力し、第２参照電圧Ｖｓ２を第４給電回路４９に出力し、第１スイッチＳＷ１から第４スイッチＳＷ４を制御する中央制御回路４５と、第１ノードＮ１の電位を検出電極３０の電位として測定する電位測定回路（増幅回路４３及びＡ／Ｄコンバーター４４）と、を備える。
第１ノードＮ１は、第１スイッチＳＷ１を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。第１ノードＮ１は、第２スイッチＳＷ２を介して第１給電回路４０の出力端子と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第３スイッチＳＷ３を介して第１電位線Ｌ２と電気的に接続される。共通電極線Ｌ１は、第４スイッチＳＷ４を介して第４給電回路４９の出力端子と電気的に接続される。
上記の構成を有する測定回路３００を用いることにより、第１実施形態の測定回路２００と比較して、よりシンプルな回路構成で測定回路３００に要求される機能を実現できるとともに、検出電極３０の電位測定値に含まれるノイズ成分を低減することができる。
【0200】
第２実施形態の液晶装置２０００において、第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、第１電圧（５Ｖ）によってオン状態に制御され、第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４は、第１電圧よりも高い第２電圧（１５Ｖ）によってオン状態に制御される。
このように、共通電極線Ｌ１と電気的に接続される第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４が、比較的高い第２電圧によってオン状態に制御されることにより、これらの各スイッチのオン抵抗を小さくできるため、共通電極線Ｌ１の応答性を向上させることができる。
その結果、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。また、共通電極線Ｌ１の応答性が改善することは共通電極２１の応答性の改善を意味するから、通常駆動時における表示性能を損なうことを抑制する。
このように、共通電極線Ｌ１と電気的に接続される第３スイッチＳＷ３及び第４スイッチＳＷ４が、比較的高い第２電圧によってオン状態に制御されることにより、これらの各スイッチのオン抵抗を小さくできるため、共通電極線Ｌ１の応答性を向上させることができる。
その結果、第１充電期間Ｔ３及び第２充電期間Ｔ７を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。また、共通電極線Ｌ１の応答性が改善することは共通電極２１の応答性の改善を意味するから、通常駆動時における表示性能を損なうことを抑制する。
【0201】
３．電子機器の概要
図１８は、本実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略構成図である。以下では、第１実施形態の液晶装置１０００を備えた電子機器として、投射型表示装置１００００を例に挙げて説明する。
図１８は、本実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略構成図である。以下では、第１実施形態の液晶装置１０００を備えた電子機器として、投射型表示装置１００００を例に挙げて説明する。
【0202】
投射型表示装置１００００は、３板式の投射型表示装置であって、光源としてのランプユニット１００１と、色分離光学系としてのダイクロイックミラー１０１１及び１０１２と、青色光Ｂに対応する液晶装置１０００Ｂと、緑色光Ｇに対応する液晶装置１０００Ｇと、赤色光Ｒに対応する液晶装置１０００Ｒと、３個の反射ミラー１１１１、１１１２及び１１１３と、３個のリレーレンズ１１２１、１１２２及び１１２３と、色合成光学系としてのダイクロイックプリズム１１３０と、投射光学系としての投射レンズ１１４０と、を備えている。投射光学系によって映像がスクリーン１２００に投影される。なお、リレーレンズ１１２１、１１２２及び１１２３と、反射ミラー１１１２及び１１１３とは、リレーレンズ系１１２０を構成する。
【0203】
また、投射型表示装置１００００は、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒから送信される液晶層５の劣化状況の測定データを受信し、受信した測定データに基づいて、所定の制御を行うパネル制御回路１２３０を備える。
【0204】
パネル制御回路１２３０は、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒから夫々の液晶層５の劣化状況のデータを受信すると、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒ毎に、液晶層５の劣化状況に関する表示情報を作成し、表示する。
【0205】
なお、パネル制御回路１２３０は、液晶層５の劣化状況の測定データに基づいて、液晶パネル１００の寿命が近いことをパイロットランプ１２４０の点灯によって報知することができる。例えば、青色に対応する液晶装置１０００Ｂの液晶パネル１００の寿命が近い場合は、青色のパイロットランプ１２４０を点灯する。また、パネル制御回路１２３０は、スピーカー１２５０を用いて、液晶パネル１００の液晶層５の劣化状態を音声で報知してよい。また、パネル制御回路１２３０は、液晶パネル１００の液晶層５の劣化状態を、リモートコントローラー１２６０または不図示の携帯端末の画面に報知してもよい。上記のように液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒへの表示以外に、液晶パネル１００の液晶層５の劣化状態を報知する手段を設けてもよい。
【0206】
また、パネル制御回路１２３０は、受信した測定データから液晶パネル１００の寿命が近いことを検知すると、液晶層５の劣化を遅らせるために、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒの制御に関する制御値を変更する。例えば、制御値を修正して、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒに照射するランプユニット１００１の輝度を下げる、或いは、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒの階調電圧をランプユニット１００１の輝度の低下に応じた電圧値に変える、などを行うことによって液晶パネル１００の使用可能時間の延長を図ることができる。
【0207】
【0208】
図１９において、スクリーン１２００に投射表示された設定メニュー画面Ｄ１の中から保全Ｍを選択すると、保全メニューが表示され、その中の液晶パネル１００の状態の表示を選択すると、パネル制御回路１２３０は、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒに対して、液晶層５の劣化状況の測定データの送信要求を送信し、受信した液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒの液晶層５の劣化状況の測定データに基づいて、図２０に示したような表示画面Ｄ２を表示する。
【0209】
図２０の表示画面Ｄ２は、液晶装置１０００Ｂの液晶層５の劣化状況を示す画面である。なお、液晶装置１０００Ｇ及び１０００Ｒの液晶層５の劣化状況を示す画面は、画面切り替えによって個別に表示されてもよい。
【0210】
表示画面Ｄ２には、液晶装置１０００Ｂの使用開始から現在までの測定値の履歴を示す推移線Ｗ２と、標準的使用条件下における予想推移線Ｗ３と、液晶パネル１００の寿命が近いことを示す閾値Ｖｄ＿ｔｈのラインが表示されている。なお、表示画面Ｄ２に、液晶装置１０００Ｇ及び１０００Ｒの情報も一緒に表示してもよい。推移線Ｗ２と予想推移線Ｗ３との比較によって、使用条件が想定より過酷であるかどうかを判断することができるから、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒに照射するランプユニット１００１の輝度を制限するなどの予防保全を施すことができる。そして、推移線Ｗ２が予想推移線Ｗ３に改善したら、ランプユニット１００１の輝度の制限を解除するようにしてもよい。
【0211】
測定値の履歴を示す推移線Ｗ２については、その変化トレンドを判別しやすくするために、複数の測定値を平均化して得ることのできる平滑線を表示できるようにしてもよい。また、測定値の履歴を示す推移線Ｗ２を示す以外に、単に測定値を数値として表示するようにしてもよい。このとき、測定値の表示色を閾値Ｖｄ＿ｔｈと照らし合わせて変化させてもよい。例えば、閾値Ｖｄ＿ｔｈより大きい状態では緑色で表示し、閾値Ｖｄ＿ｔｈに近づいたら黄色で表示し、閾値Ｖｄ＿ｔｈ以下になったら赤色で表示するようにしてもよい。
【0212】
また、測定値は任意の値で規格化した指標値として表示してもよい。この場合、例えば、第１放電期間Ｔ４に得られた測定値から指標値を計算すると、使用開始から間もない時期において表示される指標値は、例えば、「１」に近しい値である。この値は液晶層５の劣化の進行に応じて減少していく。典型的には投射型表示装置１００００の使用時間の増加に応じて減少傾向となる。
【0213】
あるいは百分率で表示するならば、例えば、「１００」に近しい値である。この値は液晶層５の劣化に応じて減少していく。典型的には投射型表示装置１００００の使用時間の増加に応じて減少傾向となる。あるいは、第２放電期間Ｔ８に得られた測定値から指標値を計算すると、使用開始から間もない時期において表示される指標値は、例えば、「０」に近しい値である。この値は液晶層５の劣化に応じて増加していく。典型的には投射型表示装置１００００の使用時間の増加に応じて増加傾向となる。このような指標値を用いて、液晶パネル１００の劣化状態を、例えば、棒グラフや、円グラフを用いて表示してもよい。
【0214】
パネル制御回路１２３０は、投射型表示装置１００００の電源をオンした場合、電源をオフした場合、および、保全メニューから液晶層５の劣化状況の測定を指示した場合、液晶層５の劣化状況の測定指示コマンドを、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒに送信する。図４のフローチャートのステップＳ１０で説明したように、液晶装置１０００Ｂ、１０００Ｇ及び１０００Ｒは、パネル制御回路１２３０から液晶層５の劣化状況の測定指示コマンドを受信すると、測定を開始する。
【0215】
一般的には、予防保全は機器を安定して稼働させるために、計画的なメンテナンスを施すことを意味する。その際の部品交換等の目安の決定には、部品の使用時間で区切る方法と、部品の劣化程度を評価する方法がある。本発明による液晶パネル１００を使用すれば、液晶パネル１００の液晶層５の劣化指標となる可動性イオンの増加状況を測定値として得ることができる。測定値の変化は、液晶パネル１００の表示異常が発現する前から感度良く観測できるので、予防保全を実施できる。また、多数の個体における測定値の推移の傾向と比較し、機械学習を用いた解析によって、シミ及びムラ等の発生しやすい測定値の挙動を察知して予兆保全を行うこともできる。
【0216】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本開示の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【0217】
第１実施形態では、液晶パネル１００と、液晶パネル１００の外部に設けられた測定回路２００と、を備える液晶装置１０００を例示したが、液晶パネル１００の内部に測定回路２００が設けられた構成を採用してもよい。すなわち、素子基板１０上に、データ線駆動回路２３及び走査線駆動回路２４等と共に測定回路２００が配置されてもよい。第２実施形態についても同様である。
【0218】
本実施形態では、電子機器として投射型表示装置１００００を例示したが、液晶装置１０００が適用される電子機器はこれに限定されない。例えば、液晶パネル１００から出る光を使ってレジン液を硬化させる３Ｄプリンター、ＨＵＤ（Head-Up Display）、ＨＭＤ（Head Mounted Display）、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ、液晶テレビなどの電子機器に適用されてもよい。例えば、液晶パネル１００を用いた３ＤプリンターにはＵＶ光を用いるものがあり、液晶パネル１００の劣化が課題である。液晶パネル１００の寿命到達が近いことに気づかずに造形を開始すると、造形途中からレジン液の硬化不良を生じ、造形が終わるまで気づかないことがあり得る。ここで本発明による液晶パネル１００を使用すれば、液晶パネル１００の劣化状態が判る。従って、造形を開始する前にレジン液の硬化不良等が発生することを事前に予期して、予防保全として液晶パネル１００を適切な時期に交換することができる。
【0219】
上記実施形態では、液晶装置１０００として、透過型の液晶装置を例示したが、液晶装置１０００としては、反射型の液晶装置またはＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）型の液晶装置としてもよい。
【0220】
〔本開示のまとめ〕
以下、本開示のまとめを付記する。
以下、本開示のまとめを付記する。
【0221】
（付記１）第１電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、を備え、前記測定回路は、第１期間において、前記第１電極に第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、前記第１期間後の第２期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、液晶装置。
【0222】
付記１に記載の液晶装置では、第３期間及び第４期間の前に、第１期間が挿入される。これにより、第１期間において、液晶層に含まれる可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように第３期間が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第４期間に得られる第１電極の電位の測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、第１電極、第２電極及び液晶層を有する液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行を感度良く追跡できる。
【0223】
付記１に記載の液晶装置では、第１期間と第３期間との間に第２期間が挿入されることにより、第１期間に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第１期間から第３期間へ移行させることができる。
従って、付記１に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
従って、付記１に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0224】
付記１に記載の液晶装置では、第２期間、第３期間、第４期間において、第２電極への供給電位が第３電位に固定される。第３期間における充電動作時には、第１電極から受ける僅かな電位変動しかないため、第２電極の電位が所定の電位に回復するまでの時間は短くなる。従って、充電完了までの時間が短縮され、充電開始から放電開始までの時間が短くなり、例えば、移動度の大きい可動性イオンの作用をより観測しやすくなる。言い換えれば、例えば、充電時間が５ｍｓ程である場合、高移動度イオンを取り逃がす可能性があるが、付記１に記載の液晶装置によれば、充電時間を１ｍｓ以下、例えば、２００μｓ程度まで短縮できる。
【0225】
（付記２）表示領域に設けられた画素電極をさらに備え、前記第１電極は、前記表示領域の外に設けられる、付記１に記載の液晶装置。
【0226】
付記２に記載の液晶装置によれば、第１電極が、表示領域の近傍で隣接しているので、表示領域で生じた可動性イオンを検知しやすくなる。従って、液晶層の劣化に伴う可動性イオンの増加に対する感度を向上させることができる。
【0227】
（付記３）前記第１期間は、前記表示領域における１フレーム期間より長く、前記第１期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、前記表示領域における前記液晶層の最大印加電圧以上である、付記２に記載の液晶装置。
【0228】
付記３のように、第１期間を表示領域における１フレーム期間より長く設定することにより、特に移動度の小さい可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第１期間における電位差の絶対値、すなわち第１期間に液晶層に印加される電圧を、表示領域における液晶層の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、付記３に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
また、第１期間における電位差の絶対値、すなわち第１期間に液晶層に印加される電圧を、表示領域における液晶層の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、付記３に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0229】
（付記４）前記第２期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、付記２または３に記載の液晶装置。
【0230】
付記４のように、第２期間における電位差の絶対値、すなわち第２期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、付記４に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
従って、付記４に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0231】
（付記５）前記第３期間は、前記表示領域における１フレーム期間より短く、前記第３期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、付記２から４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【0232】
付記５のように、第３期間を表示領域における１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第３期間における電位差の絶対値、すなわち第３期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制しながら、第４期間における第１電極の電位を測定できる。
従って、付記５に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
また、第３期間における電位差の絶対値、すなわち第３期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制しながら、第４期間における第１電極の電位を測定できる。
従って、付記５に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0233】
（付記６）前記測定回路は、前記第４期間後の第５期間において、前記第１電極に前記第２電位を供給し、前記第２電極に前記第１電位を供給し、前記第５期間後の第６期間において、前記第１電極に前記第４電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、前記第６期間後の第７期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、前記第７期間後の第８期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、付記２から５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【0234】
付記６に記載の液晶装置では、第７期間及び第８期間の前に、第５期間が挿入される。これにより、第５期間において、液晶層に含まれる可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置できる。このように第７期間が始まる前に、可動性イオンの初期配置が整えられることにより、第８期間に得られる第１電極の電位の測定値に関して測定再現性を得ることができる。また、可動性イオンによる内部電場の影響も測定値に反映されるので、可動性イオンの増加が測定値の変化として現れやすくなる。その結果、第１電極、第２電極及び液晶層を有する液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行を感度良く追跡できる。
さらに、付記６に記載の液晶装置では、液晶層が交流駆動されるため、第１電極の電位測定時において、液晶層に直流電圧が印加されることに起因して液晶層が劣化することを抑制できる。
さらに、付記６に記載の液晶装置では、液晶層が交流駆動されるため、第１電極の電位測定時において、液晶層に直流電圧が印加されることに起因して液晶層が劣化することを抑制できる。
【0235】
付記６に記載の液晶装置では、第５期間と第７期間との間に第６期間が挿入されることにより、第５期間に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第５期間から第７期間へ移行させることができる。
従って、付記６に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
従って、付記６に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0236】
付記６に記載の液晶装置では、第６期間、第７期間、第８期間において、第２電極への供給電位が第３電位に固定される。第７期間における充電動作時には、第１電極から受ける僅かな電位変動しかないため、第２電極の電位が所定の電位に回復するまでの時間は短くなる。従って、充電完了までの時間が短縮され、充電開始から放電開始までの時間が短くなり、例えば、移動度の大きい可動性イオンの作用をより観測しやすくなる。
【0237】
（付記７）前記第５期間は、前記表示領域における１フレーム期間より長く、前記第５期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、前記表示領域における前記液晶層の最大印加電圧以上である、付記６に記載の液晶装置。
【0238】
付記７のように、第５期間を表示領域における１フレーム期間より長く設定することにより、特に移動度の小さい可動性イオンを、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
また、第５期間における電位差の絶対値、すなわち第５期間に液晶層に印加される電圧を、表示領域における液晶層の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、付記７に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
また、第５期間における電位差の絶対値、すなわち第５期間に液晶層に印加される電圧を、表示領域における液晶層の最大印加電圧以上とすることにより、最大印加電圧程度で動く可動性イオンも、第１電極及び第２電極のいずれか一方に効果的に初期配置させることができる。
従って、付記７に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0239】
（付記８）前記第６期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、付記６または７に記載の液晶装置。
【0240】
付記８のように、第６期間における電位差の絶対値、すなわち第６期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制する効果が高まる。
従って、付記８に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
従って、付記８に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0241】
（付記９）前記第７期間は、前記表示領域における１フレーム期間より短く、前記第７期間における前記第１電極と前記第２電極との電位差の絶対値は、０Ｖより大きく、且つ前記液晶層の閾値電圧より小さい、付記６から８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【0242】
付記９のように、第７期間を表示領域における１フレーム期間より短く設定することにより、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えやすくなる。
また、第７期間における電位差の絶対値、すなわち第７期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制しながら、第８期間における第１電極の電位を測定できる。
従って、付記９に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
また、第７期間における電位差の絶対値、すなわち第７期間に液晶層に印加される電圧を、０Ｖより大きく、且つ液晶層の閾値電圧より小さく設定することにより、液晶層の誘電異方性の影響を抑制しながら、第８期間における第１電極の電位を測定できる。
従って、付記９に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0243】
（付記１０）第１電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との夫々に電位を供給すると共に、前記第１電極の電位を測定する測定回路と、を備え、前記測定回路は、第１期間において、前記第２電極に前記第１電位を供給し、前記第１電極に前記第１電位よりも高い第２電位を供給し、前記第１期間後の第２期間において、前記第２電極に前記第１電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第３電位を供給し、前記第１電極に前記第３電位よりも高く且つ前記第２電位よりも低い第４電位を供給し、前記第２期間後の第３期間において、前記第１電極に前記第１電位を供給し、前記第２電極に前記第３電位を供給し、前記第３期間後の第４期間において、前記第１電極への電位の供給を停止し、前記第２電極に前記第３電位を供給する、液晶装置。
【0244】
付記１０に記載の液晶装置では、第１期間と第３期間との間に第２期間が挿入されることにより、第１期間に初期配置された可動性イオンを移動させることなく、第１期間から第３期間へ移行させることができる。
従って、付記１０に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
従って、付記１０に記載の液晶装置によれば、より高い測定再現性を持って、液晶パネルの使用初期から、液晶層の劣化の進行をより感度良く追跡できる。
【0245】
付記１０に記載の液晶装置では、第２期間、第３期間、第４期間において、第２電極への供給電位が第３電位に固定される。第３期間における充電動作時には、第１電極から受ける僅かな電位変動しかないため、第２電極の電位が所定の電位に回復するまでの時間は短くなる。従って、充電完了までの時間が短縮され、充電開始から放電開始までの時間が短くなり、例えば、移動度の大きい可動性イオンの作用をより観測しやすくなる。言い換えれば、例えば、充電時間が５ｍｓ程である場合、高移動度イオンを取り逃がす可能性があるが、付記１０に記載の液晶装置によれば、充電時間を１ｍｓ以下、例えば、２００μｓ程度まで短縮できる。
【0246】
（付記１１）前記測定回路は、前記第１電極と電気的に接続される第１ノードと、前記第２電極と電気的に接続される第２電極線と、前記第１電位が印加される第１電位線と、前記第１ノードと前記第１電位線との間に電気的に接続される第１コンデンサーと、前記第２電極線と前記第１電位線との間に電気的に接続される第２コンデンサーと、第１スイッチと、第２スイッチと、第３スイッチと、第４スイッチと、第５スイッチと、第１参照電圧に対応する第１測定電位を出力する第１給電回路と、前記第２電位を出力する第２給電回路と、前記第３電位を出力する第３給電回路と、前記第１参照電圧を前記第１給電回路に出力し、前記第１スイッチから前記第５スイッチを制御する制御回路と、前記第１ノードの電位を前記第１電極の電位として測定する電位測定回路と、を備え、前記第１ノードは、前記第１スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、前記第１ノードは、前記第２スイッチを介して前記第１給電回路の出力端子と電気的に接続され、前記第２電極線は、前記第３スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、前記第２電極線は、前記第４スイッチを介して前記第３給電回路の出力端子と電気的に接続され、前記第２電極線は、前記第５スイッチを介して前記第２給電回路の出力端子と電気的に接続される、付記１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
【0247】
付記１１に記載の構成を備える測定回路を用いることにより、シンプルな回路構成で測定回路に要求される機能を実現できるとともに、検出電極の電位の測定値に含まれるノイズ成分を低減することができる。
【0248】
（付記１２）前記第１スイッチ及び前記第２スイッチは、第１電圧によって制御され、前記第３スイッチ、前記第４スイッチ及び第５スイッチは、前記第１電圧よりも高い第２電圧によって制御される、付記１１に記載の液晶装置。
【0249】
付記１２のように、第２電極線と電気的に接続される第３スイッチから第５スイッチが、比較的高い第２電圧によって制御されることにより、第３スイッチから第５スイッチのオン抵抗を小さくできるため、第２電極線の応答性を向上させることができ、且つ、第１電極からのリーク電流を抑制できる。
その結果、第３期間及び第７期間を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。
その結果、第３期間及び第７期間を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。
【0250】
（付記１３）前記測定回路は、前記第１電極と電気的に接続される第１ノードと、前記第２電極と電気的に接続される第２電極線と、前記第１電位が印加される第１電位線と、前記第１ノードと前記第１電位線との間に電気的に接続される第１コンデンサーと、前記第２電極線と前記第１電位線との間に電気的に接続される第２コンデンサーと、第１スイッチと、第２スイッチと、第３スイッチと、第４スイッチと、第１参照電圧に対応する第１測定電位を出力する第１給電回路と、第２参照電圧に対応する第２測定電位を出力する第４給電回路と、前記第１参照電圧を前記第１給電回路に出力し、前記第２参照電圧を前記第４給電回路に出力し、前記第１スイッチから前記第４スイッチを制御する制御回路と、前記第１ノードの電位を前記第１電極の電位として測定する電位測定回路と、を備え、前記第１ノードは、前記第１スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、前記第１ノードは、前記第２スイッチを介して前記第１給電回路の出力端子と電気的に接続され、前記第２電極線は、前記第３スイッチを介して前記第１電位線と電気的に接続され、前記第２電極線は、前記第４スイッチを介して前記第４給電回路の出力端子と電気的に接続される、付記１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
【0251】
付記１３に記載の構成を備える測定回路を用いることにより、付記１０に記載の測定回路と比較して、よりシンプルな回路構成で測定回路に要求される機能を実現できるとともに、検出電極の電位の測定値に含まれるノイズ成分を低減することができる。
【0252】
（付記１４）前記第１スイッチ及び前記第２スイッチは、第１電圧によって制御され、前記第３スイッチ及び前記第４スイッチは、前記第１電圧よりも高い第２電圧によって制御される、付記１３に記載の液晶装置。
【0253】
付記１４のように、第２電極線と電気的に接続される第３スイッチ及び第４スイッチが、比較的高い第２電圧によってオン状態に制御されることにより、第３スイッチ及び第４スイッチのオン抵抗を小さくできるため、第２電極線の応答性を向上させることができ、且つ、第１電極からのリーク電流を抑制できる。
その結果、第３期間及び第７期間を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。
その結果、第３期間及び第７期間を短くできるため、移動度の大きい可動性イオンの作用を測定値の変化として捕えることができるとともに、各スイッチ部品の特性バラツキが測定値に与える影響を抑制できる。
【0254】
（付記１５）付記１から付記１４のいずれか一つに記載の液晶装置を備える電子機器。
【符号の説明】
【0255】
１０００、２０００…液晶装置、１００…液晶パネル、２００、３００…測定回路、５…液晶層、３０…検出電極（第１電極）、２１…共通電極（第２電極）、４０…第１給電回路、４１…第２給電回路、４２…レベルシフター、４３…増幅回路（電位測定回路）、４４…Ａ／Ｄコンバーター（電位測定回路）、４５…中央制御回路（制御回路）、４８…第３給電回路、４９…第４給電回路、ＳＷ１…第１スイッチ、ＳＷ２…第２スイッチ、ＳＷ３…第３スイッチ、ＳＷ４…第４スイッチ、ＳＷ５…第５スイッチ、Ｃ１…第１コンデンサー、Ｃ２…第２コンデンサー、Ｌ１…共通電極線（第２電極線）、Ｌ２…第１電位線、Ｎ１…第１ノード、Ｔ１…第１逆掃引期間（第１期間）、Ｔ２…第１緩和期間（第２期間）、Ｔ３…第１充電期間（第３期間）、Ｔ４…第１放電期間（第４期間）、Ｔ５…第５逆掃引期間（第５期間）、Ｔ６…第２緩和期間（第６期間）、Ｔ７…第２充電期間（第７期間）、Ｔ８…第２放電期間（第８期間）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】