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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024142731
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】ＢＡＷフィルタ
(51)【国際特許分類】
H03H 9/54 20060101AFI20241003BHJP
H03H 9/17 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H03H9/54 Z
H03H9/17 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023055028
(22)【出願日】2023-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】青木 優津希
(72)【発明者】
【氏名】中村 大輔
(72)【発明者】
【氏名】圓岡 岳
(72)【発明者】
【氏名】坂田 浩一
(72)【発明者】
【氏名】小林 研都
(72)【発明者】
【氏名】中井 孝洋
【テーマコード（参考）】
5J108
【Ｆターム（参考）】
5J108AA02
5J108AA07
5J108BB07
5J108EE03
5J108EE13
5J108FF03
5J108FF05
5J108HH04
5J108KK02
(57)【要約】
【課題】音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上できるＢＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】本発明に係ＢＡＷフィルタは、支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超える。
【選択図】図１
【解決手段】本発明に係ＢＡＷフィルタは、支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、
前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、
前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、
前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、
前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超えるＢＡＷフィルタ。
前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、
前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、
前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、
前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超えるＢＡＷフィルタ。
【請求項2】
前記第４の電極の音響インピーダンスと前記周波数調整層の音響インピーダンスとの差が、３０×１０８Ｎ／ｍ２以下である請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
【請求項3】
前記連結用電極が、前記周波数調整層と接続される請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
【請求項4】
前記周波数調整層は、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇのうち何れか１つ以上の成分を含む請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
【請求項5】
前記第２の電極及び前記第４の電極は、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうち何れか１つ以上の成分を含む請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
【請求項6】
前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に、音響ミラー層を有し、
前記音響ミラー層は、高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層が交互に一対以上積層された積層体、又は前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に形成された空隙である請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
前記音響ミラー層は、高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層が交互に一対以上積層された積層体、又は前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に形成された空隙である請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＢＡＷフィルタに関する。
【背景技術】
【0002】
複数の弾性波共振子を接続することによって構成されたバルク弾性波（ＢＡＷ：Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタがある。ＢＡＷフィルタの弾性波共振子は、圧電体層と、圧電体層を積層方向に挟み込むように配置された２つの電極層とを備え、電極に電圧を印加することで、圧電体層を伝搬する弾性波を生じさせる。
【0003】
ＢＡＷフィルタとして、例えば、基板上に、Ｒｕ層及びＣｒ層の２層構造の下部電極膜と、ＡｌＮからなる圧電膜と、Ｒｕからなる上部電極膜とを備え、上部電極膜上の下部電極膜と対向する領域に、Ｔｉからなる第１の調整層と、ＳｉＯ２からなる第２の調整層を有する共振子を複数組み合わせたフィルタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００５－２８６９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１の共振子では、第１の調整層を構成するＴｉは高い抵抗率を有するため、フィルタの音響を損失する、という問題があった。また、上部電極膜を構成するＲｕ及び第２の調整層を構成するＳｉＯ２のような、音響インピーダンスが高い層の間に、第１の調整層を構成するＴｉのような音響インピーダンスが低い層が存在すると、音響散乱が生じ、フィルタ特性の劣化を引き起こす、という問題があった。
【0006】
本発明の一態様は、音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上できるＢＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係るＢＡＷフィルタの一態様は、
支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、
前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、
前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、
前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、
前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超えるＢＡＷフィルタである。
支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、
前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、
前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、
前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、
前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超えるＢＡＷフィルタである。
【発明の効果】
【0008】
本発明に係るＢＡＷフィルタの一態様は、音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施形態に係るＢＡＷフィルタの回路構成の一例を示す図である。
【図2】本発明の実施形態に係るＢＡＷフィルタの構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図3】ＢＡＷフィルタにおける音響散乱を示す説明図である。
【図4】周波数と透過率との関係の一例を示す図である。
【図5】ＢＡＷフィルタにおける運動エネルギーのロスを示す説明図である。
【図6】ＢＡＷフィルタの他の構成の一例を示す概略断面図である。
【図7】ＢＡＷフィルタの他の構成の一例を示す概略断面図である。
【図8】実施例１及び比較例１のフィルタ特性の算出結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。なお、説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の符号を付して、重複する説明は省略する。また、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。本明細書において数値範囲を示す「～」は、別段の断わりがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
【0011】
＜ＢＡＷフィルタ＞
図１は、本実施形態に係るＢＡＷフィルタの回路構成の一例を示す図である。図１に示すように、ＢＡＷフィルタ１Ａは、フィルタ回路に、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２とを結ぶ第１経路ｒ１上に直列に配置された直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍ（ｎは２以上の自然数）と、第１経路ｒ１と基準電位とを結ぶ経路上に配置された並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎ（ｍは１以上の自然数）とを備える。
図１は、本実施形態に係るＢＡＷフィルタの回路構成の一例を示す図である。図１に示すように、ＢＡＷフィルタ１Ａは、フィルタ回路に、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２とを結ぶ第１経路ｒ１上に直列に配置された直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍ（ｎは２以上の自然数）と、第１経路ｒ１と基準電位とを結ぶ経路上に配置された並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎ（ｍは１以上の自然数）とを備える。
【0012】
また、ＢＡＷフィルタ１Ａは、第１端子Ｔ１と直列共振子Ｓ１１との経路上に配置されたインダクタＬ１と、直列共振子Ｓ１１ｎと第２端子Ｔ２との経路と基準電位とを結ぶ経路上に配置されたインダクタＬ２とを備える。
【0013】
なお、直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍの数や並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎの数は所望のフィルタ特性に応じて適宜増減させてよい。また、直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍと並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎとの間隔等も適宜自由に設定してよい。
【0014】
図２は、本実施形態に係るＢＡＷフィルタの構成の一例を模式的に示す断面図である。図２に示すように、ＢＡＷフィルタ１Ａは、支持基材１０、複数の弾性波共振子２０及び連結用電極３０を、支持基材１０側からこの順に積層して備える。弾性波共振子２０は、複数の直列共振子Ｓ１１ｎと、複数の並列共振子Ｐ１１ｎとを有する。ＢＡＷフィルタ１Ａは、シート状（フィルム状）等、任意の形状に形成されてよい。
【0015】
本実施形態では、弾性波共振子２０は、複数の直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍが直列に接続され、複数の並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎが並列に接続されていれば、これらの配置等は特に限定されない。複数の直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍが入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に直列に配置され、複数の並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎが第１経路と基準電位とを結ぶ第２経路上に配置されれば、直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍ及び並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎの数及び配置等は特に限定されない。
【0016】
また、本実施形態では、弾性波共振子２０は、直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍと並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎとを共通の材料を用いて一体に形成されているが、それぞれ、別体で形成されてもよい。
【0017】
なお、本明細書では、３軸方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向）の３次元直交座標系を用い、ＢＡＷフィルタ１Ａの幅方向をＸ軸方向とし、長さ方向をＹ軸方向とし、高さ（厚さ）方向（垂直方向）をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向の第２の電極２２Ｂ側を＋Ｚ軸方向とし、支持基材１０側を－Ｚ軸方向とする。以下の説明において、説明の便宜上、＋Ｚ軸方向を上又は上方といい、－Ｚ軸方向を下又は下方と称すが、普遍的な上下関係を表すものではない。
【0018】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎを構成する第４の電極２２Ｄと、連結用電極３０との間に周波数調整層２５を設け、周波数調整層２５の音響インピーダンスを第４の電極２２Ｄの音響インピーダンス未満とし、かつ連結用電極３０の音響インピーダンスを超える大きさとする。これにより、ＢＡＷフィルタ１Ａは、第４の電極２２Ｄ、周波数調整層２５及び連結用電極３０の音響インピーダンスをこの順に小さくなるようにグラデーションを付ける。ＢＡＷフィルタ１Ａは、並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎの圧電体層２３で生じた振動が第４の電極２２Ｄから連結用電極３０を通る際にこれらの界面で生じる音響散乱を抑えることができるため、圧電体層２３から連結用電極３０に伝えられるエネルギーの減衰を小さく抑え、フィルタ特性を向上させることができる。
【0019】
［支持基材］
支持基材１０は、図１に示すように、音響ミラー層２１、弾性波共振子２０及び連結用電極３０の積層体が設置される基板であり、ＢＡＷフィルタ１Ａに屈曲性を与えられるように、可撓性を有してよい。
支持基材１０は、図１に示すように、音響ミラー層２１、弾性波共振子２０及び連結用電極３０の積層体が設置される基板であり、ＢＡＷフィルタ１Ａに屈曲性を与えられるように、可撓性を有してよい。
【0020】
支持基材１０を形成する材料としては、積層体を安定して支持することができれば、特に種類を問わず、任意の材料を用いることができ、例えば、金属箔、金属板、シリコン（Ｓｉ）基板、無機誘電体基材、ガラス基材等を用いてもよい。
【0021】
金属箔を形成する材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｃｕ等の金属を用いてよい。
【0022】
金属板を形成する材料としては、例えば、アルミニウム、銅、ステンレス、タンタル等を用いてよい。
【0023】
無機誘電体基材を形成する材料としては、例えば、ＭｇＯ、サファイア等を用いてよい。
【0024】
支持基材１０の厚さは、特に限定されず、ＢＡＷフィルタ１Ａの用途、支持基材１０の材料等に応じて適宜決定してよく、例えば、２０μｍ～７２５μｍとしてもよい。支持基材１０の厚さが２０μｍ～７２５μｍであれば、音響ミラー層２１、第１の電極２２Ａ、圧電体層２３及び第２の電極２２Ｂの積層体を含む積層体を安定して支持できる。
【0025】
本明細書において、支持基材１０の厚さとは、支持基材１０の主面に垂直な方向の長さをいう。支持基材１０の厚さの測定方法は、特に限定されず、任意の測定方法を用いることができる。支持基材１０の厚さは、例えば、支持基材１０の断面において、任意の場所を測定した時の厚さとしてもよいし、任意の場所で数カ所測定し、これらの測定値の平均値としてもよい。以下、厚さの定義は、他の部材でも同様に定義する。
【0026】
［弾性波共振子２０］
弾性波共振子２０は、図１に示すように、支持基材１０の上方の主面（上面）１０１に設けられ、音響ミラー層２１、電極２２と、圧電体層２３とを備える。電極２２は、第１の電極２２Ａと、第２の電極２２Ｂ、第３の電極２２Ｃ及び第４の電極２２Ｄを有する。
弾性波共振子２０は、図１に示すように、支持基材１０の上方の主面（上面）１０１に設けられ、音響ミラー層２１、電極２２と、圧電体層２３とを備える。電極２２は、第１の電極２２Ａと、第２の電極２２Ｂ、第３の電極２２Ｃ及び第４の電極２２Ｄを有する。
【0027】
弾性波共振子２０は、第１の電極２２Ａの上方の主面（上面）２２１Ａ及び側面２２２Ａと、第３の電極２２Ｃの上方の主面（上面）２２１Ｃ及び側面２２２Ｃを被覆するように圧電体層２３を設け、圧電体層２３の上方の主面（上面）２３１に第２の電極２２Ｂ及び第４の電極２２Ｄを設けている。なお、弾性波共振子２０は、第１の電極２２Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ａ及び２２１Ｃに圧電体層２３を積層し、第１の電極２２Ａと、圧電体層２３と、第２の電極２２Ｂとをこの順に積層して備えてもよい。
【0028】
第１の電極２２Ａと第２の電極２２Ｂは、圧電体層２３を介して、向き合う位置に配置され、第１の電極２２Ａと第２の電極２２Ｂは、圧電体層２３を介して、向き合う位置に配置されている。
【0029】
弾性波共振子２０は、直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍ（ｍは２以上の自然数）及び並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎ（ｎは１以上の自然数）を有する。
【0030】
直列共振子Ｓ１ｍは、音響ミラー層２１、第１の電極２２Ａ、圧電体層２３及び第２の電極２２Ｂをこの順に厚さ方向に積層して備える。
【0031】
並列共振子Ｐ１ｎは、音響ミラー層２１、第３の電極２２Ｃ、圧電体層２３、第４の電極２２Ｄ及び周波数調整層２５をこの順に厚さ方向に積層して備える。
【0032】
弾性波共振子２０の各構成について説明する。
【0033】
（音響ミラー層）
音響ミラー層２１は、図１に示すように、支持基材１０の上面１０１に設けられる。音響ミラー層２１は、固有音響インピーダンスが異なる音響多層膜で構成されてよい。音響ミラー層２１は、所定の固有音響インピーダンスを有する高音響インピーダンス層と、高音響インピーダンス層よりも固有音響インピーダンスの低い低音響インピーダンス層とが、交互に２組以上積層された多層膜である。
音響ミラー層２１は、図１に示すように、支持基材１０の上面１０１に設けられる。音響ミラー層２１は、固有音響インピーダンスが異なる音響多層膜で構成されてよい。音響ミラー層２１は、所定の固有音響インピーダンスを有する高音響インピーダンス層と、高音響インピーダンス層よりも固有音響インピーダンスの低い低音響インピーダンス層とが、交互に２組以上積層された多層膜である。
【0034】
音響ミラー層２１に共振振動が伝えられると、共振の振動エネルギーは音響ミラー層２１で反射される。振動の波（弾性波）が高音響インピーダンス層を伝搬する速度と、低音響インピーダンス層を伝搬する速度は異なる。音響ミラー層２１を構成する各層の界面で、干渉により反射波は強め合うように、膜厚を設計することで、共振の振動エネルギーを、支持基材１０の影響を受けずに弾性波の入射方向に戻しつつ、熱エネルギーを支持基材１０の方向に逃がす。
【0035】
高音響インピーダンス層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ等、密度又は体積弾性率が高い材料で形成される。低音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層よりも密度又は体積弾性率が低い材料で形成される。
【0036】
低音響インピーダンス層は、ＳｉＯ２等の密度又は体積弾性率が低い材料で形成される。低音響インピーダンス層はアモルファス層、又はアモルファスが支配的な層であってもよい。低音響インピーダンス層をアモルファスが支配的な層とすることで、高音響インピーダンス層での応力を緩和することもできる。
【0037】
高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層は、支持基材１０上にスパッタリング等で形成してよい。
【0038】
（電極）
電極２２は、第１の電極２２Ａと、第２の電極２２Ｂ、第３の電極２２Ｃ及び第４の電極２２Ｄを有する。
電極２２は、第１の電極２２Ａと、第２の電極２２Ｂ、第３の電極２２Ｃ及び第４の電極２２Ｄを有する。
【0039】
（（第１の電極））
第１の電極２２Ａは、図２に示すように、音響ミラー層２１の上方の主面（上面）２１１に設けられる。第１の電極２２Ａは、音響ミラー層２１の一部に薄膜状に形成される。
第１の電極２２Ａは、図２に示すように、音響ミラー層２１の上方の主面（上面）２１１に設けられる。第１の電極２２Ａは、音響ミラー層２１の一部に薄膜状に形成される。
【0040】
第１の電極２２Ａは、導電性を有する任意の材料を用いることができる。前記材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｒｂ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｉｒ、Ｔａ及びＷ等の金属、これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【0041】
第１の電極２２Ａと圧電体層２３の間の界面の凹凸や結晶粒界を抑制する観点からは、第１の電極２２Ａは非晶質の膜としてもよい。非晶質の膜とすることで、第１の電極２２Ａの表面の凹凸や、リークパスの要因となる結晶粒界の生成を抑制できる。
【0042】
第１の電極２２Ａの厚さは、適宜設計可能であり、例えば、４０ｎｍ～３００ｎｍとしてもよい。第１の電極２２Ａの厚さが４０ｎｍ～３００ｎｍであれば、第１の電極２２Ａは電極としての機能を発現できると共に、ＢＡＷフィルタ１Ａの薄膜化を図ることができる。
【0043】
（（第２の電極））
第２の電極２２Ｂは、図２に示すように、圧電体層２３の上方の主面（上面）２３１に設けられ、第１の電極２２Ａと対向するように配置されている。即ち、第２の電極２２Ｂは、圧電体層２３の上面２３１に、圧電体層２３を介して、第１の電極２２Ａと向き合う位置にそれぞれ配置されている。
第２の電極２２Ｂは、図２に示すように、圧電体層２３の上方の主面（上面）２３１に設けられ、第１の電極２２Ａと対向するように配置されている。即ち、第２の電極２２Ｂは、圧電体層２３の上面２３１に、圧電体層２３を介して、第１の電極２２Ａと向き合う位置にそれぞれ配置されている。
【0044】
第２の電極２２Ｂは、導電性を有する任意の材料で形成することができ、第１の電極２２Ａと同様の材料、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｒｂ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｉｒ、Ｔａ及びＷ等の金属、これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、第２の電極２２Ｂの音響インピーダンスを高め、圧電体層２３の振動により生じる運動エネルギーの閉じ込め効果を効果的に発揮させる点から、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＲｕが好ましい。ＢＡＷフィルタを構成する電極、圧電体層等に一般に用いられる金属等の音響インピーダンスを表１に示す。
【0045】
【表1】
【0046】
表１より、第２の電極２２Ｂの音響インピーダンスが上記の好ましい範囲内であれば、第２の電極２２Ｂは、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＲｕを用いて形成し、圧電体層２３の振動により生じる運動エネルギーの閉じ込め効果を効果的に発揮させることができる。
【0047】
第２の電極２２Ｂは、第１の電極２２Ａと同様、圧電体層２３の一部又は全面に薄膜状に形成されてもよいし、適宜任意の形状に形成してもよい。
【0048】
第２の電極２２Ｂの厚さは、適宜設計可能であり、例えば、２０ｎｍ～３００ｎｍが好ましい。第２の電極２２Ｂの厚さが上記の好ましい範囲内であれば、電極としての機能が発現できると共に、ＢＡＷフィルタ１Ａの薄膜化を図ることができる。
【0049】
（（第３の電極））
第３の電極２２Ｃは、図２に示すように、第１の電極２２Ａと同様、音響ミラー層２１の上方の主面（上面）２１１に設けられる。第３の電極２２Ｃは、第１の電極２２Ａと同様であるため、詳細は省略する。
第３の電極２２Ｃは、図２に示すように、第１の電極２２Ａと同様、音響ミラー層２１の上方の主面（上面）２１１に設けられる。第３の電極２２Ｃは、第１の電極２２Ａと同様であるため、詳細は省略する。
【0050】
（（第４の電極））
第４の電極２２Ｄは、図２に示すように、第２の電極２２Ｂと同様、圧電体層２３の上面２３１に設けられ、第３の電極２２Ｃと対向するように配置されている。即ち、第４の電極２２Ｄは、圧電体層２３の上面２３１に、圧電体層２３を介して、第３の電極２２Ｃと向き合う位置に配置されている。
第４の電極２２Ｄは、図２に示すように、第２の電極２２Ｂと同様、圧電体層２３の上面２３１に設けられ、第３の電極２２Ｃと対向するように配置されている。即ち、第４の電極２２Ｄは、圧電体層２３の上面２３１に、圧電体層２３を介して、第３の電極２２Ｃと向き合う位置に配置されている。
【0051】
第４の電極２２Ｄは、導電性を有する任意の材料で形成することができ、第２の電極２２Ｂと同様、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｒｂ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｉｒ、Ｔａ及びＷ等の金属を用いることができる。これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【0052】
第４の電極２２Ｄの配置、形状及び厚さ等は、第２の電極２２Ｂと同様であるため、詳細は省略する。
【0053】
（圧電体層）
圧電体層２３は、図１に示すように、第１の電極２２Ａの上方の主面（上面）２２１Ａ及び側面２２２Ａと、第３の電極２２Ｃの上方の主面（上面）２２１Ｃ及び側面２２２Ｃとを覆うように設けられる。圧電体層２３は、無機材料を主成分として含むことが好ましい。なお、主成分とは、無機材料の含有量が、９５ａｔｍ％以上であり、好ましくは９８ａｔｍ％以上であり、より好ましくは９９ａｔｍ％以上であることをいう。
圧電体層２３は、図１に示すように、第１の電極２２Ａの上方の主面（上面）２２１Ａ及び側面２２２Ａと、第３の電極２２Ｃの上方の主面（上面）２２１Ｃ及び側面２２２Ｃとを覆うように設けられる。圧電体層２３は、無機材料を主成分として含むことが好ましい。なお、主成分とは、無機材料の含有量が、９５ａｔｍ％以上であり、好ましくは９８ａｔｍ％以上であり、より好ましくは９９ａｔｍ％以上であることをいう。
【0054】
無機材料としては、ペロブスカイト型の結晶構造を有する圧電材料（ペロブスカイト型結晶材料）やウルツ鉱型の結晶構造を有する圧電材料（ウルツ鉱型結晶材料）等を用いることができる。
【0055】
ウルツ鉱型の結晶構造は、一般式ＡＢ（Ａは、陽性元素であり、Ｂは陰性元素である。）で表される。ウルツ鉱型結晶材料は、六方晶の単位格子を持ち、ｃ軸と平行な方向に分極ベクトルを有する。
【0056】
ウルツ鉱型結晶材料としては、一定値以上の圧電特性を示し、２００℃以下の低温プロセスで結晶化させることができる材料を用いることが好ましい。ウルツ鉱型結晶材料は、一般式ＡＢで表わされる陽性元素Ａとして、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｄ及びＳｉ等を含む。ウルツ鉱型結晶材料としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を用いることができる。これらの中でも、ウルツ鉱型結晶材料としては、低温プロセスでも比較的良好にｃ軸配向し易い点から、ＺｎＯが好ましい。これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。ウルツ鉱型結晶材料を２種以上併用する場合、これらのうちの１種以上の成分を主成分として含み、その他の成分を任意成分として含んでもよい。また、それぞれの材料を積層してもよいし、複数のターゲットを用いて一つの層として形成してもよい。
【0057】
ウルツ鉱型結晶材料は、ＺｎＯを含むことが好ましく、ＺｎＯから実質的になることがより好ましく、ＺｎＯのみからなることがさらに好ましい。「実質的に」とは、ＺｎＯ以外に、製造過程で不可避的に含まれ得る不可避不純物を含んでもよいことを意味する。
【0058】
ウルツ鉱型結晶材料等の無機材料は、上記の、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅの他に、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、又はＶ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｌｉ等の金属を所定の範囲の割合で含んでもよい。これらの成分は、元素の状態で含まれてもよいし、酸化物の状態で含まれてもよい。中でも、圧電体層２３の圧電特性の指標となるＫ値と圧電特性の急峻性の指標となるＱ値とを両立し、優れた圧電特性を発揮する点から、無機材料としては、ＺｎＯにＭｇがドープされたＭｇＺｎＯが好ましい。
【0059】
なお、Ｋ値とは、電気機械結合定数ｋの値である。圧電体層２３に含まれる圧電材料の電気機械結合定数ｋの二乗値（ｋ2値）は、圧電材料に対して定められる、電気的エネルギーのエネルギー変換効率を示す。電気的エネルギーのエネルギー変換効率が高いほど、圧電体層２３を備えるＢＡＷフィルタ１Ａの動作効率が良く、ＢＡＷフィルタ１Ａは、優れた圧電特性を有する。同一材料、および組成において、圧電体層２３に含まれる圧電材料の結晶配向の乱れが小さくなるほど、圧電材料のＫ2値は大きくなりながら次第に一定となる。即ち、圧電材料の結晶配向の乱れが小さくなるほど、圧電材料のエネルギー変換効率が高まりながら次第に一定となり、圧電性は一定となる。よって、電気機械結合定数ｋが大きいほど、Ｋ2値が大きくなり、圧電材料のエネルギー変換効率は高くなるため、圧電特性が高くなることを意味する。また、電気機械結合定数ｋが大きいほど、結晶配向の乱れが小さくなるため、結晶配向性が高くなることを意味する。
【0060】
Ｑ値とは、周波数特性の鋭さ（尖鋭度）を表す値である。Ｑ値が大きいほど、周波数特性が鋭く表れることを意味する。
【0061】
圧電体層２３中の添加元素の含有量は、特に限定されるものではなく、圧電体層２３がウルツ鉱型の結晶構造を有することができる範囲内であればよい。なお、圧電体層２３に含まれる添加元素の含有量の測定方法は、測定可能な方法であれば特に限定されない。圧電体層２３に含まれる添加元素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）により、測定装置としてＰｅｌｌｅｔｒｏｎ ３ＳＤＨ（ＮＥＣ社製）を使用して測定してもよいし、二次イオン質量分析法により、ダイナミックＳＩＭＳ（Ｄ－ＳＩＭＳ）等を使用して測定してもよい。
【0062】
圧電体層２３の厚さは、特に限定されず、十分な圧電特性、即ち圧力に比例した分極特性を有すると共に、圧電体層２３にクラック等が発生することを低減して、安定して圧電特性を発揮できる厚さであればよい。圧電体層２３の厚さとしては、例えば、５０ｎｍ～５μｍであればよい。圧電体層２３の厚さが５０ｎｍ～５μｍであれば、クラックの発生が抑えられると共に、十分な圧電特性を発揮できる。
【0063】
圧電体層２３の結晶配向性は、５°以下であることが好ましい。結晶配向性が５°以下であれば、圧電体層２３に含まれる圧電材料のｃ軸方向への結晶配向性（ｃ軸配向性）が良く、エネルギー変換効率を高められるため、圧電体層２３の厚さ方向への圧電特性が高められる。圧電体層２３が圧電材料としてＺｎＯを含む場合、ＺｎＯは、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、他の結晶構造を有する圧電材料よりも結晶配向性と圧電特性との相関が高い。ＺｎＯの結晶配向性が５°以下であれば、エネルギー変換効率がより高め易いため、ＢＡＷフィルタ１Ａの圧電特性を向上させることができる。
【0064】
圧電体層２３の結晶配向性は、圧電体層２３の表面をＸ線ロッキングカーブ（ＸＲＣ：X-ray Rocking Curve）法で測定した時に得られる半値全幅（ＦＷＨＭ：Full Width at Half Maximum）で評価され得る。即ち、圧電体層２３の結晶配向性は、ＸＲＣ法により、圧電体層２３に主成分として含まれる圧電材料の結晶の（０００２）面からの回折を測定したときに得られるロッキングカーブの、ピーク波形のＦＷＨＭで表わされる。圧電体層２３に含まれる圧電材料がＺｎＯ等のウルツ鉱型結晶構造を有する場合、ＦＷＨＭは、圧電材料を構成する結晶同士のｃ軸方向の配列の平行の度合いを示す。そのため、ＸＲＣ法により得られるロッキングカーブのピーク波形のＦＷＨＭは、圧電体層２３のｃ軸配向性の指標にできる。よって、ロッキングカーブのＦＷＨＭが小さいほど、圧電体層２３のｃ軸方向の結晶配向性が良いと評価できる。
【0065】
また、圧電体層２３の結晶配向性は、ＸＲＣ法により、圧電体層２３に圧電材料の特定の結晶面（例えば、ＺｎＯの結晶の（０００２）面）からの回折を測定して得られるロッキングカーブのＦＷＨＭの他に、ピーク強度も含めて評価してよい。即ち、圧電体層２３の結晶配向性は、ピーク強度の積分値をＦＷＨＭで割った値を評価値として用いて評価してもよい。例えば、ピーク強度の積分値をＦＷＨＭで割った評価値が大きいほど、圧電体層２３の結晶配向性が良いと評価できる。
【0066】
圧電体層２３は、無機材料を２種以上併用する場合、それぞれの無機材料からなる圧電体層を積層して構成されてもよい。
【0067】
（周波数調整層２５）
周波数調整層２５は、図２に示すように、第４の電極２２Ｄの上方の主面（上面）２２１Ｄに設けられている。周波数調整層２５は、その上面及び側面の少なくとも一部が連結用電極３０と接続されていてよい。
周波数調整層２５は、図２に示すように、第４の電極２２Ｄの上方の主面（上面）２２１Ｄに設けられている。周波数調整層２５は、その上面及び側面の少なくとも一部が連結用電極３０と接続されていてよい。
【0068】
周波数調整層２５を形成する材料は、第４の電極２２Ｄと連結用電極３０との間の音響インピーダンスを有する材料であればよく、周波数調整層２５を形成する材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕを用いることができる。これらは、１種単独で用いてもよいし、これらの２種以上の組み合わせを用いてもよい。
【0069】
周波数調整層２５の音響インピーダンスは、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンス未満であり、かつ連結用電極３０の音響インピーダンスを超える範囲内である。
【0070】
周波数調整層２５の音響インピーダンスと第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスとの差（音響インピーダンス差）は、３０×１０８Ｎ／ｍ２以下であることが好ましく、２８Ｎ／ｍ２以下であることがより好ましく、２３Ｎ／ｍ２以下であることがさらに好ましい。音響インピーダンス差が３０Ｎ／ｍ２以下であれば、周波数調整層２５の音響インピーダンスは、連結用電極３０よりも第４の電極２２Ｄよりとなる。圧電体層２３で生じる音波は、圧電体層２３の共振により生じる高周波であるため、第４の電極２２Ｄから周波数調整層２５を通る際に、周波数調整層２５の音響インピーダンスが第４の電極２２Ｄに近ければ、第４の電極２２Ｄと周波数調整層２５との界面で生じる音響散乱の大きさを抑えることができる。
【0071】
周波数調整層２５は、蒸着、塗布法等、一般に用いられる方法を用いて形成されてよい。
【0072】
周波数調整層２５の厚さは、第４の電極２２Ｄの厚さの５０％以下であることが好ましく、３０ ％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。周波数調整層２５の厚さが第４の電極２２Ｄの厚さの１０％以下であれば、周波数調整層２５は、電極抵抗への影響が小さくなり、電気伝導において第４の電極が支配的になる。
【0073】
［連結用電極］
連結用電極３０は、図２に示すように、第２の電極２２Ｂの上面２２１Ｂ及び側面２２２Ｂと、第４の電極２２Ｄの上面２２１Ｄ及び２２２Ｄと、圧電体層２３の上面２３１と、周波数調整層２５の上面２５１及び側面２５２とに設けられ、第２の電極２２Ｂと第４の電極２２Ｄとを導通させる配電層として機能する。
連結用電極３０は、図２に示すように、第２の電極２２Ｂの上面２２１Ｂ及び側面２２２Ｂと、第４の電極２２Ｄの上面２２１Ｄ及び２２２Ｄと、圧電体層２３の上面２３１と、周波数調整層２５の上面２５１及び側面２５２とに設けられ、第２の電極２２Ｂと第４の電極２２Ｄとを導通させる配電層として機能する。
【0074】
連結用電極３０を形成する材料は、第２の電極２２Ｂ及び第４の電極２２Ｄと同様の材料を用いてよい。
【0075】
ＢＡＷフィルタ１Ａの製造方法は、特に限定されず適宜任意の製造方法を用いることができる。ＢＡＷフィルタ１Ａの製造方法の一例について説明する。
【0076】
まず、所定の大きさに形成された支持基材１０の上面１０１に、高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層とを一組として、高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層を交互に積層して、音響ミラー層２１を形成する。
【0077】
高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法は、特に限定されず、ドライプロセス及びウエットプロセスのいずれでもよい。高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法としてドライプロセスを用いれば、薄い高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層を容易に形成できる。
【0078】
ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング、蒸着等が挙げられ、ウエットプロセスとしては、例えば、めっき等が挙げられる。
【0079】
スパッタリングとしては、例えば、ＤＣ（直流）又はＲＦ（高周波）のマグネトロンスパッタリング法等を用いることができる。
【0080】
高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法としてスパッタリングを用いることで、密度が高く、薄い高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層を容易に形成できる。そのため、高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法としては、スパッタリングが好ましい。
【0081】
高音響インピーダンス層としては、例えば、ＤＣ又はＲＦのマグネトロンスパッタリング法により成膜された、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ２Ｏ５及びＺｎＯ等、密度又は体積弾性率が高い材料で形成される薄膜等を用いることができる。
【0082】
低音響インピーダンス層としては、例えば、ＤＣ又はＲＦのマグネトロンスパッタリング法により成膜された、ＳｉＯ２膜等の酸化物を用いることができる。
【0083】
次に、音響ミラー層２１の上面２１１に、第１の電極２２Ａを成膜（形成）する。第１の電極２２Ａの形成方法は、特に限定されず、高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法と同様、ドライプロセス及びウエットプロセスのいずれを用いてもよい。ドライプロセス及びウエットプロセスの詳細は、高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法と同様であるため、詳細は省略する。
【0084】
第１の電極２２Ａは、音響ミラー層２１の上面２１１の全面に形成されていてもよい。また、第１の電極２２Ａは、エッチング等により所定の形状を有するパターンに加工して、適宜任意の形状に形成してもよい。
【0085】
次に、音響ミラー層２１の上面２１１に、第３の電極２２Ｃを成膜（形成）する。第３の電極２２Ｃは、第１の電極２２Ａを同様に形成できるため、詳細は省略する。
【0086】
また、第３の電極２２Ｃは、第１の電極２２Ａを同時に形成してもよいし、第１の電極２２Ａよりも先に形成してもよい。
【0087】
次に、第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ｃに圧電体層２３を形成する。例えば、圧電材料を構成する元素を含むターゲットを用いて、Ａｒ等の不活性ガスと微量の酸素を含む混合ガス雰囲気中で、ＤＣ又はＲＦマグネトロンスパッタリング法により成膜してよい。第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ｃに圧電材料をスパッタリングすることで、圧電体層２３が成膜される。
【0088】
支持基材１０、音響ミラー層２１及び第１の電極２２Ａからなる積層体は、スパッタリング装置の成膜室の、アノードとなる成膜板に配置してよい。成膜板は、例えば、回転可能でもよい。支持基材１０、音響ミラー層２１、第１の電極２２Ａ及び第２の電極２２Ｂからなる積層体を成膜板に配置すれば、第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ｃに圧電体層２３をバッチ式で成膜できる。
【0089】
圧電材料を構成する元素を含むターゲットは、カソードとして用いる。
【0090】
圧電材料が、例えば、ウルツ鉱型結晶材料を含む場合、ターゲットにはウルツ鉱型結晶材料を含むターゲットを用いてよい。ウルツ鉱型結晶材料を含むターゲットとしては、圧電体層２３に主成分として含まれるウルツ鉱型結晶材料を含有する複数又は単数のターゲットを用いてよい。複数又は単数のターゲットは、成膜板と間隔を隔てて対向するように配置してよい。複数のターゲットをカソードとして用いる場合には多元スパッタリング法を用い、単数のターゲットをカソードとして用いる場合には一次元スパッタリング法を用いることで、ウルツ鉱型結晶材料を含む圧電体層２３を形成できる。
【0091】
複数のターゲットをカソードとして用いる場合、それぞれのターゲットごとに、圧電体層２３に主成分として含まれるウルツ鉱型結晶材料を構成する、異なる種類の材料を含む。複数のターゲットを用いる場合、例えば、Ｚｎを含むターゲットと、Ｓｉ又はＳｎを含むターゲットと、Ａｌ又はＭｇを含むターゲットとを用いてよい。なお、それぞれのターゲットは、酸素を含む金属酸化物ターゲットを用いてよい。複数のターゲットは、互いに間隔を置いて成膜室に配置してよい。スパッタリングの際には、圧電体層２３に含まれるウルツ鉱型結晶材料の種類等に応じて、それぞれのターゲット毎に印加する電力を調整して、圧電体層２３を構成するそれぞれの材料同士の原子割合を調整する。
【0092】
単数のターゲットをカソードとして用いる場合、単数のターゲットが、圧電体層２３に含まれるウルツ鉱型結晶材料を含有する。単数のターゲットを用いる場合として、圧電体層２３に含まれるウルツ鉱型結晶材料同士の原子割合を調整した合金ターゲットを用いてよい。例えば、Ｚｎと、Ｓｉ又はＳｎと、Ａｌ又はＭｇとを含有する合金ターゲットを用いることができる。合金ターゲットは、ウルツ鉱型結晶材料と酸素を含む金属酸化物ターゲットを用いてよい。
【0093】
圧電材料が、例えば、ＺｎＯからなるウルツ鉱型結晶材料である場合、ターゲットにはＺｎＯ焼結体のターゲットを用いてよい。スパッタリング装置内にＺｎＯ焼結体のターゲットを設置して、Ａｒ等の不活性ガスと酸素を含む混合ガスをスパッタリング装置内に供給する。不活性ガスと酸素を含む混合ガス雰囲気下において、ＺｎＯ焼結体のターゲットを用いてスパッタリングすることで、第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ｃに、ＺｎＯの成膜時に入り込む不活性ガスの量を抑えながら、圧電体層２３を得ることができる。
【0094】
圧電材料が、例えば、ＺｎＯとＭｇＯとを所定の質量比で含むＭｇ添加ＺｎＯからなるウルツ鉱型結晶材料である場合、ＺｎＯ焼結体からなるターゲットとＭｇＯ焼結体からなるターゲットを用いた多元スパッタリング法を用いてよい。また、他の方法として、予め所定の割合でＭｇＯを添加したＺｎＯ焼結体のターゲット等のＺｎＯ及びＭｇＯを含む合金ターゲットを用いた一次元スパッタリング法を用いてよい。
【0095】
多元スパッタリング法を用いる場合、スパッタリング装置として多元スパッタ装置を用いて、Ａｒ等の不活性ガスと酸素を含む混合ガスを多元スパッタ装置内に供給する。不活性ガスと酸素を含む混合ガス雰囲気下において、ＺｎＯ焼結体のターゲットとＭｇＯ焼結体のターゲットを用いて同時かつ独立に第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ｃにスパッタリングすることで、第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１ＣにＭｇ添加ＺｎＯで構成された圧電体層２３を成膜できる。
【0096】
一次元スパッタリング法を用いる場合、スパッタリング装置を用いて、Ａｒ等の不活性ガスと酸素を含む混合ガス雰囲気下において、例えば、予め所定の割合でＭｇＯを添加したＺｎＯ焼結体のターゲットを用いてスパッタリングすることで、第１の電極２２Ａの上面２２１Ａ及び第３の電極２２Ｃの上面２２１Ｃに、Ｍｇ添加ＺｎＯ薄膜で構成された圧電体層２３を成膜できる。
【0097】
スパッタリングする際のガス雰囲気は、不活性ガス雰囲気としてよいし、不活性ガスと酸素を含む混合ガス雰囲気としてよい。
【0098】
スパッタリングする際のガス雰囲気内の圧力は、圧電材料の種類、スパッタリング法等に応じて適宜決定してよく、例えば、０．１Ｐａ～２．０Ｐａとしてよい。
【0099】
圧電体層２３の成膜温度は、特に限定されず、ＢＡＷフィルタ１Ａの層構成等に応じて適宜選択してよく、例えば、２００℃以下で圧電体層２３を成膜してもよい。
【0100】
第１の電極２２Ａ及び圧電体層２３の成膜にスパッタリング法を用いることで、化合物のターゲットの組成比をほぼ保った状態で付着力の強い均一な膜を形成できる。また、時間の制御だけで、所望の厚さの第１の電極２２Ａ及び圧電体層２３を精度良く形成することができる。
【0101】
圧電体層２３は、複数積層して構成してもよい。
【0102】
次に、圧電体層２３の上面２３１に、所定の形状を有する第２の電極２２Ｂを形成する。第２の電極２２Ｂは、第１の電極２２Ａと同様の形成方法を用いて形成できる。
【0103】
第２の電極２２Ｂの厚さは、適宜設計可能であり、例えば、２０ｎｍ～３００ｎｍとしてよい。
【0104】
第２の電極２２Ｂは、圧電体層２３の上面２３１の全面に形成されていてもいいし、適宜任意の形状に形成してもよい。
【0105】
次に、圧電体層２３の上面２３１に、第４の電極２２Ｄを成膜（形成）する。第４の電極２２Ｄは、第２の電極２２Ｂを同様に形成できるため、詳細は省略する。
【0106】
また、第４の電極２２Ｄは、第２の電極２２Ｂを同時に形成してもよいし、第２の電極２２Ｂよりも先に形成してもよい。
【0107】
次に、第４の電極２２Ｄの上面２２１Ｄに周波数調整層２５を形成する。周波数調整層２５の形成方法は、特に限定されず、高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法と同様、ドライプロセス及びウエットプロセスのいずれを用いてもよい。ドライプロセス及びウエットプロセスの詳細は、高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層の形成方法と同様であるため、詳細は省略する。
【0108】
第４の電極２２Ｄの上面２２１Ｄに周波数調整層２５を形成することで、ＢＡＷフィルタ１Ａが形成される。
【0109】
なお、第２の電極２２Ｂの形成後に、ＢＡＷフィルタ１Ａの全体を加熱処理してもよい。この加熱処理により、電極２２を結晶化させ、低抵抗化させることができる。加熱処理は、必須ではなく、支持基材１０が耐熱性のない材料で形成されている場合等では、ＢＡＷフィルタ１Ａの形成後に行わなくてもよい。
【0110】
このように、本実施形態に係るＢＡＷフィルタ１Ａは、支持基材１０上に、複数の直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍ及び並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎを備える。直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍは、第１の電極２２Ａ、第１の圧電体層２３Ａ及び第２の電極２２Ｂをこの順に積層して備え、並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎは、第３の電極２２Ｃ、第２の圧電体層２３Ｂ、第４の電極２２Ｄ及び周波数調整層２５をこの順に積層して備える。ＢＡＷフィルタ１Ａは、直列共振子Ｓ１１～Ｓ１ｍの第２の電極２２Ｂと、並列共振子Ｐ１１～Ｐ１ｎの第４の電極２２Ｄとを連結用電極３０により電気的に接続し、周波数調整層２５の音響インピーダンスを、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンス未満とし、かつ連結用電極３０の音響インピーダンスを超える大きさとする。ＢＡＷフィルタ１Ａは、第４の電極２２Ｄ、周波数調整層２５及び連結用電極３０のそれぞれの音響インピーダンスをこの順に小さくして、音響インピーダンスの大きさにグラデーションを付けている。
【0111】
仮に、周波数調整層２５の音響インピーダンスが、連結用電極３０の音響インピーダンスと同等かそれ以下であると、図３に示すように、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスと周波数調整層２５の音響インピーダンスとの差が大きくなるため、第４の電極２２Ｄと周波数調整層２５との界面で圧電体層２３の振動で生じる音波が散乱することで、音響散乱の大きさは大きくなる（図３（ａ）参照）。第４の電極２２Ｄと周波数調整層２５との界面で生じる音響散乱が大きいと、圧電体層２３の圧電効果によって取り出した電気エネルギーが第４の電極２２Ｄ及び連結用電極３０に伝わり、出力する際のエネルギーのロスが大きくなる
【0112】
本実施形態では、ＢＡＷフィルタ１Ａは、第４の電極２２Ｄ、周波数調整層２５及び連結用電極３０のそれぞれの音響インピーダンスをこの順に小さくなるように、音響インピーダンスの大きさにグラデーションを付けているため、第４の電極２２Ｄと周波数調整層２５との界面で圧電体層２３の振動で生じる音波の散乱を小さく抑え、音響散乱の大きさを小さくできる（図３（ｂ）参照）。第４の電極２２Ｄと周波数調整層２５との界面で生じる音響散乱が小さくなることで、圧電体層２３の圧電効果によって取り出した電気エネルギーが第４の電極２２Ｄ及び連結用電極３０に伝わり、出力する際のエネルギーのロスは小さく抑えることができる（図３（ｂ）参照）。
【0113】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、並列共振子Ｐ１ｎ～Ｐ１ｎの圧電体層２３で生じた振動が第４の電極２２Ｄ、周波数調整層２５及び連結用電極３０をそれぞれ通過する際に、それぞれの部材の音響インピーダンスの差に起因して、それぞれの部材同士の界面で生じる音響散乱を抑えることができるため、圧電体層２３の圧電効果によって取り出した電気エネルギーの減衰を小さく抑えることができる。
【0114】
ＢＡＷフィルタ１Ａの電気エネルギーの減衰は、例えば、図４に示すように、メイソン（Ｍａｓｏｎ）の等価回路モデルに基づいて散乱パラメータ（Ｓパラメータ）を求めた際に得られる曲線の減衰量からインピーダンス比を減じた値である挿入損失の大きさより求められる。即ち、挿入損失が０ｄＢに近いほど、ＢＡＷフィルタ１Ａの電気エネルギーの減衰は小さく抑えられ、フィルタ特性が優れていることを意味する。
【0115】
よって、ＢＡＷフィルタ１Ａは、圧電体層２３の振動で生じた電気エネルギーの減衰を小さく抑えることができるため、音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上できる。
【0116】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスと周波数調整層２５の音響インピーダンスとの差を３０Ｎ／ｍ２以下とすることができる。ＢＡＷフィルタ１Ａは、図５に示すように、入力端子に入力された入力信号（電気エネルギー）を、圧電体層２３で圧電効果による振動に変換（運動エネルギー）し、出力信号（電気エネルギー）として出力端子から出力する。運動エネルギーから電気エネルギーに変換する際に、圧電体層２３で生じる振動が電極２２よりも外側に漏れてしまうと、出力として取り出せる電気エネルギーが低下する。このため、ＢＡＷフィルタ１Ａは、圧電体層２３で生じる振動が電極２２よりも外側に漏れることを抑えるため、第４の電極２２Ｄは重い金属で形成し、圧電体層２３に振動による運動エネルギーを閉じ込める。このとき、周波数調整層２５の音響インピーダンスが連結用電極３０の音響インピーダンスに近いと、圧電体層２３で生じた運動エネルギーの閉じ込めを担う層が第４の電極２２Ｄのみになり、変換効率が低下する。ＢＡＷフィルタ１Ａは、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスと周波数調整層２５の音響インピーダンスとの差を３０Ｎ／ｍ２以下とし、周波数調整層２５の音響インピーダンスを第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスに近づけることで、圧電体層２３で振動により生じたエネルギーを圧電体層２３と周波数調整層２５により閉じ込めることができ、出力として取り出せる電気エネルギーのロスを小さく抑えることができる。よって、ＢＡＷフィルタ１Ａは、圧電体層２３で生じる振動によるエネルギーの変換効率を向上できる。
【0117】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、連結用電極３０を周波数調整層２５と接続できる。これにより、ＢＡＷフィルタ１Ａは、周波数調整層２５を電極して用いることができるため、取り出される電気エネルギーを確実に出力できる。
【0118】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、周波数調整層２５を、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇのうち何れか１つ以上の成分を含むことができる。これにより、ＢＡＷフィルタ１Ａは、周波数調整層２５の音響インピーダンスを第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスに簡易に近づけることができる。よって、ＢＡＷフィルタ１Ａは、出力として取り出せる電気エネルギーのロスを簡易に小さく抑えることができるため、圧電体層２３で生じる振動によるエネルギーの変換効率を簡易に向上できる。
【0119】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、第２の電極２２Ｂ及び第４の電極２２Ｄに、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうち何れか１つ以上の成分を含むことができる。これにより、ＢＡＷフィルタ１Ａは、第２の電極２２Ｂ及び第４の電極２２Ｄの音響インピーダンスを高くしつつ電極として有効に用いることができる。
【0120】
ＢＡＷフィルタ１Ａは、圧電体層２３をＭｇがドープされたＺｎＯ（ＭｇＺｎＯ）を圧電材料として含むことができる。一般に、圧電材料に他の元素をドープして形成した圧電体層のＫ値とＱ値とはトレードオフの関係にあり、圧電素子を、例えば、５Ｇ帯等の高周波域の周波数の信号のみを取り出し、それ以外の周波数帯の信号を取り除く高周波フィルタ等に使用すると、高周波域において必要なＫ値を得るとＱ値が低下する傾向にある。圧電体層２３が、ＭｇＺｎＯを圧電材料として含む場合には、ＭｇＺｎＯはＭｇ濃度に対してＫ値とＱ値とのトレードオフが無く、高周波域においても、Ｋ値及びＱ値を両立できる。ＢＡＷフィルタ１Ａは、圧電体層２３にＭｇＺｎＯを圧電材料として含むことで、高周波フィルタ等の高周波域において圧電特性を安定して発揮できる。
【0121】
また、ＢＡＷフィルタ１Ａは、音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上させ、優れた圧電特性を有することができることから、ＢＡＷフィルタ以外に、電子機器において正圧電効果又は逆圧電効果を利用した電子部品として種々の用途の電子機器に用いることもできる。
【0122】
（変形例）
なお、本実施形態においては、ＢＡＷフィルタ１Ａは、上記構成に限定されず、第４の電極２２Ｄの上面２２１Ｄに周波数調整層２５を備え、周波数調整層２５の音響インピーダンスを、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンス未満とし、かつ連結用電極３０の音響インピーダンスを超える大きさとして、音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上できれば、他の構成でもよい。ＢＡＷフィルタ１Ａの他の構成の一例を以下に示す。
なお、本実施形態においては、ＢＡＷフィルタ１Ａは、上記構成に限定されず、第４の電極２２Ｄの上面２２１Ｄに周波数調整層２５を備え、周波数調整層２５の音響インピーダンスを、第４の電極２２Ｄの音響インピーダンス未満とし、かつ連結用電極３０の音響インピーダンスを超える大きさとして、音響散乱を小さく抑え、フィルタ特性を向上できれば、他の構成でもよい。ＢＡＷフィルタ１Ａの他の構成の一例を以下に示す。
【0123】
本実施形態では、ＢＡＷフィルタ１Ａは、音響ミラー層２１を音響多層膜で構成しているが、音響ミラー層２１は、空間で構成してもよい。例えば、図６に示すように、ＢＡＷフィルタ１Ｂは、支持基材１０の上面１０１に２つの窪み部１１を設けて、支持基材１０の窪み部１１と第１の電極２２Ａ及び第３の電極２２Ｃとの間に形成された空間Ｓを音響ミラー層２１としての機能を発揮させてもよい。
【0124】
ＢＡＷフィルタ１Ｂは、空間Ｓを音響ミラー層２１として機能させることができるため、支持基材１０の上面１０１に第１の電極２２Ａ及び第３の電極２２Ｃを直接設けることができる。これにより、ＢＡＷフィルタ１Ｂは、全体の厚さを薄くできるため、小型化を図ることができる。
【0125】
本実施形態では、ＢＡＷフィルタ１Ａは、音響ミラー層２１を備えなくてもよい。図７に示すように、ＢＡＷフィルタ１Ｃでは、弾性波共振子２０が電極２２と圧電体層２３を備え、直列共振子Ｓ１ｍは、第１の電極２２Ａ、圧電体層２３及び第２の電極２２Ｂを、支持基材１０側からこの順に厚さ方向に積層して備え、並列共振子Ｐ１ｎは、第３の電極２２Ｃ、圧電体層２３、第４の電極２２Ｄ及び周波数調整層２５を支持基材１０側からこの順に厚さ方向に積層して備えてよい。
【0126】
この場合、支持基材１０は、導電性を有する基板でもよい。支持基材１０が導電性を有する基板である場合、支持基材１０が第１の電極２２Ａ及び第３の電極２２Ｃとしても機能できるため、ＢＡＷフィルタ１Ｃは、第１の電極２２Ａ及び第３の電極２２Ｃを備えなくてもよい。この場合、弾性波共振子２０は、支持基材１０、電極２２及び圧電体層２３で構成し、直列共振子Ｓ１ｍは、支持基材１０、圧電体層２３及び第２の電極２２Ｂを、支持基材１０側からこの順に厚さ方向に積層して備え、並列共振子Ｐ１ｎは、支持基材１０、圧電体層２３、第４の電極２２Ｄ及び周波数調整層２５を支持基材１０側からこの順に厚さ方向に積層して備えてよい。
【0127】
以上の通り、実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の組み合わせ、省略、置き換え、変更等を行うことが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【実施例0128】
以下、実施例及び比較例を示して実施形態を更に具体的に説明するが、実施形態はこれらの実施例及び比較例により限定されるものではない。
【0129】
＜サンプルの作製＞
［実施例１］
（音響ミラー層の作製）
高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層からなる音響ミラー層を形成した。
１．高音響インピーダンス層の作製
４インチＳｉウェハ基材の上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、タングステンスパッタリングターゲットを用いて、タングステン（Ｗ）膜を高音響インピーダンス層として成膜した。高音響インピーダンス層の音響インピーダンスは、１．０×１０８Ｎ／ｍ２であり、高音響インピーダンス層の厚さは、２１８ｎｍとした。
２．低音響インピーダンス層の作製
高音響インピーダンス層の上に、ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス：Ｏ2ガス＝９０：１０）雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタ法により、シリコンスパッタリングターゲットを用いて、ＳｉＯ２膜を低音響インピーダンス層として成膜した。低音響インピーダンス層の音響インピーダンスは、１．３×１０７Ｎ／ｍ２であり、低音響インピーダンス層の厚さは、２４２ｎｍとした。
（第３の電極の作製）
音響ミラー層の上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、アルミニウム及びＰｔスパッタリングターゲットを用いて、Ｐｔ／Ａｌ膜を第１の電極として成膜した。第３の電極の音響インピーダンスは、１．７×１０７Ｎ／ｍ２であり、第３の電極の厚さは、Ｐｔ膜を４５ｎｍ、Ａｌ膜を６０ｎｍとした。
（圧電体層の作製）
音響ミラー層の上に、ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス：Ｏ2ガス＝９１：９）雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、ＺｎＯとＭｇＯとが質量比で８２ｗｔ％：１８ｗｔ％に調整されたスパッタリングターゲットを用いて、ＺｎＯとＭｇＯとが質量比で８２ｗｔ％：１８ｗｔ％に調整された、六方晶系のウルツ鉱型構造を有するＭｇ添加ＺｎＯ薄膜を圧電体層として形成した。Ｍｇ添加ＺｎＯ薄膜の厚さは、２５０ｎｍとした。
（第４の電極の作製）
圧電体層の上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｐｔスパッタリングターゲットを用いて、Ｐｔ層を第４の電極として成膜した。第４の電極の音響インピーダンスは、５７．１×１０７Ｎ／ｍ２であり、第４の電極の厚さは、５５ｎｍとした。
（周波数調整層の作製）
第４の電極の上に、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｕスパッタリングターゲットを用いて、Ａｕ層を周波数調整層として成膜した。周波数調整層の音響インピーダンスは、３９．３×１０７Ｎ／ｍ２であり、周波数調整層の厚さは、１３ｎｍとした。
（連絡用電極の作製）
周波数調整層の上に、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌスパッタリングターゲットを用いて、Ａｌ層を連絡用電極として成膜した。連絡用電極の音響インピーダンスは、１３．８×１０７Ｎ／ｍ２であり、周波数調整層の厚さは、７０ｎｍとした。
［実施例１］
（音響ミラー層の作製）
高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層からなる音響ミラー層を形成した。
１．高音響インピーダンス層の作製
４インチＳｉウェハ基材の上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、タングステンスパッタリングターゲットを用いて、タングステン（Ｗ）膜を高音響インピーダンス層として成膜した。高音響インピーダンス層の音響インピーダンスは、１．０×１０８Ｎ／ｍ２であり、高音響インピーダンス層の厚さは、２１８ｎｍとした。
２．低音響インピーダンス層の作製
高音響インピーダンス層の上に、ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス：Ｏ2ガス＝９０：１０）雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタ法により、シリコンスパッタリングターゲットを用いて、ＳｉＯ２膜を低音響インピーダンス層として成膜した。低音響インピーダンス層の音響インピーダンスは、１．３×１０７Ｎ／ｍ２であり、低音響インピーダンス層の厚さは、２４２ｎｍとした。
（第３の電極の作製）
音響ミラー層の上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、アルミニウム及びＰｔスパッタリングターゲットを用いて、Ｐｔ／Ａｌ膜を第１の電極として成膜した。第３の電極の音響インピーダンスは、１．７×１０７Ｎ／ｍ２であり、第３の電極の厚さは、Ｐｔ膜を４５ｎｍ、Ａｌ膜を６０ｎｍとした。
（圧電体層の作製）
音響ミラー層の上に、ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス：Ｏ2ガス＝９１：９）雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、ＺｎＯとＭｇＯとが質量比で８２ｗｔ％：１８ｗｔ％に調整されたスパッタリングターゲットを用いて、ＺｎＯとＭｇＯとが質量比で８２ｗｔ％：１８ｗｔ％に調整された、六方晶系のウルツ鉱型構造を有するＭｇ添加ＺｎＯ薄膜を圧電体層として形成した。Ｍｇ添加ＺｎＯ薄膜の厚さは、２５０ｎｍとした。
（第４の電極の作製）
圧電体層の上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｐｔスパッタリングターゲットを用いて、Ｐｔ層を第４の電極として成膜した。第４の電極の音響インピーダンスは、５７．１×１０７Ｎ／ｍ２であり、第４の電極の厚さは、５５ｎｍとした。
（周波数調整層の作製）
第４の電極の上に、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｕスパッタリングターゲットを用いて、Ａｕ層を周波数調整層として成膜した。周波数調整層の音響インピーダンスは、３９．３×１０７Ｎ／ｍ２であり、周波数調整層の厚さは、１３ｎｍとした。
（連絡用電極の作製）
周波数調整層の上に、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌスパッタリングターゲットを用いて、Ａｌ層を連絡用電極として成膜した。連絡用電極の音響インピーダンスは、１３．８×１０７Ｎ／ｍ２であり、周波数調整層の厚さは、７０ｎｍとした。
【0130】
これにより、基材の上に、音響ミラー層、第３の電極、圧電体層、第４の電極、周波数調整層及び連絡用電極をこの順に積層した積層体をＢＡＷフィルタの特性評価用のサンプルとして作製した。
【0131】
［実施例２～６、比較例１～３］
実施例１において、第４の電極及び周波数調整層の種類及び厚さと、連絡用電極の種類との何れかを表１に示す種類及び厚さに変更したこと以外は、実施例１と同様に行い、サンプルを作製した。
実施例１において、第４の電極及び周波数調整層の種類及び厚さと、連絡用電極の種類との何れかを表１に示す種類及び厚さに変更したこと以外は、実施例１と同様に行い、サンプルを作製した。
【0132】
各実施例及び比較例のサンプルを構成する、第４の電極、周波数調整層及び連絡用電極の、種類、音響インピーダンス及び厚さと、周波数調整層の第４の電極との音響インピーダンスの差を表１に示す。
【0133】
＜フィルタ特性の測定＞
各実施例及び比較例のサンプルにおいて表２に示す周波数が発生したと仮定した時の、各実施例及び比較例のサンプルのフィルタ特性として、通過帯域内の挿入損失（抑圧度（単位：ｄＢ）を、メイソン（Ｍａｓｏｎ）の等価回路モデルに基づいて散乱パラメータ（Ｓパラメータ）をシミュレーションして算出した。算出結果を表２に示す。なお、実施例１及び比較例１のフィルタ特性の算出結果を図７に示す。図８では、実施例１では、中心周波数は、約５．７ＧＨｚであり、比較例１では、中心周波数は、約５．９ＧＨｚであった。
各実施例及び比較例のサンプルにおいて表２に示す周波数が発生したと仮定した時の、各実施例及び比較例のサンプルのフィルタ特性として、通過帯域内の挿入損失（抑圧度（単位：ｄＢ）を、メイソン（Ｍａｓｏｎ）の等価回路モデルに基づいて散乱パラメータ（Ｓパラメータ）をシミュレーションして算出した。算出結果を表２に示す。なお、実施例１及び比較例１のフィルタ特性の算出結果を図７に示す。図８では、実施例１では、中心周波数は、約５．７ＧＨｚであり、比較例１では、中心周波数は、約５．９ＧＨｚであった。
【0134】
【表2】
【0135】
表２より、各実施例では、ＢＡＷフィルタのフィルタ特性は－１．９８ｄＢ以上であった。各比較例では、ＢＡＷフィルタのフィルタ特性は－２．０１ｄＢ以下であった。また、図４より、各実施例では、ＢＡＷフィルタの中心周波数を調整可能であった。
【0136】
よって、各実施例のＢＡＷフィルタは、周波数調整層の音響インピーダンスを、第４の電極の音響インピーダンスと連結用電極の音響インピーダンスとの間とすることで、音響の損失を抑え、フィルタ特性の劣化を抑制できることが確認された。よって、各実施例のＢＡＷフィルタは、高周波フィルタとして有効に用いることができるといえる。
【0137】
なお、本発明の実施形態の態様は、例えば、以下の通りである。
＜１＞ 支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、
前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、
前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、
前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、
前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超えるＢＡＷフィルタ。
＜２＞ 前記第４の電極の音響インピーダンスと前記周波数調整層の音響インピーダンスとの差が、３０Ｎ／ｍ２以下である＜１＞に記載のＢＡＷフィルタ。
＜３＞ 前記連結用電極が、前記周波数調整層と接続される＜１＞又は＜２＞に記載のＢＡＷフィルタ。
＜４＞ 前記周波数調整層は、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇのうち何れか１つ以上の成分を含む＜１＞～＜３＞の何れか一つに記載のＢＡＷフィルタ。
＜５＞ 前記第２の電極及び前記第４の電極は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＴｉのうち何れか１つ以上の成分を含む＜１＞～＜４＞の何れか一つに記載のＢＡＷフィルタ。
＜６＞ 前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に、音響ミラー層を有し、
前記音響ミラー層は、高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層が交互に一対以上積層された積層体、又は前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に形成された空隙である＜１＞～＜５＞の何れか一つに記載のＢＡＷフィルタ。
＜１＞ 支持基材上に、複数の直列共振子と、前記直列共振子に対して並列に接続された、複数の並列共振子とを備えるＢＡＷフィルタであって、
前記直列共振子は、第１の電極、第１の圧電体層及び第２の電極をこの順に積層して備え、
前記並列共振子は、第３の電極、第２の圧電体層、第４の電極及び周波数調整層をこの順に積層して備え、
前記第２の電極と前記第４の電極とが、連結用電極により電気的に接続され、
前記周波数調整層の音響インピーダンスが、前記第４の電極の音響インピーダンス未満であり、かつ前記連結用電極の音響インピーダンスを超えるＢＡＷフィルタ。
＜２＞ 前記第４の電極の音響インピーダンスと前記周波数調整層の音響インピーダンスとの差が、３０Ｎ／ｍ２以下である＜１＞に記載のＢＡＷフィルタ。
＜３＞ 前記連結用電極が、前記周波数調整層と接続される＜１＞又は＜２＞に記載のＢＡＷフィルタ。
＜４＞ 前記周波数調整層は、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇのうち何れか１つ以上の成分を含む＜１＞～＜３＞の何れか一つに記載のＢＡＷフィルタ。
＜５＞ 前記第２の電極及び前記第４の電極は、Ｒｕ、Ｃｕ及びＴｉのうち何れか１つ以上の成分を含む＜１＞～＜４＞の何れか一つに記載のＢＡＷフィルタ。
＜６＞ 前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に、音響ミラー層を有し、
前記音響ミラー層は、高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層が交互に一対以上積層された積層体、又は前記支持基材と前記第１の電極及び前記第３の電極との間に形成された空隙である＜１＞～＜５＞の何れか一つに記載のＢＡＷフィルタ。
【符号の説明】
【0138】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ ＢＡＷフィルタ
１０ 支持基材
２０ 弾性波共振子
２１ 音響ミラー層
２２ 電極
２２Ａ 第１の電極
２２Ｂ 第２の電極
２２Ｃ 第３の電極
２２Ｄ 第４の電極
２３ 圧電体層
２５ 周波数調整層
３０ 連結用電極
１０１、２１１、２２１Ａ、２２１Ｂ、２２１Ｃ、２２１Ｄ、２３１、２５１ 主面（上面）
Ｓ１１～Ｓ１ｍ 直列共振子
Ｐ１１～Ｐ１ｎ 並列共振子
１０ 支持基材
２０ 弾性波共振子
２１ 音響ミラー層
２２ 電極
２２Ａ 第１の電極
２２Ｂ 第２の電極
２２Ｃ 第３の電極
２２Ｄ 第４の電極
２３ 圧電体層
２５ 周波数調整層
３０ 連結用電極
１０１、２１１、２２１Ａ、２２１Ｂ、２２１Ｃ、２２１Ｄ、２３１、２５１ 主面（上面）
Ｓ１１～Ｓ１ｍ 直列共振子
Ｐ１１～Ｐ１ｎ 並列共振子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】