特開 2024-143114 半導体装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024143114

(43)【公開日】2024-10-11

(54)【発明の名称】半導体装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20241003BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 C

H01L21/60 321E

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023055620

(22)【出願日】2023-03-30

(71)【出願人】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石山 祐介

(57)【要約】

【課題】絶縁層の電気的絶縁性を確保しつつ、電極を回路パターンに超音波接合する際に、回路パターンに対する電極の位置ずれを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基板１０と、電極２０とを備える。絶縁基板１０は、第１主面１１ａを含む絶縁層１１と、回路パターン１２とを含む。回路パターン１２は、第１主面１１ａ上に配置されており、かつ、部分１４を含む。電極２０は、部分１４に接合されている部分２１を含む。部分１４と部分２１との接合は、超音波接合である。部分１４及び部分２１の一方は、部分１４及び部分２１の他方に嵌合している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面を含む絶縁層と、前記第１主面上に配置されており、かつ、第１部分を含む回路パターンとを含む絶縁基板と、
前記第１部分に接合されている第２部分を含む電極とを備え、
前記第１部分と前記第２部分との接合は、超音波接合であり、
前記第１部分及び前記第２部分の一方は、前記第１部分及び前記第２部分の他方に嵌合している、半導体装置。

【請求項2】

前記第１部分に凹部が設けられており、
前記第２部分は前記凹部に嵌合している、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第１主面の平面視において、前記凹部の段差は、前記超音波接合のために印加される超音波の振動方向に垂直な方向に延在している、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記凹部の上段面に固定されている金属ブロックをさらに備え、
前記第１主面の平面視において、前記金属ブロックは、前記凹部の段差に沿って配置されている、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記凹部の上段面に固定されているワイヤをさらに備え、
前記第１主面の平面視において、前記ワイヤは、前記凹部の段差に沿って配置されている、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第１部分に突起が設けられており、
前記第２部分に凹部が設けられており、
前記突起は前記凹部に嵌合している、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記突起は前記第１部分に一体に形成されている、請求項６に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第１部分は、前記絶縁層上に配置されている導電パターンと、前記導電パターンに固定されている金属ブロックとを含み、
前記金属ブロックは前記突起である、請求項６に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記第１主面の平面視において、前記凹部の段差は、前記超音波接合のために印加される超音波の振動方向に垂直な方向に延在している、請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記絶縁層は、前記第１主面とは反対側の第２主面を含み、
前記絶縁基板は、前記第２主面上に配置されている放熱板を含む、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項11】

絶縁基板と電極とを準備することを備え、前記絶縁基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に配置されており、かつ、第１部分を含む回路パターンとを含み、前記電極は、第２部分を含み、
前記第１部分及び前記第２部分の一方を、前記第１部分及び前記第２部分の他方に嵌合させることと、
前記第１部分と前記第２部分とを超音波接合することとを備える、半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特開２０２２－３７７３９号公報（特許文献１）は、積層基板と、接続端子とを備える半導体装置を開示している。積層基板は、絶縁板と、絶縁板の裏面に積層された放熱板とを含む。絶縁板に、接続端子を位置決めする凹部が設けられている。接続端子を絶縁板に超音波接合する際に、接続端子は凹部によって位置決めされて、絶縁板に対する接続端子の位置ずれが抑制される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－３７７３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示された半導体装置では、凹部において絶縁板の厚さが減少するため、絶縁板の絶縁性能が低下する。本開示は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁層の電気的絶縁性を確保しつつ、電極を回路パターンに超音波接合する際に、回路パターンに対する電極の位置ずれを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の半導体装置は、半導体装置は、絶縁基板と、電極とを備える。絶縁基板は、第１主面を含む絶縁層と、回路パターンとを含む。回路パターンは、第１主面上に配置されており、かつ、第１部分を含む。電極は、第１部分に接合されている第２部分を含む。第１部分と第２部分との接合は、超音波接合である。第１部分及び第２部分の一方は、第１部分及び第２部分の他方に嵌合している。

【0006】

本開示の半導体装置の製造方法は、絶縁基板と電極とを準備することを備える。絶縁基板は、絶縁層と、回路パターンとを含む。回路パターンは、絶縁層上に配置されており、かつ、第１部分を含む。電極は、第２部分を含む。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１部分及び第２部分の一方を、第１部分及び第２部分の他方に嵌合させることと、第１部分と第２部分とを超音波接合することとを備える。

【発明の効果】

【0007】

そのため、回路パターンの第１部分と電極の第２部分との超音波接合の際に、回路パターンに対する電極の移動が規制されて、回路パターンに対する電極の位置ずれが抑制される。また、回路パターンに対する電極の位置ずれを抑制するために絶縁層の一部の厚さを減少させないため、絶縁層の電気的絶縁性が確保される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施の形態１に係る半導体装置の概略部分拡大平面図である。

【図2】実施の形態１に係る半導体装置の、図１に示されるＩＩ方向からの概略部分拡大正面図である。

【図3】実施の形態１に係る半導体装置の、図１に示されるＩＩＩ方向からの概略部分拡大側面図である。

【図4】実施の形態１に係る半導体装置の、図１に示される断面線ＩＶ－ＩＶにおける概略部分拡大断面図である。

【図5】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートを示す図である。

【図6】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の超音波接合工程を示す概略部分拡大断面図である。

【図7】実施の形態２に係る半導体装置の概略部分拡大平面図である。

【図8】実施の形態２に係る半導体装置の、図７に示される断面線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩにおける概略部分拡大断面図である。

【図9】実施の形態２の変形例に係る半導体装置の概略部分拡大断面図である。

【図10】実施の形態３に係る半導体装置の概略部分拡大平面図である。

【図11】実施の形態３に係る半導体装置の、図１０に示される断面線ＸＩ－ＸＩにおける概略部分拡大断面図である。

【図12】実施の形態３の変形例に係る半導体装置の概略部分拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本開示の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

【0010】

実施の形態１．

【0011】

図１から図４を参照して、実施の形態１の半導体装置１を説明する。半導体装置１は、絶縁基板１０と、電極２０と、絶縁基板１０上に載置されている半導体素子（図示せず）とを備える。半導体素子は、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）または絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）のようなパワー半導体素子である。半導体装置１は、例えば、パワー半導体装置である。

【0012】

絶縁基板１０は、絶縁層１１と、回路パターン１２と、放熱板１３とを含む。

【0013】

絶縁層１１は、第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂとを含む。第１主面１１ａ及び第２主面１１ｂは、各々、ｘ方向とｘ方向に垂直なｙ方向とに延在している。第１主面１１ａの法線方向及び第２主面１１ｂの法線方向は、各々、ｘ方向及びｙ方向に垂直なｚ方向である。絶縁層１１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）もしくは窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）のようなセラミック、または、エポキシ樹脂のような絶縁樹脂で形成されている。樹脂製の絶縁層１１に、シリカ、アルミナもしくは窒化ホウ素（ＢＮ）のようなフィラーが分散されてもよい。

【0014】

回路パターン１２は、絶縁層１１の第１主面１１ａ上に配置されている。回路パターン１２は、例えば、絶縁層１１にロウ付けされている。回路パターン１２は、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）のような金属で形成されている。回路パターン１２は、部分１４と、部分１９とを含む。部分１９は、部分１４から離間されており、かつ、部分１４から電気的に絶縁されている。部分１４，１９は、各々、導電パターンである。

【0015】

放熱板１３は、絶縁層１１の第２主面１１ｂ上に配置されている。放熱板１３は、例えば、ＣｕまたはＡｌのような金属で形成されている。放熱板１３は、半導体装置１において発生した熱を半導体装置１の外部へ放散させる。

【0016】

電極２０は、Ｃｕのような金属で形成されている。電極２０は、部分２１を含む。部分２１は、例えば、電極２０の端部である。電極２０の部分２１は、回路パターン１２の部分１４に超音波接合されている。

【0017】

回路パターン１２の部分１４及び電極２０の部分２１の一方は、回路パターン１２の部分１４及び電極２０の部分２１の他方に、嵌合している。本実施の形態では、回路パターン１２の部分１４に、凹部１５が設けられている。凹部１５は、例えば、薬液によるエッチング等によって、形成される。電極２０の部分２１は、凹部１５に嵌合している。

【0018】

凹部１５は、段差１６と、下段面１７と、上段面１８とを含む。段差１６は、下段面１７と上段面１８とに接続されている。図１及び図４に示されるように、絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、一対の段差１６は、部分２１の両側面に対向している。電極２０の部分２１は、凹部１５の下段面１７に超音波接合されている。図６に示されるように、絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、凹部１５の段差１６は、回路パターン１２の部分１４と電極の部分２１との超音波接合のために印加される超音波の振動方向（ｙ方向）に垂直な方向（例えば、ｚ方向）に延在している。本明細書において、超音波の振動方向に垂直な方向は、超音波の振動方向に対して７５°以上１０５°以下の角度をなす方向を意味する。

【0019】

図５及び図６を参照して、本実施の形態の半導体装置１の製造方法を説明する。

【0020】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、絶縁基板１０と電極２０とを準備することを備える（ステップＳ１）。絶縁基板１０は、絶縁層１１と、回路パターン１２とを含む。回路パターン１２は、部分１４，１９を含む。部分１４に、凹部１５が設けられている。電極２０は、部分２１を含む。

【0021】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、回路パターン１２の部分１４及び電極２０の部分２１の一方を、回路パターン１２の部分１４及び電極２０の部分２１の他方に嵌合させること（ステップＳ２）を備える。本実施の形態では、電極２０の部分２１を回路パターン１２の部分１４に設けられている凹部１５に嵌合させる。

【0022】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、回路パターン１２の部分１４と電極２０の部分２１とを超音波接合すること（ステップＳ３）とを備える。電極２０の部分２１は、回路パターン１２の部分１４に超音波接合される。具体的には、電極２０の部分２１は、凹部１５の下段面１７に超音波接合される。電極２０の部分２１が回路パターン１２の部分１４に設けられた凹部１５に嵌合している。一対の段差１６は、部分２１の両側面に対向しており、電極２０の移動を規制する。そのため、超音波接合工程（ステップＳ３）の間、回路パターン１２に対する電極２０の移動が規制されて、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制される。また、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれを抑制するために絶縁層１１の一部の厚さを減少させないため、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0023】

本実施の形態の半導体装置１及びその製造方法の効果を説明する。

【0024】

本実施の形態の半導体装置１は、絶縁基板１０と、電極２０とを備える。絶縁基板１０は、絶縁層１１と、回路パターン１２とを含む。絶縁層１１は、第１主面１１ａを含む。回路パターン１２は、絶縁層１１の第１主面１１ａ上に配置されており、かつ、第１部分（部分１４）を含む。電極２０は、回路パターン１２の第１部分に接合されている第２部分（部分２１）を含む。回路パターン１２の第１部分と電極２０の第２部分との接合は、超音波接合である。回路パターン１２の第１部分及び電極２０の第２部分の一方は、回路パターン１２の第１部分及び電極２０の第２部分の他方に嵌合している。

【0025】

そのため、回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極２０の第２部分（部分２１）との超音波接合の際に、回路パターン１２に対する電極２０の移動が規制されて、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制される。また、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれを抑制するために絶縁層１１の一部の厚さを減少させないため、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0026】

本実施の形態の半導体装置１では、第１部分（部分１４）に凹部１５が設けられている。第２部分（部分２１）は、凹部１５に嵌合している。

【0027】

そのため、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制されるとともに、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0028】

本実施の形態の半導体装置１では、絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、凹部１５の段差１６は、回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極の第２部分（部分２１）との超音波接合のために印加される超音波の振動方向に垂直な方向に延在している。

【0029】

回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれは、回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極２０の第２部分（部分２１）との超音波接合のために印加される超音波の振動方向に生じやすい。しかし、凹部１５の段差１６は、超音波の振動方向に垂直な方向に延在している。そのため、段差１６は、電極２０の移動を規制する。回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれは、凹部１５の段差１６によってより確実に抑制される。

【0030】

本実施の形態の半導体装置１では、絶縁層１１は、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂを含む。絶縁基板１０は、絶縁層１１の第２主面１１ｂ上に配置されている放熱板１３を含む。

【0031】

そのため、半導体装置１で発生した熱が、放熱板１３を通して、半導体装置１の外部に効率的に放散される。

【0032】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、絶縁基板１０と電極２０とを準備することを備える（ステップＳ１）。絶縁基板１０は、絶縁層１１と、回路パターン１２とを含む。回路パターン１２は、絶縁層１１上に配置されており、かつ、第１部分（部分１４）を含む。電極２０は、第２部分（部分２１）を含む。本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、回路パターン１２の第１部分及び電極２０の第２部分の一方を、回路パターン１２の第１部分及び電極２０の第２部分の他方に嵌合させることと（ステップＳ２）、回路パターン１２の第１部分と電極２０の第２部分とを超音波接合すること（ステップＳ３）とを備える。

【0033】

そのため、回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極２０の第２部分（部分２１）とを超音波接合する工程（ステップＳ３）において、回路パターン１２に対する電極２０の移動が規制されて、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制される。また、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれを抑制するために絶縁層１１の一部の厚さを減少させないため、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0034】

実施の形態２．

【0035】

図７及び図８を参照して、実施の形態２に係る半導体装置１を説明する。本実施の形態の半導体装置１は、実施の形態１の半導体装置１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

【0036】

本実施の形態の半導体装置１は、金属ブロック３０を備える。金属ブロック３０は、例えば、ＣｕまたはＡｌのような金属で形成されている。金属ブロック３０は、はんだまたは銀ペーストのような接合部材３１を用いて、凹部１５の上段面１８に固定されている。絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、金属ブロック３０は、凹部１５の段差１６に沿って配置されている。

【0037】

図９を参照して、本実施の形態の変形例の半導体装置１は、ワイヤ３３をさらに備える。ワイヤ３３は、例えば、ＣｕまたはＡｌのような金属で形成されている。ワイヤ３３は、凹部１５の上段面１８に固定されている。例えば、ワイヤ３３は、凹部１５の上段面１８に超音波接合されている。絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、ワイヤ３３は、凹部１５の段差１６に沿って配置されている。

【0038】

本実施の形態の半導体装置１は、実施の形態１の半導体装置１の効果に加えて、以下の効果を説明する。

【0039】

本実施の形態の半導体装置１は、凹部１５の上段面１８に固定されている金属ブロック３０をさらに備える。絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、金属ブロック３０は、凹部１５の段差１６に沿って配置されている。

【0040】

回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極２０の第２部分（部分２１）との超音波接合の際に、凹部１５に加えて金属ブロック３０も、回路パターン１２に対する電極２０の移動を規制する。凹部１５の段差１６が小さくても、回路パターン１２の第１部分と電極２０の第２部分との超音波接合の際に、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制される。

【0041】

本実施の形態の半導体装置１は、凹部１５の上段面１８に固定されているワイヤ３３をさらに備える。絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、ワイヤ３３は、凹部１５の段差１６に沿って配置されている。

【0042】

回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極２０の第２部分（部分２１）との超音波接合の際に、凹部１５に加えてワイヤ３３も、回路パターン１２に対する電極２０の移動を規制する。凹部１５の段差１６が小さくても、回路パターン１２の第１部分と電極２０の第２部分との超音波接合の際に、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制される。

【0043】

実施の形態３．

【0044】

図１０及び図１１を参照して、実施の形態３に係る半導体装置１を説明する。本実施の形態の半導体装置１は、実施の形態１の半導体装置１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

【0045】

回路パターン１２の部分１４に突起３５が設けられている。突起３５は、回路パターン１２の部分１４に一体に形成されている。突起３５は、例えば、薬液によるエッチング等によって、形成される。電極２０の部分２１に、凹部２２が設けられている。凹部２２は、例えば、金型によるプレス等によって、形成される。突起３５は、凹部２２に嵌合している。

【0046】

凹部２２は、段差２３と、下段面２４と、上段面２５とを含む。段差２３は、下段面２４と上段面２５とに接続されている。絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、一対の段差２３は、突起３５の両側面に対向している。突起３５は、凹部２２の下段面２４に超音波接合されている。絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、凹部２２の段差２３は、回路パターン１２の部分１４と電極の部分２１との超音波接合のために印加される超音波の振動方向（ｙ方向）に垂直な方向（例えば、ｘ方向）に延在している。

【0047】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、図５及び図６に示される実施の形態１の半導体装置１の製造方法と同様であるが、以下の点で実施の形態１の半導体装置１の製造方法と異なっている。

【0048】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法では、ステップＳ１の工程において、絶縁基板１０と電極２０とを準備する。絶縁基板１０は、絶縁層１１と、回路パターン１２とを含む。回路パターン１２は、部分１４，１９を含む。回路パターン１２の部分１４に突起３５が設けられている。電極２０は、部分２１を含む。電極２０の部分２１に、凹部２２が設けられている。

【0049】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法では、ステップＳ２の工程において、回路パターン１２の部分１４に設けられている突起３５を、電極２０の部分２１に設けられている凹部２２に嵌合させる。

【0050】

本実施の形態の半導体装置１の製造方法では、ステップＳ３の工程において、回路パターン１２の部分１４に設けられている突起３５は、電極２０の部分２１に設けられている凹部２２に超音波接合される。具体的には、突起３５は、凹部２２の下段面２４に超音波接合される。突起３５は凹部２２に嵌合している。一対の段差２３は、突起３５の両側面に対向しており、電極２０の移動を規制する。そのため、超音波接合工程（ステップＳ３）の間、回路パターン１２に対する電極２０の移動が規制されて、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制される。また、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれを抑制するために、絶縁層１１の一部の厚さを減少させないため、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0051】

図１２を参照して、本実施の形態の変形例の半導体装置１では、回路パターン１２の部分１４は、絶縁層１１上に配置されている導電パターン１４ａと、金属ブロック３０とを含む。導電パターン１４ａは、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）のような金属で形成されている。金属ブロック３０は、はんだまたは銀ペーストのような接合部材３１を用いて、導電パターン１４ａに固定されている。金属ブロック３０は、例えば、ＣｕまたはＡｌのような金属で形成されている。金属ブロック３０は、突起３５である。

【0052】

本実施の形態の半導体装置１は、実施の形態１の半導体装置１の効果に加えて、以下の効果を説明する。

【0053】

本実施の形態の半導体装置１では、回路パターン１２の第１部分（部分１４）に突起３５が設けられている。電極の第２部分（部分２１）に、凹部２２が設けられている。突起３５は、凹部２２に嵌合している。

【0054】

そのため、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制されるとともに、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0055】

本実施の形態の半導体装置１では、突起３５は、回路パターン１２の第１部分（部分１４）に一体に形成されている。

【0056】

そのため、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制されるとともに、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0057】

本実施の形態の半導体装置１では、回路パターン１２の第１部分（部分１４）は、絶縁層１１上に配置されている導電パターン１４ａと、導電パターン１４ａに固定されている金属ブロック３０とを含む。金属ブロック３０は、突起３５である。

【0058】

そのため、回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれが抑制されるとともに、絶縁層１１の電気的絶縁性が確保される。

【0059】

本実施の形態の半導体装置１では、絶縁層１１の第１主面１１ａの平面視において、凹部２２の段差２３は、回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極の第２部分（部分２１）との超音波接合のために印加される超音波の振動方向に垂直な方向に延在している。

【0060】

回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれは、回路パターン１２の第１部分（部分１４）と電極２０の第２部分（部分２１）との超音波接合のために印加される超音波の振動方向に生じやすい。しかし、凹部２２の段差２３は、超音波の振動方向に垂直な方向に延在している。そのため、凹部２２の段差２３は、電極２０の移動を規制する。回路パターン１２に対する電極２０の位置ずれは、凹部２２の段差２３によってより確実に抑制される。

【0061】

以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
第１主面を含む絶縁層と、前記第１主面上に配置されており、かつ、第１部分を含む回路パターンとを含む絶縁基板と、
前記第１部分に接合されている第２部分を含む電極とを備え、
前記第１部分と前記第２部分との接合は、超音波接合であり、
前記第１部分及び前記第２部分の一方は、前記第１部分及び前記第２部分の他方に嵌合している、半導体装置。
（付記２）
前記第１部分に凹部が設けられており、
前記第２部分は前記凹部に嵌合している、付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記第１主面の平面視において、前記凹部の段差は、前記超音波接合のために印加される超音波の振動方向に垂直な方向に延在している、付記２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記凹部の上段面に固定されている金属ブロックをさらに備え、
前記第１主面の平面視において、前記金属ブロックは、前記凹部の段差に沿って配置されている、付記２に記載の半導体装置。
（付記５）
前記凹部の上段面に固定されているワイヤをさらに備え、
前記第１主面の平面視において、前記ワイヤは、前記凹部の段差に沿って配置されている、付記２に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第１部分に突起が設けられており、
前記第２部分に凹部が設けられており、
前記突起は前記凹部に嵌合している、付記１に記載の半導体装置。
（付記７）
前記突起は前記第１部分に一体に形成されている、付記６に記載の半導体装置。
（付記８）
前記第１部分は、前記絶縁層上に配置されている導電パターンと、前記導電パターンに固定されている金属ブロックとを含み、
前記金属ブロックは前記突起である、付記６に記載の半導体装置。
（付記９）
前記第１主面の平面視において、前記凹部の段差は、前記超音波接合のために印加される超音波の振動方向に垂直な方向に延在している、付記６から付記８のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１０）
前記絶縁層は、前記第１主面とは反対側の第２主面を含み、
前記絶縁基板は、前記第２主面上に配置されている放熱板を含む、付記１から付記９のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１１）
絶縁基板と電極とを準備することを備え、前記絶縁基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に配置されており、かつ、第１部分を含む回路パターンとを含み、前記電極は、第２部分を含み、
前記第１部分及び前記第２部分の一方を、前記第１部分及び前記第２部分の他方に嵌合させることと、
前記第１部分と前記第２部分とを超音波接合することとを備える、半導体装置の製造方法。

【0062】

今回開示された実施の形態１－３及びそれらの変形例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態１－３及びそれらの変形例の少なくとも２つを組み合わせてもよい。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

【符号の説明】

【0063】

１ 半導体装置、１０ 絶縁基板、１１ 絶縁層、１１ａ 第１主面、１１ｂ 第２主面、１２ 回路パターン、１３ 放熱板、１４，１９，２１ 部分、１４ａ 導電パターン、１５，２２ 凹部、１６，２３ 段差、１７，２４ 下段面、１８，２５ 上段面、２０ 電極、３０ 金属ブロック、３１ 接合部材、３３ ワイヤ、３５ 突起。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】