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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024143277
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】半導体素子搭載用基板、および、半導体パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/14 20060101AFI20241003BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20241003BHJP
H05K 1/05 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H01L23/14 M
H01L23/12 J
H05K1/05 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023055864
(22)【出願日】2023-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000004547
【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100160691
【弁理士】
【氏名又は名称】田邊 淳也
(74)【代理人】
【識別番号】100227732
【弁理士】
【氏名又は名称】小澤 祥二
(72)【発明者】
【氏名】西村 充
(72)【発明者】
【氏名】宇佐美 憲三
(72)【発明者】
【氏名】近藤 洋右
(72)【発明者】
【氏名】村瀬 達宣
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 幸裕
(72)【発明者】
【氏名】佐野 五十鈴
【テーマコード（参考）】
5E315
【Ｆターム（参考）】
5E315AA03
5E315BB03
5E315BB04
5E315BB06
5E315BB11
5E315DD13
5E315GG22
(57)【要約】
【課題】 半導体素子搭載用基板において、絶縁層にクラックが発生することを抑制しつつ、基材の腐食を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 半導体素子搭載用基板は、金属からなる基材と、半導体素子に接続される電極と、基材と電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、基材と絶縁層との間に配置される中間層であって、基材の絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える。
【選択図】 図１
【解決手段】 半導体素子搭載用基板は、金属からなる基材と、半導体素子に接続される電極と、基材と電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、基材と絶縁層との間に配置される中間層であって、基材の絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子搭載用基板であって、
金属からなる基材と、
半導体素子に接続される電極と、
前記基材と前記電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が前記基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、
前記基材と前記絶縁層との間に配置される中間層であって、前記基材の前記絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
金属からなる基材と、
半導体素子に接続される電極と、
前記基材と前記電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が前記基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、
前記基材と前記絶縁層との間に配置される中間層であって、前記基材の前記絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
【請求項2】
請求項１に記載の半導体素子搭載用基板であって、
前記中間層は、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
前記中間層は、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載の半導体素子搭載用基板であって、
前記基材は、銅、または、アルミニウムによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
前記基材は、銅、または、アルミニウムによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
【請求項4】
半導体パッケージであって、
請求項１または請求項２に記載の半導体素子搭載用基板と、
前記電極と電気的に接続される半導体素子と、
前記半導体素子を覆う樹脂部であって、前記中間層のうち、前記絶縁層の前記外周部の外側において露出する露出部を覆う樹脂部と、を備える、
ことを特徴とする半導体パッケージ。
請求項１または請求項２に記載の半導体素子搭載用基板と、
前記電極と電気的に接続される半導体素子と、
前記半導体素子を覆う樹脂部であって、前記中間層のうち、前記絶縁層の前記外周部の外側において露出する露出部を覆う樹脂部と、を備える、
ことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子搭載用基板、および、半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、半導体素子を搭載するための半導体素子搭載用基板が知られている。例えば、特許文献１には、金属からなる基材と、半導体素子に接続される配線部と、基材と配線部との間に配置される絶縁層と、を備える半導体素子搭載用基板が開示されている。特許文献１に記載の絶縁層は、外周部が、基材の外周部よりも内側に位置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１３９６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１のような先行技術によっても、半導体素子搭載用基板において、絶縁層にクラックが発生することを抑制しつつ、基材の腐食を抑制する技術については、なお、改善の余地があった。例えば、特許文献１に記載の半導体素子搭載用基板では、絶縁層の外周部を基材の外周部よりも内側に位置させることで絶縁層にクラックが発生することを抑制している。しかしながら、基材の絶縁層側の表面のうち、絶縁層が成膜されていない部分は、基材を形成する金属がむき出しとなるため、腐食しやすい。このため、絶縁層にクラックが発生することを抑制しつつ、基材の腐食を抑制する技術が求められていた。
【0005】
本発明は、半導体素子搭載用基板において、絶縁層にクラックが発生することを抑制しつつ、基材の腐食を抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【0007】
（１）本発明の一形態によれば、半導体素子搭載用基板が提供される。この半導体素子搭載用基板は、金属からなる基材と、半導体素子に接続される電極と、前記基材と前記電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が前記基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、前記基材と前記絶縁層との間に配置される中間層であって、前記基材の前記絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える。
【0008】
この構成によれば、絶縁層の外周部は、基材の外周部よりも内側に位置している。これにより、例えば、１枚の金属ウェハから複数の半導体素子搭載用基板を製造する製造工程において、絶縁層などがすでに成膜されている金属ウェハを切断するとき、絶縁層が形成されていない部分を切断することで、絶縁層にクラックが発生することを抑制することができる。また、基材と絶縁層との間に配置される中間層は、基材の絶縁層側の表面のうち、絶縁層が形成されないために露出している露出部分も含めて基材の絶縁層側の表面の全体を覆っている。これにより、基材の露出部分の腐食を中間層によって抑制することができる。このように、絶縁層にクラックが発生することを抑制しつつ、中間層が基材の絶縁層側の表面の全体を覆うことで基材の腐食を抑制することができる。
【0009】
（２）上記形態の半導体素子搭載用基板において、前記中間層は、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されていてもよい。この構成によれば、中間層は、耐食性が比較的高い、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されている。これにより、基材の絶縁層側の表面のうち、絶縁層が形成されないために露出している露出部分の腐食をさらに抑制することができる。
【0010】
（３）上記形態の半導体素子搭載用基板において、前記基材は、銅、または、アルミニウムによって形成されていてもよい。この構成によれば、基材は、放熱性が高い銅またはアルミニウムによって形成されているため、半導体素子搭載用基板の放熱性を向上させることができる。
【0011】
（４）本発明の別の形態によれば、半導体パッケージが提供される。この半導体パッケージは、上記の半導体素子搭載用基板と、前記電極と電気的に接続される半導体素子と、前記半導体素子を覆う樹脂部であって、前記中間層のうち、前記絶縁層の前記外周部の外側において露出する露出部を覆う樹脂部と、を備える。この構成によれば、樹脂部は、半導体素子を封止しつつ、絶縁層の外周部の外側において露出する中間層の露出部を覆う。中間層の露出部は、基材の絶縁層側の表面のうち、絶縁層が形成されないために露出する露出部分を覆っており、基材の露出部分の腐食を抑制している。これにより、中間層を介した基材と樹脂部との密着性を担保することができるため、樹脂部によって半導体素子を封止することができる。
【0012】
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、半導体素子搭載用基板を含む製品、半導体パッケージを備える装置、半導体素子搭載用基板および半導体パッケージの製造方法等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】第１実施形態の半導体素子搭載用基板の断面模式図である。
【図2】第１実施形態の半導体パッケージの断面模式図である。
【図4】第２実施形態の半導体素子搭載用基板の断面模式図である。
【図5】第２実施形態の半導体パッケージの断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の半導体素子搭載用基板１の断面模式図である。図２は、第１実施形態の半導体パッケージ６の断面模式図である。本実施形態の半導体素子搭載用基板１は、半導体素子６ａとして、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）や半導体レーザー（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）などの光半導体を支持し、発光時に発生する熱を外部に放出する放熱基板として機能する。半導体素子搭載用基板１は、基材１０と、中間層２０と、密着層３０と、絶縁層４０と、密着層５０と、接合層６０と、電極７０と、保護層８０と、を備える。なお、図１および図２における、基材１０と、中間層２０と、密着層３０と、絶縁層４０と、密着層５０と、接合層６０と、電極７０と、保護層８０と、半導体素子６ａとのそれぞれの厚みの関係は、説明の便宜上、実際の厚みの関係とは異なるように図示されている。
図１は、第１実施形態の半導体素子搭載用基板１の断面模式図である。図２は、第１実施形態の半導体パッケージ６の断面模式図である。本実施形態の半導体素子搭載用基板１は、半導体素子６ａとして、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）や半導体レーザー（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）などの光半導体を支持し、発光時に発生する熱を外部に放出する放熱基板として機能する。半導体素子搭載用基板１は、基材１０と、中間層２０と、密着層３０と、絶縁層４０と、密着層５０と、接合層６０と、電極７０と、保護層８０と、を備える。なお、図１および図２における、基材１０と、中間層２０と、密着層３０と、絶縁層４０と、密着層５０と、接合層６０と、電極７０と、保護層８０と、半導体素子６ａとのそれぞれの厚みの関係は、説明の便宜上、実際の厚みの関係とは異なるように図示されている。
【0015】
基材１０は、平板形状を有する部材であって、半導体素子搭載用基板１の土台となる。本実施形態では、基材１０の厚みは、１ｍｍである。基材１０は、金属からなる。本実施形態では、基材１０は、銅（Ｃｕ）によって形成されている。基材１０は、アルミニウム（Ａｌ）によって形成されていてもよい。基材１０は、銅を主成分とする材料、アルミニウムを主成分とする材料、または、銅とアルミニウムの合金によって形成されていてもよい。基材１０がこれらの金属によって形成されることで、半導体素子６ａにおいて発生する熱を、基材１０を介して効率的に外部に放出することができる。
【0016】
中間層２０は、基材１０と電極７０との間に配置されている。より詳細には、中間層２０は、基材１０と密着層３０との間に配置されている。本実施形態では、中間層２０は、基材１０の表面のうち、後述する絶縁層４０が形成されている一方の表面１１に設けられており、基材１０の一方の表面１１の全体を覆う。本実施形態では、図１に示すように、密着層３０や電極７０の幅が基材１０の幅より小さいため、中間層２０は、少なくとも一部が、基材１０と密着層３０との間に配置されている。
【0017】
中間層２０は、基材１０を形成する材料とは異なる材料であって、耐食性が比較的高く、かつ、酸化しにくい材料から形成されている。本実施形態の中間層２０は、基材１０を形成する銅よりも、高い耐食性、および、高い耐酸化性を有するニッケルによって形成されている。中間層２０は、ニッケルコバルト合金などのニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されていてもよい。また、中間層２０を形成する材料は、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物に限定されない。中間層２０は、基材１０よりも耐食性が高い材料、または、基材１０よりも酸化しにくい材料によって形成されることが望ましい。
【0018】
密着層３０は、中間層２０と絶縁層４０との間に配置されている。本実施形態では、密着層３０は、チタンからなっており、厚みが、例えば、０．５μｍである。密着層３０は、中間層２０と絶縁層４０とを密着させるとともに、基材１０と絶縁層４０との熱膨張差を緩和させることで絶縁層４０にクラックが形成されることを抑制する。
【0019】
絶縁層４０は、基材１０と電極７０との間、より詳細には、密着層３０と密着層５０との間に配置されている。絶縁層４０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなっており、厚みが、例えば、５μｍである。絶縁層４０は、金属からなる基材１０と電極７０とを絶縁する。本実施形態の絶縁層４０の特徴の詳細は、後述する。
【0020】
密着層５０は、絶縁層４０と接合層６０との間に配置されている。本実施形態では、密着層５０は、チタンからなっており、厚みが、例えば、０．２μｍである。密着層５０は、絶縁層４０と接合層６０とを密着させるとともに、絶縁層４０と接合層６０との熱膨張差を緩和させることで絶縁層４０にクラックが形成されることを抑制する。本実施形態では、密着層５０は、パターニングによって絶縁層４０に２つ形成されている。
【0021】
接合層６０は、密着層５０と電極７０との間に配置されている。接合層６０は、パラジウム（Ｐｄ）からなり、厚みが、例えば、０．０７μｍである。接合層６０は、密着層５０と電極７０との接合強度を向上させる。本実施形態では、接合層６０は、パターニングによって２つの密着層５０のそれぞれに形成されている。
【0022】
電極７０は、図示しないバンプを介して、半導体素子６ａに接続される（図２参照）。電極７０は、金（Ａｕ）からなっており、厚みが、例えば、３．０μｍである。本実施形態では、電極７０は、パターニングによって２つの接合層６０のそれぞれに形成されている。
【0023】
保護層８０は、基材１０の表面のうち、一方の表面１１とは反対側の他方の表面１２に設けられている。保護層８０は、基材１０の他方の表面１２の全体を覆う。保護層８０は、中間層２０と同様に、ニッケルによって形成されている。保護層８０は、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されていてもよい。保護層８０は、基材１０の他方の表面１２側の腐食を抑制する。保護層８０は、半導体素子搭載用基板１の製造プロセスにおいて、複数の半導体素子搭載用基板１に個片化される前の１枚の金属部材に対して、中間層２０を形成する際に同時に形成されてもよい。
【0024】
半導体パッケージ６は、図２に示すように、半導体素子搭載用基板１と、半導体素子６ａと、蛍光体６ｂと、樹脂部６ｃと、を備える（図２参照）。半導体素子６ａは、図示しないバンプを介して、半導体素子搭載用基板１の電極７０に接続されている。蛍光体６ｂは、半導体素子６ａに対して半導体素子搭載用基板１とは反対側に設けられる。蛍光体６ｂは、光半導体である半導体素子６ａが発する光の波長を変換し、波長変換された光を半導体パッケージ６の外部に放出する。
【0025】
樹脂部６ｃは、半導体素子６ａを覆うように形成されている。樹脂部６ｃの基材１０側の端部６ｄは、基材１０の一方の表面１１の全体を覆う中間層２０に接している。樹脂部６ｃは、半導体素子６ａを封止する。
【0026】
次に、本実施形態の半導体素子搭載用基板１の特徴について、説明する。半導体素子搭載用基板１では、絶縁層４０は、外周部が基材１０の外周部よりも内側に位置し、中間層２０は、基材１０の絶縁層４０側の表面の全体を覆う。
【0027】
図３は、図１のＡ－Ａ線断面図であって、半導体素子搭載用基板１を電極７０側から見た図である。図３に示すように、絶縁層４０の外周部４０ａは、基材１０の外周部１０ａよりも内側に位置している。具体的には、絶縁層４０の外周部４０ａは、基材１０の外周部１０ａよりも半導体素子搭載用基板１における積層方向の中心軸Ｃ１寄りに位置している。本実施形態では、絶縁層４０は、中心軸Ｃ１に垂直な断面における形状が略矩形形状となるように形成されている。絶縁層４０は、図３に示す断面において、外周部４０ａのうち４つの角の部分４０ｂのそれぞれの外形線が、曲線形状を有する。
【0028】
中間層２０は、基材１０の絶縁層４０側の表面の全体を覆う。これにより、中間層２０は、半導体素子搭載用基板１を電極７０側から見た図である図３に示すように、絶縁層４０の外周部４０ａの外側において露出する露出部２１を有する。露出部２１は、絶縁層４０の周囲を囲むように形成されている。これにより、図３のように半導体素子搭載用基板１を電極７０側から見た場合、基材１０の一方の表面１１は、露出していない。半導体パッケージ６が備える樹脂部６ｃの端部６ｄは、中間層２０の露出部２１に接している。
【0029】
例えば、複数の半導体素子搭載用基板を製造する場合、１枚の金属からなる基材の上に絶縁層などを形成したのち、基材を切断して個片化する。基材を切断するときに絶縁層にクラックが発生することを抑制するため、複数の絶縁層を１枚の基材上に形成し、隣接する絶縁層の間から露出している基材を切断する。このため、１つの半導体素子搭載用基板において、絶縁層の外周部は、基材の外周部よりも内側に位置することとなる。しかしながら、１つの半導体素子搭載用基板において、絶縁層が形成されていない基材の表面は露出するため、露出した部分の基材が、製造工程で使用するエッチング液や実使用時の塩水などによって腐食するおそれがある。基材が腐食すると、半導体パッケージの樹脂部との間に隙間が形成されるため、半導体素子搭載用基板と樹脂部との密着性が低下する。半導体素子搭載用基板と樹脂部との密着性が低下すると、樹脂部による半導体素子の封止状態を維持することが困難となる。
【0030】
本実施形態の半導体素子搭載用基板１では、基材１０の一方の表面１１は、絶縁層４０が形成されないために露出する露出部分も含めて、中間層２０によって全体が覆われている。これにより、基材を切断して個片化するときには絶縁層４０にクラックが発生することを抑制し、基材１０の一方の表面１１の全体を覆う中間層２０によって基材１０の腐食を抑制することができる。基材１０の腐食が抑制されると、中間層２０を介した基材１０と半導体パッケージ６の樹脂部６ｃとの密着性が担保される。これにより、絶縁層４０にクラックが発生することを抑制しつつ、半導体パッケージ６において樹脂部６ｃによって半導体素子６ａを確実に封止することができる。
【0031】
以上説明した、本実施形態の半導体素子搭載用基板１によれば、絶縁層４０の外周部４０ａは、基材１０の外周部１０ａよりも内側に位置している。これにより、例えば、１枚の金属ウェハから複数の半導体素子搭載用基板１を製造する製造工程において、絶縁層４０などがすでに成膜されている金属ウェハを切断するとき、絶縁層４０が形成されていない部分を切断することで、絶縁層４０にクラックが発生することを抑制することができる。また、中間層２０は、基材１０の一方の表面１１のうち、絶縁層４０が形成されないために露出している露出部分を含めて基材１０の一方の表面１１の全体を覆う。これにより、基材１０の露出部分の腐食を中間層２０によって抑制することができる。このように、絶縁層４０の外周部４０ａが基材１０の外周部１０ａよりも内側に位置することで絶縁層４０にクラックが発生することを抑制し、中間層２０が基材１０の絶縁層４０側の一方の表面１１の全体を覆うことで基材１０の露出部分の腐食を抑制することができる。
【0032】
また、本実施形態の半導体素子搭載用基板１によれば、中間層２０は、耐食性が比較的高いニッケルによって形成されている。これにより、基材１０の一方の表面１１のうち、絶縁層４０が形成されないために露出している露出部分の腐食を抑制することができる。
【0033】
また、本実施形態の半導体素子搭載用基板１によれば、基材１０は、放熱性が高い銅によって形成されているため、半導体素子搭載用基板１の放熱性を向上させることができる。
【0034】
また、本実施形態の半導体パッケージ６によれば、樹脂部６ｃは、半導体素子６ａを封止しつつ、絶縁層４０の外周部４０ａの外側において露出する中間層２０の露出部２１を覆う。中間層２０の露出部２１は、基材１０の一方の表面１１のうち、絶縁層４０が形成されないために露出する露出部分を覆うように形成されており、基材１０の露出部分の腐食を抑制している。これにより、基材１０と樹脂部６ｃとの密着性を担保することができるため、樹脂部６ｃによって半導体素子６ａを封止することができる。
【0035】
＜第２実施形態＞
図４は、第２実施形態の半導体素子搭載用基板２の断面図である。図５は、第２実施形態の半導体パッケージ７の断面模式図である。第２実施形態の半導体素子搭載用基板２は、第１実施形態の半導体素子搭載用基板１（図１）と比較すると、絶縁層までパターニングされている点が異なる。
図４は、第２実施形態の半導体素子搭載用基板２の断面図である。図５は、第２実施形態の半導体パッケージ７の断面模式図である。第２実施形態の半導体素子搭載用基板２は、第１実施形態の半導体素子搭載用基板１（図１）と比較すると、絶縁層までパターニングされている点が異なる。
【0036】
第２実施形態の半導体素子搭載用基板２は、基材１０と、中間層２０と、密着層３０と、絶縁層４０と、密着層５０と、接合層６０と、電極７０と、保護層８０と、を備える。なお、図４および図５における、基材１０と、中間層２０と、密着層３０と、絶縁層４０と、密着層５０と、接合層６０と、電極７０と、保護層８０と、半導体素子６ａとのそれぞれの厚みの関係は、説明の便宜上、実際の厚みの関係とは異なるように図示されている。
【0037】
中間層２０は、基材１０と電極７０との間、より詳細には、基材１０と２つの密着層３０との間に配置されている。本実施形態では、図４に示すように、密着層３０や電極７０の幅が基材１０の幅より小さいため、中間層２０は、少なくとも一部が、基材１０と密着層３０との間に配置されている。中間層２０は、基材１０を形成する材料とは異なる材料であって、耐食性が比較的高く、かつ、酸化しにくい材料から形成されている。本実施形態の中間層２０は、基材１０を形成する銅よりも、高い耐食性、および、高い耐酸化性を有するニッケルによって形成されている。中間層２０は、基材１０よりも耐食性が高い材料、または、基材１０よりも酸化しにくい材料によって形成されることが望ましい。
【0038】
半導体素子搭載用基板２では、密着層３０と絶縁層４０とをそれぞれ２つ備える。２つの密着層３０は、基材１０の一方の表面１１の全体を覆う中間層２０上に形成されている。２つの絶縁層４０のそれぞれは、２つの密着層３０のそれぞれに形成されている。２つの絶縁層４０のそれぞれには、密着層５０と、接合層６０と、電極７０とがそれぞれ形成されている。
【0039】
半導体パッケージ７は、図５に示すように、半導体素子搭載用基板２と、半導体素子６ａと、蛍光体６ｂと、樹脂部７ｃと、を備える。樹脂部７ｃは、半導体素子６ａを覆うように形成されている。樹脂部７ｃの基材１０側の端部７ｄは、基材１０の一方の表面１１の全体を覆う中間層２０に接している。
【0040】
図６は、図４のＢ－Ｂ線断面図であって、半導体素子搭載用基板２を電極７０側から見た図である。図６に示すように、２つの絶縁層４０のそれぞれの外周部４０ａは、基材１０の外周部１０ａよりも内側（半導体素子搭載用基板２の積層方向の中心軸Ｃ２寄り）に位置している。中間層２０は、基材１０の絶縁層４０側の表面の全体を覆っているため、絶縁層４０が形成されないために露出する露出部２２を有する。露出部２２は、２つの絶縁層４０のそれぞれの周囲を囲むように形成されている。これにより、半導体素子搭載用基板２を電極７０側から見た場合、基材１０の一方の表面１１は、露出していない。半導体パッケージ７が備える樹脂部７ｃの端部７ｄは、中間層２０の露出部２２に接している。
【0041】
以上説明した、本実施形態の半導体素子搭載用基板２によれば、絶縁層４０の外周部４０ａは、基材１０の外周部１０ａよりも内側に位置している。これにより、絶縁層４０が形成されていない部分を切断することで、絶縁層４０にクラックが発生することを抑制することができる。中間層２０は、基材１０の一方の表面１１の全体を覆うため、基材１０の露出部分の腐食を中間層２０によって抑制することができる。このように、絶縁層４０の外周部４０ａが基材１０の外周部１０ａよりも内側に位置することで絶縁層４０にクラックが発生することを抑制し、中間層２０が基材１０の一方の表面１１の全体を覆うことで基材１０の露出部分の腐食を抑制することができる。
【0042】
また、本実施形態の半導体パッケージ７によれば、樹脂部７ｃは、半導体素子６ａを封止しつつ、絶縁層４０の外周部４０ａの外側において露出する中間層２０の露出部２２を覆う。中間層２０の露出部２２は、基材１０の一方の表面１１のうち、絶縁層４０が形成されない露出部分を覆うように形成されており、基材１０の露出部分の腐食を抑制している。これにより、基材１０と樹脂部７ｃとの密着性を担保することができるため、樹脂部７ｃによって半導体素子６ａを封止することができる。
【0043】
＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【0044】
［変形例１］
上述の実施形態では、半導体素子搭載用基板は、光半導体を支持し、発光時に発生する熱を外部に放出する放熱基板として機能するとした。しかしながら、半導体素子搭載用基板に搭載される半導体は、光半導体に限定されない。
上述の実施形態では、半導体素子搭載用基板は、光半導体を支持し、発光時に発生する熱を外部に放出する放熱基板として機能するとした。しかしながら、半導体素子搭載用基板に搭載される半導体は、光半導体に限定されない。
【0045】
［変形例２］
上述の実施形態では、中間層２０は、ニッケルによって形成されているとした。中間層２０は、ニッケルコバルト合金などのニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されていてもよい。また、中間層２０を形成する材料は、これらに限定されないが、基材１０を形成する材料とは異なる材料であって、基材１０よりも耐食性が高い材料、または、基材１０よりも酸化しにくい材料によって形成されることが望ましい。
上述の実施形態では、中間層２０は、ニッケルによって形成されているとした。中間層２０は、ニッケルコバルト合金などのニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されていてもよい。また、中間層２０を形成する材料は、これらに限定されないが、基材１０を形成する材料とは異なる材料であって、基材１０よりも耐食性が高い材料、または、基材１０よりも酸化しにくい材料によって形成されることが望ましい。
【0046】
［変形例３］
第１実施形態では、密着層５０から電極７０までは、絶縁層４０上に２つ形成されているとした。第２実施形態では、密着層３０から電極７０までは、中間層２０上に２つ形成されているとした。半導体素子搭載用基板の構成は、これらに限定されない。例えば、基材１０上に中間層２０から電極７０までが順に成膜された直後の状態であって、パターニングされる前の状態であってもよい。
第１実施形態では、密着層５０から電極７０までは、絶縁層４０上に２つ形成されているとした。第２実施形態では、密着層３０から電極７０までは、中間層２０上に２つ形成されているとした。半導体素子搭載用基板の構成は、これらに限定されない。例えば、基材１０上に中間層２０から電極７０までが順に成膜された直後の状態であって、パターニングされる前の状態であってもよい。
【0047】
［変形例４］
上述の実施形態では、半導体素子搭載用基板は、基材１０の表面のうち、絶縁層４０などが成膜されない他方の表面１２に、保護層８０が設けられるとした。保護層８０は、なくてもよいが、基材１０の他方の表面１２側の腐食を抑制することができる。
上述の実施形態では、半導体素子搭載用基板は、基材１０の表面のうち、絶縁層４０などが成膜されない他方の表面１２に、保護層８０が設けられるとした。保護層８０は、なくてもよいが、基材１０の他方の表面１２側の腐食を抑制することができる。
【0048】
以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
【0049】
（適用例１）
半導体素子搭載用基板であって、
金属からなる基材と、
半導体素子に接続される電極と、
前記基材と前記電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が前記基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、
前記基材と前記絶縁層との間に配置される中間層であって、前記基材の前記絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
（適用例２）
適用例１に記載の半導体素子搭載用基板であって、
前記中間層は、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
（適用例３）
適用例１または適用例２に記載の半導体素子搭載用基板であって、
前記基材は、銅、または、アルミニウムによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
（適用例４）
半導体パッケージであって、
適用例１から適用例３のいずれか一例に記載の半導体素子搭載用基板と、
前記電極と電気的に接続される半導体素子と、
前記半導体素子を覆う樹脂部であって、前記中間層のうち、前記絶縁層の前記外周部の外側において露出する露出部を覆う樹脂部と、を備える、
ことを特徴とする半導体パッケージ。
半導体素子搭載用基板であって、
金属からなる基材と、
半導体素子に接続される電極と、
前記基材と前記電極との間に配置される絶縁層であって、外周部が前記基材の外周部よりも内側に位置する絶縁層と、
前記基材と前記絶縁層との間に配置される中間層であって、前記基材の前記絶縁層側の表面の全体を覆う中間層と、を備える、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
（適用例２）
適用例１に記載の半導体素子搭載用基板であって、
前記中間層は、ニッケル、ニッケル化合物、クロム、クロム化合物、チタン、または、チタン化合物のいずれかによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
（適用例３）
適用例１または適用例２に記載の半導体素子搭載用基板であって、
前記基材は、銅、または、アルミニウムによって形成されている、
ことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
（適用例４）
半導体パッケージであって、
適用例１から適用例３のいずれか一例に記載の半導体素子搭載用基板と、
前記電極と電気的に接続される半導体素子と、
前記半導体素子を覆う樹脂部であって、前記中間層のうち、前記絶縁層の前記外周部の外側において露出する露出部を覆う樹脂部と、を備える、
ことを特徴とする半導体パッケージ。
【符号の説明】
【0050】
１，２…半導体素子搭載用基板
６，７…半導体パッケージ
６ａ…半導体素子
６ｃ，７ｃ…樹脂部
１０…基材
１０ａ…（基材の）外周部
１１，１２…表面
２０…中間層
２１，２２…露出部
４０…絶縁層
４０ａ…（絶縁層の）外周部
７０…電極
６，７…半導体パッケージ
６ａ…半導体素子
６ｃ，７ｃ…樹脂部
１０…基材
１０ａ…（基材の）外周部
１１，１２…表面
２０…中間層
２１，２２…露出部
４０…絶縁層
４０ａ…（絶縁層の）外周部
７０…電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】